專利名稱：反熔絲結(jié)構(gòu)和反熔絲陣列結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種反熔絲結(jié)構(gòu)和反溶絲陣列結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置(例如，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲裝置)可包括相當(dāng)大數(shù)量 的單元。即使一個單元有缺陷，半導(dǎo)體存儲裝置也可能不正常工作。如果半 導(dǎo)體存儲裝置不正常工作，則需要將其廢棄。這樣會降低(例如，嚴(yán)重降低) 產(chǎn)品良率。
為了有助于提高產(chǎn)品良羊，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲裝置可包括用于替換有缺 陷的單元的多個多余單元(例如，預(yù)先形成的多余單元)。所述多個多余單元
可包括多個備用行和多個備用列，其每個可形成在相隔幾個(例如，1 ， 2， 3，...) 單元陣列的間隔中?？赏ㄟ^使用多余存儲單元的備用行和/或列來替換有缺陷 的行和/或列，來執(zhí)行使用多余單元的修復(fù)操作。
圖l是傳統(tǒng)的反熔絲的示圖。參照圖1,傳統(tǒng)的反熔絲可包括n型阱區(qū) 110，其形成在p型半導(dǎo)體基底112之上或之內(nèi)。n型源極擴(kuò)散區(qū)114和n型 漏極擴(kuò)散區(qū)116可形成在n型阱區(qū)110之內(nèi)。n型源極擴(kuò)散區(qū)114和n型漏極 擴(kuò)散區(qū)116可與n型阱區(qū)IIO形成歐姆接觸。
柵極介電層122和柵電極120可順序地形成在n型阱區(qū)110上。隔離件 123可形成在柵極介電層122和柵電極120的每一端。柵電極120可連接到 反熔絲IOO的第一端124。源極擴(kuò)散區(qū)114和漏極擴(kuò)散區(qū)116可連接到反溶絲 100的第二端126。 p型擴(kuò)散區(qū)130也可形成在半導(dǎo)體基底112之內(nèi)。P型擴(kuò) 散區(qū)130可提供結(jié)合在半導(dǎo)體基底112和電壓Vbb之間的歐姆接觸。
在圖1中，傳統(tǒng)的反熔絲IOO可具有普通的晶體管結(jié)構(gòu)，其中，可使用 n型阱結(jié)構(gòu)使源極和漏極彼此連接。然而，如果圖1示出的結(jié)構(gòu)以陣列的形 式布置，則陣列結(jié)構(gòu)可需要相當(dāng)大的區(qū)域或面積，和/或需要相當(dāng)高的驅(qū)動電 壓。因此，提高半導(dǎo)體裝置的集成度會相當(dāng)困難。

發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施例涉及反熔絲結(jié)構(gòu)和反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，例如，其中通過單個觸 點(diǎn)連接到位線的所有或基本所有的熔絲單元可彼此連接，以使可通過垂直于 位線的字線來選擇連接到位線的所有或主本所有的反熔絲單元。示例實(shí)施例 涉及制造及操作反熔絲和反熔絲陣列的方法。
至少一個示例實(shí)施例提供較簡單的熔絲結(jié)構(gòu)，其中，可通過位線和字線 連接所有或基本所有的反熔絲單元，以便可同時地選擇所有或基本所有的反 熔絲單元，以寫入/讀取數(shù)據(jù)。
根據(jù)至少一個示例實(shí)施例，反熔絲結(jié)構(gòu)可包括位線，在半導(dǎo)體基底內(nèi)
被形成為第一擴(kuò)散區(qū)；絕緣層，形成在位線上；字線，形成在絕緣層上。
根據(jù)至少一些示例實(shí)施例，反熔絲結(jié)構(gòu)還可包括第二擴(kuò)散區(qū)，圍繞位 線形成在半導(dǎo)體基底的區(qū)域中。位線可以是摻雜有第一摻雜劑的區(qū)域，第二 擴(kuò)散區(qū)可以是摻雜有第二摻雜劑的區(qū)域。反熔絲結(jié)構(gòu)還可包括淺槽隔離， 形成在位線的兩端。位線可以是摻雜有第一摻雜劑的區(qū)域，第二擴(kuò)散區(qū)可以
是摻雜有第二摻雜劑的區(qū)域。
