專利名稱：：半導(dǎo)體激光裝置和其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光裝置和其制造方法，特別涉及包括固定在基臺上的半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置和其制造方法。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有技術(shù)中，已知包括固定在基臺上的半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置等。這種半導(dǎo)體激光裝置，例如公開在日本特開2006-41085號公報和日本特開2003-31895號公報中。在上述日本特開2006-41085號公報中，公開了一種包括半導(dǎo)體激光芯片(半導(dǎo)體激光元件)和固定半導(dǎo)體激光芯片的子固定架(基臺)的半導(dǎo)體激光裝置。在該半導(dǎo)體激光裝置中，半導(dǎo)體激光芯片由基板和形成在基板上的半導(dǎo)體層構(gòu)成。此外，在上述日本特開2003-31895號公報中，公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置和其制造方法，該半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括存在彎曲的半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片(半導(dǎo)體激光元件)，和固定半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的固定部件(基臺)。在該半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，采用以與半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的彎曲的形狀相對應(yīng)的方式對表面形狀進(jìn)行加工的固定部件。由此，將半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片以在規(guī)定的方向產(chǎn)生彎曲的狀態(tài)固定在固定部件上。但是，在日本特開2006-41085號公報中公開的現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光裝置中，因?yàn)榘雽?dǎo)體激光芯片由基板和形成在基板上的半導(dǎo)體層構(gòu)成，所以由于基板和半導(dǎo)體層的熱膨脹系數(shù)差和晶格常數(shù)差，存在可能在半導(dǎo)體激光芯片上產(chǎn)生彎曲這樣的問題。在這種情況下，因?yàn)橥ǔ０雽?dǎo)體激光芯片具有沿著共振器的延伸方向的細(xì)長的形狀，所以半導(dǎo)體激光芯片的沿著共振器的延伸方向的彎曲量變大。從而，因?yàn)榘雽?dǎo)體激光芯片的沿著共振器的延伸方向的彎曲量容易產(chǎn)生偏差，所以在將半導(dǎo)體激光芯片的彎曲的凸出側(cè)固定在子固定架上的情況下，在半導(dǎo)體激光芯片的共振器的光出射端，半導(dǎo)體激光芯片和子固定架之間的距離容易產(chǎn)生偏差。因此，存在從半導(dǎo)體激光芯片的共振器的光出射端射出的激光的出射位置容易產(chǎn)生偏差的問題。此外，在將半導(dǎo)體激光芯片的彎曲的凸出側(cè)固定在子固定架上的情況下，因?yàn)橥ǔＴ趶陌雽?dǎo)體激光芯片射出的激光的出射方向相對于子固定架的表面向上側(cè)傾斜的狀態(tài)下，在子固定架上配置半導(dǎo)體激光芯片，所以以半導(dǎo)體激光芯片的沿著共振器的延伸方向的彎曲量的偏差為原因，存在從半導(dǎo)體激光芯片(半導(dǎo)體激光元件)射出的激光的出射方向產(chǎn)生偏差的問題。此外，在日本特開2003-31895號公報中公開的現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置和其制造方法中，認(rèn)為存在下述情況在加工成與半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的彎曲的形狀對應(yīng)的曲面形狀或規(guī)定的形狀(凹形狀)的固定部件上固定半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片，但沒有為此使半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的彎曲形狀(彎曲量)的偏差與固定部件側(cè)的形狀適當(dāng)?shù)叵鄬?yīng)。在這種情況下，在共振器的光出射端，半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片和固定部件的距離容易產(chǎn)生偏差。因此，存在從半導(dǎo)體發(fā)光元件芯片的共振器的光出射端射出的激光的出射位置容易產(chǎn)生偏差的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體激光裝置包括沿著共振器延伸的第一方向和與第一方向交叉的第二方向中的至少一個方向存在彎曲的半導(dǎo)體激光元件；和固定半導(dǎo)體激光元件的彎曲的凸出側(cè)的基臺，在第一方向和第二方向中彎曲較大的方向上的半導(dǎo)體激光元件的一個端部和基臺之間的距離小于在第一方向和第二方向中彎曲較大的方向上的半導(dǎo)體激光元件的另一端部和基臺之間的距離。本發(fā)明的第二方面的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法包括形成沿著共振器延伸的第一方向和與第一方向交叉的第二方向中的至少一個方向存在彎曲的半導(dǎo)體激光元件的工序；和以在第一方向和第二方向中彎曲較大的方向上的半導(dǎo)體激光元件的一個端部和基臺之間的距離小于在第一方向和第二方向中彎曲較大的方向上的半導(dǎo)體激光元件的另一端部和基臺之間的距離的方式，將半導(dǎo)體激光元件的彎曲的凸出側(cè)固定在基臺上的工序。圖1是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置的概要結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是用于說明包括本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖3是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖5是用于說明圖3所示的本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的半導(dǎo)體激光元件的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖6是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖7是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖8是用于說明圖6所示的本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基臺的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖9是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖IO是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖11是用于說明圖IO所示的本發(fā)明的第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖12是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的正面圖。