專利名稱：不可逆電路元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種作為隔離器來使用的不可逆電路元件。
技術(shù)背景這種不可逆電路元件例如組裝于在微波頻帶上使用的無線設(shè)備中，具 體而言是移動(dòng)電話機(jī)那樣的移動(dòng)體無線設(shè)備，是為了在下述電路結(jié)構(gòu)中將 兩個(gè)系統(tǒng)在功能上分離以便沒有發(fā)送信號(hào)給接收系統(tǒng)帶來影響或者接收信 號(hào)給發(fā)送系統(tǒng)帶來影響的情況，上述電路結(jié)構(gòu)為，將從發(fā)送系統(tǒng)所輸出的 發(fā)送信號(hào)供應(yīng)給天線，并且把由上述天線所接收到的接收信號(hào)引導(dǎo)向接收 系統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)。這種不可逆電路元件對(duì)在鐵氧體上組合中心導(dǎo)體后的磁轉(zhuǎn)子，從磁鐵 施加直流磁場(chǎng)。在以往以來所熟知的典型集中常數(shù)型不可逆電路元件(隔離器)中，具有3個(gè)中心導(dǎo)體，在這些中心導(dǎo)體和接地之間連接和中心導(dǎo) 體具有的電感一起構(gòu)成諧振電路的電容器。在中心導(dǎo)體的一個(gè)上，連接終 端電阻。然而，組裝不可逆電路元件的移動(dòng)電話機(jī)不僅僅是原本的通話功能， 還應(yīng)該具有因特網(wǎng)通信功能、TV顯像功能、TV電話功能、攝像功能以及 動(dòng)態(tài)圖像攝影功能，并且多功能化正在發(fā)展，與之相伴，分配給通信部分 的占用面積和體積受到限制，通信部分所使用的電子部件小型化、薄型化 的要求必然增大。不可逆電路元件也是通信部分所使用的電子部件一種， 當(dāng)然要求小型化及薄型化。在上述典型的以往不可逆電路元件中，為了其 小型化及薄型化，要考慮(a) 將和中心導(dǎo)體具有的電感構(gòu)成諧振電路的電容器疊層化，使電容 器小型化、薄型化及/或(b) 使構(gòu)成磁轉(zhuǎn)子的鐵氧體小型化、薄型化 等的方法。'但是，對(duì)于上述的典型集中常數(shù)型不可逆電路元件來說，因?yàn)榧偃缫?適應(yīng)電容器的小型化、薄型化，則電容器的自身諧振頻率下降，所以插入 損耗增加。另外，若使構(gòu)成磁轉(zhuǎn)子的鐵氧體進(jìn)行了小型化，則中心導(dǎo)體也
變小，工作頻帶寬度變得狹窄。因?yàn)樯鲜鰡栴}，所以以往典型的不可逆電路元件在小型化及薄型化上產(chǎn)生了限度。作為解決該問題的方法，專利文獻(xiàn)1公示出一種在3個(gè)中心 導(dǎo)體間連接電容器的不可逆電路元件。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于可以使電容器的 電容值大幅下降，因而可以謀求電容器的小型化、薄型化，進(jìn)而有助于不 可逆電路元件的小型化、薄型化。但是，采用專利文獻(xiàn)1所述的結(jié)構(gòu)，頻帶外的衰減量變得不佳等表現(xiàn) 出傳輸特性的惡化。而且，在和上述典型的不可逆電路元件之間的對(duì)比中， 也沒有能謀求工作頻帶寬度高頻帶化這種優(yōu)點(diǎn)。在專利文獻(xiàn)2中公示出， 一種在3個(gè)中心導(dǎo)體間連接電容器之后，在 中心導(dǎo)體的共用結(jié)點(diǎn)和接地之間插入串聯(lián)連接電容器及LC并聯(lián)電路后的 電路的不可逆電路元件。但是，采用專利文獻(xiàn)2所述的不可逆電路元件，由于需要在中心導(dǎo)體 的共用結(jié)點(diǎn)和接地之間插入串聯(lián)連接電容器及LC并聯(lián)電路后的復(fù)雜電路， 因而對(duì)小型化及薄型化是不合適的。專利文獻(xiàn)1日本特公昭48-33344號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2日本特開平8-095207號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的課題為，提供一種適于小型化/薄型化的不可逆電路元件。 