專利名稱：：發(fā)光二級(jí)管封裝基板結(jié)構(gòu)、制法及其封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝技術(shù)，特別是一種發(fā)光二極管基板、制法及其封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：發(fā)光二極管(light-emittingdiodes,LED)具有壽命長(zhǎng)、省電、較耐用等優(yōu)點(diǎn)，因此高亮度LED照明裝置是一種綠色能源環(huán)保產(chǎn)品，未來將可廣泛應(yīng)用。如何簡(jiǎn)化LED封裝工序與降低成本使其高單價(jià)問題獲得解決，是此類LED商品能否普及使用的重要課題。
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問題，本發(fā)明目的之一是提供一種發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)、制法及其封裝結(jié)構(gòu)，該封裝基板結(jié)構(gòu)由金屬基板與絕緣基板構(gòu)成，其制作方法簡(jiǎn)化，有效降低制造成本，并且封裝基板的兩面均可設(shè)置發(fā)光二極管芯片進(jìn)行封裝。為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)，包括金屬基板；以及絕緣基板，其設(shè)置于所述金屬基板的一個(gè)上表面上。其中，多個(gè)金屬穿孔設(shè)置于金屬基板上，定義出多個(gè)金屬接腳；多個(gè)絕緣穿孔設(shè)置于所述絕緣基板上；以及部分絕緣穿孔設(shè)置于所述金屬接腳上并暴露出金屬接腳的上表面。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝基板的制法，包括提供一絕緣基板；在該絕緣基板上形成多個(gè)絕緣穿孔；提供一金屬基板；在該金屬基板上形成多個(gè)金屬穿孔；以及將絕緣基板設(shè)置在金屬基板的一個(gè)上表面上。其中，金屬穿孔定義出多個(gè)金屬接腳；以及部分絕緣穿孔設(shè)置于金屬接腳上并暴露出金屬接腳的上表面。根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一金屬基板；一絕緣基板，其設(shè)置于該金屬基板的一個(gè)上表面上；一發(fā)光二極管芯片，其設(shè)置于所述金屬基板的上表面上；一電性連接結(jié)構(gòu)，其電性連接發(fā)光二極管芯片與金屬接腳的上表面；以及一封裝材料，其包覆發(fā)光二極管芯片與電性連接結(jié)構(gòu)。其中，多個(gè)金屬穿孔設(shè)置于金屬基板上，以定義出多個(gè)金屬接腳；多個(gè)絕緣穿孔設(shè)置于絕緣基板上；以及部分絕緣穿孔設(shè)置于金屬接腳上并暴露出金屬接腳的上表面。根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一金屬基板；一絕緣基板，其設(shè)置于金屬基板的一個(gè)上表面上；一發(fā)光二極管芯片，其設(shè)置于金屬基板的一個(gè)下表面上；一電性連接結(jié)構(gòu)，其電性連接發(fā)光二極管芯片與金屬接腳的下表面；以及一封裝材料，其包覆發(fā)光二極管芯片與電性連接結(jié)構(gòu)。其中，多個(gè)金屬穿孔設(shè)置于金屬基板上，以定義出多個(gè)金屬接腳；多個(gè)絕緣穿孔設(shè)置于絕緣基板上；以及部分絕緣穿孔設(shè)置于金屬接腳上并暴露出金屬接腳之的表面。圖l所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示意圖。圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示意圖。圖3A、圖3B、圖3C、圖3D與圖3E所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程示意圖。圖4A與圖4B所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示意圖。圖5A與圖5B所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示意圖。圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示意圖。主要組件符號(hào)說明<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)D1，在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)包括一金屬基板(圖上未示出)以及一絕緣基板20。絕緣基板20設(shè)置于該金屬基板的一個(gè)上表面上。其中，多個(gè)金屬穿孔13設(shè)置于金屬基板上，以定義出多個(gè)金屬接腳12;絕緣穿孔22設(shè)置于絕緣基板20上。