專利名稱：處理處理液的方法和處理基材的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種處理用于對(duì)半導(dǎo)體基材進(jìn)行處理的處理液的方法和 一種使用該處理液處理基材的設(shè)備，更具體而言，涉及一種具有改善的 處理效率的處理處理液的方法，還涉及一種使用該處理液處理基材的設(shè) 備。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器或諸如平板顯示器等電子器件包括基材。基材可以包 括硅晶片或玻璃基材。在基材上形成有多個(gè)導(dǎo)電層圖案，在不同的導(dǎo)電 層圖案之間還形成有絕緣的介電層圖案。經(jīng)諸如曝光、顯影和蝕刻等一 系列處理形成導(dǎo)電層圖案或介電層圖案。使用在其內(nèi)含有處理液的處理槽進(jìn)行一系列處理中的一些。根據(jù)目 標(biāo)處理可以提供多個(gè)處理槽。多個(gè)處理槽可以是含有相同處理液以進(jìn)行 相同處理的處理槽，或者是含有不同處理液以進(jìn)行不同處理的處理槽。 此外，處理槽可以包括含有在使用處理液處理基材之后用于清潔基材的 清潔液的處理槽。然而，在對(duì)基材進(jìn)行處理之前， 一部分處理液被提供到處理槽，并 進(jìn)行預(yù)定的預(yù)備操作。例如，僅在高溫下進(jìn)行的特定處理，處理液可以 被加熱直至到達(dá)所需的溫度。這種預(yù)備操作延長(zhǎng)了處理過程并降低了處 理效率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種具有改善的處理效率的處理處理液的方法。 本發(fā)明還提供一種使用處理液處理基材的設(shè)備。本發(fā)明的實(shí)施例提供處理處理液的方法，所述方法包括向處理槽 提供基材用處理液；和經(jīng)與所述處理槽連接的循環(huán)管線使所述處理液循 環(huán)。所述循環(huán)包括所述處理液沿所述循環(huán)管線移動(dòng)的主循環(huán)；和當(dāng)所述處理液流過在從所述循環(huán)管線的第一位置分支并在第二位置處連接的 旁路管線的同時(shí)沿所述循環(huán)管線移動(dòng)的副循環(huán)。所述主循環(huán)包括在所述 第一位置和所述第二位置之間過濾所述處理液。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，處理處理液的方法包括向處理槽提供 基材用處理液；和經(jīng)與所述處理槽連接的循環(huán)管線使所述處理液循環(huán)。 所述循環(huán)包括所述處理液沿所述循環(huán)管線移動(dòng)的主循環(huán)；和當(dāng)所述處 理液流過在從所述循環(huán)管線的第一位置分支并在第二位置處連接的旁路 管線的同時(shí)沿所述循環(huán)管線移動(dòng)的副循環(huán)。所述循環(huán)在除所述第一位置 和所述第二位置之間的那部分之外的所述循環(huán)管線的位置處加熱所述處理液。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，處理基材的設(shè)備包括處理槽、循環(huán)管線、 旁路管線和過濾器。在所述處理槽內(nèi)提供基材用處理液。所述循環(huán)管線 與所述處理槽連接，并經(jīng)過所述循環(huán)管線使所述處理液循環(huán)。所述旁路 管線從所述循環(huán)管線的第一位置分支并在所述循環(huán)管線的第二位置處連 接。所述過濾器安裝于所述循環(huán)管線在所述第一位置和所述第二位置之 間的位置處。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，處理基材的設(shè)備包括處理槽、循環(huán)管線、 旁路管線和加熱器。在所述處理槽內(nèi)提供基材用處理液。所述循環(huán)管線 與所述處理槽連接，并經(jīng)過所述循環(huán)管線使所述處理液循環(huán)。所述旁路 管線從所述循環(huán)管線的第一位置分支并在所述循環(huán)管線的第二位置處連 接。所述加熱器安裝在除所述第一位置和所述第二位置之間的那部分之 外的所述循環(huán)管線的位置處。


