專利名稱：芯片部件型led及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
該申請(qǐng)根據(jù)專利法119條(a)項(xiàng)，基于2007年7月12日在日本申 請(qǐng)的特愿2007-183342主張優(yōu)先權(quán)。其全部?jī)?nèi)容為編入本申請(qǐng)的內(nèi)容。
本發(fā)明涉及表面安裝用的芯片部件型LED及其制造方法，作為各種 顯示面板、液晶顯示裝置的背光燈、照明開關(guān)等光源被利用。
背景技術(shù)：
目前，作為各種顯示面板、液晶顯示裝置的背光燈、照明開關(guān)等光源， 利用芯片部件型LED。
圖8表示這種現(xiàn)有芯片部件型LED的結(jié)構(gòu)之一例。
現(xiàn)有芯片部件型LED為以絕緣基板81、 82為雙層結(jié)構(gòu)的LED，其結(jié) 構(gòu)為在上部的絕緣基板82上形成貫通孔83，延設(shè)到該貫通孔83內(nèi)的底 部(即，下層絕緣基板81的上面)而形成另一方面的配線圖案84，在貫 通孔83內(nèi)的所述配線圖案84上安裝LED芯片85，將該LED芯片85和 另一方的配線圖案86用金屬細(xì)線(Au線等)87連接，再將包含LED芯 片85和金屬細(xì)線87的絕緣基板82的表面用透明樹脂88密封。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)的芯片部件型LED，雖然通過(guò)在貫通孔83內(nèi)安裝LED 芯片85來(lái)實(shí)現(xiàn)薄型化，但由于貫通孔83的內(nèi)周面相對(duì)于底面垂直地形成， 因此，存在LED芯片85點(diǎn)亮?xí)r向上方的光的反射效率低這種問(wèn)題。另外， 由于需要兩塊絕緣基板81、 82且將LED芯片85安裝在下層絕緣基板82 上，因而絕緣基板82需要可安裝的最低限度的厚度，因此，薄型化困難， 并且存在成本也變高這種問(wèn)題。
于是，提供有一種解決了這種問(wèn)題的芯片部件型LED (例如，參照特 開平7-235696號(hào)公報(bào))。
如圖9所示，該芯片部件型LED的結(jié)構(gòu)為在形成有貫通孔112的 絕緣基板110的背面1101上添設(shè)形成一方的配線圖案109的金屬薄板105，
在貫通孔112內(nèi)的金屬薄板105上(即，配線圖案109上)安裝LED芯 片101，將該LED芯片101和形成于絕緣基板110的表面1102的另一方 配線圖案104用金屬細(xì)線102連接并利用透明樹脂111密封。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于將LED芯片101直接安裝在金屬薄板105上， 因此，不需要現(xiàn)有基板，正因如此可實(shí)現(xiàn)薄型化。
但是，由于上述專利文獻(xiàn)1的芯片部件型LED將LED芯片101和形 成于絕緣基板110的表面1102的另一方配線圖案104用金屬細(xì)線102連 接。即，金屬細(xì)線102和另一方配線圖案104的連接位置高，因此，不太 能降低金屬細(xì)線102的配置高度，正因如此存在薄型化方面受限制的問(wèn)題。 另外，由于需要通過(guò)絕緣基板110的外周側(cè)面而將另一配線圖案104形成 到基板底面，因此，也存在制造工藝也變得復(fù)雜這種問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決這樣的問(wèn)題點(diǎn)而開發(fā)的，其目的在于提供一種芯片部 件型LED及其制造方法，消除用于安裝LED芯片的基板厚度而實(shí)現(xiàn)更加 薄型化，并且實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮?xí)r的光的反射效率的提高且實(shí)現(xiàn)制造方法的容易 化。
