專(zhuān)利名稱(chēng)：電容元件和電容元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及每單位體積的靜電電容和耐電壓的乘積(cv積)比 以往的電解電容器大的電容元件和電容元件的制造方法。
背景技術(shù)：
將作為一種閥金屬(Valve metal)氧化物的A1203用作電介質(zhì)皮 膜的電解電容器迄今為止得到了廣泛應(yīng)用。電解電容器由電介質(zhì)(電 介體)皮膜和電解液成分的組合構(gòu)成并具有極性。而且，通過(guò)使A1203 皮膜的表面變得粗糙等來(lái)謀求面積的擴(kuò)大，但目前已達(dá)到大電容化的 極限。另外，由于具有極性，存在著用途受到限定的課題。
為解決這些課題并實(shí)現(xiàn)大電容化，提出了以下方案。具體地說(shuō)， 在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，提出了如下一種方法，即將如圖35的平面圖所 示的設(shè)有多個(gè)孔5的多孔基板4用作掩模、如圖36的剖視圖所示通 過(guò)薄膜成膜處理或蝕刻在電容器基板1的面狀電極2的表面形成使多 個(gè)柱狀體2a有規(guī)則地排列的第一電極6a、然后如圖37的剖視圖所示 用MOCVD (有機(jī)金屬化學(xué)氣相淀積)法在該第一電極6a的表面使 介電常數(shù)100以上的電介質(zhì)材料成膜而形成電介質(zhì)薄膜8、進(jìn)一步在 該電介質(zhì)薄膜8的表面形成第二電極6b,由此獲得電容器結(jié)構(gòu)體。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2003 — 249417號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在如上所述的背景技術(shù)的電容元件結(jié)構(gòu)體的制造方法中， 由于用多孔基板4作為掩模形成柱狀體2a,很容易發(fā)生電極材料附著 在上述多孔基板4上和該多孔基板4的孔5的內(nèi)壁上或因上述多孔基 板4本身的蝕刻而引起的孔5的擴(kuò)大等。因此，存在著很難以均勻的
截面形狀得到所需長(zhǎng)度尺寸的柱狀體2a的課題。
另外，由于用MOCVD法在豎立著上述柱狀體2a的結(jié)構(gòu)的第一 電極6a的表面使介電常數(shù)100以上的電介質(zhì)材料成膜而形成電介質(zhì) 薄膜8，當(dāng)上述柱狀體2a的高度較高時(shí)，在上述第一電極6a的表面 內(nèi)的面對(duì)原料氣的氣流易于接觸到原料氣體的部位和難于接觸f )J原 料氣體的部位，所生成的電介質(zhì)薄膜8很容易產(chǎn)生膜厚差。因此，存 在著很難穩(wěn)定地得到每單位體積的靜電電容和耐電壓的乘積(CV積) 大的電容器的課題。
本發(fā)明是鑒于以上課題而開(kāi)發(fā)的，其目的是提供一種每單位體積 的CV積比以往的電解電容器大的電容元件。其目的還在于提供一種 無(wú)極性的電容元件。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能夠穩(wěn)定地生產(chǎn)大電容、無(wú)極性 的電容元件的制造方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的電容元件，(l)具有由第一閥金屬氧 化物構(gòu)成并交替地配置多個(gè)在厚度方向上貫通的屬于第一組的孔和 屬于第二組的孔的多孔板狀的電介質(zhì)(電介體)、分別在屬于上述第
一組的多個(gè)孔內(nèi)形成且基端在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上露出的第一 柱狀電極、分別在屬于上述第二組的多個(gè)孔內(nèi)形成且基端在上述電介 質(zhì)的另一個(gè)主面上露出的第二柱狀電極。并且，具有分別設(shè)置成在屬 于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的頂端上封堵該孔、在屬于 上述第二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端上封堵該孔的絕緣體 層。而且，還具有設(shè)置成在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上與上述第一柱狀 電極的基端連接的第一引出電極、設(shè)置成在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面 上與上述第二柱狀電極的基端連接的第二引出電極。
因此，即使增大電壓也能抑制絕緣性的降低，CV積提高，同時(shí) 沒(méi)有像電解電容器那樣的極性。由此可見(jiàn)，由于耐電壓提高，可以提 供每單位體積的cv積比以往的電解電容器大、且無(wú)極性的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的主要方式之一，(2)除上述(1)以 外，并且，上述絕緣體層是使導(dǎo)電性高分子熱分解(熱解)而形成的
層。因此，即使是屬于第一組的孔的內(nèi)部和屬于第二組的孔的內(nèi)部這 樣的難于充填絕緣性樹(shù)脂的部位，也能穩(wěn)定地得到絕緣性。
另外，本發(fā)明的電容元件的主要方式之一，(3)除上述第二課題 解決手段以外，并且，在上述第一引出電極和上述第二引出電極之間 進(jìn)行了電壓施加。按照這種方式，將對(duì)置電極間的短路部分燒斷。因 此，可以提供減低了漏電流的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的另一個(gè)主要方式之一，(4)除上述第 一課題解決手段以外，并且，上述絕緣體層由Ti02膜構(gòu)成。丁102膜 與構(gòu)成電介質(zhì)層的第一閥金屬氧化物(例如A1203 )相比，介電常數(shù) 高。因此，當(dāng)使絕緣層的厚度薄到有助于增大電容元件的電容的程度 時(shí)，可以得到電容更高的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的另一個(gè)主要方式之一，(5)除上述第
一課題解決手段以外，并且，上述絕緣體層由Si02膜構(gòu)成。因此，
可以提供具有高的絕緣性的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的另一個(gè)主要方式之一，(6)除上述第 一課題解決手段以外，并且，上述絕緣體層由絕緣性樹(shù)脂層構(gòu)成。因 此，可以提供具有高的絕緣性的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的另一個(gè)主要方式之一，(7)除上述第 一課題解決手段以外，并且，上述絕緣體層由第二閥金屬氧化物構(gòu)成。 因此，可以提供具有高的絕緣性的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的另一個(gè)主要方式之一，(8)除上述第 一課題解決手段以外，并且，上述絕緣體層由空氣層構(gòu)成。因此，可 以提供頻率阻抗特性中的諧振頻率高的高頻特性良好的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法，(9)具有在第一閥金屬的 箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置通過(guò)印壓(indentation)而在多個(gè)部 位上形成微小凹部的工序、對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化、分別在形 成有上述微小凹部的部位形成具有預(yù)定深度的屬于第一組的凹部、在 形成有上述微小凹部的多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第一組的 凹部淺的屬于第二組的凹部來(lái)形成多孔板狀的電介質(zhì)的工序。并且，
具有在上述電介質(zhì)的屬于第一組的凹部的內(nèi)面和屬于第二組的凹部
的內(nèi)面通過(guò)非電解電鍍形成種子(seed)層、同時(shí)在上述電介質(zhì)的一 個(gè)主面上形成第一引出電極的工序、通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第 一組的凹部的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的 屬于第一組的多個(gè)孔的工序。并且，具有在屬于上述第一組的孔內(nèi)的 上述晶粒層種子層上通過(guò)電解電鍍留下上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)?的上述孔的前端而形成第一柱狀電極的工序、通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì) 的屬于第二組的凹部的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面 側(cè)開(kāi)口的屬于第二組的多個(gè)孔的工序。并且，具有分別在屬于上述第 一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的頂端上和屬于上述第二組的孔內(nèi) 的上述第一引出電極上通過(guò)電解聚合形成導(dǎo)電性高分子層使其將上 述孔封堵的工序、在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述晶粒層種子層上通 過(guò)電解電鍍形成第二柱狀電極、同時(shí)在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上形 成第二引出電極的工序。并且，具有使上述導(dǎo)電性高分子層熱分解而 絕緣化后形成絕緣體層的工序、通過(guò)施加電壓將上述第一柱狀電極的 頂端與上述第二引出電極之間和上述第二柱狀電極的頂端與上述第 一引出電極之間的短路部位燒斷的工序。因此，可以穩(wěn)定地生產(chǎn)結(jié)構(gòu) 為分別將第 一柱狀電極容納在由第 一 閥金屬氧化物構(gòu)成的多孔板狀 的電介質(zhì)的屬于第一組的孔內(nèi)、將第二柱狀電極容納在屬于第二組的 孔內(nèi)、同時(shí)分別設(shè)置絕緣體層使其將絕緣性最容易降低的屬于上述第 一組的孔內(nèi)的上述第 一 柱狀電極的頂端上封堵并將絕緣性最容易降 低的屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端上封堵的電 容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法，(10)具有在第1第一閥 金屬的箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置在通過(guò)印壓而在多個(gè)部位上 形成微小凹部的工序、對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化、并分別在形成 有上述微小凹部的部位形成具有預(yù)定深度的屬于第1第一組的凹部、
在形成有上述微小凹部的多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第1第一 組的凹部淺的屬于第2第二組的凹部來(lái)形成多孔板狀的電介質(zhì)的工
序、通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第1第一組的凹部的底部除去而形 成在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第1第一組的多個(gè)孔的工 序、在上述電介質(zhì)的形成有屬于上述第2第二組的凹部的一個(gè)主面上 形成第1第一供電電極的工序、在屬于上述第1第一組的孔內(nèi)通過(guò)電 解電鍍留下上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻?第 一柱狀電極的工序、分別在屬于上述第1第一組的孔內(nèi)的上述第1第 一柱狀電極的頂端上形成將上述孔封堵的絕緣體層的工序、通過(guò)蝕刻 將上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上的上述第1第一供電電極和屬于上述第2 第二組的凹部的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口 的屬于第2第二組的多個(gè)孔的工序、在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上形
成第2第二引出電極的工序、在屬于上述第2第二組的孔內(nèi)的上述第 2第二引出電極上通過(guò)電解電鍍留下上述電介質(zhì)的一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜?孔的前端而形成第2第二柱狀電極的工序、分別在屬于上述第2第二 組的孔內(nèi)的上述第2第二柱狀電極的頂端上形成將上述孔封堵的絕緣 體層的工序、在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上形成與上述第1第一柱狀電 極的基端連接的第1第一引出電極的工序。因此，可以穩(wěn)定地生產(chǎn)結(jié) 構(gòu)為分別將第1第一柱狀電極容納在由第1第一閥金屬氧化物構(gòu)成的 多孔板狀的電介質(zhì)的屬于第1第一組的孔內(nèi)、將第2第二柱狀電極容 納在屬于第2第二組的孔內(nèi)、同時(shí)在上述第l第一柱狀電極的頂端和 上述第2第二引出電極之間設(shè)置絕緣體層使其將絕緣性最容易降低的 屬于上述第1第一組的孔封堵、并在上述第2第二柱狀電極的頂端和 上述第1第一引出電極之間設(shè)置絕緣體層使其將絕緣性最容易降低的 屬于上述第2第二組的孔封堵的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法的主要方式之一，(11)除 上述第十課題解決手段以外，并且，在上述第一柱狀電極的頂端上形 成絕緣體層的工序和在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的 工序，在分別將上述第一供電電極和上述第二引出電極作為供電層而 形成有導(dǎo)電性高分子膜后，通過(guò)熱分解而絕緣化。因此，能以簡(jiǎn)便的 制造工藝穩(wěn)定地生產(chǎn)具有高的絕緣性的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法的另 一 個(gè)主要方式之一 ，
(12) 除上述第十課題解決手段以外，并且，在上述第一柱狀電極的 頂端上形成絕緣體層的工序和在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕 緣體層的工序，在分別將上述第一供電電極和上述第二引出電極作為
供電層而形成有Ti02電淀積膜后，通過(guò)熱處理而絕緣化。因此，能
以簡(jiǎn)便的制造工藝穩(wěn)定地生產(chǎn)電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法的另 一個(gè)主要方式之一，
(13) 除上述第十課題解決手段以外，并且，在上述第一柱狀電極的 頂端上形成絕緣體層的工序和在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕 緣體層的工序，分別將上述第一供電電極和上述第二引出電極作為供 電層而對(duì)Si02層進(jìn)行電解電鍍。因此，能以簡(jiǎn)便的制造工藝穩(wěn)定地 生產(chǎn)具有高的絕緣性的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法的另 一個(gè)主要方式之一，
(14) 除上述第十課題解決手段以外，并且，在上述第一柱狀電極的 頂端上形成絕緣體層的工序和在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕 緣體層的工序，在分別將上述第一供電電極和上述第二引出電極作為 供電層而形成有Sn — Pd鍍層后，在上述Sn — Pd鍍層上濕式淀積Si02 層。因此，能以較簡(jiǎn)便的制造工藝穩(wěn)定地生產(chǎn)具有高的絕緣性的電容 元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法，U5)具有在第一閥金屬 的箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置通過(guò)印壓而在多個(gè)部位上形成微 小凹部的工序、對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化、并分別在形成有上述 微小凹部的部位形成具有預(yù)定深度的屬于第一組的凹部、在形成有上 述微小凹部的多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第 一 組的凹部淺的 屬于第二組的凹部來(lái)形成多孔板狀的電介質(zhì)的工序、通過(guò)蝕刻將上述 電介質(zhì)的屬于第一組的凹部的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另一 個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第一組的多個(gè)孔的工序、在上述電介質(zhì)的形成有 屬于上述第二組的凹部的一個(gè)主面上形成第一供電電極的工序、在屬 于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一供電電極上通過(guò)電解電鍍留下上述
