專利名稱：一種氣體分配裝置及采用該氣體分配裝置的等離子體處理設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及等離子體技術領域，特別涉及一種等離子體處理設備的氣體分 配裝置及采用該氣體分配裝置的等離子體處理設備。
背景技術：
在等離子刻蝕、薄膜沉積等等離子體處理設備中，通常設有氣體分配裝置， 用來將刻蝕氣體或反應氣體輸送至真空腔室內。氣體分配裝置能否實現(xiàn)氣體的 均勻分配直接關系到等離子體處理工藝的結果，例如，用于沉積薄膜的反應氣 體如果不能夠均勻地分配至真空腔室內，則可能導致沉積形成的薄膜厚度均勻 性較差，從而不能達到設計要求。
如圖1所示， 一種在半導體工藝中廣泛使用的平行板等離子體設備。該設 備包括真空腔室，設于真空腔室內的頂部的氣體分配裝置，設于所述氣體分配 裝置上的上電極，與所述上電極相對的下電極，所述下電極與真空腔室外的射 頻電源連接，工藝氣體經過氣體分配裝置進入真空腔室(當然，等離子體處理 設備的具體結構形式可以有多種，不限于此)。進行工藝時，將待加工的加工 件置于所述下電極之上，通過射頻電源向電極加入射頻能量，使上電極與下電 極之間的真空腔室內的氣體電離，從而產生等離子體，所述等離子體對位于下 電極上的加工件進行加工。氣體分配裝置將氣體均勻分配到晶片表面上的空 間，從而被射頻能量激發(fā)出均勻的等離子體，才能得到均勻的加工效果。隨著 制造技術的發(fā)展，基片的尺寸逐漸增加，真空腔室的體積相應增大，這導致氣 體在更大空間內的均勻分配變得更加困難，進一步提高了氣體分配裝置的設計 難度。
圖2為現(xiàn)有技術公開的 一種氣體分配裝置的分解示意圖，圖3為該氣體分配 裝置的局部放大圖。該氣體分配裝置包括設有大量通孔的氣體分配板208, 氣體分配板208之上的環(huán)形上電極206，上電極206之上的部件234，部件234之 上的進氣板205;其中進氣板205上設有中間進氣通路230和邊緣進氣通路212。部件234朝向上電極206的一面上設有大量凸起圓柱體246，而上電極206中相對 圓柱體246的位置上設有大量均勻分布的通孔(圖中未標號)，而且圓柱體246 的直徑小于所述通孔的直徑，使得安裝后部件234的圓柱體246能夠進入上電極 206中的通孔內。圖3為部件234與氣體分配板208組裝后的通孔和圓柱體配合位 置的局部放大圖，可見，通孔247和圓柱體246的中心線基本重合，圓柱體246 穿進通孔247之中，并和通孔247之間形成間隙248 ，該間隙248可使氣體流過。 氣體由進氣板205上的中間進氣通路230和邊緣進氣通路212進入部件234與上 電極206之間的內腔(圖中為示出)，經過所述通孔247和圓柱體246之間的間 隙248，再通過氣體分配板208,均勻的分配至氣體分配^反208下方的真空腔室 中。
上述氣體分配裝置4吏進入的氣體流經大量均勻分布的圓柱體246和通孔 247之間的間隙248,從而達到均勻分配氣體的目的，然而問題在于，圓柱體246 和通孔247的位置和尺寸應當相互對應，才可保證部件234和氣體分配板208裝 酉己后形成戶斤述間P承248， 例^口, i殳^十間P求為lmm, 則圓柱體246直徑為3mm,通 孔的直徑為5mm,而且圓柱體246的中心線應當剛好與通孔247的中心線重合， 如此以來，具有大量凸起圓柱體的部件234、以及具有大量通孔的氣體分配板 208的加工難度較大，從而導致氣體分配裝置較高的制造成本。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種結構簡單、制造成本較低的氣體分配裝置。 本發(fā)明解決的另 一 問題是提供一種等離子體處理設備，具有結構簡單的氣 體分配裝置，能夠降低制造成本。
為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種氣體分配裝置，包括進氣板、嵌入 式分配板和下分配板；其中，所述進氣板設有進氣通路、以及與進氣通路連通 的容置部，所述嵌入式分配板嵌入容置部內；所述嵌入式分配板具有分配通路 并且與容置部之間具有間隙；下分配板位于進氣板的下面，將嵌入式分配板封 裝在所述容置部內。
