專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器件，更具體地，涉及一種能夠通過改變密 封結(jié)構(gòu)和材料防止潮氣侵入，從而防止像素劣化并因此提高觀感 (look-and-feel)特性的有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為一種平板顯示器的有機(jī)發(fā)光顯示器件為自發(fā)光型顯示器件。因此，有 機(jī)發(fā)光顯示器件具有比液晶顯示器件更高的對比度。同時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示器件 不需要背光，并因此可減小有機(jī)發(fā)光顯示器件的尺寸和重量。并且，有機(jī)發(fā)光 顯示器件具有較低的功率損耗。
此外，有機(jī)發(fā)光顯示器件由低壓的直流電驅(qū)動，有機(jī)發(fā)光顯示器件的響應(yīng) 速度高，并且有機(jī)發(fā)光顯示器件的元件都是固體的。因此，有機(jī)發(fā)光顯示器件 足夠堅(jiān)固以抵抗外部碰撞，并且有機(jī)發(fā)光顯示器件具有較寬的溫度范圍。具體 地，可以以低成本制造有機(jī)發(fā)光顯示器件。此外，不像制造液晶顯示器件或 等離子體顯示面板(PDP)，制造有機(jī)發(fā)光顯示器件的工藝只需要沉積和封裝設(shè) 備。因此，生產(chǎn)有機(jī)發(fā)光顯示器件的工藝非常簡單。
同時(shí)，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示器件以對于每一個像素具有一個作為開關(guān)元件的薄 膜晶體管的有源矩陣類型結(jié)構(gòu)驅(qū)動時(shí)，雖然將較低的電流提供給有機(jī)發(fā)光顯示 器件，但有機(jī)發(fā)光顯示器件呈現(xiàn)相同的亮度。因此，有機(jī)發(fā)光顯示器件具有以
下優(yōu)點(diǎn)有機(jī)發(fā)光顯示器件的功率損耗低，有機(jī)發(fā)光顯示器件能夠達(dá)到高分辨 率，并且可以大大增加有機(jī)發(fā)光顯示器件的尺寸。
有機(jī)發(fā)光顯示器件利用諸如電子和空穴的載流子激發(fā)熒光材料以顯示視頻圖像。
同時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示器件主要由不具有薄膜晶體管的無源矩陣類型結(jié)構(gòu)驅(qū)動。
然而，無源矩陣類型結(jié)構(gòu)在分辨率、功率損耗以及使用壽命上具有很多缺 陷。由于此原因，已經(jīng)對有源型有機(jī)發(fā)光顯示器件進(jìn)行研究和開發(fā)以生產(chǎn)新一 代要求高分辨率和大尺寸的屏幕的顯示器。
同時(shí)，根據(jù)發(fā)光層位于上和下基板的位置，有機(jī)發(fā)光顯示器件可以分為底 部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示器件或頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示器件。當(dāng)頂部有機(jī)發(fā)光 顯示器件以有源矩陣結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)時(shí)，薄膜晶體管陣列設(shè)置在下基板上，并且發(fā)光
層位于上基板上，其稱為雙板型有機(jī)發(fā)光顯示器件(DOD)。
以下，將參照附圖描述傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件。
圖1所示為示意性示出傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封結(jié)構(gòu)的截面圖，以
及圖2A和圖2B是分別示出傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器件的最初正常的像素和由 于吸濕現(xiàn)象造成劣化的像素的照片。
如圖1所示，傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件包括具有限定在其中央的顯示區(qū)和限 定在其邊緣的非顯示區(qū)的第一基板10，以及具有限定在其中央的顯示區(qū)和限 定在其邊緣的非顯示區(qū)的第二基板20，第一基板10與第二基板20彼此相對， 以及通過在第一基板10和第二基板20之間的非顯示區(qū)粘接第一基板10和第 二基板20而形成的密封圖案30。
在密封圖案30內(nèi)部限定的顯示區(qū)域提供有多個像素，其根據(jù)有機(jī)發(fā)光二 極管的原理發(fā)光。
另外，在粘接第一基板10和第二基板20之后，通過向第一基板10或第 二基板20的下側(cè)輻射紫外線以固化密封圖案30。此時(shí)，紫外線固化的密封圖 案30可能由于用于密封圖案的材料的特性由于濕氣而造成劣化。由于此原因， 需要對密封圖案所使用的材料進(jìn)行改進(jìn)。另外，為了防止外部濕氣或氣體的浸 入，可在基板的內(nèi)側(cè)使用吸濕劑。然而在這種情況下，將增加器件的厚度。此 外，吸濕劑的使用也不能完全防止?jié)駳獾慕搿?br> 紫外線固化的密封圖案30具有以下問題。
具體地，密封圖案30為可通過紫外線(UV)固化的有機(jī)材料。由于有機(jī) 材料的特性，濕氣可輕易地通過密封材料30浸入，并且密封圖案30可以很容
7易地與第一基板10或第二基板20的表面分開。因此，當(dāng)密封圖案30與第一 基板10或第二基板20的表面分開時(shí)，或當(dāng)濕氣(H20) 、 二氧化碳(C02) 或氫氣(H2)通過密封圖案30浸入時(shí)，位于密封圖案30內(nèi)部的顯示區(qū)的像素 漸漸從邊緣朝向其中間劣化，從而造成像素從圖2A的正常形狀向圖2B的異 常形狀變形，因此，可作為正常像素區(qū)驅(qū)動的區(qū)域縮減。同樣，吸濕現(xiàn)象隨著 時(shí)間的推移變得更加嚴(yán)重，并且位于密封圖案30內(nèi)部的各個像素區(qū)的縮減現(xiàn) 象變得更加嚴(yán)重。結(jié)果，在吸濕現(xiàn)象作用下的有機(jī)發(fā)光顯示器件的使用壽命減 小。
上述傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件具有如下問題。
用于密封相對的第一和第二基板之間的傳統(tǒng)的密封圖案為紫外線固化型 有機(jī)密封圖案。密封圖案通過將紫外線照射到第一基板或第二基板的下側(cè)來固 化。紫外線固化型有機(jī)密封圖案具有濕氣或類似氣體根據(jù)外部環(huán)境很容易浸入 密封圖案，以及密封圖案可以很容易與由玻璃制成的基板分離等問題，因此， 外部氣體被引入到顯示區(qū)以從有機(jī)發(fā)光層的邊緣開始劣化有機(jī)發(fā)光層，從而造 成像素尺寸減小。在解決這樣的劣化問題方面有很多限制，因此，非常需要改 進(jìn)用于密封圖案的材料。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法，其基本消除了 由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法，其能夠 通過改變密封結(jié)構(gòu)和材料防止潮氣侵入，從而防止像素的劣化，并且因此提高 觀感特性。
本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目的以及特征部分將在下面詳細(xì)描述，并且對于熟悉 本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過下面描述的研究部分變得清晰，或從本發(fā)明的實(shí)踐中得 知。通過在書面的說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)并 獲得本發(fā)明的目的以及其他優(yōu)點(diǎn)。
為了達(dá)到這些目的和其他的優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的意圖，如在此具體和廣泛 描述的， 一種有機(jī)發(fā)光顯示器件包括彼此相對的第一基板和第二基板，第一基 板和第二基板分別具有限定在其中心的顯示區(qū)和限定在其邊緣的非顯示區(qū)，形成在第一基板的顯示區(qū)的多個柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像 素區(qū)，形成在柵線和數(shù)據(jù)線之間的每一個交叉點(diǎn)的薄膜晶體管，形成在第二基 板上與像素區(qū)對應(yīng)的有機(jī)發(fā)光層，位于有機(jī)發(fā)光層之上和之下的第一和第二電 極，以及連接在第一基板和第二基板之間的密封結(jié)構(gòu)，第一和第二基板通過該 密封結(jié)構(gòu)彼此粘接，以防止?jié)駳夂蜌怏w的浸入。
優(yōu)選地，密封結(jié)構(gòu)包括形成于第一基板和第二基板之間對應(yīng)于非顯示區(qū)位 置的密封線，以及形成為圍繞第一和第二基板的前面、后面和側(cè)面的膠囊膜
(capsule film)。
密封結(jié)構(gòu)可以包括形成于第一和第二基板的非顯示區(qū)之間具有較低的熔 點(diǎn)的金屬構(gòu)件，以及用于互連金屬構(gòu)件的連接電極。同樣，密封結(jié)構(gòu)還包括形 成在第一基板和第二基板上的相對的非顯示區(qū)的一對金屬圖案，這對金屬圖案 彼此相連，以及形成在金屬圖案之一的下方的有機(jī)填充物，用于調(diào)整相應(yīng)的金 屬圖案的高度。在密封結(jié)構(gòu)中，紫外線固化密封圖案也可以形成在第一基板和 第二基板之間的非顯示區(qū)。
在本發(fā)明的另一方面，制造有機(jī)發(fā)光顯示器件的方法包括制備分別具有限 定在其中心的顯示區(qū)和限定在其邊緣的非顯示區(qū)的第一基板和第二基板，第一 和第二基板彼此相對，在第一基板的顯示區(qū)上形成多個柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和 數(shù)據(jù)線彼此相交，在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)形成薄膜晶體管，在第二基板上形 成對應(yīng)像素區(qū)的有機(jī)發(fā)光層，以及位于有機(jī)發(fā)光層之上和之下的第一和第二電 極，以及在第一和第二基板之間，至少在其側(cè)面形成密封結(jié)構(gòu)，從而第一和第 二基板彼此通過密封結(jié)構(gòu)粘接，同時(shí)，通過密封結(jié)構(gòu)防止潮氣的浸透和氣體的 引入。
