專利名稱：有機發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器及其制造方法，更具體地講，涉及一種
能夠保護驅(qū)動電路免受靜電放電(ESD)損壞的有機發(fā)光顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示器是一種自發(fā)光顯示器，與液晶顯示器(LCD)相比，有機 發(fā)光顯示器的視角較寬、對比度較高、響應(yīng)速度較快且功耗較低。由于不需 要背光，所以可將有機發(fā)光顯示器制造得輕薄。
有機發(fā)光顯示器包括第一基底，具有像素(或顯示)區(qū)和非像素(或非顯 示)區(qū)；容器(或第二基底)，為了密封設(shè)置成面對第一基底，并且通過諸如環(huán) 氧樹脂的密封劑附著到第 一基底。
在像素區(qū)中，多個有機發(fā)光二極管(OLED)以矩陣形式結(jié)合在掃描線和數(shù) 據(jù)線之間以形成像素。每個OLED包括陽極、陰極和形成在陽極和陰極之間 的有機薄層，其中，有機薄層包括空穴傳輸層、有機發(fā)光層和電子傳輸層。
在非像素區(qū)中，掃描線從像素區(qū)的掃描線延伸，數(shù)據(jù)線從像素區(qū)的數(shù)據(jù) 線延伸，設(shè)置電源供應(yīng)線以操作OLED,設(shè)置掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器以處 理從外部源通過輸入焊盤供應(yīng)的信號，以將經(jīng)過處理的信號供應(yīng)到掃描線和 數(shù)據(jù)線。掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器包括用于將從外部源供應(yīng)的信號轉(zhuǎn)化為掃 描信號和數(shù)據(jù)信號以選擇性地驅(qū)動像素的驅(qū)動電路。掃描驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動 器可在制造OLED的過程中形成，或者可以被制造為另外的集成電路芯片以 被安裝到有機發(fā)光顯示器的基底上。由于有機發(fā)光顯示器的基底由玻璃形成， 所以會在制造過程中或在有機發(fā)光顯示器正被使用時產(chǎn)生大的靜電放電 (ESD)。具體地講，因為驅(qū)動電路由薄膜晶體管(TFT)組成并且被高速操作， 所以在有機發(fā)光顯示器的外圍部分中形成低電壓，>^人而導致驅(qū)動電路直接接 收ESD。當接收ESD時，會損壞TFT的溝道和柵絕緣層，會由于柵電極和 布線之間的短路而產(chǎn)生錯誤操作，和/或會由于電性影響(electric influence)而 損壞驅(qū)動電路。當驅(qū)動電路高度集成(或被最小化)時，驅(qū)動電路被ESD損壞
得更加嚴重'
加能夠釋放高壓的另外的保護元件或保護電路。然而，該元件或保護電路被
設(shè)計為釋放制造工藝過程中產(chǎn)生的ESD,它在防止(或減少)使用有機發(fā)光顯
示器的過程中產(chǎn)生的損壞的效果受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面旨在提供一種能夠保護驅(qū)動電路免受靜電放電(ESD)損壞 的有機發(fā)光顯示器及其制造方法。
本發(fā)明的其他方面旨在提供一種不需要增加另外的保護元件(或ESD保 護電路)就能夠防止(或減小)由ESD引起的損壞的有機發(fā)光顯示器及其制造方 法。
本發(fā)明的實施例提供一種有機發(fā)光顯示器，該有機發(fā)光顯示器包括基 底，具有像素區(qū)和非像素區(qū)；有機發(fā)光二極管(OLED)，形成在像素區(qū)中并包 括第一電極、有機薄層和第二電極；驅(qū)動電路單元，形成在非像素區(qū)中以驅(qū) 動OLED;屏蔽層，形成在非像素區(qū)中并且形成在驅(qū)動電路單元上以電結(jié)合 到地電源；絕緣層，插入到驅(qū)動電路單元和屏蔽層之間。
本發(fā)明的另一個實施例提供一種有機發(fā)光顯示器，該有機發(fā)光顯示器包 括基底，具有像素區(qū)和非像素區(qū)；有機發(fā)光二極管(OLED),在像素區(qū)中并 包括第一電極、有機薄層和第二電極；驅(qū)動電路單元，在非像素區(qū)中并用于 驅(qū)動OLED;屏蔽層，在非像素區(qū)中并且在驅(qū)動電路單元上，屏蔽層電結(jié)合 到地電源；絕緣層，插入到驅(qū)動電路單元和屏蔽層之間。這里，有機發(fā)光顯 示器還可以包括護圈，護圈形成在非像素區(qū)的邊緣部分處以浮皮電結(jié)合到屏蔽 層。
