專利名稱：晶體硅太陽(yáng)能電池片多重制絨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池片多重制絨方法。
背景技術(shù)：
目前，晶體硅太陽(yáng)能電池片的制作多用單一制絨的方法。 為增加晶體硅太陽(yáng)能電池片的光線吸收，一般在晶體硅片表面加工一層絨面，由 于堿液，如NaoH或K0H溶液，對(duì)晶體硅各個(gè)晶向的腐蝕速度不同，用于單晶硅片時(shí)就能腐蝕 出很多2-10iim微型金字塔結(jié)構(gòu)的絨面來(lái)，但堿液不能用來(lái)多晶硅片制絨，因?yàn)槎嗑Ч杵?內(nèi)的晶向是不一定的，用堿液腐蝕就會(huì)在各個(gè)晶體之間出現(xiàn)高低不平凹凸塊，因此，對(duì)于多 晶硅片就用各向同性的酸，即H2N03和HF混合液，來(lái)腐蝕硅片，形成2-10 y m凹凸不平的無(wú) 規(guī)則絨面。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池片多重制絨方法。 本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是對(duì)于單晶硅片而言，經(jīng)過(guò)堿液的，絨 面成金字塔型，絨面高度在2-10 i！ m，雖然對(duì)光線的反射大大減少，但對(duì)于每個(gè)微觀的"塔" 而言，光線還是有反射和折射，一部分反射和折射會(huì)被相鄰的塔面吸收，還有一部分會(huì)反 射到空氣中，為了減少這部分反射，將已經(jīng)用堿液制好絨面的硅片，再短時(shí)間放入酸液，即 H2N03和HF的混合液中，利用酸的各向同性腐蝕在塔型絨面的表面上再形成一層亞微米級(jí) 的無(wú)規(guī)則絨面，大大的增加了對(duì)光線的吸收。 對(duì)于多晶硅片面言，由于經(jīng)過(guò)酸液腐蝕，表面絨面是無(wú)規(guī)則的，對(duì)光線的吸收和 反射有很多不確定性，為了解決這個(gè)問(wèn)題先用機(jī)械或激光刻槽的方法，刻出互相交叉的線 條，線條交叉的角度為60-90度，刻痕成"V"型，表面最大寬度為0. lmm-O. 2mm，中心距離 0. 1-0. 3mm，深度10-20 y m，使硅片表面形成規(guī)則的正方形或菱形的金字塔結(jié)構(gòu)，類似于經(jīng) 堿液腐蝕出來(lái)的單晶片，但比單晶片的塔型結(jié)構(gòu)更規(guī)則，也對(duì)光線有一定的反射作用，為進(jìn) 一步降低該反射將硅片短時(shí)間放入酸液中，在硅片表面進(jìn)行腐蝕，再在塔型表面形成一層 亞微米級(jí)的絨面。大大增加了硅片表面的對(duì)光線的吸收。 本發(fā)明的有益效果是，對(duì)于單晶體，經(jīng)過(guò)先堿液后酸液的制絨，形成了多重絨面； 對(duì)于多晶體，先用機(jī)械或激光方法刻制，后酸液腐蝕，形成多重絨面。從而，大大增加了硅片 表面的對(duì)光線的吸收。
具體實(shí)施例方式
對(duì)于單晶硅片而言，經(jīng)過(guò)堿液的，絨面成金字塔型，絨面高度在2-10 ii m，雖然對(duì)光 線的反射大大減少，但對(duì)于每個(gè)微觀的"塔"而言，光線還是有反射和折射， 一部分反射和折 射會(huì)被相鄰的塔面吸收，還有一部分會(huì)反射到空氣中，為了減少這部分反射，將已經(jīng)用堿液 制好絨面的硅片，再短時(shí)間放入酸液(H2N03和HF的混合液)中，利用酸的各向同性腐蝕在
3塔型絨面的表面上再形成一層亞微米級(jí)的無(wú)規(guī)則絨面，大大的增加了對(duì)光線的吸收。