圖13是用于說明圖12所示的本發(fā)明的第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖14是用于說明圖12所示的本發(fā)明的第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的半導(dǎo)體激光元件的結(jié)構(gòu)的立體圖。具體實(shí)施方式以下參照本發(fā)明的實(shí)施方式。在說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式之前，參照圖1說明本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置l的概要結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置1中，如圖1所示，半導(dǎo)體激光元件10通過由金屬層等構(gòu)成的導(dǎo)電性粘接層20固定在基臺30上。其中，導(dǎo)電性粘接層20是本發(fā)明的"熔接層"的一個例子。半導(dǎo)體激光元件10沿著A方向存在彎曲。此處，半導(dǎo)體激光元件10的彎曲的凸出側(cè)固定在基臺30的上表面30a上。此外，半導(dǎo)體激光元件10的一個端部10a附近的半導(dǎo)體激光元件10和基臺30之間的距離(導(dǎo)電性粘接層20的厚度)Hl小于半導(dǎo)體激光元件10的另一端部10b附近的半導(dǎo)體激光元件10和基臺30之間的距離(導(dǎo)電性粘接層20的厚度)H2。而且，半導(dǎo)體激光元件10還可以沿著與A方向交叉的方向存在比A方向的彎曲小的彎曲。在這種情況下，將一個端部10a附近的半導(dǎo)體激光元件10和基臺30之間的距離的最小值定義為Hl，并且將另一端部10b附近的半導(dǎo)體激光元件10和基臺30之間的距離的最小值定義為H2。更具體地說，表示了在圖1所示的半導(dǎo)體激光元件10中，共振器的延伸方向?yàn)锳方向，共振器的光出射面為一個端部10a，并且共振器的光反射面為另一端部10b的情況。此外，半導(dǎo)體激光元件10能夠通過在氮化鎵基板、藍(lán)寶石基板、硅基板和碳化硅基板等基板上形成半導(dǎo)體層而構(gòu)成。此外，在半導(dǎo)體激光元件10的一個端部10a和另一端部10b上也可以分別形成電介質(zhì)多層膜。在本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置1中，如上所述，通過使彎曲較大的A方向上的半導(dǎo)體激光元件10的一個端部10a和基臺30之間的距離HI小于A方向上的半導(dǎo)體激光元件10的另一端部10b和基臺30之間的距離H2，與在半導(dǎo)體激光元件10的一個端部10a，半導(dǎo)體激光元件10和基臺30之間的距離較大的情況相比，能夠減小半導(dǎo)體激光元件10的一個端部10a的半導(dǎo)體激光元件10和基臺30之間的距離的偏差量。由此，例如，在將半導(dǎo)體激光元件10的一個端部10a作為共振器的光出射端而構(gòu)成的情況下，能夠抑制從光出射端射出的激光的出射位置的偏差。此外，通過將半導(dǎo)體激光元件IO的彎曲的凸出側(cè)固定在基臺30上，并且使得A方向上的半導(dǎo)體激光元件10的一個端部10a的半導(dǎo)體激光元件10和基臺30之間的距離HI小于A方向上的半導(dǎo)體激光元件10的另一端部10b的半導(dǎo)體激光元件10和基臺30之間的距離H2，能夠?qū)雽?dǎo)體激光元件10的一個端部10a以與基臺30的表面實(shí)質(zhì)上近似平行的方式進(jìn)行配置。由此，例如，在將半導(dǎo)體激光元件10的一個端部10a作為共振器的光出射端而構(gòu)成的情況下，能夠抑制在從光出射端射出的激光的出射方向相對于基臺30的表面向上側(cè)傾斜的狀態(tài)下配置半導(dǎo)體激光元件10。結(jié)果，能夠抑制從半導(dǎo)體激光元件10的共振器的光出射端射出的激光的出射方向的偏差。此外，通過將沿著A方向存在彎曲的半導(dǎo)體激光元件10固定在基臺30上，與在施加外力等使得沒有彎曲的狀態(tài)下將半導(dǎo)體激光元件10固定在基臺30上的情況不同，因?yàn)槟軌蛞种瓢雽?dǎo)體激光元件10的內(nèi)部的應(yīng)力增加，所以能夠抑制激光器的特性劣化、半導(dǎo)體激光元件10的破損。而且，在本發(fā)明中，利用從光出射側(cè)和光反射側(cè)的各自的共振器端面射出的激光強(qiáng)度的大小關(guān)系區(qū)分光出射端。即，激光的出射強(qiáng)度相對較大的一側(cè)是光出射端，激光的出射強(qiáng)度相對較小的一側(cè)是光反射端。(第一實(shí)施方式)首先，參照圖2圖5，說明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置和包括其的半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)。在包括第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置40的半導(dǎo)體激光器中，如圖2和圖3所示，半導(dǎo)體激光元件50通過AuSn等導(dǎo)電性粘接層60固定在基臺70上。其中，導(dǎo)電性粘接層60是本發(fā)明的"熔接層"的一個例子。此外，如圖2所示，基臺70通過AuSn等導(dǎo)電性粘接層61固定在設(shè)置于金屬制的芯柱(stem)80的主體部81的臺座部82上。該芯柱80設(shè)置有兩個管腳83和84。此外，半導(dǎo)體激光元件50的上表面使用Au導(dǎo)線90，與芯柱80的管腳83引線接合。此外，基臺70的上表面70a使用Au導(dǎo)線90，與芯柱80的臺座部82引線接合。此外，在芯柱80的主體部81上安裝有未圖示的能夠透過激光的帶窗口的蓋。此外，如圖4和5所示，半導(dǎo)體激光元件50具有約200um的寬度(Wl)、約1000um的長度(Ll)和約100um的厚度(tl)(參照圖5)。此外，在第一實(shí)施方式中，如圖3所示，半導(dǎo)體激光元件50包括配置在基臺70側(cè)的基板100，和配置在與基臺70相反的一側(cè)的半導(dǎo)體激光元件部IIO。其中，基板100是本發(fā)明的"基板"的一個例子。具體而言，如圖5所示，在由氮化鎵、硅和碳化硅等構(gòu)成的基板IOO的上表面上，形成有n型AlGaN包層(clad)111、由GalnN構(gòu)成的活性層112和p型AlGaN包層113。