陣列基板和具有陣列基板的顯示面板的制作方法

文檔序號：6901504閱讀：90來源：國知局

專利名稱：陣列基板和具有陣列基板的顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板和具有該陣列基板的顯示面;fel。更特別地，本
背景技術：
通常，液晶顯示面板包括陣列基板、對向基板和液晶層。陣列基板包括用于驅動多個像素區(qū)域每個的多個開關元件例如薄膜晶體管(TFT )、及電連接到薄膜晶體管的多個像素電極。對向基板面向陣列基板且包括多個彩色濾光片(color filter )。液晶層設置在陣列基板和對向基板之間。
液晶層包括具有光和電性質的液晶分子，例如各向異性折射率和各向異性介電常數(shù)。當數(shù)據(jù)電壓施加到陣列基板的像素電極時，在像素電極和對向基板的公共電極之間產(chǎn)生電場，從而改變液晶層中液晶分子的取向。當液晶分子的取向被改變時，液晶層的光透射率發(fā)生改變。液晶的這種性質可用來顯示圖像。為了增加LCD面板的視角，發(fā)展了圖案化垂直配向(patterned vertical alignment, PVA )模式的LCD裝置，其具有形成在像素電極中的開口圖案。近來，像素電極被劃分為兩個子電極(sub-electrode)以實現(xiàn)PVA 模式LCD裝置，從而不同的電壓可分別施加到兩個子電極。為了施加不同的電壓到子電極，可^f吏用兩個不同的TFT或一個TFT和一個升壓電容 (voltage up capacitor )。
在具有包括多個子電極的像素電極的陣列基板中，在子電極彼此間隔開的區(qū)域中開口率下降。為了增大開口率，連接到存儲線的金屬圖案形成在間隔區(qū)域中。
但是，靠近金屬圖案的液晶分子是傾斜的。特別地，當金屬圖案相對于像素區(qū)域的柵極線沿傾斜方向形成時，液晶分子布置于金屬圖案中從而液晶分子的方向相對于偏振軸(polarizing axis )被扭曲。因此，從液晶面板下邵提供的背光通過間隔區(qū)域泄漏，由此產(chǎn)生光泄漏。光泄漏會降低LCD面板的顯示質量。

發(fā)明內容
本發(fā)明一示例性實施例提供一種陣列基板，其通過最小化光泄漏而提高了顯示質量。
本發(fā)明的示例性實施例還提供一種顯示面板，其具有上述陣列基板示例性實施例。
在本發(fā)明一示例性實施例中，陣列基板包括柵極線、交叉該柵極線的數(shù)據(jù)線、電連接至該柵極線和數(shù)據(jù)線的第一開關元件、電連接至第一開關元件并包括開口圖案的像素電極、以及與該開口圖案對應地設置的光阻擋布線。該光阻擋布線包括凹凸圖案。
在一示例性實施例中，當從平面圖觀察時，該開口圖案和該光阻擋布線可相對于所述柵極線沿對角線方向設置。
在一示例性實施例中，該開口圖案的形狀可基本等于該光阻擋布線的形狀。
在一示例性實施例中，當從平面圖觀察時，該凹凸圖案可設置在該光阻擋布線的第一邊緣部分和該光阻擋布線的與該第一邊緣部分基本相對的第二邊緣部分中的至少一個上。
在一示例性實施例中，該陣列基板還可包括設置得像素電極交疊其至少一部分的儲存線，該儲存線電連接至該光阻擋布線。
在本發(fā)明另一示例性實施例中，陣列基板包括設置在基底上的第一和第二柵極線、基本垂直于該第一和第二柵極線設置的數(shù)據(jù)線、包括第一子電極和通過相對于該第一和第二柵極線沿對角方向形成的開口圖案與該第一子電極間隔開的第二子電極的像素電極、被第一和第二子電極交疊的儲存線 (其中部分儲存線可設置得基本平行于第一和第二柵極線以及數(shù)據(jù)線之
一)、對應于該開口圖案設置的光阻擋布線(其中該光阻擋布線可電連接至該儲存線)、包括凹凸圖案的凹凸布線、電連接至第一柵極線和數(shù)據(jù)線的雙開關單元(其包括接觸第二子電極的第一漏電極)、以及電連接至第二柵極線和數(shù)據(jù)線的開關元件(其包括接觸第二子電極的源電極和第三漏電極，該第三漏電極交疊該第一子電極)。
在本發(fā)明又一示例性實施例中，顯示面板包括陣列基板，包括電連接至設在基底上的柵極線和設在該基底上的數(shù)據(jù)線的開關元件、電連接至該開
6關元件的像素電極(該像素電極具有相對于該柵極線沿對角線形成于其上的第一開口圖案)、以及對應于該開口圖案設置的光阻擋布線(其包括凹凸圖
案，該凹凸圖案具有彼此成一角度設置的第一傾斜部分和第二傾斜部分)；
以及基本對立于該陣列基板設置的對向基板，該對向基板包括其上形成有第二開口圖案的公共電極，其中該第二開口圖案與該第一開口圖案定義液晶疇
域(domain )。
在一示例性實施例中，該第一傾斜部分和該第二傾斜部分之間的角度可以是約60度到約120度。
在一示例性實施例中，該顯示面板還可包括附到該陣列基板的第一偏振板以及附到該對向基板的第二偏振板，該第一偏振板具有第一偏振軸且該第二偏振板具有基本垂直于該第一偏振軸的第二偏振軸，其中該第一傾斜部分相對于該第一偏振軸以大約0度到大約45度角設置，該第二傾斜部分相對于該第二偏振軸以大約0度到大約45度角設置。
根據(jù)陣列基板的示例性實施例和具有該陣列基板示例性實施例的顯示面板的示例性實施例，光阻擋布線對應于開口圖案設置，由此沿偏振軸方向排列液晶分子。因此，光泄漏被最小化，顯示面板的對比度增加，從而顯示質量可被提高。

通過結合附圖參考下面的詳細描述，本發(fā)明的以上和其他優(yōu)點會變得顯然，附圖中
圖l是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的示例性實施例；圖2是放大平面圖，示出圖1的光阻擋布線的示例性實施例；圖3是放大平面圖，示出圖2的光阻擋布線示例性實施例與像素電極示例性實施例之間的位置；