本發(fā)明的另 一個實施例提供一種制造有機發(fā)光顯示器的方法。該方法包 括以下步驟設(shè)置具有像素區(qū)和非像素區(qū)的基底；在像素區(qū)中的基底上形成 包括柵電極、源電極和漏電極的第一薄膜晶體管(TFT),在非像素區(qū)中的基底 上形成第二TFT;在像素區(qū)和非像素區(qū)中并且在第一TFT和第二TFT上形成 絕緣層；在絕緣層中形成通孔以暴露像素區(qū)中的第一 TFT的源電極或漏電極； 形成通過在像素區(qū)中的通孔結(jié)合到源電極或漏電極的第一電極；在非像素區(qū) 中形成屏蔽層；在像素區(qū)中形成像素限定層；在像素限定層中形成開口，從
而暴露第一電極的一部分；在開口中的第一電極上形成有機薄層；在像素區(qū) 中形成第二電極。
'


附圖與說明書一起示出了本發(fā)明的示例性實施例，并且與描述一起用于 解釋本發(fā)明的原理。
圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示器的平面圖； 圖2是示意性地示出圖1中示出的有機發(fā)光二極管(OLED)的剖視圖； 圖3A和圖3B是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示器的剖
視圖4是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光顯示器的剖視
圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光顯示器的剖視
圖6是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機發(fā)光顯示器的剖視
圖7A、圖7B、圖7C和圖7D是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機 發(fā)光顯示器的制造方法的剖視圖。
具體實施例方式
在以下詳細的描述中，以示出的方式僅示出并描述了本發(fā)明的特定示例 性實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該意識到，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施， 并且不應(yīng)理解為限制于在此闡述的實施例。此外，當?shù)谝辉环Q作在第二 元件"上，，時，它可以直接在第二元件上，或者間接地在第二元件上，其中在 第一元件和第二元件之間設(shè)置有一個或多個中間元件。此外，當?shù)谝辉?描述為"結(jié)合到"第二元件時，第一元件不僅可以直接地結(jié)合到第二元件，也 可以通過一個或多個中間元件間接地結(jié)合到第二元件。此外，為了清楚，可 以省略對于完整地理解本發(fā)明不必要的元件。在整個說明書中，相同的標號 表示相同的元件。
圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯示器的平面圖。 如圖1所示，基底100包括像素區(qū)140和非像素區(qū)160。非像素區(qū)160
可以是圍繞像素區(qū)140的區(qū)域和/或除了像素區(qū)140以外的剩余的區(qū)域。在像 素區(qū)140中，在基底100上，多個有機發(fā)光二極管(OLED) 180以矩陣形式結(jié) 合在掃描線104b和數(shù)據(jù)線106c之間。參照圖2,每個OLED 180包括陽極 108a、陰極111和形成在陽極108a和陰極111之間的有機薄層110。有機薄 層110包括這樣的結(jié)構(gòu)，即，在該結(jié)構(gòu)中，空穴傳輸層、有機發(fā)光層和電子 傳輸層彼此層疊，并且還可包括空穴注入層和電子注入層。
在無源矩陣型中，具有上述結(jié)構(gòu)的OLED 180以矩陣形式結(jié)合在掃描線 104b和數(shù)據(jù)線106b之間。
在有源矩陣型中，OLED 180以矩陣形式結(jié)合在掃描線104b和數(shù)據(jù)線 106c之間。這里，還包括用于控制OLED 180的操作的TFT和用于保持信號 的電容器。每個TFT包括源極、漏極和柵極。在圖2中，半導體層102提供 源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。源電極106a結(jié)合到源區(qū)，漏電極106b結(jié)合到漏區(qū)， 在溝道區(qū)上形成柵電極104a，柵電極104a通過柵絕緣層103與半導體層102 絕緣。
在圖1中所示的非像素區(qū)160中，掃描線104b從像素區(qū)140中的掃描線 104b延伸，數(shù)據(jù)線106c從像素區(qū)140中的數(shù)據(jù)線106c延伸，設(shè)置電源供應(yīng) 線106d和106e以操作OLED 180，在基底100上形成掃描驅(qū)動器220和數(shù)據(jù) 驅(qū)動器240，其中，掃描驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器240被設(shè)置為用于處理從 外部源通過焊盤120供應(yīng)的信號，以將經(jīng)處理的信號供應(yīng)到掃描線104b和數(shù) 據(jù)線106c。