附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，其并入本說明書中并構(gòu)成它的一部分。 附圖闡明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原 理。在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處理基材的設(shè)備的立體圖；圖2是圖1示出的子處理單元的構(gòu)造圖；圖3是圖2的子處理單元中的循環(huán)部的構(gòu)造圖；圖4A和圖4B是解釋圖3的循環(huán)管線的操作過程的示圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的圖2的子處理單元中的循環(huán)部的 構(gòu)造圖；圖6A和圖6B是解釋圖5的循環(huán)管線的操作過程的示圖；圖7是闡明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處理處理液的方法的流程圖；以及圖8是闡明圖7的處理液循環(huán)操作的詳細(xì)操作的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可 以體現(xiàn)為不同形式，并且不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本發(fā)明受限于在此提出的實(shí)施例。 相反，提供這些實(shí)施例是為了使本發(fā)明的公開內(nèi)容清楚和完整，并向本 領(lǐng)域技術(shù)人員全面地表達(dá)本發(fā)明的范圍。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處理基材的設(shè)備的立體圖。參照?qǐng)D1，基材處理設(shè)備包括裝載端10、轉(zhuǎn)移單元20和處理單元 30。在裝載端10上裝載或卸載諸如半導(dǎo)體晶片等基材。使用盒子11可 以在裝載端10同時(shí)裝載和卸載多個(gè)晶片。轉(zhuǎn)移單元20從裝載端10接收 晶片并將晶片轉(zhuǎn)移到處理單元30。轉(zhuǎn)移晶片的轉(zhuǎn)移自動(dòng)裝置(圖未示)設(shè) 在轉(zhuǎn)移單元20的下端。處理單元30處理從轉(zhuǎn)移單元20轉(zhuǎn)移來的晶片。處理單元30包括多 個(gè)子處理單元。即，處理單元30包括第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33。如有必要，處理單元30還可以包括除第一 子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33之外的附加子 處理單元?？蛇x擇地，可以省去處理單元30的第一子處理單元31、第二 子處理單元32和第三子處理單元33中的一些。第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33均可 以包括含有用于對(duì)晶片進(jìn)行各種處理的處理液的處理槽。例如，這種處 理可以是蝕刻、清潔和干燥。在蝕刻、清潔和干燥過程中，HF、 H2S04、 去離子水、異丙醇等各種溶液可以用作處理液。第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33的各 處理槽中所含的處理液可以是進(jìn)行相同處理的相同處理液。可選擇地， 第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33的各處理 槽中所含的處理液可以是進(jìn)行相同處理的成分彼此不同的處理液。可選 擇地，第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33的 各處理槽中所含的處理液可以是進(jìn)行不同處理的成分彼此不同的處理 液。在對(duì)基材進(jìn)行處理之前需要對(duì)處理液進(jìn)行預(yù)備處理。例如，需要預(yù) 備處理向處理槽提供處理液，從而用處理液填充處理槽。此外，針對(duì)特 定的處理液，僅在高溫下進(jìn)行處理。為此，需要將處理液加熱到高溫的 預(yù)備處理。此外，當(dāng)在進(jìn)行處理的同時(shí)處理液的成分改變時(shí)，需要更換 處理液，并且在更換后，需要相同的預(yù)備處理。當(dāng)完成處理液的預(yù)備處 理時(shí)，盒子11中所含的晶片通過轉(zhuǎn)移自動(dòng)裝置轉(zhuǎn)移到處理單元30，從而 進(jìn)行所需的處理。目標(biāo)晶片被連續(xù)地轉(zhuǎn)移，并且處理完的晶片被轉(zhuǎn)移到 外部。如上所述，處理液的預(yù)備處理在整個(gè)晶片處理中占用了相當(dāng)部分。 因此，隨著預(yù)備處理占用時(shí)間的增加，晶片在裝載端10備用，從而整個(gè) 處理時(shí)間延長(zhǎng)，處理效率降低。