專利名稱：雙層摻雜層硅基薄膜太陽電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅摻雜層結(jié)構(gòu)的薄膜太陽電池，尤其是指由光學(xué)帶隙不同
層組成的雙層結(jié)構(gòu)的p型與n型摻雜層硅基薄膜太陽電池。
背景技術(shù)：
當(dāng)前的硅基薄膜太陽電池主要是指非晶硅電池，初期階段的技術(shù)進步涉及 到①采用梯度界面層，以改善結(jié)界面的輸運特性。②用絨面Sn02:F或ZnO代替 平面ITO透明導(dǎo)電薄膜，并采用多層背反射電極，以減少光的反射和透射損失， 提高短路電流。③采用疊層電池結(jié)構(gòu)，以擴展電池的光譜響應(yīng)范圍，提高轉(zhuǎn)換 效率。所有這些新技術(shù)，使硅基薄膜電池的效率從2%提高到13.7%?，F(xiàn)有非晶 硅電池的光照不穩(wěn)定性是由非晶硅材料微結(jié)構(gòu)的亞穩(wěn)態(tài)屬性決定的，不易完全 消除。為了獲得高效率、高穩(wěn)定性的硅基薄膜太陽電池，近年來又出現(xiàn)了微晶 硅((ic-Si)、多晶硅(poly-Si)薄膜電池。
如圖1所示的硅基薄膜太陽電池具有p-i-n (或n-i-p)型結(jié)構(gòu)，其中i層是 本征硅層，p層是硼(B)和(或)碳(C)等硅摻雜層，n層是磷(P)等硅摻 雜層。電池的整體性能不僅受p、 i、 n這三層硅薄層本身質(zhì)量的影響，還強烈的 決定于p/i、 i/n界面區(qū)域的情況，這些界面處微小的變化將明顯改變太陽電池初 始轉(zhuǎn)換效率和光照穩(wěn)定性。概括起來，可將部分決定性作用明顯的與界面相關(guān) 的物理過程分為兩類。
第一類過程是摻雜層與本征層界面處發(fā)生的粒子交換。這類粒子交換主要 有三種， 一是摻雜層中摻雜粒子，包括中性與帶電離子，如p型層中的B、 C等、 n型層中的P等，向本征i層的擴散；二是在背電極A1 (Ag)制作過程中，即
使是復(fù)合背電極ZAO有ZnO做阻擋層的情況下，都有一定數(shù)量的雜質(zhì)粒子會進 入到n型摻雜層，然后，隨著光照時間的增加通過n/i界面擴散進入本征i層內(nèi)； 三是本征層內(nèi)的電子由于背擴散作用通過界面進入p型摻雜層，盡管電池內(nèi)建 電場對電子的背擴散有一定的抑制作用，但實驗表明這種抑制作用太弱。摻雜 粒子進入到本征i層， 一方面由于摻雜濃度降低直接導(dǎo)致電池開路電壓的降低， 另一方面，與進入到本征i層的雜質(zhì)粒子一樣都會導(dǎo)致本征層內(nèi)出現(xiàn)大量的缺 陷，形成光生載流子的復(fù)合中心，造成電池短路電流密度與光照穩(wěn)定性的降低。 電子由于背擴散作用從本征層經(jīng)過界面進入p型摻雜層后，與慘雜層內(nèi)的空穴 快速復(fù)合，同樣將導(dǎo)致電池開路電壓的大幅降低。
第二類過程是摻雜層與本征層界面處摻雜劑粒子及缺陷的積累與分布。p型 摻雜層中的摻雜劑B、 C等粒子在p/i界面處有一定的分布積累，并導(dǎo)致該界面 處缺陷的增加，n型摻雜層中的摻雜劑P粒子在n/i界面處也有---定的分布積累， 同樣會導(dǎo)致該界面處缺陷增加。這些界面處的缺陷對本征層內(nèi)載流子收集的影 響分為兩方面， 一是它們作為復(fù)合中心，使光生載流子復(fù)合；二是它們的電荷 狀態(tài)改變了本征層內(nèi)電場的均勻分布。根據(jù)Fermi能級的能量位置可知，位于本 征層內(nèi)與p型層相鄰的缺陷帶正電(D+)，而本征層內(nèi)與n型層相鄰的缺陷帶負 電(DO。這些帶電的缺陷增加了p/i與n/i界面處的電場，而這個電場的方向與 內(nèi)建電場的方向相反，削弱了本征層內(nèi)內(nèi)建電場的強度，減小了對光生載流子 的收集作用。這種過程將導(dǎo)致電池短路電流密度及均勻性的降低，同時造成電 池填充因子的減小。