電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻谝恢鶢铍姌O的工序、 通過(guò)蝕刻將上述第一供電電極和上述電介質(zhì)的屬于第二組的凹部的 底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第二組的 多個(gè)孔的工序、分別在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的 頂端上和屬于上述第二組的多個(gè)孔內(nèi)形成將上述孔封堵的絕緣體層 的工序、在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上形成第二引出電極的工序、在 屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二引出電極上通過(guò)電解電鍍留下上 述電介質(zhì)的一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻诙鶢铍姌O的工序、 分別在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端上形成將 上述孔封堵的絕緣體層的工序、在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上形成與上 述第一柱狀電極的基端連接的第一引出電極的工序。因此，可以穩(wěn)定 地生產(chǎn)結(jié)構(gòu)為分別將第 一柱狀電極容納在由第 一 閥金屬氧化物構(gòu)成 的多孔板狀的電介質(zhì)的屬于第 一組的孔內(nèi)、將第二柱狀電極容納在屬 于第二組的孔內(nèi)、同時(shí)分別設(shè)置絕緣體層使其將絕緣性最容易降低的 屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的頂端上封堵并將絕緣 性最容易降低的屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端 上封堵的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法的主要方式之一，(16)除
上述第一5課題解決手段以外，并且，在上述第一柱狀電極的頂端上 形成絕緣體層的工序，在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極 的頂端上和屬于上述第二組的多個(gè)孔內(nèi)分別埋入了絕緣性樹(shù)脂后，將 屬于上述第二組的多個(gè)孔內(nèi)的絕緣性樹(shù)脂除去，在上述第二柱狀電極 的頂端上形成絕緣體層的工序，在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二 柱狀電極的頂端上分別埋入絕緣性樹(shù)脂。因此，能以簡(jiǎn)便的制造工藝 穩(wěn)定地生產(chǎn)具有高的絕緣性的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法的另 一個(gè)主要方式之一 ， (17)除上述第一 5課題解決手段以外，并且，在上述第一柱狀電極 的頂端上形成絕緣體層的工序，在上述電介質(zhì)的上述第一柱狀電極的 頂端側(cè)的上述另 一個(gè)主面上形成有絕緣性樹(shù)脂膜后，除屬于上述第一
組的孔內(nèi)以外將上述另一個(gè)主面上的絕緣性樹(shù)脂膜除去，在上述第二 柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序，在上述電介質(zhì)的上述第二柱 狀電極的頂端側(cè)的上述另 一個(gè)主面上形成有絕緣性樹(shù)脂膜后，除屬于 上述第二組的孔內(nèi)以外將上述另一個(gè)主面上的絕緣性樹(shù)脂膜除去。因 此，能以較簡(jiǎn)便的制造工藝穩(wěn)定地生產(chǎn)具有高的絕緣性的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法，(18)具有在第一閥金屬 的箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置通過(guò)印壓而在多個(gè)部位上形成微 小凹部的工序、對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化、并分別在形成有上述 微小凹部的部位形成具有預(yù)定深度的屬于第一組的凹部、在形成有上 述微小凹部的多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第 一 組的凹部淺的 屬于第二組的凹部來(lái)形成多孔板狀的電介質(zhì)的工序、通過(guò)蝕刻將上述 電介質(zhì)的屬于第一組的凹部的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另一 個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第一組的多個(gè)孔的工序、在上述電介質(zhì)的形成有 屬于上述第二組的凹部的一個(gè)主面上形成第一供電電極的工序、在屬 于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一供電電極上通過(guò)電解電鍍留下上述 電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻谝恢鶢铍姌O的工序、 通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第二組的凹部的底部除去而形成在上 述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第二組的多個(gè)孔的工序、在上述 電介質(zhì)的上述第一柱狀電極的頂端側(cè)的上述另一個(gè)主面上形成第二 岡金屬層的工序、除屬于上述第一組的孔內(nèi)以外將上述另一個(gè)主面上 的第二閥金屬層除去的工序、通過(guò)將上述第一供電電極作為供電層并 對(duì)上述第二閥金屬層進(jìn)行陽(yáng)極氧化而分別在屬于上述第一組的孔內(nèi) 的上述第一柱狀電極的頂端上和屬于上述第二組的多個(gè)孔內(nèi)形成將 上述孔封堵的絕緣體層的工序、通過(guò)蝕刻將上述第一供電電極除去的 工序、在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上形成第二引出電極的工序、在屬 于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二引出電極上通過(guò)電解電鍍留下上述 電介質(zhì)的 一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻诙鶢铍奮l的工序、在 上述電介質(zhì)的上述第二柱狀電極的頂端側(cè)的上述一個(gè)主面上形成第 二閥金屬層的工序、除屬于上述第二組的孔內(nèi)以外將上述一個(gè)主面上
的第二閥金屬層除去的工序、分別在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第 二柱狀電極的頂端上形成將上述孔封堵的絕緣體層的工序、通過(guò)將上 述第二引出電極作為供電層并對(duì)上述第二閥金屬層進(jìn)行陽(yáng)極氧化而 在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上形成與上述第一柱狀電極的基端連接的 第一引出電極的工序。因此，可以穩(wěn)定地生產(chǎn)結(jié)構(gòu)為分別將第一柱狀 電極容納在由第一閥金屬氧化物構(gòu)成的多孔柱狀的電介質(zhì)的屬于第 一組的孔內(nèi)、將第二柱狀電極容納在屬于第二組的孔內(nèi)、同時(shí)分別設(shè) 置絕緣體層使其將絕緣性最容易降低的屬于上述第一組的孔內(nèi)的上 述第一柱狀電極的頂端上封堵并將絕緣性最容易降低的屬于上述第 二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端上封堵的電容元件。
另外，本發(fā)明的電容元件的制造方法，U9)具有在第一閥金屬 的箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置在通過(guò)印壓而在多個(gè)部位上形成 微小凹部的工序、對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化、并分別在形成有上 述微小凹部的部位形成具有預(yù)定深度的屬于第 一 組的凹部、在形成有 上述孩i小凹部的多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第一組的凹部淺 的屬于第二組的凹部來(lái)形成多孔板狀的電介質(zhì)的工序、通過(guò)蝕刻將上 述電介質(zhì)的屬于第一組的凹部的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第一組的多個(gè)孔的工序、在上述電介質(zhì)的形成 有屬于上述第二組的凹部的一個(gè)主面上形成第一供電電極的工序、在 屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一供電電極上通過(guò)電解電鍍留下上 述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻谝恢鶢铍姌O的工 序、通過(guò)蝕刻將上述第一供電電極和上述電介質(zhì)的屬于第二組的凹部 的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第二組 的多個(gè)孔的工序、在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上通過(guò)濺射在與上述第 一柱狀電極的頂端之間隔著空氣層形成第二引出電極的工序、在屬于 上述第二組的孔內(nèi)的上述第二引出電極上通過(guò)電解電鍍留下上述電 介質(zhì)的一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻诙鶢铍姌O的工序、在上 述電介質(zhì)的一個(gè)主面上通過(guò)濺射在與上述第二柱狀電極的頂端之間 隔著空氣層形成與上述第一柱狀電極的基端連接的第一引出電極的
工序。因此，可以分別將第一柱狀電極容納在由第一閥金屬氧化物構(gòu) 成的多孔板狀的電介質(zhì)的屬于第 一組的孔內(nèi)、將第二柱狀電極容納在 屬于第二組的孔內(nèi)，同時(shí)省略了在上述第一柱狀電極的頂端上和上述 第二柱狀電極的頂端上分別設(shè)置絕緣體層的工序，因而能以簡(jiǎn)便的制 造工藝穩(wěn)定地生產(chǎn)電容元件。
其他的本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)，從以下的詳細(xì)說(shuō) 明和附圖將看得很清楚。


圖1是表示本發(fā)明的電容元件的第 一 實(shí)施方式的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖2是表示上述第 一 實(shí)施方式的電容元件的變形例的剖視圖。 圖3是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第 一 實(shí)施方式的 一例
的制造工序的順序的圖。
圖4是表示上述第一實(shí)施方式的一例的各工序的圖。
圖5是表示上述第一實(shí)施方式的一例的各工序的圖。
圖6是表示上述第一實(shí)施方式的一例的各工序的圖。
圖7是表示上述第 一 實(shí)施方式的另 一 例的制造工序的順序的圖。
圖8是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第二實(shí)施方式的制造
工序的順序的圖。
圖9是表示上述第二實(shí)施方式的各工序的圖。
圖IO是表示上述第二實(shí)施方式的各工序的圖。
圖11是表示上述第二實(shí)施方式的一例的制造工序的順序的圖。
圖12是表示上述第二實(shí)施方式的一例的絕緣體層形成工序的圖。
圖13是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第三實(shí)施方式的一
例的制造工序的順序的圖。
圖14是表示上述第三實(shí)施方式的一例的絕緣體層形成工序的圖。 圖15是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第四實(shí)施方式的一
例的制造工序的順序的圖。
圖16是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第五實(shí)施方式的一 例的制造工序的順序的圖。
圖17是表示上述第五實(shí)施方式的一例的絕緣體層形成工序的圖。 圖18是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第六實(shí)施方式的一
例的制造工序的順序的圖。
圖19是表示上述第六實(shí)施方式的一例的各工序的圖。
圖20是表示上述第六實(shí)施方式的一例的各工序的圖。
圖21是表示上述第六實(shí)施方式的一例的制造工序的順序的圖。
圖22是表示上述第六實(shí)施方式的一例的絕緣體層形成工序的圖。
圖23是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第七實(shí)施方式的一
例的制造工序的順序的圖。
圖24是表示上述第七實(shí)施方式的一例的絕緣體層形成工序的圖。 圖25是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第八實(shí)施方式的一
例的制造工序的順序的圖。
圖26是表示上述第八實(shí)施方式的一例的各工序的圖。 圖27是表示上述第八實(shí)施方式的一例的各工序的圖。 圖28是表示上述第八實(shí)施方式的一例的各工序的圖。 圖29是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第九實(shí)施方式的一
例的制造工序的順序的圖。
圖30是表示上述第九實(shí)施方式的一例的各工序的圖。 圖31是表示上述第九實(shí)施方式的一例的各工序的圖。
的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖33是表示采用了本發(fā)明的電容元件的電容器的第二實(shí)施方式 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖34是表示采用了本發(fā)明的電容元件的電容器埋入多層配線(xiàn)基 才反的實(shí)施方式的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖—見(jiàn)圖。
圖35是表示背景技術(shù)的電容元件的制造方法的圖。
圖36是表示背景技術(shù)的電容元件的制造方法的圖。
圖37是表示背景技術(shù)的電容元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照?qǐng)D1和圖2說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的第一實(shí)施方式。
圖1是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的電容元件10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的方文大剖禍L 圖，圖1 (A)是A —A線(xiàn)的橫截面圖，圖1 (B)是B —B線(xiàn)的縱截 面圖。圖2是表示上述第一實(shí)施方式的電容元件IO的變形例的內(nèi)部 結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
如圖1所示，第一實(shí)施方式的電容元件10具有由第一閥金屬 氧化物構(gòu)成的多孔板狀的電介質(zhì)14;分別在交替地配置在上述電介質(zhì) 14上的屬于第一組的孔15a3內(nèi)和屬于第二組的孔15b3內(nèi)形成的柱狀 電極16a、 16b;分別在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述柱狀電極 16a的頂端t上和屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的上述柱狀電極16b的 頂端t上形成的由有機(jī)絕緣體層構(gòu)成的絕緣體層18a、 18b;以及分別 設(shè)置在上述電介質(zhì)14的一個(gè)和另一個(gè)主面14a、 14b上并分別與上述 柱狀電極16a、 16b連接的引出電極12a、 12b。
上述柱狀電才及16a、 16b由在屬于第一組的孔15a3內(nèi)形成的第一 柱狀電極16a和在屬于第二組的孔15b3內(nèi)形成的第二柱狀電極16b 構(gòu)成。屬于上述第一組的孔15a3、屬于第二組的孔15b3的配置如圖 l(A)所示，其結(jié)構(gòu)為，當(dāng)以特定的孔為中心時(shí)，屬于同一組的孔僅 在將周?chē)?等分中的隔著上述特定的孔而彼此相對(duì)的2個(gè)方向上鄰 接、其他4個(gè)方向由屬于另一組的孔包圍。而且，在圖1 (A)所示 的B — B線(xiàn)的縱截面上，屬于第一組的孔15a3和屬于第二組的孔15b3 沿橫向交替地排列。換句話(huà)說(shuō)，上述交替的排列，在向上的方向鄰接 的列和向下的方向鄰接的列上，呈直線(xiàn)狀地連續(xù)反復(fù)。在這種情況下， 對(duì)磁場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性良好，因此是等效串聯(lián)電感(ESL)低的適合于高頻 電路的用途的電容元件。
更具體地說(shuō)，本實(shí)施方式的電容元件10具有交替地配置了多 個(gè)在厚度方向上貫通的屬于第一組的孔15a3和屬于第二組的孔15b3
的由第一閥金屬氧化物構(gòu)成的多孔板狀的電介質(zhì)14;分別在屬于上述 第一組的多個(gè)孔15a3內(nèi)形成且基端b在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面上 露出的第一柱狀電極16a;分別在屬于上述第二組的多個(gè)孔15b3內(nèi)形 成且基端b在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面上露出的第二柱狀電極 16b。并且，還具有分別設(shè)置成在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)將上 述第一柱狀電極16a的頂端t上封堵、并在屬于上述第二組的孔15b3 內(nèi)將上述第二柱狀電極16b的頂端t上封堵的由有機(jī)絕緣體層構(gòu)成的 絕緣體層18a、 18b;設(shè)置在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上并與上 述第一柱狀電極16a的基端b連接的第一引出電極12a;設(shè)置在上述 電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b上并與上述第二柱狀電極16b的基端b 連接的第二引出電極12b。
