專利名稱：對準標記及其半導體芯片和封裝以及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種具有改進的識別率的對準標記、包括該對準標記的半導體芯 片、包括該半導體芯片的半導體封裝以及制造該對準標記、該半導體芯片和該半導 體封裝的方法。
背景技術：
一般地，半^^封録過將半導體芯片敘e^布線襯底上來制造。為了使布線 襯底的鍵合焊盤和半導體芯片的端子焊盤對準，對準標"i^半導體芯片中形成。如 ^十準標記形成得模糊以致具有低的識別率，鍵合焊盤和端子焊盤可能沒有被對 準，從而可能沒有良好的電連接。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供了 一種具有較高識別率的對準標記、包括該對準標記的半導體芯 片、包^i亥半導體芯片的半"f^封裝以及制造該對準標記、該半#芯片和該半導 體封裝的方法。
示例性實施例可以包括一種對準標記，該對準標記包括對準金屬焊盤、保護膜 和/或至少一卩分對準金屬凸塊。對準金屬焊盤可以在襯底上。對準金屬焊盤可以被 電隔離。對準標記可以包4封呆護膜，該保護膜包括暴露出對準金屬焊盤的一P分的 第一開口。對準標i誠可以包括暴露于第一開口中的對準金屬焊盤上并突出到保護
膜之上的對準金屬凸塊。對準金屬凸塊可以用于將該襯底對準到外部襯底。
根據至少一些示例性實施例，對準金屬凸塊可以延伸到保護膜之上。籽晶金屬
層(seed metal layer)可以知于準金屬焊盤和對準金屬凸塊之間。
示例性實施例可以包括一種含有對準標記的半導體芯片。襯^ji可以包括對準
標記區(qū)和端子焊盤區(qū)。
根據至少一些示例性實施例，半*芯片可以包括對準標記區(qū)上的對準金屬焊
盤和端子焊盤區(qū)上的芯片金屬焊盤。根據至少一些示例性實施例，保護膜可以包括
第 一開口和對準金屬凸塊以A^露出芯片金屬焊盤的一p分的第二開口 。
根據至少一些示例性實施例，芯片金屬凸塊可以在暴露于第二開口中的芯片金 屬焊盤上。芯片金屬凸塊可以突出到保護膜之上。
示例性實施例可以包括一種含有半導本芯片的半"IM^封裝。至少一些示例性實 施例可以提供包括用于裝配該半導體芯片的鍵合焊盤的布線襯底。鍵合焊盤和芯片 金屬焊盤可以彼此電連接。
根據至少一些示例性實施例，半*封^￡可以包括顯示單元，該顯示單元與 鍵合焊盤電連接并在布線襯^Ji。
示例性實施例可以包括一種制it^于準標記的方法，該方法包括在襯底上提供對 準金屬焊盤以及提供包括暴露出對準金屬焊盤的-"^分的第一開口的保護膜。對準
金屬凸塊可以M露于第一開口中的對準金屬焊盤上形成并突出到保護膜之上。
示例性實施例可以包括一種制造半*芯片的方法。該方法可以包括制it^f準 標記。襯底可以制it^準標記區(qū)和端子焊盤區(qū)。根據至少一些示例性實施例，對準 金屬焊盤和對準金屬凸塊可以^于準標記區(qū)中形成，芯片金屬焊盤可以在端子焊盤 區(qū)中形成。示例性實施例還可以提供在保護膜中形成暴露芯片金屬焊盤的-"^分的 第二開口。
至少一些示例性實施例可以提供一種在形成對準金屬凸塊的同時形成芯片金 屬凸塊的方法，該芯片金屬凸塊在第二開口中暴露的芯片金屬焊盤上并突出到保護 膜之上。
至少一些示例性實施例可以，在形力于準金屬凸塊和芯片金屬凸塊之前，提供 一種在暴露于第一開口中的對準金屬焊盤上和在暴露于第二開口中的芯片金屬焊 盤上形成津予晶^r屬層的方法。
