專利名稱：顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置、用于驅(qū)動(dòng)該顯示裝置的方法、和電 子設(shè)備。更具體地，本發(fā)明涉及一種平板型顯示裝置、用于驅(qū)動(dòng)該 顯示裝置的方法、和采用了該顯示裝置的電子設(shè)備，在平板型顯示 裝置中，每個(gè)均包括光電元件的像素電路經(jīng)布置形成矩陣。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在用于顯示圖像的顯示裝置領(lǐng)域中，每個(gè)均包括發(fā)光 元件的像素(像素電^0經(jīng)布置形成矩陣的平板型顯示裝置已快速 普及。包括在平板型顯示裝置中的每個(gè)像素電路中的發(fā)光元件是所 謂電流驅(qū)動(dòng)型的光電元件，其中，由元件發(fā)出的光束的亮度隨著流 過(guò)該元件的電流的大小而改變。將采用這種光電元件的有4幾EL(電 致發(fā)光)顯示裝置的開(kāi)發(fā)成商品已取得基站。所謂電流驅(qū)動(dòng)型的光 電元件的實(shí)例是以當(dāng)向有才幾力莫施加電場(chǎng)時(shí)通過(guò)元件產(chǎn)生光束的現(xiàn)象 為基礎(chǔ)才乘作的有機(jī)EL元件。有機(jī)EL顯示裝置具有以下特性。有機(jī)EL顯示裝置中所采用的 有機(jī)EL元件能被被所施加的不超過(guò)10V的電壓驅(qū)動(dòng)，從而元件的功耗低。另夕卜，由于有機(jī)EL元件是發(fā)光元件，因此，有機(jī)EL顯示 裝置能夠顯示比用于通過(guò)控制由包括在液晶顯示裝置的每個(gè)像素電 路中的液晶晶元中的稱為背光的光源所產(chǎn)生的光束的強(qiáng)度顯示圖像 的液晶顯示裝置更可見(jiàn)的圖^象。除此之外，因?yàn)橛胁艓譋L顯示裝置 不需要諸如液晶顯示裝置所必需的背光的照明元件，所以能夠輕易 地將有一幾EL顯示裝置制得4艮輕并4艮薄。此外，有纟幾EL元件具有^是 供了約幾微秒的短響應(yīng)時(shí)間的超高速度。因此，在顯示運(yùn)動(dòng)圖像的 才喿作中不會(huì)產(chǎn)生余<象(residual image )。與液晶顯示裝置非常類似，可以采用無(wú)源矩陣方法或者有源矩 陣方法作為用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL顯示裝置的方法。然而，即使采用無(wú) 源矩陣方法的有機(jī)EL顯示裝置具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，該裝置仍會(huì)出現(xiàn)諸 如難以實(shí)現(xiàn)具有高分辨率的大顯示屏的問(wèn)題。鑒于上述原因，采用有源矩陣方法的有才幾EL顯示裝置發(fā)展迅 速。根據(jù)此有源矩陣方法，在與光電元件相同的像素電路中設(shè)置光 電元件。有源元件用于控制流過(guò)光電元件的電流。有源元件的實(shí)例 是通常為T(mén)FT (薄膜晶體管)的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于釆用 了有源矩陣方法的有才幾EL顯示裝置中的每個(gè)光電元件會(huì)4吏所生成 的光束持續(xù)1幀的周期，因此該裝置可用于實(shí)現(xiàn)具有高分辨率的大 顯示屏。順l更，已知有才幾EL元件的I-V特性(即，電流-電壓特性)在 所謂的老化過(guò)程中隨時(shí)間而劣化。在采用了用于控制流過(guò)有4幾EL 元件的電流的N-溝道TFT的像素電路中，有機(jī)EL元件連接至下文 中被稱為驅(qū)動(dòng)晶體管的晶體管的源極。因此，當(dāng)有機(jī)EL元件的I-V 特性劣化時(shí)，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間的電壓Vgs改變。 因此，由有才幾EL元件產(chǎn)生的光束的強(qiáng)度也改變。更具體地，通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī)EL元件的才乘作點(diǎn)來(lái)確定存在于驅(qū)動(dòng)晶體管的源極的電位。當(dāng)有機(jī)EL元件的I-V特性劣化時(shí)， 驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī)EL元件的操作點(diǎn)改變。因此，即使在驅(qū)動(dòng)晶體 管和有機(jī)EL元件的操作點(diǎn)改變后施加至晶體管的柵極的電壓保持 與驅(qū)動(dòng)晶體管和有才幾EL元件的才喿作點(diǎn)變化前同才羊的電平(level )， 存在于驅(qū)動(dòng)晶體管的源極處的電位仍改變。因此，存在于驅(qū)動(dòng)晶體 管的柵極和源才及之間的電壓Vgs同樣也改變，從而導(dǎo)致流過(guò)晶體管 的電流和流過(guò)有才幾EL元件的電流改變。因此，由于流過(guò)有才幾EL元 件的電流改變，所以由有機(jī)EL元件產(chǎn)生的光束的強(qiáng)度同樣也改變。另外，在像素電路采用多晶硅TFT的情況下，不僅有機(jī)EL元 件的I-V特性隨時(shí)間而劣化，而且驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth和構(gòu) 成晶體管的溝道的半導(dǎo)體膜的遷移率|Ll也隨時(shí)間改變。在以下描述 中，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道的半導(dǎo)體膜的遷移率^皮稱為驅(qū)動(dòng)晶體 管的遷移率iu。除此之外，由于加工處理中的變化，驅(qū)動(dòng)晶體管的 閾4直電壓Vth和遷移率]d隨著《象素的不同而變4b。即，驅(qū)動(dòng)晶體管 的特性隨著像素的不同而變化。如果驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth和遷移率^隨著像素的不同而 各自變化，那么流過(guò)晶體管的電流也隨著《象素的不同而變化。因此， 即使向每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極施加相同的電壓，由有機(jī)EL元件產(chǎn)生的光束的亮度仍隨著像素的不同而變化。因此，屏幕喪失均勻性。為了防止在即使向每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極施加相同的電壓的情 況下由有才幾EL元件產(chǎn)生的光束的亮度仍隨著1"象素的不同而變化， 并因此防止在即<吏I-V特性隨時(shí)間而劣4匕和/或閾<直電壓Vth及遷移 率p隨時(shí)間改變的情況下受到有機(jī)EL元件的I-V特性的劣化和/或驅(qū) 動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth及遷移率p的改變的影響，必需為每個(gè)葉象 素電路提供補(bǔ)償功能和多種校正功能，這些功能在諸如專利參考1 (第2006-133542號(hào)日本專利特許公開(kāi))的文件中有所描述。補(bǔ)償功能是補(bǔ)償有機(jī)EL元件的特性變化的功能。校正功能包括閾值電 壓校正功能和遷移率校正功能。閾值電壓校正功能是對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管 的閾值電壓(Vth)變化進(jìn)行校正的功能。另一個(gè)方面，遷移率校正 功能是對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率(p)變化進(jìn)行校正的功能。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)專利參考1中所公開(kāi)的技術(shù)，為了防止即使向每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶 體管的柵極施加相同的電壓的情況下由有機(jī)EL元件產(chǎn)生的光束的 亮度仍隨著像素的不同而變化，并因此，防止在即使I-V特性隨時(shí) 間劣化和/或閾值電壓Vth及遷移率p隨時(shí)間而變化的情況下受到有 機(jī)EL元件的I-V特性的劣化和/或驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth及遷 移率p的變化的影響，每個(gè)像素電路設(shè)置有用于補(bǔ)償有機(jī)EL元件的 特性變化的補(bǔ)償功能、用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓(Vth)變化進(jìn) 行才交正的設(shè)置閾值電壓4交正功能、以及用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率 變化進(jìn)行校正的設(shè)置遷移率4交正功能。然而，通過(guò)為每個(gè)像 素電路設(shè)置這些功能，構(gòu)成像素電路的組件的數(shù)量增加，從而很難 使像素電路小型化，并因此4艮難提高顯示裝置的分辨率。為了減少構(gòu)成像素電路的組件和電路中所包括的配線的數(shù)目， 例如，可以采用提供以下配置的技術(shù)，在該配置中，能夠使提供給 像素電路中所采用的驅(qū)動(dòng)晶體管的電源電位互不相同。使提供給像 素電路中所采用的驅(qū)動(dòng)晶體管的電源電位互不相同的能力相當(dāng)于作 為用于控制有機(jī)EL元件的發(fā)光周期/非發(fā)光周期的功能提供給驅(qū)動(dòng) 晶體管的功能。因此，可能刪去用于控制有機(jī)EL元件的發(fā)光周期/ 非發(fā)光周期的晶體管。通過(guò)采用上述的方法，能夠最小化構(gòu)成像素電路的組件的數(shù)量。 更具體地，可將像素電路配置為包括寫(xiě)晶體管、保持電容器和驅(qū)動(dòng) 晶體管。寫(xiě)晶體管是用于對(duì)視頻信號(hào)的電壓進(jìn)行采樣并將采樣的電壓保持在像素電路中的晶體管。電壓保持電容器是用于保持由寫(xiě)晶 體管保持在像素電路中的釆樣信號(hào)電壓的電容器。驅(qū)動(dòng)晶體管是用
于基于由電壓保持電容器保持的信號(hào)電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的晶體管。
在上述配置中，驅(qū)動(dòng)晶體管還用作用于控制有機(jī)EL元件的發(fā) 光周期/非發(fā)光周期的晶體管。因此，能夠減少構(gòu)成像素電路的組件 的數(shù)量。在該配置中，提供給在像素電路中所采用的驅(qū)動(dòng)晶體管的 電源電4立可以乂人高電平變?yōu)?lt;氐電平，反之亦然。然而，3口果在已在 連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間的電壓保持電容器中保持用于 閾值電壓4交正的與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth相對(duì)應(yīng)的電壓以用于 后，提供給像素電路中所采用的驅(qū)動(dòng)晶體管的電源電位保持高電平， 則漏電流流向驅(qū)動(dòng)晶體管，從而如稍后詳細(xì)描述，不能執(zhí)行期望的 閾4直電壓一交正。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)明了一種能夠以以下配 置高度可靠地執(zhí)行期望的閾值電壓校正處理的顯示裝置驅(qū)動(dòng)晶體 管還用作用于控制光電元件的發(fā)光周期/非發(fā)光周期的晶體管；以及 為了控制光電元件的發(fā)光周期/非發(fā)光周期，提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的電 源電位乂人高電平變?yōu)?氐電平且反之亦然。另夕卜，發(fā)明人還發(fā)明了一 種用于驅(qū)動(dòng)該顯示裝置的方法以及采用了該顯示裝置的電子設(shè)備。
根據(jù)用于解決上述問(wèn)題的本發(fā)明，提供了一種顯示裝置，其包 括像素陣列部，包括經(jīng)布置形成矩陣的像素電路，該像素電路為 每個(gè)均具有光電元件、寫(xiě)晶體管、保持電容器、及驅(qū)動(dòng)晶體管的像
素電路，其中，寫(xiě)晶體管被配置為執(zhí)行電壓存儲(chǔ)處理以對(duì)視頻信號(hào) 進(jìn)行采樣并將采樣視頻信號(hào)存儲(chǔ)到像素電路中，保持電容器被配置 為保持由寫(xiě)晶體管存儲(chǔ)在像素電路中的采樣視頻信號(hào)，以及驅(qū)動(dòng)晶 體管被配置為基于由保持電容器保持的視頻信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)光電元件。 該顯示裝置還包括第一掃描裝置，連接至像素陣列部中的各行像素電路，用于以行為單位對(duì)像素陣列部中的像素電路執(zhí)行選擇性掃 描操作，并驅(qū)動(dòng)寫(xiě)晶體管中的每個(gè)以執(zhí)行電壓存儲(chǔ)處理；第二掃描 裝置，連接至像素陣列部中的各行像素電路，用于同步于由第一掃 描裝置所執(zhí)行的選擇性的掃描操作，向用于為每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管提供 電流的電源饋線提供第 一電位或低于第一電位的第二電位；以及控 制裝置，用于在電壓存儲(chǔ)處理之前并且與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓對(duì) 應(yīng)的電壓被保持在保持電容器中之后，在不早于由寫(xiě)晶體管執(zhí)行的 用于將視頻信號(hào)存儲(chǔ)在保持電容器中的電壓存儲(chǔ)處理的開(kāi)始的時(shí)間 為止的時(shí)期內(nèi)，使電源饋線保持浮接狀態(tài)。
在具有上述配置的顯示裝置以及采用該顯示裝置的電子設(shè)備 中，在通過(guò)寫(xiě)晶體管執(zhí)行的用于將視頻信號(hào)存儲(chǔ)在電壓保持電容器 中的電壓存儲(chǔ)處理之前將與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)的電壓保持 在電壓保持電容器中之后，在不早于電壓存儲(chǔ)處理的開(kāi)始的時(shí)間為 止的時(shí)期內(nèi)，使電源饋線保持浮接狀態(tài)。因此，漏電流不流向驅(qū)動(dòng) 晶體管。如果漏電流不流向驅(qū)動(dòng)晶體管，則存在于驅(qū)動(dòng)晶體管的源 極處的電位不改變。因此，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間的 電壓作為與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)的電壓維持在電壓保持電容
