專利名稱：半導體激光器裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體激光器裝置及其制造方法，特別涉及紅色和紅 外域的半導體激光器裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
當今，對不僅具有播放功能還具有記錄功能的對應(yīng)16倍速記錄的 DVD等可進行高速寫入的光盤系統(tǒng)用光源的需要越來越大。這種光源， 至少需要可以以300mW以上的高輸出工作的半導體激光器裝置。
一般，在使半導體激光器裝置進行高輸出工作時，對取出激光側(cè)的共 振器端面(前端面)涂覆具有反射率為10%以下的低反射率的電介質(zhì)膜， 對與前端面相反側(cè)的共振器端面(后端面)涂覆具有反射率為85%以上的 高反射率的電介質(zhì)膜。通過進行低反射率(AR; Anti Reflection)涂覆和 高反射率(HR; High Reflection)涂覆，可以提高電流-光輸出功率特性中 的外部微分量子效率(斜效率)。由此，可以用較少的電流注入量實現(xiàn)較 高的光輸出功率。此外，還可以防止降低前端面的激光的功率密度，防止 因激光本身的光輸出導致激光端面被熔化破壞的毀滅性的光損害(COD)。
使前面的反射率降低、使后面的反射率提高，對提高COD等級和光 取出效率十分有效。但是，如果使前端面的反射率過低，共振器內(nèi)部中被 反饋的激光就會減少，振蕩閾值電流就會增大。此外，如果使前端面的反 射率降低，在將半導體激光器裝置應(yīng)用在光盤的情況下，容易產(chǎn)生由來自 光盤的反射回光帶來的噪音(回光感生噪音)。因此，在高輸出的激光器 中，為了得到較高的光取出效率，同時減少回光感生噪音，前端面涂覆成 反射率為5 10%左右。此外， 一般后端面要盡可能形成高反射率，所以 涂覆成反射率為95% 100%左右。
由于前端面和后端面的反射率大小有較大不同，所以在高輸出半導體
激光器裝置中，傳播在活性層中的共振器方向的光分布強度，為在前端面 側(cè)比后端面?zhèn)雀叩那昂蠓菍ΨQ的光分布強度。在這種情況下，光分布強 度較高的前端面?zhèn)认啾群蠖嗣鎮(zhèn)?，能產(chǎn)生更強的受激發(fā)射。因此，相比后 端面?zhèn)?，需要往活性層注入更多的的電?空穴對，特別是，在進行高輸出 工作時，在前端面?zhèn)戎?，活性層中的電?空穴對容易變得不足。電子-空
穴對不足，為發(fā)光效率飽和的一個原因，在獲得輸出為200mW 300mW 以上的高輸出激光的情況下，會導致溫度特性惡化，造成重大障礙。
另一方面，對于通常的AlGalnP類的半導體激光器，為了獲得良好的 溫度特性，以從(100)面起在
方向上在從7°至15°的范圍內(nèi)傾斜 的面為主面的GaAs基板被廣泛使用。在將共振器形成在這種基板上的情 況下，如果僅僅使用化學的濕蝕刻來形成脊(ridge)狀的條形部，結(jié)晶面 與條形部側(cè)壁所成的角中的銳角值，為01=54.7° —0° ， 02=54.7° +9° 。 另一方面，如果使用離子束蝕刻等物理方法形成條形部，那么就可以將條 形部的截面形狀，形成為在結(jié)晶的截面內(nèi)相對于疊層方向的軸為軸對稱的 形狀。但是，在這種情況下，脊側(cè)壁上會留下物理損傷，脊側(cè)壁與電流狹 窄層之間的界面上會發(fā)生泄露，使電流狹窄效應(yīng)變差。因此，在用物理方 法形成條形部的情況下，優(yōu)選在電流狹窄層生長之前，對脊的側(cè)壁稍稍進 行濕蝕刻。這樣，條形部的形狀仍然為軸非對稱形狀。
在軸非對稱的條形部的情況下，在波導線路中傳播的光分布，相對條 形為非對稱的形狀。光密度較高部分的載流子，由于大多是因受激發(fā)射而 產(chǎn)生載流子的發(fā)光再結(jié)合，所以載流子的空間燒孔(holeburning)形狀也 為非對稱分布。這意味著，與活性層平行的水平方向的有效折射率分布， 為左右非對稱。由此，光分布容易往增益相對變高的方向上移動，在光輸 出-電流特性上容易發(fā)生產(chǎn)生彎曲的扭結(jié)(kink)。
為了抑制扭結(jié)的發(fā)生，可以窄化條形寬度，使電流在狹窄的條形區(qū)域 中集中通過。由此，可以減小活性層的動作載流子的空間燒孔所產(chǎn)生的載 流子分布的凹陷的大小，可以抑制光輸出功率-電流特性中扭結(jié)的產(chǎn)生，直 到達到更高的輸出。但是，如果窄化條形寬度，就會導致因元件的串聯(lián)電 阻增大而使動作電壓增大，以及因功耗增大而使溫度特性惡化。
為了解決上述課題，己經(jīng)提出了一種半導體激光器裝置，它形成在從
基板面方位為(001)起在[110]方向上傾斜的化合物半導體基板上，具有
圖13所示的條形部(例如參照專利文獻2)。
如圖13所示，條形部200具有被設(shè)于共振器中央部且寬度固定的 第1區(qū)域200a;和分別被設(shè)于第1區(qū)域的兩側(cè)、寬度漸漸變大的第2區(qū)域 200b。另外，條形部200的側(cè)壁上設(shè)有電流阻擋層(未圖示)，電流阻擋 層的折射率比條形部200的折射率小。
通過上述構(gòu)成，條形部200內(nèi)的有效折射率，比條形部200外的有效 折射率更高。因此，光分布可以被隔絕在條形部200內(nèi)，可以獲得基本橫 模振蕩。此外，由于電流阻擋層對激光透明，所以可以減少導波損失，可 以降低動作電流值。進而，在條形部200的寬度固定的第1區(qū)域200a中， 光分布相對于條形部形狀的相對發(fā)光位置固定，激光的遠視野象(下稱 FFP)的光軸得以穩(wěn)定。另一方面，對于條形部的寬度變化的第2區(qū)域200b， 由于條形部上面的寬度變寬，所以可以使串聯(lián)電阻(Rs)減小。其結(jié)果， 對于半導體激光器裝置，可以獲得FFP光軸穩(wěn)定的基本橫模振蕩，同時可 以降低動作電流值，降低Rs。特開2004-200507號公報