為了解決上述課題，本發(fā)明的芯片部件型LED的特征為在形成有 LED芯片搭載用的第一凹孔和金屬細(xì)線連接用的第二凹孔的絕緣基板的 包含所述第一凹孔的部分形成成為第一配線圖案的金屬薄板，在包含所述 第二凹孔的部分形成成為第二配線圖案的金屬薄板，在所述第一凹孔內(nèi)的 金屬薄板上安裝有LED芯片，該LED芯片經(jīng)由金屬細(xì)線與所述第二凹孔 內(nèi)的金屬薄板電連接并利用透明樹脂密封。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于LED芯片的安裝面和一端部與該LED芯片連接 的金屬細(xì)線的另一端部的連接面形成在金屬薄板上，因此，能夠降低金屬 細(xì)線的高度。另外，由于將LED芯片直接安裝在金屬薄板(第一配線圖 案)上，因此，不需要現(xiàn)有基板，正因如此可實(shí)現(xiàn)薄型化，并且金屬細(xì)線 的高度也變得比現(xiàn)有低，可進(jìn)一步薄型化。
另外，通過(guò)除去金屬薄板，可以容易地將安裝有LED芯片的第一配 線圖案和連接有金屬細(xì)線另一端部的第二配線圖案進(jìn)行電分離。另外，由于在每個(gè)凹孔內(nèi)形成的配線圖案和底面的金屬薄板能直接電連接，因此， 不需要在絕緣基板的外周部形成配線圖案等，制造方法比現(xiàn)有芯片部件型 LED的制造方法容易。因此，制造成本也可以降低。
該情況下，安裝有所述LED芯片的所述第一凹孔的底面和電連接來(lái) 自所述LED芯片的金屬細(xì)線的所述第二凹孔的底面的高度位置形成為大 致同一高度。由此，由于不需要加工時(shí)的激光輸出等的調(diào)節(jié)，因此，凹孔 加工容易。
另外，電連接來(lái)自所述LED芯片的金屬細(xì)線的所述第二凹孔也可以 至少形成在兩個(gè)部位以上。通過(guò)形成在兩個(gè)部位以上，相對(duì)于LED芯片 的電極結(jié)構(gòu)在表面?zhèn)刃纬烧⒇?fù)電極的情況等下不將LED芯片的搭載面 使用于LED芯片的電極的引出而采用了金屬細(xì)線的更復(fù)雜的配線也能夠 應(yīng)對(duì)薄型化。
另外，本發(fā)明的芯片部件型LED也可以為如下結(jié)構(gòu)在所述第一凹 孔和所述第二凹孔之間的壁體的表面形成用于對(duì)所述金屬細(xì)線進(jìn)行配線 的槽部。通過(guò)如此形成槽部且通過(guò)金屬細(xì)線對(duì)該槽部進(jìn)行配線，能夠進(jìn)一 步降低金屬細(xì)線的配置高度，正因如此能夠?qū)崿F(xiàn)芯片部件型LED的進(jìn)一 步薄型化。
該情況下，也可以作成使熒光體含于所述透明樹脂的結(jié)構(gòu)。另外，優(yōu) 選所述凹孔的內(nèi)周面形成為自所述絕緣基板的背面?zhèn)认虮砻鎮(zhèn)戎饾u擴(kuò)開 的傾斜面。由此，在利用本芯片部件型LED作為各種顯示面板、液晶顯 示裝置的背光燈、照明開關(guān)等光源時(shí)的點(diǎn)亮?xí)r，射向側(cè)面的光由傾斜面反 射而射向上方，因此，能夠提高向上方的反射效率。
另外，本發(fā)明的芯片部件型LED的制造方法的特征在于，其包括如 下工序在絕緣基板的表面和背面形成金屬薄板的工序；將所述絕緣基板 表面?zhèn)鹊腖ED芯片搭載位置和金屬細(xì)線連接位置上的金屬薄板除去的工 序；將在除去了所述金屬薄板的區(qū)域通過(guò)激光加工具有傾斜面的凹孔形成 為到達(dá)所述絕緣基板的背面?zhèn)冉饘俦“宓纳疃鹊墓ば?；以延設(shè)到所述凹孔 的側(cè)面和所述金屬薄板上的底面的方式形成鍍層的工序；在所述鍍層的表 面通過(guò)蒸鍍形成含有Au的層的工序；形成絕緣區(qū)域的工序；在所述一方 凹孔的底面安裝LED芯片的工序；將所述LED芯片和所述另一方凹孔的
底面用金屬細(xì)線電連接的工序；通過(guò)樹脂模制將所述LED芯片和金屬細(xì) 線進(jìn)行密封的工序。
艮P，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，由于不需要在絕緣基板的外周部形成配 線圖案等，正如如此，制造方法容易，也可以降低制造成本。另外，當(dāng)將 激光照射到絕緣基板的LED芯片安裝部分而形成到達(dá)背面的金屬薄板的 貫通孔時(shí)，在用激光除去絕緣基板的對(duì)象區(qū)域時(shí)，激光以自中心部擴(kuò)散的 方式除去絕緣部，因此，能夠同時(shí)將已形成的貫通孔的內(nèi)周面形成為傾斜 面(彎曲面)。即，只照射激光就能夠同時(shí)進(jìn)行貫通孔的形成和內(nèi)周壁的 傾斜面的形成。
