專利名稱：：具有有多個(gè)自由層的薄疊層與厚偏磁層的磁場探測元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及磁場探測元件及其制造方法，尤其涉及一種具有多個(gè)自由層的磁場探測元件的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：作為薄膜磁頭的重放元件，GMR(巨磁致阻抗)元件是己知的。迄今為止，主要使用CIP(面內(nèi)電流(CurrentInPlane))—GMR元件，其中傳感電流(sensecurrent)在水平于元件的薄膜表面的方向上流動(dòng)。不過，近年來，為了應(yīng)付更高密度的記錄，已經(jīng)開發(fā)這樣的元件，其中傳感電流在垂直于元件的薄膜表面的方向上流動(dòng)。利用TMR(隧道磁阻(TunnelMagneto—Resistance))效應(yīng)的TMR元件和利用GMR效應(yīng)的CPP(垂直于平面的電流)元件是已知的屬于這種類型的元件。特別地，CPP元件具有高電勢，因?yàn)榕cTMR元件相比它具有低阻抗且因?yàn)榕cCIP元件相比即使是對于窄磁道寬度它也表現(xiàn)出高輸出。CPP元件包括疊層，該疊層具有磁化方向根據(jù)外部磁場而改變的磁層(自由層)，其磁化方向相對于外部磁場固定不變的磁層(固定層(pinnedlayer)),以及夾在固定層和自由層之間的非磁中間層。該疊層也稱為自旋閥(spin—valve)薄膜。在自旋閥薄膜的關(guān)于磁道寬度方向的兩側(cè)上，都設(shè)置了用于施加偏磁場至自由層的偏磁層。自由層通過從偏磁層發(fā)射的偏磁場磁化成單磁態(tài)。這提供了阻抗的改變相對于外部磁場的變化的線性度的改善以及Barkhausen噪聲的有效減小。自由層的磁化方向與固定層的磁化方向之間的相對角度根據(jù)外部磁場而改變，結(jié)果，在垂直于自旋閥薄膜的薄膜表面的方向上流動(dòng)的傳感電流的阻抗被改變。通過利用該特性，檢測外部磁化。自旋閥薄膜通過其關(guān)于堆疊方向的兩側(cè)的屏蔽層(shieldlayer)被磁屏蔽。當(dāng)薄膜磁頭結(jié)合到硬盤驅(qū)動(dòng)器中時(shí)，自旋閥薄膜的堆疊方向?qū)?yīng)于記錄介質(zhì)的圓周方向。因此，屏蔽層具有屏蔽從記錄介質(zhì)的相同軌道上的相鄰比特(bit)發(fā)射的磁場的功能。近年來，想要更高的磁道記錄密度。不過，磁道記錄密度的提高需要減小上下屏蔽層之間的間距(屏蔽之間的間隔)。為了實(shí)現(xiàn)此要求，需要減少自旋閥薄膜的厚度。不過，存在由常規(guī)CPP元件中的層結(jié)構(gòu)造成的很大限制。具體而言，由于固定層要求將磁化方向牢牢地固定而不受到外部磁場的影響，因此通常使用所謂合成固定層。該合成固定層包括外固定層，內(nèi)固定層和由Ru或Rh構(gòu)成并夾在外固定層和內(nèi)固定層之間的非磁中間層。此外，反鐵磁層設(shè)置成與外固定層相接觸以便固定外固定層的磁化方向。反鐵磁層通常由IrMn構(gòu)成。在合成固定層中，反鐵磁層經(jīng)由交換一耦合而耦合到外固定層從而固定外固定層的磁化方向。內(nèi)固定層經(jīng)由非磁中間層反鐵磁性地耦合到外固定層從而固定內(nèi)固定層的磁化方向。由于內(nèi)固定層與外固定層的磁化方向彼此反平行(anti-parallel)，因此固定層的磁化被限制為一個(gè)整體。不過，盡管合成固定層有這種優(yōu)點(diǎn)，但需要大量的層來構(gòu)成包括合成固定層的CPP元件。這對減小自旋閥薄膜的厚度造成了限制。其間，近年來已經(jīng)提出了完全不同于上述傳統(tǒng)自旋閥薄膜的新的層結(jié)豐勾。在"Current-in畫PIaneGMRTrilayerHeadDesignforHard-DiskDrives"(IEEETRANSACTIONSONMAGNETICS,Vol.43，No.2，2007年2月)中，披露了一種用于CIP元件的疊層，包括兩個(gè)自由層和夾在自由層之間的非磁中間層。自由層的每一個(gè)磁化方向根據(jù)外部磁場而改變。在疊層的與氣浮表面(airbearingsurface)相反的一側(cè)上設(shè)有偏磁層，且在垂直于氣浮表面的方向上施加偏磁場。由于從偏磁層施加的磁場的原因，兩個(gè)自由層的磁化方向上采取某個(gè)相對角度。如果在這種情況下施加外部磁場，那么就改變了兩個(gè)自由層的磁化方向。結(jié)果，改變了兩個(gè)自由層的磁化方向之間的相對角度，并且由此，改變了傳感電流的阻抗。通過利用這種特性，有可能檢測外部磁場。此外，在美國專利No.7035062中，披露了一個(gè)例子，其中這種層結(jié)構(gòu)應(yīng)用到CPP元件。這種利用兩個(gè)自由層的層結(jié)構(gòu)具有有助于減小屏蔽層之間的間隔的潛力，因?yàn)樗恍枰獋鹘y(tǒng)的合成固定層和反鐵磁層，能夠?qū)崿F(xiàn)簡化的層結(jié)構(gòu)。不過，這種使用兩個(gè)自由層的疊層具有以下所述的問題。首先，當(dāng)疊層厚度減少時(shí)，偏磁層的厚度根據(jù)疊層厚度的減少而一起減少。其次，因?yàn)槠艑觾H面向疊層的一個(gè)表面設(shè)置，這不同于常規(guī)技術(shù)，因此磁場自身易于分散，且難以將磁場有效地施加到自由層。為此，難以確保用于將自由層磁化為單個(gè)磁疇(magneticdomain)所必需的偏磁層的磁場密度。為解決該問題，必須確保偏磁層的厚度。不過，如果以這樣的方式來確定疊層厚度，使其對應(yīng)于偏磁層的厚度，則不能指望屏蔽部分之間的間隔有很大的減小。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及一種具有層結(jié)構(gòu)的CPP型磁場探測元件，該層結(jié)構(gòu)包括具有多于一個(gè)的自由層的疊層，并且當(dāng)從氣浮表面看時(shí)，該層結(jié)構(gòu)在所述疊層的背面上具有偏磁層。