專利名稱：：快閃存儲器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及快閃存儲器的制造方法，尤其是涉及一種可以降低浮置柵極之間干擾效應(yīng)的快閃存儲器的制造方法。
背景技術(shù)：
：隨著快閃存儲器的線寬的減少，用于形成隔離層的填充工藝的實(shí)施變得更困難，并且發(fā)生在浮置柵極或控制柵極與溝道之間的干擾效應(yīng)也難以解決。多個(gè)導(dǎo)體或一個(gè)導(dǎo)體與溝道之間的距離小導(dǎo)致干擾效應(yīng)。因此，當(dāng)線寬變窄時(shí)，干擾效應(yīng)是不可避免的問題。參考圖1,在現(xiàn)有技術(shù)方法中，柵絕緣層11和用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層12a形成在半導(dǎo)體襯底10上。通過自對準(zhǔn)淺溝槽隔離(SA-STI)工藝形成溝槽13。用絕緣材料填充溝槽13從而形成隔離層14。用于浮置柵極的第二導(dǎo)電層12b形成在隔離層14和第一導(dǎo)電層12a之上。圖形化第二導(dǎo)電層12b以形成浮置柵極12,在該浮置柵極中，第一導(dǎo)電層12a和第二導(dǎo)電層12b疊置。第一氧化層15、氮化層16和第二氧化層17依次形成在浮置柵極12和隔離層14之上以形成介電層18?？刂茤艠O19形成在介電層18上。例如在NAND型快閃存儲器中，其中通過使用SA-STI工藝形成浮置柵極12的一部分和隔離層14，隔離層置于浮置柵極12的第一和第二導(dǎo)電層12a，12b之間，形成了浮置柵極/隔離層/浮置柵極結(jié)構(gòu)。通過在浮置柵極12之間產(chǎn)生干擾效應(yīng)而操作器件時(shí)，該結(jié)構(gòu)用作寄生電容。參考圖2,干擾效應(yīng)正比于浮置柵極的相鄰元件間的距離和浮置柵極的高度。也就是說，浮置柵極間距離越大或浮置柵極的高度越低，干擾效應(yīng)越小。然而具有較小線寬的器件的制造導(dǎo)致增加浮置柵極間距離的能力受到限制。而且，器件工作必需的浮置柵極和控制柵極的耦合率限制了降低浮置柵極高度的能力。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明通過在浮置柵極之間形成控制柵極直接避免浮置柵極的鄰近元件之間發(fā)生干擾效應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，快閃存儲器的制造方法包括在半導(dǎo)體襯底之上形成柵絕緣層、第一導(dǎo)電層和隔離掩模。圖形化該隔離掩模以暴露隨后將要形成一個(gè)或多個(gè)隔離層的區(qū)域。使用圖形化的隔離掩模作為蝕刻標(biāo)記，蝕刻第一導(dǎo)電層、柵絕緣層和半導(dǎo)體襯底以形成溝槽。襯墊氧化層形成在包括溝槽的所得結(jié)構(gòu)上。用絕緣層填充其中形成有襯墊氧化層的溝槽。執(zhí)行平坦化工藝和清洗工藝以形成隔離層。執(zhí)行平坦化工藝和清洗工藝使得在隔離層的頂部邊緣部分形成覆蓋柵絕緣層的翼間隔體。在襯墊氧化層形成之前，可以在包括溝槽的結(jié)構(gòu)上形成側(cè)壁氧化層。第二導(dǎo)電層可以形成在隔離層和第一導(dǎo)電層之上。圖形化第二導(dǎo)電層以形成浮置柵極，在該浮置柵極中，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層疊置。介電層可以形成在浮置柵極和隔離層上。控制柵極可以形成在介電層上。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，快閃存儲器的制造方法包括在半導(dǎo)體襯底之上形成柵絕緣層、第一導(dǎo)電層和隔離掩模。圖形化隔離掩模以暴露隨后將要形成隔離層的區(qū)域。通過使用圖形化的隔離掩模作為蝕刻標(biāo)記的蝕刻工藝，蝕刻第一導(dǎo)電層、柵絕緣層和半導(dǎo)體襯底以形成第一溝槽。在第一溝槽的側(cè)壁上形成間隔體。通過使用間隔體和隔離掩模作為蝕刻掩模的蝕刻工藝，蝕刻半導(dǎo)體襯底的暴露部分以形成第二溝槽。移除間隔體形成第三溝槽，每個(gè)第三溝槽包括第一和第二溝槽。使用具有縫隙的絕緣層填充第三溝槽。蝕刻絕緣層以形成包括絕緣層的隔離層。蝕刻絕緣層使得在隔離層的頂部邊緣部分形成覆蓋柵絕緣層的翼間隔體。