專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有圍繞芯片區(qū)域周?chē)纬傻拿芊猸h(huán)的半導(dǎo)體裝置及其制 造方法。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體裝置是通過(guò)例如在硅等半導(dǎo)體晶片上將由多個(gè)元件 構(gòu)成且具有規(guī)定功能的多個(gè)集成電路(IC)電路配置成矩陣狀而成的。并且，在晶片上所配置的多個(gè)芯片區(qū)域之間是由設(shè)置為格子狀的切割 區(qū)域(切割線(xiàn))劃分的。經(jīng)由半導(dǎo)體制造工序，在一個(gè)晶片上形成多個(gè)芯片 區(qū)域之后，再沿著切割區(qū)域?qū)⒃摼懈畛蓡蝹€(gè)芯片，來(lái)形成半導(dǎo)體裝置。但是，在將晶片切割成單個(gè)芯片時(shí)，有時(shí)位于切割線(xiàn)周邊的芯片區(qū)域 會(huì)受到機(jī)械的沖擊，而造成在分割開(kāi)的芯片上即半導(dǎo)體裝置的切割剖面上 產(chǎn)生局部的裂紋和碎片。針對(duì)于此，在專(zhuān)利文獻(xiàn)l中，提出了通過(guò)在芯片區(qū)域周?chē)O(shè)置環(huán)狀防 御壁即密封環(huán)，來(lái)防止裂紋在切割時(shí)傳播到芯片區(qū)域內(nèi)的技術(shù)。圖22表示具有以往的密封環(huán)的半導(dǎo)體裝置(晶片中的半導(dǎo)體裝置)的 剖面結(jié)構(gòu)。如圖22所示，在由晶片構(gòu)成的基板1上設(shè)置有由切割區(qū)域3劃分的 芯片區(qū)域2。在基板1上形成有多個(gè)層間絕緣膜5 10的疊層結(jié)構(gòu)。在基 板1中的芯片區(qū)域2形成有構(gòu)成元件的活性層20。在層間絕緣膜5形成 有與活性層20連接的柱塞(plug)21，在層間絕緣膜6形成有與柱塞21連 接的布線(xiàn)22，在層間絕緣膜7形成有與布線(xiàn)22連接的柱塞23，在層間絕 緣膜8形成有與柱塞23連接的布線(xiàn)24，在層間絕緣膜9形成有與布線(xiàn)24 連接的柱塞25，在層間絕緣膜10形成有與柱塞25連接的布線(xiàn)26。并且，如圖22所示，在芯片區(qū)域2的周緣部的多個(gè)層間絕緣膜5 10的疊層結(jié)構(gòu)中形成有貫通該疊層結(jié)構(gòu)且連續(xù)圍繞芯片區(qū)域2的密封環(huán)
4。例如，如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所示，密封環(huán)4是交替使用布線(xiàn)形成用掩模(mask) 和柱塞形成用掩模形成的。具體地說(shuō)，密封環(huán)4是由形成在基板1的導(dǎo)電 層30、形成在層間絕緣膜5中且與導(dǎo)電層30連接的密封柱塞31、形成在 層間絕緣膜6中且與密封柱塞(seal via)31連接的密封布線(xiàn)32、形成在層 間絕緣膜7中且與密封布線(xiàn)32連接的密封柱塞33、形成在層間絕緣膜8 中且與密封柱塞33連接的密封布線(xiàn)34、形成在層間絕緣膜9中且與密封 布線(xiàn)34連接的密封柱塞35、和形成在層間絕緣膜10中且與密封柱塞35 連接的密封布線(xiàn)36構(gòu)成的。另外，在本案中，將密封環(huán)中的由布線(xiàn)形成 用掩模形成的部分稱(chēng)為密封布線(xiàn)，將密封環(huán)中的由柱塞形成用掩模形成的 部分稱(chēng)為密封柱塞。
并且，如圖22所示，在設(shè)置有布線(xiàn)(22、 24、 26)、柱塞(21、 23、 25) 和密封環(huán)4的多個(gè)層間絕緣膜5 10的疊層結(jié)構(gòu)上設(shè)置有鈍化膜11。鈍 化膜11在布線(xiàn)26上具有開(kāi)口部且在該開(kāi)口部形成有與布線(xiàn)26連接的襯 墊(pad)27。鈍化膜11在密封布線(xiàn)36上具有其它開(kāi)口部且在該其它開(kāi)口 部形成有與密封布線(xiàn)36連接的蓋層57。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2005 — 167198號(hào)公報(bào)
不過(guò)，在以往的半導(dǎo)體裝置中存在有這樣的問(wèn)題或者因切割晶片時(shí) 的沖擊而造成在鈍化膜產(chǎn)生脫落，或者該沖擊經(jīng)由鈍化膜而傳播到芯片區(qū) 域內(nèi)部。
具體地說(shuō)，如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所示的半導(dǎo)體裝置那樣，雖然在密封環(huán)上的 鈍化膜設(shè)置有開(kāi)口且在該開(kāi)口部設(shè)置有蓋層的結(jié)構(gòu)中，鈍化膜在密封環(huán)上 即芯片區(qū)域內(nèi)外分離開(kāi)，但是該分離開(kāi)的鈍化膜夾著用以防止密封環(huán)腐蝕 的蓋層而處于在物理上連接在一起的狀態(tài)。因此，在使用了比用在層間絕 緣膜等中的TEOS(tetraethylorthosilicate)等更硬、更脆的材料(例如， SiN)的鈍化膜中，不能充分地防止沖擊和裂紋等從芯片區(qū)域外側(cè)傳播到內(nèi) 側(cè)的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
如上所鑒，本發(fā)明的目的在于通過(guò)防止因?qū)⒕懈畛蓡蝹€(gè)芯片時(shí)而在芯片(半導(dǎo)體裝置)側(cè)面產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)，來(lái)防 止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的第一半導(dǎo)體裝置，包括形成在 基板上的層間絕緣膜；形成在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜 中的布線(xiàn)；形成在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中且連續(xù) 圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)；以及形成在設(shè)置有上述布線(xiàn)和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上的第一保護(hù)膜。在從上述芯片區(qū)域來(lái)看位于上述密封環(huán) 外側(cè)的上述第一保護(hù)膜設(shè)置有第一開(kāi)口部，上述層間絕緣膜在該第一開(kāi)口 部中露出。使用本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置，由于例如鈍化膜等第一保護(hù)膜在密封 環(huán)外側(cè)(芯片區(qū)域的周緣部附近)被第一開(kāi)口部分開(kāi)，因此即使因切割晶片 時(shí)的沖擊而造成在芯片區(qū)域外的第一保護(hù)膜產(chǎn)生脫落，也能夠防止該脫落 延續(xù)到芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜。并且，由于為底層的層間絕緣膜處于在 芯片區(qū)域內(nèi)外將第一保護(hù)膜分開(kāi)的第一開(kāi)口部中露出的狀態(tài)，因此與將蓋 層等埋入該第一開(kāi)口部的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地防止第一保護(hù)膜在芯片 區(qū)域外側(cè)所受到的沖擊經(jīng)由該第一保護(hù)膜而傳播到芯片區(qū)域的內(nèi)部。故而， 能夠通過(guò)防止因?qū)⒕指畛蓡蝹€(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯 片區(qū)域內(nèi)，來(lái)防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。另外，本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置(后述本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置也是一 樣)是以切割后的芯片為對(duì)象的裝置，但是該芯片除了包括芯片區(qū)域之外， 還包括晶片狀態(tài)下的切割區(qū)域中的切割剩余部分(芯片區(qū)域鄰接部分)。因 此，設(shè)置在第一保護(hù)膜的第一開(kāi)口部不僅形成在密封環(huán)外側(cè)的芯片區(qū)域端 部上，還形成在切割區(qū)域中的切割殘余部分上。也可以通過(guò)不在晶片狀態(tài) 下的切割區(qū)域中形成第一保護(hù)膜來(lái)設(shè)置第一開(kāi)口部。在本發(fā)明的第一半導(dǎo) 體裝置(后述本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置也是一樣)中，由于密封環(huán)被第一保 護(hù)膜或后述蓋層(形成在其它開(kāi)口部或第一開(kāi)口部的一部分中)中的至少其 中之一覆蓋著，因此沒(méi)有在密封環(huán)上產(chǎn)生腐蝕的現(xiàn)象。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，在上述層間絕緣膜的露出部分中 形成有槽。這樣一來(lái)，由于能夠通過(guò)在層間絕緣膜的露出部分中設(shè)置槽，來(lái)遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路 徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。
最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，將上述第一開(kāi)口部設(shè)置到上述密 封環(huán)上，在位于上述密封環(huán)上的上述第一開(kāi)口部形成有與上述密封環(huán)連接
這樣一來(lái)，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來(lái)阻止切割 晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過(guò) 更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來(lái)進(jìn)一步提高半導(dǎo)體 裝置的可靠性及耐濕性。并且，此時(shí)，上述蓋層與上述層間絕緣膜的露出 部分也可以相互鄰接。
最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，在位于上述密封環(huán)上的上述第一 保護(hù)膜中設(shè)置有第二開(kāi)口部，在上述第二開(kāi)口部形成有與上述密封環(huán)連接白勺^JPo
這樣一來(lái)，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來(lái)阻止切割 晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等,因此能夠通過(guò) 更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來(lái)進(jìn)一步提高半導(dǎo)體 裝置的可靠性及耐濕性。并且，此時(shí)，由于當(dāng)在位于上述第一開(kāi)口部與上 述第二開(kāi)口部之間的上述第一保護(hù)膜的上述第一開(kāi)口部一側(cè)的側(cè)面，形成有由與上述蓋層的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物時(shí)，能夠防止因切割 晶片時(shí)的沖擊所產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜的第一開(kāi)口部 的側(cè)面，因此能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象。此 時(shí)，上述側(cè)壁隔離物的下表面也可以位于比上述第一保護(hù)膜的下表面靠下 方的位置。并且，當(dāng)上述層間絕緣膜的露出部分的表面位于比上述側(cè)壁隔 離物的下表面靠下方的位置時(shí)，換句話(huà)說(shuō)，當(dāng)在層間絕緣膜的露出部分中 形成有槽時(shí)，由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部 的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性 及耐濕性的下降。
最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，形成有覆蓋從上述第一開(kāi)口部來(lái) 看位于上述芯片區(qū)域一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部的蓋層。
這樣一來(lái)，由于能夠防止因切割晶片時(shí)的沖擊所產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯
9片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜的第一開(kāi)口部一側(cè)的側(cè)面，因此能夠更確實(shí)地防止 芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象。此時(shí)，若密封環(huán)被第一保護(hù)膜覆蓋 著的話(huà)，也可以剝離蓋層。并且，形成有覆蓋從上述第一開(kāi)口部來(lái)看位于 上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部的其它蓋層。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，也可以在位于上述布線(xiàn)上的上述第一 保護(hù)膜中設(shè)置有襯墊用開(kāi)口部，在該襯墊用開(kāi)口部形成有與上述布線(xiàn)連接 的襯墊。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，也可以在位于上述布線(xiàn)上的上述第一 保護(hù)膜中設(shè)置有最上層布線(xiàn)用開(kāi)口部，在該最上層布線(xiàn)用開(kāi)口部形成有與 上述布線(xiàn)連接的最上層布線(xiàn)。此時(shí)，也可以在上述第一保護(hù)膜上形成有覆 蓋上述最上層布線(xiàn)的第二保護(hù)膜，在位于上述第一開(kāi)口部上的上述第二保 護(hù)膜中設(shè)置有第三開(kāi)口部。另外，在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置中，當(dāng)形成有覆蓋最上層布線(xiàn)的第 二保護(hù)膜時(shí)，為了使對(duì)厚度均勻且平滑形成的第二保護(hù)膜所進(jìn)行的蝕刻加 工較容易，最好使從上述第一開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的 上述第一保護(hù)膜的端部、和從上述第三開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相 反一側(cè)的上述第二保護(hù)膜的端部錯(cuò)開(kāi)。此時(shí)，既可以是從上述第三開(kāi)口部 來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第二保護(hù)膜的端部，位于從上述 第一開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的上側(cè)，或者也可以是從上述第一開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述 第一保護(hù)膜的端部，位于從上述第三開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反 一側(cè)的上述第二保護(hù)膜的下側(cè)。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的第二半導(dǎo)體裝置，包括形成在 基板上的層間絕緣膜、形成在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜 中的布線(xiàn)、形成在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中且連續(xù) 圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)、以及形成在設(shè)置有上述布線(xiàn)和上述密封環(huán)的 上述層間絕緣膜上的第一保護(hù)膜。從上述芯片區(qū)域來(lái)看位于上述密封環(huán)外 側(cè)的上述第一保護(hù)膜被薄膜化，且該薄膜化部分露出在外。使用本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置，由于將例如鈍化膜等第一保護(hù)膜在密 封環(huán)外側(cè)(芯片區(qū)域的周緣部附近)薄膜化，因此即使因切割晶片時(shí)的沖擊而在芯片區(qū)域外的第一保護(hù)膜產(chǎn)生脫落，也能夠讓該脫落在第一保護(hù)膜的 薄膜化部分停止，能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜。并且， 能夠通過(guò)在密封環(huán)外側(cè)將作為切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi). 部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑的第一保護(hù)膜薄膜化，來(lái)用該薄膜化部分遮 斷沖擊和應(yīng)力等的傳播。所以，能夠通過(guò)防止因?qū)⒕指顬閱蝹€(gè)芯片吋 所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)，來(lái)防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及 耐濕性的下降。另外，最好在本發(fā)明的第一或第二半導(dǎo)體裝置中，為了確實(shí)地保護(hù)芯片區(qū)域，而使上述第一保護(hù)膜的厚度為150nm以上。