專利名稱：封裝晶片的堆棧結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要是提供一種半導(dǎo)體堆桟結(jié)構(gòu)，更特別的是有關(guān)于 一種使用柔性襯底形成晶粒堆棧結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代3C產(chǎn)品對(duì)于存儲(chǔ)器模組的容量需求是日漸增加，然 而，存儲(chǔ)器的容量的增加速率并不能符合市場(chǎng)的需求。因此，技 術(shù)上的差距在現(xiàn)今可以利用堆棧存儲(chǔ)器晶片以提供足夠的存儲(chǔ) 器容量的需求。
晶片堆棧技術(shù)為已知且為成熟的技術(shù)，如美國公告號(hào)5，2 9 15,061專利揭露一種晶粒的堆棧結(jié)構(gòu)，是將兩個(gè)或是多 個(gè)晶片相互的堆棧，然而以打線(wiring bonding)的方式電性 連接至共享的載板上；然為使此堆棧在上的晶粒不會(huì)壓到下層晶
粒上的金屬導(dǎo)線，故必須要在上下晶粒之間放入 一 間隔物 (spacer);如此，將會(huì)使得晶粒的堆棧結(jié)構(gòu)無法有效地縮小封 裝的尺寸，同時(shí)也增加制造上的程序。
另外，如圖1 ，美國公告第5 ， 4 4 8 ， 5 1 1號(hào)專利中揭露
7晶粒設(shè)置在具有柔性的連接元件上，且借著將柔性連接元件彎折
以形成一存儲(chǔ)器堆棧結(jié)構(gòu)(memory stack structure),以使晶 粒是堆棧在另一晶粒上。很明顯地，在進(jìn)行晶粒柔性連接元件的 彎折過程中，是必須要保持晶粒間的對(duì)準(zhǔn)度；然而這是很困難的， 因?yàn)槿嵝赃B接元件具有其撓度。因此，如美國公告號(hào)6,2 2 5，
6 8 8專利即揭露另一種晶粒的堆棧結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)電子元件置 放在具有多個(gè)連接區(qū)域(attachment sites)的軟性襯底上且與 延伸至連接區(qū)域的導(dǎo)線層(wiring layer)電性連接。當(dāng)軟性襯 底連續(xù)彎折而形成堆棧結(jié)構(gòu)后，為使設(shè)置在襯底上的每一個(gè)電子 元件必須以垂直的方式相互對(duì)準(zhǔn)，故其必須使用 一 鎖固元件
(securing element) 來達(dá)成。
在上述以柔性連接元件或是軟性襯底作為晶粒堆棧的先前 技術(shù)中，如何在柔性連接元件或是軟性襯底的彎折過程中，保持 每一個(gè)晶粒之間的對(duì)準(zhǔn)的精確度，是很困難的。為此，本發(fā)明提 出一種堆棧的封裝結(jié)構(gòu)，可以不用考慮柔性連接元件或是軟性襯 底在形成堆棧封裝的過程中，需要保持每一個(gè)晶粒之間的對(duì)準(zhǔn)的 精確度的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問題，本發(fā)明的主要目的在于提供一種晶粒堆棧 結(jié)構(gòu)，用以提升工藝良率，進(jìn)而降低制造的成本。
本發(fā)明的另一主要目的在于提供一種晶片堆棧結(jié)構(gòu)，用以縮小封裝結(jié)構(gòu)尺寸以達(dá)到提高存儲(chǔ)器容量。
據(jù)此，本發(fā)明揭露一種封裝晶片的堆棧結(jié)構(gòu)，包括 一線路 載板，于一正面上配置有多個(gè)接點(diǎn)及多個(gè)端點(diǎn)； 一柔性襯底，具 有一正面及一背面，柔性襯底的接近一中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接
端點(diǎn)，且多個(gè)連接端點(diǎn)經(jīng)由多條導(dǎo)線與向外延伸(fan out)到 至少一 自由端的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)電性連接，其中向外延伸的多個(gè)導(dǎo) 電端點(diǎn)是曝露于柔性襯底的正面，而多個(gè)連接端點(diǎn)是曝露于柔性 襯底的該背面，同時(shí)柔性襯底的正面的接近中央?yún)^(qū)域形成一晶粒 置放區(qū)； 一第一晶粒，其一主動(dòng)面上具有多個(gè)第一焊墊，第一晶 粒的背面是以一粘著層固接于柔性襯底的晶粒置放區(qū)上，且以覆 晶方式將第一晶粒及柔性襯底翻轉(zhuǎn)，以使第一晶粒的主動(dòng)面上的 多個(gè)第一焊墊電性連接于載板上的多個(gè)端點(diǎn)；及第二晶粒，其主 動(dòng)面上具有多個(gè)第二焊墊，第二晶粒是以覆晶方式將主動(dòng)面上的 多個(gè)第二焊墊電性連接于曝露于柔性襯底的背面的多個(gè)連接端 點(diǎn)；其中，柔性襯底的自由端向下彎折以使柔性襯底上的向外延 伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)電性連接于線路載板上的多個(gè)端點(diǎn)。
本發(fā)明另揭露一種晶片堆棧結(jié)構(gòu)，包含 一線路載板，于 一正面上配置有多個(gè)接點(diǎn)及多個(gè)端點(diǎn)； 一第一柔性襯底，具有一 正面及一背面，第一柔性襯底的一正面接近一中央?yún)^(qū)域配置有多 個(gè)連接端點(diǎn)，且多個(gè)連接端點(diǎn)經(jīng)由多條導(dǎo)線與向外延伸(fan out)到至少一自由端的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)電性連接，其中多個(gè) 連接端點(diǎn)是曝露于第一柔性襯底的正面，而向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)是曝露于第一柔性襯底的正面的至少一側(cè)邊上； 一第一晶粒，其一主動(dòng)面上具有多個(gè)第一焊墊，是以覆晶方式將第一晶粒 的主動(dòng)面上的多個(gè)第一焊墊電性連接于第一柔性襯底上的多個(gè) 連接端點(diǎn)，且將第一晶粒的一背面以一第一粘著層固接于線路載板的正面上； 一第二柔性襯底，第二柔性襯底的結(jié)構(gòu)與該第一柔 性襯底相同，其中第二柔性襯底的多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸的多 個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)之間的距離大于第一柔性襯底的多個(gè)連接端點(diǎn) 與向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)之間的距離； 一第二晶粒，其一主動(dòng)面上具有多個(gè)第二焊墊，是以覆晶方式將第二晶粒的主動(dòng)面 上的多個(gè)第二焊墊電性連接于第二柔性襯底上的多個(gè)連接端點(diǎn)， 且將第二晶粒的一背面以一第二粘著層固接于第一柔性襯底的 一背面上；其中，第一柔性襯底及第二柔性襯底的自由端向下彎 折，以使第一柔性襯底的向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)及第二柔 性襯底上的向外延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)分別電性連接于線路 載板上的多個(gè)端點(diǎn)。