專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及物體、方法，或者制作物體的方法。特別涉及顯示裝置或 者半導(dǎo)體裝置。尤其涉及將單晶復(fù)制到玻璃基板而形成的顯示裝置或者半 導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，液晶顯示裝置、場(chǎng)致發(fā)光(EL)顯示裝置等的平板顯示器備受 作為平板顯示器的驅(qū)動(dòng)方式，包括無(wú)源矩陣方式及有源矩陣方式。有源矩陣方式與無(wú)源矩陣方式相比，具有下述優(yōu)點(diǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗化、高 清晰度、基板的大型化等。在將驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置于面板的外部的結(jié)構(gòu)中，由于可以采用使用了單晶硅的IC作為驅(qū)動(dòng)電路，所以不會(huì)發(fā)生由于驅(qū)動(dòng)電路的速度所引起的問(wèn)題。 然而，在這樣設(shè)置IC的情況下，由于需要分別準(zhǔn)備面板與IC，還需要進(jìn)行 面板與IC的連接工序等，因此不能充分地降低制造成本。因此，從降低制造成本的角度，采用了將像素部與驅(qū)動(dòng)電路部形成為 一體的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。專利文獻(xiàn)l日本專利特開平8-6053號(hào)公報(bào)在專利文獻(xiàn)l所示的情況中，作為驅(qū)動(dòng)電路的半導(dǎo)體層，與像素部同 樣的，使用非晶硅或微晶硅、以及多晶硅等的非單晶硅。然而，非晶硅就 不用說(shuō)了、即使在使用微晶硅與多晶硅的情況下，都存在其特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及 使用單晶硅的情況的問(wèn)題。尤其，在現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)電路一體型的面板所使用 的半導(dǎo)體層中，由于得不到必要且充分的遷移率，在面臨制造驅(qū)動(dòng)電路這 種要求高速操作的半導(dǎo)體裝置時(shí)成為很嚴(yán)重的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供降低了制造成本的半導(dǎo)體裝置。或者，其目的在于提供設(shè)置有可以高速操作的電路的半導(dǎo)體裝置?；?者，其目的在于提供低功耗的半導(dǎo)體裝置。在本發(fā)明中，將硅層從單晶基板分離(剝離)，并將其粘貼(復(fù)制)到玻 璃基板上?；蛘撸瑢尉Щ逭迟N在玻璃基板上，并通過(guò)將單晶基板分離， 從而在玻璃基板上形成硅層。并且，將硅層加工成島形。之后，再次將硅 層從單晶基板分離，并將其粘貼在玻璃基板上。或者，將單晶基板粘貼在 玻璃基板上，并通過(guò)將單晶基板分離，從而在玻璃基板上形成硅層。并且， 再次將硅層加工成島形。因此，使用這些硅層在玻璃基板上形成TFT。 此時(shí)，同時(shí)形成使用有非晶硅或微晶硅的TFT。并且，在這些TFT中，共有作為柵電極其作用的導(dǎo)電層或作為源電極、 漏電極起作用的導(dǎo)電層，并同時(shí)形成膜。通過(guò)這樣，能夠減少制造步驟。本發(fā)明的特征在于，在絕緣基板上方具有第一半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo) 體層上方具有第一絕緣層；在第一絕緣層上方具有第一和第二導(dǎo)電層；在 第一和第二導(dǎo)電層上方具有第二絕緣層；在第二絕緣層上方具有第二半導(dǎo) 體層；在第二半導(dǎo)體層上方具有第三導(dǎo)電層；在第二絕緣層上方具有第四 導(dǎo)電層；在第三和第四導(dǎo)電層上方具有第三絕緣層；在第三絕緣層上方具 有第五導(dǎo)電層，其中，第一半導(dǎo)體層具有作為第一晶體管的激活層的功能， 第二半導(dǎo)體層具有作為第二晶體管的激活層的功能，而且第一半導(dǎo)體層和 第二半導(dǎo)體層具有不同的特性。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第一絕緣層具有作為所述第一晶 體管的柵極絕緣層的功能，第一導(dǎo)電層具有第一晶體管的柵電極的功能。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第二絕緣層具有作為第二晶體管 的柵極絕緣層的功能，第二導(dǎo)電層具有作為第二晶體管的柵電極的功能。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第五導(dǎo)電層通過(guò)設(shè)置于第三絕緣 層的接觸孔，與第四導(dǎo)電層電連接。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第五導(dǎo)電層通過(guò)設(shè)置于第一絕緣 層、第二絕緣層及第三絕緣層的接觸孔，與第一半導(dǎo)體層電連接。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第三導(dǎo)電層與第二半導(dǎo)體層電連接。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第一半導(dǎo)體層具有結(jié)晶性。 本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第二半導(dǎo)體層具有非晶半導(dǎo)體。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第二半導(dǎo)體層具有微晶半導(dǎo)體。 另外，在本說(shuō)明書中，可以使用各種方式的開關(guān)，例如有電子開關(guān)或 機(jī)械開關(guān)等。換而言之，只要它可以控制電流的流動(dòng)就可以，而不限定于特定開關(guān)。例如，作為開關(guān)，可以使用晶體管(例如，雙極晶體管或MOS 晶體管等)、二極管(例如，PN二極管、PIN二極管、肖特基二極管、 MIM(Metal Insulator Metal;金屬-絕緣體-金屬)二極管、MIS(Metal Insulator Semiconductor;金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)二極管、二極管連接的晶體管等)、 或可控硅整流器等?；蛘撸梢允褂媒M合它們后的邏輯電路作為開關(guān)。作為機(jī)械開關(guān)的例子，有像數(shù)字微鏡裝置(DMD)那樣，利用MEMS(微 電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的開關(guān)。該開關(guān)具有以機(jī)械方式可動(dòng)的電極，并且通 過(guò)該電極移動(dòng)來(lái)控制連接和不連接以實(shí)現(xiàn)工作。在使用晶體管以作為開關(guān)的情況下，由于該晶體管作為簡(jiǎn)單的開關(guān)來(lái) 工作，因此對(duì)晶體管的極性(導(dǎo)電類型)沒(méi)有特別限制。然而，在想要抑制 截止電流的情況下，優(yōu)選采用具有較小截止電流的極性的晶體管。作為截 止電流較小的晶體管，有具有LDD區(qū)的晶體管或具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管 等?；蛘?，當(dāng)在作為開關(guān)來(lái)工作的晶體管的源極端子的電位接近于低電位 側(cè)電源(Vss、 GND、 OV等)的電位的狀態(tài)下使其工作時(shí)，優(yōu)選采用N溝道 型晶體管。相反，當(dāng)在源極端子的電位接近于高電位側(cè)電源(Vdd等)的電 位的狀態(tài)下使其工作時(shí)，優(yōu)選采用P溝道型晶體管。這是因?yàn)槿缦戮壒?若是N溝道型晶體管，則當(dāng)在源極端子接近于低電位側(cè)電源的電位的狀態(tài) 下使其工作時(shí)，若是P溝道型晶體管，則當(dāng)在源極端子接近于高電位側(cè)電 源的電位的狀態(tài)下使其工作時(shí)，可以增大柵極-源極間電壓的絕對(duì)值，因 此作為開關(guān)使其更精確地工作。另外，這是因?yàn)檫M(jìn)行源極跟隨工作的情況 較少，所以導(dǎo)致輸出電壓變小的情況少。另外，可以通過(guò)使用N溝道型晶體管和P溝道型晶體管兩者來(lái)形成 CMOS型開關(guān)以作為開關(guān)。當(dāng)采用CMOS型開關(guān)時(shí)，因?yàn)槿鬚溝道型晶體 管或N溝道型晶體管中的某一方的晶體管導(dǎo)通則電流流動(dòng)，因此作為開關(guān) 更容易起作用。例如，無(wú)論輸入開關(guān)的輸入信號(hào)的電壓是高或低，都可以 適當(dāng)?shù)剌敵鲭妷?。而且，由于可以降低用于使開關(guān)導(dǎo)通或截止的信號(hào)的電 壓振幅值，所以還可以減少耗電量。另外，在將晶體管作為開關(guān)來(lái)使用的情況下，開關(guān)具有輸入端子(源 極端子或漏極端子的一方)、輸出端子(源極端子或漏極端子的另一方)、以及控制導(dǎo)通的端子(柵極端子)。另一方面，在-將二極管作為開關(guān)來(lái)使用的 情況下，開關(guān)有時(shí)不具有控制導(dǎo)通的端子。因此，與使用晶體管作為開關(guān) 的情況相比，通過(guò)使用二極管作為開關(guān)的情況可以減少用于控制端子的布 線。另外，在本說(shuō)明書中，明確地記載"A和B連接"的情況包括如下情況A和B電連接的情況；A和B以功能方式連接的情況；以及A和B直接連接的情況。在此，A和B為對(duì)象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、 端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，規(guī)定的連接關(guān)系還包括附圖或文章所示的 連接關(guān)系以外的連接關(guān)系，而不局限于如附圖或文章所示的連接關(guān)系。例如，在A和B電連接的情況下，也可以在A和B之間配置一個(gè)以上的 能夠電連接A和B的元件(例如開關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元 件、二極管等)。或者，在A和B以功能方式連接的情況下，也可以在A和B 之間配置一個(gè)以上的能夠以功能方式連接A和B的電路(例如，邏輯電路(反 相器、NAND電路、NOR電路等)、信號(hào)轉(zhuǎn)換電路(DA轉(zhuǎn)換電路、AD轉(zhuǎn)換電路、Y校正電路等)、電位電平轉(zhuǎn)換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路 等)、改變信號(hào)的電位電平的電平轉(zhuǎn)移電路等)、電壓源、電流源、切換電 路、放大電路(能夠增大信號(hào)振幅或電流量等的電路、運(yùn)算放大器、差動(dòng) 放大電路、源極跟隨電路、緩沖電路等)、信號(hào)產(chǎn)生電路、存儲(chǔ)電路、控 制電路等)。或者，在A和B直接連接的情況下，也可以直接連接A和B且在 其中間不夾有其它元件或其它電路。另外，當(dāng)明確地記載"A和B直接連接"的情況，包括如下情況A和 B直接連接(g卩，A和B連接且在其中間不夾有其它元件或其它電路)的情 況；以及A和B電連接(g卩，A和B連接且在其中間夾有其它元件或其它電路) 的情況。另外，當(dāng)明確地記載"A和B電連接"的情況，包括如下情況A和B 電連接(即，A和B連接且在其中間夾有其它元件或其它電路)的情況；A和 B以功能方式連接(g卩，A和B以功能方式連接且在其中間夾有其它電路)的 情況；以及，A和B直接連接(B卩，A和B連接且其中間不夾有其它元件或其 它電路)的情況。總之，明確地記載"電連接"的情況與只是簡(jiǎn)單地記載 "連接"的情況相同。另外，本發(fā)明的顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā) 光元件、以及作為具有發(fā)光元件的裝置的發(fā)光裝置，可以采用各種方式或各種元件。例如，作為顯示元件、顯示裝置、發(fā)光元件或發(fā)光裝置，可以 使用利用電磁作用來(lái)改變對(duì)比度、亮度、反射率、透過(guò)率等的顯示介質(zhì)，如EL元件(包含有機(jī)物及無(wú)機(jī)物的EL元件、有機(jī)EL元件、無(wú)機(jī)EL元件)、 電子發(fā)射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵閥(GLV)、等離子 體顯示器(PDP)、數(shù)字微鏡裝置(DMD)、壓電陶瓷顯示器、碳納米管等。 此外，作為使用了EL元件的顯示裝置，可以舉出EL顯示器，作為使用了 電子發(fā)射元件的顯示裝置，可以舉出場(chǎng)致發(fā)光顯示器(FED)或SED方式平 面型顯示器(SED:Surface-conduction Electron-emitter Display;表面?zhèn)鲗?dǎo)電 子發(fā)射顯示器)等，作為使用了液晶元件的顯示裝置，可以舉出液晶顯示 器(透過(guò)型液晶顯示器、半透過(guò)型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀 型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)，并且作為使用了電子墨水或電泳元 件的顯示裝置，可以舉出電子紙。另外，EL元件是具有陽(yáng)極、陰極、以及夾在陽(yáng)極和陰極之間的EL層 的元件。另外，作為EL層，可以使用利用來(lái)自單重態(tài)激子的發(fā)光(熒光) 的層、利用來(lái)自三重態(tài)激子的發(fā)光(磷光)的層、包括利用來(lái)自單重態(tài)激子 的發(fā)光(熒光)和利用來(lái)自三重態(tài)激子的發(fā)光(磷光)的層、利用有機(jī)物形成 的層、利用無(wú)機(jī)物形成的層、包括利用有機(jī)物形成和利用無(wú)機(jī)物形成的層、 高分子材料、低分子材料、以及包含高分子材料和低分子材料的層等。然 而，不限定于此，可以使用各種元件作為EL元件。另外，電子發(fā)射元件是將高電場(chǎng)集中到尖銳的陰極并抽出電子的元 件。例如，作為電子發(fā)射元件，可以使用主軸(spindle)型、碳納米管(CNT) 型、層疊有金屬-絕緣體-金屬的MIM(Metal-Insulator-Metal)型、層疊有金 屬-絕緣體-半導(dǎo)體的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型、MOS型、硅型、 薄膜二極管型、金剛石型、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射SCD型等。然而，不限定于此， 可以使用各種元件作為電子發(fā)射元件。另外，液晶元件是利用液晶的光學(xué)調(diào)制作用來(lái)控制光的透過(guò)或非透過(guò) 的元件，是利用一對(duì)電極及液晶構(gòu)成的。另外，液晶的光學(xué)調(diào)制作用由施 加到液晶的電場(chǎng)(包括橫向電場(chǎng)、縱向電場(chǎng)或傾斜電場(chǎng))控制。另外，作為 液晶元件，可以舉出向列相液晶、膽甾醇液晶、近晶相液晶、盤狀液晶、 熱致液晶、溶致液晶、(漏了一個(gè))低分子液晶、高分子液晶、強(qiáng)電性液晶、 反強(qiáng)電性液晶、主鏈型液晶、側(cè)鏈型高分子液晶、等離子體尋址液晶 (PALC)、香蕉型液晶等。作為液晶的驅(qū)動(dòng)方式，可以采用TN(TwistedNematic;扭轉(zhuǎn)向列)模式、STN(Super Twisted Nematic;超扭曲向列)模式、 IPS(In隱Plane-Switching;平面內(nèi)切換)模式、FFS(Fringe Field Switching; 邊緣場(chǎng)切換)模式、MVA(Multi-domain Vertical Alignment;多象限垂直配 向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment;垂直取向構(gòu)型)模式、 ASV(Advanced Super View;流動(dòng)超視覺)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell;軸線對(duì)稱排列微單元)模式、OCB(Optical Compensated Birefringenc ; 光學(xué)補(bǔ)償彎曲)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence;電控雙折射)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal;鐵電 液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal;反鐵電液晶)模式、 PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal;聚合物分散液晶)模式、賓主模式 等。然而，不限定于此，可以使用各種液晶元件及其驅(qū)動(dòng)方式。另外，電子紙是指利用如光學(xué)各向性和染料分子取向那樣的分子來(lái) 進(jìn)行顯示；利用如電泳、粒子移動(dòng)、粒子旋轉(zhuǎn)、相變那樣的粒子來(lái)進(jìn)行顯 示；通過(guò)移動(dòng)薄膜的一個(gè)邊緣而進(jìn)行顯示；利用分子的發(fā)色/相變來(lái)進(jìn)行 顯示；通過(guò)分子的光吸收而進(jìn)行顯示；電子和空穴相結(jié)合而自發(fā)光來(lái)進(jìn)行 顯示等。例如，作為電子紙，可以使用微囊型電泳、水平移動(dòng)型電泳、垂 直移動(dòng)型電泳、球狀扭轉(zhuǎn)球、磁性扭轉(zhuǎn)球、圓柱扭轉(zhuǎn)球、帶電色粉、電子 粉液體、磁泳型、磁熱敏式、電潤(rùn)濕、光散射(透明/白濁變化)、膽甾醇液 晶/光導(dǎo)電層、膽甾醇液晶、雙穩(wěn)態(tài)向列相液晶、強(qiáng)電液晶、二色性色素-液晶分散型、可動(dòng)薄膜、由無(wú)色染料引起的發(fā)消色、光致變色、電致變色、 電沉積、柔性有機(jī)EL等。然而，不限定于此，可以使用各種物質(zhì)來(lái)作為 電子紙。在此，可以通過(guò)使用微囊型電泳，解決遷移粒子的凝集和沉淀， 即電泳方式的缺點(diǎn)。電子粉液體具有高響應(yīng)性、高反射率、廣視角、低耗 電量、存儲(chǔ)性等的優(yōu)點(diǎn)。另外，等離子體顯示器具有如下結(jié)構(gòu)，即以較窄的間隔使其表面形成 有電極的基板和其表面形成有電極及微小的槽且在該槽內(nèi)形成有熒光體 層的基板對(duì)置，并裝入稀有氣體。而且，通過(guò)在電極之間施加電壓產(chǎn)生紫 外線，并使熒光體發(fā)光，而可以進(jìn)行顯示。等離子體顯示器可以是DC型 PDP、 AC型PDP。在此，作為等離子體顯示面板，可以使用AWS(Address While Sustain;地址同時(shí)顯示)驅(qū)動(dòng)；將子幀分為復(fù)位期間、地址期間、維 持期間的ADS(Address Display Separated ; 地址顯示分離)驅(qū)動(dòng)； CLEAR(High-Contrast， Low Energy Address and Reduction of False ContourSequence;低能量地址和減小動(dòng)態(tài)假輪廓)驅(qū)動(dòng)；ALIS(Altemate Lighting of Surfaces;交替發(fā)光表面)方式；TERES(Technology of Reciprocal Sustainer;倒易維持技術(shù))驅(qū)動(dòng)等。然而，不限定于此，可以使用各種顯示器作為等 離子體顯示器。另外，需要光源的顯示裝置，例如液晶顯示器(透過(guò)型液晶顯示器、 半透過(guò)型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液 晶顯示器)、利用光柵閥(GLV)的顯示裝置、利用微鏡裝置(DMD)的顯示裝 置等的光源，可以使用電致發(fā)光、冷陰極管、熱陰極管、LED、激光光源、 汞燈等。然而，不限定于此，可以使用各種光源作為光源。此外，作為晶體管，可以使用各種方式的晶體管。因此，對(duì)所使用的 晶體管的種類沒(méi)有限制。例如，可以使用具有以非晶硅、多晶硅或微晶(也 稱為半非晶(semi-amorphous))硅等為代表的非單晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體 管(TFT)等。在使用TFT的情況下，具有各種優(yōu)點(diǎn)。例如，因?yàn)榭梢栽诒?使用單晶硅時(shí)低的溫度下制造TFT，因此可以實(shí)現(xiàn)制造成本的降低、或制 造設(shè)備的大型化。由于可以擴(kuò)大制造設(shè)備，所以可以在大型基板上制造。 因此，可以同時(shí)制造很多顯示裝置，且可以以低成本制造。再者，由于制 造溫度低，因此可以使用低耐熱性基板。由此，可以在透明基板上制造晶 體管。并且，可以通過(guò)使用形成在透明基板上的晶體管來(lái)控制顯示元件的 光透過(guò)。或者，因?yàn)榫w管的膜厚較薄，所以構(gòu)成晶體管的膜的一部分能 夠透過(guò)光。因此，可以提高開口率。另外，當(dāng)制造多晶硅時(shí)，可以通過(guò)使用催化劑(鎳等)進(jìn)一步提高結(jié)晶 性，從而能夠制造電特性良好的晶體管。其結(jié)果是，可以在基板上一體地 形成柵極驅(qū)動(dòng)電路(掃描線驅(qū)動(dòng)電路)、源極驅(qū)動(dòng)電路(信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路)、 以及信號(hào)處理電路(信號(hào)產(chǎn)生電路、Y校正電路、DA轉(zhuǎn)換電路等)。另外，當(dāng)制造微晶硅時(shí)，可以通過(guò)使用催化劑(鎳等)進(jìn)一步提高結(jié)晶 性，從而能夠制造電特性良好的晶體管。此時(shí)，僅通過(guò)進(jìn)行熱處理而不進(jìn) 行激光輻照，就可以提高結(jié)晶性。其結(jié)果是，可以在基板上一體地形成源 極驅(qū)動(dòng)電路的一部分(模擬開關(guān)等)以及柵極驅(qū)動(dòng)電路(掃描線驅(qū)動(dòng)電路)。 再者，當(dāng)為了實(shí)現(xiàn)結(jié)晶化而不進(jìn)行激光輻照時(shí)，可以抑制硅結(jié)晶性的不均 勻。因此，可以顯示清晰的圖像。另外，可以制造多晶硅或微晶硅而不使用催化劑(鎳等)。另外，雖然希望對(duì)面板的整體使硅的結(jié)晶性提高到多晶或微晶等，但不限定于此。也可以只在面板的一部分區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。