并且，在本發(fā)明的第一或第二半導(dǎo)體裝置中，密封環(huán)也可以由例如鎢 (W)、鋁(Al)及銅(Cu)中的至少一種構(gòu)成。并且，在本發(fā)明的第一或第二半導(dǎo)體裝置中，第一保護(hù)膜也可以由例 如氮化硅(SiN)構(gòu)成。并且，在本發(fā)明的第一或第二半導(dǎo)體裝置中，當(dāng)在密封環(huán)上等設(shè)置有 蓋層，且該蓋層例如由鋁(A1)構(gòu)成時(shí)，能夠確實(shí)地防止密封環(huán)(特別是由銅 (Cu)構(gòu)成的密封環(huán))的腐蝕。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法，包 括在基板上形成層間絕緣膜的工序a;在位于上述基板的芯片區(qū)域的上 述層間絕緣膜中形成布線(xiàn)且在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣 膜中形成連續(xù)圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)的工序b;在設(shè)置有上述布線(xiàn)和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上形成第一保護(hù)膜的工序C;以及在從上述芯片區(qū)域來(lái)看位于上述密封環(huán)外側(cè)的第一保護(hù)膜中形成第一開(kāi)口部，讓上述層間絕緣膜在該第一開(kāi)口部中露出的工序d。艮p，由于本發(fā)明所涉及的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法是用以制造上述 本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的方法，因此能夠獲得與上述本發(fā)明的第一半導(dǎo) 體裝置一樣的效果。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述工序d包括在上 述層間絕緣膜的露出部分中形成槽的工序。這樣一來(lái)，由于能夠通過(guò)在層間絕緣膜的露出部分中設(shè)置槽，來(lái)遮斷 切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述工序d包括將上 述第一開(kāi)口部形成到上述密封環(huán)上的工序。在上述工序d之后，還包括在 位于上述密封環(huán)上的上述第一開(kāi)口部形成與上述密封環(huán)連接的蓋層的工序 6o這樣一來(lái)，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來(lái)阻止切割 晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過(guò) 更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來(lái)進(jìn)一步提高半導(dǎo)體 裝置的可靠性及耐濕性。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述工序d包括在位 于上述密封環(huán)上的上述第一保護(hù)膜中形成第二開(kāi)口部的工序。在上述工序d之后，還包括在上述第二開(kāi)口部形成與上述密封環(huán)連接的蓋層的工序e。 這樣一來(lái)，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來(lái)阻止切割 晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過(guò) 更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來(lái)進(jìn)一步提高半導(dǎo)體 裝置的可靠性及耐濕性。并且，此時(shí)，由于當(dāng)上述工序e包括在位于上述 第一開(kāi)口部與上述第二開(kāi)口部之間的上述第一保護(hù)膜的上述第一開(kāi)口部一 側(cè)的側(cè)面，形成由與上述蓋層的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物的工序 時(shí)，能夠防止因切割晶片時(shí)的沖擊而產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域內(nèi)的第一 保護(hù)膜的第一開(kāi)口部一側(cè)的側(cè)面，因此能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第 一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象。在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，當(dāng)還包括形成蓋層的工序 e時(shí)，也可以在上述工序e之后，包括在上述第一保護(hù)膜上形成第二保護(hù) 膜的工序f、和在位于上述第一開(kāi)口部上的上述第二保護(hù)膜中形成第三開(kāi) 口部的工序g。這里，由于當(dāng)上述工序g包括在上述層間絕緣膜的露出部 分形成槽的工序時(shí)，能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi) 部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠 性及耐濕性的下降。最好在本發(fā)明的第一半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在上述工序c與上述 工序d之間，還包括在位于上述密封環(huán)上的上述第一保護(hù)膜中形成第二開(kāi)口部之后，再在上述第二開(kāi)口部形成與上述密封環(huán)連接的蓋層，接著，在 上述第一保護(hù)膜上形成第二保護(hù)膜的工序。上述工序d包括在從上述芯片 區(qū)域來(lái)看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第二保護(hù)膜中形成第三開(kāi)口部之后， 再在位于該第三開(kāi)口部下側(cè)的上述第一保護(hù)膜中形成上述第一開(kāi)口部的工 序。這樣一來(lái)，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層及密封環(huán)來(lái)阻止切割 晶片時(shí)從芯片區(qū)域外側(cè)朝向芯片區(qū)域內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過(guò) 更確實(shí)地防止芯片區(qū)域內(nèi)的第一保護(hù)膜脫落的現(xiàn)象，來(lái)進(jìn)一步提高半導(dǎo)體 裝置的可靠性及耐濕性。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所涉及的第二半導(dǎo)體裝置的制造方法，包 括在基板上形成層間絕緣膜的工序；在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述 層間絕緣膜中形成布線(xiàn)且在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜 中形成連續(xù)圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)的工序；在設(shè)置有上述布線(xiàn)和上述 密封環(huán)的上述層間絕緣膜上形成第一保護(hù)膜的工序；以及將從上述芯片區(qū) 域來(lái)看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第一保護(hù)膜薄膜化的工序。艮口，由于本發(fā)明所涉及的第二半導(dǎo)體裝置的制造方法是用以制造上述 本發(fā)明的第二半導(dǎo)體裝置的方法，因此能夠獲得與上述本發(fā)明的第二半導(dǎo) 體裝置一樣的效果。(發(fā)明的效果)使用本發(fā)明，由于能夠防止因?qū)⒕懈畛蓡蝹€(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片 和破裂等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)，因此能夠防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性 的下降。附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1為表示設(shè)置有本發(fā)明的第一 第三實(shí)施例(包括變形例)所涉及的 半導(dǎo)體裝置的一部分晶片的平面圖。圖2(a)為將圖1的區(qū)域R1(被虛線(xiàn)包圍的區(qū)域)放大之后的平面圖，圖 2(b)為本發(fā)明的第一 第三實(shí)施例(包括變形例)所涉及的半導(dǎo)體裝置中位 于芯片區(qū)域內(nèi)部的襯墊形成區(qū)域的剖面圖，圖2(c)為本發(fā)明的第一 第三實(shí)施例(包括變形例)所涉及的半導(dǎo)體裝置中位于芯片區(qū)域內(nèi)部的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域的剖面圖。圖3為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié) 構(gòu)圖。圖4(a) 圖4(c)為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制 造方法的各工序的剖面圖。圖5(a)及圖5(b)為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制 造方法的各工序的剖面圖。圖6(a)及圖6(b)為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制 造方法的各工序的剖面圖。圖7為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的 端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖8為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的 端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖9為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第三變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的 端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖10為表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置 的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖11為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面 結(jié)構(gòu)圖。圖12(a)及圖12(b)為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的 制造方法的各工序的剖面圖。圖13(a)及圖13(b)為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的 制造方法的各工序的剖面圖。圖14為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置 的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖15(a)及圖15(b)為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變形例所涉及的 半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖16(a)及圖16(b)為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變形例所涉及的 半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖17為表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖18為表示本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端部的剖面 結(jié)構(gòu)圖。圖19(a)及圖19(b)為表示本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖20(a)及圖20(b)為表示本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖21為表示本發(fā)明的第三實(shí)施例的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的端 部的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖22為以往的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。(符號(hào)的說(shuō)明)60 —活性層；61 —柱塞(plug); 62 —布線(xiàn)；63 —柱塞；64 —布線(xiàn)；70一活性層；71 —柱塞；72 —布線(xiàn)；73 —柱塞；74 —布線(xiàn)；75 —最上層布線(xiàn)；90 —襯墊；101 —基板；102—芯片區(qū)域；103 —切割區(qū)域；104 —密封環(huán)；105 —第一層間絕緣膜；105a—槽狀凹部；105c—布線(xiàn)槽；107 — 第二層間絕緣膜；107a—槽狀凹部；107c—布線(xiàn)槽；109—第一鈍化膜； 110—活性層(或?qū)щ妼?；lll一第一密封柱塞(seal via); 112—第一密封布線(xiàn)；113 —第二密封柱塞；114一第二密封布線(xiàn)；121—第一密封柱塞；122 —第一密封布線(xiàn)；123 —第二密封柱塞；124 —第二密封布線(xiàn)；125 —蓋層；126 —蓋層；127 —蓋層；131—開(kāi)口部；132 —開(kāi)口部；133 —薄膜 化部分；136 —蓋層；142—惻壁隔離物；145 —槽；150 —第二鈍化膜； 161 —開(kāi)口部；201 —晶片。
具體實(shí)施方式
(各實(shí)施例的共通事項(xiàng))圖1為表示設(shè)置有下述本發(fā)明的各實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置(例如， 具有將芯片區(qū)域圍繞一圈的密封環(huán)的半導(dǎo)體裝置)的晶片的一部分的平面圖。圖2(a)為將圖1的區(qū)域R1(被虛線(xiàn)圍繞的區(qū)域)放大之后的平面圖，圖 2(b)為位于芯片區(qū)域內(nèi)部的襯墊形成區(qū)域的剖面圖(圖l及圖2(a)所示的襯 墊90附近的區(qū)域的剖面圖)，圖2(c)為位于芯片區(qū)域內(nèi)部的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域的剖面圖(在圖1及圖2(a)中對(duì)最上層布線(xiàn)的圖示加以了省略)。如圖l及圖2(a)所示，例如，在成為以硅基板等為代表的半導(dǎo)體基板 的晶片201上配置有均成為半導(dǎo)體裝置的多個(gè)芯片區(qū)域102。在各芯片區(qū) 域102設(shè)置有由多個(gè)元件構(gòu)成且具有規(guī)定功能的IC(integmted circuit) 電路。各芯片區(qū)域102被設(shè)置為格子狀的切割區(qū)域103劃分。B卩，切割前 的半導(dǎo)體裝置由芯片區(qū)域102和切割區(qū)域103構(gòu)成。這里， 一個(gè)半導(dǎo)體裝 置(也就是， 一個(gè)半導(dǎo)體芯片)由芯片區(qū)域102和密封環(huán)104構(gòu)成，其中， 在該芯片區(qū)域102中配置有由多個(gè)元件構(gòu)成且具有規(guī)定功能的IC電路， 該密封環(huán)104被設(shè)置在芯片區(qū)域102的周緣部且圍繞該芯片區(qū)域102。即， 密封環(huán)104被設(shè)置在芯片區(qū)域102中與切割區(qū)域103交界的附近。并且， 在芯片區(qū)域102內(nèi)部例如沿著密封環(huán)104配置有多個(gè)襯墊90。如圖2(b)所示，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，在由晶片201構(gòu) 成的基板101上依次疊層有第一層間絕緣膜105及第二層間絕緣膜107。 在基板101中形成有構(gòu)成元件的活性層60，在第一層間絕緣膜105的下 部形成有與活性層60連接的柱塞61，在第一層間絕緣膜105的上部形成 有與柱塞61連接的布線(xiàn)62，在第二層間絕緣膜107的下部形成有與布線(xiàn) 62連接的柱塞63，在第二層間絕緣膜107的上部形成有與柱塞63連接 的布線(xiàn)64。柱塞61和布線(xiàn)62、及柱塞63和布線(xiàn)64分別構(gòu)成雙道金屬 鑲嵌(dual damascene)布線(xiàn)。在第二層間絕緣膜107上形成有在布線(xiàn)64 上具有開(kāi)口的第一鈍化膜109，在該開(kāi)口設(shè)置有與布線(xiàn)64連接的襯墊90， 在第一鈍化膜109上形成有在襯墊90上具有開(kāi)口的第二鈍化膜150。如圖2(c)所示，在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，在由晶片 201構(gòu)成的基板101上依次疊層有第一層間絕緣膜105及第二層間絕緣膜 107。在基板101中形成有構(gòu)成元件的活性層70，在第一層間絕緣膜105 的下部形成有與活性層70連接的柱塞71，在第一層間絕緣膜105的上部 形成有與柱塞71連接的布線(xiàn)72，在第二層間絕緣膜107的下部形成有與 布線(xiàn)72連接的柱塞73，在第二層間絕緣膜107的上部形成有與柱塞73 連接的布線(xiàn)74。柱塞71和布線(xiàn)72、及柱塞73和布線(xiàn)74分別構(gòu)成雙道 金屬鑲嵌(dual damascene)布線(xiàn)。