專利名稱：防靜電tft基板及其加工工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種TFT基板，'它屬于玻璃技術(shù)領(lǐng)域，特別是用于顯 示器的TFT基板加工技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前TFT基板用于液晶顯示面板已經(jīng)被廣泛的使用了 ，因?yàn)?TFT型的顯示器其具有比較高的對(duì)比度，反應(yīng)速度快，視角較廣 等特點(diǎn)。但是傳統(tǒng)的TFT基板上由于沒有進(jìn)行防靜電處理，在加 工成為顯示器使用時(shí)容易吸附空氣中的灰塵，表面容易臟，影響 顯示面板的清晰度。另外，由于TFT基板屬于超薄的玻璃，具有 易碎的特點(diǎn)。通常，為了對(duì)玻璃進(jìn)行防靜電處理，主要采用真空 鍍膜的方法進(jìn)行，傳統(tǒng)的真空4t膜技術(shù)是在較高的溫度下進(jìn)行鍍 膜的，即鍍膜時(shí)溫度超過10(TC,而在高溫下鍍膜，由于TFT基板 又薄又脆的特性，不但會(huì)造成TFT基板破碎漏液，而且鍍膜后還 會(huì)造成TFT基板老化，降低顯示器的使用壽命，同時(shí)也會(huì)影響到 顯示器的整體質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種不會(huì)吸附灰塵，顯示器表面可以保持 清潔清晰的，加工工藝簡(jiǎn)單的防靜電TFT基板及其加工工藝。 本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的
一種防靜電TFT基板，在TFT基板設(shè)置有一具有防靜電功能的氧 化銦錫膜層。
所述的具有防靜電功能的氧化銦錫膜層的鍍膜材料為氧化銦錫 Sn02，其銦錫比例為98: 2,透過率〉88%、方阻在600 ~ 1200Q/□之間。
所述的具有防靜電功能的氧化銦錫膜層膜厚為80 ±20 A;方阻
在700 — 1 150 之間。
本發(fā)明的防靜電TFT基板的加工工藝，它包括如下的步驟
A:在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架裝
片鍍膜；
B:選用連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)完成鍍膜首先確定工藝參數(shù)基 片加熱溫度為50 - 70。C,鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為15 18HZ,加熱時(shí)間 為15-25分鐘，按以下方法進(jìn)行濺射鍍膜鍍膜室總氣壓為O. 3~ 0. 5Pa，使用隔位的兩個(gè)靶或多個(gè)耙進(jìn)行鍍膜，鍍膜室氬氣流量為 丄80 250Sccm，鍍膜室真空度3. 0*10—'Pa ~ 5. 0*10，&之間。基板溫度 由7(TC上升到85。C，經(jīng)過兩個(gè)靶位的冷卻，基板溫度又由85。C下降到 70°C,再進(jìn)行鍍第二層氧化銦錫膜層膜層；氧化銦錫膜層膜厚控制在 80土20A ~90±20A,氬氣的氣體純度為99. 99%。
其優(yōu)選的工藝步驟和參數(shù)如下
A:在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架裝 片鍍膜；
B:采用LHKJ立式全自動(dòng)連續(xù)磁控賊射鍍膜機(jī)進(jìn)行氧化銦錫膜層
鍍膜，基片加熱溫度為70"C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為18HZ，加熱時(shí) 間為15分鐘，按以下方法進(jìn)行';賤射鍍膜總氣壓為0. 5Pa，使用隔 位的兩個(gè)靶進(jìn)行鍍膜，基板溫度由7(TC上升到85。C左右，經(jīng)過兩個(gè) 靶位的冷卻，基板溫度又由85。C下降到7(TC，再進(jìn)行鍍第二層氧化 銦錫膜層，氧化銦錫膜層膜厚控制在90±20 A ,鍍膜室氬氣的流量 為180~ 250Sccm，鍍膜室真空度4. 0*10—'Pa ~ 5. 0*10—'Pa之間；氬氣 的氣體純度為99. 99%。
