專利名稱：層疊電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種層疊電容器。
背景技術(shù)：
作為層疊電容器，具備層疊有多個絕緣體層的電容器素體、以 夾持絕緣體層并相對的方式配置的分別多個第1內(nèi)部電極以及第2內(nèi) 部電極、配置在電容器素體的外表面的平行于多個絕緣體層的層疊方 向的方向上延伸的一個外表面上的第1以及第2的端子電極；眾所周 知多個第1內(nèi)部電極與第1端子電極連接，多個第2內(nèi)部電極與第2 端子電極連接(例如參照日本專利特開2004-140183號公報(bào))。在日本 專利特開2004-140183號公報(bào)記載的陶瓷電子部件中，由于第1以及第 2端子電極配置在同一個外表面上，因此使層疊電容器內(nèi)的電流的路徑 變短，可降低等效串聯(lián)電感(ESL)。
發(fā)明內(nèi)容
但是，在為了去除噪聲而與在電子設(shè)備的電源電路等連接的層疊 電容器中，需要在寬頻帶區(qū)域發(fā)揮去除噪聲的效果，為此，要求在寬 頻帶區(qū)域上具有低阻抗?？墒?，在日本專利特開2004-140183號公報(bào)記 載的層疊電容器中，沒有對在寬頻帶區(qū)域上降低阻抗進(jìn)行研究。因此， 在曰本專利特開2004-140183號公報(bào)記載的層疊電容器中，不能夠在寬 頻帶區(qū)域上降低阻抗，存在在寬頻帶區(qū)域上難以有效地去除噪聲問題。
本發(fā)明是為了解決上問題，其目的是提供一種可維持低的等效串 聯(lián)電感，并在寬頻帶區(qū)域上具有低阻抗的層疊電容器。
本發(fā)明所涉及的層疊電容器具備電容器素體，層疊有多個絕緣 體層；第1及第2端子電極，配置在電容器素體的外表面中在與多個 絕緣體層的層疊方向平行的方向上延伸的一個外表面上；第1內(nèi)部電 極群，具有與第1端子電極連接的第1內(nèi)部電極，和與第2端子電極
連接的第2內(nèi)部電極；第2內(nèi)部電極群，具有與第1端子電極連接的
第3內(nèi)部電極，與第2端子電極連接的第4內(nèi)部電極，和不與第1以 及第2端子電極連接的至少一個中間內(nèi)部電極，第l及第2內(nèi)部電極， 以在第1以及第2內(nèi)部電極之間以形成一個靜電容量成分的方式，夾 持絕緣體層而配置，第3及第4內(nèi)部電極，和中間內(nèi)部電極，以在第3 以及第4內(nèi)部電極之間形成多個靜電容量成分的方式，夾持絕緣體層 而配置。
在本發(fā)明所涉及的層疊電容器中，在第1內(nèi)部電極群中形成一個 靜電容量成分，在第2內(nèi)部電極群中形成多個靜電容量成分。此時， 由于多個靜電容量成分串聯(lián)連接，因此上述多個靜電容量成分的合成 靜電容量，比上述一個靜電容量成分的靜電容量小。所以，基于第1 內(nèi)部電極群中的一個靜電容量成分的自共振頻率，和基于第2內(nèi)部電 極群中的多個靜電容量成分的自共振頻率是不同的，從而可實(shí)現(xiàn)在寬 頻帶區(qū)域上的低阻抗化。因?yàn)槎鄠€靜電容量成分的合成靜電容量比一 個靜電容量成分的靜電容量小，所以基于上述多個靜電容量成分的自 共振頻率比基于上述一個靜電容量成分的自共振頻率高。
另外，在本發(fā)明中，由于第1以及第2端子電極配置在一個外表 面上，因此形成在層疊電容器內(nèi)的電流的路徑較短，從而可降低層疊 電容器的等效串聯(lián)電感。
優(yōu)選，第2內(nèi)部電極群，作為至少一個中間內(nèi)部電極，具有與第3 以及第4內(nèi)部電極相對的第1中間內(nèi)部電極。另夕卜，第2內(nèi)部電極群， 作為至少一個中間內(nèi)部電極，具有第2 第4中間內(nèi)部電極，第2中間 內(nèi)部電極，與第3內(nèi)部電極以及第3中間內(nèi)部電極相對，第4中間內(nèi) 部電極，與第4內(nèi)部電極以及第3中間內(nèi)部電極相對。
優(yōu)選，在第2內(nèi)部電極群中，包含兩種內(nèi)部電極群，分別是具有 第1中間內(nèi)部電極的內(nèi)部電極群，和具有第2 第4中間內(nèi)部電極的內(nèi) 部電極群，上述第1中間內(nèi)部電極，與上述第3以及第4內(nèi)部電極相 對，上述第2中間內(nèi)部電極，與上述第3內(nèi)部電極以及上述第3中間 內(nèi)部電極相對，上述第4中間內(nèi)部電極，與上述第4內(nèi)部電極以及上 述第3中間內(nèi)部電極相對。在此情況下，由于在第2內(nèi)部電極群中包 含了兩種的內(nèi)部電極群，因此可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)在寬頻帶區(qū)域上的低阻抗
化。具有第2 第4中間內(nèi)部電極的內(nèi)部電極群，比具有第l中間內(nèi)部 電極的內(nèi)部電極群，具有的串聯(lián)連接的靜電容量成分?jǐn)?shù)量多，因此其 合成靜電容量變小。因此，基于第1內(nèi)部電極群中的一個靜電容量成 分的自共振頻率，基于具有第1中間內(nèi)部電極的內(nèi)部電極群中的多個
靜電容量成分的自共振頻率，以及基于具有第2 第4中間內(nèi)部電極的
內(nèi)部電極群中的多個靜電容量成分的自共振頻率，均不相同。
優(yōu)選，第l內(nèi)部電極具有與第l端子電極連接的第l引出部，第2 內(nèi)部電極具有與第2端子電極連接的第2引出部，第3內(nèi)部電極具有 與第1端子電極連接的第3引出部，第4內(nèi)部電極具有與第2端子電 極連接的第4引出部，第3以及第4引出部的寬度，比第1以及第2 引出部的寬度大。在此情況下，在第2內(nèi)部電極群中的多個靜電容量 成分的等效串聯(lián)電感，比在第1內(nèi)部電極群中的一個靜電容量成分的 等效串聯(lián)電感低。其結(jié)果，可進(jìn)一步降低層疊電容器的等效串聯(lián)電感。
但是，即使使第l以及第2引出部的寬度比第3以及第4的引出 部的寬度寬，也可以降低等效串聯(lián)電感。電容的自共振頻率， 一般是 隨著電容的等效串聯(lián)電感變小而增高。因此，在第1以及第2引出部 的寬度比第3以及第4引出部的寬度要寬的情況下，基于一個靜電容 量成分的自共振頻率，與基于多個靜電容量成分的自共振頻率相接近， 因此妨礙了在寬頻帶區(qū)域上的低阻抗化。