由此可見，上述兩類物理過程作用的結(jié)果，將嚴(yán)重妨礙硅基薄膜太陽電池 整體性能的提高，是研究與生產(chǎn)所必須要面對和解決的技術(shù)難題。目前，針對
以上情況，已經(jīng)出現(xiàn)了諸多工藝技術(shù)，如緩沖層、阻擋層等，但這些工藝技術(shù) 往往只能解決部分上述問題，如簡單的緩沖層生長技術(shù)可改善界面處缺陷增多 的問題，但不能抑制粒子在摻雜層與本征層之間的交換作用，普通的阻擋層技 術(shù)又會引入新的雜質(zhì)。微晶硅，包括納米晶薄膜電池在界面缺陷方面盡管得到 了明顯的改善，但電池整體性能依然受到粒子在摻雜層與本征層之間交換作用 的嚴(yán)重影響。將緩沖層、阻擋層與納米晶或者微晶硅薄膜生長技術(shù)簡單結(jié)合在 一起，卻增加了電池制造工藝的步驟及復(fù)雜性，導(dǎo)致電池制造成本的大幅提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是基于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提出一種對摻雜層與本征 層界面處粒子交換作用進行抑制并能夠改善該界面處的粒子與缺陷的積累與分 布、能夠同時提高太陽電池初始光電轉(zhuǎn)換效率和光照穩(wěn)定效率的硅基薄膜太陽 電池用的摻雜層。
本發(fā)明的目的可以通過以下措施來達到。 一種摻雜層硅基薄膜太陽電池，
包括，襯底、透明導(dǎo)電薄膜、本征硅層、背電極和雙層結(jié)構(gòu)的p型硅摻雜層與n 型硅摻雜層，其特征在于，在所述雙層結(jié)構(gòu)的摻雜層中，與本征層相鄰較近的 層的光學(xué)帶隙比相鄰較遠的層的光學(xué)帶隙大，但其帶隙差值不大于0.45eV。
本發(fā)明的積極效果和優(yōu)點是本發(fā)明利用材料光學(xué)帶隙匹配的硅基薄膜太 陽電池用雙層結(jié)構(gòu)的摻雜層，實現(xiàn)了對摻雜層與本征層界面處粒子交換作用的 抑制并控制摻雜劑粒子及缺陷在此界面處的積累與分布，能夠同時提高太陽電 池的初始光電轉(zhuǎn)換效率和光照穩(wěn)定性。其主要優(yōu)點在于
l.該雙層結(jié)構(gòu)的摻雜層阻止本征層內(nèi)光生電子通過背散射作用進入p型摻 雜層與空穴復(fù)合，阻止本征層內(nèi)光生空穴通過背散射作用進入n型摻雜層與電 子復(fù)合，提高了太陽電池的開路電壓與光照穩(wěn)定性。 2. 該雙層結(jié)構(gòu)的摻雜層阻止p型與n型摻雜層中的摻雜粒子，包括中性粒 子與帶電離子，擴散進入本征層，阻止在背電極制作過程中引入到摻雜層的雜 質(zhì)粒子在光照后向本征層內(nèi)擴散，減小了本征層內(nèi)過多缺陷、復(fù)合中心的出現(xiàn)，
同時有提高電池開路電壓、短路電流與填充因子FF的作用，并改善了電池的光
照穩(wěn)定性。
3. 較寬帶隙摻雜層同樣具有緩沖層的作用，可以改善p/i、 i/n界面處摻雜粒 子、缺陷的積累與分布，減少電流的復(fù)合中心，提高本征層內(nèi)電場的均勻性， 大幅提高電池的填充因子與初始光電轉(zhuǎn)換效率。
4. 較寬帶隙摻雜層的作用是通過調(diào)控其與另外一層摻雜層之間光學(xué)帶隙的 關(guān)系來實現(xiàn)的，相對于其它緩沖層與阻擋層技術(shù)，該摻雜層的生長工藝相對簡 單，只需要通過調(diào)節(jié)相關(guān)生長工藝參數(shù)即可實現(xiàn)，不需要另外增加反應(yīng)源與專 用設(shè)備，具有更加節(jié)約成本的優(yōu)勢。
5. 具有普遍性、通用性?？蓱?yīng)用于任何p-i-n與n-i-p結(jié)構(gòu)硅基單結(jié)與疊層太 陽電池。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)普通單層慘雜層結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽電池內(nèi)載流子遷移的能 帶示意圖。