然而，上述現(xiàn)有半導體激光器裝置存在如下問題。今后，在進行高溫 工作時，為了實現(xiàn)可輸出300mW以上的高輸出的激光，需要提高溫度特 性。為此，需要將共振器長度加長約150(Hrni以上。光輸出功率-電流特性 中的外部微分量子效率，與鏡面損失/ (鏡面損失+波導線路損失)成比例。 此外，鏡面損失的大小與共振器長度成反比。因此，共振器越長，鏡面損 失越小，所以外部微分量子效率容易受到波導線路損失的影響。對前端面 進行反射率為7%的涂覆、對后端面進行反射率為95%的涂覆的半導體激 光器裝置的鏡面損失，在共振器長度為90(Him時它是15.1cm"，共振器長 度為1500pm時它是9cm"。通常的高輸出的激光的波導線路損失是10cm" 以下，很明顯，共振器長度越長，波導線路損失對外部微分量子效率的影 響就越大。因波導線路損失而損失的光變?yōu)闊?。由此，在進行高溫、高輸 出工作時，元件的發(fā)熱被加速，造成熱飽和等級降低。
據(jù)此，對于共振器長度超過1500^im的長共振器的半導體激光，波導 線路損失的減少對提高高溫下熱飽和的光輸出等級非常重要。由此，對于
長共振器的激光器，為了使熱飽和的光輸出提高，需要盡可能減少波導線 路損失。
另一方面，上述現(xiàn)有半導體激光器裝置，為了使扭結(jié)標準提高，具有 條形寬度狹窄的第l區(qū)域、和條形寬度逐漸變化的第2區(qū)域。由于從條形 寬度變化的第2區(qū)域的脊側(cè)壁傳來的光發(fā)生散亂，所以產(chǎn)生放射損失。放
射損失的發(fā)生帶來以下問題波導線路損失增大約幾cm—1，外部微分量子 效率降低約10%。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是實現(xiàn)一種半導體激光器裝置，使得外部微分量子效率 的降低較少，在高輸出的工作狀態(tài)下發(fā)光效率的飽和不易發(fā)生，可穩(wěn)定地
進行基本橫模振蕩。
為了達到上述目的，本發(fā)明對半導體激光器裝置采取以下構(gòu)成具備 具有條形寬度變化區(qū)域的條形部，而且對于條形寬度變化的區(qū)域，內(nèi)部與 外部的有效折射率差比端面附近區(qū)域的大。
具體講就是，對于本發(fā)明的半導體激光器裝置，其特征在于，具備共 振器構(gòu)造，所述共振器構(gòu)造包含依次形成在基板上的第l包層、活性層和
第2包層，所述第2包層，具有在取出激光的前端面與作為該前端面相反
側(cè)的端面的后端面之間延伸的條形部，所述條形部具有設(shè)于所述前端面 側(cè)的第1區(qū)域；設(shè)于所述后端面?zhèn)鹊牡?區(qū)域；和設(shè)于所述第1區(qū)域和所 述第2區(qū)域之間且條形寬度變化的變化區(qū)域，所述變化區(qū)域上的所述條形
部的內(nèi)部與外部的有效折射率差，比所述第1區(qū)域的所述條形部的內(nèi)部與 外部的有效折射率差更大。
本發(fā)明的半導體激光器裝置中，由于變化區(qū)域上的條形部的內(nèi)部與外 部的有效折射率差，比第1區(qū)域的條形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差更 大。所以，可以使條形寬度變化的變化區(qū)域中的水平方向上的光的隔絕加 強。因此，可以減少在變化區(qū)域中傳播的光的放射損失，抑制波導線路損 失的增大。此外，由于在前端面附近的光的隔絕減弱，前端面附近區(qū)域的 光密度變小，所以前端面不易產(chǎn)生熔化破壞。此外，在條形寬度窄的部分 上，可以抑制活性層載流子的空間燒孔，提高產(chǎn)生扭結(jié)的光輸出功率。其
結(jié)果，可以實現(xiàn)扭結(jié)等級高并且產(chǎn)生熔化破壞的光輸出功率高的、基橫模 穩(wěn)定的半導體激光器。
對于本發(fā)明的半導體激光器裝置中，第1區(qū)域包含寬度固定的定寬部
分，定寬部分的長度為10nm以上。如此一來，可以通過劈開來將激光器
元件分離的情況下，減小因劈開位置的誤差而導致的條形寬度的變動。由
此，可以進一步減少激光器的遠視野象(FFP)的大小發(fā)生變化。
本發(fā)明的半導體激光器裝置中，所述前端面上的反射率，為所述后端 面的反射率以下，所述前端面上的條形寬度，比所述后端面上的條形寬度 更寬。
通過采取這種構(gòu)成，可以使注入光密度較高的前端側(cè)面的電流值大于 后端面?zhèn)?。因此，可以提高注入電流轉(zhuǎn)換成光的效率，提高外部微分量子 效率。
本發(fā)明的半導體激光器裝置上的活性層是由一般式為(AlaGab) eIm.JP (其中，0^a<l,0<b^l,a+b=l,0<c<l)表示的材料組成，第1包層和 第2包層也可以是由一般式為(AldGae) fIni-fP (其中，0<d<l，0<e< l,d+e=l,0<f<l)表示的材料組成。
此夕卜，活性層是由一般式為AlxGai.xAs (其中，0^x<l)表示的材料 組成，第1包層和第2包層也可以是由一般式為(AldGae) fln,.fP (其中， 0<d<l，0<e<l,d+e=l,0<f<l)表示的材料組成。
本發(fā)明的半導體激光器裝置中，活性層也可以是量子阱活性層。通過 采取這種構(gòu)成，可以進一步使振蕩閾值電流值減小，得到發(fā)光效率較高的 半導體激光。
本發(fā)明的半導體激光器裝置中，活性層中的所述前端面附近區(qū)域和所 述后端面附近區(qū)域中的至少一方可以由于雜質(zhì)擴散而被無序化。通過采取 這種構(gòu)成，雜質(zhì)擴散區(qū)域的活性層的相當于禁制帶寬度的能量，比共振器 內(nèi)部的活性層的相當于禁制帶寬度的能量更大。由此，雜質(zhì)擴散區(qū)域的活 性層對于激光器振蕩光透明，不易產(chǎn)生熔化破壞。
本發(fā)明的半導體激光器裝置中，條形部是脊條形部，還具備覆蓋第 1區(qū)域的脊條形部側(cè)壁的第1電流阻擋層、和覆蓋變化區(qū)域的脊條形部側(cè)