至少一個另外的示例實(shí)施例提供反熔絲陣列結(jié)構(gòu)。至少根據(jù)這個示例實(shí) 施例，所述反熔絲陣列結(jié)構(gòu)包括多個位線，在半導(dǎo)體基底內(nèi)沿第一方向被 形成為第一擴(kuò)散區(qū)；絕緣層，形成在位線上；字線，沿與位線交叉的方向形 成在絕緣層上。


通過詳細(xì)描述附圖，示例實(shí)施例將會變得更加清楚，其中
圖l是傳統(tǒng)的反熔絲的示圖2A是根據(jù)示例實(shí)施例的反熔絲結(jié)構(gòu)的示圖2B是根據(jù)示例性實(shí)施例的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)的透視圖3A是根據(jù)另一示例實(shí)施例的反熔絲結(jié)構(gòu)的示圖3B是根據(jù)另 一示例實(shí)施例的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)的透視圖5A至圖5F是示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的制造反熔絲結(jié)構(gòu)的方法的示
圖6A和圖6B是示出根據(jù)示例實(shí)施例的操作反熔絲結(jié)構(gòu)的方法的示圖；圖7A和圖7B是示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的操作反熔絲結(jié)構(gòu)的卞法的示圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參照附圖更充分地描述不同的示例實(shí)施例，其中， 一些示例實(shí) 施例在附圖中示出。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)的厚度。
這里公開詳細(xì)示出的示例實(shí)施例。然而，這里公開的特定結(jié)構(gòu)和功能細(xì) 節(jié)僅是有代表性的，目的是描述示例實(shí)施例。然而，可以以多種變形實(shí)施本 發(fā)明，并且本發(fā)明不能被解釋為僅限于在此闡述的示例實(shí)施例。
因此，當(dāng)示例實(shí)施例能夠進(jìn)行各種修改和變形時，其實(shí)施例以附圖中的 示例的形式被示出，并且將在這里進(jìn)行詳細(xì)描述。然而，應(yīng)該理解，不是為 了將示例實(shí)施例限于公開的特定形式，相反，示例實(shí)施例意在覆蓋落入本發(fā) 明的范圍內(nèi)的所有》務(wù)改、等同物和替換。貫穿對附圖的描述，相同的標(biāo)號表 示相同的元件。
應(yīng)該理解，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二等來描述不同的元件，但 是這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個元件與另一元 件。例如，在不脫離示例實(shí)施例的范圍的情況下，第一元件可被稱為第二元 件，類似地，第二元件可被稱為第一元件。在這里使用的術(shù)語"和/或"包括 一個或多個相關(guān)列出的項(xiàng)的任意和全部組合。
應(yīng)該理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作"形成在"另一元件或?qū)?之上，，時，該 元件或?qū)涌赡苤苯踊蜷g接地形成在所述另一元件或?qū)又稀＜?，例如，可?存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件或?qū)颖环Q作"直接形成在"另一元件或?qū)?"之上"時，不存在中間元件或?qū)?。?yīng)該以類似的方式解釋用于描述元件或 層之間的關(guān)系的其他詞語(例如，"在...之間"與"直接在…之間"、"相鄰，， 與"直接相鄰"等)。