本發(fā)明的加工工藝的另 一個(gè)優(yōu)選的工藝步驟和參數(shù)如下 A:在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架裝片 鍍膜；
B:采用LHKJ立式全自動(dòng)連續(xù)磁控賊射鍍膜機(jī)進(jìn)行氧化銦錫膜層 鍍膜，基片加熱溫度為60"C,加熱時(shí)間為20分鐘鍍膜室傳動(dòng)速度頻 率為16HZ，按以下方法進(jìn)行濺射鍍膜鍍膜室的總氣壓為0. 4Pa，使 用隔位的兩個(gè)靶進(jìn)行鍍膜，基板溫度由60。C上升到75。C左右，經(jīng)過 兩個(gè)靶位的冷卻，基板溫度又由75。C下降到6(TC,再進(jìn)行鍍第二層 氧化銦錫膜層，膜厚控制在80 ±20 A之間，鍍膜室氬氣的流量為 200 ~ 250Sccm，鍍膜室真空度3. 5*10—'Pa ~ 4. 5*10—'Pa之間；氬氣的 氣體純度為99. 99%。
本發(fā)明的三個(gè)靶位濺射鍍膜的加工工藝的工藝步驟和參數(shù)如
下
A:首先在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架 裝片鍍膜；
B:采用LHKJ立式全自動(dòng)連續(xù)磁控賊射鍍膜機(jī)進(jìn)行氧化銦錫膜層 的鍍膜，基片加熱溫度為50。C，加熱時(shí)間為25分鐘，鍍膜室傳動(dòng)速度 頻率為15HZ,按以下方法進(jìn)行濺射鍍膜鍍膜室的總氣壓為O. 3Pa， 使用隔位的三個(gè)靶進(jìn)行鍍膜，基板溫度由5(TC上升到65。C左右，經(jīng)過 兩個(gè)靶位的冷卻，基板溫度又由65。C下降到5(TC,再進(jìn)行鍍第二層氧 化銦錫膜層膜層，經(jīng)過兩個(gè)耙位的冷卻，基板溫度由65。C上升到50 。C左右，再進(jìn)行鍍第三層氧化銦錫膜層，膜厚控制在80士20 A之間， 鍍膜室氬氣的流量為20Q ~ 230Sccm,鍍膜室真空度3. 0*l(TPa ~ 4. 0*10—卞a之間;氬氣的氣體純度為99. 99%。
本發(fā)明采用低溫、多靶、隔位濺射方法在TFT基板上鍍制的高透 過率、高方阻氧化銦錫膜層，即ITO膜，由于ITO膜的電阻值大，使得 鍍膜后的TFT基板具有良好的防靜電功能，因此不容易吸附灰塵，同 時(shí)防止鍍膜時(shí)TFT基板的破碎和防止鍍膜后TFT基板老化。 具體實(shí)》&方式
下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的說明
本實(shí)施例為兩個(gè)耙位的濺射方法，其工藝步驟如下 在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 膜；采用LHKJ立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行氧化銦錫膜層鍍 膜，即TTO膜，鍍膜材料為氧化銦錫Sn02,其銦錫比例為98: 2,基 片加熱溫度為70°C,鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為18HZ，加熱時(shí)間為15分 鐘，按以下方法進(jìn)行賊射鍍膜總氣壓為O. 5Pa,使用隔位的兩個(gè)靶 進(jìn)行鍍膜，基板溫度由7(TC上升到85"左右，經(jīng)過兩個(gè)靶位的冷卻， 基板溫度又由85。C下降到70°C，再進(jìn)行鍍第二層氧化銦錫膜層，氧 化銦錫膜層膜厚控制在90 ±20 A ，鍍膜室氬氣的流量為180 ~ 250Sccm,鍍膜室真空度4. (W(T卞a ~ 5. 0*10—卞a之間;氬氣的氣體純 度為99. 99%。
鍍膜后的TFT基板測(cè)試結(jié)果透過率〉88%、方阻在800 ~ 1200 (Q/口)之間、ITO膜厚為90土20 A。 實(shí)施例2:
本實(shí)施例為兩個(gè)靶位的濺射方法，其工藝步驟和參數(shù)如下 在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍 膜；采用LHKJ立式全自動(dòng)連續(xù)磁控賊射鍍膜機(jī)進(jìn)行氧化銦錫膜層鍍 膜，即ITO膜，4度膜材料為氧化銦錫Sn02,其銦錫比例為98: 2,基 片加熱溫度為60。C,加熱時(shí)間為20分鐘鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為16HZ， 按以下方法進(jìn)行、踐射鍍膜鍍膜室的總氣壓為0. 4Pa,使用隔位的兩 個(gè)耙進(jìn)行鍍膜，基板溫度由6(TC上升到75。C左右，經(jīng)過兩個(gè)靶位的 冷卻，基板溫度又由75。C下降到60°C,再進(jìn)行鍍第二層氧化銦錫膜 層，膜厚控制在80 ±20 A之間，鍍膜室氬氣的流量為200 250Sccm, 鍍膜室真空度3. 5*l(TPa ~ 4. 5*10—Pa之間；氬氣的氣體純度為 99. 99%。
鍍膜后的TFT基板測(cè)試結(jié)果透過率〉88°/ 、方阻在7QQ 1150 (Q/口)之間、ITO膜厚為80±20 A。 實(shí)施例3:
本實(shí)施例為三個(gè)靶位的濺射方法，其工藝步驟和參數(shù)如下
在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍膜； 采用LHKJ立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行氧化銦錫膜層的鍍膜， 鍍膜材料為氧化銦錫Sn02，其銦錫比例為98: 2基片加熱溫度為50°C , 加熱時(shí)間為25分鐘，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為15HZ,按以下方法進(jìn)行濺 射鍍膜鍍膜室的總氣壓為O. 3Pa,使用隔位的三個(gè)靶進(jìn)行鍍膜，基 板溫度由5(TC上升到65。C左右，經(jīng)過兩個(gè)靶位的冷卻，基板溫度又由 65。C下降到5(TC，再進(jìn)行鍍第二層氧化銦錫膜層，經(jīng)過兩個(gè)靶位的冷 卻，基板溫度由65。C上升到5(TC左右，再進(jìn)行鍍第三層氧化銦錫膜 層，膜厚控制在80土20 A之間，鍍膜室氬氣的流量為200 230Sccm, 鍍膜室真空度3. 0*10—屮a ~ 4. 0*10—屮a之間；氬氣的氣體純度為 99. 99%。
鍍膜后的TFT基板測(cè)試結(jié)果透過率>88%、方阻在6Q0 ~ 1000 ( D /口)之間、ITO膜厚為80土20 A。
權(quán)利要求
1、一種防靜電TFT基板，其特征在于在TFT基板設(shè)置有一具有防靜電功能的氧化銦錫膜層。
2、 如權(quán)利要求1中所示的防靜電TFT基板，其特征在于所述的具 有防靜電功能的氧化銦錫膜層的鍍膜材料為氧化銦錫Sn02，其 銦錫比例為98: 2,透過率〉88%、方阻在600 ~ 1200Q/口之間。
3、 如權(quán)利要求1或2中所示的防靜電TFT基板，其特征在于所述 的具有防靜電功能的氧化銦錫膜層膜厚為80±20A;方阻在 700 ~ 1150 ( D/口 )之間。
4、 一種用于加工權(quán)利要求1中的防靜電TFT基板的加工工藝，其 特征在于它包括如下的步驟A:在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架裝片 鍍膜；B:選用連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)完成鍍膜首先確定工藝參數(shù)基 片加熱溫度為50 70。C,鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為15 ~ 18HZ，加熱時(shí)間 為15 25分鐘，按以下方法進(jìn)行濺射鍍膜鍍膜室總氣壓為O. 3~ 0. 5Pa，使用隔位的兩個(gè)靶或多個(gè)耙進(jìn)行鍍膜，鍍膜室氬氣流量為 180 250Sccm,鍍膜室真空度3. 0*10—'Pa ~ 5. 0*10—'Pa之間?；鍦囟?由7(TC上升到85。C，經(jīng)過兩個(gè)靶位的冷卻，基板溫度又由85。C下降到 7(TC，再進(jìn)行鍍第二層氧化銦錫膜層膜層；氧化銦錫膜層膜厚控制在 80 ±20 A ~ 90 ±20 A,氬氣的氣體純度為99. 99%。
