專(zhuān)利名稱(chēng)：基于硅酸稼鑭晶體1.3μm電光開(kāi)關(guān)的人眼安全拉曼激光器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新型波段的電光開(kāi)關(guān)及拉曼晶體的應(yīng)用，具體涉及硅酸稼鑭電光晶體 和具有白鉤礦和鋯英石結(jié)構(gòu)的拉曼晶體，屬于晶體生長(zhǎng)與晶體器件技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
人眼安全激光具有廣泛應(yīng)用。其中1.5pm激光是最有代表性的。目前有三大技術(shù)途徑 實(shí)現(xiàn)1.5pm波長(zhǎng)激光 一是直接輸出1.5pm波長(zhǎng)的固體激光器，較成熟的有鉺玻璃激光器， 直接輸出1.54pm激光。器件結(jié)構(gòu)緊湊，可靠性好，但受基質(zhì)玻璃材料熱特性的限制，工作 重復(fù)頻率難以大幅度提高，且目前國(guó)內(nèi)基質(zhì)玻璃材料的質(zhì)量無(wú)法滿(mǎn)足實(shí)用要求，仍需進(jìn)口， 成本高。二是Nd:YAG泵浦的參量振蕩(OPO)激光器，采用KTP晶體II類(lèi)非臨界相位匹配， 輸出波長(zhǎng)1.57pm。 OPO器件的特點(diǎn)是可高重頻運(yùn)轉(zhuǎn)，但束散較大，且光束質(zhì)量較差，環(huán)境 溫度適應(yīng)性差，設(shè)計(jì)時(shí)需要特別選擇合適的工作參數(shù)，以保證輸出的穩(wěn)定與可靠性。三是 拉曼頻移Nd:YAG激光器。過(guò)去拉曼介質(zhì)主要是用氣體，大部分采用高壓甲烷(CH4)對(duì) Nd:YAG激光進(jìn)行頻移，得到1.54pm輸出。這類(lèi)激光器體積較大，工作頻率低，容易發(fā)生 化學(xué)擊穿，產(chǎn)生的碳化物可能沉積到拉曼盒窗口，高壓密封技術(shù)要求高，保障因難，且難 以進(jìn)一步提高輸出能量。1.5pm人眼安全固體拉曼激光器是第三種途徑中的新興技術(shù)，自上世紀(jì)90年代中期逐 步發(fā)展起來(lái)。它是利用拉曼晶體將波長(zhǎng)1.32KimNd:YAG激光轉(zhuǎn)換到1.5nm人眼安全波長(zhǎng)， 同時(shí)彌補(bǔ)了氣體、液體拉曼激光器的一些缺陷，具有全固化、閾值低、轉(zhuǎn)換效率高、高重 頻、體積小、重量輕、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，但是目前1.3微米使用的電光開(kāi)關(guān)，存在一定的 缺陷，如抗光損傷閾值低，限制了人眼安全激光的功率輸出。因此研究實(shí)現(xiàn)1.5)am人眼安 全激光相關(guān)的電光調(diào)Q激光器件設(shè)計(jì)，獲得高效人眼安全激光輸出，是本領(lǐng)域技術(shù)人員正 在努力研究的課題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種基于硅酸稼鑭晶體1.3(xm電光開(kāi)關(guān)的人眼安全拉 曼激光器。 概述本發(fā)明的人眼安全拉曼激光器，通過(guò)閃光燈或激光二極管泵浦Nd:YAG晶體或Nd:YAG 透明陶瓷，Nd:YAP晶體，Nd:GV04或Nd:YxGdLxV04晶體，產(chǎn)生1.3微米的激光，使用 La3Ga5SiOi4晶體的電光效應(yīng)，使激光形成脈沖激光，再通過(guò)白鎢礦結(jié)構(gòu)晶體或鋯英石結(jié)構(gòu) 晶體的拉曼頻移效應(yīng)，產(chǎn)生高效人眼安全的1.5pm波長(zhǎng)激光。詳述本發(fā)明的技術(shù)方案如下本發(fā)明的人眼安全拉曼激光器，包括由全反鏡、泵浦源、激光工作物質(zhì)組成的固體激光發(fā)生裝置，電光開(kāi)關(guān)和拉曼頻移晶體。用硅酸稼鑭(La3Ga5Si014)晶體作為1.3pm的電 光開(kāi)關(guān)，對(duì)固體激光進(jìn)行電光調(diào)Q，產(chǎn)生1.3pm的脈沖脈沖激光，再通過(guò)拉曼頻移晶體進(jìn)行 拉曼頻移，產(chǎn)生人眼安全1.5pm激光輸出。