專利名稱：：蝕刻氣體控制系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體積體電路制程中的蝕刻處理所使用的蝕刻設(shè)備蝕刻氣體控制系統(tǒng)。本發(fā)明尤其有關(guān)一種蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中于一晶圓安裝容室的頂部與側(cè)部安裝多個(gè)氣體注射器，用以從晶圓頂部方向及側(cè)向供應(yīng)蝕刻氣體；交叉連接與配置多數(shù)氣體供應(yīng)管，用以供應(yīng)蝕刻氣體與輔助氣體至該等氣體注射器；并選擇性地以不同方式控制蝕刻氣體注入與供應(yīng)至容室的氣量與流量；藉此控制容室內(nèi)部蝕刻氣體的離子密度與分布，并改進(jìn)晶圓表面的蝕刻率與蝕刻均勻度。
背景技術(shù)：
：通常，半導(dǎo)體積體電路器件的電路為復(fù)結(jié)構(gòu)(complexstructure),亦即，經(jīng)由選擇性去除一晶圓的局部表面，而在該表面上形成所需類型的超精細(xì)結(jié)構(gòu)，或在該晶圓上淀積一薄膜。制作一層薄膜須經(jīng)過數(shù)種制程，諸如清洗過程、淀積過程、光刻(photolithography)過程、鍍層處理、蝕刻處理等等。在各種制程中，蝕刻處理是利用化學(xué)反應(yīng)根據(jù)所需從一晶圓表面去除一目標(biāo)區(qū)域；進(jìn)行時(shí)，是使用一氣體注射器將一蝕刻氣體(CF,、Cl2、HBr等)注入一內(nèi)部置有晶圓的容室。經(jīng)由蝕刻處理，可選擇性地去除一基底上未受光阻材料(photoresist,亦稱光刻膠)覆蓋的部份，以于基底上形成一精細(xì)的電路圖形(circuitpattern)。其中所覆蓋的光阻材料是光刻過程中形成作為蝕刻遮罩(mask)的光阻圖形(photoresistpattern)。因此，整個(gè)晶圓表面必須維持相同的蝕刻速率并形成直角狀的蝕刻區(qū)，以形成與光阻圖形相同的薄膜圖形(thin-filmpattern)。然而，在蝕刻處理期間，由于蝕刻速度會(huì)因化學(xué)反應(yīng)而不同，因此造成局部過度蝕刻的發(fā)生，使整個(gè)晶圓表面的蝕刻率不一致，或者電漿內(nèi)的離子散射(scatteringofions)導(dǎo)致光阻材料下方的薄膜內(nèi)出現(xiàn)基燭現(xiàn)象(undercutphenomenon)。為了解決此問題，習(xí)知的蝕刻氣體控制裝置是在蝕刻設(shè)備一容室頂部安裝一氣體注射器，并經(jīng)由與一氣體供應(yīng)單元連接的流量比控制器(flowratiocontroller,FRC)，將蝕刻氣體供應(yīng)至該氣體注射器。藉此，可以控制供應(yīng)至容室內(nèi)部的蝕刻氣體氣量，并執(zhí)行蝕刻。然而，習(xí)知的蝕刻氣體控制裝置有以下問題。第一，蝕刻氣體是經(jīng)由氣體注射器注入與供應(yīng)，而氣體注射器僅安裝于容室頂部，位于容室內(nèi)部，且蝕刻氣體是由與氣體供應(yīng)管連接的流量比控制器控制其氣量。因此，對(duì)于具有寬廣表面的12"(300mm)大尺寸晶圓而言，要提供最佳蝕刻率與蝕刻均勻度時(shí)，將有所限制。第二，無法獨(dú)立控制輔助性氣體(auxiliarygas)，諸如氬氣(Ar)、氦氣(He)、及氤氣(Xe)、電衆(zhòng)活化氣體；此外，也無法以不同方式控制蝕刻氣體的氣量與流量。因此，無法在容室內(nèi)保持最理想的蝕刻氣體離子密度或分布。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明典型實(shí)施例的一層面是解決至少前述問題及/或缺點(diǎn)，并至少提供下述優(yōu)點(diǎn)。