專利名稱：高質(zhì)量和超大屏幕液晶顯示設(shè)備及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用了橫向電場系統(tǒng)的液晶顯示設(shè)備，更具體是 涉及一種超大屏幕液晶顯示設(shè)備，它可以大幅改善孔徑比、透射率、 亮度以及對比度，并且具有低成本和高產(chǎn)量.背景技術(shù)一種利用橫向電場系統(tǒng)向液晶施加方向與襯底平行的電場的液晶 顯示設(shè)備，該液晶顯示設(shè)備具有寬視角并且是大屏幕液晶顯示的標(biāo)準(zhǔn). 例如，已經(jīng)由日本專利公開No. 10-55000、No. 10-325961、No. 11-24104、 No. 10-55001、 No. 10-170939以及No. 11-52420提出了這樣的技術(shù)， 并且這樣的技術(shù)已經(jīng)得到了改進(jìn)從而解決了諸如垂直串?dāng)_的問題.液晶制造者已經(jīng)提出了多種技術(shù)，其中包括這樣一種技術(shù)，其利 用光刻隔離器來改善橫向電場類型液晶顯示系統(tǒng)的對比度.例如，已 經(jīng)由日本專利公開No. 2000-199904和No. 2000-19527提出了這樣的技 術(shù).其中的大部分都利用光刻技術(shù)從而在濾色片襯底上建立隔離器， 日本專利公開No. 2000-19527和No. 2000-199904所表示出的想法是產(chǎn) 生一個其視頻信號線是沿襯底的垂直方向而不是沿襯底的水平方向的 電場，從而抑制垂直串?dāng)_.這要求光刻隔離器的介電常數(shù)大于液晶的 介電常數(shù).日本專利公開No. 2000-19526也提出了一種光刻隔離器， 其中該光刻隔離器的介電常數(shù)大于液晶的介電常數(shù).日本專利公開No. 2001-209053提出了一種垂直電場系統(tǒng)中的光刻 隔離器，其中該光刻隔離器沿著視頻信號線，以覆蓋視頻信號線，從 而降低了波形畸變，并且其中所使用的介電材料的介電常數(shù)小于液晶 的介電常數(shù).根據(jù)該專利公開，通過在液晶單元中生成真空間隔，然 后通過注射口利用空氣壓力將液晶注入該間隔中，從而構(gòu)建液晶單元. 在該液晶注入方法中，使用了一種同時處理幾百個單元以生產(chǎn)大液晶面板的批量處理過程.日本專利公開No. 2002-258321和No. 2002-323706教導(dǎo)了這樣一 種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)所使用的介電材料的介電常數(shù)小于液晶的介電常數(shù)， 并且該介電材料沿著視頻信號線從而覆蓋了視頻信號線，并且該結(jié)構(gòu) 沿著視頻信號線放置了透明傳導(dǎo)材料，從而改善了像素孔徑比并防止 了信號延遲.圖3是流程困，顯示了傳統(tǒng)技術(shù)中用于生產(chǎn)橫向電場類型液晶面 板的TFT (薄膜晶體管)陣列襯底(有源矩陣襯底)的典型生產(chǎn)過程. 該生產(chǎn)過程包含利用傳統(tǒng)的半色調(diào)(halftone)啄光技術(shù)的四步驟光 掩模處理過程.圖36A-36F是橫截面困，表示了依照困3的生產(chǎn)流程、 利用四步驟光掩模技術(shù)的結(jié)構(gòu)發(fā)展.在圖3的傳統(tǒng)的生產(chǎn)過程中，在步驟Sll中同時形成薄膜晶體管 的門電極和共電極.然后，在步碟S12,使薄膜晶體管與半導(dǎo)體層分離， 并且利用半色調(diào)光掩模膝光形成薄膜晶體管的源電極和漏電極.在步 驟S13中，生成用于門終端、數(shù)據(jù)終端、像素漏部分以及靜電保護(hù)晶 體管電路的接觸孔，然后，在步驟S14,形成門終端、數(shù)據(jù)終端、透明 傳導(dǎo)像素電極.在圖36A-36F的橫截面圖中，附圖標(biāo)記6代表顯影之后的正光致 抗蝕劑層上的一個區(qū)域，在該區(qū)域中阻斷了 UV膝光，附圖標(biāo)記7代表 顯影之后的正光致抗蝕刑層上的一個區(qū)域，在該區(qū)域中通過半色調(diào)(半 透明的)光掩模進(jìn)行了 UV詠光，附圖標(biāo)記9代表了門絕緣膜，附圖標(biāo) 記IO代表了薄膜半導(dǎo)體層(非摻雜層)，附圖標(biāo)記ll代表了薄膜半 導(dǎo)體層(摻雜層，即歐姆接觸層)，附圖標(biāo)記15代表掃描線，附圖標(biāo) 記50代表掃描線終端，附困標(biāo)記51代表視頻信號線，附圖標(biāo)記54代 表掃描線驅(qū)動電路接觸電極，附困標(biāo)記64代表薄膜晶體管的漏電極， 以及附困標(biāo)記65代表一個透明像素電極.在開始圖36A-36F的過程之前，在玻璃襯底上(未示出)形成掃 描線15和掃描終端50.在困36A中，由例如CVD等離子設(shè)備分別沉積 門絕緣膜9、薄膜半導(dǎo)體層(非摻雜層)10和薄膜晶體管歐姆接觸層 11.涂度正光致抗蝕劑6并且進(jìn)行半色調(diào)詠光，從而產(chǎn)生較厚的正光 致抗蝕劑和較薄的正光致抗蝕劑7.在圖36B和36C中，通過一個干刻 蝕處理過程，使薄膜晶體管與半導(dǎo)體層分離。在圖36D中，通過進(jìn)一步地進(jìn)行刻蝕處理過程從而形成薄膜晶體管的漏電極64和視頻信號線 51.在圖36E中，通過干刻蝕，在掃描線終端50上生成接觸孔.在圖 36F中，形成掃描線驅(qū)動電路電極54和透明像素電極65.傳統(tǒng)的橫向電場類型液晶面板利用放置在視頻線兩側(cè)的共電極來 屏蔽由信號視頻線引起的電場.為了使這種結(jié)構(gòu)可以完全地解決與垂 直串?dāng)_有關(guān)的問趙，必須將共電極的寬度設(shè)計為至少大于視頻信號線 的寬度的1.5倍，由此導(dǎo)致了像素孔徑比的降低.可以通過將由視頻信號線所產(chǎn)生的電場的電力線收集到光刻隔離 器來降低垂直串?dāng)_.這可以通過將由薄膜傳導(dǎo)材料(氣化鉻層和鉻金 屬薄膜層)制成的黑掩模放置到濾色片的側(cè)面并且將該黑掩模的電勢 設(shè)置為共電極的電勢，以及通過由絕緣材料產(chǎn)生的光刻隔離器來實現(xiàn)， 其中該光刻隔離器的放置方向與視頻線的方向相同并且以被拉長的形 式放置，該絕緣材料的介電常數(shù)大于液晶的介電常數(shù).但是，在這種 方法中，因為使用了具有大介電常數(shù)的材料，該黑掩模和視頻信號線 之間的電容增加，所以視頻信號的波形受到了延遲并且發(fā)生了畸變， 這對于大屏幕液晶面板來說是不合適的.如在日本專利公開No. 11-24104中公開的，通過在視頻信號線上 構(gòu)建鈍化層并且沿著視頻信號線在該鈍化層上放置屏蔽電極，可以幾 乎完全地屏蔽視頻信號線.但是，由于這種結(jié)構(gòu)使用了一種厚度在O. 3 微米到1微米范圍內(nèi)的非常薄的鈍化層，并且由氣化硅或氮化硅構(gòu)成 的鈍化層具有4 一 6的較大介電常數(shù)，所以屏蔽電極和視頻信號線之間 的電容增加.這導(dǎo)致信號波形受到延遲并且發(fā)生畸變，并且這對于大 屏幕液晶顯示面板來說是不合適的.日本專利公開No. 2001-209053公開了一種光刻隔離器，該光刻隔 離器以一種非常薄的方式形成并環(huán)繞視頻信號線，并且使用了具有小 介電常數(shù)的介電材料，從而可以降低濾色片側(cè)面上的共電極和視頻信 號線之間的電容.但是，這種技術(shù)利用的是通過注射口注入液晶的傳 統(tǒng)方法.所以，薄和長的光刻隔離器導(dǎo)致注入液晶的速度非常低，這 會嚴(yán)重降低生產(chǎn)效率.日本專利/^開No. 2002-258321和No. 2002-323706公開了一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)利用介電常數(shù)小于液晶的介電材料來覆蓋視頻信號線并且 沿著視頻信號線放置透明傳導(dǎo)材料，從而可以改善像素孔徑比并且可以防止視頻信號線延遲.但是，采用這種結(jié)構(gòu)，不可能同時生產(chǎn)液晶 單元和隔離器，因此，不得不執(zhí)行一個額外的光刻過程來生產(chǎn)光刻隔 離器.這導(dǎo)致生產(chǎn)過程更加復(fù)雜并且造價更高.采用日本專利公開No. 2002-258321中公開的技術(shù)并不足以生產(chǎn)具 有高對比度和低光泄漏的橫向電場類型液晶面板.當(dāng)覆蓋視頻信號線 的具有小介電常數(shù)的介電材料沿著視頻信號線的突起(bump)角度大 于40度時，使用研磨布進(jìn)行研磨處理的傳統(tǒng)技術(shù)引起了存在對準(zhǔn)缺陷 的區(qū)域，這是由于在突起的尖端部分處引起了研磨布毛邊末端運動方 向上的側(cè)向滑動，或者對準(zhǔn)缺陷出現(xiàn)在研磨布的毛邊頂端不能達(dá)到的 突起的傾斜表面上的區(qū)域處.發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在解決上述傳統(tǒng)技術(shù)中涉及的問題，并且本發(fā)明的一個 目的是提供一種大屏幕彩色液晶顯示設(shè)備，該設(shè)備可以實現(xiàn)改善了的 孔徑比和透射率、高亮度和高對比度，同時降低了成本并提高了產(chǎn)量.為了實現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的第一方面中，以覆蓋視頻信號線 的方式將由絕緣材料制成的薄和長的突起放置到形成于橫向電場類型 有源矩陣襯底上的視頻信號線上.然后，以度蓋該薄和長的絕緣突起 和該視頻信號線的方式沿著視頻信號線形成一個共電極，從而屏蔽了 由視頻信號線產(chǎn)生的電場.在本發(fā)明的笫二方面中，以覆蓋視頻信號線的方式將由絕緣材料 制成的薄和長的突起放置到形成于橫向電場類型有源矩陣村底上的視 頻信號線上.然后，以將視頻信號線夾在中間的方式在該薄和長的絕 緣突起的兩個側(cè)壁上形成一個共電極，從而屏蔽了由視頻信號線產(chǎn)生 的電場.在本發(fā)明的笫三方面中，將上述的本發(fā)明笫一和笫二方面中以襲 蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起用作隔離器，用于在組 裝液晶單元時規(guī)定液晶單元間隔.在本發(fā)明的第四方面中，通過半色調(diào)曝光過程，同時形成用于褒 蓋橫向電場類型有源矩陣襯底上的視頻信號線的、由絕緣材料制成的 薄和長的突起，以及用于規(guī)定液晶單元間隔的隔離器.然后，以覆蓋 視頻信號線的方式在薄和長的絕緣突起上形成一個共電極，從而屏蔽 由視頻信號線產(chǎn)生的電場.在本發(fā)明的笫五方面中，通過半色調(diào)啄光過程，同時形成用于覆 蓋橫向電場類型有源矩陣襯底上的視頻信號線的、由絕緣材料制成的 薄和長的突起，以及用于規(guī)定液晶單元間隔的隔離器，然后，以將視 頻信號線夾在中間的方式在薄和長的絕緣突起的兩個側(cè)壁上形成一個 共電極，從而屏蔽由視頻信號產(chǎn)生的電場.在本發(fā)明的笫六方面中，上述的本發(fā)明笫一、笫二、第三、笫四 和第五方面中的用于屏蔽視頻信號線的共電極是由薄膜透明傳導(dǎo)材料制成的，該材料允許光以大于20%的程度透射，該材料例如鈦金屬化 合物，包括鈦的氮化物(TiNx)、鈦的氮氧化物(Ti0xNy)、鈦的氮 硅化物(TiSixNy)以及鈦的硅化物(TiSix)，或者金屬氣化物透明 傳導(dǎo)材料，例如氧化銦(In203)或者氧化鋅(ZnO).在本發(fā)明的笫七方面中，上述的本發(fā)明笫一、笫二、第三、第四 和笫五方面中以復(fù)蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起的橫截面形狀是圃形、半圃形、雙曲線形或者拋物線形，并且絕緣突起的 尖端角6為30度或小于30度.在本發(fā)明的第八方面中，上述的本發(fā)明笫一、第二、第三、笫四 和第五方面中以覆蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起并不 形成于視頻信號線與掃描線彼此相交的區(qū)域周圍.在本發(fā)明的第九方面中，上述的本發(fā)明笫四和笫五方面中利用半 色調(diào)瀑光過程與薄和長的絕緣突起同時構(gòu)建的隔離器，在其頂部周閨 的區(qū)域內(nèi)未被共電極菝蓋，從而使形成該隔離器的介電材料膝光.在本發(fā)明的第十方面中，上述的本發(fā)明笫四和笫五方面中規(guī)定了 薄和長的絕緣突起高度和液晶單元間隔的隔離器具有0.2微米到2.0 微米范圍內(nèi)的高度差h2,在本發(fā)明的第十一方面中，上述的本發(fā)明第四和第五方面中利用 半色調(diào)膝光過程與薄和長的絕緣突起同時構(gòu)建的隔離器的密度為每平 方毫米上有一 (1)個隔離器到七十五(75)個隔離器，并且這些隔離 器在整個襯底上均勻分布.在本發(fā)明的第十二方面中，在每平方毫米上，上述的本發(fā)明第四 和第五方面中利用半色調(diào)膝光過程與薄和長的絕緣突起同時形成的隔 離器的面積在200平方微米到2000平方微米的范圍內(nèi).在本發(fā)明的第十三方面中，以覆蓋視頻信號線的方式在形成于橫向電場類型有源矩陣襯底上的視頻信號線上形成由絕緣材料制成的薄 和長的突起.然后，以覆蓋該薄和長的絕緣突起和視頻信號線的方式 沿著視頻信號線形成一個共電極，從而屏蔽了由視頻信號線產(chǎn)生的電 場.進(jìn)一步，以襲蓋掃描線的方式類似地在掃描線上形成一個薄和長 的絕緣突起.然后，以將掃描線夾在中間的方式在該掃描線的側(cè)壁上 形成一個共電極，從而屏蔽了由掃描線產(chǎn)生的電場.在本發(fā)明的笫十四方面中，以夜蓋視頻信號線的方式在形成于橫 向電場類型有源矩陣襯底上的視頻信號線上，形成由絕緣材料制成的 薄和長的突起.然后，以將視頻信號線夾在中間的方式在該薄和長的 絕緣突起的兩個側(cè)壁上形成一個共電極，從而屏蔽由視頻信號線產(chǎn)生 的電場，進(jìn)一步，以夜蓋掃描線的方式類似地在掃描線上形成一個薄 和長的絕緣突起.然后，以將掃描線夾在中間的方式在該掃描線的兩 個側(cè)壁上形成一個共電極，從而屏蔽了由掃描線產(chǎn)生的電場.在本發(fā)明的笫十五方面中，上述的本發(fā)明第十三和十四方面中的， 以覆蓋視頻信號線和掃描線周圍的方式形成的薄和長的絕緣突起被用 作隔離器，用于在組裝液晶單元時規(guī)定液晶單元間隔.在本發(fā)明的笫十六方面中，通過半色調(diào)曝光過程，同時形成用于 覆蓋橫向電場類型有源矩陣村底上的視頻信號線的、由絕緣材料制成 的薄和長的突起，以及用于規(guī)定液晶單元間隔的隔離器.然后，以菝 蓋視頻信號線的方式在薄和長的絕緣突起上形成一個共電極，從而屏 蔽由視頻信號線產(chǎn)生的電場.進(jìn)一步，以覆蓋掃描線的方式通過半色 調(diào)膝光過程以類似的方式在掃描線上形成一個薄和長的絕緣突起.然 后，以將掃描線夾在中間的方式在該掃描線的兩個側(cè)壁上形成一個共 電極，從而屏蔽了由掃描線產(chǎn)生的電場.在本發(fā)明的第十七方面中，通過半色調(diào)膝光過程，同時形成用于 覆蓋橫向電場類型有源矩陣襯底上的視頻信號線的、由絕緣材料制成 的薄和長的突起，以及用于規(guī)定液晶單元間隔的隔離器.然后，以將 視頻信號線夾在中間的方式在該薄和長的絕緣突起的兩個側(cè)壁上形成 一個共電極，從而屏蔽由視頻信號線產(chǎn)生的電場.進(jìn)一步，以覆蓋掃 描線的方式通過半色調(diào)瀑光過程以類似的方式在掃描線上形成一個薄 和長的絕緣突起.然后，以將掃描線夾在中間的方式在該掃描線的兩 個側(cè)壁上形成一個共電極，從而屏蔽了由掃描線產(chǎn)生的電場.在本發(fā)明的笫十八方面中，上述的本發(fā)明笫十三、笫十四、笫十 五、笫十六、笫十七方面中的，用于屏蔽視頻信號線和掃描線的共電極由薄膜透明傳導(dǎo)材料制成，該材料允許光以大于20%的程度透射， 該材料例如鈦金屬化合物，包含鈦的氮化物(TiNx)、鈦的氮氧化物 (Ti0xNy)、鈦的氮硅化物(TiSixNy)以及鈦的硅化物(TiSix), 或者金屬氧化物透明傳導(dǎo)材料，例如氧化銦(In203 )或者氧化鋅(ZnO ).在本發(fā)明的第十九方面中，上述的本發(fā)明第十三、第十四、笫十 五、笫十六、第十七方面中的，以覆蓋視頻信號線和掃描線的方式形 成的薄和長的絕緣突起的橫截面形狀是圃形、半圃形、雙曲線形或者 拋物線形，并且絕緣突起的尖端角6為30度或小于30度.在本發(fā)明的第二十方面中，上述的本發(fā)明笫十三、第十四、笫十 五、笫十六、第十七方面中的，以復(fù)蓋視頻信號線和掃描線的方式形 成的薄和長的絕緣突起并不形成在視頻信號線與掃描線彼此相交的區(qū) 域周圍.在本發(fā)明的第二十一方面中，上述的本發(fā)明第十六和第十七方面 中的，通過半色調(diào)膝光過程與薄和長的絕緣突起同時構(gòu)建的隔離器， 在其頂部周圍的區(qū)域內(nèi)未被共電極覆蓋，從而使形成該隔離器的介電材料膝光.在本發(fā)明的第二十二方面中，上述的本發(fā)明第十六和笫十七方面 中的，規(guī)定了薄和長的絕緣突起高度和液晶單元間隔的隔離器具有0.2 微米到2.0微米范圍內(nèi)的高度差h2.在本發(fā)明的第二十三方面中，上述的本發(fā)明第十六和笫十七方面 中的，通過半色調(diào)膝光過程與薄和長的絕緣突起同時構(gòu)建的隔離器的 密度為每平方毫米上有一 (1)個隔離器到七十五(75)個隔離器，并 且這些隔離器在整個襯底上均勻分布.在本發(fā)明的笫二十四方面中，在每平方毫米上，上述的本發(fā)明第 十六和第十七方面中的，通過半色調(diào)啄光過程與薄和長的絕緣突起同 時形成的隔離器的面積在200平方微米到2000平方微米的范閨內(nèi).在本發(fā)明的笫二十五方面中，以將視頻信號線在上/下方向和左/ 右方向上夾在中間的方式，通過位于一個上層和一個下層之間的門絕 緣膜和鈍化膜在該上層和下層中提供上述的本發(fā)明第一、笫二、第三、 笫四、第五、笫十三、笫十四、第十五、第十六和第十七方面中的共電極，其中下層中的共電極由金屬電極制成，其阻止光的通過，而上 層中的共電極是透明電極，其允許光的通過.上層中的共電極的電極 寬度大于下層中的共電極的電極寬度，并且向液晶驅(qū)動電極的側(cè)面凸 出.在本發(fā)明的笫二十六方面中，上述的本發(fā)明第一、笫二、笫三、 笫四、第五、笫十三、笫十四、第十五、第十六和笫十七方面中的， 視頻信號線、以覆蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起以及 沿視頻信號線形成的用于屏蔽視頻信號線的共電極以直線的方式對 準(zhǔn)，其中像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極和像素內(nèi)部的共電極在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在0-30度 的范圍內(nèi)(不包含0度).在本發(fā)明的第二十七方面中，上述的本發(fā)明第一、第二、笫三、 笫四、第五、第十三、第十四、笫十五、第十六和笫十七方面中的， 視頻信號線、以覆蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起以直 線的方式對準(zhǔn)，其中沿視頻信號線形成的用于屏蔽視頻信號線的共電 極、像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極和像素內(nèi)部的共電極在像素之內(nèi)至少受 到一次彎曲，彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在0-30度的范 圍內(nèi)(不包含0度).在本發(fā)明的第二十八方面中，上述的本發(fā)明第一、笫二、第三、 笫四、笫五、第十三、第十四、第十五、第十六和笫十七方面中的， 視頻信號線、以褒蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起、沿 視頻信號線形成的用于屏蔽視頻信號線的共電極以及像素內(nèi)部的共電 極以直線的方式對準(zhǔn)，其中僅像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極在像素之內(nèi)至 少受到一次彎曲，彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在0-30度 的范圍內(nèi)(不包含0度).在本發(fā)明的第二十九方面中，上述的本發(fā)明第一、第二、笫三、 第四、第五、笫十三、第十四、笫十五、第十六和第十七方面中的， 視頻信號線、以覆蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起、沿 視頻信號線形成的用于屏蔽視頻信號線的共電極、像素內(nèi)部的共電極 以及像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極，在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎曲 的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在0- 30度的范圍內(nèi)(不包含0度).在本發(fā)明的笫三十方面中，上述的本發(fā)明第一、第二、笫三、笫四、第五、笫十三、第十四、笫十五、笫十六和第十七方面中的，視 頻信號線、以復(fù)蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起、沿視 頻信號線形成的用于屏蔽視頻信號線的共電極、像素內(nèi)部的共電極以 及像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極，在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在0-30度的范圍內(nèi)(不包含O度)， 并且類似地，與有源矩陣襯底相對的、濾色片襯底的側(cè)面上的濾色片 層和光屏蔽膜(黑掩模)在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎曲的角度 相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在0-30度的范閨內(nèi)(不包含O度).在本發(fā)明的第三十一方面中，上述的本發(fā)明第一、第二、第三、 笫四、笫五、第十三、笫十四、笫十五、第十六和笫十七方面中的， 視頻信號線、以覆蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起以及 沿視頻信號線形成的用于屏蔽枧頻信號線的共電極以直線的方式對 準(zhǔn)，其中像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極和像素內(nèi)部的共電極在像素之內(nèi)至 少受到一次彎曲，彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60-120 度的范圍內(nèi)(不包含90度).