沉積方法和制造發(fā)光器件的方法

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導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)

專利名稱：沉積方法和制造發(fā)光器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及沉積方法和制造發(fā)光器件的方法。
2.相關(guān)技術(shù)的描述與無機(jī)化合物相比，有機(jī)化合物可以具有多種結(jié)構(gòu)，并且有可能通過適當(dāng)?shù)姆?子設(shè)計(jì)合成具有各種功能的材料。由T這些優(yōu)點(diǎn)，使用功能性有機(jī)材料的光電子設(shè)備和電子設(shè)備近年來引人關(guān)注。作為使用有機(jī)化合物作為功能性有機(jī)材料的電子設(shè)備的實(shí)例，有太陽能電池、發(fā)光元件、有機(jī)晶體管等等。這些器件利用了有機(jī)化合物的電性能和光學(xué)性能。其屮，尤其是發(fā)光元件已取得顯著進(jìn)展。關(guān)f發(fā)光兀件的發(fā)光機(jī)理，據(jù)說EL層被夾在一對電極之間，并對EL層施加電壓，由此從負(fù)極汴入的電子和從正極注入的空穴在EL層的發(fā)光中心(emission center)重組以生成分子激子，該分子激子在返復(fù)到基態(tài)時釋放能量；由此發(fā)光。單線態(tài)激發(fā)和二線態(tài)激發(fā)是已知的激發(fā)態(tài)，且據(jù)認(rèn)為可以通過這些激發(fā)態(tài)的任何.,中獲得發(fā)光。
發(fā)光元件巾所含的EL層至少具有發(fā)光層。另外，該EL層可以具有堆疊的層結(jié)構(gòu)，除發(fā)光層外還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和/或類似s。此外，用于形成EL層的EL材料在廣義上分為低分子(單體)材料和高分子(聚
合物)材料。
一般rfn言，通常使用蒸發(fā)裝置沉積低分了材料，和通常使用噴墨方法或類
似方法沉積高分子材料。其中將基底固定在基底夾具中的傳統(tǒng)蒸發(fā)裝置具有含EL材料 (即蒸發(fā)材料)的坩堝(或蒸發(fā)舟)；用于加熱坩堝中的EL材料的加熱器；和用于防止升華的:E:L材料散開的擋板。然后，由加熱器加熱的EL材料升華并沉積在基底上。為'/
實(shí)現(xiàn)均勻的沉積，要在其i:形成薄膜的基底(下文巾稱為沉積靶基底)需要旋轉(zhuǎn)，并且基底和坩堝之間的距離需要為人約1米，即使當(dāng)基底的尺寸為300毫米X360毫米時。
當(dāng)該力'法用于制造使用具有紅、綠和藍(lán)發(fā)光顏色的發(fā)光元件的全色顯示器時，在基底和蒸發(fā)源之間提供遮蔽掩膜(shadow mask),使得其與基底接觸，并且通過該遮蔽掩膜nj以實(shí)現(xiàn)選擇性著色。但是，用于制造全色顯示器的遮蔽掩膜極薄，因?yàn)槠浔仨毦_制造開口。因
此，當(dāng)根據(jù)基底尺寸的增加而增加遮蔽掩膜尺寸時，存在遮蔽掩膜彎曲、開口尺寸改變
等問題。此外，由T難以引入用T在與遮蔽掩膜的像素部分對應(yīng)的區(qū)域中增強(qiáng)遮蔽掩膜
強(qiáng)度的裝置，在制造大面積顯示器區(qū)域的情況下，增強(qiáng)裝置的應(yīng)用也是困難的。此外，顯示器的高清晰度(像素?cái)?shù)量增加)越來越要求各個顯示器像素間距的小
型化，并且遮蔽掩膜往往變薄。同時，越來越要求改進(jìn)生產(chǎn)率和降低成本。因此，通過不使用遮蔽掩膜的激光熱轉(zhuǎn)印形成發(fā)光元件的EL層的方法已經(jīng)被提
出(參見參考文獻(xiàn)1)。參考文獻(xiàn)1公)卩了在供體薄膜(donor film)上提供光-熱轉(zhuǎn)換層和
轉(zhuǎn)印層，并日.通過光-熱轉(zhuǎn)換層和轉(zhuǎn)印層之間粘合力的改變使被激光照射的轉(zhuǎn)印層的- 一部
4分與光-熱轉(zhuǎn)換層分開。通過使用這種激光轉(zhuǎn)印層，制造全色發(fā)光元件。此外，其中通過使用包括光吸收層和轉(zhuǎn)印層的轉(zhuǎn)印基底并將激光集中在光吸收
層上來轉(zhuǎn)移所述轉(zhuǎn)印層的特定部分的方法已經(jīng)被提出(參見參考文獻(xiàn)2)。此外，其中通過應(yīng)用激光熱轉(zhuǎn)印，通過使用包括低反射層和^反射層的光-熱轉(zhuǎn)
換S和具有轉(zhuǎn)印S的轉(zhuǎn)印基底來進(jìn)行激光照射以形成所需圖案的方法已經(jīng)被提出(參見參
考文獻(xiàn)3)。參考文獻(xiàn)1 : R本公開專利申請JP2004-200170
參考文獻(xiàn)2 :日本公開專利中請JP 2002-11.0350
參考文獻(xiàn)3 :日本公開專利申請JP 2006-309995
發(fā)明概述但是，在參考文獻(xiàn)i至3所示的方法中，僅有要轉(zhuǎn)移的區(qū)域用激光照射；因此，加工整個基底所需的時間長且生產(chǎn)率低。此外，在參考文獻(xiàn)3中的轉(zhuǎn)印基底中，在該轉(zhuǎn)印基底中必須包括低反射層和高反射層，審隨該轉(zhuǎn)印基底需要時間和成木。在參考文獻(xiàn)3的圖3巾所示的結(jié)構(gòu)巾，亦如段落
中所述，低反射層和高反射層被布置成在它們之間沒有間隙；因此高度準(zhǔn)確的圖案化是必需的。考慮到上述問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種沉積方法，通過該方法可以以高生產(chǎn)率形成具有所需形狀的薄膜。此外，本發(fā)明提供了制造發(fā)光器件的方法，通過該方法可以以高牛產(chǎn)率制造具有卨'清晰度的發(fā)光器件。在本發(fā)明的沉積方法中，使用沉積靶基底和面積比沉積靶基底小的遮蔽掩膜。然后，通過多個步驟在沉積靶基底i:沉積蒸發(fā)材料。注意，遮蔽掩膜的面積是指通過遮蔽掩膜外圍尺寸的長度和寬度的乘積獲得的占據(jù)面積。在進(jìn)行沉積之前，將沉積靶某底和遮蔽掩膜彼此對準(zhǔn)。也就是說，將沉積靶基底和遮蔽掩膜彼此對準(zhǔn)，并且在沉積靶基底的至少-一部分上沉積蒸發(fā)材料的歩驟進(jìn)行不止一次。當(dāng)進(jìn)行沉積時，優(yōu)選使用平面蒸發(fā)源。具休而言，通過使用提供有蒸發(fā)材料的支撐基底(蒸發(fā)供體基底)，即使蒸發(fā)源與沉積靶基底之間的距離降低，仍能控制薄膜厚度的變化，由此可以實(shí)現(xiàn)沉積裝置的小型化。此外，在使用提供有蒸發(fā)材料的支撐基底的情況F，可以容易地控制薄膜厚度，這是優(yōu)選的。此外，由于蒸發(fā)源與沉積靶基底之間的距離可以是短的，材料的使用效率高，這是優(yōu)選的。具體而言，作為蒸發(fā)源，優(yōu)選使ltj含有蒸發(fā)材料的光吸收J(rèn)S和支撐站底。通過
用來自光源裝置的光照射支撐基底并使照射光被吸收在為支撐基底提供的光吸收層中，
提供給支撐基底的蒸發(fā)材料被加熱，使得至少一部分蒸發(fā)材料被蒸發(fā)，并且相應(yīng)地，該
蒸發(fā)材料可以穿過遮蔽掩膜的開口沉積在沉積靶基底的至少- 一部分表面上。在前述結(jié)構(gòu)中，當(dāng)移動遮蔽掩膜以對應(yīng)于大尺寸的沉積靶基底時，優(yōu)選光源裝
置也移動。此外，在前述結(jié)構(gòu)中，從光源裝置發(fā)出的光優(yōu)選為紅外光。使用紅外光使得光吸收層能夠被有效地加熱。
此外，在前述結(jié)構(gòu)中，對于從光源裝置發(fā)出的光，光吸收層優(yōu)選具W 40%或更高的吸收率。在前述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選光吸收層的厚度大于或等于200納米目.小于或等于600納米。在前述結(jié)構(gòu)中，氮化鉅、鈦、碳等可以被用T光吸收S。此外，在前述結(jié)構(gòu)中，所述蒸發(fā)材料優(yōu)選通過濕法附著到支撐基底l:。由于濕法中材料使用效率高，濕法的使用使得可以降低進(jìn)行沉積的成本。在前述結(jié)構(gòu)屮，有機(jī)化合物優(yōu)選lj-j作蒸發(fā)材料。關(guān)于有機(jī)化合物，有大量的其蒸發(fā)溫度低于無機(jī)化合物的蒸發(fā)溫度的材料。因此，f l-機(jī)化合物適用于本發(fā)明的沉積方法。上述沉積方法可優(yōu)選用于制造發(fā)光器件。因此，本發(fā)明的-一個方面是制造發(fā)光器件的方法，其包括下列步驟使用在其....匕面形成了第一電極的沉積靶基底，使用....匕述沉積方法在該第-'電極上面形成含有蒸發(fā)材料的S，和然后形成第二電極。
在前述結(jié)構(gòu)中，有機(jī)化合物優(yōu)選用作蒸發(fā)材料。關(guān)于有機(jī)化合物，有大量的其蒸發(fā)溫度低于無機(jī)化合物的蒸發(fā)溫度的材料。因此，有機(jī)化合物適用于本發(fā)明的制造發(fā) 光器件的方法。例如，可以使用發(fā)光材料和載流子傳輸材料。采用本發(fā)明，可以以高生產(chǎn)率形成IVfj-所需形狀的薄膜。具體而言，可以以高精度形成具有準(zhǔn)確形狀的薄膜。采用本發(fā)明，可以以高牛產(chǎn)率制造高淸晰度的發(fā)光器件。
附圖簡要說明

圖1A和1B描述'/本發(fā)明的薄膜沉積方法。
圖2A和2B描述了木發(fā)明的薄膜沉積方法。
圖3描述了本發(fā)明的薄膜沉積方法。
圖4A和4B描述了本發(fā)明的薄膜沉積方法。
圖5A和5B描述了本發(fā)明的薄膜沉積方法。
圖6A和6B描述了本發(fā)明的薄膜沉積方法。
圖7A和7B顯示了發(fā)光元件的一個實(shí)例。
圖8A和8B顯示了發(fā)光元件的一個實(shí)例。圖9A至9C顯示'/無源矩陣發(fā)光器件的--個實(shí)例的俯視圖和截面圖。圖10顯示了無源矩陣發(fā)光器件的一個實(shí)例的透視圖。圖11顯示了無源矩陣發(fā)光器件的- -個實(shí)例的俯視圖。圖12A和12B顯示了有源矩陣發(fā)光器件的一個實(shí)例的俯視圖和截面圖。圖13A至13E顯示了電子設(shè)備的實(shí)例。圖14A至1/1C顯不了電了'設(shè)備的實(shí)例。圖i5A和i5B描述了本發(fā)明的薄膜沉積方法。發(fā)明詳述實(shí)施方式下面，參考附圖描述木發(fā)明的實(shí)施方式。但是，木發(fā)明不限于——F文給出的描述，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易地認(rèn)識到，這些方式和細(xì)節(jié)的各種變動和修改是可能權(quán)頁
的，除非這樣的變動和修改背離本發(fā)明的內(nèi)容和范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)被理解為僅限 f以下實(shí)施方式和實(shí)施方案的描述。應(yīng)注意的是，同樣的附圖標(biāo)記被用f指不在下文描述的本發(fā)明結(jié)構(gòu)中的、在不同附圖中的相同部分。
[實(shí)施方式l] 參考附圖1A和1B 、附圖2A和2:B、附圖3以及附圖4A和4:B描述本發(fā)明的沉積方法和制造發(fā)光器件的方法。在圖1A和1B中，將遮蔽掩膜104放置在沉積靶基底101和帶有蒸發(fā)材料108的
支撐某底i()7之間。使用對準(zhǔn)工具，將i^冗mtHt)氏l()l和遮蔽掩膜彼此對準(zhǔn)。然后，
通過沉積裝置121加熱支撐基底107所^的然發(fā)+j 41 108，并且氣化的蒸發(fā)材料穿過遮蔽掩膜l(M的開口沉積在沉積靶基底l()l上。通過沉積耙基底固定裝置i03固定沉積耙基底iOi。沉積耙基底固定裝置丄03可以是沉積靶基底傳送裝置的一部分。在沉積靶基底l()l中，優(yōu)選使用平板1()2使其....匕形成薄膜的區(qū)域保持平的表面。因此，如圖2A和2B中所示，平板102可以比沉積靶基底 101大以使得整個沉積靶基底1.01保持平坦表面。或者，如圖IA和l.B巾所示，平板102 可以比沉積靶基底101小以使得該平板102可以移動。此外，平板102可以具有磁力或具有帶磁力的結(jié)構(gòu)。由于遮蔽掩膜104極薄，其由掩膜框105同定以ft"仃適當(dāng)形狀的開U。通過遮蔽掩膜固定裝置106固定遮蔽掩膜104和掩膜框105。當(dāng)遮蔽掩膜l(M til金屬材料制成時，可以利用磁力固定遮蔽掩膜i04。向支撐基底107上提供蒸發(fā)材料108。通過支撐基底固定裝置109固定帶有蒸發(fā)材料108的支撐基底107。在支撐基底107上可以形成不NJT蒸發(fā)材料108的結(jié)構(gòu)物 (structural object)。例如，當(dāng)光用作光源時，可以形成光吸收層。此外，只要支撐基底 107的尺寸人于相應(yīng)于遮蔽掩膜104的開口的尺寸，支撐基底107的尺寸就是可以接受的，或者其可以如圖2A和2B屮所示具有與沉積靶基底1.01某本....匕相同的尺寸。當(dāng)支撐基底107的尺寸與沉積靶基底101的尺寸基本上相同時，由于為支撐基底107提供的蒸發(fā) 材料的量與沉淀靶基底相對應(yīng)，nj以降低更換支撐基底1()7(供給蒸發(fā)材料)的頻率。