根據(jù)本發(fā)明，由于LED芯片的安裝面和一端部與該LED芯片連接的 金屬細(xì)線的另一端部的連接面形成在金屬薄板上，因此，能夠降低金屬細(xì) 線的高度。另外，由于將LED芯片直接安裝在金屬薄板(第一配線圖案) 上，因此，不需要現(xiàn)有基板，正因如此可實(shí)現(xiàn)薄型化，并且由于金屬細(xì)線 的高度也變得比現(xiàn)有更低，因此可進(jìn)一步薄型化。


圖1是實(shí)施方式1的芯片部件型LED的剖面圖2A 2H是表示實(shí)施方式1的芯片部件型LED的制造方法的說(shuō)明
圖3是實(shí)施方式2的芯片部件型LED的剖面圖4A 4H是表示實(shí)施方式2的芯片部件型LED的制造方法的說(shuō)明
圖5是實(shí)施方式3的芯片部件型LED的剖面圖； 圖6是實(shí)施方式3的芯片部件型LED的俯視圖； 圖7A 7H是表示實(shí)施方式2的芯片部件型LED的制造方法的說(shuō)明
圖8是表示現(xiàn)有芯片部件型LED的結(jié)構(gòu)之一例的剖面圖； 圖9是表示現(xiàn)有芯片部件型LED的結(jié)構(gòu)之一例的剖面圖。
具體實(shí)施方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明之實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。 (實(shí)施方式1)
圖1是實(shí)施方式1的芯片部件型LEDIO的剖面圖。
該芯片部件型LED10在形成有LED芯片搭載用的第一凹孔(貫通孔) 3a和金屬細(xì)線連接用的第二凹孔(貫通孔)3b的絕緣基板1的背面?zhèn)纫?電分離的狀態(tài)形成有對(duì)應(yīng)于各凹孔的成為配線圖案的金屬(Cu)薄板2a、 2b。另外，在絕緣基板1的表面?zhèn)龋诎谝话伎?a的部分形成有成 為第一配線圖案的金屬薄板4a，在包含第二凹孔3b的部分形成有成為第 二配線圖案的金屬薄板4b。而且，在這樣的配線結(jié)構(gòu)中，在第一凹孔3a 底面部分的金屬薄板4a上安裝有LED芯片5，該LED芯片5經(jīng)由金屬細(xì) 線6與第二凹孔3b底面部分的金屬薄板4b進(jìn)行電連接，在該狀態(tài)下，利 用透明樹脂7將包含LED芯片5及金屬細(xì)線6的絕緣基板1的表面整體 進(jìn)行密封。
在本實(shí)施方式1中，絕緣基板1由玻璃環(huán)氧樹脂形成且其厚度約為 5(Him。另外，形成于背面?zhèn)鹊慕饘?Cu)薄板2a、 2b形成為約20pm的 厚度。另外，在本實(shí)施方式中，設(shè)LED芯片搭載用的第一凹孔3a的內(nèi)徑 為小47(^m，設(shè)金屬細(xì)線連接用的第二凹孔3b的內(nèi)徑為(j)180pm。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方式1，由于LED芯片5的安裝面和一端部與該 LED芯片5連接的金屬細(xì)線6的另一端部的連接面形成在金屬薄板2a、 2b上，因此，能夠降低金屬細(xì)線6的配置高度。另外，由于將LED芯片 5直接安裝在金屬薄板4a、 2a上，因此，不需要現(xiàn)有基板，正因如此可以 實(shí)現(xiàn)薄型化，并且金屬細(xì)線6的高度也可以比現(xiàn)有更低，可進(jìn)一步薄型化。
其次，參照?qǐng)D2A 2H對(duì)上述構(gòu)成的芯片部件型LED10的制造方法 進(jìn)行說(shuō)明。
在最初的工序中，在絕緣基板1的表面和背面分別形成金屬薄板2、 4 (圖2A)。
在下道工序中，將絕緣基板1的表面?zhèn)鹊腖ED芯片搭載位置41和金 屬細(xì)線連接位置42的金屬薄板4除去(圖2B)。
在下道工序中，將在除去了金屬薄板4的區(qū)域41、 42通過(guò)激光加工 具有傾斜面的凹孔3a、 3b形成為到達(dá)絕緣基板1的背面?zhèn)鹊慕饘俦“?
