專(zhuān)利名稱(chēng)：：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種實(shí)現(xiàn)提高強(qiáng)電介質(zhì)電容器的電極和布線(xiàn)之間的接觸的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，作為即使切斷電源也能存儲(chǔ)信息的非易失存儲(chǔ)器，強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器(FeRAM)引人關(guān)注。FeRAM利用強(qiáng)電介質(zhì)的磁滯特性來(lái)存儲(chǔ)信息。在強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器，按每一個(gè)存儲(chǔ)器單元設(shè)置有強(qiáng)電介質(zhì)電容器。強(qiáng)電介質(zhì)電容器是在一對(duì)電極之間作為電容器電介質(zhì)而設(shè)置有強(qiáng)電介質(zhì)膜。由于強(qiáng)電介質(zhì)電容器相應(yīng)于電極間的施加電壓而產(chǎn)生極化，即使取消施加電壓，也保留自發(fā)極化，所以能夠保留信息。另外，當(dāng)施加電壓的極性翻轉(zhuǎn)時(shí)，自發(fā)極化的極性也翻轉(zhuǎn)。如果能檢測(cè)出此自發(fā)極化，就能讀出信息。另夕卜，因?yàn)閺?qiáng)電介質(zhì)膜的電容比Si02膜的電容大，所以也有將強(qiáng)電介質(zhì)電容器編入升壓電路或平滑電路的情況。在被編入升壓電路或平滑電路的強(qiáng)電介質(zhì)電容器中，下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及上部電極的任意一個(gè)都比構(gòu)成存儲(chǔ)器單元的強(qiáng)電介質(zhì)電容器大。因此，在下部電極上形成有多個(gè)接觸孔。在此，針對(duì)具有具備了強(qiáng)電介質(zhì)電容器的周邊電路的半導(dǎo)體裝置的以往的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖18A以及圖18B至圖20A以及圖20B是表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。此外，圖18B、圖19B以及圖20B是沿圖18A、圖19A以及圖20A中的n-n線(xiàn)的剖面圖。在制造這樣的半導(dǎo)體裝置(強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器)時(shí)，首先，在半導(dǎo)體基板、例如Si基板上形成CMOS晶體管等元件之后，形成層間絕緣膜以及布線(xiàn)等，如圖18A以及圖18B所示，形成氧化鋁膜111作為強(qiáng)電介質(zhì)電容器的粘合層(基底膜)。接著，在氧化鋁膜lll上依次形成下部電極用的導(dǎo)電膜(下部電極膜)以及強(qiáng)電介質(zhì)膜。形成Pt膜來(lái)作為下部電極膜，形成Pb(Zr、Ti)03膜(PZT膜)來(lái)作為強(qiáng)電介質(zhì)膜。接著，通過(guò)進(jìn)行熱處理，使強(qiáng)電介質(zhì)膜結(jié)晶化。其后，在強(qiáng)電介質(zhì)膜上形成IrOj莫來(lái)作為上部電極用的導(dǎo)電膜(上部電極膜)。并且，通過(guò)按上部電極膜、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及下部電極膜的順序加工這些膜，從而在形成FeRAM單元陣列的預(yù)定區(qū)域內(nèi)，在形成多個(gè)強(qiáng)電介質(zhì)電容器(未圖示)的同時(shí)，在形成包含升壓電路以及平滑電路的周邊電路的預(yù)定區(qū)域內(nèi)，如圖18A以及圖18B所示，形成下部電極115、PZT膜116以及上部電極117。此外，各下部電極115的平面形狀是短邊長(zhǎng)度為5(Him6(Him、長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度為20(^m250nm的長(zhǎng)方形。另外，設(shè)置于強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器單元陣列的下部電極的平面形狀是短邊長(zhǎng)度為4.0nm、長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度為560pm的長(zhǎng)方形。加工完這些膜之后，形成TEOS氧化膜118作為層間絕緣膜，對(duì)該TEOS氧化膜118通過(guò)CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)進(jìn)行平坦化。接著，在TEOS氧化膜118以及氧化鋁膜Ul等上形成接觸孔(未圖示)，該接觸孔直到形成在下部電極115的下方的擴(kuò)散層(半導(dǎo)體基板)等。接著，如圖19A以及圖19B所示，在TEOS氧化膜118形成直到下部電極115的接觸孔121以及直到上部電極117的接觸孔122。此時(shí)，在每一個(gè)下部電極115形成多個(gè)接觸孔121。接著，整個(gè)面上形成作為下部阻擋金屬(barriermetal)膜的TiN膜(150nm左右)、Al膜以及作為上部阻擋金屬膜的TiN膜，通過(guò)在這些膜上形成圖形，如圖20A以及圖20B所示，形成經(jīng)由所有的接觸孔121而與下部電極115連接的布線(xiàn)125、以及經(jīng)由接觸孔122與上部電極117連接的布線(xiàn)126。此外，即使是強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器單元陣列部，也和周邊電路部并行而進(jìn)行布線(xiàn)的形成等。接著，形成覆蓋布線(xiàn)125以及126的層間絕緣膜之后，在35(TC的N2環(huán)境中進(jìn)行60分鐘的用于除去該層間絕緣膜的水分的熱處理。之后，進(jìn)一步形成布線(xiàn)以及層間絕緣膜來(lái)完成半導(dǎo)體裝置。但是，實(shí)際上，本發(fā)明人觀察用這種以往的方法所制造的半導(dǎo)體裝置的表面的結(jié)果是，在周邊電路部的下部電極的接觸部的附近存在凹陷這樣的異常。這種異常在存儲(chǔ)器單元陣列部并未產(chǎn)生。本申請(qǐng)發(fā)明人為了確定該異常是怎樣的情況而進(jìn)行了剖面觀察以及組成分析。圖21A至圖21C是表示接觸部附近的布線(xiàn)的組成分析的結(jié)果的曲線(xiàn)圖。在剖面觀察中，在下部電極的接觸部附近，布線(xiàn)產(chǎn)生變色。另外，如圖21A至圖21C所示，在本來(lái)應(yīng)該顯著出現(xiàn)Al的峰值的區(qū)域出現(xiàn)了Si以及Pt等的峰值。這表示伴隨著反應(yīng)，這些原子擴(kuò)散到布線(xiàn)中。另外，在具有強(qiáng)電介質(zhì)電容器的半導(dǎo)體裝置中，為了改善強(qiáng)電介質(zhì)膜的特性，在形成了上部電極之后，必須進(jìn)行在氧氣環(huán)境中的退火處理。因此，作為電極材料，使用難以氧化的材料、或者即使氧化也保持導(dǎo)電體狀態(tài)的材料。作為這種材料，主要使用Pt、Ir、或者IrOx這樣的鉑族類(lèi)金屬及其氧化物。另外，作為其它的布線(xiàn)材料，在其它的半導(dǎo)體裝置中也使用一般所使用的A1。并且，在強(qiáng)電介質(zhì)電容器中，經(jīng)由Al布線(xiàn)與其它的元件等連接。此時(shí)，強(qiáng)電介質(zhì)膜的厚度比較厚，電容器的垂直方向的尺寸也比較大。因此，朝向電容器電極的接觸孔較深的居多。并且，經(jīng)由該接觸孔形成有A1布線(xiàn)。