所述間隙沿著氣體在間隙中流動的方向逐漸減小。所述嵌入式分配板包括第 一分配板和圍繞在所述第 一分配板外的第二分
配板；所述容置部包括用于嵌入第一分配板的第一容置部和用于嵌入第二分配 板的第二容置部；所述進氣通路包括中間進氣通路和邊緣進氣通路；所述第一 容置部與中間進氣通路連通，所述第二容置部與邊緣進氣通路連通。
所述第一分配板為圓盤形，所述第二分配板為圓環(huán)形，所述第二分配板圍 繞在第一分配板的圓周外。
所述嵌入式分配板包括與所述進氣通路相對的上表面，所述上表面中具有 均勻分布的分配通路。
所述嵌入式分配板還包括位于所述上表面周圍的側表面，所述側表面中具 有均勻分布的分配通路；所述上表面和側表面之間形成有內腔，所述內腔和下 分配板之間具有間隙。
所述嵌入式分配板的上表面中具有至少一個形狀與嵌入式分配板的形狀 相同的凹槽，所述凹槽的中心與進氣通^各的中心重合。
嵌入式分配板的形狀相同的凹槽，所述凹槽的中心與進氣通路的中心重合。
在所述嵌入式分配板中，對應較小間隙位置的分配通^各尺寸大于對應較大 間隙位置的分配通路尺寸。
所述分配通路沿圓周方向均勻分布，其截面形狀為圓形、四邊形、三角形 或其組合。
相應地，本發(fā)明還提供了 一種等離子體處理設備至少包括以上所述的任一 氣體分配裝置。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的技術方案提供的氣體分配裝置具有以下優(yōu)點 該氣體分配裝置包括進氣板、嵌入式分配板和下分配板，而嵌入式分配板結構 較為簡單，便于加工，例如所述第一分配板僅需在圓盤上表面和側表面加工分 配通路，在上表面加工凹槽；同樣的，第二分配板僅需在圓環(huán)上表面和側表面 加工分配通路，在上表面加工凹槽，因此便于加工；此外，對于嵌入式分配板與進氣板上的容置部之間的間隙，由于容置部和嵌入式分配板的自身尺寸較 大，因此對精度的要求較低，能夠降低制造成本。
本發(fā)明的技術方案還提供了 一種等離子體處理設備，由于采用所述的氣體 分配裝置，因此結構簡單，能夠降低制造成本。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其 它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部 分。并未刻意按比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。
圖1為現(xiàn)有技術公開的一種平行板等離子刻蝕設備示意圖； 圖2為現(xiàn)有技術公開的一種氣體分配裝置示意圖； 圖3為圖2所示氣體分配裝置的局部放大圖； 圖4為實施例一中氣體分配裝置的拆解結構示意圖； 圖5為實施例一中進氣板沿圖4中A—A方向的剖-現(xiàn)圖； 圖6為實施例一中第一分配^1沿圖4中B-B方向的剖-現(xiàn)圖； 圖7為實施例一中第一分配板的立體結構示意圖； 圖8為實施例一中第二分配板沿圖4中C-C方向的剖視圖； 圖9為實施例一中第二分配^1的立體結構示意圖； 圖IO為實施例一中氣體分配裝置的組裝剖視圖； 圖11為實施例二中氣體分配裝置的組裝剖視圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對 本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。
在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明 能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背 本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的實施例的限制。所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發(fā)明保護的范圍。 實施例一
以下結合附圖4至圖10詳細描述本實施例提供的氣體分配裝置。