5、 如權(quán)利要求4中所述所述的防靜電TFT基板的加工工藝，其特 征在于其優(yōu)選的工藝步驟和參數(shù)如下A:在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架裝 片鍍膜；B:采用LHKJ立式全自動(dòng)連續(xù)磁控賊射鍍膜機(jī)進(jìn)行氧化銦錫膜 層鍍膜，基片加熱溫度為70°C，鍍膜室傳動(dòng)速度頻率為18HZ，加熱 時(shí)間為15分鐘，按以下方法進(jìn)行賊射鍍膜總氣壓為0. 5Pa,使用 隔位的兩個(gè)靶進(jìn)行鍍膜，基板溫度由7(TC上升到85。C左右，經(jīng)過兩 個(gè)靶位的冷卻，基板溫度又由85。C下降到70°C，再進(jìn)行一渡第二層氧 化銦錫膜層，氧化銦錫膜層膜厚控制在90±20 A ,鍍膜室氬氣的流 量為180 - 250Sccm,鍍膜室真空度4. 0*10—卞a ~ 5. 0*10—'Pa之間；氬 氣的氣體純度為99. 99%。
6、 如權(quán)利要求4中所述所述的防靜電TFT基板的加工工藝，其特 征在于其另一個(gè)優(yōu)選的工藝步驟和參數(shù)如下A:在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍膜；B:采用LHKJ立式全自動(dòng)連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行氧化銦錫膜層 鍍膜，基片加熱溫度為60。C,加熱時(shí)間為20分鐘鍍膜室傳動(dòng)速度頻 率為16HZ，按以下方法進(jìn)行濺射鍍膜鍍膜室的總氣壓為0. 4Pa,使 用隔位的兩個(gè)靶進(jìn)行鍍膜，基板溫度由6(TC上升到75。C左右，經(jīng)過 兩個(gè)靶位的冷卻，基板溫度又由75。C下降到60°C，再進(jìn)行鍍第二層 氧化銦錫膜層，月菱厚控制在80 ±20 A之間，鍍膜室氬氣的流量為 200 250Sccm，鍍膜室真空度3. 5*10—'Pa 4. 5*10—'Pa之間；氬氣的 氣體純度為99. 99%。
7、 如權(quán)利要求4中所述所述的防靜電TFT基板的加工工藝， 其特4正在于其三個(gè)耙位賊射鍍膜的加工工藝的工藝步驟和 參數(shù)如下A:首先在進(jìn)行鍍膜之前對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗、熱烘干燥后， 上架裝片鍍膜；B:采用LHKJ立式全自動(dòng)連續(xù)磁控賊射鍍膜機(jī)進(jìn)行氧化銦錫膜層 的鍍膜，基片加熱溫度為50。C,加熱時(shí)間為25分鐘，鍍膜室傳動(dòng)速度 頻率為15HZ，按以下方法進(jìn)行濺射鍍膜鍍膜室的總氣壓為O. 3Pa, 使用隔位的三個(gè)靶進(jìn)行鍍膜，基板溫度由50。C上升到65。C左右，經(jīng)過 兩個(gè)靶位的冷卻，基板溫度又由65。C下降到5(TC，再進(jìn)行鍍第二層氧 化銦錫膜層，經(jīng)過兩個(gè)靶位的冷卻，基板溫度由65。C上升到50。C左 右，再進(jìn)行鍍第三層氧化銦錫膜層，膜厚控制在80±20 A之間，鍍 膜室氬氣的流量為200 ~ 230Sccra，鍍膜室真空度3. 0*10，& ~ 4. 0*10—'Pa之間；氬氣的氣體純度為99. 99%。
全文摘要
一種TFT基板，它屬于玻璃技術(shù)領(lǐng)域，特別是用于顯示器的TFT基板加工技術(shù)領(lǐng)域，在TFT基板設(shè)置有一具有防靜電功能的氧化銦錫膜層；所述的具有防靜電功能的氧化銦錫膜層的鍍膜材料為氧化銦錫SnO₂，其銦錫比例為98∶2，透過率＞88％、方阻在600～1200Ω/□之間；所述的具有防靜電功能的氧化銦錫膜層膜厚為80±20；方阻在700～1150(Ω/□)之間。本發(fā)明采用低溫、多靶、隔位濺射方法在TFT基板上鍍制的高透過率、高方阻氧化銦錫膜層，即ITO膜，由于ITO膜的電阻值大，使得鍍膜后的TFT基板具有良好的防靜電功能，因此不容易吸附灰塵，同時(shí)防止鍍膜時(shí)TFT基板的破碎和防止鍍膜后TFT基板老化。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101350366SQ200810068440
公開日2009年1月21日 申請(qǐng)日期2008年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月9日
發(fā)明者吳永光, 溫景成, 胡安春, 堅(jiān) 董 申請(qǐng)人:深圳市力合薄膜科技有限公司