的深度(圖2C)。在本實(shí)施方式l中，設(shè)LED芯片搭載用的第一凹孔3a 的內(nèi)徑為(K70iam，設(shè)金屬細(xì)線連接用的第二凹孔3b的內(nèi)徑為小18(^m。
在下道工序中，以延設(shè)到各凹孔3a、 3b的側(cè)面和底面的金屬薄板2 上的方式，通過(guò)電鍍形成距絕緣基板1的表面?zhèn)群穸?0pm的Cu鍍層45 (圖2D)。在此，不需要Cu鍍的位置用抗蝕劑保護(hù)。
在下道工序中，在該鍍層45的表面通過(guò)蒸鍍形成厚度lOpm的Ni/Au層。
在下道工序中，為了形成絕緣區(qū)域，將絕緣基板1表面的不需要的 Ni/Au層及Cu鍍層45和金屬薄板4除去(由符號(hào)46表示)，同時(shí)將絕緣 基板1背面的不需要的金屬薄板2除去(由符號(hào)22表示)(圖2E)。由此， 在絕緣基板1的表面，以絕緣狀態(tài)形成成為第一配線圖案的金屬薄板4a 和成為第二配線圖案的金屬薄板4b，在絕緣基板l的背面，以絕緣狀態(tài)形 成與第一配線圖案的金屬薄板4a對(duì)置的金屬薄板2a和與第二配線圖案的
金屬薄板4b對(duì)置的金屬薄板2b。
在下道工序中，在LED芯片搭載用的凹孔3a底面的金屬薄板4a上， 使用銀膏安裝LED芯片5 (圖2F)。
在下道工序中，用金屬細(xì)線6將安裝好的LED芯片5和金屬細(xì)線連 接用凹孔3b的底面的金屬薄板4b結(jié)合并電連接(圖2G)。
在下道工序中，利用作為透明樹脂的例如硅酮樹脂將包含LED芯片5 及金屬細(xì)線6的絕緣基板1的表面整體進(jìn)行密封(圖2H)。
最后，通過(guò)切割而制作寬度1.6mm、厚度0.8mm、高度0.2mm的芯 片部件型LEDIO (參照?qǐng)D1)。 (實(shí)施方式2)
圖3是本實(shí)施方式2的芯片部件型LED的剖面圖。其中，在下面的 說(shuō)明中，對(duì)和上述實(shí)施方式l相同(或具有相同的功能)的部件標(biāo)記相同 符號(hào)。
該芯片部件型LED20在形成LED芯片搭載用的第一凹孔(貫通孔) 3a和夾著該第一凹孔3a位于兩側(cè)的金屬細(xì)線連接用的第二凹孔(貫通孔) 3b及第三凹部(貫通孔)3c的絕緣基板1的背面?zhèn)?，以電分離的狀態(tài)形 成有對(duì)應(yīng)于各凹孔的成為配線圖案的金屬(Cu)薄板2a、 2b、 2c。另外，
在絕緣基板1的表面?zhèn)?，在包含第一凹?a的部分形成有成為第一配線 圖案的金屬薄板4a，在包含第二凹孔3b的部分形成有成為第二配線圖案 的金屬薄板4b，在包含第三凹孔3c的部分形成有成為第三配線圖案的金 屬薄板4c。而且，在這樣的配線結(jié)構(gòu)中，在第一凹孔3a的底面部分的金 屬薄板4a上安裝有LED芯片5，該LED芯片5經(jīng)由金屬細(xì)線6a與第二 凹孔3b底面部分的金屬薄板4b電連接，并且經(jīng)由經(jīng)由金屬細(xì)線6b與第 三凹孔3c底面部分的金屬薄板4c電連接，在該狀態(tài)下，利用加入熒光體 的透明樹脂7將包含LED芯片5及金屬細(xì)線6a、 6b的絕緣基板1的表面 整體進(jìn)行密封。