但是，公知Al和Pt等的鉑族類(lèi)金屬發(fā)生共晶反應(yīng)，如JP特許第3045928號(hào)說(shuō)明書(shū)和JP特許第3165093號(hào)說(shuō)明書(shū)所記載的那樣，需要在它們之間形成TiN膜等的阻擋金屬膜。如圖22所示，在絕緣膜145上形成有具有由Pt構(gòu)成的下部電極148的強(qiáng)電介質(zhì)電容器，以覆蓋該強(qiáng)電介質(zhì)電容器的方式形成有絕緣膜146。并且，在絕緣膜146上形成有直到下部電極148的接觸孔，在絕緣膜146上形成有經(jīng)由該接觸孔內(nèi)而與下部電極148連接的阻擋金屬膜151以及布線(xiàn)152。阻擋金屬膜151以及布線(xiàn)152分別由TiN、Al構(gòu)成?？墒牵琍t以及TiN的結(jié)晶沿相互相同的方位取向，所以當(dāng)在TiN阻擋金屬膜上形成Al布線(xiàn)之后進(jìn)行熱處理時(shí)，存在Pt穿過(guò)TiN阻擋金屬膜而與Al反應(yīng)的情況。并且，當(dāng)這種反應(yīng)發(fā)生時(shí)，不僅會(huì)引起接觸不良，還會(huì)產(chǎn)生向上方的較大的凸起，進(jìn)而也產(chǎn)生對(duì)上層布線(xiàn)的影響。通常，在LOGIC產(chǎn)品中，在Ti膜上形成TiN膜而使用層疊阻擋金屬膜，但是，在強(qiáng)電介質(zhì)電容器中，Ti膜在接觸界面從使用于電極的鉑族類(lèi)金屬氧化物吸收02，形成TiOx層。其結(jié)果是，接觸電阻變高。另外，在JP特開(kāi)2002-100740號(hào)公報(bào)中，記載了在TiN膜上形成了Ti膜的層疊阻擋金屬膜，但是在該結(jié)構(gòu)中，Ti和Al反應(yīng)，產(chǎn)生電遷移。專(zhuān)利文獻(xiàn)l:JP特許第3045928號(hào)說(shuō)明書(shū)；專(zhuān)利文獻(xiàn)2:JP特許第3165093號(hào)說(shuō)明書(shū)；專(zhuān)利文獻(xiàn)3:JP特開(kāi)2002-100740號(hào)公報(bào)。發(fā)明的公開(kāi)本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制強(qiáng)電介質(zhì)電容器的電極和布線(xiàn)之間的反應(yīng)而得到良好的接觸部的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本申請(qǐng)第一以及第二發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置是以下述半導(dǎo)體裝置為對(duì)象，該半導(dǎo)體裝置具有強(qiáng)電介質(zhì)電容器，其具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及上部電極；層間絕緣膜，其形成在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上，相對(duì)于上述下部電極形成有多個(gè)接觸孔；布線(xiàn)，其形成在上述層間絕緣膜上，經(jīng)由上述接觸孔而與上述下部電極連接。并且，第一發(fā)明的特征在于，在上述多個(gè)接觸孔中的至少兩個(gè)接觸孔的下端之間，在上述下部電極上設(shè)置有間隙。另外，第二發(fā)明的特征在于，在上述多個(gè)接觸孔中的至少兩個(gè)接觸孔的上端之間，在上述布線(xiàn)上設(shè)置有間隙。本申請(qǐng)第三發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置是以下述半導(dǎo)體裝置為對(duì)象，該半導(dǎo)體裝置具有強(qiáng)電介質(zhì)電容器，其具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及上部電極；層間絕緣膜，其形成在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上，相對(duì)于上述下部電極形成有多個(gè)接觸孔；布線(xiàn)，其形成在上述層間絕緣膜上，經(jīng)由上述接觸孔而與上述下部電極連接；阻擋金屬膜，其形成在上述下部電極和上述布線(xiàn)之間。并且，第三發(fā)明的特征在于，上述阻擋金屬膜具有第一TiN膜，其與上述下部電極直接接觸；Ti膜，其形成在上述第一TiN膜上；第二TiN膜，其形成在上述Ti膜上。本申請(qǐng)的第四發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置與第一以及第二發(fā)明相同，以下述半導(dǎo)體裝置為對(duì)象，該半導(dǎo)體裝置具有強(qiáng)電介質(zhì)電容器，其具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及上部電極；層間絕緣膜，其形成在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上，相對(duì)于上述下部電極形成有多個(gè)接觸孔；布線(xiàn)，其形成在上述層間絕緣膜上，經(jīng)由上述接觸孔而與上述下部電極連接。并且，第四發(fā)明的特征在于，上述布線(xiàn)具有Ir膜或者Pt膜。10附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意圖。圖2A以及圖2B是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，表示相當(dāng)于FeRAM單元陣列1的區(qū)域。圖3A至圖3C是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，表示相當(dāng)于周邊電路2的區(qū)域。圖4A以及圖4B是緊接著圖2A以及圖2B，表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖5A以及圖5B是緊接著圖3A至圖3C，表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖6A以及圖6B是緊接著圖4A以及圖4B，表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖7A以及圖7B是緊接著圖5A以及圖5B，表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖8A以及圖8B是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖9A以及圖9B是緊接著圖8A以及圖8B，表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖10A以及圖10B是緊接著圖9A以及圖9B，表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖11是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖12是緊接著圖11，表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖13是緊接著圖12，表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖14是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式中的下部電極和布線(xiàn)的連接部位的剖面圖。圖15是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖16是表示第二實(shí)驗(yàn)例的結(jié)果的曲線(xiàn)圖。圖17是表示本發(fā)明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。