此外，上述電介質(zhì)14中的屬于第一組的孔15a和屬于第二組的 孔15b的排列，并不限定于上述，也可以例如如下述圖2 (C) ~圖2 (E)所示，可以是各種變形例。
在圖2(C)中示出橫截面的電容元件10'，其A' — A'線(xiàn)的縱截面， 與前面的圖l(B)—樣，屬于第一組的孔15a3'和屬于第二組的孔15b3' 沿橫向交替地排列。而且，上述交替的排列，在向上的方向鄰接的列 和向下的方向鄰接的列上，呈折線(xiàn)狀地連續(xù)反復(fù)。在這種情況下，與 上述的電容元件IO相比，存在著磁場(chǎng)的定向性稍有降低、ESL要增 加一些的傾向。
另外，在圖2(D)中示出橫截面的電容元件10"，其A" —A"線(xiàn) 的縱截面，與前面的圖1 (B)—樣，屬于第一組的孔15a3"和屬于第 二組的孔15b3"沿橫向交替地排列。而且，上述交替的排列，分別在 向上的方向和向下的方向每隔一列呈折線(xiàn)狀地反復(fù)。在這種情況下， 與上述的電容元件IO相比，第一柱狀電極的數(shù)目和第二柱狀電極的 數(shù)目不同，因此耐電流(耐脈動(dòng))性稍有降低。而且，ESL與上述相 比也存在著增加的傾向。
并且，在圖2 (E)中示出橫截面的電容元件10"，，其A"，-A"，線(xiàn)的縱截面，與前面的圖l(B)—樣，屬于第一組的孔15a3"， 和屬于第二組的孔15b3"，沿橫向交替地排列。而且，上述交替的排 列，分別在向上的方向和向下的方向每隔一列呈直線(xiàn)狀地反復(fù)。在這
種情況下，與上述電容元件IO"同樣地，與上述的電容元件IO相比，
第一柱狀電極的數(shù)目和第二柱狀電極的數(shù)目不同，因此耐電流(耐脈
動(dòng))性稍有降低。而且，ESL與上述相比也存在著增加的傾向。
另外，本實(shí)施方式的電容元件10除上述結(jié)構(gòu)以外，并且，上述 有機(jī)絕緣體層是使導(dǎo)電性高分子層17a、 17b熱分解而形成的層。
另外，本實(shí)施方式的電容元件10除上述結(jié)構(gòu)以外，并且，在上 述第一引出電極12a和上述第二引出電極12b之間進(jìn)行了施加電壓， 將上述第一柱狀電極16a的頂端t與上述第二引出電極12b之間和上 述第二柱狀電極16b的頂端t與上述第一引出電極12a之間的短路部 位燒斷。
以下，參照?qǐng)D3~圖6說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的制造方法的第一 實(shí)施方式。圖3是表示本實(shí)施方式的電容元件10的制造方法的制造 工藝的一例的概要的流程圖。另外，圖4~圖6是用于說(shuō)明該制造工 藝的各工序的與上述圖1 (B)對(duì)應(yīng)的縱截面圖，其順序?yàn)閳D4(a) ~ (e)、圖5(f) ~ (i)、圖6(j) ~ (m)。此外，對(duì)圖3中的各工序 標(biāo)記的符號(hào)與圖4~圖6的括號(hào)內(nèi)的符號(hào)相對(duì)應(yīng)。
首先，本實(shí)施方式的電容元件的制造方法的概要如圖3中的一例 所示，a:準(zhǔn)備第一閥金屬的箔片，b、 (d):在該箔片的一個(gè)主面上 例如通過(guò)印壓而形成微小凹部。然后，c、 e:例如通過(guò)陽(yáng)極氧化在上 述箔片的一個(gè)主面上形成具有深度不同的屬于第一組的凹部和屬于 第二組的凹部的電介質(zhì)。接著，f:在該凹部的內(nèi)面上，例如通過(guò)非 電解電鍍形成種子層。接著，g:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將屬于上述第一 組的凹部的底部除去而形成屬于第一組的孔。接著，h:例如通過(guò)電 解電鍍，在屬于第一組的孔內(nèi)留下上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜?孔的前端而形成第一柱狀電極，同時(shí)在多孔板狀的電介質(zhì)一個(gè)主面上 形成第一引出電極。接著，i:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將屬于上述第二組的 凹部的底部除去而形成屬于第二組的孔。接著，j:例如通過(guò)電解聚合
形成導(dǎo)電性高分子層，使其封堵屬于上述第一組的孔和屬于第二組的
孔。接著，k:例如通過(guò)電解電鍍，在屬于上述第二組的孔內(nèi)，留下
上述電介質(zhì)的一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻诙鶢铍姌O，同時(shí)
在多孔板狀的電介質(zhì)另一個(gè)主面上形成第二引出電極。接著，1:例如 通過(guò)熱分解，使上述導(dǎo)電性高分子層絕緣化。接著，m:例如通過(guò)施 加電壓將對(duì)置電極間的短^^部分燒斷。
更具體地說(shuō)，首先，如圖4 (a)所示，準(zhǔn)備例如由Al等的第一 閥金屬構(gòu)成的箔片13。
然后，如圖4(b)所示，將該第一閥金屬箔片13放置在支承體 11上，并進(jìn)行將在一個(gè)主面上按預(yù)定的配置在多個(gè)部位形成有微小突 起llal的壓模lla按壓在上述箔片13的一個(gè)主面13a上的所謂印壓， 在上述箔片13的一個(gè)主面13a上按預(yù)定的配置在多個(gè)部位上形成微 小凹4卩15al。
接著，如圖4 (c)所示，對(duì)上述第一閥金屬的箔片13進(jìn)行陽(yáng)極 氧化，在形成有上述^:小凹部15al的部位形成屬于第一組的凹部 15a2。另外，在形成有上述微小凹部15al的多個(gè)部位之間，根據(jù)需 要如圖4(d)所示與上述同樣地進(jìn)行將在一個(gè)主面上按預(yù)定的配置在 多個(gè)部位形成有微小突起llbl的壓模llb按壓在上述箔片13的一個(gè) 主面13a上的所謂印壓，在上述箔片13的一個(gè)主面13a上按預(yù)定的 配置在多個(gè)部位上形成微小凹部15bl。對(duì)箔片13再進(jìn)行一次陽(yáng)極氧 化。
由此，如圖4(e)所示，分別在形成有上述^N、凹部15al的部 位形成具有預(yù)定深度的屬于第一組的凹部15a2、以及在形成有上述微 小凹部15al的多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第一組的凹部15a2 淺的屬于第二組的凹部15b2，從而形成多孔板狀的電介質(zhì)14。
接著，如圖5 (f)所示，通過(guò)非電解電鍍?cè)谏鲜鲭娊橘|(zhì)14的屬 于第 一組的凹部15a2的內(nèi)面和屬于第二組的凹部15b2的內(nèi)面形成種 子層S，同時(shí)在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成第一引出電極 12a。
接著，如圖5 (g)所示，通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于
第一組的凹部15a2的底部除去而形成在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面 14b側(cè)開(kāi)口的屬于第一組的多個(gè)孔15a3。
接著，如圖5(h)所示，在上述電介質(zhì)14的屬于第一組的孔15a3 內(nèi)的上述種子層S上，通過(guò)電解電鍍留下上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主 面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成基端b與上述第一引出電極12a 連接的第一柱狀電極16a。這時(shí)，上述柱狀電極16a的長(zhǎng)度，最好是 其頂端t沒(méi)有達(dá)到上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b的長(zhǎng)度。
接著，如圖5 (i)所示，通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于 第二組的凹部15b2的底部除去而形成在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面 14b側(cè)開(kāi)口的屬于第二組的多個(gè)孔15b3。
接著，如圖6 (j)所示，分別在上述電介質(zhì)14的屬于第一組的 孔15a3內(nèi)的上述柱狀電極16a的頂端t上和屬于上述第二組的多個(gè)孔 15b3內(nèi)的第一引出電極12a上通過(guò)電解聚合形成導(dǎo)電性高分子層 17a、 17b,使其分別將上述孔15a3、 15b3封堵。
接著，如圖6(k)所示，在上述電介質(zhì)14的屬于第二組的孔15b3 的內(nèi)面的上述種子層S上通過(guò)電解電鍍形成第二柱狀電極16b,同時(shí) 在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b上形成第二引出電極12b。
接著，將通過(guò)上述工序得到的電介質(zhì)14加熱到例如300°C,如圖 6(1)所示，使上述導(dǎo)電性高分子層17a、 17b熱分解而絕緣化后形成 由有機(jī)絕緣體層構(gòu)成的絕緣體層18a、 18b。作為上述熱分解前的上述 導(dǎo)電性高分子層17a、 17b整體的漏電流的電阻值例如為0.8mQ。而 作為上述熱分解后的上述由有機(jī)絕緣體層構(gòu)成的絕緣體層18a、 18b 整體的漏電流的電阻^i例如為50kQ。
接著，通過(guò)施加電壓，將上述第一柱狀電極16a的頂端t與上述 第二引出電極12b之間和上述第二柱狀電極16b的頂端t與上述第一 引出電極12a之間的短路部位燒斷，如圖6 (m)所示，得到本實(shí)施 方式的電容元件10。
其次，上述第一閥金屬的箔片13的優(yōu)選的實(shí)施方式如下。即，
作為上述第一閥金屬，最好是Al，但并不限定于此，例如也可以是
Ta、 Nb、 Ti、 Hf、 W、 V的單體或其合金，作為上述第一閥金屬的箔 片13,可以由1片箔片制成1個(gè)電容元件，也可以由1片箔片制成多 個(gè)電容元件。當(dāng)由1片箔片制成l個(gè)電容元件時(shí)，最好是例如長(zhǎng)10mmx 寬10mm~長(zhǎng)lmmx寬lmm、厚20|am ~ 500[im。而當(dāng)由1片箔片制成 多個(gè)電容元件時(shí)，最好是例如長(zhǎng)500mmx寬500mm ~長(zhǎng)10mmx寬 10mm、厚20, ~ 500,。
另外，上述印壓的優(yōu)選實(shí)施方式如下。即，作為上述印壓，當(dāng)例 如用Al箔片作為第一閥金屬的箔片13時(shí)，最好是用例如以形成二維 三角點(diǎn)陣狀的三角點(diǎn)陣的突起的點(diǎn)陣常數(shù)70nm形成有多個(gè)微小突起
的SiC制的壓模在該Al箔片的表面進(jìn)行按壓，但并不限定于此，例 如也可以用具有單 一 的微小突起的例如圓錐狀的壓模按預(yù)定的配置 反復(fù)進(jìn)行多次按壓。
另外，上述陽(yáng)極氧化的優(yōu)選實(shí)施方式如下。即，作為上述陽(yáng)極氧 化，最好是例如在陽(yáng)極氧化浴(0.3M的H2S04、溫度10°C)中在使 氧化電壓穩(wěn)定在25V的條件下進(jìn)行，使屬于上述第一組的凹部15a2 分別達(dá)到預(yù)定的深度。
接著，上述電介質(zhì)層d的優(yōu)選實(shí)施方式如下。即，作為上述電介 質(zhì)層d，最好是通過(guò)對(duì)上述第一閥金屬的箔片13進(jìn)行陽(yáng)極氧化而形成 為多孔板狀。與上述電介質(zhì)14同樣地，最好是上述第一閥金屬的氧 化物，例如最好是作為Al的氧化物的A1203。在這種情況下，該電介 質(zhì)層d的介電常數(shù)約為10。另外，不限定性于此，例如也可以是上述 其他的閥金屬、例如Ta、 Nb、 Ti、 Hf、 W、 V的氣化物。
接著，上述電介質(zhì)14的優(yōu)選實(shí)施方式如下。即，作為上述電介 質(zhì)14，最好是通過(guò)對(duì)上述第一閥金屬的箔片13進(jìn)行陽(yáng)極氧化而形成 為多孔板狀。作為上述電介質(zhì)，最好是上述第一閥金屬的氧化物，例 如，最好是作為Al的氧化物的A1203，但并不限定于此，也可以是上 述其他的閥金屬、例如Ta、 Nb、 Ti、 Hf、 W、 V的氧化物。
接著，上述種子層S的優(yōu)選實(shí)施方式如下。即，作為上述種子層
S，最好是Cu，但并不限定于此，例如也可以是Sn、 Ag、 Au、 Zn、 Cr、 Pt、 Ni的單體或其合金。上述種子層S,最好是從上述多孔板狀 的電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)通過(guò)非電解電鍍?cè)趯儆谏鲜龅谝唤M的 凹部15a2和屬于上述第二組的凹部15b2的各自的內(nèi)面上形成。而且， 其厚度最好為lnm 10nm。
另外，在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)進(jìn)行的蝕刻的優(yōu)選 方式如下。即，作為上述蝕刻，最好是將上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主 面14b側(cè)浸漬在HgCl2溶液中，進(jìn)行化學(xué)蝕刻。
接著，上述第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b的優(yōu)選方式如 下。即，作為上述柱狀電極16a、 16b，與上述引出電極12a、 12b同 樣地，最好是Cu,但并不限定于此，例如也可以是Sn、 Ag、 Au、 Zn、 Cr、 Pt、 Ni的單體或其合金。另外，上述柱狀電極16a、 16b,最好是 通過(guò)電解電鍍?cè)谏鲜鰧儆诘谝唤M和第二組的孔15a3、 15b3的上述種 子層S上形成。上述柱狀電極16a、 16b的直徑為幾nm ~幾百nm即 可。而且，上述柱狀電極16a、 16b的高度沒(méi)有特別的限制，幾nm 幾jim即可，幾十nm~幾(im更為理想。
接著，上述第一引出電極12a和第二引出電極12b的優(yōu)選方式如 下。即，作為上述引出電極12a、 12b,最好是Cu,但并不限定于此， 例如也可以是Sn、 Ag、 Au、 Zn、 Cr、 Pt、 Ni的單體或其合金。上述 引出電極12a、 12b，最好是用電解電鍍、非電解電鍍、或真空蒸鍍等 方法形成為面狀，使其分別覆蓋上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a和另 一個(gè)主面14b，其厚度最好為l|im~100jam。
接著，上述導(dǎo)電性高分子層17a、 17b的優(yōu)選方式如下。即，作 為上述導(dǎo)電性高分子層17a、 17b,最好是在由單體和電介質(zhì)構(gòu)成的水 溶液中對(duì)上述電介質(zhì)14供電并通過(guò)電解聚合形成為分別將屬于上述 第一組的孔15a3和屬于第二組的孔15b3封堵。
作為上述單體，例如，最好是吡咯(濃度0.2mol/l)，但并不限定 于此，例如，最好是聚苯胺、聚乙烯二氧噻吩(polyethlenedihydroxy thiophene)、三喚二硫吩、聚(噻吩并吡咯)等。
另外，作為上述電解質(zhì)，例如最好是p —磺酸鈉(PTS)的水溶
液(濃度0.3mol/l )。
另外，上述導(dǎo)電性高分子層17a、 17b的厚度，例如最好為1 OOnm ~ 10jLim。
另外，在上述第二柱狀電極16b和上述第二引出電極12b的形成 中，并不限定為上述電解電鍍法，例如也可以是非電解電鍍法，或也 可以是真空蒸鍍法。
另外，上述有機(jī)絕緣體層18a、 18b的優(yōu)選方式如下。即，最好 是通過(guò)將形成有上述導(dǎo)電性高分子層17a、 17b的電介質(zhì)14例如在空 氣中升溫到上述導(dǎo)電性高分子層17a、 17b中的上述單體的分解溫度 (在吡咯的情況下約為300°C)并例如保持1小時(shí)，使上述導(dǎo)電性高 分子層17a、 17b熱分解而成為絕緣體。
接著，上述絕緣體層18的優(yōu)選方式如下。即，作為上述絕緣體 層18,最好是使導(dǎo)電性高分子層熱分解后得到的有機(jī)絕緣體、對(duì)Ti02 電淀積膜進(jìn)行熱處理而得到的Ti02膜、S i02電淀積膜、在Sn — Pd 鍍層上進(jìn)行濕式淀積后的Si02層、絕緣性樹(shù)脂層等，另外，也可以 是第二閥金屬的氧化物層或空氣層。
另外，上述電壓施加的優(yōu)選方式如下。即，作為上述電壓施加， 最好是，在第一引出電極12a和上述第二引出電極12b之間例如施加 25V的電壓，例如使電流流過(guò)在上述有機(jī)絕纟彖體層18a、 18b中殘存 的上述種子層等的短路部分，由此將該短路部分燒斷，從而減低漏電流。
(實(shí)施例1 )
首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)3.0mm、寬1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13， 并用直徑10nm的SiC制的壓模1 la在多個(gè)部位進(jìn)行印壓，在該箔片 13的一個(gè)主面上以形成二維三角點(diǎn)陣狀的三角點(diǎn)陣的突起的點(diǎn)陣常 凄丈105nm而形成樣i小凹部。