本發(fā)明還揭露一種曰 曰曰片堆棧結(jié)構(gòu)，包含 一線路載板，于一正面上配置有多個(gè)i山 _fcr 乂而點(diǎn)5 一-第一柔性襯底，具有一正面及一背面，第一柔性襯底的正面接近一中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接端點(diǎn)，且多個(gè)連接端點(diǎn)經(jīng)由多條導(dǎo)線與向外延伸(fan out)到至少一自由端的多個(gè)第一導(dǎo)電端占電性連接，其中多個(gè)連接端點(diǎn)是曝露于第一柔性襯底的正面，而向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)是曝露于第一柔性襯底的正面的至少一側(cè)邊上； 一第一晶粒，其一主動(dòng)面上具有多個(gè)第一焊墊，是以覆晶方式將第一晶粒的該主動(dòng)面上的多個(gè)第一焊墊電性連接于第一柔性襯底上的多個(gè)連接端點(diǎn)，且將第一 晶粒的一背面以一第一粘著層固接于線路載板的正面上；一第二柔性襯底，第二柔性襯底的結(jié)構(gòu)與第一柔性襯底相同，其中第二 柔性襯底的多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)之間 的距離大于第一柔性襯底的多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)之間的距離； 一第二晶粒，其一主動(dòng)面上具有多個(gè)第 二焊墊，是以覆晶方式將第二晶粒的主動(dòng)面上的多個(gè)第二焊墊電 性連接于第二柔性襯底上的該些連接端點(diǎn)，且將該第二晶粒的一 背面以一第二粘著層固接于該第一柔性襯底的一背面上；其中， 第一柔性襯底及第二柔性襯底的自由端向下彎折，以使第一柔性 襯底的向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)及第二柔性襯底上的向外 延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)分別電性連接于線路載板上的多個(gè)端 點(diǎn)。本發(fā)明另揭露一種模組化的晶片堆棧結(jié)構(gòu)，包含 一線路載 板，于一正面上配置有多個(gè)端點(diǎn)； 一第一柔性襯底，是平均分割 成多個(gè)區(qū)域，而每一個(gè)區(qū)域的接近一中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接端 點(diǎn)，且多個(gè)連接端點(diǎn)經(jīng)由多條導(dǎo)線與位于第一柔性襯底至少一側(cè) 邊的向外延伸(fan out)到至少一 自由端的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn) 電性連接，其中多個(gè)連接端點(diǎn)是曝露于第一柔性襯底的一正面， 而向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)是曝露于第一柔性襯底的正面 的至少一側(cè)邊上；多個(gè)第一晶粒，每一個(gè)第一晶粒的一主動(dòng)面上具有多個(gè)第一焊墊，且每一個(gè)第一晶粒是以覆晶方式將主動(dòng)面上 的多個(gè)第一焊墊電性連接于第一柔性襯底上的多個(gè)連接端點(diǎn)，且 將每一個(gè)第一晶粒的一背面以一第一粘著層固接于線路載板的 正面上； 一第二柔性襯底，第二柔性襯底的結(jié)構(gòu)與該第一柔性襯 底相同，其中第二柔性襯底的多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)之間的距離大于第一柔性襯底的多個(gè)連接端點(diǎn)與向 外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)之間的距離；多個(gè)第二晶粒，每一個(gè) 第二晶粒的一主動(dòng)面上具有多個(gè)第二焊墊，且以覆晶方式將第二 晶粒的主動(dòng)面上的多個(gè)第二焊墊電性連接于第二柔性襯底上的 多個(gè)連接端點(diǎn)，且將第二晶粒的一背面以一第二粘著層固接于第 一柔性襯底的一背面上；其中，第一柔性襯底及第二柔性襯底的 自由端向下彎折，以使第一柔性襯底上的向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo) 電端點(diǎn)及第二柔性襯底上的向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)分別 電性連接于載板上的多個(gè)端點(diǎn)。


為使對(duì)本發(fā)明的目的、構(gòu)造、特征、及其功能有進(jìn)一步的了 解，以下配合實(shí)施例及附圖詳細(xì)說明如后，其中 圖1是表示已知的晶粒堆棧結(jié)構(gòu)；圖2是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示一晶圓上具有多個(gè)晶 粒的俯視圖；圖3 A至圖3 C是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示配置在柔性襯底上的線路布局示意圖；圖4 A至圖4 C是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示將多個(gè)晶 粒配置在柔性襯底上的各步驟示意圖；圖5 A至圖5 D是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示形成晶粒 堆棧結(jié)構(gòu)的步驟示意圖；圖6 A至圖6 C是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表表示配置在 柔性襯底上的線路布局示意圖；圖7 A至圖7 D是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示形成模組 化的晶粒堆棧結(jié)構(gòu)的各步驟示意圖；圖8 A至圖8 C是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示具有線路 布局的柔性襯底的示意圖；圖9 A至圖9 F是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示將晶粒堆 棧結(jié)構(gòu)的各步驟示意圖；圖l OA至圖l 0 C是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示具有 線路布局的柔性襯底的示意圖；及圖l 1A至圖1 1 E是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示形成 模組化的晶粒堆棧結(jié)構(gòu)的各步驟示意圖。主要元件符號(hào)說明 1 0…晶圓 1 0 3…粘著層110、 1 1 0 A、 110 B…晶粒112、 1 1 2 A、 112 B…焊墊2 0、 2 0 A、 20 B…柔性襯底2 1 0晶粒置放區(qū)2 10 1…連接端點(diǎn)2 10 2…導(dǎo)電端點(diǎn)2 10 3…導(dǎo)線2 2 0…切割道3 0…線路載板 3 0 2…端點(diǎn)3 0 4…接點(diǎn)4 0 A、 4 0 B…粘著層具體實(shí)施方式