絕緣穿孔22設(shè)置于金屬接腳12上，并暴露出金屬接腳12的上表面。絕緣基板20可以是銅箔基板、玻璃纖維基板、玻璃纖維預(yù)浸布或高分子材料基板。接續(xù)上述說明，如圖2所示，在一個(gè)實(shí)施例中，金屬穿孔13還定義出至少一個(gè)金屬承座14。部分絕緣穿孔22設(shè)置于絕緣基板20上。絕緣基板20還包括絕緣穿孔22'，其設(shè)置于金屬承座14上并暴露出金屬承座14的上表面。請(qǐng)參照?qǐng)D4A，還可以在絕緣基板20的上表面設(shè)置一金屬層23，該金屬層23可作為光反射層以增加發(fā)光效率。另外，還可以在絕緣基板20的另一表面上設(shè)置一黏著層24(如圖4B所示)供金屬基板與絕緣基板20黏合之用。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5A與圖5B，在金屬基板的金屬穿孔13內(nèi)填充絕緣材料30。請(qǐng)參照?qǐng)D3A、圖3B、圖3C、圖3D與圖3E，在一個(gè)實(shí)施例中，上述發(fā)光二極管封裝基板的制法包括下列步驟。首先，提供一絕緣基板20并在該絕緣基板20上形成多個(gè)絕緣穿孔22、22，。可利用深度控制、沖壓、成型、機(jī)械鉆孔、激光鉆孔或等離子蝕刻方式形成所述絕緣穿孔22、22'。在絕緣基板20的上表面可以選擇性地設(shè)置一金屬層，或者在絕緣基板20的上表面與下表面上設(shè)置黏著層。因此，絕緣基板20可以根據(jù)需求選擇銅箔基板、玻璃纖維基板、玻璃纖維預(yù)浸布或者高分子材料基板。接續(xù)上述說明，另外，提供一金屬基板IO并在金屬基板10上形成多個(gè)金屬穿孔13。其中，可利用蝕刻、沖壓方式形成所述金屬穿孔13。將絕緣基板20設(shè)置在金屬基板10的上表面上。其中，可利用融接、壓合、涂布或黏合方式將絕緣基板20與金屬基板10黏接。絕緣穿孔22設(shè)置于金屬接腳12上，并暴露出金屬接腳12的上表面。金屬穿孔13還定義出至少一個(gè)金屬承座14。部分絕緣穿孔22設(shè)置于絕緣基板20上。絕緣基板20包括絕緣穿孔22'，其設(shè)置于金屬承座14上并暴露出金屬承座14的上表面。在一個(gè)實(shí)施例中，在金屬基10板IO的金屬穿孔13內(nèi)還可以填充絕緣材料30，如圖5A與圖5B所示。在一個(gè)實(shí)施例中，金屬基板10也可以與絕緣基板20先黏合，之后才形成金屬穿孔13。本發(fā)明的封裝基板制法簡(jiǎn)單，封裝廠商可利用現(xiàn)有流程制作，而無需額外設(shè)備，并且，本發(fā)明無須電鍍導(dǎo)通孔流程，這可以減少使用設(shè)備并降低封裝成本。另外，所制成的封裝基板可根據(jù)封裝需求而提供多樣化的封裝結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D4A，在一個(gè)實(shí)施例中，可以在金屬基板的上表面上設(shè)置發(fā)光二極管芯片40。發(fā)光二極管芯片40可以設(shè)置于金屬承座14上，并利用一電性連接結(jié)構(gòu)，如金屬引線60,而電性連接發(fā)光二極管芯片40與金屬接腳12的上表面。封裝材料50包覆發(fā)光二極管芯片40與所述電性連接結(jié)構(gòu)。絕緣基板20的上表面的金屬層23可作為發(fā)光反射層，以提高發(fā)光效率。在此封裝結(jié)構(gòu)中，金屬接腳12的下表面用作此封裝體對(duì)外的焊接處。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖5A所示，發(fā)光二極管芯片40還可利用倒裝芯片方式，以焊球62或金屬焊接材料的電性連接結(jié)構(gòu)而與金屬接腳12電性連接。在一個(gè)實(shí)施例中，圖上未示出，發(fā)光二極管芯片40還可設(shè)置于絕緣穿孔22之間的絕緣基板20上。請(qǐng)參照?qǐng)D4B，在一個(gè)實(shí)施例中，可以在金屬基板的下表面上設(shè)置一發(fā)光二極管芯片40。該發(fā)光二極管芯片40可設(shè)置于金屬承座14上，并可利用一電性連接結(jié)構(gòu)，如金屬引線60，電性連接發(fā)光二極管芯片40與金屬接腳12的下表面。在此封裝結(jié)構(gòu)中，絕緣穿孔22暴露出金屬接腳12的上表面，用作此封裝體對(duì)外的焊接處。在絕緣基板20的下表面(與金屬基板的黏合面)可設(shè)置一黏著層24，其可作為黏合之用。在另一個(gè)實(shí)施例中，如圖5B所示，發(fā)光二極管芯片40還可利用倒裝芯片方式，以焊球62或金屬焊接材料的電性連接結(jié)構(gòu)與金屬接腳12電性連接。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D6，在一個(gè)實(shí)施例中，電性連接結(jié)構(gòu)可利用金屬導(dǎo)線60與導(dǎo)電焊球62之一或其組合而電性連接發(fā)光二極管芯片40與金屬接腳12。