然后，將該箔片13的上述一個(gè)主面浸漬在陽(yáng)極氧化浴(0.3M的 H2S04、溫度10。C)中，在使氧化電壓為25V的固定的條件下進(jìn)行陽(yáng)極氧化，形成具有各自的內(nèi)徑為30nm而深度不同的屬于第一組的凹 部15a2和屬于第二組的凹部15b2的多孔板狀的電介質(zhì)14。接著，在 上述屬于第一和第二組的凹部15a2、 15b2的內(nèi)面，通過(guò)非電解電鍍 形成種子層S。接著，通過(guò)使用HgCb溶液的化學(xué)蝕刻，將屬于上述 第一組的凹部15a2的底部除去而形成屬于上述第一組的孔15a3。接 著，對(duì)屬于上述第一組的孔15a3的內(nèi)面的種子層S供電，通過(guò)Cu電 解電鍍，在屬于第一組的孔15a3內(nèi)留下上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面 14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成第一柱狀電極16a，同時(shí)在多孔板 狀的電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成第一引出電極12a。接著，與上 述同樣地通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于上述第二組的凹部 15b2的底部除去而形成屬于第二組的孔15b3。接著，在作為單體的 吡咯(濃度0.2mol/l)和作為電解質(zhì)的p—甲苯磺酸鈉(PTS )的水溶 液(濃度0.3mol/l)中，再次供電，通過(guò)電解聚合形成將屬于上述第 一和第二組的孔封堵的由聚乙烯吡咯(Poly pyrrol)構(gòu)成的導(dǎo)電性高 分子層17a、 17b。接著，再次通過(guò)Cu電解電鍍，在屬于上述第二組 的孑L 15b3的內(nèi)部形成第二柱狀電極16b，并且在多孔板狀的電介質(zhì) 14的另一個(gè)主面14b上形成第二引出電極12b。接著，在大氣中升溫 到聚乙烯吡咯的分解溫度即300°C,保持l小時(shí)，使上述由聚乙烯吡 咯構(gòu)成的導(dǎo)電性高分子層17a、 17b熱分解而失去導(dǎo)電性，從而分別 形成厚3|im的有機(jī)絕緣體層18a、 18b。接著，在第一引出電極12a 和上述第二引出電極12b之間施加例如25V的(交流/直流)電壓， 將在上述有機(jī)絕緣體層18a、 18b中殘存的例如種子層S等的對(duì)置電 極間的短路部分燒斷，從而得到漏電流降低了的長(zhǎng)1.5mm、寬1.5mm、 厚0.2mm的電容元件10。此外，在上述電容元件10中，第一柱狀電 極16a和第二柱狀電極16b，各自的直徑為30nm,上述第一柱狀電極 16a和第二柱狀電極16b的間距為70nm，上述第一柱狀電極16a和上 述第二柱狀電極16b的彼此相對(duì)的長(zhǎng)度尺寸為100|im。
對(duì)所得到的電容元件10,用AGILENT ^^司生產(chǎn)的LCR計(jì)一 4263B測(cè)定靜電電容，并且用ADVANTEST公司生產(chǎn)的高電阻計(jì)R8340測(cè)定了耐電壓，結(jié)果是具有靜電電容為0.25mF、耐電壓為30V 的初始特性，與以往的同尺寸的電解電容器的靜電電容為47pF、耐 電壓為4V相比，CV積增大。
此外，本發(fā)明的電容元件的制造方法的第一實(shí)施方式，并不限定 于前面示出的一例，例3口也可以有i口下的變形。
圖7是表示本發(fā)明的電容元件的制造方法的第一實(shí)施方式的制造 工藝的另 一例的概要的流程圖。
具體地說(shuō)，前面的一例，在1:例如通過(guò)熱分解，使上述導(dǎo)電性 高分子層絕緣化的工序后，設(shè)有m:例如通過(guò)施加電壓將對(duì)置電極間 的短路部分燒斷的工序，而在本變形例中，是l，也可以例如通過(guò)在 高溫下施加電壓，在使上述導(dǎo)電性高分子層絕緣化的同時(shí)將短路部分 燒斷。此外，本實(shí)施方式的電容元件的制造方法，全部由濕式工藝構(gòu) 成，因而可以提供價(jià)格低的電容元件。
另外，還具有通過(guò)燒端控制漏電流的特征。
以下，說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的第二實(shí)施方式。本實(shí)施方式的電 容元件120的絕緣體層，與前面的第一實(shí)施方式同樣地，例如由通過(guò) 使導(dǎo)電性高分子層熱分解而絕緣化后得到的有機(jī)絕緣體層構(gòu)成，因此
省略其說(shuō)明。
以下，參照?qǐng)D8~圖12說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的制造方法的第二 實(shí)施方式。圖8是表示本實(shí)施方式的電容元件120的制造方法的制造 工藝的一例的概要的流程圖。而圖9和圖IO是用于說(shuō)明該制造工藝 的各工序的與上述圖1 (B)對(duì)應(yīng)的縱截面圖，接續(xù)前面的第一實(shí)施 方式的圖4(a) ~ (e)，其順序?yàn)閳D9(g2) ~ (i2)、圖10(k21) ~ (f22)。此外，對(duì)圖8中的各工序標(biāo)記的符號(hào)與圖9和圖10的括號(hào) 內(nèi)的符號(hào)相對(duì)應(yīng)。
本實(shí)施方式的電容元件的制造方法的概要，如圖8所示，a:準(zhǔn) 備第一閥金屬的箔片13， b、 (d):在該箔片13的一個(gè)主面上例如通 過(guò)印壓形成孩i小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:通過(guò)例如陽(yáng)才及氧化 在上述箔片13的一個(gè)主面13a上形成具有深度不同的屬于第一組的 凹部15a2和屬于第二組的凹部15b2的電介質(zhì)14。接著，g2:通過(guò)例 如化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于第一組的凹部15a2的底部除去而 形成屬于第一組的孔15a3。接著，f21:例如通過(guò)非電解電lt，在上 述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成第一供電電極12a'。接著，h2: 例如通過(guò)電解電鍍，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)，留下上述電介 質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成第一柱狀電極 16a。接著，j21:在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)形成將第一柱狀電極 16a的頂端t封堵的絕緣體層128a。接著，i2:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將 上述第一供電電極12a，和屬于上述第二組的凹部15b2的底部除去而 形成屬于第二組的孔15b3。接著，k21:例如通過(guò)非電解電鍍?cè)谏鲜?電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b上形成第二引出電極12b。接著，k22: 在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)，留下上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a 側(cè)的上述孔15b3的前端而形成第二柱狀電極16b。接著，j22;在屬 于上述第二組的孔15b3內(nèi)形成將第二柱狀電極16b的頂端t上封堵的 絕緣體層128b。接著，f22:在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成 與第一柱狀電極16a的基端部b連接的第一引出電極12a。
以下，說(shuō)明本實(shí)施方式的電容元件120的制造方法與前面的第一 實(shí)施方式的電容元件10的制造方法的不同點(diǎn)。在前面的實(shí)施方式中， 在屬于第一組的孔15a3內(nèi)的第一柱狀電極16a的頂端t上和屬于第二 組的孔15b3的底部統(tǒng)一形成絕緣層18，但在本實(shí)施方式中，在制造 工藝上的彼此獨(dú)立的工序中形成屬于第一組的孔15a3內(nèi)的第一柱狀 電極16a的頂端t上的絕緣體層128a和屬于第二組的孔15b3內(nèi)的第 二柱狀電極16b的頂端t上的絕緣體層128b。此外，本實(shí)施方式的電 容元件的制造方法，全部由濕式工藝構(gòu)成，因而可以提供價(jià)格低的電 容元件。
以下，在圖11和圖12中示出本實(shí)施方式的電容元件120的制造 方法的一例。圖11是表示本實(shí)施方式的制造工藝的一例的概要的流 程圖。而圖12是用于說(shuō)明該制造工藝的絕緣體層128的形成工序的 縱截面圖，此外，對(duì)圖11中的各工序標(biāo)記的符號(hào)與圖12的括號(hào)內(nèi)的
符號(hào)相對(duì)應(yīng)。
具體地說(shuō)，本實(shí)施方式的j21:在第一柱狀電極16a的頂端t上形 成絕緣體層128a的工序，是在j211:將上述第 一供電電極12a，作為 供電層例如通過(guò)電解聚合在上述第一柱狀電極16a的頂端t上形成有 導(dǎo)電性高分子層127a后、進(jìn)行j212:例如通過(guò)熱分解使上述導(dǎo)電性 高分子層127a絕緣化而形成絕緣體層128a。同樣地，本實(shí)施方式的 j22:在第二柱狀電極16b的頂端t上形成絕緣體層128b的工序，是 在j221:將上述第二引出電極12b作為供電層例如通過(guò)電解聚合在上 述第二柱狀電極16b的頂端t上形成有導(dǎo)電性高分子層127b后、進(jìn)行 j222:使上述導(dǎo)電性高分子層127b絕緣化而形成絕緣體層128b。
以下，說(shuō)明上述第一供電電極12a，的優(yōu)選實(shí)施方式。即，作為 上述第一供電電極12a，的材料，可以使用從金屬(例如，Cu、 Ni、 Cr、 Ag、 Au、 Pd、 Fe、 Sn、 Pt、 Ir、 Rh、 Ru、 Al)選一奪出的至少一 種。而且，上述第一供電電極12a，的厚度最好為幾十nm 幾^m。 另外，作為上述第一供電電極12a，的形成方法，除非電解電鍍以外， 還可以用PVD、 CVD等。 (實(shí)施例2)
首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)3.0mm、寬1.5mm、厚200(am的Al制的箔片13， 與前面的第 一 實(shí)施例同樣地，形成具有深度不同的屬于第 一 組的凹部 15a2和屬于第二組的凹部15b2的多孔寺反狀的電介質(zhì)14。
然后，通過(guò)使用HgCl2溶液的化學(xué)蝕刻，將屬于第 一組的凹部15a2 的底部除去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，通過(guò)非電解電鍍?cè)谝?個(gè)主面14a上形成由Ni構(gòu)成的第一供電電極12a，。接著，對(duì)上述第 一供電電極12a，供電，通過(guò)Cu電解電鍍，在屬于第一組的孔15a3 內(nèi)，留下上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而 形成第一柱狀電極16a。接著，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的第一 柱狀電極16a的頂端t上形成將該孔15a3封堵的由電淀積聚酰亞胺樹(shù) 脂構(gòu)成的導(dǎo)電性高分子層127a，并在300。C下進(jìn)行1小時(shí)熱處理，通 過(guò)熱分解使其失去導(dǎo)電性，形成有厚3pm的由有機(jī)絕緣體構(gòu)成的絕
緣體層128a。接著，通過(guò)使用HgCl2溶液的化學(xué)蝕刻將上述第一供電 電極12a，和屬于上述第二組的凹部15b2的底部除去而形成屬于第二 組的孔15b3。接著，通過(guò)非電解電鍍?cè)谏鲜鲭娊橘|(zhì)14的另一個(gè)主面 14b上形成由Ni構(gòu)成的第二引出電極12b。接著，在屬于上述第二組 的孔15b3內(nèi)，將上述第一供電電極12a，作為供電層，通過(guò)Cu電解 電鍍，留下上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)的上述孔15b3的前端而 形成第二柱狀電極16b。接著，在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的第二
脂構(gòu)成的導(dǎo)電性高分子層127b,并進(jìn)行熱處理而通過(guò)熱分解使其失去 導(dǎo)電性，形成有厚3pm的由有機(jī)絕緣體層構(gòu)成的絕緣體層128b。接 著，通過(guò)Cu電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成第一 引出電極12a，使其與上述第一柱狀電極16a的基端b連接，從而得 到了電容元件120。此外，在上述電容元件120中，與上述實(shí)施例1 的電容元件10同樣，第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b,各自的 直徑為30nm，上述第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b的間距為 70nm，上述第一柱狀電極16a和上述第二柱狀電極16b的彼此相對(duì)的 長(zhǎng)度尺寸為100(im。
對(duì)所得到的電容元件120,用AGILENT公司生產(chǎn)的LCR計(jì)一 4263B測(cè)定靜電電容，并且用ADVANTEST公司生產(chǎn)的高電阻計(jì) R8340測(cè)定了耐電壓，結(jié)果與上述實(shí)施例1相同，具有靜電電容為 0.25mF、耐電壓為30V的初始特性。
以下，-說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的第三實(shí)施方式。本實(shí)施方式的電 容元件130，在上述絕緣體層由Ti02膜構(gòu)成這一點(diǎn)上，與前面的第一 和第二實(shí)施方式的電容元件不同。其他結(jié)構(gòu)與前面的第一實(shí)施方式相 同，因此省略其說(shuō)明，此外，本實(shí)施方式的電容元件具有絕緣性?xún)?yōu)良 的特征。
以下，參照?qǐng)D13和圖14說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的制造方法的第 三實(shí)施方式。圖13是表示本實(shí)施方式的電容元件130的制造方法的 制造工藝的一例的概要的流程圖。而圖14是用于說(shuō)明該制造工藝的
絕緣體層形成工序的縱剖視圖。此外，對(duì)圖13中的各工序標(biāo)記的符 號(hào)與圖14的括號(hào)內(nèi)的符號(hào)相對(duì)應(yīng)。
本實(shí)施方式的電容元件130的制造方法的概要，如圖13所示，a: 準(zhǔn)備第一閥金屬的箔片13, b、 (d):在該箔片13的一個(gè)主面上例如 通過(guò)印壓形成^H、凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通過(guò)陽(yáng)極氧 化，在上述箔片13的一個(gè)主面13a上形成具有深度不同的屬于第一 組的凹部15a2和屬于第二組的凹部15b2的電介質(zhì)14。接著，g3:例 如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于第一組的凹部15a2的底部除 去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，f31:例如通過(guò)非電解電鍍， 在上述電介質(zhì)14的上述一個(gè)主面14a上形成第一供電電極12a，。接 著，h3:例如通過(guò)電解電鍍，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)，留下 上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成第一 柱狀電極16a。接著，作為與前面第二實(shí)施方式的前者的絕緣層形成 工序j21對(duì)應(yīng)的工序，j311:在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述第 一柱狀電極16a的頂端t上例如通過(guò)電解電鍍形成使其將上述孔15a3 封堵的Ti02電淀積膜137a后，j312:例如通過(guò)熱處理使上述Ti02電 淀積膜137a絕緣化而形成由Ti02膜構(gòu)成的絕緣體層138a。接著，i3: 例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述第一供電電極12a，和屬于上述第二組的凹 部15b2的底部除去而形成屬于第二組的孔15b3。接著，k31:例如通 過(guò)非電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b上形成第二引出 電極12b。接著，k32:在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)，留下上述電 介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)的上述孔15b3的前端而形成第二柱狀電極 16b。接著，作為與前面第二實(shí)施方式的后者的絕緣層形成工序j22 對(duì)應(yīng)的工序，j321:在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的上述第二柱狀電 極16b的頂端t上形成使其將上述孔15b3封堵的Ti02電淀積膜137b 后，j322:使上述Ti02電淀積膜137b絕緣化而形成由Ti02膜構(gòu)成的 絕緣體層138b。接著，D2:在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成 與上述第一柱狀電極16a的基端部b連接的第一引出電極12a。
本實(shí)施方式的電容元件的制造方法，與前面第二實(shí)施方式同樣，
在制造工藝上的彼此獨(dú)立的工序中形成屬于第一組的孔15a3內(nèi)的第 一柱狀電極16a的頂端t上的絕緣體層138a和屬于第二組的孔15b3 內(nèi)的第二柱狀電極16b的頂端t上的絕緣體層138b。
以下，說(shuō)明上述Ti02電淀積膜的優(yōu)選實(shí)施方式。即，作為上述 Ti02電淀積膜，可以使用通過(guò)在氯化鈦溶液中進(jìn)行電解電鍍處理而得 到的鈦氧化物膜。上述Ti02電淀積膜的厚度最好為幾十nm 幾 左右。
接著，說(shuō)明上述Ti02層的優(yōu)選實(shí)施方式。即，作為上述Ti02層， 厚度最好為幾十nm ~幾|am 左右。此外，在本實(shí)施方式的電容元件 的制造方法中，具有絕緣膜易于形成的特征。
接著，說(shuō)明上述熱處理的優(yōu)選實(shí)施方式。即，作為上述熱處理， 最好是在氧介質(zhì)氣氛中在例如45(TC下進(jìn)行30分鐘左右的熱處理。 (實(shí)施例3 )
首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)3.0mm、寬1.5mm、厚200|am的Al制的箔片13， 與前面的第一實(shí)施例同樣，形成具有深度不同的屬于第一組的凹部 15a2和屬于第二組的凹部15b2的多孔板狀的電介質(zhì)14。