在第三溝槽中形成絕緣層之前，可以使用例如，TEOS層或熱氧化層在包括第三溝槽的結(jié)構(gòu)上形成側(cè)壁氧化層。在蝕刻絕緣層之后，可以形成鈍化層以填充孔，在該孔中隔離層的頂端部構(gòu)成底部?？梢詧?zhí)行平坦化工藝以暴露隔離掩模的頂端，從而使鈍化層保留在孔中?？梢酝ㄟ^使用鈍化層作為蝕刻掩;^莫的蝕刻工藝移除隔離掩^^。接著可以移除鈍化層。第二導(dǎo)電層可以形成在隔離層和第一導(dǎo)電層之上。圖形化第二導(dǎo)電層以形成浮置柵極，在浮置柵極中，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層疊置。介電層可以形成在浮置柵極和隔離層上?？刂茤艠O可以形成在介電層上。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，快閃存儲器的制造方法包括在半導(dǎo)體襯底之上形成柵絕緣層、第一導(dǎo)電層和隔離掩模。圖形化隔離掩模以暴露隨后將要形成隔離層的區(qū)域。通過使用圖形化的隔離掩模作為蝕刻標(biāo)記，蝕刻第一導(dǎo)電層、柵絕緣層和半導(dǎo)體襯底以形成第一溝槽。在第一溝槽的側(cè)壁上形成間隔體。通過使用間隔體和隔離掩^t作為蝕刻掩^^莫的蝕刻工藝，蝕刻半導(dǎo)體襯底的暴露部分以形成第二溝槽。移除間隔體以形成第三溝槽，每個(gè)第三溝槽包括第一和第二溝槽。側(cè)壁氧化層形成在包括第三溝槽的所得結(jié)構(gòu)上。用絕緣層填充其中形成有側(cè)壁氧化層的第三溝槽。執(zhí)行平坦化工藝暴露隔離掩模的頂端。移除隔離掩模。執(zhí)行平坦化工藝和清洗工藝以形成隔離層。執(zhí)行平坦化和清洗工藝使得在隔離層頂部邊緣部分形成覆蓋柵絕緣層的翼間隔體。在形成隔離層之后，第二導(dǎo)電層可以形成在隔離層和第一導(dǎo)電層之上。圖形化第二導(dǎo)電層以形成浮置柵極，在浮置柵極中，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層疊置。介電層可以形成在浮置柵極和隔離層上，以及控制柵極可以形成在介電層上。圖1示例了制造快閃存儲器的現(xiàn)有技術(shù)方法的剖面圖2是示出干擾耦合率與快閃存儲器的浮置柵極高度和相鄰浮置柵極間的距離之間關(guān)系的曲線圖。圖3至5、圖6A至6C和圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造快閃存儲器的方法的剖面圖8至17示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的制造快閃存儲器的方法的剖面圖；以及圖18至21示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的制造快閃存儲器的方法的剖面圖。具體實(shí)施例方式將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)施例。但是，本發(fā)明不局限于公開的實(shí)施例，而可以通過多種方式實(shí)現(xiàn)。提供實(shí)施例是為了完全公開本發(fā)明，并使本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明的范圍。本發(fā)明由權(quán)利要求的范圍定義。參考圖3，柵絕緣層102，用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層104a和隔離掩模112依次形成在襯底100之上。隔離掩模112可以是具有緩沖氧化層106、氮化層108和硬掩模110的堆疊結(jié)構(gòu)。硬掩模110可以由氮化物、氧化物材料、SiON或無定形碳形成。第一導(dǎo)電層104a可以由多晶硅或任何其它能夠存儲電子的材料形成。參考圖4,使用例如光刻工藝圖形化隔離掩模112以暴露隨后將要形成隔離層的區(qū)域。使用圖形化的隔離掩模112作為蝕刻掩模順序蝕刻第一導(dǎo)電層104a和柵絕緣層102。接著蝕刻半導(dǎo)體襯底100以由此形成溝槽114。側(cè)壁氧化層116形成在包括溝槽114的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上。側(cè)壁氧化層116減輕了用于形成溝槽114的蝕刻工藝期間的蝕刻損傷。