專利名稱：顯示面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用了通過利用晶體管陣列基板流通電流來自發(fā) 光的發(fā)光元件的顯示面板的制造方法。
技術(shù)背景有機(jī)場致發(fā)光顯示面板大致可分為無源驅(qū)動方式和有源矩陣驅(qū)動 方式兩種，但有源矩陣驅(qū)動方式的有機(jī)場致發(fā)光顯示面板在高對比度、 高精細(xì)等方面比無源驅(qū)動方式好。例如，在專利文獻(xiàn)1中記載的現(xiàn)有的 有源矩陣驅(qū)動方式的有機(jī)場致發(fā)光顯示面板中，對每個象素都設(shè)置了有 機(jī)場致發(fā)光元件(下面稱為有機(jī)EL元件)、向柵極施加對應(yīng)于圖像數(shù)據(jù) 的電壓信號來在有機(jī)EL元件中流通電流的驅(qū)動晶體管、和執(zhí)行用于向 該驅(qū)動晶體管的柵極提供對應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)的電壓信號的開關(guān)的開關(guān)用 晶體管。在該有機(jī)場致發(fā)光顯示面板中，若選擇掃描線，則開關(guān)用晶體 管導(dǎo)通，此時(shí)，經(jīng)信號線將表示亮度的電平的電壓施加于驅(qū)動晶體管的 柵極上。由此，驅(qū)動晶體管導(dǎo)通，大小對應(yīng)于柵極電壓的電平的驅(qū)動電 流經(jīng)驅(qū)動晶體管的源極-漏極，從電源流到有機(jī)EL元件，有機(jī)EL元件 以對應(yīng)于電流大小的亮度發(fā)光。在從掃描線的選擇結(jié)束起到選擇下一掃 描線為止的期間，即便開關(guān)用晶體管截止，也繼續(xù)保持驅(qū)動晶體管的柵 極電壓的電平，有機(jī)EL元件以按照對應(yīng)于電壓的驅(qū)動電流的大小的亮 度發(fā)光。為了驅(qū)動有機(jī)場致發(fā)光顯示面板，在有機(jī)場致發(fā)光顯示面板的外圍設(shè)置驅(qū)動電路，向鋪設(shè)于有機(jī)場致發(fā)光顯示面板中的掃描線、信號線、 電源線等施加電壓。另外，在現(xiàn)有的有源矩陣驅(qū)動方式的有機(jī)場致發(fā)光顯示面板中，使 用開關(guān)用晶體管、驅(qū)動晶體管等薄膜晶體管的材料，與薄膜晶體管的布圖工序同時(shí)布圖電源線等在有機(jī)EL元件中流通電流的布線。BP,當(dāng)制 造有機(jī)場致發(fā)光顯示面板時(shí)，通過對構(gòu)成薄膜晶體管電極的導(dǎo)電性薄膜 執(zhí)行光刻法、蝕刻法，利用該導(dǎo)電性薄膜來形狀加工薄膜晶體管的電極， 同時(shí)，還形狀加工同時(shí)與電極連接的布線。因此，若由導(dǎo)電性薄膜來形 成布線，則布線與薄膜晶體管的電極厚度相同。 專利文獻(xiàn)l:特開平8-330600號公報(bào)。但是，由于以用作晶體管為前提來設(shè)計(jì)薄膜晶體管的電極，換言之， 由于不是以在發(fā)光元件中流過電流為前提來設(shè)計(jì)，所以如其名稱所述， 為薄膜，因此，若從布線向多個發(fā)光元件流過電流，則由于布線的電阻 而產(chǎn)生電壓降，產(chǎn)生通過布線的電流流動延遲。雖然為了抑制電壓降和 電流延遲而期望使布線低電阻化，但為此，構(gòu)成晶體管的源極、漏極電 極的金屬層或構(gòu)成柵極電極的金屬層變厚，或以充分流過電流的程度的 寬度布圖這些金屬層來形成低電阻布線時(shí)，布線與其它布線或?qū)щ婓w等 俯視時(shí)重疊的面積增加，其間產(chǎn)生寄生電容，發(fā)生延遲電流流過的因素， 或者，在從晶體管陣列基板側(cè)射出EL光的所謂底部發(fā)射構(gòu)造的情況下， 布線會遮光來自EL元件的發(fā)光，所以導(dǎo)致作為發(fā)光面積比例的數(shù)值孔 徑變小。另外，若為了低電阻化而增厚薄膜晶體管的柵極電極，則必需 增厚至用于平坦化柵極電極的級差的平坦化膜(例如在薄膜晶體管為逆 交錯構(gòu)造(逆7夕力'構(gòu)造)的情況下，相當(dāng)于柵極絕緣膜)，晶體管特 性有可能會大大變化，另夕卜，若增厚源極、漏極電極，則由于源極、漏 極電極的蝕刻精度下降，所以有可能對晶體管的特性造成壞影響。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板的制造方法。 本發(fā)明的顯示面板的制造方法具有以下工序在面板上，按照排列成矩陣狀的方式布圖象素電極；在所述象素電極之間形成由金屬構(gòu)成的 布線；在所述布線的表面覆蓋疏液導(dǎo)通層；通過在所述電極上涂布有機(jī) 化合物含有液，成膜有機(jī)化合物層。通過增厚布線，抑制電壓降，并且用于成膜有機(jī)化合物含有液時(shí)的 隔壁。因此，由于疏液導(dǎo)通層示出疏液性，所以可良好地布圖有機(jī)化合 物層。另外，例如三嗪化合物等疏液導(dǎo)通層有選擇地在金屬表面覆蓋到 示出疏液性的程度，但在絕緣物或金屬氧化物的表面未覆蓋到示出疏液 性的程度，并且在金屬的表面極薄地覆蓋，所以金屬表面的導(dǎo)電性不會 喪失。


圖1是與絕緣基板2—起表示EL顯示面板1的電路構(gòu)成的圖。圖2是EL顯示面板1的象素電路Pg的等效電路圖。圖3是表示EL顯示面板1的象素電路Pisj的電極的平面圖。圖4是表示EL顯示面板1的象素電路Pg的電極的平面圖。圖5是圖3所示的V-V線的箭頭截面圖。圖6是圖3所示的VI-VI線的箭頭截面圖。圖7是圖3所示的vn-vn線的箭頭截面圖。 圖8是圖3所示的vm-vm線的箭頭截面圖。圖9是布圖柵極層的狀態(tài)的平面圖。圖io是布圖漏極層的狀態(tài)的平面圖。圖11是在布圖后的柵極層上重疊漏極層的狀態(tài)的平面圖。圖12是表示EL顯示面板1的有機(jī)EL層的布局的示意平面圖。圖13是用于說明EL顯示面板1的驅(qū)動方法的時(shí)間圖。圖14是用于說明EL顯示面板1的另一驅(qū)動方法的時(shí)間圖。圖15是表示各象素電路P,，,-Pm,n的驅(qū)動晶體管23和有機(jī)EL元件20的電流-電壓特性的曲線。圖16是表示32英寸的EL顯示面板1的供電布線90和共同布線91各自的最大電壓降與布線電阻率P /截面積S的相關(guān)性的曲線。圖17是表示32英寸的EL顯示面板1的供電布線90和共同布線91各自的截面積與電流密度的相關(guān)性的曲線。
圖18是表示40英寸的EL顯示面板1的供電布線90和共同布線91各自的最大電壓降與布線電阻率P /截面積S的相關(guān)性的曲線。
圖19是表示40英寸的EL顯示面板1的供電布線90和共同布線91各自的截面積與電流密度的相關(guān)性的曲線。
圖20是與絕緣基板2 —起表示EL顯示面板1的電路構(gòu)成的圖。
圖21是EL顯示面板1的象素電路Pjj的等效電路圖。
圖22是表示EL顯示面板1的象素電路Pitj和象素電路Piij+1的電極的平面圖。
圖23是沿垂直于驅(qū)動晶體管23的溝道寬度的面截?cái)嗟慕孛鎴D。
圖24是圖3所示的XXIV-XXIV線的箭頭截面圖。
圖25是圖3所示的XXV-XXV線的箭頭截面圖。
圖26是表示疏液性導(dǎo)通膜55的覆膜構(gòu)造的模式圖。
圖27是表示EL顯示面板1的有機(jī)EL層的布局的示意平面圖。
圖28是用于說明EL顯示面板1的動作的時(shí)間圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖來說明實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，在下述的實(shí) 施方式中，為了實(shí)施本發(fā)明，而最好在技術(shù)上附加各種限定，但發(fā)明范 圍不限于下面的實(shí)施方式和圖示例。
圖1中示出有源矩陣驅(qū)動方式的EL顯示面板1的示意圖。如圖1 所示，EL顯示面板1具備具有透光性的可撓性薄片狀或剛性板狀的絕 緣基板2;彼此平行地排列在絕緣基板2上的n條(多條)信號線Y,-Yn; 俯視絕緣基板2時(shí)與信號線Y^Yn正交地排列在絕緣基板2上的m條(多條)掃描線XrXm;在掃描線X,-Xm各自間與掃描線X,-Xm平行且彼此不同地排列在絕緣基板2上的m條(多條)供給線Z,-Zm;沿信號線YrYn和掃描線XrXm成矩陣狀地排列在絕緣基板2上的(mXn)組象素電路 Pw-P^;俯視時(shí)與供給線ZrZm平行地設(shè)計(jì)的多個供電布線90、 90、...； 和沿俯視時(shí)與信號線Y,-Yn平行的方向上設(shè)置的共同布線91、 91、...。下面，將信號線Y,-Yn延伸的方向稱為垂直方向(列方向)，將掃描 線XrXm延伸的方向稱為水平方向(行方向)。另夕卜，m、 n為2以上的自 然數(shù)，在掃描線X下標(biāo)的數(shù)字在圖1中表示從上到下的排列順序，在供 給線Z下標(biāo)的數(shù)字在圖1中表示從上到下的排列順序，在信號線Y下 標(biāo)的數(shù)字在圖1中表示從左到右的排列順序，在象素電路P下標(biāo)的數(shù)字 的前側(cè)表示從上到下的排列順序，后側(cè)表示從左到右的排列順序。艮P， 在將l-m中任意自然數(shù)設(shè)為i、將l-n中任意自然數(shù)設(shè)為j的情況下，掃 描線Xj為從上開始的第i行，供給線Zi為從左開始的第i行，信號線 Yj為從左開始的第j歹U，象素電路Pij為從上開始的第i行、從左開始的 第j列，象素電路Pij連接于掃描線Xi、供給線Zi和信號線Yj上。供電布線90、 90、...的總數(shù)為m條，各供電布線90從絕緣基板2 的左側(cè)端子90b與右側(cè)端子90c兩側(cè)施加流通后述寫入電流的電壓VL 和流通驅(qū)動電流的電壓VH，所以與僅從左側(cè)端子90b和右側(cè)端子90c 之一施加電壓VL和電壓VH相比，可進(jìn)一步抑制供電布線90的電壓 降，使其較小。各供電布線90、 90、...在各供給線ZrZm上形成為與各 供給線ZrZm電連接。共同布線91、 91、...的總數(shù)為n+l條，在行方向上鄰接的共同布 線91、 91還用作在成膜時(shí)分隔夾在其間的有機(jī)EL元件(發(fā)光元件)20 的有機(jī)EL層20b的隔壁。共同布線91、 91、...在前側(cè)與繞回布線91a 連接，在后側(cè)與繞回布線91b連接，繞回布線91a、 91b的膜厚與共同 布線91、 91、...相同，也用作在成膜時(shí)沿前后方向分隔有機(jī)EL層20b 的隔壁。共同布線91、 91、...通過布線端子91c與外部連接，施加共同 電位Vcom。在該EL顯示面板1中，由掃描線XrXm和信號線YrYn區(qū)分成矩陣狀的各個區(qū)域構(gòu)成象素，對一個象素僅設(shè)置1組象素電路P,，rP，。[象素電路的電路構(gòu)成]因?yàn)槿我幌笏仉娐稰u-Pm,n都相同地構(gòu)成，所以說明象素電路Pu-Pm,n中的任意象素電路PiJ。圖2是象素電路Pg的等效電路圖，圖3、 圖4是主要表示象素電路Pg的電極的平面圖。另外，為了容易看圖，圖3中省略象素電路Pj，j的象素電極20a的圖示，圖4中省略象素電路Pij的下層側(cè)電極的圖示。