本發(fā)明的另一個(gè)課題為，提供一種能輕易且可靠調(diào)整插入損耗、工作頻率、10dB隔離頻帶比率及所要求的工作磁場(chǎng)等的不可逆電路元件。本發(fā)明的再一個(gè)課題為，提供一種能夠可靠確保頻帶外衰減的不可逆電路元件。為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件包括磁轉(zhuǎn)子、第 一至第四電容器和電阻。上述磁轉(zhuǎn)子包含鐵氧體和第一至第三中心導(dǎo)體， 上述第一至第三中心導(dǎo)體其一端在共用電位上，組合到上述鐵氧體上。上述第一電容器連接在上述第一中心導(dǎo)體的另一端和上述第二中心導(dǎo) 體的另一端之間，上述第二電容器連接在上述第一中心導(dǎo)體的另一端和上 述第三中心導(dǎo)體的另一端之間，上述第三電容器連接在上述第二中心導(dǎo)體 的另一端和上述第三中心導(dǎo)體的另一端之間。上述第四電容器連接在上述共用電位的位置和接地端子之間，上述電
阻連接在上述第三中心導(dǎo)體的另一端和上述第四電容器的一個(gè)電容器電極 之間。如上所述，根據(jù)本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件，因?yàn)樵诖呸D(zhuǎn)子中， 和鐵氧體組合的第一至第三中心導(dǎo)體的一端在共用電位上，并且在第一中 心導(dǎo)體的另一端和第二中心導(dǎo)體的另一端之間連接第一電容器，在第一中 心導(dǎo)體的另一端和第三中心導(dǎo)體的另一端之間連接第二電容器，在第二中 心導(dǎo)體的另一端和第三中心導(dǎo)體的另一端之間連接第三電容器，所以能夠 使和第一至第三中心導(dǎo)體具有的電感成分構(gòu)成諧振電路的第一至第三電容 器的電容值大幅下降。因此，可以謀求第一至第三電容器的小型化、薄型 化，進(jìn)而有助于不可逆電路元件的小型化、薄型化。這一點(diǎn)和專利文獻(xiàn)K2的情形相同。和專利文獻(xiàn)l、 2中所代表的以往技術(shù)不同的本發(fā)明特征為，第四電容 器連接在共用電位的位置(共用結(jié)點(diǎn))和接地端子之間，電阻連接在第三 中心導(dǎo)體的另一端和第四電容器的一個(gè)電容器電極之間。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過調(diào)整第四電容器的電容值，就可以輕易且可靠調(diào)整 插入損耗、工作頻率、lOdB隔離頻帶比率及所要求的工作磁場(chǎng)等。而且，通過調(diào)整第四電容器的電容值，就可以實(shí)現(xiàn)頻帶外的衰減，例 如使二次諧波、三次諧波等的高次諧波得到衰減。為了構(gòu)成具體的不可逆電路元件，針對(duì)形成上述不可逆電路元件內(nèi)含 物的磁轉(zhuǎn)子，通過磁鐵施加直流磁場(chǎng)。不言而喻，在這種不可逆電路元件 中還具備當(dāng)然需要的結(jié)構(gòu)部分，例如磁軛等。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得如下的效果。(a) 可以提供一種能實(shí)現(xiàn)小型化/薄型化的不可逆電路元件。(b) 可以提供一種能輕易且可靠調(diào)整衰減量、插入損耗、工作頻率、 10dB隔離頻帶比率及所要求的工作磁場(chǎng)等的不可逆電路元件。(c) 可以提供一種能夠可靠確保頻帶外衰減的不可逆電路元件。 本發(fā)明的其他目的、結(jié)構(gòu)及優(yōu)點(diǎn)將參照附圖，更為詳細(xì)地進(jìn)行說明。附圖只不過是示例而已。


圖1是本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件電路圖。圖2是表示本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件其他例子的電路圖。圖3是表示在圖1及圖2所示的不可逆電路元件中改變第四電容器C