掃描驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器240包括用于將從外部源通過焊盤120供 應(yīng)的信號轉(zhuǎn)化為掃描信號和數(shù)據(jù)信號以選擇性地驅(qū)動像素的驅(qū)動電路。掃措 驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器240可在制造OLED的工藝中形成，或者可被制造 為另外的集成電路芯片以被安裝到基底100上。在圖1中，僅示出掃描驅(qū)動 器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器240。然而，根據(jù)驅(qū)動類型還可以包括諸如發(fā)射驅(qū)動器 和DC多路分解器的驅(qū)動電路單元，或者可以改變電路的結(jié)構(gòu)以及掃描驅(qū)動 器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器240的位置。
此外，在基底100的邊緣(或邊緣部分)(以及在非j象素區(qū)160中)形成護圈 106f以圍繞驅(qū)動電路(或驅(qū)動電路單元)。在非像素區(qū)160中以及在驅(qū)動電路 上形成屏蔽層108c,屏蔽層108c通過絕緣層與驅(qū)動電路絕緣。這里，屏蔽層 108c可以通過電源供應(yīng)線106d或106e結(jié)合到地電源(例如，ELVSS)。參照圖3A,在一個實施例中，在基底100上設(shè)置密封基底400(其中， OLED 180形成為面對密封基底400)，通過設(shè)置在基底100和密封基底400 之間的密封材料300將像素區(qū)140密封起來。參照圖3B，在另一個實施例中， 在基底100上形成具有有機層420a和無機層420b的多層結(jié)構(gòu)的密封層420。
膜形柔性印刷電路(FPC)電結(jié)合到具有上述結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光顯示器的焊 盤120,通過FPC 乂人外部源輸入信號，例如電源電壓ELVDD和ELVSS以及 數(shù)據(jù)。當信號通過焊盤120被輸入到電源供應(yīng)線106d和106e、掃描驅(qū)動器 220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器240時，掃描驅(qū)動器220向掃描線104b供應(yīng)掃描信號，數(shù) 據(jù)驅(qū)動器240向數(shù)據(jù)線106c供應(yīng)數(shù)據(jù)信號。因此，由掃描信號選擇的像素的 OLED 180發(fā)射與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的光分量。在根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光顯 示器中，屏蔽層180c覆蓋其中驅(qū)動電路單元(例如，掃描驅(qū)動器220、數(shù)據(jù)驅(qū) 動器240、發(fā)射驅(qū)動器和DC多路分解器)由TFT形成的非像素區(qū)160。由于 屏蔽層108c通過電源供應(yīng)線106d或106e結(jié)合到地電源，所以可以有效地保 護驅(qū)動電路單元免受通過外圍部分接收的ESD的損壞。
圖4是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光顯示器的剖視 圖，并且圖4是沿著圖1中的線11-12截取的剖視圖。
緩沖層101形成在像素區(qū)140和非像素區(qū)160中的基底100上。提供有 源層的半導體層102形成在緩沖層101上。形成在像素區(qū)140中的半導體層 102提供用于驅(qū)動OLED 180的TFT的有源層，形成在非像素區(qū)160中的半 導體層102提供構(gòu)成驅(qū)動電路單元的TFT的有源層。
柵絕緣層103形成在像素區(qū)140和非像素區(qū)160中并且形成在半導體層 102上，柵電極104a形成在半導體層102上的柵絕緣層103上。這里，結(jié)合 到柵電極104a的掃描線104b形成在像素區(qū)140中，(從像素區(qū)140的掃描線 104b延伸的)掃描線104b和用于從外部源接收信號的焊盤120形成在非像素 區(qū)160中。