因此，本發(fā)明典型實(shí)施例的一層面是提供一種蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中是在一晶圓安裝容室的側(cè)壁及頂部安裝多個(gè)氣體注射器，并選擇性地以不同方式控制從晶圓頂部方向及側(cè)向注入的蝕刻氣體的氣量與流量。本發(fā)明典型實(shí)施例的另一層面是提供一種蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中包括一可以獨(dú)立控制的輔助氣體供應(yīng)單元，并以交叉連接與配置多數(shù)氣體供應(yīng)管，用以供應(yīng)蝕刻氣體與輔助氣體，更以不同方式控制蝕刻氣體與輔助氣體的氣量與流量，藉此控制容室內(nèi)的蝕刻氣體離子密度與分布，并使晶圓表面的蝕刻率與蝕刻均勻度最佳化。根據(jù)本發(fā)明的一層面，其中提供一蝕刻氣體控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括一氣體注射器、一氣體供應(yīng)管、一流量比控制器、及一氣體供應(yīng)單元。氣體注射器是安裝在一容室內(nèi)，并于該容室內(nèi)部供應(yīng)氣體。該容室內(nèi)是安裝有一晶圓。氣體注射器包括一頂部注射器及一側(cè)部注射器。頂部注射器是安裝在容室頂部，并從晶圓頂部方向供應(yīng)氣體；側(cè)部注射器是安裝在容室的一側(cè)部，并從晶圓的側(cè)向供應(yīng)氣體。氣體供應(yīng)管是與氣體注射器連接，并供應(yīng)氣體至氣體注射器。流量比控制器與氣體供應(yīng)管連接，并控制氣體的供應(yīng)。氣體供應(yīng)單元?jiǎng)t供應(yīng)氣體至流量比控制器。氣體供應(yīng)管可包括一第一供應(yīng)管與一第二供應(yīng)管，分別與頂部注射器及側(cè)部注射器連接。氣體供應(yīng)單元可包括一用以供應(yīng)蝕刻氣體的蝕刻氣體供應(yīng)單元，與一用以供應(yīng)輔助氣體的輔助氣體供應(yīng)單元。輔助氣體供應(yīng)單元可包括一質(zhì)流控制器(massflowcontroller,MFC)及一開/關(guān)閥，用以獨(dú)立控制輔助氣體。頂部注射器可包括一朝前向噴射氣體的內(nèi)噴嘴，及一朝側(cè)向噴射氣體的外噴嘴。第一供應(yīng)管可與內(nèi)噴嘴連接。第二供應(yīng)管上可安裝一第一歧管；第一歧管可將一第三供應(yīng)管及一第四供應(yīng)管分別連接至外噴嘴與側(cè)部注射器。第一、第二、第三、及第四供應(yīng)管各自具有開/關(guān)閥，用以開啟與關(guān)閉氣體路徑。第一供應(yīng)管上可安裝一第二歧管，位于其開/關(guān)閥與流量比控制器之間。第三供應(yīng)管上可安裝一第三歧管，位于其開/關(guān)闊與頂部注射器之間。第一與第三供應(yīng)管之間可安裝一連接管，此連接管并可連接第二歧管與第三歧管。連接管上可具有一開/關(guān)閥，用以開啟與關(guān)閉氣體路徑。第一供應(yīng)管上可安裝一第五歧管，位于其開/關(guān)閥與頂部注射器之間。另可安裝一第五供應(yīng)管，用以連接質(zhì)流控制器與第五歧管。第五供應(yīng)管上可安裝一第四歧管。第三供應(yīng)管上可安裝一第六歧管，位于第三供應(yīng)管的第三歧管與頂部注射器之間。另可安裝一第六供應(yīng)管，用以連接第四歧管與第六歧管。第四供應(yīng)管上可安裝一第七歧管，位于其開/關(guān)閥與側(cè)部注射器之間。第五供應(yīng)管上可進(jìn)而再安裝一第七供應(yīng)管，用以連接第四歧管與第七歧管。