專利名稱：：半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法，特別涉及包括利用催化線(觸媒線)分解材料氣體而形成半導(dǎo)體膜的工序的半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有技術(shù)中，已知包括利用催化線分解材料氣體而形成半導(dǎo)體膜的工序的半導(dǎo)體膜的制造方法。這種半導(dǎo)體膜的制造方法例如公開在日本專利第3453214號(hào)公報(bào)中。在上述日本專利第3453214號(hào)公報(bào)中，通過向催化體(催化線)供給電力，在被加熱至材料氣體的熱分解溫度以上的催化體上導(dǎo)入硅烷(SiH4)等硅化合物的氣體與氫(H2)等其他物質(zhì)的氣體的混合氣體(材料氣體)，從而在硅化合物被分解的同時(shí)，在基板的表面上形成硅膜(半導(dǎo)體膜)。但是，在上述日本專利第3453214號(hào)公報(bào)中，沒有公開在形成硅膜(半導(dǎo)體膜)時(shí)，開始向催化體(催化線)供給電力(開始加熱)的定時(shí)和導(dǎo)入材料氣體的定時(shí)。此外，一般地，開始加熱的定時(shí)和導(dǎo)入材料氣體的定時(shí)是同時(shí)的。在這種情況下，在成膜初期的催化線的溫度直至被加熱至硅熔融溫度的期間，由于未被充分加熱的催化線與材料氣體接觸，于是材料氣體滯留在催化線上，因此存在在催化線的表面形成催化線與材料氣體的化合物的情況。在這種情況下，該化合物導(dǎo)致催化線的電阻率產(chǎn)生變化，所以存在難以控制加熱催化線時(shí)的催化線的溫度的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為解決上述問題而提出，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供能夠抑制催化線的溫度的控制變得困難的半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法。本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體膜的制造方法包括將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和在催化線被加熱至規(guī)定的溫度以上之后，導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體，并且利用加熱的催化線分解材料氣體，形成半導(dǎo)體膜的工序。本發(fā)明的第二方面的光敏元件的制造方法包括將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和在催化線被加熱至規(guī)定的溫度以上之后，導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體，并且利用加熱的催化線分解材料氣體，形成作為光電轉(zhuǎn)換層起作用的半導(dǎo)體膜的工序。圖1是本發(fā)明中使用的催化線CVD裝置的概略圖。圖2是表示根據(jù)本發(fā)明制造的薄膜類的光敏元件的截面圖。圖3是表示根據(jù)本發(fā)明制造的異質(zhì)結(jié)型的光敏元件的截面圖。具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)附圖對(duì)將本發(fā)明具體化的實(shí)施方式進(jìn)行說明。(第一實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)D1，對(duì)在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造中使用的催化線CVD裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖1所示，催化線CVD裝置包括反應(yīng)室1、用于向反應(yīng)室l內(nèi)供給材料氣體和調(diào)壓氣體的氣體供給部2、與直流電源3連接的催化線4、排氣閥5、用于設(shè)置形成半導(dǎo)體膜10的基底20的設(shè)置部6、和用于對(duì)設(shè)置在設(shè)置部6的基底20進(jìn)行加熱的加熱器7。催化線4由鎢(W)構(gòu)成。此外，催化線4采用通過直流電源3通電而被加熱的結(jié)構(gòu)。此外，反應(yīng)室1內(nèi)的氣體能夠通過真空泵(未圖示)進(jìn)行排氣，采用通過排氣閥5開關(guān)排氣通路的結(jié)構(gòu)。接著，參照?qǐng)D1，對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法進(jìn)行說明。