優(yōu)選地，形成密封結(jié)構(gòu)的歩驟包括在第一基板或第二基板上形成密封線， 并且將第一和第二基板彼此粘接，以及形成用于圍繞粘接的第一和第二基板的 前面、后面和側(cè)面的囊膜。
優(yōu)選地，通過浸入(digging)、分配(dispensing)、印刷或旋轉(zhuǎn)涂覆粘 接的第一基板和第二基板來執(zhí)行形成囊膜的步驟。
形成密封結(jié)構(gòu)的步驟包括在第一基板上的像素區(qū)形成透明電極，以及在第 一基板上的非顯示區(qū)以閉環(huán)形狀形成第一金屬氧化物薄膜，在第二基板上的顯 示區(qū)形成第一電極，在第二基板上的非顯示區(qū)形成與第一金屬氧化物薄膜對應(yīng)的第二金屬氧化物薄膜，在第二基板的第一電極上形成對應(yīng)像素區(qū)的有機(jī)發(fā)光 層以及在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極，在第一金屬氧化物薄膜上形成連接電極 圖案，以及在設(shè)置第一和第二基板從而第一和第二基板彼此相對時(shí)，將連接電 極圖案和第二金屬氧化物薄膜彼此相連。此時(shí)，將連接電極圖案和第二金屬氧 化物薄膜彼此連接的步驟通過向第一基板或第二基板的后表面照射激光，或利
用熱板施加100到300 'C的熱量來執(zhí)行。
可選地，形成密封結(jié)構(gòu)的步驟可以包括在第一電極上形成與柵線和數(shù)據(jù)線 對應(yīng)的有機(jī)間隔壁，在第二基板上的非顯示區(qū)形成對應(yīng)第一電極圖案的有機(jī)填 充物，在與每一個有機(jī)間隔壁上的像素區(qū)對應(yīng)的第二基板上形成有機(jī)發(fā)光層， 在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極圖案，用于覆蓋第二電極和有機(jī)填充物，以及在 設(shè)置第一和第二基板從而，第一和第二基板彼此相對時(shí)，將連接電極圖案和第 二金屬氧化物薄膜彼此連接。這時(shí)，將連接電極圖案和第二金屬氧化物薄膜彼 此連接的步驟是通過使用熱板向包括第一電極圖案的第一基板施加熱量或通 過向非顯示區(qū)的第一基板或第二基板的后表面照射激光來執(zhí)行。
應(yīng)該理解，本發(fā)明的前面概括性描述和以下詳細(xì)描述都是示意性的和解釋
性的，意在對本發(fā)明的權(quán)利要求提供進(jìn)一步解釋。


提供對本發(fā)明進(jìn)一步理解并且結(jié)合并構(gòu)成本說明書一部分的附圖示出本
發(fā)明的實(shí)施方式，并且與說明書一起用以解釋本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1所示為示意性示出傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖2A和圖2B為分別示出傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器件的最初正常的像素和
由于吸濕現(xiàn)象造成劣化的像素的照片；
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封結(jié)構(gòu)的
截面圖4所示為圖3的有機(jī)發(fā)光顯示器件的示意性平面圖5A和圖5B所示為分別示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式及其改進(jìn)的有機(jī) 發(fā)光顯示器件的密封結(jié)構(gòu)的截面圖6所示為圖5A和圖5B的有機(jī)發(fā)光顯示器件的平面圖7A和圖7B所示為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封結(jié)構(gòu)的截面圖8所示為包括與圖7A和圖7B相對應(yīng)的區(qū)域的有機(jī)發(fā)光顯示器件的平 面圖9所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封方法的 流程圖10所示為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封方法的 流程圖11所示為具體示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的內(nèi) 部結(jié)構(gòu)的截面圖12所示為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封結(jié)構(gòu)的 截面圖13A和圖13B所示為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的 第一密封方法的工藝截面圖14A和圖14B所示為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的 第二密封方法的工藝截面圖15A和圖15B所示為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的改進(jìn)的有機(jī)發(fā)光顯示 器件的密封方法的工藝截面圖16A和圖16B所示為根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的 密封方法的工藝截面圖17所示為具體示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的內(nèi) 部結(jié)構(gòu)的截面圖18所示為根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的像素的電路圖19A到圖19E所示為根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的 制造工序的截面圖20所示為根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)的截面
圖21到圖23所示為根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的囊膜的形成方法的 示意圖24所示為根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)的截面 圖；以及圖25所示為根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，其實(shí)施例在附圖中示出。盡可能， 附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的元件。
考慮到包括一般的紫外線固化型的有機(jī)元件的密封圖案對于空氣中的濕 氣或氣體較薄弱的事實(shí)，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的特征在于改進(jìn)組成 密封圖案的元件或形成囊膜，以防止像素(圖像質(zhì)量)的劣化。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封結(jié)構(gòu)的 截面圖以及圖4所示為圖3的有機(jī)發(fā)光顯示器件的示意性平面圖。
如圖3和4所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封結(jié) 構(gòu)包括第一基板100，其具有限定在其中央的顯示區(qū)(圖4的點(diǎn)劃線區(qū)域內(nèi))， 和限定在其邊緣的非顯示區(qū)，以及具有限定在其中央的顯示區(qū)和限定在其邊緣 的非顯示區(qū)的第二基板200，第一基板100和第二基板200彼此相對，在第一 基板100和第二基板200之間與非顯示區(qū)對應(yīng)的位置形成的密封單元300。
密封單元300包括在第一基板100上形成的第一金屬氧化物膜301，在第 二基板200上形成的第二金屬氧化物膜302，第一金屬氧化物膜301和第二金 屬氧化物膜302彼此相對，和在第一金屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜 302之間形成的連接電極圖案305，其用于電連接第一金屬氧化物膜301和第 二金屬氧化物膜302。
第一金屬氧化物膜301、第二金屬氧化物膜302和第一金屬氧化物膜301 和第二金屬氧化物膜302之間的連接電極圖案305構(gòu)成為疊層結(jié)構(gòu)。因此，改 進(jìn)了第一金屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜302之間的粘附，從而防止?jié)?氣和其它雜質(zhì)引入到顯示區(qū)內(nèi)部的像素部分，從而防止了顯示區(qū)的像素部分的 劣化，提高了在顯示區(qū)形成的器件的可靠性，并且增加了顯示器的使用壽命。
在此，低熔點(diǎn)金屬材料(In、 Sn、 Zn、 Pb等)或低熔點(diǎn)金屬合金(PbSn、 InSn等)可用作構(gòu)成連接電極圖案305的金屬。因此，當(dāng)?shù)谝唤饘傺趸锬?01 和第二金屬氧化物膜302通過連接電極圖案305連接時(shí)，即使通過較低溫度的 連接電極圖案305的熱內(nèi)擴(kuò)散也可實(shí)現(xiàn)第一金屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜302之間的連接，并且因此第一金屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜 302不受溫度影響。在此，實(shí)現(xiàn)第一金屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜302 之間連接的金屬圖案30的熔點(diǎn)是100到30(TC。在這種情況下，第一金屬氧 化物膜301和連接電極圖案305之間的粘附和第二金屬氧化物膜302和連接 電極圖案305之間的粘附通過熱處理或激光照射而增加，并且因此，防止在第 一金屬氧化物膜301和連接電極圖案305之間以及第二金屬氧化物膜302和 連接電極圖案305之間引入濕氣(H20) 。 g卩，密封單元300用于將顯示區(qū)的 內(nèi)部與外面隔離，從而提高了在顯示區(qū)形成的器件的可靠性并增加了顯示器的 使用壽命。