在這里使用的術(shù)語僅用于描述特定實(shí)施例，而不是為了限制示例實(shí)施例。 這里使用的單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有清楚的指示。還 應(yīng)該理解，當(dāng)在這里使用術(shù)語"包括'，和/或"包含"時，其表示存在敘述的 特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個 其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
圖2A是根據(jù)示例實(shí)施例的反熔絲結(jié)構(gòu)的示圖。參照圖2A，反熔絲結(jié)構(gòu)20可包括半導(dǎo)體基底21,半導(dǎo)體基底21具有至少部分地形成在基底21之 內(nèi)的位線23。位線23可形成為第一擴(kuò)散區(qū)。位線23可形成在基底21之內(nèi) (例如，整個地形成在基底21之內(nèi))，從而位線23的上表面與基底21的上 表面共面或基本共面。反熔絲結(jié)構(gòu)20還可包括形成(例如，順序形成)在半 導(dǎo)體基底21上的絕緣層24和字線25。如果位線23是由第一類型的摻雜劑 形成的區(qū)域，則字線25可以是由第二類型的摻雜劑形成的區(qū)域。第一類型的 摻雜劑和第二類型的摻雜劑可以不同。
例如，如果位線23由n型摻雜劑形成，則字線25可由摻雜有p型摻雜 劑的多晶硅形成。在該示例中，半導(dǎo)體基底21可以是p型半導(dǎo)體基底。反熔 絲結(jié)構(gòu)20還可包括形成在位線23的每一端的淺槽隔離區(qū)22。在基底21中， 淺槽隔離區(qū)22形成至的位置可比位線23形成至的位置深。如圖2A所示， 位線23可被形成為半圓形或基本半圓形。然而，位線23可具有任意合適的 形狀。
仍然參照圖2A，位線23可形成在半導(dǎo)體基底21的第一部分中，淺槽隔 離區(qū)22可形成在基底21的第二部分和第三部分中。每個淺槽隔離區(qū)22可比 位線23寬。位線23和淺槽隔離區(qū)22的上表面可包括基底21的上表面(例 如，整個上表面)。
圖2B是根據(jù)示例性實(shí)施例的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)的透視圖。圖2B的反熔絲 陣列結(jié)構(gòu)可包括根據(jù)圖1示出的示例實(shí)施例的多個反熔絲結(jié)構(gòu)。
如圖2B所示，反熔絲陣列結(jié)構(gòu)可包括多個位線23以及垂直于或基本垂 直于多個位線23形成的多個字線25。例如，多個位線23和多個字線25可 互相交叉地形成。絕緣層24可形成在每個字線25和多個位線23之間。根據(jù) 至少一個示例實(shí)施例，每個絕緣層24可形成為具有與相應(yīng)的字線25的形狀 相同或基本相同的形狀。
仍然參照圖2B，每個位線23可具有第一長度和第一寬度，其中，第一 長度可大于第一寬度。第一寬度可沿第一方向Dl延伸，第一長度可沿第二 方向D2延伸。多個位線23可沿第一方向Dl彼此隔開。位線23可彼此相隔 第一距離。第一距離可大于位線23的寬度。
每個字線25可具有第一長度和第一寬度，其中，第一長度可大于第一寬 度。第一長度可沿第一方向D1延伸，第一寬度可沿第二方向D2延伸。多個 字線25可沿第二方向彼此隔開。圖3A是根據(jù)另一示例實(shí)施例的反熔絲結(jié)構(gòu)的示圖。參照圖3A,反熔絲 結(jié)構(gòu)30可包括形成在半導(dǎo)體基底31內(nèi)作為第 一擴(kuò)散區(qū)的位線34和同樣形成 在半導(dǎo)體基底31內(nèi)的第二擴(kuò)散區(qū)33。第二擴(kuò)散區(qū)33可在半導(dǎo)體基底31內(nèi) 圍繞位線34。位線34和第二擴(kuò)散區(qū)33可形成在基底31內(nèi)(例如，整個地 形成在基底31內(nèi))，以便位線34的上表面與基底31的上表面共面或基本共 面。第二擴(kuò)散區(qū)33的上表面也與基底31的上表面共面或基本共面。
位線34可摻雜有第一類型的摻雜劑，第二擴(kuò)散區(qū)33可摻雜有第二類型 的摻雜劑。第一類型的摻雜劑可不同于第二類型的"J參雜劑。例如，如果位線 34是摻雜有p型摻雜劑的區(qū)域，則第二擴(kuò)散區(qū)33可以摻雜有n型摻雜劑。 在該示例中，第二摻雜區(qū)33和位線34可形成p型二極管結(jié)構(gòu)。反熔絲結(jié)構(gòu) 30還可包括形成(例如，順序地形成)在半導(dǎo)體基底31上的絕緣層35和字 線36。淺槽隔離區(qū)32可形成在第二擴(kuò)散區(qū)33的每一端。
