專利名稱：Mos器件的特性測量結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域的檢測制程，具體地說，涉及一種金屬氧化物 半導體(Metal Oxide Semiconductor, MOS)器件的特性測量結構。
背景技術：
圖l為現(xiàn)有的MOS器件的特性測量結構。該結構中有3個MOS管MOSl'、 MOS2' 、 MOS3' 。 MOS器件的漏極分別連在襯墊Dl' 、 D2' 、 D3'上；所有MOS 器件的源極連在一起共享襯墊S'，所有MOS器件的襯底連在一起共享襯墊B'。 所迷MOS器件上的柵極均連在一個保護二級管 〃 上，由于該保護二級管4'的 存在，MOS器件的柵極不能加反向偏壓，否則保護二級管4'將處于正向?qū)ǘ?將柵極與村底直接短路。而在實際的集成電路生產(chǎn)過程中，當制程發(fā)生問題以 至器件的特性發(fā)生變化時，如果能對該MOS器件的柵極加反向偏壓進行測試， 將會得到更多的參數(shù)來幫助我們判斷出現(xiàn)問題的可能原因，如果使用圖1的傳 統(tǒng)結構將顯然不能滿足這種測試要求。另外，由于所有MOS器件的源極連在一起共享襯墊,所有MOS器件的 襯底連在一起共享襯墊B'，因此，無法實現(xiàn)對其中某一個MOS器件單獨進行 某些參數(shù)的測量。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明解決的技術問題在于提供一種MOS器件的特性測量結 構，其可以對柵極加反向偏壓進行測試，也可以對某一個MOS器件進行獨立測 試。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種新的MOS器件的特性測量結構。 一種MOS器件的特性測量結構，其包括數(shù)個MOS器件以及數(shù)個主襯墊，其中 所有MOS器件的漏極連在不同的主襯墊上，所有MOS器件的柵極連在同 一主村墊上，所有MOS器件的襯底連在同一主襯墊上，所有MOS器件的源極連在 同一主襯墊上；MOS器件的柵極和襯底之間連接有用于保護柵極的保護二極管； 所述特性測量結構在每一MOS器件的源極和村底與各自連接的主襯墊之間或者 /以及保護二極管和柵極之間設置有熔斷絲，且在熔斷絲靠近源極、襯底一側或 者/以及熔斷絲靠近保護二極管一側引出輔助村墊。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的MOS器件的特性測量結構在適當位置設置 了熔斷絲和輔助村墊，利用輔助襯墊和主村墊熔斷對應的熔斷絲，實現(xiàn)對MOS 器件的柵極加反向偏壓進行測試；也可以通過熔斷對應的熔斷絲將待測MOS器 件與其他MOS器件分隔開，且不影響待測的MOS器件。


圖1為現(xiàn)有的MOS器件的特性測量結構的示意圖；圖2為本發(fā)明實施例中的MOS器件的特性測量結構的示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本發(fā)明MOS器件的特性測量結構的一實施例進行描述，以 期進一步理解本發(fā)明的目的、具體結構特征和優(yōu)點。本實施例的特性測量結構如圖2中所示，圖中所示的MOS器件的特性測量 結構包括三個MOS器件M0S1、 MOS2、 MOS3。上述3個MOS器件的漏極 分別連在主襯墊D1、 D2、 D3上。3個MOS器件的4冊極連在同一主襯墊G上， 3個MOS器件的襯底連在同一主襯墊B上，3個MOS器件的源極連在同一主 襯墊S上。MOS器件的柵極和襯底之間連接有用于保護柵極的保護二極管4,且保護 二極管4和柵極之間設置熔斷絲rl，熔斷絲rl和保護二極管4之間引出輔助襯 墊A。