圖18A以及圖18B是表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖19A以及圖19B是緊接著圖18A以及圖18B，表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖20A以及圖20B是緊接著圖19A以及圖19B，表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。圖21A至圖21C是表示接觸部附近的布線(xiàn)的組成分析的結(jié)果的曲線(xiàn)圖。圖22是表示以往的半導(dǎo)體裝置中的下部電極和布線(xiàn)的連接部位的剖面圖。實(shí)施發(fā)明的最佳方式下面，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，參照附圖進(jìn)行具體說(shuō)明。此外，為了便于說(shuō)明，在下面的實(shí)施方式中，針對(duì)半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)，適當(dāng)?shù)呐c其制造方法一起進(jìn)行說(shuō)明。(第一實(shí)施方式)首先，針對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖l是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意圖。圖2A以及圖2B至圖7A以及圖7B是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。此外，圖2B、圖4B以及圖6B是沿圖2A、圖4A以及圖6A中的I-I線(xiàn)的剖面圖，圖3B、圖5B以及圖7B是沿圖3A、圖5A以及圖7A中的II-II線(xiàn)的剖面圖，圖3C是沿圖3A中的iii-ni線(xiàn)的剖面圖。在第一實(shí)施方式中設(shè)置有FeRAM單元陣列1和周邊電路2。在FeRAM單元陣列1中排列配置有多個(gè)FeRAM單元。在周邊電路2中設(shè)置有FeRAM單元陣列1中的信息的寫(xiě)入、讀取以及刪除等所必要的電路、例如升壓電路以及平滑電路等。在制造這樣的半導(dǎo)體裝置(強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器)時(shí)，在第一實(shí)施方式中，首先，在半導(dǎo)體基板、例如Si基板上形成CMOS晶體管等元件之后，形成層間絕緣膜以及布線(xiàn)等，如圖2A、圖2B、圖3A以及圖3B所示，形成氧化鋁膜ll作為強(qiáng)電介質(zhì)電容器的粘合層(基底膜)。接著，在氧化鋁膜ll上依次形成下部電極用的導(dǎo)電膜(下部電極膜)以及強(qiáng)電介質(zhì)膜。形成例如厚度為150nm左右的Pt膜來(lái)作為下部電極膜，形成例如厚度為150nm左右的Pb(Zr、Ti)OJ莫(PZT膜)來(lái)作為強(qiáng)電介質(zhì)膜。接著，通過(guò)在750'C左右進(jìn)行快速加熱處理，使強(qiáng)電介質(zhì)膜結(jié)晶化。其后，在強(qiáng)電介質(zhì)膜上形成例如厚度為250nm左右的IrOj莫來(lái)作為上部電極用的導(dǎo)電膜(上部電極膜)。并且，按上部電極膜、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及下部電極膜的順序加工這些膜，從而在形成FeRAM單元陣列1的預(yù)定區(qū)域(第二區(qū)域)內(nèi)，如圖2A以及圖2B所示，形成下部電極12、PZT膜13以及上部電極14，同時(shí)，在形成周邊電路2的預(yù)定區(qū)域(第一區(qū)域)內(nèi)，如圖3A以及圖3B所示，形成下部電極15、PZT膜16以及上部電極17。在此，針對(duì)下部電極12、PZT膜13及上部電極14以及下部電極15、PZT膜16以及上部電極17的形狀進(jìn)行說(shuō)明。在第一區(qū)域中，形成多個(gè)下部電極15。各下部電極15的平面形狀大概是短邊的長(zhǎng)度為50pm60pm、長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度為200nm250nm的長(zhǎng)方形，但是如圖3A、圖3B以及圖3C所示，縱向的一端的10nm的部分，形成有沿著縱向延伸的多個(gè)切口(間隙)，而被分割成梳齒狀。被分割而殘留的部分(梳齒部分)的寬度例如是0.5pm左右。PZT膜16形成在每個(gè)下部電極15上，和形成在下部電極15上的切口的間隔是lpm左右。上部電極17也形成在每個(gè)下部電極15上。在第二區(qū)域也形成多個(gè)下部電極12。各下部電極12的平面形狀大概是短邊的長(zhǎng)度為4.0pm、長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度為560pm的長(zhǎng)方形(細(xì)長(zhǎng)薄片狀)。因此，下部電極12與下部電極15相比較是非常小的。PZT膜13在每個(gè)下部電極12上形成為細(xì)長(zhǎng)薄片狀，上部電極14按每個(gè)存儲(chǔ)器單元而形成。上部電極14的平面形狀例如是短邊的長(zhǎng)度為1.15pm，長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度為1.8pm的長(zhǎng)方形。加工完這些膜之后，形成例如厚度為1.5pm左右的TEOS氧化膜18來(lái)作為層間絕緣膜，對(duì)此TEOS氧化膜18通過(guò)CMP進(jìn)行平坦化。接著，在TEOS氧化膜18以及氧化鋁膜11等上形成有直到形成在下部電極12以及15的下方的擴(kuò)散層(半導(dǎo)體基板)為止的接觸孔(未圖示)。接著，如圖5A以及圖5B所示，在第一區(qū)域，在TEOS氧化膜18形成直到下部電極15的接觸孔21以及直到上部電極17為止的接觸孔22的同時(shí)，如圖4A以及圖4B所示，在第二區(qū)域，在TEOS氧化膜18形成有直到下部電極12為止的接1極14為止的接觸孔20。此時(shí)，在第一區(qū)域，在每一個(gè)下部電極15，在形成該切口一側(cè)的端部沿縱向以1.3nm左右的間隔形成多個(gè)接觸孔21。在第二區(qū)域，在每個(gè)下部電極14各形成一個(gè)接觸孔19。接觸孔19以及21的平面形狀例如是一邊的長(zhǎng)度為1.8pm的正方形。接著，整個(gè)面上形成阻擋金屬膜、Al膜以及阻擋金屬膜，通過(guò)對(duì)這些膜進(jìn)行圖形成形，如圖6A以及圖6B所示，形成經(jīng)由接觸孔19而與下部電極12連接的布線(xiàn)部23、以及經(jīng)由接觸孔20而與上部電極14連接的布線(xiàn)部24，同時(shí)如圖7A以及圖7B所示，形成經(jīng)由所有的接觸孔21而與下部電極15連接的布線(xiàn)部25、以及經(jīng)由接觸孔22而與上部電極17連接的布線(xiàn)部26。此時(shí)，布線(xiàn)部24形成在每個(gè)上部電極14上。此外，作為構(gòu)成這些布線(xiàn)部2326的阻擋金屬膜、Al膜(Al布線(xiàn))以及阻擋金屬膜，分別形成例如厚度為150nm的TiN膜、厚度為550nm的Al膜、厚度為150nm的TiN膜，但是并不限于此。例如，如后面所述的實(shí)施方式那樣，也可以由TiN膜、Ti膜、TiN膜構(gòu)成阻擋金屬膜。之后，為了對(duì)層間絕緣膜18進(jìn)行脫水，在35(TC的N2環(huán)境中在60分鐘期間里進(jìn)行熱處理。并且，進(jìn)一步形成上層布線(xiàn)以及層間絕緣膜等，從而完成半導(dǎo)體裝置(強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器)。即使在以往，在FeRAM單元陣列中，在布線(xiàn)和下部電極之間的反應(yīng)不發(fā)生，也不產(chǎn)生缺陷。這可以認(rèn)為是因?yàn)樵诟┮暊顩r下，在下部電極和Al布線(xiàn)互相重疊的區(qū)域內(nèi)，接觸孔占了大部分的面積，反應(yīng)的Pt以及Al的量很少的緣故。