圖4至圖9是放大平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線的示例性實施
例；
圖io是沿圖i的線i-r和線n-ir的橫截面圖IIA和圖15是平面圖，示出制造圖l和圖IO所示的陣列基板示例性實施例的方法示例性實施例；
圖IIB、圖12、圖13和圖14是橫截面圖，示出圖IO的陣列基板的示例性實施例；
圖16是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一示例性實施例。
具體實施例方式
下面將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式體現(xiàn)，且不應解釋為局限于這里闡述的實施例。而是，提供這些實施例以使本^^開徹底和完整，且向本領域技術人員充分傳達本發(fā)明的范圍。相似的附圖標記始終表示相似的元件。
應理解，當一元件被稱為在另一元件或層"上，，時，它可以直接在另一元件上，或者其間可存在居間元件。相反，當一元件被稱為"直接在"另一元件"上"時，則沒有居間元件存在。這里使用時，術語"和/或，，包括相關所列項的一個或更多的任意和全部組合。
將理解，盡管術語第一、第二、第三等可在這里用來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部件不應被這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面描述的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分亦可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分而不偏離本發(fā) 明的教導。
空間相關術語例如"下面"、"下方"、"下"、"上方"、"上"等可在這里用來簡單描述圖中所示的一個元件或特征相對于另一元件(或多個元件)或特征(或多個特征)的關系。將理解，空間相關術語意在涵蓋除了圖示取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果圖中的器件被倒置，則描
因此，示范性術語"下方，，可涵蓋上方和下方兩種取向。器件可另外地取向
(旋轉90度或在其它取向)，相應地理解這里使用的空間相關描述語。
這里使用的術語僅用于描述特定實施例，而無意限制本發(fā)明。這里使用時，單數(shù)形式"一"、"一個"和"該"意在也包含復數(shù)形式，除非上下文清楚地另外描述。還將理解，本說明書中使用時術語"包括"和/或"由...構成" 指明所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或更多其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、部件、和/或它們的組的存在或添加。這里參照示意性示出本發(fā)明理想實施例的橫截面示圖來描述本發(fā)明的示例性實施例。如此，由于例如制造技術和/或容差，所示形狀的變化是可以
狀，而是將包括例如制造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平的區(qū)域通 ?？删哂写植诤?或非線性特征。此外，示出的尖角可被圓化。因此，圖中所示區(qū)域本質上是示意性的，它們的形狀無意示出區(qū)域的精確形狀且無意限制本發(fā)明的范圍。
除非另外定義，這里使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有
本發(fā)明所屬領域的一般技術人員一般理解的含義。還將理解，術語例如一溜:
的意義，不應以理想化或過于正式的意義理解，除非這里明確如此定義。
下面將參照附圖對本發(fā)明進行更詳細的描述。
圖l是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板500的示例性實施例。
圖1主要示出形成在第一基底上的元件，還示出形成于面向第一基底的第二基底上的第二開口圖案252的定位。
參照圖1,根據(jù)本發(fā)明的顯示面板500的示例性實施例包括第一和第二柵極線GL1和GL2、第一和第二數(shù)據(jù)線DL1和DL2、第一開關元件10、其中形成有第一開口圖案172的像素電極PE、以及光阻擋布線122。顯示面板 500還包括儲存線SL、第二開關元件20和第二開口圖案252。
第一柵極線GL1沿顯示面板500的第一方向Dl延伸，第二柵才及線GL2 基本平行于第一柵極線GL1設置且在與第一方向Dl不同的D2方向上與第一柵極線GL1間隔開。第一方向Dl可基本垂直于第二方向D2。
第一數(shù)據(jù)線DL1沿第二方向D2延伸從而交叉第一和第二柵才及線GL1 和GL2。第二數(shù)據(jù)線DL2基本平行于第一數(shù)據(jù)線DL1設置且在第一方向Dl 上與第一數(shù)據(jù)線DL1間隔開。第二數(shù)據(jù)線DL2也交叉第一和第二柵極線GL1 和GL2。盡管數(shù)據(jù)線DL1和DL2交叉柵極線GL1和GL2,但它們從其電絕緣。
第一開關元件10電連接至第一柵極線GL1和第二數(shù)據(jù)線DL2。第一開關元件IO通過施加到第一柵極線GLI的第一柵極信號導通。第一開關元件 10電連接至像素電極PE。
