專利名稱：增層線路板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種增層線路板的制作方法，尤指一種以雙介電 層支撐的單層圖案化線路結構為基礎完成一半導體多層封裝基板 結構的增層線路板的制作方法。
背景技術：
在一般多層封裝基板的制作上，其制作方式通常是由一核心 基板開始，經過鉆孔、電鍍金屬、塞孔及雙面線路制作等方式， 完成一雙面結構的內層核心板，之后再經由一線路增層制程完成
一多層封裝基板。如圖32所示，其為一有核層封裝基板的剖面 示意圖。首先，準備一核心基板81，其中，該核心基板81由一 具預定厚度的芯層811及形成于此芯層811表面的線路層812所 構成，且該芯層811中形成有數(shù)個電鍍導通孔813，可藉以連接 該芯層811表面的線路層812。
接著如圖33 圖36所示，對該核心基板81實施線路增層 制程。首先，是于該核心基板81表面形成一第一介電層82，且 該第一介電層82表面并形成有數(shù)個第一開口 83，以露出該線路 層812;之后，以無電電鍍與電鍍等方式于該第一介電層82外 露的表面形成一晶種層84，并于該晶種層84上形成一圖案化阻 層85，且其圖案化阻層85中并有數(shù)個第二開口 86，以露出部份 欲形成圖案化線路的晶種層84;接著，利用電鍍方式于該第二 開口 86中形成一第一圖案化線路層87及數(shù)個導電盲孔88，并 使其第一圖案化線路層87得以透過該數(shù)個導電盲孔88與該核心 基板81的線路層812做電性導通，然后再進行移除該圖案化阻 層85與蝕刻，待完成后形成一第一線路增層結構8a。同樣地， 該方法可于該第一線路增層結構8a的最外層表面再運用相同的
7方式形成一第二介電層89及一第二圖案化線路層90的第二線路 增層結構8b，以逐步增層方式形成一多層封裝基板。然而，此 種制作方法有布線密度低、層數(shù)多及流程復雜等缺點。
另外，亦有利用厚銅金屬板當核心材料的方法，可于經過蝕 刻及塞孔等方式完成一 內層核心板后，再經由一線路增層制程以 完成一多層封裝基板。如圖37 圖39所示，其為另一有核層封 裝基板的剖面示意圖。首先，準備一核心基板91，該核心基板 91為由一具預定厚度的金屬層利用蝕刻與樹脂塞孔911以及鉆 孔與電鍍通孔912等方式形成的單層銅核心基板；之后，利用上 述線路增層方式，于該核心基板91表面形成一第一介電層92及 一第一圖案化線路層93，藉此構成一具第一線路增層結構9a。 該法亦與上述方法相同，可再利用一次線路增層方式于該第一線 路增層結構9a的最外層表面形成一第二介電層94及一第二圖案 化線路層95，藉此構成一具第二線路增層結構9b，以逐步增層 方式形成一多層封裝基板。然而，此種制作方法不僅其銅核心基 板制作不易，且亦與上述方法相同，具有布線密度低及流程復雜 等缺點。故， 一般無法符合使用者于實際使用時所需。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是針對上述現(xiàn)有技術的不足， 提供一種增層線路板的制作方法， 一種可完成一半導體多層封裝 基板結構，可有效改善超薄核層基板板彎翹問題及簡化傳統(tǒng)增層 線路板的制作流程。
為了解決上述技術問題，本發(fā)明所采用的技術方案是 一種 增層線路板的制作方法，該方法至少包含下列步驟
(A)選擇一包含一第一介電層、 一第一金屬層及一第二金 屬層的雙面基板；
8(B)分別于該雙面基板的第一、二金屬層上各形成一第一 、二阻層；
(C )在該第一阻層上形成數(shù)個第一開口 ，顯露其下的第一
金屬層；
(D)移除該第一開口下方的第一金屬層；
(E )移除該第一阻層及該第二阻層，形成一具有作為電性 連接墊的第一線路層；
F于該第一線路層及該第一介電層上形成一第二介電層
及一第金屬層，形成一三層結構的電路基板
G于該第三金屬層與該第二介電層上形成數(shù)個第二開口
，顯露下的第一線路層的第一面；
H于數(shù)個第二開口中及該第一線路層與該第三金屬層上
形成~■第四金屬層；
I分別于該第四、二金屬層上各形成一第三、四阻層；
