專(zhuān)利名稱(chēng)：形成半導(dǎo)體器件圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體器件圖案的方法，更具體涉及一種在單元 區(qū)域和周邊區(qū)域中同時(shí)形成柵極圖案的半導(dǎo)體器件圖案形成方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件包括多個(gè)柵極線(xiàn)(例如，存儲(chǔ)單元和晶體管)和金屬線(xiàn)。 為了提高半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)容量和使半導(dǎo)體器件小型化，包括柵極線(xiàn)和金 屬線(xiàn)的多個(gè)圖案的寬度必須是窄的。
通常，形成圖案的圖案化工藝包括在待蝕刻層上形成硬掩模層和在該 硬掩模層上形成光刻膠圖案。通過(guò)沿光刻膠圖案實(shí)施蝕刻工藝形成硬掩模 圖案?？梢酝ㄟ^(guò)沿硬4^模圖案實(shí)施蝕刻工藝來(lái)圖案化待蝕刻層。
為了形成光刻膠圖案，進(jìn)行膝光和顯影工藝。具體地，根據(jù)膝光過(guò)程 中使用的光源的分辨率確定圖案的寬度。即，由于分辨率的限制導(dǎo)致在形 成更微細(xì)的圖案中存在限制。
在單元區(qū)域的圖案形成之后，如果形成底部抗反射涂層(BARC)以 形成周邊區(qū)域的圖案，則由于圖案之間的差異，在單元區(qū)域和周邊區(qū)域之 間可出現(xiàn)臺(tái)階。如果形成光刻膠層并在存在臺(tái)階的狀態(tài)下實(shí)施曝光工藝， 則由于在產(chǎn)生臺(tái)階的區(qū)域中的光Jt射可產(chǎn)生凹口現(xiàn)象。因此，可實(shí)施用于 除去臺(tái)階的拋光工藝。這增加了半導(dǎo)體器件制造工藝的步驟，可導(dǎo)致制造 成本的增加和制造時(shí)間的延長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及通過(guò)使用第 一光刻膠圖案和第一 BARC層來(lái)形成用于柵極線(xiàn)的圖案，從而同時(shí)形成初f極線(xiàn)、墊和選擇線(xiàn)。使用第二光刻膠圖案和第
二 BARC層形成用于選擇線(xiàn)的圖案和墊，該選擇線(xiàn)的寬度大于柵極線(xiàn)的寬 度。
在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的形成半導(dǎo)體器件微圖案的方法中，提 供半導(dǎo)體襯底。半導(dǎo)體襯底包括其中形成第一目標(biāo)圖案的第一區(qū)域和其中
形成第二目標(biāo)圖案的第二區(qū)域，其中第二目標(biāo)圖案的寬度大于第一目標(biāo)圖 案的寬度。在該半導(dǎo)體襯底上形成第一輔助圖案，該第一輔助圖案包括第 一區(qū)域的第一圖案和第二區(qū)域的第二圖案，其中第一區(qū)域的第一圖案的間 距為第 一 目標(biāo)圖案的兩倍。在包括第 一輔助圖案的表面的半導(dǎo)體襯底上形 成蝕刻掩模層。形成第二輔助圖案，該第二輔助圖案包括在第一圖案?jìng)?cè)壁 上形成的各蝕刻掩模層之間的第三圖案和與第二圖案一側(cè)重疊的第四圖 案。除去在第一輔助圖案的上表面上形成的蝕刻4^模層。除去在第一和第 二輔助圖案的上表面上形成的蝕刻掩模層。除去第一和第二輔助圖案并蝕 刻所述蝕刻掩模層，使得蝕刻掩模層的一部分保留在將形成第一目標(biāo)圖案 的區(qū)域中，第一和第二輔助圖案和蝕刻掩模層保留在將形成第二目標(biāo)圖案 的區(qū)域中。
第一輔助圖案的形成包括:在半導(dǎo)體襯底上形成第一輔助層；在第一輔 助層上形成包括第一和第二區(qū)域的圖案的第一光刻膠圖案；沿第一光刻膠 圖案蝕刻第一輔助層；和除去第一光刻膠圖案。
第一輔助圖案包括用于防止當(dāng)形成第二輔助圖案時(shí)在第一和第二區(qū)域 之間形成臺(tái)階的圖案。蝕刻4^模層由氧化物層或^^硅(Si)聚合物形成。
第二輔助圖案的形成包括在蝕刻掩模層上形成第二輔助層；在第二 輔助層上形成包括第二目標(biāo)圖案的第二光刻膠圖案；和沿第二光刻膠圖案 來(lái)圖案化第二輔助層。
第一和第二輔助圖案由BARC層形成。該BARC層是可流動(dòng)的BARC層。