的電容值時(shí)的二次諧波2F及三次諧波3F衰減特性的附圖。圖4是表示第四電容器的電容值和插入損耗(最小值)之間關(guān)系的附圖。圖5是表示第四電容器的電容值和工作頻率之間關(guān)系的附圖。圖6是表示第四電容器的電容值和10dB隔離頻帶比率之間關(guān)系的附圖。圖7是表示第四電容器的電容值和工作磁場(chǎng)之間關(guān)系的附圖。 圖8是表示本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件其他實(shí)施方式的電路圖。 圖9是表示本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件其他實(shí)施方式的電路圖。 圖IO是表示以往典型的隔離器的附圖。圖11是表示在第一至第三中心導(dǎo)體之間連接第一至第三電容器的隔離 器的附圖。圖12是圖1所示的本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件，是表示確定第一 至第四電容器的電容值及終端電阻電阻值的常數(shù)值后的例子的附圖。圖13是圖2所示的本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件，是表示確定第一 至第四電容器的電容值及終端電阻電阻值的常數(shù)值后的例子的附圖。圖14是圖9所示的本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件，是表示確定第一 至第四電容器的電容值及終端電阻電阻值的常數(shù)值后的例子的附圖。圖15是表示圖IO所示的以往電路1頻率傳輸特性的附圖。圖16是表示圖IO所示的以往電路1的VSWR及插入損耗頻率特性的 附圖。圖17是表示圖11所示的以往電路2傳輸頻率特性的附圖。 圖18是表示圖11所示的以往電路2的VSWR及插入損耗頻率特性的 附圖。圖19是表示圖12所示的實(shí)施例電路1頻率傳輸特性的附圖。圖20是表示圖12所示的實(shí)施例電路1的VSWR及插入損耗特性的附圖。圖21是表示圖13所示的實(shí)施例電路2頻率傳輸特性的附圖。 圖22是表示圖13所示的實(shí)施例電路2的VSWR及插入損耗頻率特性 的附圖。圖23是表示圖14所示的實(shí)施例電路3傳輸頻率特性的附圖。 圖24是表示圖14所示的實(shí)施例電路3的VSWR及插入損耗頻率特性 的附圖。
圖25是使用本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件的通信裝置框圖。符號(hào)說明1 磁轉(zhuǎn)子2 鐵氧體31 輸入端子32 輸出端子33 接地端子 C1 C4 第一至第四電容器 L1 L3 第一至第三中心導(dǎo)體 GND 接地具體實(shí)施方式
圖1是本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件的電路圖。圖示的不可逆電路 元件包括磁轉(zhuǎn)子l、第一至第四電容器C1 C4和終端電阻R。磁轉(zhuǎn)子1包含鐵氧體2和第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3。鐵氧體2能夠 形成為圓板狀、角板狀等任意的形狀。第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3通過一端在共用電位上的共用結(jié)點(diǎn)P0進(jìn) 行結(jié)合，組合到鐵氧體2上。第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3是采用導(dǎo)電性及 高頻率特性良好的金屬材料例如Cu構(gòu)成的，除了Cu板之外，還能夠采取 以Cu或Ag為主要成分的導(dǎo)體性膏涂敷燒結(jié)等以往以來所熟知的構(gòu)造。這 些第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3相互絕緣使之相互按指定的角度交叉，與鐵 氧體2組合。 一般來說，第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3在鐵氧體2按厚度方 向看到的一面上進(jìn)行組合使之相互交叉，在另一面上與共用結(jié)點(diǎn)P0進(jìn)行連 接。