專利名稱：：絕緣線和同軸電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及絕緣線和同軸電纜。
背景技術(shù)：
：四氟乙烯[TFE]系共聚物、尤其是TFE/全氟(烷基乙烯基醚)[PAVE]共聚物[PFA]在耐熱性、耐化學(xué)藥品性、電學(xué)特性等方面優(yōu)異，因此被用作各種制品的成型材料、包覆材料。由PFA構(gòu)成的成型材料之中，作為機(jī)械特性和注射成型性優(yōu)異的材料，提出了PAVE的單體單元為1.95.0摩爾％、MFR為3560g/10分鐘、重均分子量/數(shù)均分子量=11.7的PFA(例如專利文獻(xiàn)1)。由PFA構(gòu)成的成型材料之中，作為耐臭氧性優(yōu)異的材料，提出了MFR為0.150g/10分鐘、PAVE的單體單元為3.5質(zhì)量％以上、烙點(diǎn)為295。C以上、每lxl0S個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)為50個(gè)以下的PFA(例如專利文獻(xiàn)2)。作為由PFA構(gòu)成的包覆材料，可以舉出例如絕緣線、同軸電纜中的包覆材料。這樣的包覆材料之中，作為介電損耗角正切低的材料，可以舉出例如PPVE的單體單元約為5%以下的TFE/PPVE共聚物(例如專利文獻(xiàn)3);源自PAVE的PAVE單元超過5質(zhì)量％且小于等于10質(zhì)量％、每lx106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)為10100個(gè)的PFA(例如專利文獻(xiàn)4)等。并且，作為介電損耗角正切低的同軸電纜的絕緣層，提出了PAVE單元為120重量％、于372。C的熔融粘度為102107泊、能夠在特定的甲醇/水混合液中提取出的氟化物離子以重量基準(zhǔn)計(jì)為1.5ppm以下的PFA發(fā)泡體(例如專利文獻(xiàn)5)。作為擠出成型性良好的包覆材料，提出了源自全氟(乙基乙烯基醚)[PEVE]的PEVE單元至少為3重量。/。、熔融粘度為0.5xl0325xl()3pa's的TFE/PEVE共聚物(例如專利文獻(xiàn)6);PAVE單元約為1.94.5摩爾％、熔體流動(dòng)速率[MFR]超過60g/10分鐘的PFA(例如專利文獻(xiàn)7)等。作為耐熱性良好的包覆材料，提出了源自全氟(丙基乙烯基醚)[PPVE]的PPVE單元約為2.515摩爾％、于380。C的容量流速為0.120mmV秒、MIT彎折壽命為300萬次以上的PFA(例如專利文獻(xiàn)8)。另外，對(duì)于電磁波的傳輸部件，隨著近年來信息通信的高速大容量化，使用波段的高頻率化得到發(fā)展。通常使用頻率變高時(shí)傳輸損失(衰減量)會(huì)變大，在高波段使用的材料中，需要一種比現(xiàn)有的傳輸損失更小的絕緣材料。并且，伴隨著通信機(jī)器/設(shè)備、信息終端、醫(yī)療機(jī)器的高功能化和多樣化，電纜的細(xì)線化得到發(fā)展，但已知直徑變小時(shí)傳輸損失會(huì)變大。因而需要一種細(xì)線電纜，其具有大電力容量，在狹窄的空間也具有良好的操作性，耐裂紋性優(yōu)異。但是，在由PFA構(gòu)成的包覆材料中，優(yōu)選降低PAVE的單體單元量以使電學(xué)特性和耐熱性變得良好，而優(yōu)選提高PAVE的單體單元量以提高耐裂紋性。因此，難以獲得一種電學(xué)特性、耐熱性、耐裂紋性的各特性都優(yōu)異的包覆材料。專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-53620號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:國(guó)際公開第2003/048214號(hào)小冊(cè)子專利文獻(xiàn)3:日本特開平3-184209號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開2005-298659號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:日本特開2005-78835號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6:日本特表2002-509557號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7:國(guó)際公開第2005/052015號(hào)小冊(cè)子專利文獻(xiàn)8:日本特開2006-66329號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)狀本發(fā)明的目的在于提供一種包覆有包覆材料的絕緣線，所述包覆材料的電學(xué)特性、耐熱性、耐裂紋性的各特性均優(yōu)異。本發(fā)明的絕緣線的特征在于，其是在芯線上包覆熔點(diǎn)為26(TC以上的TFE系共聚物而成的，所述TFE系共聚物具有源自四氟乙烯[TFE]的TFE單元和源自全氟(烷基乙烯基醚)[PAVE]的PAVE單元，其中的PAVE單元超過全部單體單元的5質(zhì)量％且為20質(zhì)量％以下；并且所述TFE系共聚物每lxl(^個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)少于10個(gè)。本發(fā)明的同軸電纜的特征在于，其是在上述絕緣線上進(jìn)一步包覆外層而成的。下面詳細(xì)說明本發(fā)明。本發(fā)明的絕緣線的特征在于以如下的TFE系共聚物制成包覆層，該共聚物通過調(diào)整PAVE單元的含量維持了耐熱性和介電損耗角正切并同時(shí)提高了耐裂紋性，進(jìn)而通過限定不穩(wěn)定末端基團(tuán)的數(shù)量提高了耐熱性和電學(xué)特性。艮P，上述絕緣線是通過對(duì)上述TFE系共聚物有如下發(fā)現(xiàn)并將其制成包覆層而完成的-八￥￡單元超過全部單體單元的5質(zhì)量％時(shí)，熔融加工性變得良好，耐裂紋性得到提高；■PAVE單元的含量為全部單體單元的20質(zhì)量％以下、熔點(diǎn)為260°C以上時(shí)，耐熱性和電學(xué)特性不會(huì)顯著降低；以及-每lxl(^個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)少于10個(gè)時(shí)，TFE系共聚物成為穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，耐熱性和電學(xué)特性得到提高，并且，在包覆芯線時(shí)幾乎不會(huì)產(chǎn)生源自不穩(wěn)定末端基團(tuán)的氣體，據(jù)認(rèn)為該氣體是導(dǎo)致空隙的原因之一。