在第二層間絕緣膜107上形成有在布線(xiàn) 74上具有開(kāi)口的第一鈍化膜109，在該開(kāi)口設(shè)置有與布線(xiàn)74連接的最上層布線(xiàn)75，在第一鈍化膜109上形成有覆蓋最上層布線(xiàn)75的第二鈍化膜 150。另外，第一鈍化膜109由比第二層間絕緣膜107更硬、更脆的材料構(gòu) 成，例如，由氮化硅膜(SiN膜)構(gòu)成。上述形成有多個(gè)半導(dǎo)體裝置的晶片201在完成各芯片之后，被沿著切 割區(qū)域103分割成單個(gè)半導(dǎo)體裝置。此時(shí)，各個(gè)半導(dǎo)體裝置除了包括芯片 區(qū)域102之外，還包括晶片狀態(tài)下的切割區(qū)域103中的切割剩余部分(芯 片區(qū)域鄰接部分)。以下，在對(duì)切割后的各個(gè)半導(dǎo)體裝置加以說(shuō)明時(shí)，將切 割區(qū)域103中的切割剩余部分僅稱(chēng)為"切割區(qū)域103"。(第一實(shí)施例)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造 方法加以說(shuō)明。圖3表示第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片) 端部(具有位于芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的 剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖3為圖2(a)的A—A'線(xiàn)的剖面圖。如圖3所示，在基板101上設(shè)置有與切割區(qū)域103鄰接的芯片區(qū)域 102。在基板101上依次疊層有第一層間絕緣膜105及第二層間絕緣膜 107。在層間絕緣膜105及107的疊層結(jié)構(gòu)中形成有貫穿該疊層結(jié)構(gòu)且連 續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的密封環(huán)104。這里，密封環(huán)104由形成在基板101 中的活性層(或?qū)щ妼?110、形成在第一層間絕緣膜105的下部且與活性層 (或?qū)щ妼?IIO連接的第一密封柱塞111及121、形成在第一層間絕緣膜 105的上部且分別與第一密封柱塞111及121連接的第一密封布線(xiàn)112及 122、形成在第二層間絕緣膜107的下部且分別與第一密封布線(xiàn)112及122 連接的第二密封柱塞113及123、和形成在第二層間絕緣膜107的上部且 分別與第二密封柱塞113及123連接的第二密封布線(xiàn)114及124構(gòu)成。本實(shí)施例的特征在于在第二層間絕緣膜107上形成有從芯片區(qū)域 102來(lái)看在密封環(huán)104外側(cè)具有開(kāi)口部131的第一鈍化膜109。 S卩，第一 鈍化膜109被開(kāi)口部131劃分為位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的部分、和位于 切割區(qū)域103 —側(cè)的部分。另外，開(kāi)口部131被設(shè)置到密封環(huán)104上， 在位于密封環(huán)104上的開(kāi)口部131形成有與密封環(huán)104連接的蓋層125。這里，蓋層125形成為覆蓋從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的第一鈍化膜109的端部。第二層間絕緣膜107的表面在沒(méi)有形成蓋層125 的開(kāi)口部131中露出。并且，在第一鈍化膜109上形成有在其開(kāi)口部131 上具有開(kāi)口部161的第二鈍化膜150。以下，參照?qǐng)D4(a) 圖4(c)、圖5(a)、圖5(b)及圖6(a)、圖6(b)的工 序剖面圖對(duì)用以制造具有圖3所示的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方法 加以說(shuō)明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，如圖4(a)所示，在由晶片(例如，圖1所示的晶片201)構(gòu)成的 基板101中的位于芯片區(qū)域102內(nèi)的部分形成活性層(或?qū)щ妼?IIO。活 性層(或?qū)щ妼?IIO也可以構(gòu)成晶體管等元件。此時(shí)，既可以在芯片區(qū)域 102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在基板101中形成構(gòu)成元件的活 性層60，也可以在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示， 在基板101中形成構(gòu)成元件的活性層70。其次，如圖4(a)所示，在基板101上沉積第一層間絕緣膜105之后， 再利用光刻法及干蝕刻法，在芯片區(qū)域102中的位于密封環(huán)形成區(qū)域的第 一層間絕緣膜105形成到達(dá)活性層(或?qū)щ妼?110的、用以形成第一密 封柱塞111及121(參照?qǐng)D4(b))的兩個(gè)槽狀凹部105a。另夕卜，密封柱塞是 構(gòu)成密封環(huán)的部件(part)，是通過(guò)將導(dǎo)電材料埋入槽狀凹部中形成的。艮P， 密封柱塞是與在芯片區(qū)域內(nèi)用以連接上下布線(xiàn)之間而形成的柱塞具有相同 寬度的線(xiàn)狀結(jié)構(gòu)。另外，在本實(shí)施例中，最好密封柱塞的縱橫比(也就是說(shuō)，埋入了密封 柱塞的槽狀凹部中深度對(duì)寬度的比)在1以上。接著，如圖4(a)所示，利用光刻法在第一層間絕緣膜105上形成用以 形成埋入第一密封布線(xiàn)112及122(參照?qǐng)D4(b))的布線(xiàn)槽的抗蝕劑圖案(省 略圖示)之后，以該抗蝕劑圖案為掩模，利用干蝕刻法，在芯片區(qū)域102 中位于密封環(huán)形成區(qū)域的第一層間絕緣膜105的上部形成分別與兩個(gè)槽狀 凹部105a連接的兩條布線(xiàn)槽105c，然后，通過(guò)煅燒(ashing)除去殘存的 抗蝕劑圖案。另外，槽狀凹部105a及布線(xiàn)槽105c是通過(guò)連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102 形成的。其次，如圖4(b)所示，例如用CVD(chemical vapor deposition)法， 在形成在第一層間絕緣膜105的槽狀凹部105a及布線(xiàn)槽105c中埋入例 如由鎢(W)構(gòu)成的導(dǎo)電膜，然后，例如用CMP(化學(xué)機(jī)械研磨法)除去從布 線(xiàn)槽105c露出的多余的導(dǎo)電膜，藉此方法，形成與活性層(或?qū)щ妼?110 連接的第一密封柱塞111及121、和分別與第一密封柱塞111及121連接 的第一密封布線(xiàn)112及122。這里，密封柱塞111及密封布線(xiàn)112、和密 封柱塞121及密封布線(xiàn)122分別構(gòu)成雙道金屬鑲嵌布線(xiàn)。此時(shí)，在芯片區(qū) 域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在第一層間絕緣膜105中形成 與活性層60連接的柱塞61、和與柱塞61連接的布線(xiàn)62，同時(shí)，在芯片 區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在第一層間絕緣膜105 中形成與活性層70連接的柱塞71、和與柱塞71連接的布線(xiàn)72。其次，如圖4(c)所示，在第一層間絕緣膜105上沉積第二層間絕緣膜 107之后，利用光刻法及干蝕刻法，在位于芯片區(qū)域102的第二層間絕緣 膜107形成分別到達(dá)第一密封布線(xiàn)112及122的、用以形成第二密封柱塞 113及123(參照?qǐng)D5(a))的兩個(gè)槽狀凹部107a。接著，如圖4(c)所示，利用光刻法在第二層間絕緣膜107上形成用以 形成埋入第二密封布線(xiàn)114及124(參照?qǐng)D5(a))的布線(xiàn)槽的抗蝕劑圖案(省 略圖示)之后，以該抗蝕劑圖案為掩模，利用干蝕刻法在位于芯片區(qū)域102 的第二層間絕緣膜107的上部形成分別與兩個(gè)槽狀凹部107a連接的兩條 布線(xiàn)槽107c，然后，利用煅燒除去殘存的抗蝕劑圖案。另外，槽狀凹部107a及布線(xiàn)槽107c形成為連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102。其次，如圖5(a)所示，在形成在第二層間絕緣膜107的槽狀凹部107a 及布線(xiàn)槽107c中埋入例如由銅(Cu)構(gòu)成的導(dǎo)電膜。然后，用例如CMP法 除去從布線(xiàn)槽107c中露出的導(dǎo)電膜(位于比第二層間絕緣膜107靠上側(cè)的 導(dǎo)電膜)。藉此方法，在位于芯片區(qū)域102的第二層間絕緣膜107中形成 分別與第一密封布線(xiàn)112及122連接的第二密封柱塞113及123、和分別 與第二密封柱塞113及123連接的第二密封布線(xiàn)114及124。這里，密封 柱塞113及密封布線(xiàn)114、和密封柱塞123及密封布線(xiàn)124分別構(gòu)成雙道 金屬鑲嵌布線(xiàn)。此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示， 在第二層間絕緣膜107中形成與布線(xiàn)62連接的柱塞63、和與柱塞63連接的布線(xiàn)64，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(C)所示，在第二層間絕緣膜107中形成與布線(xiàn)72連接的柱塞73、和與柱塞 73連接的布線(xiàn)74。另外， 一般將上述那樣的通過(guò)在凹部埋入導(dǎo)電膜來(lái)同時(shí)形成柱塞和布 線(xiàn)的方法稱(chēng)為雙道金屬鑲嵌法。并且，由通過(guò)上述方法形成的活性層(或?qū)щ妼?IIO、第一密封柱塞 111及121、第一密封布線(xiàn)112及122、第二密封柱塞113及123、和第 二密封布線(xiàn)114及124構(gòu)成密封環(huán)104。然后，如圖5(b)所示，在為最上層層間絕緣膜的第二層間絕緣膜107 上沉積成為密封布線(xiàn)114及124、和布線(xiàn)64及74(參照?qǐng)D2(b)及圖2(c)) 的保護(hù)膜的第一鈍化膜109。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)、或TEOS膜(下 層)與SiN膜(上層)的疊層結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及 干蝕刻法，在從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)到密封環(huán)104(具 體地說(shuō)，密封布線(xiàn)124)上的第一鈍化膜109形成開(kāi)口部131。另夕卜，開(kāi)口 部131具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽狀。并且，此時(shí)，也可以在從芯片 區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的開(kāi)口部131的下側(cè)，在第二層間絕 緣膜107中形成槽。即，也可以通過(guò)在第一鈍化膜109的蝕刻中將密封布 線(xiàn)124用作阻止物(stopper)，對(duì)從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外 側(cè)的第二層間絕緣膜107的上部進(jìn)行蝕刻，來(lái)僅在第二層間絕緣膜107中 形成槽。然后，例如，利用濺射法在包括開(kāi)口部131的整個(gè)第一鈍化膜109上 沉積例如鋁(A1)膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定 的形狀。具體地說(shuō)，除去在位于密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部131及其附近之 外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。藉此方法，如圖6(a)所示，來(lái)在位 于密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部131形成與密封布線(xiàn)124連接的蓋層125。也 就是說(shuō)，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由第一鈍化膜109 覆蓋密封環(huán)104最上部中的芯片區(qū)域102內(nèi)部一側(cè)的第二密封布線(xiàn)114， 由第一鈍化膜109和蓋層125覆蓋密封環(huán)104最上部中的切割區(qū)域103 一側(cè)的第二密封布線(xiàn)124。此時(shí)，將蓋層125形成為覆蓋從開(kāi)口部131來(lái) 看位于芯片區(qū)域102—側(cè)的第一鈍化膜109的端部，同時(shí)，與從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封布線(xiàn)124外側(cè)的開(kāi)口部131中的第二層間絕緣膜107 的露出部分鄰接。換句話(huà)說(shuō)，不是使從開(kāi)口部131來(lái)看位于切割區(qū)域103 一側(cè)的第一鈍化膜109的端部被蓋層125覆蓋，而是使其與蓋層125分 開(kāi)。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在 設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi)口形成與布線(xiàn)64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯 片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化 膜109的開(kāi)口形成與布線(xiàn)74連接的最上層布線(xiàn)75。也就是說(shuō)，在本實(shí)施 例中，在芯片區(qū)域102的布線(xiàn)*襯墊形成工序中同時(shí)形成與密封環(huán)104的 最上部即第二密封布線(xiàn)124連接的蓋層125。這樣一來(lái)，能夠在不追加新 的蓋層形成工序的情況下，形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線(xiàn) 124連接的蓋層125。然后，如圖6(b)所示，在包括開(kāi)口部131的第一鈍化膜109上及蓋層 125上，即整個(gè)基板101上沉積成為蓋層125、襯墊90(參照?qǐng)D2(b))及最 上層布線(xiàn)75(參照?qǐng)D2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的 單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第 —鈍化膜109的開(kāi)口部131上及蓋層125上的第二鈍化膜150形成開(kāi)口 部161。這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口部161與第一鈍化膜109的開(kāi)口部 131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū) 域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化 膜150設(shè)置有開(kāi)口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖 2(c)所示，最上層布線(xiàn)75被第二鈍化膜150覆蓋著。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，由于鈍化膜109及150在密封環(huán)104外 側(cè)(芯片區(qū)域102的周緣部附近)被開(kāi)口部131及161分開(kāi)，因此即使因切 割晶片時(shí)的沖擊造成在芯片區(qū)域102外側(cè)(g卩，切割區(qū)域103)的鈍化膜109 及150產(chǎn)生脫落，也能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化膜 109及150。并且，由于為底層的第二層間絕緣膜107處于在芯片區(qū)域102 的內(nèi)外將鈍化膜109及150分開(kāi)的開(kāi)口部131及161中露出的狀態(tài)，因 此與將蓋層等埋入整個(gè)該開(kāi)口部131及161的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地防 止鈍化膜109及150在芯片區(qū)域102外側(cè)所受到的沖擊經(jīng)由該鈍化膜109 及150傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)部的現(xiàn)象。這樣一來(lái)，由于能夠通過(guò)防止將晶片分割成單個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)，來(lái) 防止水分和可動(dòng)離子等污染物質(zhì)從芯片表面侵入到裝置內(nèi)部，因此能夠提 高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，在本實(shí)施例中，將鈍化膜109的開(kāi)口部131 —直設(shè)置到密封環(huán)104(具體地說(shuō)，密封布線(xiàn)124)上，在位于該密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部131 形成有與該密封布線(xiàn)124連接的蓋層125。這樣一來(lái)，由于能夠用具有韌 性及延展性的蓋層125及密封環(huán)104來(lái)阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102 外側(cè)(切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通 過(guò)更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的鈍化膜109及150脫落的現(xiàn)象，來(lái)進(jìn) 一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。