在熱處理或激光照射期間，需要第一和第二基板100和200或其它元件不 會出現(xiàn)異常。同時(shí)，第一金屬氧化物膜301可以通過構(gòu)圖相同的層以形成為第 一基板100的透明電極，第一基板上形成有薄膜晶體管(TFT)陣列，并且第二 金屬氧化物膜302可以通過對第二基板200的第一電極或第二電極構(gòu)圖來形 成，第二基板200上形成有機(jī)發(fā)光層。在這種情況下，不需要用于形成第一金 屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜302的工藝，因此簡化了總體工藝。在 此情況下，第一金屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜302是由銦錫氧化物 (ITO)或銦鋅氧化物(IZO)制成的透明電極。此時(shí)，第二金屬氧化物膜302和 第一電極(未示出)可以集成在同一層。根據(jù)情況，第一金屬氧化物膜301和第 二金屬氧化物膜302可以由低熔點(diǎn)金屬材料(In、 Sn、 Zn、 Pb等)的氧化物制成， 這些材料是用于金屬圖案305的材料，此外，透明電極由銦錫氧化物(ITO) 制成。在此情況下，第一金屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜302可以分別 由不同于形成TFT陣列的工藝形成，該TFT陣列包括透明電極或有機(jī)發(fā)光層 之上和之下的第一和第二電極。
如前面所述，密封單元300構(gòu)成為第一金屬氧化物膜301、連接電極圖案 305以及第二金屬氧化物膜302的疊層結(jié)構(gòu)。第一金屬氧化物膜301和第二金 屬氧化物膜302通過分別在第一和第二基板100和200上沉積和構(gòu)圖形成，第 一金屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜302通過熱內(nèi)擴(kuò)散由連接電極圖案 305彼此相連。
在此，通過將激光照射到第一基板100的下層后表面或照射到第二基板 200的上層后表面達(dá)到第一金屬氧化物膜301和連接電極圖案305之間的連接以及第二金屬氧化物膜302和連接電極圖案305之間的連接，以焊接連接電極 圖案305?？蛇x地，第一金屬氧化物膜301和連接電極圖案305之間的連接以 及第二金屬氧化物膜302和連接電極圖案305之間的連接可以通過在連接電 極圖案305部分熔化的溫度下，諸如100到30(TC，熱處理第一基板100或第 二基板200實(shí)現(xiàn)。此時(shí)，連接電極圖案305在100到30(TC下部分熔化，因?yàn)?連接電極圖案305由低熔點(diǎn)金屬材料制成，并且因此連接電極圖案305連接到 第一金屬氧化物膜301和第二金屬氧化物膜302。連接電極圖案305由低熔點(diǎn) 金屬材料制成的原因在于當(dāng)?shù)谝缓偷诙饘傺趸锬?01和302以及連接電極 圖案305連接，并且連接電極圖案305熔化時(shí)，位于第二基板200的有機(jī)發(fā)光 層需要防止由于溫度變得異常。
同時(shí)，圖4未說明的焊盤部分102為第一基板100的一個區(qū)域，第一基板 100相比第二基板200大出焊盤部分102。在焊盤部分102上形成含有驅(qū)動器 IC的芯片，驅(qū)動器IC用于將信號施加到形成于第一基板100上的TFT陣列上。 即，焊盤部分102產(chǎn)生信號，并將其施加到第一基板上形成的柵線和數(shù)據(jù)線。 同樣，焊盤部分102產(chǎn)生地電源電壓信號，并將其施加到有機(jī)發(fā)光二極管的第 一電極，該有機(jī)發(fā)光二極管包括顯示區(qū)上的發(fā)光層和發(fā)光層之上和之下的第一 和第二電極。
圖3示出了圖4沿線I-I'的截面圖。圖3只示出了密封單元300的一個側(cè) 面。實(shí)際上，第一和第二基板100和200之間以閉環(huán)形狀形成密封單元300。
圖5A和圖5B分別示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式及其改進(jìn)的有機(jī)發(fā)光 顯示器件的密封結(jié)構(gòu)的截面圖，圖6示出了圖5A和圖5B的有機(jī)發(fā)光顯示器 件的平面圖。
如圖5A和圖6所示，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件在結(jié) 構(gòu)上類似于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中，密封單元 310包括第一和第二金屬氧化膜311和312以及用于連接第一和第二金屬氧化 膜311和312的連接電極圖案315。然而，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā) 光顯示器件在結(jié)構(gòu)上不同于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的 地方在于根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件還包括由紫外線固化 型有機(jī)材料制成的密封圖案320。
在此，密封圖案320可以在其上形成有TFT陣列(未示出)的第一基板100的非顯示區(qū)或在第二基板200的非顯示區(qū)上形成，在第二基板上形成有有機(jī)發(fā) 光層(未示出)并且第一和第二電極(未示出)形成在有機(jī)發(fā)光層之上或之下。
優(yōu)選地，在第二基板200上形成沒有臺階的密封圖案320。
在第二實(shí)施方式中，如前面第一實(shí)施方式中所述，以圍繞顯示區(qū)(虛線區(qū) 域)的邊緣的直角閉環(huán)形狀形成密封單元310和密封圖案320。即，密封圖案 320以構(gòu)架形狀形成在含有金屬元件的密封單元310中。密封單元310以大于 密封圖案320的構(gòu)架形狀形成，并與密封圖案320間隔預(yù)定的距離。在這種情 況下，第一和第二金屬氧化物膜311和312以及連接電極圖案315之間的連接 通過熱處理或激光照射由熱擴(kuò)散來實(shí)現(xiàn)。密封圖案320通過將激光照射到第一 基板100的下面或第二基板200的上面后表面來固化。
在此，構(gòu)成密封單元310的金屬元件之間的連接和密封圖案320的固化的 實(shí)施與順序無關(guān)。
可選地，如圖5B所示，根據(jù)情況可以改變密封單元340和密封圖案330 之間的位置關(guān)系。即，可以以更大構(gòu)架形狀形成密封圖案330，并且由金屬元 件構(gòu)成密封單元340可以以設(shè)置在密封圖案330的較大構(gòu)架內(nèi)部的較小的構(gòu)架 形狀形成。在任何情況下，密封圖案330和密封單元340均形成在與非顯示區(qū) 對應(yīng)的位置處。
在這種情況下，當(dāng)連接電極圖案345連接到第一和第二金屬氧化物膜341 和342并且連接電極圖案345熔化時(shí)，盡管有機(jī)材料制成的密封圖案330傾向 于容易與第一和第二基板100和200分離，但是第一和第二金屬氧化物膜341 和342與連接電極圖案345之間粘附增加。因此，防止密封圖案330從第一和 第二基板100和200的表面分離。因此，由位于第一和第二基板100和200 之間的由金屬材料制成的密封單元340防止了濕氣和其它雜質(zhì)引入到顯示區(qū)， 從而防止了顯示區(qū)像素的劣化。
圖7A和圖7B示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密 封結(jié)構(gòu)的截面圖，以及圖8示出了含有與圖7A和圖7B對應(yīng)的區(qū)域的有機(jī)發(fā) 光顯示器件的平面圖。
如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件包括由紫外線 固化型有機(jī)材料制成的密封圖案350和由金屬化合物制成的密封單元360。密 封圖案350和密封單元360位于非顯示區(qū)。在此，密封圖案350以圍繞顯示區(qū)邊緣的構(gòu)架形狀形成。密封單元360 以與密封單元350具有預(yù)定距離的間隔的構(gòu)架形狀形成，從而密封單元360 的構(gòu)架沿第二基板200的邊緣位于密封圖案350的構(gòu)架外面。
在此，密封單元360包括形成于第一基板100之上的第一金屬氧化物膜 361 ，形成于第二基板200之上的第二金屬氧化物膜362，以及用于電連接第 一金屬氧化物膜361和第二金屬氧化物膜362的連接電極圖案365。在此，第 一和第二金屬氧化物膜361和362形成在第二基板200的邊緣。因此，如圖 7A和圖7B所示，第一和第二金屬氧化物膜361和362分別與各個基板的頂 部和側(cè)面對應(yīng)。然而，如圖7A所示，焊盤部分102為第一基板100的一個區(qū) 域，第一基板相比第二基板200大出焊盤部分102。與焊盤部分102連接的第 一金屬氧化物膜361未延伸到第一基板100的側(cè)面，而僅形成于第一基板100 的頂部(除了焊盤部分的非顯示區(qū))。
第一和第二金屬氧化物膜361和362的形成可以通過等離子體噴涂的方法 實(shí)現(xiàn)。連接電極圖案365可以通過熔化和噴涂包括具有100到300'C的熔點(diǎn)的 低熔點(diǎn)金屬材料的漿料來形成，諸如在第一和第二基板100和200之間與第一 和第二基板100和200的邊緣相對應(yīng)的位置處的銦(In)，在所述第一和第二基 板100和200上分別形成第一和第二金屬氧化物膜361和362。在噴涂熔化的 漿料之后，除了低熔點(diǎn)金屬材料之外的漿料的其它成分，通過在用于形成連接 電極圖案365的加熱工序中的揮發(fā)來去除。
根據(jù)情況，在在前的密封圖案350形成之后，所有的第一和第二金屬氧化 物膜361和362和連接電極圖案365都可以通過噴涂方法或電鍍方法形成在彼 此附著的第一和第二基板100和200上。
圖8示出了在密封單元360內(nèi)部形成的紫外線固化型的密封圖案350。然 而，根據(jù)情況，可以省略密封圖案350，并且僅提供包括第一和第二金屬氧化 物膜361和362以及連接電極圖案365的密封單元360。
用于形成紫外線固化型密封圖案350的工藝與前面所述的工藝相同。
同時(shí)，用于形成第一和第二金屬氧化物膜361和362和連接電極圖案365 的工藝除了第一和第二金屬氧化物膜361和362與連接電極圖案365之間的位 置關(guān)系之外，與在前面第一到第三實(shí)施方式相關(guān)的描述中的工藝相同。
以下，將描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的具體的密封方法。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封方法，圖 11示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的具體截 面圖。
如圖9和圖11所示，如下制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示 器件。
