專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光裝置、半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于裝配半導(dǎo)體發(fā)光元件的半導(dǎo)體發(fā)光裝置和半導(dǎo)體 發(fā)光裝置用多引線框架。
背景技術(shù)：
特開2004-274027號公報、特開平7-235696號公報、特開 2002-141558號公報等公開了與現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相關(guān)的技術(shù)。如 圖21所示，現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置具備具有主表面101a的引線框架 101;設(shè)置在主表面101a上的LED (Light Emitting Diode:發(fā)光二極管) 芯片104;連接引線框架101和LED芯片104的金線105;以完全覆蓋 LED芯片104和金線105的方式設(shè)置在主表面101a上的環(huán)氧樹脂106; 以環(huán)繞著環(huán)氧樹脂樹脂106的方式設(shè)置的樹脂部103。
在引線框架101的周圍設(shè)置通過嵌入成形等形成的樹脂部103。樹 脂部103在主表面101a上形成為凹狀。在主表面101a上，在凹狀的內(nèi) 部隔著銀(Ag)漿107裝配LED芯片104。在LED芯片104的頂面一 側(cè)形成的電極和引線框架101的主表面101a通過金線105連接。在主 表面101a上，以覆蓋著LED芯片104和金線105并將凹狀的內(nèi)部完全 填充起來的方式設(shè)置有環(huán)氧樹脂106。
圖21所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法是，首先將板狀的引線框 架101加工成預(yù)定圖案。在引線框架101上鍍銀(Ag),在該狀態(tài)下將 引線框架101嵌入成形到樹脂部103內(nèi)。其后，在主表面101a上隔著 銀漿107裝配LED芯片104丄ED芯片104和主表面101a通過金線104 電氣連接。其后，利用環(huán)氧樹脂106將LED芯片104和金線105密封起 來。最后，將在周邊突出著向預(yù)定方向延伸的引線端子截斷，去除引線 框架101的無用部分。
圖21所示的樹脂部103除了起到將LED芯片104發(fā)出的光通過在 凹狀側(cè)壁反射從而對光的指向性加以控制的作用之外，也發(fā)揮將形成為 預(yù)定圖案形狀的引線框架101的形狀加以固定的作用。在對LED芯片 104和金線105進(jìn)行樹脂密封的工序中，將液態(tài)環(huán)氧樹脂106滴到樹脂部103形成的凹狀中，然后使其硬化。但是，在該方法中，環(huán)氧樹脂106 的形狀被限定為樹脂部103所形成的凹狀，無法控制樹脂密封形狀引起 的光學(xué)特性。進(jìn)一步，滴下的環(huán)氧樹脂106容易受到樹脂粘度的影響， 除了會產(chǎn)生填充量的不均勻之外，因熱硬化時揮發(fā)成分的蒸發(fā)、硬化收 縮等的影響，難以確保均勻的密封形狀。另外，按照現(xiàn)有技術(shù)的方式將環(huán)氧樹脂106和樹脂部103粘結(jié)在一 起時，由于兩種樹脂的粘結(jié)力小，在成形后，環(huán)氧樹脂106和樹脂部103 之間可能會發(fā)生剝離，導(dǎo)致光學(xué)特性下降。實際上，在長時間老化試驗 中也發(fā)生了因環(huán)氧樹脂106和樹脂部103的剝離而導(dǎo)致的光學(xué)特性不 良。為了實現(xiàn)環(huán)氧樹脂106的密封形狀的穩(wěn)定、各種密封形狀的成形， 可以考慮使用模具進(jìn)行成形。為了進(jìn)行模具成形，必須使引線框架101 的內(nèi)外側(cè)保持平坦。但是，引線框架101的主表面101a上存在突起的 樹脂部103,因而使用模具時難以合模。特開2004-274027號公報中也 提到了在樹脂部103突出在引線框架101的主表面101a上的狀態(tài)下的 模具成形(參照特開2004-274027號公報的說明書第0059段)，但僅對 LED芯片104周圍利用環(huán)氧樹脂106進(jìn)行密封時，合模區(qū)域受到限制， 而且存在著樹脂門(gate)和澆道(runner)等的占用區(qū)域問題，難以實 施。為了實現(xiàn)模具成形，可以考慮使用能夠形成平坦表面的金屬芯基板 或陶瓷基板等。但是，在使用陶瓷基板的情況下，與現(xiàn)有的玻璃環(huán)氧樹 脂基板等樹脂基板相比，雖然其熱導(dǎo)率更大(例如在氧化鋁的情況下約 為20W/m.K等)，但基板單價上升。進(jìn)一步，也具有在使用模具進(jìn)行 合模時容易破損的缺點。另一方面，如果是金屬芯基板，必須在基板圖案和金屬芯之間設(shè)置絕緣層，該絕緣層會導(dǎo)致熱導(dǎo)率減小。亦即，沒有 提供具有與金屬框架相同水平的熱導(dǎo)率而且能夠?qū)嵤┠＞叱尚蔚囊€框架。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的是提供既具有優(yōu)異的散熱性、又能夠為了確保具 有預(yù)期光學(xué)特性的密封形狀而容易地實施模具成形的半導(dǎo)體發(fā)光裝置 和半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置具備引線框架，該引線框架包含在主表面上裝配有半導(dǎo)體發(fā)光元件的板狀的半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部；在與半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部相同的平面上延展的板狀的金屬線連接部。另外，其 外，其具備以完全覆蓋著半導(dǎo)J發(fā)光元件和金k線的方式通過模i成形或橡皮障(dam sheet)成形而形成的密封樹脂。另外，其具備設(shè)置在環(huán) 繞著引線框架的結(jié)構(gòu)中、厚度小于等于引線框架的厚度的絕緣體。借助于按照這種方式構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，在熱導(dǎo)率大的金屬制 引線框架的主表面上裝配半導(dǎo)體發(fā)光元件，形成了在半導(dǎo)體發(fā)光元件所 產(chǎn)生的熱量藉以向外部散發(fā)的散熱通道上不存在絕緣基板等熱阻抗大 的材料的結(jié)構(gòu)，因而能夠形成散熱性好的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。另外，絕緣 體的厚度小于等于引線框架的厚度，形成了在半導(dǎo)體發(fā)光裝置的主表面 上不存在突起物的平坦表面。因此，作為對半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)行密封的方法，既可以使用現(xiàn)有的 滴下液態(tài)樹脂的灌封法，也可以很容易地引進(jìn)使用液態(tài)或固體樹脂的模 具成形。另外，在使用灌封法的情況下，可以引進(jìn)橡皮障成形。由此可 以形成圓柱形、圓頂形等與產(chǎn)品所要求的光學(xué)特性相應(yīng)的密封樹脂的密 封形狀。進(jìn)一步，能夠抑制為了在模具內(nèi)或橡皮障內(nèi)使樹脂硬化而在現(xiàn)有的 液態(tài)樹脂密封中存在的因粘度變化等導(dǎo)致的滴下量不均、硬化時揮發(fā)成 分的蒸發(fā)或硬化收縮引起的密封形狀偏差等問題。絕緣體優(yōu)選是熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂。在這種情況下，能夠容 易地使絕緣體成形。