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有上述層結(jié)構(gòu)的磁場探測元件，該層結(jié)構(gòu)能夠施加充分的偏磁場到自由層上，并能夠減小屏蔽部分之間的間隔。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種制造這種磁場探測元件的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種磁場探測元件包括包括上磁層、下磁層和夾在所述上磁層與所述下磁層之間的非磁中間層的疊層，其中所述上磁層和所述下磁層的磁化方向根據(jù)外部磁場而改變；上屏蔽電極層和下屏蔽電極層，它們被設(shè)置為在所述疊層的堆疊方向上將所述疊層夾在其間，其中所述上屏蔽電極層和所述下屏蔽電極層提供堆疊方向上的傳感電流并磁性地屏蔽所述疊層；設(shè)置在所述疊層表面上的偏磁層，所述表面與所述疊層的氣浮表面相反，其中所述偏磁層在垂直于氣浮表面的方向上施加偏磁場到所述上磁層和到所述下磁層；和設(shè)置在所述疊層的關(guān)于其磁道寬度方向的兩側(cè)上的絕緣膜。該偏磁層具有大于所述疊層的厚度，且所述上屏蔽電極層和/或所述下屏蔽電極層包括填充階形部分的輔助屏蔽層，該階形部分由所述疊層和所述偏磁層形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以排除在疊層中設(shè)置反鐵磁層和合成固定層的需求，并有助于減小疊層的厚度。另一方面，偏磁層的厚度能夠獨(dú)立于疊層厚度設(shè)定成對于施加所需的偏磁場所必需的厚度。結(jié)果，偏磁層的厚度大于疊層厚度，且階形部分可形成在偏磁層與疊層之間。不過，由于輔助屏蔽層在階梯部分處形成，因此從記錄介質(zhì)的同一磁道上的相鄰比特發(fā)射的磁場可被有效地屏蔽。這樣，有可能在減小屏蔽部分之間的間隔的同時(shí)施加充分的偏磁場至自由層，從而提供易于應(yīng)付高磁道記錄密度的磁場探測元件。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，一種制造磁場探測元件的方法，包括形成疊層的步驟，該步驟包括在下屏蔽電極層上形成疊層，其中所述疊層包括其磁化方向根據(jù)外部磁場而改變的下磁層、非磁中間層和其磁化方向根據(jù)外部磁場而變化的上磁層，所述下磁層、所述非磁中間層和所述上磁層依次堆疊；絕緣膜形成步驟，該步驟包括除了垂直于將作為氣浮表面的平面延伸的第一部分以外，除去所述疊層，并以絕緣膜填充被除去的所述疊層部分；在所述絕緣膜上和所述第一部分上形成輔助屏蔽層的步驟；偏磁層形成步驟，該步驟包括除去所述輔助屏蔽層、所述疊層和除了平行于將作為氣浮表面的平面延伸的第二部分以外的至少一部分所述下屏蔽電極層，以及用偏磁層填充一部分被除去部分；以及在所述上輔助屏蔽層上和在所述偏磁層上形成上屏蔽電極層以使所述上屏蔽電極層與所述輔助屏蔽層結(jié)合。通過關(guān)于圖解說明本發(fā)明例子的下列描述，本發(fā)明的以上和其他目標(biāo)、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得清晰。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁場探測元件的概念性透視圖2A是從圖1的2A—2A方向看時(shí)磁場探測元件的橫截面圖2B是沿圖1所示的2B—2B線剖開得到的磁場探測元件的橫截面圖2C是沿圖2A所示的線2C—2C剖開得到的橫截面圖3是表示圖1中所示的磁場探測元件的工作原理的概念圖4是解釋制造圖1中所示的磁場探測元件的方法的流程圖5A至13C是解釋制造圖1中所示的磁場探測元件的方法的步驟圖14是具有底切(undercut)的抗蝕劑的橫截面圖15是表示偏磁層的厚度/屏蔽部分之間的間隔的比例與輸出之間的關(guān)系的圖表；圖16A和16B是比較例的橫截面圖，其中偏磁層關(guān)于堆疊方向以不同的高程(elevation)定位；圖17是表示偏磁層的高程與輸出之間的關(guān)系的圖表；圖18是用來制造本發(fā)明的磁場探測元件的晶片的平面圖19是本發(fā)明的滑觸頭(slider)的透視圖20是包括結(jié)合了本發(fā)明的滑觸頭的磁頭平衡架組件的磁頭臂組件的透視圖21是結(jié)合了本發(fā)明的滑觸頭的磁頭臂組件的側(cè)視圖；以及圖22是結(jié)合了本發(fā)明的滑觸頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器的平面圖。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考本發(fā)明的實(shí)施例。本實(shí)施例的磁場探測元件尤其適于用作硬盤驅(qū)動(dòng)器的薄膜磁頭的讀出磁頭部分。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁場探測元件的概念性透視圖。圖2A是從圖1的2A—2A方向看，即從氣浮表面看時(shí)磁場探測元件的橫截面圖。圖2B是沿圖1所示的2B—2B線剖開得到的磁場探測元件的橫截面圖。圖2C是沿圖2A所示的線2C一2C剖開得到的橫截面圖。氣浮表面是指磁場探測元件1的面向記錄介質(zhì)21的表面。磁場探測元件1包括疊層2、上屏蔽電極層3和下屏蔽電極層4，它們這樣設(shè)置，以使得它們在堆疊方向上夾住疊層2;設(shè)置在疊層2的與氣浮表面S相反的表面上的偏磁層13，以及關(guān)于磁道寬度方向T設(shè)置在疊層2的兩側(cè)上的絕緣膜15。疊層2夾在上屏蔽電極層3和下屏蔽電極層4之間，其中疊層的頂端暴露于氣浮表面S。