專利名稱：點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極性切換結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種顯示設(shè)備的點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，其尤指一種點(diǎn)轉(zhuǎn) 換系統(tǒng)的極性切換系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今科技蓬勃發(fā)展，信息商品種類推陳出新，滿足了眾多民
眾不同的需求。早期顯示器多半為陰極射線管(Cathode Ray Tube, CRT)顯示器，由于其體積龐大與耗電量大，而且所產(chǎn)生 的輻射線，對(duì)于長(zhǎng)時(shí)間使用顯示器的使用者而言有危害身體的疑 慮，因此，現(xiàn)今市面上的顯示器漸漸將由液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD )取代舊有的CRT顯示器。液晶顯示器具 有輕薄短小、低輻射與耗電量低等優(yōu)點(diǎn)，也因此成為目前市場(chǎng)主流。
在液晶顯示器中所使用的液晶材料，在不同位置與不同方向 上具有不同折射率及介電系數(shù)，折射率的不同將造成液晶具有改 變光偏振的能力，介電系數(shù)的不同將造成液晶因電場(chǎng)的影響而發(fā) 生不同角度的轉(zhuǎn)動(dòng)，因此，改變液晶材料的光偏振的能力，再搭 配上偏光片后就能控制光線的通過(guò)量。由于液晶本身并不導(dǎo)電， 而且液晶分子中的正電荷與負(fù)電荷是相互分開(kāi)的，但如果給予液 晶分子電場(chǎng)，就可以驅(qū)使液晶站立，進(jìn)而達(dá)到控制液晶的目的。 另夕卜，若給予直流電，液晶分子中的電荷可能被固定，而形成偶 極矩(Dipole)，當(dāng)正負(fù)電荷固定在液晶分子兩端時(shí)，將造成液晶 的反應(yīng)速度遲鈍，因此，若要使液晶動(dòng)作，必須以交流電方式驅(qū) 動(dòng)。若是液晶電容內(nèi)所儲(chǔ)存的電荷殘留有直流成分，將使液晶分
子中的正負(fù)電荷固定在液晶分子的兩端，在切換液晶傾斜角度 時(shí)，液晶分子反應(yīng)速度會(huì)變得遲鈍，造成顯示影像發(fā)生殘影與畫 面閃爍的現(xiàn)象。液晶電容的上板與下板中間層夾著有液晶材料， 在交流電的情況下，液晶電容上板與下板之間的電場(chǎng)方向就會(huì)不 斷產(chǎn)生變化。其中，液晶顯示器的交流驅(qū)動(dòng)方法通常分為四種，
其方另'J為圖框轉(zhuǎn)換(Frame Inversion)、 線轉(zhuǎn)換(Line Inversion)、行轉(zhuǎn)換(Column/Data/Source Inversion)與點(diǎn)轉(zhuǎn)換 (Dot Inversion)。
承上所述， 一般液晶顯示器使用線轉(zhuǎn)換與點(diǎn)轉(zhuǎn)換，請(qǐng)參閱圖 IA與圖IB,為現(xiàn)有技術(shù)的線轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示， 線轉(zhuǎn)換的驅(qū)動(dòng)方式是在驅(qū)動(dòng)液晶分子時(shí)，任一相鄰水平掃描在線 液晶電容所被充電的電壓極性互為相反，此時(shí)的共通電極訊號(hào)變 換頻率為水平掃描頻率/ 2,它是顯示器每秒從左到右的水平線數(shù) 目。每條水平線上液晶電容被充電的極性變換頻率與圖框轉(zhuǎn)換同 為垂直掃描頻率/2,因此，每條水平掃描線的閃爍速率與圖框轉(zhuǎn) 換的閃爍速率是相同。由于相鄰水平掃描線的極性在任何時(shí)刻都 是相反的，使得整個(gè)畫面在垂直方向上的液晶電容具有高頻的極 性交換，這樣的平均結(jié)果可以使畫面閃爍的現(xiàn)象降低。
請(qǐng)參閱圖2A與圖2B，為現(xiàn)有技術(shù)的點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極性切換 結(jié)構(gòu)。如圖所示，點(diǎn)轉(zhuǎn)換的驅(qū)動(dòng)方式是指任一個(gè)液晶電容充電的 極性與其四周其他的液晶電容互為相反，點(diǎn)轉(zhuǎn)換可以視為顯轉(zhuǎn)換 與行轉(zhuǎn)換驅(qū)動(dòng)方法的組合，此時(shí)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片的放置方式與行轉(zhuǎn) 換相同，上半部驅(qū)動(dòng)芯片的訊號(hào)輸出極性與下半部相反，每經(jīng)過(guò) 一個(gè)水平掃瞄周期時(shí)，其訊號(hào)極性將變換一次，經(jīng)過(guò)一個(gè)垂直掃 瞄周期后，訊號(hào)極性再變換一次。每個(gè)液晶電容的充放電極性交 換頻率仍然維持垂直掃描頻率/2,在垂直方向與水平方向上液晶 電容的4及性均不相同，在畫面的垂直方向與水平方向上的液晶電
