專利名稱：柔性顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及柔性顯示裝置，更具體地說，涉及柔性顯示裝置及其制 造方法。
背景技術(shù)：
本申請要求享有2008年5月23日提交的韓國專利申請 10-2008-0048042的優(yōu)先權(quán)，以弓l證的方式將其內(nèi)容魏并入于此。
在電子設(shè)備的制造中最近的傾向是廣泛使用輕薄且表現(xiàn)出良好抗撞 擊特性的柔性基板。利用柔性基板的顯示裝置有液晶顯示裝置、有機電 致發(fā)光顯示裝置以及電泳顯示裝置。柔性顯示裝置可應(yīng)用于智能卡、便 攜式計算機以及電子紙。
柔性顯示裝置包括顯示面板和驅(qū)動部。顯示面板包括用于經(jīng)由以矩 陣形狀排列的多個像素顯示圖像的顯示區(qū)；以及連接到驅(qū)動部的、不顯 示圖像的非顯示區(qū)。該驅(qū)動部包括安裝了選通驅(qū)動器的選通TCP (帶載 封裝tape carrier package)和其中安裝了數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)TCP。在非 顯示區(qū)布置連接到選通TCP的柵焊盤部和連接到數(shù)據(jù)TCP的數(shù)據(jù)焊盤 部。例如，電泳顯示裝置包括設(shè)置有用于驅(qū)動像素的多個TFT的薄膜晶 體管(TFT: thin film transistor)基板。在TFT基板上附裝具有油墨層的 油墨基板(ink substrate),從而形成顯示面板。TFT基板是通過對母基板 沖壓切割形成的。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示裝置的平面圖。參照圖1，在母基板1 上設(shè)置了與顯示面板的尺寸相對應(yīng)的多個TFT基板3。
圖2例示了圖1中的其中一個TFT基板3的結(jié)構(gòu)。參照圖2，圖1 的各fFT基板3包括其中布置有多個像素的顯示區(qū)D以及其中布置有多 個柵焊盤部12和多個數(shù)據(jù)焊盤部16的非顯示區(qū)ND。在顯示區(qū)D，多條選通線10和多條數(shù)據(jù)線14彼此交叉排列。多個像素P由彼此交叉的選
通線10和數(shù)據(jù)線14限定。TFT 18連接與排列在各像素P中的各條選通 線10和各條數(shù)據(jù)線14連接。非顯示區(qū)ND中的柵悍盤部12與顯示區(qū)D 中的選通線10連接。非顯示區(qū)ND中的數(shù)據(jù)焊盤部16與顯示區(qū)D中的 數(shù)據(jù)線14連接。
圖3是示出各像素的TFT區(qū)域和非顯示區(qū)M)中的柵焊盤區(qū)域12 和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域16的剖視圖。參照圖3，在柔性并由金屬形成的母基板 1上形成由絕緣材料形成的阻擋膜(barrier film) 23。阻擋膜23被形成用 來防止母基板1和隨后形成的選通線10、柵極25以及柵焊盤電極27之 間的電短路。
在阻擋膜23上形成選通線10、柵極25以及柵焊盤電極27，并且在 設(shè)置有選通線10、柵極25以及柵焊盤電極27的阻擋膜23上形成柵絕緣 膜29。在與柵極25相對應(yīng)的柵絕緣膜29上形成半導(dǎo)體層31。
在包括半導(dǎo)體層31的母基板1上形成數(shù)據(jù)線14、源極33和漏極35， 以及數(shù)據(jù)焊盤電極37。接著，在具有半導(dǎo)體層31在母基板1上形成保護 膜39。接著，在保護膜39上形成像素電極41、柵接觸電極43以及數(shù)據(jù) 接觸電極45。像素電極41連接到漏極35，柵接觸電極43連接到柵焊盤 電極27，而數(shù)據(jù)接觸電極45連接到數(shù)據(jù)焊盤電極37。
因此，在柵焊盤區(qū)域中形成阻擋膜23、柵焊盤電極27、柵絕緣膜 29、保護膜39以及柵接觸電極43。此外，在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域形成阻擋膜 23、柵絕緣膜29、數(shù)據(jù)焊盤電極37、保護膜39以及數(shù)據(jù)接觸電極45。
在形成TFT 18、柵焊盤部12以及數(shù)據(jù)焊盤部16之后，對母基板l 進行切割處理。由于母基板l由金屬形成，因此利用壓床(press machine) 對母基板l進行切割。即，如圖4所示，當(dāng)將母基板1容納在支承件51 上時，由壓具53對母基板1加壓以進行物理切割，從而制造TFT基板。 由此，柵焊盤區(qū)域或數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域位于待切割的部分處。