疊層2這樣來調(diào)整，使得當(dāng)在上屏蔽電極層3與下屏蔽電極層4之間施加電壓時(shí)引起傳感電流22在垂直于膜表面的方向P上流動(dòng)。記錄介質(zhì)21的在面向疊層2的位置處的磁場根據(jù)記錄介質(zhì)21在運(yùn)動(dòng)方向23上的運(yùn)動(dòng)而改變。磁場的改變作為阻抗的變化來檢測，該變化是由磁阻效應(yīng)引起的?；谠撛?，磁場探測元件1讀取記錄在記錄介質(zhì)21的每一個(gè)磁疇中的磁信息。疊層2的層結(jié)構(gòu)的例子如表1所示。在該表中，層以堆疊的順序表示，從底欄中的緩沖層5開始，其在下屏蔽電極層4的一側(cè)上，向著頂欄中的保護(hù)層9，其在上屏蔽電極層3的一側(cè)上。在表1中，"成分"列中的數(shù)字表示元素的原子分?jǐn)?shù)。疊層2具有包括緩沖層5、下磁層6、導(dǎo)電非磁中間層7、上磁層8和保護(hù)層9的層結(jié)構(gòu)，這些層依次堆疊在下屏蔽電極層4上，該層由具有大約lpm的厚度的80Ni20Fe層構(gòu)成。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>緩沖層5設(shè)置為用于下磁層6的基礎(chǔ)層(seedlayer)。下磁層6和上磁層8是磁化方向根據(jù)外部磁場而改變的磁層，其具有這樣的層結(jié)構(gòu)，其中NiFe層被CoFe層夾住。非磁中間層7由Cu制成。非磁中間層7的Cu層的厚度為I.3nm。在該厚度Cu呈現(xiàn)最大的結(jié)合能(bindingenergy)，使得下磁層6和上磁層8通過反鐵磁耦合強(qiáng)有力地磁耦合。通過在下磁層6和上磁層8中設(shè)置CoFe層，與其中Cu層和NiFe層直接接觸的層結(jié)構(gòu)相比，在Cu層的界面處自旋偏振因子增大，從而提高了磁阻效應(yīng)。代替表1中所示的層結(jié)構(gòu)，由Co70Fe30層組成的單層結(jié)構(gòu)可用于下磁層6和/或上磁層8。保護(hù)層9設(shè)置用來防止形成在下面的層劣化。在保護(hù)層9上，形成了由具有大約lpm厚度的80Ni20Fe層構(gòu)成的上屏蔽電極層3。上屏蔽電極層3和下屏蔽電極層4起到在堆疊方向P上提供傳感電流至疊層2的電極的作用并且還起到屏蔽從記錄介質(zhì)21的同一磁道上的相鄰比特發(fā)射的磁場的屏蔽層的作用，如上所述。當(dāng)從氣浮表面看時(shí)位于疊層2的背面上的部分的層結(jié)構(gòu)的例子如表2所示。在表中，層按堆疊順序表示，從底欄中底絕緣層11向著頂欄的保護(hù)層14堆疊。在表2中，"成分"列中的數(shù)字表示元素的原子分?jǐn)?shù)。偏磁層13這樣設(shè)置，以使得它面向疊層2的與氣浮表面S相反的表面。偏磁層13在垂直于氣浮表面S的方向上施加偏磁場至疊層2，特別是上磁層8和下磁層6。偏磁層13形成在基礎(chǔ)層12上以便確保作為偏磁層的良好的磁性(高矯頑力和矩形比例)。由Al203層構(gòu)成的絕緣層11形成在基礎(chǔ)層12與疊層2之間。如圖2B所示，絕緣層11也形成在疊層2的側(cè)表面上以便防止傳感電流22在偏磁層13中流動(dòng)。由Cr層、入1203層和Ti層組成的保護(hù)層14設(shè)置在偏磁層13上。類似于基礎(chǔ)層12，Cr層設(shè)置來確保良好的磁性。八1203層設(shè)置來防止傳感電流22在偏磁層13中流動(dòng)。Ti層設(shè)置來確保上屏蔽電極層3的充分接觸。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>由Al203層構(gòu)成的絕緣層15關(guān)于磁道寬度方向T設(shè)置在疊層2的兩側(cè)上。絕緣層15還用來防止傳感電流22在偏磁層13中流動(dòng)。圖3是表示本實(shí)施例的磁場探測元件的工作原理的概念圖。橫坐標(biāo)表示外部磁場的大小，而縱坐標(biāo)表示信號輸出。在圖中，上磁層8的磁化方向和下磁層6的磁化方向分別由FL1和FL2表示。當(dāng)從偏磁層13發(fā)射的偏磁場和從記錄介質(zhì)21發(fā)射的外部磁場都不存在時(shí)，上磁層8的磁化方向和下磁層6的磁化方向由于上述的反鐵磁耦合(圖中的A)的原因彼此反平行。不過，由于實(shí)際上施加了偏磁場，因此上磁層8的磁化方向和下磁層6的磁化方向從反平行狀態(tài)向著平行狀態(tài)旋轉(zhuǎn)，達(dá)到反平行狀態(tài)與初始磁化狀態(tài)(僅施加偏磁場的狀態(tài))(圖中的B)下的平行狀態(tài)之間的中間狀態(tài)。當(dāng)在該狀態(tài)下從記錄介質(zhì)21施加外部磁場時(shí)，上磁層8的磁化方向與下磁層6的磁化方向之間的相對角度根據(jù)磁場的方向增大(接近反平行狀態(tài)的狀態(tài))或減小(接近平行狀態(tài)的狀態(tài))。如果狀態(tài)變得接近于反平行狀態(tài)，那么從電極發(fā)射的電子易于擴(kuò)散，導(dǎo)致傳感電流的阻抗增大。如果狀態(tài)接近于平行狀態(tài)，那么從電極發(fā)射的電子不易擴(kuò)散，導(dǎo)致傳感電流的阻抗減小。這樣，通過利用上磁層8的磁化方向與下磁層6的磁化方向之間的相對角度的變化，能夠探測外部磁場。在本實(shí)施例中，作為調(diào)整偏磁層13的厚度、結(jié)構(gòu)等的結(jié)果，在初始磁化狀態(tài)(圖3中的B)下，上磁層8的磁化方向與下磁層6的磁化方向大致彼此垂直。因?yàn)榇呕较蛟诔跏即呕癄顟B(tài)下彼此垂直，可獲得相對于外部磁場變化的輸出的大的變化，以及由此引起的磁阻的大的變化，并可獲得良好的不對稱性。如果偏磁場不足，那么初始磁化狀態(tài)變得接近于反平行狀態(tài)(圖3中的A)，導(dǎo)致低輸出和大的不對稱性。