在附圖iA中，支撐基底固定裝置109具有用于結(jié)合光源固定裝置i25的結(jié)構(gòu)，所述光源固定裝置125固定作為光源的燈124。在支撐基底固定裝置1()9和光源固定裝置 125的-,;分中存在窗口 123，并提供丫用T進(jìn)行沉積耙基底101與遮蔽掩膜104的對準(zhǔn) 的多個照相機(jī)122。通過使用照相機(jī)122，讀取沉積靶基底101和遮蔽掩膜104所帶有的對準(zhǔn)標(biāo)記，并進(jìn)行對準(zhǔn)。然后，布置沉積靶某底101以使其與遮蔽掩膜104-接觸。當(dāng)平板102具有磁力且遮蔽掩膜104由金屬材料制成時，可以通過打開平板102的磁力來布置該沉積靶基底101 以使其與遮蔽掩膜l(M接觸。當(dāng)在沉積耙基底101的表面....匕形成結(jié)構(gòu)物如電極、絕緣體等時，將在沉積靶基底iOi的表面上形成的所述結(jié)構(gòu)物的最外表面安排成與遮蔽掩膜丄04 接觸。隨著沉積靶基底和遮蔽掩膜1()4之間的距離減小，改進(jìn)了要形成的薄膜的圖案化準(zhǔn)確度。因此，優(yōu)選布置沉積靶基底101和遮蔽掩膜104以使得它們之間的距離是短的。此外，當(dāng)進(jìn)行沉積時，優(yōu)選支撐基底107和遮蔽掩膜104之間的距離是短的。通
7過使支撐基底107和遮蔽掩膜104之間的距離短，可以實(shí)現(xiàn)裝置的小型化。而且，改進(jìn) 了在沉積靶基底101上形成的薄膜的圖案化準(zhǔn)確度。通過由沉積裝置i2i加熱支撐基底i07所帶有的蒸發(fā)材料i08以使該蒸發(fā)材料氣化，來進(jìn)行沉積。在圖1A中所示的沉積裝置121中，用來自燈124的光照射支撐基底 107所帶有的光吸收^;該光吸收^被加熱；這樣被提供與所述光吸收層接觸的蒸發(fā)材料被加熱。然后，氣化的蒸發(fā)材料穿過遮蔽掩膜1()4的開口在沉積靶基底101 l:沉積成所需的圖案。應(yīng)注意的是，沉積裝置的結(jié)構(gòu)不限于圖1A屮所示的這種。例如，如圖1B屮所示，該結(jié)構(gòu)可以是這樣的，其中使用諸如鏡子之類的光學(xué)系統(tǒng)135透過窗U123用作為光源的激光134照射支撐基底107。作為用于照射支撐基底i07的光的光源，可以使用各種光源如燈、激光等。
例如，作為激光的光源，可以使用F列中的一種或多種氣體激光器，如Ar激光器、Kd敫光器或受激準(zhǔn)分子激光器；其介質(zhì)是加入Nd、 Yb、 Cr、 Ti、 Ho、 Er、 Tm 和Ta巾的一種或多種作為摻雜劑的申.晶YAG、 YV04、鎂橄欖石(Mg2Si04)、 YA103或 GdVC^或多晶(陶瓷)YAG、 Y203、 YV04、 YA103或GdV04的激光器；玻璃激光器；紅寶石激光器；紫翠玉激光器；Ti :藍(lán)寶石激光器；銅蒸氣激光器；或金蒸氣激光器。當(dāng) 使用其激光介質(zhì)是同體的同態(tài)激光器時，優(yōu)點(diǎn)在于可以長期保持無需維護(hù)的狀態(tài)且輸出相對穩(wěn)定。作為除激光外的光源，可以使用放電燈如閃光燈(例如，氙閃光燈或氪閃光燈)、氙燈或金屬鹵化物燈；或放熱燈如鹵素?zé)艋蜴u燈。采用閃光燈，由于可以反復(fù)在短時間(0.1至10毫秒)內(nèi)用極高強(qiáng)度的光照射大的面積，無論支撐基底的面積如何，都可以進(jìn)行有效和均勻的加熱。此外，閃光燈可以通過改變發(fā)光時間的間隔來控制支撐基底的加熱。而且，由于閃光燈的長壽命和在等待發(fā)光時的低能耗，可以降低運(yùn)行成本。
應(yīng)注意的是，作為照射光，優(yōu)選使用紅外光(波長為8()0納米或更大)。通過使用紅外光，W效地加熱光吸收層，并且可以W效地使蒸發(fā)材料升華。
在該實(shí)施方式中所不的沉積方法中，本發(fā)明的一個特征在f,不用輻射熱rfn是用來自光源的光加熱光吸收層。此外，用光照射的時間可以相對較短。例如，當(dāng)使用鹵素?zé)糇鳛楣庠磿r，光的照射在5()()。C至8()()"C的溫度下保持7至15秒，由此可以沉積材料 S。所述沉積優(yōu)選在減壓氣氛巾進(jìn)行。所述減壓氣氛可以以這樣的方式獲得，即通過抽空裝置將沉積室抽空至真空度小于或等于5X10-3:Pa，優(yōu)選10-4至10-6Pa。如果沉積室的內(nèi)部可以是高真空的，則可以改進(jìn)發(fā)光器件的可靠性；因此，較高的真空是優(yōu)選的。
在進(jìn)行沉積后，在未形成薄膜的沉積靶基底IOI的區(qū)域中，放置遮蔽掩膜104。此時，nj以移動沉積靶基底l()l，或者nJ以移動遮蔽掩膜l(M和沉積裝置121。當(dāng)移動沉積耙基底iOi時，不必移動沉積裝置i2i。因此，當(dāng)沉積裝置包括復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)時，這是優(yōu)選的。而且，其可以被應(yīng)用于其中可以連續(xù)形成沉積靶基底的在線型沉積裝置，這是優(yōu)選的?；蛘撸?dāng)移動遮蔽掩膜104和沉積裝置121吋，不必移動沉積靶基底 101，由此可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化。具體而^f，當(dāng)使用大尺寸的沉積靶基底時，這是有效的。
與遮蔽掩膜104的開U對應(yīng)的蒸發(fā)材料被氣化；因此，遮蔽掩膜104的開U和支撐基底1()7被彼此對準(zhǔn)，使得蒸發(fā)材料被供應(yīng)到與遮蔽掩膜104的開口相對應(yīng)的區(qū)域。或者，使用新提供有蒸發(fā)材料的支撐基底。然后，通過由沉積裝置121加熱支撐基底107所帶的蒸發(fā)材料來進(jìn)行沉積。
如上所述，沉積進(jìn)行不止.7欠，由此通過使用常規(guī)的遮蔽掩膜可以在大尺寸的沉積靶基底l:形成薄膜。圖15A顯示了通過重復(fù)沉積四次在沉積靶基底1.01 l:形成薄膜的情況。圖15A顯示，通過第一沉積形成第--沉積區(qū)域141，通過第二沉積形成第二沉積區(qū)域142，通過第三沉積形成第三沉積區(qū)域143,和通過第四沉積形成第四沉積區(qū)域。在沉積耙基底上的沉積進(jìn)行不止-一次。如圖15B中所示，可以將沉積耙基底101分成更多區(qū)域以進(jìn)行沉積。3將沉積耙基底101分成更多區(qū)域以進(jìn)行沉積時，提供多個沉積單元，并日.沉積優(yōu)選依照各沉積單元進(jìn)行。通過使用多個沉積單元，花費(fèi)的時間可以被縮短，并且可以獲得更卨的生產(chǎn)率。圖3顯示'/圖1A的示意性透視圖。如圖3中所示，沉積靶基底101或遮蔽掩膜104可以在平行于沉積靶基底的方向(X方向和Y方向)l:移動。此外，當(dāng)移動遮蔽掩膜104時，還必須移動沉積裝置121 ;因此，所述遮蔽掩膜需要在平行于沉積靶基底的方向(X方向和Y方向)上移動。而且，當(dāng)平板1.02小于沉積靶某底1.01時，必須移動平板 102。此外，需要改變沉積靶基底101和遮蔽掩膜1()4之間的距離以及遮蔽掩膜l(M和支撐基底i07之間的距離；因此，沉積靶基底iOi、遮蔽掩膜i04和支撐基底i07可以在垂直于沉積靶基底的方向(垂直于X-Y平面的Z方向)上移動。此外，帶有蒸發(fā)材料108的支撐基底107需耍從外部引入新的支撐基底以補(bǔ)充所述蒸發(fā)材料；岡此，支撐基底107可以在X方向、Y方向和Z.方向k移動。
在圖1A和1B、圖2A和2B以及圖3中，遮蔽掩膜104和沉積裝置121被放置在沉積靶棊底101下力'；但是，遮蔽掩膜1()4和沉積裝置121.可以被放置在沉積靶基底101. 上方。通過將沉積耙基底101放置在下側(cè)，沉積耙基底IOI可以容易地保持平坦。此外，與將蒸發(fā)材料裝在常規(guī)使用的坩鍋或沉積舟中的情況不同，tilf使用平面蒸發(fā)源作為蒸發(fā)源，無需擔(dān)心蒸發(fā)材料溢出，即使將其顛倒放置。此外，沉積靶基底iOi可以縱向放置?；蛘撸练e靶基底l()l可以傾斜放置。在沉積靶基底l()l傾斜放置的情況下，利用重力也容易保持沉積靶基底101平坦。如k所述，通過采用木發(fā)明，可以高精度地形成具有所需形狀的薄膜。此外，可以以高生產(chǎn)率形成所述薄膜。具體而言，在使用人尺寸基底的情況下，在常規(guī)方法屮，遮蔽掩膜是彎曲的，因此難以以高精度形成具有所需形狀的薄膜。通過采用本發(fā) 明，甚至在使用大尺寸基底的情況下，也可以以高精度形成ft仃所需形狀的薄膜。因此，nj以容易地制造大尺寸和高清晰度的發(fā)光器件。通過采用本發(fā)明，沉積靶基底和帶有蒸發(fā)材料的支撐基底之間的距離可以是短的，這抑制了蒸發(fā)材料粘合到希望的區(qū)域以外的區(qū)域上。因此，材料利用效率可以較高，并且沉積所需的制造成本可以降低。
[實(shí)施方式2] 在此實(shí)施方式中，將詳細(xì)描述帶有蒸發(fā)材料的支撐基底以及沉積方法。
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圖4A顯示了帶:丫/蒸發(fā)材料的支撐基底和沉積靶基底的一個實(shí)例。在圖4A中，在作為支撐基底的第一基底200的表面上形成光吸收層201，該光吸收層201朝向作為沉積靶基底的第二基底。此外，在光吸收層20i下面提供蒸發(fā)材料。在圖4A中，形成含有蒸發(fā)材料的材料層2()2。第.基底200用作所述光吸收e和所述材料e的支撐基底，其在沉積方法中透射用于使蒸發(fā)材料蒸發(fā)的照射光。岡此，第一基底2()0優(yōu)選是具有高透光率的基底。具體而言，當(dāng)燈光或激光被用于蒸發(fā)所述蒸發(fā)材料時，優(yōu)選使用透射這樣的光的基底作為第一基底2(K)。作為第一基底2(K)，可以使ltj例如玻璃某底、石英基底、包括無機(jī)材料的塑料基底等。光吸收層201是吸收在沉積方法中用f使蒸發(fā)材料蒸發(fā)的照射光的層。優(yōu)選該光吸收層對于所述照射光具有較低的反射比、較低的透射率和較高的吸收比。具休而言，所述光吸收層對于所述照射光優(yōu)選具有6()%或更低的反射比，和4()%或更卨'的吸收比。此外，所述光吸收e優(yōu)選由耐熱性優(yōu)異的材料形成。例如，對丁1皮長為800納米的光，優(yōu)選使用鉬、氮化鉅、鈦、鈣等。此外，對于波長為13()()納米的光，優(yōu)選使用氮化鉭、鈦等。如所述的，適合光吸收層201的材料的種類根據(jù)用于使蒸發(fā)材料蒸發(fā)的照射光的波長而改變。可以通過各種方法形成光吸收層201。例如，可以用靶如鉬、鉭、鈦或鎢或使用這些金屬的合金的靶通過濺射法形成光吸收層2()1。此外，光吸收層201不限f單層，并可以具有其中多個層被堆疊的結(jié)構(gòu)。光吸收層2()1優(yōu)選具有不透射照射光的薄膜厚度。盡管這取決于所使用的材料，但光吸收S優(yōu)選具有大約IOO納米或更大的厚度。具體而言，通過將光吸收^201 的厚度設(shè)定為大于或等于2()0納米且小于或等于600納米，照射光被有效吸收，岡此可以產(chǎn)生熱。注意，只要光吸收S201產(chǎn)生熱至蒸發(fā)材料的升華溫度，一部分照射光可以透射過光吸收層201。但是，當(dāng)部分照射光透射過光吸收層201時，優(yōu)選采用即使被光照射也不會分解的材料。材料層202含有蒸發(fā)材料，并通過升華轉(zhuǎn)移。存在各種類型的作為蒸發(fā)材料的材料。材料層2()2可以含有多種類型的材料。此外，材料層2()2可以是單層，或多層的堆疊體。當(dāng)堆疊各自含有蒸發(fā)材料的多個^吋，共蒸發(fā)是可能的。注意，優(yōu)選堆疊各自含有蒸發(fā)材料的多個層以便在第一基底側(cè)l:含有具有低分解溫度的蒸發(fā)材料?；蛘?，優(yōu)選堆疊各fi含有蒸發(fā)材料的多個層以便在第一基底側(cè)上含有具有低蒸發(fā)溫度的蒸發(fā)材料。這種結(jié)構(gòu)允許各fi含有蒸發(fā)材料的多個S有效地升華和蒸發(fā)。注意，本說明書屮的術(shù)語"蒸發(fā)溫度"是指材料升華的溫度。術(shù)語"分解溫度"是指由熱作用引起表示材料的化學(xué)式的至少一部分發(fā)生改變時的溫度。通過各種方法形成材料層202。例如，可以使用干法如良";、'蒸發(fā)法或?yàn)R射法。或者，可以使用濕法，如旋涂法、噴涂法、噴墨法、浸涂法、澆鑄'汰、染料涂布法、輥涂法、刮涂法、棒涂法、凹版印刷涂布法或印刷法。為丫通過這樣的濕法形成材料^202，將所需的蒸發(fā)材料溶解或分散在溶劑巾，并且可以控制溶液或分散溶液。對溶劑沒有特別的限制，只要其能夠溶解或分散蒸發(fā)材料，并且其不會與蒸發(fā)材料反應(yīng)。例如，作為溶劑，可以使用下列中的任一種鹵代溶劑，如氯仿、四氯甲烷、二氯甲烷、1， 2-二氯乙烷或氯苯；酮類溶劑，如丙酮、甲乙酮、二乙基酮、正丙基甲基酮或環(huán)己酮；芳族溶劑，如苯、甲苯或—甲苯；酯類溶劑，如乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸正丁酯、丙酸乙酯、Y-丁內(nèi)酯或碳酸二乙酯；醚類溶劑，如四氫呋喃或二噁垸；酰胺類溶劑，如二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺；二甲亞砜；己烷；水；等等?；蛘撸梢允褂枚喾N上述溶劑的混合物。濕法的使用使得可以提高材料使用效率并降低沉積所需的成木。