象素電路Py具備作為象素的有機(jī)EL元件20、配置在有機(jī)EL元件 20周圍的3個N溝道型非晶硅薄膜晶體管(下面簡稱為晶體管)21、 22、 23、和電容24。下面，將晶體管21稱為開關(guān)晶體管21，將晶體管22 稱為保持晶體管22，將晶體管23稱為驅(qū)動晶體管23。如圖2所示，在象素電路Pi,j中，就開關(guān)晶體管21而言，源極21s 與信號線Yj導(dǎo)通，漏極21d與有機(jī)EL元件20的象素電極20a、驅(qū)動晶 體管23的源極23s與電容24的上層電極24B導(dǎo)通，柵極21g與保持晶 體管22的柵極22g和掃描線Xi導(dǎo)通。就保持晶體管22而言，源極22s與驅(qū)動晶體管23的柵極23g和電 容24的下層電極24A導(dǎo)通，漏極22d與驅(qū)動晶體管23的漏極23d和供 給線Zi導(dǎo)通，柵極22g與開關(guān)晶體管21的柵極21g和掃描線Xi導(dǎo)通。就驅(qū)動晶體管23而言，源極23s與有機(jī)EL元件20的象素電極20a、 開關(guān)晶體管21的漏極21d和電容24的電極24B導(dǎo)通，漏極23d與保持 晶體管22的漏極22d和供給線Z i導(dǎo)通，柵極23g與保持晶體管22的 源極22s和電容24的下層電極24A導(dǎo)通。 [平面布局]如圖1-圖4所示，在俯視EL顯示面板1的情況下，掃描線XrXm 與供給線Z「Zm交替排列，供電布線90、 90、...分別重合在供給線ZrZm 上。另外，信號線YrY。與共同布線91、 91、...交替排列。如圖3-圖4所示，在著眼于象素電路Pu-P^中的任意象素電路Pi，j的情況下，俯視時(shí)，在信號線Yj與共同布線91之間、即掃描線Xi與供 給線Zi之間，形成由它們包圍的矩形區(qū)域，在該矩形區(qū)域內(nèi)配置有機(jī)EL元件20的象素電極20a。因此，在俯視時(shí)EL顯示面板1整體的情 況下，多個象素電極20a被排列成矩陣狀。另外，象素電極20a在俯視 時(shí)的情況下，設(shè)置成在垂直方向上長的矩形。俯視時(shí)，沿信號線Yj配置開關(guān)晶體管21，該開關(guān)晶體管21重合在 象素電極20a的邊緣部分。另外，俯視時(shí)，沿掃描線Xi配置保持晶體管22，該保持晶體管22 重合在象素電極20a的邊緣部分。另外，俯視時(shí)，驅(qū)動晶體管23配置成重合于共同布線91上。另外，俯視時(shí)，電容24沿共同布線91、供給線Zi和信號線Yj重 合在象素電極20a的邊緣部分。另外，若俯視EL顯示面板1整體時(shí)，僅著眼于象素電路Pu-Pm，n 的開關(guān)晶體管21，則多個開關(guān)晶體管21在絕緣基板2上排列成矩陣狀， 俯視時(shí)，若俯視時(shí)僅著眼于象素電路Pu-P^的保持晶體管22，則多個 保持晶體管22在絕緣基板2上排列成矩陣狀，若俯視時(shí)僅著眼于象素 電路Pu-Pm，n的驅(qū)動晶體管23，則多個驅(qū)動晶體管23在絕緣基板2上 排列成矩陣狀。[EL顯示面板的層構(gòu)造]說明EL顯示面板1的層構(gòu)造。首先，用圖5-圖8來說明晶體管21-23 的層構(gòu)造。這里，圖5是沿圖3所示的V-V線、沿絕緣基板2的厚度方 向切斷的箭頭截面圖，圖6是沿圖3所示的VI-VI線、沿絕緣基板2的 厚度方向切斷的箭頭截面圖，圖7是沿圖3所示的VII-VII線、沿絕緣 基板2的厚度方向切斷的箭頭截面圖，圖8是沿圖3所示的vin-vin 線、沿絕緣基板2的厚度方向切斷的箭頭截面圖。另外，圖5-圖7中， 還局部示出象素電路Pi,j的相鄰象素電路P^。如圖5所示，開關(guān)晶體管21由形成于絕緣基板2上的柵極21g; 形成于柵極21g上的柵極絕緣膜31;夾持柵極絕緣膜31、并面對柵極 21g的半導(dǎo)體膜21c;形成于半導(dǎo)體膜21c的中央部上的溝道保護(hù)膜21p; 在半導(dǎo)體膜21c的兩端部上彼此間隔形成、局部重合于溝道保護(hù)膜21p上的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜21a、 21b;形成于雜質(zhì)半導(dǎo)體膜21a上的漏極21d; 和形成于雜質(zhì)半導(dǎo)體膜21b上的源極21s構(gòu)成。另外，漏極21d和源極 21s可以是單層構(gòu)造，也可以是二層以上的層疊構(gòu)造。如圖8所示，保持晶體管22包括:形成于絕緣基板2上的柵極22g; 形成于柵極22g上的柵極絕緣膜31;夾持柵極絕緣膜31、并面對柵極 22g的半導(dǎo)體膜22c;形成于半導(dǎo)體膜22c的中央部上的溝道保護(hù)膜22p; 在半導(dǎo)體膜22c的兩端部上彼此間隔形成、局部重合于溝道保護(hù)膜22p 上的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜22a、 22b;形成于雜質(zhì)半導(dǎo)體膜22a上的漏極22d; 和形成于雜質(zhì)半導(dǎo)體膜22b上的源極22s。另外，漏極22d和源極22s 可以是單層構(gòu)造，也可以是二層以上的層疊構(gòu)造。如圖5所示，驅(qū)動晶體管23包括:形成于絕緣基板2上的柵極23g; 形成于柵極23g上的柵極絕緣膜31;夾持柵極絕緣膜31、并面對柵極 23g的半導(dǎo)體膜23c;形成于半導(dǎo)體膜23c的中央部上的溝道保護(hù)膜23p; 在半導(dǎo)體膜23c的兩端部上彼此間隔形成、局部重合于溝道保護(hù)膜23p 上的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜23a、 23b;形成于雜質(zhì)半導(dǎo)體膜23b上的漏極23d; 和形成于雜質(zhì)半導(dǎo)體膜23a上的源極23s。在俯視時(shí)的情況下，通過將 驅(qū)動晶體管23的源極23s設(shè)置成-字狀，驅(qū)動晶體管23的溝道寬度變 寬。另外，晶體管21-23的各漏極21d-23d和源極21s-23s布圖相同材 料層來形成。下面，說明電容24的層構(gòu)造。如圖5、圖8所示，電容24由形成 于絕緣基板2上的下層電極24A、形成于下層電極24A上的柵極絕緣膜 31、和夾持柵極絕緣膜31而面對上層電極24A的電極24B構(gòu)成。下面，用圖5-圖11來說明晶體管21-23和電容24的各層與信號線 YrYn、掃描線XrXm和供給線ZrZm的關(guān)系。圖9-圖11是晶體管21-23 等的電極的平面圖。如圖5-圖8、圖9所示，象素電路Pu-Pm，n的開關(guān)晶體管21的柵極21g、保持晶體管22的柵極22g、驅(qū)動晶體管23的柵極23g和電容24 的下層電極24A及信號線Y,-Yn，是通過光刻法、蝕刻法在絕緣基板2上對整面成膜的相同導(dǎo)電性膜進(jìn)行布圖來形成的。下面，將構(gòu)成開關(guān)晶體管21的柵極21g、保持晶體管22的柵極22g、驅(qū)動晶體管23的柵極 23g和電容24的電極24A及信號線YrYn的導(dǎo)電性膜稱為柵極層。這 里，圖9表示布圖柵極層的狀態(tài)的平面圖。如圖5-圖8所示，柵極絕緣膜31為對象素電路P,，,-Pm，n的開關(guān)晶體 管21、保持晶體管22、驅(qū)動晶體管23和電容24全部共同的膜，在面 內(nèi)整面成膜。因此，柵極絕緣膜31覆蓋開關(guān)晶體管21的柵極21g、保 持晶體管22的柵極22g、驅(qū)動晶體管23的柵極23g和電容24的電極 24A及信號線Y,-Yn。如圖5-圖8、圖10所示，象素電路Pu-Pm,n的開關(guān)晶體管21的漏 極21d、源極21s、保持晶體管22的漏極22d、源極22s、驅(qū)動晶體管 23的柵極漏極23d、源極23s和電容24的電極24B及掃描線XrXj口 供給線ZrZm，是通過光刻法、蝕刻法在柵極絕緣膜31上對整面成膜的 相同導(dǎo)電性膜進(jìn)行布圖而形成的。下面，將構(gòu)成開關(guān)晶體管21的漏極 21d、源極21s、保持晶體管22的漏極22d、源極22s、驅(qū)動晶體管23 的漏極23d、源極23s和電容24的電極24B及掃描線XrXm和供給線 Z,-Zm的導(dǎo)電性膜稱為漏極層。這里，圖IO表示布圖漏極層的狀態(tài)的平面圖。另外，圖ll表示在 已布圖的柵極層上重合己布圖的漏極層的狀態(tài)的平面圖。如圖3、圖7、圖9、圖10所示，掃描線Xi經(jīng)形成于柵極絕緣膜 31中的接觸孔92與開關(guān)晶體管21的柵極21g和保持晶體管22的柵極 22g導(dǎo)通，信號線Yj經(jīng)形成于柵極絕緣膜31中的接觸孔94與幵關(guān)晶體 管21的源極21s導(dǎo)通，保持晶體管22的源極22s經(jīng)形成于柵極絕緣膜 31中的接觸孔93與驅(qū)動晶體管23的柵極23g導(dǎo)通。如圖5-圖8所示，開關(guān)晶體管21、保持晶體管22和驅(qū)動晶體管23 以及掃描線X,-Xm和供給線ZrZm被整面成膜的保護(hù)絕緣膜32所覆蓋。另外，細(xì)節(jié)如后所述，保護(hù)絕緣膜32在與供給線Zi-Zm重合的部位被分?jǐn)喑砷L方形。在保護(hù)絕緣膜32上層疊平坦化膜33，開關(guān)晶體管21、保持晶體管 22和驅(qū)動晶體管23以及掃描線X,-Xm和供給線ZrZm所形成的凹凸被 平坦化膜33消除。即，平坦化膜33的表面變平坦。平坦化膜33是固 化樹脂來形成的。另外，細(xì)節(jié)如后所述，平坦化膜33與保護(hù)絕緣膜32 一起在重合于供給線Z,-Zm的部位被分?jǐn)喑删匦?。另外，在將該EL顯示面板1用作底部發(fā)射型的情況下，即將絕緣 基板2用作顯示面的情況下，在柵極絕緣膜31、保護(hù)絕緣膜32和平坦 化膜33中使用透明材料。在保護(hù)絕緣膜32和平坦化膜33中，分別重合于供給線ZrZm來形 成沿供給線ZrZm在水平方向延伸的長的多個溝34(圖8中示出)，保護(hù) 絕緣膜32和平坦化膜33被在垂直方向上鄰接的溝34、 34分?jǐn)喑稍谒?平方向上延伸的矩形。在溝34中分別埋入供電布線90，在溝34內(nèi)，與 供給線Z,-Zm電連接地分別層疊供電布線90。供電布線90利用電鍍法來形成，所以比信號線YrW掃描線X,-Xm和供給線Z,-Zm以及晶體管21-23的柵極電極或源極、漏極電極厚得多。具體而言，供電布線90 的厚度與保護(hù)絕緣膜32與平坦化膜33的厚度總計(jì)大致相等。供電布線 90由金或鎳或它們的層疊體構(gòu)成。將從絕緣基板2至平坦化膜33的層疊構(gòu)造稱為晶體管陣列基板50。 就該晶體管陣列基板50而言，俯視時(shí)，開關(guān)晶體管21、保持晶體管22 和驅(qū)動晶體管23排列成矩陣狀。下面，說明層疊在晶.體管陣列基板50的表面中的層構(gòu)造。在晶體 管陣列基板50的表面上、即平坦化膜33的表面上，將多個象素電極20a 排列成矩陣狀。另外，在平坦化膜33和保護(hù)絕緣膜32中，與象素電極 20a和電容24的電極24B的一部分重合地形成多個接觸孔95 ，在這些 接觸孔95中埋入導(dǎo)電性襯墊。因此，象素電極20a經(jīng)形成于平坦化膜 33和保護(hù)絕緣膜32中的接觸孔95，與電容24的電極24B、開關(guān)晶體 管21的漏極21d和驅(qū)動晶體管23的源極23s導(dǎo)通。