通過(guò)選擇 性地照射激光，可以選擇性地提高結(jié)晶性。例如，也可以只對(duì)作為像素以 外的區(qū)域的外圍電路區(qū)域照射激光?；蛘?，也可以只對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路及源 極驅(qū)動(dòng)電路等的區(qū)域照射激光?；蛘?，也可以只對(duì)源極驅(qū)動(dòng)電路的一部分 (例如模擬開關(guān))的區(qū)域照射激光。其結(jié)果是，可以只在需要使電路高速地 進(jìn)行工作的區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。由于不需要使像素區(qū)域高速地工作， 所以即使不提高結(jié)晶性，也可以使像素電路工作而不發(fā)生問(wèn)題。由于提高 結(jié)晶性的區(qū)域較少就夠了，所以也可以縮短制造工序，且可以提高成品率 并降低制造成本。另外，由于所需要的制造裝置的數(shù)量較少就能夠進(jìn)行制 造，所以可以降低制造成本?；蛘撸梢允褂冒雽?dǎo)體基板或SOI基板等來(lái)形成晶體管。通過(guò)這樣， 可以制造特性、尺寸及形狀等的不均勻性低、電流供給能力高且尺寸小的 晶體管。如果使用這些晶體管，則可以謀求電路的低耗電量化或電路的高 集成化?；蛘?，可以使用具有ZnO、 a-InGaZnO、 SiGe、 GaAs、 IZO、 ITO、 SnO等的化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體的晶體管，或?qū)@些化合物半導(dǎo)體或氧 化物半導(dǎo)體進(jìn)行薄膜化后的薄膜晶體管等。通過(guò)這樣，可以降低制造溫度， 例如可以在室溫下制造晶體管。其結(jié)果是，可以在低耐熱性基板、如塑料 基板或薄膜基板上直接形成晶體管。此外，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半 導(dǎo)體不僅可以用于晶體管的溝道部分，而且還可以作為其它用途來(lái)使用。 例如，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體可以作為電阻元件、像素電極、 透明電極來(lái)使用。再者，由于它們可以與晶體管同時(shí)成膜或形成，所以可 以降低成本?；蛘?，可以使用通過(guò)噴墨法或印刷法而形成的晶體管等。通過(guò)這樣， 可以在室溫下進(jìn)行制造，以低真空度制造，或在大型基板上進(jìn)行制造。由 于即使不使用掩模(中間掩模)也可以制造晶體管，所以可以容易地改變晶 體管的布局。再者，由于不需要抗蝕劑，所以可以減少材料費(fèi)用，并減少 工序數(shù)量。并且，因?yàn)橹辉谛枰牟糠稚闲纬赡?，所以與在整個(gè)面上形成 膜之后進(jìn)行刻蝕的制造方法相比，可以實(shí)現(xiàn)低成本且不浪費(fèi)材料?；蛘撸梢允褂镁哂杏袡C(jī)半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管等。通過(guò)這樣， 可以在能夠彎曲的基板上形成晶體管。因此，能夠增強(qiáng)使用了具有有機(jī)半 導(dǎo)體或碳納米管的晶體管等的裝置的耐沖擊性。再者，可以使用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。例如，可以使用MOS型晶體管、 接合型晶體管、雙極晶體管等來(lái)作為晶體管。通過(guò)使用MOS型晶體管，可 以減少晶體管尺寸。因此，可以安裝多個(gè)晶體管。通過(guò)使用雙極晶體管， 可以使大電流流過(guò)。因此，可以使電路高速地工作。此外，也可以將MOS型晶體管、雙極晶體管等混合而形成在一個(gè)基板 上。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)低耗電量、小型化、高速工作等。除了上述以外，還可以采用各種晶體管。另外，可以使用各種基板形成晶體管。對(duì)基板的種類沒(méi)有特別的限制。 作為形成晶體管的基板，例如可以使用單晶基板、SOI基板、玻璃基板、 石英基板、塑料基板、紙基板、玻璃紙基板、石材基板、木材基板、布基 板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)、或再生 纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板、 不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等?；蛘?，可以使用人等的動(dòng)物皮膚(表 皮、真皮)或皮下組織作為基板?；蛘撸部梢允褂媚硞€(gè)基板來(lái)形成晶體 管，然后將晶體管轉(zhuǎn)置到另一基板上，從而在另一基板上配置晶體管。作 為晶體管被轉(zhuǎn)置的基板，可以使用單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英 基板、塑料基板、紙基板、玻璃紙基板、石材基板、木材基板、布基板(包 括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)、或再生纖維(醋 酯纖維、銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板、不銹 鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等?；蛘?，也可以使用人等的動(dòng)物皮膚(表 皮、真皮)或皮下組織作為基板。或者，也可以使用某個(gè)基板形成晶體管， 并拋光該基板以使其變薄。作為進(jìn)行拋光的基板，可以使用單晶基板、SOI 基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、紙基板、玻璃紙基板、石材基板、 木材基板、布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、 聚酯)、或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革 基板、橡皮基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等?；蛘?，也可以使 用人等的動(dòng)物皮膚(表皮、真皮)或皮下組織作為基板。通過(guò)使用這些基板， 可以謀求形成特性良好的晶體管，形成低耗電量的晶體管，制造不容易被 破壞的裝置，賦予耐熱性，并可以實(shí)現(xiàn)輕量化或薄型化。此外，可以采用各種結(jié)構(gòu)的晶體管，而不局限于特定的結(jié)構(gòu)。例如， 可以采用具有兩個(gè)以上的柵電極的多柵極結(jié)構(gòu)。如果采用多柵極結(jié)構(gòu)，則 由于將溝道區(qū)串聯(lián)連接，所以能夠?qū)崿F(xiàn)多個(gè)晶體管串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用多柵極結(jié)構(gòu)，可以降低截止電流，并能夠通過(guò)提高晶體管的耐壓性來(lái)提高 可靠性?；蛘?，利用多柵極結(jié)構(gòu)，當(dāng)在飽和區(qū)工作時(shí)，即使漏極，源極間 的電壓變化，漏極，源極間電流的變化也不太大，從而可以獲得斜率穩(wěn)定 的電壓 電流特性。如果利用斜率穩(wěn)定的電壓 電流特性，則可以實(shí)現(xiàn)理 想的電流源電路或電阻值非常高的有源負(fù)載。其結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)特性良 好的差動(dòng)電路或電流反射鏡電路。作為其他的例子，可以采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)。因?yàn)橥?過(guò)采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，可以增加溝道區(qū)，所以可以增加 電流值，或者由于容易得到耗盡層而可以謀求降低S值。通過(guò)采用在溝道 上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，從而能夠得到多個(gè)晶體管并聯(lián)的結(jié)構(gòu)。也可以采用將柵電極配置在溝道區(qū)上的結(jié)構(gòu)，或?qū)烹姌O配置在溝道 區(qū)下的結(jié)構(gòu)，正交錯(cuò)結(jié)構(gòu)，反交錯(cuò)結(jié)構(gòu)，將溝道區(qū)分割成多個(gè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)， 并聯(lián)溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)，或者串聯(lián)溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)。而且，還可以采用在溝道區(qū) (或其一部分)源電極與漏電極重疊的結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用在溝道區(qū)(或其一部分) 源電極與漏電極重疊的結(jié)構(gòu)，可以防止因電荷聚集在溝道區(qū)的一部分而造成的工作不穩(wěn)定?；蛘?，可以設(shè)置LDD區(qū)。通過(guò)設(shè)置LDD區(qū)，可以謀求通 過(guò)提高晶體管的耐壓性來(lái)提高可靠性?；蛘?，通過(guò)設(shè)置LDD區(qū)，當(dāng)在飽和 區(qū)工作時(shí)，即使漏極"源極之間的電壓變化，漏極*源極之間電流的變化 也不太大，從而可以獲得斜率穩(wěn)定的電壓及電流特性。另外，作為晶體管，可以采用各種各樣的類型，從而可以使用各種基 板來(lái)形成。因此，為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路可以形成在同一基 板上。例如，為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路也可以形成在各種基板， 如玻璃基板、塑料基板、單晶基板或SOI基板等上。通過(guò)將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定 功能所需要的所有電路形成在同一基板上，可以通過(guò)減少零部件個(gè)數(shù)來(lái)降 低成本，或可以通過(guò)減少與電路零部件之間的連接個(gè)數(shù)來(lái)提高可靠性。或 者，也可以將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的一部分形成在某個(gè)基板 上，而為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的另一部分形成在另一個(gè)基板上。 換而言之，為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路也可以不形成在同一基板 上。例如，也可以利用晶體管將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的一部分 形成在玻璃基板上，而將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的另一部分形成 在單晶基板上，并通過(guò)COG(Chip On Glass:玻璃上芯片)將由形成在單晶 基板上的晶體管所構(gòu)成的IC芯片連接到玻璃基板，從而在玻璃基板上配置該IC芯片?；蛘撸部梢允褂肨AB(Tape Automated Glass:巻帶自動(dòng)結(jié)合) 或印刷電路板使該IC芯片和玻璃基板連接。像這樣，通過(guò)將電路的一部分 形成在同一基板上，可以通過(guò)減少零部件個(gè)數(shù)來(lái)降低成本、或可以通過(guò)減 少與電路零部件之間的連接個(gè)數(shù)來(lái)提高可靠性。另外，驅(qū)動(dòng)電壓高的部分 及驅(qū)動(dòng)頻率高的部分的電路，由于其耗電量高，因此不將該部分的電路形 成在同一基板上，例如如果將該部分的電路形成在單晶基板上以使用由該 電路構(gòu)成的IC芯片，則能夠防止耗電量的增加。另外， 一個(gè)像素指的是能夠控制明亮度的一個(gè)單元。因此，作為一個(gè) 例子， 一個(gè)像素指的是一個(gè)色彩單元，并用該一個(gè)色彩單元來(lái)表現(xiàn)明亮度。 因此，在采用由R(紅色)、G(綠色)和B(藍(lán)色)這些色彩單元構(gòu)成的彩色顯示 裝置的情況下，將像素的最小單位設(shè)置為由R的像素、G的像素、以及B 的像素這三個(gè)像素構(gòu)成的像素。再者，色彩單元并不局限于三種顏色，也 可以使用三種以上的顏色，并且可以使用RGB以外的顏色。例如，可以加 上白色來(lái)實(shí)現(xiàn)RGBW(W是白色)。另外，可以對(duì)RGB加上黃色、藍(lán)綠色、 紫紅色、翡翠綠及朱紅色等的一種以上的顏色。例如，也可以對(duì)RGB加上 類似于RGB中的至少一種的顏色。例如，可以采用R、 G、 Bl、 B2。 Bl和 B2雖然都是藍(lán)色，但是其頻率稍微不同。與此同樣，可以采用R1、 R2、 G、 B。通過(guò)采用這種色彩單元，可以進(jìn)行更逼真的顯示。通過(guò)采用這種 色彩單元，可以降低耗電量。作為其他例子，關(guān)于一個(gè)色彩單元，在使用 多個(gè)區(qū)域來(lái)控制明亮度的情況下，可以將所述區(qū)域中的一個(gè)作為一個(gè)像 素。因此，作為一個(gè)例子，在進(jìn)行面積灰度的情況或具有子像素(亞像素) 的情況下，每一個(gè)色彩單元具有控制明亮度的多個(gè)區(qū)域，雖然由它們?nèi)w 來(lái)表現(xiàn)灰度，但是可以將其中控制明亮度的區(qū)域中的一個(gè)作為一個(gè)像素。 因此，在此情況下， 一個(gè)色彩單元由一個(gè)像素構(gòu)成。或者，即使在一個(gè)色 彩單元中具有多個(gè)控制明亮度的區(qū)域，也可以將它們匯總而將一個(gè)色彩單元作為一個(gè)像素。因此，在此情況下， 一個(gè)色彩單元由一個(gè)像素構(gòu)成?；?者，關(guān)于一個(gè)色彩單元，在使用多個(gè)區(qū)域來(lái)控制明亮度的情況下，由于像 素的不同，有助于顯示的區(qū)域的大小可能不同?；蛘撸谝粋€(gè)色彩單元所 具有的多個(gè)控制明亮度的區(qū)域中，也可以使被提供到各個(gè)區(qū)域的信號(hào)稍微 不同，從而擴(kuò)大視角。就是說(shuō)， 一個(gè)色彩單元所具有的多個(gè)區(qū)域的每一個(gè) 具有的像素電極的電位也可以互不相同。其結(jié)果是，施加到液晶分子的電 壓由于各像素電極而有所不相同。因此，可以擴(kuò)大視角。再者，在明確地記載"一個(gè)像素(對(duì)于三種顏色)"的情況下，將R、 G和 B三個(gè)像素看作一個(gè)像素。在明確地記載"一個(gè)像素(對(duì)于一種顏色)"的情 況下，當(dāng)每個(gè)色彩單元具有多個(gè)區(qū)域時(shí)，將該多個(gè)區(qū)域匯總并看作一個(gè)像 素。另外，像素有時(shí)配置(排列)為矩陣形狀。這里，像素配置(排列)為矩陣形狀包括如下情況在縱向或橫向上，在直線上排列而配置像素的情況，或者，在鋸齒形線上配置像素的情況。因此，在以三種色彩單元(例如RGB)進(jìn)行全彩色顯示的情況下，也包括進(jìn)行條形配置的情況，或者將三種色 彩單元的點(diǎn)配置為三角形狀的情況。再者，還可以進(jìn)行拜爾(Bayer)方式進(jìn) 行配置的情況。此外，色彩單元并不局限于三種顏色，也可以使用三種以 上的顏色，例如可以采用RGBW(W是白色)、或在RGB上加上了黃色、藍(lán) 綠色、紫紅色等的一種以上顏色后得到的顏色等。此外，每個(gè)色彩單元的 點(diǎn)也可以具有不同大小的顯示區(qū)域。由此，可以實(shí)現(xiàn)低耗電量化、或顯示 元件的長(zhǎng)壽命化。此外，可以采用在像素上具有主動(dòng)元件的有源矩陣方式、或在像素上 沒(méi)有主動(dòng)元件的無(wú)源矩陣方式。在有源矩陣方式中，作為主動(dòng)元件(有源元件、非線性元件)，不僅可 以使用晶體管，而且還可使用各種主動(dòng)元件(有源元件、非線性元件)。例 如，可以使用MIM(Metal Insulator Metal;金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode;薄膜二極管)等。由于這些元件的制造工序少，所以可以降低 制造成本或提高成品率。再者，由于元件尺寸小，所以可以提高開口率， 并實(shí)現(xiàn)低耗電量化或高亮度化。另外，除了有源矩陣方式以外，還可以采用沒(méi)有主動(dòng)元件(有源元件、 非線性元件)的無(wú)源矩陣型。由于不使用主動(dòng)元件(有源元件、非線性元件)， 所以制造工序少，且可以降低制造成本或提高成品率。由于不使用主動(dòng)元 件(有源元件、非線性元件)，所以可以提高開口率，并實(shí)現(xiàn)低耗電量化或 高亮度化。晶體管是指具有至少包括柵極、漏極、以及源極這三個(gè)端子的元件， 且在漏區(qū)和源區(qū)之間具有溝道區(qū)，而且電流能夠通過(guò)漏區(qū)、溝道區(qū)、以及 源區(qū)流動(dòng)。這里，因?yàn)樵礃O和漏極由于晶體管的結(jié)構(gòu)或工作條件等而改變， 因此很難限定哪個(gè)是源極或漏極。因此，在本申請(qǐng)(說(shuō)明書、權(quán)利要求書 或附圖等)中，有時(shí)不將用作源極及漏極的區(qū)域稱為源極或漏極。在此情況下，作為一個(gè)例子，有時(shí)將它們分別記為第一端子和第二端子?；蛘?， 有時(shí)將它們分別記為第一電極和第二電極?；蛘撸袝r(shí)將它們記為源區(qū)和 漏區(qū)。另外，晶體管也可以是具有至少包括基極、發(fā)射極和集電極這三個(gè)端 子的元件。在此情況下，也與上述同樣地有時(shí)將發(fā)射極和集電極分別記為 第一端子和第二端子。再者，柵極是指包括柵電極和柵極布線(也稱為柵極線、柵極信號(hào)線、 掃描線、掃描信號(hào)線等)的整體，或者是指這些中的一部分。柵電極指的 是通過(guò)柵極絕緣膜與形成溝道區(qū)的半導(dǎo)體重疊的部分的導(dǎo)電膜。此外，柵電極的一部分有時(shí)通過(guò)柵極絕緣膜與LDD(Lightly Doped Drain;輕摻雜漏 極)區(qū)或源區(qū)(或漏區(qū))重疊。柵極布線是指用于連接各晶體管的柵電極之間 的布線、用于連接各像素所具有的柵電極之間的布線、或用于連接?xùn)烹姌O 和其它布線的布線。但是，也存在著用作柵電極并用作柵極布線的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、 布線等)。這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。 換言之，也存在著不可明確區(qū)別柵電極和柵極布線的區(qū)域。例如，在溝道 區(qū)與延伸而配置的柵極布線的一部分重疊的情況下，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電 膜、布線等)不僅用作柵極布線，而且還用作柵電極。因此，這種部分(區(qū) 域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。另外，用與柵電極相同的材料形成、且形成與柵電極相同的島而連接 的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極。與此同樣，用與柵極 布線相同的材料形成、且形成與柵極布線相同的島而連接的部分(區(qū)域、 導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵極布線。嚴(yán)密地說(shuō)，有時(shí)這種部分(區(qū)域、 導(dǎo)電膜、布線等)與溝道區(qū)不重疊，或者，不具有與其它柵電極之間實(shí)現(xiàn) 連接的功能。但是，根據(jù)制造時(shí)的條件等關(guān)系，具有由與柵電極或柵極 布線相同的材料形成且形成與柵電極或柵極布線相同的島，從而實(shí)現(xiàn)連接 的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等) 也可以稱為柵電極或柵極布線。另外，例如在多柵極晶體管中，在很多情況下一個(gè)柵電極和其他的柵 電極通過(guò)由與柵電極相同的材料形成的導(dǎo)電膜實(shí)現(xiàn)連接。因?yàn)檫@種部分 (區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)是用于連接?xùn)烹姌O和柵電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、 布線等)，因此可以稱為柵極布線。但是，由于也可以將多柵極晶體管看作一個(gè)晶體管，所以該部分也可以稱為柵電極。換言之，由與柵電極或柵 極布線相同的材料形成、且形成與柵電極或柵極布線相同的島，從而連接 的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極或柵極布線。而且，例 如，連接?xùn)烹姌O和柵極布線的部分是導(dǎo)電膜，且由與柵電極或柵極布線不 同的材料形成的導(dǎo)電膜也可以稱為柵電極或柵極布線。另外，柵極端子是指柵電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)或與柵電 極電連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)中的一部分。再者，在將某個(gè)布線稱為柵極布線、柵極線、柵極信號(hào)線、掃描線、 掃描信號(hào)線等的情況下，該布線有時(shí)不連接到晶體管的柵極。在此情況下， 柵極布線、柵極線、柵極信號(hào)線、掃描線、掃描信號(hào)線有可能意味著以與 晶體管的柵極相同的層形成的布線、由與晶體管的柵極相同的材料形成的 布線、或與晶體管的柵極同時(shí)成膜的布線。作為一個(gè)例子，可以舉出保持 電容用布線、電源線、基準(zhǔn)電位供給布線等。此外，源極是指包括源區(qū)、源電極、源極布線(也稱為源極線、源極 信號(hào)線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號(hào)線等)的整體，或者是指這些中的一部分。源區(qū)是指包含很多P型雜質(zhì)(硼或鎵等)或N型雜質(zhì)(磷或砷等)的半導(dǎo)體區(qū)。因 此，稍微包含P型雜質(zhì)或N型雜質(zhì)的區(qū)域，艮卩，所謂的LDD(Lightly Doped Drain;輕摻雜漏極)區(qū)，不包括在源區(qū)。源電極是指以與源區(qū)不相同的材 料形成并與源區(qū)電連接而配置的部分的導(dǎo)電層。但是，源電極有時(shí)包括源 區(qū)而稱為源電極。