在本發(fā)明的笫三十二方面中，上迷的本發(fā)明第一、第二、笫三、 笫四、笫五、第十三、笫十四、第十五、第十六和笫十七方面中的， 視頻信號線和以襲蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起以直 線的方式對準(zhǔn)，其中沿視頻信號線形成的用于屏蔽視頻信號線的共電 極、像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極和像素內(nèi)部的共電極在像素之內(nèi)至少受 到一次彎曲，彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60 - 120度的 范圍內(nèi)(不包含90度).在本發(fā)明的第三十三方面中，上述的本發(fā)明第一、第二、第三、 第四、第五、第十三、第十四、第十五、第十六和第十七方面中的， 視頻信號線、以覆蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起、沿 視頻信號線形成的用于屏蔽視頻信號線的共電極以及像素內(nèi)部的共電 極以直線的方式對準(zhǔn)，其中僅像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極在像素之內(nèi)至 少受到一次彎曲，彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60-120 度的范圍內(nèi)(不包含90度).在本發(fā)明的第三十四方面中，上述的本發(fā)明笫一、笫二、第三、 第四、第五、笫十三、笫十四、第十五、第十六和第十七方面中的， 視頻信號線、以度蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起、沿視頻信號線形成的用于屏蔽視頻信號線的共電極、像素內(nèi)部的共電極 以及像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極，在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向60 - 120度的范圍內(nèi)(不包含90 度).在本發(fā)明的笫三十五方面中，上述的本發(fā)明笫一、笫二、第三、 笫四、第五、第十三、第十四、第十五、笫十六、笫十七方面中的， 視頻信號線、以襲蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起、沿 視頻信號線形成的用于屏蔽視頻信號線的共電極、像素內(nèi)部的共電極 以及像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極，在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎曲 的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60 - 120度的范圍內(nèi)(不包含90 度)，并且類似地，與有源矩陣襯底相對的、濾色片襯底的倒面上的 濾色片層和光屏蔽膜(黑掩模)在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎曲 的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60- 120度的范閨內(nèi)(不包含90 度).在本發(fā)明的第三十六方面中，上述的本發(fā)明第一、第二、笫三、 第四、第五、第十三、第十四、第十五、第十六和第十七方面中的， 沿視頻信號線形成的用于覆蓋視頻信號線的薄和長的絕緣突起，其介 電常數(shù)小于3.3，其高度hl在1.5微米到5. 0微米的范閨內(nèi)，視頻信 號線的邊緣和絕緣突起的邊緣之間的距離Ll在3. 0微米到6. 0微米的 范閨內(nèi).在本發(fā)明的笫三十七方面中，上述的本發(fā)明第一、第二、笫三、 笫四、第五、第十三、笫十四、第十五、第十六和第十七方面中的， 覆蓋了視頻信號線的絕緣突起的邊緣和覆蓋了絕緣突起的屏蔽共電極 的邊緣之間的距離L2在0. 5微米到10. 0微米的范圍內(nèi)，在本發(fā)明的第三十八方面中，上述的本發(fā)明笫一、第二、第三、 笫四、笫五、笫十三、第十四、第十五、笫十六和第十七方面中的，被用作制造度蓋視頻信號線的絕緣突起的材料的單體或低聚體，至少 具有一種苯并環(huán)丁烯結(jié)構(gòu)或其介電形式，或者至少具有一種芴骨架或其介電形式.在本發(fā)明的笫三十九方面中，上述的本發(fā)明笫一、第二、笫三、 第四、第五、第十三、笫十四、第十五、第十六和笫十七方面中，當(dāng) 形成覆蓋視頻信號線的薄和長的絕緣突起時，至少同時形成一個閉環(huán)結(jié)構(gòu)的陣礙物突起隔離器，用于防止由于空氣壓力或來自某一位置的 液晶的壓力所導(dǎo)致的主密封的破裂，其中該位置與在其上形成環(huán)繞整 個有效像素區(qū)域的液晶單元的主密封的區(qū)域相同，在本發(fā)明的笫四十方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣村底的過程(1)形成用于掃描線的困案(掃描線構(gòu)困步驟)；(2 )將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(硅分離步驟)；(3) 同時形成視頻信號線和液晶驅(qū)動電極；(4) 形成覆蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 覆蓋視頻信號線的絕緣突起(半色調(diào)瀑光過程)；(5) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(6) 同時形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極和像素內(nèi)部的透 明共電極.在本發(fā)明的笫四十一方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1)同時形成掃描線、像素內(nèi)部的共電極，以及用于屏蔽視頻信 號線的下層共電極；(2 )將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(硅分離步驟)；(3) 同時形成視頻信號線和液晶驅(qū)動電極；(4) 形成覆蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 覆蓋視頻信號線的絕緣突起(半色調(diào)啄光過程)；(5) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(6) 形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極. 在本發(fā)明的笫四十二方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 形成用于掃描線的圖案；(2) 形成用于薄膜晶體管的刻蝕終止溝道的圖案；(3) 同時形成視頻信號線和液晶驅(qū)動電極；(4) 形成覆蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 覆蓋視頻信號線的絕緣突起(半色調(diào)啄光過程)；(5) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(6) 同時形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極和像素內(nèi)部的透明共電極.在本發(fā)明的笫四十三方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線、像素內(nèi)部的共電極，以及用于屏蔽視頻信 號線的下層共電極；(2) 形成用于薄膜晶體管的刻蝕終止溝道的困案；(3) 同時形成視頻信號線和液晶驅(qū)動電極；(4) 形成度蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 覆蓋視頻信號線的絕緣突起(半色調(diào)曝光過程)；(5) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(6) 形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極. 在本發(fā)明的第四十四方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 形成用于掃描線的困案；(2) 同時形成視頻信號線和液晶驅(qū)動電極，以及將用于薄膜晶體 管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(半色調(diào)膝光過程)；(3) 形成覆蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 戾蓋視頻信號線的絕緣突起(半色調(diào)膝光過程)；(4) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(5) 同時形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極和像素內(nèi)部的透 明共電極.在本發(fā)明的第四十五方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線、像素內(nèi)部的共電極，以及用于屏蔽視頻信 號線的下層共電極；(2) 同時形成視頻信號線和液晶驅(qū)動電極，以及將用于薄膜晶體 管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(半色調(diào)曝光過程)；(3) 形成覆蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 覆蓋視頻信號線的絕緣突起(半色調(diào)曝光過程)；(4) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(5) 形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極. 在本發(fā)明的笫四十六方面中，上迷的本發(fā)明第一、笫二、第三、笫四、第五、笫十三、笫十四、笫十五、笫十六和笫十七方面中的， 以環(huán)繞視頻信號線的方式沿薄和長的絕緣突起形成的用于屏蔽的共電 極，在整個有效像素區(qū)域上互相連接，并且其電勢被設(shè)置為接近視頻 信號電壓的中心電壓.在本發(fā)明的笫四十七方面中，上述的本發(fā)明笫一、笫二、笫三、 第四、笫五、第十三、第十四、第十五、第十六和笫十七方面中的， 用于驅(qū)動液晶分子的一個像素的電極，由三個不同的電極構(gòu)成，這三 個電極包含一個連接到薄膜晶體管、用于驅(qū)動液晶的單電極， 一個形 成在像素左右兩側(cè)、用于屏蔽視頻信號線的下層共電極，以及一個沿 環(huán)繞視頻信號線的薄和長的絕緣突起形成的上層屏蔽共電極，從而在 像素內(nèi)部不存在共電極.在本發(fā)明的笫四十八方面中的橫向電場類型有源矩陣液晶顯示設(shè) 備中，使有源矩陣襯底變得平整(平坦)和構(gòu)建光刻隔離器的過程是通過下面的步驟同時實施的首先施加負(fù)光致抗蝕劑，其厚度為液晶 單元間隔加上在像素內(nèi)部的由非透明金屬材料或者金屬硅化物或者金 屬氮化物制成的共電極、用于屏蔽視頻信號線的下層共電極以及液晶 驅(qū)動電極這三者中最大厚度的和，然后從有源矩陣襯底的背表面使紫 外光詠光到整個有效像素區(qū)域，繼而使紫外光完全啄光到形成隔離器 的部分，該隔離器是利用用于光刻隔離器的光掩模而形成的，最后對 有源矩陣襯底進(jìn)行顯影.在本發(fā)明的笫四十九方面中，按照下面的步取進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線(薄膜晶體管的門電極)、像素內(nèi)部的共電 極，以及用于屏蔽視頻信號線的下層共電極；(2) 將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(硅分離)；(3) 同時形成視頻信號線和液晶驅(qū)動電極；(4) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；(5) 同時形成掃描線終端部分、視頻信號線終端部分，以及靜電 保護(hù)電路；以及(6) 形成光刻隔離器并且使有效像素區(qū)域變得平整(半色調(diào)背表 面膝光過程).在本發(fā)明的笫五十方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線(薄膜晶體管的門電極)、像素內(nèi)部的共電 極，以及用于屏蔽視頻信號線的下層共電極；(2) 形成用于薄膜晶體管的刻蝕終止溝道的圖案；(3) 同時形成視頻信號線和液晶驅(qū)動電極；(4) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；(5) 同時形成掃描線終端部分、視頻信號線終端部分，以及靜電 保護(hù)電路；以及(6) 形成光刻隔離器并且使有效像素區(qū)域變得平整(半色調(diào)背表 面瀑光過程).在本發(fā)明的第五十一方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣村底的過程(1) 同時形成掃描線(薄膜晶體管的門電極)、像素內(nèi)部的共電 極，以及用于屏蔽視頻信號線的下層共電極；(2) 將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(硅分離)；(3) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；(4) 同時形成視頻信號線、液晶驅(qū)動電極、掃描線終端部分、視頻信號線終端部分，以及靜電保護(hù)電路；以及(5) 形成光刻隔離器并且使有效像素區(qū)域變得平整(半色調(diào)背表面膝光過程).在本發(fā)明的笫五十二方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線(薄膜晶體管的門電極)、像素內(nèi)部的共電 極，以及用于屏蔽視頻信號線的下層共電極；(2) 將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(硅分離)并且 形成用于絳端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔(笫一和第二半色調(diào) 膝光過程).在本發(fā)明的第五十三方面中，按照下面的步稞進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線(薄膜晶體管的門電極)、像素內(nèi)部的共電 極，以及用于屏蔽視頻信號線的下層共電極；(2) 同時形成視頻信號線和液晶驅(qū)動電極，以及將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(半色調(diào)詠光過程)；(3) 形成用于終端部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔；(4) 同時形成掃描線終端部分、視頻信號線終端部分，以及靜電 保護(hù)電路；以及(5) 形成光刻隔離器并且使有效像素區(qū)域變得平整(半色調(diào)背表 面跟光過程).在本發(fā)明的笫五十四方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線(薄膜晶體管的門電極)、像素內(nèi)部的共電 極，以及用于屏蔽視頻信號線的下層共電極(對于P-SiNx\a-Si 1層\ n+a-Si層的結(jié)構(gòu)，使用包含了陰影框架的掩模沉積處理過程)；(2) 同時形成視頻信號線、液晶驅(qū)動電極、靜電保護(hù)電路和掃描 線終端部分，以及將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(半色 調(diào)膝光過程)；以及(3) 形成光刻隔離器并且使有效像素區(qū)域變得平整(半色調(diào)背表 面膝光過程).在本發(fā)明的笫五十五方面中，對于在用于使橫向電場類型液晶顯 示設(shè)備的有源矩陣襯底的有效像素區(qū)域變得平整的過程中使用的半色 調(diào)背表面瀑光裝置，將用于紫外光或紫外光LED的硅光纖光纜按照同 軸方式束在一起，使得紫外線可以從襯底的背表面僅對橫向電場類型 液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的有效像素區(qū)域進(jìn)行曝光處理.在本發(fā)明的第五十六方面中，對于半色調(diào)背面曝光過程，上迷的 本發(fā)明第四十八、笫四十九、第五十、第五十一、笫五十二、笫五十 三和第五十四方面中，在將紫外光完全瀑光到將要構(gòu)建隔離器的部分 之前，從有源矩陣村底的背表面利用紫外光對整個有效像素區(qū)域進(jìn)行 詠光處理，其中隔離器是利用用于構(gòu)建光刻隔離器的光掩模而形成的. 然后，在對襯底進(jìn)行顯影之后，利用白光干涉儀測量有源矩陣襯底側(cè) 面的有效像素區(qū)域內(nèi)襯底表面的不平整度以及隔離器的高度，從而可 以通過一個反饋控制過程，響應(yīng)來自白光干涉儀的測量數(shù)據(jù)從而對光 致抗蝕刑的涂瘦厚度和用于半色調(diào)背表面曝光的光量進(jìn)行控制.在本發(fā)明的第五十七方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 利用激光束在玻璃襯底的內(nèi)部形成對準(zhǔn)標(biāo)記；(2) 使兩個或多個不同種類的金屬層或金屬化合物層或者合金層 沉積(在由激光束生成的對準(zhǔn)標(biāo)記部分處不進(jìn)行沉積)；(3) 在施加了正光致抗蝕刑之后，通過利用普通光掩模的瀑光不 足方法的第一半色調(diào)瀑光過程，使門總線和共總線膝光，然后通過笫 二瀑光過程使門總線、共總線、用于屏蔽視頻信號線的共電極，以及 像素內(nèi)部的共電極曝光；(4) 在進(jìn)行顯影后，利用第一濕刻蝕或干刻蝕處理過程使沉積的 金屬被刻蝕掉，然后，通過氧氣等離子灰化方法去除半色調(diào)曝光區(qū)域 處的正光致抗蝕劑，并且然后通過第二濕刻蝕或干刻蝕處理過程去除 半色調(diào)啄光區(qū)域處不必要的金屬層，并且通過利用該第一和笫二刻蝕 處理過程，形成門總線、共總線、用于屏蔽視頻信號線的共電極，以 及像素內(nèi)部的共電極；(5) 沉積門絕緣膜、非摻雜薄膜半導(dǎo)體層(a-Si i層)以及n 十a(chǎn)-Si層(歐姆接觸層)，并且在其上涂褒正光致抗蝕刑，然后通過 利用普通光掩模的啄光不足方法的第一半色調(diào)曝光過程，使a-Si硅島 狀物膝光，并且然后通過笫二膝光過程使用于門終端連接部分和用于 靜電保護(hù)電路的接觸孔膝光；(6) 在進(jìn)行顯影后，通過第一干刻蝕處理過程將門絕緣膜、非摻 雜薄膜半導(dǎo)體層(a-Si i層)以及n + a - Si層(歐姆接觸層)刻蝕 掉，從而形成用于門終端連接部分和靜電保護(hù)電路的接觸孔，然后， 在利用氣氣等離子灰化方法去除了半色調(diào)膝光區(qū)域處的正光致抗蝕劑 之后，利用笫二刻蝕處理過程去除半色調(diào)曝光區(qū)域處的不必要的非摻 雜薄膜半導(dǎo)體層(a-Si i層)以及n + a - Si層(歐姆接觸層)，并 且然后，利用該第一和笫二刻蝕處理過程構(gòu)建a-Si硅島狀物、門終端 連接部分以及靜電保護(hù)電路；以及(7) 同時構(gòu)建視頻信號線、液晶驅(qū)動電極、靜電保護(hù)電路以及門 終端(通過利用普通光掩模的半色調(diào)啄光過程).在本發(fā)明的笫五十八方面中，在用于生產(chǎn)本發(fā)明的有源矩陣顯示 設(shè)備的薄膜晶體管的生產(chǎn)過程中使用的瞰光設(shè)備具有這樣一種功能 在利用普通的光掩模實施笫一半色調(diào)啄光(非完全曝光)過程，從而 構(gòu)建了溝道長度大約為薄膜晶體管溝道長度一半的源電極和漏電極之后，并且在將有源矩陣襯底沿水平方向移動了大約為薄膜晶體管溝道 長度一半的長度之后，實施第二半色調(diào)啄光(完全舉光)過程.在本發(fā)明的第五十九方面中，通過下面的步驟來進(jìn)行生產(chǎn)有源矩陣液晶顯示設(shè)備的薄膜晶體管的過程首先利用普通光掩模實施笫一半色調(diào)啄光(非完全啄光；舉光不足)，從而構(gòu)建溝道長度大約為薄膜晶體管溝道長度一半的薄膜晶體管的源電極和漏電極，然后將有源 矩陣襯底沿水平方向移動了大約為薄膜晶體管的目標(biāo)溝道長度一半的長度，繼而在實施笫二半色調(diào)膝光(非完全膝光；曝光不足)之后， 對正光致抗蝕劑進(jìn)行顯影，由此使薄膜晶體管的溝道部分的正光致抗 蝕刑的厚度減小，所減小的量對應(yīng)于目標(biāo)溝道的長度。在本發(fā)明的笫六十方面中，上述的本發(fā)明笫五十九方面中的半色 調(diào)移動膝光技術(shù)被用于同時實施薄膜晶體管的硅元件分離和視頻信號 線(源電極)和漏電極(連接到液晶驅(qū)動電極或透明像素電極的電極) 的形成.在本發(fā)明的第六十一方面中，利用上述的本發(fā)明第五十九方面中 的半色調(diào)移動曝光技術(shù)，通過下面的步騍進(jìn)行生產(chǎn)有源矩陣襯底的過 程(1) 同時形成掃描線(薄膜晶體管的門電極)和共電極；(2) 同時形成視頻信號線(薄膜晶體管的源電極)和漏電極，以及將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(半色調(diào)曝光過程)；(3) 形成用于掃描線終端部分、視頻信號線終端部分以及用于靜 電保護(hù)電路的接觸孔；以及(4) 同時形成掃描線終端部分、視頻信號線終端部分、靜電保護(hù) 電路以及透明電極.在本發(fā)明的第六十二方面中，利用上述的本發(fā)明第五十九方面中 的半色調(diào)移動曝光技術(shù)，通過下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場類型有源 矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線(門電極)、像素內(nèi)部的共電極，以及用于 屏蔽視頻信號線的下層共電極(在使用了 P-SiN"a-Si i層\ n+a-Si 層的結(jié)構(gòu)的情況下，使用包含了陰影框架的掩模沉積處理過程)；(2) 同時形成視頻信號線、液晶驅(qū)動電極、靜電保護(hù)電路和掃描 線終端部分，以及將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(半色調(diào)膝光過程)；以及(3)形成光刻隔離器并且使有效像素區(qū)域變得平整(半色調(diào)背表 面詠光過程).在本發(fā)明的笫六十三方面中，上述本發(fā)明的第三、笫四、笫五、 第十五、第十六和笫十七方面中的隔離器突起具有這樣一種特性在 真空下通過將有源矩陣襯底和濾色片村底相互疊置而構(gòu)建液晶單元期 間，響應(yīng)于空氣壓力，沿著整個有效像素區(qū)域彈性地而均勻地變形， 并且變形的范圍在0.1微米到0. 