器中所保持的電壓處。因此，在隨后的用于將下一一見(jiàn)頻信號(hào)存^f諸于 電壓保持電容器中的電壓存儲(chǔ)處理中，能夠高度可靠地執(zhí)行期望的 閾^f直電壓4交正。
才艮據(jù)本發(fā)明，防止漏電流流向驅(qū)動(dòng)晶體管。因此，在用于將禍L 頻信號(hào)存儲(chǔ)在電壓保持電容器中的電壓存儲(chǔ)處理中，能夠高度可靠 地執(zhí)行期望的閾值電壓校正。因此，能夠使恒定電流作為不受隨著 時(shí)間改變的驅(qū)動(dòng)晶體管中的閾值電壓的變化和/或驅(qū)動(dòng)晶體管閾值 電壓改變的影響的電流流向光電元件。因此，能夠獲得具有高質(zhì)量 的顯示圖像。


圖1是粗略示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的配 置的系統(tǒng)配置示圖2是示出了在有機(jī)EL顯示裝置中所采用的像素(或者像素 電路)的典型具體配置的電路圖3是示出了像素電路的典型截面結(jié)構(gòu)的示圖4是示出了將在由根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的 電路所執(zhí)行的操作的描述中涉及的時(shí)序圖的說(shuō)明圖5A ~圖6E是在由4艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的 電路所執(zhí)行的操作的描述中的說(shuō)明圖7是在由驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth隨像素的不同而變化所 引起的問(wèn)題的描述中涉及的示例性特性圖8是在由驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率p隨像素的不同而變化所引起 的問(wèn)題的描述中涉及的示例性特性圖9A 圖9C是示出了在閾值電壓和遷移率校正處理的效果的
流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極-源才及電流Ids之間的關(guān)系的曲線的示圖10是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的控制裝置的典型配置的電路
圖11是示出了在由根據(jù)第一實(shí)施例的控制裝置所執(zhí)行的操作 的描述中涉及的時(shí)間圖的i兌明圖；圖12是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的控制裝置的典型配置的電路
圖13是示出了在由根據(jù)第二實(shí)施例的由控制裝置所執(zhí)行的操 作的描述中涉及的時(shí)間圖的i兌明圖14是示出了根據(jù)第三實(shí)施例的控制裝置的典型配置的電路
圖15是示出了在由根據(jù)第三實(shí)施例的控制裝置所執(zhí)行的操作 的描述中涉及的時(shí)間圖的說(shuō)明圖16是示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電視機(jī)的透視圖的示
圖17A是示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)的前側(cè)的透 一見(jiàn)圖的示圖17B是示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)的后側(cè)的透 一見(jiàn)圖的示圖18是示出了應(yīng)用4艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的筆記本式個(gè)人計(jì)算枳j 的透一見(jiàn)圖的示圖19是示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的攝影機(jī)的透視圖的示
圖20A是示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用作^^攜式終端的手 才幾的正面的示圖20B是示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的手機(jī)的側(cè)面的示圖；圖20C是示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處于折疊狀態(tài)的手機(jī) 的正面的示圖20D是示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處于折疊狀態(tài)的手機(jī) 的左側(cè)面的示的右側(cè)面的示圖20F是示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處于折疊狀態(tài)的手機(jī) 的頂部的示圖；以及
的底部的示圖。
具體實(shí)施例方式
如下將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1是粗略示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有源矩陣顯示裝置的配 置的系統(tǒng)配置示圖。此典型配置包括每個(gè)均產(chǎn)生亮度由流過(guò)該元件 的電流確定的光束的電流驅(qū)動(dòng)光電元件。即，典型的有源矩陣顯示 裝置是采用了每個(gè)均用作光電元件的發(fā)光元件的有源矩陣有才幾EL
如圖l所示，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置IO采用像素 陣列部30，包括經(jīng)二維布置形成矩陣的像素電路(PXLC) 20;以 及放置在像素陣列部30周?chē)鳛橛糜隍?qū)動(dòng)像素電路20的部件的驅(qū) 動(dòng)部。驅(qū)動(dòng)部通常具有寫(xiě)掃描電^各40、電源々貴線掃描電^各50和水 平驅(qū)動(dòng)電3各60。<象素陣列部30中的像素電路20形成了 m行和n列的矩陣。m 行分別連接至m條掃描線31-1 ~31-m，并且還分別連接至m條電 源饋線32-l 32-m。另一方面，n列分別連接至n條信號(hào)線33-l 33-n。
像素陣列部30通常被制造在諸如玻璃基板的透明絕緣基才反上， 并且像素陣列部30具有板(平面)結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^(guò)利用非晶硅TFT (薄膜晶體管)或者低溫多晶硅TFT制造每個(gè)像素電路。如果使用 低溫多晶硅TFT,則寫(xiě)掃描電路40、電源饋線掃描電路50和水平 驅(qū)動(dòng)電路60也被制造在其上制造有素陣列部30的顯示面板(基才反) 70上。
寫(xiě)掃描電路40通常采用用于同步于時(shí)鐘脈沖ck使開(kāi)始脈沖sp 移位(移動(dòng))的移位寄存器。為了執(zhí)行將視頻信號(hào)寫(xiě)入像素陣列部 30的像素電路20的操作，寫(xiě)掃描電路40將連續(xù)掃描信號(hào)WS1 ~ WSm分別提供給掃描線31-l~31-m，從而在所謂的逐行掃描操作 (row sequential scan operation )中以4亍為單4立只寸4象素電3各20進(jìn)4亍順 序掃描。
電源饋線掃描電路50通常也采用用于同步于時(shí)鐘脈沖ck使開(kāi) 始脈沖sp移位(移動(dòng))的移位寄存器。同步于由寫(xiě)掃描電^各40所 執(zhí)行的逐行掃描操作，電源饋線掃描電路50分別向電源饋線32-1 ~ 32-m才是供電源〃晴線電<立DS1 -DSm。電源々貴線電^f立DS1 ~ DSm均 從低第二電位Vini切換到高第一電位Vccp，其中，低第二電位Vini j氐于高第一電^立Vccp。
水平驅(qū)動(dòng)電路60適當(dāng)?shù)剡x沖奪表示視頻信號(hào)的電壓Vsig或偏置 電壓Vofs。表示—見(jiàn)頻信號(hào)的電壓Vsig隨著由信號(hào)才是供源(圖中未示 出)才是供的亮度信息而變化。然后，水平驅(qū)動(dòng)電^各60通常以列為單 位通過(guò)信號(hào)線33-1 ~ 33-n將所選的電壓Vsig或Vofs同時(shí)提供給像素陣列部30的像素電路20。即，在所謂的寫(xiě)逐行寫(xiě)驅(qū)動(dòng)操作中， 水平驅(qū)動(dòng)電^各60以列為單位同時(shí)將輸入信號(hào)電壓Vsig (或偏置電 壓Vofs ) 4是供給所有<象素電3各。
偏置電壓是用作表示視頻信號(hào)的電壓Vsig的基準(zhǔn)的電壓。通 常，表示—見(jiàn)頻信號(hào)的電壓Vsig的基準(zhǔn)對(duì)應(yīng)于一見(jiàn)頻信號(hào)的黑色電平。 在以下描述中，表示一見(jiàn)頻信號(hào)的電壓Vsig也凈皮稱為輸入信號(hào)電壓 Vsig或僅稱為信號(hào)電壓Vsig。另夕卜，低第二電位Vini是比偏置電壓 Vofs低很多的電位。
(像素電路)
圖2是示出了像素(或像素電路)20的典型具體配置的電路圖。 如圖2所示，像素電路20采用有機(jī)EL元件21作為用于產(chǎn)生亮度 由流過(guò)元件的電流確定的光束的電流驅(qū)動(dòng)光電元件。除了有4幾EL 元件21外，像素電路20還采用驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫(xiě)晶體管23、電壓 保持電容器24和輔助電容器25。
在上述電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫(xiě)晶體管23均是N溝道TFT。 然而，N溝道導(dǎo)通型的驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫(xiě)晶體管23只不過(guò)是一個(gè) 典型。即，驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫(xiě)晶體管23的導(dǎo)通型決不限于N溝道
導(dǎo)通型。
有機(jī)EL元件21的陰極連接至與所有像素電路20連接的共用 電源饋線34。驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極連接至有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極， 驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極連接至電源4t線32 (或者，更具體地，電源 々貴線32-1 ~ 32-m中對(duì)應(yīng)的一條)。
寫(xiě)晶體管23的柵極連接至掃描線31 (或者，更具體地，掃描 線31-1 ~31-m中對(duì)應(yīng)的一條)。寫(xiě)晶體管23的源極和漏極中的一個(gè) 連接至信號(hào)線33(或者，更具體地，信號(hào)線33-l 33-n中對(duì)應(yīng)的一條)，而寫(xiě)晶體管23的源極和漏極中的另一個(gè)連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22 的柵極。電壓保持電容器24的一端也連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極， 而電壓保持電容器24的另一端連4妄至驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極和有才幾 EL it/f牛21的陽(yáng)才及。
輔助電容器25的一端連接至有機(jī)EL元件21的陽(yáng)4及(或者， 即，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極)，而輔助電容器25的另一端連接至有機(jī) EL元件21的陰極。如上所述，有才幾EL元件21的陰極連接至共用 電源饋線34。連接至有才幾EL元件21從而以此方式形成平行電^各的 輔助電容器25起到用于補(bǔ)償有機(jī)EL元件21的電容不足(shortage ) 的輔助有才幾EL元件21的作用。因此，輔助電容器25并不是絕對(duì) 必需的組件。即，如果有機(jī)EL元件21具有足夠的電容，則可以省 略輔助電容器25。
在具有上述配置的<象素電3各20中，當(dāng)通過(guò)掃描線31將寫(xiě)掃描 電路40所產(chǎn)生的掃描信號(hào)WS施加至寫(xiě)晶體管23的柵極時(shí)，寫(xiě)晶 體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。在此導(dǎo)通狀態(tài)下，寫(xiě)晶體管23對(duì)由水平驅(qū) 動(dòng)電路60通過(guò)信號(hào)線33提供的輸入信號(hào)電壓Vsig (作為表示光束 的亮度的視頻信號(hào)電壓)進(jìn)行采樣、或者對(duì)由水平驅(qū)動(dòng)電路60通過(guò) 信號(hào)線33提供的偏置電壓Vofs進(jìn)行采樣，然后將所采樣的電壓寫(xiě) 入像素電路20。更具體地，寫(xiě)晶體管23將所采樣的輸入信號(hào)電壓 Vsig或者所采樣的偏置電壓Vofs保持在電壓保持電容器24中。
由于電源々貴線32 (或者，更具體地，電源々貴線32-1 ~32-m中 對(duì)應(yīng)的一條)的電位DS,皮為高第一電位Vccp，所以驅(qū)動(dòng)晶體管22 接收來(lái)自電源饋線32的電流，并將該電流作為用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元 件21的驅(qū)動(dòng)電流提供給有機(jī)EL元件21。驅(qū)動(dòng)電流的大小由在電壓 保持電容器24中所保持的輸入信號(hào)電壓Vsig確定。
(像素電路結(jié)構(gòu))圖3是示出了〗象素電^各20的典型截面結(jié)構(gòu)的示圖。如圖3所示， 像素電路20被做成通過(guò)在玻璃基板201上構(gòu)造絕緣膜202和窗式 (wind)絕緣膜203而獲得的配置，在玻璃基板上已制造了包括驅(qū) 動(dòng)晶體管22和寫(xiě)晶體管23的像素電路20。有才幾EL元件21被設(shè)置 在窗式絕^彖月莫203中的齒(dent) 203A中。
有才幾EL元件21具有陽(yáng)才及電極204 、有機(jī)層205和陰才及電極206。 陽(yáng)極電才及204由包4舌制造在窗式絕》彖膜203的齒203A的底部的金 屬的材料制成。制造在陽(yáng)極電極204上的有機(jī)層205包括電子傳輸 層2053、發(fā)光層2052和空穴傳輸層/空穴注入層2051。制造在有積j 層205上的陰極電極206由包括所有像素電路20共用的透明導(dǎo)通膜 的材料制成。