由這些n型AlGaN包層111、活性層112和p型AlGaN包層113形成半導(dǎo)體激光元件部110。其中，n型AlGaN包層111、活性層112和p型AlGaN包層113是本發(fā)明的"氮化物類半導(dǎo)體層"的一個例子。此外，通過在p型AlGaN包層113上形成在B方向上延伸的脊部113a，形成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。此外，如圖3所示，在半導(dǎo)體激光元件部110的B方向的端部上，形成光出射面(共振器面)110a和光反射面(共振器面)110b。其中，光出射面110a是本發(fā)明的"一個端部"和"光出射端"的一個例子，光反射面110b是本發(fā)明的"另一端部"和"光反射端"的一個例子。此外，通過光出射面110a、光反射面110b和波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，構(gòu)成在B方向上延伸的共振器。而且，在光出射面110a和光反射面110b上形成有未圖示的電介質(zhì)多層膜。此外，如圖5所示，在p型AlGaN包層113的脊部113a以外的上表面上形成由Si02構(gòu)成的絕緣膜114。此外，在基板100的下表面上，按照距離基板100側(cè)由近到遠(yuǎn)的順序依次疊層A1層、Pd層和Au層，從而形成n側(cè)電極101。而且，在第一實(shí)施方式中，n側(cè)電極101的下表面是粘接面。此外，在p型AlGaN包層113的脊部113a和絕緣膜114的上表面上，按照距離脊部113a和絕緣膜114由近到遠(yuǎn)的順序依次疊層Pt層、Pd層、Ti層、Pd層和Au層，由此形成p側(cè)電極115。此外，在第一實(shí)施方式中，如圖3和5所示，半導(dǎo)體激光元件50沿著共振器的延伸方向(B方向)具有約0.5um約3ym的彎曲，其根據(jù)異質(zhì)結(jié)的添加元素的種類、量的不同而有所不同。此外，半導(dǎo)體激光元件部110的與基板100相反的一側(cè)的表面形成為凹狀，半導(dǎo)體激光元件50的彎曲的凸出側(cè)(基板100側(cè))固定在基臺70上(參照圖3)。該半導(dǎo)體激光元件50的彎曲是由基板100與半導(dǎo)體激光元件部110的熱膨脹系數(shù)差以及晶格常數(shù)差而引起的。具體而言，如下表1所示，氮化鎵具有約5.59X10^/K的a軸方向的熱膨脹系數(shù)，并具有約3.189X10—1Qm的a軸方向的晶格常數(shù)。此外，硅具有約2.6X10—6/K的a軸方向的熱膨脹系數(shù)，并具有約5.43Xl(T1()m的a軸方向的晶格常數(shù)。此外，碳化硅具有約4.2Xl(TVK的a軸方向的熱膨脹系數(shù)，并具有約3.081X10^m的a軸方向的晶格常數(shù)。此外，AlGaN具有約4.15Xl(r6/K約5.59X10-6/K的a軸方向的熱膨脹系數(shù)，并具有約3.112X10^m約3.189Xl(T1()m的a軸方向的晶格常數(shù)。此夕卜，GalnN具有約3.8Xl(^/K約5.59X1(T6/K的a軸方向的熱膨脹系數(shù)，并具有約3.189X10"V約3.533Xl(T1Qm的a軸方向的晶格常數(shù)。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>這樣，在基板100由氮化鎵構(gòu)成的情況下，因?yàn)闃?gòu)成半導(dǎo)體激光元件部110的n型AlGaN包層111和p型AlGaN包層113的晶格常數(shù)小于基板100的晶格常數(shù)，所以以半導(dǎo)體激光元件50的基板100側(cè)成為凸?fàn)?半導(dǎo)體激光元件部IIO側(cè)成為凹狀)的方式在B方向上產(chǎn)生彎曲。而且，雖然活性層112具有比基板IOO大的晶格常數(shù)，但是因?yàn)榛钚詫?12的厚度比n型AlGaN包層111和p型AlGaN包層113的厚度小，所以以半導(dǎo)體激光元件50的基板IOO側(cè)成為凸?fàn)畹姆绞疆a(chǎn)生彎曲。另一方面，在基板100由硅或碳化硅構(gòu)成的情況下，因?yàn)闃?gòu)成半導(dǎo)體激光元件部110的n型AlGaN包層111、活性層112和p型AlGaN包層113的熱膨脹系數(shù)大于基板100的熱膨脹系數(shù)，所以以半導(dǎo)體激光元件50的基板IOO側(cè)成為凸?fàn)?半導(dǎo)體激光元件部IIO側(cè)為凹狀)的方式產(chǎn)生彎曲。而且，半導(dǎo)體激光元件50的B方向的彎曲大于在半導(dǎo)體激光元件50的C方向(參照圖5)上產(chǎn)生的彎曲。此外，在第一實(shí)施方式中，如圖3所示，半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離(導(dǎo)電性粘接層60的厚度)H3小于半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面110b附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離(導(dǎo)電性粘接層60的厚度)H4。在第一實(shí)施方式中，在光反射面110b附近的導(dǎo)電性粘接層60具有約4ym約8um的厚度(距離H4)的情況下，以光出射面110a附近的導(dǎo)電性粘接層60具有約1um的厚度(距離H3)的方式將半導(dǎo)體激光元件50固定在基臺70上。此外，半導(dǎo)體激光元件50的光出射面110a側(cè)與基臺70的上表面70a實(shí)質(zhì)上平行地進(jìn)行配置。即，半導(dǎo)體激光元件50以從光出射面110a射出的激光的出射方向與基臺70的上表面70a的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行的方式配置。此外，導(dǎo)電性粘接層60具有與半導(dǎo)體激光元件50相同的寬度(Wl-約200um)和長度(Lh約1000ym)(參照圖5)。此外，如圖4所示，基臺70具有約900um的寬度(W2)、約1200um的長度(L2)、和約250nm的厚度(t2)(參照圖3)。此外，如圖3所示，基臺70包括由SiC或AlN構(gòu)成的基板70b。該基板70b的上表面和下表面的整個面上形成有由約100nm厚的Ti層、約20nm厚的Pt層、和約30nm厚的Au層構(gòu)成的基底金屬層70c。該基底金屬層70c是用于將導(dǎo)電性粘接層60粘接在基臺70上而設(shè)置的。下面，參照圖2、圖3和圖5說明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置和包括它的半導(dǎo)體激光器的制造工藝。首先，如圖5所示，在基板100的上表面上，通過進(jìn)行n型AlGaN包層111、由GalnN構(gòu)成的活性層112和p型AlGaN包層113的外延生長，形成半導(dǎo)體激光元件部110。然后，在p型AlGaN包層113上形成在B方向上延伸的脊部113a之后，在p型AlGaN包層113的脊部113a以外的上表面上形成由Si02構(gòu)成的絕緣膜114。