壁的第2電流阻擋層。第1電流阻擋層的折射率也可以比第2電流阻擋層的折射率大。通過采取這種構(gòu)成，可以減少變化區(qū)域上的脊側(cè)壁發(fā)射的損 失光的產(chǎn)生，即便是相對于共振器方向條形寬度為不同的結(jié)構(gòu)，也可以抑 制波導線路損失的增大。
本發(fā)明的半導體激光器裝置中，第1電流阻擋層和第2電流阻擋層既 可以是互不相同的電介質(zhì)材料，也可以是相同的電介質(zhì)材料。
本發(fā)明的半導體激光器裝置中，第1電流阻擋層和第2電流阻擋層，
分別也可以是由包含Si02、 SiNx、 A1203、 Ti02、 Zr02、 Ta2Os、 Ce02或 Nb205，或者至少包含它們中的2個的化合物組成。
對于本發(fā)明的半導體激光器裝置的制造方法，其特征在于，具備以下 工序在基板上依次形成第l包層、活性層和第2包層的工序a;通過蝕 刻所述第2包層，形成具有條形寬度變化的變化區(qū)域的條形部的工序b; 和形成第l電流阻擋層以覆蓋除所述變化區(qū)域之外的區(qū)域，并且，形成第 2電流阻擋層以覆蓋所述變化區(qū)域的工序c，在所述工序c中，形成所述 第1電流阻擋層和所述第2電流阻擋層，使所述變化區(qū)域上的所述條形部 的內(nèi)部與外部的有效折射率差，比除所述變化區(qū)域之外的區(qū)域上的所述條 形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差更大。
本發(fā)明的半導體激光器裝置的制造方法中，由于是通過變化區(qū)域上的 條形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差、比除變化區(qū)域外的區(qū)域上的條形部 的內(nèi)部與外部的有效折射率差更大的方式，形成第1電流阻擋層和第2電 流阻擋層，所以，在變化區(qū)域中傳播的光的放射損失較小，可以容易實現(xiàn) 抑制波導線路損失增大的半導體激光器裝置。
本發(fā)明的半導體激光器裝置及其制造方法，可以使外部微分量子效率 的降低減少，在高輸出工作的狀態(tài)下不易產(chǎn)生發(fā)光效率飽，實現(xiàn)穩(wěn)定進行 基橫模振蕩的半導體激光器裝置。


圖1是表示本發(fā)明一實施方式的半導體激光器裝置的截面圖。 圖2是表示本發(fā)明一實施方式的半導體激光器裝置的平面圖。 圖3是表示一例一般的半導體激光器裝置中的活性層的動作載流子密 度的水平方向上的分布圖線。
圖4是表示本發(fā)明一實施方式的半導體激光器裝置的第1變形例的平 面圖。
圖5是表示鏡面損失(0lm) / (鏡面損失(CXm) +波導線路損失((Xw)) 與波導線路損失的關(guān)系受到共振器長度影響的圖線。
圖6是表示錐角與波導線路損失的增大量的關(guān)系受到條形部的內(nèi)部與
外部的有效折射率差(An)影響的圖線。
圖7是表示將本發(fā)明一實施方式的半導體激光器裝置的電流-光輸出 功率特性與以往的半導體激光器裝置進行比較的圖線。
圖8是表示本發(fā)明一實施方式的半導體激光器裝置的第2變形例的平 面圖。
圖9是表示本發(fā)明一實施方式的半導體激光器裝置的第3變形例的平 面圖。
圖10是表示本發(fā)明一實施方式的半導體激光器裝置的第4變形例的 平面圖。
圖11是按照工序順序表示本發(fā)明一實施方式的半導體激光器裝置的 制造方法的截面圖。
圖12是按照工序順序表示本發(fā)明一實施方式的半導體激光器裝置的 制造方法的截面圖。
圖13是表示現(xiàn)有例的半導體激光器裝置的平面圖。
圖中10—基板，ll一緩沖層，12 —第1包層(clad layer), 13 —活 性層，14一第2包層，15—保護層，16 —接觸層，16 —記錄，17—電流阻 擋層(current block layer), 17a—第1電流阻擋層，17b—第2電流阻擋層， 18a—P電極，18b—N電極，20 —條形(stripe)部，20a—第1區(qū)域，20b 一第2區(qū)域，20c—變化區(qū)域，30 —氧化硅膜，31—Zn擴散源，32—氧化 硅膜，40—共振器構(gòu)造，40a—端面窗部。
具體實施例方式
參照附圖，對本發(fā)明一實施方式進行說明。圖l是表示本實施方式的 半導體激光器裝置的取出激光的前端面?zhèn)鹊慕孛鏄?gòu)成。如圖1所示，本實 施方式的半導體激光器裝置，是在將從(100)面起在
方向上傾斜10°的面作為主面的由n型GaAs所組成的基板10上，形成共振器構(gòu)造40 的紅色激光器裝置。另外，省略了P電極和N電極的有關(guān)圖示。
在基板10上依次形成有厚度為0.5pm的由n型GaAs組成的緩沖 層11;厚度為2pm的由n型(Alo.7Ga0.3) 0.51Ina49P組成的第1包層12; 活性層13;由p型(Alo.7Gao.3) o.51In,P組成的第2包層14;厚度為50nm 的由p型Gao.5IIn,P組成的保護層15;和厚度為0.4pm的由p型GaAs 組成的接觸層16。
活性層13，是應(yīng)變量子阱活性層，由從下側(cè)依次疊層的由(AlQ.5Ga().5) 0.51InQ.49P組成的第1引導層、3層的由GalnP組成的勢井層、2層的由 AlGalnP組成的壁壘層；和由AlGalnP組成的第2引導層組成。
在第2包層14上，形成有脊狀的條形部20。從條形部20的下端到活 性層13上端的距離dp為0.2pm。此外，從條形部20的上端到活性層13 的上端的距離為l. m。在條形部20的側(cè)壁上，形成有厚度為0.3jim的 電流阻擋層17。
電流阻擋層17，像后面說明的那樣，含有設(shè)于端面附近的第1電流阻 擋層和設(shè)于中央部的第2電流阻擋層。
從接觸層16注入的電流，由于電流阻擋層17而只在條形部20上被 窄化，被集中注入至位于活性層13上的條形部20的下方的部分。因此， 激光振蕩所必需的載流子的翻轉(zhuǎn)分布狀態(tài)，通過幾十mA這樣微小的注入 電流得以實現(xiàn)。