類似地，如果偏磁場過大，那么初始磁化狀態(tài)變得接近于平行狀態(tài)(圖3中的C)，導(dǎo)致低輸出和大的不對稱性。如表1和2所示，偏磁層13具有30nm的厚度，疊層2具有17.3nm的厚度。換句話說，偏磁層13具有大于疊層2的厚度。這是大大不同于傳統(tǒng)CPP元件的特征。在傳統(tǒng)CPP元件中，設(shè)置在自旋閥膜的關(guān)于磁道寬度方向的兩側(cè)上的偏磁層的厚度被確定，以使得它對應(yīng)于自旋閥膜的厚度。當(dāng)必需的層被布置以使得它們具有必要的厚度時(shí)，對應(yīng)于本實(shí)施例的疊層2的傳統(tǒng)的自旋閥膜，具有30至40nm的厚度。由于為確保預(yù)定偏磁場所必需的偏磁層的最小厚度為大約30nm，因此確保了偏磁層的最小必需厚度。但是，在本實(shí)施例中，由于疊層2的結(jié)構(gòu)大大簡化了，因此厚度可以很大程度地減少。為此，在本實(shí)施例中，偏磁層13的厚度獨(dú)立于疊層2來設(shè)定，以使得確保必需的偏磁場。結(jié)果，如圖2B所示，上階形部分16a和下階形部分16b分別由疊層2和在疊層2的上下部分處的偏磁層13形成。在本實(shí)施例中，上輔助屏蔽層3b和下輔助屏蔽層4b設(shè)置來分別填充這些階形部分16a、16b。換句話說，上屏蔽電極層3包括基本部分3a和從基本部分3a關(guān)于堆疊方向向下突出的上輔助屏蔽層3b，而下屏蔽電極層4包括基本部分4a和從基本部分4a關(guān)于堆疊方向向上突出的下輔助屏蔽層4b。上輔助屏蔽層3b與基本部分3a相結(jié)合，并且磁耦合到基本部分3a。下輔助屏蔽層4b也與基本部分4a相結(jié)合，并磁耦合到基本部分4a。基本部分3a在疊層2和偏磁層13之上在垂直于氣浮表面S的方向上延伸。上輔助屏蔽層3b的長度基本上對應(yīng)于疊層2的高度H(在垂直于氣浮表面S的方向上測量的長度)，上輔助屏蔽層3b終止在與偏磁層13相接觸的位置處。對于下輔助屏蔽層4b也一樣。由于上輔助屏蔽層3b和下輔助屏蔽層4b分別構(gòu)成了上屏蔽電極層3與下屏蔽電極層4的一部分，因此它們起到施加傳感電流的電極的作用，以及起到用于屏蔽從記錄介質(zhì)21的同一磁道上的相鄰比特發(fā)射的磁場的屏蔽層的作用。即，當(dāng)從記錄介質(zhì)看磁場探測元件1時(shí)，疊層2被上輔助屏蔽層3b和下輔助屏蔽層4b包圍，如圖2A所示。這樣，上輔助屏蔽層3b和下輔助屏蔽層4b確定了磁場探測元件1的屏蔽部分之間的實(shí)際間隔G。參考圖2B，偏磁層13的高程h2對應(yīng)于高程hl，該高程h2是在堆疊方向上測量的偏磁層13的中點(diǎn)的高程，該高程hl與上磁層8的高程h8和下磁層6的高程h6等距，該高程h8是在堆疊方向上測量的上磁層8的中點(diǎn)的高程，該高程h6是在堆疊方向上測量的下磁層6的中點(diǎn)的高程。即，由于上磁層8和下磁層6這樣布置，使得它們關(guān)于偏磁層13的中點(diǎn)互相對稱，因此基本上相同大小的偏磁場施加到上磁層8和下磁層6，導(dǎo)致磁場探測元件的線性度的改善。上輔助屏蔽層3b以平面形狀在絕緣膜15上延伸。因此，防止在上輔助屏蔽層3b中形成磁極以及不必要的磁場施加。此外，因?yàn)樯陷o助屏蔽層3b的平面結(jié)構(gòu)，所以由于形狀各向異性效應(yīng)的原因上輔助屏蔽層3b的磁化方向傾向于指向磁道寬度方向。這使得易于確保滲透性，以及提高上輔助屏蔽層3b作為屏蔽層的功能。應(yīng)該指出，在一個(gè)實(shí)施例中，僅上屏蔽電極層或僅下屏蔽電極層包括上輔助屏蔽層3b或下輔助屏蔽層4b。g卩，上屏蔽電極層或下屏蔽電極層可具有平面形狀。在本發(fā)明的磁場探測元件中，疊層2僅由功能上要求具有必要的厚度的各堆疊層組成，如上所述。結(jié)果，反鐵磁層和外固定層是不必要的，使得與傳統(tǒng)CPP元件的自旋閥膜相比，其厚度顯著減少。另一方面，能夠獨(dú)立于疊層2來確定功能上要求的偏磁層13的厚度。此外，由于上輔助屏蔽層3b和下輔助屏蔽層4b在階形部分處形成，所述階形部分來自于這樣的結(jié)構(gòu)其中疊層2的厚度小于偏磁層13的厚度，疊層2的厚度的減少直接反映在屏蔽部分之間的間隔的減少。這樣，有可能在確保必要的偏磁場的同時(shí)實(shí)現(xiàn)屏蔽部分之間的間隔減少。此外，在傳統(tǒng)CPP元件中，僅合成固定層的內(nèi)固定層直接對磁阻的改變作出貢獻(xiàn)。外固定層和反鐵磁層不對磁阻的改變作貢獻(xiàn)，而是造成妨礙磁阻比例的改善的原因。但是，在本實(shí)施例中，由于外固定層和反鐵磁層是不必要的，因此，減小了寄生電阻，有很大的潛力進(jìn)一步改善磁阻比例?，F(xiàn)在參考圖4和圖5A至13C的流程圖說明以上提及的磁場探測元件的制造方法。圖5A，6A…13A表示沿將作為氣浮表面的平面剖開得到的橫截面圖，圖5B,6B…13B表示沿垂直于氣浮表面的平面剖開得到的橫截面圖，而圖5C,6C…,13C是晶片的頂視圖。圖5B，6B,…，13B中的橫截面的位置分別表示在圖5A,6A,…，13A中。(步驟S1)首先，通過電鍍工藝制備下屏蔽電極層4。其次，如圖5A至5C所示，疊層2通過濺射形成在下屏蔽電極層4上(疊層形成步驟)。如上所述，疊層2包括其磁化方向根據(jù)外部磁場而改變的下磁層6，導(dǎo)電的非磁中間層7和其磁化方向根據(jù)外部磁場而改變的上磁層8。關(guān)于堆疊方向處在下側(cè)上的下磁層6、非磁中間層7和關(guān)于堆疊方向處在上側(cè)上的上磁層8依次包括在疊層2中。當(dāng)實(shí)施沉積時(shí)，包括由Ru層構(gòu)成的保護(hù)層9的疊層2還包括Ta層18(厚度2nm)。Ta層18形成在Ru層上，作為保護(hù)層9的一部分。Ta層18起到在后續(xù)步驟中平面化絕緣膜15時(shí)作為疊層2的保護(hù)層的作用。