本發(fā)明在此所探討的方向?yàn)橐环N晶片堆棧結(jié)構(gòu)及其形成方 法。為了能徹底地了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳盡的封 裝步驟。顯然地，本發(fā)明的施行并未限定半導(dǎo)體或是晶粒的封裝 方法的技術(shù)者所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。另一方面，眾所周知的半導(dǎo)體 及晶粒的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法及其等后段工藝的詳細(xì)步驟并 未描述于細(xì)節(jié)中，以避免造成本發(fā)明不必要的限制。然而，對(duì)于 本發(fā)明的較佳實(shí)施例，則會(huì)詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描 述的外，本發(fā)明還可以廣泛地施行在其它的實(shí)施例中，且本發(fā)明 的范圍不受限定，其以本發(fā)明的權(quán)利要求范圍為準(zhǔn)。在現(xiàn)代的半導(dǎo)體封裝工藝中，均是將一個(gè)已經(jīng)完成前段工藝(Front End Proces s )的晶圓(wafer )先進(jìn)行薄化處理(Thinning Process),將晶片的厚度研磨至2 — 2 0 mil之間；然后，再 涂布(coating)或網(wǎng)印(printing)—層高分子(polymer)材 料于晶片的背面，此高分子材料可以是一種樹脂(resin)，特別 是一種B-stage樹脂。再經(jīng)由一個(gè)烘烤或是照光工藝，使得高分 子材料呈現(xiàn)一種具有粘稠度的半固化膠；再接著，將一個(gè)可以移 除的膠帶(tape)貼附于半固化狀的高分子材料上；然后，進(jìn)行 晶圓的切割(sawing process),使晶圓成為 一 顆顆的晶片(d i e )。圖2是根據(jù)本發(fā)明所揭露的技術(shù)，表示一晶圓上具有多個(gè)晶 粒的俯視圖。如圖2所示，是提供一晶圓1 0 ，且于晶圓1 0上 具有多個(gè)晶粒l1O，且每一顆晶粒l1O的主動(dòng)面上具有多個(gè) 焊墊1 1 2 。接著，切割晶圓1 0以得到多個(gè)晶粒110。接著，圖3 A至圖3 C是表示配置在襯底上的線路布局示意 圖。圖3 A是表示在柔性襯底2 0的線路布局的透視圖，其中， 在柔性襯底2 0具有一正面及一背面，且柔性襯底2 0的接近一 中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接端點(diǎn)2 10 1 ，且多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 0 1經(jīng)由多條導(dǎo)線2 1 0 3與向外延伸(fan out)的多個(gè)導(dǎo)電端 點(diǎn)2 1 0 2電性連接，在此，向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2 是曝露于柔性襯底2 0的正面，如圖3 B所示；而多個(gè)連接端點(diǎn) 2 10 1是曝露于柔性襯底2 0外，柔性襯底2 0可由切割刀(未在圖中表示)在柔性襯底2 0 的正面及/或背面上，且在相鄰的每一個(gè)晶粒置放區(qū)2 1 Q之間， 以切割出多條切割道或割道2 2 0 。接著，圖4 A至圖4C是表示將多個(gè)晶粒配置在柔性襯底上 的各步驟示意圖。首先，如圖4A，是表示多個(gè)晶粒l 1 0置放 在柔性襯底2 0上的俯視圖，是針對(duì)每一顆晶粒l 1 O進(jìn)行測(cè) 試，然后將己完成測(cè)試及且為良好的晶粒(Known good die) 1 1 0，使用具有精確控制位移的機(jī)器設(shè)備(未在圖中表示)，例 如取放裝置，將每一顆好的晶粒1 1 0拾起，并且以晶粒1 1 0 的背面對(duì)準(zhǔn)柔性襯底2 0的正面的晶粒置放區(qū)2 1 0上置放，使 得每一顆晶粒l 1 0的背面貼附在柔性襯底2 0上，且每一顆晶 粒1 1 0的背面更由粘著層1 0 3與固接于柔性襯底2 0的正 面，如圖4B所示。接著，如圖4C所示，是將圖3B的結(jié)構(gòu)上 下反轉(zhuǎn)，是將柔性襯底2 0的正面上的晶粒1 1 0的主動(dòng)面朝 下，在柔性襯底2 0的背面上的連接端點(diǎn)2 10 1朝上。根據(jù)以上所述，在本實(shí)施例中，將晶粒1 1 0對(duì)準(zhǔn)置放在柔 性襯底2 0的晶粒置放區(qū)2 1 0的步驟是陳述如下進(jìn)行晶圓切 割步驟，并使每一顆晶粒l 1 0的背面朝上；再接著，使用取放 裝置(未于圖中顯示)將每一顆晶粒1 1 0吸起并放置于襯底2 0上；當(dāng)取放裝置要將晶粒1 1 0放置于柔性襯底2 0上時(shí)，可 以再由柔性襯底2 0上的參考點(diǎn)(未于圖中顯示)來計(jì)算出晶粒 110的相對(duì)位置，再加上取放裝置不需要將晶粒11o翻轉(zhuǎn)，因此可以將晶粒1 1 0精確地放置于柔性襯底2 0的每一個(gè)晶 粒置放區(qū)2 1 0上。故當(dāng)多個(gè)晶粒1 1 O重新配置在新的柔性襯 底2 0上時(shí)，就不會(huì)因?yàn)闊o法對(duì)準(zhǔn)而產(chǎn)生準(zhǔn)確度以及可靠度的問題。接著，圖5 A至圖5 D是表示形成晶粒堆棧結(jié)構(gòu)的步驟示意 圖。首先，利用切割刀(未在圖中表示)根據(jù)柔性襯底2 0上預(yù) 先設(shè)置的切割道2 2 0的位置切割柔性襯底2 0 ，以使得每一個(gè) 切割的后的結(jié)構(gòu)包含一固定長度的柔性襯底2 0及一第一晶粒1 1 0 A，如圖5 A所示。在此，第一柔性襯底2 0具有一正面 及一背面，且接近第一晶粒l 1 0 A的中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接 端點(diǎn)2 1 0 1 ，這些連接端點(diǎn)2 1 0 l由多條導(dǎo)線2 1 0 3與向 外延伸(fan out)的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接，且向外 延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2曝露于柔性襯底2 0的正面，及多 個(gè)連接端點(diǎn)2 10 1是曝露于柔性襯底2 0的背面；同時(shí)，柔性 襯底2 0的正面的接近中央?yún)^(qū)域形成一晶粒置放區(qū)2 10。