在因注入到活性層13的載流子的再結(jié)合而發(fā)光的光中，在與活性層 13垂直的方向上放射的光，在垂直方向上被夾持活性層13的第1包層12 和第2包層14隔絕。與活性層13平行的方向上放射的光，因電流阻擋層 17與第2包層14之間的折射率之差而在平行方向上被隔絕。此外，由于 電流阻擋層17相對于激光器振蕩光是透明的，所以沒有光吸收，可以實 現(xiàn)低損失的波導線路。此外，由于在波導線路中傳播的光分布，可以在電 流阻擋層17上大量溢出，所以容易實現(xiàn)適于高輸出工作的10-3量級的有 效折射率差(An)。此外，對于An的大小，可以通過改變dp，以1(^量 級進行精密控制。這樣，在對光分布進行精密控制的同時，可以得到低動 作電流、高輸出的半導體激光器。
另外，如果將基板法線方向設(shè)為垂直方向，將在條形內(nèi)部區(qū)域中在垂 直方向上構(gòu)成的多層波導線路的垂直方向的傳導常數(shù)((31)與真空中的波
數(shù)(k0)之比(pi/k0)設(shè)為Neql，將條形的外部區(qū)域中在垂直方向上構(gòu) 成的多層波導線路的垂直方向的傳導常數(shù)(P2)與真空中的波數(shù)(k0)之 比(卩2/k0)設(shè)為Neq2，那么所謂有效折射率差〔An 〕，就是指Neql與 Neq2的差(An= Neq 1 - Neq2 )。
此外，在進行8(TC的高溫操作時，為了提高放熱性，在本實施方式中 將共振器長度設(shè)為1750prn。
在共振器構(gòu)造40的前端面和后端面上，進行電介質(zhì)膜覆蓋(未圖示)， 使得對紅色激光的反射率分別為7%和95%。此外，在前端部和后端部附 近，接觸層16、保護層15、第2包層14、活性層13和第1包層12的一 部分被無序化，來形成端面窗部40a。
圖2表示本實施方式的另一半導體激光器裝置的平面構(gòu)成。如圖2所 示，條形部20具有設(shè)于取出激光的前端面?zhèn)鹊牡?區(qū)域20a;設(shè)于作為 前端面的相反側(cè)端面的后端面?zhèn)鹊牡?區(qū)域20b;和設(shè)于第1區(qū)域20a與 第2區(qū)域20b之間的變化區(qū)域20c。
第1區(qū)域20a上的條形寬度Wf是3.5iim，第2區(qū)域20b上的條形寬 度Wr是2.1pm，變化區(qū)域20c上，條形寬度是從Wml至Wm2呈直線變 化的，錐角為ei。另外，這里所說的條形寬度，是指圖1所示的條形部 20的下端部的寬度W。
此外，在第1區(qū)域20a和第2區(qū)域20b的側(cè)壁上，形成有第1電流阻 擋層17a，在變化區(qū)域20c的側(cè)壁上形成有第2電流阻擋層17b。有關(guān)第1 電流阻擋層17a和第2電流阻擋層17b的詳細說明將在后面進行。
一般，高輸出的激光器中，通常覆蓋(coating)電介質(zhì)膜，使得前端 面?zhèn)鹊姆瓷渎?Rf)為10%以下的低反射率，后端面?zhèn)鹊姆瓷渎?Rr)為 75%以上的高反射率。這是為了提高來自前端面的光取出效率，而且降低 前端面?zhèn)鹊墓饷芏?，提高激光器的端面形成熔化破?COD)的光輸出等 級。這時，對于波導線路的共振器方向的光密度而言，前端面?zhèn)缺群蠖嗣?側(cè)更高，需要更多的為了激光器振蕩而消耗的活性層的載流子數(shù)。因此， 如果對共振器內(nèi)部的光密度相對較高的前端面?zhèn)茸⑷敫嗟碾娏?，則可以
提高電流-光輸出功率特性的斜率，得到溫度特性突出的元件。也就是說， 對于前端面?zhèn)鹊姆瓷渎时群蠖嗣鎮(zhèn)鹊姆瓷渎矢〉募す馄鳎羰骨岸嗣鎮(zhèn)?的條形寬度大于后端面?zhèn)鹊臈l形寬度，則有益于注入的電流高效地受激發(fā) 射，可以提高斜率。
這里，對條形寬度進行說明。活性層上的動作載流子密度在水平方向 的分布，如圖3所示，在脊中央部呈相對凹陷的分布。這是被稱為載流子 的空間燒孔現(xiàn)象，它取決于條形部的中央部所產(chǎn)生的較強的受激發(fā)射。如
果將該載流子濃度凹陷的大小設(shè)為ANc，則ANc越大，活性層的增益分
布，在光密度較高的條形部的中央部就越低，其兩側(cè)的增益越大。因此， 會因極小的、條形的左右非對稱性，光分布左右移動，并產(chǎn)生扭結(jié)。為了
抑制這種現(xiàn)象，需要使ANc變小。為了使ANc變小，盡量窄化條形寬度 W，使電流集中通過活性層中狹窄的區(qū)域，十分有效。由此，可以在光分 布強度較高的條形部的緊挨中央部正下方的活性層，以較高電流注入密度 補充因受激發(fā)射而消耗的載流子。相反，如果條形寬度變大，光分布就會 被隔絕在條形部內(nèi)，ANc會變大。因此，當條形寬度加大時，扭結(jié)等級就 降低了。
另一方面，條形寬度可以對元件的串聯(lián)電阻產(chǎn)生影響，條形寬度大的 元件，元件的串聯(lián)電阻就小，可以使動作電壓降低。動作電壓的降低關(guān)系 到功耗的降低。此外，由于發(fā)熱量降低，所以也關(guān)系到溫度特性的提高。 另外，由于可以降低激光器裝置的驅(qū)動電壓，所以在電路設(shè)計上，是很有 利的。因此，優(yōu)選條形寬度在扭結(jié)等級不降低的范圍內(nèi)盡量加大。
總之，(1)在電流-光輸出功率特性上要想提高外部微分量子效率， 最好從前端面?zhèn)认蚝蠖嗣鎮(zhèn)冗M行條形寬度的窄化，(2)為了降低動作電 壓，最好使條形寬度變寬，(3)為了抑制扭結(jié)發(fā)生，最好使條形寬度變 窄。也就是說，為了使動作電流值和動作電壓較低、提高扭結(jié)等級，優(yōu)選 擴大前端面?zhèn)壬系臈l形寬度，窄化后端面?zhèn)鹊臈l形寬度，使其間的條形寬 度漸漸變窄。