圖2是本發(fā)明的p-i-n型單結(jié)摻雜層硅基薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)示意圖(透明 襯底)。
圖3是本發(fā)明的n-i-p型單結(jié)摻雜層硅基薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)示意圖(不透 明襯底)。
圖4是本發(fā)明的單結(jié)摻雜層硅基薄膜太陽電池內(nèi)載流子遷移的能帶示意圖。 圖5是本發(fā)明的p-i-n型疊層摻雜層硅基薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)示意圖(透明襯底)。
圖6是本發(fā)明的n-i-p型疊層摻雜層硅基薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)示意圖(不透
明襯底)。
附圖中l(wèi).透明襯底，2.透明導(dǎo)電薄膜，3、 4.p型硅摻雜層，5.本征硅層， 6、 7.n型硅摻雜層，8.背電極層，9.不透明襯底。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的具體實施方式
作進一歩的詳細說明
參閱圖2、圖3。單結(jié)摻雜層硅基薄膜太陽電池實施例中，圖2所示的p-i-n 型結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽電池制作在透明襯底上，圖3所示的n-i-p型硅基薄膜太陽 電池制作在不透明襯底上。
采用p-i-n型結(jié)構(gòu)時，在以透明導(dǎo)電玻璃為透明襯底1的具有絨面結(jié)構(gòu) Sn02:F透明導(dǎo)電薄膜2上，先沉積一層15.0~25.0nm厚的硼摻雜的p型硅摻雜 層3，具體材料為p型硼摻雜微晶硅，該層沉積采用PECVD技術(shù)，基本沉積條 件是13.56 100MHz高頻輝光激勵，大于0.70W/cn^高輝光功率密度，高氫稀釋 硅垸比(H2/SiH4>20)。接著沉積第二層p型硅摻雜層4，具體材料為p型硼摻 雜非晶硅，厚度為2.0 4.0nm，通過調(diào)節(jié)氫稀釋硅烷比等其它工藝參數(shù)，生長工 藝參數(shù)包括氫稀釋硅垸比小于15、薄膜層沉積時襯底溫度為150 25(TC、射 頻電源頻率為700k-13.6MHz或功率為0.01 0.1W/cm2 、反應(yīng)腔內(nèi)壓力為 30~100Pa，使其光學(xué)帶隙比第一層p型硅摻雜層大0.20 0.40eV。繼續(xù)沉積的非 晶本征硅層5厚度約250 350nm，沉積速率保持在0.3nm/s左右。再接下去沉積 的n型硅摻雜層6，具體材料為磷摻雜的非晶硅，厚度為2.0 4.0nm，通過調(diào)節(jié) 氫稀釋硅垸比等工藝參數(shù)，使其光學(xué)帶隙比隨后沉積的具體材料為磷摻雜微晶 層的n型硅摻雜層7大0.20 0.40eV，并可根據(jù)需要連續(xù)調(diào)節(jié)。微晶n型硅摻雜
層7的沉積條件與微晶p型摻雜層3類似。其光學(xué)帶隙比非晶本征硅層5要低，
厚度約15.0 25.0nm。背電極層8采用ZAO復(fù)合電極結(jié)構(gòu)，即由溫度18(TC附近 LPCVD技術(shù)生長的ZnO:Al層與80。C時濺射蒸發(fā)的金屬Ag/Al層疊加而成，三 層厚度分別為80nm， 100nm和200nm，實現(xiàn)對可見光中較長波段光的陷光作用。 根據(jù)上述工藝條件及結(jié)構(gòu)設(shè)計生長出的有效面積為lcm2的單結(jié)摻雜層硅基薄膜 太陽電池穩(wěn)定的光電轉(zhuǎn)換效率將可達到9.0%以上，填充因子FF大于0.60。經(jīng) 過工藝與結(jié)構(gòu)再優(yōu)化后，該光電轉(zhuǎn)換效率還有望繼續(xù)提高。
