專利名稱：阻絕飛濺的熔絲結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種熔絲結構，具體地說，是一種阻絕飛濺的熔絲結構。
背景技術：
在集成電路中，常用雷射切斷熔絲結構中的金屬熔絲來調整其電路特性。
現(xiàn)請參閱圖1 圖4，圖1為一種已知熔絲結構的剖面圖；圖2為圖1 的熔絲結構的上視圖；圖3為過度蝕刻的熔絲結構示意圖；圖4為融熔金 屬飛濺至相鄰金屬熔絲上的示意圖'。如圖所示，所述金屬熔絲120-126位 于已具有組件結構的基板110上，絕緣層130-136分別位于金屬熔絲 120-126與基板110之間，所述保護層140覆蓋在金屬熔絲120-126的四周， 避免以雷射切割目標金屬熔絲時，例如金屬熔絲126，因金屬熔絲126被 雷射擊中產(chǎn)生的融熔金屬飛濺(splashing)到與其相鄰的金屬熔絲而產(chǎn)生短 路，例如金屬熔絲124。但是，就制程上的考慮而言，若保護層140厚度 過厚，則金屬熔絲120-126不易被雷射切斷，造成電路調整的困難，因此 保護層140的厚度須控制在一定的范圍內(nèi)，然而金屬熔絲120-126周圍的 保護層140容易因過度蝕亥(J(over-etch)而消失，因而形成如圖3所示的結構， 導致雷射擊中金屬熔絲126時，融熔金屬飛濺(splashing)到金屬熔絲124 而產(chǎn)生短路，如圖4的虛線部分所示。其中，絕緣層130-136及保護層140 可以是氧化層。
另一種已知的解決金屬飛濺的方法是增加金屬熔絲之間的距離?，F(xiàn)請 參閱圖5和圖6，圖5為另一種已知的熔絲結構的剖面圖，圖6為圖5的 熔絲結構的上視圖。如圖所示，所述金屬熔絲220-224位于已具有組件結 構的基板210上，絕緣層230-234分別位于熔絲220-224與基板210之間，圖5及圖6中金屬熔絲220-224之間的距離為圖3中金屬熔絲120-126之 間的距離的五倍，因此當雷射擊中目標金屬熔絲222時，融熔金屬飛濺到 與其相鄰的金屬熔絲220及224的機率將變得很小，因而解決以雷射切割 金屬熔絲220-224所造成的短路的問題，然而，此種增加金屬熔絲220-224 間距的方法卻增加了所需的芯片面積，導致成本增加，而且以雷射切割目 標金屬熔絲時，融熔的金屬仍有可能飛濺到與其相鄰的金屬熔絲上。 因此已知的熔絲結構存在著上述種種不便和問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，在于提出一種阻絕飛濺的熔絲結構。 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術解決方案是
一種阻絕飛濺的熔絲結構，包括一已具有組件結構的基板，復數(shù)個熔
絲，復數(shù)個絕緣層和復數(shù)個隔離單元，其特征在于
所述已具有組件結構的基板上設有所述復數(shù)個熔絲； 所述復數(shù)個絕緣層是位于所述復數(shù)個熔絲與所述基板之間； 所述復數(shù)個隔離單元穿插在所述復數(shù)個熔絲之間，所述復數(shù)個隔離單
元的高度高于所述復數(shù)個熔絲的高度。
本發(fā)明的阻絕飛濺的熔絲結構還可以采用以下的技術措施來進一步實現(xiàn)。
前述的阻絕飛濺的熔絲結構，其中所述熔絲包括金屬熔絲。 前述的阻絕飛濺的熔絲結構，其中所述復數(shù)個絕緣層包括氧化層。 前述的阻絕飛濺的熔絲結構，其中所述復數(shù)個隔離單元中的每一個隔 離單元包括一上層金屬結構。
前述的阻絕飛濺的熔絲結構，其中所述上層金屬結構包括 一金屬層，位于所述基板上；
一第二絕緣層，位于所述金屬層與所述基板之間，所述第二絕緣層的 高度高于所述復數(shù)個熔絲的高度。
前述的阻絕飛濺的熔絲結構，其中所述第二絕緣層包括氧化層。 前述的阻絕飛濺的熔絲結構，其中更包括一保護層，所述保護層覆蓋所述基板，所述復數(shù)個熔絲和所述復數(shù)個隔離單元。
采用上述技術方案后本發(fā)明的阻絕飛濺的熔絲結構具有以下優(yōu)點
(1) 有效阻絕飛濺。
(2) 減少芯片面積。
(3) 降低芯片制造成本。


圖1為一種已知熔絲結構的剖面圖2為圖1的熔絲結構的上視圖3為過度蝕刻的熔絲結構示意圖4為融熔金屬飛濺至相鄰金屬熔絲上的示意圖5為另一種已知的熔絲結構的剖面圖6為圖5的熔絲結構的上視圖7為本發(fā)明的熔絲結構的剖面圖8為圖7的熔絲結構的上視圖9為圖7的熔絲結構在保護層蝕刻后的剖面圖10為圖9的熔絲結構在雷射切割后的剖面圖。
具體實施例方式
以下結合實施例及其附圖對本發(fā)明作更進一步說明。
