專利名稱：以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤其涉及一種 以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參閱圖l所示，此圖為現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置于燈罩內(nèi)的 側(cè)視示意圖。由圖中可知，現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括有基板本 體S及至少一個(gè)電性地設(shè)置于該基板本體S上的發(fā)光元件L，其中該基板本 體S具有導(dǎo)熱層(heat conducting layer) Sl、形成在該導(dǎo)熱層Sl的上表面的 絕緣層(insulative layer) S2、及形成在該絕緣層S2的上表面的導(dǎo)電層 (conductive layer) S3。因此，該發(fā)光元件L通過(guò)該導(dǎo)電層S3以導(dǎo)電于電源 (圖未示)，并且該發(fā)光元件L依序通過(guò)該絕緣層S2及該導(dǎo)熱層S1以進(jìn)行 散熱。
為了能夠使得該發(fā)光元件L所產(chǎn)生的部分光束B(niǎo)能達(dá)到聚光的效果，現(xiàn) 有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)粘著層A而設(shè)置于呈燈罩形狀的燈罩U 內(nèi)，因此該發(fā)光元件L所產(chǎn)生的部分光束B(niǎo)能通過(guò)該燈罩U的內(nèi)表面U10， 以產(chǎn)生聚光效果。
然而，現(xiàn)有技術(shù)將發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置于該燈罩U的方式，不但制 作過(guò)程較繁復(fù)，并且由于該發(fā)光元件L所產(chǎn)生的熱量必須經(jīng)過(guò)該基板本體S (依序經(jīng)過(guò)該絕緣層S2及該導(dǎo)熱層Sl)及該粘著層A后，才能到達(dá)該燈罩 U，因此大大降低了該發(fā)光元件L的散熱速度及效率。
所以，由上可知，目前現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)顯然存在不便與 缺陷，因此有待加以改善。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明人認(rèn)為上述缺陷改善，且依據(jù)多年來(lái)從事此方面的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)細(xì)心觀察和研究，并配合運(yùn)用科技原理，而提出設(shè)計(jì)合理且有效改 善上述缺陷的本發(fā)明。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種以基板為燈罩的發(fā)光二極管 芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。本發(fā)明直接將發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的基板 本體進(jìn)行彎折，以成為發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的燈罩。因此， 本發(fā)明不但可以省去傳統(tǒng)燈罩的制作，并且也可以通過(guò)基板本體(由金屬層
及電木層(Bakelite layer)組成)本身的高導(dǎo)熱性，來(lái)增加該發(fā)光元件的散 熱效果。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種以基板
為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板單元及發(fā)光單元。其中， 該基板單元具有呈燈罩形狀的基板本體。該發(fā)光單元具有多個(gè)電性地設(shè)置于 該基板本體的內(nèi)表面的發(fā)光元件。借此，上述多個(gè)發(fā)光元件所產(chǎn)生的部分光 束通過(guò)該呈燈罩形狀的基板本體的內(nèi)表面而反射出去。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)中，該基板本體可為印刷
電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板，并且該燈罩形狀為u字型。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)中，該基板本體可具有平 面部及兩個(gè)分別從該平面部的兩端向上延伸的延伸部，并且該基板本體包括 金屬層及形成在該金屬層上的電木層。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)中，該基板單元可具有形 成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且該正極導(dǎo)電 軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該平面部的內(nèi)表面上。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)中，該基板單元可具有形 成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且該正極導(dǎo)電 軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該平面部的內(nèi)表面上及上述兩個(gè)延伸部的內(nèi)表面。