在引線框架的主表面上至少是半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部中形成有凹 部，半導(dǎo)體發(fā)光元件優(yōu)選是裝配在凹部的底面上。在這種情況下，通過 在凹部底面上設(shè)置半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠獲得具有僅靠密封樹脂的形狀 無法控制的光學(xué)特性，特別是與不具有凹部的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相比具有 更高指向特性的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。引線框架優(yōu)選是具有用于防止絕緣體剝落的楔子結(jié)構(gòu)。在這種情況 下，在形成絕緣體時，向楔子結(jié)構(gòu)中灌注絕緣體，由此能夠防止絕緣體 從引線框架上剝離、脫落。半導(dǎo)體發(fā)光裝置優(yōu)選是具備從絕緣體的周邊向遠(yuǎn)離半導(dǎo)體發(fā)光元件的一側(cè)突出的引線端子。在半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造工序中，為了使半導(dǎo)體發(fā)光裝置單片化(singulation)而進(jìn)行切斷加工，而利用按照這種 方式構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，除了現(xiàn)有的切割方法之外，也可以利用模 具進(jìn)行切斷。如果金屬的切割面發(fā)生氧化，就會發(fā)生相對于焊料的易潤 性下降(即，在附著焊料時用于實現(xiàn)粘結(jié)的焊料合金與試圖粘結(jié)的部分 變得不易融合，焊料在試圖粘結(jié)的表面上形成顆粒狀)的問題。根據(jù)本 發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，由于引線端子從絕緣體中突出出來，不僅在上 述切割面上，而且在引線端子的側(cè)面上也能夠確保焊料余地，能夠防止 焊料易潤性下降。半導(dǎo)體發(fā)光裝置優(yōu)選是在其主表面上進(jìn)一步具備以不與密封樹脂 相接觸的方式設(shè)置的反射體?；蛘撸瑑?yōu)選是進(jìn)一步具備相對于絕緣體的 周邊設(shè)置在更遠(yuǎn)離半導(dǎo)體發(fā)光元件的一側(cè)的反射體。借助于按照這種方 式構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，能夠獲得僅靠對半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)行密封的 密封樹脂的形狀所無法控制的光學(xué)特性。同時，可以將半導(dǎo)體發(fā)光元件 發(fā)出的光更有效地導(dǎo)出到外部。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架包含由多個用于構(gòu)成半導(dǎo) 體發(fā)光裝置的引線框架連接而成的引線框架基材。另外，包含以環(huán)繞著 引線框架的方式填充到引線框架基材上形成的全部空隙中、成為構(gòu)成半 導(dǎo)體發(fā)光裝置的絕緣體的絕緣體基材。半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架形 成為基板狀。在這種情況下，沿著排列成直線狀的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的外形切斷半 導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架，就能夠使半導(dǎo)體發(fā)光裝置單片化。即，將 構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的引線框架和絕緣體連接多個而成的半導(dǎo)體發(fā)光 裝置用多引線框架通過例如旋轉(zhuǎn)葉片或激光截斷并分離，就能夠獲得多 個包含單個引線框架和環(huán)繞著該引線框架的絕緣體的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。本發(fā)明的另 一個半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架包含由多個用于構(gòu) 成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的引線框架連接而成的引線框架基材。另外，包含以 環(huán)繞著引線框架的方式填充到引線框架基材上形成的空隙中、成為構(gòu)成 半導(dǎo)體發(fā)光裝置的絕緣體的絕緣體基材。半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架 形成為基板狀。此外，上迷空隙的一部分形成為沒有填充絕緣體基材的 槽結(jié)構(gòu)。在這種情況下，在截斷半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架時，可以利用截斷模具進(jìn)行截斷。如果利用模具截斷半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架的 金屬部分、通過切割來截斷用作絕緣體的樹脂部分，就能夠防止在同時切割金屬和樹脂時產(chǎn)生的毛刺(bun)等剪切不良。另外，半導(dǎo)體發(fā)光 裝置的特性檢查并不限于以單片化的半導(dǎo)體發(fā)光裝置為單位，能夠以多 引線框架為單位實施，因此能夠提高生產(chǎn)效率。絕緣體基材優(yōu)選是將多個各絕緣體連接起來。在這種情況下，能夠 使多個絕緣體一次成形。當(dāng)絕緣體是樹脂時，絕緣體基材能夠通過切割 容易地截斷、分離。引線框架基材優(yōu)選是具有用于防止絕緣體基材脫落的鎖(key)結(jié) 構(gòu)。在這種情況下，能夠提高引線框架基材和絕緣體基材的接合力，因 而在利用模具截斷引線框架基材時也能夠防止絕緣體基材從引線框架 上分離脫落。本發(fā)明的再一個半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架包含由多個用于構(gòu) 成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的引線框架連接而成的引線框架基材。另外，包含以 環(huán)繞著引線框架的方式填充到引線框架基材上形成的空隙中、成為構(gòu)成 半導(dǎo)體發(fā)光裝置的絕緣體的絕緣體基材。半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架 形成為基板狀。此外，引線框架基材具有格欞框架，絕緣體基材借助于 格欞框架被分隔成環(huán)繞著引線框架的單個絕緣體。在這種情況下，利用截斷模具將半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架截 斷，由此就能夠使半導(dǎo)體發(fā)光裝置單片化，因此，不需要通過切割進(jìn)行 截斷，能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率。該半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有優(yōu)異的散熱性，而且，能夠為了確保具有預(yù) 期光學(xué)特性的密封形狀而容易地實施密封樹脂的模具成形。本發(fā)明的上述及其他目的、特征、方面和優(yōu)點通過結(jié)合附圖對本發(fā) 明所作的以下詳細(xì)描述會變得顯而易見。