(步驟S2)下一步，除了具有垂直于將作為氣浮表面的平面延伸的軸線的第一部分以外，除去疊層2，且被除去的部分以絕緣層來填充(絕緣層形成步驟)。具體而言，如圖6A至6C所示，抗蝕劑19在Ta層18上沉積，然后以預(yù)定形狀形成。然后，利用抗蝕劑19作為掩膜，除了垂直于將作為氣浮表面的平面S'延伸的細(xì)長的第一部分20以外，除去疊層2。抗蝕劑19優(yōu)選地不具有底切(undercut)。圖14表示包括底切的抗蝕劑的橫截面圖。如果包括底切19a，那么很難通過研磨使疊層2形成峭壁的形狀。結(jié)果，易于形成具有下側(cè)相對于上側(cè)的比例增大的橫截面的第一部分20，，如圖中的虛線所示。傳統(tǒng)上，考慮到有助于提升(lift-off),可形成具有底切的抗蝕劑。不過，在本實(shí)施例中，使用不包括這種底切的抗蝕劑形狀以使得盡可能以相同的形狀形成下磁層6和上磁層8。如果它們以相同的形狀形成，那么能獲得相同的磁性。這對于用作磁場探測元件的性能是理想的。之后，如圖7A至7C所示，由八1203構(gòu)成的絕緣膜15沉積在抗蝕劑19上和下屏蔽電極層4上。此外，如圖8A至8C所示，抗蝕劑19和絕緣膜15通過提升(lift-off)工藝除去。優(yōu)選的是絕緣膜15被平面化從而絕緣膜15的上表面與疊層2(第一部分20)的上表面齊平。平面化的一個(gè)原因是為了在后續(xù)步驟以平面形態(tài)形成上輔助屏蔽層3b。另一個(gè)原因是除去提升工藝中抗蝕劑19與第一部分20的上表面之間可能出現(xiàn)的毛刺。如上所述，與設(shè)置了底切19a的結(jié)構(gòu)相比，毛刺易于在提升工藝中出現(xiàn)，因?yàn)樵诳刮g劑19中沒有設(shè)置底切19a。平面化可以通過例如化學(xué)機(jī)械拋光工藝(CMP工藝)來實(shí)現(xiàn)。由于絕緣膜15中使用的Al203很好地匹配于CMP工藝，因此絕緣膜15被拋光成平面形態(tài)。Ta層18為硬的材料，用來在拋光工藝中保護(hù)疊層2。(步驟3)下一步，如圖9A至9C所示，通過濺射工藝在絕緣膜15上和第一部分20上形成上輔助屏蔽層3b。上輔助屏蔽層3b的厚度取決于偏磁層13的厚度。應(yīng)該指出的是在形成上輔助屏蔽層3b之前通過濺射工藝除去Ta層18。(步驟4)下一步，除了具有平行于將作為氣浮表面的平面延伸的軸線的第二部分以外，除去上輔助屏蔽層3b、疊層2和一部分下屏蔽電極層4，且被除去部分的一部分以偏磁層13來填充(偏磁層形成步驟)。首先，如圖10A至10C所示，在上輔助屏蔽層3b上形成抗蝕劑31，且然后使抗蝕劑31形成為預(yù)定形狀。抗蝕劑31優(yōu)選地不包括底切，類似于抗蝕劑19。原因與抗蝕劑19的情況相同。結(jié)果，疊層2的三個(gè)側(cè)面形成峭壁的形狀，這三個(gè)側(cè)面為疊層2的關(guān)于磁道寬度方向的兩側(cè)和與氣浮表面S相反的表面。然后，如圖UA至11C所示，利用抗蝕劑31作為掩膜，除了具有平行于作為氣浮表面的平面S'延伸的軸線的第二部分22以外，通過研磨除去上輔助屏蔽層3b、疊層2和下屏蔽電極層4。下屏蔽電極層4的研磨深度取決于偏磁層13的厚度。研磨的結(jié)果是，形成包括基本部分4a和下輔助屏蔽層4b的下屏蔽電極層4。如果需要，可以執(zhí)行研磨直至下屏蔽電極層4的底表面。之后，如圖12A至12C所示，沉積絕緣層11、基礎(chǔ)層12、偏磁層13和保護(hù)層14(基礎(chǔ)層12沒有示出)。絕緣層11和基礎(chǔ)層12通過離子束濺射(ion-beamsputtering)工藝形成。絕緣層11以大約40度的相對低的角度沉積以使得它牢固地附著到疊層2的側(cè)壁上以確保電絕緣。代替離子束濺射工藝，也可以使用低溫CVD(化學(xué)汽相沉積)。絕緣層11的厚度可以為大約5nm，但優(yōu)選地為大約7nm以便確保絕緣性能。在本實(shí)施例中，偏磁層13這樣形成，以使得其中點(diǎn)的高程對應(yīng)于從上磁層的中點(diǎn)和下磁層的中點(diǎn)等距的高程。如圖12B所示，形成在上輔助屏蔽層3b的側(cè)表面上的偏磁層13的高度優(yōu)選地限定為近似上輔助屏蔽層3b的高度。如后所述，偏磁層3必須形成為確保預(yù)定的厚度。但是，如果偏磁層13形成為高度超過上輔助屏蔽層3b,那么在偏磁層13與上輔助屏蔽層3b之間會(huì)出現(xiàn)階形部分。這使得難以平面化，導(dǎo)致偏磁層13出現(xiàn)非常不穩(wěn)定的形狀。在沉積直到保護(hù)層14的層之后，通過提升工藝除去抗蝕劑31。除去抗蝕劑31之后，通過極輕的CMP除去毛刺以使表面平面化。(步驟S5)下一步，如圖13A至13C所示，上屏蔽電極層3的基本部分3a形成在上輔助屏蔽層3b和保護(hù)層14之上。具體而言，用來通過電鍍形成基本部分3a的、具有大約50nm厚度的電極膜(未示出)通過濺射工藝形成，然后基本部分3a通過電鍍工藝形成在其上。于是，形成了包括基本部分3a和輔助屏蔽層3b的上屏蔽電極層3。之后，形成寫入磁頭部分，然后晶片被切成條狀，且通過拋光形成氣浮層。此外，每一條都分成滑觸頭，且在經(jīng)受處理比如清潔和檢驗(yàn)后滑觸頭完成。下面，將說明傳統(tǒng)CPP元件與作為實(shí)施例的根據(jù)本發(fā)明的磁場探測元件之間的比較。使用如上面提到的實(shí)施例中的表1和表2中所示的相同層結(jié)構(gòu)作為示例實(shí)施例，且元件尺寸設(shè)定為在磁道寬度方向上和在MR高度方向上都設(shè)定為0.05pm。在表3中，表示了比較例的CPP元件的層結(jié)構(gòu)。盡管自由層是單一層，但層結(jié)構(gòu)中的其他部分形成為盡可能相似。為了提高界面處的由自旋而定的散射效應(yīng)，Cu中間層被插入固定層。內(nèi)固定層具有4.4nm的厚度，其基本上與自由層的厚度相等。作為反鐵磁層，使用具有7nm厚度的IrMn層。由于使用合成固定層，所以外固定層和反鐵磁層增大了總厚度。