首先，在第一基板100 (110S)上形成TFT陣列。用于形成TFT陣列的工 藝如下實(shí)施。
在第一基板100 (下基板)上在一個方向上形成柵線(與柵極100相同的 層)。另外，第一基板100上形成柵極110，從而柵極110從柵線到每一個像 素區(qū)突出。隨后，在含有柵線和柵極110的第一基板100的整個表面形成柵絕 緣膜120 。在柵絕緣膜120上形成半導(dǎo)體層130，從而半導(dǎo)體層130位于柵極 110之上以覆蓋柵極110。隨后，在半導(dǎo)體層130的相對側(cè)面形成源/漏極140a 和140b。另外，形成數(shù)據(jù)線(未示出)，從而數(shù)據(jù)線與柵線交叉以限定像素 區(qū)。隨后，在含有源/漏極140a和140b的柵絕緣膜120上形成保護(hù)膜150。隨 后，有選擇地去除保護(hù)膜150以形成部分暴露出漏極140b的接觸孔。
同時(shí)，包括圖11所示的柵極110、半導(dǎo)體層130和源/漏極140a和140b 的薄膜晶體管，用作驅(qū)動膜晶體管(DRTFT)，其中電流根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管 (包括有機(jī)發(fā)光顯示器件中的有機(jī)發(fā)光層以及有機(jī)發(fā)光層之上和之下的第一 和第二電極的結(jié)構(gòu))流動。
隨后，在含有接觸孔的保護(hù)膜150的整個表面上形成透明電極，以及有選 擇地去除透明電極層以在每一個像素區(qū)形成透明電極160并在非顯示區(qū)形成 第一金屬氧化物膜301。
隨后，在透明電極160的預(yù)定區(qū)域形成導(dǎo)電襯墊料170。這使得透明電極 160和形成于第二基板200上的第二電極之間獲得電流傳導(dǎo)，所述第二電極與 透明電極160相對。
在與第一基板100相對的第二基板200上按照以下順序執(zhí)行工藝。
艮P，將諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電金屬材料，沉積在具有以矩陣模 式設(shè)置的多個像素區(qū)P的第二基板200的整個表面以形成第一電極210，如在 第一基板100中，其與第二基板200相對。在第一電極210形成期間，在第二 基板200上形成第二金屬氧化物膜302，從而第二金屬氧化物膜302與以閉環(huán)
17形狀形成的第一金屬氧化物膜301相對應(yīng)(120S)。
如附圖中所示，第一電極210和第二金屬氧化物膜302可以形成為整體結(jié) 構(gòu)?？蛇x地，可以在顯示區(qū)形成第一電極210，在非顯示區(qū)形成第二金屬氧化 物膜302。
隨后，具有高導(dǎo)電率的金屬材料，諸如銅，沉積在包括第一電極210的第 二基板200的整個表面，并且隨后，沉積的金屬材料通過光刻構(gòu)圖，并蝕刻以 在第一電極210上形成總線(未示出)。此時(shí)，總線形成在除了像素區(qū)P之外 的第一電極210上?？偩€通常以柵格形狀構(gòu)成?？偩€是形成為減小第一電極 210的阻抗的元件。根據(jù)情況，可以省略總線。在附圖中，未示出總線。
隨后，在與柵線和數(shù)據(jù)線(在形成總線時(shí)，在總線的上方)對應(yīng)的第二基 板200上形成具有預(yù)定高度由諸如聚酰亞胺的有機(jī)材料制成的有機(jī)間隔壁 260。
隨后，利用蒸發(fā)設(shè)備在位于各個有機(jī)間隔壁260之間的每一個像素區(qū)的第 一電極210上順序形成第一載流子傳輸層220、有機(jī)發(fā)光層230和第二載流子 傳輸層240 (140S)。有機(jī)發(fā)光層230具有從紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)組 成的組合之一。第一和第二載流子傳輸層220和240用于將空穴和電子注入和 傳輸?shù)诫S后將形成的第一電極210和第二電極250之間的有機(jī)發(fā)光層230。
隨后，由諸如鈦(Ti)、鉬(Mo)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鋇(Ba)或鋁(Al)的金 屬材料制成的金屬層沉積在包括第二載流子傳輸層240和有機(jī)間隔壁260的第 二基板200的整個表面，以形成第二電極250 (145S)。此時(shí)，第二電極250 在各個像素區(qū)P之間彼此分開。S卩，第二電極250通過各個間隔壁260彼此 分開。根據(jù)情況，第二電極250可以設(shè)置在各自間隔壁260上。在這種情況下， 電極圖案通過間隔壁260和第二載流子傳輸層240之間的臺階和間隔在第二電 極250和間隔壁260上以分離的圖案形成，從而可以有選擇地為每一個像素區(qū) 驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管。
在如上所述制備了具有TFT陣列和其上形成的有機(jī)發(fā)光層的第一和第二 基板10和200之后，諸如銦(In)的低熔點(diǎn)金屬材料電鍍到第一基板100的第 一金屬氧化物膜301，或第二基板200的第二金屬氧化物膜302上以形成具有 預(yù)定高度(等于第一和第二基板100和200之間的間隙)的電極圖案(連接電 極圖案)305 (150S)。優(yōu)選地，電極圖案305具有約4/^m到10"m的高度。隨后，第一和第二基板100和200彼此粘接，同時(shí)第一和第二基板100 和200彼此相對設(shè)置(160S)。
隨后，將激光照射到電極圖案305形成的區(qū)域(170S)，從而在電極圖案305 與第一和第二金屬氧化物膜301和302之間發(fā)生熱內(nèi)擴(kuò)散，并且因此實(shí)現(xiàn)電極 圖案305與第一和第二金屬氧化物膜301和302之間的連接(180S)。結(jié)果， 通過第一和第二金屬氧化物膜301和302與電極圖案305之間的連接形成密封 單元300。
上述的制造方法除了用于形成由紫外線固化型有機(jī)材料制成的密封圖案 320或330的工藝以外，可以應(yīng)用于參見前面的圖5A、 5B和6所描述的第二 實(shí)施方式，從而密封圖案320或330與第二基板200上的密封單元310或340 分離，紫外線固化工藝也包括在其中。
以下，將參見圖7A， 7B和10描述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式有機(jī)發(fā)光顯 示器件的制造方法。
圖10示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封方法的 流程圖。
如圖IO所示，跟據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件通過在第一 基板100上形成包括薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列，以及在第二基板200上形 成第一和第二電極210和250 (參見圖11)和有機(jī)發(fā)光層230來制造。在第一 和第二基板100和200上執(zhí)行的工藝與步驟110S到145S執(zhí)行的工藝相同，除 了在前面參見圖9所描述的形成第一和第二金屬氧化物膜301和302的工藝。
隨后，在第一基板100或第二基板200上的非顯示區(qū)以閉環(huán)形狀形成密封 圖案350 (參見7A和7B)，并且第一和第二基板100和200彼此粘接(210S)。
隨后，等離子體噴涂在形成密封圖案350區(qū)域的外面的第一和第二基板 100和200以形成第一和第二金屬氧化物膜361和362。在此，第一和第二金 屬氧化物膜361和362位于彼此相對應(yīng)的位置?？紤]到第一基板100大于第二 基板200，第一和第二金屬氧化物膜361和362在第一和第二基板100和200 之間與第二基板200的邊緣相對應(yīng)的位置處形成。在這種情況下，第二金屬氧 化物膜362形成在第二基板200的頂部和邊緣，并且第一金屬氧化物膜361 形成在與除了與焊盤部分102相鄰的側(cè)面之外的其它三個側(cè)面相對應(yīng)的邊緣 的頂部和側(cè)面。第一金屬氧化物膜361形成在與焊盤部分102相鄰的側(cè)面的焊盤部分102和第二基板200之間的交界面相對應(yīng)的第一基板100的頂部。
隨后，在第一和第二基板100和200之間形成的密封圖案通過將紫外線 照射到第一基板100的后表面或第二基板200的后表面來固化。根據(jù)情況，可 以在形成第一和第二金屬氧化物膜361和362之前執(zhí)行通過紫外線的密封圖案 350的固化。
隨后，將低熔點(diǎn)金屬材料熔化和噴涂在粘接的第一和第二基板100和200 的邊緣之間。低熔點(diǎn)金屬材料通過激光照射或熱處理構(gòu)成用于互連第一和第二 金屬氧化物膜361和362的連接電極圖案365。結(jié)果，形成含有第一和第二金 屬氧化物膜361和362以及連接電極圖案365的密封單元360。
以下，將描述通過增加除了電極元件之外的額外結(jié)構(gòu)形成密封單元的實(shí)施 方式。
圖12示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封結(jié)構(gòu)的 截面圖。
如圖12所示，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件包括具有限 定在其中央的顯示區(qū)(圖12的虛線)以及限定在其邊緣的非顯示區(qū)的第一基 板100及第二基板200，第一基板100和第二基板200彼此相對，以及在第一 基板100和第二基板200之間與非顯示區(qū)相對應(yīng)的位置處形成的密封單元 390。
密封單元390包括形成于第一基板100上的第一電極圖案391，形成于第 二基板200上的有機(jī)填充物392，從而有機(jī)填充物392與第一電極圖案391相 對應(yīng)，并且第二電極圖案393覆蓋有機(jī)填充物392，從而第二電極圖案393與 第一電極圖案391接觸。
為了簡化工藝，第一電極圖案391可以與形成于第一基板100上的透明電 極在同一層形成，并且第二電極圖案393可以在與形成于第二基板200上的第 一電極在同一層形成。有機(jī)填充物392可以與有機(jī)間隔壁在同一層形成，所述 有機(jī)間隔壁形成于劃分各個像素區(qū)中形成的有機(jī)發(fā)光層的區(qū)域。
密封單元390的第一電極圖案391和第二電極圖案393通過激光照射或熱 處理連接到第一和第二基板100和200。 g卩，密封單元3卯為在密封單元390 與第一基板和第二基板100和200之間通過金屬材料之間的熱內(nèi)擴(kuò)散獲得連接 的結(jié)構(gòu)。因此，密封單元390呈現(xiàn)高粘附特性，并且不允許外部氣體，H20, H2,C02等通過其傳遞，從而防止將潮氣引入到顯示區(qū)。