容極性變換頻率在高頻率交換下，因此畫面視覺(jué)平均的效果較 佳，并可以進(jìn)一步的降低閃爍現(xiàn)象。
然而， 一般小尺寸的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display)中的驅(qū)動(dòng)芯片受限于制程 技術(shù)，僅能以線轉(zhuǎn)換的方式驅(qū)動(dòng)，而線轉(zhuǎn)換在顯示效果上會(huì)有條 紋閃爍的現(xiàn)象，以薄膜晶體管液晶顯示器而言，點(diǎn)轉(zhuǎn)換的方式可 除去條紋閃爍的現(xiàn)象，但要達(dá)到點(diǎn)轉(zhuǎn)換的驅(qū)動(dòng)方式，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器 (source driver)輸出必須能切換電壓差達(dá)到10~12伏特，但是 目前量產(chǎn)的制程，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器所使用的中壓組件只有約5 6. 5伏 特的耐壓能力，故以一般使用而無(wú)法達(dá)到點(diǎn)轉(zhuǎn)換所需的10~12伏 特的應(yīng)用。
因此，如何針對(duì)上述問(wèn)題而提出 一種新穎點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極性 切換系統(tǒng)，其可通過(guò)以P型井與N型井之間作電壓的切換，使得 耐壓5伏特左右的組件，得以切換正負(fù)電壓差達(dá)到10伏特左右 以驅(qū)動(dòng)顯示面板，使可解決上述的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極性切換結(jié) 構(gòu)，其通過(guò)切換一P型井與一N型井的電壓^1性，以達(dá)到大范圍
的電壓差輸出的目的。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)以下技術(shù)方 案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明提供的 一種點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極性切換結(jié)構(gòu)，其包含 一P型井；
一第一晶體管，設(shè)于該P(yáng)型井； 一第二晶體管，設(shè)于該P(yáng)型井；
一N型井，設(shè)于該P(yáng)型井內(nèi)，并位于該第一晶體管與該第二晶 體管之間；
一第三晶體管，設(shè)于該N型井，該第三晶體管的一端耦接該第
一晶體管的一端，產(chǎn)生一第一輸入端；以及 一第四晶體管，設(shè)于該N型井，該第四晶體管的一端耦接該第
二晶體管的一端，產(chǎn)生一第二輸入端； 其中，該第一晶體管的另一端、該第二晶體管的另一端、該第
三晶體管的另 一端與該第四晶體管的另 一端相耦接，產(chǎn)生一
輸出端。
本發(fā)明中，其中該第一輸入端接收一第一輸入訊號(hào)，該第二 輸入端接收一第二輸入訊號(hào)，該第 一輸入訊號(hào)介于一第 一輸入范 圍時(shí)，該第二輸入訊號(hào)為一低準(zhǔn)位訊號(hào)。
本發(fā)明中，其中該第一輸入范圍為0~5伏特。
本發(fā)明中，其中該第一輸入端接收一第一輸入訊號(hào)，該第二 輸入端接收一第二輸入訊號(hào)，該第二輸入訊號(hào)介于一第二輸入范 圍時(shí)，該第一輸入訊號(hào)為一低準(zhǔn)位訊號(hào)。
本發(fā)明中，其中該第二輸入范圍為0 -5伏特。
本發(fā)明中，其中該第一晶體管包含
一閘極氧化層，位于該P(yáng)型井上方；
一第一N型摻雜區(qū)，位于該P(yáng)型井中，并位于該閘極氧化層 的一側(cè)邊；以及
一第二N型摻雜區(qū)，位于該P(yáng)型井中，并位于該閘極氧化層 的另一側(cè)邊。
本發(fā)明中，其中該第一N型摻雜區(qū)耦接于該第三晶體管，該 第二N型摻雜區(qū)耦接于該第二晶體管、該第三晶體管與該第四晶 體管。
本發(fā)明中，其中該第二晶體管包含
一閘極氧化層，位于該P(yáng)型井上方；
一第一N型摻雜區(qū)，位于該P(yáng)型井中，并位于該閘極氧化層 的一側(cè)邊；以及
一第二N型摻雜區(qū)，位于該P(yáng)型井中，并位于該閘極氧化層 的另一側(cè)邊。
本發(fā)明中，其中該第一N型摻雜區(qū)耦接于該第四晶體管，該 第二 N型摻雜區(qū)耦接于該第一晶體管、該第三晶體管與該第四晶體管。
本發(fā)明中，其中該第三晶體管包含 一閘極氧化層，位于該N型井上方；
一第一P型摻雜區(qū)，位于該N型井中，并位于該閘極氧化層 的一側(cè)邊；以及
一第二P型摻雜區(qū)，位于該N型井中，并位于該閘極氧化層 的另一側(cè)邊。
本發(fā)明中，其中該第一P型摻雜區(qū)耦接于該第一晶體管，該 第二P型摻雜區(qū)耦接于該第一晶體管、該第二晶體管與該第四晶體管。