cjr在該第三阻層上形成數(shù)個第三開口,顯露其下的第四
金屬層;
(K)移除該第三開口下方的第三金屬層與第四金屬層；
(L )移除該第三阻層及該第四阻層使該第三、四金屬層
形成一已圖案化的第三線路層，至此完成兩層具圖案化線路及
電性連接的三層基板；
(M)于該第三線路層及該第二介電層上再壓合一第三介電
層及一第五金屬層；
(N )分別于該第二金屬層與該第介電層上形成數(shù)個第四
開口，顯露其下已圖案化的第一線路層的第二面，以及于該第五
金屬層與該第三介電層上形成數(shù)個第五開□,顯露其下已圖案化
的第三線路層；
9(o)分別于數(shù)個第四開口中及該第二金屬層上形成一第六
金屬層，以及于數(shù)個第五開口中及該第五金屬層上形成一第七金
屬層；
(P)分別于該第六、七金屬層上各貼合一第五、六阻層； (Q)分別于該第五阻層上形成數(shù)個第六開口 ，顯露其下的
第六金屬層，以及于該第六阻層上形成數(shù)個第七開口 ，顯露其下
的第七金屬層；
(R)分別移除該第六開口下方的第二金屬層與第六金屬層 ，以及移除該第七開口下方的第五金屬層與第七金屬層；
(S )分別移除該第五阻層，以形成一已圖案化的第二線路 層，以及移除該第六阻層，以形成一已圖案化的第四線路層。至 此完成一四層具圖案化線路及電性連接的四層基板，并選擇直接 進行步驟(T )或步驟(U );
(T)進行一置晶側與球側線路層電性連接墊制作；以及
(U)進行上、下兩層的線路增層結構制作。 首先，以光學微影及蝕刻方式于一雙面基板上制作一單層線 路，藉此以做為增層結構的電性連接墊，之后再于該單層線路連 接墊以壓合方式形成第一增層線路，以形成一具三層金屬結構的 電路板，且其中兩層系已完成圖案化線路且已透過數(shù)個電鍍盲孔 而產生電性連接。接著，再于該第一增層線路結構上形成第二增 層線路，同時使原未圖案化線路的金屬層形成第三增層線路，成 為一具圖案化線路且電性導通的四層基板，并可進一步以該四層 基板的上、下層分別做為增層結構的電性連接墊，亦或系作為置 晶側與球側的完整線路，而在連接其置晶側、球側及中間各層的 方式則是以數(shù)個電鍍盲孔或埋孔所導通，藉此以完成一無核層多 層封裝基板。如此，本發(fā)明可有效改善超薄核層基板板彎翹問題及簡化傳 統(tǒng)增層線路板的制作流程，可依實際需求形成雙數(shù)多層的封裝基 板，并可有效降低成品板厚度及減少制作成本。


圖1是本發(fā)明的制作流程示意圖
圖2是本發(fā)明的雙面基板剖面示思圖。
圖3是本發(fā)明的兩層基板剖面示思圖一。
圖4是本發(fā)明的兩層基板剖面示思圖二。
圖5是本發(fā)明的兩層基板剖面示息圖三。
圖6是本發(fā)明的兩層基板剖面示思圖四。
圖7是本發(fā)明的三層基板剖面示思圖一。
圖8是本發(fā)明的三層基板剖面示思圖二。
圖9是本發(fā)明的三層基板剖面示思圖三。
圖10是本發(fā)明的三層基板剖面示意圖四。
圖11是本發(fā)明的三層基板剖面示意圖五。
圖12是本發(fā)明的三層基板剖面示意圖六。
圖13是本發(fā)明的三層基板剖面示意圖七。
圖14是本發(fā)明的四層基板剖面示意圖~^ 。
圖15是本發(fā)明的四層基板剖面示意圖
圖16是本發(fā)明的四層基板剖面示意圖二 o
圖17是本發(fā)明的四層基板剖面示意圖四。
圖18是本發(fā)明的四層基板剖面示意圖五。
圖19是本發(fā)明的四層基板剖面示意圖六。
圖20是本發(fā)明的四層基板剖面示意圖七。
圖21是本發(fā)明的置晶側與球側線路層剖面示:意圖
圖22是本發(fā)明的置晶側與球側線路層剖面示:意圖
圖23是本發(fā)明的實施置晶側與球側線路層剖面示圖24是本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示思圖——■
圖25是本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示意圖_^ O
圖26是本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示思圖二 O