第六供應(yīng)管及第五供應(yīng)管位于第四歧管與第五歧管間的一段，可以各包括一開/關(guān)閥。第七供應(yīng)管可包括一開/關(guān)閥，用以開啟與關(guān)閉氣體路徑。第五供應(yīng)管可進(jìn)而包括一開/關(guān)閥，用以開啟與關(guān)閉位于輔助氣體供應(yīng)單元的質(zhì)流控制器與第四歧管間的氣體路徑。配合附圖參閱詳細(xì)說明，將可清晰了解本發(fā)明上述及其他目的、特征與優(yōu)點(diǎn)。附圖包括圖1為一概要圖，顯示根據(jù)本發(fā)明一典型實(shí)施例的蝕刻氣體控制系統(tǒng)；圖2為一配置圖，顯示根據(jù)本發(fā)明一典型實(shí)施例的蝕刻氣體控制系統(tǒng)中的氣體供應(yīng)管；圖3為一配置圖，顯示圖2所示的氣體供應(yīng)單元進(jìn)而包括一輔助氣體供應(yīng)單元的狀態(tài)；圖4為一剖視圖，顯示圖2及圖3所示蝕刻氣體控制系統(tǒng)的氣體注射器；圖5為一配置圖，顯示圖4所示氣體供應(yīng)管上各安裝一開/關(guān)閥；圖6為一配置圖，顯示根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例的蝕刻氣體控制系統(tǒng)中，在一第一供應(yīng)管與一第三供應(yīng)管之間設(shè)一連接管；圖7為一配置圖，顯示用以連接圖6所示輔助氣體供應(yīng)單元與一頂部注射器的氣體供應(yīng)管；圖8為一配置圖，顯示圖7所示的輔助氣體供應(yīng)單元進(jìn)而與一側(cè)部注射器連接；以及圖9為一配置圖，顯示圖8中與輔助氣體供應(yīng)單元連接的氣體供應(yīng)管上各安裝一開/關(guān)閥。在所有圖中，相同的參考標(biāo)號(hào)是指稱相同元件、特征與結(jié)構(gòu)。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明若干典型實(shí)施例。以下說明中，為求簡(jiǎn)明，己省略習(xí)知功能與架構(gòu)的詳細(xì)說明。圖1為一概要圖，顯示根據(jù)本發(fā)明一典型實(shí)施例的蝕刻氣體控制系統(tǒng)。如圖1所示，該蝕刻氣體控制系統(tǒng)包括一氣體注射器20，一氣體供應(yīng)管50，一流量比控制器(FRC)70，及一氣體供應(yīng)單元60。氣體注射器20將蝕刻氣體注入一容室1內(nèi)部；容室1內(nèi)安裝一晶圓。氣體注射器20包括一安裝于容室1頂部中央的頂部注射器10，及一安裝于容室1一側(cè)部的側(cè)部注射器25。側(cè)部注射器25可為多數(shù)，以便沿容室1的側(cè)部外周緣依一間距安裝。氣體供應(yīng)管50包括一第一供應(yīng)管30及一第二供應(yīng)管40。第一及第二供應(yīng)管30、40各于一氣體供應(yīng)端分別連接于頂部注射器10及側(cè)部注射器25，并于另一端連接于流量比控制器70。流量比控制器70與氣體供應(yīng)單元60連接，從氣體供應(yīng)單元60導(dǎo)入氣體，并經(jīng)由第一供應(yīng)管30與第二供應(yīng)管40將導(dǎo)入的氣體分別供應(yīng)至頂部注射器10與側(cè)部注射器25。流量比控制器70可改變供應(yīng)至頂部注射器10與側(cè)部注射器25的氣量，藉此以不同方式控制與供應(yīng)氣體。圖2為一配置圖，顯示根據(jù)本發(fā)明一典型實(shí)施例的蝕刻氣體控制系統(tǒng)中的氣體供應(yīng)管。圖3為一配置圖，顯示圖2所示的氣體供應(yīng)單元進(jìn)而包括一輔助氣體供應(yīng)單元的狀態(tài)。