仍然參照圖3A，位線34可形成在半導(dǎo)體基底31的第一部分中，第二擴(kuò) 散區(qū)33可形成在基底31的第二部分中，淺槽隔離區(qū)32可形成在基底31的 第三部分和第四部分中。每個淺槽隔離區(qū)32可比第二擴(kuò)散區(qū)33寬，其中， 第二擴(kuò)散區(qū)33可在半導(dǎo)體基底31內(nèi)圍繞位線34。位線34、第二擴(kuò)散區(qū)33 和淺槽隔離區(qū)22的上表面可包括基底31的上表面(例如，整個上表面)。
圖3B是根據(jù)另一示例實(shí)施例的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)的透視圖。圖3B的反熔 絲陣列結(jié)構(gòu)可包括多個圖3A的反熔絲結(jié)構(gòu)30。如圖3B所示，位線34和字 線36可彼此垂直或基本垂直地形成。例如，位線34和字線36可形成為彼此 垂直或基本垂直地交叉。
除了圖3B所示的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)可包括諸如圖3A所示的反熔絲結(jié)構(gòu)的 反熔絲結(jié)構(gòu)外，圖3B所示的反熔絲結(jié)構(gòu)可類似于或基本類似于圖2B所示的 反熔絲陣列結(jié)構(gòu)。
參照圖2A和圖3A,反熔絲結(jié)構(gòu)的不同之處可在于圖3A的反熔絲結(jié) 構(gòu)30可包括在半導(dǎo)體基底31內(nèi)圍繞位線34的第二擴(kuò)散區(qū)33,圖3A中的反 熔絲結(jié)構(gòu)30中的位線34可小于圖2A中的反熔絲結(jié)構(gòu)20的位線23。位線 34和第二擴(kuò)散區(qū)33的大小和/或形狀可以與圖2A中的位線23的大小和/或形 成相似或基本相似。
圖4A至圖4C示出的示例方法可用于制造或加工圖2A所示的反熔絲結(jié)構(gòu)20。參照圖4A和圖4B，在半導(dǎo)體基底21中，多個(例如，兩個或更多個) 淺槽隔離或淺槽隔離區(qū)22可被形成至第一深度。掩膜26可形成在淺槽隔離 區(qū)22上，可通過使用第一類型的摻雜劑將半導(dǎo)體基底21的在淺槽隔離區(qū)22 之間的區(qū)域(以下，第一擴(kuò)散區(qū))摻雜至第二深度來形成位線23。第二深度 可小于第一深度。在形成位線23時，半導(dǎo)體基底21可被摻雜，以使得第一 擴(kuò)散區(qū)或位線23為半圓形、基本半圓形或類似的形狀。然而，位線23可具 有任意合適的形狀。第一類型的摻雜劑可以是n型摻雜劑或p型摻雜劑。
參照圖4C，掩膜26可被去除，絕緣層24和字線25可形成(例如，順 序地形成)在半導(dǎo)體基底21上。絕緣層24可由半導(dǎo)體絕緣材料(例如，Si02、 S"N4等)形成。可使用摻雜有第二類型的摻雜劑的材料形成字線25。第二類 型的摻雜劑可以不同于第一類型的摻雜劑。例如，如果通過使用n型摻雜劑 對第一擴(kuò)散區(qū)摻雜來形成位線23，則字線25可由例如纟參雜有p型摻雜劑的 多晶硅形成。
圖5A至圖5F是示出根據(jù)另一示例實(shí)施例的制造反熔絲的方法的示圖。
參照圖5A,在半導(dǎo)體基底531中，多個(例如，兩個或更多個)淺槽隔 離或淺槽隔離區(qū)532可被形成至第一深度。在圖5B中，掩膜538可形成在每 個淺槽隔離區(qū)532上，可通過使用第一類型的摻雜劑將的半導(dǎo)體基底531的 在淺槽隔離532之間的區(qū)域摻雜至第二深度來形成第二擴(kuò)散區(qū)533。第二深 度可小于第一深度。在形成第二擴(kuò)散區(qū)533時，半導(dǎo)體基底531可被摻雜， 以使得第二摻雜區(qū)533為半圓形或類似的形狀。然而，第二摻雜區(qū)533可具 有任意合適的形狀。在一個示例中，第一類型的摻雜劑可以是n型摻雜劑。
掩膜536可形成在第二擴(kuò)散區(qū)533的表面上，以使得第二擴(kuò)散區(qū)533的 一部分保持暴露。例如，掩膜536可形成在第二擴(kuò)散區(qū)533的外部(例如， 每一端)，以使得第二擴(kuò)散區(qū)533的中心部分保持暴露?？墒褂玫诙愋偷膿?雜劑將半導(dǎo)體基底531的暴露部分摻雜至第三深度，以形成位線534。第三 深度可小于第一深度和第二深度。位線534可被摻雜，以使得位線534為半 圓形或類似的形狀。然而，位線534可具有任意合適的形狀。
