專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
存儲器909可以是非易失性存儲器或易失性存儲器。作為存儲器 909，可以使用例如DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、SRAM (靜態(tài) 隨機(jī)存取存儲器)、FeRAM，掩膜ROM (只讀存儲器)、EPROM (電可編程只讀存儲器)、閃速存儲器、有機(jī)存儲器等等。
00501
在本發(fā)明中，圖6所示的半導(dǎo)體器件可以設(shè)有振蕩電路或二次電池。
作為上述金屬的合金的例子，可以給出以下組合銀(Ag)和 鈀(Pd )、銀(Ag )和賴(Pt)、金(Au )和柏(Pt)、金(Au ) 和鈀(Pd)、以及銀(Ag)和銅(Cu)?；蛘?，例如可以使用用銀 (Ag)覆蓋的銅(Cu)的導(dǎo)電顆粒。
用作芯片上天線的導(dǎo)體223可以通過CVD法、濺射法、諸如絲 網(wǎng)印刷或凹版印刷的印刷法、液滴釋放法、分布法、電鍍法、光刻法、 蒸發(fā)法、濺射法等形成。
使用印刷法或液滴釋放法時，用作芯片上天線的導(dǎo)體223可以在 不使用用于曝光的掩膜的情況下形成。此外，使用液滴釋放法或印刷 法時，與光刻法的情形中不同的是可以避免可能被刻蝕除去的材料的 浪費。更進(jìn)一步地，由于不必使用用于曝光的昂貴掩膜，可以降低制 造半導(dǎo)體器件的成本。
分離發(fā)生在分離層206中。分離可以用物理力執(zhí)行，例如通過用 人的手或夾緊工具拉，或在滾動滾筒的同時分離。分離層206可以部 分保留而不是完全除去。
或者，分離可以通過刻蝕分離層206的方法執(zhí)行。在這種情形中， 形成溝槽以致使分離層206部分地暴露。溝槽是通過切割、劃刻、使 用包括UV光的激光束的工藝過程、光刻法等形成的。溝槽可以足夠 深以便使分離層206暴露。然后，用卣素氟化物作為刻蝕氣體，并且 通過溝槽引入氣體。在本實施方案模式中，刻蝕是在例如使用C1F3 (三氟化氯)、350X:的溫度、300sccm的流量、800Pa的氣壓、和三
小時的時間段的條件下執(zhí)行的。或者，可以將氮混入CIF3氣體。使用 諸如C1F3的卣素氟化物時，可以選擇性地刻蝕分離層206，而且可以 使基礎(chǔ)襯底204與元件層211分離。請注意卣素氟化物可以是氣體或 者是液體。 [0177
或者，通過用機(jī)械拋光除去基礎(chǔ)襯底204的方法或用諸如HF的 溶液溶解襯底來除去基礎(chǔ)襯底204的方法，可以使元件層211與基礎(chǔ) 襯底204分離。在這種情形中，不一定^f吏用分離層206。
本實施方案模式可以酌情與其它實施方案模式和實施方案結(jié)合實現(xiàn)。
請注意在本實施方案模式中結(jié)構(gòu)體413包括單層結(jié)構(gòu)體411;但 是，本發(fā)明不限于這種結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)體413可以包括兩層或更多層的纖 維體411。
例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件可以附著于物品的標(biāo)記以便用該半導(dǎo) 體器件進(jìn)行物品的分配管理。 [0220
如圖20A所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件1302附著于諸如產(chǎn)品標(biāo)記 1301的背面具有粘性的支撐物。半導(dǎo)體器件1302所附著的標(biāo)記1301 放在物品1303上。物品1303的識別數(shù)據(jù)可以從附著于標(biāo)記1301的 半導(dǎo)體器件1302被無線地讀取。因此，半導(dǎo)體器件1302促進(jìn)分配過 程中的物品管理。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具有即使附著于具有撓性的標(biāo) 記1301也不會輕易被應(yīng)力毀壞的優(yōu)點。因此，優(yōu)選的是將使用本發(fā) 明的半導(dǎo)體器件的標(biāo)記1301附著于具有曲形表面的物體。更進(jìn)一步 地，由于本發(fā)明的半導(dǎo)體器件1302具有在對壓緊力的抵抗力方面的 高可靠性，所以半導(dǎo)體器件1302可能不被壓緊力或分配過程中的摩 擦產(chǎn)生的靜電毀壞。
[0221
例如，在半導(dǎo)體器件1302中將可重寫非易失性存儲器用作集成 電路中包括的存儲器時，物品1303的分配過程可以被記錄。此外， 產(chǎn)品的生產(chǎn)過程被記錄時，批發(fā)商、零售商、和消費者可以輕易地找 出生產(chǎn)區(qū)域、生產(chǎn)者、制造日期、加工方法、等等。
[0222j
在具有關(guān)于它們所包含信息的價值的制品中，例如書籍、DVD、 和CD,存在這樣的問題，即制品中包含的全部信息的公開降低了它 們作為制品的價值；另一方面，完全隱藏信息使得難以欣賞它們作為 制品的價值。用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件與之附著的包裝材料包裝以上制 品，并隨后將制品中包含的部分信息存儲在半導(dǎo)體器件中使顧客能夠 在不會降低制品價值的情況下欣賞制品的價值。圖20B圖解用本發(fā)明 的半導(dǎo)體器件1313與之附著的包裝材料1312包裝的書籍1311。