之后，在基板100的下表面上，按照距離基板100側(cè)由近到遠(yuǎn)的順序依次疊層Al層、Pd層禾BAu層，形成n側(cè)電極101，并且在p型AlGaN包層113的脊部113a和絕緣膜114的上表面上，按照距離脊部113a和絕緣膜114由近到遠(yuǎn)的順序依次疊層Pt層、Pd層、Ti層、Pd層和Au層，形成p側(cè)電極115。并且，通過在半導(dǎo)體激光元件部110的共振器的光出射面110a和光反射面110b上形成未圖示的電介質(zhì)多層膜，從而形成半導(dǎo)體激光元件50。此時，在第一實(shí)施方式中，由于基板100和半導(dǎo)體激光元件部110的熱膨脹系數(shù)差和晶格常數(shù)差，以基板100側(cè)為凸?fàn)?半導(dǎo)體激光元件部110側(cè)為凹狀)的方式在半導(dǎo)體激光元件50中產(chǎn)生彎曲。然后，在第一實(shí)施方式中，如圖3所示，以半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離(導(dǎo)電性粘接層60的厚度)H3(約lum)小于半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面110b附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離(導(dǎo)電性粘接層60的厚度)H4(約4um約8um的范圍)的方式，將半導(dǎo)體激光元件50的彎曲的凸出側(cè)(基板100側(cè))粘接在基臺70上。此時，同時將基臺70固定在芯柱80的臺座部82上(參照圖2)。具體而言，如圖2所示，在氮?dú)夥罩?，在金屬制的芯?0的臺座部82上，依次配置導(dǎo)電性粘接層61、在規(guī)定的區(qū)域上配置有導(dǎo)電性粘接層60的基臺70和半導(dǎo)體激光元件50。然后，在第一實(shí)施方式中，如圖3所示，使芯柱80(參照圖2)為高溫，同時利用陶瓷制的筒夾(collet)120，通過導(dǎo)電性粘接層60將半導(dǎo)體激光元件50的光出射面110a附近按壓在基臺70上。其中，筒夾120是本發(fā)明的"按壓部件"的一個例子。此時，在利用筒夾120按壓半導(dǎo)體激光元件50的光出射面110a附近的狀態(tài)下，被筒夾120按壓的區(qū)域(半導(dǎo)體激光元件50的光出射面llOa偵D的液狀的導(dǎo)電性粘接層60向沒有被筒夾120按壓的區(qū)域(半導(dǎo)體激光元件50的光反射面110b側(cè))移動，進(jìn)入光反射面110b側(cè)的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間。而且，在筒夾120上設(shè)置有孔部120a，通過使孔部120a的內(nèi)部為真空，能夠吸附半導(dǎo)體激光元件50。之后，如圖2所示，通過冷卻芯柱80，使導(dǎo)電性粘接層60和61固化，半導(dǎo)體激光元件50通過導(dǎo)電性粘接層60固定在基臺70上，并且基臺70通過導(dǎo)電性粘接層61固定在芯柱80的臺座部82上。然后，通過使用Au導(dǎo)線90進(jìn)行引線接合，連接半導(dǎo)體激光元件50的上表面和芯柱80的管腳83，并且通過使用Au導(dǎo)線90進(jìn)行引線接合，連接基臺70的上表面70a和芯柱80的臺座部82。最后，在芯柱80的主體部81上安裝未圖示的能夠透過激光的帶窗口的蓋。在第一實(shí)施方式中，如上所述，通過使半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H3(約1um)小于半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面110b附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H4(約m約8^m的范圍)，與半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H3較大的情況相比，能夠使半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H3的偏差量較小。由此，能夠抑制從半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a射出的激光的出射位置的偏差。此外，通過將半導(dǎo)體激光元件50的彎曲的凸出側(cè)(基板100側(cè))固定在基臺70上，并且使得半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H3小于半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面110b附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H4，因?yàn)槟軌驅(qū)雽?dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a側(cè)以與基臺70的上表面70a實(shí)質(zhì)上平行的方式進(jìn)行配置，所以能夠抑制在從半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a射出的激光的出射方向相對于基臺70的上表面70a向上側(cè)傾斜的狀態(tài)下配置半導(dǎo)體激光元件50。由此，能夠抑制從半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a射出的激光的出射方向的偏差。這樣，因?yàn)槟軌蛞种茝陌雽?dǎo)體激光元件50射出的激光的出射位置和出射方向的偏差，所以能夠提高半導(dǎo)體激光裝置40的組裝成品率。此外，通過將沿著共振器的延伸方向(B方向)存在彎曲的半導(dǎo)體激光元件50固定在基臺70上，與在沒有彎曲的狀態(tài)下將半導(dǎo)體激光元件50固定在基臺70上的情況不同，因?yàn)槟軌蛞种瓢雽?dǎo)體激光元件50內(nèi)的應(yīng)力增加，所以能夠抑制激光的特性劣化、半導(dǎo)體激光元件50的破損。此外，在第一實(shí)施方式中，因?yàn)榘雽?dǎo)體激光元件50的B方向的彎曲比半導(dǎo)體激光元件50的C方向的彎曲大，所以能夠測量在基臺70上接合半導(dǎo)體激光元件50之后的導(dǎo)電性粘接層60的厚度，從而容易地識別半導(dǎo)體激光元件50的激光的出射方向(光出射面110a的位置)。此外，在第一實(shí)施方式中，通過將半導(dǎo)體激光元件50的基板100側(cè)通過導(dǎo)電性粘接層60固定在基臺70上，在半導(dǎo)體激光元件50包括與基板100相反的一側(cè)的表面為凹狀的半導(dǎo)體激光元件部110的情況下，也能夠抑制從半導(dǎo)體激光元件50射出的激光的出射位置和出射方向的偏差。此外，在第一實(shí)施方式中，通過利用筒夾120進(jìn)行按壓并通過導(dǎo)電性粘接層60將半導(dǎo)體激光元件50的光出射面110a附近固定在基臺70上，能夠容易地使半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H3小于半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面110b附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H4。