因此，當(dāng)在壓床中以物理加壓方式切割母基板時，TFT基板的邊緣 部分會出現(xiàn)毛刺或破裂，這可能使基板的各層翹起或在基板中產(chǎn)生裂紋 或斷線。此外，在加壓過程中，基板靠近切割線的各層可能分離并附接到TFT基板上，從而發(fā)生線路短路。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供柔性顯示裝置及其制造方法，該柔性顯示裝 置及其制造方法基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個 或更多個問題。
根據(jù)本發(fā)明的一個總的方面， 一種柔性顯示裝置，該柔性顯示裝置 包括母基板，其具有將該母基板劃分為多個薄膜晶體管基板的切割線； 形成在該母基板上的阻擋膜；在該阻擋膜上形成的選通線；通過與選通 線交叉來限定像素的數(shù)據(jù)線；連接到選通線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；連 接到選通線并在柵焊盤區(qū)域上形成的柵焊盤電極；連接到數(shù)據(jù)線并在數(shù) 據(jù)焊盤區(qū)域上形成的數(shù)據(jù)焊盤電極；連接到薄膜晶體管上的像素電極； 在數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤電極下方形成的柵絕緣膜；在像素電極上形成的保 護膜；柵接觸電極，其在柵焊盤區(qū)域中形成并連接到柵焊盤電極，使保 護膜置于柵接觸電極和柵焊盤電極之間，以及數(shù)據(jù)接觸電極，其在數(shù)據(jù) 焊盤區(qū)域中形成并連接到數(shù)據(jù)焊盤電極，使保護膜置于數(shù)據(jù)接觸電極和 數(shù)據(jù)焊盤電極之間，其中切割線附近在母基板上僅存在阻擋膜。
根據(jù)本發(fā)明的另一總體方面的柔性顯示裝置包括母基板，其具有 將該母基板劃分為多個薄膜晶體管基板的切割線；在該母基板上形成的 阻擋膜；在該阻擋膜上形成的選通線；通過與選通線交叉來限定像素的 數(shù)據(jù)線；連接到選通線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；連接到選通線并在柵焊 盤區(qū)域上形成的柵焊盤電極；連接到數(shù)據(jù)線并形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域上的 數(shù)據(jù)焊盤電極；連接到薄膜晶體管上的像素電極；在數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤 電極下方形成的柵絕緣膜；在像素電極上的保護膜；柵接觸電極，在柵 焊盤區(qū)域中形成并連接到柵焊盤電極，使保護膜置于柵接觸電極和柵焊 盤電極之間；以及數(shù)據(jù)接觸電極，其在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中形成并連接到數(shù) 據(jù)焊盤電極，使保護膜置于數(shù)據(jù)接觸電極和數(shù)據(jù)焊盤電極之間，其中在 切割線的附近區(qū)域中、沒有在母基板上設(shè)置柵絕緣膜、柵焊盤電極、數(shù) 據(jù)焊盤電極、保護膜、阻擋膜、柵接觸電極以及數(shù)據(jù)接觸電極。
8根據(jù)本發(fā)明又一總體方面的制造柔性顯示裝置的方法，該方法包括 以下步驟提供具有切割線的母基板，該母基板被沿著切割線切割成多
個薄膜晶體管基板；在該母基板上形成阻擋膜并從切割線附近的區(qū)域中 去除該阻擋膜；在該阻擋膜上形成選通線、柵極以及柵焊盤電極并從切 割線附近的區(qū)域去除柵焊盤電極；在包括選通線、柵極以及柵焊盤電極 的母基板上形成柵絕緣膜；并從切割線附近的區(qū)域去除該柵絕緣膜；在 柵絕緣膜上形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極以及數(shù)據(jù)焊盤電極，并從切割線附 近的區(qū)域去除數(shù)據(jù)焊盤電極；在包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極以及數(shù)據(jù)焊盤 電極的母基板上形成具有至少一個接觸孔的保護膜，并從切割線附近的 區(qū)域中去除該保護膜；以及在保護膜上形成像素電極、柵接觸電極以及 數(shù)據(jù)接觸電極，并從切割線附近的區(qū)域中去除柵接觸電極和數(shù)據(jù)接觸電 極。