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)中，該基板本體可具有兩 個(gè)凹陷部，并且每一個(gè)凹陷部形成于該平面部與每一個(gè)延伸部之間。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)中，每一個(gè)凹陷部可為連 續(xù)的凹槽。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)中，每一個(gè)凹陷部可由多個(gè)彼此分開(kāi)的凹槽組成。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)中，該基板單元可具有形 成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，每一個(gè)發(fā)光元件 具有分別電性連接于該基板單元的正極導(dǎo)電軌跡及負(fù)極導(dǎo)電軌跡的正極端與 負(fù)極端，并且該正極導(dǎo)電軌跡與該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均為鋁線路或銀線路。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種以基板 為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括首先，提供呈平面 形狀的基板本體；然后，將多個(gè)發(fā)光元件電性地設(shè)置于該基板本體的內(nèi)表面 上；接著，彎折該基板本體，以使得該基板本體的外形從平面形狀彎折成燈 罩形狀，因此上述多個(gè)發(fā)光元件所產(chǎn)生的部分光束通過(guò)該呈燈罩形狀的基板 本體的內(nèi)表面而反射出去。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板，并且該燈罩形
狀為u字型。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該呈燈罩 形狀的基板本體可具有平面部及兩個(gè)分別從該平面部的兩端向上延伸的延伸 部，并且該基板本體包括金屬層及形成在該金屬層上的電木層。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且 該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該平面部的內(nèi)表面上。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且 該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該平面部的內(nèi)表面上及上述兩個(gè) 延伸部的內(nèi)表面。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可具有兩個(gè)凹陷部，并且每一個(gè)凹陷部形成于該平面部與每一個(gè)延伸部之 間。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法可更進(jìn)一步包 括延著上述兩個(gè)凹陷部以彎折該基板本體。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，每一個(gè)凹陷部可為連續(xù)的凹槽。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，每一個(gè)凹 陷部可由多個(gè)彼此分開(kāi)的凹槽組成。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，每一 個(gè)發(fā)光元件具有分別電性連接于該基板本體的正極導(dǎo)電軌跡及負(fù)極導(dǎo)電軌跡 的正極端與負(fù)極端，并且該正極導(dǎo)電軌跡與該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均為鋁線路或銀 線路。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種以基板 為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括首先，提供呈平面 形狀的基板本體；然后，彎折該基板本體，以使得該基板本體的形狀從該平 面形狀彎折成燈罩形狀；接著，將多個(gè)發(fā)光元件電性地設(shè)置于該基板本體的 內(nèi)表面上，因此上述多個(gè)發(fā)光元件所產(chǎn)生的部分光束通過(guò)該呈燈罩形狀的基 板本體的內(nèi)表面而反射出去。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板，并且該燈罩形
狀為u字型。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該呈燈罩 形狀的基板本體可具有平面部及兩個(gè)分別從該平面部的兩端向上延伸的延伸 部，并且該基板本體包括金屬層及形成在該金屬層上的電木層。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且 該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該平面部的內(nèi)表面上。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且 該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該平面部的內(nèi)表面上及上述兩個(gè) 延伸部的內(nèi)表面。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可具有兩個(gè)凹陷部，并且每一個(gè)凹陷部形成于該平面部與每一個(gè)延伸部之 間。上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法可更進(jìn)一步包 括延著上述兩個(gè)凹陷部以彎折該基板本體。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，每一個(gè)凹 陷部可為連續(xù)的凹槽。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，每一個(gè)凹 陷部可由多個(gè)彼此分開(kāi)的凹槽組成。