5微米之間.在本發(fā)明的笫六十四方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣村底的過程 (1)形成掃描線；(2 )將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(硅分離步驟)；(3) 同時形成視頻信號線(源電極)和漏電極；(4) 形成度蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 覆蓋視頻信號線的突起(半色調(diào)曝光過程)；(5) 形成用于終端部分、漏電極以及靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(6) 同時形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極、像素內(nèi)部的透 明共電極以及液晶驅(qū)動電極，在本發(fā)明的笫六十五方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1)同時形成掃描線和用于屏蔽視頻信號線的下層共電極；(2 )將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(硅分離步驟)；(3) 同時形成視頻信號線(源電極)和漏電極；(4) 形成瘦蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 覆蓋視頻信號線的突起(半色調(diào)瀑光過程)；(5) 形成用于終端部分、漏電極以及靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(6) 同時形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極、像素內(nèi)部的透 明共電極以及液晶驅(qū)動電極，在本發(fā)明的第六十六方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 形成掃描線；(2) 形成用于薄膜晶體管的刻蝕終止溝道的圖案；(3) 同時形成視頻信號線(源電極)和漏電極；(4) 形成覆蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 復(fù)蓋視頻信號線的突起(半色調(diào)膝光過程)；(5) 形成用于終端部分、漏電極以及靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(6) 同時形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極、像素內(nèi)部的透 明共電極以及液晶驅(qū)動電極.在本發(fā)明的笫六十七方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線和用于屏蔽視頻信號線的下層共電極；(2) 形成用于薄膜晶體管的刻蝕終止溝道的圖案；(3) 同時形成視頻信號線和漏電極；(4) 形成覆蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 覆蓋視頻信號線的突起(半色調(diào)啄光過程)；(5) 形成用于終端部分、漏電極以及靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(6) 同時形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極、像素內(nèi)部的透 明共電極以及液晶驅(qū)動電極.在本發(fā)明的第六十八方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場 類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 形成掃描線；(2) 同時形成視頻信號線(源電極)和漏電極，以及將用于薄膜 晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(半色調(diào)曝光過程)；(3) 形成覆蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 褒蓋視頻信號線的突起(半色調(diào)瀑光過程)；(4) 形成用于終端部分、漏電極以及靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(5) 同時形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極、像素內(nèi)部的透 明共電極以及液晶驅(qū)動電極.在本發(fā)明的第六十九方面中，按照下面的步驟進(jìn)行生產(chǎn)橫向電場類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的過程(1) 同時形成掃描線和用于屏蔽視頻信號線的下層共電極；(2) 同時形成視頻信號線(源電極)和漏電極，以及將用于薄膜 晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離(半色調(diào)詠光過程)；(3) 形成復(fù)蓋視頻信號線的隔離器突起，或者同時形成隔離器和 襲蓋視頻信號線的突起(半色調(diào)膝光過程)；(4) 形成用于終端部分、漏電極以及靜電保護(hù)電路的接觸孔；以及(5) 同時形成用于屏蔽視頻信號線的透明共電極、像素內(nèi)部的透 明共電極以及液晶驅(qū)動電極.在本發(fā)明的笫七十方面中，上述的本發(fā)明第四十七方面中的，視 頻信號線、以度蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起、用于 屏蔽由視頻信號線導(dǎo)致的電場的上層共電極、用于屏蔽的下層共電極 以及像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極，在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎曲 的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在0- 30度的范閨內(nèi)(不包含0度),并且類似地，與有源矩陣襯底相對的、濾色片襯底的側(cè)面上的濾色片 層和光屏蔽膜(黑掩模)在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎曲的角度 相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在0-30度的范圍內(nèi)(不包含O度).在本發(fā)明的第七十一方面中，上述的本發(fā)明笫四十七方面中的， 視頻信號線、以覆蓋視頻信號線的方式形成的薄和長的絕緣突起、用 于屏蔽由視頻信號線導(dǎo)致的電場的上層共電極、用于屏蔽的下層共電 極以及像素內(nèi)部的液晶驅(qū)動電極，在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎 曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60- 120度的范圍內(nèi)(不包含 90度)，并且類似地，與有源矩陣襯底相對的、濾色片村底的側(cè)面上 的濾色片層和光屏蔽膜(黑掩模)在像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，彎 曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60 - 120度的范圍內(nèi)(不包含 90度).根據(jù)上述的本發(fā)明第一、第二、第三、第四以及第五方面，屏蔽 視頻信號線的電場的共電極的寬度可以得到顯著地降低，并且孔徑比 可以得到顯著地改善.特別地，通過利用本發(fā)明的笫三、笫四和第五 方面，可以將覆蓋視頻信號線的突起和隔離器一同使用.進(jìn)一步，利 用半色調(diào)曝光方法，可以同時構(gòu)建度蓋視頻信號線的突起和隔離器，這就顯著地縮短了生產(chǎn)過程所需的時間.在由日本專利公開No. 2002-258321和No. 2002-323706所公開的傳統(tǒng)技術(shù)中，要求在濾 色片襯底上構(gòu)建光隔離器，這就需要額外的生產(chǎn)過程.在本發(fā)明中利 用了環(huán)繞視頻信號線的突起以及隔離器，這就可以簡化生產(chǎn)過程，特 別是當(dāng)液晶單元間隔小于3微米時的情況更是如此，由此使得可以顯 著地降低生產(chǎn)成本.根據(jù)上述的本發(fā)明笫二和笫五方面，視頻信號線和屏蔽共電極之 間的電容可以被最小化，因此，即使當(dāng)液晶顯示系統(tǒng)的尺寸增加到四 十(40)英寸或更大的時候，也可以使孔徑比最大化而同時使視頻信 號波形的畸變最小化.特別地，本發(fā)明的笫二和笫五方面對降低視頻 信號波形的畸變是有益的，特別是當(dāng)液晶單元間隔小于2.5微米的時 候情況更是如此.根據(jù)上述本發(fā)明的笫六和笫十八方面，夜蓋視頻信號線的絕緣突 起和屏蔽共電極之間的粘接強度得到了改善，并且防止了膜剝落的問 題，由此提高了生產(chǎn)產(chǎn)量.而且，通過將透明材料用于屏蔽共電極， 當(dāng)液晶受到驅(qū)動時就可以允許光通過屏蔽共電極周圍的區(qū)域，從而改 善了有效透射率，由此實現(xiàn)了具有高亮度和高對比度的液晶顯示設(shè)備.根據(jù)上述的本發(fā)明笫七和笫十九方面，在進(jìn)行研磨對準(zhǔn)處理過程 中，研磨布毛邊末端的運動可以平滑地進(jìn)行，從而可以防止對準(zhǔn)缺陷 的發(fā)生，在日本專利公開No. 2002-258321和No. 2002-323706中公開 的傳統(tǒng)技術(shù)未利用小于30度的尖端角，該角是有源矩陣襯底上的突起 的邊緣處的角.因此，在傳統(tǒng)技術(shù)的突起的邊緣部分處不能獲得研磨 布毛邊末端的平滑運動，這就導(dǎo)致了差的對準(zhǔn)情況.因此，其導(dǎo)致了 在黑顯示期間，在具有差的對準(zhǔn)的部分處，光發(fā)生泄漏，并且因此顯 著地降低了對比度.根據(jù)本發(fā)明，將度蓋視頻信號線的突起的尖端角 控制為小于30度，從而在黑顯示期間不會發(fā)生光泄漏，這就可以獲得具有高對比度的高困像質(zhì)量.根據(jù)上述的本發(fā)明第四、笫五、第八、第十、第十一、第十二、 笫十六、第十七、笫二十、第二十三和第二十四方面，利用液晶滴落 送料真空附著對準(zhǔn)設(shè)備，在液晶單元構(gòu)建期間，液晶平滑地散布在液 晶單元內(nèi)，因此可以減少與殘余空氣泡有關(guān)的問題.在常壓下生成液 晶單元然后將這些液晶單元切割成用于在真空中注射液晶的單個單元的傳統(tǒng)技術(shù)并不適用于本發(fā)明的液晶單元構(gòu)建.該傳統(tǒng)的注射技術(shù)花 費了過多的時間，這顯著地降低了生產(chǎn)效率.由于如今液晶滴落送料 真空附著對準(zhǔn)設(shè)備已經(jīng)開始在大批量生產(chǎn)線中使用，因此可以容易地 在實際應(yīng)用中實施本發(fā)明的結(jié)構(gòu).根據(jù)上述的本發(fā)明笫九和笫二十一方面，在液晶滴落送料真空附 著對準(zhǔn)過程中，可以避免有源矩陣襯底和濾色片襯底在附著對準(zhǔn)運動 中互相接觸時出現(xiàn)的屏蔽共電極的膜剝落問題，由此可以使得對對準(zhǔn) 膜的破壞最小化.根據(jù)上述的本發(fā)明第十三、笫十四、第十五、笫十六和第十七方 面，可以降低在屏蔽共電極和掃描線之間生成的電容.因此，即使對于尺寸為例如四十(40)英寸或更大的超大尺寸的液晶顯示設(shè)備來說， 也可以使孔徑比最大化而同時使掃描線上的掃描信號波形的崎變最小 化.特別地，利用笫十四和笫十七方面，可以使孔徑比最大化，而使 視頻信號線和掃描線上的信號波形的畤變都得到最小化.根據(jù)上述的本發(fā)明笫二十五方面，由于利用了通過絕緣膜度蓋視 頻信號的上層和下層屏蔽共電極，屏蔽效果可以得到改善，相應(yīng)地， 即使當(dāng)屏蔽共電極的寬度降低時也可以消除垂直串?dāng)_，并且可以將孔 徑比增加到最大水平.因為上層屏蔽共電極的屏蔽效果高于下層共電 極的屏蔽效果，所以可以通過形成寬度大于下層屏蔽共電極的上層屏 蔽共電極，來獲得最高的屏蔽效果和高孔徑比.根據(jù)上述的本發(fā)明笫二十六、第二十七、笫二十八、第二十九和 第三十方面，可以在單個像素內(nèi)使正介電常數(shù)各向異性液晶分子在兩 個不同的方向上旋轉(zhuǎn)(右旋和左旋)，由此可以獲得較寬的視角.而 且，可以顯著地降低彩色偏移現(xiàn)象從而獲得適合液晶顯示電視的圖像 質(zhì)量.利用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，橫向電場類型液晶顯示設(shè)備可以獲得較寬 的視場角、高孔徑比、低成本、高對比度以及高響應(yīng)速度.根據(jù)上述的本發(fā)明第三十一、第三十二、笫三十三、第三十四和 第三十五方面，可以在單個像素內(nèi)使負(fù)介電常數(shù)各向異性液晶分子在 兩個不同的方向上旋轉(zhuǎn)(右旋和左旋)，由此可以獲得較寬的視場角.根據(jù)上述的本發(fā)明笫三十六、笫三十七和第三十八方面，即使當(dāng) 橫向電場類型液晶顯示設(shè)備的單元間隔小于3. 0微米時，也可以防止 屏蔽共電極和視頻信號線之間所生成的電容的增加，由此降低了視頻信號線上的信號波形的畸變.而且，可以將液晶驅(qū)動電極和屏蔽共電 極之間所生成的電場集中到每個電極的邊緣處，從而即使當(dāng)單元間隔小于3. 0微米時，也可以驅(qū)動液晶分子，而不增加液晶驅(qū)動電壓.根據(jù)上述的本發(fā)明第三十九方面，可以防止對主密封的破壞，而 這種破壞典型地會出現(xiàn)在液晶滴落送料真空附著對準(zhǔn)過程中.當(dāng)隔離 器突起位于主密封的施加區(qū)域周圍的時候，隔離器突起起到防止刺破 液晶的保護(hù)壁的作用.通過增加以閉環(huán)方式設(shè)置在主密封施加區(qū)域周 圍的隔離器突起的寬度，從而使該寬度大于有效像素區(qū)域的隔離器突 起的寬度，可以進(jìn)一步增加該保護(hù)壁的效果.而且，因為本發(fā)明的液 晶顯示設(shè)備并不必將主密封材料與玻璃光纖相混和來確定單元間隔， 所以完全消除了將鋁或鋁合金用作掃描線和視頻信號線時，由于將玻 璃光纖混和到主密封中的壓力所會引起的線路的破損.根據(jù)上述的本發(fā)明笫四十、笫四十一、笫四十二、笫四十三、笫 四十四和第四十五方面，因為可以生產(chǎn)覆蓋視頻信號線的絕緣突起或者利用半色調(diào)曝光技術(shù)同時生產(chǎn)覆蓋視頻信號線的突起以及隔離器， 所以可以減少生產(chǎn)步驟和降低成本.根據(jù)日本專利公開 No. 2002-258321和No. 2002-323706所示的傳統(tǒng)技術(shù)，要求有一個單 獨的過程用于生產(chǎn)光刻隔離器，這不可避免地會增加生產(chǎn)成本.根據(jù)上述的本發(fā)明第四十六方面，因為屏蔽共電極是以平表面形 式進(jìn)行連接的，所以可以降低阻抗.通過這種結(jié)構(gòu)，可以將屏蔽共電 極的厚度減少到盡可能薄的程度.當(dāng)采用點反轉(zhuǎn)驅(qū)動技術(shù)的時候，對 于屏蔽共電極來說300 - 500埃的厚度就足夠了 .通過使用本發(fā)明的這 一方面以及第七和第十九方面，在研磨對準(zhǔn)處理期間，研磨布毛邊末 端的運動可以平滑地進(jìn)行，這可以避免對準(zhǔn)缺陷并且完全消除黑屏中 的光泄漏，由此獲得了具有優(yōu)良對比度的圖像和均勻的半色調(diào)圖像顯 示.而且，在如本發(fā)明中的，其中不僅在像素的左右兩側(cè)連接了屏蔽 共電極并且還在像素的上下兩側(cè)也連接了屏蔽共電極的結(jié)構(gòu)中， 一部 分屏蔽電極的破損不會導(dǎo)致屏幕上的線缺陷，從而將不會顯著地影響 困像，因此，顯著提高了生產(chǎn)過程中的產(chǎn)量.根據(jù)上述的本發(fā)明第四十七、第七十和第七十一方面，可以提供 具有高圖像質(zhì)量、高孔徑比、高響應(yīng)速度以及寬視場角的橫向電場類 型液晶顯示設(shè)備.利用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，即使當(dāng)視頻信號的間距小到50微米時，也可以使液晶分子在兩個相反的方向上旋轉(zhuǎn)(右旋和左旋)， 而不降低孔徑比.本發(fā)明的結(jié)構(gòu)并不總是要求對應(yīng)于視頻信號線的黑 掩模，但是，通過向黑掩模和上面的涂復(fù)層提供導(dǎo)電性，可以防止濾 色片層帶有靜電.根據(jù)上述的本發(fā)明笫四十八方面，通過同時進(jìn)行使橫向類型電場 類型有源矩陣襯底變得平整和構(gòu)建光刻隔離器的過程可以簡化生產(chǎn)過 程.本發(fā)明的平整方法，其中襯底受到來自背表面的紫外線的啄光， 并不在液晶驅(qū)動電極和共電極的上層上留有一個平整層.因此，用于 驅(qū)動液晶的電壓并不增加，因為平整層并不留在液晶驅(qū)動電極和共電 極的上層上，所以不會出現(xiàn)有機平整層的偏振效應(yīng)或電荷陷波效應(yīng)， 這可以避免殘余困像的問題.在研磨對準(zhǔn)處理期間，研磨布毛邊末端 可以平滑地進(jìn)行運動，這是因為有源矩陣襯底的表面上不存在不平整 處，因此不會發(fā)生對準(zhǔn)缺陷.^于不會發(fā)生對準(zhǔn)缺陷，所以可以獲得 理想的黑顯示.相應(yīng)地，可以獲得具有高對比度的顯示設(shè)備，而其在 顯示半色調(diào)圖像的時候不會出現(xiàn)不平整處.根據(jù)上述的本發(fā)明第四十九、第五十、第五十一、第五十二、第 五十三和第五十四方面，在生產(chǎn)橫向電場類型液晶顯示設(shè)備期間，通 過同時進(jìn)行使有源矩陣村底變得平整和構(gòu)建光刻隔離器，可以簡化生 產(chǎn)過程.特別是利用第五十四方面，可以顯著地降低成本，這是因為可以通過三(3)個光掩模步跺完成用于構(gòu)建有源矩陣襯底的全過程.利用本發(fā)明的背表面曝光平整(平坦或平面化)方法，在液晶驅(qū) 動電極和共電極上不會保留有平整層，因此液晶驅(qū)動電壓不會增加. 而且，因為在液晶驅(qū)動電極和共電極上沒有平整層，所以不會發(fā)生偏 振效應(yīng)或電荷陷波效應(yīng)，由此消除了殘余圖像.因為有源矩陣襯底的 表面上不存在不平整區(qū)域，所以在研磨對準(zhǔn)處理期間研磨布毛邊末端 可以進(jìn)行平滑地運動，因此不會發(fā)生對準(zhǔn)缺陷.根據(jù)上述的本發(fā)明笫五十五和第五十六方面，即使當(dāng)有源矩陣襯 底大到兩(2)米或更大時，也可以容易地構(gòu)建一個用于進(jìn)行背表面啄 光的光學(xué)系統(tǒng).即使當(dāng)增加了襯底的尺寸時，本發(fā)明的光學(xué)系統(tǒng)也可 以容易地調(diào)整光瀑光的程度并且在整個襯底區(qū)域上均勻啄光.橫向電 場類型液晶顯示系統(tǒng)很容易受到液晶單元間隔的影響，因此，必須仔 細(xì)地控制光刻隔離器的高度以及平整(平面化)了的區(qū)域周閨的平整度，以防止半色調(diào)圖像顯示中的不平整.通過將本發(fā)明的生產(chǎn)系統(tǒng)與 一個反饋環(huán)結(jié)合使用，所生產(chǎn)的有源矩陣襯底可以不存在單元間隔的 不平整度.根據(jù)上述的本發(fā)明笫五十七方面，在半色調(diào)瀑光過程中利用普通 的光掩模，可以形成用于屏蔽視頻信號線的下層共電極的非常薄的膜， 以及形成像素內(nèi)部的共電極的非常薄的膜，以及同時分離用于薄膜晶 體管的硅元件(硅烏狀物)并生成接觸孔.而且，可以生產(chǎn)具有高性 能的有源矩陣村底，而不增加光掩模過程.此外，在構(gòu)建視頻信號線 和液晶驅(qū)動電極期間，在半色調(diào)瀑光過程中利用普通的光掩模，可以生產(chǎn)厚度小于300 - 500埃的液晶驅(qū)動電極，這消除了對于需要形成平 整層的平整過程的需要，由此可以極大地降低生產(chǎn)成本.根據(jù)上述的本發(fā)明第五十八、第五十九、第六十、第六十一和第 六十二方面，利用普通的光掩模就可以容易地降低有源矩陣襯底生產(chǎn) 過程中的步驟的數(shù)量，而不使用昂責(zé)的光透射率可調(diào)光掩模(半色調(diào)光掩模)，本發(fā)明不僅適用于橫向電場類型液晶顯示設(shè)備和其他模式 的液晶設(shè)備，還適用于有源矩陣襯底類型有機EL顯示設(shè)備，因此它的應(yīng)用范圍非常寬.利用了本發(fā)明的半色調(diào)移動啄光裝置和半色調(diào)移動 詠光過程的生產(chǎn)方法，對于降低大尺寸顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本是有益的. 傳統(tǒng)上，由于半色調(diào)掩模的高成本，試圖將利用半色調(diào)光掩模(光透 射率可調(diào)光掩模)的半色調(diào)膝光方法應(yīng)用到大襯底的生產(chǎn)上是不可行 的.但是，利用本發(fā)明的方法，通過在半色調(diào)偏移曝光中使用便宜的 普通光掩模就可以容易地生產(chǎn)大的村底了，因此，消除了對將半色調(diào) 膝光過程應(yīng)用于大襯底的限制.根據(jù)上述的本發(fā)明笫六十三方面，可以防止氣泡陷入到單元內(nèi)， 這是因為即使當(dāng)由于低溫的原因而導(dǎo)致液晶單元中的液晶的體積減小 的時候，隔離器突起的高度將會隨著液晶體積的變化而發(fā)生變化.特 別地，通過增加塑性形變的范圍，響應(yīng)于在液晶注入真空附著對準(zhǔn)過 程中，空氣壓力條件下所進(jìn)行的增壓過程期間的液晶滴落的量，液晶 單元內(nèi)的體積可以容易地發(fā)生變化，由此完全消除了殘余氣泡的問題.根據(jù)上述的本發(fā)明笫六十四、第六十五、笫六十六、笫六十七、 六十八和第六十九方面，可以將所有用于驅(qū)動橫向電場類型液晶顯示 設(shè)備的液晶分子的電極的厚度保持在300 - 500埃，因此由于不再需要平整過程，所以生產(chǎn)成本可以得到降低.在生產(chǎn)過程的最后階段，可 以同時生產(chǎn)所有用于驅(qū)動液晶分子的電極，并且因此可以將相同的材 料用于所有驅(qū)動電極，從而這些電極的化學(xué)勢能都是相同的.這使得可以通過交流(AC)電壓驅(qū)動液晶分子，這可以防止殘余困像問題的 發(fā)生.可以用非常薄的膜(小于500埃)來形成驅(qū)動液晶分子所需的 所有電極，因此，在研磨對準(zhǔn)處理期間，研磨布毛邊末端可以進(jìn)行平 滑運動并且可以避免對準(zhǔn)缺陷.因此，可以完全消除黑電平顯示期間 的光泄漏，由此獲得具有高對比度的顯示.


