專利名稱：電子裝置以及制造電子裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子裝置及一種用于制造電子裝置的方法。
背景技術(shù)：
在功能元件中具有曝光部分的電子裝置為了實(shí)際使用正被研發(fā)， 以滿足近來科技發(fā)展的需要。這種類型的裝置的研發(fā)是基于降低光信 號(hào)衰減的需要和在通過在電子裝置中采用黑色樹脂來安裝無鉛時(shí)滿足 回流條件的改善的電子裝置的防潮性，所述電子裝置將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成 電信號(hào)并將從電子裝置的外部進(jìn)入的光信號(hào)直接引導(dǎo)到光學(xué)裝置的受 光部件(photo acceptance)。特別是，在利用藍(lán)光作為光信號(hào)的光記 錄技術(shù)中，在用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的光接收裝置中使用的環(huán)氧 樹脂被藍(lán)光退化，而處于失效條件，因此，需要上述在功能元件中具 有曝光部分的電子裝置，在該電子裝置中，環(huán)氧樹脂從光學(xué)路徑上被 消除。此外，具有這種結(jié)構(gòu)的電子裝置包括在功能元件中的可移動(dòng)元 件(例如，微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、電聲濾波器(electro-acoustic filter) 等)，希望在具有不能用樹脂封裝(encapsulate)的可移動(dòng)元件的裝置或 者用于相機(jī)的固態(tài)圖像傳測(cè)元件中采用上述類型的電子裝置。
圖12是截面圖，示出了在日本專利特開2001-257334中描述的固態(tài) 成像裝置。如圖12所示，固態(tài)成像裝置包括固態(tài)圖像傳測(cè)元件芯片 Sl;環(huán)氧樹脂片84，具有僅形成在受光部件單元(未顯示)中的開口 部分83，所述受光部件單元利用粘合劑85粘附到固態(tài)圖像傳測(cè)元件芯 片81;透明構(gòu)件86，利用粘合劑85粘附到環(huán)氧樹脂片84上，并用作平
板部分。固態(tài)圖像傳測(cè)元件芯片81被貼片(die-bonded)到封裝或者基 底810上，固態(tài)圖像傳測(cè)元件芯片81的焊盤部分81a與封裝或者基底810 之間特定的聯(lián)接通過焊線811實(shí)現(xiàn)，以完成實(shí)際使用，然后，包括除了 氣密之外的焊線聯(lián)接部分的外周部分利用封裝樹脂(encapsulating resin) 812被封裝。透明構(gòu)件86用作受光器的保護(hù)膜。
圖13和圖14是截面圖，示出了在日本專利特開H07-202152 (1995) 中描述的固態(tài)成像裝置。如圖13所示，固態(tài)成像裝置包括固態(tài)圖像傳 測(cè)元件芯片91，在固態(tài)圖像傳測(cè)元件芯片91中，僅設(shè)置有微透鏡93的 受光部件區(qū)域92被透明的封裝構(gòu)件94氣密密封。固態(tài)圖像傳測(cè)元件芯 片91通過貼片被直接粘附到基底921上，在將固態(tài)圖像傳測(cè)元件芯片91 的電極通過焊線922連接到基底921的電極上之后，除了僅設(shè)置在固態(tài) 圖像傳測(cè)元件芯片91的受光部件區(qū)域92中的透明的封裝構(gòu)件94和具有 焊線922的聯(lián)接部分之外的芯片表面利用封裝樹脂923封裝。如圖14所 示，透明的封裝構(gòu)件911包括平板部分911a和框架911b，并且被構(gòu)造成 在框架911b的上表面上形成平板部分911a。透明的封裝構(gòu)件911提供對(duì) 受光部件區(qū)域92的保護(hù)，平板部分911a用作保護(hù)膜。圖14中所示的透明 的封裝構(gòu)件911與圖13中所示的透明的封裝構(gòu)件94對(duì)應(yīng)。
此外，封裝樹脂812的上表面定位得比參照?qǐng)D12描述的固態(tài)成像裝 置中的環(huán)氧樹脂片84的上表面更高。因此，在環(huán)氧樹脂片84上形成的 透明構(gòu)件86的側(cè)表面覆蓋有封裝樹脂812。這提供了透明構(gòu)件86的側(cè)表 面與封裝樹脂812的粘附，從而難以剝離透明構(gòu)件86。
在參照?qǐng)D13和圖14描述的固態(tài)成像裝置中，封裝樹脂923的上表面 定位得比框架91b的上表面更高。如圖13所示，由于透明的封裝構(gòu)件94 的側(cè)表面覆蓋有封裝樹脂923，如圖14所示的平板部分911a的側(cè)表面覆 蓋有封裝樹脂923 (未顯示)。這使得平板部分911a的側(cè)表面與封裝樹 脂923粘附，導(dǎo)致難以剝離平板部分911a。此外，由于粘附平板部分911a 的表面的空間區(qū)域由框架911b的上表面的空間區(qū)域限制，難以增加用
于實(shí)現(xiàn)更大的粘附力的粘附的空間區(qū)域。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種電子裝置，該電子裝置包括 元件；框架構(gòu)件，由第一樹脂構(gòu)成、被設(shè)置成圍繞所述元件的功能單 元；以及樹脂層，由第二樹脂構(gòu)成，并填充所述框架構(gòu)件的外圍，其 中，所述元件的所述功能單元在由所述框架構(gòu)件圍繞的空間中暴露， 其中，所述框架構(gòu)件的上表面和所述樹脂層的上表面形成共同平面， 或者所述框架構(gòu)件的上表面定位得比所述樹脂層的上表面更高。
在這種電子裝置中，框架構(gòu)件的上表面和樹脂層的上表面共面， 或者框架構(gòu)件的上表面定位得比樹脂層的上表面更高。更具體地講，
能夠更容易地附著和去除覆蓋框架構(gòu)件的上表面和樹脂層的上表面的 保護(hù)膜，從而能夠?qū)崿F(xiàn)減少功能單元中的污染，提供一種具有提高的 可靠性的電子裝置。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電子裝置，該電子裝置包括 元件；框架構(gòu)件，由第一樹脂構(gòu)成、被設(shè)置成圍繞所述元件的功能單 元；以及樹脂層，由第二樹脂構(gòu)成，并填充所述框架構(gòu)件的外圍，其 中，所述元件的所述功能單元在由所述框架構(gòu)件圍繞的空間中暴露， 其中，所述框架構(gòu)件的上表面定位得比所述樹脂層的上表面更高。
在這種電子裝置中，框架構(gòu)件的上表面定位得比樹脂層的上表面 更高。更具體地講，能夠更容易地附著和去除覆蓋框架構(gòu)件的上表面