上述以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，該基板本 體可具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，每一 個(gè)發(fā)光元件具有分別電性連接于該基板本體的正極導(dǎo)電軌跡及負(fù)極導(dǎo)電軌跡 的正極端與負(fù)極端，并且該正極導(dǎo)電軌跡與該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均為鋁線路或銀 線路。
因此，本發(fā)明通過(guò)直接將發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的基板本體進(jìn)行彎折， 以成為發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的燈罩。所以，本發(fā)明不但可以 省去傳統(tǒng)燈罩的制作，并且也可以通過(guò)基板本體(由金屬層及電木層組成) 本身的高導(dǎo)熱性，來(lái)增加該發(fā)光元件的散熱效果。
為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及效果， 請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，相信本發(fā)明的目的、特征與特點(diǎn)， 當(dāng)可由此得到深入且具體的了解，然而附圖僅供參考與說(shuō)明，并非用來(lái)對(duì)本 發(fā)明加以限制。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置于燈罩內(nèi)的側(cè)視示意圖2為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第 一實(shí)施例的流程圖2A至圖2C2為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制 作方法的第一實(shí)施例的制作流程示意圖3為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第 二實(shí)施例的流程圖3A至圖3C2為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制 作方法的第二實(shí)施例的制作流程示意圖；導(dǎo)電層 發(fā)光元件
圖4為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第 三實(shí)施例的流程圖4A至圖4C2為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制 作方法的第三實(shí)施例的制作流程示意圖5為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的 立體示意圖；以及
圖6為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例的 立體示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下
S基板本體 Sl 導(dǎo)熱層
52
53
A
U 燈罩 [本發(fā)明] (第一實(shí)施例) la基板本體 10a正極導(dǎo)電軌跡 lla負(fù)極導(dǎo)電軌跡 12a金屬層 13a電木層 2a發(fā)光元件 21a負(fù)極端 La部分光束 la'基板本體 lla'延伸部 (第二實(shí)施例) lb 基板本體
100b 內(nèi)表面
B 部分光束
U10 內(nèi)表面
100a 內(nèi)表面
20a
正極《
10a' 平面部10b正極導(dǎo)電軌跡
lib負(fù)極導(dǎo)電軌跡
12b金屬層
13b電木層
2b發(fā)光元件20b正極端
21b負(fù)極端
Lb部分光束
lb'基板本體10b'平面部
lib'延伸部
(第三實(shí)施例)
lc 基板本體100c內(nèi)表面
10c正極導(dǎo)電軌跡
11c負(fù)極導(dǎo)電軌跡
12c金屬層
13c電木層
14c、 14c'凹陷部
2c發(fā)光元件20c正極端
21c負(fù)極端
Lc部分光束
lc'基板本體10c'平面部
11c'延伸部
(第四實(shí)施例)
Id'基板本體
14d'凹陷部140d'凹槽
(第五實(shí)施例)
10e正極導(dǎo)電軌跡 lie負(fù)極導(dǎo)電軌跡 10e'平面部 lie'延伸部
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖2、及圖2A至圖2C2所示，圖2為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā) 光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第一實(shí)施例的流程圖；圖2A至圖2C2 為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第一實(shí)施例 的制作流程示意圖。