此外，在第一實(shí)施方式中，通過使用由具有導(dǎo)電性的AuSn等構(gòu)成的導(dǎo)電性粘接層60作為熔接層，能夠容易地導(dǎo)通半導(dǎo)體激光元件50和形成在基臺70的上表面70a上的基底金屬層70c。由此，能夠有效地利用沒有接合半導(dǎo)體激光元件50的基臺70的上表面70a作為用于引線接合的區(qū)域。(第二實(shí)施方式)參照圖6圖8，在該第二實(shí)施方式中，與上述第一實(shí)施方式不同，對僅將半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a側(cè)固定在基臺140上的情況進(jìn)行說明。在第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置130中，如圖6和圖7所示，與上述第一實(shí)施方式同樣，半導(dǎo)體激光元件50通過AuSn等導(dǎo)電性粘接層60a(參照圖6)固定在基臺140上。此外，基臺140包括由SiC或AlN構(gòu)成的基板140b。其中，導(dǎo)電性粘接層60a是本發(fā)明的"烙接層"的一個例子。此處，在第二實(shí)施方式中，在基板140b的上表面上的半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近的區(qū)域、和基板140b的整個下表面上，形成有與上述第一實(shí)施方式為相同的疊層結(jié)構(gòu)的基底金屬層140c。即，在第二實(shí)施方式中，如圖8所示，基板140b的上表面的基底金屬層140c形成在半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a(參照圖6)附近的區(qū)域上，而沒有形成在半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面110b(參照圖6)側(cè)的區(qū)域上。此處，因?yàn)橛葾uSn等構(gòu)成的導(dǎo)電性粘接層60a幾乎不會與由SiC或AlN構(gòu)成的基板140b粘接，所以半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面110b側(cè)不固定在基臺140上，僅是半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近通過導(dǎo)電性粘接層60a固定在基臺140上。第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置130的其它結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施方式相同。接著，參照圖6圖8說明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置130的制造工藝。首先，通過與上述第一實(shí)施方式相同的制造工藝，形成半導(dǎo)體激光元件50.然后，在第二實(shí)施方式中，如圖6和圖8所示，準(zhǔn)備在基板140b的上表面的半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近的區(qū)域、和基板140b的整個下表面上形成有基底金屬層140c的基臺140。然后，如圖6和圖7所示，使用與上述第一實(shí)施方式相同的工藝，將半導(dǎo)體激光元件50的彎曲的凸出側(cè)(基板100側(cè))粘接在基臺140上。第二實(shí)施方式的其它制造工藝與上述第一實(shí)施方式的制造工藝相同。在第二實(shí)施方式中，如上所述，通過使半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面110b側(cè)不固定在基臺140上，僅將半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a附近通過導(dǎo)電性粘接層60a固定在基臺140上，與從半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110a到光反射面110b的整體都固定在基臺140上的情況不同，因?yàn)槟軌蛞种朴蓪?dǎo)電性粘接層60a硬化時的熱收縮導(dǎo)致的半導(dǎo)體激光元件50內(nèi)的應(yīng)力的增加，所以能夠抑制激光特性的劣化和半導(dǎo)體激光元件50的破損。而且，第二實(shí)施方式的其它效果與上述第一實(shí)施方式相同。(第三實(shí)施方式)參照圖9，在該第三實(shí)施方式中，與上述第一實(shí)施方式不同，對光反射面110d附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離小于光出射面110c附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離的情況進(jìn)行說明。其中，光出射面110c是本發(fā)明的"另一端部"的一個例子，光反射面110d是本發(fā)明的"一個端部"的一個例子。此處，在第三實(shí)施方式中，如圖9所示，半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面llOd附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離(導(dǎo)電性粘接層60的厚度)H5小于半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110c附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離(導(dǎo)電性粘接層60的厚度)H6。在第三實(shí)施方式中，在光出射面110c附近的導(dǎo)電性粘接層60具有約4um約8um的厚度(距離H6)的情況下，半導(dǎo)體激光元件50以光反射面110d附近的導(dǎo)電性粘接層60具有約1um的厚度(距離H5)的方式固定在基臺70上。第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置40的其它結(jié)構(gòu)和制造工藝與上述第一實(shí)施方式相同。在第三實(shí)施方式中，如上所述，通過使半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光反射面110d附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H5(約liim)小于半導(dǎo)體激光元件50的共振器的光出射面110c附近的半導(dǎo)體激光元件50和基臺70之間的距離H6(約m約m的范圍)，半導(dǎo)體激光元件50以導(dǎo)電性粘接層60沿著半導(dǎo)體激光元件50的共振器方向(B方向)厚度產(chǎn)生變化的方式粘接在基臺70上。由此，測量接合后的導(dǎo)電性粘接層60的厚度，能夠容易地識別半導(dǎo)體激光元件50的激光出射方向(光出射面110c的位置)。而且，第三實(shí)施方式的其它效果與上述第一實(shí)施方式相同。