應(yīng)注意的是，在后繼步驟中在作為沉積靶基底的第二基底206上形成的、含有所述蒸發(fā)材料的S211的厚度和均勻性取決于在作為支撐棊底的第一基底....匕形成的材料層202。因此，均勻地形成所述材料層是重要的。注意，所述材料層不-一定非得是均勻的層，只要確保含有蒸發(fā)材料的層211的厚度和均勻性即nj。例如，材料層202 nJ以被制成小島形或可以具有不平ft性。此外，通過控制材料層202的厚度，可以容易地控制在作為沉積靶基底的第二基底2()6上形成的、含有蒸發(fā)材料的層211的厚度。
注意，作為蒸發(fā)材料，可以使用各種材料，無論有機(jī)化合物還是無機(jī)化合物。具體而Ff，由于許多有機(jī)化合物具有比無機(jī)化合物低的蒸發(fā)溫度，有機(jī)化合物容易通過光照射而蒸發(fā)并適用于本發(fā)明的沉積方法。有機(jī)化合物的實(shí)例包括用于發(fā)光器件的發(fā)光材料、載流子傳輸材料等。無機(jī)化合物的實(shí)例包括用于發(fā)光器件的載流子傳輸S、載流子注入層、電極等的金屬氧化物、金屬氮化物、金屬鹵化物、單質(zhì)金屬等。
然后，如圖4A中所不，放置遮蔽掩膜205以使其與第二基底206的表面接觸。第一基底206是沉積靶基底，在其上面通過沉積方法沉積所需的層。在沉積靶基底上形成某種層(例如，用作電極的導(dǎo)電層、用作分隔墻的絕緣層等)的情況F,將遮蔽掩膜 205的表面和在沉積耙基底上形成的^的表面放置成彼此接觸。注意，在在沉積耙基底 l:形成的層的表面不平坦的情況下，放置遮蔽掩膜205和沉積靶基底，使得遮蔽掩膜2()5 的表面與沉積靶基底或在沉積靶基底上形成的層的最外表面之間的距離為0毫米。通過使遮蔽掩膜205的表面與沉積靶某底的表面之間的距離短，可以改進(jìn)材料使ltj效率。而且，可以改進(jìn)在沉積靶基底上形成的層的同案化精度。遮蔽掩膜205具有有所需圖案的」1 n 。來自所述材料層的氣化的蒸發(fā)材料穿過該開口沉積到沉積靶基底上。在將本發(fā)明的沉積方法用于制造發(fā)光器件的情況下，遮蔽掩膜205具有相應(yīng)于各發(fā)光元件的開口。放置第--基底200，使得第-基底200的、在其上形成光吸收^ 201和材料j^ 202的表面與遮蔽掩膜205彼此相對。然后，使第一基底200和遮蔽掩膜205彼此靠近以使它們之間近距離相對，具體而言，使它們彼此靠近，使得第一基底200所帶的所述材料層的表面與遮蔽掩膜205之間的距離d變得大于或等于()毫米且小于或等于0.05毫米，優(yōu)選大于或等于0毫米且小于或等于0.03毫米。距離d被定義為在支撐基底上形成的材料層202的表面與遮蔽掩膜205的表面之間的距離。但是，在在支撐基底上形成的材料層202的表面不平ft的情況下，距離d被定義為在支撐基底上形成的材料層202的表面與遮蔽掩膜205的表面之間的最短距離。
盡管優(yōu)選所述第--基底與遮蔽掩膜205之間的距離是短的以便提高材料使用效率，但木發(fā)明不限于這種結(jié)構(gòu)。在圖4A和4B中，第二基底206具有第--------電極層207。第--一電極層207的邊緣
11部分優(yōu)選用絕緣體208覆蓋。在這種實(shí)施方式中，所述第-一電極層顯示了作為發(fā)光元件的正極或負(fù)極的電極。隨后，從第--------基底200的沒有提供第--------基底200的蒸發(fā)材料的--------側(cè)進(jìn)行光照射。
在用光照射的區(qū)域中的光吸收層2()1被加熱，并且蒸發(fā)材料利用該熱能升華。升華的蒸發(fā)材料附著到第-'電極e上面，并形成含有所述蒸發(fā)材料的^211(圖4B)。
作為用于光照射的光源，可以使用各種光源。例如，作為激光的光源，可以使用下列中的--種或多種氣體激光器，如Ar激光器、Kr激光器或受激準(zhǔn)分子激光器；其介質(zhì)是加入Nd、 Yb、 Cr、 Ti、 Ho、 Er、 Tm 和Ta中的一種或多種作為摻雜劑的單晶YAG、 YV04、鎂橄欖石(Mg2Si04)、 YAI03或 GdV04或多晶(陶瓷)YAG、 Y203、 YV04、 YA103或GdV04的激光器；玻璃激光器；紅寶石激光器；紫翠玉激光器；Ti :藍(lán)寶石激光器；銅蒸氣激光器；或金蒸氣激光器。當(dāng) 使用其激光介質(zhì)是固體的固態(tài)激光器時，優(yōu)點(diǎn)在于可以長期保持無需維護(hù)的狀態(tài)且輸出相對穩(wěn)定。作為除激光外的光源，可以使用放電燈如閃光燈(例如，氙閃光燈或氪閃光燈)、氙燈或金屬鹵化物燈；或放熱燈如鹵素?zé)艋蜴u燈。釆用閃光燈，由于可以反復(fù)在短時間(0.1至10毫秒)內(nèi)用極高強(qiáng)度的光照射大的面積，無論第一基底的面積如何，都可以進(jìn)行"效和均勻的加熱。此外，閃光燈可以通過改變發(fā)光時間的間隔來控制第- 一基底的加熱。rfl]且，tilf閃光燈的K壽命和在等待發(fā)光時的低能耗，nj以降低運(yùn)行成本。
應(yīng)汴意的是，作為照射光，優(yōu)選使用紅外光(波長為800納米或更大)。通過使用紅外光，有效地加熱光吸收層201，并且可以有效地使蒸發(fā)材料升華。
在該實(shí)施方式中所示的沉積方法中，本發(fā)明的-^個特征在T,不用輻射熱而是用來自光源的光加熱光吸收層。此外，用光照射的時間可以相對較短。例如，當(dāng)使用鹵素?zé)糇鳛楣庠磿r，光的照射在500"C至800"C的溫度下保持7至15秒，由此可以沉積材料s。所述沉積優(yōu)選在減壓氣氛中進(jìn)行。所述減壓氣氛可以以這樣的方式獲得，即通過抽空裝置將沉積室抽空至真空度小f或等f 5 X 10-3Pa，優(yōu)選10-4至10-6Pa。如果沉積室的內(nèi)部可以是高真空的，則可以改進(jìn)發(fā)光器件的可靠性；因此，較高的真空是優(yōu)選的。
應(yīng)注意的是，在圖4A和4B中，在作為支撐基底的第一基底2()()的整個表面上形成光吸收S201;但是本發(fā)明不限丁'這種結(jié)構(gòu)。例如，可以提供光吸收^201,使得其對應(yīng)于遮蔽掩膜的開口。本實(shí)施方式顯示了作為沉積靶基底的第二基底位于作為支撐基底的第--基底下方的情況；但是，本發(fā)明不限于此?？梢赃m當(dāng)?shù)卦O(shè)定待放置的站底的位置。
在用于發(fā)光器件的本發(fā)明的沉積方法中，將要通過蒸發(fā)方法在沉積靶基底上形成的、含蒸發(fā)材料的層的厚度nj以通過控制在支撐基底上形成的材料層的厚度來控制。換言之，在支撐基底上形成的材料層可以被原樣蒸發(fā)；因此，不需要薄膜厚度監(jiān)測器。因此，使用者不必使用薄膜厚度監(jiān)測器調(diào)節(jié)蒸發(fā)速度，并且所述沉積方法可以是完全自動化的。因此可以改進(jìn)生產(chǎn)率。在用于發(fā)光器件的木發(fā)明的沉積方法巾，材料層中所含的蒸發(fā)材料可以被均勻地升華。因此，將要形成的薄膜的均勻性是優(yōu)異的。此外,在材料層含有多種蒸發(fā)材料
12的情況下，可以在沉積靶基底上沉積含有多種蒸發(fā)材料的層，該層以幾乎相同的重量比含有與所述材料層相同的蒸發(fā)材料。如上所述，在本發(fā)明的沉積方法中，在使用蒸發(fā)溫度彼此不同的多種蒸發(fā)材料進(jìn)行沉積的情況下，與共蒸發(fā)的情況不同，不需要控制各蒸發(fā)材料的蒸發(fā)速率。因此，不需要進(jìn)行蒸發(fā)速率等的復(fù)雜控制，并且可以容易和精確地
沉積含有不M蒸發(fā)材料的所需的e。應(yīng)用木發(fā)明還使得可以形成沒有不平坦性的平坦薄膜。應(yīng)用木發(fā)明有助于發(fā)光層的圖案化；因此應(yīng)用本發(fā)明也有助于發(fā)光器件的制造。此外，可以形成精確的圖案；因此，可以獲得高清晰度的發(fā)光器件。此外，通過應(yīng)用本發(fā)明，不僅可以使用激光器而且可以使用廉價(jià)但提供大量熱的燈加熱器等作為光源。此外，通過使用燈加熱器等作為光源，nj以在大面積....匕同時進(jìn)行沉積；因此，nj以縮短花費(fèi)的時間。因此，可以降低發(fā)
光器件的制造成本。此外，本發(fā)明的沉積方法使得可以在不浪費(fèi)所需的蒸發(fā)材料的情況下在沉積靶基底上沉積所需的蒸發(fā)材料。因此，提高了蒸發(fā)材料的使用效率，并且可以實(shí)現(xiàn)成本的降低。此外，可以防止蒸發(fā)材料附著到沉積室的內(nèi)壁匕并且沉積裝置的維護(hù)可以更容易。因此，應(yīng)用本發(fā)明使得可以容易地沉積含有不同蒸發(fā)材料的所需的層和改進(jìn)使
用df"不同蒸發(fā)材料的層制造發(fā)光器件時的生產(chǎn)率等。通過使用本發(fā)明的蒸發(fā)供體基底，可以以高使用效率沉積蒸發(fā)材料，并且nj以實(shí)現(xiàn)成本的降低。此外，通過使用本發(fā)明的蒸發(fā)供休基底，可以高精度地形成具有所需形狀的薄膜。具體而言，在使用具有紅、綠和藍(lán)發(fā)光顏色的發(fā)光元件制造全色發(fā)光.M示器的情況下，通過應(yīng)用木發(fā)明的沉積方法，可以高精度地實(shí)現(xiàn)發(fā)光層的選擇性著色。此外，可以縮短花費(fèi)的時間，由此可以以高生產(chǎn)率制造發(fā)光器件。而且，通過提高E:L材料的使用效率，可以降低制造成本。此實(shí)施方式可以與本說明書中所述的任何其它實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。
[實(shí)施方式3] 在此實(shí)施方式中，描述了使用實(shí)施方式i和2中所述的沉積方法制造全色顯示器的方法。盡管圖4A和4B M示丫其中在-'個沉積步驟中在相鄰的第-'電極^ 207的每- 個l:面進(jìn)行沉積的實(shí)例，但當(dāng)制造全色顯示器時，可以在多個沉積步驟中在不同區(qū)域中形成發(fā)射不同顏色的光的發(fā)光層。下面描述能夠全色顯示的發(fā)光器件的制造實(shí)例。在此實(shí)施方式屮，描述了使用發(fā)射—色光的發(fā)光層的發(fā)光器件的實(shí)例。制備圖4A中所不帶有蒸發(fā)材料的三個支撐基底(蒸發(fā)供體基底)。在被照射的基底的每--個上面形成各自含有不同蒸發(fā)材料的多個層。具休而言，制備帶有用于紅光發(fā)射層的材料層的第一蒸發(fā)供體基底，帶有用于綠光發(fā)射層的材料層的第二蒸發(fā)供體基底和帶有用T藍(lán)光發(fā)射S的材料S的第三蒸發(fā)供體基底。此外，制備帶有第一電極層的一個沉積靶基底。注意，優(yōu)選提供覆蓋各第一電極層邊緣部分并用作分隔墻以使相鄰的第-一電極層不會短路的絕緣體。用作發(fā)光區(qū)域的區(qū)域?qū)?yīng)于第一電極層的部分，即不與所述絕緣體重疊并且被暴露出來的區(qū)域。然后，使沉積靶基底和遮蔽掩膜彼此重疊并彼此對準(zhǔn)。使用在沉積靶基底上提
供的對準(zhǔn)用標(biāo)記和為遮蔽掩膜提供的對準(zhǔn)用標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)。然后，放置第一蒸發(fā)供體基底，使得所述第一蒸發(fā)供體基底的、在其上面提供有第--蒸發(fā)供體基底的材料S的表面與遮蔽掩膜彼此相對。隨后，從所述第-'蒸發(fā)供體基底的、具有第一蒸發(fā)供體基底材料層的表面的另一側(cè)進(jìn)行光照射。所述照射的光被吸收在光吸收層中，使得該光吸收層產(chǎn)生熱，并且與該光吸收層接觸的、用于紅光發(fā)射層