如圖12所示，根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封單
元390在第一和第二基板100和200之間以沒有間隙的框架的形狀形成。
在此，第一電極圖案391和第二電極圖案393之間的連接通過將激光照 射到第一基板100的下層或第二基板100的上層，或通過熱處理焊接第一和第 二連接電極圖案391和393中的至少一個來獲得。
以下，將詳細(xì)描述具有根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯 示器件的密封方法。
圖13A和圖13B示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的 第一密封方法的工藝截面圖
如圖13A所示，第一基板100具有形成在其上的TFT陣列和第一電極圖 案391，第二基板200具有形成在其上的有機(jī)填充物392，以及覆蓋有機(jī)填充 物392的第二電極圖案393以及第一和第二電極(未示出)和有機(jī)發(fā)光層(未 示出)，第一基板IOO和第二基板200彼此相對。
如圖13B所示，相對的第一和第二基板100和200彼此粘接，從而第一 基板100的第一電極圖案391與第二基板200的第二電極圖案393接觸，并且 隨后對第一基板100的后表面加熱或激光照射，以熔化第一電極圖案391，從 而第一電極圖案391通過第一電極圖案391和第二電極圖案393之間的熱內(nèi)擴(kuò) 散連接到第二電極圖案393。
對于激光照射，激光可以照射到第一基板100的后表面或第二基板200 的后表面。對于熱處理，優(yōu)選地將熱量施加到第一基板100。有選擇地將熱量 施加到形成第一電極圖案391的第一基板100上的原因在于最小化由于熱量造 成第二基板200上形成的有機(jī)發(fā)光層的劣化。
在這種情況下，如前面所述，優(yōu)選地通過激光照射或熱處理將具有約100 到300。C的熔點(diǎn)的低熔點(diǎn)金屬材料熔化以產(chǎn)生第一電極圖案391和第二電極圖 案393。具體地，當(dāng)有選擇地僅對第一基板100進(jìn)行熱處理時(shí)，需要制成低熔 點(diǎn)金屬材料的第一電極圖案391。
圖14A和圖14B示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的 第二密封方法的工藝截面圖。
如圖14A所示，第一基板100具有部分形成于非顯示區(qū)的第一電極圖案403，第一基板安裝在熱板410上，將熱板410加熱到約100到30CTC以熔化 第一基板100上的第一電極圖案403。此后，形成有機(jī)填充物401和覆蓋有機(jī) 填充物401的第二電極圖案402，使得有機(jī)填充物401和第二電極圖案402與 第一電極圖案403對應(yīng)。
隨后，如圖14B所示，在粘接之前己經(jīng)由熱板410熔化的第一電極圖案 403與沉積在有機(jī)填充物410上的第二電極圖案402接觸，并且在第一電極圖 案403和第二電極圖案402之間執(zhí)行焊接工藝。
焊接工藝完成之后，在第一電極圖案403a焊接到第二電極圖案403時(shí)， 通過移除熱板410或降低熱板的溫度，固化第一電極圖案403a。
根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件還包括由紫外線固化型有 機(jī)材料制成的密封圖案，如前面第二和第三實(shí)施方式所述，該密封圖案設(shè)置在 非顯示區(qū)的密封單元的外部或內(nèi)部。這種雙重密封結(jié)構(gòu)防止外部空氣或濕氣引 入到有機(jī)發(fā)光顯示器件，從而提高了有機(jī)發(fā)光顯示器件的可靠性。
圖15A和圖15B示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的改進(jìn)的有機(jī)發(fā)光顯示 器件的第二密封方法的工藝截面圖。
圖15A示出了在第一和第二基板100和200粘接之后，當(dāng)通過激光照射 構(gòu)建密封單元430時(shí)，在密封單元430外部形成紫外線固化型有機(jī)密封圖案 420的示例，以及圖15B示出了在通過熱處理熔化第一電極圖案433a，且構(gòu)建 密封單元430時(shí)在密封單元430外面形成紫外線固化型有機(jī)密封圖案420的示
在此，紫外線固化型有機(jī)密封圖案420可以形成于第一基板100的非顯示 區(qū)，在該第一基板上形成有TFT陣列(未示出)，或形成在第二基板200的 非顯示區(qū)，在該第二基板上形成有有機(jī)發(fā)光層(未示出)，并且第一和第二電 極(未示出)形成于有機(jī)發(fā)光層之上或之下。優(yōu)選地，在第二基板200上形成 沒有臺階的紫外線固化型有機(jī)密封圖案420。
圖16A和圖16B示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的 密封方法的工藝截面圖。
根據(jù)情況，圖15B所示的密封圖案420與含有金屬元件的密封單元之間 的位置關(guān)系可以改變?yōu)槿鐖D16B所示的，在密封單元450的外部形成紫外線 固化型有機(jī)密封圖案440，該密封單元450包括形成在第二基板200上的有機(jī)填充物451以及形成于第一基板100之上的第一電極圖案453，該紫外線固化 型有機(jī)密封圖案440與密封單元450隔開。
在這種情況下，如圖16A和圖16B所示，有機(jī)密封圖案440可以通過紫 外線固化，可以熔化第一電極圖案453a，以及可以在第一和第二電極圖案453a 和452之間執(zhí)行焊接工藝?？蛇x地，順序可以改變。
在這種情況下，在第一和第二基板100和200上形成TFT陣列和形成有 機(jī)間隔壁或第一和第二電極的同時(shí)，形成組成密封單元450的元件。在設(shè)置第 一和第二基板100和200使得在陣列形成之后，第一和第二基板100和200 彼此相對之前，形成有機(jī)密封元件440。在這種情況下，在陣列形成工藝中形 成的第一和第二電極圖案453和452處于浮動狀態(tài)，同時(shí)第一和第二電極453 和452與第二電極(或第一電極)和在同一層形成的透明電極隔開。
圖17示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的 具體截面圖。
如圖17所示，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的制造方法 實(shí)施如下。首先，制備具有限定在其中央的顯示區(qū)和限定在其邊緣的非顯示區(qū) 的第一基板100和第二基板200。
在第一基板100上形成TFT陣列(110S)。形成TFT陣列的工藝已經(jīng)在 前面參照圖ll進(jìn)行了描述。
隨后，在含有接觸孔的保護(hù)膜150的整個表面上形成透明電極層，并且有 選擇地去除透明電極層，從而在每一個像素區(qū)形成透明電極160，并且在非顯 示區(qū)以閉環(huán)的形狀形成第一電極圖案391。
隨后，在透明電極160上的預(yù)定區(qū)域形成導(dǎo)電襯墊料170。
在隨后工藝中，在與第一基板100相對的第二基板200上執(zhí)行工藝。艮卩， 將諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電金屬材料沉積在與顯示區(qū)相對應(yīng)的第二 基板200的整個表面以形成第一電極210。根據(jù)情況，第一電極210可形成在 第二基板200的整個表面上。
.隨后，在與顯示區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線(形成總線時(shí)在總線上方)對應(yīng)的第二 基板200上，形成具有預(yù)定高度，由諸如聚酰亞胺的有機(jī)材料制成的有機(jī)間隔 壁260。在非顯示區(qū)，在與第一電極圖案391對應(yīng)的位置形成有機(jī)填充物392。
隨后，在位于各個有機(jī)間隔壁260之間的每一個像素區(qū)的第一電極210上利用蒸發(fā)設(shè)備順序形成第一載流子傳輸層220、有機(jī)發(fā)光層230和第二載流 子傳輸層240 (140S)。有機(jī)發(fā)光層230具有由R、 G和B組中的任選一個。 第一和第二載流子傳輸層220和240用于將空穴和電子注射和傳輸?shù)綄⒃陔S后 形成的第一電極210和第二電極250之間的有機(jī)發(fā)光層230。
隨后，由諸如鈦(Ti)、鉬(Mo)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鋇(Ba)或鋁(Al)的金 屬材料制成的金屬層沉積在含有第二載流子傳輸層240和有機(jī)間隔壁260的第 二基板200的整個表面，以形成第二電極250，該第二電極250為陰極(145S)。 此時(shí)，第二電極250在各個像素區(qū)P之間彼此分離。g卩，第二電極250通過各 自間隔壁260彼此分開。諸如鈦(Ti)、鉬(Mo)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鋇(Ba) 或鋁(A1)的金屬層元素可以留在各自的間隔壁260上。在形成第二電極250的 時(shí)候，在非顯示區(qū)形成覆蓋有機(jī)填充物392的第二電極圖案393。
隨后，在第一和第二基板100和200彼此相對設(shè)置時(shí)，將第一和第二基板 100和200彼此粘接(160S)。在粘接第一和第二基板100和200時(shí)，使得第 二電極圖案393與第一電極圖案391接觸。
隨后，將激光照射到第一電極圖案391所在的第一基板100的后表面，或 第二電極圖案393所在的第二基板200的后表面，或?qū)崃渴┘拥降谝浑姌O圖 案391側(cè)面，從而第一電極圖案391和第二電極圖案393通過第一電極圖案 391和第二電極圖案393之間的熱內(nèi)擴(kuò)散彼此相連。因此，通過第一電極圖案 391和第二電極圖案393之間的連接形成密封單元390。
在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件中，在基板的上層和下層 額外執(zhí)行用于形成含有金屬氧化物膜的陣列的工藝，所述兩個基板彼此粘接， 并且將激光照射到兩個基板上以將金屬氧化物膜連接到連接電極圖案。
根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件不同于如圖11所示的根據(jù) 本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件之處在于，除了在顯示區(qū)形成的間隔 壁260以外，形成第一電極圖案代替第一金屬氧化物膜，在非顯示區(qū)形成有 機(jī)填充物392和覆蓋有機(jī)填充物392的第二電極圖案393以代替第二金屬氧化 物膜和連接電極圖案。
