專利名稱：消除芯片表面水汽的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種消除芯片表面水汽的方法，特別涉及一種改變芯片表面狀態(tài)的化學(xué)方法。
背景技術(shù)：
在空氣濕度大的環(huán)境下，MOS器件容易出現(xiàn)IDSS (源漏極泄露電流)測試值偏大的 情況，而形成IDSS失效。通常處理這種失效是采用烘烤的方法，即利用高溫使芯片表面 的水汽蒸發(fā)掉，消除由于水汽附著導(dǎo)致的IDSS漏電失效及軟擊穿現(xiàn)象。烘烤的主要條件 為密閉烘箱，250°C。經(jīng)過高溫烘烤后，芯片的IDSS失效可以恢復(fù)正常。
然而，由于DMOS產(chǎn)品背面的Drain端要蒸鍍一層金屬，作為引出電極，而高溫烘烤 會使其背面的金屬容易出現(xiàn)脫落的現(xiàn)象，從而使芯片完全失去功能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，需要提供一種可以消除芯片表面水汽，又不對芯片功能產(chǎn)生不利影響的方法。
一種消除芯片表面水汽的方法，包括
將芯片放入密閉容器中；
將密閉容器抽真空；
在密閉容器中通入六甲基二硅胺垸(HMDS)氣體； 保持一段時間。
上述消除芯片表面水汽的方法在常溫條件下使用HMDS (六甲基二硅胺垸)與芯片表 面的羥基反應(yīng)，使芯片表面由親水性變?yōu)槭杷?，從而避免了高溫烘烤芯片帶來的金屬?落風(fēng)險。


圖1為本發(fā)明消除芯片表面水汽的方法的最佳實施方式的流程圖。
具體實施例方式
如圖1所示，本發(fā)明消除芯片表面水汽的方法的最佳實施方式包括
步驟102,將帶有水汽的芯片放入一個密閉容器中。其中，該密閉容器與一個真空泵 相連，該真空泵可用于將該密閉容器抽真空。
步驟104，開啟真空泵，對該密閉容器進行抽真空到第一預(yù)定的氣壓。在該實施方式 中，該第一預(yù)定的氣壓小于100torr。
步驟106，在密閉容器中充入氮氣，至該密閉容器內(nèi)壓力恢復(fù)為常壓(一個大氣壓)， 隨后重復(fù)步驟104至步驟106的過程若干次。在該實施方式中，可以重復(fù)步驟104至步驟 106的過程四次，以排除雜質(zhì)氣體。
步驟108，對密閉容器抽真空至第二預(yù)定的氣壓。在該實施方式中，該第二預(yù)定的氣 壓小于ltorr。
步驟110，在密閉容器中通入六甲基二硅胺烷(HMDS)氣體，至該密閉容器內(nèi)HMDS 氣體達到預(yù)定的濃度。60秒(可根據(jù)情況調(diào)整)后，停止充入HMDS氣體。
步驟112,保持HMDS氣體在該密閉容器中一段預(yù)定時間。在該實施方式中，該預(yù)定 時間為8分鐘。
步驟114，將密閉容器內(nèi)氣體排空。
步驟116，在該密閉容器中充入氮氣，隨后重復(fù)步驟114至步驟116的過程若干次。在 該實施方式中，可以重復(fù)步驟114到步驟116的過程四次，以排凈其中的HMDS氣體。 步驟118，將芯片從密閉容器中取出。
在上述實施方式中，步驟104至步驟106的過程可消除密閉容器中原存的氧氣等雜質(zhì) 氣體，在其他實施方式中，也可以不經(jīng)過步驟104至步驟106的過程而直接將HMDS氣體 通入密閉容器中。
在上述實施方式中，步驟114至步驟116的過程可充分將密閉容器中的HMDS氣體與 芯片表面殘存的水汽排出。在其他實施方式中，也可以不經(jīng)過步驟114到步驟116的過程 而直接將芯片從密閉容器中取出。
由于HMDS可以與芯片表面的羥基反應(yīng)，使芯片表面由親水性變?yōu)槭杷?。從而可?杜絕水汽在芯片表面的滯留，避免了漏電失效及軟擊穿的產(chǎn)生。由于以上步驟均在常溫下 進行，可以避免高溫烘烤造成金屬脫落。
權(quán)利要求
1. 一種消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述消除芯片表面水汽的方法包括將芯片放入一個密閉容器中；對所述密閉容器抽真空至第一預(yù)定氣壓；向所述密閉容器中通入六甲基二硅胺烷氣體；保持一段預(yù)定時間。
2. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，在向所述密閉容器內(nèi)通 入六甲基二硅胺垸氣體之前進一步包括向所述密閉容器中通入氮氣至第二預(yù)定氣壓； 將所述密閉容器中的氮氣排空。
3. 如權(quán)利要求2所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述向所述密閉容器內(nèi) 通入氮氣的步驟及所述排空氮氣的步驟可重復(fù)預(yù)定次數(shù)。
4. 如權(quán)利要求3所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述預(yù)定次數(shù)為四次。
5. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述第一預(yù)定氣壓小于 100torr。
6. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述第二預(yù)定氣壓為一 個大氣壓。
7. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述預(yù)定時間為8分鐘。
8. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，在保持一段預(yù)定時間之 后進一步包括將所述密閉容器內(nèi)的氣體排空； 向所述密閉容器內(nèi)通入氮氣。
9. 如權(quán)利要求8所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述將密閉容器氣體排 空及通入氮氣的步驟可重復(fù)預(yù)定次數(shù)。
10. 如權(quán)利要求9所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述預(yù)定次數(shù)為四次。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種消除芯片表面水汽的方法，目的是提供可以消除芯片表面水汽，又不對芯片功能產(chǎn)生不利影響的方法。實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是一種消除芯片表面水汽的方法，包括將芯片放入密閉容器中；將密閉容器抽真空；在密閉容器中通入六甲基二硅胺烷(HMDS)氣體；保持一段時間。本發(fā)明采用在常溫條件下使用HMDS(六甲基二硅胺烷)與芯片表面的羥基反應(yīng)，使芯片表面由親水性變?yōu)槭杷裕瑥亩苊饬烁邷睾婵拘酒瑤淼慕饘倜撀滹L(fēng)險。
文檔編號H01L21/00GK101388329SQ200810154950
公開日2009年3月18日 申請日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月30日
發(fā)明者房世林, 巍 蘇, 鄧小社, 邢清樂 申請人:無錫華潤上華科技有限公司