以往認(rèn)為PAVE單元的含量為全部單體單元的5質(zhì)量％以上的PFA的耐熱性、電學(xué)特性低(參見專利文獻(xiàn)3)，而對(duì)本發(fā)明的TFE系共聚物來說，盡管PAVE單元超過全部單體單元的5質(zhì)量M，但其介電損耗角正切低，耐熱性優(yōu)異。麵8本發(fā)明中，上述TFE系共聚物是具有TFE單元和PAVE單元的共聚物。200810144921.X說明書第4/20頁本說明書中，上述TFE單元、PAVE單元等"單體單元"是指共聚物的分子結(jié)構(gòu)的一部分，其為源自所使用的單體的構(gòu)成部分。本說明書中，上述全部單體單元是指共聚物的分子結(jié)構(gòu)中源自所使用的全部單體的部分。上述各單體單元的含量如下求出使用核磁共振裝置AC300(Bruker-Biospin社制造)，以測(cè)定溫度為(聚合物的熔點(diǎn)+20)°C進(jìn)行"F-NMR測(cè)定，由各峰的積分值求出各單體單元的含量。對(duì)構(gòu)成上述PAVE單元的PAVE沒有特別限定，可以舉出例如全氟(甲基乙烯基醚)[PMVE]、全氟(乙基乙烯基醚)[PEVE]、全氟(丙基乙烯基醚)[PPVE]、全氟(丁基乙烯基醚)、全氟(戊基乙烯基醚)、全氟(己基乙烯基醚)、全氟(庚基乙烯基醚)等。其中，從與TFE的共聚性和耐熱性的方面考慮優(yōu)選PPVE，從與TFE的共聚性的方面考慮優(yōu)選PMVE。上述TFE系共聚物中，上述PAVE單元超過全部單體單元的5質(zhì)量％且為20質(zhì)量％以下。上述PAVE單元為5質(zhì)量％以下時(shí)，有時(shí)耐裂紋性會(huì)降低；超過20質(zhì)量％時(shí)，有時(shí)耐熱性或電學(xué)特性會(huì)降低。相對(duì)于全部單體單元，上述PAVE單元的優(yōu)選下限為5.5質(zhì)量％，更優(yōu)選的下限為6質(zhì)量％，優(yōu)選的上限為10質(zhì)量％，更優(yōu)選為不足8質(zhì)量％。上述TFE系共聚物中，通常TFE單元和PAVE單元的合計(jì)為全部單體單元的90質(zhì)量％以上即可，可以在不影響本發(fā)明的特征的范圍內(nèi)與其他可共聚的單體共聚。作為這樣的可共聚的單體，可以舉出例如六氟丙烯[HFP]、三氟氯乙烯等。上述TFE系共聚物中，每1"06個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)少于10個(gè)。每口106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)為IO個(gè)以上時(shí)，有時(shí)耐熱性、電學(xué)特性會(huì)降低。本說明書中，"不穩(wěn)定末端基團(tuán)"是指存在于主鏈末端的-COF、畫COOH、-COOCH3、-CONH2和畫CH20H。上述不穩(wěn)定末端基團(tuán)在化學(xué)上不穩(wěn)定，因而不僅會(huì)降低樹脂的耐熱性，還會(huì)導(dǎo)致所得到的電線的衰減量增加。進(jìn)而，上述不穩(wěn)定末端基團(tuán)6熱分解時(shí)產(chǎn)生的HF等氣體可能會(huì)導(dǎo)致空隙。因此認(rèn)為，不穩(wěn)定末端基團(tuán)的數(shù)量多時(shí)，包覆芯線時(shí)會(huì)產(chǎn)生源自不穩(wěn)定末端基團(tuán)的氣體，該氣體使得包覆材料與芯線的密合性遭到破壞。上述每口106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)優(yōu)選少于5個(gè)，更優(yōu)選為2個(gè)以下。不存在上述不穩(wěn)定末端基團(tuán)也可以。本說明書中，不穩(wěn)定末端基團(tuán)的數(shù)量如下求出在室溫下軋制試樣得到厚度約為0.35mm的膜，利用傅利葉變換紅外分光分析裝置[FT-IR](商品名FI-IRSpectrometer1760X、PerkinElmer社制造)對(duì)該膜進(jìn)行紅外吸收光譜測(cè)定，根據(jù)與由不存在不穩(wěn)定末端基團(tuán)的樹脂得到的膜的基礎(chǔ)光譜的差示光譜求出的值即為不穩(wěn)定末端基團(tuán)的數(shù)量。為了進(jìn)一步提高上述TFE系共聚物的耐裂紋性，優(yōu)選其熔體流動(dòng)速率[MFR]為60g/10分鐘以下，更優(yōu)選為35g/10分鐘以下。只要在上述范圍內(nèi)，通常為0.5g/10分鐘以上即可。上述MFR如下測(cè)定TFE/PPVE共聚物的情況下，在溫度372"C、負(fù)荷5kgf的條件下，使用DYNISCO熔體流動(dòng)速率測(cè)定儀(安田精機(jī)制作所制造)，依照ASTMD-1238測(cè)定的值即為MFR。另外，作為高頻同軸電纜的包覆材料，上述TFE共聚物的介電損耗角正切小的情況下，電纜的傳送衰減量小，因而優(yōu)選。為使介電損耗角正切小，優(yōu)選上述不穩(wěn)定末端基團(tuán)少，并且TFE共聚物中的PAVE含量為20質(zhì)量以下。當(dāng)PAVE為PPVE時(shí)，更優(yōu)選的上限為8質(zhì)量％;當(dāng)PAVE為PMVE時(shí)，更優(yōu)選的上限為10質(zhì)量％。上述TFE系共聚物的烙點(diǎn)一般為26(TC以上。上述熔點(diǎn)的優(yōu)選下限為28(TC，更優(yōu)選的下限為298。C，只要在上述范圍內(nèi)，為308。C以下即可。上述TFE系共聚物可以通過將PAVE單元的量限定在上述的范圍來顯示上述熔點(diǎn)。本說明書中，熔點(diǎn)是如下求出的值使用差示掃描量熱計(jì)RDC220(SeikoInstruments制造)，依照ASTMD-4591，在10。C/分鐘的升溫速度下進(jìn)行熱測(cè)定，由所得到的吸熱曲線的峰求出熔點(diǎn)。