(第四實(shí)施方式)參照圖10和圖11，在該第四實(shí)施方式中，與上述第一實(shí)施方式不同，對將在元件的寬度方向(與共振器的延伸方向正交的方向)上存在彎曲的半導(dǎo)體激光元件95固定在基臺70上的情況進(jìn)行說明。在包括第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置40的半導(dǎo)體激光器中，如圖10和圖ll所示，半導(dǎo)體激光元件95通過AuSn等導(dǎo)電性粘接層60固定在基臺70上。此外，半導(dǎo)體激光元件95具有約800um的寬度(Wl)、約700Pm的長度(Ll)和約100um的厚度(tl)。此外，基臺70具有約900um的寬度(W2)、約1200um的長度(L2)和約250um的厚度(t2)。此處，在第四實(shí)施方式中，如圖10所示，半導(dǎo)體激光元件95沿著與共振器的延伸方向(B方向)正交的方向(C方向)存在約0.5um約3um的彎曲。此外，半導(dǎo)體激光元件部110的與基板IOO相反的一側(cè)的表面形成為凹狀，半導(dǎo)體激光元件95的彎曲的凸出側(cè)(基板100偵lj)固定在基臺70上。而且，半導(dǎo)體激光元件95的C方向的彎曲大于在半導(dǎo)體激光元件95的B方向上產(chǎn)生的彎曲。此外，在第四實(shí)施方式中，如圖10所示，沿著半導(dǎo)體激光元件95的共振器端面(光出射面110e或光反射面110f)的方向(C方向)的一個端部95a附近的半導(dǎo)體激光元件95和基臺70之間的距離(導(dǎo)電性粘接層60的厚度)H7，小于在半導(dǎo)體激光元件95的C方向的另一端部95b附近的半導(dǎo)體激光元件95和基臺70之間的距離(導(dǎo)電性粘接層60的厚度)H8。在第四實(shí)施方式中，在另一端部95b附近的導(dǎo)電性粘接層60具有約4um約8ym的厚度(距離H8)的情況下，半導(dǎo)體激光元件95以一個端部95a附近的導(dǎo)電性粘接層60具有約1um的厚度(距離H7)的方式固定在基臺70上。第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置40的其它結(jié)構(gòu)和制造工藝與上述第一實(shí)施方式相同。在第四實(shí)施方式中，如上所述，通過使在半導(dǎo)體激光元件95的C方向上的一個端部95a附近的半導(dǎo)體激光元件95和基臺70之間的距離H7(約lum)小于在半導(dǎo)體激光元件95的C方向上的另一端部95b附近的半導(dǎo)體激光元件95和基臺70之間的距離H8(約4um約8Pm的范圍)，半導(dǎo)體激光元件95以導(dǎo)電性粘接層60沿著半導(dǎo)體激光元件95的寬度方向(C方向)厚度產(chǎn)生變化的方式粘接在基臺70上。由此，測量芯片焊接(diebond)(接合)后的導(dǎo)電性粘接層60的厚度，能夠容易地識別半導(dǎo)體激光元件95的激光出射方向(光出射面110e的位置)。(第五實(shí)施方式)參照圖12圖14，在該第五實(shí)施方式中，與上述第一第四實(shí)施方式不同，對以半導(dǎo)體激光元件160的基板190側(cè)成為凹狀(半導(dǎo)體激光元件部200側(cè)為凸?fàn)?的方式，在半導(dǎo)體激光元件160中存在彎曲的情況進(jìn)行說明。在第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置150中，如圖12和圖13所示，半導(dǎo)體激光元件160通過AuSn等導(dǎo)電性粘接層170a和170b(參照圖12)固定在基臺180上。其中，導(dǎo)電性粘接層170a和170b是本發(fā)明的"熔接層"的一個例子。此外，在第五實(shí)施方式中，如圖12所示，半導(dǎo)體激光元件160包含配置在基臺180側(cè)的半導(dǎo)體激光元件部200和配置在與基臺180相反的一側(cè)的基板190。其中，基板190是本發(fā)明的"基板"的一個例子。具體而言，如圖14所示，在由藍(lán)寶石構(gòu)成的基板l卯的上表面上，形成有n型AlGaN包層201。在該n型AlGaN包層201的上表面上的一側(cè)的區(qū)域上，形成有由GalnN構(gòu)成的活性層202和p型AlGaN包層203。通過這些n型AlGaN包層201、活性層202和p型AlGaN包層203，形成半導(dǎo)體激光元件部200。其中，n型AlGaN包層201、活性層202和p型AlGaN包層203是本發(fā)明的"氮化物類半導(dǎo)體層"的一個例子。此外，通過在p型AlGaN包層203上形成沿著B方向延伸的脊部203a，形成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。此外，在半導(dǎo)體激光元件部200的B方向的端部上，形成有光出射面(共振器面)200a和光反射面(共振器面)200b(參照圖13)。通過該光出射面200a、光反射面200b和波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，構(gòu)成在B方向上延伸的共振器。其中，光出射面200a是本發(fā)明的"一個端部"和"光出射端"的一個例子，光反射面200b是本發(fā)明的"另一端部"和"光反射端"的一個例子。此外，在n型AlGaN包層201的上表面上的規(guī)定區(qū)域，以及p型AlGaN包層203的脊部203a以外的上表面上，形成有由Si02構(gòu)成的絕緣膜204。此外，在n型AlGaN包層201的上表面上的另一側(cè)的區(qū)域上，形成有按照距離n型AlGaN包層201側(cè)由近到遠(yuǎn)的順序依次疊層有Al層、Pd層和Au層的n側(cè)電極191。此外，在p型AlGaN包層203的脊部203a和絕緣膜204的上表面上的規(guī)定區(qū)域上，形成有按照距離脊部203a和絕緣膜204由近到遠(yuǎn)的順序依次疊層有Pt層、Pd層、Ti層、Pd層和Au層的p側(cè)電極205。而且，在第五實(shí)施方式中，n側(cè)電極191和p側(cè)電極205的上表面是粘接面。此外，在第五實(shí)施方式中，如圖14所示，半導(dǎo)體激光元件160沿著共振器的延伸方向(B方向)存在約lym約3um的彎曲，其根據(jù)異質(zhì)結(jié)的添加元素的種類、量的不同而不同。此外，半導(dǎo)體激光元件部200的與基板190相反的一側(cè)的表面形成為凸?fàn)?，半?dǎo)體激光元件160的彎曲的凸出側(cè)(半導(dǎo)體激光元件部200側(cè))固定在基臺180上(參照圖12)。該半導(dǎo)體激光元件160的彎曲是由于基板190和半導(dǎo)體激光元件部200的熱膨脹系數(shù)差和晶格常數(shù)差而產(chǎn)生的。具體而言，如以下表2所示，藍(lán)寶石具有約7.5X1(^/K的a軸方向的熱膨脹系數(shù)，并且具有約4.4759X10—1Qm的a軸方向的晶格常數(shù)。此外，如上述表l所示，AlGaN具有約4.15X10-6/K約5.59X10-6/K的a軸方向的熱膨脹系數(shù)，并且具有約3.112X10"V約3.189X10-'Vi的a軸方向的晶格常數(shù)。此外，如上述表l所示，GalnN具有約3.8X10"/K約5.59X1(T6/K的a軸方向的熱膨脹系數(shù)，并且具有約3.189X10^m約3.533X10_1()m的a軸方向的晶格常數(shù)。