圖l是表示第1實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的截面的示意圖。 圖2是圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的平面圖。 圖3是表示第1實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的流程圖。 圖4是第1實施方式的多引線框架的示意圖。圖5A是半導(dǎo)體發(fā)光裝置中構(gòu)成引線框架的部分在被絕緣體包圍之前的形狀的平面圖。圖5B是沿圖5A所示的VB-VB線的剖視圖。圖5C是沿圖5A所示的VC-VC線的剖視圖。圖5D是沿圖5A所示的VD-VD線的剖視圖。圖6是表示第2實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的截面的示意圖。圖7是表示第3實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的截面的示意圖。圖8是圖7所示的第3實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的平面圖。圖9是表示第4實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的截面的示意圖。圖10是圖9所示的第4實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的平面圖。圖11是表示第4實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的流程圖。圖12是第4實施方式的多引線框架的示意圖。圖13是表示在多引線框架中形成了沖裁部后的狀態(tài)的示意圖。圖14是表示第5實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的流程圖。圖15是第5實施方式的多引線框架的示意圖。圖16是表示第6實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的截面的示意圖。圖17是表示多個反射體封裝在一起時的透視圖。圖18是表示將反射體的封裝設(shè)置在安裝基板上的狀態(tài)的透視圖。圖19是表示第7實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的截面的示意圖。圖20是表示第7實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的流程圖。圖21是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的有代表性的截面的示意圖。
具體實施方式
下面根據(jù)

本發(fā)明的實施方式。在下面的附圖中，對于相同 或相當(dāng)?shù)牟糠仲x予同一參考編號，對其說明不做重復(fù)。 (第1實施方式)如圖1和圖2所示，該半導(dǎo)體發(fā)光裝置具備具有主平面la的引 線框架1;環(huán)繞著引線框架1而設(shè)置、厚度小于等于引線框架1的厚度 的樹脂部2，其被用作絕緣體；設(shè)置在主平面la上用作半導(dǎo)體發(fā)光元件 的LED芯片4;金屬線5;以完全覆蓋著LED芯片4和金屬線5的方式 設(shè)置的用作密封樹脂的熱硬化性樹脂3。引線框架1包含在主表面la上裝配有LED芯片4的半導(dǎo)體發(fā)光元 件裝配部lc。另外，引線框架1包含通過金屬線5與LED芯片4電氣式連接、并與半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc在同一平面上延展的金屬線連接部ld。通過樹脂部2將半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc和金屬線連接部ld 的周邊包圍起來，利用樹脂部2形成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的外形。半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc和金屬線連接部ld具有板狀形狀，并通 過實施預(yù)定的構(gòu)圖加工而脫離。在脫離的半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc和 金屬線連接部ld之間，從主表面la直到與主表面la相反一側(cè)的面即背 面lb,形成有狹縫狀的槽lm。半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc和金屬線連接 部ld借助于填充著與樹脂部2相同的絕緣體的樹脂材料的狹縫狀槽lm 保持電氣絕緣。即，如后所述，在向樹脂部2中填充樹脂時，向狹縫狀 槽lm中填充與填充到樹脂部2中的樹脂材料相同的樹脂材料。LED芯片4設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc的主表面la上。LED 芯片4隔著例如銀漿6等導(dǎo)電性漿被固定保持在半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部 lc的主表面la上。設(shè)置在LED芯片4的頂面4a(即與引線框架1相向 一側(cè)的面的相反一側(cè)的面，圖1所示的上側(cè)面)上的電極和借助于狹縫 狀槽lm與半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc脫離的金屬線連接部ld通過以例 如金(Au)等為原材料的金屬線5相連接。即，LED芯片4通過銀漿6 和金屬線5與主表面la電氣式連接。連接到LED芯片4的電極的金屬線5的一端5p形成為球狀，連接 到金屬線連接部ld的金屬線5的另一端5q形成為線狀。這樣一來，就 能夠?qū)饘倬€連接部ld和另一端5q實施球焊、對LED芯片4和一端 5p實施楔形焊接，金屬線5的一端5p以低環(huán)狀態(tài)連接到LED芯片4。 因而，能夠?qū)⒔饘倬€5設(shè)置得更接近引線框架1的主表面la，因此，能 夠減少為了完全覆蓋LED芯片4和金屬線5所需的熱硬化性樹脂3的 量。向LED芯片4通以電流后，在發(fā)光的同時也會發(fā)熱。該熱量傳導(dǎo)到 半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc,從半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc散發(fā)到安裝基 板等半導(dǎo)體發(fā)光裝置外部。在該實施方式中，通過使半導(dǎo)體發(fā)光元件裝 配部lc具備足夠的厚度，能夠?qū)ED芯片4產(chǎn)生的熱量高效地散發(fā)出 去。而板狀的引線框架1的厚度越厚，引線框架l的蓄熱性越高，能夠 高效地將LED芯片4產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去。但是，由于加工方面的問題， 引線框架1的厚度增加會導(dǎo)致狹縫狀槽lm變寬。即，為了防止引線框架l在組裝時發(fā)生錯位，引線框架l要求加工精度。但是，在模具加工 中，要實現(xiàn)尺寸在板材厚度以下的加工精度非常困難，因此，增加引線框架l的厚度時，必須增大狹縫狀槽lm的寬度。而為了實現(xiàn)半導(dǎo)體發(fā) 光裝置的小型化，引線框架的厚度設(shè)定為最大1.5mm左右。另外，為了使熱量從引線框架1高效地散發(fā)出去，引線框架l利用 熱導(dǎo)率為300W/m K以上的金屬形成。在形成引線框架1的金屬的熱 導(dǎo)率小于300W/m K的情況下，無法充分獲得通過引線框架1對LED 芯片4產(chǎn)生的熱量的擴散和散熱效果。具體地，無氧銅(熱導(dǎo)率 391 W/m K)散熱性高，是最優(yōu)選的材料，而根據(jù)引線框架1的結(jié)構(gòu)及 其強度，采用鐵(Fe)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉛(Pb)、銀(Ag) 等金屬混合而成的合金，雖然熱導(dǎo)率減小，但能夠形成具有足夠的框架 強度的引線框架l。