根據(jù)本發(fā)明再一總體方面的制造柔性顯示制造的方法，該方法包括 以下步驟提供具有切割線的母基板，該母基板被沿著切割線切割成多 個薄膜晶體管基板；在該母基板上形成阻擋膜；在該阻擋膜上形成選通
線、柵極以及柵焊盤電極并從切割線附近的區(qū)域去除柵焊盤電極；在包 括選通線、柵極以及柵焊盤電極的母基板上形成柵絕緣膜，并從切割線 附近的區(qū)域去除該柵絕緣膜；在柵絕緣膜上形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極以 及數(shù)據(jù)焊盤電極，并從切割線附近的區(qū)域去除數(shù)據(jù)焊盤電極；在包括數(shù) 據(jù)線、源極和漏極以及數(shù)據(jù)焊盤電極的母基板上形成具有至少一個接觸 孔的保護膜，并從切割線附近的區(qū)域中去除該保護膜，以及在該保護膜 上形成像素電極、柵接觸電極以及數(shù)據(jù)接觸電極，并從切割線附近的區(qū) 域中去除柵接觸電極和數(shù)據(jù)接觸電極。
本領(lǐng)域技術(shù)人員在考察以下附圖和詳細(xì)說明以后將清楚其他系統(tǒng)、 方法、特征和優(yōu)點。目的是使所有這些附加的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點 包括于此描述中、落入本發(fā)明的范圍內(nèi)、并由所附權(quán)利要求進行保護。 不應(yīng)該將這部分的任何內(nèi)容視作對權(quán)利要求的限制。下面將結(jié)合各實施 方式對其他方面和優(yōu)點進行討論。應(yīng)理解的是，本發(fā)明的以上一般性描 述和以下詳細(xì)描述都是示例性和說明性的，旨在提供對要求保護的本發(fā)
9明的進一步說明。


為提供對本發(fā)明的進一步理解而包括進來并被并入且構(gòu)成本申請的 一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施方式，并且與說明書一起用于解釋本 發(fā)明。'在附圖中
圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示裝置的平面圖2是示出圖1的TFT基板的圖3是示出各像素的TFT區(qū)域和非顯示區(qū)域的柵焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊 盤區(qū)域的剖視圖4是示出切割母基板的壓床的剖視圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的柔性顯示裝置的平面圖6是示出沿圖5的i-r線和n-ir線截取的柔性顯示裝置的剖視圖7A-7F是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的柔性顯示裝置制造方 法的工序圖8是示出沿圖5的i-r線和n-n'線截取的柔性顯示裝置的剖視以及
圖9A-9F是說明根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的柔性顯示裝置制造方 法的工序圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)參照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行說明，在附圖中示出了其 示例。盡可能地，在整個附圖中使用相同的標(biāo)號來表示相同或類似的部 件。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的柔性顯示裝置的平面圖。參照圖5， 在母基板101上設(shè)置有多個TFT基板?？梢酝ㄟ^在TFT基板上按預(yù)定工 藝形成TFT、柵焊盤部以及數(shù)據(jù)焊盤部、利用沖壓工藝(press process) 沿切割線150切割TFT基板來制造TFT基板。
圖6是示出沿圖5的i-r線和n-n'線截取的柔性顯示裝置的剖視圖。參照圖5和圖6，利用絕緣材料在母基板101上形成阻擋膜103。母 基板]01可以由金屬形成。該金屬可以是廉價、輕質(zhì)并具有高剛性的不 銹鋼。因此，不銹鋼適用于柔性基板。
阻擋膜103被形成用來防止在母基板101和隨后形成的選通線、柵 極以及柵焊盤電極105之間電短路。由于阻擋膜103需要相對較厚，因 此阻擋膜103可以由表現(xiàn)出絕緣特性并易于以一定厚度形成的有機材料 形成。在阻擋膜103上和上方形成選通線、柵極以及柵悍盤電極105。選 通線、柵極以及柵焊盤電極105可以一體形成。