圖27是本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示意圖四。
圖28是本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示思圖五。
圖29是本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示思圖六。
圖30是本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示思圖七。
圖31是本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示思圖八。
圖32是現(xiàn)有核層封裝基板的剖面示意圖。
圖33是現(xiàn)有實施線路增層剖面示意圖一。
圖34是現(xiàn)有實施線路增層剖面示意圖二。
圖35是現(xiàn)有實施線路增層剖面示意圖三。
圖36是現(xiàn)有實施線路增層剖面示意圖四。
圖37是另一現(xiàn)有核層封裝基板的剖面示意圖。
圖38是現(xiàn)有的第一線路增層結構剖面示意圖
圖39是現(xiàn)有的第二路增層結構剖面示意圖。
標號說明
步驟(A )(U)1 03 0
步驟(t 1(t3 )29 1 -一 2 9 3
步驟(u 1Cu8 )30 1-^ 3 0 8
雙面基板1三層基板2 a、2 b
四層基板3四層無核層多層封裝基板
六層基板5第一介電層31
第^ ~~^ 、—金屬層32、33第一、二阻層3 4 、 3 5
第一開口 36第一線路層37
第一、二面373、3 7b笛—介電層38
第三金屬層39果~■開口 4 0
12第四金屬層4 1 第三、四阻層4 2 、 4 第三線路層4 5 第五金屬層4 8 第六、七金屬層5 1 、 第五、六阻層5 5 、 5 第二、四線路層5 9 、 第八、九開口6 3、 6 第四、五介電層6 7 、 第一 、二晶種層7 1 、 第八、九金屬層7 7 、 第五、六線路層7 9 、 第一、二線路增層結構 核心基板8 1 線路層8 1 2 第一、二介電層8 2 、 晶種層8 4 導電盲孔8 8 第一、二圖案化線路層 第一、二線路增層結構 樹脂塞孔9 1 1
二介
電層9 2 、
第一、二圖案化線路層
具體實施例方式
請參閱圖l 圖31所 、本發(fā)明的雙面基板剖面示 一、本發(fā)明的兩層基板剖面
第一雷射盲孔4 6
3 第三開口 4 4 第三介電層4 7
第四、五開口 4 9 、 5 0
5 2第二、三雷射盲孔5 3 、 5 4
6 第六、七開口 5 7 、 5 8 60 第一、二防焊層61、 62
4 第一、二阻障層6 5 、 6 6
6 8 第十、十一開口 6 9 、 7 0
7 2第七、八阻層7 3、 74 78 第十二、十三開口75、 76
8 0
8 a、 8 b
芯層8 1 1
電鍍導通孔8 1 3 89 第一、二開口83、 86
圖案化阻層8 5
核心基板9 1
8 7 、 9 0
9 a、 9 b
電鍍通孔9 1 2
9 4
9 3 、 9 5
示，分別為本發(fā)明的制作流程示意圖 意圖、本發(fā)明的兩層基板剖面示意圖 示意圖二、本發(fā)明的兩層基板剖面示意圖三、本發(fā)明的兩層基板剖面示意圖四、本發(fā)明的三層基板剖 面示意圖一、本發(fā)明的三層基板剖面示意圖二、本發(fā)明的三層基 板剖面示意圖三、本發(fā)明的三層基板剖面示意圖四、本發(fā)明的三 層基板剖面示意圖五、本發(fā)明的三層基板剖面示意圖六、本發(fā)明 的三層基板剖面示意圖七、本發(fā)明的四層基板剖面示意圖一、本 發(fā)明的四層基板剖面示意圖二、本發(fā)明的四層基板剖面示意圖三 、本發(fā)明的四層基板剖面示意圖四、本發(fā)明的四層基板剖面示意 圖五、本發(fā)明的四層基板剖面示意圖六、本發(fā)明具圖案化及電性 連接的四層基板剖面示意圖七、本發(fā)明的置晶側與球側線路層剖 面示意圖一、本發(fā)明的置晶側與球側線路層剖面示意圖二、本發(fā) 