緊接著，將測(cè)試良好的第一晶粒1 1 OA的一背面由一粘著 層1 0 3固接在柔性襯底2 0的晶粒置放區(qū)2 1 0上，其中第一 晶粒l 1 0 A的主動(dòng)面上具有多個(gè)第一焊墊1 1 2;接著，以覆 晶方式將第一晶粒l 1 0A及柔性襯底2 0翻轉(zhuǎn)，以使第一晶粒1 1 0 A的主動(dòng)面上的多個(gè)第一焊墊1 1 2A電性連接于線路載 板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 ，如圖5 B。在此實(shí)施例中，粘著層1 0 3可以是貼附在晶粒背面的二階段熱固性膠材(B-stage)或是將膠帶(tape)形成在線路載板或是晶粒的背面上。緊接著，使用具有精確控制位移的機(jī)器設(shè)備(未在圖中表示)，例如取放裝置，將每一顆好的第二晶粒l 1 0B拾起，并 且使第二晶粒l10B的主動(dòng)面的多個(gè)第二焊墊112B對(duì)準(zhǔn)曝 露于柔性襯底2 0的背面上的多個(gè)連接端點(diǎn)2101 ，使得每一 顆第二晶粒l12B的主動(dòng)面的多個(gè)第二焊墊112B與柔性襯 底2 0的背面的多個(gè)連接端點(diǎn)2 10 1電性連接。在此，柔性襯 底2 0的自由端向下彎折以使柔性襯底2 0上的向外延伸的多 個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接于線路載板3 0的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 ，由此，柔性襯底2 0的自由端向下彎折，使得柔性襯底2 0 上的向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 。于一實(shí)施例中，柔性襯底2 0的自由端 分別在柔性襯底2 0的兩側(cè)，且于兩側(cè)上均布設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn) 2 10 2，因此，將柔性襯底2 0兩側(cè)的自由端向下彎折，以使 柔性襯底2 0的兩側(cè)的向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性 連接于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 ，如圖5 C所示。于另 一實(shí)施例，柔性襯底2 0的自由端是在柔性襯底2 0的一側(cè)邊， 且在此側(cè)邊上具有多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2 ，因此，將柔性襯底2 0的一側(cè)的自由端向下彎折，以使柔性襯底2 0的一側(cè)的向外延 伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接于線路載板3 0上的多個(gè) 端點(diǎn)3 0 2 ，如圖5 D所示。最后，再于線路載板3 0的另一面 上形成多個(gè)電性連接元件(未顯示于圖中)，例如金屬凸塊(studb認(rèn)p)或是錫球(solder ball)。接著，請(qǐng)參考圖6A至圖6C，是表示配置在柔性襯底上的 線路布局示意圖。圖6 A是表示在柔性襯底2 0的線路布局的透 視圖，其中，在柔性襯底2 0具有一正面及一背面且平均分割成 多個(gè)區(qū)域，且每一個(gè)區(qū)域接近中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 0 1 ，且每一個(gè)連接端點(diǎn)經(jīng)由多條導(dǎo)線2 10 3與位于柔性襯底 2 0至少一側(cè)邊的向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接； 在此，向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2是曝露于柔性襯底2 0 的每一個(gè)區(qū)域的一正面的至少一側(cè)邊上，如圖6B所示；而多個(gè) 連接端點(diǎn)2 10 1是曝露于柔性襯底2 0的每一個(gè)區(qū)域的一背 面，如圖6C所示；同時(shí)，柔性襯底2 O的每一個(gè)區(qū)域的正面的 接近中央?yún)^(qū)域形成多個(gè)晶粒置放區(qū)2 10。接著，圖7 A至圖7D是表示形成模組化的晶粒堆棧結(jié)構(gòu)的 各步驟示意圖。如圖7A，是表示將多個(gè)第一晶粒l 1 OA置放 在柔性襯底2 0上的俯視圖，首先，是針對(duì)每一顆第一晶粒1 10 A進(jìn)行測(cè)試，然后將已完成測(cè)試及且為良好的第一晶粒(Known good die) 1 1 0A，使用具有精確控制位移的機(jī)器設(shè)備(未在 圖中表示)，例如取放裝置，將每一顆好的晶粒l 1 0拾起，并 且以晶粒1 1 0的背面對(duì)準(zhǔn)柔性襯底2 0的正面的晶粒置放區(qū)2 1 0上置放，使得每一顆第一晶粒1 1 0 A的背面由一粘著層1 0 3固接于柔性襯底2 0的每一區(qū)域的正面的每一個(gè)晶粒置 放區(qū)2 1 0上，且以覆晶方式將具有多個(gè)第一晶粒1 1 0 A的柔性襯底2 0A翻轉(zhuǎn)，以使每一個(gè)第一晶粒l 1 OA的主面上的多 個(gè)第一焊墊l 1 2 A電性連接于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)30 2，如圖7B所示。在此實(shí)施例中，粘著層l 0 3可以是膠帶(tape)或是二階段熱固性膠材(B-stage)。緊接著，使用具有精確控制位移的機(jī)器設(shè)備(未在圖中表 示)，例如取放裝置，將每一顆好的第二晶粒l 1 OB拾起，并 且使第二晶粒l10B的主動(dòng)面的多個(gè)第二焊墊112B對(duì)準(zhǔn)曝 露于柔性襯底2 0的背面上的多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 0 1 ，使得每一 顆第二晶粒li2B的主動(dòng)面的多個(gè)第二焊墊112B與柔性襯 底2 0的背面的多個(gè)連接端點(diǎn)2 10 1電性連接。在此，柔性襯 底2 0的自由端向下彎折，以使柔性襯底2 0上的向外延伸的多 個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接于線路載板3 0的多個(gè)端點(diǎn)3 02 ，由此，柔性襯底2 0的自由端向下彎折，使得柔性襯底2 0 上的向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接于線路載板30上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 。