在自旋閥膜的關(guān)于磁道寬度方向上的兩側(cè)上，經(jīng)由具有7nm厚度的八1203層和具有3nm厚度的Cr基礎(chǔ)層形成具有30nm的厚度的CoPt層作為偏磁層。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>比較例的自旋閥膜的總厚度為39.7mn，其為比示例實(shí)施例的磁場探測元件的厚度大兩倍或兩倍以上。因此，屏蔽部分之間的間隔也比示例實(shí)施例的磁場探測元件大兩倍或兩倍以上。另一方面，實(shí)施例與比較例的磁阻比例都被發(fā)現(xiàn)為大約5%。在比較例中，使用具有很大的體散射效應(yīng)(bulkscatteringeffect)的50Co50Fe，并且在CoFe層中插入Cu層以便提高邊界散射效應(yīng)，而反鐵磁層與外固定層的寄生阻抗增加。因此，認(rèn)為兩者的效果互相抵償，由此獲得了相似大小的磁阻比例。下一步，比較上述實(shí)施例和比較例的電磁轉(zhuǎn)換特性。當(dāng)實(shí)施測量時(shí)施加100mV的電壓。實(shí)施例的元件阻抗(MRR)和比較例的元件阻抗被發(fā)現(xiàn)分別為17Q和22Q。因此，實(shí)施例的傳感電流與比較例的傳感電流分別為5.88mA和4.55mA。對于單獨(dú)的讀出脈沖的輸出與PW50的值如表4所示。PW50是再現(xiàn)波形的中值寬度，其定義為當(dāng)比較例的值設(shè)定為1時(shí)的相對值。PW50的小值意味著屏蔽部分之間的窄的間隔。因此，發(fā)現(xiàn)本實(shí)施例在確保輸出等于比較例的同時(shí)有助于實(shí)現(xiàn)大的磁道記錄密度。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>下面，研究偏磁層的厚度與輸出之間的關(guān)系。在實(shí)施例中所述的層結(jié)構(gòu)中的偏磁層的厚度在10nm至40nm之間的范圍內(nèi)變化以檢驗(yàn)對于輸出的影響。結(jié)果表示在表5和圖5中。如上所述，如果偏磁場不足，那么初始磁化狀態(tài)接近于反平行狀態(tài)且僅獲得低的輸出。另一方面，如果偏磁場過大，那么初始磁場狀態(tài)接近于平行狀態(tài)，僅獲得低的輸出。在本實(shí)施例中，偏磁層的優(yōu)化厚度為大約30nm，且偏磁層的厚度相對于屏蔽部分之間的間隔(疊層的厚度)的比例的優(yōu)選范圍為1.5至2。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>下面，研究偏磁層與疊層之間尤其是偏磁層與上下磁層之間的位置關(guān)系。圖2B中的偏磁層13的中點(diǎn)的高程h2關(guān)于疊層2相對變化。典型的比較例分別表示在圖16A中和圖16B中，在圖16A中上磁層8的上端與偏磁層13的上端齊平，在圖16B中下磁層6的下端與偏磁層13的下端齊平。假設(shè)偏磁層13的厚度的半值為X，高程差(W—h2)為Y，其中高程M與上磁層8的中點(diǎn)的高程h8和下磁層6的中點(diǎn)的高程h6等距(參見圖2B)，而高程h2是偏磁層13的中點(diǎn)的高程。Y/X是表示上磁層8與下磁層6有多靠近偏磁層13的中點(diǎn)的指數(shù)。如果上磁層8和下磁層6的厚度彼此相等，那么當(dāng)作為非磁中間層7的Cu層的中點(diǎn)對應(yīng)于偏磁層13的中點(diǎn)時(shí)，Y/X等于零。如果Cu層的中點(diǎn)對應(yīng)于偏磁層13的端面，Y/X等于1或-1。在圖16A，16B的情況下，Y/X等于((3011111-4.511111-0.6511111)-15nm)/15nm=0.66(或-0.66)。然后，改變Y/X以確定不對稱性的標(biāo)準(zhǔn)偏差(standarddeviation)(再現(xiàn)輸出波形的不對稱性的偏差)。使用不對稱性標(biāo)準(zhǔn)偏差的原因是在本發(fā)明中，重要的是將偏磁場均勻地從偏磁層13施加到上磁層8和下磁層6。大的不對稱性偏差表示在元件之中存在對于磁場的響應(yīng)的非線性度方面的大的波動(dòng)。圖17表示通過施加23850A/m(300Oe)的外部磁場測得的輸出波形的波形不對稱性的變化(標(biāo)準(zhǔn)偏差)。波形不對稱性定義為l在負(fù)磁場的輸出一在正磁場的輸出之間的差l/輸出x100.與Cu層的中點(diǎn)位于偏磁層13的上端的情況(圖16A的情況)相比，在Cu層的中點(diǎn)位于偏磁層13的下端附近的情況(圖16B的情況)下標(biāo)準(zhǔn)偏差較大。因此，與具有上屏蔽電極層3的厚的上輔助屏蔽層3b的結(jié)構(gòu)相比，具有下屏蔽電極層4的厚的下輔助屏蔽層4b的結(jié)構(gòu)(通過下屏蔽電極層4的深研磨獲得)提供了相對較好的結(jié)果。不過，在兩種情況下，Cu層的中點(diǎn)遠(yuǎn)離偏磁層13的中點(diǎn)的結(jié)構(gòu)從對稱的觀點(diǎn)來看是不理想的，因?yàn)槠艌霾粫?huì)均勻地施加到兩個(gè)磁層6和8上。理想的是偏磁層13的中點(diǎn)的高程h2對應(yīng)于高程hl，該高程hl與上磁層8的中點(diǎn)的高程h8和下磁層6的中點(diǎn)的高程h6等距，即Y/X二0，如上面提及的實(shí)施例所述。不過，如果滿足-0.5^Y/X￡0.5，那么能提供相對滿意的結(jié)果。認(rèn)為這是因?yàn)閅/X-士0.5對應(yīng)于拐點(diǎn)D，E。盡管以上詳細(xì)地闡述了本發(fā)明的磁場探測元件，但本發(fā)明不限于上述的實(shí)施方式和實(shí)施例。作為一個(gè)例子，每一磁層都包括兩個(gè)磁層和夾在其間的非磁中間層的層結(jié)構(gòu)也包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。