本發(fā)明中，其中該第四晶體管包含 一閘極氧化層，位于該N型井上方；
一第一P型摻雜區(qū)，位于該N型井中，并位于該閘極氧化層 的一側(cè)邊；以及
一第二P型摻雜區(qū)，位于該N型井中，并位于該閘極氧化層 的另一側(cè)邊。
本發(fā)明中，其中該第一P型摻雜區(qū)耦接于該第二晶體管，該 第二P型摻雜區(qū)耦接于該第一晶體管、該第二晶體管與該第三晶體管。
本發(fā)明中，其更包括 一基底，位于該P(yáng)型井的下方；以及 一隔離層，位于該基底與該P(yáng)型井之間。 本發(fā)明中，其中該輸出端耦接一輸出焊墊。 本發(fā)明中，其中該第一晶體管、該第二晶體管、該第三晶體 管與該第四晶體管為 一金氧半場(chǎng)效晶體管。
本發(fā)明中，其中該第一晶體管與該第三晶體管形成一互補(bǔ)式 金屬氧化層半導(dǎo)體。
本發(fā)明中，其中該第二晶體管與該第四晶體管形成一互補(bǔ)式 金屬氧化層半導(dǎo)體。
本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明的轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極性切換結(jié)構(gòu)其 通過(guò)切換P型井與N型井的電壓極性，以達(dá)到利用5伏特的中壓 組件，而可使用到電壓差I(lǐng)O伏特的輸出的目的。


圖1A為現(xiàn)有技術(shù)的線轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu)示意圖1B為現(xiàn)有技術(shù)的線轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu)示意圖2A為現(xiàn)有技術(shù)的點(diǎn)轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu)示意圖2B為現(xiàn)有技術(shù)的點(diǎn)轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明較佳實(shí)施例之一的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的示意圖4為本發(fā)明較佳實(shí)施例之一的切換電路的示意圖5為本發(fā)明較佳實(shí)施例之一的切換電路的結(jié)構(gòu)示意圖；以
及
圖6為本發(fā)明較佳實(shí)施例之一的切換電路的輸出電壓表格。 圖號(hào)i兌明
10 第一 Gamma電路 11 第二 Gamma電路
12 第一數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊 13 第二數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊 200810146921.3
說(shuō)明書第7/ll頁(yè)
14內(nèi)存16切換模塊
160切換電路161P型井
162第一晶體管1620第一閘極氧化層
1622第一N型摻雜區(qū)1624第二N型摻雜區(qū)
163第二晶體管1630第二閘極氧化層
1632第三N型摻雜區(qū)1634第四N型摻雜區(qū)
164N型井165第三晶體管
1650第三閘極氧化層1652第一P型摻雜區(qū)
1654第二P型摻雜區(qū)166第四晶體管
1660第四閘極氧化層1662第三P型摻雜區(qū)
1664第四P型捧雜區(qū)167基底
168隔離層
具體實(shí)施例方式
為使審查員對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一 步的了解與認(rèn)識(shí)，用以較佳的實(shí)施例及配合詳細(xì)的說(shuō)明，說(shuō)明如
下
請(qǐng)參閱圖3，為本發(fā)明較佳實(shí)施例之一的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的示意 圖。如圖所示，本發(fā)明的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器包含一第一 Gamma電路10、 一第二 Gamma電路ll、 一第一數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊12、 一第二數(shù)字 轉(zhuǎn)模擬模塊13、 一內(nèi)存14與切換模塊16。第一 Gamma電路10 與第二 Gamma電路11依據(jù)Gamma曲線而切割為64電壓準(zhǔn)位，其 中，第一Gamma電路10切割為64個(gè)正電壓準(zhǔn)位，并可介于0~5 伏特的電壓范圍，第二 Gamma電路11切割為64個(gè)負(fù)電壓準(zhǔn)位， 并可介于0 -5伏特的電壓范圍。再者，第一 Gamma電路10與第 二 Gamma電路11是分別將正電壓準(zhǔn)位訊號(hào)與負(fù)電壓準(zhǔn)位電壓準(zhǔn)