另外，利用電鍍法 來形成接觸孔95內(nèi)的導(dǎo)電性襯墊。象素電極20a是用作有機(jī)EL元件20的陽極的電極。即，象素電極 20a的功函數(shù)最好較高，最好向后述的有機(jī)EL層20b中高效注入空穴。 另外，象素電極20a在底部發(fā)射構(gòu)造的情況下，對可視光具有透射性。 作為象素電極20a，例如有以錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、氧 化銦(111203)、氧化錫(Sn02)、氧化鋅(ZnO)或鎘錫氧化物(CTO)為主的金 屬氧化物。另外，在將該EL顯示面板1用作底部發(fā)射型的情況下、即將絕緣 基板2的相反側(cè)用作顯示面的情況下，最好在象素電極20a與平坦化膜 33之間成膜導(dǎo)電性和可視光反向性高的反射膜。這些象素電極20a是利用光刻法、蝕刻法在平坦化膜33上對整面 成膜的導(dǎo)電性膜(在底部發(fā)射的情況下，為透明導(dǎo)電性膜)來進(jìn)行布圖來 形成的。在垂直方向上相鄰的象素電極20a之間的供電布線90上，每 隔一列象素電極20a布圖沿供電布線90與供電布線90電連接的導(dǎo)電性 線51，導(dǎo)電性線51是通過對構(gòu)成象素電極20a的導(dǎo)電性膜進(jìn)行蝕刻， 與象素電極20a—起布圖而成的。因?yàn)楦鲗?dǎo)電性線51的寬度比下方的 供電布線90的寬度寬，所以供電布線90不露出地分別覆蓋供電布線90， 并保護(hù)供電布線90不受導(dǎo)電性線51的腐蝕劑等的腐蝕。在這些象素電極20a之間，布圖由氮化硅等構(gòu)成的網(wǎng)狀絕緣膜52 。 具體而言，絕緣膜52不露出導(dǎo)電性線51地沿行方向延伸并覆蓋導(dǎo)電性 線51,此外，作為后述的共同布線91的底部層，形成為沿列方向延伸 的格子狀。在水平方向上相鄰的象素電極20a、 20a之間的絕緣膜52上， 沿列方向分別層疊共同布線91。因?yàn)楣餐季€91通過電鍍法形成，所以比信號線YrYn、掃描線 XrXm和供給線ZrZm以及晶體管21-23的柵極電極或源極、漏極電極 厚得多。共同布線91包含鋁、金、鎳中的至少一個。在共同布線91的表面中，成膜具有疏水性、疏油性的疏液性導(dǎo)通 膜55。疏液性導(dǎo)通膜55中，下面的化學(xué)式(l)所示的三嗪三硫醇的巰基 (-SH)的氫原子還原脫離，硫原子(S)氧化吸附在共同布線91的表面。[化學(xué)式l]<formula>formula see original document page 14</formula>由于三嗪三硫醇分子在共同布線91的表面上極薄地成膜，所以疏 液性導(dǎo)通膜55在厚度方向上電阻非常低，基本上不具有絕緣性。另外， 為了使疏液性、疏油性顯著，最好代替三嗪三硫醇來使用將三嗪三硫醇 的1或2巰基置換成氟化烷基的三嗪三硫醇電介質(zhì)。這種三嗪化合物可 有選擇地覆蓋并結(jié)合在共同布線91等金屬上。具體而言，在將6-二甲 基氨基-1， 3， 5三嗪-2， 4二流醇鈉鹽(6—^少于少7^乂一1、 3、5 —卜y:r^y—2， 4—^于才一汝一于卜i;々厶塩)調(diào)整為濃度為10—311101/1水溶液之后，在液溫26度、浸漬時(shí)間30分鐘的條件下，將共 同布線91浸漬在該水溶液中時(shí)，在共同布線91的表面上覆蓋膜厚為 0.7nm左右的疏液性導(dǎo)通膜55(膜厚為由橢圓偏振計(jì)測定的測定值)。另 外，在將6-二甲基氨基-l， 3， 5三嗪-2， 4 二流醇鈉鹽調(diào)整為濃度為 10'311101/1水溶液之后，在液溫46度、浸漬時(shí)間30分鐘的條件下，將共 同布線91浸漬在該水溶液中時(shí)，在共同布線91上覆蓋膜厚為1.8nm左 右的疏液性導(dǎo)通膜55(膜厚為由橢圓偏振計(jì)測定的測定值)。另外，不限于此，也可在共同布線91上涂布由下面的化學(xué)式所示 的、以純水為溶媒的三嗪三硫醇電介質(zhì)(例如下面的化學(xué)式)的氫氧化鈉 水溶液，來覆蓋三嗪三硫醇電介質(zhì)。該水溶液中，將三嗪三硫醇電介質(zhì) 的濃度設(shè)為2.0Xl(T3mol/l，將氫氧化鈉水溶液的濃度設(shè)為2.0 X 10_3mol/l。[化學(xué)式2]這樣，由氟基來置換垸基的氫的至少一部分的氟類三嗪三硫醇化合 物比不包含氟的三嗪三硫醇化合物的疏液性強(qiáng)。在象素電極20a上，成膜有機(jī)EL元件20的有機(jī)EL層20b。有機(jī) EL層20b是廣義的發(fā)光層，在有機(jī)EL層20b中含有作為有機(jī)化合物的 發(fā)光材料(熒光體)。有機(jī)EL層20b具有按從象素電極20a依次空穴傳 輸層、狹義的發(fā)光層的順序?qū)盈B的雙層構(gòu)造?？昭▊鬏攲佑勺鳛閷?dǎo)電性 高分子的PEDOT(聚二氧乙基噻吩)和作為摻雜物的PSS(聚對苯乙烯磺 酸)構(gòu)成，狹義的發(fā)光層由聚芴系列發(fā)光材料構(gòu)成。有機(jī)EL層20b在疏液性導(dǎo)通膜55涂布后，利用濕式涂布法(例如 噴墨法)來成膜。此時(shí)，在象素電極20a上涂布含有構(gòu)成有機(jī)EL層20b 的有機(jī)化合物的有機(jī)化合物含有液，該有機(jī)化合物含有液的液面比絕緣 膜52的頂部高。因?yàn)樵谒椒较蛏舷噜彽南笏仉姌O20a之間設(shè)置頂部 比絕緣膜52的頂部高得多的膜厚的共同布線91，所以防止涂布在象素 電極20a上的有機(jī)化合物含有液漏到水平方向上相鄰的象素電極20a。 另外，因?yàn)樵诠餐季€91上涂布疏水性、疏油性的疏液性導(dǎo)通膜55， 所以拔落涂布在象素電極20a上的有機(jī)化合物含有液，涂布在象素電極 20a上的有機(jī)化合物含有液在絕緣線52的角部附近堆積得比象素電極 20a的中央部厚得多，所以可以均勻的膜厚來成膜有機(jī)化合物含有液干 燥后構(gòu)成的有機(jī)EL層20b。這樣，通過在共同布線91、 91之間成膜有機(jī)EL層20b，如圖12 所示，構(gòu)成按成膜有發(fā)紅光的有機(jī)EL層20b的區(qū)域R、成膜有發(fā)綠光 的有機(jī)EL層20b的區(qū)域G、成膜有發(fā)藍(lán)光的有機(jī)EL層20b的區(qū)域B 的順序排列所述各區(qū)域的帶構(gòu)造，同列的多個象素發(fā)出相同顏色。在俯視時(shí)，由于被涂布的有機(jī)化合物含有液在水平方向的左右側(cè)被 分別分給共同布線91、 91之一，所以沿垂直方向每個列均一樣分布， 故沿垂直方向排列的多個有機(jī)EL層20b均為相同的層構(gòu)造，發(fā)出相同 顏色光。另外，象素電極20a和有機(jī)EL層20b也可以不是沿垂直方向 帶狀的長條，而是水平方向上的長條。另外，有機(jī)EL層20b除雙層構(gòu)造外，可以是從象素電極20a開始 依次為空穴傳輸層、狹義的發(fā)光層、電子傳輸層的三層構(gòu)造，或是由狹 義的發(fā)光層構(gòu)成的單層構(gòu)造，或是在這些層構(gòu)造中在適當(dāng)?shù)膶娱g夾入電 子或空穴的注入層的層疊構(gòu)造，或是其它的層疊構(gòu)造。在有機(jī)EL層20b上，成膜有用作有機(jī)EL元件20的陽極的相對電 極20c。相對電極20c是在全部象素中共同形成的共同電極，整面成膜。 通過將相對電極20c整面成膜，相對電極20c夾持疏液性導(dǎo)通膜55來 覆蓋共同布線91。因此，如圖2的電路圖所示，相對電極20c與共同布 線91導(dǎo)通。相對電極20c由功函數(shù)比象素電極20a低的材料形成，例如由包含 鎂、鈣、鋰、鈀、銦、稀土類金屬的至少一種的單體或合金來形成。另 外，相對電極20c可以是層疊上述各種材料的層的層疊構(gòu)造，也可以是 除以上的各種材料層外、還為了降低薄片電阻而堆積了難以氧化的金屬 層的層疊構(gòu)造，具體而言，如設(shè)置在與有機(jī)EL層20b相接的界面?zhèn)戎?的低功函數(shù)的高純度鈀層、和覆蓋鈀層而設(shè)置的鋁層的層疊構(gòu)造，或在 下層設(shè)置鋰層、在上層設(shè)置鋁層的層疊構(gòu)造。另外，在頂部發(fā)射構(gòu)造的 情況下，相對電極20c也可以是層疊上述低功函數(shù)的薄膜并在其上層疊 了 ITO等透明導(dǎo)電膜的透明電極。在相對電極20c上成膜有密封絕緣膜56。密封絕緣膜56覆蓋相對電極20c整體，是為了防止相對電極20c惡化而設(shè)置的無機(jī)膜或有機(jī)膜。 另外，以前，頂部發(fā)射型構(gòu)造的EL顯示面板中，相對電極20c的 至少一部分使用金屬氧化物等電阻值高的透明電極，但由于這種材料若 不足夠厚，則薄片電阻不夠低，所以增厚必然會使有機(jī)EL元件的透射 率下降，畫面越大，則越難以在面內(nèi)形成均勻的電位，顯示特性變低。 但是，在本實(shí)施方式中，為了保證在垂直方向上的足夠厚度，設(shè)置 低電阻的多個共同布線91、 91、...，所以與相對電極20c—致地降低有 機(jī)EL元件20、 20、...的陰極電極整體的薄片電阻值，可充分且在面內(nèi) 均勻地流通大電流。并且，在這種構(gòu)造中，由于共同布線91、 91...降低 作為陰極電極的薄片電阻，所以可將相對電極20c形成為薄膜，提高透 射率。另外，在頂部發(fā)射構(gòu)造中，象素電極20a也可以是反射性材料。 [晶體管陣列基板和EL顯示面板的制造方法] 說明晶體管陣列基板50和EL顯示面板1的制造方法。 利用CVD、 PVD、濺射等氣相生長法來在絕緣基板2上，整面成 膜柵極層。之后，通過對該柵極層依次實(shí)施光刻法、蝕刻法，布圖各象 素電路Pu-Pm,n的柵極21g、柵極22g、柵極23g和電極24A以及信號 線Y廣Yn。
接著，利用氣相生長法，整面成膜柵極絕緣膜31。之后，利用光 刻法、蝕刻法等，在柵極絕緣膜31中形成各象素電路P1,1-Pm,n的接觸 孔92-94。
之后，通過依次實(shí)施氣相生長法、光刻法、蝕刻法，布圖各象素電 路Pu-Pm,n的半導(dǎo)體膜21c、 22c、 23c。之后，通過依次實(shí)施氣相生長法、 光刻法、蝕刻法，布圖各象素電路Pu-Pm，n的溝道保護(hù)膜21p、 22p、 23p。
之后，通過依次實(shí)施氣相生長法、光刻法、蝕刻法，布圖各象素電路
Pi,i-Pm,n的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜21a、 22a、 23a和雜質(zhì)半導(dǎo)體膜21b、 22b、 23b。 之后，利用氣相生長法，在柵極絕緣膜31上，整面成膜漏極層。
由此，在各象素電路Pu-P^的接觸孔92-94中埋入漏極層的一部分。 之后，通過對該漏極層依次實(shí)施光刻法、蝕刻法，布圖各象素電路Pi,廣Pm，n的漏極21d、 22d、 23d、源極21s、 22s、 23s和電極24B以及掃
描線XrXm和供給線Z,-Zm。
之后，利用氣相生長法，整面成膜保護(hù)絕緣膜32。之后，在保護(hù) 絕緣膜32整體中涂布樹脂，并使該樹脂干燥，由此整面成膜平坦化膜 33。
之后，在保護(hù)絕緣膜32和平坦膜33中形成各象素電路Pu-Pm，n的