第一開關元件10包括從第二數(shù)據(jù)線延伸且交疊第一柵極線GL1的雙源電極(dual source electrode ) DSE、第一漏電極DEI和第二漏電極DE2。雙源電極DSE可形成W形。第一漏電極DE1和第二漏電極DE2與雙源電極 DSE間隔開。第一和第二漏電極DEI和DE2電連接至像素電極PE。
第一有源圖案Al設置在雙源電極DSE和第一漏電極DEI之間，也在設置在雙源電極DSE和第二漏電極DE2之間。第一和第二漏電極DEI和 DE2通過第一有源圖案Al電連接至雙源電極DSE, 乂人而當?shù)谝粬艠O信號施加到第一柵極線GL1時，施加到第二數(shù)據(jù)線DL2的數(shù)據(jù)信號可被傳送到第一和第二漏電極DE1和DE2。
在一示例性實施例中，像素電極PE可設置在像素區(qū)域P內。例如，饞素電極PE可形成于第一和第二數(shù)據(jù)線DL1和DL2以及第一和第二柵極線 GL1和GL2界定的區(qū)域中，然而形成像素電極PE的區(qū)域也可^皮另外地定義。當從上面看時，像素區(qū)域P可具有矩形形狀。第一開口圖案172形成于像素區(qū)域P中以形成像素區(qū)域P的液晶疇域(domain )。像素電極PE包括第一子電極SPE1和第二子電極SPE2。
第一開口圖案172相對于第一和第二柵極線GL1和GL2沿傾斜方向形成于像素區(qū)域P中，如平面圖所示。第一開口圖案172沿第三方向延伸，其中第三方向設置于第一方向Dl和第二方向D2之間。例如，第一開口圖案 172可沿著與第一和第二柵極線GL1和GL2以及第一和第二數(shù)據(jù)線DL1和 DL2成約45度角的第三方向延伸。第一開口圖案172可具有由兩條對角線定義的V形或U形。
第一子電極SPE1可形成為在至少三個側面圍繞第二子電極SPE2。第一子電極SPE1與第二子電極SPE2間隔開第一開口圖案172的寬度。第一子電極SPE1通過第一接觸孔CNT1接觸第一漏電極DE1。第二子電極SPE2 通過第二接觸孔CNT2接觸第二漏電極DE2。因此，第一和第二子電極SPE1 和SPE2電連接至第一開關元件10。
光阻擋布線122形成于形成第一開口圖案172的區(qū)域中。在一示例性實施例中，光阻擋布線122可電耦接至儲存線SL。光阻擋布線122順著第一開口圖案172沿第一開口圖案172的長度方向延伸。
下面，將參照圖2和圖3進一步詳細描述根據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線122 的示例性實施例。
圖2是^:大平面圖，示出圖1的光阻擋布線的示例性實施例。
10參照圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線122的示例性實施例形成于形成第一開口圖案172的區(qū)域中。光阻擋布線122順著第一開口圖案172沿第一開口圖案172的長度方向延伸。在一示例性實施例中，光阻擋布線122 的寬度是約5pm至約10^im。
光阻擋布線122包括凹凸圖案，該凹凸圖案形成于沿第一開口圖案172 的長度方向延伸的第一邊緣部分ED1和與第一邊緣部分ED1相反的第二邊緣部分ED2處。第一邊緣部分ED1鄰近第一子電極SPE1，第二邊緣部分 ED2鄰近第二子電極SPE2。
凹凸圖案包括多個單位形狀121。單位形狀121通過第一和第二邊緣部分ED1和ED2形成以定義^^據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線122的示例性實施例的凹凸圖案。單位形狀121被重復設置以定義凹凸圖案。凹凸圖案可包括單位形狀121的形成于第一邊緣部分ED1處的第一圖案、以及單位形狀121的形成于第二邊緣部分ED2處的第二圖案。當從平面圖觀察時，第一和第二圖案可彼此連接。于是，根據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線122的示例性實施例的形狀可包括基本Z字形(zigzag shape )。在一示例性實施例中，光阻擋布線122 的寬度w可為約5-10pm，除了凹凸圖案以外，光阻擋布線122的直部分的寬度k可為約2-4jim。
單位形狀121包括彼此成角度設置的第一傾斜部分121a和第二傾斜部分121b。當從平面圖觀察時，單位形狀121可具有凸形，其中第一和第二傾斜部分121a和121b朝光阻擋布線122的外側突出。第一傾斜部分121a可沿第二方向D2延伸，第二傾斜部分121b可沿第一方向Dl延伸。第一傾斜部分121a和第二傾斜部分121b可在交叉點相交。
第一傾斜部分121a的第一長度x和第二傾斜部分121b的第二長度y每個可為約4-10jim。具有基本相同面積的單位形狀可重復設置以定義凹凸圖案。供選地，具有基本不同面積的單位形狀可重復設置以定義凹凸圖案。作為一個例子，單位形狀的第一和第二長度x和y可朝向像素電極PE的中心部分減小。作為另一例子，單位形狀的第一和第二長度x和y可朝向像素電極PE的中心部分增大。作為一個例子，第一和第二長度x和y可基本彼此相等。作為另一例子，第一和第二長度x和y可基本彼此不同。
在一示例性實施例中，距離z可為約3-10(mi，其定義于單位形狀的形成于光阻擋布線122的第一邊緣部分ED1中的第一傾斜部分121a與單位形狀的形成于光阻擋布線122的第二邊緣部分ED2中的第二傾斜部分121b之間。在一示例性實施例中，距離z可等于第一長度x和第二長度y。考慮到光阻擋布線122的光阻擋功能，距離z可等于或大于約3pim。
第一邊緣部分ED1的第一和第二傾斜部分121a和121b的交叉部分與第二邊^(qū)彖部分ED2的第一和第二傾斜部121a和121b的交叉部分之間的距離可基本等于第一開口圖案172的寬度w。在一示例性實施例中，開口圖案172 的寬度w可為約3.5-10pm。