上述TFE系共聚物可以利用包括如下工序的方法獲得例如，(l)將TFE、PAVE以及必要時(shí)添加的其他單體聚合的工序；(2)對(duì)所得到的共聚物進(jìn)行氟化處理，使該共聚物每lxl(^個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)少于IO個(gè)的工序。上述工序(l)中的聚合可以利用乳液聚合、懸浮聚合等公知的方法進(jìn)行，優(yōu)選利用懸浮聚合來進(jìn)行聚合。本聚合中，只要以所得到的共聚物的PAVE單元量在上述范圍內(nèi)的方式來添加PAVE，則溫度、壓力等其他聚合條件就可以根據(jù)反應(yīng)規(guī)模等利用現(xiàn)有公知的方法進(jìn)行適當(dāng)選擇。進(jìn)行上述聚合時(shí)，可以在適當(dāng)?shù)臈l件下使用賦予末端-CF3基的聚合引發(fā)劑。這種情況下可以簡(jiǎn)化或省略工序(2)。作為上述聚合引發(fā)劑，可以舉出例如(CF3(CF2)n-0)2之類的全氟烷基過氧化物、(CF3(CF2)n-COO)2(式中，n表示19的數(shù))、(C3F7-0-CF(CF3)-COO)2之類的全氟二?；^氧化物、((CF3)2CF)2(CF3CF2)C,之類的穩(wěn)定的全氟烷基自由基、C3F7-C(CF3)NF2之類的二氟胺、N2F2、((CF3)2CFN)2之類的全氟偶氮化合物、CF3S02N3之類的全氟磺?；B氮化物、C3F7COCl之類的全氟酰氯、CF30F之類的全氟烷基次氟酸酯等。可以對(duì)通過上述聚合得到的共聚物進(jìn)行濃縮、凝析、干燥等公知的后處理方法。此外，對(duì)于該共聚物，從在上述工序(2)中有效地減少不穩(wěn)定末端基團(tuán)的方面考慮，優(yōu)選制備成粉末狀、細(xì)粒(gmnule)狀或顆粒(pdlet)狀，更優(yōu)選制成顆粒狀。上述顆粒化可以通過熔融擠出等現(xiàn)有公知的方法進(jìn)行，雖不特別限定，但優(yōu)選在28042(TC的擠出溫度下進(jìn)行。對(duì)上述工序(2)中的氟化處理的方法沒有特別的限制，可以舉出將上述工序(l)中得到的共聚物在氟化處理?xiàng)l件下暴露在產(chǎn)生氟自由基的氟自由基源中的方法。作為上述氟自由基源，可以舉出氟氣、CoF3、AgF2、UF6、OF2、N2F2、CF3OF以及諸如IF5、C1F3等氟化鹵素。作為上述氟化處理的方法使用使上述工序(l)中得到的共聚物與氟氣相接觸的方法的情況下，從反應(yīng)控制的方面考慮優(yōu)選上述接觸使用氟氣濃度為1050質(zhì)量％的稀釋氟氣來進(jìn)行。上述稀釋氟氣可以通過用氮?dú)?、氬氣等惰性氣體稀釋氟氣來獲得。上述氟氣處理通?？梢栽?0025(TC的溫度下進(jìn)行。上述溫度的優(yōu)選下限為120°C，優(yōu)選的上限為23(TC。優(yōu)選在連續(xù)或間歇地向反應(yīng)器內(nèi)供給稀釋氟氣的同時(shí)進(jìn)行上述氟氣處理。本發(fā)明的絕緣線是將上述TFE系共聚物包覆在芯線上而成的。作為上述芯線，只要為顯示出導(dǎo)電性的芯線即可，沒有特別限定，可以舉出銅、鋁、鋼等，其中優(yōu)選銅。對(duì)上述芯線沒有特別的限制，優(yōu)選直徑為0.031.00mm。上述芯線直徑更優(yōu)選的下限為0.05mm。包覆上述TFE系共聚物而成的層(下文中將該層稱為"包覆層")優(yōu)選厚度為0.034.78mm。上述包覆層的厚度如下求出使用激光測(cè)徑儀(LaserMicroDiameter,TakikawaEngineeringCo.,Ltd.制造)測(cè)定絕緣線的外徑，從測(cè)得的絕緣線的外徑中減去預(yù)先測(cè)定的芯線外徑，所得的差除以2得到的值即為包覆層的厚度。上述的TFE系共聚物可以通過熔融擠出成型等現(xiàn)有公知的方法包覆在芯線上。上述包覆可以根據(jù)目標(biāo)電線的尺寸來選擇擠出機(jī)的尺寸并與此相應(yīng)地適當(dāng)選擇拉伸比[DDR]、拉伸平衡度[DRB]等包覆條件來進(jìn)行。上述包覆不受特別的限制，可以在28042(TC的樹脂溫度下進(jìn)行。上述樹脂溫度超過42(TC時(shí)，容易引起樹脂的分解、導(dǎo)致發(fā)泡，因而不優(yōu)選。優(yōu)選的樹脂溫度根據(jù)樹脂的熔點(diǎn)、MFR和目標(biāo)電線的尺寸適當(dāng)選擇。上述樹脂溫度是所使用的擠出機(jī)的機(jī)筒部的溫度，是通過插入壓簧式固定熱電偶(東洋電熱社制造)測(cè)定機(jī)筒內(nèi)部的溫度而得到的值。本發(fā)明的絕緣線中，上述包覆層可以是不經(jīng)發(fā)泡而得到的，也可以經(jīng)發(fā)泡后得到。上述包覆層為發(fā)泡體的情況下，能夠得到傳輸損失更小的絕緣線。上述TFE系共聚物為發(fā)泡體的情況下，也能夠包覆直徑小于O.lmm的細(xì)徑的芯線。上述包覆層為發(fā)泡體時(shí)，例如包覆AWG35以上的芯線的情況下，優(yōu)選上述TFE系共聚物的MFR超過35g/10分鐘且為85g/10分鐘以下，更優(yōu)選為6080g/10分鐘。這種情況下，能夠制成雖為細(xì)徑但傳輸損失少、耐熱性和耐裂紋性優(yōu)異的電線。上述發(fā)泡體優(yōu)選發(fā)泡率為1080%。上述發(fā)泡體優(yōu)選氣泡的平均直徑為510(^m。本說明書中，發(fā)泡率表示發(fā)泡前后的比重變化率，是利用水中置換法對(duì)構(gòu)成該發(fā)泡體的材料固有比重與發(fā)泡體的表觀比重之間的變化率進(jìn)行測(cè)定而得到的值，氣泡的平均直徑是利用截面的顯微鏡照片計(jì)算出的值。上述包覆層可以利用現(xiàn)有公知的方法發(fā)泡。作為這樣的方法，可以舉出例如(l)預(yù)選制成添加有成核劑的TFE系共聚物的顆粒，向該顆粒中連續(xù)導(dǎo)入氣體同時(shí)進(jìn)行擠出成型的方法；(2)在TFE系共聚物熔融的狀態(tài)下混合化學(xué)發(fā)泡劑，進(jìn)行擠出成型，從而使化學(xué)發(fā)泡劑分解產(chǎn)生氣體，獲得氣泡的方法。上述(l)的方法中，上述成核劑為氮化硼[BN]等現(xiàn)有公知的物質(zhì)即可。作為上述氣體，可以舉出例如氯二氟甲烷、氮?dú)?、二氧化碳或它們的混合物等。作為上?2)的方法中的化學(xué)發(fā)泡劑，可以舉出例如偶氮二甲酰胺、4,4，-氧代雙苯磺?