第一電容器Cl連接在第一中心導(dǎo)體Ll的另一端Pl和第二中心導(dǎo)體 L2的另一端P2之間。在圖示的實(shí)施例中，第一中心導(dǎo)體L1的另一端P1 被引導(dǎo)到輸入端子31上，第二中心導(dǎo)體L2的另一端P2被引導(dǎo)到輸出端子 32上。從而，第一電容器C1如果進(jìn)行別的說明，也可以認(rèn)為連接在輸入 端子31和輸出端子32之間。第二電容器C2連接在第一中心導(dǎo)體Ll的另一端Pl和第三中心導(dǎo)體 L3的另一端P3之間。第三電容器C3連接在第二中心導(dǎo)體L2的另一端P2 和第三中心導(dǎo)體L3的另一端P3之間。
第四電容器C4連接在共用電位的位置上，也就是共用結(jié)點(diǎn)P0和接地 端子33之間。從而，共用結(jié)點(diǎn)P0利用第四電容器C4，處于從接地電位浮 起的狀態(tài)。優(yōu)選的是，上述第一至第四電容器C1 C4作為片狀，和磁轉(zhuǎn) 子1一起安裝于電路基板的一面上。作為電路基板，可以使用在表面形成絕緣圖案及外露圖案后的鐵板等 導(dǎo)電性磁性體。這種情況下，可以在電路基板的表面上疊層介質(zhì)薄膜(或 者薄片)，在該導(dǎo)電體介質(zhì)薄膜上所形成的電極和構(gòu)成電路基板的鐵板等導(dǎo) 電性磁性體之間取得第四電容器C4。終端電阻R連接在第三中心導(dǎo)體L3的另一端P3和第四電容器C4的 一個(gè)電容器電極之間。優(yōu)選的是，終端電阻R也作為片狀，和磁轉(zhuǎn)子l及 第一至第四電容器C1 C4 一起安裝于電路基板的一面上。有關(guān)終端電阻R和第四電容器C4之間的連接，具有2個(gè)可采取的方 式。圖1表示其中的一個(gè)方式，終端電阻R的一端連接在第四電容器C4 的另一個(gè)電容器電極上，也就是接地端子33 —側(cè)的電容器電極上。圖2表示另一個(gè)方式，終端電阻R的一端連接在第四電容器C4的一 個(gè)電容器電極上，也就是被引導(dǎo)到共用結(jié)點(diǎn)PO上的電容器電極上。從而， 不僅僅是共用結(jié)點(diǎn)P0，終端電阻R也利用第四電容器C4，處于從接地GND 浮起的狀態(tài)。在實(shí)際的不可逆電路元件中，對(duì)磁轉(zhuǎn)子l，通過磁鐵施加直流磁場(chǎng)H。 不言而喻，在這種不可逆電路元件中還具備當(dāng)然需要的結(jié)構(gòu)部分，例如磁 軛等。如上所述，根據(jù)本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件，因?yàn)樵诖呸D(zhuǎn)子1中， 和鐵氧體2組合的第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3的一端集中在共用結(jié)點(diǎn)PO 上并在共用電位上，在第一中心導(dǎo)體Ll的另一端Pl和第二中心導(dǎo)體L2 的另一端P2之間連接第一電容器C1，在第一中心導(dǎo)體L1的另一端P1和 第三中心導(dǎo)體L3的另一端P3之間連接第二電容器C2，在第二中心導(dǎo)體 L2的另一端P2和第三中心導(dǎo)體L3的另一端P3之間連接第三電容器C3， 所以能夠使和第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3具有的電感成分構(gòu)成諧振電路 的第一至第三電容器C1 C3的電容值大幅下降。因此，可以謀求第一至 第三電容器C1 C3的小型化、薄型化，進(jìn)而有助于不可逆電路元件的小 型化、薄型化。這一點(diǎn)和專利文獻(xiàn)l、 2的情形相同。和以往技術(shù)不同的本發(fā)明特征為，第四電容器C4連接在共用結(jié)點(diǎn)PO 和接地端子33之間，終端電阻R連接在第三中心導(dǎo)體L3的另一端P3和 第四電容器C4的一個(gè)電容器電極之間。而且，通過調(diào)整第四電容器C4的電容值，就可以實(shí)現(xiàn)頻帶外的衰減， 例如使二次諧波、三次諧波等的高次諧波得到衰減。