在采用合金的情況下，添加到銅(Cu)之中的金屬 量越小，引線框架l的熱導(dǎo)率越高。圖1中表示的是在引線框架1上只裝配了一個LED芯片4的半導(dǎo)體 發(fā)光裝置，利用引線框架1的圖案加工，也可以形成在單個半導(dǎo)體發(fā)光 裝置上裝配多個LED芯片4的結(jié)構(gòu)。借助于裝配了多個LED芯片4的 半導(dǎo)體發(fā)光裝置，能夠獲得高輸出的光源。另外，如果將例如藍(lán)色、綠 色、紅色系的LED芯片分別安裝1個，就能夠獲得通過調(diào)整分配給各 LED芯片的電流可以實現(xiàn)白色等色調(diào)的光源。在單個半導(dǎo)體發(fā)光裝置上裝配多個LED芯片4時，需要減小形成在 半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc和金屬線連接部ld之間的狹縫狀槽lm的間 隔，使半導(dǎo)體發(fā)光裝置小型化。在加工方面，引線框架l的厚度越大， 狹縫狀槽lm就會變得越寬。因此，通過減小引線框架1的厚度(例如 0.15mm左右)、減小槽lm的寬度，就能夠構(gòu)造出既小型化又能夠裝配 多個LED芯片4的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。如圖2所示，樹脂部2成型為環(huán)繞著引線框架1 (半導(dǎo)體發(fā)光元件 裝配部lc和金屬線連接部ld)的結(jié)構(gòu)。并且，樹脂部2形成為其厚度 為小于等于引線框架1的厚度，從而不會從引線框架1的主表面la和 背面lb上突起。另外，為了增大與引線框架1接觸的樹脂部2的表面 積并使其具有楔子效果，對引線框架1的主表面la和背面lb的適當(dāng)位 置實施加工，插入樹脂后形成樹脂部2，這樣就能夠防止樹脂部2從引 線框架l上剝落、脫落，提高產(chǎn)品強度。另外，使用由厚度不同的銅或銅合金條經(jīng)模具加工制作而成的異形條(即厚度不統(tǒng)一)的引線框架1，并以樹脂部2環(huán)繞著引線框架1整體的方式成型，也能夠提高產(chǎn)品強度。 在引線框架1的背面Ib上設(shè)置有用于將半導(dǎo)體發(fā)光裝置連接到安裝基 板等上的端子部。考慮到制造時的回流(reflow)工序，使用耐熱性優(yōu)異的材料作為 填充到樹脂部2中的絕緣體。另外，為了反射從LED芯片4發(fā)出的光， 優(yōu)選是采用反射率高的白色材料形成。進(jìn)而，優(yōu)選是使用不會因LED 芯片4發(fā)出的光而老化、熱膨脹系數(shù)與引線框架l接近的材料。作為滿 足上迷條件的具體材料，可以使用液晶聚合物或聚酰胺系樹脂等熱塑性 樹脂。另外，也可以使用環(huán)氧樹脂等熱硬化性樹脂作為形成樹脂部2的 材料。進(jìn)而，也可以使用氧化鋁等陶瓷作為形成樹脂部2的材料。如圖1所示，作為用于密封LED芯片4和金屬線5的密封樹脂的熱 硬化性樹脂3形成為圓頂形狀，而且為了確保其形狀的穩(wěn)定性，通過模 具成形而形成。在熱硬化性樹脂3通過模具成形而形成的半導(dǎo)體發(fā)光裝 置中，在單片化的各個半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，熱硬化性樹脂3具有統(tǒng)一的 成形形狀?？梢钥紤]采用注射模塑成形(例如轉(zhuǎn)送成形等)和壓縮成型 等作為模具成形，可以選擇成形性最好的模具成形方法。在本實施方式 中，利用轉(zhuǎn)送成形法進(jìn)行密封。現(xiàn)有的利用轉(zhuǎn)送成形形成的熱硬化性樹脂3中，成形后的形狀周圍 殘留著澆道的痕跡。另外，在利用壓縮成形形成的熱硬化性樹脂3中， 成形后的形狀周圍殘留著樹脂溢出的痕跡。這里，在配置于狹縫狀槽lm的內(nèi)部的樹脂的主表面la—側(cè)的表面 上形成有凹陷le。凹陷le起到在轉(zhuǎn)送成形中用于插入熱硬化性材料的 通道即澆道和模具內(nèi)部的空氣的排出通道即排氣道的作用。通過設(shè)置該 凹陷le,形成了轉(zhuǎn)送成形時必須的樹脂澆道和排氣道內(nèi)置在半導(dǎo)體發(fā)光 裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。由此，在轉(zhuǎn)送成形時不需要另行設(shè)置澆道和排氣道。 因此，形成為圓頂狀的熱硬化性樹脂3就不會帶有澆道或排氣道的切斷 痕跡。關(guān)于轉(zhuǎn)送成形樹脂澆道用的凹陷le的大小，可以根據(jù)其模具成形 性、產(chǎn)品強度和光學(xué)設(shè)計加以變更。即，當(dāng)用作密封樹脂的熱硬化性樹 脂3中摻加了填充物(filler)等粒子的情況下，盡可能地將凹陷le設(shè) 置得更大，就能夠獲得好的成形性。另一方面，如果凹陷le過大，將半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc和金屬線連接部ld接合起來的狹縫狀槽lm 中填充的樹脂的體積就會減小，導(dǎo)致半導(dǎo)體發(fā)光裝置的產(chǎn)品強度降低， 進(jìn)而導(dǎo)致LED芯片4發(fā)出的光泄露到外部。因此，必須考慮半導(dǎo)體發(fā)光 裝置的產(chǎn)品強度和光學(xué)特性，適當(dāng)?shù)貨Q定凹陷le的尺寸。作為用于密封LED芯片4和金屬線5的密封樹脂，可以使用熱硬化 性樹脂(例如環(huán)氧樹脂、硅樹脂等)。利用該熱硬化性樹脂3的形狀， 能夠使LED芯片4發(fā)出的光具備預(yù)期的光學(xué)特性。另外，通過使用折射 率高的樹脂作為密封樹脂，可以根椐半導(dǎo)體發(fā)光裝置所要求的光學(xué)特 性，去除現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的外圍部所設(shè)置的反射板。具體地，如圖1所示，將密封樹脂的形狀做成圓頂形狀，從LED 芯片4發(fā)出的光的指向角變小(即抑制了光的擴散)。反之，對于不需 要指向特性的產(chǎn)品，可以將密封樹脂做成圓柱形狀進(jìn)行密封。進(jìn)而，密封樹脂起到了保護(hù)LED芯片4和金屬線5免受來自外部的 物理或電氣式接觸的影響的作用。接著說明圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法。如圖3所示，首 先在工序(Sl)中利用例如沖壓工藝加工或蝕刻加工等適當(dāng)?shù)募庸な侄?將金屬板材制作成預(yù)定形狀的圖案，加工引線框架基材。圖4所示的引 線框架基材201是將多個構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的引線框架1連接而成， 其包含引線框架基材201的兩端的支承框架202和在支承框架202之間 以架橋的方式連通并構(gòu)成骨架形狀的多個格欞框架203。在圖1所示的 半導(dǎo)體發(fā)光裝置中構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc的部分和在半導(dǎo)體發(fā) 光裝置中構(gòu)成金屬線連接部Id的部分在引線框架基材201分離開，并 被保持為通過相鄰格欞框架203懸吊的狀態(tài)。這時，可以在引線框架基材201上實施作為用于防止絕緣體剝落的 楔子結(jié)構(gòu)的圓錐加工或槽加工。圖5是表示在圖4的雙點劃線所包圍的 一個區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中構(gòu)成引線框架1的部分在被絕緣體包圍 之前的形狀。如圖5A D所示，在引線框架1的主表面la和背面lb 的適當(dāng)位置實施圓錐加工或槽加工從而形成了楔子結(jié)構(gòu)lf,在填充了用 于包圍引線框架1的樹脂部2時的引線框架1與樹脂部2的接觸面積增 大。即，所謂的楔子結(jié)構(gòu)lf就是通過對引線框架1的表面進(jìn)行加工從而 使引線框架1的表面積增大，由此使引線框架1和用作絕緣體的樹脂部 2的接觸面積增大的結(jié)構(gòu)。