并且，在本實(shí)施例中，由于形成有覆蓋從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū) 域102 —側(cè)的第一鈍化膜109端部的蓋層125，因此能夠防止因切割晶片 時(shí)的沖擊而產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜109的開(kāi)口部 131—側(cè)的側(cè)面。從而，能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜 109脫落的現(xiàn)象。另外，在本實(shí)施例中，設(shè)置在鈍化膜109的開(kāi)口部131并不一定要形 成在密封環(huán)104外側(cè)的芯片區(qū)域102的端部之上，也可以形成在切割區(qū)域 103中的切割剩余部分之上。并且，也可以通過(guò)不在晶片狀態(tài)下的切割區(qū) 域103中形成鈍化膜109來(lái)設(shè)置開(kāi)口部131。并且，在本實(shí)施例中，由于密封環(huán)104(具體地說(shuō)，密封布線(xiàn)114及 124)被鈍化膜109及蓋層125覆蓋著，因此沒(méi)有在密封環(huán)104產(chǎn)生腐蝕 的現(xiàn)象。并且，在本實(shí)施例中，也可以在位于切割區(qū)域103的層間絕緣膜105 及107中設(shè)置布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。并且，在本實(shí)施例中，使用了對(duì)于例如第二密封布線(xiàn)124等一個(gè)密封 布線(xiàn)的底面，連接有例如第二密封柱塞123等一個(gè)密封柱塞的結(jié)構(gòu)，也可 以代替它，使用將多個(gè)密封柱塞連接在一個(gè)密封布線(xiàn)的底面上的結(jié)構(gòu)。并且，在本實(shí)施例中，當(dāng)在開(kāi)口部131的層間絕緣膜107的露出部分 形成有槽時(shí)，由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(切割區(qū)域103) 朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。并且，在本實(shí)施例中，為了確實(shí)地保護(hù)密封布線(xiàn)114及124、和布線(xiàn) 64及74，最好使第一鈍化膜109的厚度為150nm以上。并且，在本實(shí)施例中，對(duì)構(gòu)成密封環(huán)104的各密封布線(xiàn)及各密封柱塞 的材料并不作特別限定，可以使用例如鎢(W)、鋁(Al)及銅(Cu)中的至少一 種。并且，在本實(shí)施例中，雖然對(duì)構(gòu)成與密封環(huán)104連接的蓋層125的材 料并不作特別限定，但是若由鋁(A1)來(lái)構(gòu)成蓋層125的話(huà)，能夠確實(shí)地防 止密封環(huán)104(特別是由銅(Cu)構(gòu)成的密封環(huán)104)腐蝕的現(xiàn)象。(第一實(shí)施例的第一變形例)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體 裝置及其制造方法加以說(shuō)明。圖7表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片)端 部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝 置端音卩)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖7為圖2(a)的A—A'線(xiàn)的剖面圖。并且， 在圖7中，由于對(duì)與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu) 成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，因此對(duì)其說(shuō)明加以省略。本變形例與第一實(shí)施例的不同之處如下。即，在第一實(shí)施例中，如圖 3所示，將開(kāi)口部131配置為從芯片區(qū)域102來(lái)看的密封環(huán)104外側(cè)到密 封環(huán)104上，其中，該開(kāi)口部131將第一鈍化膜109劃分為位于芯片區(qū) 域102 —側(cè)的部分、和位于切割區(qū)域103 —側(cè)的部分。而在本變形例中， 如圖7所示，不在密封環(huán)104上配置開(kāi)口部131，而將開(kāi)口部131僅配置 在從芯片區(qū)域102來(lái)看的密封環(huán)104的外側(cè)。并且，在第一實(shí)施例中，如 圖3所示，在位于成為密封環(huán)104的第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部131 形成有與成為密封環(huán)104的第二密封布線(xiàn)124連接的蓋層125，而在本變 形例中，如圖7所示，形成有覆蓋從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102 — 側(cè)的第一鈍化膜109的端部的蓋層126，該蓋層126沒(méi)有與密封環(huán)104 連接，而是與露出開(kāi)口部131的第二層間絕緣膜107局部接觸。即，在本 變形例中，如圖7所示，密封環(huán)104(具體地說(shuō)，密封布線(xiàn)114及124)僅 被第一鈍化膜109覆蓋著。另外，在本變形例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖7所示，第二層間絕緣膜107的表面露出開(kāi)口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開(kāi)口 部131上及蓋層126上具有開(kāi)口部161的第二鈍化膜150。以下，對(duì)用以制造具有圖7所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的方 法加以說(shuō)明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，進(jìn)行圖4(a) 圖5(a)所示的第一實(shí)施例的各工序。然后，如圖 7所示，在最上層的層間絕緣膜即第二層間絕緣膜107上沉積密封布線(xiàn)114 及124、和布線(xiàn)64及74(參照?qǐng)D2(b)及圖2(c))的保護(hù)膜的第一鈍化膜109。 例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)、或者TEOS膜(下層)與SiN膜(上層)的疊層 結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在從芯片區(qū)域 102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的第一鈍化膜109形成開(kāi)口部131。另夕卜， 雖然開(kāi)口部131具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽狀，但是在密封環(huán)104(具 體地說(shuō)，密封布線(xiàn)124)上沒(méi)有配置開(kāi)口部131。并且，也可以在開(kāi)口部131 的下側(cè)，在第二層間絕緣膜107中形成槽。然后，例如，利用濺射法在包括開(kāi)口部131的整個(gè)第一鈍化膜109上 沉積例如鋁(A1)膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定 的形狀。具體地說(shuō)，除去在從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102 —側(cè)的第 一鈍化膜109的端部及其附近之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。藉 此方法，如圖7所示，形成覆蓋從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102—側(cè) 的第一鈍化膜109端部(但是，不與密封環(huán)104接觸)的蓋層126。也就是 說(shuō)，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由蓋層126夾著第一鈍 化膜109覆蓋密封環(huán)104的最上部即第二密封布線(xiàn)124。并且，此時(shí)，在 芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109 的開(kāi)口形成與布線(xiàn)64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布 線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi)口形成與布 線(xiàn)74連接的最上層布線(xiàn)75。即，在本變形例中，在芯片區(qū)域102的布線(xiàn)*襯 墊形成工序中同時(shí)形成不與密封環(huán)104連接的蓋層126。這樣一來(lái)，能夠 在不追加新的蓋層形成工序的情況下，在密封環(huán)104上方形成蓋層126。然后，如圖7所示，在包括開(kāi)口部131的第一鈍化膜109上及蓋層 126上，即整個(gè)基板101上沉積成為蓋層126、襯墊90(參照?qǐng)D2(b))及最上層布線(xiàn)75(參照?qǐng)D2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的 單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第 一鈍化膜109的開(kāi)口部131上及蓋層126上的第二鈍化膜150形成開(kāi)口 部161。這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口部161與第一鈍化膜109的開(kāi)口部 131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū) 域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化 膜150設(shè)置有開(kāi)口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖 2(c)所示，最上層布線(xiàn)75被第二鈍化膜150覆蓋著。如上所述，根據(jù)本變形例，由于鈍化膜109及150在密封環(huán)104外 側(cè)(芯片區(qū)域102的周緣部附近)被開(kāi)口部131及161分開(kāi)，因此即使因切 割晶片時(shí)的沖擊而造成在芯片區(qū)域102外側(cè)的鈍化膜109及150產(chǎn)生脫 落，也能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化膜109及150。并 且，由于為底層的第二層間絕緣膜107處于在芯片區(qū)域102內(nèi)外將鈍化膜 109及150分開(kāi)的開(kāi)口部131及161中露出的狀態(tài)，因此與將蓋層等埋入 整個(gè)該開(kāi)口部131及161的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地防止鈍化膜109及 150在芯片區(qū)域102外側(cè)所受到的沖擊經(jīng)由該鈍化膜109及150而傳播到 芯片區(qū)域102內(nèi)部的現(xiàn)象。這樣一來(lái)，由于能夠通過(guò)防止將晶片分割成單 個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)，來(lái)防止水分和可 動(dòng)離子等污染物質(zhì)從芯片表面侵入到裝置內(nèi)部，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置 的可靠性及耐濕性。并且，根據(jù)本變形例，由于形成有覆蓋從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū) 域102 —側(cè)的第一鈍化膜109端部的蓋層126，因此能夠防止因切割晶片 時(shí)的沖擊所產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜109的開(kāi)口部 131—側(cè)的側(cè)面。從而，能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜 109脫落的現(xiàn)象。并且，在本變形例中，由于密封環(huán)104被第一鈍化膜109 覆蓋著，因此即使蓋層126因切割晶片時(shí)的沖擊和應(yīng)力等而產(chǎn)生脫落，也 沒(méi)有關(guān)系。另外，在本變形例中，由于密封環(huán)104(具體地說(shuō)，密封布線(xiàn)114及 124)被鈍化膜109覆蓋著，因此沒(méi)有在密封環(huán)104產(chǎn)生腐蝕的現(xiàn)象。并且，在本變形例中，當(dāng)在開(kāi)口部131的層間絕緣膜107的露出部分形成有槽時(shí)，由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域 102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置 的可靠性及耐濕性的下降。(第一實(shí)施例的第二變形例)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體 裝置及其制造方法加以說(shuō)明。圖8表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片)端 部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝 置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖8為圖2(a)的A—A'線(xiàn)的剖面圖。并且， 在圖8中，由于對(duì)與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu) 成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，因此對(duì)其說(shuō)明加以省略。本變形例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖8所示，除了形成有與 密封環(huán)104連接的蓋層125之外，還形成有覆蓋從開(kāi)口部131來(lái)看位于 芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109端部 的蓋層136。并且，在本變形例中，如圖8所示，從開(kāi)口部131來(lái)看位于 芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109除了 被蓋層136覆蓋之外，還被位于同一側(cè)的第二鈍化膜150覆蓋。另外，在本變形例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖8所示，第二層間 絕緣膜107的表面露出開(kāi)口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開(kāi)口 部131上具有開(kāi)口部161的第二鈍化膜150。以下，對(duì)用以制造具有圖8所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的方 法加以說(shuō)明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行圖4(a) 圖5(b)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，例如， 利用濺射法在包括開(kāi)口部131的整個(gè)第一鈍化膜109上沉積例如鋁(A1) 膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定的形狀。具體地 說(shuō)，除去在位于密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部131及其附近、和從開(kāi)口部131 來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(g卩，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜 109的端部及其附近之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。藉此方法， 如圖8所示，在位于密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部131形成與密封布線(xiàn)124 連接的蓋層125，同時(shí)形成覆蓋從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109端部的蓋層136。另外， 將蓋層125形成為覆蓋密封環(huán)104的最上部、和從開(kāi)口部131來(lái)看位于 芯片區(qū)域102 —側(cè)的第一鈍化膜109的端部。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域 102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi)口 形成有與布線(xiàn)64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形 成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi)口形成有與布線(xiàn) 74連接的最上層布線(xiàn)75。 gp，在本變形例中，在芯片區(qū)域102的布線(xiàn)4寸 墊形成工序中同時(shí)形成蓋層125及136。這樣一來(lái)，能夠在不追加新的蓋 層形成工序的情況下，形成蓋層125及136。