所述的固體激光發(fā)生裝置中，是用閃光燈或激光二極管側(cè)面或端面泵浦下列晶體激光 器件或透明陶瓷Nd:YAG， Nd:YAP， Nd:GdV04， Nd:YV04，Nd:YxGd"V04晶體或Nd:YAG 透明陶瓷，輸出1.3pm固體激光。上述Nd:YAG， Nd:YAP, Nd:GdV04， Nd:YV04, Nd:YxGd卜xV04晶體或Nd:YAG透明陶 瓷兩個(gè)端面可以直接鍍適當(dāng)?shù)慕橘|(zhì)膜，并選用合適的激光腔鏡，上述La3GasSiO"晶體電光開(kāi)關(guān)，所述晶體通光面為方形，厚度3-20mm,通光方向長(zhǎng)度 5-100mm;晶體的兩個(gè)X面鍍金電極，以便沿X方向加電場(chǎng)；晶體的兩個(gè)c面拋光，并對(duì)兩個(gè) c面鍍1300nm的增透膜。上述的拉曼頻移晶體可以鍍膜，也可以不鍍膜。具體選自具有白鎢礦結(jié)構(gòu)的拉曼頻移 晶體BaW04或SrW04、鋯英石結(jié)構(gòu)的拉曼頻移晶體YV04、 GdV04或LuV04，該拉曼頻移晶 體通光面為圓形或方形，通光方向厚度可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)， 一般為l-100mm。本發(fā)明涉及的硅酸稼鑭晶體，分子式La3Ga5Si014,是電光晶體。采用提拉法生長(zhǎng)， 在加熱提拉式單晶爐內(nèi)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，采用La203,Ga203，Si02為原料，反應(yīng)式如下 3La203+5 Ga203+2 Si02= 2La3Ga5SiOi4按照化學(xué)計(jì)量比或Ga203過(guò)量l 2wt,/。稱(chēng)量原料并混合均勻，放置到白金坩堝中，在 100(M100。C的溫度下燒結(jié)8 12小時(shí)，然后把燒結(jié)的原料研磨，壓塊，再放置到白金坩堝中， 再在100(M100。C的溫度下燒結(jié)8 12小時(shí)，得到多晶料。將多晶料置于銥金坩堝中，裝爐； 采用中頻加熱的方式，下籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng)(籽晶方向?yàn)閏方向)；晶體生長(zhǎng)完畢降溫至室溫， 出爐；出爐的晶體在1000°C~1100。C的溫度下退火。把生長(zhǎng)的所得晶體放置到電阻爐中退火，退火溫度為1000 1100。C，退火時(shí)間為8 10 小時(shí)，以釋放生長(zhǎng)La3Ga5SiOw晶體過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。最后對(duì)生長(zhǎng)的晶體進(jìn)行加工處理、拋光，用以制備晶體器件。本發(fā)明涉及的拉曼晶體材料也優(yōu)選采用提拉法生長(zhǎng)。本發(fā)明的優(yōu)良效果如下h用提拉法生長(zhǎng)，可以在較短時(shí)間內(nèi)獲得大尺寸、高質(zhì)量的電光晶體材料。 2、本發(fā)明的電光晶體硅酸稼鑭，具有抗光損傷閾值高，激光輸出效率高的特點(diǎn)，與相 關(guān)的拉曼器件相結(jié)合產(chǎn)生人眼安全激光器件。在激光技術(shù)領(lǐng)域用廣泛地應(yīng)用。3. 本發(fā)明采用容易制備的白鎢礦晶體作為拉曼頻移晶體與1.3微米的激光相結(jié)合,產(chǎn)生 人眼安全的激光器件。白鉤礦晶體具有拉曼增益系數(shù)大、受激發(fā)射截面大、激光輸出的量 子效率高的特點(diǎn)，因此容易能獲得高效率激光輸出。4. 本發(fā)明采用鋯英石結(jié)構(gòu)晶體作為拉曼頻移晶體與l. 3微米的激光相結(jié)合,產(chǎn)生人眼安 全的激光器件。鋯英石晶體具有拉曼增益系數(shù)大、受激發(fā)射截面大、激光輸出的量子效率 高的特點(diǎn)，因此容易能獲得高效率激光輸出。5、本方法發(fā)明本方法制作的激光器具有簡(jiǎn)單、緊湊、閾值低、輸出功率高、穩(wěn)定性好、 轉(zhuǎn)換效率高、光束質(zhì)量好、操作簡(jiǎn)單、成本低，以及便于工業(yè)化的大批量制造等特點(diǎn)。