和樹脂層的上表面的保護(hù)膜，從而能夠?qū)崿F(xiàn)減少功能單元中的污染， 提供一種具有提高的可靠性的電子裝置。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造電子裝置的方法， 該方法包括以下步驟在晶圓上形成樹脂膜，所述晶圓具有形成在其 中的多個(gè)元件；圖案化所述樹脂膜以形成框架構(gòu)件，所述框架構(gòu)件由
第一樹脂構(gòu)成并被設(shè)置成圍繞所述元件的功能單元；提供封裝，包括 以下步驟在基材構(gòu)件上安裝所述元件；分別向所述框架構(gòu)件的上表 面和所述基材構(gòu)件的下表面壓模封裝金屬模具的成型面；將第二樹脂 注入到由所述封裝金屬模具的成型面圍繞的除了由所述框架構(gòu)件圍繞 的部分之外的部分中，以填充所述框架構(gòu)件的外圍。
由于在制造電子裝置的這種方法中，封裝金屬模具的成型面被壓 向框架構(gòu)件的上表面和基材構(gòu)件的下表面，并且第二樹脂被注入到由 封裝金屬模具的成型面圍繞的除了由框架構(gòu)件圍繞的部分之外的部分 中，以填充框架構(gòu)件的外圍，那么框架構(gòu)件的上表面和樹脂層的上表
面被形成共面。這使得能夠更容易地附著和去除覆蓋框架構(gòu)件的上表 面和樹脂層的上表面的保護(hù)膜，從而能夠?qū)崿F(xiàn)減少功能單元中的污染， 提供一種具有提高的可靠性的電子裝置。這通過簡(jiǎn)單的工藝提供了具
有提高的可靠性的電子裝置。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具有提高的可靠性及在暴露元件的功 能單元中減少污染的電子裝置，還提供了一種制造該電子裝置的方法。


通過下面結(jié)合附圖對(duì)特定的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行的描述，本發(fā)明的上 述和其它目的、優(yōu)點(diǎn)和特征將會(huì)變得更加清楚，其中
圖1A是透視圖，示出了在第一實(shí)施例中的電子裝置，圖1B是圖1A 中的電子裝置的沿著I-I'線截取的截面圖2A至圖2D是截面圖，示出了用于制造第一實(shí)施例中的電子裝置 的過程；
圖3A至圖3C是截面圖，示出了用于制造第一實(shí)施例中的電子裝置 的過程；
圖4A至圖4B是截面圖，示出了用于制造第一實(shí)施例中的電子裝置 的過程；
圖5A至圖5C是截面圖，示出了第一實(shí)施例中的電子裝置的制造過
程；
圖6A是透視圖，示出了在第一實(shí)施例中的另一電子裝置，圖6B是 圖6A中的電子裝置的沿著II-II'線截取的截面圖7A至圖7C是截面圖，示出了用于制造第二實(shí)施例中的電子裝置 的過程；
圖8A至圖8D是截面圖，示出了用于制造第三實(shí)施例中的電子裝置 的過程；
圖9A至圖9B是截面圖，示出了用于制造第四實(shí)施例中的電子裝置 的過程；
圖10A是透視圖，示出了在第五實(shí)施例中的電子裝置，圖10B是圖 IOA中的電子裝置的沿著III-III'線截取的截面圖11A至圖11G是截面圖，示出了用于制造第六實(shí)施例中的電子裝 置的過程；
圖12是截面圖，示出了傳統(tǒng)的電子裝置； 圖13是截面圖，示出了傳統(tǒng)的電子裝置；以及 圖14是截面圖，示出了傳統(tǒng)的電子裝置。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參照示意性實(shí)施例描述本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該 理解，利用本發(fā)明的教導(dǎo)能夠?qū)崿F(xiàn)很多可選擇的實(shí)施例，并且本發(fā)明 不限于為了解釋性的目的示出的這些實(shí)施例。
以下，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的用于電子裝置的示例性 實(shí)施方式及其制造方法。在附圖中，相同的標(biāo)記指示附圖中出現(xiàn)的相 同的元件，并且將不重復(fù)對(duì)它們的詳細(xì)描述。
第一實(shí)施例
圖1A是透視圖，示出了在第一實(shí)施例中的電子裝置，圖1B是沿 著圖1A中的I-I'線截取的截面圖。
如圖1B所示，電子裝置108包括光接收元件IOI;框架構(gòu)件102， 由第一樹脂構(gòu)成、被設(shè)置為圍繞光接收元件101的受光器單元101b(功 能單元)；封裝樹脂層106，由第二樹脂構(gòu)成，并填充框架構(gòu)件102的 外圍。雖然圖1B中沒有示出，但是電子裝置108還包括覆蓋由框架構(gòu) 件102的上表面和封裝樹脂層106的上表面形成的平面的保護(hù)膜。而 且，光接收元件101通過金屬細(xì)絲105電聯(lián)接到引線框架104上。
框架構(gòu)件102的上表面和封裝樹脂層106的上表面形成公共平面。 更具體地講，由于框架構(gòu)件102的上表面和封裝樹脂層106的上表面 共面，所以能夠容易地實(shí)現(xiàn)粘附和剝離覆蓋框架構(gòu)件102的上表面和 封裝樹脂層106的上表面的保護(hù)膜的情況。
用作功能單元的受光器單元lOlb形成在光接收元件101表面中。 更具體地講，受光器單元101b在光接收元件101的表面中被暴露。
框架構(gòu)件102形成在光接收元件101上，并且被設(shè)置成圍繞受光 器單元101b。光接收元件101的受光器單元101b在由框架構(gòu)件102圍 繞的空間中被暴露。
框架構(gòu)件102的高度被設(shè)計(jì)成0.08mm。框架構(gòu)件102的高度優(yōu)選 地等于或者大于0.05mm，更優(yōu)選地等于或者大于O.lmm。所述高度的 這種范圍防止金屬細(xì)絲105與在電子裝置108的制造過程(見圖4A) 中采用的封裝金屬模具llla和lllb接觸，所述金屬細(xì)絲105在引線框 架104和光接收元件101的預(yù)定位置之間聯(lián)接。因此，封裝金屬模具 llla和lllb能夠被牢固地粘附到框架構(gòu)件102的上表面上，防止封裝 樹脂層106滲入到框架構(gòu)件102的內(nèi)部。這里，框架構(gòu)件102的高度 可以被確定為從光接收元件101的上表面到框架構(gòu)件102的上表面的 垂直長(zhǎng)度，并且等于由第一樹脂構(gòu)成的樹脂膜的厚度。
框架構(gòu)件102的優(yōu)選的彈性模量在20"C時(shí)在從lGPa到6GPa的范