在一示例性實施例中，第一傾斜部分121a和第二傾斜部分121b之間的交叉角e可以是大約45度到約135度。當交叉角e小于約45度或大于約135 度時，由于單位形狀形成的凹凸圖案，光阻擋布線122的總形狀為基本矩形形狀，從而液晶不沿顯示面板500的偏振軸方向布置。
在一示例性實施例中，交叉角e可以是大約60度到大約120度。在一示例性實施例中，交叉角e可以是大約90度。根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例，通過光阻擋布線122，液晶分子可沿顯示面板500的偏振軸方向布置。
在一示例性實施例中，光阻擋布線122的寬度w等于或小于第一開口圖案172的寬度。即，光阻擋布線122的第一和第二邊緣部分ED1和ED2分別靠近第一子電極SPE1和第二子電極SPE2形成。在該示例性實施例中，光阻擋布線122未與第一和第二子電極SPE1和SPE2交疊。
在一供選示例性實施例中，光阻擋布線122可與像素電極PE交疊。
圖3是放大平面圖，示出圖2的光阻擋布線的示例性實施例與像素電極之間的位置。
參照圖3,第一邊緣部分ED1交疊部分第一子電極SPE1,第二邊^(qū)^部分ED2交疊部分第二子電極SPE2。在圖3中，A表示第一邊緣部分ED1和第一子電極SPE1發(fā)生交疊的區(qū)域。下面將描述交疊部分。
示出光阻擋布線122和像素電極PE彼此交疊的交疊區(qū)域的A區(qū)域可用作輔助儲存電容器Cst?？紤]該交疊區(qū)域的尺寸設計陣列基板100，使得電容的變化可被最小化，其產(chǎn)生于陣列基板100的制造工藝期間的未對準。例如，在一示例性實施例中，當?shù)谝婚_口圖案172的寬度w是大約5pm時，交叉部分與第一子電極SPE1的端部之間的距離a可以是大約1.5-1.8(mi。這里，交叉部分由第一傾斜部分121a和第二傾斜部分121b定義。
再參照圖1 ，儲存線SL形成于像素區(qū)域P中。儲存線SL包括基本平行于第一和第二柵極線GL1和GL2的部分以及基本平行于第一和第二數(shù)據(jù)線 DL1和DL2的部分。儲存線SL形成于第一柵極線GL1和第二柵極線GL2 之間。在一示例性實施例中，儲存線SL可包括例如U形。儲存線SL交疊部分像素電極PE。儲存線SL連接至光阻擋布線122。
第二開關元件20電連接至第二柵極線GL2和儲存線SL。第二開關元件 20通過施加到第二柵極線GL2的第二柵極信號導通。第二開關元件20包括源電極SE和第三漏電極DE3。源電極SE和第三漏電極DE3交疊第二柵極線GL2。源電極SE通過第三接觸孔CNT3和第二子電極SPE2接觸。第三漏電極DE3交疊儲存線SL和第一子電極SPE1。儲存線SL和第三漏電極 DE3可定義降壓電容器(voltage down capacitor) C—down,第三漏電極DE3 和第一子電極SPE1可定義升壓電容器C一up (見后面的圖10)。
第二有源圖案A2形成于第二柵極線GL2上。源電極SE和第三漏電極 DE3形成于第二有源圖案A2上。第三漏電極DE3通過第二有源圖案A2電連接至源電極SE。
第二開口圖案252形成于公共電極層(未示出)，公共電極層設置地基本相對于像素電極PE。第二開口圖案252不直接交疊第一開口圖案172，由此與第一開口圖案172形成液晶疇域。第二開口圖案252包括V形圖案和圍繞V形圖案的對角線形圖案。第一開口圖案172可設在V形圖案和對角線形圖案之間。
下面將描述不同的電壓施加到第一子電極SPE1和第二子電極SPE2的過程。施加到第一子電極SPE1的電壓定義為第一電壓，施加到第二子電極 SPE2的電壓定義為第二電壓。
當?shù)谝粬艠O信號施加到第一柵極線GL1時，第一子電極SPE1的第一電壓基本等于第二子電極SPE2的第二電壓，然后第一第二電壓逐漸增大。然后，當?shù)谝粬艠O信號不施加到第一柵極線GL1時，第一子電極SPE1的第一電壓基本等于第二子電極SPE2的第二電壓，然后第一和第二電壓逐漸降低且維持在基本恒定的電壓。
然后，當?shù)诙艠O信號施加到第二柵極線GL2時，第一子電極SPE1的第一電壓逐漸增大到維持在一恒定電壓。但是，第二子電極SPE2的第二電壓基本維持在第二柵極信號施加到第二柵極線GL2之前它具有的值。
最后，當?shù)诙艠O信號不施加到第二柵極線GL2時，第一子電極SPE1
13的第一電壓和第二子電極SPE2的第二電壓維持在彼此不同的值。結果，第一子電極SPE1的第一電壓相對高于第二子電極SPE2的第二電壓。即，第一和第二子電極SPE1和SPE2通過第一開關元件IO接收相同的電壓，但是第一子電極SPE1的第一電壓通過第二開關元件20被增大，從而第一子電極 SPE1和第二子電極SPE2可接收基本不同的電壓。
圖4至圖9是放大平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線的示例性實施例。
如圖4所示的多個光阻擋布線可用在圖1的顯示面板500的示例性實施例中。因此，相同的附圖標記用來表示與圖1和圖2所示的那些相同或相似的部件，涉及以上元件的進一步說明將被省略。
參照圖4，根據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線122的示例性實施例包括多個單位形狀121，其連續(xù)且重復地設置在顯示面板500上。在本示例性實施例中，單位形狀121具有基本凸起形狀。光阻擋布線122可包括單位形狀121的形成在第一邊緣部分ED1處的第一圖案以及單位形狀121的形成在第二邊緣部分ED2處的第二圖案。在一示例性實施例中，第一和第二圖案可基本對稱地設置在顯示面板500上。