于一實(shí)施例中，柔性襯底2 0的自由端 分別在柔性襯底2 0的兩偵U，且于兩側(cè)上均布設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 10 2，因此，將柔性襯底2 0兩側(cè)的自由端向下彎折，以使 柔性襯底2 0的兩側(cè)的向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性 連接于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 ，如圖7 C所示。于另 一實(shí)施例，柔性襯底2 0的自由端是在柔性襯底2 0的一側(cè)邊， 且在此側(cè)邊上具有多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2 ，因此，將柔性襯底20的一側(cè)的自由端向下彎折，以使柔性襯底2 0的一側(cè)的向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接于線路載板3 0上的多個(gè) 端點(diǎn)3 0 2 ，如圖7 D所示。最后，再于線路載板3 0的另一面 上形成多個(gè)電性連接元件(未顯示于圖中)，例如金屬凸塊(stud bump)或是錫球(solder ball)。因此，根據(jù)以上所述，在本實(shí)施例中，以相同尺寸大小及相 同功能的晶粒1 1 0來說，若以每一顆存儲(chǔ)器容量為2 5 6 MB 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)晶粒進(jìn)行多晶粒堆棧，如圖7C 或圖7 D中所示，其模組化的晶粒堆棧結(jié)構(gòu)是具有至少8顆2 5 6 MB的晶粒，因此可以形成至少2 GB容量的BGA封裝的存儲(chǔ)器 模組。由柔性襯底2 Q的兩端的導(dǎo)電端點(diǎn)取代傳統(tǒng)晶粒堆棧的電 性連接元件可以大幅度的縮小晶粒堆棧尺寸，而且可以堆棧成具 有高存儲(chǔ)器容量、積密度小的存儲(chǔ)器模組。接下來，請(qǐng)參考圖8A至圖8C，是表示具有線路布局的柔 性襯底的示意圖。首先，如圖8A所示，柔性襯底2 0具有一正 面及一背面，且在第一柔性襯底2 0的正面接近一中央?yún)^(qū)域配置 有多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 Q l且經(jīng)由多條導(dǎo)線2 1 0 3與向外延伸 的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接，在此，多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 0 1是曝露于柔性襯底2 0的正面，而向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2是曝露于柔性襯底2 0的正面上，如圖8B所示。于圖8 C是表示柔性襯底2 0的背面的示意圖。接著，參考圖9A至圖9F，是表示將晶粒堆棧結(jié)構(gòu)的各步 驟示意圖。首先，圖9 A是表示多個(gè)晶粒1 1 0以覆晶方式置放在柔性襯底2 0上的俯視圖。首先，針對(duì)每一顆晶粒1 1 0進(jìn)行測(cè)試，然后將已完成測(cè)試及且為良好的晶粒1 1 0 (Known good die)，使用具有精確控制位移的機(jī)器設(shè)備(未在圖中表示)，例 如取放裝置，將每一顆好的晶粒1 1 0拾起，并且以晶粒1 1 0 的主動(dòng)面朝下對(duì)準(zhǔn)柔性襯底2 0的正面上的晶粒置放區(qū)2 1 0 置放，使得每一顆晶粒l10的主動(dòng)面的多個(gè)焊墊112與柔性 襯底2 0的正面上鄰近于晶粒置放區(qū)2 1 O的中央?yún)^(qū)域的多個(gè) 連接端點(diǎn)2 10 1電性連接，如圖9 B所示。接著，由切割刀(未 在圖中表示)根據(jù)在柔性襯底2 0上的多個(gè)切割道(未在圖中表 示)進(jìn)行切割，使得經(jīng)切割的后的每一個(gè)結(jié)構(gòu)包含一柔性襯底20 A及一第一晶粒1 1 0 A，如圖9 C所示，且此第一柔性襯底20 A的線路布局結(jié)構(gòu)與先前所述相同，在此不再重復(fù)敘述。接著，接下來，是將具有第一晶粒l 1 OA的一背面以第一 粘著層4 0A固接在線路載板3 0的正面上，如圖9C所示，且 第一柔性襯底2 0 A的自由端可向下彎折，以使得第一柔性襯底2 OA的向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接于線 路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 。于另一實(shí)施例中，其第一粘著 層4 0 A可先設(shè)置在線路載板3 0的正面上，再將第一晶粒1 10A的背面由第一粘著層4 0A固接在線路載板3 0的正面上。接著，請(qǐng)參考圖9 D，是將第二柔性襯底2 0 B上的第二晶 粒l 1 0B的背面由第二粘著層4 0B固接在第i柔性襯底2 0 A的背面上，其中第二柔性襯底2 0 B的結(jié)構(gòu)與第一柔性襯底2220A相同，在此，第二柔性襯底2 0B的多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 0 2 與向外延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2之間的距離大于第一 柔性襯底2 0 A的多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 0 l與向外延伸的多個(gè)第 一導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2之間的距離。因此，根據(jù)以上所述，第二柔 性襯底2 0 B的自由端可以向下彎折，以使得第二柔性襯底2 0 B上的向外延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接于線路 載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 。如圖9 D所示，第一柔性襯底2 OA及第二柔性襯底2 0 B 具有至少兩側(cè)邊的自由端，使得第一柔性襯底2 0 A的向外延伸 的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2與第二柔性襯底2 0B的向外延 伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2分別電性連接于線路載板3 0 上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2。