圖4為所述氣體分配裝置的拆解結構示意圖，該氣體分配裝置包括進氣 板l、第一分配板2、第二分配板3和下分配板4。
進氣板1設有進氣通路，所述進氣通路包括中間進氣通路11和邊緣進氣 通路12;中間進氣通路11位于進氣板1的中心附近，為氣體分配裝置的中間 區(qū)域提供氣體，優(yōu)選的，位于進氣板1的中心；邊緣進氣通路12位于進氣板1 的邊緣附近，相對于中間進氣通路ll而言更靠近邊緣，為氣體分配裝置的邊 緣區(qū)域提供氣體。中間進氣通路ll和邊緣進氣通路12優(yōu)選為相同的尺寸，也 可以不同，他們的截面形狀可以為圓形、四邊形、三角形或其組合，優(yōu)選的為 圓形。
圖5為進氣板1沿圖4中A—A方向的剖視圖，進氣板1背向進氣通路的 一面具有容置部，所述容置部包括第一容置部15和第二容置部16;所述第一 容置部15與中間進氣通路11連通，所述第二容置部16與邊緣進氣通路12連通。
如圖4所示，所述嵌入式分配板包括第一分配板2和第二分配板3，其中， 第一分配板2為圓盤形，第二分配板3為圓環(huán)形，第二分配板3圍繞在第一分 配板2的圓周外。所述嵌入式分配板與進氣板1裝配后，第一分配板2嵌入圖 5所示的第一容置部15內，第二分配板3嵌入圖5所示的第二容置部內16內， 相應的，第一容置部15的形狀為圓形，第二容置部16的形狀為圓環(huán)形。
圖6為第一分配板2沿圖4中B-B方向的剖視圖，第一分配板2具有上表 面20和位于上表面20周圍的側表面29，上表面20和側表面29之間形成內腔 28，上表面20中具有大量分配通路21，分配通路21可以沿圓周方向均勻分布， 也可以按照其他方式均勻分布；分配通路21沿徑向的距離可以相等，優(yōu)選為 間距逐漸減小，以增加邊緣氣體的流動能力；側表面29中具有大量在均勻分 布的分配通路22，分配通路21或分配通路22的截面形狀為圓形、四邊形、三角形或其組合。
圖7為所述第一分配板的立體結構示意圖，第一分配板2的上表面20具 有圓形的凹槽201和凹槽202,凹槽201和凹槽202的中心的相互重合，凹槽 201的深度比凹槽202大，而凹槽201的直徑比凹槽202小。
凹槽201表面上具有分配通路211,凹槽202表面上具有分配通^各212, 如凹槽201和凹槽202這樣的凹槽在上表面20上可以1義有一個，也可以有兩 個以上。
圖8為第二分配板3沿圖4中C-C方向的剖視圖，第二分配板3具有上表 面30和位于上表面30周圍的側表面39，上表面30和側表面39之間形成內腔 38;上表面30中具有大量的分配通路31,分配通路31沿圓周方向均勻分布，， 也可以按照其他方式均勻分布；側表面39中具有大量均勻分布的分配通路32, 分配通路31或分配通路32的截面形狀為圓形、四邊形、三角形或其組合。
圖9為所述第二分配板的立體結構示意圖，第二分配板3的上表面30具 有圓環(huán)形的凹槽301,凹槽301在剖一見圖中的中心與第二分配板3在剖視圖中 的中心重合，也即圓環(huán)形的凹槽301位于圓環(huán)形的第二分配板3寬度方向的中
如圖4所示，下分配板4位于第一分配板2和第二分配板3的下方，下分 配板4上具有大量均勻分布的通路(圖中未標號)，下分配板4與進氣板1裝 配后，將第一分配板2和第二分配板3封在進氣板1的容置部內。
圖10為所述氣體分配裝置的組裝剖視圖，如圖所示，進氣板l背向進氣 通路的一面具有連通中間進氣通路11的第一容置部15,以及連通邊緣進氣通 路12的第二容置部16;第一分配板2嵌入第一容置部15內，上表面20與中 間進氣通路11相對，優(yōu)選的，中間進氣通路11的中心與第 一分配板2的中心 重合；第一分配板2的上表面20與第一容置部15之間具有間隙23,第一分配 板2的側表面29與第一容置部15之間具有間隙24;由于第一分配板2的上表 面20具有中心相互重合的圓形凹槽201和凹槽202,并且凹槽201的深度比凹 槽202的深度大，則間隙23從第一分配板2的中心向邊緣逐漸減小。