在本實(shí)施方式中，當(dāng)與以往的結(jié)構(gòu)比較時(shí)，從下部電極15的接觸孔21偏離的部分的面積變小了形成切口的部分，Pt的反應(yīng)量減少。其結(jié)果是，下部電極15和布線(xiàn)部25中的Al布線(xiàn)的反應(yīng)難以產(chǎn)生，能夠避免接觸電阻的上升、斷線(xiàn)以及變形等缺陷。以往，與由Pt構(gòu)成的下部電極連接的是擴(kuò)散阻擋膜、即TiN膜。因此即使中間設(shè)置有TiN膜，也發(fā)生Pt和Al的異常反應(yīng)(共晶反應(yīng))，這是因?yàn)門(mén)iN膜的擴(kuò)散阻擋性不充分的緣故。另外當(dāng)考慮在存儲(chǔ)器單元不發(fā)生共晶反應(yīng)時(shí)，也要考慮到下部電極的布局、接觸孔的數(shù)量以及布線(xiàn)的布局對(duì)共晶反應(yīng)的影響。因此，為了抑制在周邊電路部的Pt和Al的共晶反應(yīng)，作為解決方法，列舉出提高TiN膜的擴(kuò)散阻擋性和制成難以發(fā)生反應(yīng)的布局的方法。要提高TiN膜的阻擋性，雖然只要提高TiN膜的膜質(zhì)或者使膜厚增厚就可以，但是這些對(duì)策考慮到對(duì)強(qiáng)電介質(zhì)電容器的影響和布線(xiàn)的可靠性這一點(diǎn)，不能原樣使用。相對(duì)于此，因?yàn)椴季值恼{(diào)整不需要改變工序條件，所以很難發(fā)生性能的變化，容易執(zhí)行。(第二實(shí)施方式)接著，針對(duì)第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在第二實(shí)施方式中，關(guān)于FeRAM單元陣列l(wèi)，采用和第一實(shí)施方式相同的制造方法，但是周邊電路2的結(jié)構(gòu)以及制造方法和第一實(shí)施方式不同。圖8A以及圖8B至圖10A以及圖10B是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。此外，圖8B、圖9B以及圖10B是沿圖8A、圖9A以及圖10A中的II-II線(xiàn)的剖面圖。在第二實(shí)施方式中，首先，和第一實(shí)施方式相同，在半導(dǎo)體基板、例如Si基板上形成了CMOS晶體管等元件之后，形成層間絕緣膜以及布線(xiàn)等，如圖8A以及圖8B所示，形成氧化鋁膜11。接著，在氧化鋁膜11上依次形成下部電極膜以及強(qiáng)電介質(zhì)膜。形成例如厚度為150nm左右的Pt膜來(lái)作為下部電極膜，形成例如厚度為150nm左右的PZT膜來(lái)作為強(qiáng)電介質(zhì)膜。接著，通過(guò)在75(TC左右進(jìn)行快速加熱處理，使強(qiáng)電介質(zhì)膜結(jié)晶化。其后，在強(qiáng)電介質(zhì)膜上形成例如250nm左右的IrOj莫來(lái)作為上部電極膜。并且，按上部電極膜、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及下部電極膜的順序加工這些膜，從而在形成FeRAM單元陣列1的預(yù)定區(qū)域(第二區(qū)域)內(nèi)，形成下部電極12、PZT膜13以及上部電極14(參照?qǐng)D2A以及圖2B)的同時(shí)，在形成周邊電路2的預(yù)定區(qū)域(第一區(qū)域)內(nèi)，如圖8A以及圖8B所示，形成下部電極15、PZT膜16以及上部電極17。但是，在第二實(shí)施方式中，各下部電極15的平面形狀大概是短邊的長(zhǎng)度為50pm6(nim、長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度為200nm250pm的長(zhǎng)方形，不形成切口。加工完這些膜之后，形成例如厚度為1.5nm左右的TEOS氧化膜18作為層間絕緣膜，對(duì)該TEOS氧化膜18通過(guò)CMP進(jìn)行平坦化。接著，在TEOS氧化膜18以及氧化鋁膜11等形成到達(dá)擴(kuò)散層(半導(dǎo)體基板)等的接觸孔(未圖示)，該擴(kuò)散層形成在下部電極12以及15的下方。接著，如圖9A以及圖9B所示，在第一區(qū)域，在TEOS氧化膜18上形成到達(dá)下部電極15的接觸孔31以及到達(dá)上部電極17的接觸孔22的同時(shí)，在第二區(qū)域，在TEOS氧化膜18上形成到達(dá)下部電極12的接觸孔19以及到達(dá)上部電極14的接觸孔20(參照?qǐng)D4A以及圖4B所示)。此時(shí)，在第一區(qū)域中，在每一個(gè)下部電極15，在縱向的一端沿縱向以1.3pm左右的間隔形成多個(gè)接觸孔31。接著在整個(gè)面上形成阻擋金屬膜、Al膜以及阻擋金屬膜，通過(guò)對(duì)這些膜進(jìn)行圖形成形，形成經(jīng)由接觸孔19而與下部電極12連接的布線(xiàn)部23、以及經(jīng)由接觸孔20而與上部電極14連接的布線(xiàn)部24的同時(shí)(參照?qǐng)D6A以及圖6B)，如圖IOA以及圖IOB所示，形成經(jīng)由所有的接觸孔31而與下部電極15連接的布線(xiàn)部35、以及經(jīng)由接觸孔22而與上部電極17連接的布線(xiàn)部26。此時(shí)，在布線(xiàn)部35，形成在與下部電極15的縱向垂直的方向上呈梳齒狀延伸的多個(gè)延伸部35a，各延伸部35a經(jīng)由1列的接觸孔31而與下部電極15連接。此外，作為構(gòu)成這些布線(xiàn)部的阻擋金屬膜、Al膜(Al布線(xiàn))以及阻擋金屬膜，分別形成例如厚度為150nm的TiN膜、厚度為550nm的Al膜、厚度為150nm的TiN膜，但是并不限于此。例如，如后面所述的實(shí)施方式那樣，可以由TiN膜、Ti膜、TiN膜構(gòu)成阻擋金屬膜。之后，為了對(duì)層間絕緣膜18進(jìn)行脫水，在35(TC的N2環(huán)境中在60分鐘期間里進(jìn)行熱處理。并且，進(jìn)一步形成上層布線(xiàn)以及層間絕緣膜等，從而完成半導(dǎo)體裝置(強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器)。在這種第二實(shí)施方式中，當(dāng)與以往的結(jié)構(gòu)比較時(shí)，從布線(xiàn)部35的接觸孔31偏離的部分的面積變小了梳齒的間隙的部分，Al的反應(yīng)量減少。其結(jié)果是，與第一實(shí)施方式相同，下部電極15與布線(xiàn)部35中的Al布線(xiàn)很難發(fā)生反應(yīng)，能夠避免接觸電阻的上升、斷線(xiàn)以及變形等缺陷。(第三實(shí)施方式)下面，針對(duì)本發(fā)明第三實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。第三實(shí)施方式是組合第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式而成的實(shí)施方式。圖11至圖13是本發(fā)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法。在第三實(shí)施方式中，首先，與第一實(shí)施方式相同，在半導(dǎo)體基板、例如Si基板上形成了CMOS晶體管等元件之后，形成層間絕緣膜以及布線(xiàn)等，如圖8A以及圖8B所示，形成氧化鋁膜ll。接著，在氧化鋁膜ll上依次形成下部電極膜以及強(qiáng)電介質(zhì)膜。形成例如厚度為150nm左右的Pt膜來(lái)作為下部電極膜，形成例如厚度為150nm左右的PZT膜來(lái)作為強(qiáng)電介質(zhì)膜。接著，通過(guò)在75(TC左右進(jìn)行快速加熱處理，使強(qiáng)電介質(zhì)膜結(jié)晶化。其后，在強(qiáng)電介質(zhì)膜上形成例如厚度為250nm左右的IrOj莫來(lái)作為上部電極膜。