；ｋ隆Ｉ鲜?l)的方法中的成核劑的添加量、氣體的導(dǎo)入量、上述(2)的方法中的化學(xué)發(fā)泡劑的添加量等各方法下的各種條件可以根據(jù)所使用的樹脂、芯線的種類、所期望的包覆層的厚度來適當(dāng)調(diào)整。本發(fā)明的絕緣線的電學(xué)特性優(yōu)異，因而介電損耗角正切低，即使進(jìn)行高頻率傳輸其衰減量也低。因而可以應(yīng)用于高頻率傳輸用的線路、基站等通信系統(tǒng)用的同軸電纜、LAN電纜、扁平電纜等電纜、便攜式電話機(jī)等小型電子機(jī)器、印刷電路基板等高頻率傳輸部件等各種的用途。在上述本發(fā)明的絕緣線上進(jìn)一步包覆外層而成的同軸電纜也是本發(fā)明的內(nèi)容之一。本發(fā)明的同軸電纜由于具有上述絕緣線，因而介電損耗角正切低，能夠良好地用作高頻率傳輸部件。本發(fā)明的同軸電纜的外層不受特別限定，既可以是由金屬網(wǎng)等外部導(dǎo)體形成的導(dǎo)體層，也可以是由TFE/HFP系共聚物、TFE/PAVE系共聚物等具有TFE單元的含氟共聚物；聚氯乙烯[PVC]、聚乙烯等樹脂形成的樹脂層(外皮層)。上述同軸電纜還可以是在上述本發(fā)明的絕緣線周圍形成由金屬構(gòu)成的外部導(dǎo)體層后再在該外部導(dǎo)體層的周圍形成上述樹脂層(外皮層)而成的電纜。上述外層可以通過熔融擠出成型等現(xiàn)有公知的方法進(jìn)行包覆。本發(fā)明的絕緣線由于具有上述構(gòu)成而電學(xué)特性良好，因而介電損耗角正切低，從而即使傳輸高頻率的電磁波其衰減量也低。此外，上述絕緣線的耐熱性和耐裂紋性也優(yōu)異。具體實(shí)施例方式下面利用實(shí)施例和比較例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實(shí)施例和比較例的限制。(1)共聚物組成比使用核磁共振裝置AC300(Bruker-Biospin社制造)，在測(cè)定溫度為(聚合物的熔點(diǎn)+20)。C進(jìn)行^F-NMR測(cè)定，由各峰的積分值求出共聚物組成比。(2)熔點(diǎn)利用差示掃描量熱計(jì)RDC220(SeikoInstruments制造)，依照ASTMD-4591,在10'C/分鐘的升溫速度下進(jìn)行熱測(cè)定，由所得到的吸熱曲線的峰求出熔點(diǎn)。(3)MFR使用DYNISCO熔體流動(dòng)速率測(cè)定儀(安田精機(jī)制作所制造)，依照ASTMD-1238進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定條件原則上為溫度372°C、負(fù)荷5kgf，通過內(nèi)徑2mm、長(zhǎng)度8mm的管口(orifice)擠出，以每10分鐘流出的樹脂的質(zhì)量的形式求出。其中，在比較例中記載的熔點(diǎn)約為240。C以下的共聚物的情況下，在265t:的溫度下擠出。(4)不穩(wěn)定末端基團(tuán)的數(shù)量用油壓機(jī)軋制顆粒，制作厚度為0.35mm左右的膜，利用FI-IR200810144921.X說明書第10/20頁Spectrometer1760X(Perkin-Elmer社制造)進(jìn)行分析。獲得與標(biāo)準(zhǔn)樣品(充分氟化直至已經(jīng)不能在光譜中發(fā)現(xiàn)實(shí)質(zhì)性差異的樣品)的差示光譜，讀取各峰的吸光度，利用下式計(jì)算出每lxl(^個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)。每1x106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)氣IxK)/t(I:吸光度、K:校正系數(shù)、t:膜厚(單位mm))各不穩(wěn)定末端基團(tuán)的校正系數(shù)(K)如下。-COF(1884cm")"-405-COOH(1813cm-1、1775cm-1)'■'455-COOCH3(1795cm-1)H'355-CH2OH(3648cm-V'2325(5)介電損耗角正切(tan5)在(聚合物熔點(diǎn)+約3(TC)的溫度下進(jìn)行熔融擠出，制成直徑2.3mmx長(zhǎng)80mm的圓柱狀的測(cè)定樣品。對(duì)于該測(cè)定樣品，使用網(wǎng)絡(luò)分析器(NetworkAnalyzer,關(guān)東電子應(yīng)用開發(fā)社制造)利用空腔諧振器攝動(dòng)法測(cè)定2.45GHz下的電學(xué)特性(試驗(yàn)溫度25°C)。(6)MIT彎折壽命通過模壓成型制作0.2mm厚的沖壓片，依照ASTMD-2176,進(jìn)行MIT測(cè)定。使用No.307MIT式彎曲試驗(yàn)機(jī)(安田精機(jī)制作所制造)，測(cè)定條件為試驗(yàn)溫度23'C、旋轉(zhuǎn)角度左右各135度、彎曲速度175cpm。MIT彎折壽命是耐彎曲性的指標(biāo)。該值越高，耐彎曲性越優(yōu)異，對(duì)于力學(xué)應(yīng)力的耐裂紋性越高。比較例1在備有攪拌機(jī)、玻璃襯里的高壓釜(容積174L)中加入26.6kg純水。將高壓釜內(nèi)部以N2充分置換后抽真空，加入30.4kg全氟環(huán)丁烷[C-318]、0.8kg甲醇、1.6kg全氟(丙基乙烯基醚)[PPVE]。然后，攪拌下保持高壓釜內(nèi)為35。C，壓入四氟乙烯[TFE]，使內(nèi)壓為0.58MPaG。作為聚合引發(fā)劑添加二正丙基過氧化二碳酸酯[NPP]的50%甲醇溶液，添加量為0.028kg，12引發(fā)聚合。由于壓力會(huì)隨著聚合的進(jìn)行而降低，因而以構(gòu)成目標(biāo)聚合物組成的比例連續(xù)追加TFE和PPVE。聚合開始33小時(shí)后，停止攪拌，同時(shí)排出未反應(yīng)單體和C-318，停止聚合。水洗高壓釜內(nèi)的白色粉末，進(jìn)行15(TCxl2小時(shí)的干燥，得到聚合物生成物。利用螺桿擠出機(jī)(池貝社制造)，在395'C的擠出溫度下對(duì)所得到的聚合物生成物進(jìn)行熔融擠出，制造TFE系共聚物的顆粒。所得到的顆粒的共聚組成、熔點(diǎn)、MFR(測(cè)定溫度372"C)和每lxl06個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)如下。