采用n-i-p型結(jié)構(gòu)時，在不透明襯底9上，將上述p-i-n結(jié)構(gòu)中層2-8的沉積 順序顛倒過來，即可實現(xiàn)n-i-p型摻雜層硅基薄膜太陽電池的制作。
本發(fā)明的單結(jié)硅基薄膜p-i-n型或n-i-p型太陽電池的摻雜層都是由兩層結(jié) 構(gòu)構(gòu)成。摻雜層位于本征硅層5的兩側(cè)。摻雜層和本征層為硅層。其中與本征 層相鄰的p型摻雜p型硅摻雜層4、 6厚度為1.5 5.0nm，其光學(xué)帶隙比另外一 層厚度為9.0 25.0nm的p型摻雜層3、 n型硅摻雜層7的光學(xué)帶隙大，但帶隙差 值不超過0.45eV。摻雜層光學(xué)帶隙的差別可以是選擇帶隙不同的異質(zhì)材料，如 微晶(納米晶)材料、a-Si:H、 a-SiC:H或a-SiGe:H等來實現(xiàn)的，也可以是通過 改變同種材料的生長工藝參數(shù)，如氫氣稀釋硅烷的比例、薄膜層沉積時襯底溫 度、射頻電源頻率或功率、反應(yīng)腔內(nèi)壓力等，對光學(xué)帶隙大小進行調(diào)控來實現(xiàn)。
p-i-n型結(jié)構(gòu)的硅基薄膜太陽電池，各層依次由透明襯底1、透明導(dǎo)電薄膜2、 p型硅摻雜層3與4、本征硅層5、 n型硅摻雜層6與7、背電極層8組成。
n-i-p型結(jié)構(gòu)的硅基薄膜太陽電池，各層依次由透明導(dǎo)電薄膜2、 p型硅摻雜 層3與4、本征硅層5、 n型硅摻雜層6與7、背電極層8、不透明襯底9組成。 所說的不透明襯底9是柔性襯底，如塑料、不銹鋼等。，
雙層結(jié)構(gòu)摻雜層可應(yīng)用于單結(jié)硅基薄膜太陽電池，也可應(yīng)用于疊層、多結(jié)
硅基薄膜太陽電池。
上述透明導(dǎo)電薄膜2，可以是表面為絨面結(jié)構(gòu)的Sn02:F或ZnO或平面結(jié)構(gòu) 的ITO透明導(dǎo)電薄膜等。
所說的本征硅層5，可以是非晶硅a-Si:H層，也可以是非晶硅與鍺、碳等合 金層，也可以是微晶硅層。
所說的背電極層8，可以是Al或Ag或Al/Ag等簡單的金屬材料層電極， 也可以是ZAO (ZnO:Al)與Al或Ag或Al/Ag等金屬多層復(fù)合電極。
上述雙層結(jié)構(gòu)摻雜層的硅基薄膜太陽電池工作原理是
參閱圖4，在雙層結(jié)構(gòu)p型摻雜層中，由于p型硅摻雜層3的光學(xué)帶隙比p 型硅摻雜層4的光學(xué)帶隙小，對于p型硅摻雜層3中擴散的摻雜離子，如硼、 碳等離子和本征硅層5中背散射的光生電子來講，p型硅摻雜層4都將會在導(dǎo)帶 上形成有一定高度的勢壘阻擋區(qū)。在硅基薄膜太陽電池中，沒有較大外加電場 作用的存在，p型硅摻雜層3內(nèi)的摻雜負離子、本征硅層5內(nèi)的光生電子，不可 能以較大幾率從有一定厚度的勢壘阻擋層p型硅摻雜層4中躍遷過去。除此之 外，p型硅摻雜層4兼有緩沖層的作用，可以阻擋p型硅摻雜層中中性粒子向本 征硅層的擴散，可以改善p型硅摻雜層與本征硅層5界面處的粒子與缺陷的積 累與分布。對于在內(nèi)建電場作用下從本征硅層5向p型硅摻雜層漂移的光生空 穴來講，較寬帶隙p型硅摻雜層4的引入同樣會導(dǎo)致勢壘的出現(xiàn)，但由于能帶 的不連續(xù)性，光生空穴所要躍遷的有效勢壘高度比電子躍遷的有效勢壘高度低。 結(jié)合理論模擬計算結(jié)果表明，只要p型硅摻雜層4材料的光學(xué)帶隙不超過層3 材料光學(xué)帶隙0.45eV，寬帶隙p型硅摻雜層4的引入就不會形成阻擋光生空穴 向p型硅摻雜層漂移的有效勢壘，從而不會對空穴貢獻的光生電池產(chǎn)生任何負 面影響。為了抑制帶電離子在通過有一定高度勢壘區(qū)時發(fā)生的隧道效應(yīng)，p型硅