條形寬度也可以從前端面?zhèn)认蚝蠖嗣鎮(zhèn)冗B續(xù)變化。但是，如果條形寬 度變化，脊側(cè)壁上的波導光的散亂損耗就會變大，使效率降低。因此，為 了降低改變條形寬度情況下的波導線路損耗的增大量，最好在光密度較高 的前端面部中使條形寬度變化較小。因此，如圖2所示，在前端面?zhèn)鹊牡?br> l區(qū)域20a中，優(yōu)選將條形寬度設(shè)為固固定。此外，在第l區(qū)域20a中， 在改變條形寬度的情況下，如圖4所示，優(yōu)選變化量小于變化區(qū)域20c， 也就是說，最好使第1區(qū)域20a上的錐角90小于變化區(qū)域20c的錐角01。
也就是說，如果將前端面上的條形寬度設(shè)為Wf、將變化區(qū)域的前端 面?zhèn)鹊亩瞬可系臈l形寬度設(shè)為Wml、將變化區(qū)域20c的后端面?zhèn)鹊亩瞬?上的條形寬度設(shè)為Wm2、將第1區(qū)域20a的長度設(shè)為Ll、將變化區(qū)域20c 的長度設(shè)為L2，優(yōu)選滿足Wf^Wml、 Wml > Wm2、 (Wf—Wml) /Ll >(Wml—Wm2) /L2的關(guān)系。
換言之，在條形寬度相對共振器方向變化、形成，并存在條形寬度對 共振器方向的變化率不同的多個區(qū)域的情況下，該變化率，只要將平均光 密度更高的區(qū)域的變化率設(shè)定得更小即可。
此外，在激光端面附近，在通過劈開將元件分裂的情況下，為了抑制 由于劈開位置的錯位而導致的條形寬度的變動，在距離端面長約10pm以 上的區(qū)域，優(yōu)選將條形寬度設(shè)為固定。原因是如果條形寬度變動，波導 線路中傳播的光分布幅度就會發(fā)生變化，所以共振器端面放射的遠視野圖 像(FFP)就會變化。在圖2中，在距離前端面200)im和距離后端面50iim 的位置上，將條形寬度設(shè)為固定。此外，在圖4中，在距離前端面10pm 的位置上，將條形寬度設(shè)為固定。
在后端面?zhèn)龋词箺l形寬度因劈開位置的偏差而變化，也幾乎不會對 前端面放射的FFP的圖形產(chǎn)生影響。此外，后端面?zhèn)扔捎诠饷芏容^小，所 以即便An變小，脊側(cè)壁上產(chǎn)生的散亂損失的大小也很小。因此，第2區(qū) 域上的條形寬度，不一定非要固定。
在設(shè)置有條形寬度變化的變化區(qū)域的情況下，從脊側(cè)壁傳播的光發(fā)生 散亂，關(guān)系到波導線路損失的增大。因此，只要抑制因來自于這種脊側(cè)壁 的散亂而導致的波導線路損耗的產(chǎn)生，就可以進一步提高外部微分量子效 率，得到高效發(fā)光的半導體激光器。為了在半導體激光器上進行高溫高輸 出的工作，需要加長共振器長度，在提高放熱性的同時降低動作載流子密 度，抑制來自高溫工作時的活性層的熱激發(fā)的載流子的溢出。
對于對應(yīng)16倍速記錄的可高速寫入的光盤系統(tǒng)用的紅色激光器，需
要在8(TC以上的高溫下，實現(xiàn)300mW以上的高輸出工作。因此，需要將 紅色激光器的共振器的長度設(shè)為150(Him以上。在這種情況下，光輸出-電流特性中的外部微分量子效率，與鏡面損失(am) / (鏡面損失(oim) + 波導線路損耗(aw))成比例。如果設(shè)表示被注入的載流子進行發(fā)光再結(jié)
合的比例的內(nèi)部量子效率為(rii)、設(shè)從前端面取出激光器振蕩光的效率 為(TP ，那么外部微分量子效率如式1那樣表示。式1<formula>formula see original document page 15</formula>
這里，如果將L設(shè)為共振器長度，鏡面損失由下式表示。式2<formula>formula see original document page 15</formula>
由式2可知共振器長度越長，鏡面損失就越小。因此，可知共振 器長度越長，外部微分量子效率所對應(yīng)的波導線路損失的大小的影響就越 大。
圖5，將鏡面損失(am) / (鏡面損失(am) +波導線路損耗(aw)) 設(shè)為iv表示對w與波導線路損失之間關(guān)系的共振器長度依賴性的研究的 結(jié)果。在本實施方式中，為了降低波導線路損失，提高外部微分量子效率， 電流阻擋層對激光幾乎透明，它采用了使用比包層的折射率還低的介質(zhì)材 料的實折射率波導線路構(gòu)造。在這種情況下，波導線路損失通常為10cm—1 以下的波導線路損失。因此，圖5所示的結(jié)果表示的是，波導線路損失為 lOcm"以下的波導線路損失的范圍。
'如圖5所示，共振器長度越長，外部微分量子效率就越小，路損失的 增大對W的影響就越大。在共振器長度為1500|im以上的情況下，如果波 導線路損失增大1 cm" 2cm—1， iv就降低約10%。這意味著外部微分量子 效率降低約10%，對高溫高輸出工作造成重大障礙。
由此，可知即便為了提高放熱性而將共振器長度設(shè)為1500pm以上， 也會由于rir變小，造成外部微分量子效率降低，不僅如此，波導線路損失 對降低外部微分量子效率的影響增大。
因此，對于長度為1500)im以上的長共振器的激光器而言，如果不盡 可能地降低波導線路損失，就無法在低動作電流下進行高輸出工作。對于 動作電流值的增大，從激光驅(qū)動電路的驅(qū)動電流容量的限制和因電力損耗 增加而導致發(fā)熱量增大的觀點出發(fā)，動作電流值最好盡可能地小。
為了獲得低動作電流的高輸出激光器，需要抑制波導線路損失的增 大。但是，本實施方式的半導體激光器裝置，由于具有條形寬度從共振器
長的前面向后面逐漸變窄的變化區(qū)域，所以有可能因來自脊側(cè)壁的散亂損 失而使波導線路損失變大。
圖6表示條形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差(An)對錐角與波導線 路損失的增大量之間的關(guān)系產(chǎn)生的影響。另外，所謂錐角是圖2所示的條
形寬度變化的角度ei。