共聚組成TFE/PPVE^93.4/6.6(質(zhì)量o/。)熔點(diǎn)[Tm]:302°CMFR:15.2g/10分鐘不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)-CH2OH99個(gè)、-COF31個(gè)、-0)01^非締合)2個(gè)、-0)001355個(gè)、《0011(締合)3個(gè)對(duì)于所得到的顆粒，使用30mmO的電線包覆成型機(jī)(田邊塑料機(jī)械社制造)進(jìn)行包覆成型。裝置的螺桿L/D比為24、螺桿CR為3。成型條件為，料筒溫度C1:300°C、C2:350°C、C3:370°C，接頭溫度380°C，機(jī)頭溫度380°C，模頭溫度380°C，螺桿轉(zhuǎn)速10rpm，擠出速度6.8m/分鐘，在0.812mm①(AWG20)的鍍銀的銅線上以0.90mmt的包覆厚度進(jìn)行包覆以使特性阻抗為50±1Q。將該絕緣線套上厚度約0.2mm的銅管，制成半剛性電纜。使用網(wǎng)絡(luò)分析器HP8510C(惠普社)測(cè)定所得到的半剛性電纜的衰減量。所得到的半剛性電纜的衰減量于6GHz為1.7dB/m、于lOGHz為2掘/m。實(shí)施例1將比較例1中得到的顆粒裝入真空振動(dòng)式反應(yīng)裝置VVD-30(大川原制作所制造)中，升溫至20(TC。抽真空后，導(dǎo)入以N2氣體稀釋至20質(zhì)量％的F2氣體直至壓力為大氣壓。導(dǎo)入F2氣體3小時(shí)后，暫時(shí)抽真空后再次導(dǎo)入F2氣體。進(jìn)行上述導(dǎo)入F2氣體和抽真空的操作共計(jì)6次。反應(yīng)完畢后，以N2氣體對(duì)反應(yīng)器內(nèi)進(jìn)行置換，于18(TC的溫度下進(jìn)一步進(jìn)行12小時(shí)的顆粒的脫氣。反應(yīng)后的顆粒的共聚組成、熔點(diǎn)、MFR(測(cè)定溫度372"C)和每lxl06個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)如下。共聚組成TFE/PPVE:93.4/6.6(質(zhì)量。/。)Tm:302。CMFR:17.3g/10分鐘不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)檢測(cè)極限以下對(duì)于實(shí)施例1中得到的顆粒，用與比較例1相同的條件進(jìn)行電線包覆，制成半剛性電纜。用與比較例1相同的方法測(cè)定所得到的半剛性電纜的衰減量，結(jié)果于6GHz為1.2dB/m、于10GHz為1.6dB/m。實(shí)施例4除了進(jìn)行導(dǎo)入F2氣體和抽真空的操作5次以外，與實(shí)施例1同樣地制備TFE系共聚物。所得到的顆粒的MFR(測(cè)定溫度372。C)為17.3g/10分鐘，每lx106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)為，-COF基為5個(gè)。使用30mmcp的電線包覆成型機(jī)對(duì)經(jīng)氟化反應(yīng)的顆粒進(jìn)行包覆成型。除拉伸速度為7.1m/分鐘以外，與比較例1同樣地進(jìn)行電線包覆，得到半剛性電纜。使用網(wǎng)絡(luò)分析器HP8510C(惠普社)測(cè)定所得到的半剛性電纜的衰減量。所得到的半剛性電纜的衰減量于6GHz為1.2dB/m、于10GHz為1.6dB/m。比較制造例1除了進(jìn)行導(dǎo)入F2氣體和抽真空的操作4次以外，與實(shí)施例1同樣地制備TFE系共聚物。所得到的顆粒的MFR(測(cè)定溫度372。C)為17.1g/10分鐘，每lx106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)為，-0(^基為20個(gè)。比較制造例2將比較制造例1中得到的顆粒裝入真空振動(dòng)式反應(yīng)裝置VVD-30(大川原制作所制造)中，進(jìn)一步流通NH3氣體，于7(TC反應(yīng)5小時(shí)。通過IR進(jìn)行末端基團(tuán)定量，結(jié)果每lxl(^個(gè)碳原子中的-CONH2基約為20個(gè)。比較制造例3在備有攪拌機(jī)、玻璃襯里的高壓釜(容積174L)中加入26.6kg純水。將高壓釜內(nèi)部以N2充分置換后抽真空，加入30.4kgC-318、2.2kg甲醇、1.3kgPPVE。然后，攪拌下保持高壓釜內(nèi)為35t:，壓入TFE，使內(nèi)壓為0.58MPaG。作為聚合引發(fā)劑添加NPP的50%甲醇溶液，添加量為0.044kg，引發(fā)聚合。由于壓力會(huì)隨著聚合的進(jìn)行而降低，因而以構(gòu)成目標(biāo)聚合物組成的比例連續(xù)追加TFE和PPVE。聚合開始8小時(shí)后，停止攪拌，同時(shí)排出未反應(yīng)單體和C-318，停止聚合。水洗高壓釜內(nèi)的白色粉末，進(jìn)行150。Cxl2小時(shí)的干燥，得到聚合物生成物。在與比較例1同樣的條件下將上述聚合物生成物顆?；?。所得到的顆粒的共聚組成、熔點(diǎn)、MFR(測(cè)定溫度372'C)和每lxl06個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)如下。0094、共聚組成TFE/PPVE:95.6/4.4(質(zhì)量。/。)Tm:304。CMFR:13.7g/10分鐘不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)-CH2OH57個(gè)、-COF45個(gè)、-COOH(非締合)l個(gè)、-0)00^342個(gè)、-COOH(締合)l個(gè)對(duì)于所得到的顆粒，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行氟化反應(yīng)。氟化反應(yīng)后的顆粒的MFR(測(cè)定溫度372。C)為17.6g/10分鐘，不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)為檢測(cè)極限以下。試驗(yàn)例1使用實(shí)施例1和實(shí)施例4、比較例1、比較制造例13中得到的各顆粒制成沖壓片，進(jìn)行電學(xué)特性(介電損耗角正切)測(cè)定和MIT測(cè)定。