在本實(shí)施例中，第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子 處理單元33中的每一個(gè)均可以最小化處理液的預(yù)備時(shí)間，從而防止處理 延時(shí)。下面，通過第一子處理單元31、第二子處理單元32和第三子處理單元33中的一個(gè)來說明防止處理延時(shí)的結(jié)構(gòu)。然而，以下結(jié)構(gòu)不必須適 用于全部的多個(gè)子處理單元。即，在多個(gè)子處理單元的一些中，處理液 的預(yù)備處理不會(huì)占用過多時(shí)間，以下結(jié)構(gòu)不適用于這種子處理單元。圖2是圖1示出的子處理單元的構(gòu)造圖。參照?qǐng)D2，子處理單元包括處理槽100、供應(yīng)部200和循環(huán)部300。 在處理槽100內(nèi)對(duì)諸如晶片W等半導(dǎo)體基材進(jìn)行處理。供應(yīng)部200向處 理槽100提供處理液。循環(huán)部300使提供的處理液循環(huán)到處理槽100。具體而言，處理槽IOO包括內(nèi)槽111和外槽112。內(nèi)槽111具有敞開 的上部，使得可從上方接收處理液。內(nèi)槽111的底部中形成有排出孔(圖 未示)，用于排出處理液。外槽112包圍著內(nèi)槽111的外側(cè)，用于容納從 內(nèi)槽111溢出的處理液。在內(nèi)槽111內(nèi)部安裝有導(dǎo)引件120，用于在處理過程中支撐晶片W。 導(dǎo)引件120包括彼此平行排列的多個(gè)支撐桿121和連接這些支撐桿121 的連接板122。在每個(gè)支撐桿中沿各支撐桿的長(zhǎng)度方向形成有用于接收晶 片W的部分邊緣的狹槽121a。形成大約25 50個(gè)狹槽121a，從而導(dǎo)引 件120可以同時(shí)支撐大約25 50個(gè)晶片。在外槽112中形成有出口 130，在內(nèi)槽111中形成有入口 140。出口 130和入口 140與循環(huán)部300連接。循環(huán)部300使從出口 130流出的處理 液循環(huán)，并經(jīng)入口 140向處理槽100提供處理液。后面說明循環(huán)部300 的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。供應(yīng)部200提供兩種不同的處理液。在下文中，將這兩種處理液稱 為第一處理液和第二處理液。為提供第一處理液，供應(yīng)部200包括存儲(chǔ) 第一處理液的第一容器210和第一處理液流經(jīng)的第一供應(yīng)管線211。從第 一供應(yīng)管線211的預(yù)定位置分支出第一輔助供應(yīng)管線212。第一輔助供應(yīng) 管線212與處理槽100連接。第一供應(yīng)管線211的一側(cè)與第一容器210 連接，另一側(cè)與處理槽IOO連接。此外，在第一供應(yīng)管線211上設(shè)有第 一輔助容器213。在設(shè)于第一供應(yīng)管線211上的第一輔助容器213的前面 和后面安裝有閥215和閥216。此外，在第一輔助供應(yīng)管線212上安裝有 閥217。閥215、閥216和閥217在其安裝位置控制第一處理液的流動(dòng)。與第一處理液相同，供應(yīng)部200包括第二容器220、第二供應(yīng)管線221、 第二輔助供應(yīng)管線222、第二輔助容器223和多個(gè)閥225、 226和 227，從而供應(yīng)第二處理液。第一供應(yīng)管線211為處理槽100提供第一處理液。第一輔助容器213 控制供應(yīng)到處理槽100的第一處理液的量。第一輔助供應(yīng)管線212補(bǔ)充 第一處理液的供應(yīng)。相似地，第二供應(yīng)管線221為處理槽100提供第二 處理液。第二輔助容器223控制供應(yīng)到處理槽100的第二處理液的量。 第二輔助供應(yīng)管線222補(bǔ)充第二處理液的供應(yīng)。如果在處理槽100內(nèi)進(jìn)行的處理是清潔晶片W的清潔處理，那么處 理液可以是H2S04和&02的混合物。在這種情況下，第一處理液是H2S04，第二處理液是11202。 H2S04和H202分別存儲(chǔ)在獨(dú)立的第一容器210和第二容器220內(nèi)，并被獨(dú)立地供應(yīng)，然后在處理槽100內(nèi)混合。另外，可以應(yīng)用SC-1型濕式清潔來清潔晶片W。在這種情況下， 處理液包括H202、 NH4OH和純水。在處理液包括三種不同成分的溶液 時(shí)，供應(yīng)部200需要獨(dú)立的容器、供應(yīng)管線、輔助供應(yīng)管線、輔助容器 和多個(gè)閥。