然后，與上述實(shí)施例2同樣，形成有屬于第一組的孔15a3、第一 供電電極12a，、第一柱狀電極16a。接著，通過(guò)在氯化鈥溶液中進(jìn)行 電解電鍍處理，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的第一柱狀電極16a 的頂端t上形成使其將該孔15a3封堵的電淀積TiCb層137a，并在 450。C下進(jìn)行30分鐘熱處理，形成有由Ti02構(gòu)成的厚度為7.5}im的 絕緣體層138a。接著，與上述實(shí)施例2同樣，形成有屬于第二組的孔 15b3、第二引出電極12b、第二柱狀電極16b。接著，與上述同樣， 形成有由Ti02構(gòu)成的厚度為7.5jim的絕緣體層138b。接著，通過(guò)Cu 電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成第一引出電極12a， 使其與上述第一柱狀電極16a的基端b連接，從而得到了電容元件 130。此外，在上述電容元件130中，與上述實(shí)施例1的電容元件10 同樣，第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b,各自的直徑為30nm, 上述第一柱狀電極16a和第二柱狀電才及16b的間距為70nm,上述第
一柱狀電極16a和上述第二柱狀電極16b的彼此相對(duì)的長(zhǎng)度尺寸為 100阿。
對(duì)所得到的電容元件130,用AGILENT公司生產(chǎn)的LCR計(jì)一 4263B測(cè)定靜電電容，并且用ADVANTEST公司生產(chǎn)的高電阻計(jì) R8340測(cè)定了耐電壓，結(jié)果與上述實(shí)施例1同樣，具有靜電電容為 0.25mF、耐電壓為30V的初始特性。
以下，說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的第四實(shí)施方式。本實(shí)施方式的電 容元件140,在上述絕緣體層由Si02膜構(gòu)成這一點(diǎn)上，與前面的第一 ~ 第三實(shí)施方式的電容元件不同。其他結(jié)構(gòu)與前面的第一實(shí)施方式相 同，因此省略其說(shuō)明，此外，本實(shí)施方式的電容元件140具有熱穩(wěn)定 性?xún)?yōu)良的特征。
以下，參照?qǐng)D15說(shuō)明本發(fā)明的電容元件140的制造方法的第四 實(shí)施方式。圖15是表示本實(shí)施方式的電容元件140的制造方法的制 造工藝的 一例的概要的流程圖。
本實(shí)施方式的電容元件140的制造方法的概要，如圖15所示，a: 準(zhǔn)備第一閥金屬的箔片13, b、 (d):在該箔片13的一個(gè)主面13a上 例如通過(guò)印壓形成微小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通過(guò)陽(yáng) 極氧化，在上述箔片13的一個(gè)主面13a上形成具有深度不同的屬于 第一組的凹部15a2和屬于第二組的凹部15b2的電介質(zhì)14。接著，g4: 例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于第一組的凹部15a2的底部 除去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，f41:例如通過(guò)非電解電鍍， 在上述電介質(zhì)14的上述一個(gè)主面14a上形成第一供電電極12a，。接 著，h4:例如通過(guò)電解電鍍，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)，留下 上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成第一 柱狀電極16a。接著，作為與前面第二實(shí)施方式的前者的絕緣層形成 工序j21對(duì)應(yīng)的工序，j41:在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述第 一柱狀電極16a的頂端t上例如通過(guò)電解電鍍形成使其將上述孔15a3 封堵的由Si02層構(gòu)成的絕緣體層148a。接著，i4:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻 將上述第一供電電極12a，和屬于上述第二組的凹部15b2的底部除去而形成屬于第二組的孔15b3。接著，k41:例如通過(guò)非電解電鍍，在 上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b上形成第二引出電極12b。接著，k42: 在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)，留下上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a 側(cè)的上述孔15b3的前端而形成第二柱狀電極16b。接著，作為與前面 第二實(shí)施方式的后者的絕緣層形成工序j22對(duì)應(yīng)的工序，j42:在屬于 上述第二組的孔15b3內(nèi)的上述第二柱狀電極16b的頂端t上形成使其 將孔15b3封堵的由Si02層構(gòu)成的絕緣體層148b。接著，f42:在上 述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成與上述第一柱狀電極16a的基端 部b連接的第一引出電極12a。
本實(shí)施方式的電容元件140的制造方法，與前面的第二實(shí)施方式 同樣，在制造工藝上的彼此獨(dú)立的工序中形成屬于第一組的孔15a3 內(nèi)的第 一柱狀電極16a的頂端t上的絕緣體層148a和屬于第二組的孔 15b3內(nèi)的第二柱狀電極16b的頂端t上的絕緣體層148b。
以下，說(shuō)明上述Si02層的優(yōu)選實(shí)施方式。即，作為上述Si02層， 可以使用通過(guò)在氟硅酸銨溶液中進(jìn)行電解電鍍處理得至"的硅氧化物 膜。上述Si02層的厚度最好為幾十nm 幾iim。另外，本實(shí)施方式 的電容元件的制造方法，具有工藝簡(jiǎn)便的特征。 (實(shí)施例4)
首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)3.0mm、寬1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13, 與前面的第一實(shí)施例同樣，形成具有深度不同的屬于第一組的凹部 15a2和屬于第二組的凹部15b2的多孔才反狀的電介質(zhì)14。
然后，與上述實(shí)施例2同樣地，形成有屬于第一組的孔15a3、第 一供電電極12a，、第一柱狀電極16a。接著，通過(guò)在氟硅酸銨溶液中 進(jìn)行電解電鍍處理，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的第一柱狀電極 16a的頂端t上形成使其將該孔15a3封堵的由Si02膜構(gòu)成的厚度為 1.5pm的絕緣體層148a。接著，與上述實(shí)施例2同樣，形成有屬于第 二組的孔15b3、第二引出電極12b、第二柱狀電極16b。接著，與上 述同樣地形成有由Si02膜構(gòu)成的厚度為1.5(am的絕緣體層148b,接 著，通過(guò)Cu電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成第一
引出電極12a,使其與上述第一柱狀電極16a的基端b連接，從而得 到了電容元件140。此外，在上述電容元件140中，與上述實(shí)施例1 的電容元件10同樣，第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b各自的 直徑為30nm，上述第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b的間距為 70nm,上述第一柱狀電極16a和上述第二柱狀電極16b的彼此相對(duì)的 長(zhǎng)度尺寸為100pm。
對(duì)所得到的電容元件140,用AGILENT公司生產(chǎn)的LCR計(jì)_ 4263B測(cè)定靜電電容，并且用ADVANTEST公司生產(chǎn)的高電阻計(jì) R8340測(cè)定了耐電壓，結(jié)果與上述實(shí)施例1同樣，具有靜電電容為 0.25mF、耐電壓為30V的初始特性。
以下，說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的第五實(shí)施方式。本實(shí)施方式的電 容元件150,在上述絕緣體層由Si02膜構(gòu)成這一點(diǎn)上，與前面第四實(shí) 施方式的電容元件相同。其他結(jié)構(gòu)與前面第一實(shí)施方式的電容元件10 相同，因此將其"i兌明省略，此外，本實(shí)施方式的電容元件150,與前 面第四實(shí)施方式的電容元件140同樣，具有熱穩(wěn)定性?xún)?yōu)良的特征。
以下，參照?qǐng)D16和圖17說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的制造方法的第 五實(shí)施方式。圖16是表示本實(shí)施方式的電容元件150的制造方法的 制造工藝的一例的概要的流程圖。而圖17是用于說(shuō)明該制造工藝的 絕緣體層形成工序的縱截面圖。此外，對(duì)圖16中的各工序標(biāo)記的符 號(hào)與圖17的括號(hào)內(nèi)的符號(hào)相對(duì)應(yīng)。
本實(shí)施方式的電容元件150的制造方法的概要，如圖16所示，a: 準(zhǔn)備第一閥金屬的箔片13, b、 (d):在該箔片13的一個(gè)主面13a上 例如通過(guò)印壓形成樣l小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通過(guò)陽(yáng) 極氧化在上述箔片13的一個(gè)主面13a上形成具有深度不同的屬于第 一組的凹部15a2和屬于第二組的凹部15b2的電介質(zhì)14。接著，g5: 例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于第一組的凹部15a2的底部 除去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，f51:例如通過(guò)非電解電4度， 在上述電介質(zhì)14的上述一個(gè)主面14a上形成第一供電電極12a，。接 著，h5:例如通過(guò)電解電鍍，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)，留下
上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成第一 柱狀電極16a。接著，作為與前面第二實(shí)施方式的前者的絕緣層形成 工序j21對(duì)應(yīng)的工序，j511:在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述第 一柱狀電極16a的頂端t上例如通過(guò)電解電鍍形成有使其將上述孔 15a3封堵的Sn—Pd鍍層157a后，j512:在上述Sn — Pd鍍層157a上 通過(guò)濕式淀積形成將上述孔15a3封堵的由Si02層構(gòu)成的絕緣體層 158a。接著，i5:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述第 一供電電極12a，和屬 于上述第二組的凹部15b2的底部除去而形成屬于第二組的孔15b3。 接著，k51:例如通過(guò)非電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b 上形成第二引出電極12b。接著，k52:在屬于上述第二組的孔15b3 內(nèi)，留下上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)的上述孔15b3的前端而形 成第二柱狀電極16b。接著，作為與前面第二實(shí)施方式的后者的絕緣 層形成工序j22對(duì)應(yīng)的工序，j521:在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的 上述第二柱狀電極16b的頂端t上形成使其將孔15b3封堵的由Sn— Pd鍍層157b后，j522:在上述Sn—Pd鍍層157b上通過(guò)濕式淀積形 成將上述孔15b3封堵的由Si02層構(gòu)成的絕緣體層158b。接著，f52: 在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成與上述第一柱狀電極16a的 基端部b連接的第一引出電極12a。
本實(shí)施方式的電容元件150的制造方法，與前面第二實(shí)施方式同 樣，在制造工藝上的彼此獨(dú)立的工序中形成屬于第一組的孔15a3內(nèi) 的第一柱狀電極16a的頂端t上的絕緣體層158a和屬于第二組的孔 15b3內(nèi)的第二柱狀電極16b的頂端t上的絕緣體層158b。
以下，說(shuō)明上述Sn — Pd鍍層的優(yōu)選實(shí)施方式。即，作為上述Sn 一Pd鍍層，分別通過(guò)在SnCl2溶液、PdCl2溶液中進(jìn)行電解電鍍處理 而得到。上述鍍層的厚度最好為幾十nm 幾|im。
接著，說(shuō)明上述Si02層的濕式淀積的優(yōu)選實(shí)施方式。即，作為 上述Si02層的濕式淀積，可以使用通過(guò)在氟硅酸銨溶液中進(jìn)行非電 解電鍍處理得到的硅氧化物膜。厚度最好為幾十nm 幾(am。另夕卜， 本實(shí)施方式的電容元件的制造方法，具有工藝簡(jiǎn)便的特征。而且，上
述Si02層的濕式淀積，并不限定于上述非電解電鍍處理，例如，也
可以用料漿涂敷(slurry-build)法等形成Si02層。 (實(shí)施例5)
首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)3.0mm、寬1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13,
與前面的第 一 實(shí)施例同樣，形成具有深度不同的屬于第 一組的凹部 15a2和屬于第二組的凹部15b2的多孔板狀的電介質(zhì)14。
然后，與上述實(shí)施例2同樣，形成有屬于第一組的孔15a3、第一 供電電極12a，、第一柱狀電極16a。接著，通過(guò)分別在SnCl2溶液、 PdCl2溶液中進(jìn)行電解電鍍處理，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的第 一柱狀電極16a的頂端t上形成使其將該孔15a3封堵的Sn — Pd鍍層 157a。接著，通過(guò)在氟硅酸銨溶液中進(jìn)行非電解電鍍處理，在上述Sn 一Pd鍍層上形成將該孔15a3封堵的由Si02層構(gòu)成的厚度為1.5(im的 絕緣體層158a。接著，與上述實(shí)施例2同樣，形成有屬于第二組的孔 15b3、第二引出電極12b、第二柱狀電極16b。接著，與上述同樣， 在上述Sn —Pd鍍層157b上形成將該孔15b33封堵的由Si02層構(gòu)成 的厚度為1.5|im的絕緣體層158b。接著，通過(guò)Cu電解電鍍，在上述 電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成第一引出電極12a,使其與上述第一 柱狀電極16a的基端b連接，從而得到了電容元件150。此外，在上 述電容元件150中，與上述實(shí)施例1的電容元件10同樣，第一柱狀 電極16a和第二柱狀電極16b,各自的直徑為30nm,上述第一柱狀電 極16a和第二柱狀電極16b的間距為70nm,上述第一柱狀電才及16a 和上述第二柱狀電極16b的彼此相對(duì)的長(zhǎng)度尺寸為100pm。
以下，i兌明本發(fā)明的電容元件的第六實(shí)施方式。本實(shí)施方式的電 容元件160,在上述絕緣體層由絕緣性樹(shù)脂層構(gòu)成這一點(diǎn)上，與前面 的第一 ~第五實(shí)施方式的電容元件不同。其他結(jié)構(gòu)與前面的第一實(shí)施 方式相同，因此將其說(shuō)明省略。
以下，參照?qǐng)D18~圖20說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的制造方法的第 六實(shí)施方式。圖18是表示本實(shí)施方式的電容元件160的制造方法的 制造工藝的一例的概要的流程圖。而圖19和圖20是用于說(shuō)明該制造
工藝的各工序與上述圖1 (B)對(duì)應(yīng)的縱截面圖，接續(xù)前面第一實(shí)施
方式的圖4(a) ~ (e)，其順序?yàn)閳D19 (g6) ~ (i61 )、圖20(k61) ~ (f62)。此外，對(duì)圖18中的各工序標(biāo)記的符號(hào)與圖19和圖20的括 號(hào)內(nèi)的符號(hào)相對(duì)應(yīng)。
本實(shí)施方式的電容元件160的制造方法的概要，如圖18所示，a: 準(zhǔn)備第一閥金屬的箔片13， b、 (d):在該箔片13的一個(gè)主面13a上 例如通過(guò)印壓形成樣i小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通過(guò)陽(yáng) 極氧化，在上述箔片13的一個(gè)主面13a上形成具有深度不同的屬于 第一組的凹部15a2和屬于第二組的凹部15b2的電介質(zhì)14。接著，g6: 例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于第一組的凹部15a2的底部 除去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，f61:例如通過(guò)非電解電鍍， 在上述電介質(zhì)14的上述一個(gè)主面14a上形成第一供電電極12a，。接 著，h6:例如通過(guò)電解電鍍，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)，留下 上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成第一 柱狀電極16a。接著，i6:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述第一供電電極12a， 和屬于上述第二組的凹部15b2的底部除去而形成屬于第二組的孔 15b3。接著，j61:在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述第一柱狀電 極16a的頂端t上形成將上述孔15a3封堵的絕緣體層168a。接著， k61:例如通過(guò)非電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b上形 成第二引出電極12b。接著，k62:在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的 上述第二引出電極12b上，留下上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)的 上述孔15b3的前端而形成第二柱狀電極16b。 j62:在屬于上述第二 組的孔15b3內(nèi)的上述第二柱狀電極16b的頂端t上形成將孔15b3封 堵的絕緣體層168b。接著，f62:在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上 形成與上述第一柱狀電極16a的基端部b連接的第一引出電極12a。