根據示例性實施例，對準金屬凸塊和芯片金屬凸塊可以采用電鍍形成。對準金 屬凸塊可以被形成以延伸到保護膜上。
示例性實施例可以包括一種制造半^^封裝的方法。該方法可以包括形成半導 體芯片。該方法還可以包括提供用于裝配半*芯片的布線村底和鍵合焊盤。根據 至少一些示例性實施例，該方法可以包括采用對準金屬凸塊作為對準標"^奪半導體 芯片對準到布線襯底。該方法還可以包括#1建合焊盤和芯片^4焊盤電連接。
才艮據示例性實施例，布線襯底可以包括電連接到鍵合焊盤的顯示單元。
根據至少一些示例性實施例，半#芯片還可以包4射殳置^露于第二開口中 的芯片4r屬焊盤上并突出到保護膜上的芯片^屬凸塊。該半導本芯片可以被對〉1^人 而布線襯底上的芯片金屬凸塊面對鍵合焊盤。4建合焊盤和芯片ir屬焊盤可以通過芯 片^4凸塊4皮此電i^4矣。
示例性實施例的上述和其它特征和優(yōu)勢將通&于附圖的詳細描述變得更加明 顯，在附圖中
圖1是根據示例性實施例的半科芯片的示例性頂視圖2A到2D是示例性截面圖，用于描述根據示例性實施例的一種形^于準標
圖3是示例'f生橫截面圖，用于描述根據示例性實施例的一種形成對準標記的方 法，其沿圖1的線I - I和II - II得到；
圖4A和4B是示例性頂視圖，用于描述根據示例性實施例的一種制造半科 封裝的方法；以及
圖5A是沿圖4A的線III - III和IV _ IV得到的示例'對黃截面圖，圖5B是沿圖 4B的線III _ m和iv - IV得到的示斜f封黃截面圖。
具體實施例方式
S^參照附圖對各種示例性實施例進行更全面的描述。然而，為了描述示例性 實施例，在:tb^開的特定結構和功能細節(jié)僅僅是^^性的，il本領域技術人員將能
理解，示例性實施例可以以多種可選的形式實施，而不應^^釋為僅限于此處所述
的示例性實施例。
應當理解，雖然這里可使用術語第一、第二等描述各種元件，^ail些元件不 應被這些術語所P艮制。這些術i封又用于H個元件與另一個元件區(qū)別開。例如，第 一元件可以稱為第二元件，類似地，第二元件可以稱為第一元件，而不背離示例性 實施例的范圍。如此處所使用的，術語"和/或"包括一個或多個所列相關項目的^i可 頭有組合。
可以理解，當稱一個元件"連接到，，或"^^到"另一個元件時，其可以直接連接 到或^^到另一個元件或者可以存在插入的元件。相反，當稱一個元件"直接連接 到"或"直接4給到"另一個元件時，不存在插7viL件。其它用于描述于元件之間的關 系的詞語應以相同的方式進行理解(例如"在…之間"相對于"直接在…之間"，"相 鄰湘對于"直接;W目鄰"等)。
這里所用的術語僅僅是為了描述示例性實施例，并非要限制示例性實施 例。如此處所用的，除非上下文另有明確表述，否則單數形式"一(a)"、"一(an)"和"該(the)"均同時旨在包括復數形式。需要進一步理解的是，術 語"包括(comprises和/或comprising )，，或"包括(includes和/或including )，，， 當在此使用時，指定了所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在， 但并不排除一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組 合的存在或增加。
除非另行定義，此處使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)都具