圖1A-1B是橫截面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的半色調(diào)舉光光掩模和 有源矩陣襯底上進(jìn)行顯影之后的正光致抗蝕劑.圖2A-2B是橫截面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的半色調(diào)膝光光掩模和 有源矩陣襯底上進(jìn)行顯影之后的正光致抗蝕劑.圖3是流程圖，表示了傳統(tǒng)技術(shù)中的光掩模處理過程中所涉及的 四個搮作步驟.圖4是流程圖，表示了本發(fā)明中的光掩模處理過程中所涉及的四 個操作步驟，圖5A-5C是橫截面圖，表示了本發(fā)明中分離的兩步驟啄光方法和 進(jìn)行顯影之后的正光致抗蝕刑的結(jié)構(gòu)的例子.圖6A-6C是橫截面困，表示了本發(fā)明中分離的兩步驟曝光方法和 進(jìn)行顯影之后的正光致抗蝕劑的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖7A-7E是橫截面困，表示了本發(fā)明中用于形成視頻信號線和共 電極的生產(chǎn)過程的例子.圖8A-8E是橫截面困，表示了本發(fā)明中用于形成視頻信號線和共 電極的生產(chǎn)過程的另一個例子.圖9是透視圖，表示了本發(fā)明激光對準(zhǔn)標(biāo)記處理過程中所使用的 激光光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu).圖IO是示意圖，表示了本發(fā)明激光對準(zhǔn)標(biāo)記處理過程中所使用的 利用了 一個f 0透鏡的激光光學(xué)系統(tǒng).圖ll是示意困，表示了本發(fā)明中由激光光學(xué)系統(tǒng)形成的激光對準(zhǔn) 標(biāo)記的位置.圖12是示意圖，表示了本發(fā)明中用于激光束掃描啄光的光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu).圖13是示意圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的用于利用了微反射鏡陣^J的 紫外線瀑光方法的字幕器光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)(反轉(zhuǎn)的實像).困14是示意圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的用于利用了微反射鏡陣列的 紫外線曝光方法的多透鏡光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)(非反轉(zhuǎn)的實像).困15是平面圖，表示了用于本發(fā)明的多透鏡掃描曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu) 的例子.困16是脈沖波形困，用于解釋根據(jù)本發(fā)明的微反射鏡陣列的動作， 該動作用于通過控制時間寬度來調(diào)整紫外光的透射率.圖17是平面圖，表示了本發(fā)明中多透鏡掃描啄光系統(tǒng)所使用的掃 描啄光設(shè)備的結(jié)構(gòu)的例子.圖18是平面圖，表示了本發(fā)明的直接半色調(diào)曝光方法中所使用的 掃描膝光設(shè)備中的結(jié)構(gòu)的例子，該結(jié)構(gòu)中沒有使用光掩模.圖19是橫截面困，表示了本發(fā)明的分離的兩步碟曝光方法中所使 用的掃描膝光設(shè)備.圖20A-20B是示意圖，表示了本發(fā)明直接半色調(diào)膝光中的瀑光原 理以及進(jìn)行顯影后光致抗蝕劑的橫截面結(jié)構(gòu).圖21是電路圖，表示了由薄膜晶體管形成的靜電保護(hù)電路中的配 置的例子。圖22是電路困，表示了由薄膜晶體管形成的靜電保護(hù)電路中的配 置的另一個例子.圖23是平面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的由薄膜晶體管形成的靜電保 護(hù)電路的結(jié)構(gòu)的例子.圖24是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的由薄膜晶體管形成的靜電保 護(hù)電路的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖25是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的由薄膜晶體管形成的靜電保 護(hù)電路的結(jié)構(gòu)的又一個例子，圖26是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的由薄膜晶體管形成的靜電保 護(hù)電路的結(jié)構(gòu)的再一個例子.圖27A-27F是橫截面圖，表示了本發(fā)明的四步驟光掩模處理過程中涉及的有源矩陣村底生產(chǎn)流程的例子.圖28A-28F是橫截面圖，表示了本發(fā)明的三步驟光掩模處理過程中涉及的有源矩陣襯底生產(chǎn)流程的例子.圖29是平面圖，表示了本發(fā)明的混合詠光方法中所使用的掃描膝 光設(shè)備的結(jié)構(gòu)的例子.圖30是平面圖，表示了本發(fā)明的混合曝光方法中所使用的掃描膝 光設(shè)備的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖31是平面困，表示了利用本發(fā)明的混合瀑光方法所生產(chǎn)的橫向 電場類型有源矩陣陣列襯底的結(jié)構(gòu)的例子.圖32A-32E是示意圖，表示了本發(fā)明的半色調(diào)移動曝光方法的原 理和進(jìn)行顯影后的光致抗蝕劑的橫截面結(jié)構(gòu).圖33A-33B是示意閨，表示了本發(fā)明的半色調(diào)移動啄光方法的原 理的例子.圖34A-34B是示意圖，表示了本發(fā)明的半色調(diào)移動曝光方法的原 理的另一個例子.困35A-35E是示意困，表示了本發(fā)明的半色調(diào)移動曝光方法的原 理和進(jìn)行顯影后的光致抗蝕劑的橫截面結(jié)構(gòu).圖36A-36F是橫截面圖，表示了傳統(tǒng)技術(shù)中的四步驟光掩模處理 過程中所涉及的生產(chǎn)流程的例子.圖37A-38B是示意圖，表示了本發(fā)明的半色調(diào)移動曝光方法的原 理的另一個例子.圖38A-38B是示意困，表示了本發(fā)明的分離的兩步壤膝光方法原 理的例子.閨39A-39B是示意圖，表示了本發(fā)明的分離的兩步驟膝光方法原理的另一個例子.困40A-40B是示意圖，表示了本發(fā)明的分離的兩步驟瀑光方法原 理的又一個例子.圖41A-41B是示意困，表示了本發(fā)明的分離的兩步驟曝光方法原 理的再一個例子，圖42是流程困，表示了本發(fā)明的四步稞光掩模處理過程中所涉及 的生產(chǎn)流程.圖43A-43B是示意圖，表示了本發(fā)明的分離的兩步驟膝光方法原 理的另一個例子.圖44A-44B是示意困，表示了本發(fā)明的分離的兩步驟膝光方法原理的又一個例子.圖45是橫截面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板結(jié) 構(gòu)的例子，該結(jié)構(gòu)包含度蓋了視頻信號線的隔離器和形成在隔離器上 的屏蔽電極.圖46是橫截面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板結(jié) 構(gòu)的另一個例子，該結(jié)構(gòu)包含褒蓋了視頻信號線的隔離器和形成在隔 離器上的屏蔽電極.圖47是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 例子.困48是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖49是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖50是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子，圖51是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖52是橫截面困，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖53是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖54是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖55是橫截面困，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖56是橫截面困，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖57是橫截面困，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖58是橫截面困，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖59是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖60是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.困61是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖62是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖63是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖64是橫截面困，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖65是橫截面困，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖66是橫截面困，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.困67是橫截面困，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖68是橫截面圖，表示了本發(fā)明中橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu)的 另一個例子.圖69是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的例子.圖70是平面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.閨71是平面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.困72是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖73是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)的另一個例子.困74是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖75是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖76是平面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.困77是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.困78是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖79是平面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖80是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖81是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖82是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖83是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖84是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖85是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖86是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖87是平面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖88是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖89是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.困90是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子。圖91是平面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備的給構(gòu)的另一個例子.圖92是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子，困93是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖94是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖95是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖96是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖97是平面困，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖98是曲線困，表示了關(guān)于本發(fā)明的半色調(diào)處理過程中所使用的 進(jìn)行顯影后的負(fù)光致抗蝕刑的厚度的特性.圖99是曲線圖，表示了關(guān)于本發(fā)明的半色調(diào)處理過程中所使用的 進(jìn)行顯影后的負(fù)光致抗蝕劑的線寬度的特性.圖100A-100B是橫截面圖，表示了本發(fā)明的半色調(diào)啄光中所使用 的光掩模的橫截面結(jié)構(gòu)和進(jìn)行顯影后的負(fù)光致抗蝕刑的例子.圖101A-101B是橫截面困，表示了本發(fā)明的半色調(diào)瀑光中所使用 的光掩模的橫截面結(jié)構(gòu)和進(jìn)行顯影后的負(fù)光致抗蝕劑的另一個例子.圖102A-102C是橫截面圖，表示了本發(fā)明的分離的兩步稞膝光方 法和進(jìn)行顯影后的負(fù)光致抗蝕劑的橫截面結(jié)構(gòu)的例子.圖103A-103C是橫截面圖，表示了本發(fā)明的分離的兩步驟瀑光方 法和進(jìn)行顯影后的負(fù)光致抗蝕劑的橫截面結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖104是放大了的橫截面圖，表示了本發(fā)明中覆蓋了視頻信號線 的突起和構(gòu)建在突起上的光刻隔離器.圖105是流程困，表示了本發(fā)明的四步稞光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程.圖106A-106F是橫截面困，表示了利用本發(fā)明的半色調(diào)移動膝光 方法的四步驟光掩模處理過程中所涉及的有源矩陣襯底生產(chǎn)流程，圖107A-107D是橫截面圖，表示了橫向電場類型液晶面板中所涉及的處理過程，其中通過利用本發(fā)明的背表面隊光方法使該液晶面板 變得平整.圖108是橫截面圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu) 的例子.圖109是橫截面圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu) 的另一個例子.圖iio是橫截面圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu) 的另一個例子.圖111是橫截面圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu) 的另一個例子.圖112是橫截面圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu) 的另一個例子.圖113是橫截面圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板結(jié)構(gòu) 的另一個例子.圖114A-114C是橫截面圖，表示了通過利用本發(fā)明的半色調(diào)背表 面膝光方法使有源矩陣襯底變得平整并同時形成光刻隔離器的處理過 程.圖115是平面圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備的 結(jié)構(gòu)的例子.圖116是流程圖，表示了本發(fā)明的六步壤光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程的例子.圖117是流程圖，表示了本發(fā)明的六步驟光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程的另一個例子.圖118是流程困，表示了本發(fā)明的六步驟光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程的再一個例子.圖119包含一個橫截面圖和一個平面圖，表示了主密封附近的本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板的結(jié)構(gòu)。圖120是示意圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板中所使 用的正各向異性介電材料的液晶分子的對準(zhǔn)方向和旋轉(zhuǎn)方向之間的關(guān) 系，圖121是示意圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板中所使 用的負(fù)各向異性介電材料的液晶分子的對準(zhǔn)方向和選擇方向之間的關(guān)系.圖122是平面困，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示面板中 所使用的濾色片結(jié)構(gòu)的例子.圖123是平面圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示面板中 所使用的濾色片結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖124是流程困，表示了本發(fā)明的三步壤光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程的例子，圖125是流程困，表示了本發(fā)明的五步驟光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程的例子.困126是流程圖，表示了本發(fā)明的四步驟光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程的例子.圖127是流程困，表示了本發(fā)明的三步驟光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程的例子.圖128是流程圖，表示了本發(fā)明的五步驟光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程的例子.圖129是流程圖，表示了本發(fā)明的六步驟光掩模處理過程中所涉 及的生產(chǎn)流程的例子.圖130A-130C是橫截面圖，表示了通過利用本發(fā)明的半色調(diào)背表 面膝光方法使有源矩陣襯底變得平整并同時形成光刻隔離器的處理過 程.圖131是橫截面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的半色調(diào)背表面曝光設(shè)備 的結(jié)構(gòu)的例子.圖132是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的半色調(diào)背表面啄光設(shè)備的 結(jié)構(gòu)的例子.圖133是橫截面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的半色調(diào)背表面啄光設(shè)備的結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖134是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的半色調(diào)背表面舉光設(shè)備的 結(jié)構(gòu)的另一個例子.圖135是示意圖，表示了本發(fā)明的半色調(diào)背表面啄光設(shè)備的整體 系統(tǒng)配置.圖136是流程圖，表示了本發(fā)明的半色調(diào)背表面曝光方法的整個 處理過程.圖137是橫截面圖，表示了本發(fā)明中所使用的白光干涉儀中的光 學(xué)結(jié)構(gòu)的例子.具體實施方式