由上述附圖可知，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種以基板為燈罩的發(fā)光二極 管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括首先，請(qǐng)配合圖2及圖2A所示，提 供呈平面形狀的基板本體la (S100)。其中，該基板本體la具有形成在該 基板本體la的內(nèi)表面100a的正極導(dǎo)電軌跡10a與負(fù)極導(dǎo)電軌跡lla，并且 該基板本體la包括金屬層12a及形成在該金屬層12a上的電木層13a。依實(shí) 際的需要，該正極導(dǎo)電軌跡10a與該負(fù)極導(dǎo)電軌跡lla均可為鋁線路或銀線 路。此外，該基板本體la可為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或 銅基板。
接下來(lái)，請(qǐng)配合圖2及圖2B所示，通過(guò)表面粘著技術(shù)(Surface Mounted Technology)的方式，將多個(gè)發(fā)光元件2a電性地設(shè)置于該基板本體la的內(nèi) 表面100a上(S102)。其中，每一個(gè)發(fā)光元件2a具有分別電性連接于該基 板本體la的正極導(dǎo)電軌跡10a及負(fù)極導(dǎo)電軌跡lla的正極端20a與負(fù)極端 21a。
緊接著，請(qǐng)配合圖2、圖2C1及圖2C2所示，彎折該基板本體la，以使 得該基板本體la的形狀從該平面形狀彎折成燈罩形狀(S104)。換言之，該 呈平面形狀的基板本體la被彎折成呈燈罩形狀的基板本體la'，因此上述多 個(gè)發(fā)光元件2a所產(chǎn)生的部分光束La通過(guò)該呈燈罩形狀的基板本體la'的內(nèi)表 面100a而反射出去。其中，該燈罩形狀為U字型，并且該呈燈罩形狀的基 板本體la'具有平面部10a'及兩個(gè)分別從該平面部10a'的兩端向上延伸的延伸 部lla'。此外，該正極導(dǎo)電軌跡10a及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡lla均形成在該平面 部10a'的內(nèi)表面上。
請(qǐng)參閱圖3、及圖3A至圖3C2所示，圖3為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā) 光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第二實(shí)施例的流程圖；圖3A至圖3C2 為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第二實(shí)施例 的制作流程示意圖。由上述附圖可知，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種以基板為燈罩的發(fā)光二極 管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括首先，請(qǐng)配合圖3及圖3A所示，提 供呈平面形狀的基板本體lb (S200)。其中，該基板本體lb具有形成在該
基板本體lb的內(nèi)表面100b的正極導(dǎo)電軌跡10b與負(fù)極導(dǎo)電軌跡llb，并且 該基板本體lb包括金屬層12b及形成在該金屬層12b上的電木層13b。依實(shí) 際的需要，該正極導(dǎo)電軌跡10b與該負(fù)極導(dǎo)電軌跡llb均可為鋁線路或銀線 路。此外，該基板本體lb可為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或 銅基板。
接下來(lái)，請(qǐng)配合圖3及圖3B所示，彎折該基板本體lb，以使得該基板 本體lb的形狀從該平面形狀彎折成燈罩形狀(S202)。換言之，該呈平面 形狀的基板本體lb被彎折成呈燈罩形狀的基板本體lb'。其中，該燈罩形狀 為U字型，并且該呈燈罩形狀的基板本體lb'具有平面部10b'及兩個(gè)分別從 該平面部10b'的兩端向上延伸的延伸部llb'。此外，該正極導(dǎo)電軌跡10b及 該負(fù)極導(dǎo)電軌跡llb均形成在該平面部10b'的內(nèi)表面。
緊接著，請(qǐng)配合圖3、圖3C1及圖3C2所示，通過(guò)表面粘著技術(shù)的方式， 將多個(gè)發(fā)光元件2b電性地設(shè)置于該基板本體lb的內(nèi)表面100b上(S204)， 因此上述多個(gè)發(fā)光元件2b所產(chǎn)生的部分光束Lb通過(guò)該呈燈罩形狀的基板本 體lb'的內(nèi)表面100b而反射出去。其中，每一個(gè)發(fā)光元件2b具有分別電性連 接于該基板本體lb'的正極導(dǎo)電軌跡10b及負(fù)極導(dǎo)電軌跡lib的正極端20b 與負(fù)極端21b。
因此，由上述的步驟可知，本發(fā)明第二實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的不同 在于在第一實(shí)施例中，是先將上述多個(gè)發(fā)光元件2a電性地設(shè)置于該呈平面 形狀的基板本體la上，然后再將該呈平面形狀的基板本體la彎折成呈燈罩 形狀的基板本體la';而在第二實(shí)施例中，是先將該呈平面形狀的基板本體lb 彎折成呈燈罩形狀的基板本體lb'，然后再將上述多個(gè)發(fā)光元件2b電性地設(shè) 置于該呈燈罩形狀的基板本體lb'上。
所以，本發(fā)明第一實(shí)施例及第二實(shí)施例所提供的"以基板為燈罩的發(fā)光 二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)"包括基板單元及發(fā)光單元。其中，該基板單元具有 呈燈罩形狀的基板本體(la'、 lb')。該發(fā)光單元具有多個(gè)電性地設(shè)置于該基 板本體(la'、 lb')的內(nèi)表面(100a、 100b)的發(fā)光元件(2a、 2b)。借此，上述多個(gè)發(fā)光元件(2a、 2b)所產(chǎn)生的部分光束通過(guò)該呈燈罩形狀的基板本 體(la'、 lb')的內(nèi)表面(100a、 100b)而反射出去。