另外，還可使用焊球64或金屬焊接材料連接發(fā)光二極管芯片40與金屬承座14，從而完成熱電分離的封裝結(jié)構(gòu)。根據(jù)上述說明，利用金屬基板與絕緣基板接合設(shè)置本發(fā)明的封裝基板。絕緣基板上的穿孔暴露出芯片承座。形成一芯片容置空間，故可將芯片埋入基板中，從而有效地降低封裝高度，達(dá)到薄型化效果。并且，芯片直接安裝于金屬基板之上，可提高散熱效果。在金屬基板的穿孔內(nèi)，可根據(jù)需求填入絕緣材料。綜合上述，本發(fā)明的封裝基板結(jié)構(gòu)由金屬基板與絕緣基板構(gòu)成，其制作方法簡(jiǎn)化，有效地降低制造成本，并且封裝基板的兩面均可設(shè)置發(fā)光二極管芯片，以進(jìn)行多樣化封裝。以上所述的實(shí)施例僅僅是為了說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，而不是用來限定本發(fā)明的專利范圍。凡是根據(jù)本發(fā)明所揭示的精神所做出的等同變化或修飾，仍應(yīng)理解為包括在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)，包括一金屬基板；以及一絕緣基板，其設(shè)置于所述金屬基板的一個(gè)上表面上，其中多個(gè)金屬穿孔設(shè)置于所述金屬基板上，以定義出多個(gè)金屬接腳；多個(gè)絕緣穿孔設(shè)置于所述絕緣基板上；以及部分所述絕緣穿孔設(shè)置于所述金屬接腳上，并暴露出所述金屬接腳的上表面。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)，其中所述金屬穿孔還定義出至少一個(gè)金屬承座。3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣穿孔之一設(shè)置于所述金屬承座上，并暴露出所述金屬承座的上表面。4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)，還包括一金屬層，該金屬層設(shè)置于所述絕緣基板的上表面上。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)，還包括一黏著層，該黏著層設(shè)置于所述絕緣基板的下表面上。6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣基板是銅箔基板、玻璃纖維基板、玻璃纖維預(yù)浸布或高分子材料基板。7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)，還包括一絕緣材料，該填充絕緣材料于所述金屬穿孔內(nèi)。8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝基板結(jié)構(gòu)，還包括在所述金屬基板上的鍵結(jié)層，其中所述鍵結(jié)層的材料選自金、鎳、銀、鈀、錫、鉛、銅與磷中的一個(gè)或其組合。9.一種發(fā)光二極管封裝基板的制法，包括提供一絕緣基板；在該絕緣基板上形成多個(gè)絕緣穿孔；提供一金屬基板；在該金屬基板上形成多個(gè)金屬穿孔；以及將所述絕緣基板設(shè)置于所述金屬基板的一個(gè)上表面上，其中所述金屬穿孔定義出多個(gè)金屬接腳；以及部分所述絕緣穿孔設(shè)置于所述金屬接腳上，并暴露出所述金屬接腳的上表面。10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝基板的制法，其中所述金屬穿孔還定義出至少一個(gè)金屬承座。11.如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管封裝基板的制法，其中所述絕緣穿孔的至少一個(gè)設(shè)置于所述金屬承座上，并暴露出所述金屬承座的上表面。12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝基板的制法，還包括在所述絕緣基板的上表面上設(shè)置一金屬層。13.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝基板的制法，還包括在所述絕緣基板的下表面設(shè)置一黏著層。14.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝基板的制法，還包括在所述金屬穿孔內(nèi)填充絕緣材料。15.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝基板的制法，其中利用深度控制、沖壓、成型、機(jī)械鉆孔、激光鉆孔或等離子蝕刻方式形成所述絕緣穿孔。16.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝基板的制法，其中利用融接、壓合、涂布或黏合方式將所述絕緣基板與所述金屬基板黏接。17.