當(dāng)除去第一和第二輔助圖案時(shí)，蝕刻所述蝕刻掩模層，使得蝕刻掩模 層的一部分保留在將形成第一目標(biāo)圖案的區(qū)域中，保留在第一輔助圖案?jìng)?cè) 壁上形成的剩余蝕刻^^模層的一部分。在將形成第二蝕刻目標(biāo)圖案的區(qū)域中保留第一和第二輔助圖案以及蝕
刻掩模層包括在除去第一區(qū)域中的第一和第二輔助圖案的同時(shí)，除去暴 露在第二區(qū)域中的第一和第二輔助圖案的一部分。
在除去第一和第二輔助圖案和蝕刻所述蝕刻掩模層，使得蝕刻掩模層 的一部分保留在將形成第一目標(biāo)圖案的區(qū)域中，并且第一和第二輔助圖案 以及蝕刻掩模層保留在將形成第二目標(biāo)圖案的區(qū)域中之后，通過(guò)隔離剩余 蝕刻掩模層的邊緣末端來(lái)形成第一和第二目標(biāo)圖案的掩模圖案。
該方法還包括在形成第一輔助圖案之前在蝕刻掩模層上形成硬掩模層。
硬掩模層由單層或多層構(gòu)成。所述多層具有非晶^、 SiON層和多晶 硅層的堆疊結(jié)構(gòu)。
第一目標(biāo)圖案包括字線(xiàn)圖案，第二目標(biāo)圖案包括選擇線(xiàn)圖案和墊圖案 (pad pattern )。
在才艮據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案的形成半導(dǎo)體器件微圖案的方法中， 提供其中形成有待蝕刻層的半導(dǎo)體襯底。該半導(dǎo)體襯底包括其中形成第一 目標(biāo)圖案的第一區(qū)域和其中形成第二目標(biāo)圖案的第二區(qū)域，其中第二目標(biāo) 圖案的寬度大于第一目標(biāo)圖案的寬度。在待蝕刻層上形成第一輔助圖案， 該第一輔助圖案包括用于防止在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間形成臺(tái)階的輔 助圖案。
該方法還包括形成其中第二目標(biāo)圖案形成在待蝕刻層之上的第二輔助 圖案，其中包括輔助圖案的第一輔助圖案形成在待蝕刻層中。
該方法還包括在除去輔助圖案之后沿第 一和第二輔助圖案來(lái)圖案化待 蝕刻層。第一和第二輔助圖案由BARC層形成。


圖1A 1L是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一種形成半導(dǎo)體器件圖案的方法的第 一截面圖2A 2L是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一種形成半導(dǎo)體器件圖案的方法的第二截面圖；并且
圖3A~3L是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一種形成半導(dǎo)體器件圖案的方法的平 面圖。
具體實(shí)施例方式
將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的具體的實(shí)施方案。然而，本發(fā)明不限于 所公開(kāi)的實(shí)施方案，而是可以各種方式實(shí)施。提供所述實(shí)施方案以完成本 發(fā)明的公開(kāi)并使得本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明。本發(fā)明由權(quán)利要求的范圍 所限定。
圖1A~1L是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一種形成半導(dǎo)體器件圖案的方法的第 一截面圖；圖2A 2L是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一種形成半導(dǎo)體器件圖案的方 法的第二截面圖；圖3A 3L是i兌明根據(jù)本發(fā)明的一種形成半導(dǎo)體器件圖 案的方法的平面圖。
更具體地，圖3A~3L中沿線(xiàn)A-A'的截面是第一截面圖，圖3A 3L 中沿線(xiàn)B-B'的截面是第二截面圖。同時(shí)參考第一和第二截面圖和平面圖給 出如下描述。
參考圖1A、 2A和3A，描述快閃器件作為一個(gè)實(shí)例。提供其中形成有 待蝕刻層102的半導(dǎo)體襯底100。待蝕刻層102是最終將被圖案化的層， 并且可以通過(guò)堆疊多個(gè)層例如絕緣層和導(dǎo)電層或使用這些層中的任意一 個(gè)來(lái)形成。在其中通過(guò)圖案化待蝕刻層102來(lái)形成后續(xù)桶f極線(xiàn)的情況下， 待蝕刻層102可具有柵極絕緣層、第一導(dǎo)電層、介電層、第二導(dǎo)電層和金 屬層的堆疊結(jié)構(gòu)。