接觸孔95的同時(shí)，在重合于保護(hù)絕緣膜32和平坦膜33的各供給線ZrZm 的位置上，分別形成溝34。
之后，通過向供給線ZrZm和電極23B施加電壓來實(shí)施電鍍法，使 供電布線90在溝34中生長，并且使導(dǎo)電性襯墊在接觸孔95中生長。 由此，在溝34內(nèi)，在各供給線ZrZm上層疊供電布線90，在接觸孔95 內(nèi)，在電極23B上層疊導(dǎo)電性襯墊。
利用以上步驟，完成晶體管陣列基板50。
下面，利用氣相生長法，在晶體管陣列基板50表面的整面成膜透 明導(dǎo)電性膜。之后，通過對該透明導(dǎo)電性膜依次實(shí)施光刻法、蝕刻法， 布圖各象素電路Pu-Pm,n的象素電極20a和導(dǎo)電性線51 。
之后，利用氣相生長法，整面成膜絕緣膜。之后，在水平方向上相 鄰的象素電極20a之間的該絕緣膜上，利用電鍍法使共同布線91生長。
接著，通過在表面整體中涂布三嗪三硫醇溶液，或通過將該面板浸 漬在三嗪三硫醇溶液中，對共同布線91的表有面選擇地形成疏液性導(dǎo) 通膜55。另外，由于三嗪三硫醇的性質(zhì)，在共同布線91的表面中形成 疏液性導(dǎo)通膜55，但在絕緣膜的表面中不形成疏液性導(dǎo)通膜。
之后，通過對絕緣膜依次執(zhí)行光刻法、蝕刻法，將該絕緣膜布圖成 開口成矩陣狀的絕緣膜52。由此，露出象素電極20a。
之后，利用濕式涂布法，布圖有機(jī)EL層20b。因?yàn)樵谒椒较蛏?相鄰的象素電極20a之間設(shè)置厚膜的共同布線91，還因?yàn)樵诠餐季€ 91中涂布疏水性、疏油性的疏液性導(dǎo)通膜55，所以涂布在象素電極20a 上的有機(jī)化合物含有液不會漏到相鄰的象素電極20a。另外，由于疏液性導(dǎo)通膜55的疏水性、疏油性，涂布在象素電極20a上的有機(jī)化合物 含有液在象素電極20a的周圍不厚，所以可以均勻的膜厚來成膜有機(jī) EL層20b。
之后，利用氣相生長法，整面成膜相對電極20c。之后，利用氣相 生長法，整面成膜密封絕緣膜56。
利用以上步驟，EL顯示面板1完成。 [EL顯示面板的驅(qū)動方法]
以有源矩陣方式來驅(qū)動EL顯示面板1如下所示。B卩，如圖13所示， 利用連接于掃描線XrXm上的選擇驅(qū)動器，按從掃描線X,至掃描線Xm 的順序(掃描線Xm之后為掃描線X,)依次輸出高電平的移位脈沖，由此， 依次選擇掃描線XrXm。另外，在各供電布線90上連接供電驅(qū)動器， 以在選擇期間，施加用于經(jīng)各供電布線90向分別連接于供給線ZrZm 上的驅(qū)動晶體管23流通寫入電流的寫入供電電壓VL，并在發(fā)光期間， 施加用于經(jīng)驅(qū)動晶體管23向有機(jī)EL元件20流通驅(qū)動電流的驅(qū)動供電 電壓VH。利用該供電驅(qū)動器，與選擇驅(qū)動器同步地按從供給線Z,至供 給線Zm的順序(供給線Zm之后為供給線Z,)依次輸出低電平(比有機(jī)EL 元件20的相對電極的電壓低的電平)的寫入供電電壓VL，由此，依次 選擇供給線Z,-Zm。另外，在選擇驅(qū)動器選擇各掃描線XrXm時(shí)，數(shù)據(jù) 驅(qū)動器將作為寫入電流的寫入電流(電流信號)經(jīng)規(guī)定行的驅(qū)動晶體管 23的源極-漏極間流入全部信號線YrYn。此時(shí)，供電驅(qū)動器將低電平的 寫入供電電壓VL從布線端子90b、 90c雙方也輸出到與供給線Z,-Zm連 接的供電布線90。另外，相對電極20c和共同布線91通過布線端子91c 與外部連接，保持在一定的共同電位Vcom(例如，接地=0伏)。
在掃描線Xi的選擇期間，因?yàn)橄虻趇行的掃描線Xi輸出高電平的 移位脈沖，所以開關(guān)晶體管21和保持晶體管22變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。在各選 擇期間，數(shù)據(jù)驅(qū)動器側(cè)的電位在輸出給供電布線90、 90、...及供給線 Z,-Zm的寫入供電電壓VL以下，并且該寫入供電電壓VL被設(shè)定在共同 電位Vcom以下。因此，此時(shí)由于不從有機(jī)EL元件20流入信號線YrYn，所以如圖2所示，利用數(shù)據(jù)驅(qū)動器，對應(yīng)于灰度的電流值的寫入電流(寫 入電流)如箭頭A所示，流入信號線Y,-Yn，在象素電路P^中流過從供 電布線90和供給線Zi經(jīng)驅(qū)動晶體管23的源極-漏極間、開關(guān)晶體管21 的源極-漏極間流向信號線Yj的寫入電流(寫入電流)。這樣，流過驅(qū)動 晶體管23的源極-漏極間的電流的電流值由數(shù)據(jù)驅(qū)動器來唯一地控制， 數(shù)據(jù)驅(qū)動器對應(yīng)于從外部輸入的灰度來設(shè)定寫入電流(寫入電流)的電流 值。在流過寫入電流(寫入電流)期間，盡管流過各個信號線YrYn的寫 入電流(寫入電流)的電流值、即驅(qū)動晶體管23的Vg-Ids特性隨時(shí)間變化， 但第i行的Pu-Pu的各驅(qū)動晶體管23的柵極23g-源極23s之間的電壓 被強(qiáng)制設(shè)定成仍與流過驅(qū)動晶體管23的漏極23d-源極23s之間的寫入 電流(寫入電流)的電流值一致，將大小基于該電壓電平的電荷充電到電 容24，將寫入電流(寫入電流)的電流值變換為驅(qū)動晶體管23的柵極23g-源極23s之間的電壓電平。在之后的發(fā)光期間，掃描線Xj變?yōu)榈碗娖剑?開關(guān)晶體管21和保持晶體管22變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，但利用截止?fàn)顟B(tài)的保持 晶體管22，電容24的電極24A側(cè)的電荷封閉，變?yōu)楦∮螤顟B(tài)，驅(qū)動晶 體管23的源極23s的電壓在從選擇期間移動到發(fā)光期間時(shí)即便調(diào)制， 驅(qū)動晶體管23的柵極23g-源極23s之間的電位差也保持不變。在該發(fā) 光期間，供給線Zj和連接于其上的供電布線90的電位成為驅(qū)動供電電 壓VH，比有機(jī)EL元件20的相對電極20c的電位Vcom高，由此驅(qū)動 電流沿箭頭B的方向從供給線Zi和連接于其上的供電布線90經(jīng)驅(qū)動晶 體管23流向有機(jī)EL元件20，有機(jī)EL元件20發(fā)光。由于驅(qū)動電流的 電流值取決于驅(qū)動晶體管23的柵極23g-源極23s之間的電壓，所以發(fā) 光期間的驅(qū)動電流的電流值等于選擇期間的寫入電流(拉拔電流)的電流 值。
EL顯示面板1的其它有源矩陣驅(qū)動方法如下所示。即，如圖14所 示，利用振蕩電路向供電布線90、 90、…和供給線Z,-Zm輸出時(shí)鐘信號。 另外，利用選擇驅(qū)動器，按從掃描線X,至掃描線Xm的順序(掃描線Xm 之后為掃描線X,)依次輸出高電平的移位脈沖，由此，依次選擇掃描線XrXm，但在選擇驅(qū)動器向掃描線X,-Xm之一輸出移位脈沖時(shí)，振蕩電
路的時(shí)鐘信號成為低電平。另外，在選擇驅(qū)動器選擇各掃描線XrXm時(shí)， 數(shù)據(jù)驅(qū)動器將作為寫入電流的拉拔電流(電流信號)經(jīng)驅(qū)動晶體管23的 源極-漏極間流向全部信號線Y,-Yn。另外，相對電極20c和供電布線90 保持在一定的共同電位Vcom(例如，接地=0伏)。
在掃描線Xj的選擇期間，因?yàn)橄虻趇行的掃描線Xi輸出移位脈沖， 所以開關(guān)晶體管21和保持晶體管22成為導(dǎo)通狀態(tài)。在各選擇期間，數(shù) 據(jù)驅(qū)動器側(cè)的電位在輸出給供電布線90、 90、...及供給線ZrZm的時(shí)鐘 信號的低電平以下，并且該時(shí)鐘信號的低電平被設(shè)定在共同電位Vcom 以下。因此，此時(shí)由于不從有機(jī)EL元件20流入信號線YrYn，所以如 圖2所示，利用數(shù)據(jù)驅(qū)動器，對應(yīng)于灰度的電流值的寫入電流(拉拔電 流)如箭頭A所示，流入信號線YrYn，在象素電路Pij中流過從供電布 線90和供給線Zi經(jīng)驅(qū)動晶體管23的源極-漏極間、幵關(guān)晶體管21的源 極-漏極間流向信號線Yj的寫入電流(拉拔電流)。這樣，流過驅(qū)動晶體 管23的源極-漏極間的電流的電流值由數(shù)據(jù)驅(qū)動器來唯一控制，數(shù)據(jù)驅(qū) 動器對應(yīng)于從外部輸入的灰度來設(shè)定寫入電流(拉拔電流)的電流值。在 流過寫入電流(拉拔電流)的期間，盡管流過各個信號線Y,-Yn的寫入電 流(拉拔電流)之電流值、即驅(qū)動晶體管23的Vg-Ids特性隨時(shí)間變化，但 第i行的Pu-Pi，n的各驅(qū)動晶體管23的柵極23g-源極23s之間的電壓被 強(qiáng)制設(shè)定成仍與流過驅(qū)動晶體管23的漏極23d-源極23s之間的寫入電 流(拉拔電流)的電流值一致，將大小基于該電壓電平的電荷充電到電容 24，將寫入電流(拉拔電流)的電流值變換為驅(qū)動晶體管23的柵極23g-源極23s之間的電壓電平。在之后的發(fā)光期間，掃描線Xi成為低電平， 開關(guān)晶體管21和保持晶體管22成為截止?fàn)顟B(tài)，但利用截止?fàn)顟B(tài)的保持 晶體管22，電容24的電極24A側(cè)的電荷封閉，變?yōu)楦∮螤顟B(tài)，驅(qū)動晶 體管23的源極23s的電壓在從選擇期間移動到發(fā)光期間時(shí)即便調(diào)制， 驅(qū)動晶體管23的柵極23g-源極23s之間的電位差也維持不變。在該發(fā) 光期間中，在不是任一行的選擇期間時(shí)，即時(shí)鐘信號為供電布線90和供給線Zi的電位比有機(jī)EL元件20的相對電極20c和供電布線90的電 位Vcom高的高電平的期間，驅(qū)動電流沿箭頭B的方向從較高電位的供 電布線90和供給線Zi經(jīng)驅(qū)動晶體管23的源極-漏極間流向有機(jī)EL元 件20，有機(jī)EL元件20發(fā)光。由于驅(qū)動電流的電流值取決于驅(qū)動晶體 管23的柵極23g-源極23s之間的電壓，所以發(fā)光期間的驅(qū)動電流的電 流值等于選擇期間的寫入電流(拉拔電流)的電流值。另外，在發(fā)光期間， 在任一行的選擇期間中，即時(shí)鐘信號為低電平時(shí)，由于供電布線90和 供給線Zi的電位為相對電極20c和供電布線90的電位Vcom以下，所 以不向有機(jī)EL元件20流過驅(qū)動電流，不發(fā)光。在任一驅(qū)動方法中，開關(guān)晶體管21用于執(zhí)行驅(qū)動晶體管23的源極 23s與信號線Yj之間的電流導(dǎo)通(選擇期間)、截止(發(fā)光期間)。另外， 保持晶體管22在選擇期間變?yōu)樵隍?qū)動晶體管23的源極23s-漏極23d之 間流過電流的狀態(tài)，在發(fā)光期間保持施加于驅(qū)動晶體管23的柵極23g 上的電壓。另外，驅(qū)動晶體管23具有這樣的功能在發(fā)光期間中供給 線Zi和供電布線90變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，將大小對應(yīng)于灰度的電流流入有機(jī) EL元件20，驅(qū)動有機(jī)EL元件20。