結(jié)果見表l。200810144921.X說明書第M/20頁表1比較例1實(shí)施例1實(shí)施例4比較制造例1比較制造例2比較制造例3PPVE(質(zhì)量。/。)6.66.66.66.66.64.4Tm('C)302302302302302304MFR(g/10分鐘)372°C15.217.317,317.117,217.6每100萬個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)CH2OH:99COF:31COOH(非締合)2COOCH3:55COOH(締合)3檢測(cè)極限以下COF:5COF:20CONH2:20檢測(cè)極限以下介電損耗角正切[2.45GHz]10.2xl0-43.6xl0-45.6X10.43.6xl(V4MIT(萬次)11.011.811.711.511.36.2電線的衰減量(dB/m)6GHz1.71.21.2一——lOGHz2.41,61.6一——實(shí)施例2在備有攪拌機(jī)、玻璃襯里的高壓釜(容積174L)中加入49.0kg純水。將高壓釜內(nèi)部以N2充分置換后抽真空，加入40.7kgC-318、4.1kg甲醇、2.1kgPPVE。然后，攪拌下保持高壓釜內(nèi)為35'C，壓入TFE，使內(nèi)壓為0.64MPaG。作為聚合引發(fā)劑添加NPP的50。/。甲醇溶液，添加量為0.041kg，引發(fā)聚合。由于壓力會(huì)隨著聚合的進(jìn)行而降低，因而以構(gòu)成目標(biāo)聚合物組成的比例連續(xù)追加TFE和PPVE。聚合開始20小時(shí)后，停止攪拌，同時(shí)排出未反應(yīng)單體和C-318，停止聚合。水洗高壓釜內(nèi)的白色粉末，進(jìn)行15(TCxl2小時(shí)的干燥，得到聚合物生成物。在與比較例1同樣的條件下將上述聚合物生成物顆粒化。所得到的顆粒的共聚組成、熔點(diǎn)、MFR(測(cè)定溫度372'C)和每1><106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)如下。共聚組成TFE/PPVE^94.2/5.8(質(zhì)量。/。)Tm:302°CMFR:27.6g/10分鐘不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)-CH2OH146個(gè)、-COF16個(gè)、-COOH(非締合)2個(gè)、-COOCH352個(gè)、《0011(締合)4個(gè)對(duì)于所得到的顆粒，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行氟化反應(yīng)。氟化反應(yīng)后16200810144921.X說明書第15/20頁的顆粒的MFR(測(cè)定溫度372"C)為30.9g/10分鐘，不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)對(duì)于經(jīng)氟化反應(yīng)的顆粒，使用30mmO的電線包覆成型機(jī)進(jìn)行包覆成型。除了設(shè)螺桿轉(zhuǎn)速為8.5rpm、擠出速度為6.5m/分鐘以外，與比較例1、實(shí)施例1同樣地包覆電線，得到半剛性電纜。使用網(wǎng)絡(luò)分析器HP8510C(惠普社)測(cè)定所得到的半剛性電纜的衰減量。所得到的半剛性電纜的衰減量于6GHz為1,2dB/m、于lOGHz為1.6dB/m。比較制造例4在備有攪拌機(jī)、玻璃襯里的高壓釜(容積174L)中加入26.6kg純水。將高壓釜內(nèi)部以N2充分置換后抽真空，加入30.4kgC-318、3.0kg甲醇、1.4kgPPVE。然后，攪拌下保持高壓釜內(nèi)為35'C，壓入TFE，使內(nèi)壓為0.57MPaG。作為聚合引發(fā)劑添加NPP的50。/。甲醇溶液，添加量為0.014kg，引發(fā)聚合。由于壓力會(huì)隨著聚合的進(jìn)行而降低，因而以構(gòu)成目標(biāo)聚合物組成的比例連續(xù)追加TFE和PPVE。聚合開始21小時(shí)后，停止攪拌，同時(shí)排出未反應(yīng)單體和C-318，停止聚合。水洗高壓釜內(nèi)的白色粉末，進(jìn)行150'Cxl2小時(shí)的干燥，得到聚合物生成物。在與比較例1同樣的條件下將上述聚合物生成物顆粒化。所得到的顆粒的共聚組成、熔點(diǎn)、MFR(測(cè)定溫度372'C)和每lxl(^個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)如下。共聚組成TFE/PPVE:95.4/4.6(質(zhì)量0/。)Tm:302°CMFR:28.0g/10分鐘不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)-CH2OH120個(gè)、-COF42個(gè)、-COOH(非締合)2個(gè)、《0001340個(gè)、-COOH(締合)2個(gè)對(duì)于所得到的顆粒，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行氟化反應(yīng)。氟化反應(yīng)后的顆粒的MFR(測(cè)定溫度372"C)為31.0g/10分鐘，不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)為檢測(cè)極限以下。試驗(yàn)例217使用由實(shí)施例2和比較制造例4得到的氟化反應(yīng)后的各顆粒，與試驗(yàn)例1同樣地制作沖壓片，進(jìn)行電學(xué)特性(介電損耗角正切)測(cè)定和MIT測(cè)定。結(jié)果見表2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>實(shí)施例3在備有攪拌機(jī)、玻璃襯里的高壓釜(容積174L)中加入46.1kg純水。將高壓釜內(nèi)部以N2充分置換后抽真空，加入40.7kgC-318、6.1kg甲醇、2.8kgPPVE。然后，攪拌下保持高壓釜內(nèi)為35°C，壓入TFE，使內(nèi)壓為0.64MPaG。作為聚合引發(fā)劑添加NPP的50。/。甲醇溶液，添加量為0.081kg，引發(fā)聚合。