圖l是本發(fā)明人眼安全拉曼激光器的示意圖，其中，l.全反鏡，2.泵浦源，3.激光工作 物質(zhì)，4. La3GasSiO"電光開(kāi)關(guān)，5. 1.3pm激光輸出鏡，6.拉曼頻移晶體，7.人眼安全激 光輸出鏡。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明，其中實(shí)施例l-6為電光晶體和拉曼晶體的制 備，實(shí)施例7-20是產(chǎn)生人眼安全激光。這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明，并不限于此。 實(shí)施例l: La3GasSiOM電光晶體的制備。La203， Ga203, Si02為原料，根據(jù)化學(xué)方程式3La203+5 Ga203+2 Si02= 2La3Ga5Si014 按照化學(xué)計(jì)量比或Ga203過(guò)量l 2wt，。稱(chēng)量原料，并混合均勻配制的原料放置到白金坩堝中， 在1100。C的溫度下燒結(jié)10小時(shí)，然后把燒結(jié)的原料再次研磨，然后壓塊，再次放置到白金 坩堝中，在1100。C燒結(jié)10小時(shí)，就可以得到La3Ga5SiOM的多晶料。把配置好的La3GasSiOi4 的多晶料放置到銥金坩堝內(nèi)，單晶爐抽真空、充保護(hù)氣氮?dú)?，升溫；采用中頻加熱的方式， 使用c方向的La3Ga5SiO"籽晶，晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí)，轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘， 得到La3GasSiO"晶體。把生長(zhǎng)的La3Ga5SiOw晶體放置到電阻爐中退火，退火溫度為1000。C，退火時(shí)間為8小 時(shí)，這樣可以部分釋放生長(zhǎng)La3Ga5SiCh4晶體過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。然后根據(jù)需要對(duì)生長(zhǎng)的晶體進(jìn)行加工、拋光,并在兩個(gè)X面上鍍金膜，對(duì)晶體的兩個(gè)c面 拋光，并對(duì)兩個(gè)c面鍍1300nm的增透膜。實(shí)施例2: BaW04晶體的制備。使用BaC03,W03為初始原料根據(jù)化學(xué)方程式BaC03+W03= BaW04+C02，按化學(xué)計(jì)量 比配制生長(zhǎng)BaW04晶體的多晶料(其中W03過(guò)量lwt.。/。)，配制的原料放置到白金塒堝中，在 U00。C的溫度下燒結(jié)10小時(shí)，然后把燒結(jié)的原料再次研磨，然后壓塊，再次放置到白金坩 堝中，在1100。C燒結(jié)10小時(shí)，就可以得到BaW04的多晶料。把配置好的BaW04的多晶料放 置到銥金坩堝內(nèi)，單晶爐抽真空、充保護(hù)氣氮?dú)?，升溫；采用中頻加熱的方式，使用a方向 的BaW04籽晶，晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí)，轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘，得到BaW04 晶體。把生長(zhǎng)的BaW04晶體放置到電阻爐中退火，退火溫度為1000。C，退火時(shí)間為8小時(shí)， 這樣可以部分釋放生長(zhǎng)BaW04晶體過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。 然后根據(jù)需要對(duì)生長(zhǎng)的晶體進(jìn)行加工、拋光。 實(shí)施例3: SrW04晶體的制備。使用SrC03,W03為初始原料按根據(jù)化學(xué)方程式SrC03+W03= SrW04+C02，按化學(xué)計(jì) 量比配置生長(zhǎng)SrW04晶體的多晶料(其中W03過(guò)量lwt.。/。)，配置的原料放置到白金坩堝中， 在1100。C的溫度下燒結(jié)10小時(shí)，然后把燒結(jié)的原料再次研磨，然后壓塊，再次放置到白金 坩堝中，在1100。C燒結(jié)10小時(shí)，就可以得到SrW04的多晶料。