其中，在第一實(shí)施方式中，說明在基底20上形成作為半導(dǎo)體膜10的氫化的非晶硅膜的例子。在以下的表1中表示非晶硅膜的制造條件的一個(gè)例子。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>如表1所示，在形成非晶硅膜時(shí)，使用由具有約0.5mm的線徑的鎢構(gòu)成的催化線4。在設(shè)置有該催化線4的催化線CVD裝置的設(shè)置部6上設(shè)置有基底20。基底20例如是非晶硅膜、透光性導(dǎo)電膜或單晶硅基板。在這種狀態(tài)下，開始非晶硅膜的成膜。在以下的表2中表示第一實(shí)施方式的非晶硅膜的制造工藝。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>在通過第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法形成非晶硅膜時(shí)，首先，如表2所示，由直流電源3向催化線4通電，由此進(jìn)行催化線4的加熱。此外，如表1所示，基底20通過加熱器7被加熱至約20(TC。而且，在催化線4被加熱至約170(TC之后，從氣體供給部2向反應(yīng)室1內(nèi)導(dǎo)入作為非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的材料的由SiEU構(gòu)成的材料氣體和H2氣體。如表1所示，SiH4和H2分別以流量為約500sccm和約1000sccm、壓力為約3Pa的條件導(dǎo)入。向反應(yīng)室1內(nèi)導(dǎo)入的由SiH4構(gòu)成的材料氣體被吹附在催化線4上，與催化線4接觸。此時(shí)，由于催化線4被加熱至大約170(TC的高溫，所以由SiH4構(gòu)成的材料氣體不能滯留在催化線4上。因此，抑制在由鎢(W)構(gòu)成的催化線4的表面上形成由SiRt產(chǎn)生的化合物(硅化鎢)。通過在被加熱至約170(TC的催化線4上導(dǎo)入由SiH4構(gòu)成的材料氣體和H2氣體，使SiHU通過催化線4被分解，并且分解種堆積在基底20上，在基底20上形成氫化的非晶硅膜(半導(dǎo)體膜IO)。此外，如表2所示，在形成氫化的非晶硅膜之后，打開排氣閥5，通過真空泵(未圖示)對(duì)反應(yīng)室1內(nèi)進(jìn)行排氣。然后，在反應(yīng)室1內(nèi)的材料氣體(SiH4)已實(shí)質(zhì)上被排出之后，停止直流電源3向催化線4的通電。由此，在材料氣體已實(shí)質(zhì)上被排出的狀態(tài)下，使催化線4的溫度下降。這樣，第一實(shí)施方式的非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的成膜結(jié)束。在第一實(shí)施方式中，如上所述，通過在將由鎢(W)構(gòu)成的催化線4加熱至約170(TC之后，導(dǎo)入由SiH4構(gòu)成的材料氣體和H2氣體，并且通過加熱的催化線4分解材料氣體，形成非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)，能夠在催化線4被加熱至約170(TC的狀態(tài)下導(dǎo)入材料氣體，因此能夠使確實(shí)被加熱至約170(TC的催化線4與材料氣體接觸。由此，與未充分加熱的狀態(tài)(不足約1700°C)下的催化線4與材料氣體接觸的情況不同，能夠抑制材料氣體滯留在催化線4上，所以在非晶硅膜(半導(dǎo)體膜IO)的成膜開始時(shí)，能夠抑制在催化線4的表面形成由鴇(W)構(gòu)成的催化線4和由SiH4構(gòu)成的材料氣體的化合物(硅化鉤)。因此，能夠抑制由該化合物引起的催化線4的電阻率的變化，從而能夠抑制催化線4的溫度的控制變得困難。此外，在第一實(shí)施方式中，如上所述，在形成半導(dǎo)體膜10之后，進(jìn)行材料氣體的排氣，通過在材料氣體(SiH4)已實(shí)質(zhì)上被排出之后，停止對(duì)被加熱至約170(TC的催化線4的加熱，能夠抑制在催化線4的溫度比約170(TC低的狀態(tài)下的催化線4與SiH4的接觸。由此，能夠抑制在非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的制造工藝結(jié)束時(shí)，形成由鎢(W)構(gòu)成的催化線4和由SiH4構(gòu)成的材料氣體的化合物(硅化鎢)。從而，與上述同樣，能夠抑制催化線4的溫度的控制變得困難。(第二實(shí)施方式)在該第二實(shí)施方式中，不同于上述第一實(shí)施方式，對(duì)通過調(diào)壓氣體進(jìn)行反應(yīng)室內(nèi)的調(diào)壓之后導(dǎo)入材料氣體的例子進(jìn)行說明。因?yàn)樵诘诙?shí)施方式的半導(dǎo)體膜10的制造中使用的催化線CVD裝置與上述第一實(shí)施方式相同，所以省略說明。