由于壓力會(huì)隨著聚合的進(jìn)行而降低，因而以構(gòu)成目標(biāo)聚合物組成的比例連續(xù)追加TFE和PPVE。聚合開始19小時(shí)后，停止攪拌，同時(shí)排出未反應(yīng)單體和C-318，停止聚合。水洗高壓釜內(nèi)的白色粉末，進(jìn)行15(T012小時(shí)的干燥，得到聚合物生成物。將上述聚合物生成物在37(TC的擠出溫度下顆?；?。所得到的顆粒的共聚組成、熔點(diǎn)、MFR(測(cè)定溫度372'C)和每1><106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)如下。共聚組成TFE/PPVE:93.0/7.0(質(zhì)量n/。)Tm:300°CMFR:69.7g/10分鐘不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)-CH2OH170個(gè)、-COF21個(gè)、-COOH(非締合)3個(gè)、-COOCH364個(gè)、-COOH(締合)2個(gè)對(duì)于所得到的顆粒，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行氟化反應(yīng)。氟化反應(yīng)后的顆粒的MFR(測(cè)定溫度372"C)為72.8g/10分鐘，不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)為檢測(cè)極限以下。將100質(zhì)量份氟化后的顆粒和2質(zhì)量份作為成核劑的氮化硼[BN]投入到雙螺桿混煉機(jī)(池貝社制造)中，于37(TC混煉擠出，得到樹脂混合物。將該樹脂混合物投入到電線包覆成型機(jī)(圣制作所制造)中，注入作為發(fā)泡劑的N2，進(jìn)行發(fā)泡包覆成型。在0.080mmO(AWG40)的鍍銀的銅線上以0.090mmt的包覆厚度進(jìn)行包覆以使特性阻抗為50Q。將該絕緣線套上厚度約0，2mm的銅管，制成半剛性電纜。與比較例1、實(shí)施例2相比可知，實(shí)施例3的經(jīng)氟化反應(yīng)的顆粒的成型性良好，電線能夠細(xì)線化。用與比較例1相同的方法測(cè)定所得到的半剛性電纜的衰減量。測(cè)定結(jié)果見表3。此外，在不加入成核劑不使之發(fā)泡的條件下進(jìn)行電線包覆時(shí)，所得到的半剛性電纜的衰減量于6GHz為11.6dB/m、于lOGHz為16.1dB/m。試驗(yàn)例3使用由實(shí)施例3得到的經(jīng)氟化反應(yīng)的顆粒，與試驗(yàn)例1同樣地制作沖壓片，進(jìn)行電學(xué)特性(介電損耗角正切)測(cè)定和MIT測(cè)定。結(jié)果見表3。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>實(shí)施例3的經(jīng)氟化反應(yīng)的顆?？梢杂米骷?xì)徑的電線的材料，在應(yīng)用于細(xì)徑電線的情況下電學(xué)特性也優(yōu)異。進(jìn)而可知，其MFR大且成型性優(yōu)異，并且MIT值也高，與MFR為同等程度的現(xiàn)有的TFE系共聚物相比耐裂紋性也優(yōu)異。比較制造例5200810144921.X說明書第18/20頁在備有攪拌機(jī)、玻璃襯里的高壓釜(容積174L)中加入51.1kg純水。將高壓釜內(nèi)部以N2充分置換后抽真空，加入34.7kgC-318、10.4kg全氟(甲基乙烯基醚)[PMVE]。然后，攪拌下保持高壓釜內(nèi)為35°C，壓入TFE，使內(nèi)壓為0.79MPaG。作為聚合引發(fā)劑添加NPP的50%甲醇溶液，添加量為0.38kg，引發(fā)聚合。由于壓力會(huì)隨著聚合的進(jìn)行而降低，因而以構(gòu)成目標(biāo)聚合物組成的比例連續(xù)追加TFE和PMVE。聚合開始30小時(shí)后，停止攪拌，同時(shí)排出未反應(yīng)單體和C-318，停止聚合。水洗高壓釜內(nèi)的白色粉末，進(jìn)行15(T012小時(shí)的千燥，得到聚合物生成物。利用螺桿擠出機(jī)(池貝社制造)，在265'C的擠出溫度下對(duì)所得到的聚合物生成物進(jìn)行熔融擠出，制造TFE系共聚物的顆粒。所得到的顆粒的共聚組成、熔點(diǎn)和MFR(測(cè)定溫度265。C)如下。共聚組成TFE/PMVE二80.2/19.8(質(zhì)量。/0)熔點(diǎn)[Tm]:226°CMFR:15.0g/10分鐘對(duì)于所得到的顆粒，除了設(shè)反應(yīng)溫度為190。C以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行氟化反應(yīng)。氟化反應(yīng)后的顆粒的MFR(測(cè)定溫度265'C)為16.9g/10分鐘，不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)為檢測(cè)極限以下。比較制造例6在備有攪拌機(jī)、玻璃襯里的高壓釜(容積174L)中加入51.3kg純水。將高壓釜內(nèi)部以N2充分置換后抽真空，加入41.3kgC-318、5.3kgPMVE。然后，攪拌下保持高壓釜內(nèi)為35°C，壓入TFE，使內(nèi)壓為0.79MPaG。作為聚合引發(fā)劑添加NPP的50%甲醇溶液，添加量為0.47kg，引發(fā)聚合。由于壓力會(huì)隨著聚合的進(jìn)行而降低，因而以構(gòu)成目標(biāo)聚合物組成的比例連續(xù)追加TFE和PMVE。聚合開始12小時(shí)后，停止攪拌，同時(shí)排出未反應(yīng)單體和C-318，停止聚合。水洗高壓釜內(nèi)的白色粉末，進(jìn)行15(TCxl2小時(shí)的干燥，得到聚合物生成物。利用螺桿擠出機(jī)(池貝社制造)，在32(TC的擠出溫度下對(duì)所得到的聚20合物生成物進(jìn)行熔融擠出，制造TFE系共聚物的顆粒。所得到的顆粒的共聚組成、熔點(diǎn)和MFR(測(cè)定溫度372'C)如下。共聚組成TFE/PMVE^88.2/11.8(質(zhì)量。/。)熔點(diǎn)[Tm]:253。CMFR:30.5g/10分鐘對(duì)于所得到的顆粒，除了設(shè)反應(yīng)溫度為19(TC以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行氟化反應(yīng)。