9第二分配板3嵌入第二容置部16內，上表面30與邊》彖進氣通路12相對， 優(yōu)選的，邊緣進氣通路12的中心與第二分配板3圓環(huán)寬度的中間位置重合； 第二分配板3的上表面30與第二容置部16之間具有間隙33,第二分配板3 的側表面39與第二容置部16之間具有間隙34;由于第二分配板3的上表面 30具有圓環(huán)形的凹槽301,凹槽301位于圓環(huán)形的第二分配板3寬度方向的中 間位置，則間隙33從第二分配板3寬度方向的中間位置向邊緣逐漸減小，換 言之，間隙33以進氣通3各12為中心對稱，由中心向邊^(qū)彖逐漸減小。
下分配板4與進氣板1的底部連接，將第一分配板2和第二分配板3封裝 在容置部內，并且與第一分配板2和第二分配板3的底部之間具有間隙45。下 分配板4也可以兼有電極板的作用，則下分配板4與進氣板1之間還具有絕緣 塾5。
進氣板1、第一分配板2、第二分配板3和下分配板4的材料優(yōu)選為鋁合 金，表面均進行陽極氧化處理，下分配板4的下表面進行三氧化二釔噴涂；第 一分配板2、第二分配板3和下分配板4的材料也可以選用硅、石友化硅(SiC ); 進氣板1的材料也可以選用不銹鋼等其他金屬。
上述氣體分配裝置的工作原理如下
從中間進氣通路11進入第一分配板2的氣體一部分經過間隙23、分配通 ^各21進入內腔28,由于間隙23的存在，原來集中的氣流凈皮均勻的分配，流過 分配通路21;另一部分氣體經過間隙24、分配通路22進入內腔28;然后，進 入內腔28的氣體流經間隙45,再通過下分配板4上的分配通路41后流出，從 而在下分配板4以下的等離子體處理腔室中獲得均勻的氣體分布。
從間隙23進入分配通路21的氣流會從中間向邊緣減小，但是由于間隙 24的存在，氣體能夠從側表面29的分配通路22流入內腔28,從而補償由上 表面20上中間和邊緣的分配通路21的氣流差異。合理設計間隙23和間隙24 的尺寸、氣體通道22和氣體通道21的尺寸，可以使由進氣通路11進入的氣 體均勻分布在第一分配板2的內腔28中。
此外，間隙23從第一分配板2的中心向邊緣逐漸減小，也即沿著氣體流動的方向，間隙23逐漸減小，以增大氣體從中心向邊緣的流動能力，從而增 強位于上表面20邊緣的分配通路21的氣體流量，能夠進一步使氣流均勻分配。 由于凹槽201表面上的分配通路211的尺寸小于凹槽202表面上的分配通路 212的尺寸(見圖7)，也即間隙23 4交大處對應的分配通^各211的尺寸大于間 隙23較小處對應的分配通路212的尺寸，可以補償因分配通路212相對于進 氣通路211距離進氣通路11較遠而導致的氣流差異。
從邊緣進氣通路12進入第二分配板3的氣體一部分經過間隙33、分配通 路31進入內腔38,由于間隙33的存在，原來集中的氣流^皮均勻分配流過分配 通路31;另一部分氣體經過間隙34、分配通路32進入內腔38,然后，進入內 腔38的氣體流經間隙45,再通過下分配板4上的分配通路41后流出氣體分配 裝置。
由于間隙34的存在，氣體能夠從側表面39的分配通路32流入內腔38, 從而補償由上表面30上中間和邊緣的分配通路31的氣流差異。合理設計間隙 33和間隙34的尺寸、氣體通道32和氣體通道31的尺寸，可以使由進氣通^各 12進入的氣體均勻分布在第二分配板3的內腔38中。
此外，間隙33從第二分配板3寬度方向的中間位置向邊緣逐漸減小，也 即沿著氣體流動的方向間隙33逐漸減小，以增大氣體A/v中心向邊緣的流動能 力，從而增強位于上表面30邊緣的分配通路31的氣體流量，進一步的使流入 內腔38中的氣流均勻分配。
另外，從第二分配板3的內腔38流出的氣體、以及從第一分配板2的內 腔28出的氣體，最后均流經間隙45，再通過下分配板4上的分配通路41后流 出氣體分配裝置，如此將進入氣體分配裝置的氣體分為兩路，可以分別獨立控 制中間進氣通路11的氣體流量和邊緣進氣通路12的氣體流量，平衡由下分配 板4中間和邊緣流出的氣體流量，使氣體可以在大的范圍內分布均勻，也可以 根據(jù)工藝需求使中間區(qū)域的進氣量大于或者小于邊緣區(qū)域的進氣量。
以上所述的氣體分配裝置包括進氣板、第一分配板、第二分配板和下分配 板，與現(xiàn)有的氣體分配裝置相比優(yōu)點在于結構較為筒單，例如第一分配板僅需在圓盤上表面和側表面加工分配通路，在上表面加工凹槽；同樣的，第二分配