<formula>formula see original document page 8</formula>
理解的是，諸如通用詞典中所定義的術語，除非此處加以明確定義，否則應 當被解釋為具有與它們在相關領域的語境中的含義相一致的含義，而不應被 解釋為理想化的或過度形式化的意義。
下面參照附圖對示例性實施例進^^笛述，提供示例性實施例是為了使^MHf透 徹和完整，并將示例性實施例充分傳i^合本領域技術人員。在附圖中，相同的附圖 標記始終指^4目同的元件。而且，為了清^^L，放大了附圖中層和區(qū)域的厚度。
參照圖1，半奪本芯片100可以包括一個主電路區(qū)C。示例性實施例中半# 芯片100是^^諸器半導體芯片，主電路區(qū)C可以是^f諸器單元陣列區(qū)，或者可i4i也， 在示例性實施例中半導沐芯片IOO是非務賭器半導體芯片，主電路區(qū)c可以是運算
電路區(qū)。在半*芯片100 AJ:示驅動IC的示例性實施例中，半#芯片100是
非^H渚器半導體芯片的類型，作為主電路區(qū)c的運算電路區(qū)可以包括圖形控制器、
時序控制器、電平移位器、公用電壓發(fā)生器、數字驅動器和/或柵驅動器等。
端子焊盤TP可以位于主電路區(qū)C的夕卜部。端子焊盤IP可以向主電路區(qū)C輸 入電信號并/Ai電路區(qū)C輸出電信號，對準標記AK可以將端子焊盤TP對準到布 線襯底的鍵合焊盤上。對準標記AK可以設置在半"^芯片100的頂部、底部、左 側、右側和/或角落處。但是，主電路區(qū)C、端子焊盤TP和對準標記AK的位置不 限于此。
圖2D是根據示例性實施例示出沿圖1的線I - I和II - II得到的對準標記AK
參照圖1和2D,對準金屬焊盤14a可以布置在襯底10的對準標記區(qū)上并且芯 片金屬焊盤14b可以布置在襯底10的端子焊盤區(qū)上。對準金屬焊盤14a和芯片金 屬焊盤14b可以在絕纟勤莫12上形成，它們也可以在村底10上形成。對準金屬焊盤 14a和芯片^4焊盤14b可以由相同的金屬膜形成，例如Al膜或者Cu膜。
在芯片金屬焊盤14b可以被電連接到主電路區(qū)C的同時，對準金屬焊盤14a可
以被電隔離。例如，芯片金屬焊盤14b可以連接到插塞電極13，該插塞電極13電 連接到主電路區(qū)C ^H殳置在絕》勤莫12中。
保護膜15包括暴露出對準金屬焊盤14a的""4p分的第一開口 15a和暴露出芯片 金屬焊盤14b的一部分的第二開口 15b，該保護膜15可以設置^ 于準金屬焊盤14a 和芯片^4焊盤14b上。保護膜15可以是氮^^圭膜、氧^^M、氮氧^5圭或其多 層。有機聚合物層(未示出)也可以設置在保護層15上。
對準金屬凸塊18a可以提供^露于第一開口 15a中的對準金屬焊盤14a上。 對準金屬凸塊18a可以突出到保護膜15U并可以用作對準標記AK。例如，對準 金屬凸塊18a的從保護膜15突出的部分用作對準標記AK。在示例性實施例中，對 準金屬凸塊18a的相對高的M率可以增大對準金屬凸塊18a和保護膜15之間的對 比度，從而當^^)對準設備時改善對準標記AK的識別率。tl^卜，由于其相對高的 反射率，即使當對準金屬凸塊18a的厚度改變時，對準金屬凸塊18a能夠實l^惑定 的對比度。
芯片金屬凸塊18b可以設置^露于第二開口中的芯片金屬焊盤14b上。芯片 金屬凸塊18b可以突出到保護膜15之上。對準^r屬凸塊18a和芯片金屬凸塊18b 可以是相同的金屬膜，例如A1膜、Ni膜、Pd膜、Ag膜、Au膜或者其多層。而且， 對準金屬凸塊18a和芯片金屬凸塊18b可以具有相同的高度。