圖4為一剖視圖，顯示圖2及圖3所示蝕刻氣體控制系統(tǒng)的氣體注射器。如圖4所示，頂部注射器10包括一內(nèi)側(cè)進(jìn)氣孔11、一內(nèi)噴嘴13、一外側(cè)進(jìn)氣孔15、及一外噴嘴17。內(nèi)側(cè)進(jìn)氣孔11是設(shè)于頂部注射器IO的中央部位。內(nèi)噴嘴13是設(shè)在內(nèi)側(cè)進(jìn)氣孔11下部，成貫穿樣態(tài)。外側(cè)進(jìn)氣孔15是沿內(nèi)側(cè)進(jìn)氣孔11周緣設(shè)置，并與內(nèi)側(cè)進(jìn)氣孔11相隔一距離。外噴嘴17是設(shè)在外側(cè)進(jìn)氣孔15下部，成貫穿樣態(tài)，并沿一側(cè)向注射氣體。內(nèi)噴嘴13及外噴嘴17可設(shè)置為多數(shù)。此外，內(nèi)噴嘴13與外噴嘴17可設(shè)為朝一預(yù)定方向傾斜。同時(shí)，外噴嘴17可為多數(shù)，并沿外側(cè)進(jìn)氣孔15的外周緣彼此間隔。頂部注射器10包括二密封蓋12、16，分別與內(nèi)側(cè)進(jìn)氣孔11及外側(cè)進(jìn)氣孔15的上部耦接。第一供應(yīng)管30是耦接于內(nèi)側(cè)進(jìn)氣孔11上部的密封蓋12，使氣體可以供應(yīng)至頂部注射器10的內(nèi)側(cè)進(jìn)氣孔11。如圖2所示，第二供應(yīng)管40上可安裝一第一歧管42，以便從第二供應(yīng)管40分支出一第三供應(yīng)管45及一第四供應(yīng)管48。第三供應(yīng)管45是耦接于外側(cè)進(jìn)氣孔15上部的密封蓋16，使氣體可以供應(yīng)至頂部注射器10的外側(cè)進(jìn)氣孔15。第四供應(yīng)管48是連接于側(cè)部注射器25。如圖3所示，氣體供應(yīng)單元60包括一蝕刻氣體供應(yīng)單元61以供應(yīng)蝕刻氣體，及一輔助氣體供應(yīng)單元65以供應(yīng)輔助氣體。輔助氣體可活化容室l內(nèi)的電漿狀態(tài)。蝕刻氣體供應(yīng)單元61與輔助氣體供應(yīng)單元65各自與流量比控制器70連接，作為氣體供應(yīng)源。輔助氣體供應(yīng)單元65并與質(zhì)流控制器(MFC)66及一開/關(guān)閥68連接。因?yàn)榱髁靠刂破?0可依比例控制對(duì)第一供應(yīng)管30及第二供應(yīng)管40供應(yīng)的蝕刻氣體量，因此可以用不同的方式控制對(duì)頂部注射器10內(nèi)、外噴嘴13、17及側(cè)部注射器25供應(yīng)的蝕刻氣體氣量。輔助氣體是使用質(zhì)流控制器66與開/關(guān)閥69獨(dú)立控制的，并供應(yīng)至流量比控制器70。因此，輔助氣體可與蝕刻氣體混合。圖5為一配置圖，顯示圖4所示的第一、第三、及第四氣體供應(yīng)管30、45、48上各安裝一開/關(guān)閥39、46、49。請(qǐng)參照?qǐng)D5，開/關(guān)閥39、46、49分別阻斷或?qū)▽?duì)頂部注射器10內(nèi)、外噴嘴13、17及側(cè)部注射器25供應(yīng)的蝕刻氣體與輔助氣體混合氣。因此，開/關(guān)閥39、46、49可以選擇性地控制供應(yīng)至容室1內(nèi)部的氣體氣量與流量。圖6為一配置圖，顯示根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例的蝕刻氣體控制系統(tǒng)中，以一連接管連接第一供應(yīng)管與第三供應(yīng)管。如圖6所示，第一供應(yīng)管30上安裝一第二歧管32，其位于流量比控制器70與開/關(guān)閥39之間。