層間絕緣層105形成在像素區(qū)140中并且形成在柵電極104a上，還形成 在非像素區(qū)160中。接觸孔形成在層間絕緣層105和4冊絕緣層103中以暴露 半導體層102的部分(或預(yù)定部分)。源電極106a和漏電極106b形成為通過接 觸孔結(jié)合到半導體層102。這里，結(jié)合到源電極106a和漏電極106b的數(shù)據(jù)線 106c形成在^象素區(qū)140中。從像素區(qū)140的數(shù)據(jù)線106c延伸的數(shù)據(jù)線106c、 電源供應(yīng)線106d和106e、護圈106f、用于接收來自外部的信號的焊盤120
均形成在非像素區(qū)160中。
保護層107a和平坦化層107b形成在像素區(qū)140和非像素區(qū)160中。通 孔形成在像素區(qū)140的平坦化層107b和保護層107a中以暴露源電極106a或 漏電極106b的一部分(或預(yù)定部分)。此外，在非像素區(qū)160的平坦化層107b 和保護層107a中形成通孔，從而暴露電源供應(yīng)線106d或106e的一部分(或 預(yù)定部分)以及護圈106f的一部分(或預(yù)定部分)。然后，通過像素區(qū)140中的 通孔結(jié)合到源電極106a或漏電極106b的陽極108a形成在像素區(qū)140中，屏 蔽層108c形成在非像素區(qū)160中。這里，屏蔽層108c形成在非像素區(qū)160 中并且形成在驅(qū)動電路單元上，以通過非像素區(qū)160中的通孔結(jié)合到電源供 應(yīng)線106d或106e以及護圈106f。在圖4中，結(jié)合到電源供應(yīng)線106e的圖案 108b增加了電源供應(yīng)線106e的表面積，使得電阻降低并且圖案108b可以與 陽極108a —起形成。
像素限定層109形成在像素區(qū)140中，在像素限定層109中形成開口以 暴露陽極108a的部分區(qū)域(發(fā)射區(qū))。有機薄層110形成在^皮暴露的陽極108a 上，陰極111形成在像素區(qū)140中并且形成在有機薄層110上以被結(jié)合到電 源供應(yīng)線106d或106e。
圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光顯示器的剖視 圖，并且圖5是沿著圖1中的線I1-I2截取的剖視圖。
根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光顯示器具有與根據(jù)第 一 實施例的有機 發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)。然而，非像素區(qū)160的屏蔽層108c被由 有機層形成的保護層109覆蓋。
如在第一實施例中所述，當在由丙烯酰(acryl)形成的平坦化層107b上形 成屏蔽層108c時，平坦化層107b和屏蔽層108c之間的附著狀態(tài)會由于丙烯 酰的弱的層結(jié)構(gòu)而劣化。因此，屏蔽層108c由保護層109覆蓋，使得可以保 持平坦化層107b和屏蔽層108c之間的附著狀態(tài)，從而可以保護屏蔽層108c。 因此，根據(jù)第一實施例，像素限定層109僅形成在像素區(qū)140中。然而， 根據(jù)第二實施例，像素限定層109作為保護層109形成在像素區(qū)140和非像 素區(qū)160上。此外，在像素區(qū)140的像素限定層109中形成開口來暴露陽極 108a的部分區(qū)域(發(fā)射區(qū))，在非像素區(qū)160的像素限定層109中形成開口來 暴露電源供應(yīng)線106d或106e的一部分(或預(yù)定部分)。有才幾薄層110形成在被 暴露的陽極108a上，通過開口結(jié)合到電源供應(yīng)線106d或106e的陰極111形 成在像素區(qū)140中并且形成在有才幾薄層110上。
圖6是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機發(fā)光顯示器的剖視 圖，并且圖6是沿著圖1中的線11-12截取的剖視圖。
根據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機發(fā)光顯示器具有與根據(jù)第 一 實施例的有機 發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)。然而，陰極111延伸到屏蔽層108c的頂 部(或延伸以位于屏蔽層108c上)。這里，像素限定層109可以位于陰極111 和除了陰極111和屏蔽層108c之間的接觸部分之外的剩余部分中的屏蔽層 108c之間。
陰極111延伸到屏蔽層108c的頂部(或延伸以位于屏蔽層108c上)以在陰 極111和屏蔽層108c之間的疊置部分中形成電接觸，來減小陰極111和電源 供應(yīng)線106d或106e之間的接觸部分(開口)的大小。結(jié)果，可以有效地減少基 底100的無效空間(dead space)。