圍內(nèi)，在200。C時(shí)在從10MPa到3GPa的范圍內(nèi)。在20。C時(shí)從lGPa到 6GPa的范圍提供了框架102保護(hù)電子裝置108的受光器單元101b的 功能。在200'C時(shí)從lOMPa到3GPa的范圍提供了框架構(gòu)件102作為緩 沖材料的功能，這是因?yàn)樵谥圃祀娮友b置108的過程中，當(dāng)框架構(gòu)件 102被壓向封裝金屬模具llla和lllb時(shí)，框架構(gòu)件102輕微地彈性變 形，從而受光器單元101b被保護(hù)免受外部壓力。這里，框架構(gòu)件102 的彈性模量指的是在第一樹脂完全通過光和熱被固化的條件下的彈性 模量。
框架構(gòu)件102由第一樹脂形成。第一樹脂是通過光和熱可固化的 樹脂材料的固化產(chǎn)物。通過光和熱可固化的樹脂材料包括感光性樹脂 (例如，丙烯酸樹脂)和熱固化樹脂(例如，環(huán)氧樹脂)。
封裝樹脂層106由第二樹脂形成。第二樹脂是封裝電子裝置108 時(shí)使用的封裝樹脂?？蚣軜?gòu)件102的上表面和封裝樹脂層106的上表 面完整地形成平坦的表面。
將參照?qǐng)D2A至圖6B描述用于制造第一實(shí)施例中的電子裝置的方 法。圖2A至圖5C是截面圖，示出了第一實(shí)施例中的電子裝置的制造 過程。圖6A是透視圖，示出了在第一實(shí)施例中的電子裝置，圖6B是 沿著圖6A中的II-II'線截取的截面圖。
首先，如圖2A所示，制備晶圓101a。這種晶圓101a包括形成在 其中的多個(gè)光接收元件101和暴露到光接收元件101的表面之上的受 光器單元101b。這里，在布置在晶圓101a中的光接收元件101之中， 僅有兩個(gè)光接收元件101在圖2A中被示出，從而僅有兩個(gè)受光器單元 101b被暴露。
接下來，如圖2B所示，樹脂膜102a (第一樹脂)形成在光接收 元件IOI (晶圓101a)上。這里，樹脂膜102a是具有均勻的厚度分布
的膜。采用這種膜形式的樹脂膜102a的原因是形成具有0.05mm均勻 膜厚度或者厚于整個(gè)晶圓101a的厚度的樹脂膜。更具體地講，在液態(tài) 樹脂被用作樹脂膜102a的情況下，將會(huì)采用低粘性樹脂來獲得在整個(gè) 晶圓101a上均勻厚度的膜，這導(dǎo)致由于其粘性低而難以獲得0.05mm 厚度的足夠的膜。相反地，利用液態(tài)樹脂在整個(gè)晶圓101a上形成具有 0.05mm厚度或者更厚的膜需要使用粘性高的樹脂，這樣在晶圓101a 上涂覆樹脂的過程中由于其粘性高而使粘性阻力增加，使涂覆的膜在 厚度上增加變化，從而難以獲得均勻的膜厚度。結(jié)果，膜形式的樹脂 膜102a的使用能夠獲得形成具有0.05mm或者更厚的均勻的膜厚度的 樹脂膜102a。在本實(shí)施例中，整個(gè)晶圓101a覆蓋有樹脂膜102a。樹脂 膜102a的厚度是0.08mm。這種構(gòu)造允許框架構(gòu)件102獲得0.08mm的 咼度。
隨后，如圖2C所示，執(zhí)行對(duì)齊以使受光器單元lOlb設(shè)置在形成 在曝光掩模103的上表面中的圓柱形部分的內(nèi)徑中，然后，執(zhí)行曝光 以對(duì)樹脂膜102a進(jìn)行圖案化，從而形成框架構(gòu)件102。
此外，如圖2D所示，執(zhí)行顯影處理，以去除框架構(gòu)件102之外的 部分樹脂膜102a，從而形成圍繞受光器單元101b的框架構(gòu)件102。如 上所述，可以通過使用光刻工藝來形成框架構(gòu)件102。因此，完全去除 封裝樹脂層106與受光器單元101b的接觸，從而防止封裝樹脂層106 殘留在框架構(gòu)件102的內(nèi)部。除此之外，在顯影處理結(jié)束之后構(gòu)成框 架構(gòu)件102的樹脂還沒有被完全固化，在框架構(gòu)件102和晶圓101a之 間實(shí)現(xiàn)弱粘附，或者換句話說，在框架構(gòu)件102與光接收元件101之 間具有弱的粘附力，沒有提供牢固地粘附。
接下來，在其上具有晶圓101a的框架構(gòu)件102被熱處理，以完全 固化框架構(gòu)件102，提供框架構(gòu)件102和晶圓101a牢固地粘附，或者， 換句話說，提供框架構(gòu)件102和光接收元件101之間牢固地粘附。由 于通過這種熱處理在框架構(gòu)件102中不會(huì)出現(xiàn)幾何變形，所以框架構(gòu)
件102的幾何形狀與圖2D中所示的框架構(gòu)件102的幾何形狀類似。
接下來，如圖3A所示，從晶圓101a切割出各個(gè)光接收元件101， 以獲得具有框架構(gòu)件102的光接收元件101。
如圖6A所示，框架構(gòu)件102被形成為在框架構(gòu)件的內(nèi)部具有空心 部分的圓柱狀。這里，框架構(gòu)件102可用的幾何形狀不限于圓柱狀的 幾何形狀，可選擇的，可以采用其它的柱狀體或者棱柱體(例如，橢 圓柱體或者矩形柱)，以根據(jù)受光器單元101b的幾何形狀來形成圍繞 受光器單元101b的框架。而且，如圖6B所示，由于受光器單元101b 上側(cè)在框架構(gòu)件102的內(nèi)部設(shè)置有空心部分，所以受光器單元101b被 暴露于光接收單元101的表面中。這里，框架構(gòu)件102的彈性模量在 常溫被控制在大約2.4GPa，在大約20(TC的溫度時(shí)被控制在大約 15MPa。通過合適地選擇通過光和熱可固化的樹脂材料的類型或者添加 劑(例如，固化劑等)的比例，或者工藝條件(例如，固化光的強(qiáng)度 或者固化溫度)，可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)框架構(gòu)件102的彈性模量。
接下來，如圖3B所示，光接收元件101通過粘合劑被粘附到引線 框架104的預(yù)定位置上。接下來，如圖3C所示，光接收元件101通過 金屬細(xì)絲105在各自預(yù)定的位置上電聯(lián)接到相關(guān)的引線框架104上。
接下來，如圖4A所示，制備具有平坦的成型面的封裝金屬模具 llla和lllb，然后如圖4B所示，在引線框架104上的光接收元件101 被固定到封裝金屬模具Ula和lllb的預(yù)定位置。接下來，封裝金屬模 具llla的成型面有壓力地接觸框架構(gòu)件102的上表面，封裝金屬模具 lllb的成型面有壓力地接觸引線框架104的下表面。更具體地講，框 架構(gòu)件102的上表面與封裝金屬模具llla的成型面之間的間隙以及引 線框架104的下表面與封裝金屬模具lllb的成型面之間的間隙被減小 到最小，從而提供兩者之間的緊密接觸。