通過(guò)順序堆積空穴傳輸層/空穴注入層2051、發(fā)光層2052、電 子傳專IT層2053和附圖中未示出的電子注入層以在陽(yáng)才及電才及204上形 成層壓堆疊層來(lái)制造有才幾EL元件21的有才幾層205。由圖2所示的 驅(qū)動(dòng)晶體管22產(chǎn)生的電流作為驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)陽(yáng)極電極204從驅(qū)動(dòng)晶 體管22流向有才幾層205。因此，當(dāng)空穴在發(fā)光層2052中與電子重 新結(jié)合時(shí)，有機(jī)層205的發(fā)光層2052產(chǎn)生光。
在在玻璃基板201上構(gòu)造有機(jī)EL元件21以對(duì)每個(gè)像素電路20 使絕緣膜202和風(fēng)絕緣膜203夾在有機(jī)EL元件21和玻璃基板201 之間之后，通過(guò)粘合層209將密封基板208粘連至鈍化膜207,在 玻璃基板201上已制造包括驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫(xiě)晶體管23的像素電 路20。以此方式，密封基板208密封有機(jī)EL元件21以最終得到顯 示面纟反70。
(閾值電壓校正功能)當(dāng)水平驅(qū)動(dòng)電路60在寫(xiě)晶體管23已處于導(dǎo)通狀態(tài)之后將偏置 電壓Vofs提供給每條信號(hào)線33 (即，信號(hào)線33-l~33-n)時(shí)，電 源々貴線掃描電3各50將由此在電源饋線32上確定的電^f立DS從4氐第 二電位Vini切換為高第一電位Vccp。通過(guò)〗吏存在于電源々貴線32上 的電位DS從低第二電位Vini切換為高第一電位Vccp，在電壓保持 電容器24中保持對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的電壓。
由于以下所述的原因，需要將對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓 Vth的電壓保持在電壓保持電容器24中。由于制造驅(qū)動(dòng)晶體管22 的工藝隨時(shí)間的變化以及特性隨時(shí)間的改變，驅(qū)動(dòng)晶體管22的特性 會(huì)隨著像素的不同而變化。驅(qū)動(dòng)晶體管22的特性包括閾值電壓Vth 和遷移率p。晶體管特性的變化導(dǎo)致即使向像素電路20的驅(qū)動(dòng)晶體 管22的才冊(cè)才及施力口相同電位，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏才及和源極之間流 動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流Ids仍隨著4象素的不同而變化。因此，由有才幾EL元件 21產(chǎn)生的光束的亮度也隨像素的不同而變化。為了抵消(或4交正) 閾4直電壓Vth隨{象素的不同而變〗匕的效應(yīng)，需要預(yù)先在電壓4呆持電 容器24中保持對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的電壓。
如下4交正驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾^f直電壓Vth。通過(guò)預(yù)先在電壓^f呆持 電容器24中存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓，在通過(guò)稍后將輸入信 號(hào)電壓Vsig通過(guò)寫(xiě)晶體管23施加至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極來(lái)驅(qū)動(dòng)驅(qū) 動(dòng)晶體管22的操作中，通過(guò)預(yù)先作為對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓而 保持在電壓保持電容器24中的電壓來(lái)抵消驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電 壓Vth。換句話說(shuō)，在將輸入信號(hào)電壓Vsig通過(guò)寫(xiě)晶體管23施加 至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極來(lái)驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的操作之前，預(yù)先校 正驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。
在電壓保持電容器24中預(yù)先保持對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值 電壓Vth的電壓的功能稱為閾值電壓校正功能。通過(guò)執(zhí)行此閾值電 壓才交正功能，在由于制造驅(qū)動(dòng)晶體管22的處理變化以及由于晶體管的特性隨時(shí)間的變化而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth隨著像素 的不同而變化的情況下，能夠消除閾值電壓Vth隨著像素的不同而 變化的效應(yīng)。因此，由有機(jī)EL元件21產(chǎn)生的光束的亮度能夠維持 恒定值。稍后將描述閾值電壓校正操作的原理。
(遷移率校正功能)
除了上述的閾值電壓校正功能夕卜，圖2所示的像素電路20還設(shè) 置有遷移率校正功能。如下沖丸行遷移率校正功能。當(dāng)水平驅(qū)動(dòng)電3各 60在寫(xiě)晶體管23已處于導(dǎo)通狀態(tài)之后，響應(yīng)于由寫(xiě)掃描電路40分 別提供給掃描線31-1 ~ 31-m的掃描信號(hào)WS1 ~ WSm之一，將輸入 的信號(hào)電壓Vsig提供給每條信號(hào)線33 (即，信號(hào)線33-1 ~33-n ) 時(shí)，即，在遷移率校正期間，在電壓保持電容器24中併"持輸入信號(hào) 電壓Vsig的操作中執(zhí)行遷移率校正處理，作為用于消除驅(qū)動(dòng)晶體管 22的漏極和源極之間流過(guò)的驅(qū)動(dòng)電流Ids對(duì)遷移率p的依賴的處理。 稍后將描述遷移率校正功能的具體原理和具體操作。
(自舉功能)
圖2所示的像素電路20還設(shè)置有如下工作的自舉功能。在已在 電壓保持電容器24中保持輸入信號(hào)電壓Vsig的階段，為了使寫(xiě)晶 體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)，寫(xiě)掃描電路40從掃描線31 (即，掃描線 31-1 ~31-m中對(duì)應(yīng)的一條)耳又出掃描信號(hào)WS(即，掃描信號(hào)WS1 ~ WSm之一 )。非導(dǎo)通狀態(tài)使驅(qū)動(dòng)晶體管22的棚-極與信號(hào)線33 (即， 信號(hào)線33-l~33-n中對(duì)應(yīng)的一條)電斷開(kāi)，并4吏驅(qū)動(dòng)晶體管22的 4冊(cè)極處于浮接狀態(tài)。
由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極處于浮接狀態(tài)，所以電壓保持電容器 24連接在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間，從而存在于柵極上的 電位Vg將以連動(dòng)的方式跟隨存在于源極上的電位Vs。因此，即使存在于源極上的電位VS改變，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的4冊(cè)極和源核^
之間的電壓Vgs仍理想地4呆持恒定值。
用于通過(guò)使存在于柵才及上的電位Vg以連動(dòng)的方式s艮隨存在于 源極上的電位Vs而4吏存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的4冊(cè)極和源才及之間的電 壓Vgs理想地保持恒定值的操作被稱為自舉操作。通過(guò)執(zhí)行此自舉 操作，即使有機(jī)EL元件21的特性隨時(shí)間而改變，由有才幾EL元件 21產(chǎn)生的光束的亮度仍能夠保持恒定值。
也就是說(shuō)，即使由于有機(jī)EL元件21的I-V特性隨時(shí)間而變化 而4吏存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源才及上的電位Vs改變，自舉#:作的4丸 行仍使存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間的電壓Vgs保持恒 定值。因此，流過(guò)有才幾EL元件21的驅(qū)動(dòng)電流不變化。對(duì)應(yīng)地，由 有機(jī)EL元件21產(chǎn)生的光束的亮度也能夠保持恒定值。因此，即使 有機(jī)EL元件21的I-V特性隨時(shí)間而變化，仍有可能執(zhí)行亮度不伴 隨I-V特性的改變而劣化的圖像顯示。
(本實(shí)施例的特性)
在具有作為上述閾值電壓校正、遷移率校正和自舉功能之一的 閾值電壓校正功能的有機(jī)EL顯示裝置10的情況下，本實(shí)施例的特 性在于，為了能夠理想地執(zhí)行閾值電壓校正操作，在通過(guò)寫(xiě)晶體管 23執(zhí)行的將表示視頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)入電壓保持電容 器24的操作之前，并且在通過(guò)寫(xiě)晶體管23將對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22 的閾值電壓Vth的電壓存儲(chǔ)在電壓保持電容器24中之后，在不早于 寫(xiě)輸入信號(hào)電壓Vsig的操作的開(kāi)始的時(shí)間為止的時(shí)期內(nèi)，電源饋線 32 (即，電源饋線32-1 ~32-m中對(duì)應(yīng)的一條)處于浮4妾狀態(tài)。稍后 將描述用于使電源々貴線32處于浮接狀態(tài)的具體實(shí)施例。
(電路操作)以下將通過(guò)參考圖4的時(shí)序圖以及圖5A~圖6E中的說(shuō)明操作 示圖來(lái)闡述由根據(jù)該實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置IO執(zhí)行的操作。應(yīng) 注意，為簡(jiǎn)化圖5A~圖6E中的i兌明才乘作示圖，寫(xiě)晶體管23作為 表示開(kāi)關(guān)的符號(hào)而示出。另夕卜，在附圖中，電容器Csub作為表示輔 助電容器25和有機(jī)EL元件21的寄生電容器的組合電容器而示出。在圖4所示的時(shí)序圖中，水平軸是被圖表共用的時(shí)間軸。時(shí)序 圖示出了沿時(shí)間軸的多種改變。時(shí)序圖中所示的改變?yōu)楸硎敬嬖?于掃描線31 (表示掃描線31-1 ~ 31-m )上的掃描信號(hào)WS的電位的 改變、存在于電源々貴線32 (表示電源々貴線32-l~32-m)上的電位 DS的改變、存在于信號(hào)線33 (表示信號(hào)線33-l-33-n)上的電位 的改變(從Vofs ~ Vsig,反之亦然)、存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極 上的電位Vg的改變、以及存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源才及上的電位 Vs的改變。<不發(fā)光時(shí)期〉如圖5所示，在圖4所示的時(shí)序圖中的時(shí)間tl之前，電源々貴線 32維持在不向驅(qū)動(dòng)晶體管22提供電流的浮接狀態(tài)。因此，有機(jī)EL 元件21保持不發(fā)光狀態(tài)。<閾值電壓才交正準(zhǔn)備時(shí)期>在時(shí)間tl ，像素電路20進(jìn)入逐行掃描處理的新掃描場(chǎng)(field )。 此時(shí)，如圖5B所示，存在于電源饋線32上的電位DS從浮接狀態(tài) 切換到充分^氐于存在于信號(hào)線33上的偏置電壓Vofs的^(氐第二電位 Vini。用符號(hào)Vel表示有機(jī)EL元件21的閾值電壓，符號(hào)Vcath表示 存在于共用電源饋線34上的電位。另外，假設(shè)低第二電位Vini滿 足關(guān)系式Vini< ( Vel +體管22的源極上的電位Vs約等于低第二電位Vini，所以有機(jī)EL 元件21處于反偏壓狀態(tài)。然后，在時(shí)間t2，存在于掃描線31上的電位WS ,人低電平變 為高電平，從而如圖5C所示，寫(xiě)晶體管23處于導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)， 由于水平驅(qū)動(dòng)電路60已向信號(hào)線33提供偏置電壓Vofs,因此存在 于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg同樣也祐 沒(méi)為偏置電壓Vofs。 另夕卜，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs被設(shè)為充分低于偏 置電壓Vofs的4氐第二電^f立Vini。因此，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵-極和源才及之間的電壓Vgs變 得等于差(Vofs-Vini)。如果差(Vofs-Vini)不大于驅(qū)動(dòng)晶體管 22的閾值電壓Vth，則不能執(zhí)行前述的閾值電壓校正操作。因此， 必需設(shè)置(Vofs - Vini) 〉 Vth的電位關(guān)系式。將通過(guò)將電位Vg定 為(或者固定i也i殳置為)偏置電壓Vofs初始4匕存在于驅(qū)動(dòng)晶體管 22的柵極上的電位Vg的操作以及通過(guò)將電位Vs定為(或者固定 地設(shè)置為)低第二電位Vini初始化存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源才及上 的電位Vs的操作稱為閾值電壓校正準(zhǔn)備操作。<閾^直電壓4交正時(shí)期〉然后，在時(shí)間t3,如圖5D所示，存在于電源^f線32上的電位 DS從低第二電位Vini變?yōu)楦叩谝浑娢籚ccp。此時(shí)，存在于驅(qū)動(dòng)晶 體管22的源極上的電位Vs開(kāi)始升高。