通過向這種楔子結(jié)構(gòu)lf中插入樹脂，能夠防止樹脂部2從引線框架1上剝離、脫落，發(fā)揮楔子效果。接著，在工序(S2)中形成成為樹脂部2的樹脂基板207,作為構(gòu) 成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的絕緣體。樹脂基板207是在引線框架基材201中圍 繞著構(gòu)成引線框架1的部分而形成的全部空隙中填充樹脂而形成。例如， 可以通過嵌入成形來形成樹脂基板207。這時，在半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc的部 分和構(gòu)成金屬線連接部ld的部分之間的空隙(即半導(dǎo)體發(fā)光裝置中與 狹縫狀槽lm相當(dāng)?shù)牟糠?中也填充樹脂。因此，在圖1所示的半導(dǎo)體 發(fā)光裝置中，樹脂部2和狹縫狀槽lm中填充著同樣的樹脂。樹脂基板207形成為其厚度小于等于引線框架基材201的厚度。當(dāng) 工序(S2)結(jié)束時，引線框架基材201和樹脂基板207形成為單片基板 形狀。接著，在工序(S3)中，將熱硬化性銀漿6等導(dǎo)電性漿涂布到引線 框架基材201的與半導(dǎo)體發(fā)光裝置中構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc的 部分的主表面la相當(dāng)?shù)谋砻嫔?。繼而，隔著導(dǎo)電性漿將用作半導(dǎo)體發(fā) 光元件的LED芯片4安裝到主表面la上，進(jìn)行芯片接合(diebond)。接著在工序(S4)中將安裝好的LED芯片4的電極和半導(dǎo)體發(fā)光 裝置中與構(gòu)成金屬線連接部Id的部分的主表面a相當(dāng)?shù)谋砻嫱ㄟ^使用 例如直徑20-30Mm的金(Au)制作而成的金屬線5電氣式連接起來， 進(jìn)行引線接合。由此形成電氣回路，半導(dǎo)體發(fā)光裝置導(dǎo)通。接著在工序(S5)中以完全覆蓋LED芯片4和金屬線5的方式進(jìn) 行樹脂密封，使電氣回路與外部隔絕，對其進(jìn)行保護(hù)。用作密封材料的 樹脂是熱硬化性樹脂，可以使用環(huán)氧系、硅系等透明樹脂。當(dāng)半導(dǎo)體發(fā) 光裝置是白色照明的情況下，密封樹脂可以使用含有添加了釓和鈰的 YAG系(釔鋁石榴石)等熒光體的樹脂。這時，密封樹脂使用液態(tài)或固體樹脂通過模具成形法成形。因此， 可以使密封樹脂容易地成形為例如圖1所示的圓頂形狀等與預(yù)期的LED 芯片4發(fā)出的光的光學(xué)特性相應(yīng)的形狀，并且能夠確保密封樹脂的形狀 的穩(wěn)定性。能夠抑制為了在模具內(nèi)使樹脂硬化而在現(xiàn)有的液態(tài)樹脂密封 中存在的因粘度變化等導(dǎo)致的滴下量不均、硬化時揮發(fā)成分的蒸發(fā)或硬 化收縮引起的密封形狀偏差等問題。接著在工序(S6)中在引線框架基材201的背面(在圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中相當(dāng)于半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝到安裝基板上時與安裝基板相接觸的背面lb的部分)實施鍍層處理。鍍層處理可以是使用例如 鍍錫(Sn )、鍍鉍(Bi )、鍍錫(Sn )鉛(Pd)(鍍焊料)的鍍層處理。 當(dāng)工序(S6)結(jié)束時，如圖4所示，制作完成了由多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置 呈格子狀排列的多引線框架200。接著在工序(S7)中使用切割裝置沿著呈格子狀排列的半導(dǎo)體發(fā)光 裝置的外形(即沿著圖4中的雙點劃線)截斷多引線框架200。由此， 由多引線框架200切割為多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置，分離出具備單個引線框 架1和包圍著引線框架1的樹脂部2的單個半導(dǎo)體發(fā)光裝置，實現(xiàn)了單 片化。其后，在工序(S8)中實施半導(dǎo)體發(fā)光裝置的檢查工序，并進(jìn)而 在其后的工序(S9)中實施捆包(Taping)工序，將半導(dǎo)體發(fā)光裝置整 理成預(yù)定的發(fā)貨狀態(tài)。關(guān)于以上說明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的散熱性，LED芯片4發(fā)光時產(chǎn)生 的熱首先被具有非常高的熱導(dǎo)率的半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc吸收，然 后散熱到安裝有半導(dǎo)體發(fā)光元件的基板等。由于能夠?qū)⒆鳛榘雽?dǎo)體發(fā)光 元件的LED芯片4產(chǎn)生的熱高效地散發(fā)到外部，因此LED芯片4的溫 度降低，覆蓋著LED芯片4的密封樹脂也保持較低的溫度。由此，即使 因確保半導(dǎo)體發(fā)光裝置的高亮度而流過大電流導(dǎo)致LED芯片4發(fā)熱，也 能夠防止發(fā)光效率下降、并防止在利用密封樹脂對熒光體進(jìn)行分散支承 的情況下該熒光體置身于高溫中而引起的熱劣化。另外，可以延長半導(dǎo) 體發(fā)光裝置的使用壽命。進(jìn)一步，能夠抑制LED芯片4發(fā)出的光的顏色 偏差。在密封樹脂的成形時，在第1實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，樹脂 部2的厚度小于等于引線框架1的厚度，引線框架1的主表面la和背 面lb上沒有突起。因此，能夠通過模具成形容易地使密封樹脂成形， 并根據(jù)產(chǎn)品特性自由地改變密封形狀，同時，可以實現(xiàn)密封樹脂形狀的 偏差小的密封。另外，根椐半導(dǎo)體發(fā)光元件，通過采用折射率高的密封 樹脂，即使不使用反射板也能夠獲得充分的光學(xué)特性，其結(jié)果是，可以 降低半導(dǎo)體發(fā)光元件的產(chǎn)品高度。進(jìn)一步，通過在配置于狹縫狀槽lm內(nèi)部的樹脂中設(shè)置射出成形澆 道和排氣道用的凹陷le,能夠?qū)驳篮团艢獾狼度氲桨雽?dǎo)體發(fā)光裝置的 內(nèi)部。在密封樹脂的形置變得困難，也影響了成形性，另一方面，如杲增大樹脂澆道或排氣道， 就會在密封樹脂的成形形狀中殘留澆道或排氣道的截斷痕跡。通過在配置于狹縫狀槽lm內(nèi)部的樹脂中設(shè)置密封樹脂用的澆道和排氣道，就可 以實現(xiàn)在密封樹脂中不會殘留澆道或排氣道的截斷痕跡的模具成形。 (第2實施方式)如圖6所示，第2實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置與圖1所示的笫1實 施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相比，用作密封樹脂的熱硬化性樹脂3的形狀 以及配置于狹縫狀槽lm內(nèi)部的樹脂的形狀不同。具體地，熱硬化性樹脂3成形為圓柱形狀，而在第2實施方式中則 是通過橡皮障成形法形成熱硬化性樹脂3。另外，在配置于狹縫狀槽lm 的內(nèi)部的樹脂的主表面la —側(cè)的表面上沒有形成射出成形澆道和排氣 道用的凹陷le。這里所說的橡皮障成形指的是這樣 一種熱硬化性樹脂的成形方法， 其在由硅或特氟隆(注冊商標(biāo))等構(gòu)成的片材上開孔后形成片材(橡皮 障)，將該片材粘貼到引線框架，向該開孔中通過灌封法注入樹脂，在 該狀態(tài)下使樹脂熱硬化，其后將橡皮障剝除而僅將熱硬化性樹脂殘留在 引線框架上。作為用于密封LED芯片4和金屬線5的密封樹脂的熱硬化性樹脂3 是通過灌封法插入到形成在橡皮障上的開孔中的，因此，不需要設(shè)置射 出成形澆道和排氣道用的凹陷le。