然后，如圖8所示，在包括開(kāi)口部131的第一鈍化膜109上、和蓋層 125及136上，即整個(gè)基板101上沉積成為蓋層125及136、襯墊90(參 照?qǐng)D2(b))及最上層布線(xiàn)75(參照?qǐng)D2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如， 將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，利用光刻法及干蝕刻法， 在位于第一鈍化膜109的開(kāi)口部131上及蓋層125上的第二鈍化膜150 形成開(kāi)口部161。不過(guò)，在本變形例中，以從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū) 域102的相反一側(cè)(g卩，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109不僅被蓋層 136覆蓋，還被位于同一側(cè)的第二鈍化膜150覆蓋的方式來(lái)形成開(kāi)口部 161。這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口部161與第一鈍化膜109的開(kāi)口部131 成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102 的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150 設(shè)置有開(kāi)口，而在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示， 最上層布線(xiàn)75被第二鈍化膜150覆蓋著。
使用如上所述的本變形例，除了能夠獲得與第一實(shí)施例一樣的效果之 外，還能夠獲得下述效果。即，由于從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102 的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第一鈍化膜109的端部、和從開(kāi)口 部161來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(g卩，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二 鈍化膜150的端部錯(cuò)開(kāi)著，因此能夠使對(duì)于為了覆蓋最上層布線(xiàn)75(參照 圖2(c))而厚度均勻且平滑形成的第二鈍化膜150所進(jìn)行的蝕刻加工較容 易。
另夕卜，在本變形例中，當(dāng)在開(kāi)口部131的層間絕緣膜107的露出部分形成有槽時(shí)，由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域 102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置 的可靠性及耐濕性的下降。并且，在本變形例中，將從開(kāi)口部161來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反 一側(cè)(g卩，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜150形成為覆蓋位于同一側(cè)的 第一鈍化膜109和蓋層136。但是，也可以代替它，既可以使從開(kāi)口部161 來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜 150的端部位于例如蓋層136上，或者也可以使其位于存在于同一側(cè)的第 一鈍化膜109上。(第一實(shí)施例的第三變形例)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例的第三變形例所涉及的半導(dǎo)體 裝置及其制造方法加以說(shuō)明。圖9表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片)端 部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝 置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖9為圖2(a)的A—A'線(xiàn)的剖面圖。并且， 在圖9中，由于對(duì)與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu) 成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，因此對(duì)其說(shuō)明加以省略。本變形例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖9所示，從開(kāi)口部131 來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜 109的端部、與從開(kāi)口部161來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(S卩，切 割區(qū)域103—側(cè))的第二鈍化膜150的端部錯(cuò)開(kāi)著。具體地說(shuō)，如圖9所 示，從開(kāi)口部161來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 一側(cè))的第二鈍化膜150的端部，位于處于同一側(cè)的第一鈍化膜109的上另外，在本變形例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖9所示，第二層間 絕緣膜107的表面露出開(kāi)口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開(kāi)口 部131上具有開(kāi)口部161的第二鈍化膜150。以下，對(duì)用以制造具有圖9所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的方 法加以說(shuō)明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行圖4(a) 圖6(a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如圖9所示，在包括開(kāi)口部131的第一鈍化膜109上及蓋層125上即在整個(gè)基 板101上沉積成為蓋層125、襯墊90(參照?qǐng)D2(b))和最上層布線(xiàn)75(參照 圖2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二 鈍化膜150。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開(kāi) 口部131上及蓋層125上的第二鈍化膜150形成開(kāi)口部161。不過(guò)，在本 變形例中，以從開(kāi)口部161來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(g卩，切割 區(qū)域103 —側(cè))的第二鈍化膜150的端部位于處于同一側(cè)的第一鈍化膜109 上側(cè)的方式來(lái)形成開(kāi)口部161。這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口部161與第 —鈍化膜109的開(kāi)口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。 并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于 襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開(kāi)口 ，而在芯片區(qū)域102的最上層布 線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線(xiàn)75被第二鈍化膜150覆蓋著。 使用如上所述的本變形例，除了能夠獲得與第一實(shí)施例一樣的效果之 外，還能夠獲得下述效果。即，由于從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102 的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第一鈍化膜109的端部、和從開(kāi)口 部161來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(g卩，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二 鈍化膜150的端部錯(cuò)開(kāi)著，因此能夠使對(duì)于為了覆蓋最上層布線(xiàn)75(參照 圖2(c))而厚度均勻且平滑形成的第二鈍化膜150所進(jìn)行的蝕刻加工較容 易。
另外，在本變形例中，當(dāng)在開(kāi)口部131的層間絕緣膜107的露出部分 形成有槽時(shí)，由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域 102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置 的可靠性及耐濕性的下降。
(第一實(shí)施例的第四變形例)
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例的第四變形例所涉及的半導(dǎo)體 裝置及其制造方法加以說(shuō)明。
圖10表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片) 端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體 裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖10為圖2(a)的A—A'線(xiàn)的剖面圖。并 且，在圖10中，由于對(duì)與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，因此對(duì)其說(shuō)明加以省略。本變形例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖IO所示，從開(kāi)口部131 來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜 109的端部、與從開(kāi)口部161來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切 割區(qū)域103—側(cè))的第二鈍化膜150的端部錯(cuò)開(kāi)著。具體地說(shuō)，從開(kāi)口部 131來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍 化膜109的端部，位于處于同一側(cè)的第二鈍化膜150的下側(cè)。換句話(huà)說(shuō)， 從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè)) 的第一鈍化膜109被位于同一側(cè)的第二鈍化膜150覆蓋著。另外，在本變形例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖IO所示，第二層 間絕緣膜107的表面露出開(kāi)口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開(kāi) 口部131上具有開(kāi)口部161的第二鈍化膜150。以下，對(duì)用以制造具有圖10所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的 方法加以說(shuō)明。另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行了圖4(a) 圖6(a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如 圖10所示，在包括開(kāi)口部131的第一鈍化膜109上及蓋層125上即在整 個(gè)基板101上沉積成為蓋層125、襯墊90(參照?qǐng)D2(b))和最上層布線(xiàn)75(參 照?qǐng)D2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第 二鈍化膜150。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的 開(kāi)口部131上及蓋層125上的第二鈍化膜150形成開(kāi)口部161。不過(guò)，在 本變形例中，以從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(g卩，切 割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109的端部，被位于同一側(cè)的第二鈍化膜 150覆蓋的方式來(lái)形成開(kāi)口部161。這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口部161 與第一鈍化膜109的開(kāi)口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102 的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示， 在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開(kāi)口，而在芯片區(qū)域102的最 上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線(xiàn)75被第二鈍化膜150復(fù)蓋著。使用如上所述的本變形例，除了能夠獲得與第一實(shí)施例一樣的效果之 外，還能夠獲得下述效果。即，由于從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103—側(cè))的第一鈍化膜109的端部、和從開(kāi)口
部161來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第二 鈍化膜150的端部錯(cuò)開(kāi)著，因此能夠使對(duì)于為了覆蓋最上層布線(xiàn)75(參照 圖2(c))等而厚度均勻且平滑形成的第二鈍化膜150所進(jìn)行的蝕刻加工較 容易。
另夕卜，在本變形例中，當(dāng)在開(kāi)口部131的層間絕緣膜107的露出部分 形成有槽時(shí)，由于能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域 102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑，因此能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置 的可靠性及耐濕性的下降。
(第二實(shí)施例)
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造 方法加以說(shuō)明。
圖ll表示第二實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片) 端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體 裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖11為圖2(a)的A—A'線(xiàn)的剖面圖。并 且，在圖11中，由于對(duì)與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相 同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，因此對(duì)其說(shuō)明加以省略。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖11所示，第一鈍化膜 109除了具有從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的開(kāi)口部131之 外，還具有位于密封環(huán)104的最上部即第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132， 在該開(kāi)口部132形成有與密封環(huán)104(具體地說(shuō)，密封布線(xiàn)124)連接的蓋 層127。
另外，在本實(shí)施例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖11所示，第二層 間絕緣膜107的表面露出開(kāi)口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開(kāi) 口部131上及蓋層127上具有開(kāi)口部161的第二鈍化膜150。
并且，在本實(shí)施例中，如圖ll所示，在開(kāi)口部131的第二層間絕緣 膜107的露出部分形成有槽。