于另一實(shí)施例中，第一柔性襯底2 0 A及 第二柔性襯底2 0 B具有至少一側(cè)邊的自由端，使得第一柔性襯 底2 0A的向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2與第二柔性 襯底2 0B的向外延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2分別在同 一側(cè)邊電性連接于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2，如圖9 E 所示。圖9 F是表示第一柔性襯底2 OA的向外延伸的多個(gè)第一 導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2與第二柔性襯底2 0B的向外延伸的多個(gè)第 二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2分別在不同側(cè)邊電性連接于線路載板3 0 上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 。最后，再于線路載板3 0的另一面上形成 多個(gè)電性連接元件(未顯示于圖中)，例如金屬凸塊(stud bump) 或是錫球(solder ball)。另外圖l 0A至圖1 0 C是表示具有線路布局的柔性襯底的示意圖。首先，如圖l 0A所示，柔性襯底2 0具有一正面及一 背面，且在第一柔性襯底2 0的正面接近一中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè) 連接端點(diǎn)2 1 0 l且經(jīng)由多條導(dǎo)線2 1 0 3與向外延伸的多個(gè) 導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接，在此，多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 0 1是曝 露于柔性襯底2 0的正面，而向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2 是曝露于柔性襯底2 0的正面上，如圖1 0 B所示。圖1 0 C是 表示柔性襯底2 0的背面無任何線路布局的示意圖。接著，請(qǐng)參考圖1 1 A至圖1 1 E，是表示形成模組化的晶 粒堆棧結(jié)構(gòu)的各步驟示意圖。首先，圖1 1 A是表示多個(gè)晶粒11 0以覆晶方式置放在柔性襯底2 0上的俯視圖。首先，針對(duì)每 一顆晶粒l 1 0進(jìn)行測(cè)試，然后將己完成測(cè)試及且為良好的晶粒1 1 0 (Known good die)，使用具有精確控制位移的機(jī)器設(shè)備(未在圖中表示)，例如取放裝置，將每一顆好的晶粒l 1 0拾 起，并且以晶粒1 1 0的主動(dòng)面朝下對(duì)準(zhǔn)柔性襯底2 0的正面上 的晶粒置放區(qū)2 1 0置放，使得每一顆晶粒1 1 0的主動(dòng)面的多 個(gè)焊墊1 1 2與柔性襯底2 0的正面上鄰近于晶粒置放區(qū)2 10的中央?yún)^(qū)域的多個(gè)連接端點(diǎn)2 10 1電性連接。接著，由切割 刀(未在圖中表示)根據(jù)在柔性襯底2 0上的多個(gè)切割道(未在 圖中表示)進(jìn)行切割，在此實(shí)施例中是以四顆晶粒1 1 0為一切 割單位，使得經(jīng)切割的后的每一個(gè)結(jié)構(gòu)包含一柔性襯底2 0 A及 至少四顆第一晶粒1 1 0 A，如圖1 1 B所示。接著，接下來，是將具有多個(gè)第一晶粒l 1 OA的一背面以 第一粘著層4 0 A固接在線路載板3 0的正面上，如圖1 1 B所 示，且第一柔性襯底2 OA的自由端可向下彎折，以使得第一柔 性襯底2 OA的向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連 接于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 。于另一實(shí)施例中，其第 一粘著層4 0 A可先設(shè)置在線路載板3 0的正面上，再將多個(gè)第 一晶粒l 1 0 A的背面藉由第一粘著層4 0A固接在線路載板3 0的正面上。接著，請(qǐng)參考圖1 1 D，是將第二柔性襯底2 0 B上的多個(gè) 第二晶粒l 1 0B的背面由第二粘著層4 OB固接在第一柔性襯 底2 0A的背面上，其中第二柔性襯底2 OB的結(jié)構(gòu)與第一柔性 襯底2 OA相同，在此，第二柔性襯底2 QB的多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 0 2與向外延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2之間的距離大 于第一柔性襯底2 OA的多個(gè)連接端點(diǎn)2 1 0 1與向外延伸的 多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2之間的距離。因此，根據(jù)以上所述， 第二柔性襯底2 0 B的自由端可以向下彎折，以使得第二柔性襯 底2 0 B上的向外延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2電性連接 于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 。如圖1 1 D所示，第一柔性襯底2 0 A及第二柔性襯底2 0 B 具有至少兩側(cè)邊的自由端，使得第一柔性襯底2 0 A的向外延伸 的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2與第二柔性襯底2 0B的向外延 伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2分別電性連接于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 。于另一實(shí)施例中，第一柔性襯底2 0 A及 第二柔性襯底2 OB具有至少一側(cè)邊的自由端，使得第一柔性襯 底2 OA的向外延伸的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2與第二柔性 襯底2 0B的向外延伸的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2分別在同 一側(cè)邊電性連接于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 ，如圖1 1 E所示。圖9 F是表示第一柔性襯底2 0 A的向外延伸的多個(gè)第 一導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2與第二柔性襯底2 0 B的向外延伸的多個(gè) 第二導(dǎo)電端點(diǎn)2 1 0 2分別在不同側(cè)邊電性連接于線路載板3 0上的多個(gè)端點(diǎn)3 0 2 。