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝基板的制法，其中利用蝕刻、沖壓方式形成所述金屬穿孔。18.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝基板的制法，還包括在所述金屬基板上設(shè)置一鍵結(jié)層。19.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一金屬基板；一絕緣基板，其設(shè)置于所述金屬基板的一個(gè)上表面上，其中多個(gè)金屬穿孔設(shè)置于所述金屬基板上，以定義出多個(gè)金屬接腳；多個(gè)絕緣穿孔設(shè)置于所述絕緣基板上；以及部分所述絕緣穿孔設(shè)置于所述金屬接腳上，并暴露出所述金屬接腳的上表面；一發(fā)光二極管芯片，其設(shè)置于所述金屬基板的所述上表面上；一電性連接結(jié)構(gòu)，其電性連接所述發(fā)光二極管芯片與所述金屬接腳的上表面；以及一封裝材料，其包覆所述發(fā)光二極管芯片與所述電性連接結(jié)構(gòu)。20.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述金屬穿孔還定義出至少一個(gè)金屬承座。21.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣穿孔之一設(shè)置于所述金屬承座上，并暴露出所述金屬承座之一的上表面，用于設(shè)置所述發(fā)光二極管芯片。22.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述電性連接結(jié)構(gòu)為金屬導(dǎo)線與導(dǎo)電焊球之一或其組合。23.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在所述絕緣基板的上表面上的金屬層。24.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在所述絕緣基板的下表面上的黏著層。25.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括填充在黏著層金屬穿孔內(nèi)的絕緣材料。26.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在黏著層金屬基板上的鍵結(jié)層，其中所述鍵結(jié)層的材料選自金、鎳、銀、鈀、錫、鉛、銅與磷之一或其組合。27.—種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一金屬基板；一絕緣基板，其設(shè)置于所述金屬基板的一個(gè)上表面上，其中多個(gè)金屬穿孔設(shè)置于所述金屬基板上，以定義出多個(gè)金屬接腳；多個(gè)絕緣穿孔設(shè)置于所述絕緣基板上；以及部分所述絕緣穿孔設(shè)置于所述金屬接腳上，并暴露出所述金屬接腳的上表面；一發(fā)光二極管芯片，其設(shè)置于所述金屬基板的一個(gè)下表面上；一電性連接結(jié)構(gòu)，其電性連接所述發(fā)光二極管芯片與所述金屬接腳的表面；以及一封裝材料，其包覆所述發(fā)光二極管芯片與所述電性連接結(jié)構(gòu)。28.如權(quán)利要求27所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述電性連接結(jié)構(gòu)是金屬導(dǎo)線與導(dǎo)電焊球之一或其組合。29.如權(quán)利要求27所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在所述絕緣基板的上表面上的金屬層。30.如權(quán)利要求27所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在所述絕緣基板的下表面上的黏著層。31.如權(quán)利要求27所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括填充在所述金屬穿孔內(nèi)的絕緣材料。32.如權(quán)利要求27所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在所述金屬基板上的鍵結(jié)層，其中所述鍵結(jié)層的材料選自金、鎳、銀、鈀、錫、鉛、銅與磷之一或其組合。全文摘要一種封裝基板結(jié)構(gòu)由金屬基板與絕緣基板構(gòu)成，其制作方法簡(jiǎn)化，有效降低制造成本，并且封裝基板的兩面均可設(shè)置發(fā)光二極管芯片而進(jìn)行多樣化封裝。文檔編號(hào)H01L33/00GK101673789SQ20081014959公開日2010年3月17日申請(qǐng)日期2008年9月12日優(yōu)先權(quán)日2008年9月12日發(fā)明者林己智申請(qǐng)人:臺(tái)灣應(yīng)解股份有限公司