專利名稱：具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種具內(nèi) 埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
請參閱圖1所示，其為現(xiàn)有具有靜電防護(Electro-Static Discharge, ESD) 功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。由圖中可知，現(xiàn)有的發(fā)光二極 管芯片封裝結(jié)構(gòu)包括 一基底結(jié)構(gòu)(substrate structure) 1、至少一設(shè)置于該基 底結(jié)構(gòu)1上端的發(fā)光二極管(LED) 2、 一靜電防護裝置(ESD device) 3、及 一熒光膠體(fluorescent colloid) 4。
其中，該發(fā)光二極管2上端的正電極端21及負電極端22藉由兩條導(dǎo)線 Wl以電性連接于該基底結(jié)構(gòu)1的正電極端11及負電極端12。此外，該靜電 防護裝置3也同樣設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)1上，并且該靜電防護裝置3的負電極端 32直接電性連接于該基底結(jié)構(gòu)1的正電極區(qū)域，而該靜電防護裝置3的正電 極端31透過一導(dǎo)線W2以電性連接于該基底結(jié)構(gòu)1的負電極端12。再者，該 熒光膠體4覆蓋于該發(fā)光二極管2及該靜電防護裝置3上端，以保護該發(fā)光二 極管2及該靜電防護裝置3。
然而，上述現(xiàn)有具有靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)仍具有下列 幾項缺點
1 、 因為該發(fā)光二極管2所處的位置過低，因此現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)無法有效地 提升該發(fā)光二極管2的發(fā)光效能(light emitting efficiency)。
2 、 由于該靜電防護裝置3設(shè)置于該發(fā)光二極管2的鄰近區(qū)域，因此該 發(fā)光二極管2的發(fā)光效能(light emitting efficiency)會受到該靜電防護裝置3
的影響。
3 、 由于該靜電防護裝置3與該發(fā)光二極管2相鄰地設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu) 1的同一導(dǎo)電接腳上，因此該發(fā)光二極管2的散熱效能(heat dissipating
5efficiency)會受到該靜電防護裝置3的影響。
是以，由上可知，目前現(xiàn)有的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié) 構(gòu)，顯然具有不便與缺失存在，而待加以改善者。
本發(fā)明人有感上述缺失的可改善，且依據(jù)多年來從事此方面的相關(guān)經(jīng)驗， 悉心觀察且研究之，并配合學(xué)理的運用，而提出一種設(shè)計合理且有效改善上述 缺失的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光 芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。本發(fā)明將一發(fā)光單元與一靜電防護單元彼此分開 (分層)設(shè)置，以避免該發(fā)光單元受到該靜電防護單元的干擾。
此外，本發(fā)明的熒光材料沒有直接接觸到發(fā)光單元，因此本發(fā)明可避免因 發(fā)光單元所產(chǎn)生的高溫而降低熒光材料的發(fā)光效率。
再者，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)設(shè)計更適用于各種光源，諸如背光模塊、裝飾燈條、 照明用燈、或是掃描儀光源等應(yīng)用，皆為本發(fā)明所應(yīng)用的范圍與產(chǎn)品。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種具內(nèi)埋式
靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一導(dǎo)電單元、 一第一封裝單元、 一靜電防護單元、 一第二封裝單元、 一發(fā)光單元、及一第三封裝單元。其中， 該導(dǎo)電單元具有至少兩個導(dǎo)電接腳，并且該至少兩個導(dǎo)電接腳彼此相鄰排列以 形成一凹陷空間。該第一封裝單元包覆每一個導(dǎo)電接腳的一部分，以產(chǎn)生一與 該凹陷空間相連通的容置空間，并使得每一個導(dǎo)電接腳的末端露出該封裝單 元。該靜電防護單元系容置于該凹陷空間內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳之 間。該第二封裝單元系容置于該凹陷空間內(nèi)以覆蓋該靜電防護單元。