對(duì)于多晶硅片面言，由于經(jīng)過(guò)酸液腐蝕，表面絨面是無(wú)規(guī)則的，對(duì)光線的吸收和 反射有很多不確定性，為了解決這個(gè)問(wèn)題先用機(jī)械或激光刻槽的方法，刻出互相交叉的線 條，線條交叉的角度為60-90度，刻痕成"V"型，表面最大寬度為0. lmm-0. 2mm，中心距離 0. 1-0. 3mm，深度10-20 y m，使硅片表面形成規(guī)則的正方形或菱形的金字塔結(jié)構(gòu)，類似于經(jīng) 堿液腐蝕出來(lái)的單晶片，但比單晶片的塔型結(jié)構(gòu)更規(guī)則，也對(duì)光線有一定的反射作用，為進(jìn) 一步降低該反射將硅片短時(shí)間放入酸液中，在硅片表面進(jìn)行腐蝕，再在塔型表面形成一層 亞微米級(jí)的絨面。大大增加了硅片表面的對(duì)光線的吸收。 將125X 125mm的單晶片放在1. 2 %的NaoH和5 %的異丙醇混合液中，溫度 80-85°C ，時(shí)間25分鐘，形成2-10 y m的塔型絨面，拿出后迅速用純凈水清洗，再將硅片放入 8% H2N0jP0. 5-0. 8% HF酸混合液中，溫度10-12。C，時(shí)間10-20秒，經(jīng)過(guò)二次腐蝕，在塔型 絨面上再形成亞微米級(jí)的無(wú)規(guī)則絨面. 將156X 156mm的多晶硅片用金鋼石刀具刻出交叉的"V"型槽，交叉角度85度，槽 深20iim，表面槽寬100iim，中心距100iim，如圖3，形成一層規(guī)則的菱形金字塔絨面，再將 硅片放入8% H2N03和0. 5-0. 8%的混合液中，溫度10-12°C，時(shí)間60-90秒，形成一層無(wú)規(guī) 則的絨面。
權(quán)利要求
一種晶體硅太陽(yáng)能電池片多重制絨方法，其特征是對(duì)于單晶硅片，先用堿液制絨，絨面成金字塔型，然后放入H2NO3和HF的混合液中腐蝕，利用酸的各向同性腐蝕在塔型絨面的表面上再形成一層亞微米級(jí)的無(wú)規(guī)則絨面，絨面大大的增加了對(duì)光線的吸收；對(duì)于多晶硅片，先用機(jī)械或激光方法刻槽，刻出互相交叉的線條，使硅片表面形成規(guī)則的正方形或菱形的金字塔結(jié)構(gòu)，然后將硅片放入酸液中，對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕，在塔型表面形成一層亞微米級(jí)的絨面，大大增加了硅片表面的對(duì)光線的吸收。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池片多重制絨方法，其特征是規(guī)則的 正方形或菱形的金字塔結(jié)構(gòu)中，交叉線條的角度為60-90度，刻痕成"V"型，表面最大寬度 為0. lmm-0. 2mm，中心距離0. 1-0. 3mm，深度10-20 ii m。
全文摘要
一種晶體硅太陽(yáng)能電池片多重制絨方法。為增加晶體硅太陽(yáng)能電池片的光線吸收，對(duì)于單晶硅片，先用堿液制絨，絨面成金字塔型，然后放入H2NO3和HF的混合液中腐蝕，利用酸的各向同性腐蝕在塔型絨面的表面上再形成一層亞微米級(jí)的無(wú)規(guī)則絨面；對(duì)于多晶硅片，先用機(jī)械或激光方法刻槽，刻出互相交叉的線條，使硅片表面形成規(guī)則的正方形或菱形的金字塔結(jié)構(gòu)，然后將硅片放入酸液中，對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕，在塔型表面形成一層亞微米級(jí)的絨面。主要用于晶體硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)和制造中。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101752450SQ200810143830
公開(kāi)日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2008年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月8日
發(fā)明者婁志林, 張恩理, 謝劍剛 申請(qǐng)人:湖南天利恩澤太陽(yáng)能科技有限公司