源極布線是指用于連接各晶體管的源電極之間的布線、 用于連接各像素所具有的源電極之間的布線、或用于連接源電極和其它布 線的布線。但是，也存在著作為源電極和源極布線起作用的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、 布線等)。這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為源電極或源極布線。 換而言之，也存在著不可明確區(qū)別源電極和源極布線的區(qū)域。例如，在源 區(qū)與延伸而配置的源極布線的一部分重疊的情況下，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電 膜、布線等)不僅作為源極布線起作用，而且還作為源電極起作用。因此， 這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為源電極或源極布線。另外，以與源電極相同的材料形成且形成與源電極相同的島而連接的 部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)、或連接源電極和源電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電 膜、布線等)也可以稱為源電極。另外，與源區(qū)重疊的部分也可以稱為源 電極。與此相同，以與源極布線相同的材料形成且形成與源極布線相同的島而連接的區(qū)域也可以稱為源極布線。嚴(yán)密地說(shuō)，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、 布線等)有時(shí)不具有與其它源電極之間實(shí)現(xiàn)連接的功能。但是，因?yàn)橹圃?時(shí)的條件等的關(guān)系，具有以與源電極或源極布線相同的材料形成且與源電 極或源極布線連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。因此，該種部分(區(qū)域、 導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為源電極或源極布線。另外，例如，也可以將連接源電極和源極布線的部分的導(dǎo)電膜，并且 以與源電極或源極布線不同的材料形成的導(dǎo)電膜稱為源電極或源極布線。再者，源極端子是指源區(qū)、源電極、與源電極電連接的部分(區(qū)域、 導(dǎo)電膜、布線等)中的一部分。另外，在稱為源極布線、源極線、源極信號(hào)線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號(hào)線 等的情況下，布線有時(shí)不連接到晶體管的源極(漏極)。在此情況下，源極 布線、源極線、源極信號(hào)線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號(hào)線有時(shí)意味著以與晶體管 的源極(漏極)相同的層形成的布線、以與晶體管的源極(漏極)相同的材料 形成的布線、或與晶體管的源極(漏極)同時(shí)成膜的布線。作為一個(gè)例子， 可以舉出保持電容用布線、電源線、基準(zhǔn)電位供給布線等。另外，漏極與源極同樣。再者，半導(dǎo)體裝置是指具有包括半導(dǎo)體元件(晶體管、二極管、可控 硅整流器等)的電路的裝置。而且，也可以將通過(guò)利用半導(dǎo)體特性來(lái)起作 用的所有裝置稱為半導(dǎo)體裝置。或者，將具有半導(dǎo)體材料的裝置稱為半導(dǎo) 體裝置。另外，顯示元件指的是光學(xué)調(diào)制元件、液晶元件、發(fā)光元件、EL元 件(有機(jī)EL元件、無(wú)機(jī)EL元件或包含有機(jī)物及無(wú)機(jī)物的EL元件)、電子發(fā) 射元件、電泳元件、放電元件、光反射元件、光衍射元件、數(shù)字微鏡裝置 (DMD)等。但是，本發(fā)明不局限于此。而且，顯示裝置指的是具有顯示元件的裝置。此外，顯示裝置也可以 具有包含顯示元件的多個(gè)像素。顯示裝置可以包括驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素的外圍驅(qū) 動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素的外圍驅(qū)動(dòng)電路也可以與多個(gè)像素形成在同一基板 上。此外，顯示裝置可以包括通過(guò)引線鍵合或凸起等而配置在基板上的外 圍驅(qū)動(dòng)電路、所謂的通過(guò)玻璃上芯片(COG)而連接的IC芯片、或者通過(guò) TAB等而連接的IC芯片。顯示裝置也可以包括安裝有IC芯片、電阻元件、 電容元件、電感器、晶體管等的柔性印刷電路(FPC)。此外，顯示裝置可 以通過(guò)柔性印刷電路(FPC)等實(shí)現(xiàn)連接，并包括安裝有IC芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的印刷線路板(PWB)。另外，顯示裝置也可以包括偏振板或相位差板等的光學(xué)片。此外，顯示裝置還包括照明裝置、 框體、聲音輸入輸出裝置、光傳感器等。這里，諸如背光燈單元之類的照明裝置也可以包括導(dǎo)光板、棱鏡片、擴(kuò)散片、反射片、光源(LED、冷陰 極管等)、冷卻裝置(水冷式、空冷式)等。另外，照明裝置指的是具有背光燈單元、導(dǎo)光板、棱鏡片、擴(kuò)散片、 反射片、光源(LED、冷陰極管、熱陰極管等)、冷卻裝置等的裝置。另外，發(fā)光裝置指的是具有發(fā)光元件等的裝置。在具有發(fā)光元件作為 顯示元件的情況下，發(fā)光裝置是顯示裝置的一個(gè)具體例子。另外，反射裝置指的是具有光反射元件、光衍射元件、光反射電極等 的裝置。另外，液晶顯示裝置指的是具有液晶元件的顯示裝置。作為液晶顯示 裝置，可以舉出直觀型、投射型、透過(guò)型、反射型、半透過(guò)型等。另外，驅(qū)動(dòng)裝置指的是具有半導(dǎo)體元件、電路、電子電路的裝置。例 如，控制將信號(hào)從源極信號(hào)線輸入到像素內(nèi)的晶體管(有時(shí)稱為選擇用晶 體管、開關(guān)用晶體管等)、將電壓或電流提供到像素電極的晶體管、將電 壓或電流提供到發(fā)光元件的晶體管等，是驅(qū)動(dòng)裝置的一個(gè)例子。再者，將 信號(hào)提供到柵極信號(hào)線的電路(有時(shí)稱為柵極驅(qū)動(dòng)器、柵極線驅(qū)動(dòng)電路 等)、將信號(hào)提供到源極信號(hào)線的電路(有時(shí)稱為源極驅(qū)動(dòng)器、源極線驅(qū)動(dòng) 電路等)等，是驅(qū)動(dòng)裝置的一個(gè)例子。再者，有可能重復(fù)具有顯示裝置、半導(dǎo)體裝置、照明裝置、冷卻裝置、 發(fā)光裝置、反射裝置、驅(qū)動(dòng)裝置等。例如，顯示裝置有時(shí)具有半導(dǎo)體裝置 及發(fā)光裝置?；蛘?，半導(dǎo)體裝置有時(shí)具有顯示裝置及驅(qū)動(dòng)裝置。再者，明確地記載"B形成在A的上面"或"B形成在A上"的情況不 局限于B直接接觸地形成在A的上面的情況。還包括不直接接觸的情況， 即，在A和B之間夾有其它對(duì)象物的情況。這里，A和B是對(duì)象物(例如裝置、 元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，例如，明確地記載"層B形成在層A的上面(或?qū)覣上)"的情況 包括如下兩種情況層B直接接觸地形成在層A的上面的情況；以及在層A 的上面直接接觸地形成其它層(例如層C或?qū)覦等)，并且層B直接接觸地形 成在所述其它層上的情況。另外，其他層(例如層C或?qū)覦等)可以是單層或與此相同，明確地記載"B形成在A的上方"的情況也不局限于B與A 的上面直接接觸的情況，而還包括在A和B之間夾有其它對(duì)象物的情況。 因此，例如，"層B形成在層A的上方"的情況包括如下兩種情況層B 直接接觸地形成在層A的上面的情況；以及在層A之上直接接觸地形成其 它層(例如層C或?qū)覦等)的情況，并且層B直接接觸地形成在所述其它層 上。注意，其他層(例如層C或?qū)覦等)可以是單層或?qū)盈B。另外，明確地記載"B直接接觸地形成在A的上面"的情況意味著B 直接接觸地形成在A的上面的情況，而不包括在A和B之間夾有其它對(duì)象物 的情況。另外，"B形成在A的下面"或"B形成在A的下方"的情況與上述情 況同樣。而且，明確記載為單數(shù)的情況優(yōu)選是單數(shù)，但是本發(fā)明不局限于此， 也可以是復(fù)數(shù)。與此同樣，明確記載為復(fù)數(shù)的情況優(yōu)選是復(fù)數(shù)，但是本發(fā) 明不局限于此，也可以是單數(shù)。可以制造降低了制造成本的半導(dǎo)體裝置。并且，可以制造具有多種功 能的半導(dǎo)體裝置?；蛘撸梢灾圃煸O(shè)置有能夠高速工作的電路的半導(dǎo)體裝 置?；蛘?，可以制造低功耗的半導(dǎo)體裝置?；蛘?，可以制造其工序數(shù)量減 少的半導(dǎo)體裝置。


圖l是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的2是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的3是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的4是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的5是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的6是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的7是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖的圖；圖8是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖的圖；圖9是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖的圖； 圖10是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖的圖; 圖ll是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的俯視圖的圖; 圖12是說(shuō)明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖13是說(shuō)明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖14是說(shuō)明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖15是說(shuō)明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖16是說(shuō)明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖17是說(shuō)明本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖18是說(shuō)明本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖19是說(shuō)明本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖20是說(shuō)明本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖;圖21是說(shuō)明本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖22是說(shuō)明本發(fā)明的像素的電路圖；圖23是說(shuō)明本發(fā)明的像素的電路圖；圖24是說(shuō)明本發(fā)明的像素的電路圖；圖25是說(shuō)明本發(fā)明的像素的俯視圖和截面圖；圖26是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖27是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖28是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖29是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖30是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖31是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖32是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖33是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖34是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖35是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖36是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖37是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖38是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖39是說(shuō)明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖。
具體實(shí)施方式
以下參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以通過(guò)多種不 同的方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)就是，在不 脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在實(shí)施方式所記載的 內(nèi)容中。此外，在以下所說(shuō)明的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，使用同一附圖標(biāo)記來(lái)表 示不同附圖之間的同一部分，并省略對(duì)同一部分或具有相同功能的部分的 詳細(xì)說(shuō)明。(實(shí)施方式l)在半導(dǎo)體裝置或顯示裝置中，它們的全部或一部分由下述TFT構(gòu)成將硅層從單晶基板分離(剝離)，并貼(復(fù)制)在玻璃基板上，從而在玻璃基板上形成的TFT;或者將單晶基板貼在玻璃基板上，利用從玻璃基板分離(剝離)單晶基板的方式在玻璃基板上形成硅層，從而在玻璃基板上形成的TFT。此外，將硅層從單晶基板分離，并將其貼在玻璃基板上，從而在玻 璃基板上形成的TFT;或者將單晶基板貼在玻璃基板上，并利用將單晶基 板分離的方式將單晶基板的硅層的一部分復(fù)制到玻璃基板上，從而在玻璃 基板上形成的TFT，下面將它們稱為單晶TFT。然后，在形成單晶TFT的同時(shí)形成非單晶TFT。作為非單晶的例子， 有非晶半導(dǎo)體((amorphous))、微晶半導(dǎo)體(也稱為微晶體半導(dǎo)體、半非晶半 導(dǎo)體、納米晶半導(dǎo)體等)等。接下來(lái)，將參照

制造方法。如圖1(A)所示，絕緣基板101不局限于玻璃等，可以使用各種基板。 例如，可以使用硼硅酸鋇玻璃、硼硅酸鋁玻璃等的玻璃基板、石英基板、 陶瓷基板、或含有不銹鋼的金屬基板等。此外，也可以使用由以聚對(duì)苯二 甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)為代表的 塑料或諸如丙烯酸等的具有柔性的合成樹脂形成的基板。通過(guò)使用具有柔 性的基板，可以制造可彎曲的半導(dǎo)體裝置。如果是具有柔性的基板，則由 于對(duì)基板的面積和形狀方面沒(méi)有特別限制，由此，作為絕緣基板101，如 果使用例如一邊長(zhǎng)在l米以上且為矩形的基板，則可以顯著提高生產(chǎn)率。 與使用圓形硅基板的情況相比，該優(yōu)點(diǎn)是極具優(yōu)勢(shì)的。另外，在絕緣基板101的表面等上，優(yōu)選配置絕緣膜。該絕緣膜作為 基底膜起作用。換而言之，防止來(lái)自絕緣基板101內(nèi)部的諸如Na等的堿金 屬或堿土金屬對(duì)半導(dǎo)體元件的特性造成負(fù)面影響。作為絕緣膜，可以使用 包含氧或氮的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成，包含氧或氮的絕緣膜例 如是氧化硅(SiOO、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy， x〉y)或氮化氧化硅 (SiNxOy， x〉y)等。例如，當(dāng)采用兩層結(jié)構(gòu)設(shè)置絕緣膜時(shí)，優(yōu)選設(shè)置氮氧化硅膜作為第一層絕緣膜，并且設(shè)置氧氮化硅膜作為第二層絕緣膜。作為 其它的例子，當(dāng)采用三層結(jié)構(gòu)設(shè)置絕緣膜時(shí)，優(yōu)選設(shè)置氧氮化硅膜作為第 一層絕緣膜，設(shè)置氮氧化硅膜作為第二層絕緣膜，并且設(shè)置氧氮化硅膜作 為第三層絕緣膜。但是，不局限于此，也可以在絕緣基板101的表面上不配置絕緣膜。然后，在配置有絕緣膜等的絕緣基板101上配置半導(dǎo)體層102。半導(dǎo)體 層102可以配置在絕緣基板101的整體表面上，也可以配置在絕緣基板101 的一部分上。半導(dǎo)體層102優(yōu)選是單晶。但是，不局限于此。因?yàn)閱尉Ь?有良好電流特性和高遷移率，所以這是優(yōu)選的。另外，對(duì)于半導(dǎo)體層102的配置方法等，在別的實(shí)施方式中進(jìn)行說(shuō)明。接下來(lái)，如圖1(B)所示，為了使半導(dǎo)體層102成為規(guī)定的形狀，通過(guò) 刻蝕除去不需要的部分。換而言之，將半導(dǎo)體層102加工為島形。換而言 之，對(duì)半導(dǎo)體102形成圖案。該半導(dǎo)體層102作為晶體管的激活層起作用。但是，不局限于此，有 時(shí)作為電容元件的電極、電阻元件、二極管的激活層等起作用。接下來(lái)，如圖1(C)所示，配置絕緣層103以使其覆蓋半導(dǎo)體層102。絕 緣層103通過(guò)使用CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法及印 刷法等進(jìn)行配置。絕緣層103也可以作為柵絕緣膜起作用。另外，在將絕 緣層103作為電容元件的絕緣體起作用時(shí)，絕緣層103有時(shí)作為層間膜起作 用。絕緣膜103可以使用下列膜的單層或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成硅氧烷樹脂、氧 化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy， x>y)、氮氧化硅(SiNxOy， x〉y)等的包含氧或氮的絕緣膜、DLC(類金剛石碳)等的包含碳的膜；或者 環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或丙烯酸等的有機(jī)材 料。另夕卜，硅氧烷樹脂相當(dāng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧垸的骨架結(jié)構(gòu)由 硅(Si)和氧(O)的鍵構(gòu)成。作為其取代基，可以使用至少包含氫的有機(jī)基(例 如烷基或芳烴)。作為其取代基，也可以使用氟基。或者，也可以使用至 少包含氫的有機(jī)基和氟基作為取代基。但是，與半導(dǎo)體層102接觸部分的絕緣層103優(yōu)選是氧化硅(SiOx)。通 過(guò)使用氧化硅(SiOx)，可以防止電子被捕獲且可以防止發(fā)生磁滯效果。接下來(lái)，如圖1(D)所示，配置導(dǎo)電層104以使其覆蓋絕緣層103。導(dǎo)電 層104通過(guò)使用CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法及印刷法等進(jìn)行配置。接下來(lái)，如圖2(A)所示，通過(guò)蝕刻去除不需要的部分，以便使導(dǎo)電層 104成為規(guī)定的形狀。換而言之，將導(dǎo)電層104加工為島狀。也就是說(shuō)，對(duì) 導(dǎo)電層104形成圖案。其結(jié)果，形成了柵電極104A和柵電極104B。柵電極104A與半導(dǎo)體102及絕緣層103等一起構(gòu)成晶體管203。因?yàn)闁?電極104A配置于半導(dǎo)體102的上部，所以晶體管203成為頂柵型的晶體管。晶體管203可以采用多種結(jié)構(gòu)。例如，晶體管203可以使用單漏極晶體 管。在此情況下，因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)簡(jiǎn)單的方法形成單漏極晶體管，所以它具 有低制造成本和高成品率的優(yōu)點(diǎn)。這里，半導(dǎo)體層102具有雜質(zhì)濃度不同 的區(qū)域，且具有溝道區(qū)、源區(qū)及漏區(qū)。通過(guò)這樣控制雜質(zhì)量，可以控制半 導(dǎo)體層的電阻率。在源區(qū)及漏區(qū)中，可以使半導(dǎo)體層102和與其連接的導(dǎo) 電膜之間的電學(xué)連接狀態(tài)接近于歐姆接觸。另外，作為分別形成雜質(zhì)量彼 此不同的半導(dǎo)體層的方法，可以使用以柵電極104A作為掩模對(duì)半導(dǎo)體層 摻雜雜質(zhì)的方法。另外，晶體管203可以形成為其柵電極104A具有一定程度以上的錐形 角。在此情況下，因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行制造，所以它具有低制造 成本和高成品率的優(yōu)點(diǎn)。這里，半導(dǎo)體層102具有雜質(zhì)濃度不同的區(qū)域， 且具有溝道區(qū)、輕摻雜漏(Lightly Doped Drain:LDD)區(qū)、源區(qū)及漏區(qū)。通 過(guò)這樣控制雜質(zhì)量，可以控制半導(dǎo)體層的電阻率。而且，可以使半導(dǎo)體層 102和與其連接的導(dǎo)電膜之間的電學(xué)連接狀態(tài)接近于歐姆接觸。因?yàn)榫w 管包括LDD區(qū)，所以在晶體管中不容易施加高的電場(chǎng)，可以抑制由于熱載 流子而導(dǎo)致的元件的退化。另外，作為分別形成雜質(zhì)量不同的半導(dǎo)體層的 方法，可以使用以柵電極104A作為掩模對(duì)半導(dǎo)體層慘雜雜質(zhì)的方法。在 柵電極104A具有一定程度以上的錐形角的情況下，可以提供通過(guò)柵電極 104A摻雜到半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度的梯度，而且可以容易地形成LDD區(qū)。