表6表示這種實(shí)施方式的疊層的示例性層結(jié)構(gòu)。上下磁層的每一個(gè)都包括磁化方向根據(jù)外部磁場而變化的第一和第二磁層，以及夾在第一和第二磁層之間的非磁中間層。總疊層厚度為21.5nm。盡管從屏蔽部分之間的間隔的觀點(diǎn)來看，與上面提到的實(shí)施例相比稍微不利，但本發(fā)明的疊層充分優(yōu)于常規(guī)技術(shù)。因?yàn)榻缑嫣幍脑龃蟮脑?，這種多層結(jié)構(gòu)提供了磁阻比例的增大。在該層結(jié)構(gòu)中的磁阻比例被發(fā)現(xiàn)為6%。利用該層結(jié)構(gòu)測試制造的磁頭呈現(xiàn)出1.6mV的輸出。這種實(shí)施方式的磁場檢測元件也可根據(jù)磁頭所要求的規(guī)格來使用。下面，將要說明關(guān)于用于制造上述磁場探測元件的晶片。圖18是晶片的示意性平面圖。晶片ioo具有沉積在其上的疊層以形成至少磁場探測元件。晶片100被切成條101，條101用作形成氣浮表面ABS的工藝中的工作單元。研磨(lapping)以后，條101被切成包括薄膜磁頭的滑觸頭210。未示出的切開部設(shè)置在晶片100上以便將晶片100切成條101和滑觸頭210。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>參考圖19，滑觸頭210具有基本上六面體形狀?；|頭210的六個(gè)表面中的一個(gè)形成了氣浮表面ABS，其在與硬盤相對的位置。參考圖20，磁頭平衡架組件220具有滑觸頭210和用于彈性支撐滑觸頭210的懸架221。懸架221具有以片簧的形狀且由例如不銹鋼制成的負(fù)載梁222、連接到負(fù)載梁222的一端的彎曲部分223和設(shè)置在負(fù)載梁222的另一端的基板224?；|頭210固定到彎曲部分223以向滑觸頭210提供恰當(dāng)?shù)淖杂啥取；|頭210所連接到的彎曲部分223的那部分具有用于保持滑觸頭210為固定取向的平衡架部分?；|頭210布置成與硬盤驅(qū)動(dòng)器中的硬盤相對，所述硬盤是被旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)的盤形存儲(chǔ)介質(zhì)。當(dāng)硬盤在圖20所示的z方向上旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過硬盤與滑觸頭210之間的氣流產(chǎn)生動(dòng)態(tài)升力，其在y方向上向下施加到滑觸頭210。滑觸頭210構(gòu)造成由于該動(dòng)態(tài)升力作用從硬盤表面升起。磁場探測元件1形成在滑觸頭210的后緣(圖19中的左下處的端部)附近，這是氣流的出口一側(cè)。磁頭平衡架組件220連接到臂230的布置稱為磁頭臂組件221。臂230驅(qū)動(dòng)滑觸頭210在關(guān)于硬盤262的磁道的橫向x上運(yùn)動(dòng)。臂230的一端連接到基板224。線圈231構(gòu)成了音圈電動(dòng)機(jī)的一部分，并連接到臂230的另一端。在臂230的中間部分設(shè)置支承部233。臂230由連接到支承部的軸234可旋轉(zhuǎn)地支撐。臂230和驅(qū)動(dòng)臂230的音圈電動(dòng)機(jī)組成了致動(dòng)器。參考圖21和圖22，下面將解釋磁頭疊層組件和結(jié)合了上面提及的滑觸頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器。磁頭平衡架組件220連接到具有多個(gè)臂的支撐架的相應(yīng)臂的裝置被稱為磁頭疊層組件。圖21是磁頭疊層組件250的惻視圖，圖22是硬盤驅(qū)動(dòng)器的平面圖。磁頭疊層組件250具有設(shè)有多個(gè)臂252的支撐架251。磁頭平衡架組件220連接到臂252以使得磁頭平衡架組件220在垂直方向上彼此遠(yuǎn)離地布置。線圈253構(gòu)成了音圈電動(dòng)機(jī)的一部分，在與臂252相反的一側(cè)連接到支撐架251。音圈電動(dòng)機(jī)具有永磁體263，永磁體263布置在彼此相對的位置上，其間插入線圈253。參考圖22，磁頭疊層組件250安裝在硬盤驅(qū)動(dòng)器中。硬盤驅(qū)動(dòng)器具有連接到主軸電動(dòng)機(jī)261的多個(gè)硬盤。每一個(gè)硬盤262在彼此相對的位置處設(shè)置兩個(gè)滑觸頭210，且將硬盤262插入兩者之間。磁頭疊層組件250和致動(dòng)器，除了滑觸頭210以外，在本發(fā)明中起到定位裝置的作用。它們支撐滑觸頭210并起到使滑觸頭210相對于硬盤262定位的作用?；|頭210通過致動(dòng)器關(guān)于磁盤262的磁道在橫向方向上運(yùn)動(dòng)，并關(guān)于硬盤262定位。包括在滑觸頭210中的磁場探測元件1通過寫入磁頭部分將信息寫入硬盤262，并通過讀出磁頭部分讀取被記錄在硬盤262上的信息。盡管已經(jīng)表示和詳細(xì)說明了本發(fā)明的特定優(yōu)選實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是可以實(shí)施各種變化和修改而不會(huì)脫離所附的權(quán)利要求的主旨或范圍。權(quán)利要求1.一種磁場探測元件，包括包括上磁層、下磁層和夾在所述上磁層與所述下磁層之間的非磁中間層的疊層，其中所述上磁層和所述下磁層的磁化方向根據(jù)外部磁場而改變；上屏蔽電極層和下屏蔽電極層，所述上屏蔽電極層和下屏蔽電極層以下述方式設(shè)置它們在所述疊層的堆疊方向上將所述疊層夾在其間，其中所述上屏蔽電極層和所述下屏蔽電極層提供在堆疊方向上的傳感電流并磁性屏蔽所述疊層；設(shè)置在所述疊層表面上的偏磁層，所述表面與所述疊層的氣浮表面相反，其中所述偏磁層在垂直于氣浮表面的方向上施加偏磁場到所述上磁層和到所述下磁層；和設(shè)置在所述疊層的關(guān)于其磁道寬度方向的兩側(cè)上的絕緣膜，其中所述偏磁層具有大于所述疊層的厚度，且所述上屏蔽電極層和/或所述下屏蔽電極層包括填充階形部分的輔助屏蔽層，該階形部分由所述疊層和所述偏磁層形成。