如上所述，因?yàn)榱鬟^供電布線卯的電流的大小為流過連接于一列 掃描線Xj的n個有機(jī)EL元件20的驅(qū)動電流的大小之和，所以在用于 按VGA以上的象素?cái)?shù)來動畫驅(qū)動的選擇期間設(shè)定的情況下，供電布線 90的寄生電容會增大，薄膜晶體管的柵極電極或源極、漏極電極等薄膜 中，為了向n個有機(jī)EL元件20流入寫入電流(即驅(qū)動電流)，電阻變高， 但在本實(shí)施方式中，由于利用與象素電路Pu-Pm,n的薄膜晶體管的柵極 電極或源極、漏極電極不同的導(dǎo)電層來構(gòu)成供電布線90，所以供電布線 90產(chǎn)生的電壓降變小，即便在短的選擇期間，也可不延遲地充分流過寫 入電流(拉拔電流)。另外，通過增厚供電布線90，使供電布線90低電 阻化，所以可變窄供電布線90的寬度。因此，在底部發(fā)射的情況下， 可將象素?cái)?shù)值孔徑的減少抑制到最小限度。同樣，因?yàn)樵诎l(fā)光期間流過共同布線91的驅(qū)動電流的大小與在選擇期間流過供電布線90的寫入電流(拉拔電流)的大小相同，所以因?qū)⑴c象素電路Pu-Pm,n的薄膜晶體管的柵極電極或源極、漏極電極不同的導(dǎo)電層連接于相對電極20c，故可將布線91作成厚膜，使共同布線91低 電阻化，并且即便相對電極20c自身因薄膜化而變?yōu)楦唠娮瑁部稍诿?內(nèi)使相對電極20c的電壓一樣。因此，即便假設(shè)向全部象素電極20a施 加相同電位的情況下，任一有機(jī)EL層20b的發(fā)光強(qiáng)度也基本上相等， 可使面內(nèi)的發(fā)光強(qiáng)度一樣。另外，在將EL顯示面板1用作頂部發(fā)射型的情況下，由于可進(jìn)一 步薄膜化相對電極20c，所以有機(jī)EL層20b發(fā)出的光在透過相對電極 20c時(shí)難以衰減。并且，由于在俯視時(shí)在水平方向上相鄰的象素電極20a 之間設(shè)置共同布線91，所以可將象素?cái)?shù)值孔徑的減少抑制到最小限度。另外，由于供給線Z,-Zm變?yōu)樾盘柧€Y,乂的上層，所以在晶體管 陣列基板50、 EL顯示面板1的制造過程中，可將供給線Z,-Zm作為底 部層，在向供給線ZrZm施加電壓的狀態(tài)下，浸漬在電鍍液中，從而使 層疊在供給線Z,-Zm上的供電布線90生長。這里，當(dāng)將EL顯示面板1的象素設(shè)為WXGA(768X1366)時(shí)，定 義供電布線90和共同布線91的期望寬度、截面積。圖15表示各象素 電路PU-Pm，n的驅(qū)動晶體管23和有機(jī)EL元件20的電流-電壓特性曲線。圖15中，縱軸是流過一個驅(qū)動晶體管23的源極23s-漏極23d之間 的寫入電流的電流值或流過一個有機(jī)EL元件20的陽極-陰極之間的驅(qū) 動電流的電流值，橫軸是一個驅(qū)動晶體管23的源極23s-漏極23d間的 電壓(同時(shí)是一個驅(qū)動晶體管23的柵極23g-漏極23d之間的電壓)。圖中， 實(shí)線Ids max是最高亮度灰度(最亮的顯示)時(shí)的寫入電流和驅(qū)動電流， 點(diǎn)劃線Ids mid是最高亮度灰度與最低亮度灰度之間的中間亮度灰度時(shí) 的寫入電流和驅(qū)動電流，雙點(diǎn)劃線Vpo是驅(qū)動晶體管23的不飽和區(qū)域 (線性區(qū)域)與飽和區(qū)域的閾值、即夾斷電壓，三點(diǎn)劃線Vds是流過驅(qū)動 晶體管23的源極23s-漏極23d之間的寫入電流，虛線正L是流過有機(jī) EL元件20的陽極-陰極間的驅(qū)動電流。這里，電壓VP1是最高亮度灰度時(shí)驅(qū)動晶體管23的夾斷電壓，電 壓VP2是驅(qū)動晶體管23流過最高亮度灰度的寫入電流時(shí)的源極-漏極間 電壓，電壓VELmax(電壓VP4-電壓VP3)是有機(jī)EL元件20以電流值與 最高亮度灰度的寫入電流相等的最高亮度灰度的驅(qū)動電流發(fā)光時(shí)的陽 極-陰極間電壓。電壓VP2'是驅(qū)動晶體管23流過中間亮度灰度的寫入電 流時(shí)的源極-漏極間電壓，電壓(電壓VP4'-電壓VP3')是有機(jī)EL元件20 以電流值與中間亮度灰度的寫入電流相等的中間亮度灰度的驅(qū)動電流 發(fā)光時(shí)的陽極-陰極間電壓。為了使驅(qū)動晶體管23和有機(jī)EL元件20都在飽和區(qū)域驅(qū)動，從(供 電布線90的發(fā)光期間時(shí)的驅(qū)動供電電壓VH)減去(共同布線91的發(fā)光 期間時(shí)的電壓Vcom)的值VX滿足下式(2)。VX=Vpo+Vth+Vm+VEL... (2)Vth(最高亮度時(shí)等于VP2-VP1)是驅(qū)動晶體管23的閾值電壓， VEL(最高亮度時(shí)等于VELmax)是有機(jī)EL元件20的陽極-陰極間電壓， Vm是對應(yīng)于灰度位移的允許電壓。從圖中可知，電壓VX中，亮度灰度越高，則晶體管23的源極-漏 極間所需的電壓(Vpo+Vth)越高，并且，有機(jī)EL元件20的陽極-陰極間 所需的電壓VEL越高。因此，允許電壓Vm在亮度灰度越高時(shí)變得越 低，最小允許電壓Vmin為VP3-VP2。有機(jī)EL元件20不管是低分子EL材料還是高分子EL材料， 一般 都會隨時(shí)間惡化、高電阻化。確認(rèn)10000小時(shí)后的陽極-陰極間電壓為 初始時(shí)的1.4倍-數(shù)倍左右。艮P，即便在相同亮度灰度時(shí)，時(shí)間越長電壓 VEL越高。因此，因?yàn)轵?qū)動初始時(shí)的允許電壓Vm在長時(shí)間后動作變穩(wěn) 定，所以將電壓VX設(shè)定成使電壓VEL為8V以上，最好是13V以上。該允許電壓Vm中，不僅包含有機(jī)EL元件20的高電阻化、還包含 供電布線90引起的電壓降部分。為了供電布線90的布線電阻，當(dāng)電壓降大時(shí)，EL顯示面板1的功 耗明顯增大，所以最好將供電布線90的電壓降設(shè)定在IV以下。 一個有機(jī)EL元件20在EL顯示面板1的面板尺寸為32英寸的情況下，在最 大亮度灰度下發(fā)光時(shí)的電流值被設(shè)定成約為5.4 u A-6.8 u A，在40英寸 的情況下，被設(shè)定成8.5n A-11.0p A?？紤]了作為行方向的一個象素長度的象素寬度Wp、行方向的象素 數(shù)(1366)、左側(cè)非象素區(qū)域中的從供電布線90至布線端子90b的延長部 分、和右側(cè)非象素區(qū)域中的從供電布線卯至布線端子90c的延長部分 的結(jié)果，在EL顯示面板1的面板尺寸為32英寸、40英寸的情況下， 供電布線卯的全長分別為706.7mm、 895.2mrn。這里，若供電布線90 的線寬WL和共同布線91的線寬WL變寬，則構(gòu)造上，有機(jī)EL層20b 的面積變小，并且，與其它布線重合，產(chǎn)生寄生電容，進(jìn)而造成電壓降， 所以期望將供電布線90的線寬WL和共同布線91的線寬WL分別抑制 到象素寬度Wp的1/5以下。當(dāng)如此考慮時(shí)，在EL顯示面板1的面板 尺寸為32英寸、40英寸的情況下，供電布線90的線寬WL和共同布 線91的線寬WL分別在34微米以內(nèi)、44微米以內(nèi)。另外，若考慮縱 橫比，則供電布線90和共同布線91的最大膜厚Hmax為晶體管21-23 的最小加工尺寸4微米的1.5倍，即6微米。因此，供電布線90和共同 布線91的最大截面積Smax在32英寸、40英寸下分別為204平方微米、 264平方微米。就這種32英寸的EL顯示面板1而言，為了將全點(diǎn)亮以流過最大電 流時(shí)的供電布線90和共同布線91各自的最大電壓降設(shè)為1V以下，如 圖16所示，需要將供電布線90和共同布線91各個的布線電阻率p/截 面積S設(shè)定在4.7 Q/cm以下。圖17中表示32英寸的EL顯示面板1的 供電布線90和共同布線91各自的截面積與電流密度的相關(guān)關(guān)系。另外， 上述供電布線90和共同布線91的最大截面積Smax時(shí)允許的電阻率在 32英寸時(shí)為9.6u Qcm，在40英寸時(shí)為6.4 u Q cm。另外，就40英寸的EL顯示面板1而言，為了將全點(diǎn)亮以流過最大 電流時(shí)的供電布線90和共同布線91各自的最大電壓降設(shè)為IV以下， 如圖18所示，需要將供電布線90和共同布線91各個的布線電阻率p/截面積S設(shè)定在2.4Q/cm以下。圖19中表示40英寸的EL顯示面板1 的供電布線90和共同布線91各自的截面積與電流密度的相關(guān)關(guān)系。因供電布線90和共同布線91的故障而不能動作的故障壽命MTF 滿足下式(3)。MTF=Aexp (Ea/KbT) /pJ2…(3)Ea為激活能量，KbT=8.617Xl(T5eV， P為供電布線90和共同布線 91的電阻率，J為電流密度。供電布線90和共同布線91的故障壽命MTF在電阻率增大或電子 遷移下決定速度(律速t3)。將供電布線90和共同布線91設(shè)定成A1 類(A1單體或AlTi或AlNd等合金)，MTF為10000小時(shí)、85度的動作 溫度下進(jìn)行試算時(shí)，電流密度J需要在2.1Xl(^A/cm2以下。同樣，若 將供電布線90和共同布線91設(shè)定成Cu，則電流密度J需要在2.1 X 1(^A/cmS以下。另外，前提是Al合金內(nèi)的Al以外的材料的電阻率比 Al低?？紤]這些因素后，在32英寸的EL顯示面板1中，在全點(diǎn)亮狀態(tài)下， 在10000小時(shí)供電布線90和共同布線91不故障的Al類供電布線90和 共同布線91各自的截面積S從圖17可知，需要為57平方微米以上， 同樣，Cu的供電布線90和共同布線91各自的截面積S從圖17可知， 需要為43平方微米以上。另夕卜，在40英寸的EL顯示面板1中，在全點(diǎn)亮狀態(tài)下，在IOOOO 小時(shí)供電布線90和共同布線91不故障的Al類供電布線90和共同布線 91各自的截面積S從圖19可知，需要為92平方微米以上，同樣，Cu 的供電布線90和共同布線91各自的截面積S從圖19可知，需要為0.69 平方微米以上。在Al類的供電布線90和共同布線91中，若設(shè)Al類的電阻率為 4.00u Qcm，則32英寸的EL顯示面板1中，如上所述，布線電阻率P /截面積S為4.7Q/cm以下，所以最小截面積Smin為85.1平方微米。 此時(shí)，如上所述，供電布線90和共同布線91的布線寬度WL為34微米以內(nèi)，所以供電布線90和共同布線91的最小膜厚Hmin為2.50微米。另外，在Al類的供電布線90和共同布線91的40英寸的EL顯示 面板1中，如上所述，布線電阻率P/截面積S為2.4Q/cm以下，所以 最小截面積Smin為167平方微米。此時(shí)，如上所述，供電布線90和共 同布線91的布線寬度WL為44微米以內(nèi)，所以供電布線90和共同布 線91的最小膜厚Hmin為3.80微米。在Cu的供電布線90和共同布線91中，若設(shè)Cu的電阻率為2.10 y Qcm，則32英寸的EL顯示面板1中，如上所述，布線電阻率P/截 面積S為4.7 Q/cm以下，所以最小截面積Smin為44.7平方微米。