如圖6所示，如果錐角變大，波導線路損失就增大。此外，An越大， 波導線路損失的增大量越小。當An較小時，在波導線路中傳播的激光就 會向條形部外擴散，所以對于條形部外的活性層也需要進行激光振蕩所必 需的電流注入，使振蕩閾值電流值增大和動作電流值增大。相反，當An 較大時，由于光分布被較強地隔絕在條形部內(nèi)，所以，條形部內(nèi)的光密度 就會變高，載流子的空間燒孔的大小就會增大，很容易產(chǎn)生扭結(jié)。為此， 通常，高輸出的激光器中，為了穩(wěn)定光分布的橫模，將An設(shè)為5X10—s至 7X10^左右。對于該An的范圍，為了使波導線路損失的增大抑制在2cm—1 以下，為了防止外部微分量子效率降低10%以上，在An為7X 1(tM青況下， 要將錐角設(shè)為0.23。以下。此外，在An為5Xl(^的情況下，要將錐角設(shè) 為0.12°以下。因此，如果將錐角設(shè)為0.12。以下，那么在An為5X10'3 以上的波導線路的情況下，可以使波導線路損失的發(fā)生控制在2cm"以下。 另夕卜，如果將錐角設(shè)為0.05。以下，那么在An為5Xl(^以上的波導線路 的情況下，可以使波導線路損失的發(fā)生控制在lcm"以下。
也就是說，如果在取出光的共振器的前端面附近，將An設(shè)定得較小 以便獲得希望的光分布，在條形寬度變化的區(qū)域?qū)n設(shè)定得較大，就可
以抑制條形寬度變化所導致的波導線路損失的增大。
對于本實施方式的半導體激光器裝置，在圖2所示的第1區(qū)域20a和 第2區(qū)域20b中，將電流阻擋層17設(shè)成由SiN組成的第1電流阻擋層17a， 在變化區(qū)域20c中，將電流阻擋層17設(shè)成由Si02組成的第2電流阻擋層 17b。因此，第2電流阻擋層17b的折射率就比第1電流阻擋層17a小。 這樣，通過減小變化區(qū)域20c中的第2電流阻擋層17b的折射率，即便dp 相同，也可以改變An。具體講就是，變化區(qū)域20c中的An的值是7X10—3， 第1區(qū)域20a和第2區(qū)域20b中的An的值是5.5 X 10—3。
在圖2所示的例子中，前端面上的條形寬度為3.5pm，后端面上的條 形寬度為2.1pm，共振器長度為1750)im，在距離前端面200pm的第1區(qū) 域20a和距離后端面50^im的第2區(qū)域20b中，條形寬度固定。所以，錐 角01為0.03° 。因此，由于改變了條形寬度，所以波導線路損失的增大 為非常小的值，約0.3cm"左右。其結(jié)果如圖5所示，能夠?qū)⒁蚋淖儣l形 寬度而導致的散亂損失的發(fā)生對^下降帶來的影響，抑制在幾％以下，為 非常小的水平上。
圖7表示本實施方式的半導體激光器裝置的電流-光輸出功率特性。動 作條件是80'C、 50ns、脈沖占空比為40%。本實施方式的半導體激光器裝 置，將第1區(qū)域和第2區(qū)域中的An的值設(shè)為5.5X10—3，將變化區(qū)域中的 △n的值設(shè)為7X10'3。現(xiàn)有的半導體激光器裝置，其An為5.5X10'3，并 且固定。對于本實施方式的半導體激光器裝置，可知相對于現(xiàn)有的半導 體激光，動作電流降低了約10%，對降低波導線路損失具有效果。
圖2中，表示變化區(qū)域中的條形寬度的變化率為固定的例子，只要端 面反射率低的前端面?zhèn)鹊臈l形寬度比端面反射率相對較高的后端面?zhèn)鹊?條形寬度更寬即可。因此，如圖8所示，對于變化區(qū)域20c，條形寬度的 變化率以2階段變化即可。在這種情況下，設(shè)變化區(qū)域20c中的An值為 大于第1區(qū)域20a和第2區(qū)域20b中的An值。
在使條形寬度的變化率進行2階段變化的情況下，優(yōu)選在前端面?zhèn)鹊?區(qū)域R1中，與后端面?zhèn)鹊膮^(qū)域R2相比條形寬度的變化率小，也就是說， 區(qū)域R1中的錐角ei比區(qū)域R2中的錐角92小。由此，在光密度較高的前 端面?zhèn)鹊牟糠稚希F角變小，因而可以對脊側(cè)壁上的散亂損失的發(fā)生進行
進一步抑制。在這種情況下，91是0.23°以下，優(yōu)選是0.12°以下，更優(yōu)
選是o.05。以下。此外，雖然只要ei比e2小即可，但如圖9所示，可以 將ei設(shè)為o度，來將前端面?zhèn)鹊膮^(qū)域ri設(shè)為定寬區(qū)域。
此外，也可以對條形寬度的變化率進行2階段以上的變化。在這種情
況下，只要條形寬度的變化率從前端面?zhèn)鹊膮^(qū)域向后端面?zhèn)鹊膮^(qū)域逐漸變
大即可。此外，如圖io所示，對于最前端面?zhèn)鹊膮^(qū)域Ri，可以將ei設(shè)
為0度，將最前端面?zhèn)鹊膮^(qū)域R1設(shè)為定寬區(qū)域。
另外，己經(jīng)表示了條形寬度的變化是直線狀的例子，也可以不必是直 線，只要是端面反射率較低的前端面上的條形寬度比端面反射率相對較高 的后端面上的條形寬度更寬、且變化區(qū)域上的條形寬度的共振器長所對應(yīng)
的變化率的絕對值，換算成角度為0.23。以下，任何形狀都可以。在這種
情況下，為了進一步抑制因錐形狀而導致的波導線路損失的發(fā)生，優(yōu)選變
化區(qū)域中的條形寬度的變化率的絕對值換算成角度為0.12。以下，更優(yōu)選 為0.05°以下。
如果前端面上的條形寬度大，電流的注入面積就會增大，所以，可以 使元件的微分電阻減小，可以提高在進行高溫工作時發(fā)生熱飽和的光輸出 的等級，另一方面，高次橫模會被截止，電流-光輸出功率特性上容易產(chǎn)生 扭結(jié)。因此，前端面的條形寬度可以設(shè)為2.5pm以上5pm以下，優(yōu)選設(shè) 為3iim以上4pm以下，更優(yōu)選設(shè)為3.2pm以上3.7pm以下。此外，如果 后端面上的條形寬度大，注入面積就會增大，所以元件的微分電阻減小， 而另一方面，高次橫模會被截止，電流-光輸出功率特性上容易產(chǎn)生扭結(jié)， 另外，通過將電流注入?yún)^(qū)域設(shè)為錐狀，電流的利用效率也會降低。因此， 可以將后端面的條形寬度設(shè)為l)im以上3jiim以下，優(yōu)選設(shè)為1.5pm以上 2.5)nm以下，更優(yōu)選設(shè)為1.7pm以上2.3 pm以下。