本實(shí)施方式的電容元件160的制造方法，與前面的第二實(shí)施方式 同樣，在制造工藝上的彼此獨(dú)立的工序中形成屬于第一組的孔15a3 內(nèi)的第 一柱狀電極16a的頂端t上的絕緣體層168a和屬于第二組的孔 15b3內(nèi)的第二柱狀電極16b的頂端t上的絕緣體層168b。
以下，在圖21和圖22中示出本實(shí)施方式的電容元件160的制造 方法的一例。圖21是表示本實(shí)施方式的制造工藝的一例的概要的流 程圖。而圖22是用于說(shuō)明該制造工藝的絕緣體層形成工序的縱截面圖。
具體地說(shuō)，本實(shí)施方式的j61:在上述第一柱狀電極16a的頂端t 上形成絕緣體層168a的工序，首先，例如在容器內(nèi)在將上述電介質(zhì) 14浸漬在樹(shù)脂溶液中的狀態(tài)下使上述容器減壓，j611:在屬于上述第 一組的孔15a3內(nèi)的第一柱狀電極16a的頂端t上和屬于第二組的孔 15b3內(nèi)埋入絕緣性樹(shù)脂的溶液167a，使其將孔15b3封堵。接著，例 如從上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)進(jìn)4于減壓抽吸，j612:將屬于上 述第二組的孔15b3內(nèi)的樹(shù)脂溶液167a除去。之后，例如在大氣中在 150 °C下進(jìn)行30分鐘熱處理，使有選擇地僅留在屬于上述第 一組的孔 15a3內(nèi)的第一柱狀電極16a的頂端t上的樹(shù)脂溶液167a固化而形成 絕鄉(xiāng)彖體層168a。
以下，說(shuō)明上述絕緣性樹(shù)脂的優(yōu)選實(shí)施方式，即，作為上述絕緣 性樹(shù)脂，最好是聚酰亞胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等。上述絕緣性樹(shù)脂的厚度 最好為幾十nm 幾(im。此外，當(dāng)使用聚酰亞胺樹(shù)脂作為絕緣性樹(shù)脂 層時(shí)，具有絕緣擊穿電位達(dá)到400000V/m這樣的的特征。而當(dāng)使用環(huán) 氧樹(shù)脂作為絕緣性樹(shù)脂層時(shí)，具有吸濕性低、回流焊接耐熱試驗(yàn)的耐 久性高的特征。 (實(shí)施例6)
首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)3.0mm、寬1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13,
與前面的第一實(shí)施例同樣，形成具有深度不同的屬于第一組的凹部 15a2和屬于第二組的凹部15b2的多孔板狀的電介質(zhì)14。
然后，通過(guò)使用H g C12溶液的化學(xué)蝕刻，將屬于第 一 組的凹部15 a2 的底部除去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，通過(guò)非電解電鍍?cè)谝?個(gè)主面14a上形成由Ni構(gòu)成的第一供電電極12a，。接著，對(duì)上述第 一供電電極12a，供電，通過(guò)Cu電解電^t,在屬于第一組的孔15a3 內(nèi)，留下上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而
形成第一柱狀電極16a。接著，通過(guò)使用HgCl2溶液的化學(xué)蝕刻將上 述第一供電電極12a，和屬于上述第二組的凹部15b2的底部除去而形 成屬于第二組的孔15b3。接著，在將上述電介質(zhì)14放在存有聚酰亞 胺樹(shù)脂溶液的容器(chamber)中之后，使上述容器減壓，充填聚酰 亞胺樹(shù)脂的溶液，使其將屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的第一柱狀電 極16a的頂端t上和屬于第一組的孔15a3封堵。接著，通過(guò)從上述電 介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)進(jìn)行減壓抽吸將屬于上述第二組的孔15b3 內(nèi)的樹(shù)脂溶液除去后，在大氣中在150。C下進(jìn)行30分鐘熱處理，使有 選擇地僅留在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述第一柱狀電極16a 的頂端t上的樹(shù)脂溶液167a固化，形成有厚75nm的由絕緣性樹(shù)脂構(gòu) 成的絕緣體層168a。接著，通過(guò)非電解電鍍?cè)谏鲜鲭娊橘|(zhì)14的另一 個(gè)主面14b上形成由Ni構(gòu)成的第二引出電極12b。接著，在屬于上述 第二組的孔15b3內(nèi)，將上述第二引出電極12b作為供電層，通過(guò)Cu 電解電鍍留下上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)的上述孔15b3的前端 而形成第二柱狀電極16b。接著，與上述同樣充填聚酰亞胺樹(shù)脂的溶 液167b,與上述同樣地在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的上述第二柱 狀電極16b的頂端t上將該孔15b3封堵，并與上述同樣地進(jìn)行熱處理， 形成有將屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的上述第二柱狀電極16b的頂 端t上封堵的厚75nm的由絕緣性樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣體層168b。接著， 通過(guò)Cu電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成第一引出 電極12a,使其與上述第一柱狀電極16a的基端b連接，從而得到了 電容元件160。此外，在上述電容元件160中，與上述實(shí)施例l的電 容元件10同樣地，第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b,各自的直 徑為30nm,上述第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b的間距為 70nm,上述第一柱狀電極16a和上述第二柱狀電極16b的彼此相對(duì)的 長(zhǎng)度尺寸為lOOjim。
對(duì)所得到的電容元件160,用AGILENT公司生產(chǎn)的LCR計(jì)一 4263B測(cè)定靜電電容，并且用ADVANTEST公司生產(chǎn)的高電阻計(jì) R8340測(cè)定了耐電壓，結(jié)果與上述實(shí)施例1相同，具有靜電電容為0.25mF、耐電壓為30V的初始特性。
以下，說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的第七實(shí)施方式。本實(shí)施方式的電 容元件170,在上述絕緣體層由絕緣性樹(shù)脂層構(gòu)成這一點(diǎn)上，與前面 的第六實(shí)施方式的電容元件相同，因此省略其說(shuō)明。
以下，參照?qǐng)D23和圖24說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的制造方法的第 七實(shí)施方式。圖23是表示本實(shí)施方式的電容元件170的制造方法的 制造工藝的一例的概要的流程圖。而圖24是用于說(shuō)明該制造工藝的 絕緣體層形成工序的縱截面圖。此外，對(duì)圖23中的各工序標(biāo)記的符 號(hào)與圖24的括號(hào)內(nèi)的符號(hào)相對(duì)應(yīng)。
本實(shí)施方式的電容元件170的制造方法的概要，如圖23所示，a: 準(zhǔn)備第一閥金屬的箔片13, b、 (d):在該箔片13的一個(gè)主面13a上 例如通過(guò)印壓形成孩t小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通過(guò)陽(yáng) 極氧化，在上述箔片13的一個(gè)主面13a上形成具有深度不同的屬于 第一組的凹部15a2和屬于第二組的凹部15b2的電介質(zhì)14。接著，g7: 例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于第一組的凹部15a2的底部 除去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，f71:例如通過(guò)非電解電鍍， 在上述電介質(zhì)14的上述一個(gè)主面14a上形成第一供電電一及12a， 。 4妾 著，h7:例如通過(guò)電解電鍍，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)，留下 上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成第一 柱狀電極16a。接著，i7:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述第 一供電電極12a， 和屬于上述第二組的凹部15b2的底部除去而形成屬于第二組的孔 15b3。接著，作為與前面第六實(shí)施方式的前者的絕緣層形成工序j61 對(duì)應(yīng)的工序，j711:在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述第一柱狀電 極16a的頂端t側(cè)的另一個(gè)主面14b上形成有絕緣性樹(shù)脂膜177a后， j712:除屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)以外將另一個(gè)主面14b上的絕緣 性樹(shù)脂膜177a除去，從而在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述第一 柱狀電極16a的頂端t上形成將上述孔15a3封堵的絕緣體層178a。 接著，k71:例如通過(guò)非電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b 上形成第二引出電極12b。接著，k72:在屬于上述第二組的孔15b3
內(nèi)，留下上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)的上述孔15b3的前端而形 成第二柱狀電極16b。接著，作為與前面第六實(shí)施方式的后者的絕緣 層形成工序j62對(duì)應(yīng)的工序，j721:在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的 上述第二柱狀電極16b的頂端t上形成將孔15b3封堵的絕緣性樹(shù)脂膜 177b后，j722:除屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)以外將一個(gè)主面14a 上的絕緣性樹(shù)脂膜177b除去，從而在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的
178b。接著，f72:在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成與上述第 一柱狀電極16a的基端部b連接的第一引出電極12a。
本實(shí)施方式的電容元件170的制造方法，與前面的第二實(shí)施方式 同樣，在制造工藝上的彼此獨(dú)立的工序中形成屬于第一組的孔15a3 內(nèi)的第 一柱狀電極16a的頂端t上的絕緣體層178a和屬于第二組的孔 15b3內(nèi)的第二柱狀電極16b的頂端t上的絕緣體層178b。
以下，說(shuō)明上述絕緣性樹(shù)脂膜的優(yōu)選實(shí)施方式，即，作為上述絕 緣性樹(shù)脂膜的材料，最好是聚酰亞胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等。上述絕緣性 樹(shù)脂膜的厚度最好為幾十nm 幾pm左右。上述絕緣性樹(shù)脂膜的形 成方法，可以用旋轉(zhuǎn)涂敷法或噴涂法等眾所周知的涂敷方法。 (實(shí)施例7)
首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)3.0mm、寬1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13,
與前面的第 一 實(shí)施例同樣，形成具有深度不同的屬于第 一組的凹部 15a2和屬于第二組的凹部15b2的多孔板狀的電介質(zhì)14。
然后，與上述第六實(shí)施例同樣，形成有屬于第一組的孔15a3、第 一柱狀電極16a和屬于第二組的孔15b3。接著，用旋轉(zhuǎn)涂Ji法在上述 電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b上涂敷聚酰亞胺樹(shù)脂的溶液，通過(guò)充填 聚酰亞胺樹(shù)脂的溶液，形成有絕緣性樹(shù)脂膜177a，使其將在屬于上述 第一組的孔15a3內(nèi)的上述第一柱狀電極16a的頂端t上和屬于上述第 一組的孔15a3的另一個(gè)主面14b側(cè)封堵。接著，通過(guò)光刻法將屬于 上述第二組的孔15b3內(nèi)和另一個(gè)主面14b上的絕緣性樹(shù)脂膜177a除 去后，在大氣中在150。C下進(jìn)行30分鐘熱處理，使有選擇地僅留在屬
于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述第一柱狀電極16a的頂端t上的絕緣 性樹(shù)脂膜177a固化，形成有厚75nm的由絕緣性樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣體層 178a。接著，通過(guò)非電解電鍍?cè)谏鲜鲭娊橘|(zhì)14的另一個(gè)主面14b上 形成由Ni構(gòu)成的第二引出電極12b。接著，在屬于上述第二組的孔 15b3內(nèi)將上述引出電極12b作為供電層通過(guò)Cu電解電鍍留下上述電 介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)的上述孔15b3的前端而形成第二柱狀電極 16b。接著，與上述同樣地涂敷聚酰亞胺樹(shù)脂的溶液，形成有絕緣性 樹(shù)脂膜177b,與上述同樣地在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的上述第 二柱狀電極16b的頂端t上將該孔15b3封堵。接著，通過(guò)深腐蝕將上 述一個(gè)主面14a上的絕緣性樹(shù)脂膜177b除去后，與上述同樣地進(jìn)行 熱處理，形成有將屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的上述第二柱狀電極 16b的頂端t上封堵的厚75nm的由絕緣性樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣體層178b。 接著，通過(guò)Cu電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成第 一引出電極12a,使其與上述第一柱狀電極16a的基端b連接，從而 得到了電容元件170。此外，在上述電容元件170中，與上述實(shí)施例 1的電容元件10同樣地，第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b，各 自的直徑為30nm,上述第一柱狀電極16a和第二柱狀電才及16b的間 距為70nm,上述第一柱狀電極16a和上述第二柱狀電極16b的彼此 相對(duì)的長(zhǎng)度尺寸為lOOjim。
對(duì)所得到的電容元件170,用ADVANTEST公司生產(chǎn)的高電阻計(jì)R8340測(cè)定靜電電容，并且用ADVANTEST公司生產(chǎn)的高電阻計(jì)R8340測(cè)定了耐電壓，結(jié)果與上述實(shí)施例1相同，具有靜電電容為 0.25mF、耐電壓為30V的初始特性。
以下，說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的第八實(shí)施方式。本實(shí)施方式的電 容元件180,在上述絕緣體層由第二閥金屬氧化物構(gòu)成這一點(diǎn)上，與 前面的第一 ~第七實(shí)施方式的電容元件不同。其他結(jié)構(gòu)與前面的第一 實(shí)施方式相同，因此省略其i兌明。此外，本實(shí)施方式的電容元件180, 當(dāng)絕緣體層與電介質(zhì)層為同物質(zhì)時(shí)，具有絕緣體層與電介質(zhì)層的親合 性高的特征。
以下，參照?qǐng)D25 ~圖28說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的制造方法的第 八實(shí)施方式。圖25是表示本實(shí)施方式的電容元件180的制造方法的 制造工藝的一例的概要的流程圖。而圖26~圖28是用于說(shuō)明該制造 工藝的各工序的與上述圖1 (B)對(duì)應(yīng)的縱剖視圖，接續(xù)前面第一實(shí) 施方式的圖4(a) ~ (e)工序，其順序?yàn)閳D26(g8) ~ (j811)、圖 27(j812) ~ (k82)、圖28(j821) ~ (f82 )。此外，對(duì)圖25中的各 工序標(biāo)記的符號(hào)與圖26~圖28的括號(hào)內(nèi)的符號(hào)相對(duì)應(yīng)。