氟化反應(yīng)后的顆粒的MFR(測(cè)定溫度372r)為32.3g/10分鐘，不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)為檢測(cè)極限以下。實(shí)施例5在備有攪拌機(jī)、玻璃襯里的高壓釜(容積174L)中加入41.5kg純水。將高壓釜內(nèi)部以N2充分置換后抽真空，加入106.3kgC-318、4.8kgPMVE。然后，攪拌下保持高壓釜內(nèi)為35°C，壓入TFE，使內(nèi)壓為0.60MPaG。作為聚合引發(fā)劑添加NPP的50%甲醇溶液，添加量為0.63kg，引發(fā)聚合。由于壓力會(huì)隨著聚合的進(jìn)行而降低，因而以構(gòu)成目標(biāo)聚合物組成的比例連續(xù)追加TFE和PMVE。聚合開始8小時(shí)后，停止攪拌，同時(shí)排出未反應(yīng)單體和C-318，停止聚合。水洗高壓釜內(nèi)的白色粉末，進(jìn)行15(T012小時(shí)的干燥，得到聚合物生成物。利用螺桿擠出機(jī)(池貝社制造)，在35(TC的擠出溫度下對(duì)所得到的聚合物生成物進(jìn)行熔融擠出，制造TFE系共聚物的顆粒。所得到的顆粒的共聚組成、熔點(diǎn)和MFR(測(cè)定溫度372"C)如下。共聚組成TFE/PMVE二92.1/7.9(質(zhì)量。/。)熔點(diǎn)[Tm]:278°CMFR:19.8g/10分鐘對(duì)于所得到的顆粒，除了設(shè)反應(yīng)溫度為19(TC以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行氟化反應(yīng)。氟化反應(yīng)后的顆粒的MFR(測(cè)定溫度372'C)為21.4g/10分鐘，不穩(wěn)定末端基團(tuán)的個(gè)數(shù)為檢測(cè)極限以下。使用30mmcp的電線包覆成型機(jī)對(duì)經(jīng)氟化反應(yīng)的顆粒進(jìn)行包覆成型。除拉伸速度為7.4m/分鐘以外，與比較例1同樣地進(jìn)行電線包覆，得到半200810144921.X說明書第20/20頁剛性電纜。使用網(wǎng)絡(luò)分析器HP8510C(惠普社)測(cè)定所得到的半剛性電纜的衰減量。所得到的半剛性電纜的衰減量于6GHz為1.3dB/m、于10GHz為1.8dB/m。試驗(yàn)例4使用由比較制造例56、實(shí)施例5得到的經(jīng)氟化反應(yīng)的各顆粒，與試驗(yàn)例1同樣地制作沖壓片，進(jìn)行電學(xué)特性(介電損耗角正切)測(cè)定和MIT測(cè)定。結(jié)果見表4。表4比較制造例5比較制造例6實(shí)施例5PMVE(質(zhì)量。/0)19.811.87.9Tm('C)226253278MFR(g/10分鐘)372°C16.9※32.321.4每100萬個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)個(gè)數(shù)檢測(cè)極限以下檢測(cè)極限以下檢測(cè)極限以下介電損耗角正切[2.45GHz]4.9xl(T44.4xl(T43.9xl(T4MIT(萬次)2.50.70.8電線的衰減量(dB/m)6GHz※于265'C測(cè)定1.310GHz1.8工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的絕緣線即使傳輸高頻率的電磁波，衰減量也低，因而可以應(yīng)用于高頻率傳輸用的線路、基站等通信系統(tǒng)用的同軸電纜、LAN電纜、扁平電纜等電纜用途、便攜式電話機(jī)等小型電子機(jī)器、印刷電路基板等高頻率傳輸部件用途等各種用途。2權(quán)利要求1.一種絕緣線，其特征在于，其是在芯線上包覆熔點(diǎn)為260℃以上的TFE系共聚物而成的，所述TFE系共聚物具有源自四氟乙烯[TFE]的TFE單元和源自全氟(烷基乙烯基醚)[PAVE]的PAVE單元，所述PAVE單元超過全部單體單元的5質(zhì)量％且為20質(zhì)量％以下，每1×106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)少于10個(gè)。2.如權(quán)利要求1所述的絕緣線，其中，TFE系共聚物中，PAVE單元超過全部單體單元的5質(zhì)量％且不足8質(zhì)量％。3.如權(quán)利要求1或2所述的絕緣線，其中，TFE系共聚物中，PAVE單元源自全氟(丙基乙烯基醚)[PPVE]或全氟(甲基乙烯基醚)[PMVE]。4.如權(quán)利要求1、2或3所述的絕緣線，其中，TFE系共聚物中，每口106個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基團(tuán)少于5個(gè)。5.如權(quán)利要求l、2、3或4所述的絕緣線，其中，TFE系共聚物的熔體流動(dòng)速率為60g/10分鐘以下。6.如權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的絕緣線，其中，TFE系共聚物的熔體流動(dòng)速率為35g/10分鐘以下。7.如權(quán)利要求l、2、3或4所述的絕緣線，其中，包覆TFE系共聚物而成的層為發(fā)泡體。8.—種同軸電纜，其特征在于，其是通過在權(quán)利要求l、2、3、4、5、6或7所述的絕緣線上進(jìn)一步包覆外層而成的。全文摘要本發(fā)明涉及絕緣線和同軸電纜，提供了包覆有電學(xué)特性、耐熱性、耐裂紋性的各特性都優(yōu)異的包覆材料的絕緣線。本發(fā)明的絕緣線的特征在于，其是在芯線上包覆熔點(diǎn)為260℃以上的TFE系共聚物而成的，所述TFE系共聚物具有源自四氟乙烯[TFE]的TFE單元和源自全氟(烷基乙烯基醚)[PAVE]的PAVE單元，其中的PAVE單元超過全部單體單元的5質(zhì)量％且為20質(zhì)量％以下；所述TFE系共聚物每1×10⁶個(gè)碳原子中的不穩(wěn)定末端基少于10個(gè)。文檔編號(hào)H01B11/18GK101364456SQ20081014492公開日2009年2月11日申請(qǐng)日期2008年8月7日優(yōu)先權(quán)日2007年8月8日發(fā)明者佐藤惠美,北原隆宏申請(qǐng)人:大金工業(yè)株式會(huì)社