根據(jù)按照這種方式構(gòu)成的第2實施方 式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，密封樹脂的形狀限定于圓柱形狀等通過橡皮障成 形所能夠形成的形狀，但其不需要射出成型模具，只要準(zhǔn)備好橡皮障， 就能夠以較少設(shè)備投資進(jìn)行生產(chǎn)。另外，在密封樹脂中摻加填充物 (filler)等的情況下，如果使用射出成形法成形，容易產(chǎn)生密封樹脂中 的填充物濃度不均。與此相對地，在橡皮障成形中，對注射器中的密封 樹脂一邊進(jìn)行攪拌一邊滴下，由此能夠抑制填充物濃度的偏差。通過橡皮障成形(灌封成形)所形成的熱硬化性樹脂3中，與模具 成形的情形不同，在成形后的形狀的周圍沒有樹脂澆道痕跡或溢出痕 跡、或者澆道或溢出樹脂的截斷痕跡。另外，在熱硬化性樹脂3是通過 橡皮障成形而形成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，單片化而成的各個半導(dǎo)體發(fā)光 裝置中，熱硬化性樹脂3的成形形狀多數(shù)情況下存在偏差(即密封樹脂 量不統(tǒng)一)。對于第2實施方式中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的其他結(jié)構(gòu)和制造工序，由 于它們與第1實施方式中所說明的相同，因此不再重復(fù)說明。 (笫3實施方式)如圖7和圖8所示，第3實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置與如圖1和圖 2所示的第1實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相比，引線框架1的主表面la 的形狀有所不同。具體地，主表面la上形成有穿過半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc、狹縫 狀槽lm、金屬線連接部ld的凹部8。作為半導(dǎo)體發(fā)光元件的LED芯片 4在凹部8的底面8a上隔著銀漿6裝配在半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部lc上。 另外，金屬線連接部ld中的凹部8的底面8a上連接著從LED芯片4 的頂面延伸的金屬線5。凹部8的側(cè)壁傾斜著形成，從而使得與主表面 la在同一平面上的凹部8的開口面積比凹部8的底面8a的面積更大。在圖7中，為了通過射出成型法形成用作密封樹脂的熱硬化性樹脂 3,在配置于狹縫狀槽lm的內(nèi)部的樹脂的主表面la—側(cè)的表面上形成 了澆道和排氣道用的凹陷le。在通過橡皮障成形進(jìn)行密封的情況下，如 在第2實施方式中所說明的那樣，不需要形成凹陷le。根椐按照這種方 式構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠獲得與第1實施方式中所說明的效果相 同的效果，而且，通過在凹部8的底面8a上設(shè)置LED芯片4,能夠獲 得僅靠密封樹脂的形狀所不能控制的光學(xué)特性，特別是能夠獲得指向特 性比不具備凹部8的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的封裝更高的產(chǎn)品。對于第3實施方式中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的其他結(jié)構(gòu)和制造工序，由 于它們與第1實施方式中所說明的相同，因此不再重復(fù)說明。 (第4實施方式)如圖9和圖10所示，第4實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置與如圖1和 圖2所示的第1實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相比，在具備從用作絕緣體 的樹脂部2的周邊向遠(yuǎn)離用作半導(dǎo)體發(fā)光元件的LED芯片4 一側(cè)突出的 引線端子7這一點上有所不同。在圖9中，為了通過射出成型法形成用作密封樹脂的熱硬化性樹脂 3,在配置于狹縫狀槽lm的內(nèi)部的樹脂的主表面la—側(cè)的表面上形成 了澆道和排氣道用的凹陷le。在通過橡皮障成形進(jìn)行密封的情況下，如 在第2實施方式中所說明的那樣，不需要形成凹陷le。在第4實施方式中，包圍著引線框架1而形成的樹脂部2僅以足夠保證半導(dǎo)體發(fā)光裝置的產(chǎn)品強度的最低限度的樹脂量限定性地包圍引線框架1,用于與安裝基板等相連接的引線端子7的端部沒有被樹脂部 2包圍。另外，該引線端子7的粗細(xì)要考慮半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造工序 中通過模具實施的截斷，在足夠保證引線框架1的強度的范圍內(nèi)形成得 盡可能細(xì)。根據(jù)按照這種方式構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，能夠獲得與第1實施方 式中所說明的效果相同的效果，而且，由于引線端子7從樹脂部2突出 出來，因此除了現(xiàn)有的切割方法之外，也可以利用;f莫具進(jìn)行截斷。另外，在引線端子被樹脂部2包圍起來的第1 ~3實施方式中，引 線端子的切割面上有金屬棵露出來，該金屬氧化后會導(dǎo)致相對于焊料的 易潤性下降。在第4實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，引線端子7突出到 外部(即遠(yuǎn)離LED芯片4的一側(cè))，因此不僅在引線端子7的切割面上， 而且在其側(cè)面上也能夠確保焊料余地，能夠防止焊料易潤性的下降。由 此，在將半導(dǎo)體發(fā)光裝置安裝到基板等之上時，能夠在引線端子7上進(jìn) 行良好的焊錫附著。對于第4實施方式中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的其他結(jié)構(gòu)，由于與第1實 施方式中所說明的相同，因此不再重復(fù)其說明。下面說明第4實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法。圖11所示 的工序(S101) ~ (S106)是與圖3所示的第1實施方式的(S1) ~ (S6) 相同的工序，在工序(S101)中，在引線框架基材201的兩端的支承框 架(托架)202上形成鎖結(jié)構(gòu)205。鎖結(jié)構(gòu)205是為了在包圍著引線框 架基材201中構(gòu)成引線框架1的部分而形成的空隙中填充樹脂、形成樹 脂基板207時，提高引線框架基材201與樹脂基板207的連接力而設(shè)置。在接下來的工序(S102)中，樹脂基板207是在引線框架基材201 中圍繞著構(gòu)成引線框架1的部分而形成的空隙中填充樹脂而形成。這里， 在圖12所示的第4實施方式的多引線框架200中形成有在樹脂基板207 和格欞框架203之間未填充樹脂的槽結(jié)構(gòu)204，與具有在上述全部空隙 中填充樹脂的結(jié)構(gòu)的第1實施方式結(jié)構(gòu)不同。例如，在利用壓縮成型法 填充樹脂時，只要設(shè)置用于防止樹脂流入的遮罩，就能夠形成槽結(jié)構(gòu) 204。即，在如上所迷的第4實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，樹脂部2僅 以保證產(chǎn)品強度的最低限度的樹脂量限定性地包圍引線框架1,用于與安裝基板等相連接的引線端子7的端部未被樹脂部2包圍。因此，在引 線框架基材201中構(gòu)成引線端子7的部分和存在于樹脂基板207之間的 格欞框架203具有未被樹脂覆蓋的結(jié)構(gòu)。另一方面，在相鄰的2個格欞 框架203之間，樹脂基板207形成為到達(dá)引線框架基材201的兩端的支 承框架(托架)202的狀態(tài)。接著在工序(S107)中利用切斷模具實施截斷。