現(xiàn)在將參照附圖，根據(jù)優(yōu)選實施例對本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)的描述. 第一實施例圖45、 46、 47、 70、 72、 74、 76、 78和80表示了本發(fā)明的第一 實施例.困45 - 47是橫截面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液 晶面板結(jié)構(gòu)的例子，該結(jié)構(gòu)包含襲蓋了視頻信號線的隔離器和形成在 隔離器上的屏蔽電極.圖70、 72、 74、 76、 78和80是平面圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的橫向電場類型液晶顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)的例子，在圖45 - 47中，附圖標(biāo)記9代表門絕緣膜，附圖標(biāo)記51代表視 頻信號線，附困標(biāo)記53代表液晶驅(qū)動電極(像素電極)，附困標(biāo)記55 代表鈍化膜，附圖標(biāo)記66代表在濾色片側(cè)面的玻璃襯底，附困標(biāo)記67 代表黑掩模(光屏蔽膜)，附困標(biāo)記68代表濾色片層，附困標(biāo)記69 代表在濾色片側(cè)面的平整層，附圖標(biāo)記70代表在濾色片側(cè)面的對準(zhǔn)膜， 附圖標(biāo)記71代表在TPT (薄膜晶體管)陣列襯底側(cè)面的對準(zhǔn)膜，附困 標(biāo)記72代表用于屏蔽由視頻信號線產(chǎn)生的電場的共電極(上層)，附 圖標(biāo)記73代表用于復(fù)蓋視頻信號線的隔離器突起，附圖標(biāo)記74代表 在像素內(nèi)部的共電極(上層)，附圖標(biāo)記75代表用于屏蔽由視頻信號 線產(chǎn)生的電場的共電極(下層)，以及附圖標(biāo)記76代表在TFT陣列側(cè) 面的玻璃襯底.此外，在圖70、 72、 74、 76、 78和80中，附圖標(biāo)記15代表掃描 線，附圖標(biāo)記49代表在像素內(nèi)部的共電極(下層)，附困標(biāo)記79代 表形成在隔離器突起的兩側(cè)壁上的屏蔽電極，附圖標(biāo)記80代表TFT(薄 膜晶體管)元件，附困標(biāo)記81代表用于連接屏蔽共電極和下層共電極 的接觸孔，以及附困標(biāo)記82代表下層電極，在相同的層上同時構(gòu)建掃描線51和用于屏蔽視頻信號線的電場的 下層共電極75.在相同的層上同時構(gòu)建視頻信號線5i和液晶驅(qū)動電極 53。在相同的層上同時構(gòu)建像素內(nèi)部的共電極74和用于屏蔽視頻信號 線的電場的上層屏蔽共電極72.與圖45的例子相反，在圖46的例子 中，上層屏蔽共電極72比下層屏蔽共電極75具有更寬的電極寬度， 圖46所示的結(jié)構(gòu)所能提供的孔徑比能夠大于圖45所示的結(jié)構(gòu)所能提供的孔徑比.鈍化層55復(fù)蓋了視頻信號線51和液晶驅(qū)動電極53,并且構(gòu)建了 以覆蓋(環(huán)繞)視頻線51為目的的隔離器突起73.如困70和72所示， 上層屏蔽共電極72可以完全地復(fù)蓋隔離器突起73,或者可以如圖76 和80所示的，將上層壁屏蔽共電極79放置在隔離器突起73的兩個側(cè) 壁上.當(dāng)隔離器突起73的高度小于3. O微米或者當(dāng)液晶面板的尺寸小 于30英寸的時候，優(yōu)選圖76和80所示的利用上層壁屏蔽共電極79 的有源矩陣村底的結(jié)構(gòu)，其在防止視頻信號波形畸變方面更加有效.圖45、 46和47的橫截面視圖所示的隔離器突起73實際上具有平 緩的尖角6,如困104的橫截面視圖中所示.從隔離器突起73的邊緣 到視頻信號線51的邊緣的距離Ll優(yōu)選地至少為3微米.圖104中的 隔離器突起73的尖角0優(yōu)選為30度或更小，從而在研磨對準(zhǔn)處理期 間可以實現(xiàn)研磨布的毛邊頂端平滑運動，由此避免了對準(zhǔn)缺陷區(qū)域的 出現(xiàn).優(yōu)選地，使得隔離器突起77的邊緣和上層屏蔽共電極79之間 的距離L2大于0. 5微米.基本上，距離L2越大，就可以獲得越好的 屏蔽效果.當(dāng)不存在如困47的例子中的下屏蔽共電極時，距離L2約 為IO微米就足夠了.對于本發(fā)明來說，隔離器突起73的橫截面形狀必須具有向上的凸 出部分，例如橢圃形、半橢圃形、雙曲線或者拋物線的形狀.這種向 上的凸出部分使得在液晶滴落真空附著對準(zhǔn)過程期間，當(dāng)施加了由空 氣壓力導(dǎo)致的壓力時，隔離器突起73可以容易地發(fā)生形變。用于形成 隔離器突起73的材料應(yīng)該是這種類型的材料當(dāng)向其施加空氣壓力時， 允許隔離器突起73的高度發(fā)生0. l微米到O. 5微米范圍內(nèi)的均勻形變， 否則就會出現(xiàn)殘余氣泡的問題.如圖70、 74和76所示，特別重要的一點是隔離器突起73不位于 掃描線15和視頻信號線51的交叉點的周圍區(qū)域，這是因為需要使液 晶在這個其中不存在隔離器突起73的區(qū)域中擴散.在圖78和80的例 子中，在像素中心的周圍生成了其中不存在隔離器突起73的區(qū)域.盡 管滴落的液晶將在該區(qū)域中擴散，但是困78和80中的這個結(jié)構(gòu)可能 不適用于大屏幕液晶面板，這是因為上層屏蔽共電極72和視頻信號線 51之間的電容將會增加.如圖74所示的結(jié)構(gòu)適用于大屏幕液晶顯示設(shè)備，其中隔離器突起同樣構(gòu)建在掃描線15之上并且上層共電極72被共同連接在上像素和 下像素之間，以及右像素和左像素之間.由于在利用了這種方法的液 晶顯示設(shè)備中，屏蔽共電極72以一種網(wǎng)狀的形式進(jìn)行連接，因此在實 際應(yīng)用中，即使當(dāng)線路破損時，所導(dǎo)致的線路故障也是可以忽略不計 的.優(yōu)選地，隔離器突起73的介電常數(shù)盡可能的小，但是對于實際應(yīng) 用來說，介電常數(shù)為3.3或者更小就足夠了.如果將單體或低聚體用 作形成隔離器突起73的材料，包含至少一個苯并環(huán)丁烯結(jié)構(gòu)或者其介 電材料，或者包含至少一個芴骨架或者其介電材料，就有可能組成介 電常數(shù)小于3.3的介電材料.圖86和87是平面圖，表示了本發(fā)明第一實施例的橫向電場類型 液晶顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)的另一個例子.在圖86和87的例子中，對隔離 器突起73的尺寸進(jìn)行了最小化.在這些附困中，附圖標(biāo)記83代表用 于屏蔽由視頻信號線51產(chǎn)生的電場的共電極(上層).如上面提到的， 附圖標(biāo)記75代表下層屏蔽共電極.由于隔離器突起73的尺寸得到了 最小化，因此可以使用具有大介電常數(shù)的介電材料.第二優(yōu)選實施例圖48、 49、 50、 71和75表示了本發(fā)明第二實施例的橫向電場類 型液晶面板.圖48 - 50是這種液晶面板的橫截面圖，而圖71和75是 其平面圖.在笫二實施例中，在鈍化層和門絕緣膜之下形成了像素內(nèi) 部的共電極.在相同的層上同時構(gòu)建用于屏蔽視頻信號線51的電場的 下層共電極75和用于驅(qū)動液晶元件的像素內(nèi)部的共電極49，其中在該 層中有掃描線形成.在相同的層上同時構(gòu)建視頻信號線51和液晶驅(qū)動 電極53,與困48的例子相反，在圖49的例子中，上層屏蔽共電極72的寬 度大于下層屏蔽共電極75的寬度.因此，與圖48所示的結(jié)構(gòu)相比， 圖49所示的結(jié)構(gòu)能夠獲得更大的孔徑比.如圖48 - 50所示，在第二 實施例中，由于將像素內(nèi)部的共電極49構(gòu)建在了低于鈍化層55和門 絕緣層9的層上，因此驅(qū)動液晶所需的電壓將會變得更高.利用本發(fā)明的笫二實施例中使用的結(jié)構(gòu)，如圖71和75中所示， 通過鈍化層和門絕緣層，液晶驅(qū)動電極53被夾在連接到像素內(nèi)部共電 極49的下層共電極82與上屏蔽層共電極72之間。利用這種結(jié)構(gòu)，可以在小面積上具有大的保持電容，由此使得可以獲得大的孔徑比. 第三優(yōu)選實施例困51、 52、 53、 69、 73、 77、 79和81表示了本發(fā)明第三實施例 中的橫向電場類型液晶面板，困51-53是這種液晶面板的橫截面困， 圖69、 73、 77、 79和81是其平面困.在這些附圖中，附困標(biāo)記77代 表瘦蓋了視頻信號線51的絕緣(介電)突起，附困標(biāo)記78代表形成 在覆蓋了視頻信號線51的突起77上的隔離器，附困標(biāo)記79代表形成 在突起77的側(cè)壁上的屏蔽共電極.第三實施例中的結(jié)構(gòu)基本上與上述 笫一實施例中的結(jié)構(gòu)相同，除了第一實施例中的隔離器突起73被分成 了兩個結(jié)構(gòu)，這兩個結(jié)構(gòu)一個是復(fù)蓋了視頻信號線51的絕緣突起77， 另一個是確定液晶單元間隔的隔離器78.本發(fā)明的一個特征是可以通過相同的光刻過程生產(chǎn)覆蓋了視頻信 號線51的絕緣突起77和確定液晶單元間隔的隔離器78,通過利用圖 1A - 1B和2A - 2B所示的透射率可調(diào)整光掩模(半色調(diào)光掩模)和正光 致抗蝕刑，可以生產(chǎn)具有如圖104所示的橫截面形狀的突起77和隔離 器78.還可以通過結(jié)合一種如圖5A-5C和圖6A-6C所示的兩步碟瀑 光技術(shù)(半膝光和補充膝光)，利用普通光掩模和正光致抗蝕刑，生 產(chǎn)具有如圖104所示的橫截面形狀的突起77和隔離器78.在圖1A-1B、困2A-2B中，附困標(biāo)記l代表形成光掩模的硅玻璃 襯底，附圖標(biāo)記2代表用于控制通過玻璃襯底的光量的玻璃村底上的 金屬層(Cr或Mo)，附圖標(biāo)記3代表由裂縫圖案所形成的光掩模的半 透明(半色調(diào)或灰色)區(qū)域，附田標(biāo)記4代表光掩撒a-Si, TiSix, MoSix 或者Ti)的半透明(半色調(diào)或灰色)區(qū)域，附圖標(biāo)記5代表光掩模的 透明區(qū)域，附圖標(biāo)記6代表進(jìn)行顯影后的正光致抗蝕刑層上的一個區(qū) 域，該區(qū)域阻斷了UV膝光，附圖標(biāo)記7代表進(jìn)行顯影后的正光致抗蝕 刑層上的一個區(qū)域，該區(qū)域通過光掩模的半色調(diào)(半透明)區(qū)城進(jìn)行 UV瀑光，以及附圖標(biāo)記8代表在進(jìn)行顯影后正光致抗蝕劑被完全去除 的區(qū)域，附圖標(biāo)記9代表門絕緣膜，附圖標(biāo)記10代表薄膜半導(dǎo)體層(非 摻雜層)，附困標(biāo)記ll代表薄膜半導(dǎo)體層(摻雜層，即歐姆接觸層)， 附圖標(biāo)記12代表陣礙物金屬層，以及附圖標(biāo)記13代表的低阻金屬層.如圖1A和1B所示，不同于完全阻斷UV光透射的不透明金屬區(qū)域 2,區(qū)域3依賴于裂縫的密度允許少量UV光通過(半色調(diào)).所以，可以生成區(qū)域6，其中光致抗蝕刑在進(jìn)行顯影后是完整無損的，以及生 成區(qū)域7，其中光致抗蝕刑被去除但仍有剩余(半色調(diào)瀑光區(qū)域).如 困2A和2B中所示，光掩模包含不透明區(qū)域2和半透明層4，以及透明 區(qū)域5.所以，在對應(yīng)于透明區(qū)域5的區(qū)域8處，光致抗蝕刑被完全去 除，在對應(yīng)于半透明區(qū)域4的區(qū)域7(半色調(diào)曝光區(qū)域)處，光致抗蝕 劑被部分去除，以及在對應(yīng)于不透明區(qū)域2的區(qū)域6處，光致抗蝕刑 不受影響.利用圖1A-1B和2A-2B所示的光透射率可調(diào)整光掩模， 通過一個光刻處理過程就可以生成具有如圖104所示的橫截面結(jié)構(gòu)的 隔離器突起73.如上所述的，也可以利用普通的光掩模通過如困5A-5C和6A-6C 所示的兩步驟瀑光方法，生成具有如圖104所示的橫截面結(jié)構(gòu)的隔離 器突起73.在該例子中的光掩模不具有半色調(diào)區(qū)域，并且僅配置了玻 璃襯底1和不透明的金屬層2.在圖5A-5C和6A-6C中，附圖標(biāo)記 19代表UV光，附困標(biāo)記20代表進(jìn)行顯影后的正光致抗蝕刑層上的一 個區(qū)域，其中UV光被完全阻斷，附困標(biāo)記21代表一個區(qū)域，在該區(qū) 域利用UV光進(jìn)行完全瀑光之后光致抗蝕刑被去除，附圖標(biāo)記22代表 進(jìn)行顯影后的正光致抗蝕刑層上的一個區(qū)域，用UV光對該區(qū)域進(jìn)行了 不完全的曝光(曝光不足)，附圖標(biāo)記23代表一個區(qū)域，其中通過UV 膝光的第二步稞對光致抗蝕刑進(jìn)行了部分瀑光，附圖標(biāo)記"代表一個 區(qū)域，其中通過UV光曝光的笫一和笫二步驟完全去除光致抗蝕劑，以 及附圖標(biāo)記25代表圖6B的第二膝光步驟中所使用的f 6透鏡.在圖5A-5C的例子中，在圖5A的第一曝光步稞中，由于光掩模 金屬(不透明的)2,所以光致抗蝕刑區(qū)域20未被舉光，并且通過UV 光19對光致抗蝕刑區(qū)域21進(jìn)行這樣一種程度的瀑光在膝光之后光 致抗?fàn)T劑21不會被完全去除(膝光不足).在圖5B所示的第二啄光 步驟中，對于已經(jīng)在第一步碟中進(jìn)行了曝光的光敏區(qū)域n,進(jìn)一步在 與光掩模透明部分的位置處相對應(yīng)的部分23處進(jìn)行啄光.所以，如圖 5C中所示，區(qū)域M處的光致抗蝕劑被完全去除，由此生成具有圖104 所示的橫截面結(jié)構(gòu)的隔離器78和突起77.在圖6A-6C的例子中，第一曝光步驟(曝光不足)與圖5A的是 相同的.在圖6B中所示的第二瀑光步碟中，利用fe透鏡進(jìn)一步在部 分23處對在笫一步驟中已經(jīng)進(jìn)行了膝光的光致抗蝕劑區(qū)域21進(jìn)行膝光，應(yīng)該注意到，在圖6B的笫二舉光步驟中并沒有使用光掩模.f 6 透鏡具有在村底上較大的區(qū)域的同一平坦表面上生成會聚點的功能， 所以，不用使用光掩模，就可以對光致抗蝕劑的較大區(qū)域進(jìn)行均勻的 膝光.相應(yīng)地，如圖6C中所示，在區(qū)域24處光致抗蝕劑被完全去除， 由此生成具有圖104所示的橫截面結(jié)構(gòu)的隔離器78和突起77.盡管不是不可能，但是利用正光致抗蝕劑生成具有足夠的彈性的 突起和隔離器是困難的.因此，本發(fā)明的特征之一就是提供一種方法， 該方法通過燒損光刻過程，利用具有更大彈性特性的負(fù)光致抗蝕刑來 生成如圖104所示的橫截面形狀.應(yīng)該注意到，當(dāng)瀑光的光量小的時 候，容易受到氣氣故陣影響的類型的負(fù)光致抗蝕刑，可能在與玻璃襯 底接觸的區(qū)域處受到由少量紫外光所導(dǎo)致的加速的光聚合的影響，同 時由于在暴露于空氣的區(qū)域處的空氣中的氧氣可能導(dǎo)致它受到光聚合 反應(yīng)缺乏的影響.圖98和99顯示了對于這種類型的負(fù)光致抗蝕劑，就膜厚度和線寬度相對于曝光光量和顯影長度的參數(shù)而言的特征.利用這種類型的 負(fù)光致抗蝕劑和圖100A-100B和101A-101B所示的光透射率調(diào)整光 掩模(半色調(diào)掩模)，可以獲得如圖104所示的隔離器和突起的形狀. 圖100A-100B的例子對應(yīng)于圖2A-2B所示的處理過程，其中光掩模 包含透明部分5、半透明部分(半色調(diào))4以及不透明部分2.困101A 一 101B的例子對應(yīng)于困1A- 1B所示的處理過程，其中光掩模除了包含 透明部分和不透明部分之外，還包含用于對光致抗蝕劑進(jìn)行不完全膝 光的裂縫圖案(半色調(diào)光掩模)3 .可選擇地，還可以利用一種使用部分區(qū)域完全曝光步稞和半曝光 步驟的兩步壤曝光技術(shù)，如圖102A-102C和103A-103C所示.圖102A —102C的例子對應(yīng)于困5A- 5C所示的處理過程，其中在第一和第二曝 光步猓中使用了兩種不同的光掩模.圖103A-103B的例子對應(yīng)于圖6A -6C所示的處理過程，其中在第二膝光步驟中使用了 f6透鏡25.在 圖102A-102C和103A-103C中，附圖標(biāo)記85代表進(jìn)行顯影后的負(fù)光 致抗蝕劑的區(qū)域，通過UV光的完全瀑光使得該區(qū)域的光致抗蝕劑保持 完整，附圖標(biāo)記86代表負(fù)光致抗蝕劑上的一個區(qū)域，通過UV光的不 完全瀑光使得該區(qū)域的光致抗蝕刑被去除但是仍有剩余，以及附圖標(biāo) 記87代表負(fù)光致抗蝕刑上的一個區(qū)域，由于光掩模上的不透明圖案2導(dǎo)致該區(qū)域的負(fù)光致抗蝕刑未被瀑光.通過這種方式，不需要使用昂 貴的光透射率調(diào)整光掩模(半色調(diào)光掩模)，而在該例子可以使用便宜的普通光掩模來生產(chǎn)具有圖104的形狀的隔離器78和突起77.困116-118表示了利用六步猓光掩模處理過程來實施本發(fā)明第三 實施例的生產(chǎn)流程的例子.在圖116的例子中包含半色調(diào)爆光技術(shù)， 在步驟S51，同時形成門電極(掃描線困案)和共電極.在步猓S52, 使硅元件與用于形成薄膜晶體管的半導(dǎo)體薄膜層分離.然后，在步稞 S53,通過笫一和笫二半色調(diào)詠光處理過程，同時形成薄膜晶體管的源 電極和漏電極以及液晶驅(qū)動電極.在接下來的步驟S54中，通過第一和第二半色調(diào)啄光處理過程形 成了用于屏蔽電場的覆蓋了視頻信號線的突起和規(guī)定了液晶單元間隔 的光刻隔離器.在步驟S55，通過一個刻蝕處理過程形成了用于終端部 分和靜電保護(hù)電路的接觸孔.在最后步驟S56中，同時形成了用于屏 蔽視頻信號線的共電極、像素內(nèi)部的透明共電極、門電極以及數(shù)據(jù)電 極.在困117的例子中，其中包含了半色調(diào)瀑光技術(shù)，在步稞S61，通 過第一和笫二半色調(diào)啄光處理過程，同時形成門電極(掃描線圖案) 和共電極。在步驟S62，使硅元件與用于形成薄膜晶體管的半導(dǎo)體薄膜 層分離.然后，在步驟S63,通過第一和第二半色調(diào)曝光處理過程，同時形成薄膜晶體管的源電極和漏電極以及液晶驅(qū)動電極.在接下來的步驟S64中，通過第一和第二半色調(diào)曝光處理過程形成了用于屏蔽電場的復(fù)蓋了視頻信號線的突起和光刻隔離器.在步驟 S65，通過一個刻蝕處理過程形成了用于終端部分和靜電保護(hù)電路的接 觸孔.在最后的步脒S66中，同時形成了用于屏蔽視頻信號線的共電 極、門電極以及數(shù)據(jù)電極.在圖118的例子中，在步驟S71,同時形成了門電極(掃描線困案) 和共電極.在步驟S72,使硅元件與用于形成薄膜晶體管的半導(dǎo)體薄膜 層分離.然后，在步驟S73,同時形成了源電極和漏電極.在接下來的 步驟S74中，形成了覆蓋視頻信號線的突起和光刻隔離器.在步稞S75， 形成了用于終端部分和靜電保護(hù)電路的接觸孔.在最后的步碟S76中， 同時形成了用于屏蔽視頻信號線的共電極、像素內(nèi)部的共電極、門電 極以及數(shù)據(jù)電極.仍然參考圖104,優(yōu)選地，覆蓋了視頻信號線51的突起77的厚度 hl優(yōu)選地在1.5微米到3.5微米范圍內(nèi)，并且從突起77凸出的隔離器 78的高度h2大約為0.2-2. O微米.對于隔離器78的密度，在一平方 毫米的面積內(nèi)將會形成大約一 (1)到七十五(75)個隔離器.在一平 方毫米內(nèi)隔離器區(qū)域的尺寸在200平方微米到2000平方微米的范圍 內(nèi)，重要的是，不要將上層屏蔽共電極設(shè)置在隔離器凸出的區(qū)域上. 在液晶注入真空附著對準(zhǔn)處理過程期間，當(dāng)施加了來自空氣的壓力時， 構(gòu)建在突起77上的隔離器78的高度h2必須可以在0. 2-0.5微米范 圍內(nèi)進(jìn)行形變.如果隔離器78受到上層屏蔽共電極79的復(fù)蓋，那么 可能會出現(xiàn)一個問趙，其中空氣壓力所引起的隔離器78的形變會引起 上層屏蔽共電極剝落.用于形成上層屏蔽共電極79的材料，例如包含具有20X或更大的 可見光透射率的傳導(dǎo)材料，諸如鈦金屬化合物，其中包含鈦的氮化物 (TiNx)、鈦的氮氧化物(TiOxNy)、鈦的硅化物(TiSix)以及鈦的 氮硅化物(TiSixNy)，或者金屬氧化物透明傳導(dǎo)材料，主要包含氧化 銦(In203)或者氧化鋅(ZnO).如圖104中所示，與上述的第一實施例類似，重要的是在突起77的邊緣部分具有盡可能小的尖端角6.通常應(yīng)該將該尖端角6設(shè)置為 小于30度.通過保持小的尖端角，在研磨對準(zhǔn)處理過程中，可以使研 磨布的毛邊末端平滑地運動，這消除了對準(zhǔn)缺陷.當(dāng)尖端角6大于45 度時，會出現(xiàn)研磨布的毛邊末端不能與尖端區(qū)域周圍的表面接觸的情 況，并且這會導(dǎo)致具有對準(zhǔn)缺陷的區(qū)域出現(xiàn).如果出現(xiàn)這樣的對準(zhǔn)缺 陷，那么在黑顯示期間，這樣的區(qū)域會導(dǎo)致光的泄漏，這會嚴(yán)重地降 低顯示的對比度.日本專利公開第2002 - 258321號和第2002 - 323706 號公開的結(jié)構(gòu)沒有考慮到研磨布的毛邊末端的平滑運動，因此，會出 現(xiàn)研磨布的毛邊末端不能到達(dá)尖端區(qū)域周圍并且不能完全防止對準(zhǔn)缺 陷發(fā)生的情況.如圖77中所示，隔離器的形狀不一定是圃形的，也可以是橢圃形 的.在圖79和81的例子中，隔離器的形狀是圃形的.當(dāng)如在本發(fā)明 中那樣隔離器78被設(shè)置在復(fù)蓋視頻信號線的突起77上時，可以在掃 描線15和視頻信號線51的交叉點處構(gòu)建突起77，這是因為在液晶注 入真空附著和對準(zhǔn)處理過程中沒有什么會阻礙液晶的擴散.如圖"和81中所示的，還可以在掃描線的頂部構(gòu)建突起77，從而將突起以網(wǎng)狀 的方式排列在整個村底上.當(dāng)上層屏蔽共電極72通過突起77完全覆 蓋視頻信號線51和掃描線15或通過突起77完全與視頻信號線51和 掃描線15重疊的時候，濾色片村底側(cè)面上的光屏蔽膜就變?yōu)椴槐匾?了，這就可以將孔徑比增加到了最大水平.如困81的例子所示，該結(jié)構(gòu)最適用于超大屏幕液晶顯示設(shè)備，其 中的上層屏蔽共電極79構(gòu)建在突起77的覆蓋掃描線15的兩個側(cè)壁上， 以及構(gòu)建在突起77的復(fù)蓋視頻信號線51的兩個側(cè)壁上.這是因為這 種結(jié)構(gòu)可以使視頻信號線波形和掃描線波形中的畸變最小化.優(yōu)選實施例4圖54、 55和56是橫截面圖，表示了本發(fā)明的第四實施例中的橫 向電場類型液晶面板的結(jié)構(gòu).這種結(jié)構(gòu)基本上與上述的笫二實施例的 結(jié)構(gòu)相同，除了第二實施例中的隔離器突起73被分成了覆蓋視頻信號 線的絕緣突起77和確定液晶單元間隔的隔離器78.在上述的第二實施例中，復(fù)蓋視頻信號線51的介電(絕緣)突起 73也起到確定單元間隔的隔離器的作用.但是，在笫四實施例中，與 在笫三實施例中一樣，復(fù)蓋視頻信號線的介電(絕緣)突起77和確定 液晶單元間隔的隔離器78的功能是被完全分開的.第三和笫四實施例 的介電突起77可以完全地復(fù)蓋掃描線15和視頻信號線51.因此，通 過將上層屏蔽共電極79構(gòu)建在絕緣突起77的兩個側(cè)壁上，可以將祝 頻信號線51和掃描線所引起的信號波形畸變保持為最低水平，并且因 此實現(xiàn)最大的孔徑比.圖54、 55和56所示的隔離器78未被上層屏蔽共電極79的襲蓋，從而介電材料自身是凸出的.