[0223
然后，例如，將作為詢問器的功能添加于諸如移動電話的便攜式 信息終端時，客戶可以掌握書籍1311的一部分內(nèi)容。 [0224
用以上結(jié)構(gòu)，即使沒有公開制品中包含的全部信息，顧客也可以 了解制品的內(nèi)容。 [0225
圖20C圖解本發(fā)明的半導(dǎo)體器件1320與之附著的無記名債券 1321的示例。無記名債券1321包括但不限于郵票、車票、入場票、 禮券、售書證、文具券、哞酒券、米券、各種贈券、各種服務(wù)券、等 諸如此類。請注意半導(dǎo)體器件1320在無記名債券1321內(nèi)部形成或在 無記名債券1321的表面上形成以致被暴露。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具 有這樣的優(yōu)點即使附著于具有撓性的無記名債券1321也可能不會 被應(yīng)力損壞，也可能不會被由摩擦產(chǎn)生的靜電損壞。
[0226!
本實施方案可以酌情與其它實施方案模式和實施方案結(jié)合實現(xiàn)。
本申請是基于2007年7月27日提交日本專利局的日本專利申請 No.2007-195497,這里通過引用將其全部內(nèi)容并入此處。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其包括集成電路；連接到集成電路的第一天線；一對結(jié)構(gòu)體，其中集成電路和第一天線插在結(jié)構(gòu)體對之間，其中至少一個第一抗靜電膜在結(jié)構(gòu)體對中的一個的至少一個表面上被形成，以及其中至少一個第二抗靜電膜在結(jié)構(gòu)體對中的另一個的至少一個表面上被形成；第二天線，經(jīng)設(shè)置使得結(jié)構(gòu)體對中的一個插在第一天線與第二天線之間，其中結(jié)構(gòu)體對中的每一個均是通過用樹脂填充纖維體形成的。
2. —種半導(dǎo)體器件，其包括 集成電路；連接到集成電路的第一天線；一對結(jié)構(gòu)體，其中集成電路和第一天線插在結(jié)構(gòu)體對之間； 第二天線，經(jīng)設(shè)置使得結(jié)構(gòu)體對中的一個插在第一天線與第二天 線之間，其中結(jié)構(gòu)體對中的每一個均是通過用樹脂填充纖維體形成的，以及其中當(dāng)交流電流過第一天線和第二天線中的一個時，在第一天線 和第二天線中的另一個中由電磁感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。
3. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中結(jié)構(gòu)體對中的一個的一個表面不與集成電路和第一天線相 面對，以及其中結(jié)構(gòu)體對中的另一個的一個表面不與集成電路和第一天線 相面對。
4. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中結(jié)構(gòu)體對中的一個的一個表面與集成電路和第一天線相面 對，以及其中結(jié)構(gòu)體對中的另一個的一個表面與集成電路和第一天線相面對。
5. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中第一抗靜電膜在結(jié)構(gòu)體對中的一個的相對側(cè)上被形成，以及 其中第二抗靜電膜在結(jié)構(gòu)體對中的另一個的相對側(cè)上被形成。
6. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件， 其中結(jié)構(gòu)體對具有絕緣性。
7. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中抗靜電膜是表面活性劑、導(dǎo)電聚合物、其中分散有導(dǎo)電顆粒 的樹脂、和硅氧烷基樹脂中的一個。
8. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中抗靜電膜具有106~10"0/(!1112的表面電阻值。
9. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中第一天線為環(huán)狀， 其中第二天線的一部分為環(huán)狀，其中第一天線的寬度比第二天線的一部分的寬度小，以及 其中第一天線的內(nèi)緣和外緣與笫二天線重疊。
10. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件， 其中第一天線為具有一個線圏的環(huán)狀， 其中第二天線的一部分為具有一個線圏的環(huán)狀，其中第一天線的寬度比第二天線的一部分的寬度小，以及 其中第一天線的內(nèi)緣和外緣與第二天線重疊。
11. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件， 其中集成電路中使用薄膜晶體管。
12. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中當(dāng)交流電流過第一天線和第二天線中的一個時，在第一天線和第二天線中的另一個中由電磁感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。
13. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中纖維體包括經(jīng)紗和煒紗，在該經(jīng)紗和綿紗中的每一個中多個 有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的單紗被捆在一起，以及 其中在結(jié)構(gòu)體對中經(jīng)紗和綿紗的方向不同。
14. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族 聚酸胺纖維、聚對苯撐苯并二噁唑纖維、玻璃纖維、和碳纖維中的一 個被用于纖維體。
15. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中樹脂包括熱固性樹脂或熱塑性樹脂中的一個。
16. 如權(quán)利要求15所迷的半導(dǎo)體器件，其中熱固性樹脂是環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、 雙馬來酰亞胺三喚樹脂、和氛酸鹽樹脂中的一個。
17. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中熱塑性樹脂是聚苯氧基樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、和氟樹脂中 的一個。
18. —種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟 將集成電路和連接到集成電路的第一天線插在一對結(jié)構(gòu)體之間， 其中至少一個第一抗靜電膜在結(jié)構(gòu)體對中的一個的至少一個表面上被形成，以及其中至少一個第二抗靜電膜在在結(jié)構(gòu)體對中的另一個的至少一 個表面上被形成；以及將第二天線附著于結(jié)構(gòu)體對中的一個使得結(jié)構(gòu)體對中的一個插在第一天線與第二天線之間，其中結(jié)構(gòu)體對中的每一個均是通過用樹脂填充纖維體形成的。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中結(jié)構(gòu)體對中的一個的一個表面不與集成電路和第一天線相 面對，以及 其中結(jié)構(gòu)體對中的另一個的一個表面不與集成電路和第一天線 相面對。
20. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中結(jié)構(gòu)體對中的一個的一個表面與集成電路和第一天線相面 對，以及其中結(jié)構(gòu)體對中的另一個的一個表面與集成電路和第一天線相面對。
21. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中第一抗靜電膜在結(jié)構(gòu)體對中的一個的相對側(cè)上被形成，以及 其中第二抗靜電膜在結(jié)構(gòu)體對中的另一個的相對側(cè)上被形成。
22. 如4又利要求18所述的方法， 其中結(jié)構(gòu)體對具有絕緣性。
23. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中抗靜電膜是表面活性劑、導(dǎo)電聚合物、其中分散有導(dǎo)電顆粒 的樹脂、和硅氧烷基樹脂中的一個。
24. 如權(quán)利要求18所述的方法， 其中抗靜電膜具有106 10"Q/cm2的表面電阻值。
全文摘要
一種能夠進(jìn)行無線通信的半導(dǎo)體器件，其具有在對外力、尤其是壓緊力的抵抗力方面的高可靠性，并且能在不妨礙電波接收的情況下防止集成電路中的靜電放電。該半導(dǎo)體器件包括連接到集成電路的芯片上天線和在無接觸的情況下將包括在接收的電波中的信號或功率發(fā)送到芯片上天線的增益天線。在該半導(dǎo)體器件中，集成電路和芯片上天線插在通過用樹脂填充纖維體形成的一對結(jié)構(gòu)體之間。結(jié)構(gòu)體中的一個設(shè)置在芯片上天線與增益天線之間。具有約為10⁶～10¹⁴Ω/cm²的表面電阻值的導(dǎo)電膜在每個結(jié)構(gòu)體的至少一個表面上形成。
文檔編號H01L23/31GK101354755SQ20081013347
公開日2009年1月28日 申請日期2008年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月27日
發(fā)明者八洼裕人, 加藤清, 堀越望, 大谷久, 小山潤, 山崎舜平, 杉山榮二, 柳澤真, 高緣貴章 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所