在一示例性實施例中，第一傾^("部分121a和第二傾i紳部分121b的交叉角e可以是大約45度到大約135度。在另一示例性實施例中，交叉角e可以是大約60度到大約120度。在一示例性實施例中，交叉角e是大約90度。
如圖5到圖8所示的多個光阻擋布線可用于圖1的顯示面板500的示例性實施例中。因此，相同的附圖標記用來表示與圖1和圖2所示的那些相同或相似的部件，涉及以上元件的進一步說明將被省略。
參照圖5, 4艮據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線122的另一示例性實施例包括凹凸圖案，其中多個單位形狀121連續(xù)且重復地設置在第一邊緣部分ED1處。在本示例性實施例中，單位形狀121可具有凸起形狀。
在本示例性實施例中，光阻擋布線122的第一邊緣部分ED1與第一子電極SPE1 (圖5未顯示)的邊緣部分接觸，從而光阻擋布線122可以不交疊第一子電極SPE1。在一示例性實施例中，第二邊緣部分ED2可交疊第二子電極SPE2的邊緣部分。在一供選示例性實施例中，第二邊緣部分ED2可以不交疊第二子電極SPE2的邊緣部分。
在一供選示例性實施例中，光阻擋布線122的第一邊緣部分ED1可以還包括交疊第一子電極SPE1的邊緣部分的部分。該交疊部分可形成用于定義輔助儲存電容器的電極。在一示例性實施例中，第二邊緣部分ED2可以交疊第二子電極SPE2的邊緣部分。在一供選示例性實施例中，第二邊緣部分ED2可以不交疊第二子電極SPE2的邊緣部分。
參照圖6,根據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線122的又一示例性實施例包括第一圖案和第二圖案定義的凹凸圖案。第一圖案是單位形狀121連續(xù)且重復地設置在第一邊緣部分ED1處。第二圖案是單位形狀121連續(xù)且重復地設置在第二邊緣部分ED2處。單位形狀121可形成于凹凸布線122的基本相對的側面。在本示例性實施例中，凹凸布線122的第一和第二圖案包括設置于單位形狀121之間的多個基本平坦部分121c。在一示例性實施例中，設在凹凸圖案的第一邊緣部分ED1處的單位形狀121對應于第二邊緣部分ED2上的平坦部分121c，設在第二邊緣部分ED2處的單位形狀121對應于第一邊緣部分ED1上的平坦部分121c。
參照圖7,根據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線122的又一示例性實施例包括設置在顯示面板500上的多個單位形狀121。單位形狀121具有凹陷形狀，其中第一傾斜部分121a和第二傾斜部分121b朝著光阻擋布線122的內側凹進。在本示例性實施例中，光阻擋布線122包括單位形狀121的形成于第一邊緣部分ED1處的第一圖案以及單位形狀121的形成于第二邊緣部分ED2處的第二圖案。在一示例性實施例中，單位形狀121可包括:沒在凹凸布線122的兩邊緣ED1和ED2上的單位形狀121之間的多個基本平坦部分121c。在該示例性實施例中，設在第一邊緣ED1上的第一圖案可設成對應于第二邊緣 ED2上的平坦部分121c,設在第二邊緣ED2上的第二圖案可設成對應于第一邊緣ED1上的平坦部分121c。
在一示例性實施例中，第一傾斜部分121 a和第二傾殺牛部分121 b的交叉角e可以是大約45度到大約135度。在另一示例性實施例中，交叉角e是大約60度到大約120度。在又一示例性實施例中，交叉角e是大約90度。
參照圖8,根據(jù)本發(fā)明的光阻擋布線122的又一示例性實施例包括凹凸圖案，其中多個單位形狀121連續(xù)且重復地設置在第一邊緣部分ED1處。在本示例性實施例中，單位形狀121具有凹陷形狀。
在圖5和圖8中，凹凸圖案形成于光阻擋布線122的第一邊緣部分ED1 處。在一供選示例性實施例中，凹凸圖案可形成于光阻擋布線122的第二邊纟彖部分ED2處。
參照圖9 ，第一傾斜部分121 a和第二傾斜部分121 b的交叉區(qū)域可以祐: 圓化。在這樣的示例性實施例中，光阻擋布線122的總體形狀可以是波浪形。第一傾斜部分121a和第二傾斜部分121b的交叉區(qū)域通過設計或由于形成光阻擋布線122的光刻工藝而可以被圓化。
與圖9的單位形狀類似，圖2至8所示的凹凸圖案的單位形狀121每個的供選示例性實施例可以在第一和第二傾斜部分121a和121b之間的交叉區(qū) 域凈皮圓化。
根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例，液晶分子可通過光阻擋布線122排列成相對于顯示面板500的偏振軸方向基本平行。因此，光泄漏可被最小化，對比度可得到提高，于是改善顯示質量。
圖io是沿圖i的線w，和線ii-n，取得的橫截面圖。
參照圖l和圖10，顯示面板500的示例性實施例包括陣列基板100、對向基板200和液晶層300。顯示面板500還包括第一偏振板410和第二偏振板420。
陣列基板100包括形成于第一基底110上的第一和第二柵極線GL1和 GL2、第一和第二數(shù)據(jù)線DL1和DL2、開關元件10、像素電極PE、光阻擋布線122、儲存線SL、第二開關元件20、第一有源圖案Al和第二有源圖案 A2。陣列基板IIO還可包括形成于第一基底IIO上的柵極絕緣層120和形成于柵極絕緣層120上的鈍化層160。
在一示例性實施例中，第一基底IIO可具有基本平坦形狀。在一示例性實施例中，第一基底110包括透明材料例如玻璃、石英、合成樹脂或其它類似材料。
柵極圖案形成于第一基底110上。該柵極圖案包括第一和第二柵極線 GL1和GL2、儲存線SL和光阻擋布線122。在一示例性實施例中，柵極金屬層可形成于第一基底110上，然后柵極金屬層可通過已知的光刻工藝被圖案化以形成柵極圖案。