優(yōu)選，第1內(nèi)部電極具有與第1端子電極連接的第1引出部，第2 內(nèi)部電極具有與第2端子電極連接的第2引出部，第3內(nèi)部電極具有 與第1端子電極連接的第3引出部，第4內(nèi)部電極具有與第2端子電 極連接的第4引出部，第3引出部與第4引出部的距離，比第l引出 部與第2引出部的距離小。在此情況下，第2內(nèi)部電極群中的多個靜 電容量成分的等效串聯(lián)電感低于第1內(nèi)部電極群中的一個靜電容量成 分的等效串聯(lián)電感。其結(jié)果，可進(jìn)一步降低層疊電容器的等效串聯(lián)電 感能。
但是，即使使第1引出部與第2引出部的距離比第3引出部與第4 引出部的距離小，也可降低等效串聯(lián)電感。如上所述電容的自共振頻 率隨著電容的等效串聯(lián)電感變小而增高。因此，在第1引出部與第2 引出部的距離比第3引出部與第4引出部的距離小的情況下，基于一個靜電容量成分的自共振頻率，和基于多個靜電容量成分的自共振頻 率相接近，從而妨礙了在寬頻帶區(qū)域上的低阻抗化。
優(yōu)選，第1以及第2內(nèi)部電極群，在電容器素體內(nèi)沿著多個絕緣 體層的層疊方向配置。
優(yōu)選，配置有所述第1以及第2端子電極的所述外表面，構(gòu)成相
對其它部件的安裝面。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種維持低的等效串聯(lián)電感，并在寬頻帶 區(qū)域上具有低阻抗的層疊電容器。
通過以下的詳細(xì)描述和附圖，可進(jìn)一步充分理解本發(fā)明，但該詳 細(xì)描述和附圖僅以舉例說明的形式而給出，因此，不能將該詳細(xì)描述 和附圖理解為對本發(fā)明的限制。
通過以下給出的詳細(xì)描述，可使本發(fā)明的可應(yīng)用范圍變得更清楚。 但是必須理解的是，用來說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述和附 圖是僅以舉例說明的形式而給出的，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易 見，本發(fā)明的技術(shù)思想和范圍內(nèi)包括各種變化和變形方式。
圖1是表示第1實(shí)施方式所涉及的層疊電容器的概略立體圖。
圖2是表示第1實(shí)施方式所涉及的層疊電容器的概略立體圖。
圖3是包含于第1實(shí)施方式所涉及的層疊電容器的電容器素體的 分解立體圖。
圖4是表示內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖5是表示內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖6是表示內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖7是表示在第1實(shí)施方式所涉及的層疊型濾波器中阻抗的頻率 特性的曲線圖。
圖8是表示在第1實(shí)施方式的變形例中各個內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖9是表示在第1實(shí)施方式的變形例中各個內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖10是表示在第1實(shí)施方式的變形例中各個內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖11是表示第2實(shí)施方式所涉及的層疊電容器的概略立體圖。
圖12是包含于第2實(shí)施方式所涉及的層疊電容器的電容器素體的
分解立體圖。
圖13是表示內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。 圖14是表示內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖15是表示在第2實(shí)施方式所涉及的層疊型濾波器中阻抗的頻率 特性的曲線圖。
圖16是表示在第2實(shí)施方式的變形例中各個內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖17是表示在第2實(shí)施方式的變形例中各個內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖18是表示在第2實(shí)施方式的變形例中各個內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
圖19是表示在第2實(shí)施方式的變形例中各個內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖，就有關(guān)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式加以詳細(xì)地說明。 另外，在說明中，在具有同一要素或同一功能的要素中使用同一符號 從而省略重復(fù)說明。
第1實(shí)施方式
參照圖1 圖6就有關(guān)第1實(shí)施方式所涉及的層疊電容器C1的構(gòu) 成加以說明。圖1以及圖2是表示第1實(shí)施方式所涉及的層疊電容器 的概略立體圖。圖3是包含于第1實(shí)施方式所涉及的層疊電容器的電 容器素體的分解立體圖。圖4 圖6的(a)以及(b)是表示各個內(nèi)部 電極的構(gòu)成的圖。
層疊電容器C1，如圖1以及圖2所示，具備大致長方體形的電容 器素體l、第1端子電極40以及第2端子電極42。
電容器素體1包含互相相對的第1端面2以及第2端面3、互相相 對的第1側(cè)面4以及第2側(cè)面5、互相相對的第3側(cè)面6以及第4側(cè)面 7。第1側(cè)面4以及第2側(cè)面5以連接第1以及第2端面2、 3的方式 在第1以及第2端面2、 3相對的第1方向上延伸。第3側(cè)面6以及第
4側(cè)面7以連接第1以及第2端面2、 3的方式在第1以及第2端面2、 3相對的第1方向上延伸。第1方向、第1與第2側(cè)面4、 5相對的第 2方向、以及第3與第4側(cè)面6、 7相對的第3方向互相垂直。在本實(shí) 施方式中，第2側(cè)面5成為對其他的部件(例如電路基板或者電子部 件等)的安裝面。
電容器素體l，如圖3所示，具有多個絕緣體層9。電容器素體l 通過將多個絕緣體層9在第1及第2端面2、 3相對的第1方向上進(jìn)行 層疊而構(gòu)成，并具有介電特性。各個絕緣體層9由含有例如介電體陶 瓷(BaTiCb類、Ba(Ti，Zr)03類、或者(Ba，Ca)TiCb類等的介電體陶瓷) 的陶瓷生片的燒結(jié)體構(gòu)成。在實(shí)際的層疊電容器C1中，各個絕緣體層 9以互相之間的邊界不能夠用目視辨認(rèn)的程度而被一體化。