接下來，如圖4A所示，在有壓力地接觸的條件下，由熱熔化的封 裝樹脂(第二樹脂)被注入到由封裝金屬模具llla和lllb的成型面圍 繞的除了由框架構(gòu)件102圍繞的空間之外的空間中。這樣實(shí)現(xiàn)了填充 到框架構(gòu)件102外圍的封裝樹脂層116。這里，由框架構(gòu)件102和封裝 金屬模具llla圍繞的封閉區(qū)域形成在受光器單元101b的上側(cè)。而且， 封裝金屬模具llla成型面和框架構(gòu)件102的上表面通過合模壓力的外 力而緊密地接觸，光接收元件101和框架構(gòu)件102如上所述地牢固地 粘附。在這種情況下，如果框架構(gòu)件102在20'C時(shí)具有從lGPa到6GPa 的范圍內(nèi)的彈性模量，在20(TC時(shí)具有從lOMPa到3GPa的范圍內(nèi)的彈 性模量，則框架構(gòu)件102本身可以通過封裝金屬模具的合模壓力而適 當(dāng)?shù)貜椥宰冃危晕者@種合模壓力的外力，從而提供對(duì)光接收元件 101的保護(hù)。而且，這種彈性變形還可以產(chǎn)生使框架構(gòu)件102緊密接觸 封裝金屬模具llla的反向作用力。因此，能夠防止多余的封裝樹脂流 動(dòng)到框架構(gòu)件102的內(nèi)部，或者換句話說，流動(dòng)到在受光器單元101b 的上側(cè)形成的密封區(qū)域中。為了如上所述通過框架構(gòu)件102的彈性變 形提供封裝金屬模具llla的增大的粘附力，可以做出這樣的設(shè)計(jì)框 架構(gòu)件102的上表面從封裝樹脂層106的上表面的高度可以在從Omm 到0.05mm的范圍內(nèi)。當(dāng)框架構(gòu)件102的上表面被設(shè)計(jì)成比封裝樹脂層 106的上表面高出0.05mm或者更多時(shí)，由于封裝金屬模具llla的合 模壓力而產(chǎn)生的外力增加，框架構(gòu)件102的變形會(huì)導(dǎo)致塑性變形，從 而引起框架構(gòu)件102損壞。相反地，如果框架構(gòu)件102的上表面低于 封裝樹脂層106的上表面，或者換句話說，如果框架構(gòu)件102的上表 面的高度低于封裝樹脂層106的上表面的高度(小于Omm)，則會(huì)引 起多余的封裝樹脂流入到框架構(gòu)件102的內(nèi)部。
接下來，去除封裝金屬模具llla和lllb，以獲得光接收元件101， 其中，框架構(gòu)件102的上表面的水平面與封裝樹脂層106的上表面的 水平面相同，如圖4B所示。更具體地講，在引線框架104上的多個(gè)光 接收元件IOI被完全封裝。
接下來，如圖5A所示，形成保護(hù)帶107以覆蓋框架構(gòu)件102的上 表面和封裝樹脂層106的上表面。保護(hù)帶107用于保護(hù)受光器單元 101b。雖然保護(hù)帶107的材料沒有特別限制為任何特定的材料，但是 通常釆用在不低于軟熔溫度的溫度時(shí)具有耐熱性的可剝離的樹脂。
接下來，如圖5B所示，執(zhí)行對(duì)各個(gè)光接收元件101的切割，以獲 得具有希望的幾何形狀的電子裝置108。
然后，電子裝置108通過回流工藝由焊料110被聯(lián)接到具有在其 中形成的基本電路的基板109上。然后去除保護(hù)帶107，以獲得具有圖 5C所示的安裝裝置的電子裝置108。
這里，電子裝置108是具有形成在玻璃基底或者半導(dǎo)體基底的表 面上的無源元件和/或有源元件的裝置。
將描述采用本實(shí)施例的構(gòu)造所獲得的有益效果。電子裝置108被 構(gòu)造成具有形成為公共平面的框架構(gòu)件102的上表面和封裝樹脂層106
的上表面。根據(jù)具有這種構(gòu)造的電子裝置108，能夠?qū)崿F(xiàn)容易地粘附和 去除覆蓋框架構(gòu)件102的上表面和封裝樹脂層106的上表面的保護(hù)帶 107。因此，能夠降低受光器單元101b中的污染。由于設(shè)置在暴露的 受光器單元101b的光路上的保護(hù)帶107在電子裝置108的使用中可以 被容易地去除，所以能夠防止光信號(hào)的衰減。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有提 高的可靠性的電子裝置108。
此外，在制造電子裝置108的過程中，在電子裝置108被聯(lián)接到 基板109上之后，去除保護(hù)帶107。因此，在將電子裝置108安裝到基 板109上期間，能夠抑制由于進(jìn)入到框架構(gòu)件102的內(nèi)部中的污染物 對(duì)受光器單元101b的污染。
用于制造電子裝置108的方法包括使封裝金屬模具llla和lllb
的平坦成型面壓向框架構(gòu)件102的上表面和引線框架104的下表面， 將封裝樹脂注入到由封裝金屬模具llla和lllb的成型面圍繞的除了由 框架構(gòu)件102圍繞的空間之外的空間中，以形成填充框架構(gòu)件102的 外圍的封裝樹脂層106。因此，能夠通過簡(jiǎn)單的工藝獲得使框架構(gòu)件 102的上表面和封裝樹脂層106的上表面形成公共平面的結(jié)構(gòu)。因此， 能夠?qū)崿F(xiàn)電子裝置108的提高的生產(chǎn)率。
此外，具有均勻的厚度分布的樹脂膜102a的使用可以提供在晶圓 101a的整個(gè)表面上具有均勻高度分布的框架構(gòu)件102。這允許減小在光 接收元件101上的框架構(gòu)件102的高度的變化，并且允許提供一體封 裝。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)電子裝置108的提高的生產(chǎn)率。
此外，框架構(gòu)件102在制造電子裝置108的過程中提供對(duì)受光器 單元101b的保護(hù)，并且在不需要在生產(chǎn)完電子裝置108之后去除框架 構(gòu)件102。因此，可以省略去除框架構(gòu)件102的額外的操作，從而能夠 獲得呈現(xiàn)出提高的可靠性的電子裝置108，而不需要引入額外的制造過 程。
雖然在本實(shí)施例中，示出具有0.08mm厚度的樹脂膜102a的示例 性實(shí)施方式，但是樹脂膜102a的厚度可以適當(dāng)?shù)剡x擇，并且可以選擇 框架構(gòu)件102的高度使其等于或或者大于0.08mm，優(yōu)選地，可以采用 O.lmm或者更厚的較厚樹脂膜102a。此外，雖然在本實(shí)施例中示出了 采用單層樹脂膜102a的示例性實(shí)施方式，但是樹脂膜102a可以包括任 意層數(shù)。
第二實(shí)施例
圖7A至圖7C是截面圖，示出了第二實(shí)施例的電子裝置的制造過 程。第一實(shí)施例被構(gòu)造成采用保護(hù)帶107，而本實(shí)施例被構(gòu)造成采用保 護(hù)玻璃207。本實(shí)施例的其他構(gòu)造與第一實(shí)施例中所用的類似。
保護(hù)玻璃207形成在由框架構(gòu)件102的上表面和封裝樹脂層106 的上表面共同形成的平面上。光學(xué)透明玻璃可以被用作保護(hù)玻璃207。
在制造具有這種構(gòu)造的電子裝置208的過程中，還可以采用在圖 2A至圖4B中所示的在先前實(shí)施例中用于制造電子裝置108的類似的 制造工藝操作。這里，將描述在圖2B中所示的操作之后的制造工藝操 作。