摻雜層4厚度設(shè)定值在1.5~5.0nm之間。
n型雙層結(jié)構(gòu)慘雜層中，由于n型硅摻雜層6的光學(xué)帶隙比n型硅摻雜層7 的光學(xué)帶隙大，對于n型硅摻雜層6中擴散的摻雜離子、背電極制作過程中引 入的雜質(zhì)離子(A1或Ag等)、和本征硅層5中背散射的光生空穴來講，n型硅摻 雜層6都將會在價帶上形成有一定高度的勢壘阻擋區(qū)。同樣由于沒有較大外加 電場作用的存在，n型硅摻雜層6內(nèi)的摻雜正離子、本征層5內(nèi)的光生空穴，不 可能以較大幾率從有一定厚度的勢壘阻擋層n型硅摻雜層6中躍遷過去。n型硅 摻雜層6同時也兼有緩沖層的作用，可以阻擋n型硅摻雜層中中性粒子向本征 層的擴散，可以改善n型硅摻雜層與本征硅層5界面處的粒子與缺陷的積累與 分布。對于在內(nèi)建電場作用下從本征硅層5向n型摻雜層漂移的光生電子來講， 寬帶隙n型硅摻雜層6的引入同樣會導(dǎo)致勢壘的出現(xiàn)，但由于能帶的不連續(xù)性， 光生電子所要躍遷的有效勢壘高度比空穴與正離子躍遷的有效勢壘高度低。理 論模擬計算結(jié)果表明，只要n型硅摻雜層6材料的光學(xué)帶隙不大于層7材料光 學(xué)帶隙0.45eV，寬帶隙n型硅摻雜層6的引入就不會形成阻擋光生電子向n型 摻雜層漂移的有效勢壘，從而不會對電子貢獻的光生電池產(chǎn)生負面影響。由于 抑制帶電離子在通過有一定高度勢壘區(qū)時發(fā)生隧道效應(yīng)的需要，n型硅摻雜層6 厚度設(shè)定值也在1.5 5.0nm之間。
在圖5所示的另一個實施例中，描述了疊層摻雜層硅薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)組 成。它是在透明導(dǎo)電玻璃作為透明襯底1的具有絨面結(jié)構(gòu)SnCb:F透明導(dǎo)電薄膜 2上，先生長頂電池單元。具體情況是，先沉積一層15.0 25.0nm厚的硼摻雜的 微晶層p型硅摻雜層3，接著沉積第二層硼摻雜非晶p型硅摻雜層4，厚度為 2.0 4.0nm，通過調(diào)節(jié)氫稀釋硅垸比等工藝參數(shù)，使其光學(xué)帶隙比第一層微晶p 型硅摻雜層3大0.20 0.40eV。繼續(xù)沉積的非晶本征硅層5厚度約200 280nm，
沉積速率保持在0.3nm/s左右。再接下去沉積的磷摻雜非晶n型硅摻雜層6，厚 度2.0 4.0nm，要求其光學(xué)帶隙比隨后沉積的磷摻雜微晶n型硅摻雜層7大 0.20~0.40eV,并可根據(jù)需要連續(xù)調(diào)節(jié)。微晶n型硅摻雜層7的厚度約 15.0 25.0nm。接下來分別重復(fù)各p、 i、 n層的沉積，完成底電池單元的生長。 具體情況是，依次沉積第一層厚15.0~25.0nm的硼摻雜的微晶p型硅摻雜層3、 第二層厚度為2.0 4.0nm的硼摻雜非晶p型硅摻雜層4、厚度為1.8 2.5pm的微 晶本征硅層5、第一層厚度為2.0 4.0nm的磷摻雜非晶n型硅摻雜層6、第二層 磷摻雜微晶n型硅摻雜層7。通過調(diào)節(jié)氫稀釋硅烷比等工藝參數(shù)實現(xiàn)p型硅摻雜 層4與p型硅摻雜層3、 n型硅摻雜層7與n型硅摻雜層6材料之間光學(xué)帶隙大 小的匹配。微晶本征硅層5的生長條件要求13.56 100MHz，高頻輝光激勵，大 于0.70W/cn^高輝光功率密度，高氫稀釋硅烷比(H2/SiH4>20)，高反應(yīng)氣壓等。 最后是背電極層8的生長，該層與前述單結(jié)摻雜層硅基薄膜太陽電池實例中背 電極層8的制作相同。根據(jù)上述工藝條件及結(jié)構(gòu)設(shè)計生長出的有效面積為lcm2 的疊層摻雜層硅基薄膜太陽電池穩(wěn)定的光電轉(zhuǎn)換效率將可達到11.0%以上，填充 因子FF大于0.70。