在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候，存在于驅(qū)動(dòng) 晶體管22的柵極和源極之間的電壓Vgs變得等于驅(qū)動(dòng)晶體管22的 源極的閾值電壓Vth，從而將對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓的電 壓保持在電壓保持電容器24中。此處，為了方便，將對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的 電壓保持在電壓保持電容器24中的時(shí)間稱為閾值電壓校正時(shí)期。應(yīng)注意，為了在閾值電壓校正時(shí)期內(nèi)使電流只流向電壓保持電容器24 而沒(méi)有4壬4可電流流向有才幾EL元件21，需要通過(guò)將共用電源饋線34 設(shè)為電位Vcath而使有機(jī)EL元件21處于截止?fàn)顟B(tài)。然后，在時(shí)間t4，如圖5E所示，存在于電源饋線32上的電位 DS從高第一電位Vccp變?yōu)楦〗訝顟B(tài)，從而結(jié)束閾值電壓4交正時(shí)期。然后，在時(shí)間t5，如圖6A所示，存在于掃描線31上的電4立 WS從高電平變?yōu)榈碗娖?，從而使?xiě)晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)。此 時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極處于浮接狀態(tài)，并且由于存在于驅(qū)動(dòng)晶體 管22的4冊(cè)才及和源才及之間的電壓Vgs約等于馬區(qū)動(dòng)晶體管22的閾^f直電 壓Vth,所以驅(qū)動(dòng)晶體管22處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，漏極-源極電流 Ids不流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22。然后，在時(shí)間t6，如圖6B所示，存在于信號(hào)線33上的電位從 偏置電壓Vofs變?yōu)楸硎炬?jiàn)頻"f言號(hào)的^T入^言號(hào)電壓Vsig。<寫(xiě)入時(shí),月〉然后，在時(shí)間t7，如圖6C所示，存在于掃描線31上的電位 WS從低電平變到高電平，從而使寫(xiě)晶體管23處于導(dǎo)通狀態(tài)。在此 導(dǎo)通狀態(tài)中，寫(xiě)晶體管23采樣表示視頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig, 然后通過(guò)將輸入信號(hào)電壓Vsig存儲(chǔ)在電壓保持電容器24中，將所 采樣的輸入信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)入像素電路20。作為通過(guò)寫(xiě)晶體管23 將輸入信號(hào)電壓Vsig保持在電壓保持電容器24中而才丸4亍的才喿作的 結(jié)果，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的棚4及上的電位Vg變得等于，lr入信號(hào) 電壓Vsig。<遷移率一交正時(shí)期>然后，在時(shí)間t8，如圖6D所示，存在于電源饋線32上的電位 DS從浮接狀態(tài)變?yōu)楦叩谝浑娢籚ccp。由于電源饋線32的電位DS 變?yōu)楦叩谝浑奮f立Vccp，所以對(duì)應(yīng)于^T入1言號(hào)電壓Vsig的電流乂人電 源々貴線32 -危向-驅(qū)動(dòng)晶體管22。在所謂的閾值電壓4交正處理中，在利用對(duì)應(yīng)于輸入信號(hào)電壓 Vsig的電流驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的操作中，通過(guò)作為對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶 體管22的閾值電壓Vth的電壓而預(yù)先保持在電壓保持電容器24中 的電壓來(lái)抵消驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。稍后將闡述所謂的閾 值電壓4交正處理的原理。此時(shí)，由于有才幾EL元件21最初處于截止(高阻抗)狀態(tài)，因 此，與作為表示一見(jiàn)頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig而施加纟合信號(hào)線33 的電壓相對(duì)應(yīng)的乂人電源々貴線32流向驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏才及-源才及電流 Ids進(jìn)入與有機(jī)EL元件21并聯(lián)連接的電容器Csub。即，開(kāi)始充電 電容器Csub的處理。充電電容器Csub的處理使得存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的 電位Vs隨時(shí)間而升高。此時(shí)，已4交正驅(qū)動(dòng)晶體管22的闊值電壓 Vth的變化。然而，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids取決于 驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率M。在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源才及上的電位Vs升高 為電平(Vofs - Vth + AV )，從而存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的斥冊(cè)才及和源 極之間的電壓Vgs等于(Vsig-Vofs +Vth-AV)。即，存在于驅(qū)動(dòng) 晶體管22的柵極和源極之間的電壓Vgs被設(shè)置的電平(Vsig - Vofs + Vth-AV)是從電壓保持電容器24所保持的電壓(Vofs-Vth + △V)中減去存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位的增量AV而得 到的負(fù)反饋的結(jié)果。換句話說(shuō)，負(fù)反饋起到放電電壓保持電容器24 的作用。因此，電位Vs的增量AV是負(fù)反饋的反饋量。通過(guò)如上所述將與流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏才及-源4及電流Ids成 比例的負(fù)反饋量AV反饋給驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極，即，通過(guò)將負(fù)反 々貴量AV施加纟會(huì)存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的棚4及和源才及之間的電壓 Vgs，消除了流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏才及-源才及電流Ids對(duì)遷移率n的 依賴。即，執(zhí)行遷移率校正操作來(lái)校正遷移率ji的變化。
更具體地，表示視頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig越高，流過(guò)驅(qū)動(dòng) 晶體管22的漏極-源極電流Ids越大，從而，負(fù)反々貴的反々貴量AV的 絕對(duì)值變得越大。在以下的描述中，負(fù)反饋的反饋量AV也被稱為 校正量AV。因此，根據(jù)由有機(jī)EL元件21產(chǎn)生的光束的亮度級(jí)別 來(lái)執(zhí)行遷移率4交正才乘作。另外，由于一見(jiàn)頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig 保持恒定值，所以驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率ia越大，負(fù)反饋的負(fù)反饋 量AV的絕對(duì)值就越大。因此，能夠消除遷移率p由于像素的不同的 變化。稍后將闡述遷移率校正操作的原理。
<發(fā)光時(shí)期>然后，在時(shí)間t9，如圖6E所示，存在于掃描線31上的電位 WS從高電平變?yōu)榈碗娖?，從而使?xiě)晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)。在 此狀態(tài)中，驅(qū)動(dòng)晶體管22的相H及與信號(hào)線33斷開(kāi)。同時(shí)，漏才及-源極電流Ids開(kāi)始流過(guò)有才幾EL元件21, /人而存在于有才幾EL元件 21的陽(yáng)才及上的電位隨漏才及-源才及電流Ids而升高。存在于有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極上的電位的升高只是存在于驅(qū)動(dòng) 晶體管22的源極上的電位Vs的升高。由于存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22 的源極上的電位Vs升高，所以存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電 位Vg也由于電壓^f呆持電容器24的自舉才喿作而以連動(dòng)方式升高。此 時(shí)，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的4冊(cè)^l上的電位Vg的增量等于存在于驅(qū) 動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs的增量。因此，在發(fā)光時(shí)期內(nèi)，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間的電壓Vgs保持電平(Vsig -Vofs+Vth - AV )。然后，在時(shí)間t10,存在于信號(hào)線33上的電位從表示—見(jiàn)頻信號(hào) 的輸入信號(hào)電壓Vsig變?yōu)槠秒妷篤ofs。稍后，在時(shí)間tll，電源 饋線32進(jìn)入浮接狀態(tài)，從而停止從電源饋線32向驅(qū)動(dòng)晶體管22 提供漏極-源極電流Ids的操作。此時(shí)，發(fā)光時(shí)期結(jié)束。(閾值電壓校正的原理)以下將闡述用于4交正驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾^f直電壓Vth的操作的 原理。設(shè)計(jì)成能夠在飽和狀態(tài)操作，驅(qū)動(dòng)晶體管22用作恒定電流源。 因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22將驅(qū)動(dòng)電流Ids提供給有才幾EL元件21。下文 中還被稱為漏極-源極電流Ids的驅(qū)動(dòng)電流具有用以下等式(1 )表示 的固定大小。Ids = (1 /2) * (i(W/L)Cox(Vgs - Vth)2 ...(1)符號(hào)W表示驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道寬度，符號(hào)L表示驅(qū)動(dòng)晶體 管22的溝道長(zhǎng)度，符號(hào)Cox表示驅(qū)動(dòng)晶體管22的單位面積的柵極電容。圖7是每個(gè)均表示流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids和 存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間的柵極-源極電壓Vgs之間 的關(guān)系的典型特性曲線圖。如前所述，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓 Vth隨4象素的不同而變化。在通過(guò)附圖的典型特性曲線示出的典型 特性曲線的情況下，像素電路A中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth 是Vthl,而卩象素電^各B中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth是大于 Vthl的Vth2 (即，Vth2 > Vthl )。因此，對(duì)存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22 的柵極和源極之間的同樣的柵極-源極電壓Vgs，如果不4丸行閾值電 壓才交正才乘作，那么^象素電^各A的驅(qū)動(dòng)晶體管22就產(chǎn)生大于i"象素電路B的驅(qū)動(dòng)晶體管22產(chǎn)生的漏極-源極電流Ids2的漏極-源極電流 Idsl (即，Ids2<Idsl)。也就是說(shuō)，如果驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓 Vth變化，那么即^f吏施加至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間的柵才及 -源才及電壓Vgs ^f呆持不變，驅(qū)動(dòng)晶體管22產(chǎn)生的漏4及-源才及電流Ids 也仍然變4匕。另 一方面，在像素(或者像素電路)20具有上述配置的情況下， 存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的4冊(cè)極和源極之間的柵極-源極電壓Vgs如上 所述為(Vsig - Vofs + Vth - AV )。將(Vsig — Vofs + Vth - AV )耳又 代柵極-源極電壓Vgs插入等式(1 )得到漏極-源極電流Ids的如下 表達(dá)式Ids = (1 /2) * ja(W/L)Cox(Vsig - Vofs - △ V)2 ...(2)即，在被稱為閾值電壓校正操作的過(guò)程中，從等式(l)中消去 了驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth這一項(xiàng)，從而得到等式(2)所表 達(dá)的漏極-源極電流Ids。換句話說(shuō)，由于閾值電壓校正才乘作，馬區(qū)動(dòng) 晶體管22提供的漏極-源極電流Ids不再取決于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾 值電壓Vth。因此，對(duì)存在于柵4及和源極之間的給定柵4及-源極電壓 Vgs，即使由于制造驅(qū)動(dòng)晶體管22的處理變化和/或由于隨時(shí)間的改 變而使驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth隨著像素的不同變化，但是漏 極-源極電流Ids仍不變化。