該發(fā)光單 元容置于該容置空間內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳之間。該第三封裝單元 系容置于該容置空間內(nèi)以覆蓋該發(fā)光單元。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種具內(nèi)埋式 靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列歩驟首先，提供 一導(dǎo)電單元，其具有至少兩個導(dǎo)電接腳，并且該至少兩個導(dǎo)電接腳彼此相鄰排 列以形成一凹陷空間；接著，將一第一封裝單元包覆每一個導(dǎo)電接腳的一部分， 以產(chǎn)生一與該凹陷空間相連通的容置空間，并使得每一個導(dǎo)電接腳的末端露出該封裝單元；然后，將一靜電防護單元容置于該凹陷空間內(nèi)并電性連接于上述
兩個導(dǎo)電接腳之間；接下來，將一第二封裝單元容置于該凹陷空間內(nèi)以覆蓋該 靜電防護單元；緊接著，將一發(fā)光單元容置于該容置空間內(nèi)并電性連接于上述 兩個導(dǎo)電接腳之間；最后，將一第三封裝單元容置于該容置空間內(nèi)以覆蓋該發(fā) 光單元。
再者，依據(jù)不同的需要，該第三封裝單元可為下列不同的實施態(tài)樣
1、 第一實施態(tài)樣該第三封裝單元為一透明材料(transparentmaterial)。
2、 第二實施態(tài)樣該第三封裝單元為一熒光材料(fluorescentmaterial)， 并且該熒光材料由硅膠(silicon)與熒光粉(fluorescent powder)混合而成或 由環(huán)氧樹脂(epoxy)與熒光粉(fluorescentpowder)混合而成。
3、 第三實施態(tài)樣該第三封裝單元具有一用于覆蓋該發(fā)光單元的透明材 料及一成形在該透明材料上的熒光材料。
4、 第四實施態(tài)樣該第三封裝單元具有一用于覆蓋該發(fā)光單元的熒光材 料及一成形在該熒光材料上的透明材料。
因此，本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)系具有下列的優(yōu)
點
1、 因為該發(fā)光單元透過該第二封裝單元的撐高，以使得該發(fā)光單元 能處于一較高的位置。因此，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以有效地提升該發(fā)光單元的發(fā)光 效能(light emitting efficiency)。
2、 由于該靜電防護單元與該發(fā)光單元彼此分開(分層)設(shè)置于不同 的位置，因此該發(fā)光單元的發(fā)光效能(light emitting efficiency)不會受到該靜 電防護單元的影響。
3、 由于該靜電防護單元與該發(fā)光單元彼此分開(分層)設(shè)置于不同 的位置，因此該發(fā)光單元的散熱效能(heat dissipating efficiency)不會受到該 靜電防護單元的影響。
4、 于上述第三實施態(tài)樣中，因為該第三封裝單元由該透明材料及該 熒光材料兩層所組成，所以該熒光材料沒有直接接觸到該發(fā)光單元，因此本發(fā) 明可避免因該發(fā)光單元所產(chǎn)生的高溫而降低該熒光材料的發(fā)光效率。
5、 于上述第四實施態(tài)樣中，透過該透明材料的使用， 一方面可減少 該熒光材料的使用量，另外一面可藉由該透明材料位于最上層來保護該熒光材料，以達到免受外力的破壞的優(yōu)點。
為了能更進一歩了解本發(fā)明為達成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及功效， 請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，相信本發(fā)明的目的、特征與特點， 當(dāng)可由此得一深入且具體的了解，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用 來對本發(fā)明加以限制者。
圖1為習(xí)知具有靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖2為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的 第一實施例的流程圖2A至圖2E分別為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu) 的第一實施例的封裝流程立體示意圖3為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例 的剖面示意圖4為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例 的剖面示意圖5為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的第四實施例 的剖面示意圖；以及