的材料層被升華，由此穿過遮蔽掩膜開n在被提供在沉積靶某底上的第一電極S....匕進(jìn)行
第一沉積。在該第--沉積后，將所述第一蒸發(fā)供體基底從所述沉積靶基底上移開。
接著，將沉積靶基底與遮蔽掩膜彼此重疊并彼此對準(zhǔn)。將沉積靶基底與遮蔽掩膜彼此對準(zhǔn)，使得沉積靶基底和遮蔽掩膜的位置從在第-一沉積時形成的薄膜的位置錯開一個像素。然后，放置第二蒸發(fā)供體基底，使得該第二蒸發(fā)供體基底的、在其上面提供有第二蒸發(fā)供體基底的材料層的表面與遮蔽掩膜彼此相對。隨后，從第二蒸發(fā)供體基底的、具有第二蒸發(fā)供體基底材料層的表面的對側(cè)進(jìn)行光照射。所述照射的光被吸收在光吸收層屮，使得該光吸收S產(chǎn)生熱，并且與該光吸收S接觸的、用于綠光發(fā)射層的材料層被升華，由此在被提供在沉積靶基底上的第- 一電極層上面進(jìn)行第二沉積。在該第二沉積后，將所述第二蒸發(fā)供體基底從所述沉積靶基底上移開。接著，將沉積靶基底與遮蔽掩膜彼此重疊并彼此對準(zhǔn)。將沉積靶基底與遮蔽掩膜彼此對準(zhǔn)，使得沉積靶基底和遮蔽掩膜的位置從在第一沉積時形成的薄膜的位置錯開兩個像素。然后，放置第三蒸發(fā)供體基底，使得該第三蒸發(fā)供體基底的、在其i:面提供有第三蒸發(fā)供體基底材料層的表面與遮蔽掩膜彼此相對。隨后，從第三蒸發(fā)供體基底的、具有第三蒸發(fā)供體某底材料S的表面的對側(cè)進(jìn)行光照射，并進(jìn)行第三沉積。圖5A是顯示就要進(jìn)行第—沉積的狀態(tài)的俯視圖。在圖5A中，遮蔽掩膜411具W開U412。在第— 沉積靶基底的對應(yīng)f開口 412的區(qū)域中形成材料層和光吸收層。『fr]且，所述沉積耙基底的對應(yīng)于開口 412的區(qū)域是其中第--電極層未用絕緣休4i3覆蓋并ft被暴露的區(qū)域。汴意，已在第一沉積中形成的第一薄膜421(R)和已在第二沉積中形成的第二薄膜(G)422位 T圖5A中虛線所示的區(qū)域下方。通過所述第三沉積，形成第三薄膜(B)423。照射的光被吸收在光吸收層中，使得該光吸收層產(chǎn)生熱，并且與該光吸收層接觸的、用于藍(lán)光發(fā)射層的材料層被升華，由此在被提供在沉積靶棊底上的第一電極S--匕進(jìn)行第三沉積。在該第三沉積后，將第三蒸發(fā)供體基底從沉積靶基底上移開。相應(yīng)地，以規(guī)則的間距選擇性地形成第一薄膜(R)'121、第二薄膜(G>122和第三薄膜(B)423(圖5B)。然后，在這些薄膜上形成第二電極層，由此形成發(fā)光元件。
通過上述步驟，可以制造全色顯示器。盡管圖5A和5B中圖示了其中遮蔽掩膜411的開口 412為矩形的實(shí)例，但本發(fā) 明不限于此，并且可以使用條帶狀開口。在使用條帶狀開口的情況下，盡管在發(fā)射同色光的發(fā)光區(qū)域之間也進(jìn)行沉積，但在絕緣體413上形成薄膜，并且因此與絕緣體413重疊的部分不用作發(fā)光區(qū)域。此外，對像素的排列沒有特別的限制。一個像素的形狀nj以是多邊形，例如圖 6B中所示的六邊形，并日.可以通過第一薄膜(R)44i、第二薄膜(G)442和第三薄膜(:B)443 的布置實(shí)現(xiàn)全色顯示器。為了形成具有如圖6B中所示的多邊形形狀的像素，可'以使用圖 6A中所示的具有多邊形開口 432的遮蔽掩膜431進(jìn)行沉積。木發(fā)明的應(yīng)用使得可以容易地形成含有蒸發(fā)材料的、形成發(fā)光元件的層和制造包括該發(fā)光元件的發(fā)光器件。本發(fā)明的應(yīng)用還使得可以形成沒有不平坦性的平坦薄膜。本發(fā)明的應(yīng)用有助于發(fā)光層的圖案化；生產(chǎn)時間可以被縮短；這樣，發(fā)光器件的生產(chǎn)率被改進(jìn)。此外，可以形成準(zhǔn)確的圖案；因此，可以獲得高清晰度的發(fā)光器件。具體而言，在使用大尺寸基底的情況下，在傳統(tǒng)方法中，遮蔽掩膜被彎曲，以致f難以高精度地形成具有所需形狀的薄膜。通過應(yīng)用本發(fā)明，甚至在使用大尺寸基底的情況下，也可以a精度地形成具有所需形狀的薄膜。因此，可以容易地制造大尺寸和卨清晰度的發(fā)光器件。而且，通過應(yīng)用本發(fā)明，不僅可以使用激光器而且可以使用廉價(jià)但提供大量熱的燈加熱器等作為光源。相應(yīng)地，可以降低發(fā)光器件的制造成木。此外，通過應(yīng)用本發(fā)明，與使用共蒸發(fā)的情況相比，在形成其中摻雜劑材料分散在主體材料屮的發(fā)光層的情況下需要較不復(fù)雜的控制。而且，由于容易控制摻雜劑材料等的添加量，可以容易和準(zhǔn)確地進(jìn)行沉積，并且因此可以容易地獲得所需的發(fā)光顏色。此外，nj以提高蒸發(fā)材料的使用效率，并且因此可以實(shí)現(xiàn)成本的降低。
此實(shí)施方式可以與本說明書中所述的仟何其它實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。
[實(shí)施方式4] 在此實(shí)施方式中，將描述應(yīng)用本發(fā)明的制造發(fā)光元件和發(fā)光器件的方法。
例如，可以制造圖7A和7B巾所示的發(fā)光元件。在圖7A巾所示的發(fā)光元件巾，第-一電極層302、用作發(fā)光層304的EL層308和第二電極層306以此順序堆疊在基底300 上。第一電極S 302和第二電極層306之一用作正:極，另一個用作負(fù)極。從i—F.極注入的空穴和從負(fù)極注入的電子在發(fā)光層304中重組，由此可以獲得發(fā)光。在此實(shí)施方式中，第一電極層302用作正極，第二電極層306用作負(fù)極。在圖7B中所示的發(fā)光元件中，除圖7A中所示的上述結(jié)構(gòu)中的組件外，還提供空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。在ii:極和發(fā)光層之間提供空穴傳輸S。此外，在正極和空穴傳輸S之間提供空穴注入S。另-'方面，在負(fù)極和發(fā)光S之間提供電子傳輸層，并在負(fù)極和電子傳輸層之間提供電子注入層。注意，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層不--定都被提供，并且可以按照所要求的功能等適當(dāng)?shù)剡x擇要提供的層。在圖7B屮，用作—iF:極的第一電極JS3()2、空穴注入JS 322、空穴傳輸層324、發(fā)光層304、電子傳輸層326、電子注入層328和用作負(fù)極的第二電極層 306以此順序堆疊在基底300上。作為基底300，使用具有絕緣表面的基底或絕緣基底。具休而言，可以使用由用于電子工業(yè)的玻璃如硅鋁酸鹽玻璃、硅鋁硼酸鹽玻璃或硅硼酸鋇玻璃制成的各種玻璃基底，石英基底，陶瓷基底，藍(lán)寶石基底等中的任-f中。作為第一電極層302和第二電極層306，可以使用各種類型的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、這些物質(zhì)的混合物。例如，可以舉出氧化銦錫(I:TO)、含硅或二氧化硅的氧化銦
15錫、氧化銦鋅(IZO)、含氧化鎢和氧化鋅的氧化銦(IWZO)等。盡管通常通過濺射法形成包括這類導(dǎo)電金屬氧化物的薄膜，但也nj以使用溶膠-凝膠法等方法。例如，氧化銦鋅 (IZO)可以通過濺射法形成，該濺射法使用其中將i至20重量％的氧化鋅添加到氧化銦中的靶。含有氧化鎢和氧化鋅的氧化鋼(IWZO)可以通過濺射法形成，該濺射法使用其中在氧化銦中含有0.5至5重量％的氧化鶴和0.1至1重量％的氧化鋅的耙。此外，可以舉出金(Au)、鉑(Pt)、鎳(M)、鈣(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀 (Pd)、金屬材料的氮化物(例如氮化鈦)等?；蛘撸梢允褂娩X(A1)、銀(Ag)、含鋁的合金(AlSi)等。或者，可以使用具有低功函數(shù)的F列材料屮的任何一種屬于周期表第l族或第2族的元素，即堿金屬如鋰(Li)和銫(Cs)和堿土金屬如鎂(Mg)、鈣(Ca)和鍶(Sr)，以及其合金(鋁、鎂和銀的合金，或鋁和鋰的合金)；稀土金屬，如銪(Eu)和鐿(Yb),及其合金；等等。由堿金屬、堿土金屬或它們的合金制成的薄膜可以通過ii'個' 1l發(fā)方法形成?；蛘撸蓧A金屬或堿土金屬的合金制成的薄膜可以通過濺射法形成。也可以通過噴墨法等方法沉積銀糊等。第-'電極^ 302和第二電極^ 306可以以堆疊層薄膜的形式形成，而不限于竿.層薄膜。注意，為了將由發(fā)光層304發(fā)射的光引向外部，形成的第--電極層302和第二電極E加6之一或二者是透射光的。例如，第一電極S 302和第二電極S 306之一或二者使用A、丫]透)L性的導(dǎo)電材料如氧化銦錫形成，或者使用銀、鋁等形成至HW幾納米至幾十，j米的厚惶.或者，第一電極層302和第二電極層306之一或二者nj以具有堆疊層結(jié) 構(gòu)，R堆Sg結(jié)構(gòu)包括金屬如銀、鋁等的小厚度的薄膜和具有透光性的導(dǎo)電材料如ITO 的薄膜。注意，可以通過各種方法中的任一種形成第一電極層3()2或第二電極層306。
可以通過應(yīng)用上述實(shí)施方式1至3中所述的沉積方法形成發(fā)光^ 304、空穴注入層322、空穴傳輸層324、電子傳輸層326或電子注入層328。此外，也可以通過應(yīng)用i: 述實(shí)施方式1至3中所述的沉積方法形成電極層。例如，在形成圖7A屮所示的發(fā)光元件的情況下，在支撐基底的表面上形成光吸收層和用作用于形成發(fā)光層的蒸發(fā)源的含有蒸發(fā)材料的第- 一層；并將該支撐基底靠近沉積靶基底放置。通過光照射，在支撐基底上形成的含有蒸發(fā)材料的第一層被加熱和升華，從而在沉積靶基底上形成發(fā)光層304。然后，在發(fā)光層304上形成第—電極層306。沉積靶基底在這里是基底:《)()。注意，在沉積靶基底上，預(yù)先形成第一電極層3()2。
各種類型的材料可以被用丁'發(fā)光^304。例如，可以使用表現(xiàn)出熒光性的熒光化合物或表現(xiàn)出磷光性的磷光化合物。下面給出可以被用于發(fā)光層的磷光化合物的實(shí)例。藍(lán)光發(fā)射材料的實(shí)例包括雙[2-(4' ， 6' - 二氟苯基)吡啶根(pyridinato)-N， C2']合銥(III)四(1—-吡哼朵)硼酸鹽 (縮寫Flr6);雙[2-(4'' ， 6' - 二氟苯基)吡啶根-N， C2'']合銥(HI)吡fe甲酸鹽(縮寫FIrpic);雙[2-(3' ， 5'-雙三氟甲基苯基)吡啶根—N， C2']合銥(I I I)吡啶甲酸鹽(縮寫I:r(CF3ppy)2(pic));雙[2-(4' ， 6''- 一氟苯基)吡啶根-N， C2']合銥(III)乙酰丙酮化物(縮寫FIracac);等等。綠光發(fā)射材料的實(shí)例包括二(2-苯基吡啶根-N， C2')合銥(III)(縮寫:Ir(ppy)3);雙(2-苯基吡啶根-N， C2')合銥(III)乙酰內(nèi)酮化物 (縮寫:Ir(ppy)2(acac));雙(1， 2- 二苯基-1.H-苯并咪唑根(benzimidazolato))合銥(III)乙酰丙酮化物(縮寫Ir(pW)2(acac));雙(苯并[h]喹啉根(quinolinato))合銥(III)乙酰丙酮化物(縮寫lr(bzqMacac));等等。黃光發(fā)射材料的實(shí)例包括雙(2, 4-二苯基-1， 3-噁唑根(oxazolato)-N， C2')合銥(III)乙酰丙酮化物(縮寫Ir(dpo)2(acac));雙[2--全氟苯基苯基)吡啶根]合銥(III)乙酰丙酮化物(縮寫Ir(p-:P:F-ph)2(acac));雙(2-苯基苯并噻唑根(benzothiazolato)-N， C2'')銥(III)乙酰丙酮化物(縮寫Ir(bt)2(acac));等等。
橙色光發(fā)射材料的實(shí)例包括三(2-苯基啐啉根-N, C2'')合銥(III)(縮寫k(pq)3);雙
(2-苯基喹啉根-N， C2')合銥(III)乙酰丙酮化物(縮寫Ir(pq)2(acac));等等。紅光發(fā)射材料的實(shí)例包括有機(jī)金屬絡(luò)合物，如雙[2-(2'-苯并[4， 5-a]噻吩基)吡啶根-N， C2']合銥(III)乙酰丙酮化物(縮寫Ir(btpMacac))、雙(1-苯某異喹啉根-N， C2')合銥(HI)乙酰丙酮化物(縮寫:lr(piq)2(aCaC))、(乙酰丙酮根)雙[2， 3-雙(4-氟苯基)喹喔啉根(quinoxalinato)]合銥(III)(縮寫Ir(Fdpq)2(acac))和2， 3， 7， 8, 12， 13， 17， 18-八乙基-2iH， 23H-卟啉合鉑(II)(縮寫PtOE:P)。另外，稀土金屬絡(luò)合物，如三(乙酰丙酮根)(單菲咯啉)合鋱(III)(縮寫Tb(acac)3(Phen))、二(l， 3-二苯基-1， 3-丙二酮根) (單菲咯啉)合銪(III)(縮寫:Eu(DBM)3(:Phen))和三[1-(2-噻吩甲?；?-3， 3, 3-三氟內(nèi) 酮根](申.菲咯啉)合銪(III)(縮寫Eu(TTAMPhen))，表現(xiàn)出來自稀十金屬離子的光發(fā)射 (不同多重性之間的電子躍迀)；因此，稀土金屬絡(luò)合物可以用作磷光化合物。