因此，對(duì)存在于4冊(cè)極和源極之間的給定 柵極-源極電壓Vgs,有機(jī)EL元件21產(chǎn)生具有亮度并不隨著^象素的 不同而變4匕并且不隨時(shí)間改變的光束。(遷移率4交正的原理)以下將闡述用于校正驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率的操作的原理。圖 8是示出了每個(gè)均表示流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids和柵 才及-源才及電壓Vgs (存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的棚-4及和源4及之間)之間 的關(guān)系典型特性曲線的示圖。如前所述，驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率/i隨著^f象素的不同而變化。在通過(guò)附圖的典型特性曲線示出的典型凈寺性曲線的情況下，像素電路A中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率^大于傳_ 素電路B中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率p。如果驅(qū)動(dòng)晶體管22是多 晶硅薄膜晶體管，則不能避免諸如遷移率p在像素電路A和B之間 的差別的像素-像素遷移率變化。如果驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率ju在4象素A和B之間有差別，那么 除非執(zhí)行用某種方法校正遷移率(A的處理，否則即使向像素電路A 和B施加同 一電平的輸入信號(hào)電壓Vsig,流過(guò)像素電路A (所具有 的驅(qū)動(dòng)晶體管22具有較大遷移率)Li)中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源 極電流Idsl，仍遠(yuǎn)大于流過(guò)像素電路B (所具有的驅(qū)動(dòng)晶體管22具 有較小遷移率M)中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids2'。如果 由于遷移率(p)如上所述隨像素的不同而變化，使得在一個(gè)〗象素 電路中流動(dòng)的漏極-源極電流Ids非常不同于在另 一個(gè)像素電路中流 動(dòng)的漏極-源極電流Ids,那么就失去了像素-電^各的 一致性。從由先前給出的等式(1 )表示的晶體管特性等式明顯看出，遷 移率p越大，漏才及-源才及電itlds越大。因此，遷移率p越大，負(fù)反饋 的反^t量AV就變得越大。如圖8所示，所具有的驅(qū)動(dòng)晶體管22帶 有4交大遷移率fi的像素電^各A的反々赍量AV1遠(yuǎn)大于所具有的驅(qū)動(dòng)晶 體管22帶有較小遷移率ji的像素電路B的反饋量AV2。在遷移率校 正處理中，驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids被負(fù)反饋給輸入信 號(hào)電壓Vsig側(cè)。在此負(fù)反々貴中，遷移率p越大，反々貴量AV就變得越大。因此，能夠抑制遷移率ILi的變化。更具體地，如果對(duì)所具有的驅(qū)動(dòng)晶體管22帶有4交大遷移率ji的 像素電路A執(zhí)行使用反饋量AV1的遷移率校正處理，則流過(guò)驅(qū)動(dòng) 晶體管22的漏極-源才及電流Ids從漏才及-源極電流Idsl，大幅度減小為 漏極-源纟及電流Idsl。另一方面，如果對(duì)所具有的驅(qū)動(dòng)晶體管22帶 有較小遷移率p的像素電路B執(zhí)行使用反饋量AV2的遷移率校正處理，則流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏才及-源一及電流Ids乂人漏才及源才及電流Ids2， 減少為漏極源極電流Ids2,但是漏極-源極電流Ids的減少并不像《象 素電路A那么大。這是由于施加給像素電路B的反饋量AV2小于 施加給像素電路A的反饋量AV1。因此，由于對(duì)遷移率ju進(jìn)行了遷 移率校正處理，所以流過(guò)像素電路A的驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源相_ 電流Idsl變得約等于流過(guò)像素電^各B的驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源扨_ 電流Ids2?？傊绻嬖诰哂胁煌坡蕄的像素電路A和B,則施加纟會(huì) 所具有的驅(qū)動(dòng)晶體管22帶有較大遷移率ju的像素電路A的反饋量 △VI大于施加纟會(huì)所具有的驅(qū)動(dòng)晶體管22帶有4交小遷移率jLi的^象素電 ^各B的反^t量AV2。即，^f象素電路的遷移率fi越大，施加纟會(huì)該寸象素 電^各的反^貴量AV就變得越大，并且漏極-源才及電流Ids減少的就越 多。因此，通過(guò)將驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏才及-源極電流Ids負(fù)反饋《會(huì)輸 入信號(hào)電壓Vsig側(cè)，能夠4吏流過(guò)作為具有不同遷移率ia的晶體管而 包括在像素電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源才及電流Ids的大d、一 致。因此，在遷移率校正處理中能夠消除遷移率)a的變化。圖9是每個(gè)均示出了在各種情況(既不執(zhí)行閾值電壓校正操作 也不執(zhí)行遷移率校正操作的情況、執(zhí)行閾值電壓校正搡作但不4丸行 遷移率校正操作的情況、以及既執(zhí)行閾值電壓校正操作又執(zhí)行遷移 率校正操作的情況)下的表示視頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig和流過(guò) 圖2所示的像素(或者像素電路)20的驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源^L 電流Ids之間的關(guān)系的多個(gè)示圖。更具體地，圖9A是示出了在既不執(zhí)行閾值電壓沖交正操作也不 執(zhí)行遷移率校正操作情況下的表示視頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig 與流過(guò)像素電路A和B中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids之 間的關(guān)系的示圖。圖9B是示出了在執(zhí)行閾值電壓校正操作但不執(zhí) 行遷移率校正操作情況下的表示視頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig與流過(guò)4象素電^各A和B中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏才及-源極電流Ids之間 的關(guān)系的示圖。圖9C是示出了在既執(zhí)行閾值電壓校正操作又執(zhí)行 遷移率校正操作情況下的表示視頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig與流 過(guò)像素電路A和B中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids之間的 關(guān)系的示圖。如圖9A所示，在既不執(zhí)行閾值電壓校正操作也不4丸 4亍遷移率校正操作的情況下，對(duì)相同的輸入信號(hào)電壓Vsig，由于閾 值電壓Vth和遷移率/i在像素電^各A與B之間的變化，所以漏才及-源才及電流Ids在像素電^各A與B之間的差另lU艮大。另一方面，如圖9B所示，在^U亍閾值電壓才交正"I喿作^旦不沖丸4亍 遷移率校正4喿作的情況下，對(duì)相同的輸入信號(hào)電壓Vsig，即使由于 遷移率p在^f象素電路A與B之間的大部分剩余變化而使得漏極-源^L 電流Ids在像素電路A與B之間的差別仍然存在，但是在一定程度 上還是減少了漏極-源極電流Ids在《象素電路A與B之間的差別。如 圖9C所示，在既執(zhí)行閾值電壓校正操作又執(zhí)行遷移率校正操作的 情況下，對(duì)相同的輸入信號(hào)電壓Vsig,由于閾值電壓Vth和遷移率 fi在^象素電^各A與B之間的少量剩余變4匕，所以漏4及-源4及電;充Ids 在像素電路A與B之間的差別幾乎為零。因此，在任意灰度下，在 有機(jī)EL元件21中不產(chǎn)生亮度變化。因此，能夠獲得具有高質(zhì)量的 顯示圖像。(本實(shí)施例的效果)如上所述，在至少具有閾值電壓才交正功能的有4幾EL顯示裝置 10中，在寫(xiě)晶體管23所執(zhí)行的用于將表示視頻信號(hào)的輸入信號(hào)電 壓Vsig寫(xiě)入像素電路20的操作之前，在對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾 值電壓Vth的電壓已在從時(shí)間t3 ~時(shí)間t4的閾值電壓4交正時(shí)期內(nèi)#皮 保持在電壓保持電容器24中之后，在不早于將輸入信號(hào)電壓Vsig 寫(xiě)入^象素電^各20的才喿作的開(kāi)始的時(shí)間為止的時(shí)期內(nèi)，電源^t線32 保持浮接狀態(tài)，從而給出如下所述的效果。更具體地，在至少?gòu)臅r(shí)間t4延伸至?xí)r間t7時(shí)期內(nèi)，存在于電源々貴線32上的電位DS保持 浮4妻狀態(tài)，在時(shí)間t7開(kāi)始將輸入信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)入像素電^各20的 才喿作。在本實(shí)施例的情況下，在從時(shí)間t4延伸至晚于時(shí)間t7的時(shí)間 t8的典型時(shí)期內(nèi)，電源饋線32保持浮接狀態(tài)。由于電源々貴線32在例如乂人時(shí)間t4延伸至?xí)r間t7的典型時(shí)期內(nèi) 保持浮接狀態(tài)，所以電源饋線32在此時(shí)期內(nèi)不向驅(qū)動(dòng)晶體管22提 供電流。因此，漏電流不流向驅(qū)動(dòng)晶體管22。由于漏電流不流向馬區(qū) 動(dòng)晶體管22，所以存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs并不波 動(dòng)。因此，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的斥冊(cè)極和源極之間的電壓Vgs作 為對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的電壓保持在電壓保持電容 器24中。因此，在隨后由寫(xiě)晶體管23 #14亍的用于將下一表示浮見(jiàn)頻信號(hào)的 輸入信號(hào)電壓Vsig保持在電壓保持電容器24中的電壓寫(xiě)入處理中， 能夠高度可靠地執(zhí)行期望的閾值電壓校正處理。在這種情況下，期 望的閾值電壓校正處理是使驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth和預(yù)先作抵消的理想處理。因此，由于能夠消除闊值電壓的變化(歸因于制 造驅(qū)動(dòng)晶體管22的處理以及由于特性隨時(shí)間而變化)，所以能夠獲 得不受閾值電壓Vth隨像素不同而變化的影響的高質(zhì)量顯示圖^象。順1更，在驅(qū)動(dòng)晶體管22也凈皮用作用于控制有機(jī)EL元件21的 發(fā)光時(shí)期/不發(fā)光時(shí)期的晶體管的可選配置情況下，存在于電源饋線 32上的電位DS從高第一電位Vccp切換為低第二電位Vini,反之 亦然。因此，存在于電源饋線32上的電位DS通常定在高第一電位 Vccp或4氐第二電^f立Vini，而無(wú)需處于浮4妄狀態(tài)。因此，在此可選配置情況下，在/人時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí) 期內(nèi)，電源饋線32并不處于浮接狀態(tài)。相反，在對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的電壓已在乂人時(shí)間t3延伸至?xí)r間t4的時(shí)期內(nèi)所 執(zhí)行的操作中保持在電壓保持電容器24中之后，存在于電源饋線 32上的電〗立DS事實(shí)上固定在高第一電〗立Vccp上，在時(shí)間t7,開(kāi) 始寫(xiě)輸入信號(hào)電壓Vsig的操作。然而，在可選配置情況下，出現(xiàn)了 以下問(wèn)題。如果對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的電壓已在從時(shí)間 t3延伸至?xí)r間t4的閾值電壓校正時(shí)期內(nèi)所執(zhí)行的操作中保持在電壓 保持電容器24中之后，存在于電源饋線32上的電位DS事實(shí)上固 定在高第一電位Vccp,則漏電流流向驅(qū)動(dòng)晶體管22。因此，存在 于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs升高由漏電流的大小所確定的 量。此時(shí)，寫(xiě)晶體管23處于使驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極處于浮接狀態(tài) 的非導(dǎo)通狀態(tài)中。因此，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的^f冊(cè)極上的電位Vg 也升高，從而跟隨存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs。然而，由于寫(xiě)晶體管23的柵極和驅(qū)動(dòng)晶體管22的棚-才及之間有 寄生電容器，所以當(dāng)存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源才及上的電位Vs升高 時(shí)，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg的增加量小于電位 Vs的增加量。因此，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間的4冊(cè) 極-源4及電壓Vgs變得小于對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的 電壓。