柵極絕緣層120形成于包括柵極圖案的第一基底110上。柵極絕緣層120 的示例性實施例可包括例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和其它類似材料。
第一和第二有源圖案Al和A2形成于柵極絕緣層120上。在一示例性
16實施例中，第一和第二有源圖案Al和A2可包括硅。在一示例性實施例中，第一和第二有源圖案Al和A2可包括非晶硅(a-Si)和通過向硅基材摻雜具有高濃度的N+雜質而形成的N+非晶硅(n+ a-Si )。第一和第二有源圖案Al 和A2也包括下面更詳細討論的歐姆接觸層。
源極圖案形成于具有第一和第二有源圖案Al和A2的第一基底110上。源極圖案包括第一和第二數(shù)據(jù)線DL1和DL2以及第一和第二開關元件10和 20。在一示例性實施例中，源極金屬層形成于具有第一和第二有源圖案Al 和A2的第一基底110上，通過光蝕刻工藝圖案化源才及金屬層以形成源極圖案。儲存線SL和第三漏電極DE3 —起可定義降壓電容器C—down。
鈍化層160形成于具有源極圖案的第一基底110上。第一、第二和第三接觸孔CNT1、 CNT2和CNT3形成為穿過鈍化層160。第一接觸孔CNT1 暴露第一漏電極DE1的第一端部，第二接觸孔CNT2暴露第二漏電極DE2 的第一端部，第三接觸孔CNT3暴露第二開關元件20的源電極SE的第一端部。在一示例性實施例中，鈍化層160可包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物 (SiNy )。
像素電極PE形成于具有鈍化層160的第一基底110上。像素電極PE 可包括透光且導電的材料。在一示例性實施例中，像素電極PE包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、非晶氧化銦錫(a-ITO)和其它類似材料。第三漏電極DE3和像素電極PE的第一子電極SPE1可定義升壓電容器C—up。
在一示例性實施例中，對向基板200包括第二基底210，形成于第二基底210上的光阻擋圖案220，彩色濾光片230和公共電極層250。在一示例性實施例中，第二開口圖案252形成于公共電極層250上。對向基板200還可包括保護層(overcoating layer) 240。
在一示例性實施例中，第二基底210可具有基本相對于第一基底110設置的基本平坦形狀。在一示例性實施例中，第二基底210包括透明材料，其示例性實施例包括玻璃、石英、合成樹脂和其它類似材料。
光阻擋圖案220形成于第二基底210上。在一示例性實施例中，光阻擋圖案220可形成于第二基底210上對應于形成第一和第二柵極線GL1和 GL2、第一和第二數(shù)據(jù)線DL1和DL2以及第一和第二開關元件10和20的區(qū)域。在一示例性實施例中，光阻擋圖案220可包括金屬例如鉻(Cr)、有機材料或其它類似材料。在另一示例性實施例中，光阻擋圖案220可包括含有各種顏料的墨。
彩色濾光片230可對應于像素電極PE形成在第一基底210上。部分彩色濾光片230可交疊光阻擋圖案220。在一示例性實施例中，彩色濾光片230 可包括包含顏料的有機材料。在該示例性實施例中，顏料可表現(xiàn)色彩例如紅色、綠色、藍色和其它類似顏色。在一示例性實施例中，彩色濾光片230可通過光蝕刻(photo etching )工藝或噴墨印刷工藝形成。
保護層240形成于第二基底210上以覆蓋光阻擋圖案220和彩色濾光片 230。在一示例性實施例中，保護層240可包括有機材料例如丙烯酸樹脂 (acrylic resin )。
公共電極層250形成于具有保護層240的第二基底210上。公共電極層 250包括第二開口圖案252。在一示例性實施例中，/>共電極層250可包括與像素電極PE的材料類似的透光且導電的材料。
液晶層300設在陣列基板100和對向基板200之間且包括液晶分子(未顯示)。液晶分子可根據(jù)施加在像素電極PE和公共電極層250之間的電場排列。排列的液晶分子可控制從外界施加的光的透射率。該光可以由布置在顯示面板500下部的背光提供。
在一示例性實施例中，第一偏振板410與陣列基板IOO結合。第一偏振板410附到第一基底110的第一表面。第一基底110的第二表面面對第二基底210。第一偏振板410具有第一偏振軸。在一示例性實施例中，第一偏振軸的方向可以是如圖1所示的第二方向D2。單位形狀的第一傾斜部分121a 可相對于第一偏振軸成大約0度到大約45度角。例如，第一傾斜部分121a 可以沿第一偏振軸方向形成。供選示例性實施例包括第一偏振板410設置在陣列基板100下方而沒有與之結合的配置。
在一示例性實施例中，第二偏振板420與對向基板200結合以面對第一偏振板410。第二偏振板420附到第二基底210的第一表面。第二基底210 的第二表面面對第一基底110。第二偏振板420具有第二偏振軸。在一示例性實施例中，第二偏振軸的方向可以基本垂直于第一偏振軸的方向。例如，第二偏振軸的方向可以是圖i所示的第一方向Dl。在一示例性實施例中，單位形狀的第二傾斜部分121b可相對于第二偏振軸成大約0度到大約45度角。在該示例性實施例中，第二傾斜部分121b可相對于第一傾斜部分121a 成大約45度到135度角。例如，第二傾斜部分121b可沿第二偏振軸方向形
18成。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，液晶分子通過光阻擋布線122可沿第一偏振軸方向和/或第二偏振軸方向排列。因此，最小化光泄漏，提高了對比度，由此改善了顯示質量。