下面給出可用于發(fā)光S的熒光化合物的實(shí)例。藍(lán)光發(fā)射材料的實(shí)例包括N， N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N, N'' - 二苯基法'-4, 4'' - 二胺(縮寫YGA2S); /1—(gH-咔唑-9-基)-4' -(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(縮寫YGAPA);等等。綠光發(fā) 射材料的實(shí)例包括N-(9，丄0- 二苯基-2-蒽基)-N， 9- 二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫 2PCAPA) ; N-[9, 1 ()-雙(1 ， 1'-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N， 9- 二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫2:PCABP'hA); N-(9， 10-二苯基-2-蒽基)-N， N' , N'-三苯基-1， 4-苯二胺(縮寫2DPAPA) ; N-[9， 1.0-雙(l， 1'—聯(lián)苯—2-基)-2-蒽基]-N， N' ， N'-三苯基-1， 4-苯二胺(縮寫2:D:PAB:PhA) ; 9， 10-雙(1, 1'-聯(lián)苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯某]-N-苯基蒽-2-胺(縮寫2YGABPhA); N， N' 9-三苯棊蒽-9-胺(縮寫DPhAPhA : 等等。黃光發(fā)射材料的實(shí)例包括紅熒烯；5， 12-雙(l， T —聯(lián)苯—4-基)-6, 11-二苯
基并四苯(縮寫B(tài)PT);等等。紅光發(fā)射材料的實(shí)例包括N， N， N' ， N'-四('1-甲
基苯基)并四苯-5，丄丄-二胺(縮寫p-m:PhTD) ; 7，丄3-一苯基-N， N， N' ， N'-四 (4-甲基苯基)二氫危并[1 ， 2-a]熒蒽-3， 10- 二胺(縮寫p-mPhAFD);等等。
發(fā)光j^ 304可以具有其中將具有高發(fā)光性能的物質(zhì)(摻雜劑材料)分散在另--物質(zhì)(主體材料)中的結(jié)構(gòu)，由此可以抑制發(fā)光層的結(jié)晶。此外，可以抑制由具有高發(fā)光性能的物質(zhì)的高濃度弓I起的濃度猝火。作為具有高發(fā)光性能的物質(zhì)分散在其屮的物質(zhì)，當(dāng)具有高發(fā)光性能的物質(zhì)是熒光化合物時，優(yōu)選使用貝f|-比所述熒光化合物高的單線態(tài)激發(fā)能量(基態(tài)與單線態(tài)激發(fā)態(tài) 之間的能量差)的物質(zhì)。當(dāng)具有高發(fā)光性能的材料是磷光化合物時，優(yōu)選使用具有比所述磷光化合物高的三線態(tài)激發(fā)能量(基態(tài)與三線態(tài)激發(fā)態(tài)之間的能量差)的物質(zhì)。
用于發(fā)光層的主體材料的實(shí)例包括4， 4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯 (縮寫:NPB);三(8-羥基啐啉根)合鋁(III:)(縮寫:Alq) ; 4， 4'-雙[N-(9， 9- 二甲基荷—2 基)—N—苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫DFLDPBi);雙(2-甲基-8-羥基喹啉根)(4-苯基苯酚根)合鋁(III)(縮寫B(tài)Alq) ; 4， 4' - 二 (9-咔唑基)聯(lián)苯(縮寫CBP) ; 2-叔丁基-9，10- 二 (2-萘基)蒽(縮寫t-BuDNA) ; 9-[4-(9-咔唑基)苯基]-10-苯基蒽(縮寫CzPA)等等。作為摻雜劑材料，可以使用上述磷光化合物和熒光化合物中的仟何--------種。當(dāng)發(fā)光層具有其中將具有卨發(fā)光性能的物質(zhì)(摻雜劑材料)分散在另一物質(zhì)(主體材料)中的結(jié)構(gòu)吋，形成主體材料與客體材料的混合e作為用作蒸發(fā)源的含有蒸發(fā)材料的第一層?；蛘?，用作蒸發(fā)源的含有蒸發(fā)材料的第一層可以具有其巾含有主體材料的層和含有摻雜劑材料的層被堆疊的結(jié)構(gòu)。當(dāng)使用具有這樣的結(jié)構(gòu)的蒸發(fā)源形成發(fā)光層304 時，該發(fā)光S含有發(fā)光材料被分散在其屮的物質(zhì)(主體材料)和具有高發(fā)光性能的物質(zhì) (摻雜劑材料)，并IW]其中將線0 W發(fā)光性能的物質(zhì)(摻雜劑材料)分散在發(fā)光材料分散在其中的物質(zhì)(主體材料)中的結(jié)構(gòu)。注意，對f所述發(fā)光層，nj以使用兩種或更多種主休材料和一種慘雜劑材料，或者可以使用兩種或更多種摻雜劑材料和一種主休材料?；?者，可以使用兩種或更多種主體材料和兩種或更多種摻雜劑材料。此外，在形成圖7B中所示的其中堆疊有各種功能e的發(fā)光元件的情況下，可以重復(fù)下列程序在支撐基底l:形成含有蒸發(fā)材料的層；將支撐基底靠近沉積靶基底放置；使在支撐基底上形成的含蒸發(fā)材料的層被加熱和升華，由此在沉積靶基底上形成功能S。例如，在支撐站底上形成用作用于形成空穴注入層的蒸發(fā)源的材料S ;將支撐某底靠近沉積靶基底放置；使在支撐基底上形成的材料層被加熱和升華，由此在沉積靶基底上形成空穴注入層322。在這里沉積靶基底是基底300，并預(yù)先被提供有第一電極層 302。接著，在支撐基底上形成用作用于形成空穴傳輸層的蒸發(fā)源的材料層；將支撐基底靠近沉積靶基底放置；使在支撐基底....匕形成的材料層被加熱和升華，由此在沉積靶基底上的空穴注入^ 322上形成空穴傳輸^ 324。此后，以類似方式相繼堆疊發(fā)光層304、電子傳輸層326和電子注入層328，并且然后形成第二電極層306。可以使用各種E:L材料形成空穴注入層322、空穴傳輸層324、電子傳輸層326或電子注入S 328。每一S可以使用一種材料或多種材料的復(fù)合材料形成。在使ltj復(fù)合材料形成層的情況下，如上所述形成含W多種蒸發(fā)材料的材料層?；蛘?，通過堆疊多個各自含一種蒸發(fā)材料的層形成含有蒸發(fā)材料的材料層。在使用一種材料形成層的情況卜'，也可以采用上述實(shí)施方式i至3中所述的沉積方法。此外，空穴汴入層322、空穴傳輸層 324、電子傳輸層326和電子注入層328中的每一個可以具有單層結(jié)構(gòu)或堆疊層結(jié)構(gòu)。例如，空穴傳輸S 324可以具有第一空穴傳輸S和第二空穴傳輸S的堆疊層結(jié)構(gòu)。此外，可以通過實(shí)施方式1至3中所述的沉積方法形成電極層。例如，可以使用氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化鎢、氧化錳等形成空穴注入層 322?；蛘?，可以使用棊于酞菁的化合物如酞菁(縮寫H^c)或酞菁銅(縮寫CuPc)、高分子化合物如聚(3, 4-亞乙基二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PS S)等形成空穴注入層。作為空穴注入層322，可以使用含有具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)和具有電子接受性能的物質(zhì)的層。所述含有具有卨空穴傳輸性能的物質(zhì)和具有電子接受性能的物質(zhì)的層具有高的載流子密度和優(yōu)異的空穴注入性能。當(dāng)所述含有具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)和具有電子接受性能的物質(zhì)的層被用作與用作正極的電極接觸的空穴注入層時，可以使用各種金屬、合金、導(dǎo)電化合物、它們的混合物等中的任--種，無論用作正極的電極材料
18的功函數(shù)的大小如何。 nj以使用例如含有具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)的層和含有具有電了接受性能的物質(zhì)的層的堆疊休作為蒸發(fā)源，來形成所述含有具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)和具有電子接受性能的物質(zhì)的層。用T空穴注入S的、具有電子接受性能的物質(zhì)的實(shí)例包括7, 7， 8， 8-四氰基-2， 3， 5， 6-四氟二甲基苯醌(縮寫F4-TCNQ);氯醌等。其它的實(shí)例是過渡金屬氧化物。再其它的實(shí)例是屬于周期表第4至8族的金屬的氧化物。具體而言，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸因?yàn)樗鼈兊母唠娮咏邮苄阅?而是優(yōu)選的。其中，氧化鉬是尤其優(yōu)選的，因?yàn)槠湓诖髿庵幸彩欠€(wěn)定的，R丫]低的吸濕性，并且可以被容易地操作。作為用于空穴汴入層的、具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)，可以使用各種化合物如芳胺化合物、咔唑衍生物、芳烴和卨分子化合物(如低聚物、樹枝形聚合物和聚合物)中的任何-f巾。注意，優(yōu)選所述用T空穴注入S的、具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)是空穴遷移率為10—6cm2/Vs或更高的物質(zhì)。注意，可以使用空穴傳輸性能高于電子傳輸性能的任何其它物質(zhì)。下面給出所述可用于空穴注入層的、具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)的具體實(shí) 例。可用于空穴注入層的芳胺化合物的實(shí)例包括4， 4'—雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫NPB); N， N'-雙(3-甲基苯基)-N, N'' - 二苯基-[1， l'-聯(lián) 苯]-4， 4' - 二胺(縮寫TPD); 4， 4' ， 4〃 -三(N， N-二苯基氨基)三苯基胺(縮寫 TDATA) ; 4， 4' ， 4 〃 - 二 [N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]二苯基胺(縮寫MTDATA); 4,4'—雙[N-(螺-9， 9' — 二芴—2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫B(tài)SPB)等。其它實(shí)例如下N， N-雙(4-甲基苯基)(對甲苯基)-N， N' - 二苯基-對苯二胺(縮寫 DT:D:P:PA) ; 4， 4'-雙[N-(4匿二苯基氨基苯基)—N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫DPAB) ; 4， 4'—雙(N-{4-[N' -(3-甲基苯基)-N'-苯棊氨某]苯基}-N-苯某氨棊)聯(lián)苯(縮寫 DNTPD) ; 1, 3， 5- -: [N-(4- 二苯基氨基苯基)—N-苯基氨基]苯(縮寫DPA3B)等。
nj用f空穴注入層的咔唑衍生物的具體實(shí)例包括3—[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(縮寫PCz:PCAi) ; 3， 6-雙[N-(9-苯基咔唑—3—基)—N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(縮寫PCzPCA2) ; 3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(縮寫PCzPCNl)等。可用于空穴注入層的咔唑衍生物的其它實(shí)例包括4， 4' — 二(N-咔唑基)聯(lián)苯
(縮寫CBP); 1, 3， 5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(縮寫TCPB); 9-[4-(10-苯基-9-蒽