明的置晶側與球側線路層剖面示意圖三、本發(fā)明的上下兩層線路 增層結構剖面示意圖一、本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示 意圖二、本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示意圖三、本發(fā)明 的上下兩層線路增層結構剖面示意圖四、本發(fā)明的上下兩層線路 增層結構剖面示意圖五、本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示 意圖六、本發(fā)明的上下兩層線路增層結構剖面示意圖七及本發(fā)明 的上下兩層線路增層結構剖面示意圖八。如圖所示本發(fā)明為一 種增層線路板的制作方法，其至少包括下列步驟
(A)選擇雙面基板l 0:如圖2所示，選擇一包含一第一 介電層3 1、 一第一金屬層3 2及一第二金屬層3 3的雙面基板
(B )貼合第一、二阻層1 1 :如圖3所示，分別于該雙面 基板的第一金屬層32上貼合一第一阻層34，以及于該雙面基 板的第二金屬層3 3上以完全覆蓋狀貼合一第二阻層3 5;
(C)形成數(shù)個第一開口12:如圖4所示，以曝光及顯影 方式在該第一阻層34上形成數(shù)個第一開口36，以顯露其下的 第一金屬層3 2 ，
14(D) 移除第一金屬層l 3:如圖5所示，以蝕刻方式移除 該第一開口3 6下方的第一金屬層3 2;
(E) 形成第一線路層l 4:如圖6所示，移除該第一阻層 及該第二阻層，使該第一金屬層形成一具有作為電性連接墊的第
一線路層3 7 ;
(F) 形成三層結構的電路基板l 5:如圖7所示，于該第 一線路層3 7及該第一介電層3 1上直接壓合或貼合一與該第一 介電層3 l相同的第二介電層3 8及一第三金屬層3 9，形成一 三層結構的電路基板2 a;
(G) 形成數(shù)個第二開口16:如圖8所示，以雷射鉆孔方 式于該第三金屬層3 9與該第二介電層3 8上形成數(shù)個第二開口 4 0，以顯露其下的第一線路層3 7的第一面3 7a，其中，該 數(shù)個第二開口4 0可先做開銅窗后再經由雷射鉆孔、亦或直接以 雷射鉆孔方式形成；
(H) 無電電鍍與電鍍第四金屬層l 7:如圖9所示，以無 電電鍍與電鍍方式于數(shù)個第二開口中及該第一線路層3 7與該第 三金屬層3 9上形成一第四金屬層4 1，其中，該第四金屬層4 l是做為與該第一線路層3 7的電性連接用，且層與層之間的連 接由電鍍的數(shù)個第一雷射盲孔4 6所導通；
(I )貼合第三、四阻層18:如圖10所示，分別于該第 四金屬層41上貼合一第三阻層42，以及于該第二金屬層3 3 上以完全覆蓋狀貼合一第四阻層4 3;
(J)形成數(shù)個第三開口l 9:如圖11所示，以曝光及顯 影方式在該第三阻層42上形成數(shù)個第三開口44，以顯露其下
的第四金屬層4 1 ;(K)移除第三、四金屬層2 0:如圖12所示，以蝕刻方 式移除該第三開口4 4下方的第三金屬層3 9與第四金屬層4 1
(L)完成兩層具圖案化線路及電性連接的三層基板21: 如圖13所示，移除該第三阻層4 2及該第四阻層4 3，使該第 三、四金屬層形成一第三線路層4 5 ，至此完成一兩層具圖案化 線路及電性連接的三層基板2b;
(M)壓合第三介電層及第五金屬層2 2:如圖14所示， 于該第三線路層4 5及該第二介電層3 8上再壓合一第三介電層 4 7及一第五金屬層4 8 ;
(N)形成數(shù)個第四、五開口2 3:如圖15所示，以雷射 鉆孔方式分別于該第二金屬層3 3與該第一介電層3 1上形成數(shù) 個第四開口4 9，以顯露其下已圖案化的第一線路層37的第二 面37b，以及于該第五金屬層4 8與該第三介電層4 7上形成 數(shù)個第五開口5 0，以顯露其下已圖案化的第三線路層4 5，其 中，該數(shù)個第四、五開口4 9、 5 O可先做開銅窗后再經由雷射 鉆孔、亦或直接以雷射鉆孔方式形成；
(0)無電電鍍與電鍍第六、七金屬層2 4:如圖16所示