本實(shí)施方式的電容元件180的制造方法的概要，如圖25所示，a: 準(zhǔn)備第一閥金屬的箔片13, b、 (d):在該箔片13的一個(gè)主面13a上 例如通過(guò)印壓形成孩i小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通過(guò)陽(yáng) 極氧化在上述箔片13的一個(gè)主面13a上形成具有深度不同的屬于第 一組的凹部15a2和屬于第二組的凹部15b2的電介質(zhì)14。接著，g8: 例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于第一組的凹部15a2的底部 除去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，f81:例如通過(guò)非電解電鍍， 在上述電介質(zhì)14的上述一個(gè)主面14a上形成第一供電電極12a， 。 4妾 著，h8:例如通過(guò)電解電鍍，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)，留下 上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成第一 柱狀電極16a。接著，i81:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將屬于上述第二組的凹 部15b2的底部除去而形成屬于第二組的孔15b3。接著，j811:在屬 于上述第一組的孔15a3內(nèi)的上述第一柱狀電極16a的頂端t側(cè)的另一 個(gè)主面14b上形成第二閥金屬層187a。接著，j812:除屬于上述第一 組的孔15a3內(nèi)以外將另一個(gè)主面14b上的第二閥金屬層187a除去。 接著，j813:將上述第一供電電極12a，作為供電層對(duì)上述第二閥金 屬層187a進(jìn)行陽(yáng)極氧化，形成由第二閥金屬氧化物構(gòu)成的絕緣體層 188a。接著，i82:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述第一供電電極12a，除去。 接著，k81:例如通過(guò)非電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b 上形成第二引出電極12b。接著，k82:在屬于上述第二組的孔15b3 內(nèi)的第二引出電極12b上，留下上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)的 上述孔15b3的前端而形成第二柱狀電極16b。 j821:在屬于上述第二
組的孔15b3內(nèi)的上述第二柱狀電極16b的頂端t側(cè)的一個(gè)主面14a 上形成第二閥金屬層187b。接著，j822:除屬于上述第二組的孔15b3 內(nèi)以外將一個(gè)主面14a上的第二閥金屬層187b除去。接著，j823:將 第二引出電極12b作為供電層對(duì)第二閥金屬層187b進(jìn)行陽(yáng)極氧化， 形成由第二閥金屬氧化物構(gòu)成的絕緣體層188b。接著，f82:在上述 電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上形成與上述第一柱狀電極16a的基端部b 連接的第一引出電極12a。
本實(shí)施方式的電容元件180的制造方法，與前面的第二實(shí)施方式 同樣，在制造工藝上的彼此獨(dú)立的工序中形成屬于第一組的孔15a3 內(nèi)的第 一柱狀電極16a的頂端t上的絕緣體層188a和屬于第二組的孔 15b3內(nèi)的第二柱狀電極16b的頂端t上的絕緣體層188b。
以下，說(shuō)明上述第二閥金屬的優(yōu)選實(shí)施方式。即作為上述第二閥 金屬，可以使用Al、 Ta、 Nb、 Ti、 Zr、 Hf、 Zn、 W、 Sb等。而且， 由上述第二閥金屬氧化物構(gòu)成的絕緣體層的厚度最好為幾nm~幾百 nm。另夕卜，上述第二閥金屬也可以與上述第一閥金屬相同。 (實(shí)施例8)
首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)3.0mm、寬1.5mm、厚200(im的Al制的箔片13， 與前面的第一實(shí)施例同樣，形成具有深度不同的屬于第一組的凹部 15a2和屬于第二組的凹部15b2的多孔板狀的電介質(zhì)14。
然后，通過(guò)使用HgCl2溶液的化學(xué)蝕刻，將屬于第一組的凹部15a2 的底部除去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，通過(guò)非電解電鍍，在 一個(gè)主面14a上形成由Ni構(gòu)成的第一供電電極12a，。接著，對(duì)上述 第一供電電極12a，供電，通過(guò)Cu電解電鍍，在屬于第一組的孔15a3 內(nèi)，留下上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而 形成第一柱狀電極16a。接著，通過(guò)使用HgCl2溶液的化學(xué)蝕刻將屬 于上述第二組的凹部15b2的底部除去而形成屬于第二組的孔15b3。 接著，在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)'減射Al,在屬于上述第 一組的孔15a3內(nèi)的第一柱狀電極16a的頂端t上形成由Al構(gòu)成的第 二閥金屬層187a。接著，通過(guò)蝕刻，除屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)
以外將另一個(gè)主面14b上的第二閥金屬層187a除去。接著，將上述 第一供電電極12a，作為供電層對(duì)上述第二岡金屬層187a進(jìn)行陽(yáng)極氧 化，形成由上述第二閥金屬氧化物(A1203 )構(gòu)成的厚3iim的絕緣體 層188a。接著，通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述第一供電電極12a，除去。接著， 通過(guò)非電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b上形成由Ni構(gòu) 成的第二引出電極12b。接著，在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)，將上 述引出電極12b作為供電層，通過(guò)Cu電解電鍍，留下上述電介質(zhì)14 的一個(gè)主面14a側(cè)的上述孔15b3的前端而形成第二柱狀電極16b。接 著，與上述同樣，形成有將屬于第二組的孔15b3內(nèi)的第二柱狀電極 16b的頂端t上封堵的由第二閥金屬氧化物(A1203 )構(gòu)成的厚度3pm 的絕緣體層188b。接著，通過(guò)Cu電解電鍍，在上述電介質(zhì)14的一 個(gè)主面14a上形成第一引出電極12a,以使其與上述第一柱狀電極16a 的基端b連接，從而得到了電容元件180。此外，在上述電容元件180 中，與上述實(shí)施例1的電容元件10同樣，第一柱狀電極16a和第二 柱狀電極16b，各自的直徑為30nm,上述第一柱狀電極16a和第二柱 狀電極16b的間距為70nm，上述第一柱狀電極16a和上述第二柱狀 電才及16b的4皮此相對(duì)的長(zhǎng)度尺寸為10(Vm。
對(duì)所得到的電容元件180，用AGILENT ^>司生產(chǎn)的LCR計(jì)一 4263B測(cè)定靜電電容，并且用ADVANTEST公司生產(chǎn)的高電阻計(jì) R8340測(cè)定耐電壓，其結(jié)果與上述實(shí)施例1相同，具有靜電電容為 0.25mF、耐電壓為30V的初始特性。
以下，-說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的第九實(shí)施方式。本實(shí)施方式的電 容元件190，在上述絕緣體層由空氣層構(gòu)成這一點(diǎn)上，與前面第一 第八實(shí)施方式的電容元件不同。其他結(jié)構(gòu)與前面第一實(shí)施方式相同， 因此省略其說(shuō)明。此外，本實(shí)施方式的電容元件190具有漏電流小的 特征。
以下，參照?qǐng)D29~圖31說(shuō)明本發(fā)明的電容元件的制造方法的第 九實(shí)施方式。圖29是表示本實(shí)施方式的電容元件190的制造方法的 制造工藝的一例的概要的流程圖。而圖30和圖31是用于說(shuō)明該制造工藝的各工序的與上述圖1 (B)對(duì)應(yīng)的縱截面圖，接續(xù)前面第一實(shí)
施方式的圖4(a) ~ (e)工序，其順序?yàn)閳D30 (g9) ~ ( i9 )、圖 31 (k91) ~ (f92)。此外，對(duì)圖29中的各工序標(biāo)記的符號(hào)與圖30 和圖31的括號(hào)內(nèi)的符號(hào)相對(duì)應(yīng)。
本實(shí)施方式的電容元件190的制造方法的概要，如圖29所示，a: 準(zhǔn)備第一閥金屬的箔片13, b、 (d):在該箔片13的一個(gè)主面13a上 例如通過(guò)印壓形成^:小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通過(guò)陽(yáng) 極氧化，在上述箔片13的一個(gè)主面13a上形成具有深度不同的屬于 第一組的凹部15a2和屬于第二組的凹部15b2的電介質(zhì)14。接著，g9: 例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將上述電介質(zhì)14的屬于第一組的凹部15a2的底部 除去而形成屬于第一組的孔15a3。接著，f91:例如通過(guò)非電解電鍍， 在上述電介質(zhì)14的上述一個(gè)主面14a上形成第一供電電4及12a，。接 著，h9:例如通過(guò)電解電鍍，在屬于上述第一組的孔15a3內(nèi)，留下 上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b側(cè)的上述孔15a3的前端而形成第一 柱狀電極16a。接著，i9:例如通過(guò)化學(xué)蝕刻將第 一供電電極12a，和 屬于第二組的凹部15b2的底部除去而形成屬于第二組的孔15b3。 4妄 著，k91:在上述電介質(zhì)14的另一個(gè)主面14b上，例如通過(guò)賊射在與 上述第一柱狀電極16a的頂端t之間隔著由空氣層構(gòu)成的絕緣體層 198a形成第二引出電極12b。接著，k92:在屬于上述第二組的孔15b3 內(nèi)的第二引出電極12b上，留下上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a側(cè)的 上述孔15b3的前端而形成第二柱狀電極16b。接著，f92:在上述電 介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上，在與第二柱狀電極16b的頂端t之間隔著 由空氣層構(gòu)成的絕緣體層198b形成與第一柱狀電極16a的基端部b 連接的第一引出電極12a。
本實(shí)施方式的電容元件190的制造方法，與前面第二實(shí)施方式同 樣，在制造工藝上的彼此獨(dú)立的工序中形成屬于第一組的孔15a3內(nèi) 的第一柱狀電極16a的頂端t上的絕緣體層198a和屬于第二組的孔 15b3內(nèi)的第二柱狀電極16b的頂端t上的絕纟彖體層198b。
以下，說(shuō)明上述空氣層的優(yōu)選實(shí)施方式。即，上述空氣層的厚度
尺寸，最好為幾十nm~幾|am。另外，本實(shí)施方式的電容元件190的 制造方法，具有工藝簡(jiǎn)便的特征。 (實(shí)施例9)
首先，準(zhǔn)備長(zhǎng)3.0mm、寬1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13,
與前面第一實(shí)施例同樣，形成具有深度不同的屬于第一組的凹部15a2 和屬于第二組的凹部15b2的多孔板狀的電介質(zhì)14。
然后，與上述第六實(shí)施例同樣，形成有屬于第一組的孔15a3、第 一柱狀電極16a和屬于第二組的孔15b3。接著，在上述電介質(zhì)14的 另一個(gè)主面14b上，通過(guò)Ni'濺射，在與上述第一柱狀電極16a的頂 端t之間隔著由間隙尺寸為8.5|im的空氣層構(gòu)成的絕緣體層198a而形 成第二引出電極12b。接著，在屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)，將上述 引出電極12b作為供電層，通過(guò)Cu電解電鍍形成第二柱狀電極16b。 接著，與上述同樣地，在上述電介質(zhì)14的一個(gè)主面14a上，通過(guò)Ni 賊射，在與屬于上述第二組的孔15b3內(nèi)的上述第二柱狀電極16b的 頂端t之間隔著由間隙尺寸為8.5|am的空氣層構(gòu)成的絕緣體層198b 形成與上述第一柱狀電極16a的基端部b連接的第一引出電極12a, 從而得到了電容元件190。此外，在上述電容元件190中，與上述實(shí) 施例1的電容元件10同樣，第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b， 各自的直徑為30nm,上述第一柱狀電極16a和第二柱狀電極16b的 間距為70nm,上述第一柱狀電極16a和上述第二柱狀電極16b的彼 此相對(duì)的長(zhǎng)度尺寸為100jim。
對(duì)所得到的電容元件190，用AGILENT公司生產(chǎn)的LCR計(jì)一 4263B測(cè)定靜電電容，并且用ADVANTEST公司生產(chǎn)的高電阻計(jì) R8340測(cè)定了耐電壓，結(jié)果與上述實(shí)施例1相同，具有靜電電容為 0.25mF、耐電壓為30V的初始特性。
在上述第二 第九實(shí)施方式的電容元件的制造方法中，如上所 述，都是在制造工藝上的彼此獨(dú)立的工序中形成屬于第一組的孔內(nèi)的 第 一柱狀電極的頂端上的絕緣體層和屬于第二組的孔內(nèi)的第二柱狀 電極的頂端t上的絕緣體層。
因此，并不限定上述的各實(shí)施方式，例如，可以由材質(zhì)各不相同 的絕緣體層構(gòu)成第 一柱狀電極的頂端上的絕緣體層和第二柱狀電極 的頂端上的絕緣體層。另外，當(dāng)?shù)谝恢鶢铍姌O的長(zhǎng)度與第二柱狀電極 的長(zhǎng)度不同時(shí)，也可以形成厚度各不相同的絕緣替層。
以下，用圖32說(shuō)明采用了本發(fā)明的電容元件的電容器的第一實(shí) 施方式。圖32是將上述第一實(shí)施方式的電容元件10作為電容單元 CU的電容器20。該電容器20將例如由導(dǎo)電性的金屬板構(gòu)成的端子 部29a、 29b分別與第一引出電極12a及第二引出電極12b連接，并 且具有包覆上述電容單元CU的封裝樹(shù)脂。
上述端子部29a、 29b,最好是銅、磷青銅、各種不銹鋼、Ni42 一Fe合金等。另外，圖中雖然省略，但上述引出電極12a、 12b和上 述端子部29a、 29b的連接，最好是電阻焊或擴(kuò)散接合、利用碳膏之 類(lèi)的導(dǎo)電性粘接劑的粘接等。
以下，用圖33說(shuō)明采用了本發(fā)明的電容元件的電容器的第二實(shí) 施方式。圖33是將上述第一實(shí)施方式的電容元件IO作為電容單元 CU1、 CU2、 CU3的電容器30。該電容器30將端子部39a、 39b分別 與各電容單元CU1、 CU2、 CU3并聯(lián)連接，具有大的靜電電容。
以下，用圖34說(shuō)明采用了本發(fā)明的電容元件的電容器埋入多層 配線(xiàn)基板的實(shí)施方式。圖34是將上述第一實(shí)施方式的電容元件10作 為電容單元的電容器埋入多層配線(xiàn)基板40。
上述電容器埋入多層配線(xiàn)基板40,在其底部埋入電容單元CU, 并將第一引出電極12a與上述電容器埋入多層配線(xiàn)基板的內(nèi)部導(dǎo)體連 接。而且，使第二引出電極12b與其他端子電極一起在上述多層配線(xiàn) 基板的底面露出。
按照本發(fā)明，適合于利用了小型且大電容的電容器的輕便、薄型 的各種小型電子設(shè)備的用途。
權(quán)利要求
1.一種電容元件，其特征在于，包括由第一閥金屬氧化物構(gòu)成并交替地配置有多個(gè)在厚度方向上貫通的屬于第一組的孔和屬于第二組的孔的多孔板狀的電介質(zhì)；分別在屬于上述第一組的多個(gè)孔內(nèi)形成且基端在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上露出的第一柱狀電極；分別在屬于上述第二組的多個(gè)孔內(nèi)形成且基端在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上露出的第二柱狀電極；分別被設(shè)置成在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的頂端上封堵該孔、在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端上封堵該孔的絕緣體層；被設(shè)置成在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上與上述第一柱狀電極的基端連接的第一引出電極；以及被設(shè)置成在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上與上述第二柱狀電極的基端連接的第二引出電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容元件，其特征在于 上述絕緣體層是使導(dǎo)電性高分子熱分解而形成的層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容元件，其特征在于 在上述第一引出電極和上述第二引出電極之間施加有電壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容元件，其特征在于 上述絕緣體層由Ti02膜構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容元件，其特征在于 上述絕緣體層由Si02膜構(gòu)成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容元件，其特征在于 上述絕緣體層由絕緣性樹(shù)脂層構(gòu)成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容元件，其特征在于 上述絕緣體層由第二閥金屬氧化物構(gòu)成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容元件，其特征在于 上述絕緣體層由空氣層構(gòu)成。