把配置好的SrW04的多晶料 放置到銥金坩堝內(nèi)，單晶爐抽真空、充保護(hù)氣氮?dú)猓郎?；采用中頻加熱的方式，使用c 方向的SrW04籽晶，晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí)，轉(zhuǎn)速10 30轉(zhuǎn)/分鐘。得至USrWO4 晶體。SrW04晶體退火和加工程序同BaW04晶體。 實(shí)施例4: YV04晶體的制備。使用Y203,V20s為初始原料根據(jù)化學(xué)方程式Y(jié)203+V205=YV04,按化學(xué)計(jì)量比配置生 長(zhǎng)YV04晶體的多晶料(其中V205過(guò)量lwt.。/。)，配置的原料放置到白金坩堝中，在1100。C的 溫度下燒結(jié)10小時(shí)，然后把燒結(jié)的原料再次研磨，然后壓塊，再次放置到白金柑堝中，在U00。C燒結(jié)10小時(shí)，就可以得到Y(jié)V04的多晶料。把配置好的YV04的多晶料放置到銥金坩 堝內(nèi)，單晶爐抽真空、充保護(hù)氣氮?dú)?，升溫；采用中頻加熱的方式，使用a方向的YV04籽 晶，晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí)，轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘。得到Y(jié)V04晶體。把生長(zhǎng)的YV04晶體放置到電阻爐中退火，退火溫度為1000。C，退火時(shí)間為8小時(shí)，這 樣可以部分釋放生長(zhǎng)YV04晶體過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。然后根據(jù)需要對(duì)生長(zhǎng)的晶體進(jìn)行加工、拋光。實(shí)施例5: GdV04晶體的制備。使用Gd203，V20s為初始原料根據(jù)化學(xué)方程式Gd203+V205= GdV04，按化學(xué)計(jì)量比配 置生長(zhǎng)GdV04晶體的多晶料(其中V205過(guò)量lwt.。/。)，配置的原料放置到白金坩堝中，在 1100。C的溫度下燒結(jié)10小時(shí)，然后把燒結(jié)的原料再次研磨，然后壓塊，再次放置到白金坩 堝中，在1100。C燒結(jié)10小時(shí)，就可以得到GdV04的多晶料。把配置好的GdV04的多晶料放 置到銥金坩堝內(nèi)，單晶爐抽真空、充保護(hù)氣氮?dú)猓郎?；采用中頻加熱的方式，使用a方向 的YV04籽晶，晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí)，轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘。得到GdV04晶 體。GdV04晶體退火和加工程序同YV04晶體。 實(shí)施例6: LuV04晶體的制備。使用LU203，V205為初始原料根據(jù)化學(xué)方程式Lu203+V205= GdV04，按化學(xué)計(jì)量比配置生長(zhǎng)LuV04晶體的多晶料(其中V205過(guò)量lwt.n/。)，配置的原料放置到白金坩堝中，在1100。C的溫度下燒結(jié)10小時(shí)，然后把燒結(jié)的原料再次研磨，然后壓塊，再次放置到白金坩 堝中，在1100"C燒結(jié)10小時(shí)，就可以得到LuV04的多晶料。把配置好的LuV04的多晶料放 置到銥金坩堝內(nèi)，單晶爐抽真空、充保護(hù)氣氮?dú)?，升溫；采用中頻加熱的方式，使用a方向 的YV04籽晶，晶體生長(zhǎng)的提拉速度為0.5~2毫米/小時(shí)，轉(zhuǎn)速10~30轉(zhuǎn)/分鐘。得到LuV04晶 體。LuV04晶體退火和加工程序同YV04晶體。用提拉法生長(zhǎng)實(shí)施例2-6的晶體，對(duì)晶體進(jìn)行加工、拋光后，晶體可以鍍1300-1600nm 的增透膜，也可以不鍍膜。以下實(shí)施例7-20是關(guān)于人眼安全拉曼激光器的實(shí)施例，通過(guò)La3GasSiO"晶體的電光調(diào) 制1.311111的脈沖激光，再通過(guò)BaW04晶體的拉曼頻移產(chǎn)生人眼安全激光。