同樣，可以從附圖中看出，在形成于顯示區(qū)的每一個有機(jī)間隔壁260上都 形成電極圖案和第二電極250。在工藝順序方面，每一個有機(jī)間隔壁260形成 在有機(jī)發(fā)光層220、 230和240以及第二電極250形成之前。有機(jī)發(fā)光層220、230和240形成在各個有機(jī)間隔壁260之間。在沒有掩膜的情況下形成第二電 極。因此，第二電極留在每一個間隔壁260上。在這種情況下，每一個有機(jī)間 隔壁上的電極圖案保持浮動狀態(tài)，并且電極圖案不起作用。
同樣，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式和第五實(shí)施方式改進(jìn)的有機(jī)發(fā)光顯示期間 的制造方法與圖17所示的制造方法相同，此外，密封圖案形成于密封單元的 內(nèi)部或外面，從而在此不再給出詳細(xì)描述。
以下，將詳細(xì)描述對于根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的密封單元的電源 電壓的施加。
圖18示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的像素的電路圖。 在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件，如圖18所示，包括作為主要元件的 金屬元件的密封單元以閉環(huán)的形狀形成以環(huán)繞第一和第二基板。同時(shí)，密封單 元具有預(yù)定的寬度。因此，密封單元可作為大電流沿其流動的電源電壓(VDD) 的應(yīng)用線。在這種情況下，電源電壓應(yīng)用線連接到焊盤部分的電源電壓應(yīng)用終頓。
參見圖11，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的第二金屬氧
化物膜302整體連接到第二基板200的第一電極210，從而，第二金屬氧化物 膜302具有與第一電極210相同的電勢。在此，第一電極210可用作圖18的 有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽極，第二金屬氧化物膜302和第一電極圖案301 一起可以作為通過連接電極圖案305施加電源電壓VDD的路徑。
參見圖18的電路，在第一方向上形成連接到柵接線端Vgate的柵線GL。 在與第一方向交叉的第二方向上形成連接到數(shù)據(jù)接線端Vdata的數(shù)據(jù)線DL和 連接到電源電壓應(yīng)用終端VDD的電源電壓線VL。數(shù)據(jù)線DL和電源電壓線 VL彼此間隔預(yù)定距離。柵線GL、數(shù)據(jù)線DL和電源電壓線VL限定像素區(qū)。
同時(shí)，開關(guān)薄膜晶體管SWTR，其為尋址元件，形成于柵線GL和數(shù)據(jù)線 DL之間的交叉點(diǎn)。存儲電容連接到開關(guān)膜晶體管SWTR和地線SL。作為電 流源元件的驅(qū)動膜晶體管DR TR連接到存儲電容CST和電源電壓線VL。有 機(jī)發(fā)光二極管(OLED)形成于電源電壓線VL上，從而有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 連接到驅(qū)動膜晶體管DRTR。
在此，圖11的薄膜晶體管與圖18的驅(qū)動膜晶體管對應(yīng)。
當(dāng)電流以箭頭方向提供給圖18的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的有機(jī)發(fā)光材料時(shí)，電子和空穴移動通過空穴提供層的陽極和電子提供層的陰極之間的P
(正)一N (負(fù))結(jié)，從而電子和空穴彼此重新復(fù)合。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 在電子和空穴彼此分開時(shí)具有更小的能量。因此，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 由于這種能量差發(fā)光。有機(jī)發(fā)光二極管包括在圖11的第二基板200上形成的 有機(jī)發(fā)光層230和位于有機(jī)發(fā)光層230之上和之下的第一電極210和第二電極 250。在此，在焊盤部分處形成的電源電壓應(yīng)用端(未示出)電連接到含有第 一金屬氧化物膜302的密封單元300。
根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件不限于上述的雙板型有機(jī)發(fā)光顯示器件。 根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件可應(yīng)用于封裝型結(jié)構(gòu)，其為一種底部發(fā)光型結(jié) 構(gòu)。在底部發(fā)光型結(jié)構(gòu)中，除了有機(jī)發(fā)光層形成在第二基板上以及第一和第二 電極形成在第一基板上以外，可以應(yīng)用上述結(jié)構(gòu)和制造方法。
以下，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件。
圖19A到圖19E示出了根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的 制造工藝的截面圖。
如圖19A所示，在第一基板100上形成金屬膜，隨后在金屬膜上形成柵 極201、電源線411和第一虛擬圖案413。此時(shí)，由AlNd或AlNd和Mo制成 的雙層金屬膜可用作金屬膜。
隨后，在第一基板100的整個表面上形成柵絕緣膜102，隨后，在第一基 板100的整個表面上形成非晶硅膜、摻雜的非晶硅膜和金屬膜。隨后，根據(jù)衍 射掩膜工藝或半色調(diào)掩膜工藝執(zhí)行蝕刻以同時(shí)形成源/漏電極203a和203b，含 有歐姆接觸層和溝道層的有源層202以及數(shù)據(jù)導(dǎo)線(未示出)。Mo或其合金 或Cu或其合金可用作金屬膜。
此時(shí)，在第一虛擬圖案413a的頂部形成由有源層和源/漏金屬層構(gòu)成的第 二和第三虛擬圖案413b和413c。同樣在不使用衍射掩膜工藝或半色調(diào)掩膜工 藝的情況下，可以執(zhí)行形成有源層202的掩膜工藝和形成源/漏極203a和203b 的掩膜工藝。
在形成含有柵極201、有源層202和源/漏極203a和203b的薄膜晶體管 Tr之后，如圖19B所示，在第一基板100的整個表面上形成保護(hù)膜109，隨后 利用含有掩膜的光刻執(zhí)行接觸孔工藝以暴露出漏極203b的一部分和暴露出電 源線411的一部分。盡管在附圖中未示出，也蝕刻柵焊盤區(qū)和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)以暴露出柵焊盤的一部分和暴露出數(shù)據(jù)焊盤的一部分。
在完成保護(hù)膜109上的接觸孔工藝之后，如圖19C所示，在第一基板IOO 上形成金屬膜，并構(gòu)圖該金屬膜以形成電接觸漏極203b的接觸部分204，以 及電接觸電源線411的電源電極412。
通過上述工藝完成有機(jī)發(fā)光顯示器件的下基板100之后，如圖19D所示， 執(zhí)行粘接下基板1100和含有有機(jī)電致發(fā)光層的上基板1300的工藝，從而下基 板1100與上基板1300對應(yīng)。
上基板1300包括形成于第二基板200的導(dǎo)電金屬圖案的總線306 (輔助 電極)。在形成總線306的第二基板200上形成第一電極1310。
在形成第一電極1310的第二基板200上，子像素區(qū)通過第一緩沖層1215 和形成于第一緩沖層1215上的間隔壁1225劃分。同樣，形成第二緩沖層1307 和第一和第二柱狀襯墊料1335a和1335b以在上基板1300的電極和下基板 1100的薄膜晶體管Tr之間實(shí)現(xiàn)電連接。在第二緩沖層1307上形成第一和第 二柱狀襯墊料1335a和1335b。
同樣，在子像素區(qū)的第一電極1310上形成有機(jī)電致發(fā)光層1320和第二電 極1330。因此，子像素區(qū)的第一電極1310，有機(jī)電致發(fā)光層1320和第二電極 1330構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光二極管E。
可以構(gòu)建有機(jī)電致發(fā)光層1320，從而分別為每一個子像素區(qū)形成紅(R)、 綠(G)和藍(lán)(B)有機(jī)電致發(fā)光層，或堆疊R、 G和B有機(jī)電致分發(fā)光層以在每一 個子像素區(qū)產(chǎn)生白光。在堆疊R、 G和B有機(jī)電致分發(fā)光層以在每一個子像素 區(qū)產(chǎn)生白光的結(jié)構(gòu)中，可以為每一個子像素在下基板或上基板上形成R、 G和 B濾色片。同樣，可以通過單一白色有機(jī)電致發(fā)光層構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光層。甚 至在這種情況下，可以為每一個子像素在下基板1100或上基板1300形成R、 G和B濾色片?；谠谙禄?100或上基板1300上形成的濾色片，有機(jī)發(fā) 光顯示器件以底部發(fā)光型結(jié)構(gòu)或頂部發(fā)光型結(jié)構(gòu)驅(qū)動。
在第二柱狀襯墊料1335b和第一電極1310上形成的接觸電極1340與下基 板1100的提供電源電壓的電源線411以及電源電極412電接觸。因此，電源 電壓從下基板1100施加到上基板1300。此時(shí)，接觸電極1340在形成第二電 極1330的同時(shí)進(jìn)行構(gòu)圖。
完成上基板1300和下基板1100之后，將密封劑施加到上基板1300和下
27基板1100，上基板1300和下基板1100彼此粘接，將紫外線UV照射到粘接 的上和下基板1300和1100 (密封固化工藝)以形成密封線600。密封線600 由諸如玻璃料密封劑的熱固化性材料制成。
如圖19E所示，通過密封線600，將上基板1300和下基板1100彼此粘接 到一起之后，利用透明密封劑溶液在整個粘接的基板上形成膠囊膜650。從而， 利用膠囊膜650涂覆粘接的基板的外側(cè)前面和后表面以及側(cè)表面。粘接的基板 的前表面為上基板1300的外表面，粘接基板的后表面為下基板1100的外表面， 粘接基板的側(cè)表面為粘接基板的圓周表面。這些定義可以以相同的方式應(yīng)用于 后續(xù)描述?？梢岳脠D21到圖23的形成方法形成膠囊膜650。
制造上基板1300和下基板1100，使得上基板1300和下基板1100具有不 同的寬度，從而形成膠囊膜650，使得膠囊膜650在粘接基板的邊緣區(qū)具有 較大的厚度，從而進(jìn)一步提高密封效率。