另外，在晶體管203中，柵電極104A可以至少由兩層構(gòu)成，且其下層 柵電極比上層?xùn)烹姌O長(zhǎng)。在此情況下，上層?xùn)烹姌O及下層?xùn)烹姌O的形狀有 時(shí)稱為帽形。由于柵電極104A是帽形的，所以在不增加光掩模的情況下 形成LDD區(qū)。另夕卜，LDD區(qū)與柵電極104A重疊的結(jié)構(gòu)特別稱為GOLD結(jié)構(gòu) (Gate Overlapped LDD)。再者，作為將柵電極104A的形狀形成為帽形的方 法，也可以使用下面的方法。首先，當(dāng)對(duì)柵電極104A形成圖案時(shí)，通過(guò)干刻蝕來(lái)刻蝕下層?xùn)烹姌O及上層?xùn)烹姌O，使得其側(cè)面形成為具有傾斜的形狀(錐形)。然后，通過(guò)各 向異性刻蝕，處理上層?xùn)烹姌O以使其傾角接近于垂直。通過(guò)該工序，形成 了其截面形狀為帽形的柵電極。然后，通過(guò)進(jìn)行兩次雜質(zhì)元素的摻雜，形成溝道區(qū)、LDD區(qū)、源區(qū)及漏區(qū)。另外，將與柵電極104A重疊的LDD區(qū)稱為L(zhǎng)ov區(qū)，并且將不與柵電極 104A重疊的LDD區(qū)稱為L(zhǎng)off區(qū)。在此，Loff區(qū)在抑制截止電流值方面的效 果高，而它在通過(guò)緩和漏極附近的電場(chǎng)來(lái)防止由于熱載流子而導(dǎo)致的導(dǎo)通 電流值的退化方面的效果低。另一方面，Lov區(qū)在通過(guò)緩和漏極附近的電 場(chǎng)來(lái)防止導(dǎo)通電流值的退化方面的效果高，而它在抑制截止電流值方面的 效果低。因此，優(yōu)選在各種電路中制作具有對(duì)應(yīng)于所需特性的結(jié)構(gòu)的晶體 管。例如，當(dāng)使用半導(dǎo)體裝置作為顯示裝置時(shí)，為了抑制截止電流值，像 素晶體管優(yōu)選使用具有Loff區(qū)的晶體管。另一方面，為了通過(guò)緩和漏極附 近的電場(chǎng)來(lái)防止導(dǎo)通電流值的退化，外圍電路中的晶體管優(yōu)選使用具有 Lov區(qū)的晶體管。另外，作為晶體管203，可以形成具有與柵電極104A的側(cè)面接觸的側(cè) 壁的晶體管。當(dāng)晶體管具有側(cè)壁時(shí)，可以將與側(cè)壁重疊的區(qū)域作為L(zhǎng)DD區(qū)。另外，作為晶體管203，可以通過(guò)使用掩模對(duì)半導(dǎo)體層102進(jìn)行摻雜來(lái) 形成LDD(Loff)區(qū)。通過(guò)這樣，可以準(zhǔn)確地形成LDD區(qū)，并且可以降低晶 體管的截止電流值。另外，作為晶體管203，可以通過(guò)使用掩模對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜來(lái)形 成LDD(Lov)區(qū)。通過(guò)該方式，可以準(zhǔn)確地形成LDD區(qū)，并且通過(guò)緩和晶 體管的漏極附近的電場(chǎng)，可以降低導(dǎo)通電流值的退化。另外，導(dǎo)電層104不局限于柵電極，也可以被加工為具有各種功能的 導(dǎo)電膜。例如，導(dǎo)電層104可以具有用于形成存儲(chǔ)電容的布線、用于形成 掃描線的布線、用于連接電路的布線等的布線，以及電極等多種功能。下面，如圖2(B)所示，設(shè)置絕緣層201以使其覆蓋柵電極104A、柵電 極104B。根據(jù)CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法、印刷 法等設(shè)置絕緣層201。絕緣層201也可作為柵絕緣膜起作用。此外，也可作 為電容元件的絕緣體以及層間膜起作用。絕緣層201可以使用下列膜的單層或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成硅氧垸樹脂、氧 化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy， x>y)、氮氧化硅(SiNxOy，x〉y)等的包含氧或氮的絕緣膜、DLC(類金剛石碳)等的包含碳的膜；或者 如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或丙烯酸等的有機(jī) 材料等。再者，硅氧垸樹脂相當(dāng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧垸的骨架結(jié) 構(gòu)由硅(Si)和氧(O)的鍵構(gòu)成。作為其取代基，可以使用至少包含氫的有機(jī) 基(例如烷基或芳烴)。也可以使用氟基作為取代基?；蛘?，也可以使用至 少包含氫的有機(jī)基和氟基作為取代基。但是，與接下來(lái)要設(shè)置的半導(dǎo)體層202相接觸的部分的絕緣層201優(yōu)選 采用氮化硅(SiNx)。半導(dǎo)體層202的內(nèi)部有可能含有氫。此時(shí)，通過(guò)使用 氮化硅(SiNx)作為絕緣層201，可以防止半導(dǎo)體層202所包含的氫與絕緣層 201起反應(yīng)。接下來(lái)，如圖2(C)所示，設(shè)置半導(dǎo)體層202以使其覆蓋絕緣層201。根 據(jù)CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法、印刷法等設(shè)置半導(dǎo) 體層202。半導(dǎo)體層202至少具有2層，在本征半導(dǎo)體上設(shè)置雜質(zhì)半導(dǎo)體。半導(dǎo)體202的結(jié)晶度優(yōu)選為非晶(amorphous)、微晶(也稱為 micro-crystal、 半非晶、纟內(nèi)米晶體(nanocrystal))等。下面，如圖2(D)所示，為了將半導(dǎo)體層202形成為規(guī)定的形狀，刻蝕 去除不要的部分。也就是說(shuō)，將半導(dǎo)體層202加工成島形。即，對(duì)半導(dǎo)體 層202形成圖案。此時(shí)，作為形成圖案后的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層202A作為晶體管的激 活層起作用。但是，不局限于此。也可將半導(dǎo)體層作為層間膜起作用。就 是說(shuō)，通過(guò)設(shè)置半導(dǎo)體層來(lái)減低布線的交叉電容，并且通過(guò)減少階梯來(lái)減 低布線的斷裂。例如，半導(dǎo)體層202B及半導(dǎo)體層202C作為層間膜起作用。下面，如圖3(A)所示，設(shè)置導(dǎo)電層301以使其覆蓋半導(dǎo)體層202A、半 導(dǎo)體層202B、半導(dǎo)體層202C。根據(jù)CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀 積法、噴墨法、印刷法等設(shè)置導(dǎo)電層301。注意，導(dǎo)電層104、導(dǎo)電層301可以采用單層導(dǎo)電膜，或兩層、三層的 導(dǎo)電膜的疊層結(jié)構(gòu)。作為導(dǎo)電層104的材料可以采用導(dǎo)電膜，例如，鉭(Ta)、 鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)、硅(Si)、鋁(A1)、鎳(Ni)、碳(C)、鎢(W)、 鉑(Pt)、銅(Cu)、鉭(Ta)、金(Au)、錳(Mn)等的元素的單體膜；或者上述元 素的氮化膜(典型地，氮化鉭膜、氮化鴿膜或氮化鈦膜)；或者組合了上述 元素的合金膜(典型地，Mo-W合金或Mo-Ta合金)；或者上述元素的硅化物 膜(典型地，鎢硅化物膜或鈦硅化物膜)等?；蛘?，作為包含多個(gè)上述元素中的合金，可以使用包含C及Ti的Al合金、包含Ni的Al合金、包含C及Ni 的A1合金、包含C及Mn的Al合金等。再者，上述的單體膜、氮化膜、合金 膜、硅化物膜等可以具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。例如，在采用層跌結(jié)構(gòu)的 情況，可以采用將Al插入到Mo或Ti等之間的結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用該結(jié)構(gòu)，可 以提高A1對(duì)熱或化學(xué)反應(yīng)的耐受力。采用硅的情況下，為了提高導(dǎo)電性， 優(yōu)選包含多種雜質(zhì)(P型雜質(zhì)或N型雜質(zhì))。接下來(lái)，如圖3(B)所示，為了將導(dǎo)電層301形成為規(guī)定的形狀，刻蝕 去除不要的部分。也就是說(shuō)，將導(dǎo)電層301加工成島形。即，對(duì)導(dǎo)電層301 形成圖案。結(jié)果形成了導(dǎo)電層301A、導(dǎo)電層301B、導(dǎo)電層301C、導(dǎo)電層 301D。導(dǎo)電層301A、導(dǎo)電層301B、導(dǎo)電層301C、導(dǎo)電層301D可作為源電極、漏電極、以及源極信號(hào)線等起作用。下面，如圖3(C)所示，對(duì)半導(dǎo)體層202A的一部分進(jìn)行刻蝕。由此，去 除溝道區(qū)域的雜質(zhì)層。結(jié)果完成晶體管303。由于柵電極104B設(shè)置在半導(dǎo) 體層202A的下方，晶體管303既為底柵型晶體管，又是反交錯(cuò)型晶體管。 另外，由于對(duì)溝道部分的半導(dǎo)體層進(jìn)行了刻蝕，所以又是溝道刻蝕型晶體 管。半導(dǎo)體層202A可以使用非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體或半非晶半導(dǎo)體 (SAS)形成。或者，也可以使用多晶半導(dǎo)體層。SAS是一種具有非晶結(jié)構(gòu) 和結(jié)晶結(jié)構(gòu)(包括單晶、多晶)的中間結(jié)構(gòu)且具有自由能穩(wěn)定的第三狀態(tài)的 半導(dǎo)體，并且包括具有短程有序和晶格畸變的結(jié)晶區(qū)域。在SAS膜的至少 一部分區(qū)域可以觀察到0.5nm至20nm的結(jié)晶區(qū)域。當(dāng)以硅為主要成分時(shí)， 拉曼光譜向低于520cm"波數(shù)的一側(cè)偏移。在X射線衍射中，可以觀察到來(lái) 源于硅晶格的(111)和(220)的衍射峰。SAS至少包含1原子X以上的氫或鹵 素以補(bǔ)充懸空鍵。通過(guò)使材料氣體輝光放電分解(等離子體CVD)形成SAS。 作為材料氣體，不僅可以使用SiH4，還可使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCU、 SiF4等?；蛘?，也可以混合GeF4。該材料氣體還可以用H2、或者H2與一種 或多種選自He、 Ar、 Kr和Ne的稀有氣體稀釋。稀釋比率為2倍至1000倍， 壓力大約為0.1Pa至133Pa，電源頻率為lMHz至120MHz，優(yōu)選為13MHz至 60MHz?；寮訜釡囟瓤梢詾?0(TC以下。作為膜中的雜質(zhì)元素，來(lái)源于 大氣成分的雜質(zhì)諸如氧、氮和碳等優(yōu)選為lxlO"cm"以下。特別地，氧的 濃度優(yōu)選為5xlO,cn^以下，更優(yōu)選為lxl0W/cr^以下。這里，通過(guò)濺射法、 LPCVD法或等離子體CVD法等、使用包含硅(Si)為其主要成分的材料(例如SixGe"等)形成非晶半導(dǎo)體層，然后，通過(guò)諸如激光晶化法、使用RTA 或退火爐的熱晶化法、或使用促進(jìn)結(jié)晶的金屬元素的熱晶化法等的晶化法 使該非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶化。接下來(lái)，如圖4(A)所示，配置絕緣層401以使其覆蓋導(dǎo)電層301A、導(dǎo) 電層301B、導(dǎo)電層301C及導(dǎo)電層C。絕緣層401通過(guò)使用CVD法、濺射法、 熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法及印刷法等進(jìn)行配置。絕緣層401也作為 保護(hù)膜起作用。另外，也在將絕緣膜401作為電容元件的絕緣體起作用時(shí)， 絕緣膜401也有時(shí)用作層間膜。絕緣層401可以使用下列膜的單層或疊層結(jié)構(gòu)形成硅氧垸樹脂、氧 化硅(SiCg、氮化硅(SiN》、氧氮化硅(SiOxNy， x>y)、氮氧化硅(SiNxOy， x〉y)等的包含氧或氮的絕緣膜、DLC(類金剛石碳)等的包含碳的膜；或者 如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或丙烯酸等的有機(jī) 材料。另外，硅氧烷樹脂相當(dāng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧垸的骨架結(jié)構(gòu) 由硅(Si)和氧(O)的鍵構(gòu)成。作為其取代基，可以使用至少包含氫的有機(jī)基 (例如烷基或芳烴)。也可以使用氟基作為取代基?；蛘撸部梢允褂弥辽?包含氫的有機(jī)基和氟基作為取代基。但是，與要配置的半導(dǎo)體層202接觸部分的絕緣層401優(yōu)選是氮化硅 (SiNx)。半導(dǎo)體層202的內(nèi)部有時(shí)含有氫。在此情況下，通過(guò)使用氮化硅 (SiHO作為絕緣層401，可以防止半導(dǎo)體層202所包含的氫與絕緣層401起反 應(yīng)。再者，絕緣層401優(yōu)選包含氮化硅(SiN》。氮化硅(SiN》具有阻擋雜質(zhì) 的功能。因此，可以保護(hù)晶體管免受雜質(zhì)的影響。另外，絕緣層401優(yōu)選包含有機(jī)膜。由此，可以使絕緣層401的表面變 得平坦。當(dāng)絕緣層401的表面平坦時(shí)，也可以使形成于其上面的像素電極 變得平坦。如果像素電極變得平坦，則可以適當(dāng)?shù)匦纬娠@示元件。接下來(lái)，如圖4(B)所示，形成接觸孔。接觸孔利用干刻蝕法或濕刻蝕 法等、并通過(guò)刻蝕材料來(lái)形成。再者，當(dāng)絕緣層401具有有機(jī)膜，且其有 機(jī)膜由感光性材料形成時(shí)，可以與成膜同時(shí)形成接觸孔。因此，不需要對(duì) 接觸孔部的材料進(jìn)行刻蝕。所以，可以減少步驟數(shù)。接觸孔501A、接觸 孔501B及接觸孔501E通過(guò)刻蝕絕緣層401來(lái)形成。接觸孔501C及接觸孔 501D通過(guò)刻蝕絕緣層401、絕緣層201及絕緣層103來(lái)形成。接下來(lái)，如圖5所示，配置導(dǎo)電層601以使其覆蓋絕緣層401、接觸孔501A、接觸孔501B、接觸孔501C、接觸孔501D、及接觸孔501E。導(dǎo)電層 601通過(guò)使用CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法及印刷法 等配置。導(dǎo)電層601作為布線、像素電極、透明電極及反射電極等起作用。 另外，導(dǎo)電層601可以為由單層的導(dǎo)電膜或兩層、三層的導(dǎo)電膜的疊 層結(jié)構(gòu)。而且，導(dǎo)電層601優(yōu)選具有高透光率，且具有透明或接近透明的 區(qū)域。因此，導(dǎo)電層601可以用作透光區(qū)域的像素電極。另外，導(dǎo)電層601 優(yōu)選具有反射率高的區(qū)域。因此，導(dǎo)電層601可以用作反射區(qū)域的像素電 極。另外，導(dǎo)電層601優(yōu)選為包含ITO、 IZO及ZnO等的膜。接下來(lái)，如圖6所示，通過(guò)刻蝕除去不需要的部分以使導(dǎo)電層601形成為規(guī)定的形狀。換而言之，將導(dǎo)電層601加工為島形。換而言之，對(duì)導(dǎo)電層601形成圖案。在這種情況下，作為形成圖案后的導(dǎo)電層，導(dǎo)電層601A作為像素電 極起作用。但是，不局限于此。此外，導(dǎo)電層601B及導(dǎo)電層601C作為布 線起作用。導(dǎo)電層601B具有連接導(dǎo)電層301C和半導(dǎo)體層102的功能。導(dǎo)電 層601C具有連接導(dǎo)電層301D和半導(dǎo)體層102的功能。之后，與各種顯示元件相吻合，經(jīng)過(guò)各種工序完成顯示裝置。例如， 形成定向膜，并且在與具有彩色濾光片的相對(duì)基板之間配置液晶?；蛘撸?在導(dǎo)電層601A之上配置有機(jī)EL材料，并在其上配置陰極。此外，雖然在圖4(B)中，通過(guò)形成接觸孔并在其上配置導(dǎo)電層，從而 連接導(dǎo)電層301C和半導(dǎo)體層102，但是如圖7所示，也可以通過(guò)接觸孔501F 及接觸孔501G并使用導(dǎo)電層601D，實(shí)現(xiàn)連接導(dǎo)電層301F和導(dǎo)電層104C。 另外，導(dǎo)電層301F由導(dǎo)電層301形成，導(dǎo)電層104C由導(dǎo)電層104形成，導(dǎo) 電層601D由導(dǎo)電層601形成。接觸孔501F及接觸孔501G與接觸孔501A、 接觸孔501B、接觸孔501C、接觸孔501D等同時(shí)形成。此外，既可以如導(dǎo)電層301C、導(dǎo)電層301D、導(dǎo)電層301F等，在它們 的下面配置半導(dǎo)體層，又可以如圖7所示，在導(dǎo)電層301E的下面不配置半 導(dǎo)體層。再者，在圖2(D)、圖3(A)、圖3(B)、圖3(C)中，通過(guò)使用不同的掩模(中 間掩模)對(duì)半導(dǎo)體層202和導(dǎo)電層301形成圖案，但是不局限于此。通過(guò)采 用半色調(diào)掩模、灰度掩模等，可以利用一個(gè)掩模(中間掩模)對(duì)半導(dǎo)體層202 和導(dǎo)電層301形成圖案。圖8示出了該情況的截面圖。由于使用半色調(diào)掩模、灰度掩模等，因此半導(dǎo)體層202E的尺寸比導(dǎo)電層301A、導(dǎo)電層301B的尺 寸大。換而言之，在導(dǎo)電層301A、導(dǎo)電層301B的下面， 一定配置有半導(dǎo) 體層202E。另外，雖然在圖6中，通過(guò)導(dǎo)電層601B、電層601C連接導(dǎo)電層301C及 半導(dǎo)體層102，并且連接導(dǎo)電層301D及半導(dǎo)體層102，并且在圖7中，通過(guò) 導(dǎo)電層601D連接導(dǎo)電層301F及導(dǎo)電層104C，但不局限于此。也可以不通 過(guò)其他的導(dǎo)電膜，而通過(guò)形成接觸孔來(lái)直接進(jìn)行連接。也就是說(shuō)，作為圖 2(B)的下一步驟，或者作為圖2(D)的下一步驟，可以通過(guò)對(duì)絕緣層201、 絕緣層103進(jìn)行刻蝕來(lái)形成接觸孔，從而將使用導(dǎo)電層301形成的導(dǎo)電膜、 與使用導(dǎo)電層104形成的導(dǎo)電膜或使用半導(dǎo)體層102形成的半導(dǎo)體層實(shí)現(xiàn) 直接連接。圖9表示了這種情況的示例。在圖9中，使用導(dǎo)電層301形成的 導(dǎo)電層301G及半導(dǎo)體層102通過(guò)接觸孔901A實(shí)現(xiàn)直接連接。同樣，使用導(dǎo) 電層301形成的導(dǎo)電層301H及半導(dǎo)體層102通過(guò)接觸孔901B實(shí)現(xiàn)直接連 接。并且，導(dǎo)電層601E通過(guò)接觸孔501H與導(dǎo)電層301H實(shí)現(xiàn)直接連接。另 外，在這種情況下，關(guān)于導(dǎo)電層301H及導(dǎo)電層301G，優(yōu)選在其下方不設(shè) 置半導(dǎo)體層。這是因?yàn)楫?dāng)與半導(dǎo)體層102接觸時(shí)，導(dǎo)電層301H及301G與半 導(dǎo)體層102之間優(yōu)選沒(méi)有其他的層。另外，在圖6中，晶體管303雖然為溝道蝕刻型，但是不局限于此。也 可以使用溝道保護(hù)型。圖10表示了這種情況的示例。在溝道保護(hù)型中，不 是連續(xù)設(shè)置半導(dǎo)體層，而在其中間設(shè)置用來(lái)保護(hù)溝道部分的刻蝕的絕緣層 1001。也就是說(shuō)，在本征半導(dǎo)體層1002的上方設(shè)置絕緣層1001，在其上， 設(shè)置半導(dǎo)體層1003A及半導(dǎo)體層1003B。在半導(dǎo)體層1003A及半導(dǎo)體層 1003B中，包含雜質(zhì)(N型或者P型)。另外，在圖10中，對(duì)半導(dǎo)體層1002形成圖案，其后，對(duì)半導(dǎo)體層1003A、 半導(dǎo)體層1003B、導(dǎo)電層301A及導(dǎo)電層301B同時(shí)形成圖案，但是不局限于 此。也可以對(duì)半導(dǎo)體層1002、半導(dǎo)體層1003A、半導(dǎo)體層1003B、導(dǎo)電層 301A及導(dǎo)電層301B同時(shí)形成圖案。這種情況下，在導(dǎo)電層301A及導(dǎo)電層 301B的下方必須設(shè)置有半導(dǎo)體層1002。以上說(shuō)明了晶體管的結(jié)構(gòu)及晶體管的制造方法。注意，布線、電極、 導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子、通路、插頭等優(yōu)選從由鋁(A1)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、 鉬(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、 鎂(Mg)、鈧(Sc)、鈷(Co)、鋅(Zn)、鈮(Nb)、硅(Si)、磷(P)、硼(B)、砷(As)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)和氧(O)構(gòu)成的族中選擇的一個(gè)或多個(gè)元素、或者 以從上述族中選擇的一個(gè)或多個(gè)元素作為成分的化合物、合金材料(例如， 氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅 (ZnO)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CTO)、鋁釹(A1-Nd)、鎂銀(Mg-Ag)、鉬 鈮(Mo-Nb)等)來(lái)形成?；蛘?，優(yōu)選形成布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端 子等，以包含組合上述化合物而成的物質(zhì)等。或者，優(yōu)選形成布線、電極、 導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等，以包含由選自上述族中的一個(gè)或多個(gè)元素和硅 構(gòu)成的化合物(硅化物)(例如，鋁硅、鉬硅、硅化鎳等)、由選自上述群中 的一個(gè)或多個(gè)元素和氮構(gòu)成的化合物(例如，氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬等)。硅(Si)也可以包含n型雜質(zhì)(磷等)或p型雜質(zhì)(硼等)。由于硅包含雜質(zhì)， 可以提高導(dǎo)電率，并且可以實(shí)現(xiàn)類似于普通導(dǎo)體的功能。于是，可以更容 易地使用于布線、電極等。另外，作為硅可以使用具有各種結(jié)晶性的硅，諸如單晶硅、多晶硅、 微晶硅等?