并且，按上部電極膜、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及下部電極膜的順序加工這些膜，從而在形成FeRAM單元陣列1的預(yù)定區(qū)域(第二區(qū)域)內(nèi)，形成下部電極12、PZT膜13以及上部電極14(參照?qǐng)D2A以及圖2B)的同時(shí)，在形成周邊電路2的預(yù)定區(qū)域(第一區(qū)域)內(nèi)，如圖11所示，形成下部電極15、PZT膜16以及上部電極17。此時(shí)，與第一實(shí)施方式相同，在各下部電極15形成切口。加工完這些膜之后，形成例如厚度為1.5pm左右的TEOS氧化膜18作為層間絕緣膜，對(duì)該TEOS氧化膜18通過(guò)CMP進(jìn)行平坦化。接著，在TEOS氧化膜18以及氧化鋁膜11等上形成到達(dá)擴(kuò)散層(半導(dǎo)體基板)等的接觸孔(未圖示)，該擴(kuò)散層形成在下部電極12以及15的下方。接著，如圖11所示，在第一區(qū)域，在TEOS氧化膜18上形成到達(dá)下部電極15的接觸孔31以及到達(dá)上部電極17的接觸孔22，同時(shí)在第二區(qū)域，在TEOS氧化膜18上形成到達(dá)下部電極12的接觸孔19以及到達(dá)上部電極14的接觸孔20(參照?qǐng)D4A以及圖4B所示)。此時(shí)，在第一區(qū)域中，在每一個(gè)下部電極15，在形成該切口一側(cè)的端部沿縱向以1.3pm左右的間隔形成多個(gè)接觸孔31。接著，在整個(gè)面上形成阻擋金屬膜、Al膜以及阻擋金屬膜，通過(guò)對(duì)這些膜進(jìn)行圖形成形，形成經(jīng)由接觸孔19而與下部電極12連接的布線(xiàn)部23、以及經(jīng)由接觸孔20而與上部電極14連接的布線(xiàn)部24(參照?qǐng)D6A以及圖6B)，同時(shí)，如圖12所示，形成經(jīng)由所有的接觸孔31而與下部電極15連接的布線(xiàn)部35、以及經(jīng)由接觸孔22而與上部電極17連接的布線(xiàn)部26。此時(shí)，與第二實(shí)施方式相同，在布線(xiàn)部35，形成在與下部電極15的縱向垂直的方向上呈梳齒狀延伸的多個(gè)延伸部35a，各延伸部35a經(jīng)由1列的接觸孔31而與下部電極15連接。此外，作為構(gòu)成這些布線(xiàn)部的阻擋金屬膜、Al膜(Al布線(xiàn))以及阻擋金屬膜，分別形成例如厚度為150nm的TiN膜、厚度為550nm的A1膜、厚度為150nm的TiN膜，但是并不限于此。例如，如后面所述的實(shí)施方式那樣，可以由TiN膜、Ti膜以及TiN膜構(gòu)成阻擋金屬膜。之后，為了對(duì)層間絕緣膜18進(jìn)行脫水，在35(TC的N2環(huán)境中在60分鐘期間里進(jìn)行熱處理。并且，進(jìn)一步形成上層布線(xiàn)以及層間絕緣膜等，從而完成半導(dǎo)體裝置(強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器)。在這種第三實(shí)施方式中，相比于第一以及第二實(shí)施方式，Pt以及Al的反應(yīng)量減少，更能避免缺陷。(第一實(shí)驗(yàn)例)在此，針對(duì)實(shí)際上本申請(qǐng)發(fā)明人進(jìn)行的關(guān)于第一至第三實(shí)施方式的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行說(shuō)明。在此實(shí)驗(yàn)中，制造第一至第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置以及以往的半導(dǎo)體裝置，觀察布線(xiàn)部以及下部電極的邊界附近。其結(jié)果是，相對(duì)于在以往的半導(dǎo)體裝置中產(chǎn)生伴隨著反應(yīng)的凹陷，在第一至第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，都沒(méi)有那樣的凹陷。但是，在第三實(shí)施方式中，雖然沒(méi)有變色，但是在第一以及第二實(shí)施方式中，稍微發(fā)生些變色。此外，在此實(shí)驗(yàn)中，針對(duì)各半導(dǎo)體裝置，在周邊電路采用了表l所示那樣的布局。此外，表l中的數(shù)值表示在俯視狀況下，在下部電極和A1布線(xiàn)重疊的區(qū)域內(nèi)，將接觸孔內(nèi)的部分的面積設(shè)為了1時(shí)的接觸孔外的部分的面積的相對(duì)值。另外，關(guān)于FeRAM單元陣列，在任意一個(gè)半導(dǎo)體裝置中，將接觸孔內(nèi)的部分的面積設(shè)為1時(shí)的接觸孔外的部分的面積的相對(duì)值設(shè)為0.97。根據(jù)表l，在俯視狀況下，在下部電極和A1布線(xiàn)重疊的區(qū)域內(nèi)，接觸孔外的部分的面積相對(duì)于接觸孔內(nèi)的部分的面積的相對(duì)值小于等于2.0，特別是小于等于1.9是比較理想的，小于等于1.8就更理想，小于等于1.3最為理想。(第四實(shí)施方式)接著，針對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在第四實(shí)施方式中，使用由依次形成的TiN膜、Ti膜以及TiN膜構(gòu)成的膜作為阻擋金屬膜。圖14是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式中的下部電極和布線(xiàn)的連接部位的剖面圖，圖15是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。在第四實(shí)施方式中，在Si基板等的半導(dǎo)體基板40的表面上形成有元件分離區(qū)域41，在由該元件分離區(qū)域41區(qū)劃的元件有源區(qū)內(nèi)形成有擴(kuò)散層42。在擴(kuò)散層42的表面形成有硅化物層43。并且，以覆蓋元件分離區(qū)域41以及元件有源區(qū)的方式，形成有Si氧化膜等的絕緣膜44以及45。在絕緣膜45上形成有由下部電極48、強(qiáng)電介質(zhì)膜49以及上部電極50構(gòu)成的強(qiáng)電介質(zhì)電容器。進(jìn)而，以覆蓋該強(qiáng)電介質(zhì)電容器的方式，形成有Si氧化膜等的層間絕緣膜46。在層間絕緣膜46、45以及44形成有到達(dá)硅化物層43的接觸孔，W插件47埋入在其中。另外，在絕緣膜46上形成有到達(dá)上部電極50的接觸孔以及到達(dá)下部電極48的接觸孔。并且，在絕緣膜46上形成有由阻擋金屬膜51以及A1膜(Al布線(xiàn))52構(gòu)成的布線(xiàn)部。該布線(xiàn)部的一部分與W插件47連接，另一部分經(jīng)由接觸孔而與下部電極48連接，另一部分經(jīng)由接觸孔而與上部電極50連接。例如，下部電極48以及上部電極50分別由Pt、IrOx構(gòu)成。另外，如圖14所示，阻擋金屬膜51例如由厚度為75nm左右的TiN膜51a、厚度為5nm左右的Ti膜51b以及厚度為75nm左右的TiN膜51c構(gòu)成。在此，關(guān)于第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，針對(duì)形成強(qiáng)電介質(zhì)電容器的工序以后進(jìn)行說(shuō)明。在形成強(qiáng)電介質(zhì)電容器時(shí)，形成了絕緣膜45之后，進(jìn)行絕緣膜45的平坦化，在其上面依次形成下部電極膜(Pt膜)以及強(qiáng)電介質(zhì)膜(例如PZT膜)。接著，在氧氣環(huán)境中進(jìn)行退火處理，從而使強(qiáng)電介質(zhì)膜結(jié)晶化。接著，在強(qiáng)電介質(zhì)膜上形成上部電極膜(IrOj莫)。之后，按上部電極膜、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及下部電極膜的順序加工這些膜。