切斷模具材質(zhì)可以 采用通常情況下在截斷金屬框架的模具中所使用的材質(zhì)(硬質(zhì)合金 (Cemented Carbide)等)。引線端子7遠(yuǎn)離LED芯片4的一側(cè)的端部未 被樹脂覆蓋，因此，沿著格欞框架203的方向的多引線框架列之間的截 斷可以不執(zhí)行在第1實施方式中所說明的利用切割裝置進(jìn)行的截斷，而 是可以利用切斷模具進(jìn)行截斷。其結(jié)果是，如圖13所示，原來形成有格欞框架203的部分形成了 沖裁加工部208,利用沖裁加工部208將被相鄰的樹脂基板207包圍的 相鄰的引線框架1分離開。由于利用鎖結(jié)構(gòu)205提高了引線框架基材201 和樹脂基板207的接合力，因此即使利用切斷模具將格欞框架203截斷 之后，樹脂基板207仍然與支承框架(托架)202相連。在這種狀態(tài)下，各個半導(dǎo)體發(fā)光裝置借助于樹脂基板207與支承框 架(托架)202相連，但在電氣上各自獨立。因此，在接下來的工序(S108) 中，就可以進(jìn)行以多引線框架為單位的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的特性檢查。其 后，在工序(S109)中利用切割裝置將樹脂基板207截斷，使半導(dǎo)體發(fā) 光裝置單片化。工序(SUO)的捆包(Taping)工序與第1實施方式中 所說明的相同。根椐按照這種方式構(gòu)成的笫4實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線 框架和半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法，引線端子7通過模具進(jìn)行截斷，切 割部分僅限于樹脂基板207，因此，能夠解決同時切割金屬和樹脂時產(chǎn) 生的毛剌等切割不良問題。由于在多引線框架200中形成有槽結(jié)構(gòu)204, 因此能夠減少模具截斷時所需的力，能夠?qū)崿F(xiàn)模具的簡單化和沖壓機的 小型化。另外，利用同樣能力的沖壓機，能夠截斷更多數(shù)量的半導(dǎo)體發(fā) 光裝置。另外，如上所述，迄今為止將半導(dǎo)體發(fā)光裝置單片化后實施的 特性檢查就能夠以多引線框架為單位實施。因此，能夠提高半導(dǎo)體發(fā)光 裝置的生產(chǎn)效率。(第5實施方式)在第5實施方式中說明圖9和圖10所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的另一 個制造方法。如圖15所示，第5實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線 框架與第4實施方式相比，其不同點在于，樹脂基板207僅存在于構(gòu)成 各個引線框架1的部分的周圍，通過格欞框架203和206將樹脂基板207 單個分隔開，相鄰的半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有未通過樹脂基板207相連的結(jié) 構(gòu)。即，各個樹脂基板207具有被格欞框架203和206分隔為包圍著各 個引線框架1的各個絕緣體的結(jié)構(gòu)，其僅限于在構(gòu)成各個引線框架1的 部分的周圍存在，與構(gòu)成相鄰的引線框架1的部分的周圍的樹脂基板 207不相連接。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架，在圖14所示的工 序(S207)中，只需利用模具截斷引線端子7的端部，不需要切割樹脂 部2。即，如果以圖14所示的流程圖與圖ll進(jìn)行比較，則其不同之處 在于，工序(S207)的模具切斷中各個半導(dǎo)體發(fā)光裝置被單片化，省略 了圖11所示的切割工序(S109)。因此，工序被縮短，能夠進(jìn)一步提高 半導(dǎo)體發(fā)光裝置的生產(chǎn)效率。對于第5實施方式中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的其他結(jié)構(gòu)和制造工序，由 于它們與第1和第4實施方式中所說明的相同，因此不再重復(fù)說明。 (第6實施方式)如圖16所示，第6實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置與圖9所示的第4 實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相比，其不同點在于，其在比樹脂部2和引 線端子7的周邊更遠(yuǎn)離LED芯片4的一側(cè)進(jìn)一步設(shè)置了反射體10。為了對由LED芯片4發(fā)出并穿過熱塑性樹脂3照射過來的光線高效 地進(jìn)行反射，可以使用反射率高的白色樹脂形成反射體10。另外，與樹 脂部2同樣地，考慮到制造過程中的回流工序，可以使用耐熱性優(yōu)異的 樹脂形成反射體10。另外，為了更高效地反射光線，也可以對反射體 IO與LED芯片4相向的表面即內(nèi)周面實施例如鍍銀、鍍鎳、鍍鎳-鉻等 鍍層處理。另外，反射體10也可以是A1、 Cu、 Fe、 Mg等熱導(dǎo)率高的 金屬制品。另外，反射體10既可以通過由環(huán)氧系樹脂等透明樹脂構(gòu)成 的粘合劑11連接到裝配著由引線框架1和樹脂部2形成的封裝的基板 12上，也可以通過粘結(jié)片粘結(jié)到基板12上。反射體10的內(nèi)周面的形狀 可以做成能夠高效地釋出光線的圓錐面、橢圓錐面、球面或拋物面的一部分。根據(jù)按照這種方式構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，既能夠獲得與第4實施 方式中所說明的效果相同的效果，而且能夠獲得僅靠密封樹脂的密封形 狀無法實現(xiàn)的光學(xué)特性，同時也提高了光的抽出效率。另外，熱硬化性 樹脂3是通過模具成形或橡皮障成形而成形，因此，如圖21所示的現(xiàn) 有實例那樣，反射體10與熱硬化性樹脂3不接觸。即，不會發(fā)生一直 存在的反射體IO與熱硬化性樹脂3剝離不良的問題。反射板IO設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光裝置的外圍部。因此，就能夠如圖17 所示將多個反射體10封裝在一起，僅將完成特性檢查的LED封裝100 安裝到安裝基板12上，然后如圖18所示將反射體10的封裝(即，指 的是在平板狀的基材上形成多個貫穿孔，該貫穿孔的內(nèi)壁形成了與反射 體IO的內(nèi)周面相同形狀的部件)設(shè)置到LED封裝100的外圍。對于第6實施方式中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的其他結(jié)構(gòu)和制造工序，由 于它們與第1和第4實施方式中所說明的相同，因此不再重復(fù)說明。 (第7實施方式)如圖19所示，第7實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置與圖16所示的第6 實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置相比，其不同點在于，反射體IO是以不與 用作密封樹脂的熱硬化性樹脂3相接觸的方式設(shè)置在主表面la上。反射體10既可以通過粘合劑11、也可以通過粘結(jié)片固定到引線框 架1的主表面la上，在使用粘合劑11的情況下，粘合劑11的厚度優(yōu)選 是在保證粘合強度的范圍內(nèi)充分薄。這是因為，當(dāng)粘合劑11的厚度較 大時，就會從透明樹脂的粘合劑11發(fā)生光線泄露，光的抽出效率降低。在第7實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的情況下，多引線框架中采用圖 12所示的形狀。