；蛘?，作為硅也可以使用沒(méi)有結(jié)晶性的硅諸如非晶硅等。通過(guò) 使用單晶硅或多晶硅，可以降低布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等的 電阻。通過(guò)使用非晶硅或微晶硅，可以利用簡(jiǎn)單工序來(lái)形成布線等。再者，由于鋁或銀具有高導(dǎo)電率，所以可以減少信號(hào)延遲。再者，由 于鋁或銀容易被刻蝕，所以可以容易地形成圖案并對(duì)它們進(jìn)行細(xì)微加工。再者，由于銅具有高導(dǎo)電率，所以可以減少信號(hào)延遲。當(dāng)使用銅時(shí)， 由于優(yōu)選采用層疊結(jié)構(gòu)，以便提高緊密性。鉬或鈦具有如下優(yōu)點(diǎn)即使鉬或鈦與氧化物半導(dǎo)體(ITO、 IZO等)或硅 接觸也不會(huì)產(chǎn)生缺陷，容易被蝕刻，具有高耐熱性等有點(diǎn)。所以優(yōu)選使用 鉬或鈦。由于鎢具有高耐熱性等的優(yōu)點(diǎn)，所以優(yōu)選使用鴇。由于釹具有高耐熱性等的優(yōu)點(diǎn)，所以優(yōu)選使用釹。特別地，優(yōu)選使用 釹和鋁的合金，因?yàn)槟蜔嵝蕴岣卟⑶忆X難以產(chǎn)生小丘。硅具有如下優(yōu)點(diǎn)可以與晶體管所具有的半導(dǎo)體層同時(shí)形成，具有高 耐熱性等。所以優(yōu)選使用硅。由于ITO、 IZO、 ITSO、氧化鋅(ZnO)、硅(Si)、氧化錫(SnO)、氧化錫 鎘(CTO)具有透光性，所以可以使用于使光透過(guò)的部分。例如，它們可以 用作于像素電極或共同電極。優(yōu)選使用IZO，因?yàn)镮ZO容易被刻蝕和加工。在刻蝕IZO時(shí)，難以留下渣滓。因而，當(dāng)IZO用作像素電極時(shí)，可以減少液晶元件或發(fā)光元件發(fā)生 不良情況(短路、取向無(wú)序等)。另外，布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子、通路、插頭等可以具有 單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用單層結(jié)構(gòu)，布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、 端子等的制造工序可以簡(jiǎn)化、可以減少工序數(shù)目，并且可以減少成本?；?者，通過(guò)采用多層結(jié)構(gòu)，可以在有效地利用各材料的優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，減少缺 點(diǎn)，以形成性能好的布線、電極等。例如，通過(guò)在多層結(jié)構(gòu)中包括低電阻 材料(鋁等)，可以謀求實(shí)現(xiàn)布線電阻的降低。作為其它的例子，通過(guò)采用 用高耐熱性材料夾住低耐熱性材料的層疊結(jié)構(gòu)，可以在有效地利用低耐熱 性材料所具有的優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，提高布線、電極等的耐熱性。例如，優(yōu)選釆 用用含有鉬、鈦、釹等的層夾住包含鋁的層的層疊結(jié)構(gòu)。在布線、電極等彼此直接接觸的情況下，它們有時(shí)對(duì)彼此會(huì)有不利的 影響。例如， 一個(gè)布線、電極等材料混合到另一個(gè)布線、電極等中并改變 其性質(zhì)，于是使其不能發(fā)揮本來(lái)的作用。作為另一例子，當(dāng)形成或制造高 電阻部分時(shí)，出現(xiàn)問(wèn)題，而不能正常地制造。在此情況下，優(yōu)選通過(guò)采用 層疊結(jié)構(gòu)用難以反應(yīng)的材料夾住容易反應(yīng)的材料，或者利用難以反應(yīng)的材料來(lái)覆蓋容易反應(yīng)的材料。例如，當(dāng)使ITO與鋁連接時(shí)，優(yōu)選在ITO與鋁 之間插入鈦、鉬、釹的合金。作為另一例子，當(dāng)使硅與鋁連接時(shí)，優(yōu)選在 硅與鋁之間插入鈦、鉬、釹的合金。布線是指配置導(dǎo)電體后得到的部分。導(dǎo)電體既可以配置為長(zhǎng)線狀，又 可以配置為短線狀。因此，電極包括在布線中。也可以使用碳納米管作為布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子、通路、 插頭等。而且，由于碳納米管具有透光性，所以碳納米管可以使用于使光 透過(guò)的部分。例如，碳納米管可以使用于像素電極或共同電極。以上示出了截面圖，接下來(lái)將示出布局圖。圖ll示出配置有兩個(gè)晶體 管203的布局圖。通過(guò)在半導(dǎo)體層102AA和半導(dǎo)體層102BB上配置柵電極 104AA來(lái)形成晶體管。第一電源線301AA和半導(dǎo)體層102AA通過(guò)接觸孔并 使用導(dǎo)電層601AA來(lái)實(shí)現(xiàn)彼此連接。同樣，第二電源線301CC和半導(dǎo)體層 102BB通過(guò)接觸孔并使用導(dǎo)電層601CC來(lái)實(shí)現(xiàn)彼此連接。輸出布線301BB 通過(guò)接觸孔501AA及接觸孔501BB并使用導(dǎo)電層601BB與半導(dǎo)體層102AA 及半導(dǎo)體層102BB來(lái)實(shí)現(xiàn)彼此連接。另外，圖ll所示的電路可以作為反相器電路或源極跟隨電路進(jìn)行工作。通過(guò)這樣，由于晶體管具有高遷移率和高電流供給能力，所以使用晶體管203而構(gòu)成的電路優(yōu)選用作驅(qū)動(dòng)電路。另一方面，因?yàn)榫w管303是遷移率不高且可以在大面積上制造，所以優(yōu)選用作像素電路。另外，在本實(shí)施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說(shuō)明，但是各附圖所示的 內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進(jìn)行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分 可以通過(guò)組合其他部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實(shí)施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他 實(shí)施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進(jìn)行適用、組合、 或置換等。再者，在本實(shí)施方式的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分，可以通過(guò)組合 其他實(shí)施方式的部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。此外，本實(shí)施方式表示其他實(shí)施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體 例子、其稍微變形的例子、變更一部分后的例子、改良后的例子、詳細(xì)描 述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實(shí)施方 式所述的內(nèi)容可以對(duì)本實(shí)施方式所述的內(nèi)容自由地進(jìn)行適用、組合、或置 換。(實(shí)施方式2)接下來(lái)，下面對(duì)于單晶TFT中所使用的半導(dǎo)體層的配置方法進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的SOI基板的結(jié)構(gòu)示出于圖12(A)和圖12(B)。在圖12(A)中支撐 基板9200為具有絕緣表面的基板或絕緣基板，可以應(yīng)用鋁硅酸鹽玻璃、鋁 硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃等的用于電子工業(yè)中的各種玻璃基板。此 外還可以使用石英玻璃、硅片等半導(dǎo)體基板。SOI層9202為單晶半島體層， 典型使用單晶硅。此外，可以使用于利用氫離子注入剝離法從硅或鍺的單 晶半導(dǎo)體基板或多晶半導(dǎo)體基板剝離的半導(dǎo)體層。另外還可以使用由鎵 砷、磷化銦等化合物半導(dǎo)體所形成的晶體半導(dǎo)體層。在這種支撐基板9200和SOI層9202之間，設(shè)置具有平滑面且形成親水 性表面的鍵合層9204。作為該鍵合層9204適用氧化硅膜。特別優(yōu)選的是使 用有機(jī)硅烷氣體且利用化學(xué)氣相成長(zhǎng)法而制造的氧化硅膜。作為有機(jī)硅垸 氣體可以使用含有硅的化合物，如四乙氧基硅烷(TEOS:化學(xué)式 Si(OC2H5)4)、四甲基硅垸(TMS)、四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅垸(化學(xué)式 SiH(OC2H5)3)、三(二甲基氨基)硅院(化學(xué)式SiH(N(CH3)2)3)等。將上述具有平滑面并形成親水性表面的鍵合層9204設(shè)為5mn至500nm 的厚度。該厚度可以使被淀積的膜表面的表面粗糙平滑化，并且可以確保 該膜的成長(zhǎng)表面的平滑性。另外，可以緩和支撐基板9200和SOI層9202的 應(yīng)變。也可以在支撐基板9200上設(shè)置同樣的氧化硅膜。即，當(dāng)將SOI層9202 鍵合到具有絕緣表面的基板或者絕緣性的支撐基板9200時(shí)，在形成鍵合的 面的一方或雙方上，通過(guò)設(shè)置以有機(jī)硅烷為原材料且淀積了的氧化硅膜構(gòu) 成的鍵合層9204，可以形成堅(jiān)固鍵合。圖12(B)表示在支撐基板9200上設(shè)置阻擋層9205和鍵合層9204的結(jié) 構(gòu)。當(dāng)將SOI層9202鍵合到支撐基板9200時(shí)，可以防止如堿金屬或堿土金 屬那樣的可動(dòng)離子雜質(zhì)從用作支撐基板9200的玻璃基板擴(kuò)散以污染SOI層 9202。此外，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置支撐基板9200—側(cè)的鍵合層9204即可。圖13(A)表示在SOI層9202和鍵合層9204之間設(shè)置含有氮的絕緣層 9220的構(gòu)成。含有氮的絕緣層9200是通過(guò)對(duì)選自氮化硅膜、氮氧化硅膜、 或者氧氮化硅膜中的一種或多種的膜進(jìn)行層疊而構(gòu)成的。例如，可以從S01 層9202—側(cè)層疊氧氮化硅膜、氮氧化硅膜來(lái)形成含有氮的絕緣層9220。為 了形成與支撐基板9200的鍵合而設(shè)置鍵合層9204。與此相對(duì)，優(yōu)選設(shè)置含 有氮的絕緣層9220，以便防止可動(dòng)離子或水分等的雜質(zhì)擴(kuò)散到SOI層9202 且污染SOI層9202。另外，在此氧氮化硅膜是指如下膜在組成方面氧的含量比氮的含量 多，作為濃度范圍，例如包含50原子％至70原子％的氧、0.5原子％至15原 子％的氮、25原子％至35原子％的硅、0.1原子％至10原子％的氫。另外， 氮氧化硅膜是指如下膜在組成方面氮的含量比氧的含量多且當(dāng)使用RBS 及HFS測(cè)量時(shí)，作為濃度范圍，例如包含5原子％至30原子％的氧、20原子 %至55原子％的氮、25原子。/。至35原子n/。的Si、 10原子°/。至30原子％的氫。 但是，上述范圍都是在使用盧瑟福背散射光譜學(xué)法(RBS:Rutherford Backscattering Spectrometry)以及氫前方散射》去(HFS:Hydrogen Forward Scattering)進(jìn)行測(cè)量的情況下得到的結(jié)果。另外，將構(gòu)成元素的總計(jì)設(shè)為 不超過(guò)100原子％。圖13(B)表示在支撐基板9200上設(shè)置鍵合層9204的構(gòu)成。優(yōu)選在支撐 基板9200和鍵合層9204之間設(shè)有阻擋層9205。因此可以防止如堿金屬或堿土金屬那樣的可動(dòng)離子雜質(zhì)從用作支撐基板9200的玻璃基板擴(kuò)散且污染 SOI層9202。另外，在SOI層9202上形成有氧化硅膜9221。該氧化硅膜9221 與鍵合層9204形成鍵合，從而在支撐基板9200上固定SOI層。作為氧化硅 膜9221優(yōu)選通過(guò)熱氧化而形成的結(jié)構(gòu)。此外，也可以與鍵合層9204—樣使 用TEOS且通過(guò)化學(xué)氣相成長(zhǎng)法而形成的膜。另外，作為氧化硅膜9221可 以使用化學(xué)氧化物。例如可以通過(guò)利用含臭氧的水對(duì)半導(dǎo)體基板表面進(jìn)行 處理來(lái)形成化學(xué)氧化物。優(yōu)選形成化學(xué)氧化物以反映半導(dǎo)體基板的平坦 性。對(duì)這種SOI基板的制造方法參照?qǐng)D14(A)至圖14(C)和圖15進(jìn)行說(shuō)明。 圖14(A)所示的半導(dǎo)體基板9201被清洗，并且從其表面將以電場(chǎng)經(jīng)過(guò) 加速后的離子導(dǎo)入到規(guī)定的深度，從而形成脆化層9203。進(jìn)行離子的照射 及導(dǎo)入要考慮形成于支撐基板上的SOI層的厚度。該SOI層的厚度為5nm至 500nm，優(yōu)選為10nm至200nm。導(dǎo)入離子時(shí)的加速電壓要考慮這種厚度， 從而將厚度設(shè)定為離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體基板9201。脆化層通過(guò)導(dǎo)入以氦或以 氟為代表的鹵素的離子來(lái)形成。在此情況下，優(yōu)選使用由一種或多種相同 的原子構(gòu)成的質(zhì)量不同的離子。當(dāng)照射氫離子時(shí)，該氫離子優(yōu)選包含H+、 H2+、 H3+離子且將H3+離子的比率提高。通過(guò)提高H3+離子的比率，可以提 高照射效率，從而可以縮短照射時(shí)間。利用這樣的結(jié)構(gòu)可以容易地進(jìn)行分 離。在以高劑量條件照射離子的情況下，有時(shí)半導(dǎo)體基板9201的表面會(huì)變 得粗糙。因此也可以在照射離子后的表面上利用氮化硅膜或氮氧化硅膜等 進(jìn)行設(shè)置，且相對(duì)于照射離子的保護(hù)膜，其厚度為50nm至200nm。其次，如圖14(B)所示，在與支撐基板形成鍵合的面上形成氧化硅膜 作為鍵合層9204。作為氧化硅膜，如上所述，使用有機(jī)硅烷氣體且通過(guò)化 學(xué)氣相成長(zhǎng)法來(lái)制造的氧化硅膜是優(yōu)選的。另外也可以采用使用硅烷氣體 且通過(guò)化學(xué)氣相成長(zhǎng)法來(lái)制造的氧化硅膜。在利用化學(xué)氣相成長(zhǎng)法進(jìn)行的 成膜中，作為從形成于單晶半導(dǎo)體基板上的脆化層9203不發(fā)生脫氣的溫 度，采用例如350'C以下的淀積溫度。另外，作為從單晶或多晶半導(dǎo)體基 板分離SOI層的熱處理采用比淀積溫度高的熱處理溫度。圖14(C)表示使支撐基板9200與形成半導(dǎo)體基板9201的鍵合層9204的 表面密接，且使兩者鍵合起來(lái)的情況。對(duì)形成鍵合的面進(jìn)行充分清洗。然 后通過(guò)使支撐基板9200和鍵合層9204密接以形成鍵合。范德瓦耳斯力作用于該鍵合，并且通過(guò)壓接支撐基板9200和半導(dǎo)體基板9201，從而可以利用 氫耦合來(lái)形成更堅(jiān)固的鍵合。為了形成良好的鍵合，也可以使表面活化。例如，對(duì)形成鍵合的面照 射原子束或離子束。當(dāng)利用原子束或離子束時(shí)，可以使用氬等惰性氣體中 性原子束或惰性氣體離子束。另外，進(jìn)行等離子體照射或自由基處理。通 過(guò)這種表面處理，即使在溫度為20(TC至40(TC的情況下也可以容易地形成 異種材料之間的鍵合。在中間夾著鍵合層9204而貼合支撐基板9200和半導(dǎo)體基板9201之后，優(yōu)選進(jìn)行加熱處理或加壓處理。通過(guò)進(jìn)行加熱處理或加壓處理，可以提高 鍵合強(qiáng)度。加熱處理的溫度優(yōu)選為支撐基板9200的耐熱溫度以下。在加壓 處理中，對(duì)于鍵合面施加向垂直方向的壓力，且考慮支撐基板9200及半導(dǎo) 體基板9201的耐壓性，從而進(jìn)行該處理。在圖15中，在將支撐基板9200和半導(dǎo)體基板9201貼合之后，進(jìn)行熱處 理，從而在脆化層9203處分離半導(dǎo)體基板9201。熱處理的溫度優(yōu)選為鍵合 層9204的成膜溫度以上且支撐基板9200的耐熱溫度以下。例如，通過(guò)進(jìn)行 40(TC至60(TC的熱處理，形成于脆化層9203中的微小空洞發(fā)生堆積變化， 因而可以沿著脆化層9203進(jìn)行分離(劈開)。因?yàn)殒I合層9204與支撐基板 9200鍵合，所以在支撐基板9200上殘留具有與半導(dǎo)體基板9201相同的結(jié)晶 性的SOI層9202。圖16示出在支撐基板一側(cè)設(shè)置鍵合層以形成S0I層的工序。圖16(A) 示出將對(duì)于形成有氧化硅膜9221的半導(dǎo)體基板9201將以電場(chǎng)加速后的離 子導(dǎo)入到規(guī)定的深度以形成脆化層9203的工序。關(guān)于氫、氦或以氟為代表 的鹵素的離子的導(dǎo)入與圖14(A)的情況相同。通過(guò)在半導(dǎo)體基板9201的表 面形成氧化硅膜9221，可以防止由照射離子而使表面受損傷、從而使其平 坦性惡化的情況。圖16(B)示出形成有阻擋層9225及鍵合層9204的支撐基板9200、與半 導(dǎo)體基板9201的形成有氧化硅膜9221的一面密接而形成鍵合的工序。通過(guò) 使支撐基板9200上的鍵合層9204與半導(dǎo)體基板9201的氧化硅膜9221密接 來(lái)形成鍵合。之后，如圖16(C)所示，分離半導(dǎo)體基板9201。與圖15的情況一樣地 進(jìn)行分離半導(dǎo)體基板的熱處理。如此可以獲得圖13(B)所示的SOI基板。 通過(guò)這樣，根據(jù)本方式，即使在使用玻璃基板等的耐熱溫度為70(TC以下的支撐基板9200的情況下，也可以獲得耦合部的粘接力堅(jiān)固的SOI層 9202。作為支撐基板9200可以使用鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼 硅酸鹽玻璃等被稱為無(wú)堿玻璃的用于電子工業(yè)中的各種玻璃基板。S卩，可 以在一邊超過(guò)一米的基板上形成單晶半導(dǎo)體層。通過(guò)使用這種大面積基 板，不僅可以制造液晶顯示器等顯示裝置，而且還可以制造半導(dǎo)體集成電 路。再者，半導(dǎo)體層的制造方法和配置方法不局限于此。也可以通過(guò)CVD 法等在絕緣基板上對(duì)非晶硅進(jìn)行成膜，然后通過(guò)照射激光(線狀激光、連 續(xù)固體振蕩激光等)、或者進(jìn)行加熱等的方式對(duì)該非晶硅進(jìn)行結(jié)晶化，從 而制造多晶硅或微晶硅。另外，在本實(shí)施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說(shuō)明，但是各附圖所示的 內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地 進(jìn)行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分， 可以通過(guò)組合其他部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實(shí)施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他 實(shí)施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進(jìn)行適用、組合、 或置換等。再者，在本實(shí)施方式的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分，可以通過(guò)組合 其他實(shí)施方式的部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。此外，本實(shí)施方式表示其他實(shí)施方 式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其稍微變形后的例子、變更其一 部分后的例子、改良后的例子、詳細(xì)描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有 相關(guān)部分的例子等。因此，其他實(shí)施方式所述的內(nèi)容相對(duì)于本實(shí)施方式所 述的內(nèi)容自由地進(jìn)行適用、組合、或置換。(實(shí)施方式3)本實(shí)施方式中，說(shuō)明液晶面板的外圍部分。圖17示出了包括被稱為邊緣照明型的背光燈單元5201和液晶面板 5207的液晶顯示裝置的一個(gè)例子。邊緣照明型是指在背光燈單元的端部配 置光源且光源的熒光從整個(gè)發(fā)光表面發(fā)射的類型。邊緣照明型的背光燈單 元很薄且可以節(jié)省耗電量。背光燈單元5201由擴(kuò)散板5202、導(dǎo)光板5203、反射板5204、燈反射器 5205、以及光源5206構(gòu)成。光源5206具有根據(jù)需要發(fā)光的功能。例如，作為光源5206，可以使用 冷陰極管、熱陰極管、發(fā)光二極管、無(wú)機(jī)EL元件或有機(jī)EL元件等。圖18(A)、 (B)、 (C)以及(D)示出了邊緣照明型的背光燈單元的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。另外，省略了擴(kuò)散板、導(dǎo)光板、以及反射板等的說(shuō)明。圖18(A)所示的背光燈單元5211具有使用冷陰極管5213作為光源的結(jié) 構(gòu)。此外，設(shè)置有燈反射器5212以使來(lái)自冷陰極管5213的光高效地反射。 為了提高來(lái)自冷陰極管的亮度的強(qiáng)度，這種結(jié)構(gòu)通常用于大型顯示裝置 中。圖18(B)所示的背光燈單元5221具有使用發(fā)光二極管(LED)5223作為 光源的結(jié)構(gòu)。例如，發(fā)射白光的發(fā)光二極管(LED)5223以規(guī)定的間隔進(jìn)行 配置。此外，設(shè)置有燈反射器5222以使來(lái)自發(fā)光二極管(LED)5223的光高 效地反射。圖18(C)所示的背光燈單元5231具有使用R、 G和B各個(gè)顏色的發(fā)光二 極管(LED)5233、發(fā)光二極管(LED)5234、以及發(fā)光二極管(LED)5235作為 光源的結(jié)構(gòu)。R、 G和B各個(gè)顏色的發(fā)光二極管(LED)5233、發(fā)光二極管 (LED)5234、以及發(fā)光二極管(LED)5235分別以規(guī)定的間隔進(jìn)行配置。