最后，再于線路載板3 0的另一面上形 成多個(gè)電性連接元件(未顯示于圖中)，例如金屬凸塊(stud bump)或是錫球(solder ball)。因此，根據(jù)以上所述，在本實(shí)施例中，以相同尺寸大小及相 同功能的晶粒l 1 0來說，若以每一顆存儲(chǔ)器容量為2 5 6 MB 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)晶粒進(jìn)行多晶粒堆棧，如圖1 1 C至圖l 1E所示，其模組化的晶粒堆棧結(jié)構(gòu)是具有至少8顆2 5 6MB的晶粒，因此可以形成至少2 GB容量的BGA封裝的存儲(chǔ) 器模組。由柔性襯底2 0的兩端的導(dǎo)電端點(diǎn)取代傳統(tǒng)晶粒堆棧的 電性連接元件可以大幅度的縮小晶粒堆棧尺寸，而且可以堆棧成 具有高存儲(chǔ)器容量、積密度小的存儲(chǔ)器模組。在上述各種實(shí)施例中，其可以在晶粒1 1 0上的焊墊1 1 2 與柔性襯底2 0上的連接端點(diǎn)2 10 1電性連接后，再使用一底 部充填工藝(under-filled process),將一高分子材料充填入焊墊1 1 2與連接端點(diǎn)2101間之間隙，并且封閉晶粒的主動(dòng) 面的四周，可避免大氣濕度的侵襲，有效地增加晶粒封裝堆棧結(jié) 構(gòu)的壽命。雖然本發(fā)明以前述的較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限 定本發(fā)明，任何熟習(xí)相像技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍 內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的專利保護(hù)范圍須視 本說明書所附的權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種封裝晶片的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一線路載板，于一正面上配置有多個(gè)接點(diǎn)及多個(gè)端點(diǎn)；一柔性襯底，具有一正面及一背面，該柔性襯底的接近一中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接端點(diǎn)，且該多個(gè)連接端點(diǎn)經(jīng)由多條導(dǎo)線與向外延伸到至少一自由端的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)電性連接，其中向外延伸的該多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)是曝露于該柔性襯底的該正面，而該多個(gè)連接端點(diǎn)是曝露于該柔性襯底的該背面，同時(shí)該柔性襯底的該正面的接近該中央?yún)^(qū)域形成一晶粒置放區(qū)；一第一晶粒，其一主動(dòng)面上具有多個(gè)第一焊墊，該第一晶粒的一背面是以一粘著層固接于該柔性襯底的該晶粒置放區(qū)上，且以覆晶方式使該多個(gè)第一焊墊電性連接于該線路載板上的該多個(gè)接點(diǎn)；及一第二晶粒，其一主動(dòng)面上具有多個(gè)第二焊墊，該第二晶粒是以覆晶方式將該主動(dòng)面上的該多個(gè)第二焊墊電性連接于曝露于該柔性襯底的該背面的該多個(gè)連接端點(diǎn)；其中，該柔性襯底的自由端向下彎折以使該柔性襯底上的向外延伸的該多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)電性連接于該線路載板上的該多個(gè)端點(diǎn)。
2 、如權(quán)利要求1所述的封裝晶片的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一晶粒及該第二晶粒具有相同尺寸大小的晶粒。
3、 一種模組化封裝的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含 一線路載板，于一正面上配置有多個(gè)接點(diǎn)及多個(gè)端點(diǎn)； 一柔性襯底，具有一正面及一背面且平均分割成多個(gè)區(qū)域， 而每一該區(qū)域的接近一中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接端點(diǎn)且該多個(gè) 連接端點(diǎn)經(jīng)由多條導(dǎo)線與向外延伸到至少一 自由端的多個(gè)導(dǎo)電 端點(diǎn)電性連接，其中向外延伸的該多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)是曝露于該柔性 襯底的至少一 自由端上，而該多個(gè)連接端點(diǎn)是曝露于該柔性襯底 的每一該區(qū)域的一背面，同時(shí)該柔性襯底的每一該區(qū)域的該正面 的接近該中央?yún)^(qū)域形成多個(gè)晶粒置放區(qū)；多個(gè)第一晶粒，每一該第一晶粒的一主動(dòng)面上具有多個(gè)第一 焊墊，且每一該第一晶粒的一背面是以一粘著層固接于該柔性襯底的每一區(qū)域的該正面的每一該晶粒置放區(qū)上，且以覆晶方式使 每一該第一晶粒的該主動(dòng)面上的該多個(gè)第一焊墊電性連接于該 線路載板上的該多個(gè)接點(diǎn)；及多個(gè)第二晶粒，每一該第二晶粒的一主動(dòng)面上具有多個(gè)第二 焊墊，且以覆晶方式將每一該第二晶粒的該主動(dòng)面上的該多個(gè)第 二焊墊電性連接曝露于該柔性襯底的每一該區(qū)域的一背面的該 多個(gè)連接端點(diǎn)；其中，該柔性襯底的該自由端向下彎折以使該柔性襯底上的 向外延伸的該多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)電性連接于該線路載板上的該多個(gè) 端點(diǎn)。
4 、如權(quán)利要求3所述的模組化封裝的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在 于，其中該多個(gè)第一晶粒及該多個(gè)第二晶粒具有相同尺寸大小的 晶粒。