這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢在于，在液晶注入真空 附著對準(zhǔn)過程期間，當(dāng)施加了來自空氣的壓力時，共電極層不會剝落.如上所述，在第一到第四實施例的結(jié)構(gòu)中，視頻信號線51和液晶 驅(qū)動電極53在上方和下方被門絕緣層9和鈍化層55完全瘦蓋.而且， 設(shè)置視頻信號線和液晶驅(qū)動電極的層與屏蔽共電極和像素內(nèi)部的共電 極所在的層是不同的.因此，即使當(dāng)發(fā)生圖案錯誤時，也不太可能出 現(xiàn)相互短接的情況，由此使像素缺陷出現(xiàn)的可能性變得最小.優(yōu)選實施例5閨57、 58和59是橫截面圖，表示了本發(fā)明笫五實施例中的橫向電場類型液晶面板的結(jié)構(gòu).在該實施例中，與笫一到笫四實施例不同，視頻信號線51和液晶驅(qū)動電極53未被鈍化層55夜蓋.僅視頻信號線 51被介電隔離器突起73度蓋.根據(jù)本發(fā)明，可以同時構(gòu)建視頻信號線 51和液晶驅(qū)動電極53.可選擇地，可以將薄膜晶體管的漏電極與視頻 信號線51同時構(gòu)建，繼而可以在構(gòu)建隔離器突起73之后將液晶驅(qū)動 電極53與上層屏蔽電極72以及像素內(nèi)部的共電極74同時構(gòu)建.這兩種方法中的任意一種都適用于笫五實施例.利用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，不需 要再開一個接觸孔以將薄膜晶體管的漏電極與液晶驅(qū)動電極相連接.優(yōu)選實施例6圖60、 61和62是橫截面圖，表示了本發(fā)明第六實施例中的橫向 電場類型液晶面板的結(jié)構(gòu).與笫一到第四實施例不同，而與笫五實施 例相同的是，視頻信號線51和液晶驅(qū)動電極53未被鈍化層55覆蓋. 僅視頻信號線51被介電隔離器圖突起73覆蓋.笫六實施例與笫五實 施例的不同之處僅在于，將像素內(nèi)部的共電極49與掃描線以及下層屏 蔽共電極75同時構(gòu)建在相同的層上，優(yōu)選實施例7圖63、 64和65是橫截面圖，表示了本發(fā)明第七實施例中的橫向 電場類型液晶面板的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)基本上與第五實施例的結(jié)構(gòu)是一樣 的，不同在于隔離器突起73被分為了菝蓋視頻信號線的介電(絕緣) 突起77和確定液晶單元間隔的隔離器78.優(yōu)選實施例8圖66、 67和68是橫截面圖，表示了本發(fā)明笫八實施例中的橫向 電場類型液晶面板的結(jié)構(gòu).該結(jié)構(gòu)基本上與第六實施例的結(jié)構(gòu)是一樣 的，不同在于隔離器突起73被分為了覆蓋視頻信號線的介電(絕緣) 突起77和確定液晶單元間隔的隔離器78.優(yōu)選實施例9圖108、 109和110是橫截面圖和平面圖，表示了本發(fā)明第八實施 例中的橫向電場類型液晶面板.在圖108、 109和110的例子中，附圖 標(biāo)記90代表液晶驅(qū)動電極.如以上參考圖45-47所述的，附圖標(biāo)記9 代表門絕緣膜，附圖標(biāo)記51代表視頻信號線，附圖標(biāo)記53代表液晶 驅(qū)動電極，附困標(biāo)記55代表鈍化膜，附圖標(biāo)記66代表濾色片側(cè)面的 玻璃襯底，附圖標(biāo)記67代表黑掩模(光屏蔽膜)，附圖標(biāo)記68代表濾色片層，附圖標(biāo)記69代表濾色片側(cè)面的平整層，附困標(biāo)記70代表 濾色片側(cè)面的對準(zhǔn)膜，附困標(biāo)記71代表TFT陣列襯底側(cè)面的對準(zhǔn)膜， 附困標(biāo)記72代表上層共電極，附困標(biāo)記73代表覆蓋了視頻信號線的 隔離器突起，附圖標(biāo)記74代表像素內(nèi)部的共電極，附困標(biāo)記75代表 下層共電極，以及附困標(biāo)記76代表TPT陣列側(cè)面的玻璃襯底.在困108-110的實施例中，將視頻信號線51和液晶驅(qū)動電極90 相對于鈍化層55構(gòu)建在不同的層上.將上層屏蔽共電極72、像素內(nèi)部 的共電極74和液晶驅(qū)動電極90同時構(gòu)建在相同的層上.液晶驅(qū)動電 極90通過接觸孔連接到薄膜晶體管的漏電極.本發(fā)明的笫九實施例在使顯示像素周圍的區(qū)域中的參差不齊之處 變得平整(平坦)方面最有效.通過利用厚度為300 - 500埃的透明電 極材料(ITO或IZO)同時形成上層屏蔽共電極72、像素內(nèi)部的共電極 74,以及液晶驅(qū)動電極90，可以顯著地提高有效孔徑比.在橫向電場 模式中，當(dāng)電極的寬度小(例如3-5微米)的時候，對于電極上的大 多數(shù)液晶分子來說，由于邊際場效應(yīng)的原因?qū)е滤鼈兛梢孕D(zhuǎn)，從而 光可以從電極周閨的區(qū)域透射.由于這種邊際場效應(yīng)，圖109所示的結(jié)構(gòu)在改善孔徑比方面最為有效，由此獲得了具有高對比度的顯示.利用圖109和110中顯示的結(jié)構(gòu)，邊際場效應(yīng)在上層屏蔽共電極 72的邊緣區(qū)域周圍同樣有效，其提高了上層屏蔽共電極72的邊緣區(qū)域周閨的光透射率，由此改善了孔徑比.設(shè)置在濾色片村底倒面的黑掩 模67對于本實施例的結(jié)構(gòu)來說不是必要的.優(yōu)選地，黑掩模67的寬 度與介電隔離器突起73的寬度相同，或者略微小于介電隔離器突起73 的寬度，重要的是將隔離器突起73的尖端角6保持為小于30度，以 防止在研磨對準(zhǔn)處理中出現(xiàn)對準(zhǔn)缺陷.優(yōu)選地，隔離器突起并不形成在掃描線和視頻信號線的交叉區(qū)域， 從而在液晶注入真空附著對準(zhǔn)處理過程中液晶可以平滑地擴散.當(dāng)隔 離器突起73上施加了來自空氣的壓力時，構(gòu)成隔離器突起73的材料 允許隔離器突起發(fā)生0.1-0.5微米的形變，如果未采用這樣的材料， 那么就會發(fā)生殘余氣泡的問題.優(yōu)選實施例10困111、 112和113是橫截面圖并且圖115是平面圖，分別表示了 本發(fā)明笫十實施例中的橫向電場類型液晶面板的結(jié)構(gòu).該結(jié)構(gòu)基本上與笫九實施例的結(jié)構(gòu)是一樣的，不同在于笫九實施例的隔離器突起73 被分為瘦蓋視頻信號線的介電(絕緣)突起77和確定液晶單元間隔的 隔離器78.如在困115所示，將上層屏蔽共電極72、像素內(nèi)部的共電極74以 及液晶驅(qū)動電極90同時制造在相同的層上，液晶驅(qū)動電極90通過接 觸孔93連接到薄膜晶體管的漏電極.上層屏蔽共電極未設(shè)置在隔離器 78上面.上層屏蔽共電極72在掃描線上按照網(wǎng)狀的方式在上/下以及 左/右方向上互相連接.在田115中，上層屏蔽共電極72幾乎完全覆 蓋了視頻信號線51.還可以在介電突起77的側(cè)壁上形成上層屏蔽共電 極，例如困81中所示的.在30英寸或更大的大屏幕液晶顯示面板應(yīng) 用中，其中優(yōu)選上層屏蔽共電極位于側(cè)壁上的這種結(jié)構(gòu)，這是因為這 種結(jié)構(gòu)可以降低視頻信號線波形中的畸變.優(yōu)選實施例11圖69-81和閨115是平面圖，表示了本發(fā)明笫十一實施例中的橫 向電場類型液晶顯示面板的結(jié)構(gòu).在這種結(jié)構(gòu)中，視頻信號線51、上 層屏蔽共電極72、像素內(nèi)部的共電極74以及液晶驅(qū)動電極90在像素 之內(nèi)至少受到一次彎曲，并且彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向 在0-30度的范圍內(nèi)(不包含O度).在第十一實施例中，使用了正 介電常數(shù)各向異性液晶，其中該液晶分子的對準(zhǔn)方向幾乎垂直于掃描 線的方向.圖120是示意困，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板中所使 用的正各向異性介電材料的液晶分子的對準(zhǔn)方向和旋轉(zhuǎn)方向之間的關(guān) 系.在圖120中，附困標(biāo)記97代表液晶分子的對準(zhǔn)方向，附圖標(biāo)記98 代表正介電常數(shù)各向異性液晶分子，以及附圖標(biāo)記105代表像素電極 (液晶驅(qū)動電極53)與液晶分子98的對準(zhǔn)方向之間的夾角.如圖120 所示，液晶分子可以右向和左向旋轉(zhuǎn)，這有助于提高視場角并且同時 降低彩色偏移.圖121是示意圖，表示了本發(fā)明的橫向電場類型液晶面板中所使用的負(fù)各向異性介電材料的液晶分子的對準(zhǔn)方向和旋轉(zhuǎn)方向之間的關(guān) 系.在圖121中，附圖標(biāo)記97代表液晶分子的對準(zhǔn)方向，附困標(biāo)記99 代表負(fù)介電常數(shù)各向異性液晶分子，以及附圖標(biāo)記106代表像素電極 (液晶驅(qū)動電極53)與液晶分子99的對準(zhǔn)方向之間的夾角.如圖121中所示，通過利用液晶分子的對準(zhǔn)方向平行于掃描線方 向的負(fù)介電常數(shù)各向異性液晶，液晶分子可以右向和左向旋轉(zhuǎn)，這有 助于提高視場角并且同時降低彩色偏移.在圖121的設(shè)置中，視頻信 號線、液晶驅(qū)動電極、像素內(nèi)部的共電極以及上層共電極在給定的像 素之內(nèi)至少受到一次彎曲，并且彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方 向在60 - 120度的范圍內(nèi)(不包含90度)，優(yōu)選實施例12圖82、 84、 92、 93、 94和95是平面圖，表示了本發(fā)明笫十二實 施例中橫向電場類型液晶面板的結(jié)構(gòu).在這種結(jié)構(gòu)中，視頻信號線是 直的，而上層屏蔽共電極、像素內(nèi)部的共電極以及液晶驅(qū)動電極在像 素之內(nèi)至少受到一次彎曲，并且彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方 向在0-30度的范圍內(nèi)(不包舍0度).在第十二實施例中，使用了 正介電常數(shù)各向異性液晶，其中液晶分子的對準(zhǔn)方向基本上垂直于掃 描線的方向.如困120所示，液晶分子可以右向和左向旋轉(zhuǎn)，這有助于提高視場角并且同時降低彩色偏移.在第十二實施例中，如圖121所示，通過利用液晶分子的對準(zhǔn)方向平行于掃描線方向的負(fù)介電常數(shù)各向異性液晶，液晶分子可以右向 和左向旋轉(zhuǎn)，這有助于提高視場角并且同時降低彩色偏移.在該實施 例的設(shè)置中，液晶驅(qū)動電極、像素內(nèi)部的共電極以及上層共電極在給 定的像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，并且彎曲的角度相對于液晶分子的 對準(zhǔn)方向在60- 120度的范圍內(nèi)(不包含90度).優(yōu)選實施例13圖83、 85、 88、 89、 90、 91、 96和97是平面圖，表示了本發(fā)明 第十三實施例中橫向電場類型液晶面板的結(jié)構(gòu).在該結(jié)構(gòu)中，對于一 個像素來說，視頻信號線和上層屏蔽共電極是直的，而像素內(nèi)部的共 電極和液晶驅(qū)動電極至少受到一次彎曲，并且彎曲的角度相對于液晶 分子的對準(zhǔn)方向在0-30度的范圍內(nèi)(不包含0度).在第十三實施 例中，使用了正介電常數(shù)各向異性液晶，其中液晶分子的對準(zhǔn)方向基 本上垂直于掃描線的方向，如在圖120中所示，液晶分子可以右向和 左向旋轉(zhuǎn)，這有助于提高視場角并且同時降低彩色偏移.在第十三實施例中，如圖121中所示，通過利用液晶分子的對準(zhǔn) 方向平行于掃描線方向的負(fù)介電常數(shù)各向異性液晶，液晶分子可以右向和左向旋轉(zhuǎn)，這有助于提高視場角并且同時降低彩色偏移.在該實 施例的設(shè)置中，液晶驅(qū)動電極、像素內(nèi)部的共電極在給定的像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，并且彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60 -120度的范閨內(nèi)(不包含90度). 優(yōu)選實施例14也可以為視頻信號線、上層屏蔽共電極和像素內(nèi)部的共電極是直 的，而僅液晶驅(qū)動電極至少受到一次彎曲，并且彎曲的角度相對于液 晶分子的對準(zhǔn)方向在0-30度的范圍內(nèi)(不包含O度).在該設(shè)置中， 使用了正介電常數(shù)各向異性液晶，其中液晶分子的對準(zhǔn)方向基本上垂 直于掃描線的方向.如在圖120中所示，液晶分子可以右向和左向旋 轉(zhuǎn)，這有助于提高視場角并且同時降低彩色偏移.在第十四實施例中，如圖121中所示，通過利用液晶分子的對準(zhǔn) 方向平行于掃描線方向的負(fù)介電常數(shù)各向異性液晶，液晶分子可以右 向和左向旋轉(zhuǎn)，這有助于提高視場角并且同時降低彩色偏移.在這種 設(shè)置中，僅液晶驅(qū)動電極在給定的像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，并且 彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60 - 120度的范閨內(nèi)(不包 含90度).優(yōu)選實施例15對于上述第十一實施例中的結(jié)構(gòu)，還可以去除像素內(nèi)部的共電極 并且在一個像素之內(nèi)僅存在一行液晶驅(qū)動電極，并且進(jìn)一步，視頻信 號線、上層屏蔽共電極以及液晶驅(qū)動電極至少受到一次彎曲，并且彎 曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在0-30度的范圍內(nèi)(不包含0 度).如圖120所示，液晶分子可以右向和左向旋轉(zhuǎn)，這有助于提高 視場角并且同時降低彩色偏移.在這種設(shè)置中，使用了正介電常數(shù)各 向異性液晶，其中液晶分子的對準(zhǔn)方向基本上垂直于掃描線的方向. 第十五實施例適用于生產(chǎn)像素間距為50微米或更小的超高分辨率顯示 設(shè)備.在第十五實施例中，如困121中所示，通過利用液晶分子的對準(zhǔn) 方向平行于掃描線方向的負(fù)介電常數(shù)各向異性液晶，液晶分子可以右 向和左向旋轉(zhuǎn)，這有助于提高視場角并且同時降低彩色偏移.在這種 設(shè)置中，視頻信號線、上層屏蔽共電極以及單行的液晶驅(qū)動電極在給 定的像素之內(nèi)至少受到一次彎曲，并且彎曲的角度相對于液晶分子的對準(zhǔn)方向在60- 120度的范圍內(nèi)(不包含90度).如圖122和123所示，在第十一和第十五實施例中使用的濾色片 襯底的結(jié)構(gòu)中，光屏蔽膜(黑掩模)101和濾色片層68以類似的方式 彎向視頻信號線.更特別地，覆蓋掃描線的黑掩模100是直的，而襲 蓋視頻信號線的黑掩模101如上述那樣地彎曲.根據(jù)本發(fā)明，復(fù)蓋視 頻信號線的隔離器突起和突起同樣類似地彎向視頻信號線.如果上層 屏蔽共電極完全地覆蓋了視頻信號線，即使當(dāng)沒有使用對應(yīng)于視頻信 號線的黑掩模時，也不會發(fā)生光泄漏，因此可以去除黑掩模.當(dāng)上層 屏蔽共電極完全夜蓋了視頻信號線以及掃描線的時候，即使當(dāng)沒有使 用黑掩模時也不會發(fā)生光泄漏，所以僅使濾色片類似地彎向視頻信號 線就足夠了.優(yōu)選實施例16圖119是橫截面圖和平面圖，表示了本發(fā)明笫十六實施例中的橫 向電場類型液晶面板.在困119中，附圖標(biāo)記66代表濾色片側(cè)面的玻 璃襯底，附圖標(biāo)記67代表黑掩模(光屏蔽膜)，附圖標(biāo)記68代表濾 色片層，附困標(biāo)記69代表濾色片側(cè)面的平整層，附圖標(biāo)記70代表濾 色片側(cè)面的對準(zhǔn)膜，附圖標(biāo)記71代表TFT陣列襯底側(cè)面的對準(zhǔn)膜，附 圖標(biāo)記76代表TFT陣列側(cè)面的玻璃襯底，附圖標(biāo)記78代表形成在覆 蓋了視頻信號線的突起上的隔離器，附圖標(biāo)記94代表具有環(huán)形形狀的 光刻隔離器，附困標(biāo)記95代表具有圃形形狀的光刻隔離器，附困標(biāo)記 96代表用于形成液晶單元的主密封.具有閉環(huán)形狀的隔離器突起94形成在這樣一個位置處該位置與環(huán)繞最外面的顯示區(qū)域的黑掩模(光屏蔽膜)的邊界相重疊.盡管隔 離器突起的寬度不應(yīng)該太小，但對于隔離器突起94來說，100 - 500 微米的寬度就足夠了.困119僅示出了一個閉環(huán)隔離器突起94,但是， 也可以包含兩個或更多個的閉環(huán)隔離器突起.在主密封96的區(qū)域中， 設(shè)置了許多具有圃形形狀的隔離器突起95,通過利用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)， 就不必引入確定單元間隔的玻璃光纖了.因為其中沒有混和玻璃光纖， 所以即使當(dāng)視頻信號線和掃描線是由例如鋁合金的軟材料制成時，這 種結(jié)構(gòu)也可以防止線泄漏的發(fā)生.而且，通過利用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，主 密封不侵入黑掩模的區(qū)域，所以可以利用紫外線使主密封完全硬化. 在這種結(jié)構(gòu)中，由于可以有效抑制來自主密封的雜質(zhì)散布，因此可以提高可靠性.優(yōu)選實施例17圖32、 33、 34、 35和106表示了本發(fā)明笫十七實施例中的橫向電 場類型液晶面板.困32A-32E和35A-35E是平面困和橫截面困，表 示了本發(fā)明的半色調(diào)移動曝光方法的原理以及進(jìn)行顯影后的光致抗蝕 刑結(jié)構(gòu).困33A-33B和34A-34B是平面圖，表示了本發(fā)明的半色調(diào) 移動曝光方法的其它例子.圖106A-106P是橫截面圖，表示了利用本 發(fā)明的半色調(diào)移動膝光方法的四步驟光掩模處理過程中所涉及的生產(chǎn) 流程.在圖32A- 32E和35A- 35E中，附圖標(biāo)記1代表形成光掩模的硅 玻璃村底，附圖標(biāo)記2代表玻璃村底1上的金屬層(不透明掩模圖案)， 附圖標(biāo)記19代表UV光，附圖標(biāo)記20代表進(jìn)行顯影后的正光致抗蝕刑 層上的一個區(qū)域，在該區(qū)域UV光曝光被完全阻斷，附圖標(biāo)記21代表 一個區(qū)域，在該區(qū)域光致抗蝕劑被完全去除，附圖標(biāo)記22代表進(jìn)行顯 影后的正光致抗蝕劑層上的一個區(qū)域，在該區(qū)域通過瀑光不足(非完 全曝光)步驟進(jìn)行UV光曝光，以及附圖標(biāo)記62代表已經(jīng)在笫一膝光 不足步驟中進(jìn)行了瀑光的光致抗蝕劑上的一個區(qū)域，以及附圖標(biāo)記63 代表已經(jīng)通過笫一和笫二膝光不足步驟進(jìn)行了完全曝光的光致抗蝕劑 上的一個區(qū)域.在本發(fā)明中，如圖32A中所示，將掩模圖案設(shè)計為在源電極和漏 電極之間具有間隔距離l，其中間隔距離l等于薄膜晶體管的溝道長度 的一半.也就是說，如果所希望的薄膜晶體管溝道長度是6微米，那 么就利用長度為3微米的間隔距離來生成源電極和漏電極.利用普通 的光掩模，通過如圖32B中所示的曝光不足(非完全曝光)處理過程， 對正電阻實施第一瀑光步碟.然后，在困32C中，使光掩?；虿Ａбr 底沿水平方向(X方向)移動一段距離，該距離等于或略大于源電極和 漏電極之間的間隔距離1.然后，如困32D所示的那樣實施第二瀑光步 驟，并且該步驟的膝光不足程度與笫一膝光步稞的膝光不足程度相同.因為在第一瀑光中正光致抗蝕刑沒有完全被UV光啄光(這是因為 第一啄光是啄光不足處理過程)，所以圖32B所示的區(qū)域62之下的光 致抗蝕刑層在進(jìn)行顯影后仍然保留，而且，由于如上所述，曝光不足 步驟被重復(fù)了兩次，因此閨32D所示的區(qū)域63的光致抗蝕劑經(jīng)歷了兩次膝光不足，并得到了完全膝光，在進(jìn)行顯影之后被去除.所以，當(dāng)完成顯影之后，可以獲得具有圖32E所示的橫截面形狀的正光致抗蝕 刑.圖33A-33B和困34A-34B表示了類似的概念，在圖33A-33B的 例子中，使光掩?；虿Ａбr底沿水平方向(X方向)移動一段距離，該 距離等于源電極和漏電極之間的間隔距離l.在圖34A-34B的例子中， 使光掩?；虿Ａбr底沿兩個水平方向(X方向和Y方向)移動了距離△ x和Ay,這兩個距離都等于或略大于源電極和漏電極之間的間隔距離 1,在圖35A-35E的例子中，在光掩模的源電極和漏電極之間的間隔 中設(shè)置了一種薄的圖案.該薄的圖案的困案寬度L,與該薄的圖案與源 電極或漏電極之間的間隔距離1，其二者之間的關(guān)系為L<1.對于詠 光不足處理過程來說，優(yōu)選地是間隔距離1略大于困案寬度L.與困 32A-32E的例子類似，進(jìn)行第一瀑光不足處理過程之后，使光掩?；?玻璃襯底移動一段距離，該距離等于或略大于間隔距離1，并且實施笫 二膝光不足處理過程.進(jìn)行完顯影之后，就可以獲得具有圖35E所示的橫截面形狀的正 光致抗蝕劑.優(yōu)選地，對移動距離的量和膝光量進(jìn)行調(diào)整，從而使薄 膜晶體管的溝道區(qū)域變得盡可能的平坦.而且，優(yōu)選的是對移動距離 和曝光量進(jìn)行調(diào)整，從而在圖32E和35E中，正光致抗蝕劑的未被曝 光區(qū)域20的厚度是1. 5 - 2. 5微米，并且正光致抗蝕劑上的半膝光區(qū) 域(膝光不足區(qū)域)22的厚度是0. 2 - 0. 5微米.圖106A-106F是橫截面圖，表示了利用本發(fā)明的半色調(diào)移動膝光 方法生產(chǎn)薄膜晶體管元件的過程.在圖106A-106F中，附圖標(biāo)記6代 表進(jìn)行顯影后的正光致抗蝕劑層上的一個區(qū)域，在該區(qū)域UV光膝光被 完全阻斷，附困標(biāo)記7代表進(jìn)行顯影后的正光致抗蝕劑層上的一個區(qū) 域，在該區(qū)域通過半色調(diào)移動瀑光(瀑光不足)進(jìn)行了 UV舉光，附圖 標(biāo)記9代表門絕緣膜，附圖標(biāo)記10代表薄膜半導(dǎo)體層(非摻雜層)， 附困標(biāo)記ll代表薄膜半導(dǎo)體層(摻雜層，即歐姆接觸層)，附困標(biāo)記 15代表掃描線，附圖標(biāo)記50代表掃描線終端，附圖標(biāo)記51代表視頻 信號線，附圖標(biāo)記54代表掃描線終端驅(qū)動電路接觸電極，附圖標(biāo)記64 代表漏電極，以及附圖標(biāo)記65代表透明像素電極，在這個例子中，生產(chǎn)過程利用了四個光掩模步稞.