圖6為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的第五實施例 的剖面示意圖。
主要組件符號說明
基底結(jié)構(gòu) 1 負電極端 12 發(fā)光二極管 2 負電極端 22 靜電防護裝置 3 負電極端 32 熒光膠體
4 Wl
正電極端 11 正電極端 21 正電極端 31
W2[本發(fā)明〗
(第一實施例)
導(dǎo)電單元1A
凹陷空間 100A延伸部 101A彎折部 102A第一封裝單元2A
靜電防護單元3A
第二封裝單元4A
發(fā)光單元5A
第三封裝單元6A
導(dǎo)線W1A、
(第二實施例)
導(dǎo)電單元lb
第一封裝單元2b
靜電防護單元3b
第二封裝單元4b
發(fā)光單元5b
第三封裝單元6b
導(dǎo)線Wlb、
(第三實施例)
第三封裝單元6c
(第四實施例)
發(fā)光單元5d
第三封裝單元6d
熒光材料 61d
(第四實施例)
發(fā)光單元5E
第三封裝單元6E
熒光材料 61E
導(dǎo)電接腳 10A
容置空間 200A
W2A
導(dǎo)電接腳 10b
W2b
透明材料 60d
透明材料 60E
9
具體實施例方式
請參閱圖2、及圖2A至圖2E所示，其中圖2系為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防 護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第一實施例的流程圖，圖2A至圖2E 分別為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的封 裝流程立體示意圖。
由圖2中可知，本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法 包括下列步驟
歩驟S100:請配合圖2及圖2A所示，首先，提供一導(dǎo)電單元(conductive unit) 1A，其具有至少兩個導(dǎo)電接腳(conductive pin) IOA，并且該至少兩個 導(dǎo)電接腳IOA彼此相鄰排列以形成一凹陷空間(concave space) 100A。其中， 每一個導(dǎo)電接腳IOA具有一延伸部(extendingportion) IOIA及一由該延伸部 IOIA向下彎折的彎折部(bending portion) 102A，并且該等彎折部102A系彼 此相鄰排列以形成該凹陷空間100A。
歩驟S102:請配合圖2及圖2A所示，接下來，將一第一封裝單元(first package unit) 2A包覆每一個導(dǎo)電接腳10A的一部分，以產(chǎn)生一與該凹陷空間 IOOA相連通的容置空間(receiving space) 200A,并使得每一個導(dǎo)電接腳10A 的末端露出該封裝單元2A。換言之，每一個延伸部101A的一端外露于該第 一封裝單元2A的外部，并且該第一封裝單元2A為一不透光材料(opaque material)。
步驟S104:請配合圖2及第二 B圖所示，緊接著，將一靜電防護單元(ESD (Electro-Static Discharge) unit) 3A容置于該凹陷空間100A內(nèi)并電性連接于 上述兩個導(dǎo)電接腳IOA之間。以本發(fā)明第一實施例而言，該靜電防護單元3A 電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳10A上，并且該靜電防護單元3A透過一導(dǎo)線 W1A而電性連接于另外一導(dǎo)電接腳10A。
步驟S106:請配合圖2及第二 C圖所示，然后，將一第二封裝單元(second package unit) 4A容置于該凹陷空間100A內(nèi)以覆蓋該靜電防護單元3A，其中 該第二封裝單元4A可為一具有光反射物質(zhì)(light reflecting material)的封裝 材料，例如該光反射物質(zhì)系可為高反射材料(high reflection material)或全 反射材料(total reflection material)。步驟S108:請配合圖2及第二D圖所示，接著，將一發(fā)光單元5A容置 于該容置空間200A內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳IOA之間，其中該發(fā)光 單元5A可為一發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)，并且該發(fā)光單元 5A設(shè)置于該第二封裝單元4A上，而且該發(fā)光單元5A透過兩條導(dǎo)線W2A以 分別電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳10A。再者，該發(fā)光單元5A可透過該第二 封裝單元4A的高反射性質(zhì)，以達到高反射的效果。此外，透過該第二封裝單 元4A的撐高，以使得該發(fā)光單元5A能處于一較高的位置，因此本發(fā)明的結(jié) 構(gòu)可以有效地提升該發(fā)光單元的發(fā)光效能(light emitting efficiency)。另外， 由于該靜電防護單元3A與該發(fā)光單元5A彼此分開(分層)設(shè)置于不同的位 置，因此該發(fā)光單元5A的發(fā)光效能(light emitting efficiency)及散熱效能(heat dissipating efficiency)不會受到該靜電防護單元3A的影響。