在該加工中，首先，通過(guò)使用了抗蝕劑掩模的濺射蝕刻對(duì)上部電極膜進(jìn)行圖形成形，由此形成上部電極50。接著，在氧氣環(huán)境中進(jìn)行退火。接著，通過(guò)使用了另外的抗蝕劑掩模的濺射蝕刻來(lái)加工強(qiáng)電介質(zhì)膜，從而形成強(qiáng)電介質(zhì)膜49。并且，還在通過(guò)使用了其它的抗蝕劑掩模的濺射蝕刻來(lái)加工下部電極膜，從而形成下部電極48。接著，在整個(gè)面上形成絕緣膜46，例如通過(guò)CMP進(jìn)行絕緣膜46的平坦化。接著，通過(guò)進(jìn)行使用了抗蝕劑掩模的干式蝕刻，形成到達(dá)硅化物層43的接觸孔。之后，以埋入該接觸孔的方式形成作為阻擋金屬膜的TiN膜(未圖示)以及W膜，通過(guò)對(duì)它們進(jìn)行CMP，形成W插件47。接著，通過(guò)進(jìn)行使用了抗蝕劑掩模的干式蝕刻，形成到達(dá)上部電極50的接觸孔以及到達(dá)下部電極48的接觸孔。接著，依次形成構(gòu)成阻擋金屬膜51的TiN膜(75nm)、Ti膜(5nm)以及TiN膜(75nm)，在氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行退火。該退火的條件為例如350°C、30分鐘。接著，形成構(gòu)成布線(xiàn)52的A1膜。并且，通過(guò)對(duì)Al膜以及TiN膜、Ti膜及TiN膜進(jìn)行圖形成形，形成由TiN膜(第一TiN膜)51a、Ti膜51b、以及TiN膜(第二TiN膜)51c構(gòu)成的阻擋金屬膜51以及由Al膜構(gòu)成的布線(xiàn)52。之后，再形成層間絕緣膜以及布線(xiàn)等，完成半導(dǎo)體裝置。在這樣的第四實(shí)施方式中，由于Ti膜51b的存在，從而防止下部電極48中的Pt擴(kuò)散到布線(xiàn)。另夕卜，因?yàn)樵赥i膜51b和下部電極48之間形成TiN膜51a，所以也防止了TiOx的生成。并且，因?yàn)樵赥i膜51b和布線(xiàn)(Al布線(xiàn))52之間形成有TiN膜51c，所以也能防止Ti和Al的反應(yīng)以及隨之產(chǎn)生的電遷移。關(guān)于阻擋金屬膜51的厚度，TiN膜51a以及51c的厚度為大于等于50nm是比較理想的。這是因?yàn)楫?dāng)TiN膜51a或51c的厚度不足50nm時(shí)，Ti膜51b和下部電極48或者布線(xiàn)52容易發(fā)生反應(yīng)的緣故。另外，Ti膜51b的厚度大于等于5nm是比較理想的。這是因?yàn)楫?dāng)TiN膜51b的厚度不足5nm時(shí)，下部電極48和布線(xiàn)52容易發(fā)生反應(yīng)的緣故。此外，在形成構(gòu)成阻擋金屬膜的TiN膜51a時(shí)，首先，進(jìn)行在接觸孔的底部容易產(chǎn)生堆積的條件下的形成、和在接觸孔的側(cè)壁部容易產(chǎn)生堆積的條件下的形成這兩個(gè)工序的形成是比較理想的。以往，只進(jìn)行在接觸孔的底部容易產(chǎn)生堆積的條件下的形成?？墒?，嚴(yán)格地講，在阻擋金屬膜的形成前，以除去自然氧化膜等為目的而進(jìn)行RF前處理的情況較多，其結(jié)果是，有在接觸孔的側(cè)壁部附著Pt的情況。因此，僅在接觸孔的底部容易產(chǎn)生堆積的條件下形成TiN膜時(shí)，附著在側(cè)壁部的Pt和構(gòu)成阻擋金屬膜的Ti膜就有可能反應(yīng)。與此相對(duì)，通過(guò)在接觸孔的側(cè)壁部容易產(chǎn)生堆積的條件下也形成TiN膜，就能避免這種缺陷。此外，從覆蓋的角度講，總之，先進(jìn)行在接觸孔的底部容易產(chǎn)生堆積的條件下的TiN膜的形成是比較理想的。另夕卜，在接觸孔內(nèi)形成TiN膜，在其上形成IrOj莫(氧化銥?zāi)?，由這兩個(gè)膜形成阻擋金屬膜也可以。在這樣的結(jié)構(gòu)中，也能通過(guò)IrOx膜抑制Al向下部電極側(cè)擴(kuò)散。此外，IrOj莫的厚度大于等于50nm、或者為接觸孔的深度的1/20或其以上是比較理想的。進(jìn)而，為了更好的抑制IrOj莫與作為布線(xiàn)20材料的A1的反應(yīng)，也可以在IrOj莫上形成TiN膜。另外，為了提高TiN膜和IrOj莫的粘合性，可以在它們之間形成Ti膜。此時(shí)，為了更好地抑制在接觸孔的側(cè)壁部的Ti膜和Pt的反應(yīng)，在形成與下部電極連接的TiN膜時(shí)，如上所述，在容易產(chǎn)生堆積的條件下在接觸孔的底部形成TiN膜的一部份之后，在容易產(chǎn)生堆積的條件下在接觸孔的側(cè)壁部形成TiN膜的其它部分是比較理想的。(第二實(shí)驗(yàn)例)在此，針對(duì)實(shí)際上本申請(qǐng)發(fā)明人進(jìn)行的有關(guān)第四實(shí)施方式的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行說(shuō)明。在此實(shí)驗(yàn)中，制造第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置以及以往的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)行加速試驗(yàn)來(lái)測(cè)定接觸電阻。此外，在以往的半導(dǎo)體裝置中，將由TiN構(gòu)成的阻擋金屬膜151的厚度設(shè)為150nm。將該結(jié)果表示在圖16。如圖16所示，在40(TC以及42(TC下，雖然任意一種半導(dǎo)體裝置也沒(méi)有較大的接觸電阻的上升，但是，當(dāng)為420'C時(shí)，在第四實(shí)施方式中，接觸電阻幾乎不上升，但是，在以往的半導(dǎo)體裝置中，接觸電阻顯著上升。另外，加速試驗(yàn)后，在以往的半導(dǎo)體裝置的表面產(chǎn)生膨脹?？梢哉J(rèn)為這些現(xiàn)象是因?yàn)橥ㄟ^(guò)44(TC的加熱，在以往的半導(dǎo)體裝置中產(chǎn)生了Pt和Al的共晶反應(yīng)的緣故。(第五實(shí)施方式)接著，針對(duì)本發(fā)明的第五實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在第五實(shí)施方式中，使用Ir或Pt來(lái)取代Al作為布線(xiàn)材料。圖17是表示本發(fā)明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。在本實(shí)施方式中，在Si基板(半導(dǎo)體基板)60的表面形成了元件分離區(qū)域61之后，在由該元件分離區(qū)域60區(qū)劃的元件有源區(qū)內(nèi)，形成具有高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層62、低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層63、硅化物層64、柵極絕緣膜65、柵極電極66、硅化物層67以及側(cè)壁68的晶體管等的元件。另夕卜，例如在柵極電極67的接觸部附近，在柵極電極67和擴(kuò)散層62之間形成絕緣膜69。之后，在整個(gè)面上形成Si氧化膜等的絕緣膜70以及71之后，進(jìn)行絕緣膜71的平坦化，在其上面依次形成下部電極膜(Pt膜)以及強(qiáng)電介質(zhì)膜(例如PZT膜)。接著，通過(guò)在氧氣環(huán)境中進(jìn)行退火處理，使強(qiáng)電介質(zhì)膜結(jié)晶化。接著，在強(qiáng)電介質(zhì)膜上形成上部電極膜(IrOx膜)。之后，按上部電極膜、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及下部電極膜的順序加工這些膜。在該加工中，首先，通過(guò)使用了抗蝕劑掩模的濺射蝕刻對(duì)上部電極膜進(jìn)行圖形成形，從而形成上部電極75。接著，在氧氣環(huán)境中進(jìn)行退火。接著，通過(guò)使用了另外的抗蝕劑掩模的濺射蝕刻來(lái)加工強(qiáng)電介質(zhì)膜，從而形成強(qiáng)電介質(zhì)膜74。