在MOSl、 MOS2、 MOS3的源極和襯底與各自共用主襯墊S、 B之間分 別設置有熔斷絲r2、 r4、 r6和r3、 r5、 r7，且在熔斷絲r2、 r4、 r6和r3、 r5、 r7 靠近源極和襯底一側分別引出輔助襯墊a、 c、 e和b、 d、 f。上述熔斷絲rl-r7為多晶硅硅化物熔斷絲，使用制程中硅片的多晶硅層的 最小寬度設計，阻抗大約為100歐姆。在該熔斷絲rl-r7的兩端加電壓Vdd(2.5、3.3、 5.0伏特等)，當電流達到8-12毫安時，該多晶石圭石圭化物熔斷絲rl-r7就 會自動熔斷。當需要對MOS器件的柵極加反向偏壓進行測試時，首先需要在輔 助襯墊A和主襯墊G兩端加電壓將熔斷絲rl熔斷，使柵極和襯底之間形成斷路， 然后就可以在柵極上加反向偏壓進行測試以獲得更多參數(shù)來判斷硅片出現(xiàn)問題 的原因所在。另外，需要對某一MOS器件進行獨立測試時，只需要熔斷對應的 熔斷絲即可將待測MOS器件與其他MOS器件分開，且不會對待測MOS器件 產(chǎn)生破壞作用。舉例來說，如果需要對MOSl進行獨立測試時，就需要在主襯 墊S和輔助村墊a兩端加電壓將熔斷絲r2熔斷，在主襯墊B和輔助襯墊b兩端 加電壓將熔斷絲r3熔斷，這樣MOS1就可以與MOS2、 MOS3分隔開來。另外，上述輔助襯墊a、 b、 c、 d、 e、 f的尺寸小于上述主襯墊B、 S、 G、 Dl、 D2、 D3和輔助襯墊A,可以自由布線和排列，在實現(xiàn)對每一 MOS器件進 行獨立測試的情況下，也沒有多占用上述主襯墊的空間。
權利要求
1.一種MOS器件的特性測量結構，其包括數(shù)個MOS器件以及數(shù)個主襯墊，其中所有MOS器件的漏極連在不同的主襯墊上，所有MOS器件的柵極連在同一主襯墊上，所有MOS器件的襯底連在同一主襯墊上，所有MOS器件的源極連在同一主襯墊上；MOS器件的柵極和襯底之間連接有用于保護柵極的保護二極管；其特征在于，所述特性測量結構在每一MOS器件的源極和襯底與各自連接的主襯墊之間或者/以及保護二極管和柵極之間設置有熔斷絲，且在熔斷絲靠近源極、襯底一側或者/以及熔斷絲靠近保護二極管一側引出輔助襯墊。
2. 如權利要求1所述的MOS器件的特性測量結構，其特征在于，所述主村墊與 熔斷絲靠近保護二極管一側引出的輔助襯墊大小相同。
3. 如權利要求1所述的MOS器件的特性測量結構，其特征在于，所述熔斷絲靠 近源極、襯底一側引出的輔助襯墊的尺寸小于所述主襯墊。
4. 如權利要求1所述的MOS器件的特性測量結構，其特征在于，所述熔斷絲為 多晶硅硅化物。
5. 如權利要求l所述的MOS器件的特性測量結構，其特征在于，所述熔斷絲 當通過8-12毫安電流時自動熔斷。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種MOS器件的特性測量結構，涉及半導體領域的檢測制程。現(xiàn)有結構不能對柵極加反向偏壓進行測試，也無法實現(xiàn)對每一個MOS器件獨立測試。本發(fā)明提供的特性測量結構在每一MOS器件的源極和襯底與各自連接的主襯墊之間或者/以及保護二極管和柵極之間設置有熔斷絲，且在熔斷絲靠近源極、襯底一側或者/以及熔斷絲靠近保護二極管一側引出輔助襯墊。通過熔斷保護二極管附近的熔斷絲可以實現(xiàn)在柵極加反向偏壓進行測量；通過熔斷對應的源極、襯底側的熔斷絲，可將待測的MOS器件與其他MOS器件相分離，實現(xiàn)對每一MOS器件的獨立測試。
文檔編號H01L23/544GK101252119SQ200810035120
公開日2008年8月27日 申請日期2008年3月25日 優(yōu)先權日2008年3月25日
發(fā)明者王慶東, 坡 黎 申請人:上海宏力半導體制造有限公司