圖3是表示在圖1及圖2所示的不可逆電路元件中改變了第四電容器 C4的電容值時(shí)的二次諧波2F及三次諧波3F衰減特性的附圖。衰減量(dB) 表示出，在圖1及圖2的電路結(jié)構(gòu)中從輸入端子31向輸出端子32傳輸?shù)?信號(hào)衰減量。參照?qǐng)D3得知，二次諧波2F的場(chǎng)合，在第四電容器C4的電 容值比4 (pF)更小的范圍內(nèi)衰減量急劇增大。三次諧波3F的場(chǎng)合，在第 四電容器C4的電容值6 (pF) 3.5 (pF)的范圍內(nèi)衰減量急劇增大。明 確的是，通過根據(jù)該數(shù)據(jù)，調(diào)整第四電容器C4的電容值，就可以實(shí)現(xiàn)頻帶 外的衰減，例如使二次諧波2F、三次諧波3F等的高次諧波得到衰減。而且，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過調(diào)整第四電容器C4的電容值，就可以輕易 且可靠調(diào)整插入損耗、工作頻率、10dB隔離頻帶比率及所要求的工作磁場(chǎng) 等。有關(guān)這一點(diǎn)，將參照?qǐng)D4 圖7更為具體地進(jìn)行說明。首先，圖4是表示第四電容器C4的電容值和插入損耗(最小值)之間 關(guān)系的附圖。圖4的曲線圖表示出，在圖1、圖2的電路中不改變其他電路 常數(shù)值而只改變第四電容器C4的電容值時(shí)的數(shù)據(jù)。參照?qǐng)D4得知，隨著第 四電容器C4的電容值增大，插入損耗增加。從而，通過調(diào)整第四電容器 C4的電容值，就可以輕易且可靠調(diào)整插入損耗。接著，圖5是表示第四電容器C4的電容值和工作頻率之間關(guān)系的附圖。 參照?qǐng)D5得知，隨著第四電容器C4的電容值增大，工作頻率增高。從而， 通過調(diào)整第四電容器C4的電容值，就可以輕易且可靠調(diào)整工作頻率。圖6是表示第四電容器C4的電容值和10dB隔離頻帶比率之間關(guān)系的 附圖。參照?qǐng)D6得知，隨著第四電容器C4的電容值增大，10dB隔離頻帶 比率變大。從而，通過調(diào)整第四電容器C4的電容值，就可以輕易且可靠調(diào) 整10dB隔離頻帶比率。圖7是表示第四電容器C4的電容值和工作磁場(chǎng)之間關(guān)系的附圖。參照 圖7得知，隨著第四電容器C4的電容值減小，更小的工作磁場(chǎng)就可以。從 而，通過調(diào)整第四電容器C4的電容值，就可以輕易且可靠調(diào)整所要求的工 作磁場(chǎng)。圖8是表示本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件別的實(shí)施方式的電路圖。 在附圖中，對(duì)于和圖1及圖2所示的結(jié)構(gòu)部分對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)部分，附上相同 的參照符號(hào)，重復(fù)說明予以省略。圖8的特征為，省略了第一電容器C1。
也就是說，在本發(fā)明中雖然第二及第三電容器C2、 C3是必須的，但是沒 有第一電容器C1也可以。圖9是表示本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件別的實(shí)施方式的電路圖。 在附圖中，對(duì)于和圖1及圖2所示的結(jié)構(gòu)部分對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)部分，附上相同 的參照符號(hào)，重復(fù)說明予以省略。圖9的特征為，對(duì)于圖1及圖2所示的 電路，將作為電感器Lsl及電容器Csl串聯(lián)電路的第一陷波電路和作為電 感器Ls2及電容器Cs2串聯(lián)電路的第二陷波電路，連接到第一電容器Cl 的兩端上。第一陷波電路及第二陷波電路通過接地端子34、 35進(jìn)行接地 GND。根據(jù)該電路結(jié)構(gòu)，可以利用第一陷波電路及第二陷波電路的陷波作 用，更為可靠且以較大的程度使二次諧波及三次諧波得到衰減。