5、 一種封裝晶片的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含 一線路載板，于一正面上配置多個(gè)端點(diǎn)；一第一柔性襯底，具有一正面及一背面，該第一柔性襯底的 一正面接近一中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接端點(diǎn)且該多個(gè)連接端點(diǎn) 經(jīng)由多條導(dǎo)線與向外延伸到至少一 自由端的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn) 電性連接，其中該多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸的該多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)均 曝露于該第一柔性襯底的該正面上；一第一晶粒，其一主動(dòng)面上具有多個(gè)第一焊墊，是以覆晶方 式將該多個(gè)第一焊墊電性連接于該第一柔性襯底上的該多個(gè)連 接端點(diǎn)，且將該第一晶粒的一背面以一第一粘著層固接于該線路 載板的該正面上；一第二柔性襯底，該第二柔性襯底的結(jié)構(gòu)與該第一柔性襯底 相同，其中該第二柔性襯底的該多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸到至少 一自由端的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)之間的距離大于該第一柔性襯底 的該多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸的該多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)之間的距 離；及一第二晶粒，其一主動(dòng)面上具有多個(gè)第二焊墊，是以覆晶方 式將該多個(gè)第二焊墊電性連接于該第二柔性襯底上的該多個(gè)連 接端點(diǎn)，且將該第二晶粒的一背面以一第二粘著層固接于該第一柔性襯底的一背面上；其中，該第一柔性襯底及該第二柔性襯底的該自由端向下彎 折，以使該第一柔性襯底的向外延伸的該多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)及該 第二柔性襯底上的向外延伸的該多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)分別電性連 接于該線路載板上的該多個(gè)端點(diǎn)。
6 、如權(quán)利要求5所述的封裝晶片的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于， 其中該多個(gè)第一晶粒及該多個(gè)第二晶粒具有相同尺寸大小的晶 粒。
7 、如權(quán)利要求5所述的封裝晶片的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于， 其中該第二柔性襯底的該多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸的該多個(gè)導(dǎo) 電端點(diǎn)之間的距離為3 — 6 mil。
8、 一種模組化封裝的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一線路載板，于一正面上配置有多個(gè)端點(diǎn)；一第一柔性襯底，是平均分割成多個(gè)區(qū)域，而每一該區(qū)域的 接近一中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接端點(diǎn)且該多個(gè)連接端點(diǎn)經(jīng)由多 條導(dǎo)線與向外延伸到至少一自由端的多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)電性連 接，其中該多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸的該多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)均曝 露于該第一柔性襯底的該正面的該自由端上；多個(gè)第一晶粒，每一該第一晶粒的一主動(dòng)面上具有多個(gè)第一 焊墊，且每一該第一晶粒是以覆晶方式將該主動(dòng)面上的該多個(gè)第 一焊墊電性連接于該第一柔性襯底上的該多個(gè)連接端點(diǎn)，且將每 一該第一晶粒的一背面以一第一粘著層固接于該線路載板的該正面上；一第二柔性襯底，該第二柔性襯底的結(jié)構(gòu)與該第一柔性襯底 相同，其中該第二柔性襯底的多個(gè)第二連接端點(diǎn)與向外延伸到至 少一 自由端的多個(gè)第二導(dǎo)電端點(diǎn)之間的距離大于該第一柔性襯 底的該多個(gè)第一連接端點(diǎn)與向外延伸的該多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)之 間的距離；及多個(gè)第二晶粒，每一該第二晶粒的一主動(dòng)面上具有多個(gè)第二 焊墊，且每一該第二晶粒是以覆晶方式將該第二晶粒的該主動(dòng)面 上的該多個(gè)第二焊墊電性連接于該第二柔性襯底上的該多個(gè)連 接端點(diǎn)，且該第二晶粒的一背面以一第二粘著層固接于該第一柔 性襯底的一背面上；其中，該第一柔性襯底及該第二柔性襯底的自由端向下彎 折，以使該第一柔性襯底上的向外延伸的該多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)及 該第二柔性襯底上的向外延伸的該多個(gè)第一導(dǎo)電端點(diǎn)分別電性 連接于該載板上的該多個(gè)端點(diǎn)。
9 、如權(quán)利要求8所述的模組化封裝的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在 于，其中該多個(gè)第一晶粒及該多個(gè)第二晶粒具有相同尺寸大小的 晶粒。
10 、如權(quán)利要求8所述的模組化封裝的堆棧結(jié)構(gòu)，其特征 在于，其中該第二柔性襯底的該多個(gè)連接端點(diǎn)與向外延伸的該多 個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)之間的距離為3 — 6 mil。
全文摘要
一種封裝晶片的堆棧結(jié)構(gòu)，包括線路載板，于正面上配置有多個(gè)接點(diǎn)及多個(gè)端點(diǎn)；柔性襯底的接近中央?yún)^(qū)域配置有多個(gè)連接端點(diǎn)，且經(jīng)由多條導(dǎo)線與向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)電性連接；第一晶粒的背面是以一粘著層固接于柔性襯底的晶粒置放區(qū)上，且將第一晶粒的多個(gè)第一焊墊電性連接于線路載板上的多個(gè)端點(diǎn)；及第二晶粒是以覆晶方式將多個(gè)第二焊墊電性連接于曝露于柔性襯底的背面的多個(gè)連接端點(diǎn)；其中，柔性襯底的自由端向下彎折，使柔性襯底上的向外延伸的多個(gè)導(dǎo)電端點(diǎn)電性連接于線路載板上的多個(gè)端點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101556950SQ20081009190
公開日2009年10月14日 申請(qǐng)日期2008年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月10日
發(fā)明者陳石磯 申請(qǐng)人:陳石磯