，以無電電鍍與電鍍方式分別于數(shù)個第四開口中及該第二金屬層 33上形成一第六金屬層51，以及于數(shù)個第五開口中及該第五 金屬層4 8上形成一第七金屬層5 2，其中，層與層之間的連接 由電鍍的數(shù)個第二、三雷射盲孔5 3、 5 4所導通；
(P )貼合第五、六阻層2 5 :如圖17所示，分別于該第 六金屬層5 l上貼合一第五阻層5 5，以及于該第七金屬層5 2 上貼合一第六阻層5 6 ;
(Q)形成數(shù)個第六、七開口2 6:如圖18所示，以曝光 及顯影方式分別于該第五阻層55上形成數(shù)個第六開口57，以顯露其下的第六金屬層5 1，以及于該第六阻層56上形成數(shù)個
第七開口 58 ，以顯露其下之第七金屬層5 2 ;
(R )移除第二、五、六、七金屬層2 7 :如圖19所示
以蝕刻方式分別移除該第六開口5 7下方的第二金屬層33與第
六金屬層51 ，以及移除該第七開口5 8下方的第五金屬層48
基板2 8 :
金屬層形成 ，使該第五 完成一四層 接進行步驟
2 9 :進行
與第七金屬層5 2 ;
(S)完成四層具圖案化線路及電性連接的四層 如圖20所示，分別移除該第五阻層，使該第二、六 一已圖案化之第二線路層59，以及移除該第六阻層 、七金屬層形成一己圖案化的第四線路層6 0。至此 具圖案化線路及電性連接的四層基板3，并可選擇直 (T )或步驟(U );
(T)進行置晶側與球側線路層電性連接墊制作 一置晶側與球側線路層電性連接墊制作，其至少包含下列步驟
(t 1 )涂覆第一、二防焊層2 9 1 :如圖21所示，分別 于該第二線路層5 9與該第一介電層3 l上涂覆一層絕緣保護用 的第一防焊層6 1，以及于該第四線路層60與該第三介電層4 7上亦涂覆一層絕緣保護用的第二防焊層6 2 ;
(t 2 )形成數(shù)個第八、九開口 2 9 2:如圖 曝光及顯影方式 3 ，以及在該第
顯露線路增層結 (t 3 )完
如圖23所示，
5，以及于數(shù)個第九開口64中形成一第二阻障層 獲得具完整圖案
成數(shù)個第八、九開
分別在該第一防焊
二防焊層6 2上形
構作為電性連接墊
成具完整圖案化的
分別于數(shù)個第八開
第九開6 4中形
化的置曰 曰曰側與球側
22
個第 6 4
路層 第一 6 6
四層
所示，以 八開口 6
。藉此以
2 9 3 :
阻障層6 。于此， 無核層多層封裝基板4，其中，該第一、二阻障層6 5、 6 6可為鎳金層
(U )進行上、下兩層的線路增層結構制作3 0 :亦可于該 步驟(S)的四層基板上直接進行上、下兩層的線路增層結構制 作，其至少包含下列步驟
(u 1 )貼合第四、五介電層3 0 1 :如圖24所示，分別 于該第二線路層5 9與該第一介電層3 l上直接壓合或貼合一第 四介電層67，以及于該第四線路層60與該第三介電層47上 直接壓合或貼合一第五介電層6 8;
(u 2)形成數(shù)個第十、十一開口3 0 2:如圖25所示， 以雷射鉆孔方式分別于該第四介電層6 7上形成數(shù)個第十開口6 9，以顯露其下的第二線路層59，以及于該第五介電層6 8上 形成數(shù)個第十一開口7 0，以顯露其下的第四線路層6 0，其中 ，該數(shù)個第十、十一開口6 9、 7 O是先做開銅窗后再經由雷射 鉆孔、亦或直接以雷射鉆孔方式形成；
(u 3 )形成第一 、二晶種層3 0 3 :如圖26所示，以無 電電鍍與電鍍方式分別于該第四介電層6 7與數(shù)個第十開口6 9 表面形成一第一晶種層71，以及于該第五介電層68與數(shù)個第 十一開口7 Q表面形成一第二晶種層7 2，其中，該第一、二晶 種層7 1 、 7 2可為金屬銅層；
(u 4 )貼合第七、八阻層3 0 4 :如圖27所示，分別于 該第一晶種層7 1上貼合一第七阻層7 3 ，以及于該第二晶種層 7 2上貼合一第八阻層7 4 ;
(u 5)形成數(shù)個第十二、十三開口3 0 5:如圖28所示 ，以曝光及顯影方式分別于該第七阻層73上形成數(shù)個第十二開 口7 5，并顯露該第一晶種層7 1，以及于該第八阻層7 4上形 成數(shù)個第十三開口7 6，并顯露該第二晶種層7 2;