摻雜有第二類型的捧雜劑的第二擴(kuò)散區(qū)533的部分被稱為第一擴(kuò)散區(qū)。 第二類型的摻雜劑可不同于第一類型的摻雜劑。在一個示例中，第二類型的 摻雜劑可以是p型摻雜劑。然而，如果第一類型的摻雜劑是p型摻雜劑，則 第二類型的摻雜劑可以是n型摻雜劑。參照圖5C至圖5E,通過使用熱氧化工藝等將氧化物材料涂覆到半導(dǎo)體
基底531的頂表面，可在半導(dǎo)體基底531上形成第一絕緣層541。第一絕緣 層541可包含例如半導(dǎo)體絕緣材料(例如，Si02、 Si3N4等)。
如圖5D所示，可去除位線534的頂表面上的第一絕緣層541的至少一 部分，以暴露位線534的頂表面。至少根據(jù)這個示例實(shí)施例，第一絕緣層541 的第一部分541a和第二部分541b可保留。第二絕緣層542可形成在位線534 的暴露的頂表面上。第二絕緣層542可比第一絕緣層541薄?；蛘?，可僅部 分地去除位線534的頂表面上的第一絕緣層541的部分，以便位線534的頂 表面上的第一絕緣層541的所述部分的厚度小于第一絕緣層541的保留部分 541a和541b的厚度。結(jié)果，絕緣層535可形成在半導(dǎo)體基底531上。
如圖5E所示，所得絕緣層535可包括第一部分541a、第二部分541b以 及第三部分542。第一部分541a和第二部分541b可覆蓋第二擴(kuò)散區(qū)533的上 表面。第三部分542可覆蓋位線534的上表面。第三部分542的高度或厚度 可小于部分541a和541b的高度或厚度。
如圖5F所示，可通過將導(dǎo)電材料涂覆到絕緣層535上來形成字線536。 絕緣層541a、 541b和542可以是通過使用熱氧化(或類似的)工藝形成在半 導(dǎo)體基底531的頂表面上的氧化物層?；蛘撸赏ㄟ^將&02、 Si3N4等涂覆到 半導(dǎo)體基底531的頂表面上來形成絕緣層部分541a、 541b和542。
在一個示例中，字線536可由摻雜有第一類型的摻雜劑的材料形成。例 如，如果位線534摻雜有p型摻雜劑，則字線536可使用摻雜有n型摻雜劑 的材料形成。因?yàn)槲痪€534的頂表面上的第二絕緣層542比第一絕緣層的部 分541a、 541b薄，所以通過字線536和位線534施加的電壓可更集中到第二 絕緣層542中。
現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述根據(jù)示例實(shí)施例的驅(qū)動或操作反熔絲單元的方法。 圖6A和圖6B是示出根據(jù)示例實(shí)施例的操作反熔絲結(jié)構(gòu)的方法的示圖。
圖6A和圖6B示出的方法可結(jié)合圖2A、圖2B、圖3A和/或圖3B所示的反
熔絲結(jié)構(gòu)和/或反熔絲陣列結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。
如圖6A和圖6B所示，多個位線b,至b6與多個字線w!至we可形成為
彼此交叉。反熔絲單元可形成在位線bi至b6與字線Wi至W6的交叉區(qū)域(交
叉點(diǎn))。
參照圖2A和圖6A,例如，位線23、絕緣層24和字線25可順序地形成在單元區(qū)A中。下面將參照圖6A更詳細(xì)地描述根據(jù)示例實(shí)施例的在單元區(qū) A將數(shù)據(jù)寫到反熔絲的方法。至少在這個示例實(shí)施例中，位線b2至b6可處于
浮置狀態(tài)，而位線b，可接地。
字線\￥2至W6可處于浮置狀態(tài)，寫入(或編程)電壓Vp可被施加到字
線w,,以在單元區(qū)A將數(shù)據(jù)寫入反熔絲單元。在數(shù)據(jù)寫入操作之后，每個單
元可用作二極管。
至少根據(jù)這個示例實(shí)施例，可同時地選擇并編程位線bi上的每個單元。 以下，將參照圖6B更詳細(xì)地描述根據(jù)示例實(shí)施例的在單元區(qū)A讀取寫 入反熔絲單元的數(shù)據(jù)的方法。
參照圖6B，在該示例中，位線b2至b6可處于浮置狀態(tài)，而位線h可接