材料熱膨脹系數(shù)(10-6/k)a軸方向晶格常數(shù)(io-'V)a軸方向元件形成面的彎曲A1203(藍(lán)寶石基板)7.54.4759凸這樣，在基板190由藍(lán)寶石構(gòu)成的情況下，因?yàn)闃?gòu)成半導(dǎo)體激光元件部200的n型AlGaN包層201、活性層202和p型AlGaN包層203的熱膨脹系數(shù)小于基板190的熱膨脹系數(shù)，所以以半導(dǎo)體激光元件160的基板190側(cè)為凹狀(半導(dǎo)體激光元件部200側(cè)為凸?fàn)?的方式產(chǎn)生彎曲。而且，在由氮化鎵構(gòu)成的基板上形成有n型GaInN包層、由GaInN構(gòu)成的活性層和p型GaInN包層的情況下，因?yàn)闃?gòu)成半導(dǎo)體激光元件部的GaInN的晶格常數(shù)(約3.189X10"V約3.533X10"Qm)大于氮化鎵的晶格常數(shù)(約3.189X10"Qm)(參照表1)，所以以半導(dǎo)體激光元件的基板側(cè)為凹狀(半導(dǎo)體激光元件部側(cè)為凸?fàn)?的方式產(chǎn)生彎曲。而且，半導(dǎo)體激光元件160的B方向的彎曲比在半導(dǎo)體激光元件160的C方向上產(chǎn)生的彎曲大。此外，與上述第一和第二實(shí)施方式同樣，半導(dǎo)體激光元件160的光出射面200a側(cè)以與基臺180的上表面180a實(shí)質(zhì)上平行的方式(參照圖12)進(jìn)行配置。此外，如圖12所示，與上述第一和第二實(shí)施方式同樣，基臺180包括由SiC或A1N構(gòu)成的基板180b。此外，在第五實(shí)施方式中，在基板180b的上表面上的一側(cè)和從該一側(cè)隔開規(guī)定距離的另一側(cè)上，分別形成有與上述第一和第二實(shí)施方式為相同的疊層結(jié)構(gòu)的基底金屬層180c和180d。此外，在基板180b的整個下表面上形成有與上述第一和第二實(shí)施方式為相同的疊層結(jié)構(gòu)的基底金屬層180e。此外，在第五實(shí)施方式中，導(dǎo)電性粘接層170a和170b配置成相互隔開規(guī)定的間隔。此外，導(dǎo)電性粘接層170a配置在基底金屬層180c和p側(cè)電極205之間，導(dǎo)電性粘接層170b配置在基底金屬層180d和n側(cè)電極191之間。第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置150的其它結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施方式相同。下面參照圖12圖14說明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置150的制造工藝。首先，如圖14所示，在基板190的上表面上形成n型AlGaN包層201。然后，通過在n型AlGaN包層201的上表面上的一側(cè)的區(qū)域上，外延生長由GalnN構(gòu)成的活性層202和p型AlGaN包層203，形成半導(dǎo)體激光元件部200。之后，在p型AlGaN包層203上形成在B方向上延伸的脊部203a。然后，在n型AlGaN包層201的上表面上的規(guī)定的區(qū)域，和p型AlGaN包層203的脊部203a以外的上表面上，形成由Si02構(gòu)成的絕緣膜204。之后，在n型AlGaN包層201的上表面上的另一側(cè)的區(qū)域上，按照距離n型AlGaN包層201側(cè)由近到遠(yuǎn)的順序依次疊層Al層、Pd層和Au層，形成n側(cè)電極191，并且在p型AlGaN包層203的脊部203a和絕緣膜204的上表面上的規(guī)定區(qū)域上，按照距離脊部203a和絕緣膜204由近到遠(yuǎn)的順序依次疊層Pt層、Pd層、Ti層、Pd層禾nAu層，形成p側(cè)電極205。此時，在第五實(shí)施方式中，由于基板l卯和半導(dǎo)體激光元件部200的熱膨脹系數(shù)差和晶格常數(shù)差，以基板190側(cè)為凹狀(半導(dǎo)體激光元件部200側(cè)為凸?fàn)?的方式，在半導(dǎo)體激光元件160中產(chǎn)生彎曲。接著，在第五實(shí)施方式中，如圖12和圖13所示，準(zhǔn)備在基板180b的上表面上的一側(cè)和另一側(cè)上分別形成有基底金屬層180c和180d，并且在整個下表面上形成有基底金屬層180e的基臺180。之后，在第五實(shí)施方式中，將半導(dǎo)體激光元件160的彎曲的凸出側(cè)(半導(dǎo)體激光元件部200側(cè))通過導(dǎo)電性粘接層170a和170b(參照圖12)粘接在基臺180上。此時，通過導(dǎo)電性粘接層170a將p側(cè)電極205固定在基底金屬層180c上，并且通過導(dǎo)電性粘接層170b將n側(cè)電極191固定在基底金屬層180d上。第五實(shí)施方式的其它制造工藝與上述第一實(shí)施方式的制造工藝相同。在第五實(shí)施方式中，如上所述，將半導(dǎo)體激光元件160的半導(dǎo)體激光元件部200側(cè)通過導(dǎo)電性粘接層170a和170b固定在基臺180上，從而，即使在半導(dǎo)體激光元件160包括與基板190相反的一側(cè)的表面為凸?fàn)畹陌雽?dǎo)體激光元件部200的情況下，也能夠容易地抑制從半導(dǎo)體激光元件160射出的激光的出射位置和出射方向的偏差。第五實(shí)施方式的其它效果與上述第一實(shí)施方式相同。而且，應(yīng)該理解的是，此次公開的實(shí)施方式的所有要點(diǎn)只是示例，而非限制。本發(fā)明的范圍不是由上述實(shí)施方式的說明表示，而是由權(quán)利要求的范圍表示，而且，與權(quán)利要求的范圍均等的意思和范圍內(nèi)的所有變更都包括在本發(fā)明內(nèi)。例如，在上述第一第五實(shí)施方式中，表示了在將半導(dǎo)體激光元件固定在基臺上時，使用筒夾將半導(dǎo)體激光元件按壓在基臺上的例子，但是本發(fā)明不限于此，在將半導(dǎo)體激光元件固定在基臺上時，還可以使用筒夾以外的部件將半導(dǎo)體激光元件按壓在基臺上。此外，在上述第一第五實(shí)施方式中，表示了通過氮化物類半導(dǎo)體層構(gòu)成半導(dǎo)體激光元件部的例子，但是本發(fā)明不限于此，半導(dǎo)體激光元件部可以由氮化物類半導(dǎo)體層以外的層構(gòu)成。此外，在上述第一第五實(shí)施方式中，表示了將半導(dǎo)體激光元件的光出射面?zhèn)纫詫?shí)質(zhì)上平行于基臺的上表面的方式進(jìn)行配置的例子，但是本發(fā)明不限于此，也可以將半導(dǎo)體激光元件的光出射面?zhèn)纫圆慌c基臺的上表面實(shí)質(zhì)上平行的方式進(jìn)行配置。此外，在上述第五實(shí)施方式中，表示了半導(dǎo)體激光元件160的彎曲的凸出側(cè)(半導(dǎo)體激光元件部200側(cè))，在共振器的延伸方向(B方向)的整個區(qū)域上，固定在基臺180上的例子，但是本發(fā)明不限于此，與上述第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光元件部與基臺的固定方法相同，也可以僅將半導(dǎo)體激光元件160的共振器的光出射面200a側(cè)附近的規(guī)定區(qū)域通過導(dǎo)電性粘接層170a和170b固定在基臺180上。