現(xiàn)請參閱圖7和圖8，圖7為本發(fā)明的熔絲結構的剖面圖，圖8為圖 7的熔絲結構的上視圖。如圖所示，所述熔絲結構包括已具有組件結構的 基板310，所述復數(shù)個金屬熔絲320、 322、 324及326在基板310上，在 每一個金屬熔絲320、322、324及326與基板310之間各有一個絕緣層330、 332、 334及336將其隔開，在任兩個相鄰的金屬熔絲320、 322、 324及 326之間穿插隔離單元370、 372及374，如圖8所示，所述隔離單元370、 372及374的高度高于金屬熔絲320、 322、 324及326，在本實施例中， 所述隔離單元370、 372及374為上層金屬結構，每一個隔離單元370、 372 及374包括各自的金屬層340、 342及344及絕緣層350、 352及354，所述絕緣層350在基板310及金屬層340之間，絕緣層352在基板310及金 屬層342之間，絕緣層354在基板310及金屬層344之間，絕緣層350、 352及354的高度高于金屬熔絲320、 322、 324及326，保護層360覆蓋 基板310、金屬熔絲320、 322、 324及326及隔離單元370、 372及374。 其中絕緣層330、 332、 334、 336、 350、 352及354以及保護層360可以 是氧化層。圖7的熔絲結構在保護層360蝕刻后，即使發(fā)生過度蝕刻的情 形，所述隔離單元370、 372及374仍然可以阻隔金屬熔絲飛濺。
最后請參閱圖9和圖10，圖9為圖7的熔絲結構在保護層蝕刻后的剖 面圖，圖10為圖9的熔絲結構在雷射切割后的剖面圖。假設圖7的熔絲 結構在蝕刻后，保護層360因過度蝕刻而完全消失，如圖9所示，接著在 雷射切割步驟中，以雷射射擊金屬熔絲334及336，由于隔離單元374的 高度高于金屬熔絲334及336，因此融熔的金屬只能飛濺至隔離單元372 及374上，如圖10的虛線部分，其無法飛濺到相鄰的金屬熔絲上，因此， 所述隔離單元370、 372及374可以有效的阻隔金屬熔絲飛濺。而且相對 于圖5的熔絲結構，本發(fā)明的熔絲結構可以減少芯片面積及制造成本。
以上實施例僅供說明本發(fā)明之用，而非對本發(fā)明的限制，有關技術領 域的技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以作出各種 變換或變化。因此，所有等同的技術方案也應該屬于本發(fā)明的范疇，應由 各權利要求限定。
組件符號說明
110 基板
120 金屬熔絲
122 金屬熔絲
124 金屬熔絲
126 金屬熔絲
130 絕緣層
132 絕緣層
134 絕緣層136絕緣層
140保護層
210基板
220金屬熔絲
222金屬熔絲
224金屬熔絲
230絕緣層
232絕緣層
234絕緣層
310基板
320金屬熔絲
322金屬熔絲
324金屬熔絲
326金屬熔絲
330絕緣層
332絕緣層
334絕緣層
336絕緣層340金屬層
342金屬層
344金屬層
350絕緣層
352絕緣層
354絕緣層
360保護層
370隔離單元
372隔離單元
374隔離單元。
權利要求
1.一種阻絕飛濺的熔絲結構，包括一已具有組件結構的基板，復數(shù)個熔絲，復數(shù)個絕緣層和復數(shù)個隔離單元，其特征在于所述已具有組件結構的基板上設有所述復數(shù)個熔絲；所述復數(shù)個絕緣層是位于所述復數(shù)個熔絲與所述基板之間；所述復數(shù)個隔離單元穿插在所述復數(shù)個熔絲之間，所述復數(shù)個隔離單元的高度高于所述復數(shù)個熔絲的高度。
2. 如權利要求1所述的熔絲結構，其特征在于，所述熔絲包括金屬熔絲。
3. 如權利要求1所述的熔絲結構，其特征在于，所述復數(shù)個絕緣層包 括氧化層。
4. 如權利要求l所述的熔絲結構，其特征在于，所述復數(shù)個隔離單元 中的每一個隔離單元包括一上層金屬結構。
5. 如權利要求4所述的熔絲結構，其特征在于，所述上層金屬結構包括一金屬層，位于所述基板上；一第二絕緣層，位于所述金屬層與所述基板之間，所述第二絕緣層的 高度高于所述復數(shù)個熔絲的高度。
6. 如權利要求5所述的熔絲結構，其特征在于，所述第二絕緣層包括 氧化層。
7. 如權利要求l所述的熔絲結構，其特征在于，更包括一保護層，所 述保護層覆蓋所述基板，所述復數(shù)個熔絲和所述復數(shù)個隔離單元。
全文摘要
一種阻絕飛濺的熔絲結構，包括一已具有組件結構的基板，復數(shù)個熔絲，復數(shù)個絕緣層和復數(shù)個隔離單元，其特征在于所述已具有組件結構的基板上設有所述復數(shù)個熔絲；所述復數(shù)個絕緣層是位于所述復數(shù)個熔絲與所述基板之間；所述復數(shù)個隔離單元穿插在所述復數(shù)個熔絲之間，所述復數(shù)個隔離單元的高度高于所述復數(shù)個熔絲的高度。本發(fā)明的阻絕飛濺的熔絲結構具有阻絕飛濺，減少芯片面積和降低芯片制造成本的優(yōu)點。
文檔編號H01L23/52GK101626013SQ20081013037
公開日2010年1月13日 申請日期2008年7月11日 優(yōu)先權日2008年7月11日
發(fā)明者周宏哲, 莊朝炫 申請人:立锜科技股份有限公司