下面，對(duì)于以往典型的隔離器及專利文獻(xiàn)1所述的不可逆電路元件和 本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件，參照?qǐng)D10 圖24來說明其結(jié)構(gòu)及得到的 頻率特性。圖10 圖14是為了獲得圖15 圖24的頻率特性所提供的不可逆電路 元件的電路圖。在附圖中，對(duì)于和圖l、圖2所示的結(jié)構(gòu)部分對(duì)應(yīng)的部分， 附上相同的參照符號(hào)，重復(fù)說明予以省略。圖10表示以往典型的隔離器(設(shè)為以往電路1)，在第一至第三中心導(dǎo) 體L1 L3和接地GND之間，連接和第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3具有的 電感構(gòu)成諧振電路的電容器C1 C3。具體而言，在第一中心導(dǎo)體L1和接 地端子33之間連接15pF的電容器Cll,在第二中心導(dǎo)體L2和接地端子 33之間連接15pF的電容器C12，在第三中心導(dǎo)體L3和接地端子33之間 連接15pF的電容器C13。對(duì)于電容器C12，與之并聯(lián)連接91 Q的終端電阻 R。圖ll表示出，在第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3之間連接第一至第三電 容器C1 C3后的隔離器(設(shè)為以往電路2)。第一至第三電容器C1 C3 的電容值是5pF。在第三中心導(dǎo)體L3的另一端P3和接地端子33之間連接 91Q的終端電阻R。接地端子33進(jìn)行接地GND。圖12是圖1所示的本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件，第一至第三電容 器C1 C3的電容值分別是5pF，第四電容器C4的電容值是10pF。終端電 阻R連接在第三中心導(dǎo)體L3和接地端子33之間，其電阻值是91Q。將其設(shè)為實(shí)施例電路1。圖13是圖2所示的本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件，第一至第三電容 器Cl C3的電容值分別為5pF，第四電容器C4的電容值為10pF。終端電 阻R的電阻值是91Q。將其設(shè)為實(shí)施例電路2。圖14是圖9所示的本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件，第一電容器Cl 的電容值是3pF，第二及3電容器C2、 C3的電容值分別是5pF，第四電容 器C4的電容值是10pF。終端電阻R的電阻值是91Q。在第一陷波電路中， 電感器Lsl的電感值是22nH，電容器Csl的電容值是l.lpF。在第二陷波 電路中，電感器Lsl的電感值是22nH，電容器Csl的電容值是l.lpF。將 其設(shè)為實(shí)施例電路3。圖15表示圖IO所示的以往電路1頻率傳輸特性，圖16同樣表示電壓 駐波比(VSWR)及插入損耗的頻率特性。在圖15中，曲線S21表示從輸 入端子31到輸出端子32的傳輸特性，曲線S12表示從輸出端子32到輸入 端子31的傳輸特性。在圖16中，在左縱軸上取得插入損耗IL (dB)，在 右縱軸上取得VSWR的值。圖15及圖16的表示在圖17 圖24中也被同 樣采用。圖17表示圖11所示的以往電路2傳輸頻率特性，圖18同樣表示VSWR 及插入損耗的頻率特性。圖19表示圖12所示的實(shí)施例電路1頻率傳輸特性，圖20同樣表示 VSWR及插入損耗的特性。圖21表示圖13所示的實(shí)施例電路2頻率傳輸 特性，圖22同樣表示VSWR及插入損耗的頻率特性。圖23表示圖14所 示的實(shí)施例電路3傳輸頻率特性，圖24同樣表示VSWR及插入損耗的頻 率特性。參照上述的圖15 圖24，對(duì)于以往電路l、以往電路2、實(shí)施例 電路l、實(shí)施例電路2及實(shí)施例電路3的特性，依次進(jìn)行對(duì)比加以研究。<以往電路1和以往電路2之間的對(duì)比>首先，對(duì)比圖15和圖17得知，在以往電路1中高次諧波衰減得比-30dB 更深(參見圖15)，與之相對(duì)，在以往電路2中高次諧波的衰減較小，最多 是-20dB左右(參見圖17)。