在本實(shí)施方式2中，絕緣基板1由玻璃環(huán)氧樹脂形成且其厚度約 60)Lim。另夕卜，形成于表面?zhèn)鹊慕饘?Cu)薄板2a、 2b、 2c形成為約25pm 的厚度。另外，在本實(shí)施方式中，設(shè)LED芯片搭載用的第一凹孔3a的內(nèi) 徑為(t)500)nm，分別設(shè)金屬細(xì)線連接用的第二凹孔3B及第三凹孔3c的內(nèi) 徑為小200拜。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方式2，由于LED芯片5的安裝面和一端部與該 LED芯片5連接的金屬細(xì)線6a、 6b的另一端部的連接面形成在金屬薄板 2a、 2b、 2c上，因此，能夠降低金屬細(xì)線6a、 6b的配置高度。另外，由 于將LED芯片5直接安裝在金屬薄板4a、 2a上，因此，不需要現(xiàn)有基板， 正因如此可以實(shí)現(xiàn)薄型化，并且金屬細(xì)線6a、 6b的高度也可以比現(xiàn)有更 低，可進(jìn)一步薄型化。
下面，參照?qǐng)D4A 4H對(duì)上述構(gòu)成的芯片部件型LED20的制造方法 進(jìn)行說(shuō)明。
在最初的工序中，在絕緣基板1的表面和背面分別形成金屬薄板2、 4 (圖4A)。
在下道工序中，將絕緣基板1的表面?zhèn)鹊腖ED芯片搭載位置41和金 屬細(xì)線連接位置42、 43的金屬薄板4除去(圖4B)。
在下道工序中，將在除去了金屬薄板4的區(qū)域41、 42、 43通過(guò)激光 加工具有傾斜面的凹孔3a、 3b、 3c形成為到達(dá)絕緣基板1的背面?zhèn)鹊慕?屬薄板2的深度(圖4C)。在本實(shí)施方式2中，設(shè)LED芯片搭載用的第 一凹孔3a的內(nèi)徑為(j)50(Him，分別設(shè)金屬細(xì)線連接用的第二凹孔3b及第三
凹孔3c的內(nèi)徑為(()200^im。
在下道工序中，以延設(shè)到各凹孔3a、 3b、 3c的側(cè)面和底面的金屬薄 板2上的方式，通過(guò)電鍍形成距絕緣基板1的表面?zhèn)群穸?5,的Cu鍍 層45 (圖4D)。在此，不需要Cu鍍的位置用抗蝕劑保護(hù)。
在下道工序中，在該鍍層45的表面利用蒸鍍形成厚度15jam的Ni/Au層。
在下道工序中，為了形成絕緣區(qū)域，將絕緣基板1表面的不需要的 Ni/Au層及Cu鍍層45和金屬薄板4除去(由符號(hào)46、 47表示)，同時(shí)將 絕緣基板1背面的不需要的金屬薄板2除去(由符號(hào)22、23表示)(圖4E)。 由此，在絕緣基板l的表面，以絕緣狀態(tài)形成成為第一配線圖案的金屬薄 板4a、成為第二配線圖案的金屬薄板4b和成為第三配線圖案的金屬薄板 4c，在絕緣基板l的背面，以絕緣狀態(tài)形成與第一配線圖案的金屬薄板4a 對(duì)置的金屬薄板2a、與第二配線圖案的金屬薄板4b對(duì)置的金屬薄板2b和 與第三配線圖案的金屬薄板4c對(duì)置的金屬薄板2c。
在下道工序中，在LED芯片搭載用的凹孔3a底面的金屬薄板4a上， 使用銀膏LED安裝芯片5 (圖4F)。
在下道工序中，用金屬細(xì)線6a將安裝后的LED芯片5和金屬細(xì)線連 接用凹孔3b底面的金屬薄板4b結(jié)合并電連接，同時(shí)用金屬細(xì)線6b將LED 芯片5和金屬細(xì)線連接用凹孔3c底面的金屬薄板4c結(jié)合并電連接(圖 4G)。
在下道工序中，利用作為混入了熒光體的透明樹脂的例如硅酮樹脂將 包含LED芯片5及金屬細(xì)線6a、6b的絕緣基板1的表面整體進(jìn)行密封(圖 4H)。在此，作為熒光體，可以用(Ba， Sr) 2Si04: Eu， CaAISiN3: Eu等。