圖36A-36F表 示了用于生產(chǎn)薄膜晶體管的過程，該過程利用了具有半色調(diào)瀑光的光 透射率調(diào)整光掩模.圖106A-106F的過程包括通過移動光掩?；虿Ａ?襯底從而移動詠光位置的過程.盡管全部過程與圖36A-36F的過程類 似，但是閨106A-106F的過程不使用光透射率調(diào)整光掩模(半色調(diào)光 掩模)就實現(xiàn)了半色調(diào)膝光.在開始進(jìn)行圖106A - 106F的過程之前，在TFT陣列玻璃襯底(未 示出)上形成掃描線15和掃描終端50,這可以通過圖7A- 7E或圖8A -8E所示的過程來實現(xiàn)，對此將在后面進(jìn)行解釋.在圖106A中，通過 例如CVD等離子設(shè)備分別沉積門絕緣膜9、薄膜半導(dǎo)體層(非摻雜層) IO和薄膜半導(dǎo)體層(歐姆接觸層)11.對正光致抗蝕劑6進(jìn)行涂覆， 并且利用普通的光掩模按照參考圖32A-32E、 33A-33B、 34A - 34B以 及35A-35E所述的方式實施半色調(diào)移動膝光(膝光不足)，從而生成 較厚的正光致抗?fàn)T刑6和較薄的正光致抗蝕劑7.在圖106B和106C中，通過干刻蝕處理過程和等離子灰化處理過 程，使得用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離.在圖106D中，通 過進(jìn)一步實施刻蝕處理過程形成了薄膜晶體管的漏電極64和視頻信號 線51.在圖106E中，通過干刻蝕，在掃描線終端50上生成了接觸孔. 在圖106F中，形成了掃描線驅(qū)動電路電極54和透明像素電極65.在該實施例中，鈍化夜蓋得到了改善，這是因為薄膜半導(dǎo)體層的 邊緣部分是以類似于階梯的形狀形成的，傳統(tǒng)的光透射率調(diào)整光掩模 是昂責(zé)的，將其用于超大屏幕液晶電視是不現(xiàn)實的.但是，如上所述， 利用便宜的普通光掩模就可以實施本發(fā)明的半色調(diào)移動曝光方法.上述的本發(fā)明的第十七實施例并不僅僅能應(yīng)用于液晶顯示設(shè)備. 例如，本發(fā)明還適于有機EL (電致發(fā)光)顯示設(shè)備或用于X射線探測 器的有源矩陣襯底的生產(chǎn)過程，通過本發(fā)明可以顯著地降低生產(chǎn)成本.圖17和19表示了一種掃描瀑光設(shè)備的例子，這種設(shè)備可以用于 笫十七實施例的半色調(diào)移動瀑光過程中.圖17是平面圖，表示了用于 實現(xiàn)本發(fā)明笫十七實施例的掃描啄光設(shè)備的結(jié)構(gòu)，該設(shè)備用于多透鏡 掃描膝光系統(tǒng)中，以及圖19是橫截面圖，表示了困17的掃描瀑光設(shè) 備，在圖17和19中，附圖標(biāo)記19代表UV光，附困標(biāo)記44代表多透 鏡膝光模塊，附困標(biāo)記45代表普通的光掩模，附圖標(biāo)記46代表X-Y平臺，以及附圖標(biāo)記48代表光纖光纜.當(dāng)玻璃襯底較大的時候，如果所使用的光掩模的尺寸與玻璃村底 的尺寸相同，那么總成本就變得過高了，所以，在這種情況下，使用 了尺寸小于玻璃板的光掩模45,并且通過驅(qū)動X-Y平臺46使光掩模 45在X和Y方向上移動.因為困17和19的掃描瀑光設(shè)備具有被設(shè)置 為一行的多個曝光透鏡，所以通過掃描這些啄光透鏡，可以對任意尺 寸的玻璃襯底進(jìn)行啄光.普通光掩模45與困1A和2A的光掩模(半色調(diào)光掩模)不同的是，這種光掩模不具備調(diào)整光透射牟的功能.在本發(fā)明的半色調(diào)移動啄光 方法中，可以使光掩模45或者X-Y平臺46上的村底移動.還可以通 過利用反射鏡投影掃描瀑光設(shè)備來實現(xiàn)半色調(diào)移動瀑光方法.困17和 19所示的多透鏡掃描曝光設(shè)備適用于本發(fā)明的半色調(diào)移動瀑光方法， 這是因為可以改善正光致抗蝕劑的分辨率。以利用光透射率調(diào)整光掩 模的傳統(tǒng)技術(shù)，使用具有較低分辨率的反射鏡投影掃描曝光設(shè)備的半 色調(diào)啄光方法是更加合適的， 優(yōu)選實施例18困13-16、 18和20表示了根據(jù)本發(fā)明笫十八實施例的、未使用 光掩模的掃描膝光設(shè)備的例子.圖13表示了用于利用了微反射鏡陣列 的紫外線曝光方法的字幕器光學(xué)系統(tǒng)(反轉(zhuǎn)的實像)結(jié)構(gòu)，圖14表示 了用于利用了微反射鏡陣列的紫外線啄光方法的多透鏡光學(xué)系統(tǒng)(未 反轉(zhuǎn)的實像)結(jié)構(gòu)，圖15是一個平面圖，表示了多透鏡掃描曝光系統(tǒng) 的結(jié)構(gòu)，圖16是脈沖波形圖，用于解釋通過時間寬度控制的用于紫外 光透射率調(diào)整的微反射鏡陣列的操作，圖18是平面圖，表示了未使用 光掩模的直接半色調(diào)啄光方法中所使用的掃描曝光設(shè)備，以及圖20A 和20B表示了利用圖18的瀑光設(shè)備的本發(fā)明的直接半色調(diào)曝光的原 理.在圖13-16、 18和20中，附圖標(biāo)記19代表UV光，附圖標(biāo)記20 代表進(jìn)行顯影后的正光致抗蝕劑層上的一個區(qū)域，在該區(qū)域UV光啄光 被完全阻斷，附圖標(biāo)記21代表光致抗蝕劑被完全膝光的區(qū)域，附圖標(biāo) 記22代表進(jìn)行顯影后的正光致抗蝕刑層上的一個區(qū)域，在該區(qū)域通過 半色調(diào)膝光過程進(jìn)行UV光曝光，附圖標(biāo)記37代表投影透鏡，附圖標(biāo) 記38代表用于TFT陣列的玻璃襯底，附圖標(biāo)記39代表正光致抗蝕劑層，附圖標(biāo)記40代表微反射鏡鏡陣列設(shè)備(DMD模塊)，附圖標(biāo)記41 代表微反射鏡，附困標(biāo)記42代表一個時間長度，在該時間長度期間微 反射鏡41進(jìn)行工作，附圖標(biāo)記43代表用于重寫數(shù)據(jù)的時間長度，在 該時間長度期間微反射鏡41不工作，附圖標(biāo)記44代表多透鏡投影曝 光模塊(非反轉(zhuǎn)的實像)，附圖標(biāo)記46代表X-Y平臺，以及附困標(biāo) 記47代表UV光源.在笫十八實施例中，掃描啄光設(shè)備包含多個反射鏡設(shè)備40,這些 反射鏡設(shè)備以一種棋盤板的方式進(jìn)行設(shè)置，其中每個反射鏡設(shè)備都具 有以二維形式形成的微反射鏡.如上所述，本發(fā)明的掃描瀑光設(shè)備不 需要光掩模來產(chǎn)生玻璃襯底上的圖案.來自光源47的UV光19被困14 的瀑光系統(tǒng)中微反射鏡陣列設(shè)備40上的微反射鏡41反射.在圖15的 膝光系統(tǒng)中，UV光19通過多透鏡投影膝光模塊44，該模塊生成一個 未反轉(zhuǎn)的實像并且將該困像投影到玻璃襯底38上的正光致抗蝕刑39 上.這樣，通過UV光19使得光致抗蝕刑39對于投影曝光模塊44所 生成的圖像瀑光.在困14、 15和18的啄光系統(tǒng)中，由圖16的脈沖波 形圖中顯示的時間長度來調(diào)整施加到光致抗蝕刑39的UV光的程度.如在困16的脈沖波形圖所示，可以一個接一個地控制微反射鏡41 的運動.通過利用這種反射鏡設(shè)備來改變施加到正光致抗蝕刑的UV射 線的曝光時間，可以執(zhí)行例如困20A-20B所示的多級半色調(diào)啄光方法， 如上所述的，在笫十八實施例中，可以容易地對一個大的區(qū)域進(jìn)行多 級半色調(diào)曝光，而不用昂貴的光透射率調(diào)整(半色調(diào))光掩模.圖13的光學(xué)系統(tǒng)和圖14的光學(xué)系統(tǒng)之間的主要差別在于，圖13 的光學(xué)系統(tǒng)包括反轉(zhuǎn)的實像，而困14的光學(xué)系統(tǒng)包括未反轉(zhuǎn)的實像. 圖13的光學(xué)系統(tǒng)足夠用作一個對例如文本數(shù)據(jù)的簡單圖像進(jìn)行局部曝 光的字幕器.但是，對于要將復(fù)雜的困案啄光到村底上的掃描曝光系 統(tǒng)來說，必須使用例如圖14所示的未反轉(zhuǎn)實像的光學(xué)系統(tǒng)來在襯底上 生成精細(xì)和準(zhǔn)確的困案.優(yōu)選實施例19圖37A- 37B和困43A-43B表示了本發(fā)明的第十九實施例.困37A -37B是平面圖，表示了本發(fā)明半色調(diào)移動膝光方法的原理的例子.圖 43A - 43B是平面圖，表示了本發(fā)明兩步騍啄光方法的原理的另 一個例 子，更特別地，困37A-37B和困43A-43B表示了一種普通的光掩模結(jié)構(gòu)，這種光掩模用于通過上述笫十七實施例中的半色調(diào)移動爆光方法生產(chǎn)掃描線、下層屏蔽共電極以及像素內(nèi)部的共電極.圖37A-37B 和圖43A-43B還表示了在半色調(diào)移動曝光過程中啄光量的分布.在該膝光過程中，利用普通的光掩模實施笫一瀑光不足步稞.在 第一瀑光不足之后，使光掩模沿與掃描線平行的方向移動一段距離， 該距離等于共電極的寬度.然后，優(yōu)選地利用與第一膝光步驟中相同 量的光實施笫二膝光不足步猓.在進(jìn)行顯影之后，仍然保留一個具有 厚的正光致抗蝕劑的區(qū)域、具有薄的正光致抗蝕劑區(qū)域以及沒有正光 致抗蝕刑的區(qū)域.圖7A-7E和困8A-8E是橫截面圖，表示了利用半色調(diào)移位膝光 方法生成具有兩種不同厚度電極的過程.構(gòu)建兩或三層可以被有選擇 性地刻蝕的金屬或合金，并且利用本發(fā)明的半色調(diào)移動曝光構(gòu)建兩個 不同厚度的正光致抗蝕劑，以構(gòu)建一個未啄光區(qū)域20和一個未完全曝 光區(qū)域22 (圖32E和35E).利用對于正光致抗蝕劑的刻蝕和灰化處 理過程以及選擇性刻蝕技術(shù)，可以生成具有兩種不同厚度的電極.重復(fù)困7A - 7E和8A - 8E所示的過程，從而在TFT陣列玻璃村底 上的不同層上形成電極.例如，圖7A-7E或8A-8E的過程在上述的 圖106A-106F的過程之前進(jìn)行，從而圖106A-106F的過程在生成了 掃描線15和掃描線終端50之后才開始.在圖7A- 7E和8A- 8E中， 附困標(biāo)記26代表下電極材料，附圖標(biāo)記27代表低電阻電極材料，附 圖標(biāo)記28代表上電極材料.如上所述，附圖標(biāo)記20代表未被UV光膝 光的光致抗蝕劑區(qū)域，以及附圖標(biāo)記22代表未被完全曝光(半色調(diào)曝 光)的光致抗蝕劑區(qū)域.在圖7A-7E和困8A-8E的過程中，包含了下電極材料(陣礙物 金屬)26，這是因為不可能將摻雜半導(dǎo)體n + a-Si層直接連接到純鋁 或鋁合金.用于陣礙物金屬的材料例如鈦(Ti).也可以將鈦與鉬的 合金或者鉬與鵠的合金用作陣礙物金屬，在將鋁合金用作電極材料27 的情況下，圖7A的結(jié)構(gòu)就足夠了，這是因為在與ITO(銦錫氧化物) 直接連接時不會出現(xiàn)問題.但是，將低電阻電極材料27配置為純鋁的時候，會出現(xiàn)接觸缺陷 的問題，這是因為在接觸表面上形成了氣化鋁.為了克服這個問趙， 如圖8A所示的那樣形成上電極材料28.用于上電極28的材料例如鉬.因此，圖7A-7E和圖8A-8E的例子之間的基本差別在于圖8A - 8E的 例子類外地包含上電極材料28,盡管其它的生成過程都是一樣的.在圖7A-7E的例子中，在襯底上形成兩個金屬層， 一層是下電極 層26,另一層是低電阻電極層27.例如，下電極層26由鈦(Ti)制 成，而低電阻電極層27由鋁釹鎳(Al-Nd-Ni)或鋁碳鎳(A1-C-Ni)制成.在圖7A中，例如通過半色調(diào)移動膝光方法，生成兩個具有 不同厚度的正光致抗蝕刑區(qū)域20和22.然后，如圖7B所示，通過濕刻蝕處理過程刻蝕低電阻電極層27, 并通過干刻蝕處理過程刻蝕下電極層26.然后，在圖7C中，通過例如 二氧化物等離子灰化處理過程去除較薄的光致抗蝕刑區(qū)域22,而保留 較厚的光致抗蝕刑區(qū)域20.如圖7D所示，對于低電阻電極層27再次 實施濕刻蝕處理過程.最后，如圖7E所示，通過灰化處理過程完全去 除正光致抗蝕刑.在圖8A-8E的例子中，在村底上形成三個金屬層，笫一層是下電 極層26,第二層是低電阻電極層27，第三層是上電極層28.例如，下 電極層26由鈦(Ti)制成，低電阻電極層27由純鋁(Al)制成，以 及上電極層28由鉬(Mo)制成.在圖8A中，通過例如半色調(diào)移動曝 光方法，就生成了兩個具有不同厚度的正電阻區(qū)域20和22,圖8B-8E的過程與圖7B-7E的過程相同，所以這里就省略對其的解釋.在實施本發(fā)明的半色調(diào)移動曝光方法的時候，第一曝光和第二曝 光利用了相同的光掩模來生成掃描線、屏蔽共電極以及像素內(nèi)部的共 電極.所以，在確定第一詠光和第二膝光的位置時，僅需要將光掩模 沿一個方向進(jìn)行小的水平移動.換句話說，不需要在玻璃襯底上構(gòu)建 用于定位兩個不同光掩模的對準(zhǔn)標(biāo)記，這是因為只需使用 一個光掩模. 因此，可以在生產(chǎn)過程中降低時間和成本.優(yōu)選實施例20圖38A-38B、 39A-39B、楊- 40B、 41A - 41B和42A - 42B表示 了當(dāng)利用兩個或更多個普通的光掩模實施本發(fā)明第二十實施例中的半 色調(diào)偏移曝光方法時，即在未使用例如困1A和2A所示的光透射率可 調(diào)整光掩模(半色調(diào)光掩模)時，光啄光分布的例子.該例子表示了 將本發(fā)明的半色調(diào)移動膝光方法應(yīng)用于掃描線和屏蔽共電極的生產(chǎn)過 程中的情況.在實施該方法的時候，需要在玻璃襯底內(nèi)部設(shè)置一個或多個對準(zhǔn)標(biāo)記，這是因為笫一瀑光和第二膝光所使用的光掩模是不同 的.圖9表示了在玻璃村底上直接寫入對準(zhǔn)標(biāo)記的設(shè)備.圖10表示了 圖9的用于在玻璃村底內(nèi)部寫入對準(zhǔn)標(biāo)記的設(shè)備所含概的原理.在困 11中，在用于構(gòu)建掃描線和屏蔽共電極的金屬沉積物之外的區(qū)域上形 成對準(zhǔn)標(biāo)記.在圖9、 10和11中，附圖標(biāo)記25代表f 6透鏡，附困標(biāo) 記29代表激光光源，附困標(biāo)記30代表光束格式器，附圖標(biāo)記31代表 電鍍反射鏡(galvanomirror),附困標(biāo)記32代表激光束，附圖標(biāo)記 33代表形成在玻璃襯底內(nèi)部的標(biāo)記圖案，以及附圖標(biāo)記38代表用于 TFT陣列的玻璃村底.日本專利公開No. 11 - 267861對本發(fā)明中使用的 激光標(biāo)記方法進(jìn)行了更詳細(xì)的描述.為了提高生產(chǎn)效率，在玻璃襯底 內(nèi)部形成對準(zhǔn)標(biāo)記是十分重要的，而不是將對準(zhǔn)標(biāo)記形成在玻璃襯底 的表面.在該實施例中，通過在第一和第二瀑光不足步驟利用不同的光掩 模，在顯影之后可以生成具有兩種不同厚度的正光致抗蝕刑圖案.通 過上述圖7A-7E和困8A-8E所示的過程，將對正光致抗蝕劑進(jìn)行刻 蝕、灰化以及有選擇地刻蝕，從而生成具有兩種厚度級別的金屬電極.優(yōu)選實施例21圖27A-27F和圖28A-28F表示了一種用于在玻璃襯底上構(gòu)建薄 膜晶體管的處理過程的例子，該過程利用了本發(fā)明第二十一實施例中 的兩步猓半色調(diào)啄光方法.在該例子中，將本發(fā)明的兩步驟半色調(diào)啄 光方法用于同時構(gòu)建掃描線15和像素49內(nèi)部的共電極49,以及同時 構(gòu)建視頻信號線51和液晶驅(qū)動電極53.在圖27A-27F的例子中，將一種三層金屬結(jié)構(gòu)用于通過圖8A-8E 的過程所生成的掃描線15.在困28A-28F的例子中，將一種兩層金屬 結(jié)構(gòu)用于通過圖7A 一 7E的過程所生成的掃描線15,圖27A - 27F和圖 28A-28F的例子都利用了兩步驟半色調(diào)瀑光方法，其中利用薄膜的一 個單層來構(gòu)建像素內(nèi)部的共電極49.當(dāng)利用兩步跺半色調(diào)膝光方法來形成掃描線時，必須如圖11所示 的那樣，通過例如困9和IO所示的激光束設(shè)備預(yù)先在玻璃襯底上形成 對準(zhǔn)標(biāo)記.圖27A-27F和圖28A-28F的例子都利用了半色調(diào)曝光來 實施將硅元件與半導(dǎo)體層分離(硅島狀物形成過程)，并同時構(gòu)建接觸孔的終端部分的處理過程.在困27A-27F和困28A-28F中，附閨標(biāo)記8代表一個區(qū)域，其 中光致抗蝕刑在進(jìn)行顯影后被完全去除，附圖標(biāo)記9代表門絕緣膜， 附困標(biāo)記10代表薄膜半導(dǎo)體層(非摻雜層)，附圖標(biāo)記11代表薄膜 半導(dǎo)體層(摻雜層，即歐姆接觸層)，附困標(biāo)記15代表掃描線，附圖 標(biāo)記20代表未被UV光瀑光的光致抗蝕刑區(qū)域，以及附困標(biāo)記22代表 進(jìn)行了不完全曝光(半色調(diào)瀑光)的光致抗蝕刑區(qū)域，附圖標(biāo)記49代 表像素內(nèi)部的共電極，附圖標(biāo)記50代表掃描線終端，附圖標(biāo)記51代 表視頻信號線，附圖標(biāo)記52代表陣礙物金屬，附圖標(biāo)記53代表液晶 驅(qū)動電極，附圖標(biāo)記54代表掃描線驅(qū)動電路接觸電極，以及附圖標(biāo)記 55代表鈍化膜.在圖27A-27F的例子中，通過圖8A-8E所示的過程形成了掃描 線15、掃描線終端50以及像素內(nèi)部的共電極49。在圖28A-28F的例 子中，通過困7A-7E所示的過程形成了掃描線15、掃描線終端50以 及像素內(nèi)部的共電極49.然后，在圖27A-27F和28A-28F的兩個例子 中，通過相同的過程，按照下面的方式分離硅元件并生成接觸孔首先，如困27A和28A中所示，利用等離子CVD設(shè)備按照先后順 序沉積門絕緣膜9、薄膜半導(dǎo)體層(非摻雜層)10以及薄膜半導(dǎo)體層 (歐姆接觸層)ll.當(dāng)正光致抗蝕劑的涂復(fù)厚度達(dá)到2-3微米時，對 正光致抗蝕劑實施半色調(diào)瀑光處理過程.這樣，生成了較厚的正光致 抗蝕劑區(qū)域20和較薄的正光致抗蝕劑區(qū)域22，而在掃描線終端50上 的區(qū)域處的光致抗蝕刑則被去除.在圖27B和28B中，通過例如干刻蝕處理過程生成用于掃描線終 端50的接觸孔.然后，通過灰化處理過程去除半色調(diào)膝光所形成的較 薄的光致抗蝕刑區(qū)域22，從而正光致抗蝕刑在將要形成薄膜晶體管的 區(qū)域處仍然保留.在圖27C和28C中，通過干刻蝕處理過程，去除了 半導(dǎo)體層，而將要形成薄膜晶體管的區(qū)域處除外.在圖2 D-27F和28D -28F中，利用閨7A-7E或圖8A - 8E所示的過程生成視頻信號線51、 掃描線驅(qū)動電路連接電極54以及液晶驅(qū)動電極53.如上面所描述的，在圖27A-27F和28A-28P所示的過程中，通過 利用本發(fā)明的兩步驟啄光方法，由一個單層薄膜制成了液晶驅(qū)動電極 53.如在本發(fā)明中那樣，因為在掃描線和視頻信號線的生成過程中，利用兩步驟半色調(diào)瀑光方法由薄膜制成了像素內(nèi)部的每個共電極49以 及每個液晶驅(qū)動電極53 ,所以在對準(zhǔn)處理中可以實現(xiàn)研磨布毛邊末端 的平滑運動，這可以防止對準(zhǔn)缺陷的發(fā)生.當(dāng)使用上述的半色調(diào)膝光方法實施了薄膜晶體管的硅元件的分離 以及接觸孔終端部分的構(gòu)建時，必須同時生成例如圖21-26所示的靜 電保護(hù)電路.圖21和22表示了靜電保護(hù)電路中的電路結(jié)構(gòu)的例子， 并且圖23 - 26表示了用于在村底上構(gòu)建圖21和22的靜電保護(hù)電路的 圖案結(jié)構(gòu)的例子.在圖21-26中，附困標(biāo)記14代表視頻信號線，附 困標(biāo)記15代表掃描線，附困標(biāo)記16代表用于靜電保護(hù)的共電極，附 圖標(biāo)記17代表薄膜半導(dǎo)體層，附圖標(biāo)記18代表用于生成薄膜晶體管 電路靜電保護(hù)的接觸孔.如圖23、 24、 25和26所示，可以通過將接觸孔18設(shè)置在一起從 而使得接觸孔18的尺寸最大化，在這種情況下，可以將例如困12和 13所示的使用紫外激光束或紫外LED的局部啄光設(shè)備用于對接觸孔部 分進(jìn)行局部地瀑光.在圖12中，附圖標(biāo)記25代表f 6透鏡，附圖標(biāo)記 29代表激光光源，附圖標(biāo)記30代表光束格式器，附圖標(biāo)記31代表電 鍍反射鏡，附圖標(biāo)記32代表激光束，附圖標(biāo)記33代表形成在玻璃襯 底內(nèi)部的標(biāo)記圖案，附困標(biāo)記34代表超聲偏振器，附圖標(biāo)記35代表 UV激光源，附圖標(biāo)記36代表UV激光，附圖標(biāo)記3S代表用于TFT陣列 的玻璃襯底，以及附圖標(biāo)記39代表正光致抗蝕劑層.圖6A-6C表示了利用局部舉光設(shè)備的第一和笫二啄光步驟.在圖 6A-6C的例子中，未使用光掩模而是利用了用于對玻璃襯底的一部分 進(jìn)行局部膝光的f6透鏡來實施第二詠光步驟.如上所述，f 6透鏡可 以聚焦在襯底的同一平面上的較大區(qū)域上.圖29和30表示了半色調(diào)掃描曝光設(shè)備的平面圖，該設(shè)備具有本 發(fā)明的內(nèi)置的局部舉光設(shè)備.在圖29和30中，附圖標(biāo)記40代表微反 射鏡陣列設(shè)備，附困標(biāo)記44代表多透鏡投影模塊，附困標(biāo)記45代表 光掩模，附圖標(biāo)記46代表X-Y平臺，附圖標(biāo)記47代表UV源，以及 附圖標(biāo)記56代表超音速激光掃描膝光設(shè)備，通過利用困29或困30的 僅一種設(shè)備以及普通的光掩模，就可以同時進(jìn)行半色調(diào)膝光過程和局 部膝光過程.所以，可以顯著地提高生產(chǎn)效率.圖31表示了利用了本發(fā)明半色調(diào)曝光方法所生成的橫向電場類型有源矩陣襯底的平面圖.在困31中，附圖標(biāo)記57代表視頻信號線的 終端，附圖標(biāo)記58代表環(huán)繞像素的共電極的終端，附困標(biāo)記59代表 靜電保護(hù)電路，附圖標(biāo)記60代表鈍化膜，以及附圖標(biāo)記61代表通過 上述的局部UV膝光生成的接觸孔.通過局部紫外線瀑光構(gòu)建的接觸孔 61共同位于一條線上.閨4所示的流程圖總結(jié)了通過本發(fā)明的兩步猓半色調(diào)膝光方法， 利用普通的光掩模在襯底上生產(chǎn)TFT陣列的過程.