第三供應(yīng)管45上安裝一第三歧管92，其位于頂部注射器10與開/關(guān)閥46之間。第二歧管32與第三歧管92之間進(jìn)而設(shè)一連接管90，連接第一供應(yīng)管30與第三供應(yīng)管45。因此，獨(dú)立供應(yīng)氣體的第一及第三供應(yīng)管30、45經(jīng)由連接管90的連通，不但可以使第一及第三供應(yīng)管30、45上分別安裝的開/關(guān)閥39、46在容室1內(nèi)部的供應(yīng)氣體間改變對(duì)頂部注射器10內(nèi)、外噴嘴13、17的供氣流量，并可用不同方式控制供氣量。利用連接管90上安裝的開/關(guān)閥99，可以阻斷氣體流量。圖7顯示另一實(shí)例的配置圖，其中更增設(shè)一氣體供應(yīng)管用以連接蝕刻氣體控制系統(tǒng)中的輔助氣體供應(yīng)單元與頂部注射器。如圖7所示，輔助氣體供應(yīng)單元65所設(shè)的質(zhì)流控制器66與開/關(guān)閥69之間，安裝一第八歧管62。第一供應(yīng)管30上安裝一第五歧管103，其位于開/關(guān)閥39與頂部注射器10之間。第八歧管62與第五歧管103之間則設(shè)一第五供應(yīng)管100，用以連接質(zhì)流控制器66與第一供應(yīng)管30。第五供應(yīng)管100上安裝一第四歧管102。第三供應(yīng)管45的開/關(guān)閥46與頂部注射器10之間安裝一第六歧管112。第四歧管102與第六歧管112之間設(shè)一第六供應(yīng)管110,用以連接第五供應(yīng)管100與第三供應(yīng)管45。因此，輔助氣體(亦即電漿活化氣體)可由質(zhì)流控制器66獨(dú)立控制，并直接供應(yīng)至第一供應(yīng)管30與第三供應(yīng)管45而不與流量比控制器70中的蝕刻氣體混合。藉此，在質(zhì)流控制器66的獨(dú)立控制下，輔助氣體可以只供應(yīng)至頂部注射器10的內(nèi)、外噴嘴13、17。圖8為一配置圖，顯示圖7所示的第五供應(yīng)管與第四供應(yīng)管彼此連接的狀態(tài)。圖9為一配置圖，顯示與圖8所示輔助氣體供應(yīng)單元連接的第五、第六供應(yīng)管及一第七氣體供應(yīng)管上，各安裝一開/關(guān)閥。如圖8及圖9所示，第四供應(yīng)管48的開/關(guān)閥49與側(cè)部注射器25之間，安裝一第七歧管122。第五供應(yīng)管100上進(jìn)而設(shè)一第七供應(yīng)管120，用以連接第四歧管102與第七歧管122。因此，輔助氣體可由質(zhì)流控制器66獨(dú)立控制，并供應(yīng)至側(cè)部注射器25及頂部注射器10。此外，不僅可由質(zhì)流控制器66獨(dú)立控制輔助氣體，并可利用第五、第六、及第七供應(yīng)管100、110、120上分別安裝的開/關(guān)閥109、119、129，以不同方式控制供往頂部注射器IO內(nèi)、外噴嘴13、17及側(cè)部注射器25的輔助氣體氣量與流量，藉此選擇性地供應(yīng)輔助氣體。第八歧管62與第四歧管102之間更安裝一開/關(guān)閥(圖中未示)，可協(xié)力阻斷供應(yīng)至第五、第六、及第七供應(yīng)管100、110、120的輔助氣體?，F(xiàn)在參照以下表1說明本發(fā)明蝕刻氣體控制系統(tǒng)中，蝕刻氣體與輔助氣體供應(yīng)控制的實(shí)例。表1:<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表1顯示利用流量比控制器70及各氣體供應(yīng)管上安裝的開/關(guān)閥39、46、49、69、99、109、119、129，選擇性地供應(yīng)蝕刻氣體與輔助氣體至頂部注射器10內(nèi)、外噴嘴13、17及側(cè)部注射器25的20種典型的分配狀態(tài)。