某)苯棊]—9H-咔唑(縮寫CzPA); 1， 4-雙[4--(N-咔唑某)苯棊]-2， 3， 5， 6-四苯棊苯等。 nj用f空穴注入層的芳烴的實(shí)例包括2-叔丁基-9, 10-二 (2-萘基)蒽(縮寫 t-Bu:DNA) ; 2-叔丁基-9，丄0- 二 (丄-萘基)蒽；9，丄0-雙(3， 5- 一苯基苯基)蒽(縮寫 DPPA) ; 2-叔丁基-9， 10-雙(4-苯基苯基)蒽(縮寫t-BuDBA) ;9， 10- 二 (2-萘基)
蒽(縮寫DNA) ; 9， 10- 二苯基蒽(縮寫DPAllth) ; 2-叔丁基蒽(縮寫t-BuAnth);
9， 10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(縮寫DMNA) ; 9， 10-雙[2-(1-萘基)苯基]-2-叔丁基蒽；9， 10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽；2， 3， 6， 7-四甲基-9， 10-二(1-萘基)蒽；2，3, 6， 7-四甲基-9， 10-二(2-萘基)蒽；9， 9''-聯(lián)蒽；10, 10'' — 二苯基-9， 9'-聯(lián) 蒽；10， 10''-雙(2-苯基苯基)-9， 9'-聯(lián)蒽；10， 10''-雙[(2， 3， 4， 5， 6-五苯基)
苯基]-9， 9'-聯(lián)蒽；蒽；并四苯；紅熒烯；茈；2， 5， 8， i丄-四(叔丁基)茈等。此
外，還可以使用并五苯、暈苯等。就這里所列出的這些芳烴而言，優(yōu)選使用空穴遷移率
為1 X 10-6cm2/Vs或更大并具有14至42個碳原子的芳烴。注意，可用于空穴注入層的芳烴可以具有乙烯基骨架。具有乙烯基的芳烴的實(shí) 例包括4， 4'-雙(2， 2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(縮寫D:PVBi); 9， 10-雙[4-(2， 2-二苯華乙烯朵)苯4jt ]蒽(縮寫DPVPA)等。通過使用ii沖df仃線"M個A:傳輸性能的物質(zhì)的層和含"ft仃rti子接受性能的
物質(zhì)的層被堆疊的蒸發(fā)源，W以形成空穴注入層。當(dāng)使用金M氧化物作為所述具有電了-接受性能的物質(zhì)時，優(yōu)選在第--基底上形成所述含有具有高空穴運(yùn)輸性能的物質(zhì)的層之后形成含有金屬氧化物的層。這是因?yàn)樵谠S多情況下，金屬氧化物與具有卨空穴傳輸性能的物質(zhì)相比具有更高的分解溫度或蒸發(fā)溫度。具有這樣的結(jié)構(gòu)的蒸發(fā)源使得可以有效升華具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)和金屬氧化物。另外，可以抑制通過蒸發(fā)形成的薄膜中濃度的局部不均勻性。而且，幾乎沒有溶劑允許具有高空穴輸送性能的物質(zhì)和金屬氧化物二者都溶解或分散在其屮，并且不容易形成混合溶液。因此，難以通過濕法自:摶形成
混合層。但是，本發(fā)明的沉積方法的使用使得可以容易地形成df" Rw個穴傳輸性能
的物質(zhì)和金屬氧化物的混合層。此外，所述含有具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)和具有電子接受性能的物質(zhì)的層不僅在空穴注入性能方面是優(yōu)異的，而且在空穴傳輸性能方面也是優(yōu)異的，因此上述空穴注入e可以被用作空穴傳輸e。空穴傳輸層324是含有具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)的層。具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)的實(shí)例包括芳胺化合物，如4， 4''-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫NPB 或ci-NPD)、 N' N'-雙(3-甲基苯基)-N， N' - 二苯某-[1， l'-聯(lián)苯]-4, 4' - 二胺 (縮寫TPD)、 4， 4' ， 4〃 - — (N， N' - 二苯基氨基)—苯基胺(縮寫TDATA)、 4， '1' ， 4 〃 -三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(縮寫MTDATA)及4， 4'-雙 [N-(螺-9， 9'- 一芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫B(tài)SPB)等。這里所列的物質(zhì)大體上具有1 X l(r6cm2/Vs或更大的空穴遷移率。注意，可以使用空穴傳輸性能卨于電子傳輸性能的任何其它材料。所述含有具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)的e不限T單M，并且可以是兩個或更多個由k述物質(zhì)形成的層的堆疊層。電子傳輸層326是含有具有高電子傳輸性能的物質(zhì)的層。所述具有高電子傳輸性能的物質(zhì)的實(shí)例包括具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬絡(luò)合物，如三(8-羥某喹啉根)合鋁(縮寫Alq)、 — (4-甲基-8-羥基喹啉根)合鋁(縮寫Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉根)合鈹(縮寫B(tài)eBq2)和雙(2-甲基-8-羥基喹啉根)('1-苯基苯酚根)合鋁 (縮寫B(tài)Alq)等。其它實(shí)例是具有基于噁唑的配休或基于噻唑的配休的金屬絡(luò)合物，如雙[2-(2-羥基苯基)苯并噁唑根]合鋅(縮寫Zn(BOX)2)和雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑根]合鋅(縮寫Zn(BTZ)2)等。除金屬絡(luò)合物外，其它實(shí)例如下2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1， 3， 4-噁二唑(縮寫PBD); 1， 3-雙[5-(對叔丁基苯基)-1， 3， 4-噁二唑—2—基]苯(縮寫OXD- ) ; 3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-S-(4-叔聯(lián)苯基)-1, 2， 4-三唑(縮寫TAZ01);紅菲繞啉(縮寫B(tài)Phen);浴銅靈(縮寫B(tài)CP)等。此處所列的物質(zhì)大體上具有1X1()-6cmVVs或更大的電了遷移率。注意，電了傳輸性能高f空穴傳輸性能的仟何其它材料都可用于所述電子傳輸層。電子傳輸層不限于單層，并目.可以是兩個或更多個由上述物質(zhì)形成的層的堆疊層。可以使用堿金屬化合物或堿土金屬化合物如氟化鋰(:Li:F)、氟化銫(CsF)或氟化鈣(CaF2)形成電子注入層328。而且，可以使用其中具有電子傳輸性能的物質(zhì)與堿金屬或堿土金屬組合在-一起的層。例如,可以使用含有鎂(:Mg)的Alq的層。注意，優(yōu)選使用所述其屮具有電子傳輸性能的物質(zhì)與堿金屬或堿.--L:金屬組合在一起的S作為電子注入層，因?yàn)殡娮颖籛效地從第二電極層306注入。注意，對EL層3()8的多個層的堆疊結(jié)構(gòu)沒有特別的限制。所述EL層308可以通過發(fā)光層與含有具有高電子傳輸性能的物質(zhì)、具有高空穴傳輸性能的物質(zhì)、具有高電子注入性能的物質(zhì)、具有卨'空穴注入性能的物質(zhì)、雙極性物質(zhì)(具有卨電子和空穴傳輸性能的物質(zhì))等的S中的任何e的適當(dāng)組合形成。通過第一電極層302和第二電極層306之一或二者將發(fā)射光引向外部。岡此，第-一電極S 302和第二電極層306之--或二者是具有光透射性能的電極。在僅有第--電極層302足具有光透射性能的電極的^況F,從棊底300側(cè)通過所述第一電極S 302引出光。ft僅仃第二電極層306是PJ]光透財(cái)性能的電極的情況下，從與基底300側(cè)相反的一側(cè)通過所述第二電極層306引出光.在第一電極層302和第二電極層306都是具有光透射性能的電極的情況下，從基底300側(cè)和與基底300側(cè)相反的 ---側(cè)通過所述第--------電極層
3()2和所述第二電極層306引出光。注意，盡管圖7八和7:8各自顯示'/其中在基底300側(cè)上提供用作正極的第-'電極層302的結(jié)構(gòu)，但可以在該基底300側(cè)l:提供用作負(fù)極的第二電極層306。圖8A和8B 各自顯示了其中在基底300上依次堆疊用作負(fù)極的第二電極層306、 E:L層308和用作正極的第一電極S )02的結(jié)構(gòu)。在圖8B屮所示的EL JS 308屮，各g按照與圖7B屮所示的EL層308的各層相反的順序堆疊。所述EL層通過在實(shí)施方式1至3中所述的沉積方法形成，或者可以通過在實(shí)施方式i至3中所述的沉積方法與另--沉積方法的組合形成。所述電極和所述各層可以各自使用不同的方法形成。千法的實(shí)例包括真空蒸發(fā)法、電子束蒸發(fā)法、濺射法等。濕法的實(shí)例包括噴墨法、旋涂法等。通過l:述步驟，可以制造發(fā)光元件。關(guān)于此實(shí)施方式的發(fā)光元件，通過應(yīng)用木發(fā)明可以容易地形成具有各種功能的層，包括發(fā)光層。然后，通過應(yīng)用這樣的發(fā)光元件可以制造發(fā)光器件。參照圖9A至9C、圖10和圖11描述了通過應(yīng)用本發(fā)明制造的無源矩陣發(fā)光器件的-一個實(shí)例。在無源矩陣(也稱為簡單矩陣)發(fā)光器件中，提供條帶狀(呈條帶形式)排列的多個正極，其與條帶狀排列的多個負(fù)極垂直。在各交叉點(diǎn)插入發(fā)光層。因此，在所選的止極(對其施加電壓)和所選的負(fù)極的交叉點(diǎn)處的像素發(fā)光。圖9A顯示了封裝前像素部分的俯視圖。圖犯顯示了沿圖9A中的點(diǎn)劃線A-A' 截取的截面圖。圖9C顯示了沿虛線B-B'截取的截面圖。在基底1501上，形成作為基礎(chǔ)絕緣層的絕緣層1504。注意，如果基礎(chǔ)絕緣層不是必需的，那么不是必須形成絕緣層1504。在絕緣層1504上以規(guī)則間距以條帶狀排列多個第一電極層1513。在第一電極層1513上提供具有多個開口的隔離物(partition)1514，每個開口與--個像素對應(yīng)。使用絕緣材料(光敏或非光敏的有機(jī)材料(聚酰亞胺、丙烯酸類樹脂、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺或苯并環(huán)丁烯樹脂)或SOG薄膜(例如包括烷基的SiOx 薄膜))形成所述具有多個開口的隔離物1514。注意，與像素對應(yīng)的各個開口是發(fā)光區(qū)域 1521。在具有開口的隔離物1514上，提供彼此平行的多個倒錐形隔離物1522以與第一電極S 151.3相交。通過使用正型光敏樹脂(其未曝光的部分作為圖案保留，并通過調(diào)節(jié) 曝光量或顯影時間的長度使得更多地蝕刻圖案的較低部分)的光刻法形成所述倒錐形隔離物1522。圖i0顯示了剛形成彼此平行的多個倒錐形隔離物i522后的透視圖。注意，相同的附圖標(biāo)記用于標(biāo)示與圖9A至9C中的部分相同的部分。將所述具有開口的隔離物1514和各個所述倒錐形隔離物1522的總厚度設(shè)定為大于包括發(fā)光層在內(nèi)的EL層和用作第二電極層的導(dǎo)電層的總厚度。當(dāng)包括發(fā)光層在內(nèi) 的EL層和導(dǎo)電層被堆疊在具有圖10中所示結(jié)構(gòu)的基底上時，它們被分成多個區(qū)域，使得各fi包括發(fā)光S的EL S 1.515R、 1515G和1515B以及第二電極S 1516被形成，如圖 9A至9C中所示。注意，所述多個被分隔的區(qū)域是彼此電絕緣的。第二電極層1516是彼此并行并沿與第一電極層1513相交的方向延伸的條帶狀電極。注意，在倒錐形隔離物丄522上也形成各自包括發(fā)光層的EL層和導(dǎo)電層；但是，它們與各自包括發(fā)光層的E:L層 15亂1515G和1515B和第二電極層1516分開。注意，此實(shí)施方式中的EL層是至少包括發(fā)光S的e,并且除發(fā)光e之外還可以包括空穴注入S、空穴傳輸e、電子傳輸S、電子注入層等。在此實(shí)施方式中，描述了其中選擇性地形成各fi包括發(fā)光層的EL層1515R、 1515G和1515B以形成發(fā)光器件的一個實(shí)例，所述發(fā)光器件提供三種類型的發(fā)光(紅 (R)，綠(G),藍(lán)(B))并能夠全色顯示。以彼此平行的條帶的圖案形成各自包括發(fā)光層的 EL層1515R、 1515G和1515B。