請(qǐng)參閱圖4、及圖4A至圖4C2所示，圖4為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā) 光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第三實(shí)施例的流程圖；圖4A至圖4C2 為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第三實(shí)施例 的制作流程示意圖。
由上述附圖可知，本發(fā)明第三實(shí)施例提供一種以基板為燈罩的發(fā)光二極 管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括首先，請(qǐng)配合圖3及圖3A所示，提 供呈平面形狀的基板本體lc，并且該基板本體lc具有兩個(gè)凹陷部14c(S300)。 其中，該基板本體lc具有形成在該基板本體lc的內(nèi)表面100c的正極導(dǎo)電軌 跡10c與負(fù)極導(dǎo)電軌跡llc，并且該基板本體lc包括金屬層12c及形成在該 金屬層12c上的電木層13c。此外，每一個(gè)凹陷部14c為連續(xù)的凹槽。
接下來(lái)，請(qǐng)配合圖4及圖4B所示，延著上述兩個(gè)凹陷部14c彎折該基 板本體lc，以使得該基板本體lc的形狀從該平面形狀彎折成燈罩形狀 (S302)。換言之，該呈平面形狀的基板本體lc被彎折成呈燈罩形狀的基板 本體lc'，并且上述兩個(gè)凹陷部14c被彎折成彎折后的凹陷部14c'。其中，該 燈罩形狀為U字型，并且該呈燈罩形狀的基板本體lc'具有平面部10c'及兩 個(gè)分別從該平面部10c'的兩端向上延伸的延伸部llc'，因此每一個(gè)彎折后的 凹陷部14c'形成于該平面部10c'與每一個(gè)延伸部llc'之間。此外，該正極導(dǎo) 電軌跡10c及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡llc均形成在該平面部10c'的內(nèi)表面。
緊接著，請(qǐng)配合圖4、圖4C1及圖4C2所示，通過(guò)表面粘著技術(shù)的方式， 將多個(gè)發(fā)光元件2c電性地設(shè)置于該基板本體lc'的內(nèi)表面100c上(S304)， 因此上述多個(gè)發(fā)光元件2c所產(chǎn)生的部分光束Lc通過(guò)該呈燈罩形狀的基板本 體lc'的內(nèi)表面100c而反射出去。其中，每一個(gè)發(fā)光元件2c具有分別電性連 接于該基板本體lc'的正極導(dǎo)電軌跡10c及負(fù)極導(dǎo)電軌跡llc的正極端20c與 負(fù)極端21c。
因此，由上述的步驟可知，本發(fā)明第三實(shí)施例與第二實(shí)施例最大的不同 在于在第二實(shí)施例中，是先將兩個(gè)凹陷部14c形成于該基板本體lc上，以 使得在上述步驟S302中可進(jìn)行"延著上述兩個(gè)凹陷部14c以彎折該基板本體 lc"的步驟。因此，通過(guò)上述兩個(gè)凹陷部14c的設(shè)置，就增加了形成該呈燈罩形狀的基板本體lc'的容易度及方便性。
請(qǐng)參考圖5所示，其為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu) 的第四實(shí)施例的立體示意圖。由圖中可知，本發(fā)明第四實(shí)施例與第二實(shí)施例 最大的不同在于每一個(gè)彎折后的凹陷部14d'由多個(gè)彼此分開(kāi)的凹槽140d' 組成。其優(yōu)點(diǎn)也是在于先將兩個(gè)彎折前的凹陷部(圖未示)形成于該呈燈 罩形狀的基板本體ld'上，以進(jìn)行"延著上述兩個(gè)凹陷部(圖未示)以彎折該 基板本體(圖未示)"的步驟。因此，通過(guò)上述兩個(gè)凹陷部(圖未示)的設(shè)
置，增加了形成該呈燈罩形狀的基板本體ld'的容易度及方便性。
請(qǐng)參考圖6所示，其為本發(fā)明以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)
的第五實(shí)施例的立體示意圖。由圖中可知，本發(fā)明第五實(shí)施例與第二實(shí)施例
最大的不同在于正極導(dǎo)電軌跡10e及負(fù)極導(dǎo)電軌跡lle均形成在平面部10e' 的內(nèi)表面上及兩個(gè)延伸部lle'的內(nèi)表面。
綜上所述，本發(fā)明直接將發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的基板本體進(jìn)行彎折， 以成為發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的燈罩。因此，本發(fā)明不但可以 省去傳統(tǒng)燈罩的制作，并且也可以通過(guò)基板本體(由金屬層及電木層組成) 本身的高導(dǎo)熱性，來(lái)增加該發(fā)光元件的散熱效果。
然而需注意，以上所述僅為本發(fā)明最佳之一的具體實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明與 附圖，但本發(fā)明的特征并不局限于此，因此以上說(shuō)明和附圖并非用以限制本 發(fā)明，本發(fā)明的范圍應(yīng)以權(quán)利要求范圍為準(zhǔn)，凡符合本發(fā)明權(quán)利要求范圍的 精神與其類似變化的實(shí)施例，均應(yīng)包含于本發(fā)明的范疇中，任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修改均可涵蓋在以下本申請(qǐng)的 專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板單元，其具有呈燈罩形狀的基板本體；以及發(fā)光單元，其具有多個(gè)電性地設(shè)置于該基板本體的內(nèi)表面的發(fā)光元件；借此，所述多個(gè)發(fā)光元件所產(chǎn)生的部分光束通過(guò)該呈燈罩形狀的基板本體的內(nèi)表面而反射出去。