在處理液是四種以上溶液的混合物時(shí)，根據(jù)處理液的種類需 要獨(dú)立的容器等等。另外，如果只使用一種處理液作為處理液，那么供 應(yīng)部200可以省去第二容器220、第二供應(yīng)管線221、第二輔助供應(yīng)管線222、 第二輔助容器223和多個(gè)閥225、閥226和閥227。在圖2所示的實(shí)施例中，已經(jīng)描述了允許同時(shí)將多個(gè)晶片W浸在處 理液中并處理晶片的批處理型結(jié)構(gòu)。與此不同的是，本發(fā)明也可以適用 于向旋轉(zhuǎn)的晶片提供處理液并進(jìn)行處理的單晶片處理結(jié)構(gòu)。圖3是圖2的子處理單元中的循環(huán)部的構(gòu)造圖。參照?qǐng)D3，循環(huán)部300包括泵301、加熱器302、傳感器303、過濾 器304、循環(huán)管線310和控制器320。循環(huán)管線310包括在第一位置Pl 和第二位置P2之間分支的旁路管線。為便于說明，在第一位置P1和第 二位置P2之間的那部分循環(huán)管線310被稱作第一管線311，旁路管線被 稱作第二管線312。第一閥311b安裝在第一管線311上，第二闊312b 安裝在第二管線312上。泵301、加熱器302、傳感器303和過濾器304安裝在循環(huán)管線310 上。泵301、加熱器302和傳感器303安裝在除位于第一位置P1和第二 位置P2之間的第一管線311之外的循環(huán)管線310的位置上。只要泵301、 加熱器302和傳感器303安裝在除第一管線311之外的循環(huán)管線310的 位置上，它們就可以圖3示出的不同順序安裝或者安裝在不同的位置上?？刂破?20與傳感器303、第一閥311b和第二閥312b連接?？刂?器320使用從傳感器303接收的信息在控制第一閥311b和第二閥312b 的打開/關(guān)閉的同時(shí)控制處理液的流動(dòng)。然而，在控制處理液的流動(dòng)時(shí)， 即使當(dāng)存在控制器320時(shí)也可以使用手動(dòng)操作來控制處理液的流動(dòng)，這 在以下的操作過程說明中是已知的。圖4A和圖4B是解釋圖3的循環(huán)管線的操作過程的示圖。參照?qǐng)D4A，提供到處理槽100的處理液從泵301的操作獲得動(dòng)力， 從而沿循環(huán)管線310移動(dòng)。處理液在泵301的作用下流過加熱器302，并 在加熱器302處加熱到預(yù)定溫度。傳感器303感測(cè)在加熱器302處加熱 的處理液溫度?？刂破?20根據(jù)所感測(cè)到的溫度控制處理液移動(dòng)到第一 管線311或第二管線312。具體而言，當(dāng)處理液的溫度小于預(yù)設(shè)值時(shí)，控制器320關(guān)閉第一閥 311b并打開第二閥312b，導(dǎo)致處理液流向第二管線312。處理液流過第 二管線312，并沿循環(huán)管線310返回到處理槽100。以上循環(huán)過程重復(fù)數(shù) 次，通過重復(fù)的過程升高處理液的溫度。參照?qǐng)D4B，處理液的溫度通過重復(fù)循環(huán)到達(dá)設(shè)定值。當(dāng)傳感器303 感測(cè)到處理液的溫度變?yōu)樵O(shè)定值或更高時(shí)，控制器320打開第一閥311b 并關(guān)閉第二閥312b，導(dǎo)致處理液流向第一管線311。處理液流過第一管 線311上的過濾器304。處理液的雜質(zhì)被過濾器304過濾掉，過濾掉雜質(zhì) 的處理液沿循環(huán)管線310返回到處理槽100。以上循環(huán)過程重復(fù)數(shù)次，直 到處理液的溫度升至目標(biāo)值。在處理液的溫度到達(dá)目標(biāo)值后，提供晶片 W，并在處理槽100中進(jìn)行相關(guān)處理。當(dāng)根據(jù)溫度范圍控制處理液流向第一管線311或第二管線312時(shí)， 可以獲得以下優(yōu)點(diǎn)。如上所述，根據(jù)處理類型，不同溶液可以用作處理 液。使用處理液是H2S04和11202的混合物的例子說明本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)。H2S04具有高粘度，因而其在低溫下不易流動(dòng)。S卩，當(dāng)沿循環(huán)管線310移動(dòng)時(shí)，H2S04在低溫下從泵301接收高壓力。特別地，由于H2S04 在低溫下的高粘度，H2S04難于流過第一管線311的過濾器304。因此， H2S04流過過濾器304占用大量時(shí)間，因而整個(gè)處理時(shí)間可能被相當(dāng)程 度地延長(zhǎng)。