流量比控制器70可控制并以不同比例的速率將氣體供應(yīng)單元60所導(dǎo)出的氣體供應(yīng)至第一供應(yīng)管30及第二供應(yīng)管40。亦即，假定導(dǎo)出氣體總量等于IO，那么可用1:9的比率將氣體供應(yīng)至第一供應(yīng)管30與第二供應(yīng)管40，或用2:8的比率將氣體供應(yīng)至第一供應(yīng)管30與第二供應(yīng)管40。因此，可以將依照不同比例控制的氣量供應(yīng)至第一供應(yīng)管30與第二供應(yīng)管40。在表1所示的20種分配狀態(tài)中，"開"代表開/關(guān)閥39、46、49、69、99、109、119、129為開啟狀態(tài)，因此可供應(yīng)蝕刻氣體與輔助氣體。沒有字的空格代表開/關(guān)閥39、46、49、69、99、109、119、129為關(guān)閉狀態(tài)，表示無任何氣體流通。例如，以下說明20種分配狀態(tài)中的第1、2、及9三種分配。表1的第1種分配狀態(tài)代表第一供應(yīng)管30與第三供應(yīng)管45為開啟；第四、第五、第六、第七供應(yīng)管及連接管90為關(guān)閉。在此狀態(tài)時(shí)，蝕刻氣體經(jīng)由第一供應(yīng)管30供應(yīng)至頂部注射器10的內(nèi)噴嘴13，并經(jīng)由第二及第三供應(yīng)管40、45供應(yīng)至外噴嘴17。因此，僅有蝕刻氣體供應(yīng)至頂部注射器10的內(nèi)、外噴嘴13、17,而未供應(yīng)輔助氣體。此時(shí)，可以利用流量比控制器70依比例控制供應(yīng)至第一及第二供應(yīng)管30、40的氣量，藉此以不同方式控制供應(yīng)至頂部注射器10內(nèi)、外噴嘴13、17的氣量。表1的第2種分配狀態(tài)代表僅有第一、第四供應(yīng)管30、48及連接管90為開啟。一半蝕刻氣體是經(jīng)由第一供應(yīng)管30供應(yīng)至內(nèi)噴嘴13。另一半則經(jīng)由開啟的連接管90供應(yīng)至外噴嘴17。供應(yīng)至第二供應(yīng)管40的氣體是經(jīng)由第四供應(yīng)管48直接供應(yīng)至側(cè)部注射器25。第2種分配狀態(tài)與第1種分配狀態(tài)相同的是，供應(yīng)至第一及第二供應(yīng)管30、40的氣量，也可以利用流量比控制器70作不同的控制。表1的第9種分配狀態(tài)代表僅有第三及第五供應(yīng)管45、100為開啟。因此，蝕刻氣體僅經(jīng)由第二及第三供應(yīng)管40、45供應(yīng)至頂部注射器10的外噴嘴17。輔助氣體則僅經(jīng)由第五供應(yīng)管100供應(yīng)至頂部注射器10的內(nèi)噴嘴13。蝕刻氣體與輔助氣體的氣量可分別使用流量比控制器70與質(zhì)流控制器66來控制。因此，如表1所示，本發(fā)明可用多種不同方式控制分別供應(yīng)至頂部注射器10內(nèi)、外噴嘴13、17及側(cè)部注射器25的蝕刻氣體與輔助氣體的氣量與流量。藉此，本發(fā)明建立的環(huán)境可使容室1內(nèi)部的氣體保持最理想的離子密度或分布，在晶圓5表面提供最理想的蝕刻率、蝕刻均勻度、及蝕刻區(qū)段，并改進(jìn)晶圓5品質(zhì)，使失敗率減至最低。如上所述，藉由供應(yīng)蝕刻氣體至容室側(cè)部及頂部、使用不同方式經(jīng)由彼此連接與配置的氣體供應(yīng)管控制蝕刻氣體與輔助氣體的氣量與流量、控制容室內(nèi)部蝕刻氣體與輔助氣體的離子密度與分布、及形成最佳蝕刻條件，本發(fā)明可具有改進(jìn)晶圓表面蝕刻率與蝕刻均勻度、并使失敗率減至最低的效用。