側(cè)壁氧化層116可以通過使用例如溫度為例如700至1000攝氏度范圍內(nèi)的熱氧化工藝形成以避免第一導(dǎo)電層104a的再結(jié)晶。側(cè)壁氧化層116可以形成為例如10至50埃范圍內(nèi)的厚度?？梢蕴鎿Q地，形成側(cè)壁氧化層116的過程可以被省略，而改為執(zhí)行接下來的工藝。參考圖5,襯墊氧化層122形成在包括側(cè)壁氧化層116的所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上。接著用絕緣層124填充溝槽114。襯墊氧化層122可以形成為例如單一層或襯墊氧化層122可以具有多層。在圖5中所示的實(shí)施例中，襯墊氧化層122具有第一襯墊氧化層118和第二襯墊氧化層120的兩層結(jié)構(gòu)。第一襯墊氧化層118和第二襯墊氧化層120中每一層可以形成為例如20至IOO埃范圍內(nèi)的厚度。第一襯墊氧化層118和第二襯墊氧化層120中每一層可以通過例如原子層沉積(ALD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、03-TEOS工藝、高密度等離子體(HDP)工藝、熱氧化工藝或它們的任意組合而形成。在一個(gè)實(shí)施例中，熱氧化工藝可釆用形成硅層或氮化硅層并且接著氧化硅層或氮化硅層的方法來執(zhí)行。例如，通過在側(cè)壁氧化層116上形成硅層或氮化硅層，并且接著執(zhí)行例如熱氧化工藝，形成第一襯墊氧化層118。例如，通過在第一襯墊氧化層118上形成硅層或氮化硅層，并且接著執(zhí)行例如熱氧化工藝，形成第二襯墊氧化層120。第一襯墊氧化層118和第二襯墊氧化層120可以被制成當(dāng)使用相同的蝕刻工藝時(shí)具有相同的蝕刻速率，或者它們可以被制成當(dāng)使用不同工藝時(shí)具有不同的蝕刻速率。例如，當(dāng)由熱氧化層形成的第一襯墊氧化層118的蝕刻速率為1時(shí)，由HDP層形成的第二襯墊氧化層120的蝕刻速率可以在1.5至3的范圍內(nèi)，HTO層的蝕刻速率可以在3至5的范圍內(nèi)，LP-TEOS層的蝕刻速率可以在5至10的范圍內(nèi)，OrTEOS層的蝕刻速率可以在4至8的范圍內(nèi)。絕緣層124可以由多孔氧化物材料形成，例如旋涂玻璃氧化物(spinonglassoxide)。絕緣層124被形成為比襯墊氧化層122蝕刻得快。在圖6A的實(shí)施例中，第一襯墊氧化層118和第二襯墊氧化層120被形成為蝕刻得一樣快。在圖6B和6C的實(shí)施例中，第一襯墊氧化層118和第二襯墊氧化層120被形成為以不同的速度蝕刻。參考圖6A,執(zhí)行平坦化工藝和清洗工藝以使側(cè)壁氧化層116、第一襯墊氧化層118、第二襯墊氧化層120和絕緣層124保留在溝槽114內(nèi)以形成隔離層126。執(zhí)行平坦化工藝，例如，直到暴露用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層104a的頂端，或者直到暴露緩沖氧化層106。當(dāng)執(zhí)行平坦化工藝直到暴露緩沖氧化層106時(shí)，清洗工藝過程中移除緩沖氧化層106。在平坦化工藝后，優(yōu)選使用例如磷酸執(zhí)行氮化層剝除工藝以完全移除氮化層108的殘留物。執(zhí)行清洗工藝，例如，通過控制蝕刻目標(biāo)以達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)則中設(shè)置的隔離層126的有效場高度(EFH，effectivefieldheight)。為了控制隔離層126的EFH，通過例如使用HF溶液或BOE溶液的濕清洗工藝移除隔離層126的頂端。可以-使用純水以100:1或500:1的比率范圍稀釋的HF溶液或純水以300:1的比例范圍稀釋的BOE溶液。可以調(diào)節(jié)HF溶液或BOE溶液和純水的稀釋比率以控制蝕刻速率?？商鎿Q地，為了精確地控制隔離層126的EFH，可以進(jìn)一步執(zhí)行干清洗工藝。在干清洗工藝中，由于不同的蝕刻速率，側(cè)壁氧化層116、襯墊氧化層122和絕緣層124具有不同的蝕刻量。構(gòu)成襯墊氧化層122的第一襯墊氧化層118和第二襯墊氧化層120被形成為蝕刻得一樣快。如上所述，側(cè)壁氧化層116可通過熱氧化工藝形成由具有低蝕刻速率的熱氧化材料形成。襯墊氧化層122可以被形成為與側(cè)壁氧化層116蝕刻得一樣快或比側(cè)壁氧化層116蝕刻得快。