圖20所示的第7實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方 法與圖11所示的流程圖相比，其不同點在于，在工序(S307)實施模 具切斷后，在工序(S308)中利用粘合劑11將圖17所示的反射體10 的封裝粘貼到引線框架1的主表面la上，然后在工序(S309)中通過 切割將樹脂基板207和反射體10截斷。才艮據(jù)按照這種方式構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，既能夠獲得與第4實施 方式中所說明的效果相同的效果，而且能夠獲得僅靠密封樹脂的密封形 狀無法實現(xiàn)的光學(xué)特性。同時，由于反射體10的內(nèi)周面與LED芯片4 的距離縮短，能夠更有效地將光線釋出到外部，提高了光抽出效率。進(jìn)而，通過在主表面la上粘貼反射體10,除了樹脂部2之外，也能夠使 反射體10保持半導(dǎo)體發(fā)光裝置的外形，因此提高了半導(dǎo)體發(fā)光裝置的 產(chǎn)品強度。由此，通過減小引線框架1的厚度、縮小狹縫狀槽lm的間 隔，可以使半導(dǎo)體發(fā)光裝置保持小尺寸，同時實現(xiàn)多片化(在安裝基板 上裝配多個半導(dǎo)體發(fā)光裝置)。對于第7實施方式中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的其他結(jié)構(gòu)和制造工序，由 于它們與笫1和笫4實施方式中所說明的相同，因此不再重復(fù)說明。以上對本發(fā)明作了詳細(xì)描述和圖示，但顯而易見的是以上只是示 例，并不對本發(fā)明構(gòu)成限制，本發(fā)明的范圍由所附加的權(quán)利要求來解釋。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其具備引線框架，其包含在主表面上裝配有半導(dǎo)體發(fā)光元件的板狀的半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部和在與上述半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部相同的平面上延展的板狀的金屬線連接部；將上述半導(dǎo)體發(fā)光元件和上述金屬線連接部電氣式連接起來的金屬線；以完全覆蓋著上述半導(dǎo)體發(fā)光元件和上述金屬線的方式通過模具成形或橡皮障成形而形成的密封樹脂；設(shè)置在環(huán)繞著上述引線框架的結(jié)構(gòu)中、厚度小于等于上述引線框架的厚度的絕緣體。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置， 上述絕緣體是熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，在上述引線框架的上述主表面的至少上述半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部 中形成有凹部，上述半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配在上述凹部的底面上。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置， 上述引線框架具有用于防止上迷絕緣體剝落的楔子結(jié)構(gòu)。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其具備從上述絕緣體的周邊向遠(yuǎn)離上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的一側(cè)突 出的引線端子。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其在上述主表面上進(jìn)一步具備以不與上述密封樹脂相接觸的方式 設(shè)置的反射體。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其進(jìn)一步具備設(shè)置在比上述絕緣體的周邊更遠(yuǎn)離上述半導(dǎo)體發(fā)光 元件的一側(cè)的反射體。
8. —種半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架，其是如權(quán)利要求1所述的 半導(dǎo)體發(fā)光裝置中所使用的半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架，其包含由多個用于構(gòu)成上述半導(dǎo)體發(fā)光裝置的上迷引線框架連接 而成的引線框架基材和以環(huán)繞著上述引線框架的方式填充到上述引線框架基材上形成的全部空隙中、成為構(gòu)成上述半導(dǎo)體發(fā)光裝置的上述絕 緣體的絕緣體基材，并成形為基板狀。
9. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架， 上迷絕緣體基材將多個各上述絕緣體連接起來。
10. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架， 上述引線框架基材具有用于防止上述絕緣體基材脫落的鎖結(jié)構(gòu)。
11. 一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架，其是如權(quán)利要求l所述的 半導(dǎo)體發(fā)光裝置中所使用的半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架，其包含由多個用于構(gòu)成上述半導(dǎo)體發(fā)光裝置的上述引線框架連接 而成的引線框架基材和以環(huán)繞著上述引線框架的方式填充到上述引線 框架基材上形成的空隙中、成為構(gòu)成上述半導(dǎo)體發(fā)光裝置的上迷絕緣體 的絕緣體基材，并成形為基板狀，上述空隙的 一部分形成為未填充上述絕緣體基材的槽結(jié)構(gòu)。
12. —種半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架，其是如權(quán)利要求l所述的 半導(dǎo)體發(fā)光裝置中所使用的半導(dǎo)體發(fā)光裝置用多引線框架，其包含由多個用于構(gòu)成上述半導(dǎo)體發(fā)光裝置的上迷引線框架連接 而成的引線框架基材和以環(huán)繞著上述引線框架的方式填充到上述引線 框架基材上形成的空隙中、成為構(gòu)成上述半導(dǎo)體發(fā)光裝置的上述絕緣體 的絕緣體基材，并成形為基板狀，上述引線框架基材具有格欞框架，上述絕緣體基材被上述格欞框架分隔成環(huán)繞著上述引線框架的每 個上述絕緣體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其具有優(yōu)異的散熱性，并能夠通過模具成形實現(xiàn)具有預(yù)期的光學(xué)特性的密封形狀。該半導(dǎo)體發(fā)光裝置具備引線框架，該引線框架包含在主表面(1a)上裝配有LED芯片(4)的板狀的半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部(1c)；在與半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配部(1c)相同的平面上延展的板狀的金屬線連接部(1d)。另外，其具備將LED芯片(4)和金屬線連接部(1d)電氣式連接起來的金屬線(5)。另外，其具備以完全覆蓋著LED芯片(4)和金屬線(5)的方式通過模具成形或橡皮障成形而成形的熱硬化性樹脂(3)。另外，其具備設(shè)置在環(huán)繞著引線框架的結(jié)構(gòu)中、厚度小于等于引線框架的厚度的樹脂部(2)。
文檔編號H01L23/495GK101267011SQ20081008335
公開日2008年9月17日 申請日期2008年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月13日
發(fā)明者高田敏幸 申請人:夏普株式會社