此外，在第二實(shí)施方式中，對(duì)基底20為非晶硅膜的例子進(jìn)行說明。在第二實(shí)施方式中，在催化線CVD裝置的設(shè)置部6上設(shè)置有由非晶硅膜構(gòu)成的基底20的狀態(tài)下，開始半導(dǎo)體膜10的生成。在以下的表3中表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜10的制造工藝。此外，在第二實(shí)施方式中，與上述第一實(shí)施方式相同，對(duì)使用表1所示的形成條件形成非晶硅膜(半導(dǎo)體膜IO)的例子進(jìn)行說明。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>在通過第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法形成非晶硅膜(半導(dǎo)體膜IO)時(shí)，首先，如表3所示，通過開始直流電源3的通電，將催化線4加熱至約1700°C。其后，在第二實(shí)施方式中，進(jìn)行反應(yīng)室l的調(diào)壓。具體而言，從氣體供給部2導(dǎo)入調(diào)壓氣體，調(diào)壓為非晶硅膜的形成時(shí)的反應(yīng)壓力(約3Pa)。調(diào)壓氣體是不含有作為非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的材料的SiH4等，而含有分壓為50。Z以上的氫(H2)的氣體。此外，在導(dǎo)入有調(diào)壓氣體時(shí)，包含在調(diào)壓氣體中的氫通過被加熱至約170(TC的催化線4而分解，產(chǎn)生氫自由基。其后，置換調(diào)壓氣體和材料氣體。g卩，將從氣體供給部2導(dǎo)入的氣體，從不包括SfflU的調(diào)壓氣體切換成由SiH4構(gòu)成的材料氣體和H2氣。由此，通過催化線4分解由SiH4構(gòu)成的材料氣體，同時(shí)在非晶硅(基底20)上堆積非晶硅，進(jìn)行非晶硅膜的成膜。然后，與上述第一實(shí)施方式相同，在進(jìn)行排氣之后停止對(duì)催化線4的加熱，結(jié)束第二實(shí)施方式的非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的制造。在第二實(shí)施方式中，如上所述，通過在已進(jìn)行調(diào)壓，利用調(diào)壓氣體使得非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)形成時(shí)的氣氛的壓力成為成膜時(shí)的壓力(約3Pa)的狀態(tài)下，置換調(diào)壓氣體和材料氣體，不同于不進(jìn)行調(diào)壓氣體的調(diào)壓的情況，能夠抑制在剛剛導(dǎo)入材料氣體時(shí)反應(yīng)室1內(nèi)的壓力變得不穩(wěn)定。由此，能夠抑制非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的成膜初期的膜質(zhì)不穩(wěn)定。此外，在第二實(shí)施方式中，如上所述，在基底20為非晶硅的情況下，利用含有分壓為50%以上的氫(H2)的調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓，利用氫的蝕刻作用，能夠在調(diào)壓時(shí)還原形成在催化線4上的化合物(硅化鴇)。由此，能夠抑制由于在催化線4上形成硅化物而引起的催化線4的電阻率的變化的產(chǎn)生。此外，由非晶硅構(gòu)成的基底20原本的原子等級(jí)(level)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)就不規(guī)則，因此氫自由基對(duì)基底20的蝕刻作用等幾乎不會(huì)對(duì)基底20的膜質(zhì)造成不良影響。第二實(shí)施方式的其他效果與上述第一實(shí)施方式相同。(第三實(shí)施方式)在第三實(shí)施方式中，與在加熱催化線4之后進(jìn)行調(diào)壓的上述第二實(shí)施方式不同，對(duì)在調(diào)壓之后進(jìn)行催化線4的加熱的例子進(jìn)行說明。在第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造中使用的催化線CVD裝置與上述第一和第二實(shí)施方式相同，所以省略說明。此外，在第三實(shí)施方式中，對(duì)基底20是由具有導(dǎo)電性和透光性的氧化錫(Sn02)等TCO(TransparentConductiveOxide:透明導(dǎo)電性氧化物)構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜的例子進(jìn)行說明。