層疊電容器Cl，如圖3所示，具備多個第1內(nèi)部電極群10以及 多個第2內(nèi)部電極群20。各個第1內(nèi)部電極群10具有第1內(nèi)部電極 11以及第2內(nèi)部電極15。各個第2內(nèi)部電極群20具有第3內(nèi)部電極 21、第4內(nèi)部電極25、以及第1中間內(nèi)部電極30;或者具有第3內(nèi)部 電極2K第4內(nèi)部電極25、第2中間內(nèi)部電極3K第3中間內(nèi)部電極 32、以及第4中間內(nèi)部電極33。各個內(nèi)部電極ll、 15、 21、 25、 30 33 (第1內(nèi)部電極群10以及第2內(nèi)部電極群20)，配置在電容器素體 1的內(nèi)部。第1以及第2內(nèi)部電極群10、 20在電容器素體內(nèi)沿著第1 方向而被配置。各個內(nèi)部電極11、 15、 21、 25、 30 33，作為層疊型 的電氣元件的內(nèi)部電極，由通常所使用的導(dǎo)電性材料(例如賤金屬的 Ni等)構(gòu)成。各個內(nèi)部電極ll、 15、 21、 25、 30 33由作為含有所述 導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電性膏的燒結(jié)體來構(gòu)成。
各個第1內(nèi)部電極11，如圖4 (a)所示，具有主電極部12、以端 部露出于第2側(cè)面5的方式從主電極部12延伸的第1引出部13。主電 極部12和第1引出部13 —體形成。第1引出部13從主電極部12的 第2側(cè)面5側(cè)的長邊上的靠近第3側(cè)面6的部分向著第2側(cè)面5延伸。
各個第2內(nèi)部電極15，如圖4 (b)所示，具有矩形的主電極部16、 以端部露出于第2側(cè)面5的方式從主電極部16延伸的第2引出部17。 主電極部16和第2引出部17—體形成。第2引出部17從主電極部16的第2側(cè)面5側(cè)的長邊上的靠近第4側(cè)面7的部分向著第2側(cè)面5延 伸。
第1內(nèi)部電極11的主電極部12和第2內(nèi)部電極15的主電極部16 夾持著絕緣體層9相對。在絕緣體層9內(nèi)，與第l內(nèi)部電極ll的主電 極部12和第2內(nèi)部電極15的主電極部16重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地生成 一個靜電容量成分的領(lǐng)域。即，第l內(nèi)部電極11和第2內(nèi)部電極15， 以在該第1以及第2內(nèi)部電極11、 15之間形成一個靜電容量成分的方 式夾持著絕緣體層9而配置。
各個第3內(nèi)部電極21，如圖5(a)所示，具有矩形的主電極部22、 以端部露出于第2側(cè)面5的方式從主電極部22延伸的第3引出部23。 主電極部22和第3引出部23 —體形成。第3引出部23從主電極部22 的第2側(cè)面5側(cè)的長邊上的靠近第3側(cè)面6的部分向著第2側(cè)面5延 伸。主電極部22的面積比主電極部12、 16的面積小。
各個第4內(nèi)部電極25，如圖5 (a)所示，具有矩形的主電極部26、 以端部露出于第2側(cè)面5的方式從主電極部26延伸的第4引出部27。 主電極部26和第4引出部27 —體形成。第4引出部27從主電極部26 的第2側(cè)面5側(cè)的長邊上的靠近第4側(cè)面7的部分向著第2側(cè)面5延 伸。第3內(nèi)部電極21和第4內(nèi)部電極25位于同一個層。主電極部26 的面積比主電極部12、 16的面積小。
第1中間內(nèi)部電極30位于與第3以及第4內(nèi)部電極21、 25不同 的層。即，第1中間內(nèi)部電極30夾持著絕緣體層9，與第3以及第4 內(nèi)部電極21、 25 (主電極部22、 26)相對。
在絕緣體9中，與第3內(nèi)部電極21的主電極部22和第1中間內(nèi) 部電極30重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。在絕 緣體9中，第4內(nèi)部電極25的主電極部26和第1中間內(nèi)部電極30重 疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。即，第3內(nèi)部電 極21、第4內(nèi)部電極25、以及第1中間內(nèi)部電極30以在該第3及第4 內(nèi)部電極21、 25之間形成兩個靜電容量成分的方式夾持絕緣體層9而 配置。形成于第3以及第4內(nèi)部電極21、 25之間的兩個靜電容量成分 串聯(lián)連接。
第3中間內(nèi)部電極32如圖6 (a)所示位于與第3以及第4內(nèi)部電 極21、 25同一個層。g口，第3中間內(nèi)部電極32位于第3以及第4內(nèi) 部電極21、 25之間。第3及第4內(nèi)部電極21、 25，與第3中間內(nèi)部電 極32在從第3側(cè)面6向第4側(cè)面7的方向上按照第3內(nèi)部電極21、第 3中間內(nèi)部電極32、第4內(nèi)部電極25的順序配置。
第2以及第4中間內(nèi)部電極31、 33，如圖6(b)所示，位于同一 個層，第3及第4內(nèi)部電極21、 25，與第3中間內(nèi)部電極32位于不同 的層。即，第2中間內(nèi)部電極31，夾持著絕緣體層9，與第3內(nèi)部電 極21 (主電極部22)以及第3中間內(nèi)部電極32相對。第4中間內(nèi)部 電極33，夾持著絕緣體層9，與第4內(nèi)部電極25 (主電極部26)以及 第3中間內(nèi)部電極32相對。