位訊號(hào)傳送至第一數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊12與第二數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊 13,第一數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊12與第二數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊13是分別包 含64組數(shù)字轉(zhuǎn)模擬電路，以分別接收并轉(zhuǎn)換64個(gè)不同的電壓準(zhǔn)位。
接上所述，第一數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊12與第二數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊 13除了接收Gamma電路所傳送的訊號(hào)外，更讀取內(nèi)存14所儲(chǔ)存 的訊號(hào)而得知第一數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊12與第二數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊13 中的哪一個(gè)數(shù)字轉(zhuǎn)模擬電路進(jìn)行轉(zhuǎn)換電壓訊號(hào)，即內(nèi)存14會(huì)暫 存顯示設(shè)備所欲顯示的影像訊號(hào)，并由第一數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊12 與第二數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊13讀取影像訊號(hào)而得知第一數(shù)字轉(zhuǎn)模擬 模塊12與第二數(shù)字轉(zhuǎn)模擬模塊13中所要轉(zhuǎn)換那一個(gè)電壓準(zhǔn)位的 極性所對(duì)應(yīng)的的哪一個(gè)數(shù)字轉(zhuǎn)模擬電路，并由切換模塊16對(duì)應(yīng) 內(nèi)存14所儲(chǔ)存的影像訊號(hào)而分別針對(duì)64個(gè)電壓準(zhǔn)位而轉(zhuǎn)換極 性，并傳送數(shù)字轉(zhuǎn)模擬電路所轉(zhuǎn)換過(guò)后的訊號(hào)至數(shù)據(jù)線，以供顯 示面板進(jìn)行顯示影像。其中，由于在點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)下的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器 的輸出電壓范圍為IO伏特左右，但是使用一般制程中的中壓組 件只有約5伏特左右，所以本發(fā)明的切換模塊16是由晶體管中 的井(well)切換，而達(dá)到以5伏特切換10伏特的目的，以下是 以切換模塊16中的切換電路進(jìn)行說(shuō)明。
請(qǐng)一并參閱圖4與圖5，為本發(fā)明較佳實(shí)施例之一的切換電 ^^的示意圖與結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明的點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極 性切換結(jié)構(gòu)包含一P型井161、 一第一晶體管162、 一第二晶體 管163、 一N型井164、 一第三晶體管l65與一第四晶體管l66。 第一晶體管162設(shè)置于P型井161內(nèi)，第二晶體管163設(shè)置于P 型井161內(nèi)，N型井164設(shè)置于P型井161內(nèi)，并位于第一晶體 管162與第二晶體管163之間，第三晶體管165設(shè)置于N型井
164內(nèi)，并第三晶體管165的一端耦接第一晶體管162的一端， 而產(chǎn)生一第一輸入端A，第四晶體管166設(shè)置于N型井164內(nèi)， 并第四晶體管166的一端耦接第二晶體管163的一端，而產(chǎn)生一 第二輸入端B，其中，第一晶體管162的另一端、第二晶體管163 的另一端、第三晶體管164的另一端與第四晶體管165的另一端 相耦接，產(chǎn)生一輸出端，而該輸出端是連接一輸出焊墊(Outout PAD)。
承上所述，本發(fā)明的極性切換結(jié)構(gòu)是由第一輸入端A接收一 第一輸入訊號(hào)時(shí)，第二輸入端B接收一第二輸入訊號(hào)，第一輸入 訊號(hào)介于一第一輸入范圍時(shí)，第二輸入訊號(hào)為一低準(zhǔn)位訊號(hào)，其 中，第一輸入范圍為0 5伏特，使切換結(jié)構(gòu)通過(guò)P型井161切換 為正電壓輸出；若第二輸入訊號(hào)介于一第二輸入范圍時(shí)，第一輸 入訊號(hào)為低準(zhǔn)位訊號(hào)，其中，若第二輸入范圍為0~-5伏特，即 切換結(jié)構(gòu)通過(guò)N型井164切換為負(fù)電壓輸出，如此，本發(fā)明的極 性切換結(jié)構(gòu)通過(guò)切換P型井161與N型井164的電壓極性，以達(dá) 到大范圍的電壓差輸出的目的，也就是如圖6所示，通過(guò)切換P 型井161為正電壓范圍(+V0 V63)輸出，即正電壓0 5V的極性輸 出與N型井164負(fù)電壓范圍(-V0 V63)輸出，即負(fù)電壓0~-5V的 極性輸出，使輸出端(PAD)達(dá)到電壓差I(lǐng)OV的輸出。