此外，藉由提供容室內(nèi)部最佳蝕刻條件與預(yù)防基蝕現(xiàn)象(亦即，光阻材料下方的薄膜形成非必要的蝕刻現(xiàn)象)，本發(fā)明亦具有形成直角狀蝕刻區(qū)段、形成與光阻圖形相同的薄膜圖形、以及改進(jìn)半導(dǎo)體積體電路性能等效用。以上雖是參照本發(fā)明的一較佳實(shí)施例顯示與說明本發(fā)明，但熟悉此類技術(shù)的人士當(dāng)可理解，其形式與細(xì)節(jié)可以作不同變化而不脫離所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明精神與范圍。主要符號(hào)名稱列表1容室5晶圓10頂部注射器11內(nèi)側(cè)進(jìn)氣孔12密封蓋13內(nèi)噴嘴15外側(cè)進(jìn)氣孔16密封蓋17外噴嘴20氣體注射器25側(cè)部注射器30第一供應(yīng)管32第二歧管39開/關(guān)閥40第二供應(yīng)管42第一歧管45第三供應(yīng)管46開/關(guān)閥48第四供應(yīng)管49開/關(guān)閥50氣體供應(yīng)管60氣體供應(yīng)單元61蝕刻氣體供應(yīng)單元62第八歧管65輔助氣體供應(yīng)單元66質(zhì)流控制器69開/關(guān)閥70流量比控制器90連接管92第三歧管99開/關(guān)閥100第五供應(yīng)管102第四歧管103第五歧管109開/關(guān)閥110第六供應(yīng)管112第六歧管119開/關(guān)閥120第七供應(yīng)管122第七歧管129開/關(guān)閥權(quán)利要求1.一種蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其包括一氣體注射器，安裝于一容室內(nèi)，用以供應(yīng)氣體至該容室內(nèi)部；該容室中安裝有一晶圓；該氣體注射器包括一頂部注射器，安裝在該容室的頂部，并從晶圓頂部方向供應(yīng)氣體；及一側(cè)部注射器，安裝在該容室一側(cè)部，并從晶圓一側(cè)向供應(yīng)氣體；一氣體供應(yīng)管，與該氣體注射器連接并供應(yīng)氣體至該氣體注射器；一流量比控制器，與該氣體供應(yīng)管連接，并控制氣體的供應(yīng)；及一氣體供應(yīng)單元，供應(yīng)氣體至該流量比控制器。2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該氣體供應(yīng)管包括一第一供應(yīng)管及一第二供應(yīng)管，分別與該頂部注射器及該側(cè)部注射器連接。3.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該氣體供應(yīng)單元包括一蝕刻氣體供應(yīng)單元，用以供應(yīng)蝕刻氣體；及一輔助氣體供應(yīng)單元，用以供應(yīng)輔助氣體；其中，該輔助氣體供應(yīng)單元包括一質(zhì)流控制器及一開/關(guān)閥，用以獨(dú)立控制輔助氣體。4.如權(quán)利要求3所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該頂部注射器包括一內(nèi)噴嘴，可朝一前向噴射氣體；及一外噴嘴，可朝一側(cè)向噴射氣體；其中，該第一供應(yīng)管與該內(nèi)噴嘴連接；以及其中，該第二供應(yīng)管上安裝一第一歧管，可將一第三供應(yīng)管及一第四供應(yīng)管分別連接至該外噴嘴及該側(cè)部注射器。5.