板僅需在圓環(huán)上表面和側表面加工分配通路，在上表面加工凹槽，因此便于加
工；此外，對于嵌入式分配板與進氣板上的容置部之間的間隙，由于容置部和 嵌入式分配板的自身尺寸較大，因此對精度的要求較低，能夠降低制造成本。
上述的嵌入式分配板包括第一分配板和第二分配板，除此以外，也可以僅 有一個分配板，相應的進氣通路也僅有一個；也可以包括兩個以上的分配板， 相應的進氣通路也有兩個以上。更多的分配板可以將氣體分為多路獨立控制， 更有利于在更大范圍內將氣體均勻分配。
為適應不同形狀的基片，本實施例所述的第一分配;f反也可以為四邊形或者 其他的形狀，則第二分配斧反相應的為環(huán)形四邊形或者環(huán)形的其他形狀。
以上實施例披露的氣體分配裝置中，凹槽201、凹槽202或凹槽203均位 于嵌入式分配板的上表面中(見圖10 )，使得間隙23或間隙33從中心向邊緣 逐漸減小，除此以外，凹槽還可以設置于容置部內，具體在以下實施例中描述。
實施例二
圖11為本實施例中氣體分配裝置的組裝剖視圖，所述氣體分配裝置包括 進氣板1'、第一分配板2'、第二分配板3，和下分配板4，； 進氣板l，設有進氣
通路，所述進氣通路包括中間進氣通路ir和邊緣進氣通路12，,進氣板r中背
向進氣通路的一面設有容置部，所述容置部包括第一容置部15，和第二容置部 16，；第一分配板2，嵌入第一容置部15，中，第二分配板3，嵌入第二容置部16， 中，第一分配板2，具有上表面20，和位于上表面20，周圍的側表面29，，上表面 20，和側表面29，之間形成內腔28，；第二分配板3，具有上表面30，和位于上表面 30，周圍的側表面39，，上表面30，和側表面39，之間形成內腔38，；下分配板4， 與進氣板l，的底部連接，將第一分配板2，和第二分配板3，封裝在容置部內。
與實施例一的區(qū)別僅在于第一分配板2，的上表面20，和/或第二分配板3， 的上表面30，中沒有凹槽，而第一容置部15，與第一分配板2，的上表面20，相對 的表面60上設有凹槽601和凹槽602,凹槽601和凹槽602的中心的相互重合 且與中間進氣通路ll，的中心重合，凹槽601的深度比凹槽602大，而凹槽601的直徑比凹槽602小，從而使上表面20，與第一容置部15，之間的間隙23，從中 心向邊緣逐漸減小。類似的，第二容置部16，與第二分配板3，的上表面30，相對 的表面70上設有凹槽701,凹槽701的中心與邊緣進氣通路12，重合，從而使 上表面30，與第二容置部16，之間的間隙33，從中心向邊緣逐漸減小。
本實施例所述的氣體分配裝置的其他結構與實施例一類似，在此不再贅 述。除此以外，其他能夠使容置部與嵌入式分配板之間的間隙從中間向邊緣逐 漸減小的結構，例如，在所述容置部和嵌入式分配板相對的表面中均設有凹槽， 再例如，所述容置部和/或嵌入式分配一反相對的表面設為由中間向邊緣升高的 斜坡，以上的結構也可實現(xiàn)本發(fā)明的目的，同樣在本發(fā)明所要求的保護范圍之 內。
本發(fā)明的技術方案還提供了 一種等離子體處理設備，所述等離子體處理設 備至少包括以上任一實施例所述的氣體分配裝置。
需要說明的是，以上所述氣體分配裝置可以應用于等離子刻蝕、薄膜沉積 等等離子體處理設備中，本領域內技術人員應當可以知曉，本發(fā)明技術方案提 供的氣體分配裝置也可以應用于其他需要對氣體進行大面積均勻分配的設備 中，例如太陽能電池板的制造裝置。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的 限制。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何 熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述 揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改 為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本