在待蝕刻層102上形成硬掩模層103。該硬掩模層103可以使用單層 或多層形成。在如下描述的一個(gè)實(shí)例中，石更4^模層103形成具有第一、第 二和第三硬掩模層104、 106和108的多層結(jié)構(gòu)。第一硬掩模層104可以由 非晶碳層形成，第二硬掩模層106可以由SiON層形成，第三硬掩模層108 可以由多晶珪層形成。
在第三硬掩模層108上形成第一輔助層110。第一輔助層110可以由 例如BARC層形成。在第一輔助層110上形成在單元區(qū)域(第一區(qū)域)和 周邊區(qū)域(第二區(qū)域)中具有不同寬度的第一光刻膠圖案112。例如，在 第一輔助層110上形成正性光刻膠層，并且實(shí)施啄光和顯影工藝以形成在
8單元區(qū)域中具有第一間距P1的圖案。具體地，笫一間距P1可以是將最終
在單元區(qū)域中形成的第一目標(biāo)圖案的間距的約兩倍。第一光刻膠圖案112 也在周邊區(qū)域中形成的原因是其可防止在形成后續(xù)的第二輔助層時(shí)在單 元區(qū)域和周邊區(qū)域之間形成臺(tái)階H (參考圖ID的116)。
參考圖1B、 2B和3B,通過(guò)沿第一光刻膠圖案(參考圖1A的112) 圖案化第一輔助層(參考圖1A的110)形成第一輔助圖案110a。第一輔 助圖案110a也構(gòu)成后續(xù)的蝕刻掩模層。
除去保留的第一光刻膠圖案(參考圖1A的112)。其目的是防止在形 成后續(xù)的第二輔助層(參考圖1D的116)之后實(shí)施的焙烘過(guò)程中保留第一 光刻膠圖案(參考圖1A的112 )時(shí)，第一光刻膠圖案(參考圖1A的112 ) 由于焙烘溫度的差異導(dǎo)致的彎曲或扭曲。例如，BARC層的焙烘溫度(例 如，200攝氏度)比光刻膠層的焙烘溫度更高(例如，IOO攝氏度)。
參考圖1C、 2C和3C，沿第一輔助圖案110a的表面和暴露的第三硬 掩模層108形成蝕刻4^模層114。蝕刻掩模層114可由蝕刻選擇性不同于 第一輔助圖案110a的材料形成。例如，蝕刻掩模層114可由氧化物層或含 硅(Si)聚合物形成。形成在單元區(qū)域和周邊區(qū)域中具有相同厚度的蝕刻 *^模層114,所以其在第一輔助圖案110a的側(cè)壁上具有相同的寬度。具體 地，在單元區(qū)域中的第一輔助圖案110a的側(cè)壁上形成的蝕刻掩模層114 的寬度確定將在后續(xù)單元區(qū)域中形成的柵極線(xiàn)的寬度。
參考圖1D、2D和3D，在單元區(qū)域和周邊區(qū)域中形成的蝕刻掩模層114 上形成第二輔助層116。第二輔助層116可4吏用可流動(dòng)的BARC層形成， 以填充向上突出的蝕刻掩模層114。填充在突出的蝕刻掩模層114之間的 第二輔助層116也用于形成后續(xù)的蝕刻4^模圖案。
具體地，第一輔助圖案110a也形成在周邊區(qū)域中。因此，雖然形成第 二BARC層114，但是在單元區(qū)域和周邊區(qū)域之間不產(chǎn)生臺(tái)階。因此，可 省略用于減少臺(tái)階的拋光工藝，因此可降低制造成本和時(shí)間。
在第二輔助層116形成之后，實(shí)施焙烘工藝(即在例如200攝氏度的 溫度下實(shí)施的退火工藝)以增加第二輔助層116的密度。
在第二輔助層116上形成第二光刻膠圖案118，第二光刻膠圖案118 用于形成用于選擇線(xiàn)和周邊區(qū)域的墊的圖案。更具體地，圖1D的第二光 刻膠圖案118可以形成作為用于選擇線(xiàn)的圖案，并且圖2D的第二光刻膠
9圖案118可以形成作為用于墊的圖案。
參考圖1E、 2E和3E，通過(guò)沿第二光刻膠圖案118蝕刻第二輔助層(參 考圖1D的116)來(lái)形成第二輔助圖案116a。具體地，沿第二光刻膠圖案 118實(shí)施蝕刻工藝。實(shí)施對(duì)第二輔助圖案116a比對(duì)蝕刻4^模層114具有更 高蝕刻選擇性的蝕刻工藝，使得在第一輔助圖案110a上形成的蝕刻4^M 114的上表面暴露。因此，第二輔助圖案116a的一部分保留在突出的蝕刻 掩模層114之間。
參考圖1F、 2F和3F，沿第二光刻膠圖案118實(shí)施蝕刻工藝，以除去 保留在第一輔助圖案110a上的蝕刻掩模層(參考圖lE的114)。因此，可 以形成蝕刻掩模圖案114a。實(shí)施對(duì)蝕刻^^模圖案114比對(duì)第一和第二輔助 圖案110a和116a具有更高蝕刻選擇性的蝕刻工藝。當(dāng)暴露出第一輔助圖 案110a的上表面時(shí)，蝕刻工藝停止。