再者，第一晶體管162包括一第一閘極氧化層1620、 一第 一N型摻雜區(qū)1622與一第二N型摻雜區(qū)1624。閘極氧化層1620 位于P型井161上方，第一 N型摻雜區(qū)1622，位于P型井161 中，并位于第一閘極氧化層1620的一側(cè)邊，第二 N型摻雜區(qū)1624 位于P型井161中，并位于第一閘極氧化層1620的另一側(cè)邊。 同理，第二晶體管163包括一第二閘極氧化層1630、 一第三N 型摻雜區(qū)1632與一第四N型摻雜區(qū)1634。第二閘極氧化層1630
位于P型井161上方，第三N型摻雜區(qū)1632,位于P型井161 中，并位于第二閘極氧化層1630的一側(cè)邊，第四N型摻雜區(qū)1634 位于P型井161中，并位于第二閘極氧化層1620的另一側(cè)邊。
又，第三晶體管165包括一第三閘極氧化層1650、 一第一P 型摻雜區(qū)1652與一第二P型摻雜區(qū)1654。第三閘極氧化層1650 位于N型井164上方，第一 P型摻雜區(qū)1652，位于N型井164 中，并位于第三閘極氧化層1650的一側(cè)邊，第二P型摻雜區(qū)1654 位于N型井1641中，并位于第三閘極氧化層1650另一側(cè)邊。同 理，第四晶體管166包括一第四閘極氧化層1660、 一第三P型 摻雜區(qū)1662與一第四P型摻雜區(qū)1664。第四閘極氧化層1660 位于N型井164上方，第三P型#^雜區(qū)1662,位于N型井164 中，并位于第四閘極氧化層16 6 0的 一 側(cè)邊，第四P型摻雜區(qū)16 6 4 位于N型井164中，并位于第四閘極氧化層1660另一側(cè)邊?；?于上述，第二N型摻雜區(qū)1624耦接于第一P型摻雜區(qū)1652,第 二P型摻雜區(qū)1654耦接于第三P型摻雜區(qū)1662,第四P型摻雜 區(qū)1664耦接于第三N型摻雜區(qū)1632,而第一N型摻雜區(qū)1622、 第二P型摻雜區(qū)1654、第三P型摻雜區(qū)1662與第四N型摻雜區(qū) 1634。
此外，本發(fā)明的極性切換結(jié)構(gòu)更包括一基底167與一隔離層 168?；?67位于P型井161的下方，以作為顯示設(shè)備中其他 電路所使用，隔離層168位于基底167與P型井161之間，以和 其他電路隔離而避免受其他電路影響。
因此，本發(fā)明的點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極性切換結(jié)構(gòu)其藉由切換P型 井與N型井的電壓極性，以達(dá)到利用5伏特的中壓組件，而可使 用到電壓差I(lǐng)O伏特的輸出的目的。
綜上所述，僅為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定
本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、 特征及精神所為之均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的權(quán)利要
求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含一P型井；一第一晶體管，設(shè)于該P(yáng)型井；一第二晶體管，設(shè)于該P(yáng)型井；一N型井，設(shè)于該P(yáng)型井內(nèi)，并位于該第一晶體管與該第二晶體管之間；一第三晶體管，設(shè)于該N型井，該第三晶體管的一端耦接該第一晶體管的一端，產(chǎn)生一第一輸入端；以及一第四晶體管，設(shè)于該N型井，該第四晶體管的一端耦接該第二晶體管的一端，產(chǎn)生一第二輸入端；其中，該第一晶體管的另一端、該第二晶體管的另一端、該第三晶體管的另一端與該第四晶體管的另一端相耦接，產(chǎn)生一輸出端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第 一輸入端接收一第 一輸入訊號(hào)，該第二輸入端接收一第二 輸入訊號(hào)，該第一輸入訊號(hào)介于一第一輸入范圍時(shí)，該第二 輸入訊號(hào)為 一低準(zhǔn)位訊號(hào)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第一輸入范圍為0~5伏特。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一輸入端接收一第一輸入訊號(hào)，該第二輸入端接收一第二 輸入訊號(hào)，該第二輸入訊號(hào)介于一第二輸入范圍時(shí)，該第一 輸入訊號(hào)為 一低準(zhǔn)位訊號(hào)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第二輸入范圍為0~-5伏特。