在第三實(shí)施方式中，在催化線CVD裝置的設(shè)置部6上設(shè)置有由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的基底20的狀態(tài)下，開始半導(dǎo)體膜10的生成。在以下的表4中表示第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造工藝。此外，在第三實(shí)施方式中，與上述第一實(shí)施方式相同，對(duì)使用表1所示的半導(dǎo)體膜的形成條件形成非晶硅膜(半導(dǎo)體膜10)的例子進(jìn)行說明。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>在通過第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法形成半導(dǎo)體膜時(shí)，首先，如表4所示，從氣體供給部2導(dǎo)入調(diào)壓氣體，調(diào)壓成非晶硅膜的生成時(shí)的反應(yīng)壓力(約3Pa)。調(diào)壓氣體是不包含作為半導(dǎo)體材料的SiH4等，不含氫或者含有微量的氫，且含有分壓為50X以上的Ar氣體的氣體。其后，通過開始直流電源3的通電，將催化線4加熱至約HO(TC。其后，與上述第二實(shí)施方式相同，進(jìn)行置換、成膜、排氣和通電的停止，結(jié)束第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造。在第三實(shí)施方式中，如上所述，在基底20為由氧化錫(Sn02)等TCO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜的情況下，利用不含氫或者含有微量的氫，且含有分壓為50X以上的Ar氣體的調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓，由此，與調(diào)壓氣體含有大量氫的情況不同，能夠抑制由透明導(dǎo)電膜被氫還原而引起的透明導(dǎo)電膜的損傷的產(chǎn)生。而且，即使在基底20為單晶硅(c-Si)的情況下，在調(diào)壓氣體中含有氫時(shí)，因?yàn)榇嬖诨妆挥纱呋€4分解的氫自由基蝕刻等，產(chǎn)生基底20的損傷的情況，所以作為調(diào)壓氣體，優(yōu)選使用含有分壓為50%以上的非氫氣體(Ar氣體等)的調(diào)壓氣體。第三實(shí)施方式的其他效果與上述第一實(shí)施方式相同。(第四實(shí)施方式)在第四實(shí)施方式中，對(duì)使用上述第二和第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法，制造薄膜類的光敏元件100的例子進(jìn)行說明。首先，參照?qǐng)D2，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體膜的制造方法制造的薄膜類的光敏元件IOO的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖2所示，光敏元件100包括基板101、表面電極層102、光電轉(zhuǎn)換層103、和背面電極層104?；?01由具有絕緣性表面并且具有透光性的玻璃構(gòu)成。此外，在基板101的上表面上形成有表面電極層102。該表面電極層102由具有導(dǎo)電性和透光性的氧化錫(Sn02)等TCO(透光性導(dǎo)電膜)構(gòu)成。此外，在表面電極層102的上表面上形成有由pin型的非晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換層103。該由pin型的非晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換層103由p型氫化非晶硅碳(a-SiC:H)層103a(以下稱p層103a)、i型氫化非晶硅(a-Si:H)層103b(以下稱i層103b)、和n型氫化非晶硅(a-Si:H)層103c(以下稱n層103c)構(gòu)成。此外，在光電轉(zhuǎn)換層103的上表面上形成有背面電極層104。背面電極層104具有由一對(duì)ZnO層夾持銀(Ag)層的表面和背面的結(jié)構(gòu)。接著，對(duì)圖2所示的光敏元件100的制造工藝進(jìn)行說明。作為光敏元件100的制造工藝，首先，在具有絕緣性表面的基板101的上表面上通過熱CVD(ChemicalVaporDeposition:化學(xué)氣相沉積)法，形成由氧化錫構(gòu)成的表面電極層102。接著，在表面電極層102的上表面上通過催化線CVD法，依次形成p層(p型氫化非晶硅碳層)103a、i層(i型氫化非晶硅層)103b、和n層(n型氫化非晶硅層)103c，由此形成由非晶硅類半導(dǎo)體構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換層103。