通 過(guò)使用R、 G和B各個(gè)顏色的發(fā)光二極管(LED)5233 、發(fā)光二極管 (LED)5234、以及發(fā)光二極管(LED)5235，可以提高顏色再現(xiàn)性。此外， 設(shè)置有燈反射器5232以使來(lái)自發(fā)光二極管的光高效地反射。圖18(D)所示的背光燈單元5241具有使用R、 G和B各個(gè)顏色的發(fā)光二 極管(LED)5243、發(fā)光二極管(LED)5244、以及發(fā)光二極管(LED)5245作為 光源的結(jié)構(gòu)。例如，在R、 G和B各個(gè)顏色的發(fā)光二極管(LED)5243、發(fā)光 二極管(LED)5244、以及發(fā)光二極管(LED)5245中的發(fā)光強(qiáng)度較低的顏色 (例如綠色)的發(fā)光二極管被設(shè)置為多個(gè)。通過(guò)使用R、 G和B各個(gè)顏色的發(fā) 光二極管(LED)5243、發(fā)光二極管(LED)5244、以及發(fā)光二極管(LED)5245， 可以提高顏色再現(xiàn)性。此外，設(shè)置有燈反射器5242以使來(lái)自發(fā)光二極管的 光高效地反射。圖21示出了包括被稱為直下型的背光燈單元和液晶面板的液晶顯示 裝置的一個(gè)例子。直下型是指通過(guò)在發(fā)光表面正下方配置光源且該光源的 熒光從整個(gè)發(fā)光表面發(fā)射的方式。直下型背光燈單元可以高效地利用發(fā)射背光燈單元5290由擴(kuò)散板5291、遮光板5292、燈反射器5293、光源 5294、以及液晶面板5295構(gòu)成。光源5294具有根據(jù)需要發(fā)光的功能。例如，作為光源5294，可以使用冷陰極管、熱陰極管、發(fā)光二極管、無(wú)機(jī)EL或有機(jī)EL等。 圖19示出了偏振板(也稱為偏振膜)的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。 偏振膜5250包括保護(hù)膜5251、基板膜5252、 PVA偏振膜5253、基板膜 5254、粘合劑層5255、以及離型模(release)膜5256。PVA偏振膜5253通過(guò)利用以基礎(chǔ)材料構(gòu)成的膜(基板膜5252及基板膜 5254)夾住兩側(cè)，從而可以提高可靠性。另外，也可以通過(guò)具有高透明度 和高耐久性的纖維素三醋酸酯(TAC)膜夾住PVA偏振膜5253。另外，基板 膜及TAC膜作為PVA偏振膜5253所具有的偏振器的保護(hù)層起作用。在一方基板膜(基板膜5254)上設(shè)置有用于粘合到液晶面板的玻璃基 板上的粘合劑層5255。另外，粘合劑層5255通過(guò)將粘合劑涂敷在一方基板 膜(基板膜5254)來(lái)來(lái)形成。粘合劑層5255具有離型膜5256(分離膜)。 在另一基板膜(基板膜5252)上提供有保護(hù)膜5251。 另外，還可以在偏振膜5250的表面上具有硬涂敷散射層(防閃光層)。 由于硬涂敷散射層的表面具有通過(guò)AG處理所形成的微小凹凸，且由于具 有散射外部光的抗閃功能，因此可以防止外部光反射到液晶面板中。還可 以防止表面反射。另外，還可以在偏振膜5250的表面上層疊由多個(gè)具有不同折射率的光 學(xué)薄膜層(也稱為防反射處理或AR處理)。層疊后的多個(gè)具有不同折射率的 光學(xué)薄膜層可以通過(guò)光的干涉效應(yīng)來(lái)減少表面的反射。圖20是示出了液晶顯示裝置的系統(tǒng)框圖的一個(gè)例子的圖。 在像素部5265中，配置有從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5263延伸的信號(hào)線5269。 在像素部5265中，配置有從掃描線驅(qū)動(dòng)電路5264延伸的掃描線5260。此夕卜， 多個(gè)像素以矩陣形狀配置在信號(hào)線5269和掃描線5260的交叉區(qū)域。另外， 多個(gè)像素分別包括開關(guān)元件。由此，可以將用于控制液晶分子的傾角的電 壓獨(dú)立地輸入到多個(gè)像素中的每一個(gè)。以這種方式在每個(gè)交叉區(qū)域設(shè)置有 開關(guān)元件的結(jié)構(gòu)被稱為有源矩陣型。然而，本發(fā)明不限于這種有源矩陣型， 還可以使用無(wú)源矩陣型。因?yàn)闊o(wú)源矩陣型在每個(gè)像素中沒(méi)有開關(guān)元件，所 以工序簡(jiǎn)單。驅(qū)動(dòng)電路部分5268包括控制電路5262、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5263、以及掃 描線驅(qū)動(dòng)電路5264。圖像信號(hào)5261被輸入到控制電路5262?？刂齐娐?262 根據(jù)該圖像信號(hào)5261控制信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5263及掃描線驅(qū)動(dòng)電路5264。由 此，控制電路5262的控制信號(hào)被分別輸入到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5263及掃描線驅(qū)動(dòng)電路5264。然后，根據(jù)這個(gè)控制信號(hào)，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5263將視頻信 號(hào)輸入到信號(hào)線5269，并且掃描線驅(qū)動(dòng)電路5264將掃描信號(hào)輸入到掃描線 5260。然后，根據(jù)掃描信號(hào)選擇像素所具有的開關(guān)元件，并將視頻信號(hào)輸入到像素的像素電極。另外，控制電路5262還根據(jù)圖像信號(hào)5261控制電源5267。電源5267 包括用于向照明單元5266供應(yīng)電力的單元。作為照明單元5266，可以使用 邊緣照明型的背光燈單元、或直下型的背光燈單元。但是，也可以使用前 光燈作為照明單元5266。前光燈是指由照射整體的發(fā)光體及導(dǎo)光體構(gòu)成的 板狀照明單元，且將其安裝在像素部的前面一側(cè)。通過(guò)使用這種照明單元， 可以以低耗電量而均勻地照射像素部。如圖20(B)所示，掃描線驅(qū)動(dòng)電路5264包括移位寄存器5271、電平轉(zhuǎn) 移電路5272、以及作為緩沖器5273起作用的電路。諸如柵極起始脈沖(GSP) 或柵極時(shí)鐘信號(hào)(GCK)等的信號(hào)被輸入到移位寄存器5271。如圖20(C)所示，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路5263包括移位寄存器5281、第一鎖 存器52S2、第二鎖存器5283、電平轉(zhuǎn)移電路5284、以及用作緩沖器5285 的電路。用作緩沖器5285的電路是指具有使微弱信號(hào)放大的功能的電路， 且其包括運(yùn)算放大器等。諸如源極起始脈沖(SSP)等的信號(hào)被輸入到移位 寄存器5281，且諸如視頻信號(hào)等的數(shù)據(jù)(DATA)被輸入到第一鎖存器5282。 鎖存(LAT)信號(hào)可以被暫時(shí)保持在第二鎖存器5283中，且同時(shí)被輸入到像 素部5265。這稱為線順序驅(qū)動(dòng)。因此，當(dāng)像素執(zhí)行點(diǎn)順序驅(qū)動(dòng)而非行順序 驅(qū)動(dòng)時(shí)，可以不形成第二鎖存器。另外，在本實(shí)施方式中，可以使用各種結(jié)構(gòu)的液晶面板。例如，作為 液晶面板，可以使用液晶層被密封在兩個(gè)基板之間的結(jié)構(gòu)。在一方基板上， 形成有晶體管、電容元件、像素電極或取向膜等。另外，也可以在與一方 基板的上面相反一側(cè)上，配置有偏振板、相位差板或棱鏡片。在另一方基 板上，形成有彩色濾光片、黑矩陣、對(duì)向電極或取向膜等。另外，也可以 在與另一方基板相反一側(cè)上，配置有偏振板或相位差板。另外，彩色濾光 片及黑矩陣也可以形成在一方基板的上面。另外，通過(guò)在一方基板的上面 一側(cè)或與其相反一側(cè)上配置狹縫(柵格)，從而可以進(jìn)行三維顯示。另外，可以在兩個(gè)基板之間分別配置偏振板、相位差板、棱鏡片?；?者，可以使它們與兩個(gè)基板中的任一個(gè)形成為一體。另外，在本實(shí)施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說(shuō)明，但是各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進(jìn)行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，可以通過(guò)組合 其他部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實(shí)施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他 實(shí)施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進(jìn)行適用、組合、 或置換等。再者，在本實(shí)施方式的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分可以通過(guò)組合其他實(shí)施方式的部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。此外，本實(shí)施方式表示其他實(shí)施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體 例子、其稍微變形后的例子、變更其一部分后的例子、改良后的例子、詳 細(xì)描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實(shí) 施方式所述的內(nèi)容可以對(duì)本實(shí)施方式所述的內(nèi)容自由地進(jìn)行適用、組合、 或置換。(實(shí)施方式4)在本實(shí)施方式中，將對(duì)可應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)以及像素 的工作進(jìn)行說(shuō)明。另外，在本實(shí)施方式中，作為液晶原件的工作方式，可以采用TN(Twisted Nematic;扭轉(zhuǎn)向列)方式、IPS(In-Plane-Switching;平面內(nèi)切 換)方式、FFS(Fringe Field Switching ; 邊緣場(chǎng)切換)方式、 MVA(Multi畫domain Vertical Alignment ; 多像限垂直酉己向)方式、 PVA(Patterned Vertical Alignment;垂直取向構(gòu)型)方式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell;軸線對(duì)稱排列微單元)方式、OCB(Optical Compensated Birefringence;光學(xué)補(bǔ)償彎曲)方式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal;鐵電性液晶)方式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal;反鐵 電性液晶)方式等。圖22(A)是示出了可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。像素5600包括晶體管5601、液晶元件5602以及電容元件5603。晶體管 5601的柵極連接到布線5605。晶體管5601的第一端子連接到布線5604。晶 體管5601的第二端子連接到液晶元件5602的第一電極和電容元件5603的 第一電極。液晶元件5602的第二電極相當(dāng)于對(duì)向電極5607。電容元件5603 的第二電極連接到布線5606。布線5604作為信號(hào)線起作用。布線5605作為掃描線起作用。布線5606作為電容線起作用。晶體管5601作為開關(guān)起作用。電容元件5603作為存儲(chǔ) 電容器起作用。晶體管5601可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5601的極性可以是p溝道 型或n溝道型。圖22(B)是示出了可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的 圖。具體而言，圖22(B)是示出了可應(yīng)用到適用于橫向電場(chǎng)方式(包括IPS 方式和FFS方式)的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。像素5610包括晶體管5611、液晶元件5612以及電容元件5613。晶體管 5611的柵極連接到布線5615。晶體管5611的第一端子連接到布線5614。晶 體管5611的第二端子連接到液晶元件5612的第一電極和電容元件5613的 第一電極。液晶元件5612的第二電極連接到布線5616。電容元件5613的第 二電極連接到布線5616。布線5614作為信號(hào)線起作用。布線5615作為掃描線起作用。布線5616 作為電容線起作用。晶體管5611作為開關(guān)起作用。電容元件5613作為存儲(chǔ) 電容器起作用。晶體管5611可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5611的極性可以是P溝道 型或N溝道型。圖23是示出了可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。 具體而言，圖23示出了一種可以通過(guò)減少布線的數(shù)目來(lái)增加像素的開口率 的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。圖23示出了配置于相同列方向上的兩個(gè)像素(像素5620和像素5630)。 例如，當(dāng)在第N行配置像素5620時(shí)，在第(N+1)行配置像素5630。像素5620包括晶體管5621、液晶元件5622以及電容元件5623。晶體管 5621的柵極連接到布線5625。晶體管5621的第一端子連接到布線5624。晶 體管5621的第二端子連接到液晶元件5622的第一電極和電容元件5623的 第一電極。液晶元件5622的第二電極相當(dāng)于對(duì)向電極5627。電容元件5623 的第二電極連接到與前一行的晶體管的柵極相同的布線。像素5630包括晶體管5631、液晶元件5632以及電容元件5633。晶體管 5631的柵極連接到布線5635。晶體管5631的第一端子連接到布線5624。晶 體管5631的第二端子連接到液晶元件5632的第一電極和電容元件5633的 第一電極。液晶元件5632的第二電極相當(dāng)于對(duì)向電極5637。電容元件5633 的第二電極連接到與前一行的晶體管的柵極相同的布線(布線5625)。布線5624作為信號(hào)線起作用。布線5625作為第N行掃描線起作用。布 線5625也可作為第(N+1)行的電容線起作用。晶體管5621作為開關(guān)起作用。 電容元件5623作為存儲(chǔ)電容器起作用。布線5635作為第(N+1)行的掃描線起作用。布線5635作為第(N+2)行的 電容線起作用。晶體管5631作為開關(guān)起作用。電容元件5633作為存儲(chǔ)電容 器起作用。晶體管5621和晶體管5631可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5621和晶體 管5631的極性可以是P溝道型或N溝道型。圖24是示出了可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。 具體而言，圖24示出了一種可以通過(guò)使用子像素來(lái)改善視角的像素結(jié)構(gòu)的 一個(gè)例子。像素5659包括子像素5640和子像素5650。盡管下面描述了像素5659 包括兩個(gè)子像素的情況，但是像素5659可以包括三個(gè)或更多個(gè)子像素。子像素5640包括晶體管5641、液晶元件5642以及電容元件5643。晶體 管5641的柵極連接到布線5645。晶體管5641的第一端子連接到布線5644。 晶體管5641的第二端子連接到液晶元件5642的第一電極和電容元件5643 的第一電極。液晶元件5642的第二電極相當(dāng)于對(duì)向電極5647。電容元件 5643的第二電極連接到布線5646。子像素5650包括晶體管5651、液晶元件5652以及電容元件5653。晶體 管5651的柵極連接到布線5655。晶體管5651的第一端子連接到布線5644。 晶體管5651的第二端子連接到液晶元件5652的第一電極和電容元件5653 的第一電極。液晶元件5652的第二電極相當(dāng)于對(duì)向電極5657。電容元件 5653的第二電極連接到布線5646。布線5644作為信號(hào)線起作用。布線5645作為掃描線起作用。布線5655 作為信號(hào)線起作用。布線5646作為電容線起作用。晶體管5641和晶體管 5651作為開關(guān)起作用。電容元件5643和電容元件5653作為存儲(chǔ)電容器起作 用。晶體管5641可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5641的極性可以是P溝道 型或N溝道型。晶體管5651可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5651的極性可 以是P溝道型或N溝道型。輸入到子像素5640的視頻信號(hào)可以是不同于輸入到子像素5650的視 頻信號(hào)的值。在此情況下，因?yàn)槟軌蚴挂壕г?642的液晶分子的取向和液晶元件5652的液晶分子的取向彼此不同，所以可以拓寬視角。再者，在本實(shí)施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說(shuō)明，但是各附圖所示的 內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進(jìn)行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，可以通過(guò)組合 其他部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實(shí)施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他 實(shí)施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進(jìn)行適用、組合、 或置換等。再者，在本實(shí)施方式的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分可以通過(guò)組合其 他實(shí)施方式的部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。此外，本實(shí)施方式表示其他實(shí)施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體 例子、其稍微變形后的例子、變更其一部分后的例子、改良后的例子、詳 細(xì)描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實(shí) 施方式所述的內(nèi)容可以對(duì)本實(shí)施方式所述的內(nèi)容自由地進(jìn)行適用、組合、 或置換。(實(shí)施方式5)在本實(shí)施方式中，說(shuō)明顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。特別地，說(shuō)明使用了有 機(jī)EL元件后的顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。圖25(A)示出了在一個(gè)像素中包括兩個(gè)晶體管的像素的俯視圖(布局 圖)的示例。圖25(B)示出了沿圖25(A)中的X-X，部分的截面圖的一個(gè)例子。圖25(A)示出了第一晶體管6005、第一布線6006、第二布線6007、第 二晶體管6008、第三布線6011、對(duì)向電極6012、電容器6013、像素電極6015、 隔壁6016、有機(jī)導(dǎo)電膜6017、有機(jī)薄膜6018以及基板6019。另外，優(yōu)選地 用于如下部分進(jìn)行使用第一晶體管6005用作開關(guān)晶體管，第一布線6006 用作柵極信號(hào)線，第二布線6007用作源極信號(hào)線，第二晶體管6008用作驅(qū) 動(dòng)晶體管，且第三布線6011用作電流供應(yīng)線。第一晶體管6005的柵電極電連接到第一布線6006，第一晶體管6005 的源電極和漏電極中的一方電連接到第二布線6007，第一晶體管6005的源 電極和漏電極中的另一方電連接到第二晶體管6008的柵電極和電容器 6013的一個(gè)電極。另外，第一晶體管6005的柵電極由多個(gè)柵電極構(gòu)成。通 過(guò)這樣，可以減少第一晶體管6005的截止?fàn)顟B(tài)的泄漏電流。第二晶體管6008的源電極和漏電極中的一方電連接到第三布線6011， 第二晶體管6008的源電極和漏電極中的另一方電連接到像素電極6015。通過(guò)這樣，可以利用第二晶體管6008來(lái)控制流過(guò)像素電極6015的電流。在像素電極6015上設(shè)置有機(jī)導(dǎo)電膜6017，而且在其上還設(shè)置有機(jī)薄膜 6018(有機(jī)化合物層)。在有機(jī)薄膜6018(有機(jī)化合物層)上提供有相對(duì)電極 6012。另外，對(duì)向電極6012可以形成在整個(gè)表面上以使得所有的像素公共相連，或可以使用陰影掩模等來(lái)形成圖案。從有機(jī)薄膜6018(有機(jī)化合物層)射出的光透過(guò)像素電極6015或?qū)ο?電極6012而進(jìn)行發(fā)射。圖25(B)中，光發(fā)射到像素電極側(cè)、即形成有晶體管等的一側(cè)的情況 被稱為"底部發(fā)射"，而光發(fā)射到對(duì)向電極側(cè)的情況被稱為"頂部發(fā)射"。在底部發(fā)射的情況下，優(yōu)選的是利用透明導(dǎo)電膜來(lái)形成像素電極 6015。反之，在頂部發(fā)射的情況下，優(yōu)選的是利用透明導(dǎo)電膜來(lái)形成對(duì)向 電極6012。在彩色顯示的發(fā)光裝置中，可以分別地涂覆具有R、 G、 B各個(gè)發(fā)光顏 色的EL元件，也可以在整個(gè)表面上涂覆具有單個(gè)顏色的EL元件，且通過(guò) 使用濾色器來(lái)獲得R、 G、 B的發(fā)光。另外，圖25中所示的結(jié)構(gòu)僅是一個(gè)例子，關(guān)于像素布局、截面結(jié)構(gòu)、 EL元件的電極的層疊順序等，可以采用除了圖25中所示的結(jié)構(gòu)以外的各 種結(jié)構(gòu)。而且，作為發(fā)光元件，除了附圖中所示的由有機(jī)薄膜形成的元件 以外，還可以使用各種元件，例如如LED那樣的晶體元件、由無(wú)機(jī)薄膜形 成的元件等。