18(u 6)無電電鍍與電鍍第八、九金屬層3 0 6:如圖29 所示，以無電電鍍與電鍍方式，分別于數(shù)個第十二開口中的第一 晶種層71上形成一第八金屬層77，以及于數(shù)個第十三開口中 的第二晶種層7 2上形成一第九金屬層7 8 ;
(u 7 )移除第七、八阻層3 0 7 :如圖30所示，移除該 第七阻層及該第八阻層，以分別顯露其下的第一、二晶種層7 1 、7 2 ;以及
(u 8)形成具圖案化線路及電性連接的六層基板3 0 8: 如圖31所示，以蝕刻方式分別移除該顯露的第一晶種層，并使 該第四介電層6 7上的第一晶種層及第八金屬層形成一第五線路 層7 9，以及移除該顯露的第二晶種層，并使該第五介電層6 8 上的第二晶種層及第九金屬層形成一第六線路層8 0。于此，獲 得上下各一層的線路增層結構，形成一具圖案化線路及電性連接 的六層基板5 。
本發(fā)明亦可在此六層基板的結構上繼續(xù)增加線路增層結構， 以形成具更多雙數(shù)多層的封裝基板；亦或可直接進行該步驟(T )的置晶側與球側線路層電性連接墊制作。
其中，該第--五介電層31、 38、 47、 67、 68可
為 ABF (Ajinomoto Build-up Film)、 苯環(huán)丁烯 (Benzocyclo-buthene， BCB )、雙馬來亞酰胺-三氮雜苯樹脂(Bi smaleimide Triazine， BT )、 環(huán)氧樹脂板(FR4 、 FR5 )、聚酰亞胺( Polyimide， PI)、聚四氟乙烯(Poly (tetra-f loroethy lene)，
PTFE)或環(huán)氧樹脂及玻璃纖維所組成之一；該第--八阻層3 4
、35、 42、 43、 55、 56、 73、 74亦可以印刷或旋
轉涂布方式所為的干膜或濕膜的高感旋光性光阻；該第一 九金 屬層32、 33、 39、 41、 48、 51、 52、 77、 78 可為銅或其它等效金屬；該第一 七金屬層3 2、 3 3、 3 9、41、 48、 51、 52及該第一、二晶種層71、 72的移除 方法可為蝕刻或其它等效方法；該第——八阻層3 4、 3 5、 4 2、 43、 55、 56、 73、 74的移除方法可為剝離或其它 等效方法。
當本發(fā)明于運用時，是先以光學微影及蝕刻方式于一雙面基
板上制作一單層線路，藉此以做為增層結構的電性連接墊，之后
再于該單層線路連接墊以壓合方式形成第一增層線路，以形成一
具三層金屬結構的電路板，且其中兩層系己完成圖案化線路且已
透過數(shù)個電鍍盲孔而產生電性連接。接著，再于該第一增層線路
結構上形成第二增層線路，同時使原未圖案化線路的金屬層形成
第三增層線路，成為一具圖案化線路且電性導通的四層基板，并
可進一步以該四層基板的上、下層分別做為增層結構的電性連接
墊，亦或系作為置晶側與球側的完整線路，而在連接其置晶側、
球側及中間各層的方式則是以數(shù)個電鍍盲孔或埋孔所導通。藉此
，使用本發(fā)明高密度的增層線路板制作方法，所制作的半導體多
層封裝基板結構，可有效改善超薄核層基板板彎翹問題及簡化傳
統(tǒng)增層線路板的制作流程，可依實際需求形成雙數(shù)多層的封裝基
板，進而可有效達到降低成品板厚度及減少制作成本的目的。
綜上所述，本發(fā)明可有效改善現(xiàn)有技術的種種缺點，可完成 一半導體多層封裝基板結構，包括兩層具圖案化線路及己完成圖
案化線路制程的置晶側與球側線路層等雙數(shù)多層結構，可有效改 善超薄核層基板板彎翹問題及簡化傳統(tǒng)增層線路板的制作流程， 系一個可依實際需求形成雙數(shù)多層的封裝基板，并可有效達到降 低成品板厚度及減少制作成本的目的，進而使本發(fā)明能更進步、 更實用、更符合使用者所須，確己符合發(fā)明專利申請的要件，依 法提出專利申請。
權利要求