于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。
權利要求
1、一種氣體分配裝置，其特征在于，包括進氣板、嵌入式分配板和下分配板；其中，所述進氣板設有進氣通路、以及與進氣通路連通的容置部，所述嵌入式分配板嵌入容置部內；所述嵌入式分配板具有分配通路并且與容置部之間具有間隙；下分配板位于進氣板的下面，將嵌入式分配板封裝在所述容置部內。
2、 根據(jù)權利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述間隙沿著氣 體在間隙中流動的方向逐漸減小。
3、 根據(jù)權利要求1或2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述嵌入式 分配板包括第 一分配板和圍繞在所述第 一分配板外的第二分配板；所述容置部 包括用于嵌入第一分配板的第一容置部和用于嵌入第二分配板的第二容置部； 所述進氣通路包括中間進氣通路和邊緣進氣通路；所述第一容置部與中間進氣 通路連通，所述第二容置部與邊緣進氣通路連通。
4、 根據(jù)權利要求3所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一分配板 為圓盤形，所述第二分配板為圓環(huán)形，所述第二分配板圍繞在第一分配板的圓 周外。
5、 根據(jù)權利要求1或2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述嵌入式 分配板包括與所述進氣通路相對的上表面，所述上表面中具有均勻分布的分配 通路。
6、 根據(jù)權利要求5所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述嵌入式分配 板還包括位于所述上表面周圍的側表面，所述側表面中具有均勻分布的分配通 路；所述上表面和側表面之間形成有內腔，所述內腔和下分配板之間具有間隙。
7、 根據(jù)權利要求5所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述嵌入式分配 板的上表面中具有至少一個形狀與嵌入式分配板的形狀相同的凹槽，所述凹槽 的中心與進氣通路的中心重合。
8、 根據(jù)權利要求5所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述容置部與嵌 入式分配板的上表面相對的表面中具有至少一個形狀與嵌入式分配板的形狀相同的凹槽，所述凹槽的中心與進氣通路的中心重合。
9、 根據(jù)權利要求1或2所述的氣體分配裝置，其特征在于，在所述嵌入 式分配板中，對應較小間隙位置的分配通路尺寸大于對應4交大間隙位置的分配 通路尺寸。
10、 根據(jù)權利要求1或2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述分配通 路沿圓周方向均勻分布，其截面形狀為圓形、四邊形、三角形或其組合。
11、 一種等離子體處理設備，其特征在于，至少包括如權利要求1至10 任一項所述的氣體分配裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氣體分配裝置，包括進氣板、嵌入式分配板和下分配板；其中，所述進氣板設有進氣通路、以及與進氣通路連通的容置部，所述嵌入式分配板嵌入容置部內；所述嵌入式分配板具有分配通路并且與容置部之間具有間隙；下分配板位于進氣板的下面，將嵌入式分配板封裝在所述容置部內。相應的，本發(fā)明還公開了一種采用所述氣體分配裝置的等離子體處理設備。所述的氣體分配裝置結構簡單，對加工精度的要求較低，能夠降低制造成本。
文檔編號H01L21/02GK101315880SQ20081011679
公開日2008年12月3日 申請日期2008年7月17日 優(yōu)先權日2008年7月17日
發(fā)明者姚立強 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司