此時(shí)， 如上所述，供電布線90和共同布線91的布線寬度WL為34微米以內(nèi)， 所以供電布線90和共同布線91的最小膜厚Hmin為1.31微米。另外，在Cu的供電布線90和共同布線91的40英寸的EL顯示面 板1中，如上所述，布線電阻率P/截面積S為2.4Q/cm以下，所以最 小截面積Smin成為87.5平方微米。此時(shí)，如上所述，供電布線90和 共同布線91的布線寬度WL為44微米以內(nèi)，所以供電布線卯和共同 布線91的最小膜厚Hmin為1.99微米。從上述可知，為了使EL顯示面板1正常且以低功耗工作，最好將 供電布線90和共同布線91中的電壓降設(shè)為1V以下，為了實(shí)現(xiàn)這種條 件，在供電布線90和共同布線91為Al類的32英寸的面板中，膜厚H 為2.50微米-6微米，寬度WL為14.1微米-34.0微米，電阻率為4.0 y Qcm-9.6y Qcm，在供電布線90和共同布線91為Al類的40英寸的面 板中，在供電布線90和共同布線91為Al類的情況下，膜厚H為3.80 微米-6微米，寬度WL為27.8微米-44.0微米，電阻率為4.0 u Qcm-9.6 u Q cm?？傊?，在A1類的供電布線90和共同布線91的情況下，膜厚H為 2.50微米-6微米，寬度WL為14.1微米-44.0微米，電阻率為4.0y Q cm-9.6p Qcm。同樣，在供電布線90和共同布線91為Cu的32英寸的面板中，膜厚H為1.31微米-6微米，寬度WL為7.45微米-34微米，電阻率為2.1 u Qcm-9.6P Qcm，在供電布線90和共同布線91為Cu的40英寸的面 板中，在供電布線90和共同布線91為Cu類的情況下，膜厚H為1.99 微米-6微米，寬度WL為14.6微米-44.0微米，電阻率為2.1 u Qcm-9.6 y Q cm?？傊?，在Cu的供電布線90和共同布線91的情況下，膜厚H為1.31 微米-6微米，寬度WL為7.45微米-44微米，電阻率為2.1 u Qcm-9.6 u Q cm。因此，在適用Al類材料或Cu作為供電布線90和共同布線91的情 況下，EL顯示面板1的供電布線90和共同布線91中，膜厚H為1.31 微米-6微米，寬度WL為7.45微米-44微米，電阻率為2.1 u Qcm-9.6 li Q cm0[第2實(shí)施方式][EL顯示面板的整體構(gòu)成]圖20中示出有源矩陣驅(qū)動方式的EL顯示面板1的示意圖。如圖 20所示，EL顯示面板1具備具有透光性的可撓性薄片狀或剛性板狀的 絕緣基板2;彼此平行地排列在絕緣基板2上的n條(多條)信號線YrYn; 俯視時(shí)絕緣基板2、相對信號線Y,-Yn正交地排列在絕緣基板2上的m條(多條)掃描線Xi-Xm;在各掃描線XrXm之間與掃描線X,-Xm平行且彼此不同地排列在絕緣基板2上的m條(多條)供給線Zl-Zm;沿信號線 YrY。和掃描線X,-Xm成矩陣狀地排列在絕緣基板2上的(mXn)組象素 電路Pu-Pm,n;連接于供給線ZrZm且在與俯視時(shí)的相對信號線YrYn 平行的方向上分支成多個的多個供電布線90、 90、和在各供電布線 卯、90、…之間與供電布線90平行且彼此不同地設(shè)置的共同布線91、 91、…。供電布線90、 90、…的總數(shù)與共同布線91、 91、...的總數(shù)之和為 (n+l)，在各信號線YrYn的延伸方向上分割各組象素電路Pu-P^的左 右兩側(cè)而設(shè)置供電布線90或共同布線91之一。供電布線90、 90、...利用配置在絕緣基板2的一個周邊上的繞回 布線90a來彼此導(dǎo)通，所以如后所述，利用來自外部的時(shí)鐘信號變?yōu)榈?電位。并且，繞回布線90a在絕緣基板2的兩端部分別與布線端子90b、 90c連接。由于從外部驅(qū)動電路施加于布線端子90b、 90c上的電壓均為 等電位，所以可迅速地向供電布線90、 90、…整體提供電流。繞回布線 90a如后所述，還與供電布線卯和共同布線91 一起用作成膜時(shí)切割有 機(jī)EL層20b的隔壁。共同布線91、 91、...由配置在絕緣基板2的與設(shè)有布線90a的周邊 相對的周邊上的繞回布線91a來彼此連接，施加共同電壓Vcom。繞回 布線91a如后所述，與供電布線90和共同布線91 一起用作成膜時(shí)切割 有機(jī)EL層20b的隔壁。下面，將信號線YrYn延伸的方向稱為垂直方向(列方向)，將掃描 線XrXm延伸的方向稱為水平方向(行方向)。另夕卜，m、 n為2以上的自 然數(shù)，在掃描線X下標(biāo)的數(shù)字在圖20中表示從上到下的排列順序，在 供給線Z下標(biāo)的數(shù)字在圖20中表示從上到下的排列順序，在信號線Y 下標(biāo)的數(shù)字在圖20中表示從左到右的排列順序，在象素電路P下標(biāo)的 數(shù)字的前側(cè)表示從上到下的排列順序，后側(cè)表示從左到右的排列順序。 即，在將l-m中任意自然數(shù)設(shè)為i、將l-n中任意自然數(shù)設(shè)為j的情況下， 掃描線Xi為從上開始的第i行，供給線Zi為從左開始的第i行，信號線 Yj為從左開始的第j列，象素電路Pij為從上開始的第i行、從左開始的 第j列，象素電路Pij連接于掃描線Xi、供給線Zi和信號線Yj上。在該EL顯示面板1中，由掃描線XrXm與信號線Y,-Yn區(qū)分成矩 陣狀的各個區(qū)域構(gòu)成象素，對一個區(qū)域象素僅設(shè)置1組象素電路[象素電路的電路構(gòu)成] 因?yàn)槿我幌笏仉娐稰w-Pm,n都相同地構(gòu)成，所以說明象素電路 Pu-Pm,n中的任意象素電路Pi,j。圖21是象素電路Pjj的等效電路圖，圖 22是主要表示象素電路Pij和象素電路PU+1的電極的平面圖。象素電路Pij具備作為象素的有機(jī)EL元件20、配置在有機(jī)EL元件 20周圍的3個N溝道型薄膜晶體管(下面簡稱為晶體管)21、 22、 23、和 電容24。下面，將晶體管21稱為開關(guān)晶體管21，將晶體管22稱為保 持晶體管22，將晶體管23稱為驅(qū)動晶體管23。如圖21所示，在象素電路Pg中，就開關(guān)晶體管21而言，源極21s 導(dǎo)通于信號線Yj，漏極21d與有機(jī)EL元件20的象素電極20a、驅(qū)動晶 體管23的源極23s和電容24的一個電極24B導(dǎo)通，柵極21g與掃描線 Xi和保持晶體管22的柵極22g導(dǎo)通。就保持晶體管22而言，源極22s與驅(qū)動晶體管23的柵極23g和電 容24的另一個電極24A導(dǎo)通，漏極22d與供給線Zi和驅(qū)動晶體管23 的漏極23d導(dǎo)通，柵極22g與開關(guān)晶體管21的柵極21g和掃描線Xi導(dǎo) 通。就驅(qū)動晶體管23而言，源極23s與有機(jī)EL元件20的象素電極20a、 開關(guān)晶體管21的漏極21d和電容24的電極24B導(dǎo)通，漏極23d與保持 晶體管22的漏極22d和供給線Zi導(dǎo)通，柵極23g與保持晶體管22的源 極22s和電容24的電極24A導(dǎo)通。另外，俯視EL顯示面板1整體時(shí)，若僅著眼于象素電路Pu-Pm，n 的開關(guān)晶體管21，則多個開關(guān)晶體管21在絕緣基板2上排列成矩陣狀， 若俯視時(shí)僅著眼于象素電路Pu-Pm,n的保持晶體管22，則多個保持晶體 管22在絕緣基板2上排列成矩陣狀，若俯視時(shí)僅著眼于象素電路 Pu-Pm，n的驅(qū)動晶體管23,則多個驅(qū)動晶體管23在絕緣基板2上排列成 矩陣狀。[EL顯示面板的層構(gòu)造]說明EL顯示面板1的層構(gòu)造。首先，說明晶體管21-23的層構(gòu)造。圖23是驅(qū)動晶體管23的截面圖。如圖23所示，驅(qū)動晶體管23包 括形成于絕緣基板2上的柵極23g;形成于柵極23g上的柵極絕緣膜 31;形成于柵極絕緣膜31上的半導(dǎo)體膜23c;形成于半導(dǎo)體膜23c的中 央部上的溝道保護(hù)膜23p;在半導(dǎo)體膜23c的兩端部上彼此間隔形成、局部重合于溝道保護(hù)膜23p上的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜23a、 23b;形成于雜質(zhì)半 導(dǎo)體膜23s上的漏極23d;和形成于雜質(zhì)半導(dǎo)體膜23a上的源極23s。另 外，漏極23d和源極23s可以是單層構(gòu)造，也可以是二層以上的層疊構(gòu) 造。開關(guān)晶體管21和保持晶體管22也為與驅(qū)動晶體管23 —樣的層構(gòu) 造，所以省略它們的截面圖。下面，用圖23-圖25來說明晶體管21-23和電容24的各層與信號線Y,-Yn、掃描線XrXm和供給線ZpZm之間的關(guān)系。這里，圖24是沿圖22所示的XXIV-XXIV線在絕緣基板2的厚度方向切斷的箭頭截面 圖，圖25是沿圖22所示的XXV-XXV線在絕緣基板2的厚度方向切斷 的箭頭截面圖。如圖23-圖25所示，開關(guān)晶體管21的柵極21g、保持晶體管22的 柵極22g、驅(qū)動晶體管23的柵極23g和電容24的電極24A及信號線 YrYn，是通過光刻法、蝕刻法在絕緣基板2上對整面成膜的導(dǎo)電性膜 進(jìn)行布圖來形成的。信號線YrYn是流過對應(yīng)于顯示灰度的電流值的灰 度電流信號的布線。柵極絕緣膜31為幵關(guān)晶體管21、保持晶體管22和驅(qū)動晶體管23 全部共同的膜，在面內(nèi)整面成膜。該柵極絕緣膜31還兼作夾在電容24 的電極24A與電極24B之間的電介質(zhì)，并還覆蓋信號線Y,-Yn。在信號 線YrYn上分別設(shè)置對構(gòu)成半導(dǎo)體膜23c的膜布圖而形成的保護(hù)膜35a， 在保護(hù)膜35a上，形成對構(gòu)成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜23a、 23b的膜進(jìn)行布圖而 形成的保護(hù)膜35b。保護(hù)膜35a和保護(hù)膜35b在柵極絕緣膜31中形成針 孔時(shí)，經(jīng)針孔來保護(hù)信號線YrYn與掃描線X,-Xm之一或供給線ZrZm 之一不短路。開關(guān)晶體管21的漏極21d、源極21s、保持晶體管22的漏極22d、 源極22s、驅(qū)動晶體管23的柵極漏極23d、源極23s和電容24的電極 24B及掃描線X,-Xm和供給線ZrZm，是通過光刻法、蝕刻法在柵極絕 緣膜31上對整面成膜的導(dǎo)電性膜進(jìn)行布圖而形成的。另外，如圖22所示，掃描線Xi經(jīng)形成于柵極絕緣膜31中的接觸孔92，與連接在開關(guān)晶 體管21的柵極21g和保持晶體管22的柵極22g上的接觸部Cl導(dǎo)通， 信號線Yj經(jīng)形成于柵極絕緣膜31中的接觸孔94，與開關(guān)晶體管21的 源極21s導(dǎo)通，保持晶體管22的源極22s經(jīng)形成于柵極絕緣膜31中的 接觸孔93，與連接于驅(qū)動晶體管23的柵極23g上的接觸部C3導(dǎo)通。如圖23-圖25所示，開關(guān)晶體管21、保持晶體管22和驅(qū)動晶體管 23以及掃描線X,-Xm和供給線Z,-Zm被整面成膜的保護(hù)絕緣膜32所覆 蓋。