此時(shí)，在由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的表面電極層102上形成p層(p型氫化非晶硅碳層)103a時(shí)，如上述第三實(shí)施方式所示，在利用不含有氫或者含有微量的氫的調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓之后，對(duì)催化線4(參照?qǐng)Dl)進(jìn)行加熱，其后，通過導(dǎo)入材料氣體，進(jìn)行成膜。此外，在p層103a上形成i層103b時(shí)，以及在i層103b上形成n層103c時(shí)，如上述第二實(shí)施方式所示，在利用含有分壓為50。^以上的氫的調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓之后，對(duì)催化線4(參照?qǐng)D1)進(jìn)行加熱，其后，導(dǎo)入材料氣體進(jìn)行成膜。其后，在光電轉(zhuǎn)換層103(n層103c)的上表面上，通過濺射法，形成由以銀為主要成分的金屬材料層(ZnO層(上層)/Ag層(中間層)/ZnO層(下層))構(gòu)成的背面電極層104。這樣，制造薄膜類的光敏元件100。在第四實(shí)施方式中，如上所述，使用上述第二和第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法，制造薄膜類的光敏元件100，由此能夠在制造光敏元件100時(shí)，抑制在催化線4的表面形成由鉤(W)構(gòu)成的催化線4和由SiH4構(gòu)成的材料氣體的化合物(硅化鎢)。因此，能夠抑制由該化合物引起的催化線4的電阻率的變化，從而能夠抑制催化線4的溫度的控制變得困難。由此，在通過催化線CVD法制造薄膜類的光敏元件IOO的情況下，能夠使光敏元件100的品質(zhì)穩(wěn)定。(第五實(shí)施方式)在第五實(shí)施方式中，對(duì)使用上述第二和第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法，制造異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200的例子進(jìn)行說明。首先，參照?qǐng)D3，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體膜的制造方法制造的異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖3所示，在第五實(shí)施方式的光敏裝置200中，在n型單晶硅(c隱Si)基板201的上表面上依次形成有非晶硅(a-Si)層202、表面電極層203。表面電極層203通過由ITO(氧化銦錫)構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜而形成。非晶硅層202由在n型單晶硅基板201的上表面上形成的實(shí)質(zhì)上本征的i型非晶硅層202a和在i型非晶硅層202a上形成的摻雜有硼(B)的p型非晶硅層202b構(gòu)成。i型非晶硅層202a的厚度是i型非晶硅層202a作為光活性層實(shí)質(zhì)上不對(duì)發(fā)電起作用的較小的厚度。此外，在n型單晶硅基板201的背面上，從接近n型單晶硅基板201的背面的位置開始依次形成有非晶硅層204和背面電極層205。背面電極層205通過由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜而形成。此外，非晶硅層204由在n型單晶硅基板201的背面上形成的實(shí)質(zhì)上本征的i型非晶硅層204a和在i型非晶硅層204a的背面上形成的摻雜有磷(P)的n型非晶硅層204b構(gòu)成。此外，i型非晶硅層204a的厚度是i型非晶硅層204a實(shí)質(zhì)上不對(duì)發(fā)電起作用的較小的厚度。而且，由i型非晶硅層204a、n型非晶硅層204b和背面電極層205構(gòu)成所謂的BSF(BackSurfaceField:背面電場(chǎng))結(jié)構(gòu)。接著，參照?qǐng)D3，對(duì)光敏元件200的制造工藝進(jìn)行說明。首先，在將洗凈的n型單晶硅基板201設(shè)置在真空腔室(未圖示)內(nèi)之后，通過在200°C以下的溫度條件下對(duì)n型單晶硅基板201進(jìn)行加熱，極力除去附著在n型單晶硅基板201的表面的水分。由此，能夠抑制附著在n型單晶硅基板201的表面的水分中的氧與硅結(jié)合而造成缺陷。接著，在將基板溫度保持在17(TC的狀態(tài)下，導(dǎo)入氫(H2)氣，并且對(duì)n型單晶硅基板201的上表面進(jìn)行加氫處理。