膠囊膜650為基于密封劑的氟樹脂。膠囊膜650由可在低溫下固化并對 玻璃呈現(xiàn)高粘著性的材料制成?；诜鷺渲牟牧习ㄔ谌芤籂顟B(tài)下使用的無 定形含氟聚合物或氟熱塑性材料。以上具體材料具有95%或更高的透射率，并 且以上具體材料在約IO(TC的溫度下可固化。因此，可以在低溫下形成膠囊膜 650。從而，膠囊膜650不會影響粘接基板中的器件。
由于膠囊膜650呈現(xiàn)疏水性，膠囊膜650有效防止?jié)駳饣蜓鯕獾慕耄?從而提高有機(jī)發(fā)光顯示器件的隔絕密封。
同樣，由于膠囊膜650施加到粘接基板的整個區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了微腔和低反 射特征，從而提高了圖像質(zhì)量。此外，膠囊膜650圍繞在粘接基板的整個表 面，從而可以防止由于震動或外部撞擊損壞器件。
圖20示出了根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)的截面 圖。圖20的基板具有與圖19E的上基板和下基板相同的結(jié)構(gòu)。因此，根據(jù)本 發(fā)明第七實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的元件與根據(jù)第六實(shí)施方式的用相同 標(biāo)號表示的有機(jī)發(fā)光顯示器件的那些元件相同，在此不給出具體描述。
如圖20所示，形成上基板1300的第二基板200和下基板1100的第一基 板100，從而第二基板200和第一基板100具有相同的寬度。在彼此粘接的上 基板1300和下基板1100的整個區(qū)域形成膠囊膜680。以這種方式，本發(fā)明可 以應(yīng)用于上述結(jié)構(gòu)，其中，有機(jī)發(fā)光顯示器件的面板的尺寸或上基板1300的寬度不同于下基板1100的寬度。
如圖19E和圖20所示，在上基板1300上形成有機(jī)電致發(fā)光層1320，在 下基板1100上形成TFT。然而，本發(fā)明同樣也可以應(yīng)用于TFT和有機(jī)電致發(fā) 光層形成于上基板1300的頂部有機(jī)發(fā)光顯示器件，或TFT和有機(jī)電致發(fā)光層 形成于下基板1100的底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示器件。
艮口，主要形成密封線以粘接基板，并且形成膠囊膜以圍繞在粘接的基板的 整個表面，從而改進(jìn)有機(jī)發(fā)光顯示器件的隔絕密封。
圖21到圖23示出了根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的膠囊膜的形成方法 的示意圖。
圖21到圖23示出了在有機(jī)發(fā)光顯示器件的粘接的基板的整個表面上形成 膠囊膜的工藝。具體地，圖21示出了在密封劑溶液中浸入有機(jī)電致發(fā)光面板 以形成膠囊膜的工藝，圖22示出了利用密封劑，通過分配或印刷方法涂覆有 機(jī)電致發(fā)光面板的整個表面以形成膠囊膜的工藝，以及圖23示出了通過旋轉(zhuǎn) 涂覆方法涂覆有機(jī)電致發(fā)光面板以形成膠囊膜的工藝。
參見圖21，由通過密封線彼此粘接的基板組成的有機(jī)電致發(fā)光面板浸入 到密封劑溶液中以在有機(jī)電致發(fā)光面板的整個區(qū)域形成膠囊膜。隨后，執(zhí)行低 溫固化工藝(約10(TC)以固化膠囊膜。
參見圖22，在一個基板上形成密封線之后，基板彼此粘接，隨后由粘接 的基板組成的有機(jī)電致發(fā)光面板位于基座B上。此后，利用諸如分配器的工 具，將密封劑分配到有機(jī)電致發(fā)光面板的整個區(qū)域。在有機(jī)電致發(fā)光面板的前 表面、后表面和側(cè)表面形成膠囊膜。隨后，執(zhí)行低溫固化工藝以固化膠囊膜。 然而，也可以通過噴墨方法或印刷方法形成膠囊膜。
參見圖23，在由粘接的基板構(gòu)成的有機(jī)電致發(fā)光面板上方設(shè)置用于噴涂 密封劑的噴嘴，將液體密封劑從噴嘴噴涂到有機(jī)電致發(fā)光面板的前表面以在有 機(jī)電致發(fā)光面板的前表面上形成膠囊膜。此后，旋轉(zhuǎn)有機(jī)電致發(fā)光面板，從而 噴嘴與有機(jī)電致發(fā)光面板的后表面相對，隨后執(zhí)行上述工藝以在有機(jī)電致發(fā)光 面板的后表面上形成膠囊膜。隨后，執(zhí)行低溫固化工藝以固化膠囊膜。
圖24示出了根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)的截面圖。
參見圖24，上基板701具有與圖19A到圖19E的上基板1300上形成的那些相同的元件，下基板700具有與圖19A到圖19E的下基板IIOO上形成的那 些相同的元件。同樣，可以在下基板700上形成TFT和有機(jī)電致發(fā)光層。同 樣彼此粘接的上基板701和下基板700可以具有與頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示器 件或與底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示器件相同的結(jié)構(gòu)。
同樣，上基板701可以是濾色片基板，下基板700可以是其上形成有薄膜 晶體管和像素電極的陣列基板，即液晶顯示器件。此外，液晶層可以設(shè)置在上 基板701和下基板700之間。
上基板701和下基板700通過密封線720彼此粘接。密封線可以由UV 密封固化材料、熱固化性密封材料(基于V20s, PbO, B203-ZnO,或Si02的材 料)或金屬密封材料制成。上基板701和下基板700可以具有不同的寬度或相 同的寬度。在粘接基板的前、后表面和四個側(cè)面形成膠囊膜750，因此，膠囊 膜750與密封線720 (參見圖20)相鄰。
如圖24所示，在通過密封線720彼此粘接的基板的前表面形成膠囊膜 750。膠囊膜750可以由透明環(huán)氧樹脂或透明硅材料制成。
同時(shí)，可以通過前面圖21到圖23所描述的工藝形成膠囊膜750。
圖25示出了根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)的截面 圖。如圖25所示，上基板801和下基板800彼此通過第一密封線820粘接， 在粘接的基板的側(cè)面形成第二密封線821，并且形成膠囊膜823以覆蓋粘接的 基板的整個區(qū)域。
第一密封線820可以由紫外線密封固化材料、熱固化密封材料或金屬密封 材料制成。同樣，第二密封線821可以由紫外線密封固化材料、熱固化密封材 料或金屬密封材料制成。第一密封線820和第二密封線821可以由不同的密封 材料制成。例如，第一密封線820可以由紫外線密封固化材料制成，而第二密 封線821可以由熱固化密封材料或金屬密封材料制成。
在基板通過兩條密封線彼此粘接之后，形成膠囊膜823以覆蓋粘接的基 板的整個區(qū)域。可以根據(jù)圖21到圖23的工藝形成膠囊膜823。
根據(jù)本發(fā)明，粘接的基板的整個區(qū)域由膠囊膜覆蓋，該膠囊膜由透明材料 制成，從而可以包括器件不受外部濕氣、震動和撞擊的影響。
在根據(jù)本發(fā)明的前面第六到第八實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器件的制造方 法中，上和下基板彼此通過密封線粘接，并且粘接的上和下基板的整個表面由膠囊膜圍繞，從而有效防止外部濕氣到有機(jī)發(fā)光顯示器件的滲透以及將氣體引 入到有機(jī)發(fā)光顯示器件中。
同時(shí)，前面第六到第八實(shí)施方式中的任何一個可以與前面第一到第五實(shí)施 方式結(jié)合。換句話說，用于密封圖案的材料可以改變，并且包括密封圖案的粘 接的上和下基板的整個表面由膠囊膜圍繞以形成有機(jī)發(fā)光顯示器件。
當(dāng)描述在基板之上/上方/上部/上層或之下/下方/下面/下形成各個層(膜)、 區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)時(shí)，上面所述的各個層(膜)、區(qū)域、焊盤或圖案，其可以 解釋為形成各個層(膜)、區(qū)域、焊盤、圖案或結(jié)構(gòu)，從而各個層(膜)、區(qū) 域、焊盤、圖案或結(jié)構(gòu)直接與基板、各個層(膜)、區(qū)域、焊盤或圖案接觸。 否則其解釋為，在其中間還形成其他層(膜)、其他區(qū)域、其他焊盤、其他圖 案或其他結(jié)構(gòu)。因此，必須通過本發(fā)明的技術(shù)思想來確定其含義。
由以上描述可顯而易見的，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法 具有以下效果。
第一，在上和下基板密封過程中，利用具有熔點(diǎn)為100to30(TC的低熔點(diǎn) 金屬材料。因此，即使在低溫下也可以進(jìn)行上和下基板之間的密封，從而有效 防止密封工藝期間有機(jī)發(fā)光層的損壞。有機(jī)發(fā)光層對于高溫和毒性氣體比較薄 弱。在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的制造方法中，密封工藝在低溫下執(zhí)行。 因此，有效防止密封工藝期間有機(jī)發(fā)光層的損壞或劣化。
第二，當(dāng)僅使用傳統(tǒng)的紫外線固化密封材料執(zhí)行上和下基板之間的密封 時(shí)，由于密封材料的屬性，密封材料很容易與基板表面或形成于基板表面上的 有機(jī)膜分離，或者外部氣體或濕氣很容易通過紫外線固化密封材料浸入到面 板。根據(jù)本發(fā)明，密封單元由含有金屬元素的材料制成。因此，可防止密封單 元與基板分離，并且可以防止由于氣體或濕氣的浸入而導(dǎo)致的像素劣化。
第三，玻璃料密封劑可用于取代紫外線固化密封材料。然而，由于用于玻 璃料密封劑(基于玻璃的材料、填充物或用于涂覆的基本材料)的材料的屬性， 玻璃料密封劑對于密封具有約IO岸或更大的間隙比較有利。因此，當(dāng)上和下
基板之間的縫隙約為5^m，如在雙板型有機(jī)發(fā)光顯示器件結(jié)構(gòu)中，很難實(shí)現(xiàn)使 用足以支撐上和下基板的較小高度的玻璃料密封劑。同樣，由于用于玻璃料密 封劑的材料的特性，玻璃料密封劑的邊緣很容易裂化，因此，玻璃料密封劑很 容易斷裂。由于此原因，玻璃料密封劑很難用于使用玻璃作為基板的顯示器件。在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件中，密封材料由金屬材料制成，克服了紫外 線固化密封材料或玻璃料密封劑材料的缺點(diǎn)，上和下基板通過含有金屬材料的 密封材料彼此粘接。通過熱處理或激光照射由熱內(nèi)擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)金屬材料之間的粘 接，從而提高了基板之間的粘接。因此，可以防止外部濕氣、二氧化碳或其他 氣體通過密封單元浸入到有機(jī)發(fā)光顯示器件，從而防止由于外部氣體引起的像 素劣化，并最終提高了觀感。