首先，如圖7A所示，粘附保護(hù)玻璃207以覆蓋框架構(gòu)件102的上 表面和封裝樹脂層106的上表面。這里，利用在不低于其軟熔溫度的 溫度具有耐熱性的粘合劑來實(shí)現(xiàn)保護(hù)玻璃207的粘附。接下來，如圖 7B所示，切割形成在引線框架104上的多個(gè)電子裝置208的每一個(gè)， 以獲得具有期望的幾何形狀的電子裝置208。接下來，如圖7C所示， 電子裝置208聯(lián)接到具有其中形成了基本電路的基板109上，然后安 裝，所述的基本電路通過回流工藝由焊料110形成。
由于光學(xué)透明玻璃被用于第二實(shí)施例的電子裝置208的保護(hù)玻璃 207，所以能夠提供在回流工藝結(jié)束之后去除用于剝離保護(hù)玻璃207的 不想要的操作的有益效果。
本實(shí)施例還被構(gòu)造成框架構(gòu)件102的上表面和封裝樹脂層106的 上表面形成公共平面，從而能夠?qū)崿F(xiàn)容易地提供粘附到其上的電子裝 置208的保護(hù)玻璃207和用于制造該電子裝置208的工藝。本實(shí)施例 的其它有益效果與在前述實(shí)施例中獲得的有益效果類似。
第三實(shí)施例
圖8A至圖8D是截面圖，示出了用于制造第三實(shí)施例的電子裝置 的過程。第三實(shí)施例中的電子裝置的構(gòu)造與第一實(shí)施例中電子裝置108 的構(gòu)造類似。
通過圖8A至圖8D中所示的制造過程形成第三實(shí)施例中的電子裝 置的框架構(gòu)件302。本實(shí)施例的其它的制造工藝操作與第一實(shí)施例類 似。圖8A至圖8D分別對(duì)應(yīng)于圖2A至圖2D。其它的制造工藝操作與 第一實(shí)施例中的操作類似，因此，不重復(fù)對(duì)其的詳細(xì)描述。
首先，如圖8A所示，制備其中形成有多個(gè)光接收元件101的晶圓 101a。受光器單元101b被暴露于在晶圓101a中布置的各個(gè)光接收元件 101的表面。這里，在布置在晶圓101a中的多個(gè)光接收元件101之中， 僅兩個(gè)光接收元件101在圖8A中被示出。此外，制備樹脂膜302a，該 樹脂膜302a被形成為具有膜形式并且由通過光和熱可固化的樹脂材料 制成。在樹脂膜302a中事先打孔形成與框架構(gòu)件302的中空部分對(duì)應(yīng) 的開口。接下來，如圖8B所示，執(zhí)行受光器單元101b的對(duì)齊，以使 其位于設(shè)置在樹脂膜302a中的開口的內(nèi)部的合適位置，然后用樹脂膜 302a覆蓋整個(gè)光接收元件101 (晶圓101a)。
然后，如圖8C所示，通過采用曝光掩模103來執(zhí)行曝光過程，使 樹脂膜302a圖案化，從而形成框架構(gòu)件302。
此外，如圖8D所示，執(zhí)行顯影過程，以去除除了框架構(gòu)件302 之外的樹脂膜302a，從而形成圍繞各個(gè)受光器單元101b的框架構(gòu)件 302。如上所述，可以通過采用光刻工藝形成框架構(gòu)件302。除了以上 所述之外，包括框架構(gòu)件302的樹脂在結(jié)束顯影過程之后還沒有完全 被固化，提供了具有弱的粘附力的框架構(gòu)件302和光接收元件301之 間的弱粘附，而沒有提供牢固地粘附。
從而，預(yù)先形成框架構(gòu)件302的內(nèi)部中空部分，能夠防止在框架 構(gòu)件302的內(nèi)部殘留樹脂膜302a，否則這難以僅通過顯影過程完全消 除。因此，能夠進(jìn)一步抑制受光器單元101b中的污染，從而能夠?qū)崿F(xiàn) 呈現(xiàn)出進(jìn)一步提高可靠性的電子裝置308和用于制造該電子裝置308 的方法。雖然同時(shí)形成框架構(gòu)件102的內(nèi)壁和外壁的制造過程難以形
成與第一實(shí)施例中所描述的光接收單元101的表面垂直的框架構(gòu)件102 的內(nèi)壁，但是第三實(shí)施例中的框架構(gòu)件302的使用能夠通過先前形成 的樹脂膜302a中的開口使框架構(gòu)件302的內(nèi)壁形成為與光接收元件 101的表面垂直。因此，能夠減小受光器單元101b與框架構(gòu)件302之 間的距離，從而進(jìn)一步降低受光器單元101b中的污染。此外，還能夠 實(shí)現(xiàn)電子裝置尺寸減小的進(jìn)一步的有益效果。
在本實(shí)施例中，電子裝置的構(gòu)造也與第一實(shí)施例的電子裝置的構(gòu) 造類似。本實(shí)施例的其它有益效果與前述實(shí)施例獲得的有益效果類似。
第四實(shí)施例
圖9A和圖9B是截面圖，示出了用于制造第四實(shí)施例中的電子裝 置的過程。第四實(shí)施例中的電子裝置的構(gòu)造與第一實(shí)施例中的電子裝 置108的構(gòu)造類似。通過圖9A和圖9B中示出的制造過程來形成第四 實(shí)施例的電子裝置。在該實(shí)施例中的其它制造工藝操作與第一實(shí)施例 中的操作類似。圖9A和圖9B分別對(duì)應(yīng)于圖4A和圖4B。其它制造工 藝操作與第一實(shí)施例中的操作類似，因此，不重復(fù)對(duì)其的詳細(xì)描述。
首先，如圖9A所示，制備具有平坦的成型面的封裝金屬模具llla 和lllb，然后，通過真空夾盤將樹脂膜412放到封裝金屬模具llla的 成型面上。接著，引線框架104上的光接收元件101被固定到封裝金 屬模具llla和lllb的預(yù)定位置。接著，封裝金屬模具llla的成型面 有壓力地接觸框架構(gòu)件402的上表面，封裝金屬模具lllb的成型面有 壓力地接觸引線框架104的下表面。更具體地講，樹脂膜412被設(shè)置 并被壓在框架構(gòu)件402的上表面與封裝金屬模具llla的成型面之間。
通過插入樹脂膜412，允許減小框架構(gòu)件402的上表面與封裝金屬 模具ilia的成型面之間的間隙以及引線框架104的下表面與封裝金屬 模具lllb的成型面之間的間隙，從而提供二者之間的緊密接觸。
接下來，如圖9B所示，在有壓力地接觸的條件下，通過將加熱熔 化的封裝樹脂注入到由封裝金屬模具llla和111b的成型面圍繞的、除 了由框架構(gòu)件102圍繞的空間之外的空間中，以形成填充框架構(gòu)件402 的外圍的封裝樹脂層106。這里，由框架構(gòu)件402和封裝金屬模具llla 圍繞的封閉區(qū)域形成在受光器單元101b的上側(cè)。此外，通過合模壓力 而產(chǎn)生的外力的作用，封裝金屬模具llla的成型面和框架構(gòu)件402的 上表面緊密地接觸，并且光接收元件101和框架構(gòu)件402如上所述被 牢固地粘附。因此，能夠防止不想要的封裝樹脂流入到框架構(gòu)件402 的內(nèi)部，或者換句話說，流入到形成在受光器單元101b的上側(cè)的密封 區(qū)域中。