如果如上所述存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間的柵極-源極電壓Vgs小于對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾4直電壓Vth的電壓， 即，如果保持在電壓保持電容器24中的電壓小于對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管 22的閾值電壓Vth的電壓，則在時(shí)間t7將表示一見(jiàn)頻信號(hào)的4lr入^f言號(hào) 電壓Vsig保持在電壓保持電容器24中的操作中，預(yù)先由電壓保持 電容器24保持的電壓并不抵消驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。因 此，通常沒(méi)有才丸行理想的閣值電壓4交正才喿作。如上所述，當(dāng)存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極上的電位Vs升高由 流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏電流的大小確定的量時(shí)，由于在寫(xiě)晶體管 23的一冊(cè)才及和驅(qū)動(dòng)晶體管22的棚-極之間存在寄生電容器，所以存在 于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg的增加量小于電位Vs的增加 量。應(yīng)注意，在前述自舉才喿作中，也可以i兌存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22 的柵極上的電位Vg的增加量小于電位Vs的增力口量。然而，在理想自舉操作的情況下，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極 上的電位Vg的增加量應(yīng)等于電位Vs的增加量，乂人而使存在于驅(qū)動(dòng) 晶體管22的沖冊(cè)才及和源才及之間的4冊(cè)極-源才及電壓Vgs ^f呆持固定值。實(shí)際上，不存在理想的自舉操作。盡管如此，如果在實(shí)際的自 舉操作中，存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極上的電位Vg的增加量小于 電位Vs的增加量，則存在于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵才及和源極之間的棚-才及-源極電壓Vgs減小，/人而^f吏有才幾EL元件21產(chǎn)生的光束的亮度 只減d、一點(diǎn)。因此，與如上所述通常不能執(zhí)行理想閾值電壓校正處 理的問(wèn)題相比，在實(shí)際的自舉操作中，電位Vgs的減小也可以說(shuō)對(duì) 所顯示的圖 <象幾乎沒(méi)有任何影響。另一方面，在本實(shí)施例的情況下，在如圖4的時(shí)序圖所示的從 時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)，電源饋線32保持浮接狀態(tài)，從而 防止漏電流流向驅(qū)動(dòng)晶體管22。然而，應(yīng)注意，通過(guò)仫 使電源4t線 32在寫(xiě)輸入信號(hào)電壓Vsig的操作的開(kāi)始為止的時(shí)期內(nèi)(即，在從 時(shí)間t4延伸至?xí)r間t7的時(shí)期內(nèi))保持浮接狀態(tài)，仍能夠達(dá)到同樣的 結(jié)果。乂人圖4所示的時(shí)序圖可以明顯看出，如果電源^貴線32在乂人時(shí)間 t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)處于浮^接狀態(tài)，則,人時(shí)間t7延伸至?xí)r間 t8的時(shí)期變成了用于將輸入信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)入像素電路20的時(shí)期， 而從時(shí)間18延伸至?xí)r間t9的時(shí)期變成了遷移率才交正時(shí)期。也就是說(shuō)，從時(shí)間t7延伸至?xí)r間t9的時(shí)期被分成了兩段時(shí)期，即，用于將輸入信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)入像素電^各20的時(shí)期和緊跟在用于將輸入信號(hào)電 壓Vsig寫(xiě)入像素電路20的時(shí)期之后的遷移率校正時(shí)期。通過(guò)如上所述將遷移率校正時(shí)期設(shè)為緊跟在用于將輸入信號(hào)電 壓Vsig寫(xiě)入像素電路20的時(shí)期之后，在用于將輸入信號(hào)電壓Vsig 寫(xiě)入像素電路的操作執(zhí)行完之后，開(kāi)始遷移率校正操作。因此，能 夠以穩(wěn)定方式執(zhí)行遷移率校正操作。因此，能夠消除遷移率隨著像 素的不同而產(chǎn)生變4匕，乂人而帶來(lái)改善的圖〗象質(zhì)量。每個(gè)有才幾EL元件在^象素電^各20中均用作光電元件。然而，應(yīng)注意， 本發(fā)明的范圍并不限于本實(shí)施例。即，能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于采用電 流-驅(qū)動(dòng)光電元件(也稱發(fā)光元件)的任何普通顯示裝置，每個(gè)電流 -驅(qū)動(dòng)光電元件均產(chǎn)生亮度由流過(guò)該元4牛的電流確定的光束。[其^也實(shí)施例]以下的描述闡述了每個(gè)均實(shí)現(xiàn)用于在不早于將輸入信號(hào)電壓 Vsig寫(xiě)入像素電路20的操作的開(kāi)始的時(shí)間為止的時(shí)期內(nèi)(即，例 如，在從時(shí)間t4延伸至?xí)r間t7的典型時(shí)期內(nèi))使電源饋線32保持 浮接狀態(tài)的控制裝置的具體實(shí)施例，其中，由寫(xiě)晶體管23^L行的用 于將表示視頻信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsi在時(shí)間t7g保持在像素電路 20中所采用的電壓^f呆持電容器24中的才喿作之前，在對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶 體管22的閾值電壓Vth的電壓已在從時(shí)間t3延伸至?xí)r間t4的闊值 電壓校正時(shí)期內(nèi)保持在電壓保持電容器24之后，在時(shí)間t7開(kāi)始將 輸入信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)到像素電路20的操作。在目前所述的實(shí)施例 的情況下，如圖4的時(shí)序圖所示，在從時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的典型 時(shí)期內(nèi)，電源饋線32保持浮接狀態(tài)。(第一實(shí)施例)圖10是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的控制裝置的典型配置的電路圖。如圖所示，控制裝置釆用了連接至電源饋線32 (即，電源饋線 32-l~32_m中的任一條)的末級(jí)(last-stage)緩沖器50A。末級(jí)緩 沖器50A是包括在電源饋線掃描電路50中的作為連接至電源饋線 32的部分的部分，電源饋線32連接至像素陣列部30的4象素行。末級(jí)緩沖器50A具有包括P-溝道MOS晶體管Pll和N-溝道 MOS晶體管Nil的CMOS反相器配置。P-溝道MOS晶體管Pll 的源極連接至高第 一 電位Vccp的電源線。N溝道MOS晶體管Nil 的源極連接至低第二電位Vini的電源線。P-溝道MOS晶體管Pll 的漏極通過(guò)漏極共用連接節(jié)點(diǎn)nil連接至N-溝道MOS晶體管Nil 的漏極，而P-溝道MOS晶體管Pll的才冊(cè)極連4妄至N-溝道MOS晶 體管Nil的4冊(cè)才及。在末級(jí)緩沖器50A中，P-溝道MOS晶體管Pll和N-溝道MOS 晶體管Nil的柵極從末級(jí)緩沖器50A的前一級(jí)接收掃描脈沖DSIN。 使P-溝道MOS晶體管Pll和N-溝道MOS晶體管Nil的漏極彼此 連"^妾的漏極共用連"l姿節(jié)點(diǎn)nil用作末級(jí)1￡沖器50A的lt出端以及電 源饋線掃描電路50的輸出端。漏極共用連接節(jié)點(diǎn)nil通過(guò)開(kāi)關(guān)元件 80連4妄至電源々責(zé)線32。用于在從時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)4吏電源饋線32保持浮 接狀態(tài)的控制裝置還采用了用于將漏極共用連接節(jié)點(diǎn)nil連接至電 源々責(zé)線32的開(kāi)關(guān)元<牛80。通常，開(kāi)關(guān)元件80是i者如MOS開(kāi)關(guān)或 者CMOS轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的電子開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān)元件80 ^f艮據(jù)提供給開(kāi)關(guān)元件 80的控制脈沖DS而處于開(kāi)或關(guān)狀態(tài)。接下來(lái)，通過(guò)參考圖11所示的時(shí)序圖來(lái)闡述根據(jù)第一實(shí)施例的 電路的操作。圖11是示出了存在于連接至像素行的掃描線31上的電位WS、提供給末級(jí)緩沖器50A的掃描脈沖DSIN、由模擬緩沖 器50A #T出的電源電位DSOUT、 ^空制月永沖DSF和存在于電源々貴線 32上的電卩立DS的時(shí)序圖的示圖。如圖11的時(shí)序圖所示，在到時(shí)間t3為止的時(shí)期內(nèi)，掃描月永沖 DSIN保持高電位，在從時(shí)間t3延伸至?xí)r間t12的時(shí)期內(nèi)，掃描脈 沖DSIN保持低電位，并且在開(kāi)始于時(shí)間t12的時(shí)期內(nèi)掃描脈沖 DSIN再返回高電位。在以下描述中，高電位和低電位分別稱為H 電平和L電平。另一方面，在/人時(shí)間tl延伸至?xí)r間t4的時(shí)期內(nèi)以及/人時(shí)間t8 延伸至?xí)r間tl的時(shí)期內(nèi)，控制脈沖DSF保持H電平，在到時(shí)間tl 為止的時(shí)期內(nèi)、,人時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)、以及起始于時(shí)間 tll的時(shí)期內(nèi)，控制脈沖DSF保持L電平。當(dāng)將掃描脈沖DSIN^是供給末級(jí)l^沖器50A時(shí)，末級(jí)緩沖器50A 產(chǎn)生電源電位DSOUT，在到時(shí)間t3為止的時(shí)期內(nèi)，電源電位DSOUT 保持低第二電位Vini，在從時(shí)間t3延伸至?xí)r間U2的時(shí)期內(nèi)，電源 電位DSOUT保持高第一電位Vccp,在起始于時(shí)間t12的時(shí)期內(nèi)， 電源電位DSOUT回復(fù)到低第二電位Vini。根據(jù)控制脈沖DSF，在到時(shí)間tl為止的時(shí)期內(nèi)、從時(shí)間t4延 伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)、以及起始于時(shí)間tll的時(shí)期內(nèi)，開(kāi)關(guān)元件80 保持?jǐn)嚅_(kāi)狀態(tài)。在這幾個(gè)時(shí)期內(nèi)，作為末級(jí)緩沖器50A的輸出端的 漏極共用連接節(jié)點(diǎn)nll保持處于與電源饋線32電斷開(kāi)的狀態(tài)。如圖14的時(shí)序圖所示，通過(guò)如上所述才喿作開(kāi)關(guān)元件80,在將 對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的電壓保持在電壓保持電容器24中之后，在從時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)，電源饋線32保持 浮接狀態(tài)，在時(shí)間t8，將信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)入像素電路20的操作的 時(shí)期結(jié)束。因此，在將輸入信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)入像素電路20中的操 作中，能夠?qū)崿F(xiàn)理想的閾值電壓4交正。應(yīng)注意，通過(guò)將移位寄存器輸出的移位脈沖作為基于，作為邏 輯電路沖丸行的邏輯處理的結(jié)果，可以產(chǎn)生用于開(kāi)或關(guān)開(kāi)關(guān)元件80 的控制脈沖DSF,邏輯電路一般設(shè)置在電源饋線掃描電路50中采 用的移位寄存器的后一級(jí)處。(第二實(shí)施例)圖12是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的控制裝置的典型配置的電路 圖。圖12所示的與圖10所示的各個(gè)對(duì)應(yīng)元件相同的元件是用與對(duì) 應(yīng)元件同樣的符號(hào)來(lái)表示的。如圖12所示，控制裝置采用連接至電 源饋線32 (即，電源饋線32-l~32-m中的任一條)的末級(jí)緩沖器 50B。末級(jí)緩沖器50B是包括在電源饋線掃描電^各50中作為連接至 電源饋線32的部分的部分，電源饋線32連接至像素陣列部30的像 素行。末級(jí)緩沖器50B具有包括P-溝道MOS晶體管Pll 、 P-溝道MOS 晶體管P12、 N-溝道MOS晶體管Nll、及N-溝道MOS晶體管N12 的定時(shí)反相器配置。P-溝道MOS晶體管Pll的源4及連4妄至高第一 電位Vccp的電源線。N-溝道MOS晶體管Nil的源極連接至低第二 電位Vini的電源線。P-溝道MOS晶體管Pll的漏4及連接至P-溝道 MOS晶體管P12的源才及。P-溝道MOS晶體管P12的漏極通過(guò)漏扨_ 共用連4妄節(jié)點(diǎn)n12連4妄至N-溝道MOS晶體管N12的漏才及，而P-溝道MOS晶體管Pll的4冊(cè)才及連4妄至N-溝道MOS晶體管Nil的斗冊(cè) 才及。N-溝道MOS晶體管N12的源才及連4妻至N-溝道MOS晶體管Nil 的漏才及。在末級(jí)緩沖器50B中，P-溝道MOS晶體管P12和N-溝道MOS 晶體管的柵極從末級(jí)緩沖器50B的前一級(jí)接收掃描脈沖DSIN。另 外，P-溝道MOS晶體管P12和N-溝道MOS晶體管N12的斥冊(cè)極分 別接收控制脈沖xDSF和DSF。