實(shí)施例7:在泵浦源2和Nd:YAG晶體3前設(shè)一全反鏡l，泵浦源2為閃光燈，用閃光燈泵浦 Nd:YAG晶體激光工作物質(zhì)3實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出，該1319納米的激光通過(guò)La3Ga5SiC^ 電光開(kāi)關(guān)4進(jìn)行電光調(diào)Q，通過(guò)1.3^un激光輸出鏡5，再通過(guò)BaW04拉曼頻移晶體6，實(shí)現(xiàn)1.5pm 人眼安全的激光輸出,通過(guò)輸出鏡7輸出。實(shí)施例8:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用閃光燈泵浦Nd:YAG 透明激光陶瓷實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出。實(shí)施例9:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的 激光二極管側(cè)面泵浦Nd:YAG晶體實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出。實(shí)施例10:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米 的激光二極管側(cè)面泵浦Nd:YAG透明陶瓷實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出。實(shí)施例ll:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米的激光二極管端面泵浦Nd:YAG晶體實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出，全反鏡1為對(duì)1319納米的激 光全反射和對(duì)808納米的激光增透。實(shí)施例12:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米 的激光二極管端面泵浦Nd:YAG透明陶瓷實(shí)現(xiàn)1319納米的激光輸出，全反鏡1為對(duì)1319納米 的激光全反射和對(duì)808納米的激光增透。實(shí)施例13:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米 的激光二極管側(cè)面泵浦Nd:GdV04晶體實(shí)現(xiàn)1342納米的激光輸出。實(shí)施例14:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米 的激光二極管端面泵浦Nd:GdV04晶體，實(shí)現(xiàn)1342納米的激光輸出，全反鏡1為對(duì)1342納米的 激光全反射和對(duì)808納米的激光增透。實(shí)施例15:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米 的激光二極管側(cè)面泵浦Nd:YV04晶體實(shí)現(xiàn)1342納米的激光輸出。實(shí)施例16:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米 的激光二極管端面泵浦Nd:YV04晶體，實(shí)現(xiàn)1342納米的激光輸出，全反鏡1為對(duì)1342納米的 激光全反射和對(duì)808納米的激光增透。實(shí)施例17:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米 的激光二極管側(cè)面泵浦Nd:YxGd^V04晶體((Kx^)實(shí)現(xiàn)1342納米的激光輸出。實(shí)施例18:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米 的激光二極管端面泵浦Nd:YxGdi.xV04晶體((Kx〈l)實(shí)現(xiàn)1342納米的激光輸出，全反鏡l為對(duì) 1342納米的激光全反射和對(duì)808納米的激光增透。