步驟S110:請配合圖2及圖2E所示，最后，將一第三封裝單元6A容置 于該容置空間200A內(nèi)以覆蓋該發(fā)光單元5A。以本發(fā)明第一實施例而言，該 第三封裝單元6A可為一透明材料(transparent material)。
因此，如圖2E所示，本發(fā)明第一實施例提供一種具內(nèi)埋式靜電防護功能 的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一導(dǎo)電單元1A、 一第一封裝單元2A、 一靜電 防護單元3A、 一第二封裝單元4A、 一發(fā)光單元5A、及一第三封裝單元6A。 其中，該導(dǎo)電單元1A具有至少兩個導(dǎo)電接腳IOA，并且該至少兩個導(dǎo)電接腳 10A彼此相鄰排列以形成一凹陷空間100A。該第一封裝單元2A包覆每一個 導(dǎo)電接腳10A的一部分，以產(chǎn)生一與該凹陷空間100A相連通的容置空間 200A，并使得每一個導(dǎo)電接腳10A的末端露出該封裝單元2A。該靜電防護單 元3A系容置于該凹陷空間100A內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳10A之間。 該第二封裝單元4A容置于該凹陷空間100A內(nèi)以覆蓋該靜電防護單元3A。該 發(fā)光單元5A容置于該容置空間200A內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳10A 之間。該第三封裝單元6A容置于該容置空間200A內(nèi)以覆蓋該發(fā)光單元5A。
請參閱圖3所示，其為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu) 的第二實施例的剖面示意圖。由圖中可知，本發(fā)明第二實施例提供一種具內(nèi)埋 式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一導(dǎo)電單元lb、 一第一封裝 單元2b、 一靜電防護單元3b、 一第二封裝單元4b、 一發(fā)光單元5b、及一第三
封裝單元6b。此外，本發(fā)明第二實施例與第一實施例最大的差別在于在第二實施例中，該靜電防護單元3b系設(shè)置于該第一封裝單元2b上，因此該靜電
防護單元3b系透過兩條導(dǎo)線Wlb以分別電性連接于兩個導(dǎo)電接腳10b。再者， 該發(fā)光單元5b系透過一條導(dǎo)線W2b以電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳10b上， 并且該發(fā)光單元5b系透過另一條導(dǎo)線W2b以電性連接于另外一導(dǎo)電接腳10b。
請參閱圖4所示，其系為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié) 構(gòu)的第三實施例的剖面示意圖。由圖中可知，本發(fā)明第三實施例與第一實施例 最大的差別在于在第三實施例中， 一第三封裝單元6c系為一熒光材料，并 且該熒光材料系可由硅膠(silicon)與熒光粉(fluorescent powder)混合而成 或由環(huán)氧樹脂(epoxy)與熒光粉(fluorescentpowder)混合而成。
請參閱圖5所示，其系為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié) 構(gòu)的第四實施例的剖面示意圖。由圖中可知，本發(fā)明第四實施例與第一實施例 最大的差別在于在第四實施例中， 一第三封裝單元6d系具有一用于覆蓋一 發(fā)光單元5d的透明材料60d及一成形在該透明材料60d上的熒光材料61d。 因此，因為該第三封裝單元6d系由該透明材料60d及該熒光材料61d兩層所 組成，所以該熒光材料61d沒有直接接觸到該發(fā)光單元5d，因此本發(fā)明可避 免因該發(fā)光單元5d所產(chǎn)生的高溫而降低該熒光材料61d的發(fā)光效率。
請參閱圖6所示，其為本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu) 的第五實施例的剖面示意圖。由圖中可知，本發(fā)明第五實施例與第一實施例最 大的差別在于在第五實施例中， 一第三封裝單元6E具有一用于覆蓋一發(fā)光 單元5E的熒光材料61E及一成形在該熒光材料61E上的透明材料60E。因此， 于第五實施例中，透過該透明材料60E的使用， 一方面可減少該熒光材料61E 的使用量，另外一面可藉由該透明材料60E位于最上層來保護該熒光材料61E， 以達到免受外力的破壞的優(yōu)點。