圖IIA和圖15是平面圖，示出制造圖l和圖IO的陣列基板示例性實施例的方法示例性實施例。圖IIB、圖12、圖13和圖14是橫截面圖，示出圖 10的陣列基板的示例性實施例。
在圖11至圖15中，相同的附圖標記表示與圖1和圖10中相同的元件，因此將省略對相同元件的詳細描述。
參照圖11A和11B，柵極圖案形成于第一基底110上。在一示例性實施例中，柵極金屬層(未顯示)形成于第一基板U0上。在該示例性實施例中，柵極金屬層通過已知的光刻工藝被圖案化以形成柵極圖案。柵極圖案包括第一和第二柵極線GL1和GL2、儲存線SL以及光阻擋布線122。
第一柵極線GL1和第二柵極線GL2基本彼此平行。儲存線SL和光阻擋布線122形成于第一柵極線GL1和第二柵極線GL2之間。光阻擋布線122 相對于第一和第二柵極線GL1和GL2沿基本對角線方向形成。光阻擋布線 122連接到儲存線SL。
參照圖12，柵極絕緣層120、有源層140和源極金屬層150形成于包括柵極圖案的第一基底110上。
例如，柵極絕緣層120形成于具有柵極圖案的第一基底IIO上，從而柵極絕緣層120覆蓋柵極圖案。
有源層140形成于具有柵極絕緣層120的第一基底110上。在一示例性實施例中，有源層140可包括半導體層142和歐姆接觸層144,其中半導體層142設置在歐姆接觸層144上。在一示例性實施例中，半導體層142包括非晶硅(a-Si)，歐姆接觸層144包括n+非晶硅(n+a-Si)。在一示例性實施例中，在非晶硅層(a-Si)中摻雜高濃度的n+雜質以形成歐姆接觸層144。
然后,源極金屬層150形成于包括有源層140的第一基底110上。
參照圖13，第一有源圖案A1、第二有源圖案A2和源極圖案形成于第一基底110上。
在一示例性實施例中，有源層140和源極金屬層150利用包括半透明部分和狹縫部分的一掩模通過光蝕刻工藝被圖案化，從而第一和第二有源圖案Al和A2以及源極圖案可被形成。源極圖案包括第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù) 線DL2、第一開關元件10和第二開關元件20。在一示例性實施例中，第一開關元件10包括雙源電極DSE、第一漏電極DE1和第二漏電極DE2，第二開關元件DE2包括源電極SE和第三漏電極DE3。
在一示例性實施例中，第一有源圖案Al的半導體層142可暴露在雙源電極DSE和第一漏電極DE1之間，且可暴露在雙源電極DSE和第二漏電極 DE2之間。第二有源圖案A2的半導體層142可暴露在源電極SE和第三漏電極DE3之間。
在一供選示例性實施例中，第一和第二有源圖案Al和A2利用一掩模形成，然后源極金屬層150被形成。然后，源極金屬層150利用所述一掩模和另一掩模被構圖，從而可形成源極圖案。
參照圖14，鈍化層160和透明電極層170形成于具有源極圖案的第一基底IIO上。
鈍化層160形成于具有源極圖案的第一基底110上，然后鈍化層160被圖案化以形成第一接觸孔CNT1、第二接觸孔CNT2和第三接觸孔CNT3。在一示例性實施例中，該圖案化可通過光蝕刻工藝實現(xiàn)。
然后，透明電極層170形成于具有鈍化層160的第一基底IIO上。透明電極層170可通過第一、第二和第三接觸孔CNT1、 CNT2和CNT3分別接觸第一、第二和第三漏電極DE1、 DE2和DE3。
參照圖15,透明電極層170可被圖案化以形成像素電極PE。在一示例性實施例中，圖案化可通過光蝕刻工藝進行。像素電極PE包括第一開口圖案172、第一子電極SPE1、以及與第一子電極SPE1間隔開第一開口圖案172 的寬度的第二子電極SPE2。第一子電極SPE1接觸第一和第二漏電極DE1 和DE2，從而第一子電極SPE1電連接至第一和第二開關元件10和20。第二子電極SPE2接觸源電極SE，從而第二子電極SPE2電連接至第一開關元件10。
圖16是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一示例性實施例。圖16的陣列基板示例性實施例基本類似于圖1的顯示面板中的陣列基板，除了像素電極的性質不同之外。因此，圖16中使用相同的附圖標記來表示與圖1和圖2所示的那些相同或相似的部件，且因此省略其詳細描述。參照圖16,陣列基板100包括第一和第二柵極線GL1和GL2、第一和
20第二數(shù)據(jù)線DL1和DL2、第一開關元件10、其上形成有第一開口圖案172 的像素電極、光阻擋布線122、儲存線SL、以及第二開關元件20。
光阻擋布線122相對于第一和第二^f冊極線GL1和GL2沿對角線方向形成。光阻擋布線122包括具有沿對角線方向的多個單位形狀的凹凸圖案。光阻擋布線122連接至儲存線SL。
像素電極PE包括第一子電極SPE1、第二子電極SPE2和第一開口圖案 172。第一子電極SPE1可通過第一開口圖案172與第二子電極SPE2間隔開。第一開口圖案172形成于光阻擋布線122的區(qū)域中。不同于前面的示例性實施例，第一開口圖案172包括與所述凹凸圖案基本相同地成形的多個凹凸圖案。在一示例性實施例中，第一開口圖案172的凹凸圖案可與光阻擋布線122 的凹凸圖案具有——對應關系。
如上所述，具有凹凸圖案的光阻擋布線122和第一開口圖案172^^皮形成，從而液晶分子可通過光阻擋布線122沿著第一偏振軸方向和/或第二偏振軸方向排列。因此，最小化漏光，提高了對比度，由此改善顯示質量。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施例，但要理解的是，本發(fā)明不應被這些實施例限制，在所附權利要求定義的本發(fā)明的思想和范圍內，本領域普通技術人員能進行各種改變和修改。