接著，對(duì)比圖16和圖18得知，插入損耗IL的最小值在以往電路1中 是約0.7dB (參見圖16),與之相對(duì)，在以往電路2中被改進(jìn)成約0.6dB (參 見圖18)。有關(guān)VSWR，滿足VSWR^1.4的頻帶寬度AF在以往電路1中 是約25MHz (參見圖16)，與之相對(duì)，在以往電路2中是約50MHz (參見 圖18)。綜上所述,在第一至第三中心導(dǎo)體L1 L3之間連接第一至第三電容器 C1 C3的圖11以往電路2雖然在和將電容器C1 C3連接于第一至第三 中心導(dǎo)體L1 L3和接地之間的圖10以往電路1之間的對(duì)比中，插入損耗 IL及VSWR得到改進(jìn)，但是頻帶外的衰減量變得不佳等表現(xiàn)出傳輸特性的 惡化。<以往電路2和實(shí)施例電路1之間的對(duì)比>對(duì)比圖17和圖19得知，包含二次諧波2F的高次諧波衰減在以往電路 2中最大也就是-20dB左右(參見圖17)，但是在實(shí)施例電路1中則超過 -20dB，而且表示出在廣大的范圍內(nèi)比(-)10dB更高的值(參見圖19)。接著，對(duì)比圖18和圖20得知，插入損耗IL的最小值在以往電路2中 是約0.6dB (參見圖18)，與之相對(duì)，在實(shí)施例電路1中被改進(jìn)成小于等于 0.5dB。綜上所述，在共用結(jié)點(diǎn)PO和接地端子33之間連接第四電容器C4并使 共用結(jié)點(diǎn)PO從接地浮起的圖12實(shí)施例電路1在和將共用結(jié)點(diǎn)PO接地的圖 11以往電路2之間的對(duì)比中，傳輸特性及插入損耗IL得以改進(jìn)。<實(shí)施例電路1和實(shí)施例電路2之間的對(duì)比>對(duì)比圖19和圖21得知，包含二次諧波2F的高次諧波衰減在實(shí)施例電 路2中最大仍達(dá)到約-35dB，與實(shí)施例電路1相比進(jìn)一步得到改進(jìn)。接著，對(duì)比圖20和圖22得知，插入損耗IL的最小值在實(shí)施例電路2 中是約0.4dB，與實(shí)施例電路1相比進(jìn)一步得到改進(jìn)。有關(guān)VSWR，滿足 VSWR^ 1.4的頻帶寬度AF在實(shí)施例電路1中是約30MHz，在實(shí)施例電路 2中是約40MHz。綜上所述，在共用結(jié)點(diǎn)P0和接地端子33之間連接第四電容器C4、使 共用結(jié)點(diǎn)PO從接地浮起并且在共用結(jié)點(diǎn)PO方連接終端電阻R的圖13實(shí) 施例電路2在和將第四電容器C4連接于共用結(jié)點(diǎn)PO和接地端子33之間、 使共用結(jié)點(diǎn)PO從接地浮起并將終端電阻R的一端接地的圖12實(shí)施例電路 l之間的對(duì)比中，傳輸特性、插入損耗IL及VSWR的全部都進(jìn)一步得到改 進(jìn)。<實(shí)施例電路2和實(shí)施例電路3之間的對(duì)比>對(duì)比圖21和圖23得知，在實(shí)施例電路2中只不過在二次諧波2F上能 得到衰減，與之相對(duì)，在實(shí)施例電路3中，不僅僅是二次諧波2F，在三次 諧波3F上也能得到最大仍達(dá)到約-35dB的高次諧波衰減(參見圖19)。接著，對(duì)比圖22和圖24,有關(guān)插入損耗IL的最小值，在實(shí)施例電路 3中仍確保了不次于實(shí)施例電路2的約0.4dB。即便對(duì)于VSWR，實(shí)施例電 路3表示出不次于實(shí)施例電路2的特性。綜上所述，根據(jù)對(duì)圖13的電路添加陷波電路(Csl、 Lsl)、 (Cs2、 Ls2)