絕緣層124可以被形成為比襯墊氧化層122蝕刻得快。絕緣層124由氧化材料構(gòu)成。因此，翼間隔體(wingspacer)126a形成在隔離層126的頂部邊緣(topedge)部分，每個(gè)翼間隔體126a具有大約為直線斜面的斜面。翼間隔體126a位于柵絕緣層102處，并且用作保護(hù)^B色緣層102的功能。為了提高保護(hù)柵絕緣層102的功能，翼間隔體126a的角度可以在30至60度范圍內(nèi)。參考圖6B，在參考圖5描述的工藝中，第一襯墊氧化層118比第二襯墊氧化層120蝕刻得快，并且通過平坦化工藝和清洗工藝形成隔離層126。如參考圖6A描述的那樣，平坦化工藝和清洗工藝以相同方式執(zhí)成。層的蝕刻速率以側(cè)壁氧化層116、第二襯墊氧化層120、第一襯墊氧化層118和絕緣層124的順序增加。因此，其每個(gè)都具有凸出形狀的翼間隔體126b形成在隔離層126的頂部邊緣部分。與圖6A中所示的翼間隔體126a相比，翼間隔體126b的凸出形狀提高了翼間隔體126b的保護(hù)功能。參考圖6C，在參考圖5描述的工藝中，第一襯墊氧化層118被形成為比第二襯墊氧化層120蝕刻得慢。通過上述平坦化和清洗工藝形成隔離層126。，平坦化和清洗工藝以與參考圖6A的上述描述相同的方式執(zhí)行。層的蝕刻速率以側(cè)壁氧化層116、第一襯墊氧化層118、第二襯墊氧化層120和絕緣層124的順序增加。因此，其每個(gè)具有凹陷形狀的翼間隔體126c形成在隔離層126的頂部邊緣部分。翼間隔體126c的保護(hù)功能比圖6A所示的翼間隔體126a差，但是翼間隔體126c可以分布影響柵絕緣層102的電場，并且因此提高電學(xué)性能。下面表l列出在清洗工藝中，當(dāng)由熱氧化工藝形成的側(cè)壁氧化層116的蝕刻速率為1時(shí)，襯墊氧化層122和絕緣層124的蝕刻速率。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>從表1可以看出，襯墊氧化層122的蝕刻速率高于側(cè)壁氧化層116的蝕刻速率，并且絕纟彖層124的蝕刻速率高于村墊氧化層122的蝕刻速率。因此，翼間隔體126a、126b或126c形成在隔離層126的頂端部分。在4吏用磷酸、HF和BOE的濕清洗工藝中，側(cè)壁氧化層116、襯墊氧化層122和絕緣層124的蝕刻速率限制在l:1.5至7:5至20的范圍內(nèi)。在干清洗工藝中，側(cè)壁氧化層116、襯墊氧化層122和絕緣層124的蝕刻速率限制在1:0.6至1.5:0.6至4的范圍內(nèi)。參考圖7,用于浮置柵極的第二導(dǎo)電層104b形成在包括翼間隔體126a、126b或126c的隔離層126和用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層104a之上。圖形化第二導(dǎo)電層104b以形成浮置柵極104，在該浮置柵極104中，第一導(dǎo)電層104a和第二導(dǎo)電層104b疊置。介電層128形成在浮置柵極104和隔離層126上?？刂茤艠O130形成在介電層128上。而且，用于浮置柵極的第二導(dǎo)電層104b可以由，例如多晶硅或能夠存儲電子的任何其它材料形成。圖8至17示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的制造快閃存儲器的方法的剖面圖。參考圖8，柵絕緣層202、用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層204a和隔離掩模222依次形成在襯底200之上。隔離掩模222可以具有緩沖氧化層206、氮化層208和硬掩模220的堆疊結(jié)構(gòu)。硬掩模220可以由例如，氮化物材料、氧化物材料、SiON或無定形碳形成。第一導(dǎo)電層204a可以由例如，多晶硅或能夠存儲電子的任何其它材料形成。參考圖9,使用例如光刻工藝圖形化隔離掩模222以暴露隨后將要形成隔離層的區(qū)域。使用圖形化的隔離掩模222作為蝕刻掩^^莫順序蝕刻第一導(dǎo)電層204a和柵絕緣層202。接著蝕刻半導(dǎo)體襯底200以形成第一溝槽214。在形成第一溝槽214同時(shí)，硬掩模210也被蝕刻至特定厚度。每個(gè)第一溝槽214具有深度T1，其可以在設(shè)計(jì)規(guī)則中定義的深度T2的1/6至1/3的范圍內(nèi)。同時(shí)，第一溝槽214的側(cè)壁可以在85至90度角范圍內(nèi)傾斜。