接下來，去除封裝金屬模具llla和lllb以獲得如圖9B所示的光 接收元件IOI。更具體地講，在引線框架104上的多個(gè)光接收元件101 被完全封裝。由于在這種情況下樹脂膜412被封裝金屬模具llla卡住， 所以膜不會(huì)殘留到框架構(gòu)件402的上表面或者封裝樹脂層106的上表 面上。
在本實(shí)施例中，框架構(gòu)件402的彈性模量是9GPa。因此，實(shí)現(xiàn)了 提高硬度的框架構(gòu)件402，以提供對(duì)于封裝樹脂到框架構(gòu)件402的中空 部分中的滲入的進(jìn)一步增強(qiáng)的保護(hù)，為受光器單元101b提供進(jìn)一步保 護(hù)。
當(dāng)采用等于或者大于6GPa的框架構(gòu)件402的彈性模量而不用本實(shí) 施例的構(gòu)造時(shí)，對(duì)于如上所述用封裝金屬模具llla直接加壓壓向框架 構(gòu)件402的上表面，不會(huì)出現(xiàn)框架構(gòu)件402的足夠的彈性變形，從而 可能在光接收元件101上施加由合模壓力產(chǎn)生的外力。這會(huì)引起光接 收元件101的故障，削弱受光器單元101b的功能，并且進(jìn)一步可能導(dǎo) 致環(huán)境測(cè)試的劣化。相反地，由于在本實(shí)施例中樹脂膜402介于框架 構(gòu)件402的上表面與封裝金屬模具llla的成型面之間，所以樹脂膜412 用作緩沖材料，從而能夠避免通常光接收元件101出現(xiàn)故障或者受光
器單元101b的功能障礙的有缺陷的情況。
由于框架構(gòu)件402的彈性模量的有效范圍等于或者大于6GPa，所 以能夠增加選擇作為框架構(gòu)件402的材料的第一樹脂的靈活性的程度。 另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，由于框架構(gòu)件402由具有9GPa的完全固化的樹脂的 彈性模量的樹脂的材料制成，所以能夠出現(xiàn)提高硬度的框架構(gòu)件402, 從而在封裝工藝期間能夠?qū)崿F(xiàn)防止封裝樹脂滲入到受光器單元101b中 的增強(qiáng)的保護(hù)。
這里，框架構(gòu)件402的彈性模量表示在通過光和熱完全固化的狀 態(tài)下產(chǎn)物的彈性模量?？蚣軜?gòu)件402由第一樹脂構(gòu)成。第一樹脂是通 過光和熱固化可固化的樹脂材料的固化產(chǎn)物。通過光和熱可固化的所 述樹脂材料包括感光性樹脂(例如，丙烯酸樹脂)和熱固化樹脂(例 如，環(huán)氧樹脂)。
樹脂膜412的彈性模量是3GPa。因此，當(dāng)框架構(gòu)件402的上表面 被壓向封裝金屬模具llla時(shí)，樹脂膜412彈性變形以用作緩沖材料， 從而受光器單元101b受到保護(hù)。光接收單元101能夠受到保護(hù)。
雖然在本實(shí)施例中示出了具有設(shè)置在框架構(gòu)件402的上表面與封 裝金屬模具111a的成型面之間的樹脂膜412的示例性實(shí)施例，但是類 似的樹脂膜也可以可選擇地設(shè)置在引線框架104的下表面與封裝金屬 模具lllb的成型面之間，并且可以被壓住。這種可選擇的構(gòu)造防止熔 化的封裝樹脂進(jìn)入引線框架104的下表面與封裝金屬模具lllb的成型 面之間的縫隙。
第五實(shí)施例
圖ioa是透視圖，示出了在第五實(shí)施例中的電子裝置，并且圖10B
是沿著圖ioa中的ni-ni'線截取的截面圖。雖然第一實(shí)施例被構(gòu)造成
框架構(gòu)件的上表面與封裝樹脂層的上表面形成公共平面，本實(shí)施例被
構(gòu)造成框架構(gòu)件的上表面高于封裝樹脂層的上表面，并且朝著上側(cè)突
出。用于制造第五實(shí)施例中的電子裝置的過程與如圖2A至圖5C中所 示的用于制造第一實(shí)施例中的電子裝置的過程類似。
在用實(shí)驗(yàn)制造中用于制造電子裝置的過程中，框架構(gòu)件502的高 度的變化是大約IO微米的標(biāo)準(zhǔn)差。這里，框架構(gòu)件502的高度的變化 是框架構(gòu)件502的高度的差別，這可能在通過光刻工藝形成由第一樹 脂構(gòu)成的并具有均勻的厚度的膜的過程中由于以下原因引起在形成 框架構(gòu)件502的操作期間，在曝光過程中光的強(qiáng)度的變化，或者在顯 影過程中顯影溶液的類型或者處理時(shí)間的改變?？紤]到在制造過程中 這種高度的改變，如果框架構(gòu)件502最小的高度被設(shè)計(jì)成不高于封裝 樹脂層106，則第二樹脂(封裝樹脂)可能會(huì)進(jìn)入到框架構(gòu)件502的內(nèi) 部，從而破壞中空部分。
相反地，在本實(shí)施例的電子裝置中，如圖IOA所示，框架構(gòu)件502 的上表面比封裝樹脂層106的上表面高10微米到60微米?？梢酝ㄟ^ 將框架構(gòu)件502設(shè)計(jì)成比封裝樹脂層106的上表面高大約30微米來獲 得滿足上述標(biāo)準(zhǔn)的框架構(gòu)件502的高度，所述30微米是框架構(gòu)件502 的高度變化的標(biāo)準(zhǔn)差的三倍。還可以通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)在封裝操作等中 壓向框架構(gòu)件502的壓力來適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)框架構(gòu)件502的高度的這種設(shè) 計(jì)。
在第五實(shí)施例的電子裝置中獲得的有益效果與在第一實(shí)施例中獲 得的有益效果類似。此外，即使框架構(gòu)件502的上表面比封裝樹脂層 106的上表面高框架構(gòu)件502的高度變化的標(biāo)準(zhǔn)差的三倍，也能夠抑制 不希望的封裝樹脂滲入到框架構(gòu)件502的中空部分中，從而本實(shí)施例 的構(gòu)造能夠提供顯示了提高的可靠性的電子裝置。結(jié)果，即使在制造 電子裝置的過程中，導(dǎo)致框架構(gòu)件502的高度上的變化大約標(biāo)準(zhǔn)差10 微米，也能夠抑制不希望的封裝樹脂滲入到框架構(gòu)件502的中空部分 中，所述封裝樹脂的滲入導(dǎo)致中空部分的損壞和受光器單元101b的污染。
此外，如圖10B所示，當(dāng)框架構(gòu)件被壓向封裝金屬模具llla和 lllb的成型面(見圖4A)時(shí)，框架構(gòu)件502的上表面比封裝樹脂層 106的上表面高的構(gòu)造能夠提供施加到框架構(gòu)件502上的更大的壓力。 因此，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)于封裝樹脂滲入到框架構(gòu)件502的中空部分中的進(jìn) 一步增強(qiáng)的保護(hù)，進(jìn)一步提高對(duì)受光器單元101b的保護(hù)。