綜上所述，本發(fā)明將一發(fā)光單元與一靜電防護單元彼此分開(分層)設(shè)置， 以避免該發(fā)光單元受到該靜電防護單元的干擾。因此，本發(fā)明具內(nèi)埋式靜電防 護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)系具有下列的優(yōu)點
1、 因為該發(fā)光單元透過該第二封裝單元的撐高，以使得該發(fā)光單元能處 于一較高的位置。因此，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以有效地提升該發(fā)光單元的發(fā)光效能
(light emitting efficiency )。
2、 由于該靜電防護單元與該發(fā)光單元彼此分開(分層)設(shè)置于不同的位置，因此該發(fā)光單元的發(fā)光效能(light emitting efficiency)不會受到該靜電防 護單元的影響。
3、 由于該靜電防護單元與該發(fā)光單元彼此分開(分層)設(shè)置于不同的位 置，因此該發(fā)光單元的散熱效能(heat dissipating efficiency)不會受到該靜電 防護單元的影響。
4、 于上述第四實施例中，因為該第三封裝單元6d由該透明材料60d及該 熒光材料61d兩層所組成，所以該熒光材料61d沒有直接接觸到發(fā)光單元5d， 因此本發(fā)明可避免因發(fā)光單元5d所產(chǎn)生的高溫而降低熒光材料61d的發(fā)光效 率。
5、 于上述第五實施例中，透過該透明材料60E的使用， 一方面可減少該 熒光材料61E的使用量，另外一面可藉由該透明材料60E位于最上層來保護 該熒光材料61E，以達到免受外力的破壞的優(yōu)點。
雖然本發(fā)明己以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，在不 背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作 出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán) 利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1、一種具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一導(dǎo)電單元，其具有至少兩個導(dǎo)電接腳，并且該至少兩個導(dǎo)電接腳彼此相鄰排列以形成一凹陷空間；一第一封裝單元，其包覆每一個導(dǎo)電接腳的一部分，以產(chǎn)生一與該凹陷空間相連通的容置空間，并使得每一個導(dǎo)電接腳的末端露出該封裝單元；一靜電防護單元，其容置于該凹陷空間內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳之間；一第二封裝單元，其容置于該凹陷空間內(nèi)以覆蓋該靜電防護單元；一發(fā)光單元，其容置于該容置空間內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳之間；以及一第三封裝單元，其容置于該容置空間內(nèi)以覆蓋該發(fā)光單元。
2、 如權(quán)利要求l所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于每一個導(dǎo)電接腳具有一延伸部及一由該延伸部向下彎折的彎折部， 該延伸部的一端外露于該第一封裝單元的外部，并且該等彎折部彼此相鄰排列 以形成該凹陷空間。
3、 如權(quán)利要求1所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于該靜電防護單元電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳上。
4、 如權(quán)利要求1所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于該靜電防護單元設(shè)置于該第一封裝單元上。
5、 如權(quán)利要求1所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光單元電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳上。
6、 如權(quán)利要求1所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光單元設(shè)置于該第二封裝單元上。
7 、如權(quán)利要求1所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于該第一封裝單元系為一不透光材料，并且該第二封裝單元為一具有 光反射物質(zhì)的封裝材料。
8 、如權(quán)利要求1所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于該第三封裝單元系為一透明材料或一熒光材料，并且該熒光材料由硅膠與熒光粉混合而成或由環(huán)氧樹脂與熒光粉混合而成。