參考圖10,間隔體216形成在包括了第一溝槽214的側(cè)壁的垂直傾斜的表面上。垂直傾斜的表面可以包括隔離掩模212的側(cè)壁、用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層204a的側(cè)壁、柵絕緣層202的側(cè)壁和第一溝槽214的側(cè)壁。間隔體216可以通過在包括了第一溝槽214的整個(gè)表面上形成絕緣層而形成，并且接著執(zhí)行毯式回蝕刻(blanketetchback)工藝直到位于第一溝槽214底部表面的一部分絕緣層被移除。用于形成間隔體216的絕緣層可以是，例如，氧化層、HTO層、氮化層或它們的混合層。間隔體216可以作為后續(xù)蝕刻工藝的蝕刻掩模。優(yōu)選地，間隔體216由氮化物材料形成，以便間隔體216也可以起到阻止用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層204a的橫向氧化的功能。參考圖11,使用間隔體216和隔離掩模212作為蝕刻掩模，蝕刻半導(dǎo)體襯底200的暴露部分以形成第二溝槽218。通過從第一溝槽214的底表面開始蝕刻半導(dǎo)體襯底200形成第二溝槽218,直到第二溝槽218具有設(shè)計(jì)規(guī)則中定義的深度T2。參考圖12,移除間隔體216以形成第三溝槽220，每個(gè)第三溝槽220包括第一和第二溝槽214和218。第三溝槽220具有比下部寬度大的上部寬度。當(dāng)間隔體216由氧化物材料形成時(shí)可以使用例如氫氟酸溶液移除間隔體216，并且當(dāng)間隔體216由氮化物材料制成時(shí)可以使用例如磷酸溶液移除間隔體216。間隔體216可以僅部分移除，以使間隔體216的保留部分可以避免第一導(dǎo)電層204a的側(cè)壁被蝕刻。部分或全部移除間隔體216降低了縱橫比，由此提高了第三溝槽220的填充特性。參考圖13，在移除硬掩模210之后，執(zhí)行氧化工藝在包括第三溝槽220的整個(gè)表面上形成側(cè)壁氧化層222。具有良好臺階覆蓋能力的絕緣層224由絕緣材料形成，并且形成在側(cè)壁氧化層222上，以便在絕緣材料填充第三溝槽220的同時(shí)產(chǎn)生縫隙224a。接著執(zhí)行熱處理工藝以提高絕緣層124的膜質(zhì)量。側(cè)壁氧化層222用于減輕發(fā)生在溝槽蝕刻工藝期間的蝕刻損傷，并且降低有源區(qū)的臨界尺寸(CD)。側(cè)壁氧化層222可以由例如TEOS氧化層或熱氧化層形成，并且可以形成在30至50埃的厚度范圍內(nèi)。絕緣層124可以由具有良好臺階覆蓋能力的絕緣材料形成，例如應(yīng)用HARP的高縱橫比工藝(HARP，highaspectratioprocess)絕緣層或Si02層。絕緣層224具有差的填充特性，這是因?yàn)樗删哂辛己玫呐_階覆蓋能力的絕緣材料形成。因此，縫隙224a形成在第三溝槽220的中部。在800至1000攝氏度的范圍內(nèi)，使用例如N2氣或H20氣執(zhí)行熱處理工藝。熱處理工藝可以^皮執(zhí)行30分鐘至1小時(shí)。參考圖14,通過控制蝕刻目標(biāo)，絕緣層224和側(cè)壁氧化層222被蝕刻至預(yù)定厚度以達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)則中定義的隔離層的EFH。因此，其每個(gè)包括側(cè)壁氧化層222和絕緣層224的隔離層240分別形成在第三溝槽220中。絕緣層224具有位于第三溝槽220中部的縫隙240a并且，因此，第三溝槽220的中部比第三溝槽220的其它部分蝕刻得快。因此，具有凹陷形狀的翼間隔體240a形成在隔離層240的頂部邊緣部分。翼間隔體240a覆蓋柵絕緣層202，并且因此具有保護(hù)柵絕緣層202的功能。由于在絕緣層224中存在縫隙240a，不管通過濕法蝕刻工藝或干法蝕刻工藝蝕刻絕緣層224，翼間隔體240a都可以形成在隔離層240的邊緣部分。絕緣層224被蝕刻至預(yù)定厚度，由此形成孔240b，每個(gè)孔240b具有隔離層240的頂端作為底部。參考圖15，在包括隔離層240的整個(gè)表面上形成鈍化層226，因此孔240b被填滿。執(zhí)行平坦化工藝直到暴露出氮化層208的頂端，以便鈍化層226保留在孔240a中。'鈍化層226具有保護(hù)隔離層240的功能，并且還用于在隨后的蝕刻工藝期間安全地移除氮化層208。