如權(quán)利要求4所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該第一、第三、及第四供應(yīng)管各具有一開/關(guān)閥，用以開啟與關(guān)閉一氣體路徑。6.如權(quán)利要求5所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該第一供應(yīng)管上安裝一第二歧管，位于其開/關(guān)閥與該流量比控制器之間；其中，該第三供應(yīng)管上安裝一第三歧管，位于其開/關(guān)閥與該頂部注射器之間；以及其中，該第一及第三供應(yīng)管之間安裝一連接管，用以連接第二歧管與第三歧管。7.如權(quán)利要求6所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該連接管具有一開/關(guān)閥，用以開啟與關(guān)閉一氣體路徑。8.如權(quán)利要求7所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該第一供應(yīng)管上安裝一第五歧管，位于其開/關(guān)閥與該頂部注射器之間；其中，進(jìn)而安裝一第五供應(yīng)管，用以連接該質(zhì)流控制器與該第五歧管；其中，該第五供應(yīng)管上安裝一第四歧管；其中，該第三供應(yīng)管上安裝一第六歧管，位于第三供應(yīng)管的第三歧管與該頂部注射器之間；以及其中，進(jìn)而安裝一第六供應(yīng)管，用以連接第四歧管與第六歧管。9.如權(quán)利要求8所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該第四供應(yīng)管上安裝一第七歧管，位于其開/關(guān)閥與該側(cè)部注射器之間；以及其中，該第五供應(yīng)管上進(jìn)而安裝一第七供應(yīng)管，用以連接第四歧管與第七歧管。10.如權(quán)利要求9所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該第六供應(yīng)管及該第五供應(yīng)管位于第四歧管與第五歧管間的區(qū)段，是各自包括一開/關(guān)閥。11.如權(quán)利要求10所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該第七供應(yīng)管包括一開/關(guān)閥，用以開啟與關(guān)閉一氣體路徑。12.如權(quán)利要求11所述的蝕刻氣體控制系統(tǒng)，其中，該第五供應(yīng)管進(jìn)而包括一開/關(guān)閥，用以開啟與關(guān)閉該輔助氣體供應(yīng)單元質(zhì)流控制器與該第四歧管間的氣體路徑。全文摘要本發(fā)明提供一蝕刻氣體控制系統(tǒng)，此系統(tǒng)包括一氣體注射器、一氣體供應(yīng)管、一流量比控制器、及一氣體供應(yīng)單元。該氣體注射器安裝在一容室內(nèi)，并供應(yīng)氣體至容室內(nèi)部。該氣體注射器包括一安裝于容室頂部的頂部注射器，及一安裝于容室一側(cè)的側(cè)部注射器。該氣體供應(yīng)管與該氣體注射器連接，并供應(yīng)氣體至該氣體注射器。該流量比控制器與該氣體供應(yīng)管連接，并控制氣體的供應(yīng)。該氣體供應(yīng)單元?jiǎng)t供應(yīng)氣體至該流量比控制器。文檔編號(hào)H01L21/306GK101299406SQ200810095599公開日2008年11月5日申請(qǐng)日期2008年4月29日優(yōu)先權(quán)日2007年5月4日發(fā)明者樸根周,李元默,李炳日,蔡煥國(guó),金起鉉申請(qǐng)人:顯示器生產(chǎn)服務(wù)株式會(huì)社