保護(hù)絕緣膜32由氮化硅或氧化硅構(gòu)成，對晶體管21-23、掃描線 XrXm和供給線Z,-Zm進(jìn)行絕緣保護(hù)。在保護(hù)絕緣膜32上層疊平坦化膜33，開關(guān)晶體管21、保持晶體管 22和驅(qū)動晶體管23以及掃描線X,-Xm和供給線Z,-Zm所形成的凹凸被 平坦化膜33消除。g卩，平坦化膜33的表面變平坦。平坦化膜33是使 聚酰亞胺等樹脂固化而成的。將從絕緣基板2至平坦化膜33的層疊構(gòu)造稱為晶體管陣列基板50。 就該晶體管陣列基板50而言，俯視時(shí)，開關(guān)晶體管21、保持晶體管22 和驅(qū)動晶體管23排列成矩陣狀。另外，在將該EL顯示面板1用作底部發(fā)散型的情況下，即從絕緣 基板2射出有機(jī)EL元件20的光，來將絕緣基板2用作顯示面的情況下， 在柵極絕緣膜31、保護(hù)絕緣膜32和平坦膜33使用透明材料。下面，說明層疊在晶體管陣列基板50的表面中的層構(gòu)造。在晶體 管陣列基板50的表面上、即平坦化膜33的表面上，對每個象素電路Pu-Pm，n都將象素電極20a排列成矩陣狀。俯視時(shí)，象素電路Pjj的象素電極20a形成于由相鄰的掃描線Xj和供給線Zi以及相鄰的信號線Yj和 信號線Yjw區(qū)分的區(qū)域中。另外，象素電極20a經(jīng)形成于平坦化膜33 和保護(hù)絕緣膜32中的接觸孔，與電容24的電極24B、開關(guān)晶體管21 的漏極21d和驅(qū)動晶體管23的源極23s導(dǎo)通。象素電極20a是用作有機(jī)EL元件20的陽極的電極。g卩，象素電極 20a的功函數(shù)最好較高，向后述的有機(jī)EL層20b中高效注入空穴。另外，象素電極20a對可視光具有透射性。作為象素電極20a，例如有以 錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、氧化銦(111203)、氧化錫(Sn02)、 氧化鋅(ZnO)或鎘錫氧化物(CTO)為主的金屬氧化物。另外，在將該EL顯示面板1用作底部發(fā)射型的情況下、即將絕緣 基板2的相反側(cè)用作顯示面的情況下，最好在象素電極20a與平坦化膜 33之間成膜導(dǎo)電性和可視光反向性高的反射膜。這些象素電極20a是利用光刻法、蝕刻法在平坦化膜33上對整面 成膜的透明導(dǎo)電性膜進(jìn)行布圖來形成的。在水平方向上相鄰的象素電極 20a之間，與象素電極20a電氣間隔并沿垂直方向延伸的導(dǎo)電性線51 如信號線Y(j-2k)、…、Yw)、 Yj、 Y(j+2)、…(k為自然數(shù))那樣，即與供電 布線90—樣，每隔一列來布圖。導(dǎo)電性線51通過對構(gòu)成象素電極20a 的透明導(dǎo)電性膜進(jìn)行蝕刻，與象素電極20a —起布圖。在導(dǎo)電性線51 的左右兩側(cè)的周邊部分，分別形成在垂直方向上長的溝狀絕緣線57、 57、...。在從絕緣線57、 57間露出的導(dǎo)電性線51上，分別層疊供電布 線90、 90、…。在水平方向上相鄰的象素電極20a之間，與象素電極20a電氣絕緣并沿垂直方向延伸的絕緣線52如信號線Y(j.2k+1).....Yw)、 Y(j+d、Y,)、 ...(k為自然數(shù))那樣，即與共同布線91一樣，每隔象素電極20a 的一列來布圖。為了提高數(shù)值孔徑，這些絕緣線52設(shè)計(jì)成兩側(cè)與象素 電極20a的周邊部分局部重合，但也可以是不與象素電極20a的周邊部 分重合的構(gòu)造。在這些絕緣線52中不與導(dǎo)電性線51重合的絕緣線52 上，層疊共同布線91。供電布線90比絕緣線52厚得多，從絕緣線52上隆起。另外，由 于供電布線90通過電鍍法來形成，所以比信號線Y,-Yn、掃描線XrXm 和供給線ZrZm以及晶體管21-23的柵極、源極和漏極厚得多。如圖22、 圖25所示，俯視時(shí)，在各供電布線90與供給線Z廣Zm交叉的部位，在 平坦化膜33和保護(hù)絕緣膜32中形成接觸孔53，在該接觸孔53中埋入 導(dǎo)電性襯墊58，在導(dǎo)電性襯墊58上依次重合導(dǎo)電性線51和供電布線卯。因此，如圖21的電路圖所示，供電布線90通過接觸部C2與供給 線Z,-Zm電導(dǎo)通，經(jīng)供給線Zi與象素電路Zi，,-Zi，n的晶體管22、 23的漏 極22d、 23d牢固地導(dǎo)通。另外，禾擁電鍍法來形成接觸孔53內(nèi)的導(dǎo)電 性襯墊58。共同布線91也與供電布線90 —起通過電鍍法形成，所以比信號線 YrYn、掃描線XrXm和供給線ZrZm以及晶體管21-23的柵極或源極、 漏極厚得多。共同布線91和供電布線由銅、金、鎳或它們的層疊體構(gòu) 成。在供電布線卯的表面成膜具有疏水性、疏油性的疏液性絕緣膜54。 該疏液性絕緣膜54由氟樹脂電解淀積涂料構(gòu)成，利用電解淀積涂布來 成膜。在共同布線91的表面成膜具有疏水性、疏油性的疏液性導(dǎo)通膜55。 疏液性導(dǎo)通膜55中，下面的化學(xué)式(l)所示的三嗪三硫醇的1或2巰基 (-SH:有時(shí)也稱為硫醇基。)的氫(H)原子還原脫離，硫原子(S)氧化吸 附在作為金屬的共同布線91的表面。 [化學(xué)式l]疏液性導(dǎo)通膜55由于極薄的三嗪三硫醇分子單元在共同布線91的 表面上極薄地成膜，所以疏液性導(dǎo)通膜55在厚度方向上電阻非常低， 基本上不具有絕緣性。另外，為了使疏液性、疏油性顯著，最好代替三嗪三硫醇，使用將三嗪三硫醇的1或2巰基置換成氟化烷基的三嗪三硫 醇電介質(zhì)。這種三嗪化合物可有選擇地覆蓋并結(jié)合在疏液性導(dǎo)通膜55 等金屬上。具體而言，在將6-二甲基氨基-l， 3， 5三嗪-2， 4二流醇鈉 鹽調(diào)整為濃度為1(^mol/l水溶液之后，在液溫26攝氏度、浸漬時(shí)間30 分鐘的條件下，將共同布線91浸漬在該水溶液中時(shí)，在共同布線91的 表面覆蓋膜厚為0.7nm左右的疏液性導(dǎo)通膜55(膜厚為由橢圓偏振計(jì)測 定的測定值)。另夕卜，在將6-二甲基氨基-l， 3， 5三嗪-2， 4二流醇鈉鹽 調(diào)整為濃度為l(T3m0l/l水溶液之后，在液溫46攝氏度、浸漬時(shí)間30 分鐘的條件下，將共同布線91浸漬在該水溶液中時(shí)，在共同布線91上 覆蓋膜厚為1.8nm左右的疏液性導(dǎo)通膜55(膜厚為由橢圓偏振計(jì)測定的 測定值)。另外，圖26模式地示出疏液性導(dǎo)通膜55的覆蓋構(gòu)造。圖26中， 置換基R例如是二甲基氨基或二 (十二垸基)氨基。在象素電極20a上，成膜有機(jī)EL元件20的有機(jī)EL層20b。有機(jī) EL層20b是廣義的發(fā)光層，在有機(jī)EL層20b中含有作為有機(jī)化合物的 發(fā)光材料(熒光體)。有機(jī)EL層20b是從象素電極20a依次按空穴傳輸 層、狹義的發(fā)光層的順序?qū)盈B的雙層構(gòu)造?？昭▊鬏攲佑勺鳛閷?dǎo)電性高 分子的PEDOT(聚二氧乙基噻吩)和作為摻雜物的PSS(聚對苯乙烯磺酸) 構(gòu)成，狹義的發(fā)光層由聚芴系列發(fā)光材料構(gòu)成。有機(jī)EL層20b在疏液性絕緣膜54和疏液性導(dǎo)通膜55涂布之后， 利用濕式涂布法(例如噴墨法)來成膜。此時(shí)，在象素電極20a上涂布含 有構(gòu)成有機(jī)EL層20b的有機(jī)化合物的有機(jī)化合物含有液，該有機(jī)化合 物含有液的液面比絕緣線52的頂部和絕緣線57的頂部高。因?yàn)樵谒?方向上相鄰的象素電極20a之間，交替設(shè)置頂部比絕緣膜52的頂部和 絕緣線57的頂部高得多的供電布線90和共同布線91,所以防止涂布在 象素電極20a上的有機(jī)化合物含有液漏到水平方向上相鄰的象素電極 20a。另外，因?yàn)樵诠╇姴季€90上涂布疏水性、疏油性的疏液性絕緣膜 54，還在共同布線91上涂布疏水性、疏油性的疏液性導(dǎo)通膜55，所以涂布在象素電極20a上的有機(jī)化合物含有液被疏液性絕緣膜54和疏液 性導(dǎo)通膜55拔落，涂布在象素電極20a上的有機(jī)化合物含有液在絕緣 線52的角部附近堆積得比象素電極20a的中央部厚得多。所以，可以 均勻的膜厚來成膜有機(jī)化合物含有液干燥后構(gòu)成的有機(jī)EL層20b。這樣，通過成膜有機(jī)EL層20b，如圖27所示，構(gòu)成成膜有發(fā)紅光 的有機(jī)EL層20b的區(qū)域R、成膜有發(fā)綠光的有機(jī)EL層20b的區(qū)域G、 成膜有發(fā)藍(lán)光的有機(jī)EL層20b的區(qū)域B的帶構(gòu)造，同列的多個象素發(fā) 出相同顏色。在俯視時(shí)的情況下，由于被涂布的有機(jī)化合物含有液左右被分別分 給供電布線90和共同布線91、 91之一，所以沿垂直方向每個列均一樣 分布，故沿垂直方向排列的多個有機(jī)EL層20b均為相同的層構(gòu)造，發(fā) 出相同顏色。另一方面，按使在水平方向上排列成一列的多個有機(jī)EL 層20b按發(fā)紅光、發(fā)綠光、發(fā)藍(lán)光的順序重復(fù)的方式，排列狹義的發(fā)光 層?？昭▊鬏攲右部梢栽诎l(fā)出不同光的象素彼此中使用彼此相同的材 料。另外，有機(jī)EL層20b除雙層構(gòu)造外，可以是從象素電極20a開始 依次為空穴傳輸層、狹義的發(fā)光層、電子傳輸層的三層構(gòu)造，或是由狹 義的發(fā)光層構(gòu)成的單層構(gòu)造，或是在這些層構(gòu)造中在適當(dāng)?shù)膶娱g夾入電 子或空穴的注入層的層疊構(gòu)造，或是其它的層疊構(gòu)造。在有機(jī)EL層20b上，成膜用作有機(jī)EL元件20的陰極的相對電極 20c。相對電極20c是在全部象素中共同形成的共同電極。通過將相對 電極20c成膜在整面中，相對電極20c夾持疏液性導(dǎo)通膜55來覆蓋共 同布線91，并且，夾持疏液性絕緣膜54來覆蓋供電布線90。因此，如 圖21的電路圖所示，相對電極20c與共同布線91導(dǎo)通。相反，相對電 極20c與供電布線90絕緣。如圖23-圖25所示，相對電極20c由功函數(shù)比象素電極20a低的材 料形成，例如由包含鎂、鈣、鋰、鈀、銦、稀土類金屬的至少一種的單 體或合金來形成。另外，相對電極20c可以是層疊上述各種材料的層的層疊構(gòu)造，也可以是除以上的各種材料層外、還為了降低薄片電阻而堆積難氧化的金屬層的層疊構(gòu)造，具體而言，如設(shè)置在與有機(jī)EL層20b 相接的界面?zhèn)戎械牡凸瘮?shù)的高純度鈀層、和覆蓋鈀層而設(shè)置的鋁層的 層疊構(gòu)造，或在下層設(shè)置鋰層、在上層設(shè)置鋁層的層疊構(gòu)造。另外，在 頂部發(fā)射的情況下，相對電極20c也可以是層疊上述低功函數(shù)的薄膜并 在其上層疊ITO等透明導(dǎo)電膜的透明電極。在相對電極20c上成膜有密封絕緣膜56。密封絕緣膜56覆蓋相對 電極20c整體，是為了防止相對電極20c惡化而設(shè)置的無機(jī)膜或有機(jī)膜。另外，以前，頂部發(fā)射型構(gòu)造的EL顯示面板中，相對電極的至少 一部分使用金屬氧化物等電阻值高的透明電極，但由于這種材料若不足 夠厚，則薄片電阻不夠低，所以增厚必需會使有機(jī)EL元件的透射率下 降，畫面越大，則越難以在面內(nèi)形成均勻的電位，顯示特性降低。