參考圖1G、 2G和3G，通過(guò)實(shí)施逸覆式蝕刻工藝，除去暴露的第一輔 助圖案(參考圖1F的110a)和第二輔助圖案(參考圖1F的116a)，由此 暴露出第三硬掩模層108的一部分。第二輔助圖案116a的一部分可保留在 選擇線(xiàn)區(qū)域和墊(pad)區(qū)域中。
參考圖1H、 2H和3H，利用保留的蝕刻掩模圖案114a的厚度差異， 通過(guò)實(shí)施蝕刻工藝除去蝕刻掩模圖案114a的一部分。
具體地，在蝕刻掩模圖案114a底部保留的部分的厚度薄于向上突出的 部分的厚度。因此，如果實(shí)施蝕刻工藝，首先除去在底部保留的部分而保 留向上的突出部分。
因此，具有第二間距P2的蝕刻掩模圖案114a保留在單元區(qū)域中，P2 為第一間距P1的約一半。周邊區(qū)域中保留的蝕刻掩模圖案114a的一部分 以及第一和第二輔助圖案110a和116a的一部分具有大于第二間距P2的寬 度。例如，在圖1H的周邊區(qū)域中保留并形成一個(gè)圖案的蝕刻掩模圖案114a 和第一與第二輔助圖案110a和116a可變成用于選擇線(xiàn)的圖案，在圖2H 中保留的蝕刻掩模圖案114a和第一與第二輔助圖案110a和116a的一部分 可變成用于塾的圖案。
參考圖II、 21和31,通過(guò)沿蝕刻4^模圖案114a和第一與第二輔助圖 案110a和116a蝕刻第三硬掩模層(參考圖1H的108 )來(lái)形成第三硬掩模 圖案108a。然后除去殘留的蝕刻l^模圖案114a和殘留的第一和第二輔助圖案110a和116a。因此，第三硬^"模圖案108形成在單元區(qū)域和周邊區(qū) 域中具有不同寬度的圖案。
參考圖1J、 2J和3J，為了隔離在第三硬掩模圖案108a的邊緣部分處 所連接的區(qū)域，在第三硬掩模圖案108a和第二硬掩模層106上形成第三光 刻膠圖案120，在第三光刻膠圖案120中，待隔離的區(qū)域120a是開(kāi)放的。 實(shí)施對(duì)第三硬掩模圖案108a比對(duì)第二硬掩模層106具有更高蝕刻選擇性的 蝕刻工藝，以除去在互連區(qū)域120a中暴露的第三硬掩模圖案108a。
參考圖1K、 2K和3K，除去第三光刻膠圖案120。因此，可以形成具 有不同寬度的第三硬掩模圖案108a。例如，在第三硬掩模圖案108a的單 元區(qū)域中形成的圖案可變成用于形成字線(xiàn)圖案的柵極掩模圖案。在第三硬 掩模圖案108a的周邊區(qū)域中形成的圖案可變成用于選擇線(xiàn)的柵極掩模圖 案,該選擇線(xiàn)的寬度大于字線(xiàn)的寬度。圖2K中所示的第三硬掩模圖案108a 的圖案可變成用于墊的4^模圖案。
沿第三硬掩模圖案108a順序地圖案化第二硬掩模層(參考圖1J的106) 和第一硬掩模層(參考圖1J的104 )，由此形成第二硬掩模圖案106a和第 一硬掩模圖案104a。
參考圖1L、 2L和3L，通過(guò)實(shí)施沿第一、第二和第三石更掩模圖案104a、 106a和108a的蝕刻工藝，圖案化待蝕刻層(參考圖1K的102)。因此， 可以形成待蝕刻層圖案102a。在蝕刻工藝期間，可除去第三和第二硬掩模 圖案(參考圖1K的108a和106a )。
或者，在待蝕刻層102 (參考圖1H)上形成蝕刻^^模圖案114a以及 第一和第二輔助圖案llOa和116a而不形成硬掩模層(參考圖1A的103 ) 之后，通過(guò)實(shí)施沿蝕刻掩模圖案114a以及第 一和第二輔助圖案110a和116a 的蝕刻工藝，可以圖案化待蝕刻層102。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，使用第一光刻膠圖案和第一BARC層形成用 于柵極線(xiàn)的圖案，使用第二光刻膠圖案和第二 BARC層形成用于墊和選擇 線(xiàn)的圖案，選擇線(xiàn)的寬度大于柵極線(xiàn)的寬度。因此，可以同時(shí)形成柵極線(xiàn)、 墊和選擇線(xiàn)。