籽晶金屬層17可以布置&于準金屬凸塊18a和對準金屬焊盤14a之間以及芯片 金屬凸塊18b和芯片^^焊盤14b之間。在采用電4i形^^準金屬凸塊18a的示例 性實施例中，籽晶金屬層17可以用作籽晶層，其可以是Cu、 Ni、 NiV、 TiW、 Au、 Al或者其多金屬層。籽晶金屬粘附層16可以插4籽晶金屬層17和對準金屬焊盤 14a之間以及籽晶金屬層17和芯片金屬焊盤14b之間。籽晶金屬粘附層16可以提 高對準金屬焊盤14a和芯片焊盤14b與籽晶金屬層17之間的粘附力。籽晶金屬粘 附層16可以由Ti、 TiN、 Cr、 Al、 Ni、 Pd或其多金屬層形成。然而，在不M用 電鍍形^^"準^屬凸塊18a和芯片金屬凸塊18b的示例性實施例中，可以省去形成 籽晶金屬層17和籽晶金屬粘附層16。即使在此示例性實施例中，對準金屬凸塊18a 和對準金屬焊盤14a都是金屬，因此它們之間的粘附力較強，從而在半*芯片100 的運輸和/或封裝期間對準^4凸塊18a不會從襯底10 Ji^離。如果形^i予晶金屬 層17和^子晶^r屬粘附層16,那么對準金屬凸塊18a和對準金屬焊盤14a之間的粘 附力可以進一步增強。
對準金屬凸塊18a上部寬度W—18a可以等于或大于第一開口 15a的寬度 W_15a。在示例性實施例中，對準金屬凸塊18a上部MW—18a可以大于第一開口
15a的MW—15a。在此示例性實施例中，對準金屬凸塊18a可以在保護膜15 _hJ4 伸。因此，對準金屬凸塊18a可以布置在保護膜15上，并可以由j)^^于準金屬凸 塊18a的所有側壁處穩(wěn)定地實J，于準金屬凸塊18a和保護膜15之間的對比度。
圖2A到2D是橫截面圖，用于描述根據示例性實施例的一種形彭十準標記AK 的方法，其根據工藝的每個階段沿圖1的線I - I和II - II得到。
參照圖2A，半^#底10可以包括對準標記區(qū)和端子焊盤區(qū)。絕纟嫌12可 以在半"^H"底10上形成。電連接到圖1的主電路區(qū)C的插塞電極13可以在絕緣 膜12中形成。第一金屬膜在M^勤莫12上形成，第一金屬膜可以被圖案化以分別在 對準標記區(qū)和端子焊盤區(qū)上形^M于準金屬焊盤14a和連接到插塞電極13的芯片金 屬焊盤14b。第一金屬膜可以是Al膜或Cu膜。
保護膜15可以^十準金屬焊盤14a和芯片金屬焊盤14b上形成。有機聚^4勿 層(未示出)可以進一步在保護膜15上形成。保護膜15 ^^亥有機聚^^勿層可以被 圖案化以形il^露出對準金屬焊盤14a的一p分的第一開口 15a和暴露出芯片金屬 焊盤14b的一部分的第二開口 15b。
參照圖2B，籽晶金屬層17可以在保護膜15上形成；對準金屬焊盤14a和芯片 金屬焊盤14b可以分別暴露于第一開口 15a和第二開口 15b中。在形成籽晶金屬層 17之前，籽晶金屬粘附層16可以在保護膜15上形成。籽晶金屬粘附層16和籽晶 金屬層17可以采用賊射依次形成。
掩模圖案20可以在籽晶金屬層17上形成。掩模圖案20可以包括第三開口 20a 和第四開口 20b,其分別暴露出形成于第一開口 15a和第二開口 15b中的籽晶金屬 層17。第三開口 20a和第四開口 20b可以被形^/人而具有至少與第一開口 15a和第 二開口 15b相同的H但也可以被形^/人而具有比第一開口 15a和第二開口 15b 的寬度更大的t^。從而，籽晶金屬層17可以在與第一開口 15a和第二開口 15b 相鄰的保護膜15上形成，并在第三開口 20a和第四開口 20b中暴露出來。掩模圖 案20可以是^l丈抗蝕劑圖案。