之后，在整個(gè)面上形成氧化鋁膜，再通過(guò)利用使用了另外的抗蝕劑掩模的濺射蝕刻來(lái)加工氧化鋁膜和下部電極膜，從而形成氧化鋁保護(hù)膜91以及下部電極73。接著，在整個(gè)面上形成絕緣膜72，例如通過(guò)CMP進(jìn)行絕緣膜72的平坦化。接著，通過(guò)進(jìn)行使用了抗蝕劑掩模的干式蝕刻，從而形成到達(dá)硅化物層64等的接觸孔。之后，以埋入該接觸孔的方式形成作為阻擋金屬膜的TiN膜(未圖示)以及W膜，通過(guò)對(duì)此進(jìn)行CMP，形成W插件77。接著，通過(guò)進(jìn)行使用了抗蝕劑掩模的干式蝕刻，從而形成到達(dá)上部電極75的接觸孔以及到達(dá)下部電極73的接觸孔。接著，形成了構(gòu)成阻擋金屬膜的TiN膜之后，形成構(gòu)成布線(xiàn)的Pt膜或Ir膜等的金屬膜。進(jìn)一步，在金屬膜上形成TiN膜作為硬質(zhì)掩模。接著，通過(guò)使用了抗蝕劑掩模的干式蝕刻只對(duì)金屬膜上的TiN膜進(jìn)行圖形成形，從而形成硬質(zhì)掩模79。之后，通過(guò)灰化處理除去抗蝕劑掩模后，通過(guò)使用了硬質(zhì)掩模79的干式蝕刻，對(duì)金屬膜以及其之下的TiN膜進(jìn)行圖形成形，來(lái)形成布線(xiàn)78以及阻擋金屬膜(未圖示)。此外，在該干式蝕刻中，使用例如可以加熱到30(TC或其以上的干式蝕刻裝置，將蝕刻的條件設(shè)為例如溫度30(TC或其以上，氣體流速HBr/O2=10sccm/40sccm，壓力0.6Pa。在該干式蝕刻中，蝕刻氣體中的鹵素氣體(Cl2、HBr等)的比例設(shè)為0.4或其以下是比較理想的。接著，形成Si氧化膜等的絕緣膜80以及81，在其上形成到達(dá)硬質(zhì)掩模79的接觸孔。接著，在該接觸孔內(nèi)形成W插件82之后，在絕緣膜81上形成阻擋金屬膜以及布線(xiàn)83。此外，硬質(zhì)掩模79在用于形成布線(xiàn)78的干式蝕刻之后也不除去，而作為布線(xiàn)83和布線(xiàn)78之間的阻擋金屬膜使用。因?yàn)橛操|(zhì)掩模79形成在平坦部分，所以其阻擋性高，布線(xiàn)83即使是A1布線(xiàn)，在布線(xiàn)間也不會(huì)發(fā)生共晶反應(yīng)。接著，形成Si氧化膜等的絕緣膜84以及85，在其上形成到達(dá)布線(xiàn)83的接觸孔。接著，在該接觸孔內(nèi)形成W插件86之后，在絕緣膜85上形成布線(xiàn)87。并且，形成絕緣膜88、89以及聚酰亞胺膜90作為蓋膜，在其上形成到達(dá)布線(xiàn)87的墊(pad)開(kāi)口部。在這樣的第五實(shí)施方式中，因?yàn)檫B接在下部電極73、上部電極75的布線(xiàn)78由Ir膜或者Pt膜構(gòu)成，所以在布線(xiàn)78和下部電極73以及上部電極75之間不會(huì)發(fā)生共晶反應(yīng)。但是，在進(jìn)行貴金屬膜的加工時(shí)，在通常的方法中，需要將去除寬度以及保留寬度變寬，加工后的形狀成為錐形形狀。其結(jié)果是，布線(xiàn)電阻比由布線(xiàn)寬度期待的值變得更高。與此相對(duì)，如上所述，當(dāng)在30(TC或其以上、Cl2和/或HBr和02的混合氣環(huán)境中進(jìn)行蝕刻時(shí)，能夠獲得低電阻的布線(xiàn)78。另外，在進(jìn)行這樣的高溫蝕刻時(shí)，不能使用以往的光致抗蝕劑掩模，但是如上所述，通過(guò)使用TiN膜作為硬質(zhì)掩模，可以應(yīng)對(duì)高溫蝕刻。另外，雖然TiN膜即使在用于蝕刻貴金屬膜的環(huán)境(鹵素+氧氣)中也幾乎不被蝕刻，原樣殘存著，但是，通過(guò)原樣作為阻擋金屬膜而使用，能夠防止在其上形成的布線(xiàn)和貴金屬布線(xiàn)間的共晶反應(yīng)。此外，通過(guò)多個(gè)組合從第一實(shí)施方式到第五實(shí)施方式的各實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的全部或一部分，也能組合得到各種效果。工業(yè)上的可利用性如上述的詳細(xì)說(shuō)明，根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制強(qiáng)電介質(zhì)電容器的電極和與此連接的布線(xiàn)在接觸部中的異常的反應(yīng)。因此，能夠抑制電阻的上升，進(jìn)而也能抑制制造中的變形。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體裝置，具有強(qiáng)電介質(zhì)電容器，其具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及上部電極；層間絕緣膜，其形成在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上，相對(duì)于上述下部電極形成有多個(gè)接觸孔；布線(xiàn)，其形成在上述層間絕緣膜上，經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連接；阻擋金屬膜，其形成在上述下部電極和上述布線(xiàn)之間，上述半導(dǎo)體裝置的特征在于，上述阻擋金屬膜具有第一TiN膜，其與上述下部電極直接接觸；Ti膜，其形成在上述第一TiN膜上；第二TiN膜，其形成在上述Ti膜上。2.—種半導(dǎo)體裝置，具有強(qiáng)電介質(zhì)電容器，其具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及上部電極；層間絕緣膜，其形成在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上，相對(duì)于上述下部電極形成有多個(gè)接觸孔；布線(xiàn)，其形成在上述層間絕緣膜上，經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連阻擋金屬膜，其形成在上述下部電極和上述布線(xiàn)之間，上述半導(dǎo)體裝置的特征在于，上述阻擋金屬膜具有第一TiN膜，其與上述下部電極直接接觸；氧化銥?zāi)ぃ湫纬稍谏鲜龅谝籘iN膜上。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述阻擋金屬膜具有形成在上述氧化銥?zāi)ど系牡诙iN膜。4.一種半導(dǎo)體裝置，具有'強(qiáng)電介質(zhì)電容器，其具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及上部電極；層間絕緣膜，其形成在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上，相對(duì)于上述下部電極形成有多個(gè)接觸孔；布線(xiàn)，其形成在上述層間絕緣膜上，經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連接；阻擋金屬膜，其形成在上述下部電極和上述布線(xiàn)之間，上述半導(dǎo)體裝置的特征在于，上述阻擋金屬膜具有第一TiN膜，其與上述下部電極直接接觸；第一Ti膜，其形成在上述第一TiN膜上；氧化銥?zāi)ぃ湫纬稍谏鲜龅谝籘iN膜上；第二Ti膜，其形成在上述氧化銥?zāi)ど?；第二TiN膜，其形成在上述第二Ti膜上。5.—種半導(dǎo)體裝置，具有強(qiáng)電介質(zhì)電容器，其具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜以及上部電極；層間絕緣膜，其形成在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上，相對(duì)于上述下部電極形成有多個(gè)接觸孔；布線(xiàn)，其形成在上述層間絕緣膜上，經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連接，上述半導(dǎo)體裝置的特征在于，上述布線(xiàn)具有Ir膜或者Pt膜。