鈍化層226可以由例如PSZ層或HSQ層形成。鈍化層使用旋涂式玻璃(SOG)氧化方法形成。該材料對于隔離層240具有高蝕刻選擇性，但對于氮化層208(即，隔離掩模212)具有低蝕刻選擇性。例如，當(dāng)使用FN溶液(HF/H20+NH4OH/H202/H20)執(zhí)行蝕刻工藝時(shí)，由HARP絕緣層形成的隔離層240的蝕刻速率是2埃/秒，由PSZ層形成的鈍化層226的蝕刻速率是7埃/秒。參考圖16，使用鈍化層226作為蝕刻掩模的蝕刻工藝，移除氮化層208和緩沖氧化層206?？梢酝ㄟ^例如使用例如FN溶液或BFN溶液(H2S04/H202+HF/H20+NH4OH/H202/H20)的濕法蝕刻工藝，移除鈍化層226。參考圖17，用于浮置柵極的第二導(dǎo)電層204b形成在具有翼間隔體240a的隔離層240和用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層204a上。圖形化第二導(dǎo)電層204b以形成浮置柵極204，在該浮置柵極204中，第一導(dǎo)電層204a和第二導(dǎo)電層204b疊置。介電層230形成在浮置柵極204和隔離層226之上?？刂茤艠O232形成在介電層228上。用于浮置柵極的第二導(dǎo)電層204b可以由多晶硅或能夠存儲電子的任何其它材料形成。圖18至21示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的制造快閃存儲器的方法的剖面圖。本發(fā)明的第三實(shí)施例與參照圖8至13描述的第二實(shí)施例的從在半導(dǎo)體村底200上形成柵絕緣層202的步驟到在包括第三溝槽220的整個(gè)表面上形成側(cè)壁氧化層222的步驟一致。參考圖18，如上述參考圖13所描述的，在移除硬掩模210之后，執(zhí)行氧化工藝以在包括第三溝槽220的整個(gè)表面上形成側(cè)壁氧化層222。為了用絕緣材料填充第三溝槽220，由具有良好填充特性的絕緣材料形成的絕緣層300形成在側(cè)壁氧化層222上。絕緣層300可以由例如PSZ層形成。參考圖19,執(zhí)行平坦化工藝直到暴露氮化層208的頂端。暴露已暴露的氮化層208,并且接著移除緩沖氧化層206。參考圖20,執(zhí)行清洗工藝蝕刻側(cè)壁氧化層222和絕緣層300以達(dá)到預(yù)定厚度。因此，具有側(cè)壁氧化層222和絕緣層300的隔離層302形成在第三溝槽220內(nèi)。通過控制蝕刻目標(biāo)執(zhí)行清洗工藝以達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)則中定義的隔離層302的EFH。可以在例如使用CF4和CHF3作為蝕刻劑的清洗腔體內(nèi)執(zhí)行清洗工藝。清洗腔體的條件可以包括，例如，壓力范圍為50mTorr至200mTorr,還可以包括，例如RF功率范圍為200W至400W。在使用CF4和CHF3的蝕刻工藝中，由TEOS氧化層形成的側(cè)壁氧化層222的蝕刻速率大約為3.4埃/秒，并且由PSZ層形成的絕緣層300的蝕刻速率大約為3.8埃/秒。因此，隔離層302的邊緣部分比隔離層302的中部蝕刻得慢，以便翼間隔體302a形成在隔離層302的頂部邊緣部分。具有翼間隔體302a的隔離層302的表面以具有水平直徑大于垂直直徑的橢圓形凹陷。水平直徑和垂直直徑的比率可以在10:7至1:1的范圍內(nèi)。翼間隔體302a覆蓋柵絕緣層202并因此用于保護(hù)柵絕緣層202。參考圖21,用于浮置柵極的第二導(dǎo)電層204b形成在具有翼間隔體302a的隔離層302和用于浮置柵極的第一導(dǎo)電層204a之上。圖形化第二導(dǎo)電層204b以形成浮置柵極204,在該浮置柵極204中，第一導(dǎo)電層204a和第二導(dǎo)電層204b疊置。介電層230形成在浮置4冊才及204和隔離層302上?？刂茤艠O232形成在介電層228上。而且，用于浮置柵極的第二導(dǎo)電層204b可以由，例如多晶硅或能夠存儲電子的任何其它材料形成。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，覆蓋柵絕緣層的翼間隔體形成在隔離層的頂部邊緣部分，且不是隔離層而是控制柵極設(shè)置于浮置柵極之間。因此，沒有形成浮置柵極/隔離層/浮置柵極結(jié)構(gòu)(即，寄生電容結(jié)構(gòu))。