第六實(shí)施例
圖IIA至圖IIG是截面圖，示出了第六實(shí)施例中的電子裝置的制 造過程。
雖然第一實(shí)施例中的框架構(gòu)件由單層的第一樹脂形成，但是第六 實(shí)施例中的電子裝置被構(gòu)造成框架構(gòu)件通過層壓由第一樹脂構(gòu)成的兩 層膜來形成，因此，被構(gòu)造為具有更高高度的雙層。本實(shí)施例的其他 構(gòu)造與第一實(shí)施例類似。通過圖IIA至圖UG中示出的制造過程形成 第六實(shí)施例中的電子裝置的框架構(gòu)件602。其它的制造工藝操作與第一 實(shí)施例中的操作類似，因此不重復(fù)對(duì)其的詳細(xì)描述。
首先，如圖11A所示，制備晶圓101a。
晶圓101a設(shè)置有形成在其中的多個(gè)光接收元件101，受光器單元 101b被暴露于光接收單元101的表面中。這里，在布置在晶圓101a中 的多個(gè)光接收元件101之中，僅兩個(gè)光接收元件101在圖11A中被示 出，所以兩個(gè)受光器單元101b被暴露。
接下來，如圖11B所示，制備樹脂膜602a和602b，所述樹脂膜 602a和602b形成為具有0.06mm厚度的膜形式，并且由通過光和熱可 固化的樹脂材料構(gòu)成。當(dāng)壓力通過軋輥層壓過程被施加到樹脂膜602a 和602b上的同時(shí)，樹脂膜602a和602b經(jīng)過輥的軋輥603a和603b，
從而獲得層壓構(gòu)件，因此得到基本沒有"扭曲"和"褶皺"的樹脂膜
602c。由于對(duì)于樹脂膜602a和602b的每個(gè)采用均勻厚度的膜，所以由 樹脂膜602a和樹脂膜602b的層壓構(gòu)件構(gòu)成的樹脂膜602c也是具有均 勻厚度的膜(圖11C)。
接下來，如圖11D所示，通過真空層壓工藝(vacuum laminator process)將樹脂膜602c安裝在光接收元件101 (晶圓101a)上，以使得 在樹脂膜602c與晶圓101a之間的接觸表面基本沒有氣泡等產(chǎn)生，從而 用樹脂膜602c覆蓋整個(gè)晶圓101a。樹脂膜602c的厚度是0.12mm。
然后，如圖11E所示，通過使用曝光掩模103執(zhí)行曝光過程，使 樹脂膜602c圖案化，從而形成框架構(gòu)件602。
接下來，如圖IIF所示，執(zhí)行顯影過程，以部分去除除了框架構(gòu) 件602的對(duì)應(yīng)部分之外的樹脂膜602c,從而使框架構(gòu)件602形成為圍 繞相關(guān)的受光器單元101b。實(shí)驗(yàn)制造顯示可以通過采用光刻工藝形成 由樹脂膜602a和樹脂膜602b的層壓構(gòu)件構(gòu)成的樹脂膜602c的框架構(gòu) 件602。
在第六實(shí)施例的電子裝置中獲得的有益效果與在第一實(shí)施例中獲 得的有益效果類似。在本實(shí)施例中，樹脂膜602c由第一樹脂的雙層膜 形式的樹脂構(gòu)成。這確保了等于或者大約0.08mm的足夠厚度的樹脂膜 602c。為了提供膜的形式，在處理第一樹脂時(shí)采用的溶劑需要被去除。 考慮到要去除溶劑，使用具有大于0.08mm厚度的較厚的樹脂膜602c 會(huì)導(dǎo)致去除溶劑中的困難。更具體地講，難以從產(chǎn)物(例如，膜)中 去除溶劑。結(jié)果，允許更容易地去除溶劑并更容易地處理的具有等于 或者小于0.08mm厚度的兩個(gè)膜的層壓構(gòu)件的使用，或者換句話說，膜 形式的第一樹脂的層壓構(gòu)件的使用，提供了膜厚度增加的樹脂膜602c。
此外，在在晶圓101a上形成層壓樹脂膜602c之前，預(yù)先完成樹 過程，從而能夠減少由于樹脂膜602a和602b 之間的粘附度或者粘性而產(chǎn)生的樹脂膜602a和602b (樹脂膜602c)中 的"扭曲"或者"褶皺"。更具體地講，在晶圓lOla上順序地形成樹 脂膜602a和602b的情況下，當(dāng)形成樹脂膜的第一層，即例如樹脂膜 602a，然后形成樹脂膜的第二層，即例如樹脂膜602b時(shí)，能夠減少由 于樹脂膜602a和602b的粘性而產(chǎn)生的樹脂膜602a和602b (樹脂膜 602c)中的"扭曲"或者"褶皺"。
此外，可以采用上述的輥壓工藝(rolllaminatorprocess)來形成樹脂 膜602a和602b的層壓構(gòu)件。輥壓工藝在樹脂膜602a和602b中提供有 限位置的壓制位置，從而，即使樹脂膜的粘性引起"扭曲"或者"褶 皺"，這種小的"扭曲"或者"褶皺"也能夠在樹脂膜602a和602b 中的較大的非壓制位置被補(bǔ)償，從而形成基本沒有"扭曲"或者"褶 皺"的樹脂膜的層壓構(gòu)件。
可選擇地，在形成晶圓lOla上的樹脂膜602c的層壓構(gòu)件的過程 中還可以采用真空層壓工藝。更具體地講，真空層壓工藝的使用允許 從晶圓101a與樹脂膜602c之間的交界面的更容易地去除泡沫，并且即 使采用較薄的晶圓101a也可以允許在整個(gè)晶圓lOla上均勻地施壓，從 而避免產(chǎn)生在晶圓101a中的破裂。
用于形成框架構(gòu)件602的樹脂膜的層壓構(gòu)件的使用允許提供高度 增加的框架構(gòu)件602，這導(dǎo)致金屬細(xì)絲105的頂點(diǎn)與封裝金屬模具111a 和lllb之間的距離增加，從而可以利用增加的距離來防止與金屬細(xì)絲 105不希望的接觸(見圖11G)。此外，框架構(gòu)件602的增加的高度允 許在設(shè)計(jì)框架構(gòu)件602和封裝樹脂層106的高度時(shí)提供增大的靈活性。 如第一實(shí)施例中所述，框架構(gòu)件的垂直尺寸(高度)和封裝樹脂層106 的垂直尺寸(厚度)之間的允許的差等于或者小于0.05mm。雖然在垂 直尺寸保持這樣范圍的允許的差，但是可以通過增加封裝樹脂層106 的厚度或者垂直尺寸而進(jìn)一步地增加框架構(gòu)件602本身的高度或者垂
直尺寸?？蚣軜?gòu)件602的這種增大的高度提供了框架構(gòu)件602更大的 彈性變形，這導(dǎo)致產(chǎn)生更大的作用力，繼而，產(chǎn)生框架構(gòu)件602與封 裝金屬模具llla之間更緊地接觸，從而防止封裝樹脂層106進(jìn)入到框 架構(gòu)件602的內(nèi)部。相反地，框架構(gòu)件602的這種高度的增加確保封 裝樹脂層106足夠的厚度，導(dǎo)致充分保護(hù)封裝樹脂而不暴露光接收元 件101和金屬細(xì)絲105，同時(shí)確?？蚣軜?gòu)件602的高度與封裝樹脂層 106的高度相差達(dá)到0.05mm。
根據(jù)本發(fā)明的電子裝置和用于制造電子裝置的過程不限于上述實(shí) 施例，可以進(jìn)行各種修改。