經(jīng)過工藝與結(jié)構(gòu)再優(yōu)化后，該光電轉(zhuǎn)換效率還有望繼續(xù)提高。 參閱圖6，在不透明襯底9上，先沉積背電極層8，然后將圖5所示p-i-n型 疊層摻雜層硅薄膜太陽電池各層的沉積順序顛倒過來，先依次生長層7-3組成的 底電池，再依次生長層7-3組成的頂電池的，各層沉積條件與圖5所示p-i-n疊 層摻雜層硅薄膜太陽電池中相同名稱層的沉積條件相同，最后是透明導(dǎo)電薄膜 層2。這樣即可實現(xiàn)n-i-p型疊層硅薄膜太陽電池的制作，該電池使用了雙層結(jié) 構(gòu)摻雜層，抑制了摻雜層與本征層界面處粒子交換作用，改善了該界面處的粒 子與缺陷的積累與分布，可同時提高電池初始光電轉(zhuǎn)換效率與光照穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
1.一種摻雜層硅基薄膜太陽電池，包括，透明襯底(1)或不透明襯底(9)、透明導(dǎo)電薄膜(2)、本征硅層(5)、背電極層(8)和雙層結(jié)構(gòu)的p型硅摻雜層(3、4)與n型硅摻雜層(6、7)，其特征在于在所述p型與n型摻雜層中，與本征層相鄰較近的層的光學(xué)帶隙比相鄰較遠的層的光學(xué)帶隙大，但其帶隙差值不大于0.45eV。
2. 按權(quán)利要求1所述的摻雜層硅基薄膜太陽電池，其特征在于雙層摻雜層光學(xué)帶隙的不同，由選擇帶隙不同的異質(zhì)材料排列來實現(xiàn)，或通過改變生長工 藝參數(shù)等條件對同種材料的光學(xué)帶隙大小進行調(diào)控來實現(xiàn)。
3. 按權(quán)利要求1所述的摻雜層硅基薄膜太陽電池，其特征在于雙層n型與 p型摻雜層中，與本征層相鄰較近的層的厚度為1.5 5.0nm，與本征層相鄰較遠 的層的厚度為9.0 25.0nm。
4. 按權(quán)利要求1所述的摻雜層硅基薄膜太陽電池，其特征在于所說的本征硅層是非晶硅，或者是非晶硅與鍺、碳等合金，或者是微晶硅。
5. 按權(quán)利要求1所述的摻雜層硅基薄膜太陽電池，其特征在于所述的透明導(dǎo)電薄膜(2)是表面為絨面結(jié)構(gòu)的Sn02:F或ZnO或平面結(jié)構(gòu)的ITO透明導(dǎo)電薄膜。
6. 按權(quán)利要求1所述的摻雜層硅基薄膜太陽電池，其特征在于所說的背電 極層(8)是Al或Ag或Al/Ag金屬材料層電極'，或者是ZAO與Al或Ag或 Al/Ag金屬多層復(fù)合電極，其中，ZAO是ZnO:Al。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種雙層摻雜層硅基薄膜太陽電池，在p型與n型摻雜層中，與本征層相鄰較近的層的光學(xué)帶隙比相鄰較遠的層的光學(xué)帶隙大，但其帶隙差值不大于0.45eV。雙層摻雜層結(jié)構(gòu)光學(xué)帶隙的不同是按照匹配原理來排列不同材料實現(xiàn)，或改變同種材料的生長工藝參數(shù)對光學(xué)帶隙大小進行調(diào)控來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明可以同時實現(xiàn)摻雜層與本征層界面處粒子交換作用的抑制及摻雜劑粒子與缺陷積累與分布的控制，減小了本征層內(nèi)過多缺陷，同時提高太陽電池的初始光電轉(zhuǎn)換效率和光照穩(wěn)定性，進一步降低硅基薄膜太陽電池的生產(chǎn)制造成本，可應(yīng)用于任何p-i-n與n-i-p結(jié)構(gòu)硅基單結(jié)、疊層與多結(jié)太陽電池。
文檔編號H01L31/076GK101373799SQ20081004575
公開日2009年2月25日 申請日期2008年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月7日
發(fā)明者余麗波, 余晨輝, 鷗 王, 柱 石, 覃文治 申請人:西南技術(shù)物理研究所