這些EL層i寸以通過實(shí)施方式1至3中所述的沉積方法形成。例如，分別制各帶有用于提供紅光發(fā)射的發(fā)光層的蒸發(fā)源的第--支撐基底，帶有用于提供綠光發(fā)射的發(fā)光層的蒸發(fā)源的第二支撐基底和帶有用于提供藍(lán)光發(fā)射的發(fā)光層的蒸發(fā)源的第三支撐基底。此外，制備帶有第-'電極^1513的基底作為沉積靶基底。然后，適當(dāng)?shù)匕仓盟龅谝恢恋谌位字灰允蛊涑蛩龀练e靶基底，并且在該支撐基底上形成的蒸發(fā)源被加熱和升華，由此在沉積靶基底上形成包括發(fā)光層的EL層。注意，適當(dāng)?shù)厥筶tj掩模等以在所需位置上選擇性地形成EL層。此外，如果必要，采用密封物(sealant)如密封罐(sealant can)或密封用玻璃基底進(jìn)行密封。在此實(shí)施方式中，使用玻璃基底作為密封基底，并且用粘合劑材料如密封材料將基底與密封基底彼此粘接，以密封被粘合劑材料如密封材料環(huán)繞的空間。所述被密封的空間充以填料或千燥的惰性氣體。此外，在基底和密封材料之間可以放置千燥劑等，使得發(fā)光器件的可靠性被提高。通過干燥劑除去濕l,由此進(jìn)行充分干燥。干燥劑可以是通過化學(xué)吸附吸收濕氣的物質(zhì)，如以氧化鈣或氧化鋇為代表的堿:--h金屬氧化物。或者可以使用通過物理吸附吸附濕氣的物質(zhì)，如沸石或硅膠。
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注意，如果提供密封物覆蓋并接觸發(fā)光元件以充分隔絕外部空氣，并非必須提供T燥劑。圖ii顯示了安裝有:F:PC等的發(fā)光模塊的俯視圖。在圖ii中，像素部分在基底 1601上形成。注意，本說明書中的發(fā)光器件是指圖象顯示器、發(fā)光器件或光源(包括照明裝置)。而且，所述發(fā)光器件在其范疇內(nèi)包括任何F列模塊其中連接器如軟性印刷
電路(FPC)、巻帶式動接合(tape automated bonding ， TAB)帶或帶載封裝(tape carrier package， TCP)被連接到發(fā)光器件上的模塊；具有在其末端帶有印刷線路板的TAB帶或 TCP的模塊；和PJ]通過玻璃覆芯片(chip-on-glass, COG)法直接安裝在帶仃發(fā)光元件的基底上的集成電路tic)的模塊。在用于顯示圖像的像素部分中，如圖ii中所示，掃描線和數(shù)據(jù)線彼此垂直相交。圖9A至9C中的第.'電極S 1513相當(dāng)丁'圖11中的掃描線1603 ;第二電極^ 1516相當(dāng)于數(shù)據(jù)線1602 ;倒錐形隔離物1522相當(dāng)于隔離物1.604。各自包括發(fā)光層的 E:L層夾在數(shù)據(jù)線1602和掃描線1603之間，由區(qū)域1605所指示的交叉部分相當(dāng)于一個像素。注意，掃描線1603在其末端與連接配線1608電連接，并且連接配線1608通過輸入端1607與FPC 16()9b連接。數(shù)據(jù)線1602通過輸入端1606與FPC 1609a連接。
如果必要，可以在發(fā)光表面上適當(dāng)?shù)靥峁┢衿?、圓偏振片(包括橢圓偏振片)、推遲板(四分之一波片或半波片)或光學(xué)薄膜如濾色片。此外，所述偏振片或圓偏振片可以帶有抗反射膜。例如，可以進(jìn)行防眩處理，通過該處理反射光可以被表面上的凸起和凹坑漫射，從而降低眩光。以上述方式，可以制造無源矩陣發(fā)光器件。本發(fā)明的應(yīng)用使得形成含有形成發(fā) 光元件的蒸發(fā)材料的S和制造包括發(fā)光元件的發(fā)光器件很容易。此外，在形成其屮摻雜劑材料分散在主體材料中的發(fā)光層的情況下，與使用共蒸發(fā)的情況相比，需要較不復(fù)雜的控制。而且，因?yàn)榭梢匀菀椎乜刂茡诫s劑材料的添加量等，nj以容易和精確地進(jìn)行沉積，并日.因此也可以容易地獲得所需的發(fā)光顏色。此外，可以提高蒸發(fā)材料的使用效率，因此可以降低成本。本發(fā)明的應(yīng)用還使得可以形成沒有不平坦性的平坦薄膜。本發(fā)明的應(yīng)用有助T 發(fā)光層的圖案化；岡此，木發(fā)明的應(yīng)用也有助于發(fā)光器件的制造。此外，可以形成精確的圖案；因此，可以獲得高清晰度的發(fā)光器件。此外，通過應(yīng)用本發(fā)明，不僅可以使用激光器而且可以使用廉價(jià)但提供大量熱的燈加熱器等作為光源。因此，可以降低發(fā)光器件的制造成本。盡管圖11顯不了其中在基底上不提供驅(qū)動電路的實(shí)例，本發(fā)明并不特別限f此實(shí)例，并H.可以在基底上安裝包括驅(qū)動電路的IC芯片。在安裝IC芯片的情況下，通過COG方法在像素部分的外圍(外側(cè))上安裝數(shù)
據(jù)線側(cè)IC和掃描線側(cè)IC,在它們中的每--個中形成用丁'將信5傳送到像素部分的驅(qū)動電
路。除COG方法之外，所述安裝還可以使用TCP或引線接合方法進(jìn)行。TCP是裝有IC 的TAB帶，并且該TAB帶連接到在形成元件的基底上的配線上，由此安裝該IC。數(shù)據(jù)線側(cè)IC和掃描線側(cè)IC各自可以使用硅基底形成。或者，可以使用在玻璃基底、石英基底或塑料基底上的TFT形成驅(qū)動電路。盡管此處所描述的是其中在一側(cè)提供單一 IC的實(shí) 例，但也可以在--側(cè)提供多個IC。下面，參照圖12A和12B描述通過應(yīng)用本發(fā)明制造的有源矩陣發(fā)光器件的一個實(shí)例。注意，圖12A是M示發(fā)光器件的俯視圖，圖12B是沿圖12A中的點(diǎn)劃線A-A' 截取的截面圖。此實(shí)施方式的有源矩陣發(fā)光器件包括在元件基底1710 l:提供的像素部分1702、驅(qū)動電路部分(源側(cè)驅(qū)動電路)1701和驅(qū)動電路部分(門側(cè)驅(qū)動電路)1703。將像素部分1702、驅(qū)動電路部分1701和驅(qū)動電路部分1703用密封劑1705密封在元件基底 1710和密封基底1704之間。另外，在兀件基底1710上提供用f連接外部輸入端的引線1708，通過該引線將信號(例如視頻信號、時鐘信號、啟動信號、重啟信號等)或電壓傳送到驅(qū)動電路部分 1701和驅(qū)動電路部分1703。在此實(shí)施方式中，描述了其中提供軟性印刷電路(FPC)17()9 作為外部輸入端的-'個實(shí)例。注意，在此僅.M示T所述FPC;但是，所述:F:PC可以配有印刷電路板(PWB)。木說明書中的發(fā)光器件不僅包括發(fā)光器件的主體，而且包括具有連
接于其上的f:pc或:pwb的發(fā)光器件。下面，參考圖12B描述截面結(jié)構(gòu)。在元件基底1710上形成驅(qū)動電路部分和像素
部分；但是，顯示了像素部分1702和作為源側(cè)驅(qū)動電路的驅(qū)動電路部分1701。其中形成CMOS電路作為驅(qū)動電路部分1701的一個實(shí)例被顯不，該CMOS電
路是n-通道TFT i723和p-通道TFT i724的組合。汴意，可以使用各種CMOS電路、
PMOS電路或NMOS電路來形成所述驅(qū)動電路部分中所包括的電路。在此實(shí)施方式中，
顯示了其中驅(qū)動電路與像素部分在NJ--基底上形成的驅(qū)動器集成的類型；但是，不必然
要求具有該結(jié)構(gòu)，并且驅(qū)動電路可以不在所述基底l:而是在該基底外部形成。像素部分1702包括多個像素，每個像素包括開關(guān)TFT 1711、電流控制TFT 1712
和電連接到電流控制TFT 1712的配線(源電極或漏極)上的第一電極g 171—3。注意，覆
蓋第一電極層1713的末端部分的絕緣體1714被形成。在此實(shí)施方式中，使用正型光敏
性丙烯酸類樹脂形成所述絕緣體1714 。優(yōu)選形成所述絕緣休i7i4，使得其在其上端部分或下端部分具有有曲率的曲面，以獲得被堆疊在絕緣體1714....匕的薄膜的有利例如，在使用止型光敏丙烯酸類
樹脂作為絕緣體1714的材料的情況下，優(yōu)選將絕緣沐i714成型為在其上端部分具有有曲率半徑(0.2微米至3微米)的曲面。岡光照變得不溶于蝕刻劑的負(fù)型光敏材料或?qū)庹?變得可溶于蝕刻劑的正型光敏材料都可用于該絕緣體1714。作為絕緣體1714，不限于有機(jī)化合物，可以使用有機(jī)化合物或諸如二氧化硅或氧氮化硅之類的無機(jī)化合物。
將包括發(fā)光層的EL層1700和第二電極層1716堆疊在第一電極層1713上。第一電極層1713對應(yīng)f上述第一電極層302，和第二電極層1716對應(yīng)f上述第二電極層 306。汴意，當(dāng)使用ITO薄膜作為第--電極層i7i3，并目.使用氮化鈦薄膜和含有鋁作為其主要成分的薄膜的堆疊薄膜或者氮化鈦薄膜、含有鋁作為其主要成分的薄膜和氮化鈦薄膜的堆疊薄膜作為連接到第-'電極層1713上的電流控制TFT1712的配線時，該配線的電阻低，并且可以獲得有利的與ITO薄膜的歐姆接觸。注意，盡管在圖12A和12B巾未顯示，但第二電極層1716電連接到作為外部輸入端的FPC 1709上。
在EL層1700中，至少提供發(fā)光層，并且如果合適，除發(fā)光層外還提供空穴注入層、空穴傳輸層、電了傳輸層或電了注入層。將第一電極層1713、 EL層17()0和第二電極層i7i6堆疊，由此形成發(fā)光元件i7丄5。盡管圖12B的截面圖僅顯示了一個發(fā)光元件1715，但在像素部分1702中以矩陣形式排列多個發(fā)光元件。在像素部分1702中選擇性地形成提供三種類型的光發(fā)射(紅、綠和藍(lán))的發(fā)光元件，由此可以形成能夠全色顯示的發(fā)光器件?；蛘?，通過與濾色片的組合，可以形成能夠全色顯示的發(fā)光器件。此外，密封禍底1704和元件棊底171 ()用密封劑1705彼此粘接，由此在被元件基底1710、密封基底1704和密封劑1705圍繞的空間1707中提供發(fā)光元件1715。注意，該空間1707可以填充密封劑1705或惰性氣體(如氮?dú)饣驓鍤?。注意，優(yōu)選使用環(huán)氧基樹脂作為密封劑i705。優(yōu)選此類材料透過盡可能少的濕氣和氧氣。作為密:H^底17()4，除玻璃基底或石英基底外，可以使用由玻璃纖維增強(qiáng)的塑料(:FR.P)、聚氟乙J4(PVF)、聚酯、內(nèi)烯酸類樹脂等形成的塑料基底。
如k所述，通過應(yīng)用木發(fā)明可以獲得發(fā)光器件。岡為制造TFT，有源矩陣發(fā)光器件往往需要高的單位器件制造成本；但是，本發(fā)明的應(yīng)用使得可以人人降低在形成發(fā) 光元件過程屮的材料損耗。因此，可以降低成本。本發(fā)明的應(yīng)用使得形成含W形成發(fā)光元件的蒸發(fā)材料的層和制造包括發(fā)光元件的發(fā)光器件很容易。本發(fā)明的應(yīng)用還使符n」以形成沒有不平坦性的平坦薄膜。本發(fā)明的應(yīng)用有助于發(fā)光層的圖案化；因此，本發(fā)明的應(yīng)用也有助于發(fā)光器件的制造。此外，可以形成精確的圖案；因此，可以獲得敲肯晰度的發(fā)光器件。此外，通過應(yīng)用本發(fā)明，不僅可以使用激光器而且可以使用廉價(jià)但提供大量熱的燈加熱器等作為光源。因此，可以降低發(fā)光器件的制造成木。注意，此實(shí)施方式可以與本說明書中所述的任何其它實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。
[實(shí)施方式5] 在此實(shí)施方式中，參照圖13A至13E描述了各種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備的每
一種都使用通過應(yīng)用本發(fā)明rfn制造的發(fā)光器件制得。使用本發(fā)明的發(fā)光器件制造的電子設(shè)備的實(shí)例包括電視機(jī)、諸如攝像機(jī)或數(shù) 碼相機(jī)之類的照相機(jī)、護(hù)冃鏡型顯示器(頭戴顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)設(shè)備(如車載音響和音響部件)、筆記本電腦、游戲機(jī)、便攜式信息終端(如便攜電腦、手機(jī)、便攜游戲機(jī)和電子書)、帶有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)設(shè)備(具體地，用于再現(xiàn)記錄介質(zhì)如數(shù)字視頻盤(DV:D)并具有用于顯示再現(xiàn)的圖像的顯示器的設(shè)備)、照明設(shè)備等。這些電子設(shè)備的具體實(shí)例顯示在圖13A至13E屮。圖13A顯示了--一種顯示器，其包括框架8001、支架8002、顯示部分8003、揚(yáng) 聲器部分8()(M、視頻輸入端8005等。在顯不部分8003中使用通過本發(fā)明形成的發(fā)光器件，來制造顯示器。注意，所述顯示器包括用于顯示信息的所有器件，例如用于電腦的、用于接收電視廣播的和用于顯示廣告的所有器件。因?yàn)橥ㄟ^應(yīng)用本發(fā)明可以改進(jìn)生產(chǎn)能力，.顯示器制造中的生產(chǎn)率可以被改進(jìn)。此外，因?yàn)榭梢越档惋@示器制造中的材料損耗，可以降低制造成木并可以提供更便宜的顯示器。圖13B顯示了一種電腦，其包括主體8101、框架8102、顯示部分8103、鍵盤