在末級(jí)緩沖器50B中，使P-溝道MOS晶體管P12和N-溝道 MOS晶體管N12的漏極彼此連接的漏極共用連接節(jié)點(diǎn)n12用作末 級(jí)緩沖器50B的輸出端以及電源饋線掃描電路50的輸出端。漏極 共用連接節(jié)點(diǎn)n12連接至電源饋線32。 N-溝道MOS晶體管N12和 P-溝道MOS晶體管P12用作用于使電源饋線32在從時(shí)間t4延伸至 時(shí)間t8的時(shí)期內(nèi)保持浮接狀態(tài)的控制裝置。接下來(lái)，通過(guò)參考圖13所示的時(shí)序圖來(lái)闡述4艮據(jù)第二實(shí)施例的 電路的操作。圖13是示出了存在于連接至像素行的掃描線31上的 電位WS、提供給末級(jí)緩沖器50B的掃描脈沖DSIN、控制脈沖DSF 及xDSF、以及存在于電源饋線32的電位DS的時(shí)序圖的示圖。如圖13的時(shí)序圖所示，掃描"永沖DSIN在到時(shí)間t3為止的時(shí) 期內(nèi)保持H電平、在從時(shí)間t3延伸至?xí)r間t12的時(shí)期內(nèi)保持L電平， 在起始于時(shí)間U2的時(shí)期內(nèi)返回H電平?？刂?永沖DSF在/人時(shí)間tl延伸至?xí)r間t4的時(shí)期內(nèi)以及/人時(shí)間 t8延伸至?xí)r間tll的時(shí)期內(nèi)保持H電平，在其他時(shí)期內(nèi)保持L電平。 另一方面，控制脈沖xDSF在從時(shí)間tl延伸至?xí)r間t4的時(shí)期內(nèi)以及 從時(shí)間t8延伸至?xí)r間tll的時(shí)期內(nèi)保持L電平，在其他時(shí)期內(nèi)保持 H電平。因?yàn)閽呙柙掠罌_DSIN在到時(shí)間t3為止的時(shí)期內(nèi)^皮:沒(méi)為H電平， 所以在此時(shí)期內(nèi)，N-溝道MOS晶體管Nil保持導(dǎo)通狀態(tài)，從而輸 出低第二電位Vini。然而，因?yàn)榭刂泼}沖DSF在到時(shí)間tl為止的時(shí)期內(nèi)保持L電平，所以在此時(shí)期內(nèi)，N-溝道MOS晶體管N12處 于N-溝道MOS晶體管Nil與電源々貴線32電斷開(kāi)的非導(dǎo)通狀態(tài)。在到時(shí)間tl為止的時(shí)期內(nèi)，P-溝道MOS晶體管Pll也處于非 導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在到時(shí)間tl為止的時(shí)期內(nèi)，電源饋線32保持浮 接狀態(tài)。然后，在時(shí)間tl,控制脈沖DSF被設(shè)為H電平，從而使 N-溝道MOS晶體管N12處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，N-溝道MOS晶體 管Nil通過(guò)N-溝道MOS晶體管N12將低第二電位Vini -提供給電 源々貴線32。在從時(shí)間t3延伸至?xí)r間t12的時(shí)期內(nèi)，掃描脈沖DSIN保持L 電平，從而使P-溝道MOS晶體管Pll保持導(dǎo)通狀態(tài)，這使P-溝道 MOS晶體管P12輸出高第一電位Vccp。然而，因?yàn)榭刂泼}沖xDSF 在從時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)保持H電平，所以在此時(shí)期內(nèi)， P-溝道MOS晶體管P12處于P-溝道MOS晶體管Pll與電源々責(zé)線 32電斷開(kāi)的非導(dǎo)通狀態(tài)。在從時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)，N-溝道MOS晶體管Nil 也處于非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在^v時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)，電 源饋線32也保持浮接狀態(tài)。在其他時(shí)期內(nèi)，P-溝道MOS晶體管Pl2 還保持導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在這些其他時(shí)期內(nèi)，P-溝道MOS晶體管 Pll通過(guò)P-溝道MOS晶體管P12將高第 一電位Vccp l是供給電源饋-線32。如圖13的時(shí)序圖所示，在具有上述定時(shí)配置的末級(jí)緩沖器50B 中，通過(guò)N-溝道MOS晶體管N12和P-溝道MOS晶體管P12的4喿 作，在將對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的闊值電壓Vth的電壓保持在電壓保 持電容器24中之后，電源饋線32在從時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí) 期內(nèi)保持浮接狀態(tài)，在時(shí)間t8結(jié)束將輸入信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)入像素電路20的操作的時(shí)期。因此，在將輸入信號(hào)電壓Vsig寫(xiě)入像素電路20的才喿作中，能夠?qū)崿F(xiàn)理想的閾值電壓校正。應(yīng)注意，通過(guò)將移位寄存器輸出的移位脈沖作為基準(zhǔn)，作為邏 輯電路所進(jìn)行的邏輯處理的結(jié)果，能夠產(chǎn)生分別提供給N-溝道MOS 晶體管N12和P-溝道MOS晶體管P12的柵極的控制脈沖DSF和 xDSF,邏輯電路通常被設(shè)置在電源饋線掃描電路50中采用的移位 寄存器的后一級(jí)處。(第三實(shí)施例)圖14是示出了根據(jù)第三實(shí)施例的控制裝置的典型配置的電路 圖。如圖所示，控制裝置采用連接至電源饋線32 (即，電源饋線 32-1 ~ 32-m中的任一條)的末級(jí)緩沖器50C。末級(jí)緩沖器50C是包 括在電源饋線掃描電路50中作為連接至電源饋線32的部分的部分， 其，電源饋線32連接至像素陣列部30的像素行。末級(jí)緩沖器50C具有包括P-溝道MOS晶體管P13和N-溝道 MOS晶體管N13的雙相輸入反相器配置。P-溝道MOS晶體管P13 的源極連接至高第一電位Vccp的電源線。N-溝道MOS晶體管N13 的源極連接至低第二電位Vini的電源線。P-溝道MOS晶體管P13 的漏極通過(guò)漏極共用連接節(jié)點(diǎn)n13連接至N-溝道MOS晶體管N13 的漏才及。向P-溝道MOS晶體管P13的棚4及才是供掃描力永沖DSP,而 向N-溝道MOS晶體管N13的柵極提供掃描脈沖DSN，其中，掃描 脈沖DSN的相位與掃描脈沖DSP的相位不同。在末級(jí)緩沖器50C中，使P-溝道MOS晶體管P13的漏才及和 N-溝道MOS晶體管N13的漏極彼此連接的漏極共用連接節(jié)點(diǎn)n13， 用作末級(jí)緩沖器50C的輸出端以及電源饋線掃描電路50的輸出端。 漏才及共用連4妄節(jié)點(diǎn)n13連4妻至電源4t線32。掃描脈沖DSP和DSN的相位之間的關(guān)系如圖15的時(shí)序圖所 示。3o圖所示，在到時(shí)間t3為止的時(shí)期內(nèi)、乂人時(shí)間t4延4申至?xí)r間 t8的時(shí)期內(nèi)、以及起始于時(shí)間tl 1的時(shí)期內(nèi)，掃描脈沖DSP保持H 電平，在A人時(shí)間t3延伸至?xí)r間t4的時(shí)期內(nèi)、以及乂人時(shí)間t8延伸至 時(shí)間tll的時(shí)期內(nèi)，掃描脈沖DSP保持L電平。另一方面，在從時(shí) 間tl延伸至?xí)r間t3的時(shí)期內(nèi)，掃描月永沖DSN4呆持H電平，而在其 j也時(shí)期內(nèi)，掃描月永沖DSN^f呆持L電平。接下來(lái)，通過(guò)參考圖15所示的時(shí)序圖來(lái)闡述根據(jù)第三實(shí)施例的 電路的操作。圖15是示出了存在于連接至像素行的掃描線31上的 電位WS、作為具有互不相同相位的掃描脈沖而提供給末級(jí)緩沖器 50C的掃描脈沖DSP和DSN、以及存在于電源々貴線32上的電位 DS的時(shí)序圖的示圖。在到時(shí)間tl為止的時(shí)期內(nèi)，掃描月永沖DSP^f呆持H電平，而掃 描脈沖DSN保持L電平。因此，P-溝道MOS晶體管P13和N-溝 道MOS晶體管N13保持非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在此時(shí)期內(nèi)，漏極共 用連4妾節(jié)點(diǎn)n13以及連4妄至漏4及共用連4妻節(jié)點(diǎn)n13的電源4貴線32 保持浮接狀態(tài)。在乂人時(shí)間tl延伸至?xí)r間t3的時(shí)期內(nèi)，掃描月永沖DSN4呆持H電 平，從而使N-溝道MOS晶體管N13保持導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在此時(shí) 期內(nèi)，通過(guò)漏極共用連接節(jié)點(diǎn)n13將低第二電位Vini提供給電源々貴 線32。在/人時(shí)間t3延伸至?xí)r間t4的時(shí)期內(nèi)，掃描月永沖DSN和掃描月永 沖DSP均保持L電平，從而使N-溝道MOS晶體管N13保持非導(dǎo) 通狀態(tài)，而使P-溝道MOS晶體管P13保持導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在此 時(shí)期內(nèi)，通過(guò)漏極共用連接節(jié)點(diǎn)n13將高第一電位Vccp提供給電 源々貴線32。在從時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)，掃描脈沖DSP保持H電 平，而掃描脈沖DSN保持L電平，從而使N-溝道MOS晶體管N13 和P-溝道MOS晶體管P13均保持非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在此時(shí)期內(nèi)， 電源饋線32保持浮4妻狀態(tài)。在從時(shí)間t8延伸至?xí)r間tll的時(shí)期內(nèi)，掃描月永沖DSN和掃描 脈沖DSP均保持L電平，從而使N-溝道MOS晶體管N13保持非 導(dǎo)通狀態(tài)，而使P-溝道MOS晶體管P13保持導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在 此時(shí)期內(nèi)，通過(guò)漏極共用連接節(jié)點(diǎn)n13將高第一電位Vccp提供給 電源々貴線32。在起始于時(shí)間tll的時(shí)期內(nèi)，掃描脈沖DSP保持H電平，而掃 描脈沖DSN保持L電平，從而使N-溝道MOS晶體管N13和P-溝 道MOS晶體管P13均保持非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在此時(shí)期內(nèi)，電源 々責(zé)線32保持浮4妻狀態(tài)。A人上描述可明顯看出，構(gòu)成末級(jí)1￡沖器50C的N-溝道MOS晶 體管N13和P-溝道MOS晶體管P13用作用于使電源饋線32在從 時(shí)間t4延伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)保持浮接狀態(tài)的控制裝置。另外，將相位互不相同的掃描脈沖DSP和DSN分別提供《合P 溝道MOS晶體管P13和N-溝道MOS晶體管N13的才冊(cè)才及，從而同 步于通過(guò)電源饋線掃描電路50執(zhí)行的掃描操作，將存在于電源饋線 32 (即，電源饋線32-1 ~32-m中對(duì)應(yīng)的一條)上的電位DS適當(dāng)?shù)?從高第一電位Vccp切換為低第二電位Vini，反之亦然。除此之外， 掃描脈沖DSP和DSN還用作用于使電源饋線32在從時(shí)間t4延伸 至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)保持浮接狀態(tài)的控制脈沖。如上所述，如圖15的時(shí)序圖所示，在上述具有二相反相器配置 的末級(jí)緩沖器50C中，通過(guò)N-溝道MOS晶體管N13和P-溝道MOS晶體管P13的操作，在對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的電 壓被保持在電壓保持電容器24中之后，電源饋線32在從時(shí)間t4延 伸至?xí)r間t8的時(shí)期內(nèi)保持浮接狀態(tài)，在時(shí)間t8結(jié)束將輸入信號(hào)電壓 Vsig寫(xiě)入像素電路20的操作的時(shí)期。因此，在將輸入信號(hào)電壓Vsig 寫(xiě)入像素電路20的操作中，能夠?qū)崿F(xiàn)理想的閾值電壓校正。應(yīng)注意，通過(guò)將移位寄存器輸出的移位脈沖作為基準(zhǔn)，作為邏 輯電路執(zhí)行的邏輯處理的結(jié)果，能夠產(chǎn)生作為相位互不相同的掃描 脈沖分別提供給N-溝道MOS晶體管N13和P-溝道MOS晶體管P13 的柵極的掃描脈沖DSN和DSP,邏輯電路通常一皮設(shè)置在電源々貴線 掃描電路50中所采用的移位寄存器的下一級(jí)處。[典型應(yīng)用]根據(jù)上述實(shí)施例的顯示裝置通常^皮應(yīng)用于圖16~圖20所示的 各種電子i殳備。更具體地，該顯示裝置可用作電子i殳備(在所有領(lǐng) 域中用作用于在顯示裝置上顯示提供給設(shè)備的視頻信號(hào)或者在設(shè)備 中產(chǎn)生的視頻信號(hào)作為圖像或者視頻的設(shè)備)中所采用的顯示裝置。 電子設(shè)備的實(shí)例是數(shù)碼相機(jī)、筆記本式個(gè)人計(jì)算才幾、諸如手機(jī)的侵_ 攜式終端、以及攝影才幾。如上所述，4艮據(jù)本發(fā)明的顯示裝置具有以下配置，其中，驅(qū)動(dòng) 晶體管還用作用于控制光電元件的發(fā)光時(shí)期/不發(fā)光時(shí)期的晶體管， 并且通過(guò)使提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的電源電位從高電平切換為低電平 (反之亦然)來(lái)控制發(fā)光時(shí)期/不發(fā)光時(shí)期。利用這種配置，能夠高 度可靠地執(zhí)行期望的閾值電壓校正處理。換句話說(shuō)，這種配置能夠 以理想方式執(zhí)行期望的閾值電壓才交正處理。因此，顯示裝置具有通 過(guò)顯示具有高質(zhì)量的圖像的能力所賦予的優(yōu)點(diǎn)。如下描述了應(yīng)用本 發(fā)明實(shí)施例的幾種典型的電子設(shè)備。應(yīng)注意，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置包括具有密封模塊配置的顯示 裝置。