在絕緣體層9中，與第3內(nèi)部電極21的主電極部22和第2中間 內(nèi)部電極31重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。在 絕緣體9中，與第2內(nèi)中間內(nèi)部電極31和第3中間內(nèi)部電極32重疊 的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。在絕緣體9中，與 第3中間內(nèi)部電極32和第4中間內(nèi)部電極33重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地 產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。與第4內(nèi)部電極25的主電極部26和 第4中間內(nèi)部電極33重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的 領(lǐng)域。即，第3內(nèi)部電極21、第4內(nèi)部電極25、第2 第4中間內(nèi)部 電極31 33，以在該第3及第4內(nèi)部電極21、 25之間形成四個靜電容 量成分的方式夾持絕緣體層9配置。形成于第3以及第4內(nèi)部電極21、 25之間的四個靜電容量成分串聯(lián)連接。
在第2內(nèi)部電極群20中包含兩種內(nèi)部電極群，分別是，具有第3 及第4內(nèi)部電極21、 25、和第1中間內(nèi)部電極30的第2內(nèi)部電極群 20a，以及具有第3及第4內(nèi)部電極21、 25、和第2 第4中間內(nèi)部電 極31 33的第2內(nèi)部電極群20b。
第3以及第4引出部23、 27的寬度(W2、 W3)設(shè)定為比第1以 及第2引出部13、 17的寬度(W》寬。g卩，在第3以及第4引出部 23、 27的露出于第2側(cè)面5的部分的長度，設(shè)定為比第1以及第2引 出部13、 17的露出于第2側(cè)面5的部分的長度長。具有第2內(nèi)部電極 群20b的第3以及第4內(nèi)部電極21、 25的第3以及第4引出部23、 27
的寬度(W3)，設(shè)定為比具有第2內(nèi)部電極群20a的第3以及第4內(nèi) 部電極21、 25的第3以及第4引出部23、 27的寬度(W2)寬。艮P， 第2內(nèi)部電極群20b的第3以及第4引出部23、 27的露出于第2側(cè)面 5的部分的長度設(shè)定為比第2內(nèi)部電極群20a的第3以及第4引出部 23、 27的露出于第2側(cè)面5的部分的長度長。各個引出部13、 17、 23、 27的寬度為該引出部13、 17、 23、 27在第3方向上的長度。
第1以及第2端面2、 3，在第1內(nèi)部電極11和第2內(nèi)部電極15 的相對方向上相對。因此，層疊電容器Cl在安裝于其他部件的狀態(tài)下， 第1 第4內(nèi)部電極11、 15、 21、 25和第1 第4中間內(nèi)部電極30 33在相對其他部件的安裝面(安裝層疊電容器Cl的面)垂直的方向 上延伸。
第1端子電極40配置在電容器素體1的第2側(cè)面5上。第1端子 電極40，以完全覆蓋第1引出部13的露出于第2側(cè)面5的部分，和第 3引出部23的露出于第2側(cè)面5的部分的方式在第1方向上延伸而形 成。第1端子電極40與各個第1以及第3引出部13、 23物理且電連 接。由此，全部第1以及第3內(nèi)部電極11、 21與第1端子電極40物 理且電連接。
第2端子電極42配置在電容器素體1的第2側(cè)面5上。第2端子 電極42，以完全覆蓋第2引出部17的露出于第2側(cè)面5的部分，和第 4引出部27的露出于第2側(cè)面5的部分的方式在第1方向上延伸而形 成。第2端子電極42與各個第2以及第4引出部17、 27物理且電連 接。由此，全部第2以及第4內(nèi)部電極15、 25與第2端子電極42物 理且電連接。
第1以及第2端子電極40、 42，通過將含有例如導(dǎo)電性金屬粉末 和玻璃粉的導(dǎo)電性膏涂布于電容器素體1的外表面并燒結(jié)而形成。根 據(jù)需要，也可以在燒結(jié)的第l以及第2端子電極40、 42的上面形成電 鍍層?？梢酝ㄟ^浸漬法或者印刷法等來進(jìn)行導(dǎo)電性膏的涂布。第1以 及第2端子電極40、 42在電容器素體1的表面上互相電絕緣而形成。
如以上所述，在第1實(shí)施方式中，在第1內(nèi)部電極群10中形成一 個靜電容量成分，在第2內(nèi)部電極群20a中形成兩個靜電容量成分， 在第2內(nèi)部電極群20b中形成四個靜電容量成分。由第2內(nèi)部電極群
20a形成的兩個靜電容量成分串聯(lián)連接，由第2內(nèi)部電極群20b形成的 四個靜電容量成分串聯(lián)連接。因此，由第2內(nèi)部電極群20b形成的四 個靜電容量成分的合成靜電容量，比由第2內(nèi)部電極群20a形成的兩 個靜電容量成分的合成靜電容量小，由第2內(nèi)部電極群20a形成的兩 個靜電容量成分的合成靜電容量，比由第1內(nèi)部電極群IO形成的靜電 容量成分的靜電容量小。
一般來說，電容的自共振頻率(fr)，在設(shè)該電容的等效串聯(lián)電感 作為L，靜電容量作為C時，可由下式表示
fr= (2tt (LxC) 1/2)"
因此，通過改變電容器的等效串聯(lián)電感或者靜電容量，可以改變 電容的自共振頻率。此時，靜電容量如果變小，則自共振頻率就會變 高。等效串聯(lián)電感如果變低，則自共振頻率就會變高。
在第1實(shí)施方式中，基于第1內(nèi)部電極群10中的一個靜電容量成 分的自共振頻率(fr,)、基于第2內(nèi)部電極群20a中的兩個靜電容量 成分的自共振頻率(fr21)以及基于第2內(nèi)部電極群20b中的四個靜電 容量成分的自共振頻率(fr22)的相互關(guān)系為
fr^fr2!〈fr22
其結(jié)果，如圖7所示，能夠?qū)崿F(xiàn)在寬頻帶區(qū)域上的低阻抗化。圖7 是表示第1實(shí)施方式所涉及的層疊電容器C1的頻率(Hz)-阻抗(Q) 特性的曲線圖。在圖7所示的曲線圖中，橫軸表示頻率(Hz)，縱軸 表示阻抗(Q)。
在本實(shí)施方式中，由于第1以及第2端子電極40、 42配置在電容 器素體l的第2側(cè)面5，因此形成在層疊電容器C1內(nèi)的電流的路徑比 較短。其結(jié)果，可降低層疊電容器C1的等效串聯(lián)電感。
在本實(shí)施方式中，第l以及第2引出部13、 17的寬度(W》、第 2內(nèi)部電極群20a中的第3以及第4引出部23、 27的寬度(W2)以及 第2內(nèi)部電極群20b中的第3以及第4引出部23、 27的寬度(W3)的 關(guān)系設(shè)定為
由此，第1內(nèi)部電極群10中的一個靜電容量成分的等效串聯(lián)電感 (L》、第2內(nèi)部電極群20a中的兩個靜電容量成分的等效串聯(lián)電感
(L21)以及第2內(nèi)部電極群20b中的四個靜電容量成分的等效串聯(lián)電