由此，n型單晶硅基板201的上表面被清潔，并且氫原子吸附在n型單晶硅基板201的上表面附近。通過該吸附的氫原子，n型單晶硅基板201的上表面的缺陷非活性化(終端)。其后，在n型單晶硅基板201的表面和背面形成各層。具體而言，使用催化線CVD法，在n型單晶硅基板201的上表面上形成i型非晶硅層202a。此時(shí)，如上述第三實(shí)施方式所示，在利用不含有氫或者含有微量的氫的調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓之后，對(duì)催化線4(參照?qǐng)Dl)進(jìn)行加熱，其后，通過導(dǎo)入材料氣體，進(jìn)行成膜。接著，使用催化線CVD法，在i型非晶硅層202a上形成摻雜有硼(B)的p型非晶硅層202b。此時(shí)，如上述第二實(shí)施方式所示，在利用含有分壓為50%以上的氫的調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓之后，對(duì)催化線4(參照?qǐng)Dl)進(jìn)行加熱，其后，通過導(dǎo)入材料氣體，進(jìn)行成膜。接著，使用濺射法，在p型非晶硅層202b的上表面上形成由ITO(氧化銦錫)構(gòu)成的表面電極層203。接著，使用催化線CVD法，在n型單晶硅基板201的背面上形成i型非晶硅層204a。此時(shí)，如上述第三實(shí)施方式所示，在利用不含有氫或者含有微量的氫的調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓之后，對(duì)催化線4(參照?qǐng)Dl)進(jìn)行加熱，其后，通過導(dǎo)入材料氣體，進(jìn)行成膜。接著，使用催化線CVD法，在i型非晶硅層204a的背面上形成摻雜有磷(P)的n型非晶硅層204b。此時(shí)，如上述第二實(shí)施方式所示，在利用含有分壓為50%以上的氫的調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓之后，對(duì)催化線4(參照?qǐng)Dl)進(jìn)行加熱，其后，通過導(dǎo)入材料氣體，進(jìn)行成膜。最后，使用濺射法，在n型非晶硅層204b的背面上形成由ITO構(gòu)成的背面電極層205。這樣，形成圖3所示的異質(zhì)結(jié)型的光敏裝置200。在第五實(shí)施方式中，如上所述，使用上述第二和第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體膜的制造方法，制造異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200，由此能夠與上述第四實(shí)施方式同樣，在通過催化線CVD法制造異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200的情況下，能夠使光敏元件200的品質(zhì)穩(wěn)定。并且，在本次公開的實(shí)施方式中，應(yīng)理解所有的要點(diǎn)均為例示而并非限制性的內(nèi)容。本發(fā)明的范圍并不是由上述實(shí)施方式的說明表示，而是由權(quán)利要求的范圍表示，并且還包括與權(quán)利要求的范圍等同的意義，和在范圍內(nèi)的所有變更。例如，在上述實(shí)施方式中，作為材料氣體，表示了使用硅烷(SiH》氣體的例子，但是本發(fā)明不限于此，也可以使用乙硅烷(Si2H6)或丙硅垸(Si3H8)等其他硅烷類的氣體，也可以使用SiF2或SiH2F2等氟化硅類的氣體。此外，在上述實(shí)施方式中，使用由鉤(W)構(gòu)成的催化線4，但是本發(fā)明不限于此，也可以使用由鉭(Ta)等其他高熔點(diǎn)材料構(gòu)成的催化線。此外，在上述實(shí)施方式中，表示了在基底20上根據(jù)表1所示的成膜條件形成作為半導(dǎo)體膜10的非晶硅膜的例子，但是本發(fā)明不限于此，也可以通過變更成膜條件，形成作為半導(dǎo)體膜10的微晶硅和多晶硅等半導(dǎo)體膜。此外，在上述第三實(shí)施方式中，表示了使用分壓為50%以上的非氫氣體(Ar氣)作為調(diào)壓氣體的例子，但是本發(fā)明不限于此，作為非氫氣體，也可以使用氖(N)氣等其他稀有氣體、氟(F2)氣、氯(Cl2)氣、氮(N2)氣、二氧化碳(C02)氣體、或者甲烷(CH4)氣體等。此外，在上述實(shí)施方式中，表示了在進(jìn)行排氣時(shí)，通過真空泵對(duì)反應(yīng)室1內(nèi)的氣體進(jìn)行真空排氣的例子，但是本發(fā)明不限于此，也可以在供給不包括SiH4等成膜種的氣體(H2氣、Ar氣等)的同時(shí)進(jìn)行排氣。由此，能夠增大SiH4從反應(yīng)室1排出的速度。