2、 如權(quán)利要求1所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于該基板本體為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板， 并且該燈罩形狀為U字型。
3、 如權(quán)利要求1所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于該基板本體具有平面部及兩個(gè)分別從該平面部的兩端向上延伸的延 伸部，并且該基板本體包括金屬層及形成在該金屬層上的電木層。
4、 如權(quán)利要求3所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于該基板單元具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極 導(dǎo)電軌跡，并且該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該平面部的內(nèi)表 面上。
5、 如權(quán)利要求3所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于該基板單元具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極 導(dǎo)電軌跡，并且該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該平面部的內(nèi)表 面上及上述兩個(gè)延伸部的內(nèi)表面。
6、 如權(quán)利要求3所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于該基板本體具有兩個(gè)凹陷部，并且每一個(gè)凹陷部形成于該平面部與 每一個(gè)延伸部之間。
7、 如權(quán)利要求6所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于每一個(gè)凹陷部為連續(xù)的凹槽。
8、 如權(quán)利要求6所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每一個(gè)凹陷部由多個(gè)彼此分開(kāi)的凹槽組成。
9、 如權(quán)利要求1所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于該基板單元具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，每一個(gè)發(fā)光元件具有分別電性連接于該基板單元的正極導(dǎo)電軌跡 及負(fù)極導(dǎo)電軌跡的正極端與負(fù)極端，并且該正極導(dǎo)電軌跡與該負(fù)極導(dǎo)電軌跡 均為鋁線路或銀線路。
10、 一種以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征 在于，包括以下步驟提供呈平面形狀的基板本體；將多個(gè)發(fā)光元件電性地設(shè)置于該基板本體的內(nèi)表面上；以及彎折該基板本體，以使得該基板本體的外形從平面形狀彎折成燈罩形狀， 因此所述多個(gè)發(fā)光元件所產(chǎn)生的部分光束通過(guò)該呈燈罩形狀的基板本體的內(nèi) 表面而反射出去。
11、 如權(quán)利要求10所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該基板本體為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基 板、或銅基板，并且該燈罩形狀為U字型。
12、 如權(quán)利要求10所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該呈燈罩形狀的基板本體具有平面部及兩個(gè)分別從該 平面部的兩端向上延伸的延伸部，并且該基板本體包括金屬層及形成在該金 屬層上的電木層。
13、 如權(quán)利要求12所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該基板本體具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo) 電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該 平面部的內(nèi)表面上。
14、 如權(quán)利要求12所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該基板本體具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo) 電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該 平面部的內(nèi)表面上及上述兩個(gè)延伸部的內(nèi)表面。
15、 如權(quán)利要求12所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該基板本體具有兩個(gè)凹陷部，并且每一個(gè)凹陷部形成 于該平面部與每一個(gè)延伸部之間。
16、 如權(quán)利要求15所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，更進(jìn)一步包括延著上述兩個(gè)凹陷部以彎折該基板本體。
17、 如權(quán)利要求15所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制 作方法，其特征在于每一個(gè)凹陷部為連續(xù)的凹槽。