感(L22)的關(guān)系成為
其結(jié)果，可進(jìn)一步降低層疊電容器C1的等效串聯(lián)電感。 但是，即使將各個引出部13、 17、 23、 27的寬度(W,、 W2、 W3) 的關(guān)系設(shè)定為
也可以由此降低層疊電容器C1的等效串聯(lián)電感，但是，當(dāng)各個引 出部13、 17、 23、 27的寬度(Wp W2、 W3)的關(guān)系為
Wi〉W2〉W3時，
各個自共振頻率(fh、 fr21、 fr22)的值就會變得相接近，妨礙在寬 頻帶區(qū)域上的低阻抗化，因此不優(yōu)選。
以下是根據(jù)圖8 圖10就有關(guān)第1實(shí)施方式所涉及的層疊電容器 Cl的變形例加以說明。本變形例所涉及的層疊電容器，與上述實(shí)施方 式的層疊電容器C1的不同點(diǎn)在于第1 第4內(nèi)部電極11、 15、 21、 25 的形狀。圖8 圖10的(a)以及(b)表示在第1實(shí)施方式的變形例 中各個內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
如圖8 圖IO所示，第1引出部13與第2引出部17的距離(D。、 第2內(nèi)部電極群20a中的第3引出部23與第4引出部27的距離(D2) 以及第2內(nèi)部電極群20b中的第3引出部23與第4引出部27的距離 (D3)的關(guān)系設(shè)定為
D!〉D2〉D3
所謂第1引出部13與第2引出部17的距離(D》具體是指，第1 引出部13和第1端子電極40的連接點(diǎn)，與第2引出部17和第2端子 電極42的連接點(diǎn)之間的最短直線距離。所謂第3引出部23與第4引 出部27的距離(D2、 D3)具體是指，第3引出部23和第1端子電極 40的連接點(diǎn)，與第4引出部27和第2端子電極42的連接點(diǎn)之間的最 短直線距離。
即
使是在本變形例中，基于第1內(nèi)部電極群10中的一個靜電容量 成分的自共振頻率(fh)、基于第2內(nèi)部電極群20a中的兩個靜電容
量成分的自共振頻率(fr21)以及基于第2內(nèi)部電極群20b中的四個靜 電容量成分的自共振頻率(fr22)的關(guān)系仍為 fri<fr21<fr22
其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)在寬頻帶區(qū)域上的低阻抗化。
第1內(nèi)部電極群10中的一個靜電容量成分的等效串聯(lián)電感(L。、 第2內(nèi)部電極群20a中的兩個靜電容量成分的等效串聯(lián)電感(L21)以 及第2內(nèi)部電極群20b中的四個靜電容量成分的等效串聯(lián)電感(L22) 的關(guān)系為
其結(jié)果，可進(jìn)一步降低層疊電容器C1的等效串聯(lián)電感。 但是，即使將各個引出部13、 17、 23、 27之間的距離(D,、 D2、 D3)的關(guān)系設(shè)定為
也可以由此降低層疊電容器C1的等效串聯(lián)電感，但是，當(dāng)各個引 出部13、 17、 23、 27之間的距離(D,、 D2、 D3)的關(guān)系為
D!〈D2〈D3時，
各個自共振頻率(fh、 fr21、 fr22)的值就會變得相接近，妨礙在寬 頻帶區(qū)域上的低阻抗化，因此不優(yōu)選。
第2實(shí)施方式
參照圖11 圖14，就有關(guān)第2實(shí)施方式所涉及的層疊電容器C2 的構(gòu)成加以說明。圖11是表示第2實(shí)施方式所涉及的層疊電容器的概 略立體圖。圖12是包含于第2實(shí)施方式所涉及的層疊電容器的電容器 素體的分解立體圖。圖13以及圖14的(a)以及(b)是表示各個內(nèi) 部電極的構(gòu)成的圖。
層疊電容器C2，如圖11所示，具備大致長方體形的電容器素體1、 第1端子電極80以及第2端子電極82。在本實(shí)施方式中，第2側(cè)面5 為對其他部件(例如電路基板或者電子部件)的安裝面。
層疊電容器C2，如圖12所示，具備多個第1內(nèi)部電極群10以及 多個第2內(nèi)部電極群20。各個第1內(nèi)部電極群10具有第1內(nèi)部電極 51以及第2內(nèi)部電極55。各個第2內(nèi)部電極群20具有第3內(nèi)部電極61、第4內(nèi)部電極65以及第1中間內(nèi)部電極70。各個內(nèi)部電極51、
55、 61、 65、 70，配置在電容器素體l的內(nèi)部。各個內(nèi)部電極51、 55、
61、 65、 70，作為層疊型的電氣元件的內(nèi)部電極，由通常所使用的導(dǎo) 電性材料(例如賤金屬的Ni等)構(gòu)成的。各個內(nèi)部電極51、 55、 61、
65、 70由作為含有所述導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電性膏的燒結(jié)體來構(gòu)成的。 各個第1內(nèi)部電極51，如圖13 (a)所示，具有矩形的主電極部
52、以端部露出于第1 第3側(cè)面4、 5、 6的方式從主電極部52延伸 的第1引出部53。主電極部52和第1引出部53—體形成。第一引出 部53從主電極部52的靠近第3側(cè)面6的端部向第1 第3側(cè)面4、 5、 6延伸。
各個第2內(nèi)部電極55，如圖13 (a)所示，具有矩形的主電極部
56、 以端部露出于第l、第2以及第4側(cè)面4、 5、 7的方式從主電極部 56延伸的第2引出部57。主電極部56和第2引出部57—體形成。第 2引出部57從主電極部56的靠近第4側(cè)面7的端部向著第1、第2以 及第4側(cè)面4、 5、 7延伸。
第1內(nèi)部電極51的主電極部52和第2內(nèi)部電極55的主電極部56 夾持著絕緣體層9相對。在絕緣體層9內(nèi)，與第1內(nèi)部電極51的主電 極部52和第2內(nèi)部電極55的主電極部56重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地生成 一個靜電容量成分的領(lǐng)域。即，第l內(nèi)部電極51和第2內(nèi)部電極55， 以在該第1以及第2內(nèi)部電極51、 55之間形成一個靜電容量成分的方 式夾持著絕緣體層9而配置。
各個第3內(nèi)部電極61，如圖14 (a)所示，具有矩形的主電極部