地。字線W2至W6可處于浮置狀態(tài)，讀取電壓VS可纟皮施加到字線W,,以在
單元區(qū)A中讀取寫入反熔絲單元的數(shù)據(jù)。
至少根據(jù)這個示例實(shí)施例，可同時地選擇并讀取位線&上的每個單元。
根據(jù)至少這個示例實(shí)施例，可使用連接到位線1 2至、或字線W2至w6
的單個觸點(diǎn)，使所有或基本所有的反熔絲單元彼此連接，因此可同時地將數(shù) 據(jù)寫入所有或基本所有的反熔絲單元，并可同時地從所有或基本所有的反熔 絲單元讀取數(shù)據(jù)。
圖7A和圖7B是用于說明根據(jù)另一示例實(shí)施例的驅(qū)動或操作反熔絲結(jié)構(gòu) 的方法的示圖。圖7A和圖7B示出的方法可結(jié)合圖2A、圖2B、圖3A和/或 圖3B所示的反熔絲結(jié)構(gòu)和/或反熔絲陣列結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。
參照圖7A和圖7B,多個位線b！至b6與多個字線w,至w6可形成為彼此 交叉。反熔絲單元可形成在位線^至b6與字線Wl至w6的交叉區(qū)域(交叉點(diǎn))。 例如，圖3A所示的反熔絲單元30可形成在單元區(qū)B，因此，可以以串聯(lián)的 形式形成二極管和電容器。
以下，參照圖7A描述在單元區(qū)B將數(shù)據(jù)寫入(編程)反熔絲單元的方 法的示例實(shí)施例。
參照圖7A,位線h至b6可處于浮置狀態(tài)，而位線b,可接地。字線\￥2 至W6可處于浮置狀態(tài)，寫入電壓Vp可被施加到字線Wl,以將數(shù)據(jù)寫入反熔 絲單元。
至少根據(jù)這個示例實(shí)施例，可同時地選擇并編程位線b！上的每個單元。 以下，參照圖7B描述在單元區(qū)B讀取寫入反熔絲單元的數(shù)據(jù)的方法的示例實(shí)施例。
參照圖7B，位線b2至be可處于浮置狀態(tài)，而位線b！可接地。字線w2 至W6可處于浮置狀態(tài)，讀取電壓Vs可被施加到字線Wl，以在單元區(qū)B讀取 寫入反熔絲單元的數(shù)據(jù)。
至少根據(jù)這個示例實(shí)施例，可同時地選擇并讀取位線h上的每個單元。
根據(jù)示例實(shí)施例，可通過位線和字線使所有或基本所有的反熔絲單元彼 此連接，因?yàn)榭赏瑫r地選擇所有或基本所有的反熔絲單元，所以可同時地將 數(shù)據(jù)寫入所有或基本所有的反熔絲單元，并可同時地從所有或基本所有的反 熔絲單元讀取數(shù)據(jù)。示例實(shí)施例也可提供較簡單的反熔絲結(jié)構(gòu)。
盡管已經(jīng)參照示出的示例實(shí)施例具體顯示和描述了示例實(shí)施例，但是本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和 范圍的情況下，可以對其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1、一種反熔絲結(jié)構(gòu)，包括位線，在半導(dǎo)體基底內(nèi)被形成為第一擴(kuò)散區(qū)；絕緣層，布置在位線上；字線，布置在絕緣層上。
2、 如權(quán)利要求1所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，還包括 第二擴(kuò)散區(qū)，圍繞位線形成在半導(dǎo)體基底的區(qū)域中。
3、 如權(quán)利要求2所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中，位線是摻雜有第一摻雜劑的 區(qū)域，第二擴(kuò)散區(qū)是摻雜有第二摻雜劑的區(qū)域。
4、 如權(quán)利要求3所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中，字線摻雜有第二摻雜劑。
5、 如權(quán)利要求2所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中，第二擴(kuò)散區(qū)和位線中的至少 一個為半圓形。
6、 如權(quán)利要求1所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，還包括 淺槽隔離，形成在位線的每一端。