1、一種增層線路板的制作方法，其特征在于該方法至少包含下列步驟(A)選擇一包含一第一介電層、一第一金屬層及一第二金屬層的雙面基板；(B)分別于該雙面基板的第一、二金屬層上各形成一第一、二阻層；(C)在該第一阻層上形成數(shù)個第一開口，顯露其下的第一金屬層；(D)移除該第一開口下方的第一金屬層；(E)移除該第一阻層及該第二阻層，形成一具有作為電性連接墊的第一線路層；(F)于該第一線路層及該第一介電層上形成一第二介電層及一第三金屬層，形成一三層結構的電路基板；(G)于該第三金屬層與該第二介電層上形成數(shù)個第二開口，顯露其下的第一線路層的第一面；(H)于數(shù)個第二開口中及該第一線路層與該第三金屬層上形成一第四金屬層；(I)分別于該第四、二金屬層上各形成一第三、四阻層；(J)在該第三阻層上形成數(shù)個第三開口，顯露其下的第四金屬層；(K)移除該第三開口下方的第三金屬層與第四金屬層；(L)移除該第三阻層及該第四阻層，使該第三、四金屬層形成一已圖案化的第三線路層，至此完成一兩層具圖案化線路及電性連接的三層基板；(M)于該第三線路層及該第二介電層上再壓合一第三介電層及一第五金屬層；(N)分別于該第二金屬層與該第一介電層上形成數(shù)個第四開口，顯露其下已圖案化的第一線路層的第二面，以及于該第五金屬層與該第三介電層上形成數(shù)個第五開口，顯露其下已圖案化的第三線路層；(O)分別于數(shù)個第四開口中及該第二金屬層上形成一第六金屬層，以及于數(shù)個第五開口中及該第五金屬層上形成一第七金屬層；(P)分別于該第六、七金屬層上各貼合一第五、六阻層；(Q)分別于該第五阻層上形成數(shù)個第六開口，顯露其下的第六金屬層，以及于該第六阻層上形成數(shù)個第七開口，顯露其下的第七金屬層；(R)分別移除該第六開口下方的第二金屬層與第六金屬層，以及移除該第七開口下方的第五金屬層與第七金屬層；(S)分別移除該第五阻層，以形成一已圖案化的第二線路層，以及移除該第六阻層，以形成一已圖案化的第四線路層。至此完成一四層具圖案化線路及電性連接的四層基板，并選擇直接進行步驟(T)或步驟(U)；(T)進行一置晶側與球側線路層電性連接墊制作；以及(U)進行上、下兩層的線路增層結構制作。
2、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征 在于所述第一 七金屬層為銅層。
3、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征 在于所述第一 三介電層為ABF、苯環(huán)丁烯、雙馬來亞酰胺-三氮雜苯樹脂、環(huán)氧樹脂板、聚酰亞胺、聚四氟乙烯、或環(huán)氧樹 脂及玻璃纖維所組成之一。
4、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征 在于所述第一 六阻層為以貼合、印刷或旋轉涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光性光阻。
5、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征在于所述數(shù)個第一、三、六及七開口以曝光或與顯影方式形 成。
6、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征 在于所述第一 七金屬層的移除方法為蝕刻。
7、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征 在于所述第一 六阻層的移除方法為剝離。
8、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征 在于所述第二、三介電層以直接壓合或貼合方式形成。
9、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征 在于所述數(shù)個第二、四及五開口是先做開銅窗后再經由雷射鉆 孔、亦或直接以雷射鉆孔方式形成。
10、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征 在于所述第四、六及七金屬層的形成方式為無電電鍍與電鍍。