2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁場探測元件，滿足-0.55Y/X^).5，其中X為所述偏磁層的厚度的半值，且其中Y為高程差(hl—h2)，其中高程hl是與所述上磁層的中點(diǎn)和所述下磁層的中點(diǎn)等距的高程，而高程h2是所述偏磁層的中點(diǎn)的高程，hl和h2在堆疊方向上測量。3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁場探測元件，其中所述偏磁層的中點(diǎn)的高程等于與所述上磁層的中點(diǎn)和所述下磁層的中點(diǎn)等距的高程。4.根據(jù)權(quán)利要求1的磁場探測元件，其中所述輔助屏蔽層以平面的形式在所述絕緣膜上延伸。5.根據(jù)權(quán)利要求1的磁場探測元件，其中當(dāng)沒有施加外部磁場時(shí)，所述上磁層的磁化方向與所述下磁層的磁化方向互相大致垂直。6.根據(jù)權(quán)利要求1的磁場探測元件，其中所述非磁中間層由銅構(gòu)成并具有大致1.3nm的厚度。7.根據(jù)權(quán)利要求1的磁場探測元件，其中絕緣層設(shè)置在所述疊層與所述偏磁層之間。8.根據(jù)權(quán)利要求1的磁場探測元件，其中所述上磁層和所述下磁層的每一個(gè)都包括第一磁層、第二磁層和夾在兩者之間的非磁中間層，其中第一和第二磁層的磁化方向根據(jù)外部磁場而改變。9.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1的磁場探測元件的滑觸頭。10.—種具有將被形成至根據(jù)權(quán)利要求1的磁場探測元件中的疊層的曰&11.一種磁頭平衡架組件，包括根據(jù)權(quán)利要求9的滑觸頭，以及用于彈性地支撐滑觸頭的懸架。12.—種硬盤驅(qū)動(dòng)器，包括根據(jù)權(quán)利要求9的滑觸頭，以及用于支撐滑觸頭和用于關(guān)于記錄介質(zhì)定位滑觸頭的裝置。13.—種制造磁場探測元件的方法，包括疊層形成步驟，該步驟包括在下屏蔽電極層上形成疊層，其中所述疊層包括磁化方向根據(jù)外部磁場而改變的下磁層、非磁中間層和磁化方向根據(jù)外部磁場而變化的上磁層，所述下磁層、所述非磁中間層和所述上磁層依次堆疊；絕緣膜形成步驟，該步驟包括除了垂直于將作為氣浮表面的平面延伸的第一部分以外，除去所述疊層，并以絕緣膜填充所述疊層被除去的部分；在所述絕緣膜上和所述第一部分上形成輔助屏蔽層的步驟；偏磁層形成步驟，該步驟包括除去所述輔助屏蔽層、所述疊層和除了平行于將作為氣浮表面的平面延伸的第二部分以外的至少一部分所述下屏蔽電極層，以及用偏磁層填充一部分被除去部分；以及在所述上輔助屏蔽層上和在所述偏磁層上形成上屏蔽電極層，使得所述上屏蔽電極層與所述輔助屏蔽層結(jié)合。14.根據(jù)權(quán)利要求13的制造磁場探測元件的方法，其中偏磁層形成步驟包括形成所述偏磁層以滿足-0.5^Y/X^).5，其中x為所述偏磁層的厚度的半值，且其中Y為高程差(hl—h2)，其中高程hl是與所述上磁層的中點(diǎn)和所述下磁層的中點(diǎn)等距的高程，而高程h2是所述偏磁層的中點(diǎn)的高程，hl和h2在堆疊方向上測量。15.根據(jù)權(quán)利要求13的制造磁場探測元件的方法，其中偏磁層形成步驟包括形成所述偏磁層，以使得所述偏磁層的中點(diǎn)的高程等于與所述上磁層的中點(diǎn)和所述下磁層的中點(diǎn)等距的高程。16.根據(jù)權(quán)利要求13的制造磁場探測元件的方法，其中絕緣膜形成步驟包括-在所述疊層上提供抗蝕劑，其中所述抗蝕劑不包括底切；利用所述抗蝕劑作為掩膜除去除了所述第一部分以外的所述疊層；以及在除了所述第一部分以外除去所述疊層以后，除去所述抗蝕劑。17.根據(jù)權(quán)利要求13的制造磁場探測元件的方法，其中偏磁層形成步驟包括在所述輔助屏蔽層上提供抗蝕劑，其中所述抗蝕劑不包括底切；利用所述抗蝕劑作為掩膜除去所述輔助屏蔽層、所述疊層和除了所述第二部分以外的至少一部分所述下屏蔽電極層；以及在除去所述輔助屏蔽層、所述疊層和除了所述第二部分以外的至少一部分所述下屏蔽電極層以后，除去所述抗蝕劑。18.根據(jù)權(quán)利要求13的制造磁場探測元件的方法，其中疊層形成步驟包括平面化所述絕緣膜，以使得被填充的所述絕緣膜的上表面與所述疊層的上表面齊平。19.根據(jù)權(quán)利要求18的制造磁場探測元件的方法，其中疊層形成步驟包括在所述上磁層之上提供Ta層。全文摘要一種磁場探測元件包括包括上磁層、下磁層和夾在上、下磁層之間的非磁中間層的疊層，上磁層和下磁層的磁化方向根據(jù)外部磁場改變；以下述方式設(shè)置的上屏蔽電極層和下屏蔽電極層它們在所述疊層的堆疊方向上將所述疊層夾在其間，上屏蔽電極層和下屏蔽電極層提供堆疊方向上的傳感電流并磁性屏蔽所述疊層；設(shè)置在所述疊層表面上的偏磁層，所述表面與所述疊層的氣浮表面相反，偏磁層在垂直氣浮表面的方向施加偏磁場到所述上、下磁層；和設(shè)置在所述疊層的關(guān)于其磁道寬度方向的兩側(cè)上都設(shè)置的絕緣膜。該偏磁層具有大于所述疊層的厚度，且所述上屏蔽電極層和/或所述下屏蔽電極層包括填充階形部分，該階形部分由所述疊層和所述偏磁層形成。文檔編號H01F10/32GK101359714SQ20081012851公開日2009年2月4日申請日期2008年6月19日優(yōu)先權(quán)日2007年7月30日發(fā)明者宮內(nèi)大助,町田貴彥申請人:Tdk株式會(huì)社