此外，成膜后，只要排出材料氣體(SiH4)即可，其他氣體(H2氣等)可以殘留在反應(yīng)室1內(nèi)。在殘留有H2氣的情況下，能夠通過蝕刻除去形成在催化線4的表面的化合物(硅化物)。此外，在上述第二實(shí)施方式中，表示了在將催化線4加熱至約170(TC之后，利用調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓，之后導(dǎo)入材料氣體進(jìn)行成膜的例子，但是本發(fā)明不限于此，在利用含有氫氣的調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓的情況下，也可以在將催化線加熱至約120(TC之后，利用調(diào)壓氣體進(jìn)行調(diào)壓，其后，在將催化線4加熱至約170(TC之后，導(dǎo)入材料氣體進(jìn)行成膜。由此能夠抑制調(diào)壓時(shí)氫的分解，從而能夠減輕由于氫分解而產(chǎn)生的氫自由基所引起的基底20的損傷。在這種情況下，基底20不限于非晶硅，可以是透明導(dǎo)電膜，也可以是單晶硅(c-Si)。此外，在上述第四和第五實(shí)施方式中，分別表示了制造薄膜類的光敏元件100和異質(zhì)結(jié)型的光敏元件200的例子，但是本發(fā)明不限于此，也能夠適用于具有使用催化線CVD法制造的半導(dǎo)體膜的全體光敏元件。此外，本發(fā)明不限于制造光敏元件的情況，也能夠適用于具有使用催化線CVD法制造的半導(dǎo)體膜的全體半導(dǎo)體元件。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于，包括將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和在所述催化線被加熱至所述規(guī)定的溫度以上之后，導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體，并且利用加熱的所述催化線分解所述材料氣體，形成半導(dǎo)體膜的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于，還包括在形成所述半導(dǎo)體膜之后，對(duì)所述材料氣體迸行排氣的工序；和在所述材料氣體已實(shí)質(zhì)上被排出之后，停止對(duì)被加熱至所述規(guī)定的溫度以上的催化線的加熱的工序。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括通過在基底上堆積所述己分解的材料氣體，在所述基底上形成所述半導(dǎo)體膜的工序。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于-所述基底包括非晶硅膜、透光性導(dǎo)電膜或單晶硅基板。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括在利用不含有所述材料氣體的調(diào)壓氣體將所述半導(dǎo)體膜的形成時(shí)的氣氛調(diào)壓為規(guī)定的壓力的狀態(tài)下，導(dǎo)入所述材料氣體的工序。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括通過在基底上堆積所述已分解的材料氣體，在所述基底上形成所述半導(dǎo)體膜的工序，在所述半導(dǎo)體膜的基底是非晶硅的情況下，所述調(diào)壓氣體含有分壓為50%以上的氫。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括通過在基底上堆積所述己分解的材料氣體，在所述基底上形成所述半導(dǎo)體膜的工序，在所述半導(dǎo)體膜的基底是透明導(dǎo)電膜的情況下，所述調(diào)壓氣體含有分壓為50。％以上的非氫氣體。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于所述調(diào)壓氣體含有氫，將所述催化線加熱至所述規(guī)定的溫度以上的工序包括在導(dǎo)入所述材料氣體之前，在利用所述調(diào)壓氣體向所述規(guī)定的壓力進(jìn)行調(diào)壓時(shí)，使所述催化線的溫度處于低于所述規(guī)定的溫度的狀態(tài)的工序；禾口在利用所述調(diào)壓氣體調(diào)壓至所述規(guī)定的壓力之后，在導(dǎo)入所述材料氣體之前將所述催化線的溫度加熱至所述規(guī)定的溫度以上的工序。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于所述材料氣體包括硅垸氣體，所述規(guī)定的溫度為170(TC以上。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體膜的制造方法，其特征在于所述材料氣體包括硅垸氣體，所述催化線由通過與硅烷氣體接觸而形成硅化物的金屬構(gòu)成。