9 、如權(quán)利要求1所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三封裝單元具有一用于覆蓋該發(fā)光單元的透明材料及一成形在該透明材料上的熒光材料。
10、 如權(quán)利要求1所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三封裝單元具有一用于覆蓋該發(fā)光單元的熒光材料及一成形在該熒光材料上的透明材料。
11、 一種具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括下列步驟提供一導(dǎo)電單元，其具有至少兩個導(dǎo)電接腳，并且該至少兩個導(dǎo)電接腳彼此相鄰排列以形成一凹陷空間；將一第一封裝單元包覆每一個導(dǎo)電接腳的一部分，以產(chǎn)生一與該凹陷空間相連通的容置空間，并使得每一個導(dǎo)電接腳的末端露出該封裝單元；將一靜電防護單元容置于該凹陷空間內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳之間；將一第二封裝單元容置于該凹陷空間內(nèi)以覆蓋該靜電防護單元；將一發(fā)光單元容置于該容置空間內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳之間；以及將一第三封裝單元容置于該容置空間內(nèi)以覆蓋該發(fā)光單元。
12、 如權(quán)利要求11項所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于每一個導(dǎo)電接腳系具有一延伸部及一由該延伸部向下彎折的彎折部，該延伸部的一端外露于該第一封裝單元的外部，并且該等彎折部彼此相鄰排列以形成該凹陷空間。
13、 如權(quán)利要求11項所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該靜電防護單元電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳上。
14、 如權(quán)利要求11項所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該靜電防護單元設(shè)置于該第一封裝單元上。
15、 如權(quán)利要求11項所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該發(fā)光單元電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳上。
16、 如權(quán)利要求11項所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該發(fā)光單元設(shè)置于該第二封裝單元上。
17 、如權(quán)利要求11項所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該第一封裝單元為一不透光材料，并且該第二封裝單元為一具有光反射物質(zhì)的封裝材料。
18 、如權(quán)利要求11項所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該第三封裝單元為一透明材料或一熒光材料，并且該熒光材料由硅膠與熒光粉混合而成或由環(huán)氧樹脂與熒光粉混合而成。
19 、如權(quán)利要求11項所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該第三封裝單元具有一用于覆蓋該發(fā)光單元的透明材料及一成形在該透明材料上的熒光材料。
20、如權(quán)利要求11項所述的具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該第三封裝單元具有一用于覆蓋該發(fā)光單元的熒光材料及一成形在該熒光材料上的透明材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，該具內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電單元、第一封裝單元、靜電防護單元、第二封裝單元、發(fā)光單元及第三封裝單元。導(dǎo)電單元具有至少兩個彼此相鄰排列以形成一凹陷空間的導(dǎo)電接腳。第一封裝單元包覆每一個導(dǎo)電接腳的一部分，以產(chǎn)生一與凹陷空間相連通的容置空間，并使得每一個導(dǎo)電接腳的末端露出封裝單元。靜電防護單元容置于凹陷空間內(nèi)并電性連接于兩個導(dǎo)電接腳之間。第二封裝單元容置于凹陷空間內(nèi)以覆蓋靜電防護單元。發(fā)光單元容置于容置空間內(nèi)并電性連接于兩個導(dǎo)電接腳之間。第三封裝單元容置于容置空間內(nèi)以覆蓋發(fā)光單元。
文檔編號H01L25/16GK101630679SQ20081013201
公開日2010年1月20日 申請日期2008年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月16日
發(fā)明者楊秉州, 汪秉龍, 陳佳雯 申請人:宏齊科技股份有限公司