下面，參照附圖，對本發(fā)明一實施方式的半導體激光器的制造方法進 行說明。圖11按照工序順序表示了一個實施方式的半導體激光器的制造 方法。
首先，如圖11 (a)所示，在以從(100)面起在
方向上傾斜10 °的面作為主面的由n型GaAs組成的基板10上，使用有機金屬氣相堆積 (MOCVD)法，依次形成厚度為0.5)im的由n型GaAs組成的緩沖層11;厚度為1.2pm的由n型(Alo.7Gao.3) o.51Ina49P組成的第1包層12;活 性層13;由p型(Ala7Gao.3)化5,Ino.49P組成的第2包層14;厚度為50nm 的由p型Gaa51Ina49P組成的保護層15;和厚度為0.3pm的由p型GaAs 組成的接觸層16。也可以取代MOCVD法，使用分子線磊晶法(MBE)。
在本實施方式中，活性層13是具有由(Alo.5Ga。.5) a5,In。.49P組成的第 1引導層；3層的由GalnP組成的勢井層；2層的由AiGalnP組成的壁壘 層；和由AlGalnP組成的第2引導層的應(yīng)變量子阱活性層。也可以取代應(yīng) 變量子阱活性層，使用無應(yīng)變的量子阱或塊材(bulk)。此外，活性層的 導電型既可以是p型，也可以是n型，無慘雜也可以。
將基板從MOCVD反應(yīng)爐中取出之后，如圖11 (b)所示，使用熱 CVD法G70。C)，將0.3pm的氧化硅膜30堆積在接觸層16上。
接下來，進一步使用光刻和干蝕刻技術(shù)使氧化硅膜30圖形化，在距 離端面30pm左右的區(qū)域，使接觸層16露出。接著，如圖ll (c)所示， 對接觸層16的露出部，使用由Zn組成的擴散源31，使Zn熱擴散。由此， 在端面附近，形成端面窗部40a。
如果在端面附近擴散雜質(zhì)，使量子阱活性層無序化，在100mW左右 就會造成端面破壞，所以，為了能夠進行100mW以上的高輸出的工作， 共振器端面的量子阱活性層，優(yōu)選通過無序化，形成對激光透明的端面窗 部40a。
接下來，使用大氣壓熱解CVD法G7(TC)，在接觸層16上形成厚 度為0.3jLim的氧化硅膜32，然后使用光刻和干蝕刻技術(shù)進行圖形化。在 進行圖形化時，對取出激光的前端面?zhèn)鹊牡?區(qū)域，采取寬為3.5pm的條 形，對后端面?zhèn)鹊牡?區(qū)域，采取寬為2.1pm的條形，在第1區(qū)域和第2 區(qū)域之間的變化區(qū)域，采取寬從3.5^im到2.1pm漸漸變窄的錐狀條形。將 圖形化了的氧化硅膜32作為掩膜，使用硫酸類或鹽酸類蝕刻劑，依次有 選擇地對接觸層16、保護層15和第2包層14進行蝕刻，形成如圖11 (b) 所示的平頂山狀條形部20。在形成平頂山狀的條形部20之后，用氟酸類 溶液除去作為掩膜使用的氧化硅膜。
接下來，對基板上的整個面，形成成為第2電流阻擋層17b的氧化硅 膜。接著，使用光刻法將抗蝕劑膜圖形化，使接觸層16的上面、第1區(qū)域和第2區(qū)域中的包含條形部20側(cè)壁的條形部20的兩側(cè)的區(qū)域開口 。接
著，將圖形化了的抗蝕劑膜作為掩膜，有選擇地除去氧化硅膜。由此，如
圖12 (a)所示，在變化區(qū)域中，形成第2電流阻擋層17b。另外，圖12 (a)表示變化區(qū)域的截面。
接下來，使用光刻法，在第1區(qū)域和第2區(qū)域，將抗蝕劑膜圖形化， 使得僅在含有條形部20側(cè)壁的條形部20的兩側(cè)區(qū)域開口。接著，在形成 成為第1電流阻擋層17a的SiN膜之后，通過剝離(lift off)除去抗蝕劑 膜上的SiN膜。由此，如圖12 (b)所示，在第1區(qū)域和第2區(qū)域中，形 成第1電流阻擋層17a。
下面，如圖12 (c)所示，在接觸層16上形成P電極18a，在基板的 背面形成N電極18b。
己經(jīng)表示了將SiN用于第1電流阻擋層、將Si02用于第2電流阻擋層 的例子。但是，只要第1區(qū)域和第2區(qū)域的An是可以獲得所期望的光分 布的范圍，變形區(qū)域中，與第1區(qū)域和第2區(qū)域相比An變大即可，可以 使用任何一種材料。具體講就是，可以對氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)、 氧化鈦(Ti02)、氧化鋁(A1203)、氧化鋯(Zr02)、氧化鉭(Ta205)、 氧化銫(Ce02)、氧化鈮(Nb205)和氫化無定形硅等進行適當組合并選 擇。此外，也可以使用這些材料的混合物，或者使用由這些材料組成的多 層膜。
本實施方式，對具有用一般式為(AlaGab) eIni-eP (其中，0^a<l,0 <b^l,a+b=l, 0<c<l)表示的材料組成的活性層的紅色的半導體激光器 裝置進行了說明。但是，對于具有用一般式為(AlaGab)eln,《P(其中，O^a <l,0<b^l,a+b=l,0<c<l)表示的材料組成的活性層的紅外的半導體激 光器裝置，也可以得到相同效果。
另外，本實施方式中，雖然是將用來注入電流的構(gòu)造設(shè)成脊條形部， 但對于其它的條形構(gòu)造，也可以得到相同效果。
本發(fā)明的半導體激光器裝置及其制造方法，可以使外部微分量子效率 降低較少，在高輸出的工作狀態(tài)下發(fā)光效率不易發(fā)生飽和，可穩(wěn)定地進行 基本橫模式振蕩的半導體激光器裝置。尤其對紅色和紅外域半導體激光器 裝置及其制造方法等有用。
權(quán)利要求