62、 以端部露出于第1 第3側(cè)面4、 5、 6的方式從主電極部62延伸 的第3引出部63。主電極部62和第3引出部63—體形成。第3引出 部63從主電極部62的靠近第3側(cè)面6的端部向著第1 第3側(cè)面4、 5、 6延伸。主電極部62的面積比主電極部52、 56的面積小。
各個第4內(nèi)部電極65，如圖14 (a)所示，具有矩形的主電極部
66、 以端部露出于第l、第2以及第4側(cè)面4、 5、 7的方式從主電極部 66延伸的第4引出部67。主電極部66和第4引出部67—體形成。第 4引出部67從主電極部66的靠近第4側(cè)面7的端部向著第1、第2以
及第4側(cè)面4、 5、 7延伸。第3內(nèi)部電極61和第4內(nèi)部電極65位于 同一個層。主電極部66的面積比主電極部52、 56的面積小。
第l中間內(nèi)部電極70位于與第3以及第4內(nèi)部電極61、 65不同 的層。即，第1中間內(nèi)部電極70夾持著絕緣體層9，與第3以及第4 內(nèi)部電極61、 65 (主電極部62、 66)相對。
在絕緣體9中，與第3內(nèi)部電極61的主電極部62和第1中間內(nèi) 部電極70重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。在絕 緣體9中，與第4內(nèi)部電極65的主電極部66和第1中間內(nèi)部電極70 重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。即，第3內(nèi)部 電極61、第4內(nèi)部電極65以及第1中間內(nèi)部電極70以在該第3及第 4內(nèi)部電極61、 65之間形成兩個靜電容量成分的方式夾持絕緣體層9 而配置。形成于第3以及第4內(nèi)部電極61、 65之間的兩個靜電容量成 分串聯(lián)連接。
第1以及第3引出部53、 63，跨越第1 第3側(cè)面4、 5、 6而露 出，第2以及第4引出部57、 67，跨越第1、第2以及第4側(cè)面4、 5、 7而露出。第3以及第4引出部63、 67的露出于電容器素體1的外表 面的部分的長度(X2)，設(shè)定為比第1以及第2引出部53、 57的露出 于電容器素體1的外表面的部分的長度(Xi)長。在此，各個引出部 53、 57、 63、 67的露出于電容器素體1的外表面的部分的長度、 X2)為相當(dāng)于各個引出部53、 57、 63、 67的寬度。
在層疊電容器C2中，與層疊電容器Cl相同在將層疊電容器C2 安裝于其他的部件的情況下，第1 第4內(nèi)部電極51、 55、 61、 65和 第1中間內(nèi)部電極70在相對其他的部件的安裝面(安裝層疊電容器 C2的面)垂直方向上延伸。
第1端子電極80配置為，覆蓋電容器素體1的第3側(cè)面6的全體 且跨越與第3側(cè)面6相鄰的四個面2、 3、 4、 5的方式而配置。第l端 子電極80，以完全覆蓋第1以及第3引出部53、 63的露出于第1 第 3側(cè)面4、 5、 6的部分的方式而形成。第1端子電極80與各個第1以 及第3引出部53、 63物理且電連接。由此，全部第1以及第3內(nèi)部電 極51、 61與第1端子電極80物理且電連接。
第2端子電極82配置為，覆蓋電容器素體1的第4側(cè)面7的全體 且跨越與第4側(cè)面7相鄰的四個面2、 3、 4、 5的方式而配置。第2端 子電極82，以完全覆蓋第2以及第4引出部57、 67的露出于第1、第 2以及第4側(cè)面4、 5、 7的部分的方式而形成。第2端子電極82與各 個第2以及第4引出部57、 67物理且電連接。由此，全部第2以及第 4內(nèi)部電極55、 65與第2端子電極82物理且電連接。
第1以及第2端子電極80、 82，通過將含有例如導(dǎo)電性金屬粉末 和玻璃粉的導(dǎo)電性膏涂布于電容器素體1的外表面并燒結(jié)而形成。根 據(jù)需要，也可以在燒結(jié)的第1以及第2端子電極80、 82的上面形成電 鍍層?？梢酝ㄟ^浸漬法或者印刷法等來進(jìn)行導(dǎo)電性膏的涂布。第1以 及第2端子電極80、 82在電容器素體1的表面上互相電絕緣而形成。
如以上所述，在第2實(shí)施方式中，在第l內(nèi)部電極群10中形成一 個靜電容量成分，在第2內(nèi)部電極群20中形成兩個靜電容量成分。由 第2內(nèi)部電極群20形成的兩個靜電容量成分串聯(lián)連接。因此，由第2 內(nèi)部電極群20形成的兩個靜電容量成分的合成靜電容量比由第1內(nèi)部 電極群IO形成的靜電容量成分的靜電容量小。
在第2實(shí)施方式中，基于第l內(nèi)部電極群IO中的一個靜電容量成 分的自共振頻率(fh)、基于第2內(nèi)部電極群20中的兩個靜電容量成 分的自共振頻率(fr2)的關(guān)系成為
如圖15所示，能夠?qū)崿F(xiàn)在寬頻帶區(qū)域上的低阻抗化。圖15是表 示第2實(shí)施方式所涉及的層疊電容器C2的頻率(Hz)-阻抗(Q)特 性的曲線圖。在圖15所示的曲線圖中，橫軸表示頻率(Hz)，縱軸表 示阻抗(Q)。
在本實(shí)施方式中，由于第1以及第2端子電極80、 82的一部分配 置在電容器素體l的第2側(cè)面5，因此形成在層疊電容器C2內(nèi)的電流 的路徑比較短。其結(jié)果，可降低層疊電容器C2的等效串聯(lián)電感。
在本實(shí)施方式中，第1以及第2引出部53、 57的露出于電容器素 體l的外表面的部分的長度(A)、第3以及第4引出部63、 67的露 出于電容器素體l的外表面的部分的長度(X2)的關(guān)系設(shè)定為
X!<X2
由此，第1內(nèi)部電極群10中的一個靜電容量成分的等效串聯(lián)電感
(L,)、第2內(nèi)部電極群20中的兩個靜電容量成分的等效串聯(lián)電感(L2)
的關(guān)系成為L1>L2
于是，可進(jìn)一步降低層疊電容器C2的等效串聯(lián)電感。
但是，在第2實(shí)施方式中，如圖13以及圖14所示，第l引出部
53與第2引出部57的距離(D4)、第3引出部63與第4引出部67
的距離(D5)的關(guān)系設(shè)定為 D4〉D5
所謂第1引出部53與第2引出部57的距離(D4)具體是指，第1 引出部53和第1端子電極80的連接點(diǎn)，與第2引出部57和第2端子 電極82的連接點(diǎn)之間的最短直線距離。所謂第3引出部63與第4引 出部67的距離(D5)具體是指，第3引出部63和第1端子電極80的 連接點(diǎn)，與第4引出部67和第2端子電極82的連接點(diǎn)之間的最短直 線距離。