因此，本發(fā)明可以降低發(fā)生在浮置柵極之間的干擾效應(yīng)，并且還可以保護(hù)柵絕緣層。在本發(fā)明的實(shí)施例中，作為例子描述了快閃存儲器。但是，本發(fā)明可以應(yīng)用于除快閃存儲器以外的半導(dǎo)體存儲器。這里公開的實(shí)施例可以使本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易地實(shí)施本發(fā)明，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過這些實(shí)施例的組合實(shí)施本發(fā)明。因此，本發(fā)明的范圍不被或由上述實(shí)施例局限，并且應(yīng)當(dāng)解釋為僅由附加的權(quán)利要求及其等效物來限定。要求2007年7月25日提交的No.10-2007-0074594和2007年9月5曰提交的No.lO-2007-0090001的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其整體公開內(nèi)容并入此處作為參考。權(quán)利要求1、一種快閃存儲器的制造方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成柵絕緣層和第一導(dǎo)電層；使用隔離掩模圖形蝕刻該第一導(dǎo)電層、該柵絕緣層和該半導(dǎo)體襯底以形成溝槽；在包括該溝槽的該導(dǎo)電層上形成襯墊氧化層；用絕緣層填充其上形成有該襯墊氧化層的該溝槽；以及使用平坦化工藝和清洗工藝形成隔離層，其中除了位于該隔離層頂部邊緣的覆蓋該柵絕緣層的翼間隔體之外，該隔離層的頂部不高于該柵絕緣層。2、如權(quán)利要求1的方法，其中在該清洗工藝中該絕緣層比該襯墊氧化層蝕刻得快。3、如權(quán)利要求1的方法，其中該襯墊氧化層包括選自由熱氧化層、HDP層、HTO層、LPTEOS層、03-TEOS層，或它們中的至少兩層或多層構(gòu)成的組中的層。4、如權(quán)利要求l的方法，其中該襯墊氧化層包括第一襯墊氧化層和第二襯墊氧化層的堆疊結(jié)構(gòu)；該第一村墊氧化層形成在包括該溝槽的該導(dǎo)電層上；以及，該第二襯墊氧化層形成在該第一襯墊氧化層上。5、如權(quán)利要求4的方法，其中該第一襯墊氧化層和該第二襯墊氧化層被形成為在清洗工藝中當(dāng)使用相同工藝時(shí)具有相同的蝕刻速率，或者當(dāng)使用不同工藝時(shí)具有不同的蝕刻速率。6、如權(quán)利要求2的方法，其中該絕緣層由多孔氧化物材料形成。7、如權(quán)利要求6的方法，其中該多孔氧化物材料是旋涂玻璃氧化物材料。8、如權(quán)利要求2的方法，其中使用HF溶液或BOE溶液執(zhí)行該清洗工藝9、如權(quán)利要求2的方法，其中通過控制蝕刻目標(biāo)執(zhí)行該清洗工藝以達(dá)到該隔離層的有效場高度。10、如權(quán)利要求1的方法，還包括，在形成該襯墊氧化層之前在包括該1溝槽的該導(dǎo)電層上形成側(cè)壁氧化層。11、如權(quán)利要求10的方法，其中通過熱氧化工藝形成該側(cè)壁氧化層。12、如權(quán)利要求11的方法，其中，在該清洗工藝中，該絕緣層比該村墊氧化層蝕刻得快，并且該村墊氧化層與該側(cè)壁氧化層蝕刻得一樣快或比該側(cè)壁氧化層蝕刻得快。13、如權(quán)利要求l的方法，進(jìn)一步包括在隔離結(jié)構(gòu)和該第一導(dǎo)電層之上形成第二導(dǎo)電層；圖形化該第二導(dǎo)電層以形成浮置柵極，在該浮置柵極中，該第一導(dǎo)電層和該第二導(dǎo)電層疊置；以及在該浮置柵極和該隔離結(jié)構(gòu)上形成介電層和控制柵極。14、一種快閃存儲器的制造方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底之上形成柵絕緣層和第一導(dǎo)電層；使用隔離掩模圖形蝕刻該第一導(dǎo)電層、該柵絕緣層和該半導(dǎo)體襯底以形成第一溝槽；在該第一溝槽的側(cè)壁上形成間隔體；使用該間隔體蝕刻該半導(dǎo)體襯底的暴露部分以形成第二溝槽；移除該間隔體；用具有縫隙的絕緣層填充該第一溝槽和該第二溝槽；使用蝕刻工藝形成隔離層，其中除了位于該隔離層頂部邊緣的覆蓋該柵絕緣層的翼間隔體之外，該隔離層的頂部不高于該柵絕緣層。