18、 如權(quán)利要求15所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制 作方法，其特征在于每一個(gè)凹陷部由多個(gè)彼此分開(kāi)的凹槽組成。
19、 如權(quán)利要求12所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制 作方法，其特征在于該基板本體具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo) 電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，每一個(gè)發(fā)光元件具有分別電性連接于該基板本體的 正極導(dǎo)電軌跡及負(fù)極導(dǎo)電軌跡的正極端與負(fù)極端，并且該正極導(dǎo)電軌跡與該 負(fù)極導(dǎo)電軌跡均為鋁線路或銀線路。
20、 一種以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征 在于，包括以下步驟提供呈平面形狀的基板本體；彎折該基板本體，以使得該基板本體的形狀從該平面形狀彎折成燈罩形狀；以及將多個(gè)發(fā)光元件電性地設(shè)置于該基板本體的內(nèi)表面上，因此所述多個(gè)發(fā) 光元件所產(chǎn)生的部分光束通過(guò)該呈燈罩形狀的基板本體的內(nèi)表面而反射出 去。
21、 如權(quán)利要求20所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制 作方法，其特征在于該基板本體為印刷電路板、軟基板、鋁基板、陶瓷基板、或銅基板，并且該燈罩形狀為u字型。
22、 如權(quán)利要求20所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該呈燈罩形狀的基板本體具有平面部及兩個(gè)分別從該平面部的兩端向上延伸的延伸部，并且該基板本體包括金屬層及形成在該金 屬層上的電木層。
23、 如權(quán)利要求22所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制 作方法，其特征在于該基板本體具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該 平面部的內(nèi)表面上。
24、 如權(quán)利要求22所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該基板本體具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo) 電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，并且該正極導(dǎo)電軌跡及該負(fù)極導(dǎo)電軌跡均形成在該 平面部的內(nèi)表面上及上述兩個(gè)延伸部的內(nèi)表面。
25、 如權(quán)利要求22所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制 作方法，其特征在于該基板本體具有兩個(gè)凹陷部，并且每一個(gè)凹陷部形成 于該平面部與每一個(gè)延伸部之間。
26、 如權(quán)利要求25所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，更進(jìn)一步包括延著上述兩個(gè)凹陷部以彎折該基板本 體。
27、 如權(quán)利要求25所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于每一個(gè)凹陷部為連續(xù)的凹槽。
28、 如權(quán)利要求25所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于每一個(gè)凹陷部由多個(gè)彼此分開(kāi)的凹槽組成。
29、 如權(quán)利要求20所述的以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該基板本體具有形成在該基板本體的內(nèi)表面的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡，每一個(gè)發(fā)光元件具有分別電性連接于該基板本體的 正極導(dǎo)電軌跡及負(fù)極導(dǎo)電軌跡的正極端與負(fù)極端，并且該正極導(dǎo)電軌跡與該 負(fù)極導(dǎo)電軌跡均為鋁線路或銀線路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種以基板為燈罩的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，上述發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)包括基板單元及發(fā)光單元。其中，該基板單元具有呈燈罩形狀的基板本體。該發(fā)光單元具有多個(gè)電性地設(shè)置于該基板本體的內(nèi)表面的發(fā)光元件。借此，上述多個(gè)發(fā)光元件所產(chǎn)生的部分光束通過(guò)該呈燈罩形狀的基板本體的內(nèi)表面而反射出去。本發(fā)明不但可以省去傳統(tǒng)燈罩的制作，并且也可以通過(guò)基板本體(由金屬層及電木層組成)本身的高導(dǎo)熱性，來(lái)增加該發(fā)光元件的散熱效果。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101587883SQ20081010914
公開(kāi)日2009年11月25日 申請(qǐng)日期2008年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月23日
發(fā)明者吳文逵, 巫世裕, 汪秉龍 申請(qǐng)人:宏齊科技股份有限公司