以下，參照?qǐng)D12(a)、圖12(b)及圖13(a)、圖13(b)的工序剖面圖，對(duì) 用以制造具有圖ll所示的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說(shuō)明。 另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行了圖4(a) 圖5(a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如 圖12(a)所示，在最上層的層間絕緣膜即第二層間絕緣膜107上沉積成為 第二密封布線(xiàn)114及124、和布線(xiàn)64及74(參照?qǐng)D2(b)及圖2(c))的保護(hù) 膜的第一鈍化膜109。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)、或者TEOS膜(下層) 與SiN膜(上層)的疊層結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及干 蝕刻法，在第一鈍化膜109形成從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外 側(cè)的開(kāi)口部131、和僅位于密封環(huán)104的第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部 132。此時(shí)，通過(guò)調(diào)整對(duì)第一鈍化膜109進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對(duì)露出開(kāi)口 部131(在本實(shí)施例中，位于切割區(qū)域103)的第二層間絕緣膜107進(jìn)行蝕 刻，來(lái)形成槽。另外，開(kāi)口部131與密封環(huán)104(具體地說(shuō)，第二密封布線(xiàn) 124)分開(kāi)，第一鈍化膜109的一部分介于開(kāi)口部131與開(kāi)口部132之間， 開(kāi)口部131及132具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽狀。然后，例如，利用濺射法在包括開(kāi)口部131及132的整個(gè)第一鈍化膜 109上沉積例如鋁(A1)膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化 為規(guī)定的形狀。具體地說(shuō)，除去在第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132及其 附近之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。這樣一來(lái)，如圖12(b)所示， 在第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132形成有與第二密封布線(xiàn)124連接的 蓋層127。即，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由第一鈍化 膜109覆蓋密封環(huán)104的最上部中的芯片區(qū)域102內(nèi)部一側(cè)的第二密封 布線(xiàn)114，由第一鈍化膜109和蓋層127覆蓋密封環(huán)104的最上部中的切 割區(qū)域103 —側(cè)的第二密封布線(xiàn)124。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯 墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi)口形成有與 布線(xiàn)64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中， 如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi)口形成有與布線(xiàn)74連接的 最上層布線(xiàn)75。即，在本實(shí)施例中，在芯片區(qū)域102的布線(xiàn) 襯墊形成 工序中同時(shí)形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線(xiàn)124連接的蓋層 127。因此，能夠在不追加新的蓋層形成工序的情況下，形成與密封環(huán)104 的最上部即第二密封布線(xiàn)124連接的蓋層127。然后，如圖13(a)所示，在包括開(kāi)口部131的第一鈍化膜109上及蓋 層127上即在整個(gè)基板101上沉積成為蓋層127、襯墊90(參照?qǐng)D2(b))和最上層布線(xiàn)75(參照?qǐng)D2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN 膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，如圖13(b)所示，利用光刻法及 干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開(kāi)口部131上到蓋層127上的第二 鈍化膜150形成開(kāi)口部161。這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口部161與第一 鈍化膜109的開(kāi)口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。 并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在位于 襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開(kāi)口 ，而在芯片區(qū)域102的最上層布 線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線(xiàn)75被第二鈍化膜150覆蓋著。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，由于鈍化膜109及150在密封環(huán)104外 側(cè)(芯片區(qū)域102的周緣部附近)被開(kāi)口部131及161分開(kāi)，因此即使因切 割晶片時(shí)的沖擊造成在芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)的鈍化膜109 及150產(chǎn)生脫落，也能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化膜 109及150。并且，由于為底層的第二層間絕緣膜107處于在芯片區(qū)域102 的內(nèi)外將鈍化膜109及150分開(kāi)的開(kāi)口部131及161中露出的狀態(tài)，因 此與將蓋層等埋入整個(gè)該開(kāi)口部131及161的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地防 止鈍化膜109及150在芯片區(qū)域102外側(cè)(S卩，切割區(qū)域103)所受到的沖 擊經(jīng)由該鈍化膜109及150而傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)部的現(xiàn)象。這樣一 來(lái)，由于能夠通過(guò)防止將晶片分割成單個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳 播到芯片區(qū)域102內(nèi)，來(lái)防止水分和可動(dòng)離子等污染物質(zhì)從芯片表面侵入 到裝置內(nèi)部，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。
并且，根據(jù)本實(shí)施例，在位于密封環(huán)104的第二密封布線(xiàn)124上的第 一鈍化膜109設(shè)置有開(kāi)口部132，在開(kāi)口部132形成有與第二密封布線(xiàn) 124連接的蓋層127。這樣一來(lái)，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層127 及密封環(huán)104來(lái)阻止切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103) 朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能夠通過(guò)更確實(shí)地防止芯片 區(qū)域102內(nèi)的鈍化膜109及150脫落的現(xiàn)象，來(lái)進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置 的可靠性及耐濕性。
并且，根據(jù)本實(shí)施例，在第二層間絕緣膜107形成有槽，該第二層間 絕緣膜107在設(shè)置在位于密封環(huán)104外側(cè)的第一鈍化膜109的開(kāi)口部131 中露出。換句話(huà)說(shuō)，該槽的底面位于較軟的第二層間絕緣膜107中。這樣一來(lái)，能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑。結(jié)果是能夠通過(guò)抑制切割 晶片時(shí)在鈍化膜109及150產(chǎn)生裂紋等，來(lái)防止芯片區(qū)域102內(nèi)部的鈍 化膜109及150的脫落。從而，能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及 耐濕性的下降。另外，在本實(shí)施例中，設(shè)置在鈍化膜109的開(kāi)口部131并不一定要形 成在切割區(qū)域103中的切割剩余部分之上，也可以形成在密封環(huán)104外側(cè) 的芯片區(qū)域102的端部之上。并且，也可以通過(guò)不在晶片狀態(tài)下的切割區(qū) 域103形成鈍化膜109來(lái)設(shè)置開(kāi)口部131 。并且，在本實(shí)施例中，由于密封環(huán)104(具體地說(shuō)，第二密封布線(xiàn)114 及124)被鈍化膜109及蓋層127覆蓋著，因此沒(méi)有在密封環(huán)104產(chǎn)生腐 蝕的現(xiàn)象。并且，在本實(shí)施例中，也可以在位于切割區(qū)域103的層間絕緣膜105 及107中設(shè)置布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。并且，在本實(shí)施例中，為了確實(shí)地保護(hù)第二密封布線(xiàn)114及124、和 布線(xiàn)64及74，最好使第一鈍化膜109的厚度在150nm以上。并且，在本實(shí)施例中，對(duì)構(gòu)成密封環(huán)104的各密封布線(xiàn)及各密封柱塞 的材料并不作特別限定，也可以使用例如鎢(W)、鋁(Al)及銅(Cu)中的至少 一種。并且，在本實(shí)施例中，雖然對(duì)構(gòu)成與密封環(huán)104的第二密封布線(xiàn)124 連接的蓋層127的材料并不作特別限定，但是若例如由鋁(A1)來(lái)構(gòu)成蓋層 127的話(huà)，能夠確實(shí)地防止密封環(huán)104(特別是由銅(Cu)構(gòu)成的密封環(huán)104) 腐蝕的現(xiàn)象。并且，在本實(shí)施例中，在開(kāi)口部131的第二層間絕緣膜107的露出部 分形成了槽，也可以代替它，不形成該槽。即，也可以使第一鈍化膜109 的下表面、與開(kāi)口部131中的第二層間絕緣膜107的露出部分的表面位于 同一高度。(第二實(shí)施例的第一變形例)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例的第一變形例所涉及的半導(dǎo)體 裝置及其制造方法加以說(shuō)明。圖14表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片) 端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖14為圖2(a)的A—A'線(xiàn)的剖面圖。并 且，在圖14中，由于對(duì)與圖3所示的第一實(shí)施例或圖ll所示的第二實(shí)施 例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，因此對(duì)其說(shuō)明加 以省略。本變形例與圖ll所示的第二實(shí)施例的不同之處在于如圖14所示， 在位于開(kāi)口部131與開(kāi)口部132之間的第一鈍化膜109的開(kāi)口部131 — 側(cè)的側(cè)面，形成有由與蓋層127的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物142。 另夕卜，在本變形例中，在從開(kāi)口部131來(lái)看位于芯片區(qū)域102的相反一側(cè) (即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109的開(kāi)口部131 —側(cè)的側(cè)面也形 成有側(cè)壁隔離物142。并且，在本變形例中，如圖14所示，在開(kāi)口部131 的第二層間絕緣膜107的露出部分形成有槽，側(cè)壁隔離物142的下表面位 于比第一鈍化膜109的下表面靠下方的位置。另外，在本變形例中，也與第一及第二實(shí)施例一樣，如圖14所示， 第二層間絕緣膜107的表面露出開(kāi)口部131，在第一鈍化膜109上形成有 在其開(kāi)口部131上及蓋層127上具有開(kāi)口部161的第二鈍化膜150。并且，在本變形例中，也與第二實(shí)施例一樣，如圖14所示，第一鈍 化膜109餘了具有從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的開(kāi)口部131 之外，還具有位于密封環(huán)104的第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132，在該 開(kāi)口部132形成有與第二密封布線(xiàn)124連接的蓋層127。以下，參照?qǐng)D15(a)、圖15(b)及圖16(a)、圖16(b)的工序剖面圖，對(duì) 用以制造具有圖14所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說(shuō)明。 另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行了圖4(a) 圖5(a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如 圖15(a)所示，在最上層的層間絕緣膜即第二層間絕緣膜107上沉積成為 第二密封布線(xiàn)114及124、和布線(xiàn)64及74(參照?qǐng)D2(b)及圖2(c))的保護(hù) 膜的第一鈍化膜109。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)、或者TEOS膜(下層) 與S工N膜(上層)的疊層結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及干 蝕刻法，在第一鈍化膜109形成從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的開(kāi)口部131、和位于密封環(huán)104(具體地說(shuō)，第二密封布線(xiàn)124)上的開(kāi) 口部132。此時(shí)，通過(guò)調(diào)整對(duì)第一鈍化膜109進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對(duì)露出 于開(kāi)口部131(在本實(shí)施例中，位于切割區(qū)域103)的第二層間絕緣膜107 進(jìn)行蝕刻，來(lái)形成槽。另外，開(kāi)口部131與密封環(huán)104(具體地說(shuō)，第二密 封布線(xiàn)124)分開(kāi)，第一鈍化膜109的一部分介于開(kāi)口部131與開(kāi)口部132 之間，開(kāi)口部131及132具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽狀。然后，例如，利用濺射法在包括開(kāi)口部131及132的整個(gè)第一鈍化膜 109上沉積例如鋁膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī) 定的形狀。具體地說(shuō)，除去在第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132及其附近 之外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。這樣一來(lái)，如圖15(b)所示，在 第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132形成有與第二密封布線(xiàn)124連接的蓋 層127。即，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由蓋層127覆 蓋在形成在第一鈍化膜109中的開(kāi)口部132內(nèi)露出的密封環(huán)104的最上 部(具體地說(shuō)，第二密封布線(xiàn)124)。這里，在本變形例中，通過(guò)調(diào)整對(duì)成 為蓋層127的鋁(A1)膜進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，來(lái)在位于開(kāi)口部131與開(kāi)口部 132之間的第一鈍化膜109中的開(kāi)口部131 —側(cè)的側(cè)面形成由與蓋層127 的材料相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物142。此時(shí)，在從開(kāi)口部131來(lái)看位 于芯片區(qū)域102的相反一側(cè)(即，切割區(qū)域103 —側(cè))的第一鈍化膜109中 的開(kāi)口部131—側(cè)的側(cè)面也形成側(cè)壁隔離物142。并且，此時(shí)，在芯片區(qū) 域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi) 口中形成與布線(xiàn)64連接的襯墊90,同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn) 形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi)口中形成與布 線(xiàn)74連接的最上層布線(xiàn)75。即，在本實(shí)施例中，在芯片區(qū)域102的布線(xiàn)-襯 墊形成工序中同時(shí)形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線(xiàn)124連接的 蓋層127。這樣一來(lái)，能夠在不追加新的蓋層形成工序的情況下，形成與 密封環(huán)104的最上部即第二密封布線(xiàn)124連接的蓋層127。然后，如圖16(a)所示，在包括側(cè)壁隔離物142及開(kāi)口部131的第一 鈍化膜109上及蓋層127上，即整個(gè)基板101上沉積成為蓋層127、襯墊 90(參照?qǐng)D2(b))及最上層布線(xiàn)75(參照?qǐng)D2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。 例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第二鈍化膜150。接著，如圖16(b)所示，利用光刻法及干蝕刻法，在位于第一鈍化膜109的開(kāi)口部131上到蓋層127上的第二鈍化膜150形成開(kāi)口部161。這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口 部161與第一鈍化膜109的開(kāi)口部131成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū) 域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖2(b) 所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開(kāi)口 ，而在芯片區(qū)域102 的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線(xiàn)75被第二鈍化膜 150覆蓋著。