最后，通過(guò)切割制作寬度1.5mm、厚度0.8mm、高度0.18mm的芯片 部件型LED20 (參照?qǐng)D3)。 (實(shí)施方式3)
圖5及圖6是本實(shí)施方式3的芯片部件型LED30的剖面圖俯視圖。 其中，在下面的說(shuō)明中，對(duì)和上述實(shí)施方式l相同(或具有相同的功能) 的部件標(biāo)記相同符號(hào)。
該芯片部件型LED30在形成有LED芯片搭載用的第一凹孔(貫通孔) 3a和金屬細(xì)線連接用的第二凹孔(貫通孔)3b的絕緣基板1的背面?zhèn)龋?以電分離的狀態(tài)形成有對(duì)應(yīng)于每個(gè)凹孔的成為配線圖案的金屬(Cu)薄板 2a、 2b。另外，在絕緣基板1的表面?zhèn)龋诎谝话伎?a的部分形成 有成為第一配線圖案的金屬薄板4a，在包含第二凹孔3b的部分形成有成 為第二配線圖案的金屬薄板4b。這些金屬薄板4a、 4b通過(guò)在隔開第一凹 孔3a和第二凹孔3b的隔壁部la的表面中央部形成除去了金屬薄板4的 一定寬度的切口部48進(jìn)行絕緣。另外，在隔壁部la的表面，沿與該切口 部48正交的方向即橫跨第一凹孔3a和第二凹孔3b而形成規(guī)定深度的凹 槽部11。
而且，在這樣的配線結(jié)構(gòu)中，在第一凹孔3a的底面部分的金屬薄板 4a上安裝有LED芯片5，該LED芯片5經(jīng)由金屬細(xì)線6與第二凹孔3b 底面部分的金屬薄板4b電連接。此時(shí)，金屬細(xì)線6通過(guò)隔壁部la的凹槽 部11內(nèi)進(jìn)行配線。即，以不出現(xiàn)在比絕緣基板1的表面更上方的方式進(jìn) 行配線。而且，在該狀態(tài)下，利用加入熒光體的透明樹脂7密封包含LED 芯片5及金屬細(xì)線6的絕緣基板1的表面整體。
在本實(shí)施方式3中，絕緣基板1由玻璃環(huán)氧樹脂形成且其厚度約 55pm。另外，形成于背面?zhèn)鹊慕饘?Cu)薄板2a、 2b形成為約18nm的 厚度。另外，在本實(shí)施方式中，設(shè)LED芯片搭載用的第一凹孔3a的內(nèi)徑 為(j)40(Him，設(shè)金屬細(xì)線連接用的第二凹孔3b的內(nèi)徑為(t)150iim。另夕卜，設(shè) 凹槽11的深度為25pm。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方式3，由于LED芯片5的安裝面和一端部與該 LED芯片5連接的金屬細(xì)線6的另一端部的連接面形成在金屬薄板2a、 2b上，且金屬細(xì)線6通過(guò)隔壁部la的凹槽部11內(nèi)進(jìn)行配線，因此，與上 述實(shí)施方式l、 2相比，更能夠降低金屬細(xì)線6的配置高度。另外，由于 將LED芯片5直接安裝在金屬薄板4a、 2a上，因此，不需要現(xiàn)有基板， 正因如此可以實(shí)現(xiàn)薄型化。
下面，參照?qǐng)D7A 7H對(duì)上述構(gòu)成的芯片部件型LED10的制造方法 進(jìn)行說(shuō)明。
在最初的工序中，在絕緣基板1的表面和背面分別形成金屬薄板2、 4
12
(圖7A)。
在下道工序中，將絕緣基板l的表面?zhèn)鹊腖ED芯片搭載位置41、金 屬細(xì)線連接位置42和金屬細(xì)線6的配線位置(成為凹槽部ll的位置)的 金屬薄板4除去(圖7B)。