9. 一種電容元件的制造方法，其特征在于，包括在第一閥金屬的箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置通過(guò)印壓而在多個(gè)部位上形成微小凹部的工序；對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化，分別在形成有上述微小凹部的部 位形成具有預(yù)定深度的屬于第一組的凹部、在形成有上述微小凹部的 多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第一組的凹部淺的屬于第二組的 凹部，從而形成多孔才反狀的電介質(zhì)的工序；通過(guò)非電解電鍍?cè)谏鲜鲭娊橘|(zhì)的屬于第一組的凹部的內(nèi)面和屬 于上述第二組的凹部的內(nèi)面形成種子層，并且在上述電介質(zhì)的一個(gè)主 面上形成第一引出電極的工序；通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第一組的凹部的底部除去而形成 在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第一組的多個(gè)孔的工序；在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述種子層上通過(guò)電解電鍍留下上 述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻谝恢鶢铍姌O的工通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第二組的凹部的底部除去而形成 在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第二組的多個(gè)孔的工序；分別在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的頂端上和 屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第一引出電極上通過(guò)電解聚合而形成 導(dǎo)電性高分子層以使其將上述孔封堵的工序；形成第二柱狀電極，并且在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上形成第二引出 電才及的工序；使上述導(dǎo)電性高分子層熱分解而絕緣化后形成絕緣體層的工序；以及通過(guò)施加電壓而將上述第一柱狀電極的頂端與上述第二引出電 極之間和上述第二柱狀電極的頂端與上述第 一 引出電極之間的短路部位燒斷的工序。
10. —種電容元件的制造方法，其特征在于，包括 在第一閥金屬箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置通過(guò)印壓而在多個(gè)部位上形成微小凹部的工序；對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化，并分別在形成有上述微小凹部的 部位形成具有預(yù)定深度的屬于第一組的凹部、在形成有上述微小凹部 的多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第 一組的凹部淺的屬于第二組 的凹部，從而形成多孔板狀的電介質(zhì)的工序；通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第一組的凹部的底部除去而形成 在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第一組的多個(gè)孔的工序；在上述電介質(zhì)的形成有屬于上述第二組的凹部的一個(gè)主面上形 成第一供電電極的工序；在屬于上述第一組的孔內(nèi)通過(guò)電解電鍍留下上述電介質(zhì)的另一 個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻?一柱狀電^l的工序；分別在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的頂端上形 成將上述孔封堵的絕緣體層的工序；通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上的上述第一供電電極和屬 于上述第二組的凹部的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面 側(cè)開(kāi)口的屬于第二組的多個(gè)孔的工序；在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上形成第二引出電極的工序；在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二引出電極上通過(guò)電解電鍍 留下上述電介質(zhì)的一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻诙鶢铍姌O 的工序；分別在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端上形 成將上述孔封堵的絕緣體層的工序；以及在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上與上述第一柱狀電極的基端連接而 形成第一引出電極的工序。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序和在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序，在分別將上述第 一供電電極和上述第二引出電極作為供電層而形成導(dǎo)電性高分子膜之后，通過(guò) 熱分解而進(jìn)行絕緣化。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的電容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序和在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序，在分別將上述第一供電電 極和上述第二引出電極作為供電層而形成Ti02電淀積膜之后，通過(guò) 熱處理而進(jìn)行絕緣化。
13. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的電容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序和在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序，分別將上述第一供電電極 和上述第二引出電極作為供電層而對(duì)Si02層進(jìn)行電解電鍍。
14. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的電容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序和在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序，在分別將上述第一供電電 極和上述第二引出電極作為供電層而形成Sn — Pd鍍層之后，在該Sn 一Pd鍍層上濕式淀積Si02層。
15. —種電容元件的制造方法，其特征在于，包括 在第一閥金屬箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置通過(guò)印壓而在多個(gè)部位上形成樣l小凹部的工序；對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化，并分別在形成有上述微小凹部的 部位形成具有預(yù)定深度的屬于第一組的凹部、在形成有上述微小凹部的多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第一組的凹部淺的屬于第二組 的凹部，從而形成多孔才反狀的電介質(zhì)的工序；通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第一組的凹部的底部除去而形成 在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第一組的多個(gè)孔的工序；在上述電介質(zhì)的形成有屬于上述第二組的凹部的一個(gè)主面上形 成第一供電電極的工序；在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述供電電極上通過(guò)電解電鍍留下 上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻谝恢鶢铍姌O的 工序；通過(guò)蝕刻將上述第一供電電極和上述電介質(zhì)的屬于第二組的凹 部的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第二組的多個(gè)孔的工序；分別在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的頂端上和屬于上述第二組的多個(gè)孔內(nèi)形成將上述孔封堵的絕緣體層的工序； 在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上形成第二引出電極的工序； 在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二引出電極上通過(guò)電解電鍍留下上述電介質(zhì)的一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻诙鶢铍姌O的工序；分別在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端上形 成將上述孔封堵的絕緣體層的工序；以及在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上與上述第一柱狀電極的基端連接而 形成第一引出電極的工序。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序，在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的頂端上和屬于上述第二組的多 個(gè)孔內(nèi)分別埋入絕緣性樹(shù)脂之后，將屬于上述第二組的孔內(nèi)的絕緣性 樹(shù)脂除去；在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序，在屬于上述 第二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端上分別埋入絕緣性樹(shù)脂。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序，在上述電介質(zhì)的上述第一柱狀電極的頂端側(cè)的上述另一個(gè)主面上形成絕緣性樹(shù) 脂膜之后，將除了屬于上述第一組的孔內(nèi)之外的上述另一個(gè)主面上的 絕緣性樹(shù)脂膜除去；在上述第二柱狀電極的頂端上形成絕緣體層的工序，在上述電介 質(zhì)的上述第二柱狀電極的頂端側(cè)的上述另一個(gè)主面上形成絕緣性樹(shù) 脂膜之后，將除了屬于上述第二組的孔內(nèi)之外的上述另一個(gè)主面上的 絕緣性樹(shù)脂膜除去。
18. —種電容元件的制造方法，其特征在于，包括在第一閥金屬的箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置通過(guò)印壓而在多個(gè)部位上形成微小凹部的工序；對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化，分別在形成有上述微小凹部的部 位形成具有預(yù)定深度的屬于第 一組的凹部、在形成有上述微小凹部的 多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第一組的凹部淺的屬于第二組的 凹部，從而形成多孑L板狀的電介質(zhì)的工序；通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第一組的凹部的底部除去而形成 在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第一組的多個(gè)孔的工序；在上述電介質(zhì)的形成有屬于上述第二組的凹部的一個(gè)主面上形 成第一供電電極的工序；在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述供電電極上通過(guò)電解電鍍留下 上述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻谝恢鶢铍奮^的工序；通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第二組的凹部的底部除去而形成 在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第二組的多個(gè)孔的工序；在上述電介質(zhì)的上述第一柱狀電極的頂端側(cè)的上述另 一個(gè)主面 上形成第二閥金屬層的工序；將除了屬于上述第一組的孔內(nèi)之外的上述另一個(gè)主面上的第二 闊金屬層除去的工序；通過(guò)將上述第一供電電極作為供電層并對(duì)上述第二閥金屬層進(jìn) 行陽(yáng)極氧化而分別在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一柱狀電極的 頂端上和屬于上述第二組的多個(gè)孔內(nèi)形成將上述孔封堵的絕緣體層 的工序；通過(guò)蝕刻將上述第一供電電極除去的工序； 在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面上形成第二引出電極的工序； 在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二引出電極上通過(guò)電解電鍍 留下上述電介質(zhì)的一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻诙鶢铍奮L 的工序；在上述電介質(zhì)的上述第二柱狀電極的頂端側(cè)的上述一個(gè)主面上 形成第二閥金屬層的工序；將除了屬于上述第二組的孔內(nèi)之外的上述一個(gè)主面上的第二閥金屬層除去的工序；分別在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二柱狀電極的頂端上形成將上述孔封堵的絕緣體層的工序；以及通過(guò)將上述第二引出電極作為供電層并對(duì)上述第二閥金屬層進(jìn) 行陽(yáng)極氧化而在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上與上述第一柱狀電極的基 端連接而形成第一引出電極的工序。
19. 一種電容元件的制造方法，其特征在于，包括在第一閥金屬的箔片的一個(gè)主面上按預(yù)定的配置通過(guò)印壓而在 多個(gè)部位上形成、凹部的工序；對(duì)該閥金屬箔片進(jìn)行陽(yáng)極氧化，分別在形成有上述微小凹部的部 位形成具有預(yù)定深度的屬于第一組的凹部、在形成有上述微小凹部的 多個(gè)部位之間形成深度比屬于上述第一組的凹部淺的屬于第二組的 凹部，從而形成多孔^反狀的電介質(zhì)的工序；通過(guò)蝕刻將上述電介質(zhì)的屬于第一組的凹部的底部除去而形成 在上述電介質(zhì)的另一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第一組的多個(gè)孔的工序；在上述電介質(zhì)的形成有屬于上述第二組的凹部的一個(gè)主面上形 成第一供電電極的工序；在屬于上述第一組的孔內(nèi)的上述第一供電電極上通過(guò)電解電鍍 留下上述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻谝恢鶢铍?極的工序；通過(guò)蝕刻將上述第一供電電極和上述電介質(zhì)的屬于第二組的凹 部的底部除去而形成在上述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面?zhèn)乳_(kāi)口的屬于第二 組的多個(gè)孔的工序；在上述電介質(zhì)的另 一個(gè)主面上通過(guò)'減射在與上述第一柱狀電極 的頂端之間隔著空氣層而形成第二引出電極的工序；在屬于上述第二組的孔內(nèi)的上述第二引出電極上通過(guò)電解電鍍 留下上述電介質(zhì)的一個(gè)主面?zhèn)鹊纳鲜隹椎那岸硕纬傻诙鶢铍姌O 的工序；以及在上述電介質(zhì)的一個(gè)主面上，通過(guò)賊射在與上述第二柱狀電極的 頂端之間隔著空氣層而形成與上述第一柱狀電極的基端連接的第一 引出電極的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電容元件和電容元件的制造方法。該電容元件具有多孔板狀的電介質(zhì)(14)、分別在交替地配置在電介質(zhì)上的屬于第一組的孔(15a3)內(nèi)和屬于第二組的孔(15b3)內(nèi)形成的柱狀電極(16a)、(16b)、分別在第一和第二組的孔內(nèi)的柱狀電極的頂端上形成的封堵各孔的由有機(jī)絕緣體層構(gòu)成的絕緣體層(18a)、(18b)、分別設(shè)置在電介質(zhì)的一個(gè)主面(14a)和另一個(gè)主面(14b)上并與柱狀電極的基端b相連接的引出電極(12a)、(12b)。按照這種結(jié)構(gòu)，由于耐電壓提高，可以提供每單位體積的CV積比現(xiàn)有的電解電容器大且無(wú)極性的電容元件。
文檔編號(hào)H01G9/07GK101359537SQ20081014404
公開(kāi)日2009年2月4日 申請(qǐng)日期2008年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月30日
發(fā)明者八幡和志, 增田秀俊, 水野高太郎, 黑澤勝 申請(qǐng)人:太陽(yáng)誘電株式會(huì)社