另外，在本實(shí)施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說(shuō)明，但是各附圖所示的 內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地 進(jìn)行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分 可以通過(guò)組合其他部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實(shí)施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他 實(shí)施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進(jìn)行適用、組合、 或置換等。再者，在本實(shí)施方式的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分可以通過(guò)組合其 他實(shí)施方式的部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。此外，本實(shí)施方式表示其他實(shí)施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體 例子、其稍微變形后的例子、變更其一部分后的例子、改良后的例子、詳 細(xì)描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實(shí) 施方式所述的內(nèi)容可以對(duì)本實(shí)施方式所述的內(nèi)容自由地進(jìn)行適用、組合、或置換。(實(shí)施方式6)在本實(shí)施方式中，說(shuō)明電子產(chǎn)品的例子。圖26表示由組合顯示面板9601和電路基板9605而成的顯示面板模塊。 顯示面板9601其包括像素部9602、掃描線驅(qū)動(dòng)電路9603以及信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電 路9604。例如，在電路基板9605上形成有控制電路9606及信號(hào)分割電路 9607等。由連接布線9608連接顯示面板9601和電路基板9605。并且在連接 布線上可以使用FPC等。圖27是表示電視圖像接收機(jī)的主要結(jié)構(gòu)的框圖。調(diào)諧器9611接收?qǐng)D像 信號(hào)和聲音信號(hào)。利用圖像信號(hào)放大電路9612、從圖像信號(hào)放大電路9612 輸出的信號(hào)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于紅、綠、藍(lán)的各顏色的顏色信號(hào)的圖像信號(hào)處理 電路9613、以及用于將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)電路的輸入格式的控制電路 9622，對(duì)圖像信號(hào)進(jìn)行處理?？刂齐娐?622將信號(hào)分別輸出到掃描線驅(qū)動(dòng) 電路9624和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路9614。于是，掃描線驅(qū)動(dòng)電路9624和信號(hào)線驅(qū) 動(dòng)電路9614用于驅(qū)動(dòng)顯示面板9621。在進(jìn)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)的情況下，也可以采 用如下結(jié)構(gòu)將信號(hào)分割電路9623設(shè)置在信號(hào)線一側(cè)，并將輸入數(shù)字信號(hào) 分割為m(m是正整數(shù))個(gè)以進(jìn)行提供。由調(diào)諧器9611所接收的信號(hào)中，將聲音信號(hào)送到聲音信號(hào)放大電路 9615，其輸出經(jīng)過(guò)聲音信號(hào)處理電路9616提供給揚(yáng)聲器9617?？刂齐娐?9618從輸入部9619收到接收站(接收頻率)及音量的控制信息，并向調(diào)諧器 9611或聲音信號(hào)處理電路9616送出信號(hào)。此外，圖28(A)表示裝入與圖27不同方式的顯示面板模塊而形成的電 視圖像接收機(jī)。在圖28(A)中，使用顯示面板模塊來(lái)形成收納于外殼9631 內(nèi)的顯示屏幕9632。另外，也可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有揚(yáng)聲器9633、輸入單元(操 作鍵9634、連接端子9635、傳感器9636(具有測(cè)定如下因素的功能力、 位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、磁、溫度、 化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、流量、 濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9637等)。圖28(B)表示只有顯示器能夠進(jìn)行無(wú)線攜帶的電視圖像接收機(jī)。在該 電視圖像接收器中，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有揚(yáng)聲器9633、輸入單元(操作鍵 9634、連接端子9635、傳感器9636(具有測(cè)定如下因素的功能力、位移、 位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9637等)。外殼9642內(nèi)置有電池以及 信號(hào)接收器，并由該電池驅(qū)動(dòng)顯示部9643、揚(yáng)聲器部9647、傳感器9649、 以及麥克風(fēng)9641。該電池可以用充電器9640進(jìn)行反復(fù)充電。此外，充電器 9640能夠發(fā)送及接收?qǐng)D像信號(hào)，并將該圖像信號(hào)發(fā)送到顯示器的信號(hào)接收 器。通過(guò)操作操作鍵9646來(lái)控制圖28(B)所示的裝置。或者，圖28(B)所示 的裝置還可以通過(guò)操作鍵9646來(lái)將信號(hào)發(fā)送到充電器9640。就是說(shuō)，也可 以作為/用作圖像聲音雙向通信裝置?；蛘?，圖28(B)所示的裝置還可以通 過(guò)操作鍵9646將信號(hào)發(fā)送到充電器9640，并使其它電子產(chǎn)品接收充電器 9640能夠發(fā)送的信號(hào)，以進(jìn)行其它電子產(chǎn)品的通信控制。就是說(shuō)，也可以 作為/用作通用遙控裝置。另外，本實(shí)施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一 部分)可以適用于顯示部9643。下面，參照?qǐng)D29對(duì)手機(jī)的結(jié)構(gòu)例子進(jìn)行說(shuō)明。顯示面板9662可以自由裝卸地裝入到外殼9650中。根據(jù)顯示面板9662 的尺寸，外殼9650可以適當(dāng)?shù)馗淖兤湫螤罨虺叽纭⒐潭ㄓ酗@示面板9662 的外殼9650嵌入到印刷基板9651以組成為模塊。顯示面板9662通過(guò)FPC9663連接于印刷基板9651。在印刷基板9651上 形成有揚(yáng)聲器9652、麥克風(fēng)9653、發(fā)送/接收電路9654、其包括CPU和控 制器等的信號(hào)處理電路9655、以及傳感器9661(具有測(cè)定如下因素的功能 力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、光、液、磁、 溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、 流量、濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)。這種模塊與操作鍵9656、電 池9657、天線9660組合并收納到外殼9659中。顯示面板9662的像素部配置 為從形成于外殼9659中的開口窗可以進(jìn)行視覺確認(rèn)的形式。顯示面板9662可以采用如下結(jié)構(gòu)在基板上使用晶體管來(lái)一體形成像 素部和一部分外圍驅(qū)動(dòng)電路(在多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中，工作頻率較低的驅(qū)動(dòng)電 路)，并將另一部分外圍驅(qū)動(dòng)電路(在多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中，工作頻率較高的驅(qū) 動(dòng)電路)形成在IC芯片上，從而將該IC芯片通過(guò)COG(玻璃上芯片)安裝到顯 示面板9662?；蛘?，也可以通過(guò)TAB(Tape Automated Bonding,即巻帶式 自動(dòng)結(jié)合)或印刷基板來(lái)連接該IC芯片和玻璃基板。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)， 可以謀求顯示裝置的低耗電量化，并可以增加通過(guò)充電一次而獲得的手機(jī) 使用時(shí)間。而且，可以謀求手機(jī)的低成本化。圖29所示的手機(jī)具有如下功能顯示各種信息(靜止圖像、活動(dòng)圖像、 文字圖像等)。具有將日歷、日期或時(shí)刻等顯示在顯示部上的功能。具有 對(duì)顯示在顯示部上的信息進(jìn)行操作或編輯的功能。具有通過(guò)利用各種軟件 (程序)進(jìn)行控制處理的功能。具有進(jìn)行無(wú)線通信的功能。具有通過(guò)使用無(wú) 線通信功能來(lái)與其他手機(jī)、固定電話或聲音通信裝置進(jìn)行通話的功能。具 有通過(guò)使用無(wú)線通信功能來(lái)與各種計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)連接的功能。具有通過(guò)使用 無(wú)線通信功能來(lái)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收的功能。具有振子根據(jù)來(lái)電、 數(shù)據(jù)接收或警報(bào)而進(jìn)行工作的功能。具有根據(jù)來(lái)電、數(shù)據(jù)接收或警報(bào)而發(fā)出聲音的功能。另外，圖29所示的手機(jī)所具有的功能不局限于這些功能，而能夠具有各種功能。圖30(A)是顯示器，其包括外殼967K支撐臺(tái)9672、顯示部9673、 揚(yáng)聲器9777、 LED等9679、輸入單元(連接端子9674、傳感器9675(具有測(cè) 定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、 距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、 電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng) 9676、操作鍵9678)等。圖30(A)所示的顯示器具有將各種信息(靜止圖像、 活動(dòng)圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上的功能。再者，圖30(A)所示的顯 示器所具有各種功能不局限于此，而可以具有各種功能。圖30(B)表示影像拍攝裝置，其包括主體9691，顯示部9692，快門 按鈕9696、揚(yáng)聲器9700、 LED燈9701、輸入單元(圖像接收部9693、操作 鍵9694、外部連接端口9695、輸入單元9697、傳感器9698(具有測(cè)定如下 因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、 光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、 電力、射線、流量、濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9699)等。 圖30(B)所示的影像拍攝裝置具有如下功能拍攝靜止圖像；拍攝活動(dòng)圖 像；自動(dòng)地對(duì)所拍攝的圖像(靜止圖像或活動(dòng)圖像)進(jìn)行校正；將所拍攝的 圖像存儲(chǔ)在記錄介質(zhì)(外部或內(nèi)置于照相機(jī))中；將所拍攝的圖像顯示在顯 示部上。另外，圖30(B)所示的影像拍攝裝置可以具有各種功能，而不局 限于這些功能。圖30(C)是計(jì)算機(jī)，其包括主體97U、外殼9712、顯示部9713、揚(yáng) 聲器9720、 LED燈9721、讀寫器9722、輸入單元(鍵盤9714、外部連接端 口9715、定位裝置9716、輸入單元9717、傳感器9718(具有測(cè)定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、光、 液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9719)等。圖30(C)所示的計(jì)算機(jī)具有如下功能將各種信息(靜止圖像、活動(dòng)圖像、文字圖 像等)顯示在顯示部上；通過(guò)利用各種軟件(程序)來(lái)控制處理；進(jìn)行無(wú)線通 信或有線通信等的通信；通過(guò)使用通信功能來(lái)與各種計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)連 接；通過(guò)使用通信功能來(lái)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收。再者，圖30(C)所 示的計(jì)算機(jī)可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖37(A)是移動(dòng)計(jì)算機(jī)，其包括主體9791、顯示部9792、開關(guān)9793、、 揚(yáng)聲器9799、 LED燈9800、輸入單元(操作鍵9794、紅外線端口9795、輸 入單元9796、傳感器9797(具有測(cè)定如下因素的功能力量、位移、位置、 速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、 聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜 度、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9798)等。圖37(A)所示的移動(dòng)計(jì)算機(jī)具 有將各種信息(靜止圖像、活動(dòng)圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上的功能。 而且，在顯示部上，具有如下功能觸控面板；顯示日歷、日期或時(shí)刻等。 所述移動(dòng)計(jì)算機(jī)還具有如下功能通過(guò)使用各種軟件(程序)來(lái)控制處理； 進(jìn)行無(wú)線通信；通過(guò)使用無(wú)線通信功能來(lái)與各種計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)連接；通 過(guò)使用無(wú)線通信功能來(lái)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收。再者，圖37(A)所示 的移動(dòng)計(jì)算機(jī)可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖37(B)是設(shè)有記錄介質(zhì)的便攜式圖像再現(xiàn)裝置(例如，DVD再現(xiàn)裝 置)，其包括主體9811、外殼9812、顯示部A9813、顯示部B9814、揚(yáng)聲 器部9817、 LED燈9821、輸入單元(記錄介質(zhì)(DVD等)讀取部9815、操作鍵 9816、輸入單元9818、傳感器9819(具有測(cè)定如下因素的功能力量、位 移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、 化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、流量、 濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9820)等。顯示部A9813主要 顯示圖像信息，并且顯示部B9814主要顯示文字信息。圖37(C)是護(hù)目鏡型顯示器，其包括主體9031、顯示部9032、耳機(jī) 卯33、支撐部9034、 LED燈9039、揚(yáng)聲器9038、輸入單元(連接端子9035、 傳感器9036(具有測(cè)定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速 度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9037)等。圖37(C)所示的護(hù)目鏡型顯示器具有將從外部 獲得的圖像(靜止圖像、活動(dòng)圖像、文字圖像等)并顯示在顯示部上的功能。 再者，圖37(C)所示的護(hù)目鏡型顯示器可以具有各種功能，而不局限于此。圖38(A)是便攜式游戲機(jī)，其包括外殼985K顯示部9852、揚(yáng)聲器 部9853、存儲(chǔ)介質(zhì)插入部9855、 、 LED燈9859、輸入單元(連接端子9856、 操作鍵9854、傳感器9857(具有測(cè)定如下因素的功能力量、位移、位置、 速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、 聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、 振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9858)等。圖38(A)所示的便攜式游戲機(jī)具有 如下功能讀出存儲(chǔ)在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)并將它顯示在顯示部上； 通過(guò)與其他便攜式游戲機(jī)進(jìn)行無(wú)線通信實(shí)現(xiàn)共有信息。再者，圖38(A)所 示的便攜式游戲機(jī)可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖38(B)是帶電視圖像接收功能的數(shù)碼相機(jī)，其包括主體986K顯 示部9862、揚(yáng)聲器9864、快門按鈕9865、 LED燈9871(操作鍵9863、圖像 接收部9866、天線9867、輸入單元9868、傳感器9869(具有測(cè)定如下因素 的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、光、 液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、 射線、流量、濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9870)等。圖38(B) 所示的帶電視圖像接收功能的數(shù)碼相機(jī)具有如下功能拍攝靜止圖像；拍 攝活動(dòng)圖像；自動(dòng)地對(duì)所拍攝的圖像進(jìn)行校正；從天線獲得各種信息；存 儲(chǔ)所拍攝的圖像、或從天線獲得的信息；將所拍攝的圖像、或從天線獲得 的信息顯示在顯示部上。再者，圖38(B)所示的帶電視圖像接收功能的數(shù) 碼相機(jī)可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖39是便攜式游戲機(jī)，其包括外殼988K第一顯示部9882第二顯示 部9883、揚(yáng)聲器部9884、記錄介質(zhì)插入部9886、 LED燈9890、輸入單元(操 作鍵98S5、輸入單元9887、傳感器9888(具有測(cè)定如下因素的功能力量、 位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、 化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線、流量、 濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9889)等。圖39所示的便攜式 游戲機(jī)具有如下功能讀出存儲(chǔ)在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)并將它顯示在 顯示部上；通過(guò)與其他便攜式游戲機(jī)進(jìn)行無(wú)線通信實(shí)現(xiàn)共有信息。再者，圖39所示的便攜式游戲機(jī)可以具有各種功能，而不局限于這些功能。如圖30(A)至30(C)、圖37(A)至37(C)、圖38(A)至38(C)及圖39所示，電子產(chǎn)品的特征在于具有顯示某些信息的顯示部。這種電子產(chǎn)品消耗電力 小，可以長(zhǎng)時(shí)間的使用電池驅(qū)動(dòng)。并且，由于制作方法簡(jiǎn)單，所以能夠降 低制造成本。下面，說(shuō)明半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例子。圖31表示將半導(dǎo)體裝置和建筑物形成為一體的例子。圖31包括外殼 9730、顯示部9731、作為操作部的遙控裝置9732、揚(yáng)聲器部9733等。半導(dǎo) 體裝置與建筑物形成為一體以作為壁掛式，并且能夠在不需要較大的空間 的情況下進(jìn)行設(shè)置。圖32表示在建筑物內(nèi)將半導(dǎo)體裝置和建筑物形成為一體的其他例子。 顯示面板9741與浴室9742形成為一體，并且洗澡的人可以看到顯示面板 9741。顯示面板9741可以通過(guò)洗澡的人的操作來(lái)顯示信息。并且可以被用 作廣告或娛樂(lè)裝置。另外，半導(dǎo)體裝置不限于被應(yīng)用于圖32所示的浴室9742的側(cè)墻內(nèi)的情 況，可以應(yīng)用于各種地方。例如，可以將半導(dǎo)體裝置和鏡子的一部分或浴 缸本身形成為一體。此時(shí)，顯示面板9741的形狀可以按照鏡子或浴缸的形 狀來(lái)進(jìn)行設(shè)定。圖33表示將半導(dǎo)體裝置和建筑物形成為一體的其他例子。與柱狀物體 9751的曲面吻合而使顯示面板9752彎曲地進(jìn)行配置。這里，以柱狀物體 9751為電線桿來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。圖33所示的顯示面板9752被設(shè)置在高于人眼的位置。將顯示面板9752 設(shè)置于在屋外樹立的建筑物如電線桿，從而使非特定的多數(shù)的觀察者可以 看到廣告。由于通過(guò)來(lái)自外部的控制，可以容易地使顯示面板9752顯示同 一圖像或者瞬時(shí)切換圖像，因此可以得到效率極高的信息顯示和廣告效 果。通過(guò)將自發(fā)光型顯示元件設(shè)置于顯示面板9752，即使在夜間作為高可 見度顯示媒體也很有用。通過(guò)設(shè)置在電線桿上，可以容易地確保顯示面板 9752的電力供給。