根據(jù)本實(shí)施例，H2S04在低溫下流向第二管線312，從而不會(huì)流過過 濾器304，因而降低了循環(huán)所用的時(shí)間。此外，當(dāng)H2S04的溫度到達(dá)設(shè)定值并因而H2S04的粘度變低時(shí)，移動(dòng)路徑改變，H2S04流過第一管線311，從而可以經(jīng)過濾器304除去H2SO4的雜質(zhì)。設(shè)定值和目標(biāo)值根據(jù)目標(biāo)處理和目標(biāo)處理所用的處理液種類變化。 在H2S04的情況下，設(shè)定值為約50。C 60。C，目標(biāo)值為約120。C 150。C。 即，H2S04的粘度在設(shè)定值時(shí)下降，H2SO4易于沿循環(huán)管線310移動(dòng)，并 且當(dāng)H2S04的溫度到達(dá)目標(biāo)值時(shí)，對(duì)晶片W進(jìn)行處理。下面，說明形成旁路的另一個(gè)實(shí)施例。圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的圖2的子處理單元中的循環(huán)部的 構(gòu)造圖，圖6A和圖6B是解釋圖5的循環(huán)管線的操作過程的示圖。在另 一個(gè)實(shí)施例的說明中，相同附圖標(biāo)記用于指與之前實(shí)施例相同的元件， 并省略了對(duì)它們的詳細(xì)說明。參照?qǐng)D5，循環(huán)部300包括泵301、加熱器302、過濾器304、循環(huán) 管線310和控制器320。循環(huán)管線310分成在第一位置Pl和第二位置P2 之間的第一管線311和第二管線312。第二管線312是在第一位置Pl和 第二位置P2之間分支的旁路管線。加熱器302中包括溫度感測(cè)傳感器， 在循環(huán)管線310上未安裝單獨(dú)的傳感器。在第一管線311上未安裝單獨(dú) 的閥，僅在第二管線312上安裝有閥312b'。控制器320與加熱器302和 閥312b'連接，并控制閥312b'的打開/關(guān)閉。參照?qǐng)D6A，處理液從泵301獲得動(dòng)力，從而沿循環(huán)管線310移動(dòng)。 處理液在泵301的作用下流過加熱器302。加熱器302加熱處理液，加熱 器302中包括的溫度感測(cè)傳感器感測(cè)處理液的溫度。當(dāng)處理液的溫度小 于設(shè)定值時(shí)，控制器320打開閥312b'。由于閥312b'被打開，處理液同時(shí)流經(jīng)第一管線311和第二管線312。 然而，由于處理液的溫度很低，因此流經(jīng)第一管線311的處理液不易于 流過過濾器304，而是積聚。另一方面，流經(jīng)第二管線312的處理液易于 移動(dòng)。因此，大部分處理液流經(jīng)第二管線312，而僅有一部分處理液流經(jīng) 第一管線311。如上所述，當(dāng)?shù)诙芫€312被打開使得處理液易于循環(huán)時(shí)， 處理液被快速加熱到設(shè)定值。參照?qǐng)D6B，當(dāng)處理液的溫度經(jīng)以上重復(fù)循環(huán)到達(dá)設(shè)定值時(shí)，閥312b， 被關(guān)閉堵住第二管線312。在第一管線中，處理液在流過過濾器304的同 時(shí)被過濾，并且當(dāng)處理液的溫度經(jīng)重復(fù)循環(huán)到達(dá)目標(biāo)值時(shí)，結(jié)束循環(huán)， 并提供晶片W，從而在處理槽100中進(jìn)行相關(guān)處理。根據(jù)本實(shí)施例，可以防止處理過程的延時(shí)，并可以省略在第一管線 311上安裝的閥，這樣很經(jīng)濟(jì)。下面，說明適用于上述設(shè)備的處理處理液的方法。由于以下實(shí)施例 涉及一種使用上述設(shè)備的方法，因此使用與設(shè)備中相同的附圖標(biāo)記。然 而，在進(jìn)行處理處理液的方法時(shí)，不需要使用上述設(shè)備。圖7是闡明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處理處理液的方法的流程圖，圖8 是闡明圖7的處理液循環(huán)操作的詳細(xì)操作的流程圖。參照?qǐng)D7，處理處理液的方法包括提供處理液(S100)和使處理液循環(huán) (S200)。提供處理液(S100)包括從供應(yīng)部200向處理槽100供應(yīng)處理液。 使處理液循環(huán)(S200)包括在使處理液經(jīng)循環(huán)部300循環(huán)的同時(shí)將從處理 槽100提供的處理液加熱到目標(biāo)值。