雖然在上述實(shí)施例中示出了采用作為(例如)在數(shù)字視頻盤(DVD) 系統(tǒng)中可用的元件的光接收元件101的示例性實(shí)施方式，但是還可以 使用在數(shù)碼攝像機(jī)或數(shù)碼相機(jī)中采用的圖像裝置以及利用電振蕩的各 種類型的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)和電聲濾波器器。此外，本發(fā)明的 構(gòu)造還可以被用于需要圍繞元件的空氣空間的半導(dǎo)體裝置，這是因?yàn)?由于需要低的介電常數(shù)的要求。此外，雖然通過示出引線框架來描述 基材構(gòu)件，但是基材構(gòu)件不限于引線框架，例如可以可選地采用樹脂 基底或者膜形式的基底。
顯然，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神 的情況下，可以進(jìn)行修改和變形。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，包括元件；框架構(gòu)件，由第一樹脂構(gòu)成、被設(shè)置成圍繞所述元件的功能單元；以及樹脂層，由第二樹脂構(gòu)成并且填充所述框架構(gòu)件的外圍，其中，所述元件的所述功能單元被暴露在由所述框架構(gòu)件圍繞的空間中，并且其中，所述框架構(gòu)件的上表面和所述樹脂層的上表面形成公共平面，或者所述框架構(gòu)件的上表面定位得比所述樹脂層的上表面更高。
2. —種電子裝置，包括 元件；框架構(gòu)件，由第一樹脂構(gòu)成、被設(shè)置成圍繞所述元件的功能單元；以及樹脂層，由第二樹脂構(gòu)成并且填充所述框架構(gòu)件的外圍， 其中，所述元件的所述功能單元被暴露在由所述框架構(gòu)件圍繞的 空間中，并且其中，所述框架構(gòu)件的上表面定位得比所述樹脂層的上表面更高。
3. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其中，所述第一樹脂是通過光 和熱可固化的樹脂的固化產(chǎn)物。
4. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其中，所述第一樹脂的固化產(chǎn) 物的彈性模量在2(TC時(shí)在從lGPa到6GPa的范圍內(nèi)，在20(TC時(shí)在從 10MPa到3GPa的范圍內(nèi)。
5. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其中，所述第一樹脂是膜形式 的樹脂。
6. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其中，所述框架構(gòu)件的上表面定位得比所述樹脂層的上表面高出從0mm到0.05mm的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度。
7. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其中，所述框架構(gòu)件的高度等 于或者大約0.05mm。
8. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其中，由所述框架構(gòu)件的上表 面和所述樹脂層的上表面形成的平面由保護(hù)膜覆蓋。
9. 如權(quán)利要求8所述的電子裝置，其中，所述保護(hù)膜由可剝離的 樹脂形成。
10. 如權(quán)利要求8所述的電子裝置，其中，所述保護(hù)膜由光學(xué)透明 材料構(gòu)成。
11. 一種用于制造電子裝置的方法，包括在晶圓上形成樹脂膜，所述晶圓具有形成在其中的多個(gè)元件； 圖案化所述樹脂膜以形成框架構(gòu)件，所述框架構(gòu)件由第一樹脂構(gòu) 成并且被設(shè)置成圍繞所述元件的功能單元；以及 提供封裝，包括 在基材構(gòu)件上安裝所述元件；將封裝金屬模具的成型面分別壓向所述框架構(gòu)件的上表面和所述 基材構(gòu)件的下表面；以及將第二樹脂注入到由所述封裝金屬模具的成型面圍繞的、除了由所述框架構(gòu)件圍繞的部分之外的空間的部分中，以填充所述框架構(gòu)件 的外圍。
12. 如權(quán)利要求ll所述的用于制造電子裝置的方法，其中，所述 形成樹脂膜包括 層壓所述多個(gè)膜形式的第一樹脂；以及 將所述層壓的膜形式的第一樹脂設(shè)置到所述晶圓上。
13. 如權(quán)利要求12所述的用于制造電子裝置的方法，其中，所述 層壓第一樹脂包括通過輥壓工藝層壓所述多個(gè)膜形式的第一樹脂，其 中，所述設(shè)置第一樹脂包括通過真空層壓工藝將所述層壓的膜形式的 第一樹脂設(shè)置到晶圓上。
14. 如權(quán)利要求ll所述的用于制造電子裝置的方法，還包括 在所述框架構(gòu)件的上表面和所述樹脂層的上表面上形成保護(hù)膜。
15. 如權(quán)利要求ll所述的用于制造電子裝置的方法，其中，所述 樹脂膜具有預(yù)先形成的開口。
16. 如權(quán)利要求ll所述的用于制造電子裝置的方法，其中，在所 述提供封裝中，膜被設(shè)置并壓在所述框架構(gòu)件的上表面與所述封裝金 屬模具的成型面之間。
17. 如權(quán)利要求16所述的用于制造電子裝置的方法，其中，在所 述提供封裝中，膜被設(shè)置并壓在所述基材構(gòu)件的下表面與所述封裝金 屬模具的成型面之間。
18. 如權(quán)利要求ll所述的用于制造電子裝置的方法，還包括在所 述提供封裝之后，將所述基材構(gòu)件分成各個(gè)元件。
全文摘要
提供了一種具有提高的可靠性及在暴露元件的功能單元中減少污染的電子裝置，還提供了一種制造該電子裝置的方法。該電子裝置包括光接收元件；框架構(gòu)件，由第一樹脂構(gòu)成、被設(shè)置成圍繞所述光接收元件的功能單元；封裝樹脂層，由第二樹脂構(gòu)成并填充所述框架構(gòu)件的外圍。光接收單元的受光器單元被暴露在由所述框架構(gòu)件圍繞的空間中。框架構(gòu)件的上表面和封裝樹脂層的上表面形成公共平面，或者框架構(gòu)件的上表面高于封裝樹脂層的上表面。
文檔編號(hào)H01L27/146GK101355063SQ200810131110
公開日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2008年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月27日
發(fā)明者內(nèi)田建次, 平澤宏希 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司