在下道工序中，將在除去了金屬薄板4的區(qū)域41、 42通過(guò)激光加工 具有傾斜面的凹孔3a、 3b形成為到達(dá)絕緣基板1的背面?zhèn)鹊慕饘俦“? 的深度(圖2C)。此時(shí)，在隔離所形成的凹孔3a、 3b的隔壁部la的表面， 以橫跨此兩個(gè)3a、 3b間的方式，利用相同的激光加工形成規(guī)定深度的凹 槽部ll (圖7C)。在本實(shí)施方式l中，設(shè)LED芯片搭載用的第一凹孔3a 的內(nèi)徑為(j)500iim，設(shè)金屬細(xì)線連接用的第二凹孔3b的內(nèi)徑為(j)20(Vm，設(shè) 凹槽部11的深度為25pm。
在下道工序中，以延設(shè)到各凹孔3a、 3b的側(cè)面和底面的金屬薄板2 上的方式，通過(guò)電鍍形成距絕緣基板1的表面?zhèn)群穸?5pm的Cu鍍層45 (圖7D)。在此，不需要Cu鍍的位置用抗蝕劑保護(hù)。
在下道工序中，在該鍍層45的表面利用蒸鍍形成厚度15pm的Ni/Au層。
在下道工序中，為了形成絕緣區(qū)域，將絕緣基板1表面的不需要的 Ni/Au層及Cu鍍層45和金屬薄板4除去(由符號(hào)46表示)，同時(shí)將絕緣 基板1背面的不需要的金屬薄板2除去(由符號(hào)22表示)(圖7E)。由此， 在絕緣基板1的表面，以絕緣狀態(tài)形成成為第一配線圖案的金屬薄板4a 和成為第二配線圖案的金屬薄板4b，在絕緣基板l的背面，以絕緣狀態(tài)形 成與第一配線圖案的金屬薄板4a對(duì)置的金屬薄板2a和與第二配線圖案的 金屬薄板4b對(duì)置的金屬薄板2b。另外，在本實(shí)施方式3中，在該工序中， 也將用于配線金屬細(xì)線6的凹槽部11表面的Ni/Au層及Cu鍍層45除去。 即，凹槽部ll表面成為露出絕緣基板l的狀態(tài)。
在下道工序中，在LED芯片搭載用的凹孔3a底面的金屬薄板4a上， 使用銀膏將LED芯片5安裝(圖7F)。
在下道工序中，用金屬細(xì)線6將安裝后的LED芯片5和金屬細(xì)線連 接用凹孔3b底面的金屬薄板4b結(jié)合并電連接(圖7G)。
在下道工序中，利用作為加入熒光體的透明樹脂的例如硅酮樹脂將包
含LED芯片5及金屬細(xì)線6的絕緣基板1的表面整體進(jìn)行密封(圖7H)。
最后，通過(guò)切割制作寬度1.65mm、厚度0.75mm、高度0.15mm的芯 片部件型LED30 (參照?qǐng)D5)。
根據(jù)本實(shí)施方式3，由于金屬細(xì)線6能夠以通過(guò)在LED芯片搭載用凹 孔3a和金屬細(xì)線連接用凹孔3b之間形成的凹槽部11內(nèi)的方式形成，因 此，能夠制作高度更低的0.15mm的芯片部件型LED30。
另外，在上述各實(shí)施方式1 3中，作成了相對(duì)于絕緣基板而具有一 對(duì)圖案的單芯片LED燈，但是，當(dāng)用相同方式形成多個(gè)圖案且將多個(gè)LED 芯片連接時(shí)，能夠容易地構(gòu)成多色(多個(gè)LED芯片)發(fā)光的LED燈。
另外，本發(fā)明可以在不脫離其思想或主要特征的情況下通過(guò)其他種種 方式進(jìn)行實(shí)施。因此，上述的實(shí)施方式只不過(guò)是通過(guò)所有點(diǎn)簡(jiǎn)單的例示， 而不進(jìn)行限定性的解釋。本發(fā)明的范圍為由權(quán)利要求書表示的范圍，在說(shuō) 明書文本中不受任何約束。另外，屬于權(quán)利要求書的等同范圍的變形及變 更全部為本發(fā)明范圍內(nèi)的變形及變更。