的圖14實(shí)施例電路3，不僅僅是頻帶外的高次諧波，具體而言是二次諧波 2F,在三次諧波3F上也可以得到較大的衰減特性。而且，由于陷波電路 (Csl、 Lsl)、 (Cs2、 Ls2)的添加，因而也不存在使插入損耗IL及VSWR 變壞的情況。本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件作為通信裝置的結(jié)構(gòu)要件來使用。圖 25是使用本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件的通信裝置，表示出移動(dòng)電話那 種移動(dòng)體無線設(shè)備的結(jié)構(gòu)。圖示的通信裝置包括天線81、發(fā)送電路85、接 收電路84和不可逆電路元件83。參照符號(hào)82是雙工器。發(fā)送電路85及接 收電路84共用天線81來進(jìn)行收發(fā)。不可逆電路元件83是本發(fā)明所涉及的，組裝在從雙工器82到發(fā)送電 路85的電路內(nèi)。不可逆電路元件83組裝在到接收電路84的電路中也可以。 由于發(fā)送電路85、接收電路84、不可逆電路元件83及雙工器82的動(dòng)作是 眾所周知的，因而不需要特別說明。但是，不可逆電路元件83因?yàn)槭潜景l(fā)明所涉及的不可逆電路元件，所 以明確的是，上面所述的作用效果在通信裝置之上也能獲得。上面，雖然參照優(yōu)選的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行了具體說明，但 是不言而喻，根據(jù)本發(fā)明的基本技術(shù)構(gòu)思及宗旨，只要是從業(yè)人員，就能 夠采取各種變通方式。
權(quán)利要求
1、一種不可逆電路元件，包括磁轉(zhuǎn)子、第一至第四電容器和電阻，其特征為，上述磁轉(zhuǎn)子包含鐵氧體和第一至第三中心導(dǎo)體，上述第一至第三中心導(dǎo)體的一端在共用電位上，組合到上述鐵氧體上，上述第一電容器連接在上述第一中心導(dǎo)體的另一端和上述第二中心導(dǎo)體的另一端之間，上述第二電容器連接在上述第一中心導(dǎo)體的另一端和上述第三中心導(dǎo)體的另一端之間，上述第三電容器連接在上述第二中心導(dǎo)體的另一端和上述第三中心導(dǎo)體的另一端之間，上述第四電容器連接在上述共用電位的位置和接地端子之間，上述電阻連接在上述第三中心導(dǎo)體的另一端和上述第四電容器的一個(gè)電容器電極之間。
2、 如權(quán)利要求1所述的不可逆電路元件，其特征為， 上述電阻的一端連接到上述第四電容器的與上述共用電位連接的電容器電極上。
3、 如權(quán)利要求1所述的不可逆電路元件，其特征為， 上述電阻的一端連接到上述第四電容器的與上述接地端子連接的電容器電極上。
4、 如權(quán)利要求l所述的不可逆電路元件，其特征為， 上述第一電容器被省略。
5、 一種通信裝置，包含天線、發(fā)送電路、接收電路和不可逆電路元件， 其特征為，上述不可逆電路元件是權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的不可逆電路元件，組合到上述發(fā)送電路或者接收電路的至少一個(gè)中。
全文摘要
本發(fā)明是一種不可逆電路元件，適于小型化/薄型化，可以輕易且可靠調(diào)整衰減量、插入損耗、工作頻率、10dB隔離頻帶比率及所要求的工作磁場(chǎng)等，而且能夠可靠確保頻帶外的衰減。第一至第三中心導(dǎo)體L1～L3的一端在共用電位P0上，與鐵氧體2進(jìn)行組合，構(gòu)成磁轉(zhuǎn)子1。第一電容器C1連接在第一中心導(dǎo)體L1的另一端P1和第二中心導(dǎo)體L2的另一端P2之間。第二電容器C2連接在第一中心導(dǎo)體L1的另一端P1和第三中心導(dǎo)體L3的另一端P3之間。第三電容器C3連接在第二中心導(dǎo)體L2的另一端P2和第三中心導(dǎo)體L3的另一端P3之間。第四電容器C4連接在共用電位P0和接地端子33之間。終端電阻R連接在第三中心導(dǎo)體L3的另一端P3和第四電容器C4的一個(gè)電容器電極之間。
文檔編號(hào)H01P1/32GK101399390SQ20081016584
公開日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2008年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月26日
發(fā)明者大波多秀典, 松丸宜紀(jì), 笠原龍一 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社