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有形成在上述布線(xiàn)上的TiN膜。7.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成強(qiáng)電介質(zhì)電容器的工序，該強(qiáng)電介質(zhì)電容器具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜及上部電極；在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上形成層間絕緣膜的工序，該層間絕緣膜相對(duì)于上述下部電極具有多個(gè)接觸孔；在上述接觸孔的底部及側(cè)部形成阻擋金屬膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成布線(xiàn)的工序，該布線(xiàn)經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連接，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，形成上述阻擋金屬膜的工序包括形成第一TiN膜的工序，該第一TiN膜與上述下部電極直接接觸；在上述第一TiN膜上形成Ti膜的工序；在上述Ti膜上形成第二TiN膜的工序。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成上述第一TiN膜的工序中，在中途變更成膜條件，將變更前的條件設(shè)定為相比于變更后的條件容易在上述接觸孔的底部發(fā)生上述第一TiN膜的堆積的條件，將變更后的條件設(shè)定為相比于變更前的條件容易在上述接觸孔的側(cè)壁部發(fā)生上述第一TiN膜的堆積的條件。9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成強(qiáng)電介質(zhì)電容器的工序，該強(qiáng)電介質(zhì)電容器具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜及上部電極；在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上形成層間絕緣膜的工序，該層間絕緣膜相對(duì)于上述下部電極具有多個(gè)接觸孔；在上述接觸孔的底部及側(cè)部形成阻擋金屬膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成布線(xiàn)的工序，該布線(xiàn)經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連接，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，形成上述阻擋金屬膜的工序包括形成第一TiN膜的工序，該第一TiN膜與上述下部電極直接接觸；在上述第一TiN膜上形成氧化銥?zāi)さ墓ば颉?0.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述阻擋金屬膜的工序包括在上述氧化銥?zāi)ど闲纬傻诙iN膜的工序。11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成強(qiáng)電介質(zhì)電容器的工序，該強(qiáng)電介質(zhì)電容器具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜及上部電極；在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上形成層間絕緣膜的工序，該層間絕緣膜相對(duì)于上述下部電極具有多個(gè)接觸孔；在上述接觸孔的底部及側(cè)部形成阻擋金屬膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成布線(xiàn)的工序，該布線(xiàn)經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連接，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，形成上述阻擋金屬膜的工序包括形成第一TiN膜的工序，該第一TiN膜與上述下部電極直接接觸；在上述第一TiN膜上形成第一Ti膜的工序；在上述第一TiN膜上形成氧化銥?zāi)さ墓ば?；在上述氧化銥?zāi)ど闲纬傻诙i膜的工序；在上述第二Ti膜上形成第二TiN膜的工序。12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在第一條件和第二條^t^的兩種條件下，進(jìn)行形成上述第一TiN膜的工序，其中，該第二條件是指，相比于上述第一條件容易在上述接觸孔的側(cè)部形成膜的條件。13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成上述阻擋金屬膜的工序和形成上述布線(xiàn)的工序之間，包括進(jìn)行退火的工序。14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成強(qiáng)電介質(zhì)電容器的工序，該強(qiáng)電介質(zhì)電容器具有下部電極、強(qiáng)電介質(zhì)膜及上部電極；在上述強(qiáng)電介質(zhì)電容器上形成層間絕緣膜的工序，該強(qiáng)電介質(zhì)電容器相對(duì)于上述下部電極具有多個(gè)接觸孔；在上述層間絕緣膜上形成布線(xiàn)的工序，該布線(xiàn)經(jīng)由上述接觸孔與上述下部電極連接，上述半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，形成上述布線(xiàn)的工序包括形成Ir膜或者Pt膜的工序。15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述布線(xiàn)的工序包括形成原料膜的工序，該原料膜由Ir或者Pt構(gòu)成；通過(guò)300°C以上的干式蝕刻對(duì)上述原料膜進(jìn)行圖形成形的工序。16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行上述干式蝕刻時(shí)，使用含有鹵素氣體和02的氣體作為蝕刻氣體，并使得上述蝕刻氣體中的上述鹵素氣體的比例小于等于0.4，其中，該鹵素氣體為Cl2或者HBr。17.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述布線(xiàn)的工序包括形成原料膜的工序，該原料膜由Ir或者Pt構(gòu)成；在上述原料膜上形成TiN膜的工序；使用抗蝕劑掩模對(duì)上述TiN膜進(jìn)行圖形成形，從而形成硬質(zhì)掩模的工序;除去上述抗蝕劑掩模的工序；使用上述硬質(zhì)掩模對(duì)上述原料膜進(jìn)行圖形成形的工序。全文摘要具有下部電極(15)、強(qiáng)電介質(zhì)膜(16)以及上部電極(17)的強(qiáng)電介質(zhì)電容器由層間絕緣膜(18)覆蓋。下部電極(15)一端被加工成梳齒狀，為了與其殘存部匹配，在層間絕緣膜(18)上形成有多個(gè)接觸孔(21)。即，在多個(gè)接觸孔(21)中的至少兩個(gè)接觸孔的下端之間，在下部電極(15)上設(shè)置有間隙(切口)。并且，經(jīng)由接觸孔(21)與下部電極(15)連接的布線(xiàn)(25)形成在層間絕緣膜(18)上。文檔編號(hào)H01L23/532GK101261988SQ200810090099公開(kāi)日2008年9月10日申請(qǐng)日期2003年9月5日優(yōu)先權(quán)日2003年9月5日發(fā)明者三浦壽良,中村光宏,小室玄一,立花宏俊,高松知廣申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社