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，包括沿著共振器延伸的第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向中的至少一個方向存在彎曲的半導(dǎo)體激光元件；和固定所述半導(dǎo)體激光元件的彎曲的凸出側(cè)的基臺，在所述第一方向和所述第二方向中彎曲較大的方向上的所述半導(dǎo)體激光元件的一個端部和所述基臺之間的距離小于在所述第一方向和所述第二方向中彎曲較大的方向上的所述半導(dǎo)體激光元件的另一端部和所述基臺之間的距離。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述第一方向的彎曲大于所述第二方向的彎曲。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述一個端部是所述半導(dǎo)體激光元件的光出射端，所述另一端部是所述半導(dǎo)體激光元件的光反射端。4、根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于；所述一個端部是所述半導(dǎo)體激光元件的光反射端，所述另一端部是所述半導(dǎo)體激光元件的光出射端。5、根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體激光元件包括基板，和形成在所述基板的表面上并且與所述基板相反的一側(cè)的表面為凹狀的半導(dǎo)體激光元件部，所述半導(dǎo)體激光元件的所述基板側(cè)通過熔接層固定在所述基臺上。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述熔接層具有導(dǎo)電性。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體激光元件包括基板，和形成在所述基板的表面上并且與所述基板相反的一側(cè)的表面為凸?fàn)畹陌雽?dǎo)體激光元件部，所述半導(dǎo)體激光元件的所述半導(dǎo)體激光元件部側(cè)通過烙接層固定在所述基臺上。8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體激光元件包括具有氮化物類半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體激光元件部。9、根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述另一端部的附近不固定在所述基臺上，所述一個端部的附近通過熔接層固定在所述基臺上。10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于-所述第二方向的彎曲大于所述第一方向的彎曲。11、一種半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，包括形成沿著共振器延伸的第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向中的至少一個方向存在彎曲的半導(dǎo)體激光元件的工序；和以在所述第一方向和所述第二方向中彎曲較大的方向上的所述半導(dǎo)體激光元件的一個端部和基臺之間的距離小于在所述第一方向和所述第二方向中彎曲較大的方向上的所述半導(dǎo)體激光元件的另一端部和所述基臺之間的距離的方式，將所述半導(dǎo)體激光元件的彎曲的凸出側(cè)固定在所述基臺上的工序。12、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于將所述半導(dǎo)體激光元件固定在所述基臺上的工序包括，相比于在所述第一方向和所述第二方向中彎曲較大的方向上的所述半導(dǎo)體激光元件的中央部，將所述一個端部側(cè)通過按壓部件按壓在所述基臺上并且通過熔接層進(jìn)行固定的工序。13、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體激光元件的工序包括在基板的表面上形成與所述基板相反的一側(cè)的表面為凹狀的半導(dǎo)體激光元件部的工序，將所述半導(dǎo)體激光元件固定在所述基臺上的工序包括將所述半導(dǎo)體激光元件部的所述基板側(cè)通過熔接層固定在所述基臺上的工序。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于所述熔接層具有導(dǎo)電性。15、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體激光元件的工序包括在基板的表面上形成與所述基板相反的一側(cè)的表面為凸?fàn)畹陌雽?dǎo)體激光元件部的工序，將所述半導(dǎo)體激光元件固定在所述基臺上的工序包括將所述半導(dǎo)體激光元件部的所述基板側(cè)通過熔接層固定在所述基臺上的工序。16、根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于-將所述半導(dǎo)體激光元件固定在所述基臺上的工序包括不將所述另一端部的附近固定在所述基臺上，而將所述一個端部的附近通過熔接層固定在所述基臺上的工序。17、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體激光元件的工序包括以使所述第一方向的彎曲大于所述第二方向的彎曲的方式形成所述半導(dǎo)體激光元件的工序。18、根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于所述一個端部是所述半導(dǎo)體激光元件的光出射端，所述另一端部是所述半導(dǎo)體激光元件的光反射端。19、根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于所述一個端部是所述半導(dǎo)體激光元件的光反射端，所述另一端部是所述半導(dǎo)體激光元件的光出射端。20、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于形成所述半導(dǎo)體激光元件的工序包括以使所述第二方向的彎曲比所述第一方向的彎曲大的方式形成所述半導(dǎo)體激光元件的工序。全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光裝置和其制造方法，該半導(dǎo)體激光裝置包括沿著共振器延伸的第一方向或與第一方向交叉的第二方向存在彎曲的半導(dǎo)體激光元件；和固定半導(dǎo)體激光元件的彎曲的凸出側(cè)的基臺，在第一方向和第二方向中彎曲較大的方向上的半導(dǎo)體激光元件的一個端部和基臺之間的距離小于在第一方向和第二方向中彎曲較大的方向上的半導(dǎo)體激光元件的另一端部和基臺之間的距離。文檔編號H01S5/022GK101272035SQ20081010030公開日2008年9月24日申請日期2008年3月14日優(yōu)先權(quán)日2007年3月16日發(fā)明者中島三郎,后藤壯謙,畑雅幸,野村康彥申請人:三洋電機(jī)株式會社