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第一晶體管包含一閘極氧化層，位于該P(yáng)型井上方；一第一N型摻雜區(qū)，位于該P(yáng)型井中，并位于該閘極氧化層的 一側(cè)邊；以及一第二N型摻雜區(qū)，位于該P(yáng)型井中，并位于該閘極氧化層的 另一側(cè)邊。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第一N型摻雜區(qū)耦接于該第三晶體管，該第二N型摻雜區(qū)耦 接于該第二晶體管、該第三晶體管與該第四晶體管。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二晶體管包含 一閘極氧化層，位于該P(yáng)型井上方；一第一N型摻雜區(qū)，位于該P(yáng)型井中，并位于該閘極氧化層的 一側(cè)邊；以及一第二N型摻雜區(qū)，位于該P(yáng)型井中，并位于該閘極氧化層的 另一側(cè)邊。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第一N型摻雜區(qū)耦接于該第四晶體管，該第二N型摻雜區(qū)耦 接于該第一晶體管、該第三晶體管與該第四晶體管。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第三晶體管包含一閘極氧化層，位于該N型井上方；一第一P型摻雜區(qū)，位于該N型井中，并位于該閘極氧化層的 一4則邊；以及一第二P型摻雜區(qū)，位于該N型井中，并位于該閘極氧化層的 另一側(cè)邊。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第一P型摻雜區(qū)耦接于該第一晶體管，該第二P型摻雜區(qū)耦 接于該第一晶體管、該第二晶體管與該第四晶體管。
12. 4艮據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第四晶體管包含一閘極氧化層，位于該N型井上方；一第一P型摻雜區(qū)，位于該N型井中，并位于該閘極氧化層的 一側(cè)邊；以及一第二P型摻雜區(qū)，位于該N型井中，并位于該閘極氧化層的 另一側(cè)邊。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第一P型摻雜區(qū)耦接于該第二晶體管，該第二P型摻雜區(qū)耦 接于該第一晶體管、該第二晶體管與該第三晶體管。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其更包 括一基底，位于該P(yáng)型井的下方；以及 一隔離層，位于該基底與該P(yáng)型井之間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 輸出端耦接一輸出焊墊。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第一晶體管、該第二晶體管、該第三晶體管與該第四晶體管 為一金氧半場(chǎng)效晶體管。
17. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第一晶體管與該第三晶體管形成一互補(bǔ)式金屬氧化層半導(dǎo) 體。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極性切換結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該 第二晶體管與該第四晶體管形成一互補(bǔ)式金屬氧化層半導(dǎo)體。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種點(diǎn)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的極性切換結(jié)構(gòu)，其是由一第一晶體管與一第二晶體管皆設(shè)置于一P型井，一N型井設(shè)置于P型井內(nèi)，并位于第一晶體管與第二晶體管之間，N型井包含一第三晶體管與一第四晶體管，其中，第三晶體管的一端耦接第一晶體管的一端，產(chǎn)生一第一輸入端，第四晶體管的一端耦接第二晶體管的一端，產(chǎn)生一第二輸入端，并且第一晶體管的另一端、第二晶體管的另一端、第三晶體管的另一端與第四晶體管的另一端相耦接，產(chǎn)生一輸出端。如此，通過(guò)切換P型井與N型井的電壓極性，以達(dá)到大范圍的電壓差輸出的目的。
文檔編號(hào)H01L27/098GK101388393SQ20081014692
公開(kāi)日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2008年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月26日
發(fā)明者廖敏男 申請(qǐng)人:矽創(chuàng)電子股份有限公司