由此，第1內(nèi)部電極群10中的一個靜電容量成分的等效串聯(lián)電感 (Ll)與在第2內(nèi)部電極群20中的兩個靜電容量成分的等效串聯(lián)電感 (L2)的關(guān)系成為
L^L2
其結(jié)果，可進(jìn)一步降低層疊電容器C2的等效串聯(lián)電感。 以下，根據(jù)圖16 圖19就有關(guān)第2實(shí)施方式所涉及的層疊電容器 C2的變形例加以說明。本變形例所涉及的層疊電容器，與上述實(shí)施方 式的層疊電容器C2的不同點(diǎn)在于第1 第4內(nèi)部電極51、 55、 61、 65 以及第1中間內(nèi)部電極70的形狀。圖16 圖19的(a)以及(b)是 表示各個內(nèi)部電極的構(gòu)成的圖。
首先，對由圖16以及圖17所表示的變形例的構(gòu)成加以說明。如 圖16所示，第1引出部53跨越第2以及第3側(cè)面5、 6而露出，第2 引出部57跨越第2以及第4側(cè)面5、 7而露出。如圖17所示，第3引 出部63跨越第2以及第3側(cè)面5、 6而露出，第4引出部67跨越第2 以及第4側(cè)面5、 7而露出。第l以及第2的引出部53、 57的露出于 電容器素體1的外表面的部分的長度(X》、第3以及第4的引出部
63、 67的露出于電容器素體1的外表面的部分的長度(X2)的關(guān)系設(shè)
定為
X<X2
第1引出部53與第2引出部57的距離(D4)、第3引出部63與 第4引出部67的距離(D5)的關(guān)系設(shè)定為
D4〉D5
在由圖16以及圖17所表示的本變形例中，基于第1內(nèi)部電極群 10中的一個靜電容量成分的自共振頻率(fn)、基于第2內(nèi)部電極群 20中的兩個靜電容量成分的自共振頻率(fr2)的相互關(guān)系為f1<f2
其結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)在寬頻帶區(qū)域上的低阻抗化，并可進(jìn)一步降低等 效串聯(lián)電感便。
以下是對由圖18以及圖19所表示的變形例的構(gòu)成加以說明。第2 內(nèi)部電極群20，如圖19所示，具有第1中間內(nèi)部電極70a和70b。第 1中間內(nèi)部電極70a和70b位于相同的層，且位于與第3以及第4內(nèi)部 電極61、 65不相同的層。即，第1中間內(nèi)部電極70a和70b夾持著絕 緣體層9與第3以及第4內(nèi)部電極61、 65 (主電極部62、 66)相對。
在絕緣體層9中，與第3內(nèi)部電極61的主電極部62和第1中間 內(nèi)部電極70a重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。 在絕緣體9中，與第4內(nèi)中間內(nèi)部電極65的主電極66和第1中間內(nèi) 部電極70a重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。艮口， 第3內(nèi)部電極61和第4內(nèi)部電極65以及第1中間內(nèi)部電極70a，以在 該第3及第4內(nèi)部電極61、 65之間形成兩個靜電容量成分的方式夾持 絕緣體層9而配置。該兩個靜電容量成分串聯(lián)連接。
在絕緣體層9中，與第3內(nèi)部電極61的主電極部62和第1中間 內(nèi)部電極70b重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。 在絕緣體9中，與第4內(nèi)中間內(nèi)部電極65的主電極66和第1中間內(nèi) 部電極70b重疊的部分是實(shí)質(zhì)性地產(chǎn)生一個靜電容量成分的領(lǐng)域。艮P， 第3內(nèi)部電極61、第4內(nèi)部電極65以及第1中間內(nèi)部電極70b，以在 該第3及第4內(nèi)部電極61、 65之間形成兩個靜電容量成分的方式夾持 絕緣體層9而配置。該兩個靜電容量成分串聯(lián)連接。
利用第1中間內(nèi)部電極70a串聯(lián)連接的兩個靜電容量成分，與利 用第1中間內(nèi)部電極70b串聯(lián)連接的兩個靜電容量成分并聯(lián)連接。
如圖18所示，第1引出部53跨越第1以及第3側(cè)面4、6而露出， 同時跨越第2以及第3側(cè)面5、 6而露出。第2引出部57跨越第1以 及第4側(cè)面4、 7而露出，同時跨越第2以及第4側(cè)面5、 7而露出。 如圖19所示，第3引出部63跨越第1以及第3側(cè)面4、 6而露出，同 時跨越第2以及第3側(cè)面5、 6而露出。第4引出部67跨越第1以及 第4側(cè)面4、 7而露出，同時跨越第2以及第4側(cè)面5、 7而露出。第1 以及第2引出部53、 57的露出于電容器素體1的外表面的部分的長度 (Xu+X12)、第3以及第4引出部63、 67的露出于電容器素體1的外 表面的部分的長度(X21+X22)的關(guān)系設(shè)定為
X11+X12 < X21+X22
第1引出部53和第2引出部57的距離(D4)、第3引出部63和 第4引出部67的距離(D5)的關(guān)系設(shè)定為 D4〉D5
在由圖18以及圖19所示的本變形例中，基于第1內(nèi)部電極群10 中的一個靜電容量成分的自共振頻率(fr》、基于第2內(nèi)部電極群20 中的兩個靜電容量成分的自共振頻率(fr2)的關(guān)系為
fh<fr2
其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)在寬頻帶區(qū)域上的低阻抗化，并可進(jìn)一步降低 等效串聯(lián)電感。
以上是就有關(guān)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式作了說明，但本發(fā)明并不 限定于上述的實(shí)施方式，只要是不脫離其要旨的范圍可進(jìn)行各種各樣 的變更。
第1以及第2內(nèi)部電極群的數(shù)目以及位置不限于所述的實(shí)施方式 和變形例。包含于電容器素體1的絕緣體層9的層疊數(shù)以及各個內(nèi)部 電極ll、 15、 21、 25、 30 33、 51、 55、 61、 65、 70、 70a、 70b的層
疊數(shù)并不限于由上述實(shí)施方式以及變形例所示的數(shù)目。各個內(nèi)部電極 11、 15、 21、 25、 30 33、 51、 55、 61、 65、 70、 70a、 70b的形狀也