參照?qǐng)D8，使處理液循環(huán)(S200)包括多個(gè)步驟。在加熱處理液的操作 步驟S210中，安裝在循環(huán)管線310上的加熱器302加熱處理液。在加熱 后，將處理液的溫度與設(shè)定值作比較(S220)。當(dāng)比較的結(jié)果是處理液的溫 度低于設(shè)定值時(shí)，控制處理液流過旁路管線(S230)并經(jīng)循環(huán)管線310循環(huán) (S240)。另一方面，當(dāng)處理液的溫度高于設(shè)定值時(shí)，控制處理液經(jīng)循環(huán)管 線310循環(huán)而沒有流過旁路管線。將每一次循環(huán)的處理液的溫度與目標(biāo)值作比較(S250)。當(dāng)比較的結(jié) 果是處理液的溫度低于目標(biāo)值時(shí)，重復(fù)循環(huán)過程。另一方面，當(dāng)比較的結(jié)果是處理液的溫度高于目標(biāo)值時(shí)，完成處理液的循環(huán)，并對(duì)晶片W進(jìn) 行處理。在對(duì)晶片W進(jìn)行處理時(shí)，由于晶片W與處理液之間的反應(yīng)，處理 液的成分可能發(fā)生變化。因此，即使在進(jìn)行處理時(shí)，處理液也可以循環(huán)， 從而保持其成分。以上實(shí)施例描述了通過控制處理液流經(jīng)旁路管線直至處理液的溫度到達(dá)設(shè)定值來控制處理液不流過過濾器304的例子。然而，以上實(shí)施例 不限于上述情況，而是可以有不同的應(yīng)用。例如，設(shè)定值或目標(biāo)值可以 相應(yīng)于另一種條件，如濃度，而不是溫度。過濾器304可以相應(yīng)于不同 的預(yù)定元件。當(dāng)處理液流過預(yù)定元件直到處理液到達(dá)預(yù)設(shè)值占用了過多 時(shí)間時(shí)，可以在該元件之前或之后安裝旁路管線。使用旁路管線控制處 理液繞過該元件，直到處理液滿足設(shè)定值，從而防止該元件造成的處理 延時(shí)。其后，當(dāng)處理液滿足設(shè)定值時(shí)，堵住使用旁路管線的路徑，并控 制處理液流過該元件。如上所述，根據(jù)實(shí)施例，可以防止在預(yù)備處理液中處理過程的延時(shí)， 從而提高處理效率。然而，以上實(shí)施例是示例性的說明，本領(lǐng)域技術(shù)人 員應(yīng)該理解，在不脫離所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)， 可以作出各種形式和細(xì)節(jié)上的變化。
權(quán)利要求
1.一種處理處理液的方法，所述方法包括向處理槽提供基材用處理液；和經(jīng)與所述處理槽連接的循環(huán)管線使所述處理液循環(huán)，使所述處理液循環(huán)包括所述處理液沿所述循環(huán)管線移動(dòng)的主循環(huán)；和當(dāng)所述處理液流過在從所述循環(huán)管線的第一位置分支并在第二位置處連接的旁路管線的同時(shí)沿所述循環(huán)管線移動(dòng)的副循環(huán)，其中所述主循環(huán)包括在所述第一位置和所述第二位置之間過濾所述處理液。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述循環(huán)包括在除所述第一位置 和所述第二位置之間的那部分之外的所述循環(huán)管線的位置處加熱所述處 理液。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法， 時(shí)進(jìn)行所述副循環(huán)。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法， 定值時(shí)進(jìn)行所述主循環(huán)。
5. 如權(quán)利要求3所述的方法，
6. 如權(quán)利要求3所述的方法， 溫度變?yōu)榧s120。C 150。C。其中當(dāng)所述處理液的溫度小于設(shè)定值其中當(dāng)所述處理液的溫度大于所述設(shè)其中所述設(shè)定值為約50。C 60。C。 其中所述主循環(huán)進(jìn)行到所述處理液的
7. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述處理液包括H2S04。