而且，可省略用于圖案化工藝的單元區(qū)域和周邊區(qū)域之間的拋光過(guò)程， 并且可以形成微圖案而無(wú)需更換曝光設(shè)備。因此，可降低制造工藝消耗的 費(fèi)用和時(shí)間。提出本文所公開(kāi)的實(shí)施方案以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員容易實(shí)施本發(fā)明， 并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過(guò)這些實(shí)施方案的組合實(shí)施本發(fā)明。因此，本發(fā) 明的范圍不限于如上所述的實(shí)施方案，并且應(yīng)解釋為僅僅由所附權(quán)利要求 和它們的等同物所限定。
權(quán)利要求
1. 一種形成半導(dǎo)體器件微圖案的方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底，其中所述半導(dǎo)體襯底包括其中形成第一目標(biāo)圖案的第一區(qū)域和其中形成第二目標(biāo)圖案的第二區(qū)域，所述第二目標(biāo)圖案的寬度大于所述第一目標(biāo)圖案的寬度；在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一輔助圖案，其中所述第一輔助圖案包括所述第一區(qū)域的第一圖案和所述第二區(qū)域的第二圖案，所述第一圖案的間距為所述第一目標(biāo)圖案的間距的約兩倍；在包括所述第一輔助圖案的表面的所述半導(dǎo)體襯底上形成蝕刻掩模層；形成第二輔助圖案，其中所述第二輔助圖案包括在所述第一圖案的側(cè)壁上形成的所述蝕刻掩模層之間的第三圖案和與所述第二圖案一側(cè)重疊的第四圖案；除去在所述第一輔助圖案的上表面上形成的所述蝕刻掩模層；除去在所述第一和第二輔助圖案的上表面上形成的所述蝕刻掩模層；和除去所述第一和第二輔助圖案并蝕刻所述蝕刻掩模層，其中所述蝕刻掩模層的一部分保留在將形成所述第一目標(biāo)圖案的區(qū)域中，所述第一和第二輔助圖案以及所述蝕刻掩模層保留在將形成所述第二目標(biāo)圖案的區(qū)域中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一輔助圖案包括 在所述半導(dǎo)體襯底上形成笫一輔助層；在所述第 一輔助層上形成笫 一光刻膠圖案，其中所述第 一光刻膠圖案 包含所述第一和第二區(qū)域的所述圖案；沿所述第一光刻膠圖案蝕刻所述第一輔助層；和 除去所述第一光刻膠圖案。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一輔助圖案包括用于防止在 形成所述第二輔助圖案時(shí)在所述第一區(qū)域與第二區(qū)域之間形成臺(tái)階的圖 案。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻掩模層由含硅(Si)聚合 物或氧化物層形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中形成所述第二輔助圖案包括 在所述蝕刻掩模層上形成笫二輔助層；在所述第二輔助層上形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案包含所述第二目標(biāo)圖案；和沿所述第二光刻膠圖案圖案化所述第二輔助層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一和第二輔助圖案由底部抗 反射涂層(BARC)形成。
7. 才艮據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述BARC層是可流動(dòng)的BARC 層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中當(dāng)除去所述第一和第二輔助圖案并 蝕刻所述蝕刻掩模層，4吏得所述蝕刻*^模層的 一部分保留在將形成所述第 一目標(biāo)圖案的區(qū)域中時(shí)，保留在所述第一輔助圖案的側(cè)壁上形成的殘留蝕 刻掩模層的一部分。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在將形成所述第二目標(biāo)圖案的區(qū)域 中保留所述第 一和第二輔助圖案以及所述蝕刻掩模層包括當(dāng)除去所述第 一區(qū)域中的所述第一和第二輔助圖案時(shí)，除去在所述第二區(qū)域中暴露的所 述第 一和第二輔助圖案的 一部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在除去所述第一和第二輔助圖案并 蝕刻所述蝕刻掩模層，使得所述蝕刻掩模層的一部分保留在將形成所述第 一目標(biāo)圖案的區(qū)域中以及所述第 一和第二輔助圖案和所述蝕刻掩模層保 留在將形成所述第二目標(biāo)圖案的區(qū)域中之后，通過(guò)隔離所述殘留蝕刻掩模 層的邊緣末端來(lái)形成所述第一和第二目標(biāo)圖案的4^模圖案。