不限于由上述實(shí)施方式以及變形例所示的形狀。
第2內(nèi)部電極群20的種類并不局限于上述的實(shí)施方式以及變形例
中所記載的數(shù)目(一個或者兩個)，也可以是三個以上。在第2內(nèi)部 電極群20中串聯(lián)連接的靜電容量成分的數(shù)目也不限于在上述的實(shí)施方
式以及變形例中所記載的數(shù)目(兩個或者四個)，也可以是三個，另
外，也可以是五個以上。在第2實(shí)施方式中，在第2內(nèi)部電極群20中 雖然是兩個靜電容成分進(jìn)行串聯(lián)連接，但是并不只限于此，如第1實(shí) 施方式的第2內(nèi)部電極群20b所示，也可以使四個靜電容量成分串聯(lián)連接。
從以上對本發(fā)明的描述可明顯得知，本發(fā)明可以以許多形態(tài)來進(jìn) 行變化。而這些變化將被認(rèn)為不超過本發(fā)明的技術(shù)思想和范圍。并且， 以下的權(quán)利要求是有意地將對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言為顯而易見的變 型方式包括在其范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種層疊電容器，其特征在于，具備電容器素體，層疊有多個絕緣體層；第1及第2端子電極，配置在所述電容器素體的外表面中在與所述多個絕緣體層的層疊方向平行的方向上延伸的一個外表面上；第1內(nèi)部電極群，具有與所述第1端子電極連接的第1內(nèi)部電極，和與所述第2端子電極連接的第2內(nèi)部電極；第2內(nèi)部電極群，具有與所述第1端子電極連接的第3內(nèi)部電極，與所述第2端子電極連接的第4內(nèi)部電極，和不與所述第1以及第2端子電極連接的至少一個中間內(nèi)部電極，所述第1及第2內(nèi)部電極，以在所述第1以及第2內(nèi)部電極之間以形成一個靜電容量成分的方式，夾持所述絕緣體層而配置，所述第3及第4內(nèi)部電極，和所述中間內(nèi)部電極，以在所述第3以及第4內(nèi)部電極之間形成多個靜電容量成分的方式，夾持絕緣體層而配置。
2. 如權(quán)利要求1所述的層疊電容器，其特征在于所述第2內(nèi)部電極群，作為所述至少一個中間內(nèi)部電極，具有與 所述第3以及第4內(nèi)部電極相對的第1中間內(nèi)部電極。
3. 如權(quán)利要求2所述的層疊電容器，其特征在于所述第2內(nèi)部電極群，作為所述至少一個中間內(nèi)部電極，具有第 2 第4中間內(nèi)部電極，所述第2中間內(nèi)部電極，與所述第3內(nèi)部電極以及所述第3中間 內(nèi)部電極相對，所述第4中間內(nèi)部電極，與所述第4內(nèi)部電極以及所述第3中間 內(nèi)部電極相對。
4. 如權(quán)利要求l所述的層疊電容器，其特征在于所述第2內(nèi)部電極群，作為所述至少一個中間內(nèi)部電極，具有第2 第4中間內(nèi)部電極，所述第2中間內(nèi)部電極，與所述第3內(nèi)部電極以及所述第3中間 內(nèi)部電極相對，所述第4中間內(nèi)部電極，與所述第4內(nèi)部電極以及所述第3中間 內(nèi)部電極相對。
5. 如權(quán)利要求1所述的層疊電容器，其特征在于在所述第2內(nèi)部電極群中包含兩種內(nèi)部電極群，分別是具有第1 中間內(nèi)部電極的內(nèi)部電極群，和具有第2 第4中間內(nèi)部電極的內(nèi)部電極群，所述第1中間內(nèi)部電極，與所述第3以及第4內(nèi)部電極相對， 所述第2中間內(nèi)部電極，與所述第3內(nèi)部電極以及所述第3中間 內(nèi)部電極相對，所述第4中間內(nèi)部電極，與所述第4內(nèi)部電極以及所述第3中間 內(nèi)部電極相對。
6. 如權(quán)利要求1 5中任何一項(xiàng)所述的層疊電容器，其特征在于 所述第1內(nèi)部電極具有與所述第1端子電極連接的第1引出部， 所述第2內(nèi)部電極具有與所述第2端子電極連接的第2引出部， 所述第3內(nèi)部電極具有與所述第1端子電極連接的第3引出部， 所述第4內(nèi)部電極具有與所述第2端子電極連接的第4引出部， 所述第3以及第4引出部的寬度，比所述第1以及第2引出部的寬度大。
7. 如權(quán)利要求1 5中任何一項(xiàng)所述的層疊電容器，其特征在于 所述第1內(nèi)部電極具有與所述第1端子電極連接的第1引出部， 所述第2內(nèi)部電極具有與所述第2端子電極連接的第2引出部， 所述第3內(nèi)部電極具有與所述第1端子電極連接的第3引出部， 所述第4內(nèi)部電極具有與所述第2端子電極連接的第4引出部， 所述第3引出部與第4引出部的距離，比所述第1引出部與第2引出部的距離小。3
8. 如權(quán)利要求1 5中任何一項(xiàng)所述的層疊電容器，其特征在于: 所述第1以及第2內(nèi)部電極群，在所述電容器素體內(nèi)，沿著所述多個絕緣體層的層疊方向配置。
9. 如權(quán)利要求1 5中任何一項(xiàng)所述的層疊電容器，其特征在于 配置有所述第1以及第2端子電極的所述外表面，構(gòu)成相對其它部件的安裝面。
全文摘要
本發(fā)明的層疊電容器，具備電容器素體，層疊有多個絕緣體層；第1及第2端子電極，配置在電容器素體的外表面中在與多個絕緣體層的層疊方向平行的方向上延伸的一個外表面上；第1內(nèi)部電極群，具有與第1端子電極連接的第1內(nèi)部電極，和與第2端子電極連接的第2內(nèi)部電極；第2內(nèi)部電極群，具有與第1端子電極連接的第3內(nèi)部電極，與第2端子電極連接的第4內(nèi)部電極，不與第1及第2端子電極連接的至少一個中間內(nèi)部電極，第1及第2內(nèi)部電極，以在第1及第2內(nèi)部電極之間以形成一個靜電容量成分的方式，夾持絕緣體層而配置，第3及第4內(nèi)部電極，和中間內(nèi)部電極，以在第3及第4內(nèi)部電極之間形成多個靜電容量成分的方式，夾持絕緣體層而配置。
文檔編號H01G4/005GK101345134SQ20081012803
公開日2009年1月14日 申請日期2008年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月9日
發(fā)明者富樫正明 申請人:Tdk株式會社