第四，有機(jī)發(fā)光顯示器件的上和下基板通過密封線彼此粘接，并且粘接的 上和下基板的整個表面通過膠囊膜包圍。因此，本發(fā)明具有防止外部濕氣浸入 到有機(jī)發(fā)光顯示器件以及將氣體引入到有機(jī)發(fā)光顯示器件的效果。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不偏離本發(fā)明精神或范圍的情況下，顯然 可以進(jìn)行各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明實(shí)施方式意欲覆蓋所有落入在本發(fā)明 的所附權(quán)利要求書及其等效物限定的范圍內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器件，包括彼此相對的第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板分別具有限定在其中央的顯示區(qū)和限定在其邊緣的非顯示區(qū)；在所述第一基板上的顯示區(qū)形成的多條柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)；在所述柵線和數(shù)據(jù)線之間的每一個交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管；在與像素區(qū)對應(yīng)的所述第二基板上形成的有機(jī)發(fā)光層，以及位于所述有機(jī)發(fā)光層上方和下方的第一電極和第二電極；以及粘接在第一基板和第二基板之間的密封結(jié)構(gòu)，第一基板和第二基板通過用于防止?jié)駳夂蜌怏w的浸入的所述密封結(jié)構(gòu)彼此粘接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述密封結(jié) 構(gòu)包括形成為圍繞所述相對的第一和第二基板的前、后和側(cè)表面的膠囊膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述膠囊膜 為基于氟樹脂的密封劑。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述膠囊膜 具有95%或更高的透射率。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述密封結(jié) 構(gòu)包括分別以閉環(huán)形狀形成在對應(yīng)非顯示區(qū)的所述第一基板和第二基板上的第 一金屬氧化物膜和第二金屬氧化物膜，其中所述第一金屬氧化物膜和第二金屬 氧化物膜彼此相對；以及在所述第一金屬氧化物膜和第二金屬氧化物膜之間形成的連接電極圖案， 從而所述粘接電極圖案接觸所述第一金屬氧化物膜和第二金屬氧化物膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述連接電 極圖案具有100到30(TC的熔點(diǎn)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述連接電 極圖案由In、 Sn、 Zn和Pb及其合金中任意一種制成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一金屬氧化物膜和第二金屬氧化物膜由包括從In、 Sn、 Zn和Pb中所選擇的至少一 種的金屬氧化物制成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一電 極和第二金屬氧化物膜形成為一體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述密封結(jié) 構(gòu)包括以閉環(huán)形狀形成于對應(yīng)所述非顯示區(qū)的所述第二基板上的有機(jī)填充物； 在第一基板上構(gòu)圖的對應(yīng)所述有機(jī)填充物的第一電極圖案，以及 形成于非顯示區(qū)的所述第二基板上的第二電極圖案，其中用于覆蓋所述有 機(jī)填充物的所述第二電極圖案與所述第一電極圖案接觸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一 電極圖案由具有100到30(TC熔點(diǎn)的金屬材料制成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，還包括 形成于所述第二基板上與所述柵線和數(shù)據(jù)線對應(yīng)的有機(jī)間隔壁，其中所述有機(jī)填充物形成在與所述有機(jī)間隔壁相同的層上。
13..根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其特征在于，還包括密封線，其以閉環(huán)形狀形成于所述第一基板和第二基板之間的非顯示區(qū)， 其中所述密封線由紫外線密封固化材料、熱固化密封材料和金屬密封材料制成。
14. 一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的制造方法，包括制備彼此相對的第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板分別具有限定在其中央的顯示區(qū)和限定在其邊緣的非顯示區(qū)；形成多個柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定所述第一基板 上顯示區(qū)中的像素區(qū)；在所述柵線和數(shù)據(jù)線之間的每一個交叉點(diǎn)形成薄膜晶體管；在與所述像素區(qū)對應(yīng)的所述第二基板上形成有機(jī)發(fā)光層，其中所述第一電 極和第二電極位于所述有機(jī)發(fā)光層上方和下方；以及在第一和第二基板之間，至少在其側(cè)面形成密封結(jié)構(gòu)，使得第一基板和第 二基板通過所述密封結(jié)構(gòu)彼此粘接，并且同時(shí)防止?jié)駳夂蜌怏w通過所述密封結(jié) 構(gòu)的浸入。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述密封結(jié)構(gòu)的形成步驟包括在所述第一基板或所述第二基板上形成密封線，并且使得所述第一和第二 基板彼此粘接；以及形成膠囊膜，用于圍繞粘接的第一基板和第二基板的前、后和側(cè)表面。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述膠囊膜的形成歩驟 通過浸入、分配、印刷或旋轉(zhuǎn)涂覆粘接的第一基板和第二基板來實(shí)現(xiàn)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述密封機(jī)構(gòu)的形成步 驟包括分別在所述第一基板的像素區(qū)形成透明電極以及在非顯示區(qū)以閉環(huán)形狀 形成第一金屬氧化物膜；分別在所述第二基板的顯示區(qū)形成第一電極以及在非顯示區(qū)以與第一金 屬氧化物膜對應(yīng)的形狀形成第二金屬氧化物膜；在與像素區(qū)對應(yīng)的所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層，并且在所述有機(jī)發(fā)光 層上形成第二電極；在所述第一金屬氧化物膜上形成連接電極圖案；以及在設(shè)置所述第一基板和第二基板，使得所述第一基板和第二基板彼此相對 時(shí)，使得所述連接電極圖案和所述第二金屬氧化物膜彼此粘接。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述使得連接電極圖案 和所述第二金屬氧化物膜彼此粘接的歩驟通過照射激光到所述第一基板或所 述第二基板，或者通過使用熱板在100到30(TC的溫度下實(shí)現(xiàn)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成密封結(jié)構(gòu)的步 驟包括在所述第一電極上形成與所述柵線和數(shù)據(jù)線對應(yīng)的有機(jī)間隔壁，以及在第 二基板的非顯示區(qū)形成與所述第一電極圖案對應(yīng)的有機(jī)填充物；在第二基板上形成與每一個有機(jī)間隔壁上的像素區(qū)對應(yīng)的有機(jī)發(fā)光層； 在有機(jī)發(fā)光層上形成用于覆蓋所述第二電極和所述有機(jī)填充物的第二電 極圖案；以及在設(shè)置所述第一基板和第二基板，使得所述第一和第二基板彼此相對時(shí)， 使得所述第一電極圖案和第二電極圖案彼此粘接。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，使得所述第一電極圖案和第二電極圖案彼此粘接的步驟通過使用熱板將熱量施加到包括第一電極圖 案的第一基板，或者通過將激光照射到非顯示區(qū)的所述第一基板和第二基板的 后表面來實(shí)現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明公開了通過改變密封結(jié)構(gòu)能夠防止?jié)駳饨耄瑥亩乐瓜袼亓踊⒂纱颂岣哂^感特征的有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法。所述有機(jī)發(fā)光顯示器件包括彼此相對的第一基板和第二基板，所述第一和第二基板分別具有限定在其中央的顯示區(qū)和限定在其邊緣的非顯示區(qū)；在所述第一基板上的顯示區(qū)形成的多個柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)；在所述柵線和數(shù)據(jù)線之間的每一個交叉點(diǎn)形成的薄膜晶體管；在所述第二基板上形成與像素區(qū)對應(yīng)的有機(jī)發(fā)光層，以及位于所述有機(jī)發(fā)光層上方和下方的第一電極和第二電極；以及連接在第一基板和第二基板之間的密封結(jié)構(gòu)，從而第一基板和第二基板通過所述密封結(jié)構(gòu)彼此粘接，用于防止?jié)駳夂蜌怏w的浸入。
文檔編號H01L23/29GK101320748SQ200810111028
公開日2008年12月10日 申請日期2008年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月31日
發(fā)明者安炳喆, 樸宰用, 李康柱, 金京滿, 金英美, 金豪鎮(zhèn) 申請人:樂金顯示有限公司