15、如權(quán)利要求14的方法，其中每個(gè)該第一溝槽具有在隔離結(jié)構(gòu)深度的1/6至1/3范圍內(nèi)的深度。16、如權(quán)利要求14的方法，其中該間隔體由從氧化層、HTO層、氮化層和它們的組合構(gòu)成的組中選出的層形成。17、如權(quán)利要求14的方法，還包括，在形成該絕緣層之前，在包括該第一溝槽和該第二溝槽的該導(dǎo)電層上形成由TEOS層或熱氧化層之一形成的側(cè)壁氧化層。18、如權(quán)利要求14的方法，其中使用高縱橫比工藝絕緣層或Si02層形成該絕緣層。19、如^l利要求14的方法，其中使用濕法蝕刻工藝或干法蝕刻工藝之一蝕刻該絕緣層；以及，該絕緣層的縫隙比該絕緣層的其它部分蝕刻得快，使得該翼間隔體形成在該隔離層的邊^(qū)^部分。20、如權(quán)利要求14的方法，還包括形成鈍化層以填充孔，其中該隔離層的頂端部分構(gòu)成該孔的底部；執(zhí)行平坦化工藝直到暴露該隔離掩模的頂端，從而使該鈍化層保留在該孔內(nèi)；使用該鈍化層作為蝕刻掩模蝕刻該隔離掩模以移除該隔離標(biāo)記；移除該鈍化層；在該隔離層和該第一導(dǎo)電層之上形成第二導(dǎo)電層；圖形化該第二導(dǎo)電層以形成浮置柵極，在該浮置柵極中，該第一導(dǎo)電層和該第二導(dǎo)電層疊置；在該浮置柵才及和該隔離層上形成介電層；以及在形成該隔離層之后在該介電層上形成控制柵極。21、如權(quán)利要求20的方法，其中該鈍化層由PSZ層或HSQ層形成并且使用SOG方法形成，該絕緣層由HARP絕緣層或Si02層形成，以及該隔離掩才莫圖形具有至少包括氮化層的多層結(jié)構(gòu)。22、如權(quán)利要求20的方法，其中通過使用FN溶液(HF/H20+NH4OH/H202/H20)或BFN溶液(H2S04/H202+HF/H20+NH4OH/H202/H20)的濕法蝕刻工藝移除該4屯化層。23、一種快閃存儲器的制造方法，該方法包括在半導(dǎo)體村底之上形成柵絕緣層和第一導(dǎo)電層；使用隔離掩模圖形蝕刻該第一導(dǎo)電層、該柵絕緣層和該半導(dǎo)體襯底以形成第一溝槽；在該第一溝槽的側(cè)壁上形成間隔體；使用該間隔體蝕刻該半導(dǎo)體襯底的暴露部分以形成第二溝槽；移除該間隔體；'在該隔離掩模圖形和包括該第一溝槽和該第二溝槽的該導(dǎo)電層上形成側(cè)壁氧化層；用絕緣層填充其中形成有側(cè)壁氧化層的該第一溝槽和該第二溝槽；執(zhí)行平坦化工藝直到暴露該隔離掩模圖形的頂端；移除該隔離掩^f莫圖形；以及使用平坦化工藝和清洗工藝形成隔離層，其中除了位于該隔離層頂部邊緣的覆蓋該柵絕緣層的翼間隔體之外，該隔離層的頂部不高于該柵絕緣層。24、如權(quán)利要求23的方法，其中每個(gè)該第一溝槽具有在隔離結(jié)構(gòu)深度的1/6至1/3范圍內(nèi)的深度。25、如權(quán)利要求23的方法，其中該間隔體由從氧化層、HTO層、氮化層和它們的組合構(gòu)成的組中選出的層形成。26、如權(quán)利要求23的方法，其中在該清洗工藝中該絕緣層比該襯墊氧化層蝕刻得快。27、如權(quán)利要求26的方法，其中該側(cè)壁氧化層由TEOS層或熱氧化層形成，以及該絕緣層由PSZ層形成。28、如權(quán)利要求26的方法，其中在清洗腔體中使用CF4和CHF3執(zhí)行清洗工藝，以及清洗腔體的條件包括壓力為50mTorr至200mTorr,并且RF功率為200W至400W。全文摘要本發(fā)明涉及快閃存儲器的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，該方法包括在半導(dǎo)體襯底之上形成柵絕緣層、第一導(dǎo)電層和隔離掩模。圖形化隔離掩模以暴露將要形成隔離層的區(qū)域。使用圖形化的隔離掩模蝕刻第一導(dǎo)電層、柵絕緣層和半導(dǎo)體襯底以形成溝槽。襯墊氧化層形成在包括溝槽的所得結(jié)構(gòu)上。用絕緣層填充其中形成有襯墊氧化層的溝槽。實(shí)施平坦化工藝和清洗工藝以在隔離層的頂部邊緣部分形成覆蓋柵絕緣層的翼間隔體，由此形成隔離層。文檔編號H01L21/8247GK101393896SQ200810175679公開日2009年3月25日申請日期2008年7月25日優(yōu)先權(quán)日2007年7月25日發(fā)明者宋錫杓,徐智賢,辛東善申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司