11.一種光敏元件的制造方法，其特征在于，包括將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和在將所述催化線加熱至所述規(guī)定的溫度以上之后，導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體，并且通過加熱的所述催化線分解所述材料氣體，形成作為光電轉(zhuǎn)換層起作用的半導(dǎo)體膜的工序。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的光敏元件的制造方法，其特征在于，還包括在形成所述半導(dǎo)體膜之后，對(duì)所述材料氣體進(jìn)行排氣的工序；和在所述材料氣體已實(shí)質(zhì)上被排出之后，停止對(duì)被加熱至所述規(guī)定的溫度以上的催化線的加熱的工序。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光敏元件的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括通過在基底上堆積所述已分解的材料氣體，在所述基底上形成所述半導(dǎo)體膜的工序。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光敏元件的制造方法，其特征在于所述基底包括非晶硅膜、透光性導(dǎo)電膜或單晶硅基板。15.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的光敏元件的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括在利用不含有所述材料氣體的調(diào)壓氣體將所述半導(dǎo)體膜的形成時(shí)的氣氛調(diào)壓為規(guī)定的壓力的狀態(tài)下，導(dǎo)入所述材料氣體的工序。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光敏元件的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括通過在基底上堆積所述已分解的材料氣體，在所述基底上形成所述半導(dǎo)體膜的工序，在所述半導(dǎo)體膜的基底是非晶硅的情況下，所述調(diào)壓氣體含有分壓為50%以上的氫。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光敏元件的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體膜的工序包括通過在基底上堆積所述己分解的材料氣體，在所述基底上形成所述半導(dǎo)體膜的工序，在所述半導(dǎo)體膜的基底是透明導(dǎo)電膜的情況下，所述調(diào)壓氣體含有分壓為50%以上的非氫氣體。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光敏元件的制造方法，其特征在于所述調(diào)壓氣體含有氫，將所述催化線加熱至所述規(guī)定的溫度以上的工序包括在導(dǎo)入所述材料氣體之前，在利用所述調(diào)壓氣體向所述規(guī)定的壓力進(jìn)行調(diào)壓時(shí)，使所述催化線的溫度處于低于所述規(guī)定的溫度的狀態(tài)的工序；和在利用所述調(diào)壓氣體調(diào)壓至所述規(guī)定的壓力之后，在導(dǎo)入所述材料氣體之前將所述催化線的溫度加熱至所述規(guī)定的溫度以上的工序。19.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的光敏元件的制造方法，其特征在于所述材料氣體包括硅垸氣體，所述規(guī)定的溫度為170(TC以上。20.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的光敏元件的制造方法，其特征在于所述材料氣體包括硅烷氣體，所述催化線由通過與硅烷氣體接觸而形成硅化物的金屬構(gòu)成。全文摘要本發(fā)明提供能夠抑制催化線的溫度的控制變得困難的半導(dǎo)體膜的制造方法和光敏元件的制造方法。該半導(dǎo)體膜的制造方法包括將催化線加熱至規(guī)定的溫度以上的工序；和在催化線被加熱至規(guī)定的溫度以上之后，導(dǎo)入半導(dǎo)體的材料氣體，并且利用加熱的催化線分解材料氣體，形成半導(dǎo)體膜的工序。文檔編號(hào)H01L31/20GK101295639SQ20081009125公開日2008年10月29日申請(qǐng)日期2008年4月23日優(yōu)先權(quán)日2007年4月23日發(fā)明者寺川朗,淺海利夫申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社