258104、外部連接端U 8105、指觸板8106等。在顯示部分8103中使用通過本發(fā)明形成的發(fā)光器件，來制造所述電腦。因?yàn)橥ㄟ^應(yīng)用本發(fā)明nj以改進(jìn)生產(chǎn)能力，顯不器制造中的牛產(chǎn)率可以被改進(jìn)。此外，因?yàn)榭梢越档惋@示器制造中的材料損耗，可以降低制造成本并可以提供更便宜的電腦。圖13CM示丫.'種攝像機(jī)，其包括主體8201、顯示部分8202、框架8203、外部連接端口 8204、遠(yuǎn)程控制接收部分8205、圖像接收部分8206、電池8207、音頻輸入部分 8208、操作鍵8209、目鏡部分8210等。在顯示部分8202中使用通過本發(fā)明形成的發(fā)光器件，來制造所述攝像機(jī)。因?yàn)橥ㄟ^應(yīng)用本發(fā)明可以改進(jìn)生產(chǎn)能力，顯示器制造屮的生產(chǎn)率可以被改進(jìn)。此外，因?yàn)榭梢越档惋@示器制造中的材料損耗，可以降低制造成本并 nj以提供更便宜的攝像機(jī)。圖丄3D顯示了-一種臺燈，其包括發(fā)光部分830丄、護(hù)罩83Q2、可調(diào)節(jié)臂8303、支架8304、底座8305和電源開關(guān)8306。將通過本發(fā)明形成的發(fā)光器件應(yīng)用在發(fā)光部分8301 中來制造所述臺燈。注意，燈在其范疇內(nèi)包括頂燈、壁燈等。因?yàn)橥ㄟ^應(yīng)用本發(fā)明可以改進(jìn)生產(chǎn)能力，發(fā)光器件制造巾的生產(chǎn)率可以被改進(jìn)。此外，岡為可以降低發(fā)光器件制造中的材料損耗，可以降低制造成本并可以提供更便宜的臺燈。圖13E顯示了一種手機(jī)，其包括主體84-01、外売薩、顯示部分84()3、音頻輸入部分8404、音頻輸出部分8405、操作鍵8406、外部連接端U 8407、天線8408等。將通過本發(fā)明形成的發(fā)光器件應(yīng)用在顯不部分M()3中來制造所述手機(jī)。因?yàn)橥ㄟ^應(yīng)用本發(fā) 明可以改進(jìn)牛產(chǎn)能力，顯示器制造中的牛產(chǎn)率可以被改進(jìn)。此外，因?yàn)榭梢越档惋@示器制造中的材料損耗，可以降低制造成本并可以提供更便宜的手機(jī)。圖14A至14C .顯示了結(jié)構(gòu)與圖13E中所示的結(jié)構(gòu)不M的手機(jī)的.'個實(shí)例。圖 14A是正視圖，圖14B是后視圖，和圖14C是展開視圖。圖1.4A至14C中的手機(jī)是所謂的智能手機(jī)，其既有手機(jī)功能又有便攜式信息終端的功能；包含-一個電腦，并除了語音通話外還進(jìn)行各種數(shù)據(jù)處理。圖14A至14C中所示的智能手機(jī)具W兩個外殼1001和1002。外殼1001包括
顯不部分ll()l、揚(yáng)聲器11()2、麥克風(fēng)11()3、操作鍵11()4、指觸設(shè)備11()5、相機(jī)鏡頭
丄丄06、外部連接端子ii07、耳機(jī)端子ii08等，而外殼i002包括鍵盤i20i、外部存儲卡
槽12()2、相機(jī)鏡頭12()3、燈12()4等。此外，天線嵌入到外殼l()()l中。此外，除上述結(jié)構(gòu)外，該智能手機(jī)可以結(jié)合有非接觸IC芯片、小尺寸記憶設(shè)備等。實(shí)施方式4中所示的發(fā)光器件可以被結(jié)合到顯示部分1101中，并且顯示取向可以根據(jù)應(yīng)用模式適當(dāng)?shù)馗淖?。由于在與顯示部分1101相同的平面屮提供了相機(jī)鏡頭 1106，該智能手機(jī)可用作視頻電話。此外，通過使用顯示部分1101作為取景器，可以用相機(jī)鏡頭1203和燈12(M獲取靜止圖像和活動圖像。揚(yáng)聲器1102和麥克風(fēng)1103 i寸用于視頻對話、記錄和播放聲音等，而不限于語音通話。使用操作鍵ii04，可以撥打和接聽電話、輸入電子郵件等的簡單信息、滾動屏幕、移動光標(biāo)等。此外，彼此疊置的外殼 1001和外克1002(圖14A)如圖14C中所示滑動以暴露出外売1002，并可用作便攜式信息終端。此時，使用鍵盤1201.和指觸設(shè)備1.105可以進(jìn)行順利的操作。外部連接端子11()7 可以連接到AC適配器和各種類型的電纜如USB電纜上，并可以充電和與個人電腦等進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。此外，通過將記錄介質(zhì)插入外部存儲卡槽1202中可以存儲和移動大量數(shù) 據(jù)。除上述功能外，該智能手機(jī)可以具有紅外通訊功能、電視接收機(jī)功能等。
本發(fā)明的應(yīng)用使得可以提卨生產(chǎn)能力，并因此可以改進(jìn)顯示器制造中的生產(chǎn) 率。此外，可以降低.顯示器制造中的材料損耗，并因此可以降低制造成本并可以提供更便宜的手機(jī)。以上述方式，通過應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光器件可以獲得電子設(shè)備或照明設(shè)備。本發(fā)明的發(fā)光器件的應(yīng)用范圍是如此寬，以至于該發(fā)光器件可用在各個領(lǐng)域屮的電子設(shè)備中。注意，此實(shí)施方式nj以與本說明書中所述的任何其它實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。
本申請基于2007年丄0月23日向日本^利局提交的日本^利申請序列號 2007-274900，其整個內(nèi)容通過弓|用并入本文。
2權(quán)利要求
一種沉積方法，該方法包括下列步驟制備至少具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的沉積靶基底，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域不彼此重疊；將第一區(qū)域和面積比沉積靶基底小的掩模對準(zhǔn)；在第一區(qū)域上沉積蒸發(fā)材料；將沉積靶基底的第二區(qū)域和掩模對準(zhǔn)；和在第二區(qū)域上沉積蒸發(fā)材料。
2. --種沉積方法，該方法包括下列歩驟制備具有多個區(qū)域的沉積靶基底的第一步驟，其中所述多個區(qū)域不彼此重疊；將所述多個區(qū)域中的--個區(qū)域與面積比沉積靶基底小的掩模對準(zhǔn)的第二步驟；在所述多個區(qū)域中的一個區(qū)域k沉積蒸發(fā)材料的第三步驟；將在其上面尚未形成蒸發(fā)材料的所述多個區(qū)域中的另-一區(qū)域與掩模對準(zhǔn)的第四步驟；禾口在所述多個區(qū)域中的另一K域上沉積蒸發(fā)材料的第五歩驟，其中第四步驟和第五步驟歪fi多次。
3. --種沉積方法，該方法包括下列歩驟將沉積靶基底和面積比沉積靶基底小的掩模對準(zhǔn)的第一歩驟；和從平面蒸發(fā)源上氣化蒸發(fā)材料并將1化的蒸發(fā)材料沉積在沉積靶基底的至少-,;分 k的第二步驟，其中第-一步驟和第二步驟重復(fù)多次。
4. 一種沉積力'法，該力'法包括下列步驟將沉積靶基底和面積比沉積靶基底小的掩模對準(zhǔn)的第- 一歩驟；用來自光源裝置的光照射支撐基底并通過使照射光被吸收在光吸收層中來加熱蒸發(fā) 材料的第二歩驟，其中在支撐基底上提供光吸收層，禾口其中在光吸收S上提供蒸發(fā)材料；氣化至少一部分蒸發(fā)材料并透過掩模的開口將氣化的蒸發(fā)材料沉積在沉積靶基底的至少--部分表面上的第三步驟；禾口移動沉積靶基底和掩模之一的第四歩驟，其中第- 一歩驟至第四歩驟重復(fù)多次。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4的沉積方法，其中在移動掩模時也移動光源裝置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4的沉積方法，其中光源裝置發(fā)出的光是紅外光。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4的沉積方法，其中光吸收層對光源裝置發(fā)出的光具有4()%或更卨' 的吸收度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4的沉積方法，其中光吸收層的厚度大于或等于2()0納米且小于或等于600納米。
9. 根據(jù)權(quán)利要求4的沉積力'法，其屮光吸收層包括氮化鉭、鈦和碳屮的任一種。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4的沉積方法，其中通過濕法在支撐基底上形成蒸發(fā)材料。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l的沉積方法，其中蒸發(fā)材料是有機(jī)化合物。
12. 制造發(fā)光器件的方法，該方法包括下列歩驟在沉積耙基底上形成第一電極；使用權(quán)利要求i中所述的沉積方法在第--電極上形成含有蒸發(fā)材料的層；和在該層上形成第二電極。
13. 根據(jù)權(quán)利耍求12的制造發(fā)光器件的方法，其中蒸發(fā)材料是發(fā)光材料和載流子傳輸材料之一。
14. 根據(jù)權(quán)利要求2的沉積方法，其中蒸發(fā)材料是有機(jī)化合物。
15. 制造發(fā)光器件的方法，該方法包括F列步驟在沉積靶基底上形成第一電極；使用權(quán)利要求2中所述的沉積方法在第一電極上形成含有蒸發(fā)材料的層；禾口在該層上形成第一電極。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15的制造發(fā)光器件的方法，其中蒸發(fā)材料是發(fā)光材料和載流子傳輸材料之-、
17. 根據(jù)權(quán)利要求3的沉積方法，其中蒸發(fā)材料是有機(jī)化合物。
18. 制造發(fā)光器件的方法，該方法包括下列步驟在沉積耙某底上形成第一電極；使用權(quán)利要求3中所述的沉積方法在第-一電極上形成含丫]蒸發(fā)材料的層；禾U 在該層上形成第二電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求丄8的制造發(fā)光器件的方法，其中蒸發(fā)材料是發(fā)光材料和載流子傳輸材料之一。
20. 根據(jù)權(quán)利耍求4的沉積方法，其中蒸發(fā)材料是有機(jī)化合物。
21. 制造發(fā)光器件的方法，該方法包括下列步驟在沉積靶基底上形成第- -電極；使用權(quán)利要求4屮所述的沉積方法在第一電極上形成含有蒸發(fā)材料的S ;禾口在該層上形成第二電極。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21的制造發(fā)光器件的方法，其中蒸發(fā)材料是發(fā)光材料和載流了傳輸材料之--。
全文摘要
一個目的是提供一種沉積方法，通過該方法可以以高生產(chǎn)率形成具有所需形狀的薄膜。而且，提供了一種制造發(fā)光器件的方法，通過該方法可以以高生產(chǎn)率制造具有高清晰度的發(fā)光器件。具體而言，提供了制造甚至在使用大尺寸基底的情況下也具有高清晰度的發(fā)光器件的方法。通過使用沉積靶基底和面積比沉積靶基底小的遮光板，將沉積靶基底和遮光板彼此對準(zhǔn)，并通過多個沉積步驟將蒸發(fā)材料沉積在沉積靶基底的至少一部分上。作為蒸發(fā)源，優(yōu)選使用具有蒸發(fā)材料的光吸收層和支撐基底。
文檔編號H01L51/56GK101691652SQ200810171398
公開日2010年4月7日申請日期2008年10月23日優(yōu)先權(quán)日2007年10月23日
發(fā)明者山崎舜平, 平形吉晴申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所

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