參照圖2C,第二金屬膜可以在暴露于第三開口 20a和第四開口 20b中的籽晶金 屬層17上形成。從而，對準金屬凸塊18a和芯片金屬凸塊18b可以分別知t準金 屬焊盤14a和芯片金屬焊盤14b上形成。在第三開口 20a的^形成得比第一開口 15a的寬度更大的示例性實施例中，對準金屬凸塊18a的上部M W—18a可以大于 第一開口的M W—15a，對準金屬凸塊18a可以延伸到保護膜15上。
第二金屬膜可以采用電4^法形成。在示例性實施例中，籽晶金屬層17可以 作為用于引晶(seeding)或電鍍的引線(leadingwire)。然而，在第二金屬膜采用
電鍍以外的方法，例如無電鍍、金屬膜;;;Ci口、和蝕刻或者印刷形成的示例性實施例中， 可以省去形成籽晶金屬層17和籽晶金屬粘附層16。在這種情況下，對準金屬凸塊 18b和對準金屬焊盤14a可以如此形成從而彼J:bl妾觸，對準金屬凸塊18b和對準金 屬焊盤14b可以如此形^/人而彼》W妻觸。
參照圖2D,掩模圖案20可以被去除從而暴露出籽晶金屬層17。采用凸塊18a 和18b作為掩模，暴露出的籽晶金屬層17和籽晶金屬粘附層16可以被蝕刻。從而 形成端子焊盤TP,其中芯片金屬焊盤14b、籽晶金屬粘附層16、籽晶金屬層17和 芯片金屬凸塊18a可以依次堆疊在端子焊盤區(qū)上。而且，對準金屬凸塊18a的從保 護膜15突出的部分可以用作對準標記AK。
圖3是示例'l^f黃截面圖，用于描述根據示例性實施例的一種形力于準標記AK 的方法，其沿圖1的線I - I和II - n得到。
參照圖3，采用與參照圖2A所述的相同的方法，保護膜15、絕*維12、插塞 電極13、對準金屬焊盤14a、芯片金屬焊盤14b、和第一開口 15a以A^二開口 15b 可以在包括對準標記區(qū)和端子焊盤區(qū)的半"!^M十底10上形成。
對準金屬凸塊18a可以在暴露于第一開口 15a中的對準金屬焊盤14a上形成。 對準金屬凸塊18a可以采用電鍍、無電鍍、金屬膜^^只和蝕刻或印刷形成。芯片金 屬焊盤14b可以直接暴露在第二開口 15b中。暴露在第二開口 15b中的芯片金屬焊 盤14b可以用作端子焊盤1P,對準金屬凸塊18a的從保護膜l5突出的部^^可以用 作對準標記AK。
圖4A和4B是頂視圖，用于描述根據示例性實施例的一種制造半"^^封裝的 方法。圖5A是沿圖4A的線III - m和IV - IV得到的示例性截面圖，圖5B是沿圖
4B的線in - ni和iv - iv得到的示例性截面圖。
參照圖4A和5A,布線襯底200可以包4輛建"^焊盤210。布線襯底200可以包 括電連接到鍵合焊盤210的顯示單元D。在示例性實施例中，布線襯底200可以是 能夠透光的玻璃襯底。顯示單元D可以包括顯示圖像的像素陣列部分P。顯示單元 D可以是液晶顯示裝置。在這種情況下，液晶顯示裝置可以插4布線襯底200和 設置在該布線襯底200上的上部襯底201之間。
鍵合焊盤210可以是透光電極，例如，4辭易氧化物(ITO)。表面絕^l莫220可 以在鍵合焊盤210上形成，該表面絕全維220包括暴露出鍵合焊盤210的"~#分的 凹槽220a。
參照圖4B和5B,采用對準金屬凸塊18a作為對準標記AK，半#芯片100 可以#^于準到布線村底200上。例如，對準金屬凸塊"a的從保護膜l5突出的部