將參照圖7A至圖7D更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明實施例的具有上述結(jié)構(gòu)的 有機發(fā)光顯示器的制造方法。
參照圖7A，首先，提供其中限定有像素區(qū)140和非像素區(qū)160的基底 100。在像素區(qū)140和非像素區(qū)160中的基底100上用Si02和SiNx形成緩沖 層101，在緩沖層101上形成半導體層102。半導體層102是用于提供TFT 的源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的有源層。形成在像素區(qū)140中的半導體層102提供 用于驅(qū)動OLED 180的TFT的有源層，形成在非像素區(qū)160中的半導體層102 提供構(gòu)成驅(qū)動電路(或驅(qū)動電路單元)的TFT的有源層。因此，在像素區(qū)140 和非像素區(qū)160中形成的半導體層102的數(shù)量對應(yīng)于構(gòu)成像素電路和驅(qū)動電 路所需要的TFT的數(shù)量。參照圖7B,在像素區(qū)140和非像素區(qū)160中并且在 半導體層102上形成柵絕緣層103,在半導體層102上的柵絕緣層103上形 成柵電極104a。這里，在像素區(qū)140中形成結(jié)合到柵電極104a的掃描線104b， 在非像素區(qū)160中形成從像素區(qū)140的掃描線104b延伸的掃描線104b和用 于接收來自外部的信號的焊盤。柵電極104a、掃描線104b和焊盤120由金屬 (例如Mo、 W、 Ti和Al)、上述金屬的合金或?qū)盈B結(jié)構(gòu)(例如，上述金屬的層 疊結(jié)構(gòu))形成。
在像素區(qū)140和非像素區(qū)160中并且在柵電極104a上形成層間絕緣層 105。層間絕緣層105和柵絕緣層103被圖案化以形成接觸孔，使得半導體層 102的部分(或預(yù)定部分^皮暴露，并將源電極106a和漏電極106b形成為通過
接觸孔結(jié)合到半導體層102。這里，在像素區(qū)140中，形成了結(jié)合到源電極 106a和漏電極106b的數(shù)據(jù)線106c。此外，在非-泉素區(qū)160中，形成了從像 素區(qū)140的數(shù)據(jù)線106c延伸的數(shù)據(jù)線106c、電源供應(yīng)線106d和106e、護圈 106f和用于接收來自外部源的信號的焊盤120。源電極106a和漏電極106b、 數(shù)據(jù)線106c、電源供應(yīng)線106d和106e、護圈106f和焊盤120由金屬(例如 Mo、 W、 Ti和Al)、上述金屬的合金或?qū)盈B結(jié)構(gòu)(例如，上述金屬的層疊結(jié)構(gòu)) 形成。
參照圖7C,用SiN在像素區(qū)140和非像素區(qū)160中形成保護層107a后， 用丙烯酰在保護層107a上形成平坦化層107b以使表面平坦化。將平坦化層 107b和保護層107a圖案化以在像素區(qū)140中形成通孔，以暴露源電極106a 或漏電極106b的一部分(或預(yù)定部分)。此外，將平坦化層107b和保護層107a 圖案化以在非像素區(qū)160中形成通孔，從而暴露了電源供應(yīng)線106d或106e 的一部分(或預(yù)定部分)和護圈106f的一部分(或預(yù)定部分)。
根據(jù)該實施例，順序地形成保護層107a和平坦化層107b,然后將平坦 化層107b和保護層107a圖案化。然而，本發(fā)明不限于此。即，例如，在形 成保護層107a并將其圖案化后，然后可以形成平坦化層107b并將其圖案化。
然后，在像素區(qū)140中形成通過像素區(qū)140中的通孔結(jié)合到源電極106a 或漏電極106b的陽極108a,在非像素區(qū)160中形成屏蔽層108c。屏蔽層108c 形成在非像素區(qū)160中并且形成在驅(qū)動電路單元上，以通過非像素區(qū)160中 的通孔結(jié)合到電源供應(yīng)線106d或106e以及護圈106f。
這里，外圍電^各單元和屏蔽層108c通過由保護層107a和平坦化層107b 形成的絕緣層彼此電絕緣。這里，為了最小化(或減小)外圍電路單元和屏蔽層 108c之間的寄生電容，將保護層107a和平坦化層107b形成得相對厚。
此外，根據(jù)本實施例，為了不增加另外的工藝和掩模，在形成陽極108a 的工藝中形成屏蔽層108c。然而，本發(fā)明不限于此，可以通過分開的(或各自 的)工藝形成陽極108a和屏蔽層108c。在一個實施例中，當用相同的陽極材 料在相同的工藝中形成陽極108a和屏蔽層108c時，陽極108a和屏蔽層108c 4皮此電分離。
在前發(fā)射型的情況下，陽極材料可以由不透明的無機材料或無機材料的
合金形成。在后發(fā)射方法的情況下，陽極材料可以由透明的無機材料或無機
材料的合金形成。不透明的無機材料或無機材料的合金可以是ACX(—種Al