7、 如權(quán)利要求1所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中，位線是摻雜有第一摻雜劑的 區(qū)域，字線是摻雜有第二摻雜劑的區(qū)域。
8、 如權(quán)利要求1所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中，位線的頂表面與半導(dǎo)體基底 的上表面共面。
9、 如權(quán)利要求1所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中，位線具有第一長度和第一寬 度，第一長度大于第一寬度。
10、 如權(quán)利要求1所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其中，位線為半圓形。
11、 一種反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，包括多個位線，在半導(dǎo)體基底內(nèi)沿第一方向被形成為第一擴(kuò)散區(qū)； 絕緣層，形成在所述多個位線上；多個字線，沿與所述多個位線交叉的方向形成在絕緣層上。
12、 如權(quán)利要求11所述的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，還包括 第二擴(kuò)散區(qū)，圍繞所述多個位線的每個形成的基底的區(qū)域中。
13、 如權(quán)利要求12所述的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述多個位線是摻雜有第 一摻雜劑的區(qū)域，所述第二擴(kuò)散區(qū)摻雜有第二摻雜劑。
14、 如權(quán)利要求12所述的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述多個第二擴(kuò)散區(qū)和所述多個位線中的至少 一個為半圓形。
15、 如權(quán)利要求11所述的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，還包括 淺槽隔離，形成在所述多個位線的每個的每一端。
16、 如權(quán)利要求11所述的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述多個位線是摻雜有第一摻雜劑的區(qū)域，所述多個字線摻雜有第二摻雜劑。
17、 如權(quán)利要求11所述的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述多個位線的每個的頂表面與半導(dǎo)體基底的上表面共面。
18、 如權(quán)利要求11所述的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述多個位線的每個 具有第一長度和第一寬度，第一長度大于第一寬度。
19、 如權(quán)利要求11所述的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述多個位線的每個 沿第一方向彼此隔開第一距離，第一距離大于所述多個位線的每個的寬度。
20、 如權(quán)利要求11所述的反熔絲陣列結(jié)構(gòu)，其中，所述多個位線的每個 為半圓形。
全文摘要
提供一種反熔絲結(jié)構(gòu)和反熔絲陣列結(jié)構(gòu)。反熔絲結(jié)構(gòu)包括位線，在半導(dǎo)體基底內(nèi)被形成為第一擴(kuò)散區(qū)；絕緣層，形成在位線上；字線，形成在絕緣層上。反熔絲陣列結(jié)構(gòu)包括以陣列形式布置的多個反熔絲結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L23/525GK101414599SQ20081014494
公開日2009年4月22日 申請日期2008年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月16日
發(fā)明者宋利憲, 崔赫洵, 樸允童, 李承勛, 金元主, 金德起, 金錫必, 陳暎究 申請人:三星電子株式會社