圖5和困6表示了 兩步驟半色調(diào)舉光的基本過程，該過程使用了兩個或多個普通的光掩 模.在圖4的過程中，重復(fù)了四次光掩模處理過程，每次光掩模處理 過程都包含第一和第二半色調(diào)曝光.首先，在步驟S21通過激光束在 玻璃襯底內(nèi)形成對準(zhǔn)標(biāo)記.在步驟S22中的笫一和笫二半色調(diào)曝光中， 同時形成共電極和用于薄膜晶體管的門電極，然后，在步驟S23,通過 第一和第二半色調(diào)瀑光，使薄膜晶體管與半導(dǎo)體層分離并且生成接觸 孔，在步稞S24中，通過笫一和笫二半色調(diào)膝光同時形成源電極、漏 電極以及液晶驅(qū)動電極.最后，在步驟S25，形成門終端和數(shù)據(jù)終端.圖124所示的流程圖總結(jié)了通過本發(fā)明的兩步槺半色調(diào)曝光方法， 利用普通的光掩模在襯底上生產(chǎn)TFT陣列的過程.圖5和圖6中表示 了兩步驟半色調(diào)曝光的基本過程，該過程使用了兩個或多個普通的光 掩模.在圖124的過程中，重復(fù)了三次光掩模處理過程，每次光掩模 處理過程都包含笫一和笫二半色調(diào)曝光.首先，在步驟S81通過激光 束在玻璃襯底內(nèi)形成對準(zhǔn)標(biāo)記.在步槺S82中，通過第一和第二半色 調(diào)曝光，同時形成共電極和用于薄膜晶體管的門電極.然后，在步驟 S83，通過第一和第二半色調(diào)瀑光，使薄膜晶體管與半導(dǎo)體層分離并且 生成接觸孔.在步驟S84中，通過第一和第二半色調(diào)曝光同時形成源 電極、漏電極以及液晶驅(qū)動電極.在這個過程期間，將一個平整膜加 到村底的表面上，用于使該平面變得平整，例如，在進(jìn)行了黑溝道B2H6 等離子摻雜處理之后，通過噴墨打印方法形成平整膜或通過利用陰影 框架的掩模方法形成局部P-SiNx保護(hù)膜.優(yōu)選實施例22困114A-114C和圖130A-130C是橫截面圖，表示了這樣一些過 程的例子，其中利用本發(fā)明第二十二實施例中普通的光掩模曝光以及 半色調(diào)背表面啄光，從而實施使襯底變得平整(平坦或平面化)的步驟以及形成光刻隔離器的步驟.在這個例子中，使用了負(fù)光致抗蝕劑.在圖114A- 114C和困130A- 130C的例子中，附圖標(biāo)記55代表鈍化膜， 附困標(biāo)記71代表TFT陣列對準(zhǔn)膜，附圖標(biāo)記87代表用于半色調(diào)曝光 的負(fù)光致抗蝕刑層，附困標(biāo)記89代表光刻隔離器，附圖標(biāo)記91代表 來自村底背表面的UV光，附困標(biāo)記92代表進(jìn)行背表面瀑光和顯影之 后仍保留的負(fù)光致抗蝕刑.首先，將負(fù)光致抗蝕刑87加到鈍化膜55上，負(fù)光致抗蝕劑的厚 度為圖114A和130A所示的液晶單元的間隔.接下來，如圖114B和130B 的上部所示，利用普通的光掩模，在將要構(gòu)建光刻隔離器的區(qū)域處進(jìn) 行完全曝光.然后，如圖114B和130B的下部所示，利用如圖131、 132、 133和134所示的掃描類型背表面舉光設(shè)備，由來自有源矩陣襯底背表 面的紫外線91對負(fù)光致抗蝕劑87進(jìn)行膝光，從而利用足夠的光進(jìn)行 瀑光以便獲得足夠的厚度來使襯底的不平整變得平整.如困114C和 130C所示，在進(jìn)行背表面舉光之后，有效地同時使襯底(TFT對準(zhǔn)膜 71)變得平整和構(gòu)建了光隔離器89.圖129所示的流程圖總結(jié)了生成有源矩陣襯底的過程，該過程包 含利用第二十二實施例中的普通光掩模曝光和半色調(diào)背表面曝光使襯底變得平整(平坦)并形成光刻隔離器的步稞.在步驟S131中，同時 形成了共電極和用于薄膜晶體管的門電極.然后，在步驟S132,將用 于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離.在步猓S133,同時形成了薄 膜晶體管的源電極、漏電極以及液晶驅(qū)動電極.然后，在步驟S134形 成接觸孔.接下來，在步驟S135中形成靜電保護(hù)電路、門終端和數(shù)據(jù) 終端.最后，在步稞S136,通過首先實施用于使襯底表面變得平整的 半色調(diào)背曝光，繼而實施用于形成光刻隔離器的完整啄光，從而生成 光刻隔離器并使襯底表面變得平整.困131和132表示了用于本發(fā)明第二十二實施例中的掃描類型背 表面曝光設(shè)備.在困131和132的例子中，附圖標(biāo)記19代表UV光， 附圖標(biāo)記76代表用于TFT陣列的玻璃襯底，附圖標(biāo)記87代表用于半 色調(diào)膝光的負(fù)光致抗蝕劑，附圖標(biāo)記102代表傳送機滾筒，附圖標(biāo)記 103代表UV切割蓋，以及附圖標(biāo)記104代表硅玻璃光纖.玻璃村底76 在滾筒102上沿水平方向進(jìn)行運動，從而可由較小的膝光設(shè)備對大襯 底進(jìn)行曝光.將硅玻璃光纖104束在一起并使之彼此相鄰，從而產(chǎn)生具有恒定強度的紫外線.在困133和134的例子中，背表面瀑光設(shè)備 包括多個彼此相鄰的紫外線LED 107,用于產(chǎn)生具有均勻功率水平的紫 外線19.困135 - 137表示了包含一個白光干涉儀的光學(xué)系統(tǒng)和一個過程的 例子，其中該過程利用該光學(xué)系統(tǒng)，精確地測量構(gòu)建在有源矩陣襯底 上的光刻隔離器的高度.閨135表示了用于生成有源矩陣襯底的總體 系統(tǒng)配置，該配置包含本發(fā)明的半色調(diào)背表面膝光設(shè)備，圖136是表 示本發(fā)明的半色調(diào)背表面膝光方法的總體過程的流程圖，以及圖137 表示了用于本發(fā)明的白光干涉儀中的光學(xué)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的例子.在困136的流程中，在步驟S141，將負(fù)光致抗蝕刑涂復(fù)在玻璃村 底上，其中根據(jù)測量所得到的有關(guān)光刻隔離器高度和襯底上光致抗蝕 刑的數(shù)據(jù)調(diào)整負(fù)光致抗蝕刑的厚度.在步驟S142,實施半色調(diào)背表面 膝光，其中根據(jù)測量所得到的數(shù)據(jù)來調(diào)整膝光光量.進(jìn)行了半色調(diào)背 表面詠光之后，在步驟S143中對用于光刻隔離器的負(fù)光致抗蝕劑進(jìn)行 完全膝光，在進(jìn)行顯影之后，在步猓S144中，例如由白光干涉儀測量 光刻隔離器的高度，通過步驟S146,將測量結(jié)果反饋到光致抗蝕劑涂 復(fù)和半色調(diào)背面曝光，用于調(diào)整光致抗蝕刑涂度厚度和膝光光量.可 以將上述過程重復(fù)進(jìn)行兩次或多次.在步稞S147對所得到的襯底進(jìn)行 評價，并且如果該結(jié)果是可以接受的，那么該過程轉(zhuǎn)移到步驟S148中 的后烤過程.在圖137的例子中，白光干涉儀包含一個CCD照相機， 一個白光 光源， 一個鏡，以及一個干涉物鏡.利用例如壓電設(shè)備(PZT)的機構(gòu) 來控制干涉物鏡的垂直位置，該干涉物鏡用于將白光會聚到光刻隔離 器和/或負(fù)光致抗蝕刑的頂部和底部.可以將用于驅(qū)動壓電設(shè)備的電壓 用作測量得到的數(shù)據(jù)，來指示光刻隔離器的高度.如困135、 136和137所示，白光干涉儀準(zhǔn)確地測量玻璃村底上負(fù)光致抗蝕劑層的厚度和隔離器的高度.將來自白光干涉儀的測量數(shù)據(jù) 反饋到涂覆器(縫式涂度器和旋轉(zhuǎn)涂度器)和半色調(diào)背表面啄光系統(tǒng)， 從而調(diào)整負(fù)光致抗蝕劑的涂襲厚度和用于半色調(diào)背表面曝光的膝光 量.相應(yīng)地，可以使襯底的表面不平整度和光刻隔離器的高度不規(guī)則 度最小化，圖107A-107D表示了利用本發(fā)明的掃描類型背表面膝光設(shè)備，首先執(zhí)行使襯底表面變得平整(平坦)然后構(gòu)建光刻隔離器的過程.在困107A-107D的例子中，附困標(biāo)記9代表門絕緣膜，附閨標(biāo)記49代 表像素內(nèi)部的共電極，附圖標(biāo)記51代表視頻信號線，附圖標(biāo)記53代 表液晶驅(qū)動電極，附困標(biāo)記55代表鈍化膜，附困標(biāo)記71代表TFT陣 列對準(zhǔn)膜，附圖標(biāo)記75代表用于屏蔽視頻信號線的共電極，附困標(biāo)記 76代表用于TFT陣列的玻璃襯底，附困標(biāo)記88代表用于使襯底表面變 得平整(平坦)的負(fù)光致抗蝕刑層，附圖標(biāo)記89代表光刻隔離器，附 圖標(biāo)記91代表UV光，以及附圖標(biāo)記92代表進(jìn)行了背表面舉光后仍然 保留的負(fù)光致抗蝕刑.在困107A-107D的例子中，如圖107A所示，將負(fù)光致抗蝕劑88 加到鈍化膜55上，光致抗蝕刑的厚度為液晶單元的間隔.從玻璃襯底 76的背面施加UV光91,從而以足夠的光對負(fù)光致抗蝕劑88進(jìn)行曝光， 以獲得足夠的厚度來使襯底的不平整變得平整.如困107B所示，進(jìn)行 顯影之后，負(fù)光致抗蝕刑92以平整的方式保留在玻璃村底上，從而形 成了平整的平面，然后，再一次涂覆負(fù)光致抗蝕刑，并且利用普通的 光掩模在將要構(gòu)建光刻隔離器的區(qū)域處進(jìn)行完全曝光.這樣，如困107C 所示，在進(jìn)行顯影之后就生成了光刻隔離器89.最后，如圖107D所示， 在襯底的表面上形成對準(zhǔn)膜71.盡管在圖107A- 107D、 114A- 114C以及130A- 130C的例子中使 用了光刻隔離器，但也可以利用在上面關(guān)于第一、第二、第五、第六 以及第九實施例所描述的隔離器突起73,當(dāng)利用掃描類型背表面啄光 方法來實施平整過程的時候，必須將不允許光透射通過的金屬電極用 作像素內(nèi)部的共電極49和液晶驅(qū)動電極53.閨105的流程困總結(jié)了生成有源矩陣村底的過程，該過程包含利 用笫二十二實施例中的普通光掩模膝光方法和半色調(diào)背表面曝光使村 底變得平整以及形成光刻隔離器的步碟.在步驟S41中，同時形成共 電極和薄膜晶體管的門電極.然后，在步驟S42,將用于薄膜晶體管的 硅元件與半導(dǎo)體層分離，并且同時利用第一和笫二半色調(diào)瀑光形成接 觸孔.然后在步驟S43,同時形成了薄膜晶體管的源電極和漏電極以及 液晶驅(qū)動電極.在該步驟期間，生成了源電極、漏電極以及液晶驅(qū)動 電極之后，將平整膜加到襯底上并且通過半色調(diào)背表面啄光使表面變 得平整.最后，在步驟S44,通過完全啄光生成光刻隔離器.優(yōu)選實施例23圖125是流程圖，表示了根據(jù)本發(fā)明第二十三實施例的橫向電場 類型有源矩陣襯底所涉及的生產(chǎn)過程.其中具有五個光刻處理過程. 在步驟S91中，同時形成了共電極和用于薄膜晶體管的門電極.然后， 在步驟S92，將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離，并且同時通 過第一和第二半色調(diào)碟光形成接觸孔，在步壤S93中，同時形成了薄 膜晶體管的源電極和漏電極以及液晶驅(qū)動電極.然后，在步驟S94，通 過半色調(diào)背表面詠光方法使表面變得平整(平坦)之后，再通過完全 膝光形成光刻隔離器.最后，在步稞S95，形成用于門終端和數(shù)據(jù)終端 的接觸孑L,在上述的笫二十三實施例中，已經(jīng)利用在笫二十一實施例和第二 十二實施例中所實施的過程，顯著地縮短了生成過程.在襯底的表面 上進(jìn)行了平整過程，這樣，在研磨對準(zhǔn)過程中就不會出現(xiàn)對準(zhǔn)缺陷. 因此，黑顯示期間的光泄漏得到了最小化，由此獲得了具有高對比度 的顯示.困128的流程圖總結(jié)了生成有源矩陣襯底的過程的又一個例子， 該過程包含利用笫二十三實施例中的普通光掩模曝光和半色調(diào)背表面 瀑光使襯底變得平整以及形成光刻隔離器的步碟.在步猓S121中，同 時形成了共電極和薄膜晶體管的門電極.然后，在步驟S122,將用于 薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離.在步碟S123,形成了接觸孔. 在步驟124，同時形成了薄膜晶體管的源電極和漏電極以及液晶驅(qū)動電 極.在該過程期間，將平整膜加到襯底的表面上.例如，在進(jìn)行了背 溝道B2H6等離子摻雜處理后，通過噴墨打印方法形成平整膜或通過利 用陰影框架的掩模方法形成局部P-SiNx保護(hù)膜.最后，在步驟S125,通過半色調(diào)背表面膝光使村底表面變得平整，繼而通過完全曝光形成 光刻隔離器.優(yōu)選實施例24圖126是流程圖，表示了根據(jù)本發(fā)明笫二十四實施例生產(chǎn)橫向電 場有源矩陣村底所涉及的過程的例子.在該過程中有四個光刻步驟. 在步驟S101中，同時形成了共電極和薄膜晶體管的門電極.然后，在 步驟S102，將用于薄膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離，并且同時通 過笫一和笫二半色調(diào)瀑光形成接觸孔.在步騍S103中，同時形成了薄膜晶體管的源電極和漏電極以及液晶驅(qū)動電極.在該過程期間，將平整膜加到襯底的表面上.例如，在進(jìn)行了背溝道B2H6等離子摻雜處理 后，通過噴墨打印方法形成平整膜或通過利用陰影框架的掩模方法形 成局部P-SiNx保護(hù)膜.最后，在步驟S104，通過半色調(diào)背表面瀑光使襯底表面變得平整，繼而通過完全詠光形成光刻隔離器.通過利用上 述的笫二十一實施例和笫二十二實施例中的過程，整個生產(chǎn)過程被顯 著地縮短了.在第二十四實施例中，盡管在笫二十三實施例中使用了 P-CVD設(shè) 備將P-SiNx鈍化層加到襯底的整個表面上，但是通過利用局部層構(gòu)建 方法實現(xiàn)的局部地施加P-SiNx鈍化層(其中該部分層構(gòu)建方法利用了 陰影框架)，或者通過利用例如噴墨打印機的施加設(shè)備實現(xiàn)的局部地 施加有機鈍化層(例如BCB),從而去除了為掃描線的終端(門電極) 和視頻信號線(數(shù)據(jù)電極)開設(shè)接觸孔的過程.與前述的實施例類似， 因為襯底表面經(jīng)歷了平整過程，所以在研磨處理期間不會出現(xiàn)對準(zhǔn)缺 陷.優(yōu)選實施例25圖127是流程困，表示了根據(jù)本發(fā)明第二十五實施例的生產(chǎn)橫向電場類型有源矩陣村底所涉及的過程的例子.其中具有三個光刻處理 過程.在步驟Slll中，通過例如利用了用于P-SiNx\a-Si i\n+a-Si結(jié)構(gòu)的陰影框架的掩模沉積過程，同時形成了共電極和薄膜晶體管的 門電極，然后，在步驟S112,通過笫一和笫二半色調(diào)膝光，將用于薄 膜晶體管的硅元件與半導(dǎo)體層分離，并且同時形成接觸孔.在該過程 期間，將平整膜加到襯底的表面上.例如，在進(jìn)行背溝道B2H6等離子 摻雜處理后，通過噴墨打印方法形成平整膜或通過利用了陰影框架的 掩模方法形成局部P-SiNx保護(hù)膜.最后，在步驟S113，通過半色調(diào)背 表面膝光使襯底表面變得平整，繼而通過完全啄光形成光刻隔離器.通過利用第十七實施例和第二十二實施例中的過程，顯著地縮短 了整個生產(chǎn)過程所需的時間.該實施例可以通過利用局部層構(gòu)建方法 實現(xiàn)的局部地施加P-SiNx鈍化層(其中該局部層構(gòu)建方法使用了陰影 框架)，或者通過利用例如噴墨打印機的施加設(shè)備實現(xiàn)的局部地施加 有機鈍化層(例如BCB)，從而去除了為掃描線的終端(門電極)和視 頻信號線(數(shù)據(jù)電極)開設(shè)接觸孔的過程。與前述的實施例類似，因為襯底表面經(jīng)歷了平整過程，所以在研磨處理期間不會出現(xiàn)對準(zhǔn)缺陷. 本發(fā)明的效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過利用使用了普通光掩模的半色調(diào)移 動瀑光方法，或者通過利用將使用普通光掩模的半色調(diào)瀑光和局部附 加膝光結(jié)合的半色調(diào)混合瀑光方法，可以以低成本和高產(chǎn)量生產(chǎn)出橫 向電場類型液晶顯示設(shè)備.通過利用本發(fā)明的半色調(diào)背表面掃描曝光方法，以及通過在一個 負(fù)光致抗蝕刑處理過程中構(gòu)建光刻隔離器，可以實現(xiàn)低生產(chǎn)成本、沒 有對準(zhǔn)缺陷的高顯示質(zhì)量，以及高對比度.通過使用本發(fā)明的隔離器突起結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)具有高孔徑比以及 低生產(chǎn)成本的橫向電場類型液晶顯示系統(tǒng).通過在相同的層上以相同 的傳導(dǎo)材料構(gòu)建上層屏蔽共電極、像素內(nèi)部的共電極以及液晶驅(qū)動電 極，可以生產(chǎn)具有最小化的殘余圖像、高孔徑比以及均勻的和深黑水 平顯示的高質(zhì)量顯示設(shè)備.通過實施本發(fā)明，可以實現(xiàn)具有低成本和 高對比度的超大屏幕橫向電場類型液晶顯示電視。盡管在這里參考優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人 員能夠容易地理解，可以實現(xiàn)各種修改和變化，而都不偏離本發(fā)明的 精神和范圍.這些修改和變化均被認(rèn)為在所附的權(quán)利要求和其等價物 的范圍之內(nèi).
權(quán)利要求
1. 一種用于生產(chǎn)橫向電場類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的半色調(diào)背表面曝光裝置，包含用于紫外光或紫外光LED的多個硅光纖光纜；其中這些光纖光纜按照同軸形式成束，使得紫外線可以從襯底的背表面僅對橫向電場類型液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底的有效像素區(qū)域進(jìn)行曝光；用于利用普通的光掩模實施第一半色調(diào)曝光(非完全曝光)的裝置，其中該普通的光掩模具有這樣一種圖像其源電極和漏電極的溝道長度大約為所要實現(xiàn)的薄膜晶體管溝道長度的一半，以及用于在將有源矩陣襯底沿水平方向移動大約為薄膜晶體管的溝道長度一半的長度之后，實施第二半色調(diào)曝光(非完全曝光)過程的裝置。
2. —種生產(chǎn)橫向電場類型有源矩陣液晶顯示設(shè)備的有源矩陣襯底 的方法，包含以下的步驟(1) 利用激光束在玻璃襯底的內(nèi)部形成對準(zhǔn)標(biāo)記；(2) 使兩個或多個不同種類的金屬層或金屬化合物層或者合金層 沉積，但在由激光束生成的對準(zhǔn)標(biāo)記部分處不進(jìn)行沉積；(3) 在施加了正光致抗蝕刑之后，通過利用了普通光掩模的曝光 不足方法的第一半色調(diào)膝光過程，使門總線和共總線曝光，然后通過 笫二瀑光過程使門總線、共總線、用于屏蔽視頻信號線的共電極以及 像素內(nèi)部的共電極曝光；(4) 在進(jìn)行顯影后，利用第一濕刻蝕或干刻蝕處理過程使沉積的 金屬被刻蝕掉，然后，通過氧氣等離子灰化方法去除半色調(diào)曝光區(qū)域 處的正光致抗蝕劑，并且然后通過笫二濕刻蝕或干刻蝕處理過程去除 半色調(diào)曝光區(qū)域處不必要的金屬層，并且通過利用該第一和笫二刻蝕 處理過程形成門總線、共總線、用于屏蔽視頻信號線的共電極以及像 素內(nèi)部的共電極；(5) 沉積門絕緣膜、非摻雜薄膜半導(dǎo)體層(a-Si i層)以及摻 雜半導(dǎo)體層(n + a-Si層)，并且在其上涂夜正光致抗蝕劑，然后通 過利用普通光掩模的曝光不足方法的笫一半色調(diào)啄光過程，使a-Si硅烏狀物膝光，并且然后通過第二膝光過程使用于門終端連接部分和用于靜電保護(hù)電路的接觸孔膝光；(6) 在進(jìn)行顯影后，通過第一干刻蝕處理過程將門絕緣膜、非摻 雜薄膜半導(dǎo)體層U-Si i層)以及摻雜半導(dǎo)體層(n + a-Si層)刻蝕 掉，從而形成用于門終端連接部分和靜電保護(hù)電路的接觸孔，然后， 在利用氣氣等離子灰化方法去除了半色調(diào)舉光區(qū)域處的正光致抗蝕刑 之后，利用笫二干刻蝕處理過程去除半色調(diào)詠光區(qū)域處的不必要的非 摻雜薄膜半導(dǎo)體層(a-Si i層)以及摻雜半導(dǎo)體層(ii + a-Si層)， 并且然后，利用該第一和第二刻蝕處理過程構(gòu)建a-Si硅烏狀物、門終 端連接部分以及靜電保護(hù)電路；以及(7) 通過利用普通光掩模的半色調(diào)曝光過程，同時構(gòu)建視頻信號 線、液晶驅(qū)動電極、靜電保護(hù)電路以及門終端.
3. —種在生產(chǎn)有源矩陣顯示設(shè)備的薄膜晶體管的生產(chǎn)過程中使用 的醪光設(shè)備，包含用于利用普通的光掩模實施笫一半色調(diào)啄光(非完全啄光)的裝 置，其中該普通的光掩模具有這樣一種圖像其源電極和漏電極的溝 道長度大約為所要實現(xiàn)的薄膜晶體管溝道長度的一半，以及用于在將有源矩陣襯底沿水平方向移動大約為薄膜晶體管的溝道 長度一半的長度之后，實施第二半色調(diào)曝光(非完全啄光)過程的裝 置.
4. 一種生產(chǎn)有源矩陣顯示設(shè)備的方法，包含以下的步驟 利用普通光掩模在有源矩陣襯底上實施第一半色調(diào)曝光(非完全膝光)，其中該普通的光掩模具有這樣一種圖像薄膜晶體管的源電 極和漏電極，溝道長度大約為所要實現(xiàn)的薄膜晶體管的溝道長度的一半；將有源矩陣襯底沿水平方向移動大約為薄膜晶體管的目標(biāo)溝道長 度一半的長度；在有源矩陣襯底上實施第二半色調(diào)瀑光(非完全曝光)；以及 在笫二半色調(diào)瀑光之后對正光致抗蝕劑進(jìn)行顯影；由此使薄膜晶體管的溝道部分的正光致抗蝕刑的厚度減小，所減 小的量對應(yīng)于目標(biāo)溝道的長度.
全文摘要
本發(fā)明涉及高質(zhì)量和超大屏幕液晶顯示設(shè)備及其生產(chǎn)方法。一種利用橫向電場系統(tǒng)的大屏幕液晶顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備可以顯著地改善孔徑比、透射率、亮度以及對比度，并且具有低成本和高產(chǎn)量。例如，可以顯著地降低屏蔽了視頻信號線電場的共電極的寬度并且顯著地改善孔徑比。特別地，可以將覆蓋視頻信號線的突起與隔離器結(jié)合使用，并且利用半色調(diào)曝光方法，可以同時構(gòu)建隔離器和覆蓋視頻信號線的突起，這顯著縮短了生產(chǎn)過程所需的時間。
文檔編號H01L29/786GK101266376SQ200810087069
公開日2008年9月17日 申請日期2004年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月14日
發(fā)明者廣田直人 申請人:大林精工株式會社