使用如上所述的本變形例，除了能夠獲得與第二實(shí)施例一樣的效果之 外，還能夠獲得下述效果。即，在位于開(kāi)口部131與開(kāi)口部132之間的第 一鈍化膜109中的開(kāi)口部131 —側(cè)的側(cè)面，形成有由與蓋層127的材料 相同的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物142。這樣一來(lái)，由于能夠防止因切割晶片 時(shí)的沖擊所產(chǎn)生的應(yīng)力集中在芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜109中的開(kāi)口 部131 —側(cè)的側(cè)面，因此能夠更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的第一鈍化膜 109脫落的現(xiàn)象。另外，在本變形例中，在開(kāi)口部131的第二層間絕緣膜107的露出部 分形成了槽，也可以代替它，不形成該槽。即，也可以使第一鈍化膜109 的下表面、與開(kāi)口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分的表面位于同 —高度。換句話(huà)說(shuō)，也可以使第一鈍化膜109的下表面與側(cè)壁隔離物142 的下表面位于同一高度。(第二實(shí)施例的第二變形例)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例的第二變形例所涉及的半導(dǎo)體 裝置及其制造方法加以說(shuō)明。圖17表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片) 端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體 裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖17為圖2(a)的A—A'線(xiàn)的剖面圖。并 且，在圖17中，由于對(duì)與圖3所示的第一實(shí)施例、圖11或圖14所示的 第二實(shí)施例、其第一變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同 的符號(hào)，因此對(duì)其說(shuō)明加以省略。本變形例與圖14所示的第二實(shí)施例的第一變形例的不同之處在于 如圖17所示，在被第一鈍化膜109的開(kāi)口部131的側(cè)壁隔離物142圍繞的區(qū)域中露出的第二層間絕緣膜107形成有槽145。因此，在本變形例中，如圖17所示，槽145的底面即第二層間絕緣膜107的露出部分的表面位 于比側(cè)壁隔離物142的下表面靠下方的位置。另外，在本變形例中，也與 第二實(shí)施例的第一變形例一樣，如圖17所示，側(cè)壁隔離物142的下表面 位于比第一鈍化膜109的下表面靠下方的位置。艮P，具有圖17所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置是通過(guò)在第二實(shí) 施例的第一變形例的圖15(a)所示的工序中，調(diào)整對(duì)第一鈍化膜109進(jìn)行 蝕刻時(shí)的條件，對(duì)在開(kāi)口部131中露出的第二層間絕緣膜107進(jìn)行蝕刻來(lái) 形成槽的，通過(guò)在第二實(shí)施例的第一變形例的圖16(b)所示的工序中，調(diào) 整對(duì)第二鈍化膜150進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對(duì)在開(kāi)口部131的被側(cè)壁隔離物 142圍繞的區(qū)域中露出的第二層間絕緣膜107進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻來(lái)形成槽 145的。這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口部161、第一鈍化膜109的開(kāi)口部 131和第二層間絕緣膜107的槽145成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域 102的槽。另外，在本變形例中，也與第一及第二實(shí)施例一樣，如圖17所示， 第二層間絕緣膜107的表面露出開(kāi)口部131，在第一鈍化膜109上形成有 在其開(kāi)口部131上及蓋層127上具有開(kāi)口部161的第二鈍化膜150。并且，在本變形例中，也與第二實(shí)施例一樣，如圖17所示，第一鈍 化膜109除了具有從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的開(kāi)口部131 之外，還具有位于密封環(huán)104的第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132，在該 開(kāi)口部132形成有與密封環(huán)104(具體地說(shuō)，密封布線(xiàn)124)連接的蓋層127。使用上述本變形例，除了能夠獲得與第二實(shí)施例或其第一變形例一樣 的效果之外，還能夠獲得下述效果。即，在第一鈍化膜109的開(kāi)口部131 的被側(cè)壁隔離物142圍繞的區(qū)域中露出的第二層間絕緣膜107形成有槽 145。換句話(huà)說(shuō)，槽145的底面位于較軟的第二層間絕緣膜107中。因此， 能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū) 域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑。從而，能夠通過(guò)抑制切割晶片時(shí) 在鈍化膜109及150產(chǎn)生裂紋等，來(lái)防止芯片區(qū)域102內(nèi)部的鈍化膜109 及150的脫落。因此，能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的 下降。另外，在本變形例中，是通過(guò)在第二實(shí)施例的第一變形例的圖15(a) 所示的工序中，調(diào)整對(duì)第一鈍化膜109進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，對(duì)在開(kāi)口部131 中露出的第二層間絕緣膜107進(jìn)行蝕刻來(lái)形成槽的，也可以代替它，不在 該工序中形成槽。即，也可以使第一鈍化膜109的下表面與側(cè)壁隔離物142 的下表面位于同一高度。(第三實(shí)施例)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造 方法加以說(shuō)明。圖18表示第三實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片) 端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體 裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖18為圖2(a)的A—A'線(xiàn)的剖面圖。并 且，在圖18中，由于對(duì)與圖3所示的第一實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體裝置相 同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，因此對(duì)其說(shuō)明加以省略。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于如圖18所示，第一鈍化膜 109除了具有從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的開(kāi)口部131之 外，還具有位于密封環(huán)104的第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132，在該開(kāi) 口部132形成有與密封環(huán)104(具體地說(shuō)，密封布線(xiàn)124)連接的蓋層127。另外，在本實(shí)施例中，也與第一實(shí)施例一樣，如圖18所示，第二層 間絕緣膜107的表面露出開(kāi)口部131，在第一鈍化膜109上形成有在其開(kāi) 口部131上及蓋層127上具有開(kāi)口部161的第二鈍化膜150。并且，在本實(shí)施例中，如圖18所示，在開(kāi)口部131的第二層間絕緣 膜107的露出部分形成有槽145。以下，參照?qǐng)D19(a)、圖19(b)及圖20(a)、圖20(b)的工序剖面圖，對(duì) 用以制造具有圖18所示的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方法加以說(shuō)明。 另外，下述各工序一般是在切割前的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的。首先，在進(jìn)行了圖4(a) 圖5(a)所示的第一實(shí)施例的各工序之后，如 圖19(a)所示，在最上層的層間絕緣膜即第二層間絕緣膜107上沉積成為 第二密封布線(xiàn)114及124、和布線(xiàn)64及74(參照?qǐng)D2(b)及圖2(c))的保護(hù) 膜的第一鈍化膜109。例如，將S]LN膜的單層結(jié)構(gòu)、或者TEOS膜(下層) 與SiN膜(上層)的疊層結(jié)構(gòu)用作第一鈍化膜109。接著，利用光刻法及干蝕刻法，在第一鈍化膜109中僅形成位于密封環(huán)104的第二密封布線(xiàn)124 上的開(kāi)口部132。換句話(huà)說(shuō)，此時(shí)，不形成從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封 環(huán)104外側(cè)的開(kāi)口部131。另夕卜，開(kāi)口部132具有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102 的槽狀。
然后，例如，利用濺射法在包括開(kāi)口部132的整個(gè)第一鈍化膜109上 沉積例如鋁(A1)膜，接著，利用光刻法及干蝕刻法將該鋁膜圖案化為規(guī)定 的形狀。具體地說(shuō)，除去在第二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132及其附近之 外的其它區(qū)域中所形成的不要的鋁膜。這樣一來(lái)，如圖19(b)所示，在第 二密封布線(xiàn)124上的開(kāi)口部132形成有與第二密封布線(xiàn)124連接的蓋層 127。即，在密封環(huán)形成區(qū)域即芯片區(qū)域102的周緣部，由蓋層127覆蓋 在設(shè)置在第一鈍化膜109中的開(kāi)口部132內(nèi)露出的密封環(huán)104的最上部 (具體地說(shuō)，第二密封布線(xiàn)124)。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形 成區(qū)域中，如圖2(b)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi)口形成有與布線(xiàn) 64連接的襯墊90，同時(shí)，在芯片區(qū)域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如 圖2(c)所示，在設(shè)置在第一鈍化膜109的開(kāi)口形成有與布線(xiàn)74連接的最 上層布線(xiàn)75。即，在本實(shí)施例中，在芯片區(qū)域102的布線(xiàn) 襯墊形成工 序中同時(shí)形成與密封環(huán)104的最上部即第二密封布線(xiàn)124連接的蓋層 127。因此，能夠在不追加新的蓋層形成工序的情況下，形成與密封環(huán)104 的最上部即第二密封布線(xiàn)124連接的蓋層127。
然后，如圖20(a)所示，在第一鈍化膜109上及蓋層127上，即在整 個(gè)基板101上沉積成為蓋層127、襯墊90(參照?qǐng)D2(b))和最上層布線(xiàn)75(參 照?qǐng)D2(c))的保護(hù)膜的第二鈍化膜150。例如，將SiN膜的單層結(jié)構(gòu)用作第 二鈍化膜150。接著，如圖20(b)所示，利用光刻法及干蝕刻法，在從芯片 區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)到蓋層127上的第二鈍化膜150中形 成開(kāi)口部161。此時(shí)，通過(guò)調(diào)整對(duì)第二鈍化膜150進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件，來(lái) 對(duì)從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)(沒(méi)有形成蓋層127的開(kāi)口部 161的下側(cè))的第一鈍化膜109及第二層間絕緣膜107依次進(jìn)行蝕刻。因 此，在從芯片區(qū)域102來(lái)看的密封環(huán)104的外側(cè)，在第一鈍化膜109形 成有開(kāi)口部131，同時(shí)，在開(kāi)口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分 形成有槽145。這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口部161、第一鈍化膜109的開(kāi)口部131和第二層間絕緣膜107的槽145成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯
片區(qū)域102的槽。并且，此時(shí)，在芯片區(qū)域102的襯墊形成區(qū)域中，如圖 2(b)所示，在位于襯墊90上的第二鈍化膜150設(shè)置有開(kāi)口，而在芯片區(qū) 域102的最上層布線(xiàn)形成區(qū)域中，如圖2(c)所示，最上層布線(xiàn)75被第二 鈍化膜150覆蓋著。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，由于鈍化膜109及150在密封環(huán)104外 側(cè)(芯片區(qū)域102的周緣部附近)被開(kāi)口部131及161分開(kāi)，因此即使因切 割晶片時(shí)的沖擊而造成在芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)的鈍化膜 109及150產(chǎn)生脫落，也能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化 膜109及150。并且，由于為底層的第二層間絕緣膜107處于在芯片區(qū)域 102的內(nèi)外將鈍化膜109及150分開(kāi)的開(kāi)口部131及161中露出的狀態(tài)， 因此與將蓋層等埋入整個(gè)該開(kāi)口部131及161的結(jié)構(gòu)相比，能夠更確實(shí)地 防止鈍化膜109及150在芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)所受到的 沖擊經(jīng)由該鈍化膜109及150而傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)部的現(xiàn)象。這樣 一來(lái)，由于能夠通過(guò)防止將晶片分割成單個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片和破裂等 傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)，來(lái)防止水分和可動(dòng)離子等污染物質(zhì)從芯片表面侵 入到裝置內(nèi)部，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。
并且，根據(jù)本實(shí)施例，在位于密封環(huán)104上的第一鈍化膜109設(shè)置有 開(kāi)口部132，在開(kāi)口部132形成有與密封環(huán)104連接的蓋層127。這樣一 來(lái)，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層127及密封環(huán)104來(lái)阻止切割晶 片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū)域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖 擊和應(yīng)力等，因此能夠通過(guò)更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的鈍化膜109及 150的脫落，來(lái)進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。
并且，根據(jù)本實(shí)施例，在第二層間絕緣膜107形成有槽145，該第二 層間絕緣膜107在設(shè)置在位于密封環(huán)104外側(cè)的第一鈍化膜109的開(kāi)口 部131中露出。換句話(huà)說(shuō)，該槽145的底面位于較軟的第二層間絕緣膜 107中。這樣一來(lái)，能夠遮斷切割晶片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)(即，切割區(qū) 域103)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路徑。結(jié)果是能夠通 過(guò)抑制切割晶片時(shí)在鈍化膜109及150產(chǎn)生裂紋等，來(lái)防止芯片區(qū)域102 內(nèi)部的鈍化膜109及150的脫落。故而，能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。
另外，在本實(shí)施例中，設(shè)置在鈍化膜109中的開(kāi)口部131并不一定要
形成在密封環(huán)104外側(cè)的芯片區(qū)域102的端部之上，也可以形成在切割區(qū) 域103中的切割剩余部分之上。并且，也可以通過(guò)在晶片狀態(tài)下的切割區(qū) 域103中不形成鈍化膜109來(lái)設(shè)置開(kāi)口部131。
并且，在本實(shí)施例中，由于密封環(huán)104(具體地說(shuō)，第二密封布線(xiàn)114 及124)被鈍化膜109及蓋層127覆蓋著，因此沒(méi)有在密封環(huán)104產(chǎn)生腐 蝕的現(xiàn)象。