權利要求
1. 一種陣列基板，包括柵極線；數(shù)據(jù)線，交叉該柵極線；第一開關元件，電連接至該柵極線和該數(shù)據(jù)線；像素電極，電連接至該第一開關元件，該像素電極包括開口圖案；以及光阻擋布線，對應于該開口圖案設置，該光阻擋布線包括凹凸圖案。
2. 如權利要求1所述的陣列基板，其中當從平面圖觀察時，該開口圖案和該光阻擋布線相對于該4冊^l線沿對角線方向i殳置。
3. 如權利要求2所述的陣列基板，其中該開口圖案的形狀與該光阻擋布線的形狀基本相同。
4. 如權利要求2所述的陣列基板，其中該開口圖案的寬度是大約3.5pm 至大約10pm。
5. 如權利要求2所述的陣列基板，其中當從平面圖觀察時，該凹凸圖案設置于所述光阻擋布線的第一邊緣部分和所述光阻擋布線的與該第一邊緣部分基本相對的第二邊緣部分中的至少一個上。
6. 如權利要求5所述的陣列基板，其中當從平面圖觀察時，該凹凸圖案包括單位形狀，該單位形狀具有遠離該光阻擋布線的第一邊緣部分和該光阻擋布線的與該第一邊緣部分基本相對的第二邊緣部分中的至少一個延伸的凸起形狀。
7. 如權利要求5所述的陣列基板，其中當從平面圖觀察時，該凹凸圖案包括單位形狀，該單位形狀具有從該光阻擋布線的第一邊緣部分和該光阻擋布線的與該第一邊緣部分基本相對的第二邊緣部分中的至少一個向內凹陷的凹陷形狀。
8. 如權利要求5所述的陣列基板，其中該凹凸圖案包括單位形狀，該單位形狀具有彼此成角度設置的第一傾斜部分和第二傾斜部分，以及交叉部分，該第一傾斜部分和該第二傾斜部分在該交叉部分處相交，且該交叉部分具有角形狀或圓化形狀之一。
9. 如權利要求8所述的陣列基板，其中該第一傾斜部分和該第二傾斜部分之間的角度是大約60度到大約120度。
10. 如權利要求8所述的陣列基板，其中該第一和第二傾斜部分每個的長度是大約5nm到大約10|im。
11. 如權利要求8所述的陣列基板，其中除了該凹凸圖案之外，該光阻擋布線的直的部分的寬度是大約2pm到大約4(im。
12. 如權利要求2所述的陣列基板，還包括存儲線，設置得所述像素電極交疊其至少一部分，該存儲線電連接至該光阻擋布線。
13. 如權利要求12所述的陣列基板，其中該像素電極包括第一子電極和通過該開口圖案與該第一子電極間隔開的第二子電極，且其中該第一子電極形成得在至少三個側面基本圍繞該第二子電極。
14. 如權利要求13所述的陣列基板，其中該光阻擋布線的邊緣部分接觸該第一子電極的邊緣部分和該第二子電極的邊緣部分中的至少一個。
15. 如權利要求13所述的陣列基板，其中該光阻擋布線還包括交疊部分，其交疊該第一子電極和該第二子電極中的至少一個。
16. 如權利要求13所述的陣列基板，其中該第一開關元件包括雙源電極，其交疊該4冊極線且連接至該凄t據(jù)線；第一漏電極，與該雙源電極間隔開且接觸該第一子電極；以及第二漏電極，與該雙源電極間隔開且接觸該第二子電才及。
17. 如權利要求16所述的陣列基板，還包括第二開關元件，包括接觸該第二子電極的源電極和被該第一子電極交疊的第三漏電極。
18. —種陣列基板，包括設置在基底上的第一和第二柵極線；數(shù)據(jù)線，交叉該第一和第二4冊極線；像素電極，包括第一子電極和通過開口圖案與該第一子電極間隔開的第二子電極，該開口圖案相對于該第一和第二柵極線沿對角方向形成；儲存線，被該第一和第二子電極交疊，其中部分該儲存線設置得基本平行于該第一和第二柵極線以及該數(shù)據(jù)線之一；光阻擋布線，設置得對應于該開口圖案，其中該光阻擋布線電連接至該儲存線，該光阻擋布線包括凹凸圖案；雙開關元件，電連接至該第一柵極線和該數(shù)據(jù)線，該雙開關元件包括接觸該第一子電極的第一漏電極和接觸該第二子電極的第二漏電極；以及開關元件，電連接至該第二柵極線和該數(shù)據(jù)線，該開關元件包括接觸該第二子電極的源電極和被該第一子電極交疊的第三漏電極。
19. 一種顯示面板，包括陣列基板，包括開關元件，電連接至設置于基底上的柵極線和設置于該基底上的數(shù) 據(jù)線；像素電極，電連接至該開關元件，該像素電極具有相對于該4冊極線沿對角線形成的第一開口圖案；以及光阻擋布線，設置得對應于該開口圖案，該光阻擋布線包括凹凸圖案，該凹凸圖案具有彼此成角度設置的第一傾斜部分和第二傾斜部分；以及對向基板，設置得基本相對于該陣列基板，該對向基板包括其上形成有第二開口圖案的公共電極，其中該第二開口圖案與該第一開口圖案定義液晶疇域。
20. 如權利要求19所述的顯示面板，其中該第一傾斜部分和該第二傾斜部分之間的角度是大約60度到大約120度。
21. 如權利要求20所述的顯示面板，還包括第一偏振板，附到該陣列基板，該第一偏振板具有第一偏振軸；以及第二偏振板，附到該對向基板，該第二偏振板具有基本垂直于該第一偏振軸的第二偏振軸，其中該第一傾斜部分相對于該第一偏振軸以大約0度到大約45度角設置，該第二傾斜部分相對于該第二偏振軸以大約0度到大約45度角設置。
全文摘要
本發(fā)明涉及陣列基板和具有陣列基板的顯示面板。一種陣列基板包括柵極線；數(shù)據(jù)線，基本垂直于該柵極線交叉設置；第一開關元件，電連接至該柵極線和該數(shù)據(jù)線；像素電極，電連接至該第一開關元件且形成于像素區(qū)域中，該像素電極具有開口圖案；以及光阻擋布線，對應于該開口圖案設置，該光阻擋布線包括凹凸圖案。
文檔編號H01L23/522GK101425520SQ20081017280
公開日2009年5月6日申請日期2008年10月29日優(yōu)先權日2007年10月29日
發(fā)明者李南錫, 許政旭, 鄭智允, 金壽楨, 金洸賢申請人:三星電子株式會社

完整全部詳細技術資料下載