但是， 在本實(shí)施方式中，為了保證在垂直方向上的足夠厚度，設(shè)置低電阻的多 個共同布線91、 91、...，所以與相對電極20c—致地降低有機(jī)EL元件 20、 20、...的陰極電極整體的薄片電阻值，可充分且在面內(nèi)均勻地流過 大電流。并且，在這種構(gòu)造中，由于共同布線91、 91...降低作為陰極電 極的薄片電阻，所以可將相對電極20c形成為薄膜，來提高透射率。另 外，在頂部發(fā)射構(gòu)造中，象素電極20a也可以是反射性材料。 [EL顯示面板的驅(qū)動方法]以有源矩陣方式來驅(qū)動EL顯示面板1如下所示。即，如圖28所示， 由振蕩電路向供電布線90、 90、...和供給線ZrZm輸出時(shí)鐘信號。另外， 利用掃描側(cè)驅(qū)動器，按從掃描線&至掃描線Xm的順序(掃描線Xm之后 為掃描線XD依次輸出高電平的移位脈沖，由此，依次選擇掃描線X,-Xm，在掃描側(cè)驅(qū)動器向掃描線X,-Xm之一輸出移位脈沖時(shí)，振蕩電路的時(shí)鐘信號變?yōu)榈碗娖?。另外，在掃描?cè)驅(qū)動器選擇各掃描線XrXm時(shí)，數(shù)據(jù) 側(cè)驅(qū)動器將作為寫入電流的拉拔電流(電流信號)經(jīng)驅(qū)動晶體管23的源 極-漏極間流入全部信號線YrYn。另外，相對電極20c和供電布線卯 保持在一定的共同電位Vcom(例如，接地=0伏)。在掃描線Xi的選擇期間，因?yàn)橄虻趇行的掃描線Xi輸出移位脈沖， 所以開關(guān)晶體管21和保持晶體管22變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。在各選擇期間，數(shù) 據(jù)側(cè)驅(qū)動器側(cè)的電位在輸出給供電布線90、 90、...及供給線ZrZm的時(shí) 鐘信號的低電平以下，并且該時(shí)鐘信號的低電平被設(shè)定在共同電位 Vcom以下。因此，此時(shí)由于不從有機(jī)EL元件20流入信號線YrYn， 所以如圖21所示，利用數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動器，對應(yīng)于灰度的電流值的寫入電 流(拉拔電流)如箭頭A所示，流入信號線YrYn，在象素電路Pj,j中從供 電布線90和供給線Zi經(jīng)驅(qū)動晶體管23的源極-漏極間、開關(guān)晶體管21 的源極-漏極間向信號線Yj的流通寫入電流(拉拔電流)。這樣，流過驅(qū) 動晶體管23的源極-漏極間的電流的電流值由數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動器來唯一控 制，數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動器對應(yīng)于從外部輸入的灰度來設(shè)定寫入電流(拉拔電流) 的電流值。在流過寫入電流(拉拔電流)期間，盡管流過各個信號線YrYn 的寫入電流(拉拔電流)之電流值、即驅(qū)動晶體管23的Vg-Ids特性隨時(shí)間 變化，但第i行的Pi，,-Pi,n的各驅(qū)動晶體管23之柵極23g-源極23s之間 的電壓仍與流過驅(qū)動晶體管23的漏極23d-源極23s之間的寫入電流(寫 入電流)之電流值一致地強(qiáng)制設(shè)定，將大小基于該電壓電平的電荷充電 到電容24，將寫入電流(拉拔電流)之電流值變換為驅(qū)動晶體管23的柵 極23g-源極23s之間的電壓電平。在之后的發(fā)光期間，掃描線Xi變?yōu)?低電平，開關(guān)晶體管21和保持晶體管22變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，但利用截止?fàn)?態(tài)的保持晶體管22，電容24的電極24A側(cè)的電荷封閉，變?yōu)楦∮螤顟B(tài)， 驅(qū)動晶體管23的源極23s的電壓在從選擇期間移動到發(fā)光期間時(shí)即便 調(diào)制，驅(qū)動晶體管23的柵極23g-源極23s之間的電位差也維持不變。 在該發(fā)光期間中，在不是任一行的選擇期間時(shí)，即時(shí)鐘信號是供電布線 90和供給線Zj的電位比有機(jī)EL元件20的相對電極20c和供電布線90 的電位Vcom高的高電平時(shí)，驅(qū)動電流沿箭頭B的方向從較高電位的供 電布線90和供給線Zi經(jīng)驅(qū)動晶體管23的源極-漏極間流向有機(jī)EL元 件20，有機(jī)EL元件20發(fā)光。由于驅(qū)動電流的電流值取決于驅(qū)動晶體 管23的柵極23g-源極23s之間的電壓，所以發(fā)光期間的驅(qū)動電流之電流值等于選擇期間的寫入電流(拉拔電流)的電流值。另外，在發(fā)光期間，在任一行的選擇期間時(shí)，即時(shí)鐘信號為低電平時(shí)，供電布線90和供給 線Zj的電位為相對電極20c和供電布線90的電位Vcom以下，所以不 向有機(jī)EL元件20流過驅(qū)動電流，不發(fā)光。艮P，在選擇期間中，開關(guān)晶體管21形成電流路徑，以在驅(qū)動晶體 管23的源極23s與信號線Yj之間流過寫入電流(拉拔電流)，保持晶體 管22形成電流路徑，以在供電布線90與驅(qū)動晶體管23的漏極23d之 間流過寫入電流(拉拔電流)。另外，發(fā)光期間中，開關(guān)晶體管21關(guān)閉電流路徑，以使從驅(qū)動晶 體管23的源極23s流出的驅(qū)動電流不流入信號線Yj，保持晶體管22保 持驅(qū)動晶體管23的柵極23g-源極23s之間的電壓，使驅(qū)動電流的電流 值恒定。另外，在發(fā)光期間供給線Zi和供電布線90變?yōu)楦唠娖絽?，?qū) 動晶體管23根據(jù)在選擇期間充電到柵極23g-源極23s間的電荷，在有 機(jī)EL元件20中流過大小對應(yīng)于灰度的電流，驅(qū)動有機(jī)EL元件20。 [變形例l]另外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明精神的范圍下， 可進(jìn)行各種改良和設(shè)計(jì)的變更。另外，在上述實(shí)施方式中，將晶體管21-23作為N溝道型場效應(yīng)晶 體管來進(jìn)行了說明。晶體管21-23也可以是P溝道型場效應(yīng)晶體管。此 時(shí)，在圖2的電路構(gòu)成中，晶體管21-23的源極21s、 22s、 23s與晶體 管21-23的漏極21d、 22d、 23d的關(guān)系相反。例如，在驅(qū)動晶體管23 是P溝道型場效應(yīng)晶體管的情況下，驅(qū)動晶體管23的漏極23d與有機(jī) EL元件20的象素電極20a導(dǎo)通，源極23s與供給線Zi導(dǎo)通。 [變形例2]另外，在上述各實(shí)施方式中，每隔一個象素來設(shè)置3個晶體管21-23， 但只要是具備源極或漏極串聯(lián)連接于有機(jī)EL元件上的驅(qū)動晶體管的有 機(jī)EL顯示面板，則不限制晶體管的數(shù)量或電流驅(qū)動、電壓驅(qū)動，均可 適用本發(fā)明。[變形例3]另外，在上述各實(shí)施方式中，將晶體管21-23作為N溝道型場效應(yīng) 晶體管來進(jìn)行了說明。晶體管21-23也可以是P溝道型場效應(yīng)晶體管。 此時(shí)，在圖2的電路構(gòu)成中，晶體管21-23的源極21s、 22s、 23s與晶 體管21-23的漏極21d、 22d、 23d的關(guān)系相反。另外，各信號的高電平 低電平逆轉(zhuǎn)。[變形例4]另外，在上述各實(shí)施方式中，將各保持晶體管22的漏極22d連接 于供給線ZrZm之一上，但不限于此，也可將各象素電路Pu、 Pu、 Pu、 ...Pi,n的保持晶體管22的漏極22d連接于掃描線Xj上。 [變形例5]另外，在上述各實(shí)施方式中，從布線端子90b、 90c將構(gòu)成寫入電 流的寫入供電電壓VL和構(gòu)成驅(qū)動電流的驅(qū)動供電電壓VH提供給供電 布線90,以降低了供電布線90的電壓降，但只要是電壓降高的設(shè)計(jì)， 則也可僅從布線端子90b、 90c之一來提供。 [變形例6]另外，在上述各實(shí)施方式中，晶體管21-23是非晶硅晶體管，但不 限于此，也可以是多晶硅。 [變形例7]另外，在上述第2實(shí)施方式中，在供電布線90的表面上覆蓋疏液 性絕緣膜54，但不限于此，也可不設(shè)計(jì)疏液性絕緣膜54，在共同布線 91與供電布線90的表面上覆蓋疏液性導(dǎo)通膜55，將共同布線91和供 電布線90作為疏液性隔壁，覆蓋有機(jī)EL層20b的至少一層，之后，去 除供電布線90的表面，在有機(jī)EL層20b和共同布線91的表面成膜相 對電極20c。另外，只要具有整合性，也可組合多個上述變形例。
權(quán)利要求
1、一種顯示面板的制造方法，其特征在于，具有以下工序在面板上，按照排列成矩陣狀的方式布圖象素電極；在所述象素電極之間形成由金屬構(gòu)成的布線；在所述布線的表面覆蓋疏液導(dǎo)通層；通過在所述電極上涂布有機(jī)化合物含有液，成膜有機(jī)化合物層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于， 在形成所述有機(jī)化合物層之后，按照覆蓋所述有機(jī)化合物層和所述布線的方式成膜相對電極。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于， 所述有機(jī)化合物層是有機(jī)EL層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于， 所述布線與所述有機(jī)化合物層電連接。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于， 還具備與所述有機(jī)化合物層電連接的晶體管。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板的制造方法，其特征在于， 所述布線是與晶體管連接的供電布線。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于， 所述象素電極的表面是金屬氧化物。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于， 所述疏液導(dǎo)通層具有三嗪化合物。
全文摘要
本發(fā)明的顯示面板的制造方法，其特征在于，具有以下工序在面板上，按照排列成矩陣狀的方式布圖象素電極；在所述象素電極之間形成由金屬構(gòu)成的布線；在所述布線的表面覆蓋疏液導(dǎo)通層；通過在所述電極上涂布有機(jī)化合物含有液，成膜有機(jī)化合物層。
文檔編號H01L21/82GK101266945SQ20081008321
公開日2008年9月17日 申請日期2005年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月21日
發(fā)明者下田悟, 小倉潤, 熊谷稔, 白崎友之 申請人:卡西歐計(jì)算機(jī)株式會社