在災(zāi)難發(fā)生時(shí)等的異常情況下，可以用來(lái)將準(zhǔn)確的信息 迅速地傳達(dá)給受災(zāi)者。此外，作為顯示面板9752，例如可以使用通過(guò)將開關(guān)元件如有機(jī)晶體 管等設(shè)置在膜狀基板上來(lái)驅(qū)動(dòng)顯示元件，從而顯示圖像的顯示面板。此外，在本實(shí)施方式中，舉出墻、柱狀物體、以及浴室作為建筑物的例子。但是，本實(shí)施方式不局限于此，半導(dǎo)體裝置可以設(shè)置在各種建筑物 上。下面，表示將半導(dǎo)體裝置和移動(dòng)物體形成為一體的例子。圖34表示將半導(dǎo)體裝置和汽車形成為一體的例子。顯示面板9762與車 體9761形成為一體，并能夠根據(jù)需要顯示車體的工作或從車體內(nèi)部或外部 輸入的信息。另外，也可以具有導(dǎo)航功能。半導(dǎo)體裝置不僅可設(shè)置于圖34所示的車體9761，而且還可設(shè)置在各種 各樣的地方。例如，半導(dǎo)體裝置可以與玻璃窗、門、方向盤、變速桿、座 位、鏡子等形成為一體。此時(shí)，顯示面板9762的形狀可以根據(jù)設(shè)有顯示面 板9762的物體的形狀來(lái)設(shè)定。圖35表示將半導(dǎo)體裝置和火車形成為一體的例子。圖35(A)表示將顯示面板9772設(shè)置在火車門9771的玻璃上的例子。與 由紙構(gòu)成的現(xiàn)有廣告相比，具有不需要在轉(zhuǎn)換廣告時(shí)所需要的人事費(fèi)的優(yōu) 點(diǎn)。由于顯示面板9772可以利用來(lái)自外部的信號(hào)瞬時(shí)切換顯示部分所顯示 的圖像。因此，當(dāng)乘客上下火車的時(shí)間段，可以切換顯示面板上的圖像， 因而可以得到更有效的廣告效果。圖35(B)表示除了火車門9771的玻璃以外，顯示面板9772還設(shè)置在玻 璃窗9773及天花板9774上的例子。如上所述，由于半導(dǎo)體裝置可以容易地 設(shè)置在以前不容易設(shè)置的地方，因而可以得到更有效的廣告效果。由于半 導(dǎo)體裝置可以利用來(lái)自外部的信號(hào)瞬時(shí)切換顯示部分顯示的圖像，因此可 以減少在轉(zhuǎn)換廣告時(shí)的成本及時(shí)間，并可以實(shí)現(xiàn)更靈活的廣告運(yùn)用及信息 傳達(dá)。此外，半導(dǎo)體裝置不僅可設(shè)置在圖35所示的門9771、玻璃窗9773及天 花板9774，而且還可設(shè)置在各種各樣的地方。例如，半導(dǎo)體裝置可以與吊 環(huán)、座位、扶手、地板等形成為一體。此時(shí)，顯示面板9772的形狀可以根 據(jù)設(shè)有顯示面板9772的物體的形狀來(lái)設(shè)定。圖36表示將半導(dǎo)體裝置和客用飛機(jī)形成為一體的例子。 圖36(A)表示在將顯示面板9782設(shè)置在客用飛機(jī)的座位上方的天花板 9781上的情況下使用顯示面板9782時(shí)的形狀。顯示面板9782通過(guò)鉸鏈部分 9783與天花板9781形成為一體，并且乘客因鉸鏈部分9783伸縮而可以觀看 顯示板9782。顯示板9782可以通過(guò)乘客的操作來(lái)顯示信息，并且可以被用 作廣告或娛樂(lè)裝置。如圖36(B)所示，通過(guò)將鉸鏈部分彎曲并收入天花板9781中，從而可以確保起飛和著陸時(shí)的安全。此外，在緊急情況下，通過(guò) 使顯示面板的顯示元件發(fā)光，從而也可以用作信息傳達(dá)裝置及緊急撤離 燈。另外，半導(dǎo)體裝置不僅可設(shè)置在圖36所示的天花板9781，而且還可設(shè) 置在各種各樣的地方。例如，半導(dǎo)體裝置可以與座位、桌子、扶手、窗等 形成為一體。也可以將多數(shù)人能夠同時(shí)觀看的大型顯示面板設(shè)置在飛機(jī)墻 上。此時(shí)，顯示面板9782的形狀可以根據(jù)設(shè)有顯示面板9782的物體的形狀來(lái)設(shè)定。在本實(shí)施方式中，舉出火車、汽車、飛機(jī)作為移動(dòng)物體，但是本發(fā)明 不限于此，還可以設(shè)在各種移動(dòng)物體如摩托車、自動(dòng)四輪車(包括汽車、 公共汽車等)、火車(包括單軌、鐵路客車等)、以及船等。半導(dǎo)體裝置可以 利用來(lái)自外部的信號(hào)瞬時(shí)切換設(shè)在移動(dòng)物體內(nèi)的顯示面板所顯示的圖像， 因此通過(guò)將半導(dǎo)體裝置設(shè)在移動(dòng)物體上，可以將移動(dòng)物體用作以非特定多 數(shù)用戶為對(duì)象的廣告顯示板或在災(zāi)難發(fā)生時(shí)的信息顯示板等。另外，在本實(shí)施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說(shuō)明，但是各附圖所示的 內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地 進(jìn)行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分 可以通過(guò)組合其他部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實(shí)施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對(duì)于其他 實(shí)施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進(jìn)行適用、組合、 或置換等。再者，在本實(shí)施方式的附圖中，關(guān)于各個(gè)部分可以通過(guò)組合其 他實(shí)施方式的部分來(lái)構(gòu)成更多附圖。此外，本實(shí)施方式表示其他實(shí)施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體 例子、其稍微變形后的例子、變更其一部分后的例子、改良后的例子、詳 細(xì)描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實(shí) 施方式所述的內(nèi)容可以對(duì)本實(shí)施方式所述的內(nèi)容自由地進(jìn)行適用、組合、 或置換。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括在絕緣基板上的第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層上的第一絕緣層；在所述第一絕緣層上的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層上的第二絕緣層；在所述第二絕緣層上的第二半導(dǎo)體層；以及在所述第二半導(dǎo)體層上的第三導(dǎo)電層，其中，所述第一導(dǎo)電層重疊于所述第一半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電層重疊于所述第二半導(dǎo)體層，并且，所述第一半導(dǎo)體層作為第一晶體管的激活層起作用，并且，所述第二半導(dǎo)體層作為第二晶體管的激活層起作用，并且，所述第一半導(dǎo)體層的特性不同于所述第二半導(dǎo)體層的特性。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一絕緣層作為所述第一晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第一導(dǎo)電層作為所述第一晶體管的柵電極起作用。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二絕緣層作為所述第二晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第二導(dǎo)電層作為所述第二晶體管的柵電極起作用。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第三導(dǎo)電層電連接到所述第二半導(dǎo)體層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一半導(dǎo)體層具有結(jié)晶性。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體層具有非晶半導(dǎo)體。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體層具有微晶半導(dǎo)體。
8. —種顯示裝置，其特征在于，包括顯示元件以及權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置。
9. 一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括顯示元件以及權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置。
10. —種電子設(shè)備，其特征在于，包括操作開關(guān)以及權(quán)利要求8所述的顯示裝置。
11. 一種電子設(shè)備，其特征在于，包括操作開關(guān)以及權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置。
12. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 包括在絕緣基板上的第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層具有結(jié)晶性；在所述第一半導(dǎo)體層上的第一絕緣層；在所述第一絕緣層上的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層上的第二絕緣層；在所述第二絕緣層上的第二半導(dǎo)體層；以及在所述第二半導(dǎo)體層上的第三導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層重疊于所述第一半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電層重疊于所 述第二半導(dǎo)體層，并且，所述第一半導(dǎo)體層作為第一晶體管的激活層起作用，并且，所述第二半導(dǎo)體層作為第二晶體管的激活層的功能起作用，并且，所述第一半導(dǎo)體層的特性不同于所述第二半導(dǎo)體層的特性。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一絕緣層作為所述第一晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第一導(dǎo)電層作為所述第一晶體管的柵電極起作用。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二絕緣層作為所述第二晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第二導(dǎo)電層作為所述第二晶體管的柵電極起作用。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第三導(dǎo)電層電連接到所述第二半導(dǎo)體層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體層具有非晶半導(dǎo)體。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體層具有微晶半導(dǎo)體。
18. —種顯示裝置，其特征在于，包括顯示元件以及權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置。
19. 一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括顯示元件以及權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置。
20. —種電子設(shè)備，其特征在于，包括操作開關(guān)以及權(quán)利要求18所述的顯示裝置。
21. —種電子設(shè)備，其特征在于，包括操作開關(guān)以及權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置。
22. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括在絕緣基板上的第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層具有結(jié)晶性；在所述第一半導(dǎo)體層上的第一絕緣層；在所述第一絕緣層上的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層上的第二絕緣層；在所述第二絕緣層上的第二半導(dǎo)體層；在所述第二半導(dǎo)體層上的第三導(dǎo)電層；在所述第二絕緣層上的第四導(dǎo)電層；在所述第三導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層上的第三絕緣層；以及 在所述第三絕緣層上的第五導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層重疊于所述第一半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電層重疊于所 述第二半導(dǎo)體層，并且，所述第一半導(dǎo)體層作為第一晶體管的激活層起作用， 并且，所述第二半導(dǎo)體層作為第二晶體管的激活層起作用， 并且，所述第一半導(dǎo)體層的特性不同于所述第二半導(dǎo)體層的特性。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一絕緣層作為所述第一晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第一導(dǎo)電層作為所述第一晶體管的柵電極起作用。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二絕緣層作為所述第二晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第二導(dǎo)電層作為所述第二晶體管的柵電極起作用。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第五導(dǎo)電層通過(guò)設(shè)置在所述第三絕緣層中的接觸孔與所述第四導(dǎo)電層電連接。
26. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第五導(dǎo)電層通過(guò)設(shè)置在所述第一絕緣層、所述第二絕緣層及所述 第三絕緣層中的接觸孔與所述第一半導(dǎo)體層電連接。
27. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第三導(dǎo)電層電連接到所述第二半導(dǎo)體層。
28. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層具有非晶半導(dǎo)體。
29. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層具有微晶半導(dǎo)體。
30. —種顯示裝置，其特征在于，包括顯示元件以及權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置。
31. —種液晶顯示裝置，其特征在于，包括顯示元件以及權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置。
32. —種電子設(shè)備，其特征在于，包括操作開關(guān)以及權(quán)利要求30所述的顯示裝置。
33. —種電子設(shè)備，其特征在于，包括操作開關(guān)以及權(quán)利要求31所述的液晶顯示裝置。
34. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括以下步驟-貼合半導(dǎo)體基板和絕緣基板，該半導(dǎo)體基板具有脆弱層； 通過(guò)在所述脆弱層分離所述半導(dǎo)體基板，從而在所述絕緣基板上形成 第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層； 在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層上形成第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上形成第二半導(dǎo)體層；以及 在所述第二半導(dǎo)體層上形成第三導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層重疊于所述第一半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電層重疊于所 述第二半導(dǎo)體層，并且，所述第一半導(dǎo)體層作為第一晶體管的激活層起作用， 并且，所述第二半導(dǎo)體層作為第二晶體管的激活層起作用， 并且，所述第一半導(dǎo)體層的特性不同于所述第二半導(dǎo)體層的特性。
35. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，通過(guò)加熱處理進(jìn)行所述分離。
36. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一絕緣層作為所述第一晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第一導(dǎo)電層作為所述第一晶體管的柵電極起作用。
37. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二絕緣層作為所述第二晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第二導(dǎo)電層作為所述第二晶體管的柵電極起作用。
38. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第三導(dǎo)電層電連接到所述第二半導(dǎo)體層。
39. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一半導(dǎo)體層具有結(jié)晶性。
40. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體層具有非晶半導(dǎo)體。
41. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體層具有微晶半導(dǎo)體。
42. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括以下步驟貼合半導(dǎo)體基板和絕緣基板，該半導(dǎo)體基板具有脆弱層； 通過(guò)在所述脆弱層分離所述半導(dǎo)體基板，來(lái)在所述絕緣基板上形成第 一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成第二半導(dǎo)體層；在所述第二半導(dǎo)體層上形成第三導(dǎo)電層；在所述第二絕緣層上形成第四導(dǎo)電層；在所述第三導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層上形成第三絕緣層；以及 在所述第三絕緣層上形成第五導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層重疊于所述第一半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電層重疊于所 述第二半導(dǎo)體層，并且，所述第一半導(dǎo)體層作為第一晶體管的激活層起作用， 并且，所述第二半導(dǎo)體層作為第二晶體管的激活層起作用，并且，所述第一半導(dǎo)體層的特性不同于所述第二半導(dǎo)體層的特性。
43. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 通過(guò)加熱處理進(jìn)行所述分離。
44. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一絕緣層作為所述第一晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第一導(dǎo)電層作為所述第一晶體管的柵電極起作用。
45. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 其中，所述第二絕緣層作為所述第二晶體管的柵極絕緣層起作用， 并且，所述第二導(dǎo)電層作為所述第二晶體管的柵電極起作用。
46. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第五導(dǎo)電層通過(guò)設(shè)置在所述第三絕緣層中的接觸孔與所述第四導(dǎo)電層電連接。
47. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第五導(dǎo)電層通過(guò)設(shè)置在所述第一絕緣層、所述第二絕緣層及所述第三絕緣層中的接觸孔與所述第一半導(dǎo)體層電連接。
48. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第三導(dǎo)電層電連接到所述第二半導(dǎo)體層。
49. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一半導(dǎo)體層具有結(jié)晶性。
50. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體層具有非晶半導(dǎo)體。
51. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體層具有微晶半導(dǎo)體。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種能夠高速工作的大型半導(dǎo)體裝置。在同一基板上形成具有單晶半導(dǎo)體層的頂柵型晶體管和具有非晶硅(或微晶硅)的半導(dǎo)體層的底柵型晶體管。并且，使用相同的層形成各個(gè)晶體管所具有的柵電極，并使用相同的層形成源電極及漏電極。通過(guò)這樣，減少制造步驟。也就是說(shuō)，通過(guò)對(duì)底柵型晶體管的制造工序中僅略微增加步驟，就可以制造兩種晶體管。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101335273SQ20081012939
公開日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2008年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月29日
發(fā)明者木村肇 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所