并且，在本實(shí)施例中，也可以在位于切割區(qū)域103的層間絕緣膜105 及107中設(shè)置布線(xiàn)結(jié)構(gòu)。
并且，在本實(shí)施例中，為了確實(shí)地保護(hù)第二密封布線(xiàn)114及124、和 布線(xiàn)64及74，最好使第一鈍化膜109的厚度在150nm以上。
并且，在本實(shí)施例中，對(duì)構(gòu)成密封環(huán)104的各密封布線(xiàn)及各密封柱塞 的材料并不作特別限定，也可以使用例如鉤(W)、鋁(Al)及銅(Cu)中的至少 一種。
并且，在本實(shí)施例中，雖然對(duì)構(gòu)成與密封環(huán)104連接的蓋層127的材 料并不作特別限定，但是若由鋁(A1)來(lái)構(gòu)成蓋層127的話(huà)，能夠確實(shí)地防 止密封環(huán)104(特別是由銅(Cn)構(gòu)成的密封環(huán)104)腐蝕的現(xiàn)象。
并且，在本實(shí)施例中，在開(kāi)口部131的第二層間絕緣膜107的露出部 分中形成有槽145，也可以代替它，不形成槽145。即，也可以使第一鈍 化膜109的下表面與開(kāi)口部131的第二層間絕緣膜107的露出部分的表 面位于同一高度。
(第三實(shí)施例的變形例)
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施例的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置 及其制造方法加以說(shuō)明。
圖21表示本變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置(具體地說(shuō)，切割后的芯片) 端部(包括位于圖1所示的芯片區(qū)域102的周緣部的密封環(huán)104的半導(dǎo)體 裝置端部)的剖面結(jié)構(gòu)。另外，圖21為圖2(a)的A — A'線(xiàn)的剖面圖。并 且，在圖21中，由于對(duì)與圖3所示的第一實(shí)施例或圖18所示的第三實(shí)施 例所涉及的半導(dǎo)體裝置相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，因此對(duì)其說(shuō)明加以省略。
本變形例與圖18所示的第三實(shí)施例的不同之處在于即，在第三實(shí)
施例中，如圖18所示，在從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的第 一鈍化膜109形成有開(kāi)口部131。而在本變形例中，如圖21所示，沒(méi)有 形成開(kāi)口部131，從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的第一鈍化膜 109被薄膜化，該薄膜化部分133露出在外。
艮口，具有圖21所示的結(jié)構(gòu)的本變形例的半導(dǎo)體裝置是通過(guò)在第三實(shí) 施例的圖20(b)所示的工序中，調(diào)整對(duì)第二鈍化膜150進(jìn)行蝕刻時(shí)的條件， 對(duì)從芯片區(qū)域102來(lái)看位于密封環(huán)104外側(cè)的(沒(méi)有形成蓋層127的開(kāi)口 部161的下側(cè))第一鈍化膜109蝕刻到中途，來(lái)形成薄膜化部分133的。 這里，第二鈍化膜150的開(kāi)口部161和第一鈍化膜109的薄膜化部分133 成為一體，構(gòu)成連續(xù)圍繞芯片區(qū)域102的槽。
如上所述，根據(jù)本變形例，鈍化膜150在密封環(huán)104外側(cè)(芯片區(qū)域 102的周緣部附近)被開(kāi)口部161分開(kāi)，同時(shí)，在密封環(huán)104的夕卜側(cè)(芯片 區(qū)域102的周緣部附近)，即在開(kāi)口部161的下側(cè)，鈍化膜109被薄膜化。 這樣一來(lái)，由于即使因切割晶片時(shí)的沖擊而造成在芯片區(qū)域102外側(cè)的鈍 化膜109及150產(chǎn)生脫落，也能夠使該脫落在鈍化膜109的薄膜化部分 133停止，因此能夠防止該脫落延續(xù)到芯片區(qū)域102內(nèi)側(cè)的鈍化膜109及 150。并且，能夠通過(guò)使鈍化膜109在密封環(huán)104的外側(cè)薄膜化，來(lái)用該 薄膜化部分133遮斷沖擊和應(yīng)力等的傳播，其中，該鈍化膜109是切割晶 片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等的傳播路 徑。這樣一來(lái)，由于能夠通過(guò)防止將晶片分割成單個(gè)芯片時(shí)所產(chǎn)生的碎片 和破裂等傳播到芯片區(qū)域102內(nèi)，來(lái)防止水分和可動(dòng)離子等污染物質(zhì)從芯 片表面侵入到裝置內(nèi)部的，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。
并且，根據(jù)本變形例，在位于密封環(huán)104上的第一鈍化膜109設(shè)置有 開(kāi)口部132，在開(kāi)口部132形成有與密封環(huán)104連接的蓋層127。這樣一 來(lái)，由于能夠用具有韌性及延展性的蓋層127及密封環(huán)104來(lái)阻止切割晶 片時(shí)從芯片區(qū)域102外側(cè)朝向芯片區(qū)域102內(nèi)部的沖擊和應(yīng)力等，因此能 夠通過(guò)更確實(shí)地防止芯片區(qū)域102內(nèi)的鈍化膜109及150的脫落，來(lái)進(jìn) 一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性。另外，在本變形例中，設(shè)置在鈍化膜109的薄膜化部分133并不一定
要形成在密封環(huán)104外側(cè)的芯片區(qū)域102的端部之上，還可以形成在切割 區(qū)域103中的切割剩余部分之上。 (工業(yè)上的利用可能性)
如上所述，本發(fā)明涉及具有圍繞芯片區(qū)域形成的密封環(huán)的半導(dǎo)體裝置 及其制造方法，使用本發(fā)明，能夠獲得可防止將晶片分割為單個(gè)芯片時(shí)在 芯片(半導(dǎo)體裝置)側(cè)面所產(chǎn)生的碎片和破裂等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)的效果， 非常有用。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括形成在基板上的層間絕緣膜，形成在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中的布線(xiàn)，形成在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中且連續(xù)圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)，以及形成在設(shè)置有上述布線(xiàn)和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上的第一保護(hù)膜；在從上述芯片區(qū)域來(lái)看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有第一開(kāi)口部，上述層間絕緣膜在該第一開(kāi)口部中露出。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 在上述層間絕緣膜的露出部分中形成有槽。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述第一開(kāi)口部被設(shè)置到上述密封環(huán)上，在位于上述密封環(huán)上的上述第 一 開(kāi)口部形成有與上述密封環(huán)連接在 一 起的蓋層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述蓋層與上述層間絕緣膜的露出部分相互鄰接。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 在位于上述密封環(huán)上的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有第二開(kāi)口部，在上述第二開(kāi)口部形成有與上述密封環(huán)連接在一起的蓋層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 在位于上述第一開(kāi)口部與上述第二開(kāi)口部之間的上述第一保護(hù)膜的上述第一開(kāi)口部一側(cè)的側(cè)面，形成有由與上述蓋層的材料相同的材料構(gòu)成的 側(cè)壁隔離物。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述側(cè)壁隔離物的下表面位于比上述第一保護(hù)膜的下表面靠下方的位置。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述層間絕緣膜的露出部分的表面位于比上述側(cè)壁隔離物的下表面靠 下方的位置。
9、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 形成有覆蓋從上述第一開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部的蓋層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 形成有覆蓋從上述第一開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部的其它蓋層。
11、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 在位于上述布線(xiàn)上的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有襯墊用開(kāi)口部，在該襯墊用開(kāi)口部形成有與上述布線(xiàn)連接在一起的襯墊。
12、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 在位于上述布線(xiàn)上的上述第一保護(hù)膜中設(shè)置有最上層布線(xiàn)用開(kāi)口部，在該最上層布線(xiàn)用開(kāi)口部形成有與上述布線(xiàn)連接在一起的最上層布線(xiàn)。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 在上述第一保護(hù)膜上形成有覆蓋上述最上層布線(xiàn)的第二保護(hù)膜， 在位于上述第一開(kāi)口部上的上述第二保護(hù)膜中設(shè)置有第三開(kāi)口部。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 從上述第一開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部、與從上述第三開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述 第二保護(hù)膜的端部錯(cuò)開(kāi)著。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 從上述第三開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第二保護(hù)膜的端部，位于從上述第一開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上 述第一保護(hù)膜的上側(cè)。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 從上述第一開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上述第一保護(hù)膜的端部，位于從上述第三開(kāi)口部來(lái)看位于上述芯片區(qū)域的相反一側(cè)的上 述第二保護(hù)膜的下側(cè)。
17、 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括形成在基板上的層間絕緣膜，形成在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中的布線(xiàn)， 形成在位于上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中且連續(xù)圍繞上 述芯片區(qū)域的密封環(huán)，以及形成在設(shè)置有上述布線(xiàn)和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上的第一保護(hù)膜；從上述芯片區(qū)域來(lái)看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第一保護(hù)膜被薄膜 化，且該薄膜化部分露出在外。
18、 根據(jù)權(quán)利要求1 17中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述第一保護(hù)膜的厚度為150nm以上。
19、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 包括在基板上形成層間絕緣膜的工序a;在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中形成布線(xiàn)，且在位于 上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中形成連續(xù)圍繞上述芯片區(qū)域的密封環(huán)的工序b;在設(shè)置有上述布線(xiàn)和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上形成第一保護(hù)膜的工序C;以及在從上述芯片區(qū)域來(lái)看位于上述密封環(huán)外側(cè)的第一保護(hù)膜中形成第一 開(kāi)口部，讓上述層間絕緣膜在該第一開(kāi)口部中露出的工序d。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 上述工序d包括在上述層間絕緣膜的露出部分中形成槽的工序。
21、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 上述工序d包括將上述第一開(kāi)口部形成到上述密封環(huán)上的工序； 在上述工序d之后，還包括在位于上述密封環(huán)上的上述第一開(kāi)口部形成與上述密封環(huán)連接在一起的蓋層的工序e。
22、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 上述工序d包括在位于上述密封環(huán)上的上述第一保護(hù)膜中形成第二開(kāi)口部的工序；在上述工序d之后，還包括在上述第二開(kāi)口部形成與上述密封環(huán)連接在一起的蓋層的工序e。
23、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 上述工序e包括在位于上述第一開(kāi)口部與上述第二開(kāi)口部之間的上述第一保護(hù)膜的上述第一開(kāi)口部一側(cè)的側(cè)面，形成由與上述蓋層的材料相同 的材料構(gòu)成的側(cè)壁隔離物的工序。
24、 根據(jù)權(quán)利要求21 23中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方 法，其特征在于在上述工序e之后，包括在上述第一保護(hù)膜上形成第二保護(hù)膜的工序f、 和在位于上述第一開(kāi)口部上的上述第二保護(hù)膜中形成第三開(kāi)口部的工序g。
25、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 上述工序g包括在上述層間絕緣膜的露出部分形成槽的工序。
26、 根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述工序c與上述工序d之間，還包括在位于上述密封環(huán)上的上述 第一保護(hù)膜中形成第二開(kāi)口部之后，再在上述第二開(kāi)口部形成與上述密封 環(huán)連接在一起的蓋層，接著，在上述第一保護(hù)膜上形成第二保護(hù)膜的工序;上述工序d包括在從上述芯片區(qū)域來(lái)看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第 二保護(hù)膜中形成第三開(kāi)口部之后，再在位于該第三開(kāi)口部下側(cè)的上述第一 保護(hù)膜中形成上述第一開(kāi)口部的工序。
27、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 包括在基板上形成層間絕緣膜的工序；在位于上述基板的芯片區(qū)域的上述層間絕緣膜中形成布線(xiàn)，且在位于 上述芯片區(qū)域的周緣部的上述層間絕緣膜中形成連續(xù)圍繞上述芯片區(qū)域的 密封環(huán)的工序；在設(shè)置有上述布線(xiàn)和上述密封環(huán)的上述層間絕緣膜上形成第一保護(hù)膜 的工序；以及將從上述芯片區(qū)域來(lái)看位于上述密封環(huán)外側(cè)的上述第一保護(hù)膜薄膜化 的工序。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。其目的在于通過(guò)防止因切割晶片時(shí)在芯片側(cè)面所產(chǎn)生的碎片和破損等傳播到芯片區(qū)域內(nèi)，來(lái)防止半導(dǎo)體裝置的可靠性及耐濕性的下降。在形成在基板(101)上的層間絕緣膜(105)及(107)形成有連續(xù)圍繞芯片區(qū)域(102)的密封環(huán)(104)。在層間絕緣膜(107)上形成有從芯片區(qū)域(102)來(lái)看在密封環(huán)(104)外側(cè)具有開(kāi)口部(131)的第一鈍化膜(109)。
文檔編號(hào)H01L23/58GK101290912SQ20081008355
公開(kāi)日2008年10月22日 申請(qǐng)日期2008年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月19日
發(fā)明者伊藤豐, 佐野光, 小池功二, 平野博茂, 竹村康司 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社