分可以用作對準標記AK。半導體芯片100的端子焊盤TP可以^^"準到鍵合焊盤 210上。在示例性實施例中，當使用對準設備時，對準金屬凸塊18a和保護膜15之 間較大的對比度可以增大對準標記AK的識別率，由此可以有效地減小對準誤差。
半導體芯片100可以是參照圖2D描述的半導體芯片。在示例性實施例中，半 導體芯片100可以被設置并對準到布線襯底200上，/人而半導體芯片IOO的端子焊 盤TP，更M地芯片金屬凸塊18b，面對4建合焊盤210?？梢栽诎雽w芯片100上 口壓力以將芯片金屬凸塊18b連接到鍵合焊盤210上。從而鍵合焊盤210和芯片 金屬焊盤14b可以通過芯片金屬凸塊18b電連接。
可i4i也，在半，芯片100是參照圖3所述的半#芯片的示例性實施例中， 暴露于開口 15b中的芯片金屬焊盤14b， ^UU:端子焊盤TP，可以采用^r屬導線(未 示出)電連4妻到4建合焊盤210。
根據上述示例性實施例，來自于對準金屬凸塊的較大程度的^Jt可以增強對準 金屬凸塊和保護膜之間的對比度，從而提高在^JI]對準設備時對準標記的識別率。
根據示例性實施例，通過由金屬形力于準金屬凸塊和對準金屬焊盤，其間的粘 附力可以被增強。因此，^:41^口/或半*芯片的封裝工藝期間，對準^r屬凸塊不 會從襯;W離。
才艮據示例性實施例，通過形絲保護膜^tJ^伸的對準金屬凸塊，對準金屬凸 塊的側壁可以位于保護膜上，由此可以^于準金屬凸塊的所有側壁處實JJ^f準金屬 凸塊與保護膜之間的對比度。
根據示例性實施例，通過同時形成芯片金屬凸塊和對準金屬凸塊，對準金屬凸 塊可以祐:形成而不需襲-額外的工藝。
盡管已經^^地示出和描述了示例性實施例，但是本領域技^A員應當理解， 可以作出形式和細節(jié)上的各種變化而不背離由下面的權利要求書所限定的精神和 范圍。
本申請要求于2007年5月14日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第 10-2007-0046768號的一XJl，其^P內容引入于此作為參考。
權利要求
1.一種對準標記，包括對準金屬焊盤，其在襯底上并被電隔離；保護膜，其包括暴露出所述對準金屬焊盤的一部分的第一開口；以及對準金屬凸塊，其在暴露于所述第一開口中的所述對準金屬焊盤上并突出到所述保護膜之上。
2. 如權利要求1所述的對準標記，其中所必于準金屬凸塊延伸到所述保護膜上。
3. 如權利要求1所述的對準標記，還包括 所述對準金屬焊盤和所述對準金屬凸塊之間的籽晶金屬層。
4. 一種半導本芯片，包括權利要求1的所ii^"準標記，其中所述襯底包括對準標記區(qū)和端子焊盤區(qū)； 所必于準標記區(qū)上的所^ 十準金屬焊盤和所述端子焊盤區(qū)上的芯片金屬焊盤； 保護膜，包括所述第一開口和所i^于準金屬凸塊以^^露出所述芯片金屬焊盤 的一部分的第二開口。
5. 如權利要求4所述的半*芯片，還包拾芯片金屬凸塊，其M露于所述第二開口中的所述芯片金屬焊盤上并突出到所 述保護膜之上。
6. 如權利要求4所述的半導體芯片，其中所述對準金屬凸塊延伸到所述保護膜的"P分上。
7. 如權利要求4所述的半導體芯片，還包括所述對準金屬焊盤和所必十準金屬凸塊之間的籽晶金屬層。
8. —種半科封裝，包括 權利要求4的所述半#芯片；布線襯底，其包括用于裝配所述半導本芯片的鍵合焊盤，其中所述對準金屬凸 塊將所述半*芯片對準到所述布線襯底。
9. 如權利要求8所述的半"!M^封裝，還包括 顯示單元，其與所述4建合焊盤電連4妾并在所述布線襯底上。