合金)、Ag或Au。透明的無機材料或無機材料的合金可以是ITO、IZO或ITZO。 參照圖7D，在像素區(qū)140中形成像素限定層109,將像素限定層109圖 案化以具有開口，從而暴露陽極108a的部分區(qū)域(發(fā)射區(qū))。然后，在通過開 口被暴露的陽極109a上形成有機薄層110，在像素區(qū)140中并且在有機薄層 IIO上形成陰極lll，以使陰極111結(jié)合到電源供應(yīng)線106d或106e(參照圖4)。 根據(jù)另一個實施例，在像素區(qū)140和非像素區(qū)160中形成像素限定層 109,將像素限定層109圖案化以在像素區(qū)140中形成開口，從而暴露陽極 108a的部分區(qū)域(發(fā)射區(qū))。此外，像素限定層109還被圖案化以在非像素區(qū) 160中形成開口，從而暴露電源供應(yīng)線106d或106e的一部分(或預(yù)定部分)。 然后，在通過開口被暴露的陽極108a上形成有機薄層110,在像素區(qū)140中 并且在有機薄層110上形成陰才及111,陰極111通過開口結(jié)合到電源供應(yīng)線 106d或106e(參照圖5)。
根據(jù)另一個實施例，在形成陰極111的工藝中，陰極lll延伸到屏蔽層 108c的頂部(或延伸以位于屏蔽層108c上)，并在陰極111和屏蔽層108c的疊 置部分中彼此電結(jié)合(參照圖6)。
參照圖3A,在基底100上設(shè)置密封基底400(其中，OLED180被形成為 面對密封基底400),通過形成在基底100和密封基底400的邊緣部分處的密 封材料300將基底100和密封基底400彼此附著，以密封像素區(qū)140。在另 一個實施例中，參照圖3B，在基底100上形成由有機層420a和無機層420b 的多層結(jié)構(gòu)形成的密封基底420，以密封像素區(qū)140。
如前所述，在本發(fā)明的實施例中，在非像素區(qū)中并且在驅(qū)動電路上形成 結(jié)合到地電源的屏蔽層，使得有效地保護驅(qū)動電路免受ESD的損壞。根據(jù)傳 統(tǒng)的有機發(fā)光顯示器，驅(qū)動電路被2kV的ESD損壞。然而，根據(jù)本發(fā)明實施 例的有機發(fā)光顯示器，可以保護驅(qū)動電路免受大約15kV的ESD的損壞。
此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，在形成陽極的工藝中形成屏蔽層，使得可 以在不增加另外的掩模工藝、另外的掩模、另外的保護元件和/或另外的ESD 保護電路的情況下也可以防止有機發(fā)光顯示器被損壞(或保護有機發(fā)光顯示 器不被損壞)，從而降低制造成本。
雖然已經(jīng)結(jié)合特定示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解的是，本 發(fā)明不限于已公開的實施例，而是相反地，本發(fā)明意圖覆蓋包括在本發(fā)明的 權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍內(nèi)的各種改變和等同布置。
權(quán)利要求
1、一種有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器包括基底，具有像素區(qū)和非像素區(qū)；有機發(fā)光二極管，在像素區(qū)中并且包括第一電極、有機薄層和第二電極；驅(qū)動電路單元，在非像素區(qū)中并且用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管；屏蔽層，在非像素區(qū)中并且在驅(qū)動電路單元上，屏蔽層電結(jié)合到地電源；絕緣層，插入到驅(qū)動電路單元和屏蔽層之間。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，還包括在非像素區(qū)的邊緣部分 并且電結(jié)合到屏蔽層的護圈。
3、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，還包括在屏蔽層上的保護層。
4、 如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示器，其中，保護層包含有機材料。
5、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，屏蔽層和第一電極包含 相同的電才及材料。
6、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，還包括電源供應(yīng)線，其中，第 二電極和屏蔽層通過電源供應(yīng)線結(jié)合到地電源。
7、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，第二電極延伸以位于屏 蔽層上。