8. —種處理處理液的方法，所述方法包括 向處理槽提供基材用處理液；和經(jīng)與所述處理槽連接的循環(huán)管線使所述處理液循環(huán)， 使所述處理液循環(huán)包括所述處理液沿所述循環(huán)管線移動(dòng)的主循環(huán)；當(dāng)所述處理液流過在從所述循環(huán)管線的第一位置分支并在第二 位置處連接的旁路管線的同時(shí)沿所述循環(huán)管線移動(dòng)的副循環(huán)；和在除所述第一位置和所述第二位置之間的那部分之外的所述循 環(huán)管線的位置處加熱所述處理液。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中在處理的初始階段進(jìn)行所述副循 環(huán)，在處理的后期階段進(jìn)行所述主循環(huán)。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述主循環(huán)包括在所述第一位 置和所述第二位置之間過濾所述處理液。
11. 一種處理基材的設(shè)備，所述設(shè)備包括 在其內(nèi)提供基材用處理液的處理槽；與所述處理槽連接并經(jīng)過它使所述處理液循環(huán)的循環(huán)管線； 從所述循環(huán)管線的第一位置分支并在所述循環(huán)管線的第二位置處連接的旁路管線；和安裝于所述循環(huán)管線在所述第一位置和所述第二位置之間的位置處的過濾器。
12. 如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，還包括 安裝在所述循環(huán)管線上的加熱器；和安裝在所述循環(huán)管線上并用于感測(cè)所述處理液的溫度的溫度傳感器。
13. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，還包括安裝在所述旁路管線上的第 一閥。
14. 如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，還包括安裝在所述循環(huán)管線上并位于所述第一位置和所述第二位置之間的第二閥。
15. 如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，還包括控制器，用于根據(jù)所述溫度 傳感器感測(cè)到的所述處理液的溫度控制所述第一閥和所述第二閥中至少 第一闊的打開/關(guān)閉，從而控制所述處理液是否流過所述旁路管線。
16. 如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中當(dāng)處理液的溫度小于設(shè)定值時(shí)，所述控制器控制所述處理液經(jīng)所述旁路管線循環(huán)。
17. 如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述設(shè)定值為約50。C 60。C。
18. 如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，還包括 貯存所述處理液的容器；和 連接所述容器與所述處理槽的供應(yīng)管線。
19. 如權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中所述容器包括貯存H2S04的第 一容器和貯存H202的第二容器。
20. —種處理基材的設(shè)備，所述設(shè)備包括 在其內(nèi)提供基材用處理液的處理槽；與所述處理槽連接并經(jīng)過它使所述處理液循環(huán)的循環(huán)管線； 從所述循環(huán)管線的第一位置分支并在所述循環(huán)管線的第二位置處連接的旁路管線；和安裝在除所述第一位置和所述第二位置之間的那部分之外的所述循環(huán)管線的位置處的加熱器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種處理處理液的方法和使用它處理基材的設(shè)備。該設(shè)備包括處理槽、循環(huán)管線、旁路管線和過濾器。在該處理槽內(nèi)提供基材用處理液。該循環(huán)管線與該處理槽連接，并經(jīng)過該循環(huán)管線使該處理液循環(huán)。該旁路管線從該循環(huán)管線的第一位置分支并在該循環(huán)管線的第二位置處連接。該過濾器安裝于該循環(huán)管線在第一位置和第二位置之間的位置處。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101404244SQ20081016950
公開日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2008年10月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月4日
發(fā)明者樸貴秀, 李升浩 申請(qǐng)人:細(xì)美事有限公司