1.一種半導體激光器裝置，其特征在于，具備共振器構(gòu)造，所述共振器構(gòu)造包含依次形成在基板上的第1包層、活性層和第2包層，所述第2包層，具有在取出激光的前端面與作為該前端面相反側(cè)的端面的后端面之間延伸的條形部，所述條形部具有設(shè)于所述前端面?zhèn)鹊牡?區(qū)域；設(shè)于所述后端面?zhèn)鹊牡?區(qū)域；和設(shè)于所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域之間且條形寬度變化的變化區(qū)域，所述變化區(qū)域上的所述條形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差，比所述第1區(qū)域的所述條形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差更大。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器裝置，其特征在于， 所述第1區(qū)域包含寬度固定的定寬部分， 所述定寬部分的長度為10pm以上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器裝置，其特征在于， 所述前端面上的反射率，為所述后端面的反射率以下， 所述前端面上的條形寬度，比所述后端面上的條形寬度更寬。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3任意一項所述的半導體激光器裝置，其特征在于，所述活性層，是由一般式為(AlaGab) cIn,.cP表示的材料組成， 所述第1包層和第2包層，是由一般式為(AldGae) fln,.fP表示的材料組成，其中，0〇a<l,0<b^l，a+b=l, 0<c<l; 0<d<l,0<e<l,d+e=l， 0<f<l。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 3任意一項所述的半導體激光器裝置，其特征在于，所述活性層，是由一般式為AUGa^As表示的材料組成， 所述第1包層和第2包層，是由一般式為(AldGae) fIni.fP表示的材 料組成，其中，0〇a<l;0<d<l,0<e<l,d+e=l,0<f<l。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器裝置，其特征在于，所述活性層是量子阱活性層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體激光器裝置，其特征在于， 所述活性層中的、所述前端面附近的區(qū)域和所述后端面附近的區(qū)域之中的至少一方，由于雜質(zhì)擴散而被無序化。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1 3任意一項所述的半導體激光器裝置，其特征在于，所述條形部是脊條形部，還具備覆蓋所述第1區(qū)域中的所述脊條形部的側(cè)壁的第1電流阻擋 層和覆蓋所述變化區(qū)域中的所述脊條形部側(cè)壁的第2電流阻擋層，所述第1電流阻擋層的折射率比所述第2電流阻擋層的折射率更大。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體激光器裝置，其特征在于，所述第1電流阻擋層和所述第2電流阻擋層，由互不相同的電介質(zhì)材 組成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體激光器裝置，其特征在于， 所述第1電流阻擋層和所述第2電流阻擋層，由相同的電介質(zhì)材料組成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體激光器裝置，其特征在于， 所述第1電流阻擋層，由包含Si02、 SiNx、 A1203、 Ti02、 Zr02、 Ta205、Ce02或Nb20s，或者包含它們中的至少2個的化合物組成，所述第2電流阻擋層，由包含Si02、 SiNx、 A1203、 Ti02、 Zr02、 Ta205、 Ce02或Nb205，或者包含它們中的至少2個的化合物組成。
12. —種半導體激光器裝置的制造方法，其特征在于，具備以下工序 在基板上依次形成第1包層、活性層和第2包層的工序a; 通過蝕刻所述第2包層，形成具有條形寬度變化的變化區(qū)域的條形部的工序b;禾口形成第1電流阻擋層以覆蓋除所述變化區(qū)域之外的區(qū)域，并且，形成 第2電流阻擋層以覆蓋所述變化區(qū)域的工序c，在所述工序c中，形成所述第1電流阻擋層和所述第2電流阻擋層， 使所述變化區(qū)域上的所述條形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差，比除所述 變化區(qū)域之外的區(qū)域上的所述條形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差更大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體激光器裝置，使得外部微分量子效率的降低減小，高輸出工作的狀態(tài)下的發(fā)光效率的飽和不易產(chǎn)生，可以穩(wěn)定進行基橫模振蕩。半導體激光器裝置，具備包含在基板上形成的第1包層、活性層和第2包層的共振器構(gòu)造，第2包層具有取出激光的前端面與作為該前端面的相反側(cè)端面的后端面之間延伸的條形部20。條形部20，具有設(shè)在所述端面?zhèn)鹊牡?區(qū)域20a；設(shè)在后端面?zhèn)鹊牡?區(qū)域20b；和設(shè)在第1區(qū)域20a與第2區(qū)域20b之間的寬度變化的變化區(qū)域20c。變化區(qū)域20c上的條形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差，比第1區(qū)域20a上的條形部的內(nèi)部與外部的有效折射率差更大。
文檔編號H01S5/22GK101359806SQ20081013116
公開日2009年2月4日 申請日期2008年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月30日
發(fā)明者佐藤智也, 木戶口勛, 高山徹 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社