10. 如權利要求8所述的半"f"^封裝，其中所述半*芯片還包括 芯片^r屬凸塊，其^^露于所述第二開口中的所述芯片金屬焊盤上并突出到所述保護膜之上；且所述芯片金屬凸塊在所述4建"^焊盤和所述芯片金屬焊盤之間。
11. 如權利要求8所述的半"f"^封裝，其中所述對準^r屬凸塊J^伸到所述保護 膜的"卩分上。
12. 如權利要求8所述的半^^封裝，還包括 所必于準金屬焊盤和所必十準金屬凸塊之間的籽晶金屬層。
13. —種制ii^j"準標記的方法，該方法包4舌 在襯底上提供對準金屬焊盤；提^H呆護膜，該保護膜包括暴露出所必十準金屬焊盤的-"^分的第一開口；以及提供對準金屬凸塊，該對準金屬凸塊M露于所述第一開口中的所ii^十準金屬 焊盤上并突出到所述保護膜之上。
14. 一種制造半導體芯片的方法，該方法包4舌根據權利要求13的所述方法制it^斤i^t準標記，其中所述襯底包括對準標記 區(qū)和端子焊盤區(qū)，所述對準金屬焊盤和所述對準金屬凸塊在所述對準標記區(qū)中形 成，芯片金屬焊盤在所述端子焊盤區(qū)上形成；和在所述保護膜中形g露出所述芯片金屬焊盤的一P分的第二開口 。
15. 如權利要求14所述的方法，還包括在形成所必于準金屬凸塊的同時，在暴露于所述第二開口中的所述芯片金屬焊 盤上形成突出到所述保護膜^Ji的芯片金屬凸塊。
16. 如權利要求15所述的方法，還包括在形成所必于準金屬凸塊和所述芯片金屬凸塊之前，在暴露于所述第一開口中 的所述對準金屬焊盤上和在暴露于所述第二開口中的所述芯片金屬焊盤上形成籽 晶金屬層。
17. 如權利要求16所述的方法，其中所ii^"準金屬凸塊和所述芯片金屬凸塊采 用電4^形成。
18. 如權利要求14所述的方法，其中所必于準金屬凸塊被形成以延伸到所述保 護膜上。
19. 一種制造半導體封裝的方法，該方法包4舌 根據權利要求14所述的方法制it/斤ii半^^芯片； 提供用于裝配所述半導體芯片的布線襯底和鍵合焊盤；采用所ii^j"準金屬凸塊將所述半導體芯片對準到所述布線襯底；以及 電連4妄所述4建^^焊盤和所述芯片^4焊盤。
20. 如權利要求19所述的方法，其中所述布線襯底包括電連接到所述鍵合焊盤 的顯示單元。
21. 如權利要求19所述的方法，其中所述半導體芯片還包拾芯片4，屬凸塊，其設置M露于所述第二開口中的所述芯片金屬焊盤上并突出到所述保護膜^Ji;所述半導體芯片被對準從而所述布線襯底上的所述芯片金屬凸塊面對所述鍵 合彈盤；以及所ii4建合焊盤和所述芯片^r屬焊盤通it^斤述芯片金屬凸塊彼此電連接。
22. 如權利要求19所述的方法，其中所述對準金屬凸塊延伸到所述保護膜上。
23. 如權利要求19所述的方法，其中所述半*芯片還包括 籽晶金屬層，其布置在所必于準金屬焊盤和所i^于準金屬凸塊之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了對準標記及其半導體芯片和封裝以及其制造方法。該對準標記可以包括襯底上的對準金屬焊盤并被電隔離。保護膜可以在對準金屬焊盤上并可以包括暴露出對準金屬焊盤的一部分的開口。對準金屬凸塊可以在暴露于開口中的對準金屬焊盤上，從而對準金屬凸塊突出到保護膜之上。
文檔編號H01L21/60GK101369572SQ20081017143
公開日2009年2月18日 申請日期2008年5月14日 優(yōu)先權日2007年5月14日
發(fā)明者南定洙, 樸容福, 李仁正, 金升俊, 金成宰 申請人:三星電子株式會社