11、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征 在于所述步驟(T)的置晶側與球側線路層電性連接墊 至少包含下列步驟(t 1 )分別于該第二線路層與該第一介電層上涂覆 防焊層，以及于該第四線路層與該第三介電層上涂覆一第 層；(t 2 )分別在該第一、二防焊層上各形成數(shù)個第八 口，藉此顯露線路增層結構作為電性連接墊；以及(t 3)分別于數(shù)個第八、九開口中各形成一第一層。
12、 根據(jù)權利要求11所述的增層線路板的制作方法 征在于所述數(shù)個第八、九開口以曝光或與顯影方式形成
13、 根據(jù)權利要求1所述的增層線路板的制作方法，其特征在于所述步驟(U)的上、下兩層的線路增層結構制作，其至 少包含下列步驟(U1)分別于該第二線路層與該第一介電層上貼合一第四 介電層，以及于該第四線路層與該第三介電層上貼合一第五介電 層；(u 2)分別于該第四介電層上形成數(shù)個第十開口，顯露其下的第二線路層，以及于該第五介電層上形成數(shù)個第十一開口，顯露其下的第四線路層；(u 3)分別于該第四介電層與數(shù)個第十開口表面形成一第 一晶種層，以及于該第五介電層與數(shù)個第十一開口表面形成一第 二晶種層；(u 4 )分別于該第一 、二晶種層上各形成 一 第七、八阻層；(u 5)分別于該第七阻層上形成數(shù)個第十二開口，并顯露 該第一晶種層，以及于該第八阻層上形成數(shù)個第十三開口 ，并顯 露該第二晶種層；(u 6)分別于數(shù)個第十二開口中的第一晶種層上形成一第 八金屬層，以及于數(shù)個第十三開口中的第二晶種層上形成一第九 金屬層；(u 7)移除該第七、八阻層，并分別顯露其下的第一、二 晶種層；以及(u 8 )分別移除該顯露的第 一 晶種層，并于該第四介電層 上形成一第五線路層，以及移除該顯露的第二晶種層，并于該第 五介電層上形成一第六線路層。
14、 根據(jù)權利要求13所述的增層線路板的制作方法，其特 征在于所述步驟(U)完成后為一六層基板，并可在此六層基板上繼續(xù)增加線路增層結構的制作，亦或重復進行置晶側與球側 線路層的制作。
15、 根據(jù)權利要求13所述的增層線路板的制作方法，其特征在于所述第八、九金屬層為銅層，且其與該第一、二晶種層 形成的方式皆為無電電鍍與電鍍。
16、 根據(jù)權利要求13所述的增層線路板的制作方法，其特征在于所述第七、八阻層為以貼合、印刷或旋轉涂布所為的干 膜或濕膜的高感旋光性光阻。
17、 根據(jù)權利要求13所述的增層線路板的制作方法，其特 征在于所述四、五介電層為ABF、苯環(huán)丁烯、雙馬來亞酰胺-三氮雜苯樹脂、環(huán)氧樹脂板、聚酰亞胺、聚四氟乙烯、或環(huán)氧樹 脂及玻璃纖維所組成之一，且其以直接壓合或貼合方式形成。
18、 根據(jù)權利要求13所述的增層線路板的制作方法，其特征在于所述數(shù)個第十、十一開口是先做開銅窗后再經由雷射鉆孔、亦或直接以雷射鉆孔方式形成，而該數(shù)個第十二、十三開口 則以曝光或與顯影方式形成。
19、 根據(jù)權利要求13所述的增層線路板的制作方法，其特征在于所述第七、八阻層的移除方法為剝離。
20、 根據(jù)權利要求13所述的增層線路板的制作方法，其特征在于所述第一、二晶種層的移除方法為蝕刻。
全文摘要
一種增層線路板的制作方法，是先以光學微影及蝕刻方式制作一單層線路，以做為增層結構的電性連接墊，并于其接墊面以壓合方式形成一具三層結構的電路板，接著于此第一增層線路結構上形成第二增層線路，并使原未圖案化線路的金屬層形成第三增層線路，成為一具圖案化線路且電性導通的四層基板，并可進一步以該四層基板的上、下層分別做為增層結構的電性連接墊，亦或系作為置晶側與球側的完整線路。藉此，可有效改善超薄核層基板板彎翹問題及簡化傳統(tǒng)增層線路板的制作流程，有效降低成品板厚度及減少制作成本。
文檔編號H01L21/48GK101527266SQ20081008353
公開日2009年9月9日 申請日期2008年3月6日 優(yōu)先權日2008年3月6日
發(fā)明者林文強, 王家忠, 陳振重 申請人:鈺橋半導體股份有限公司