在典型的密封模塊配置中，粘到諸如一塊透明玻璃的反相(opposed)元件上的顯示模塊對(duì)應(yīng)于像素陣列部30。在反相透明 元件上，還能設(shè)置先前所述的濾色片、保護(hù)膜、光屏蔽膜和另一個(gè) 組件。還應(yīng)注意，在顯示模塊上，可設(shè)置電路或FPC (柔性印制電 路)。電路用于從外部源輸入信號(hào)并將信號(hào)提供結(jié)"像素陣列部30, 以及用于將來(lái)自像素陣列部30的信號(hào)輸出至外部對(duì)象。圖16是示出了應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的TV的透—見(jiàn)圖的示圖。如圖 所示，用作實(shí)施例的典型應(yīng)用的TV采用了諸如包括前面才反102和 濾色玻璃103的視頻顯示屏101的部件。在TV中，根據(jù)本發(fā)明的 顯示裝置用作一見(jiàn)頻顯示屏101。圖17A和圖17B是示出應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的^t碼相^^的透一見(jiàn)圖 的示圖。更具體地，圖17A是示出了前側(cè)的透視圖的示圖，而圖17B 是示出了后側(cè)的透視圖的示圖。如圖所示，根據(jù)本實(shí)施例的數(shù)碼相 機(jī)采用了諸如發(fā)光部11、顯示部112、菜單切換113和快門(mén)按鈕I" 的部件。在H碼相才幾中，才艮據(jù)本發(fā)明的顯示裝置用作顯示部ll2。圖18是示出了應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)的透 視圖的示圖。如圖所示，根據(jù)本實(shí)施例的筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)的主 體121包括諸如鍵盤(pán)122和顯示部123的部件。鍵盤(pán)122是用戶操 作以鍵入諸如字符串的輸入的部件，以及顯示部123是用于顯示圖 像的部件。在筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)中，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置用作 顯示部123。圖19是示出了應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的攝像機(jī)的透視圖的示圖。如 圖所示，根據(jù)本實(shí)施例的攝像機(jī)的主體131包括諸如透鏡132、開(kāi) 始/停止開(kāi)關(guān)133和顯示部134的部件。在攝1象才幾中，根據(jù)本發(fā)明的 顯示裝置用作顯示部134。圖20A~圖20G是示出了應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的便攜式終端的透 視圖的示圖。便攜式終端的實(shí)例是手機(jī)。更具體地，圖20A是示出 了手才幾的正面的示圖，而圖20B是了示出手才幾的側(cè)面的示圖。圖20C 是示出了處于4斤疊狀態(tài)的手才幾的正面的示圖，而圖20D是示出了處 于折疊狀態(tài)的手機(jī)的左側(cè)面的示圖。圖20E是示出了處于折疊狀態(tài) 的手機(jī)的右側(cè)面的示圖，而圖20F是示出了處于折疊狀態(tài)的手機(jī)的 頂部的示圖。圖20G是示出了處于折疊狀態(tài)的手機(jī)的底部的示圖。 如圖所示，根據(jù)本實(shí)施例的手機(jī)采用了諸如上機(jī)殼141、下才幾殼142、 《連接部(或4交《連部)143、顯示部144、子顯示部145、畫(huà)面光146 和照相才幾147的部件。在手才幾中， 一艮據(jù)本發(fā)明的顯示裝置用作顯示 ^卩144禾口副顯示吾卩145。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其它因素，可以有 各種修改、組合、子組合和改進(jìn)，均應(yīng)在本發(fā)明的所附權(quán)利要求或 等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括像素陣列部，包括經(jīng)布置形成矩陣的像素電路，每個(gè)所述像素電路均具有光電元件，寫(xiě)晶體管，被配置為執(zhí)行電壓存儲(chǔ)處理，從而采樣視頻信號(hào)并將所采樣的視頻信號(hào)存儲(chǔ)到所述像素電路中，保持電容器，被配置為保持由所述寫(xiě)晶體管存儲(chǔ)在所述像素電路中的所述采樣視頻信號(hào)，以及驅(qū)動(dòng)晶體管，被配置為基于由所述保持電容器保持的所述視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述光電元件；第一掃描裝置，連接至所述像素陣列部中的各行所述像素電路，用于以行為單位對(duì)所述像素陣列部中的所述像素電路執(zhí)行選擇性掃描操作，并驅(qū)動(dòng)每個(gè)所述寫(xiě)晶體管以執(zhí)行所述電壓存儲(chǔ)處理；第二掃描裝置，連接至所述像素陣列部中的所述各行像素電路，并被配置為同步于由所述第一掃描裝置進(jìn)行的所述選擇性掃描操作，向用于為每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供電流的電源饋線選擇性地提供第一電位或者低于所述第一電位的第二電位；以及控制裝置，用于在所述電壓存儲(chǔ)處理之前并且與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)的電壓被保持在所述保持電容器中之后，在不早于由所述寫(xiě)晶體管執(zhí)行的用于將所述視頻信號(hào)存儲(chǔ)在所述保持電容器中的所述電壓存儲(chǔ)處理的開(kāi)始的時(shí)間為止的時(shí)期內(nèi)，使所述電源饋線保持浮接狀態(tài)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述控制裝置使用于 提供所述第 一 電位的電源線和用于纟是供所述第二電〗立的電源 線與所述電源々貴線電斷開(kāi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述控制裝置是連接在所述第二掃描裝置的輸出端和所述電源饋線之間的開(kāi)關(guān)元件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第二掃描裝置具有末級(jí)緩沖器，所述末級(jí)緩沖器包括 第一P-溝道晶體管、第一N-溝道晶體管、第二P-溝道晶體管 和第二N-溝道晶體管，所述第一 P-溝道晶體管的源極連接至用于提供所述 第一電4立的所述電源線，所述第一 N-溝道晶體管的源極連接至用于提供所述 第二電位的所述電源線，所述第一 P-溝道晶體管的漏極連接至所述第二 P-溝 道晶體管的源才及，所述第二 P-溝道晶體管的漏極連4妄至所述第二 N-溝 道晶體管的漏^L,所述第一 P-溝道晶體管的柵極連接至所述第一 N-溝 道晶體管的柵極，以及所述第二 N-溝道晶體管的源極連4妻至所述第一 N-溝道晶體管的漏;f及；以及所述第二 N-溝道晶體管和所述第二 P-溝道晶體管用作所述控制裝置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第二掃描裝置具有包括P-溝道晶體管和N-溝道晶體管的末級(jí)緩沖器，所述p-溝道晶體管的源極連接至用于提供所述第一 電4立的所述電源線，所述N-溝道晶體管的源極連接至用于提供所述第二 電^f立的所述電源線，所述P-溝道晶體管的漏極連接至所述N-溝道晶體管 的漏纟及，以及所述P-溝道晶體管的柵才及接收相位與所述N-溝道晶 體管的柵極接收的掃描脈沖的相位不同的掃描脈沖；以及所述P-溝道晶體管和所述N-溝道晶體管用作所述控制裝置。
6. —種顯示裝置采用的驅(qū)動(dòng)方法，包括像素陣列部，包括經(jīng)布置形成矩陣的像素電路，每個(gè)所述 像素電路均具有光電元件，寫(xiě)晶體管，4皮配置為執(zhí)行電壓存儲(chǔ)處理，從而采樣牙見(jiàn) 頻信號(hào)并將所采樣的 一見(jiàn)頻信號(hào)存儲(chǔ)到所述像素電^各中，保持電容器，被配置為保持由所述寫(xiě)晶體管存儲(chǔ)在所 述像素電^各中的所述采樣所述一見(jiàn)頻信號(hào)，以及驅(qū)動(dòng)晶體管，被配置為基于由所述保持電容器保持的 所述一見(jiàn)頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述光電元件；第一掃描裝置，連接至所述像素陣列部中的各行所述像素 電路，用于以行為單位對(duì)所述像素陣列部中的所述像素電路執(zhí)行選擇性掃描操作，并驅(qū)動(dòng)每個(gè)所述寫(xiě)晶體管以執(zhí)行所述電壓存儲(chǔ)處理；以及第二掃描裝置，連接至所述像素陣列部中的所述各行像素 電路，用于同步于由所述第 一掃描裝置執(zhí)4亍的所述選4奪性掃描 操作，向用于為每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供電流的電源饋線提供 第一電位或^f氐于所述第一電位的第二電^f立，從而，在所述電壓存儲(chǔ)處理之前并且與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的 閾值電壓對(duì)應(yīng)的電壓被保持在所述保持電容器中之后，在不早 于由所述寫(xiě)晶體管執(zhí)行的用于將所述視頻信號(hào)存4渚在所述保 持電容器中的所述電壓存儲(chǔ)處理的開(kāi)始的時(shí)間為止的時(shí)期內(nèi)， 所述電源饋線保持浮接狀態(tài)。
7. —種包括顯示裝置的電子設(shè)備，所述顯示裝置包括像素陣列部，包括經(jīng)布置形成矩陣的像素電路，每個(gè)所述 像素電路均具有光電元件，寫(xiě)晶體管，被配置為執(zhí)行電壓存儲(chǔ)處理，從而采樣輸 入信號(hào)電壓并將所采樣的輸入信號(hào)電壓存儲(chǔ)到所述像素 電路中，保持電容器，被配置為保持由所述寫(xiě)晶體管存儲(chǔ)在所 述像素電^各中的所述采樣輸入信號(hào)電壓，以及驅(qū)動(dòng)晶體管，被配置為基于由所述保持電容器保持的 所述輸入信號(hào)電壓驅(qū)動(dòng)所述光電元件；第一掃描裝置，連接至所述^f象素陣列部中的各行所述^f象素 電路，用于以行為單位對(duì)所述像素陣列部中的所述像素電^各執(zhí) 行選擇性掃描操作，并驅(qū)動(dòng)每個(gè)所述寫(xiě)晶體管以執(zhí)行所述電壓 存^諸處理；第二掃描裝置，連接至所述像素陣列部中的所述各行像素 電路，用于同步于由所述第一掃描裝置執(zhí)行的所述選擇性掃描 操作，向用于為每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供電流的電源饋線選擇性地提供第 一 電位或低于所述第 一 電位的第二電位；以及控制裝置，用于在所述電壓存儲(chǔ)處理之前并且與所述驅(qū)動(dòng)后，在不早于由所述寫(xiě)晶體管執(zhí)行的用于將所述視頻信號(hào)存儲(chǔ) 在所述保持電容器中的所述電壓存儲(chǔ)處理的開(kāi)始的時(shí)間為止 的時(shí)期內(nèi)，使所述電源饋線保持浮接狀態(tài)。
8. —種顯示裝置，包括像素陣列部，包括經(jīng)布置形成矩陣的像素電路，每個(gè)所述 像素電^^均具有光電元件，寫(xiě)晶體管，被配置為執(zhí)行電壓存儲(chǔ)處理，從而采樣視 頻信號(hào)并將所采樣的視頻信號(hào)存儲(chǔ)到所述像素電路中，保持電容器，被配置為保持由所述寫(xiě)晶體管存儲(chǔ)在所 述像素電路中的所述采樣視頻信號(hào)，以及驅(qū)動(dòng)晶體管，被配置為基于由所述保持電容器保持的 所述—見(jiàn)頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述光電元件；第一掃描部，連接至所述像素陣列部中的各行所述像素電 路，用于以行為單位對(duì)所述像素陣列部中的所述像素電路執(zhí)行 選擇性掃描操作，并驅(qū)動(dòng)每個(gè)所述寫(xiě)晶體管以寺丸行所述電壓存 儲(chǔ)處理；第二掃描部，連接至所述像素陣列部中的所述各行像素電 ^各，并一皮配置為同步于由所述第一掃描部進(jìn)4亍的所述選才奪性掃 描操作，向用于為所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的每一個(gè)4是供電流的電源饋線選擇性地提供第 一 電位或者低于所述第 一 電位的第二電位；以及控制部，在所述電壓存儲(chǔ)處理之前并且與所述驅(qū)動(dòng)晶體管 的閾值電壓對(duì)應(yīng)的電壓被保持在所述保持電容器中之后，在不 早于由所述寫(xiě)晶體管執(zhí)行的用于將所述視頻信號(hào)存儲(chǔ)在所述內(nèi)，使所述電源饋線保持浮接狀態(tài)。
全文摘要
在本發(fā)明中，提供了一種顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備，該顯示裝置包括包括像素電路的像素陣列部，每個(gè)像素電路均具有光電元件、寫(xiě)晶體管、保持電容器和驅(qū)動(dòng)晶體管，其中，寫(xiě)晶體管被配置為執(zhí)行電壓存儲(chǔ)處理，保持電容器被配置為保持采樣的視頻信號(hào)，以及驅(qū)動(dòng)晶體管被配置為驅(qū)動(dòng)光電元件；第一掃描裝置，用于以行為單位執(zhí)行選擇性掃描操作并驅(qū)動(dòng)每個(gè)寫(xiě)晶體管；第二掃描裝置，用于同步于選擇性掃描操作，向每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管中提供第一或者第二電位；以及控制裝置，用于在與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)的電壓被保持在保持電容器中之后，在不早于電壓存儲(chǔ)處理的開(kāi)始的時(shí)間為止的時(shí)期內(nèi)，使電源饋線保持浮接狀態(tài)。
文檔編號(hào)H01L51/50GK101266754SQ20081008407
公開(kāi)日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2008年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月16日
發(fā)明者三并徹雄, 內(nèi)野勝秀, 谷龜貴央, 飯?zhí)镄胰?申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社