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，還包括在形成所述第一輔助圖案之前在 所述蝕刻^^模層上形成硬l^模層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中所述硬掩模層由單層或多層形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述硬掩模層的所述多層具有非晶 碳層、SiON層和多晶珪層的堆疊結(jié)構(gòu)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中 所述第一目標(biāo)圖案包括字線(xiàn)圖案，和 所述第二目標(biāo)圖案包括選擇線(xiàn)圖案和墊圖案。
15. —種形成半導(dǎo)體器件微圖案的方法，所述方法包括提供其中形成待蝕刻層的半導(dǎo)體襯底，其中所述半導(dǎo)體襯底包括其中 形成第一目標(biāo)圖案的第一區(qū)域和其中形成第二目標(biāo)圖案的第二區(qū)域，所述第二目標(biāo)圖案的寬度大于所述第一目標(biāo)圖案的寬度；和在所述待蝕刻層上形成第一輔助圖案，所述第一輔助圖案包括用于防 止在所述第 一 區(qū)域和所述第二區(qū)域之間形成臺(tái)階的輔助圖案。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括形成其中所述第二目標(biāo)圖案形成 在所述待蝕刻層之上的第二輔助圖案，其中包括所述輔助圖案的所述第一 輔助圖案形成在所述待蝕刻層中。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括在除去所述輔助圖案之后，沿所 述第 一和第二輔助圖案來(lái)圖案化所述待蝕刻層。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一和第二輔助圖案由BARC 層形成。
19. 一種形成半導(dǎo)體器件微圖案的方法，所述方法包括 使用第一光刻膠圖案和第一 BARC層，在半導(dǎo)體襯底上形成用于柵極線(xiàn)的圖案；和使用第二光刻膠圖案和第二 BARC層，在所述半導(dǎo)體襯底上形成用于 選擇線(xiàn)的圖案和墊，所述選擇線(xiàn)的寬度大于所述^fr極線(xiàn)的寬度， 其中所述柵極線(xiàn)、所述墊和所述選擇線(xiàn)同時(shí)形成。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域上形 成用于所述Jfr極線(xiàn)的所述圖案，在所述半導(dǎo)體襯底第二區(qū)域上形成用于所 述選擇線(xiàn)的所述圖案和所述墊。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成輔助 圖案，所述輔助圖案防止在所述第 一區(qū)域和第二區(qū)域之間形成臺(tái)階。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體器件圖案的方法。其中使用第一光刻膠圖案和第一BARC層形成用于柵極線(xiàn)的圖案。使用第二光刻膠圖案和第二BARC層形成用于選擇線(xiàn)的圖案和墊，該選擇線(xiàn)的寬度大于柵極線(xiàn)的寬度。柵極線(xiàn)、墊和選擇線(xiàn)可以同時(shí)形成。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101471232SQ20081012522
公開(kāi)日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2008年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
發(fā)明者鄭宇榮 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司