權(quán)利要求
1、一種芯片部件型LED，其特征在于，在形成有LED芯片搭載用的第一凹孔和金屬細(xì)線連接用的第二凹孔的絕緣基板的包含所述第一凹孔的部分形成成為第一配線圖案的金屬薄板，在包含所述第二凹孔的部分形成成為第二配線圖案的金屬薄板，在所述第一凹孔內(nèi)的金屬薄板上安裝有LED芯片，該LED芯片經(jīng)由金屬細(xì)線與所述第二凹孔內(nèi)的金屬薄板電連接并利用透明樹脂密封。
2、 如權(quán)利要求1所述的芯片部件型LED，其特征在于，安裝所述LED芯片的所述第一凹孔的底面和電連接來(lái)自所述LED芯片的金屬細(xì)線的所述第二凹孔的底面的高度位置形成為大致同一高度。
3、 如權(quán)利要求1所述的芯片部件型LED，其特征在于，電連接來(lái)自所述LED芯片的金屬細(xì)線的所述第二凹孔至少形成在兩個(gè)部位以上。
4、 如權(quán)利要求1所述的芯片部件型LED，其特征在于， 在所述第一凹孔和所述第二凹孔之間的壁體的表面形成有用于對(duì)所述金屬細(xì)線進(jìn)行配線的槽部。
5、 如權(quán)利要求1所述的芯片部件型LED，其特征在于，所述透明樹脂含有熒光體。
6、 如權(quán)利要求1所述的芯片部件型LED，其特征在于，所述凹孔的內(nèi)周面形成為自所述絕緣基板的背面?zhèn)瘸虮砻鎮(zhèn)戎饾u擴(kuò)開的傾斜面。
7、 一種芯片部件型LED的制造方法，其特征在于，包括:在絕緣基板的表面和背面形成金屬薄板的工序；將所述絕緣基板表面?zhèn)鹊腖ED芯片搭載位置和金屬細(xì)線連接位置上的金屬薄板除去的工序；將在除去了所述金屬薄板的區(qū)域通過(guò)激光加工具有傾斜面的凹孔形成為到達(dá)所述絕緣基板的背面?zhèn)冉饘俦“宓纳疃鹊墓ば?；以延設(shè)到所述凹孔的側(cè)面和所述金屬薄板上的底面的方式形成鍍層的工序；在所述鍍層的表面通過(guò)蒸鍍形成含有All的層的工序； 形成絕緣區(qū)域的工序；在所述一方凹孔的底面安裝LED芯片的工序；將所述LED芯片和所述另一方凹孔的底面用金屬細(xì)線電連接的工序; 通過(guò)樹脂模制將所述LED芯片和金屬細(xì)線進(jìn)行密封的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種芯片部件型LED及其制造方法，在本發(fā)明之一實(shí)施方式中，在形成有LED芯片搭載用的第一凹孔和金屬細(xì)線連接用的第二凹孔的絕緣基板的包含所述第一凹孔的部分形成成為第一配線圖案的金屬薄板，在包含所述第二凹孔的部分形成成為第二配線圖案的金屬薄板，在所述第一凹孔內(nèi)的金屬薄板上安裝有LED芯片，該LED芯片經(jīng)由金屬細(xì)線與所述第二凹孔內(nèi)的金屬薄板電連接并利用透明樹脂密封。
文檔編號(hào)H01L33/56GK101345283SQ20081013582
公開日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2008年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月12日
發(fā)明者松田誠(chéng) 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社