實(shí)施例19:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用發(fā)射波長(zhǎng)為808納米 的激光二極管端面泵浦Nd:YAP晶體實(shí)現(xiàn)1340納米的激光輸出，全反鏡1為對(duì)1340納米的激 光全反射和對(duì)808納米的激光增透。實(shí)施例20:如實(shí)施例7所述的人眼安全拉曼激光器，所不同的是用閃光燈泵浦Nd:YAP 晶體實(shí)現(xiàn)1340納米的激光輸出。使用La3Ga5SiO,4晶體的電光調(diào)制1.3nm的脈沖激光，對(duì)于拉曼頻移晶體SrW04產(chǎn)生人眼 安全激光可以重復(fù)實(shí)施例7-20。使用La3Ga5SiO"晶體的電光調(diào)制1.3pm的脈沖激光，對(duì)于拉曼頻移晶體YV04產(chǎn)生人眼 安全激光可以重復(fù)實(shí)施例7-20。使用La3Ga5SiO"晶體的電光調(diào)制1.3pm的脈沖激光，對(duì)于拉曼頻移晶體GdV04產(chǎn)生人 眼安全激光可以重復(fù)實(shí)施例7-20。使用La3Ga5SiO,4晶體的電光調(diào)制1.3nm的脈沖激光，對(duì)于拉曼頻移晶體LuV04產(chǎn)生人眼 安全激光可以重復(fù)實(shí)施例7-20。
權(quán)利要求
1.人眼安全拉曼激光器，其特征在于由全反鏡、泵浦源、激光工作物質(zhì)組成的固體激光發(fā)生裝置，電光開(kāi)關(guān)和拉曼頻移晶體，用硅酸稼鑭(La3Ga5SiO14)晶體作為1.3μm的電光開(kāi)關(guān)，對(duì)固體激光進(jìn)行電光調(diào)Q，用于產(chǎn)生脈沖1.3μm的激光，再通過(guò)拉曼頻移晶體進(jìn)行拉曼頻移，產(chǎn)生人眼安全1.5μm激光輸出。
2. 如權(quán)利要求l所述的人眼安全拉曼激光器，其特征在于所述La3GasSiO,4晶體電光開(kāi)關(guān) 的晶體通光面為方形，厚度3-20mm，通光方向長(zhǎng)度5-100mm;晶體的兩個(gè)X面鍍金電極，以便 沿X方向加電場(chǎng)；晶體的兩個(gè)c面拋光，并對(duì)兩個(gè)c面鍍1300nm的增透膜。
3. 如權(quán)利要求l所述的人眼安全拉曼激光器，其特征在于所述的固體激光發(fā)生裝置中， 用閃光燈或激光二極管側(cè)面或端面泵浦下列激光晶體或透明激光陶瓷Nd:YAG， Nd:YAP， Nd:GdV04， Nd:YxGd,-xV04晶體或Nd:YAG透明陶瓷，輸出固體激光。
4. 如權(quán)利要求l所述的人眼安全拉曼激光器，其特征在于所述的拉頻移曼晶體可以鍍膜， 是具有白鎢礦結(jié)構(gòu)的拉曼頻移晶體BaW04或SrW04，或者具有鋯英石結(jié)構(gòu)的拉曼頻移晶體 YV04、 GdV04或LuV04。
全文摘要
一種基于硅酸稼鑭晶體1.3μm電光開(kāi)關(guān)的人眼安全拉曼激光器，屬于晶體生長(zhǎng)與晶體器件技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)閃光燈或激光二極管泵浦Nd:YAG晶體或透明陶瓷、Nd:YAP晶體、Nd:GVO₄或Nd:YxGd_1-xVO₄晶體，產(chǎn)生1.3微米的激光，使用La₃Ga₅SiO₁₄晶體為電光開(kāi)關(guān)，使激光形成脈沖激光，再通過(guò)白鎢礦結(jié)構(gòu)晶體或鋯英石結(jié)構(gòu)晶體的拉曼頻移效應(yīng)，產(chǎn)生人眼安全的1.5μm波長(zhǎng)激光。本發(fā)明制作的激光器具有簡(jiǎn)單、緊湊、閾值低、輸出功率高、穩(wěn)定性好、轉(zhuǎn)換效率高、光束質(zhì)量好、操作簡(jiǎn)單、成本低，以及便于工業(yè)化的大批量制造等特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01S3/092GK101335419SQ20081013872
公開(kāi)日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2008年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月30日
發(fā)明者鑫 尹, 張少軍, 張懷金, 新 方, 王繼揚(yáng), 蔣民華 申請(qǐng)人:山東大學(xué)