8、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，驅(qū)動電路單元包括掃描 驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器。
9、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，還包括密封基底，密封基底在 所述基底上并且通過密封材料附著到所述基底以密封像素區(qū)。
10、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，還包括密封層，密封基底在 基底上具有有機層和無機層的多層結(jié)構(gòu)，以密封像素區(qū)。
11、 一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，所述方法包括以下步驟 設(shè)置具有像素區(qū)和非像素區(qū)的基底；在像素區(qū)中的基底上形成包括柵電極、源電極和漏電極的第 一薄膜晶體 管，在非像素區(qū)中的基底上形成第二薄膜晶體管；在像素區(qū)和非像素區(qū)中并且在第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管上形成 絕緣層；在絕緣層中形成通孔以暴露像素區(qū)中的第 一薄膜晶體管的源電極或漏電 極；形成通過在像素區(qū)中的通孔結(jié)合到源電極或漏電極的第 一 電極；在非像素區(qū)中形成屏蔽層；在像素區(qū)中形成像素限定層；在像素限定層中形成開口，從而暴露第一電極的一部分； 在開口中的第一電極上形成有機薄層； 在像素區(qū)中形成第二電極。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成第一薄膜晶體管的步驟包括 在像素區(qū)中形成第 一薄膜晶體管的源電極和漏電極以及在非像素區(qū)中的基底 上形成電源供應(yīng)線和護圈。
13、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，護圈形成在非像素區(qū)的邊緣部分處。
14、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，在絕緣層中形成通孔的步驟包括 在絕緣層中形成第 一通孔以暴露像素區(qū)中的第 一薄膜晶體管的源電極或漏電 極，以及在絕緣層中形成第二通孔以暴露在非像素區(qū)中的電源供應(yīng)線和護圈。
15、 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，屏蔽層電結(jié)合到被暴露的電源供 應(yīng)線和護圈。
16、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，像素限定層形成在像素區(qū)和非像素區(qū)中，其中，在像素限定層中形成開口，從而暴露第一電極和電源供應(yīng)線。
17、 如權(quán)利要求16所述的方法，其中，第二電極結(jié)合到被暴露的電源供 應(yīng)線。
18、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，第二電極形成為延伸到屏蔽層上。
19、 如權(quán)利要求ll所述的方法，還包括在所述基底上設(shè)置密封基底，并 利用密封材料將密封基底附著到所述基底以密封像素區(qū)。
20、 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述基底上形成具有有機層和 無機層的多層結(jié)構(gòu)的密封層以密封像素區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光顯示器及其制造方法。該有機發(fā)光顯示器包括基底，具有像素區(qū)和非像素區(qū)；有機發(fā)光二極管(OLED)，在像素區(qū)中，并包括第一電極、有機薄層和第二電極；驅(qū)動電路單元，在非像素區(qū)中，用于驅(qū)動OLED；屏蔽層，在非像素區(qū)中并且在驅(qū)動電路單元上，屏蔽層電結(jié)合到地電源；絕緣層，插入到驅(qū)動電路單元和屏蔽層之間。屏蔽層有效地保護在非像素區(qū)中的驅(qū)動電路單元免受靜電放電(ESD)的損壞。此外，該有機發(fā)光顯示器可以包括在非像素區(qū)的邊緣部分并電結(jié)合到屏蔽層的護圈，以進一步保護驅(qū)動電路免受ESD的損壞。
文檔編號H01L27/32GK101355096SQ20081009657
公開日2009年1月28日 申請日期2008年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月23日
發(fā)明者千海珍, 郭源奎 申請人:三星Sdi株式會社