可以在非顯示區(qū)的柵焊盤區(qū)域中形成柵焊盤電極105。可以在顯示 區(qū)中形成選通線和柵極。在選通線、柵極以及柵焊盤電極105上形成柵 絕緣膜107。在與柵極對應(yīng)的柵絕緣膜107上形成半導(dǎo)體層和源極/漏極。 由此，TFT可以由柵極、半導(dǎo)體層以及源極/漏極形成。
數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤電極109可與源極Z漏極形成在同一層。源極/漏 極、數(shù)據(jù)線以及數(shù)據(jù)焊盤電極109可以形成為一體。因此，TFT可以與 選通線和數(shù)據(jù)線連接。
可以在非顯示區(qū)的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中形成數(shù)據(jù)焊盤電極109?？梢栽?顯示區(qū)中形成數(shù)據(jù)線和源極/漏極。選通線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素。 在顯示區(qū)域中可以按矩陣形狀來布置多個像素。
在基板101上方形成具有露出漏極的漏極接觸孔、露出柵焊盤電極 105的柵接觸孔131以及露出數(shù)據(jù)焊盤電極109的數(shù)據(jù)接觸孔133的保護 膜111。在保護膜111上形成像素電極、柵接觸電極113以及數(shù)據(jù)接觸電 極115。像素電極、柵接觸電極113以及數(shù)據(jù)接觸電極115可以由透明金 屬材料(例如ITO或IZO)形成。
像素電極經(jīng)由漏極接觸孔電連接到漏極。柵接觸電極113經(jīng)由柵接 觸孔131電連接到柵焊盤電極105。數(shù)據(jù)接觸電極115經(jīng)由數(shù)據(jù)接觸孔 133電連接到數(shù)據(jù)焊盤電極109。由此，柵焊盤部由柵焊盤電極105和柵 接觸電極113形成。數(shù)據(jù)焊盤部由數(shù)據(jù)焊盤電極109和數(shù)據(jù)接觸電極115 形成。
可按典型的制造方法來形成從選通線到像素電極的各層。在本實施
ii方式中，去除阻擋膜103上的靠近切割線150的各層?？拷懈罹€150 的區(qū)域包括由切割線150劃分的內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域。內(nèi)部區(qū)域表示切 割線150和柵焊盤部或數(shù)據(jù)焊盤部之間的區(qū)域，而外部區(qū)域表示相鄰的 TFT基板的切割線150之間的部分。
各層可以是柵焊盤電極105、柵絕緣膜107、數(shù)據(jù)焊盤電極109、保 護膜111、柵接觸電極113以及數(shù)據(jù)接觸電極115。由于去除阻擋膜103 上靠近切割線150的各層，因此在靠近切割線150的母基板101上僅保 留有阻擋膜103。
當(dāng)通過沿切割線150切割母基板101來制造TFT基板時，在切割線 150的附近僅存在阻擋膜103。因此，當(dāng)壓床沿切割線150沖壓母基板101 時，由于存在阻擋膜103 —層，所以在阻擋膜103上和上方的任何層都 不會產(chǎn)生裂紋或翹起。由此，不會產(chǎn)生柵焊盤電極105或數(shù)據(jù)焊盤電極 109的斷路。
此外，由于在切割線150區(qū)域的阻擋膜103上不存在層，因此可以 防止由于切割線150附近的阻擋膜103上的各層通過沖壓而分離并附接 在TFT基板上引起的線路短路。
圖7A-7F是示出制造根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的柔性顯示裝置的 方法的工序圖。參照圖7A，在母基板101上由有機絕緣材料構(gòu)成阻擋膜 103?？梢栽谀富?01的包括切割線150的附近區(qū)域的整個表面上形成 阻擋膜103。母基板101可以由金屬材料(可以是不銹鋼)形成。
參照圖7B，在阻擋膜103上形成選通線、柵極以及柵焊盤電極105。 去除靠近切割線150區(qū)域的柵焊盤電極105。在與切割線150相鄰的柵焊 盤區(qū)域中形成柵焊盤電極105。
如上所述，切割線150附近的區(qū)域包括由切割線150劃分的內(nèi)部區(qū) 域和外部區(qū)域。內(nèi)部區(qū)域位于切割線150和柵焊盤部或數(shù)據(jù)焊盤部之間， 而外部區(qū)域位于相鄰的TFT基板的切割線150之間。
參照圖7C，在包括選通線、柵極以及柵焊盤電極105的母基板101 上形成柵絕緣膜107。去除切割線150附近的柵絕緣膜107。
如圖7D所示，在柵絕緣膜107上形成數(shù)據(jù)線、源極/漏極以及數(shù)據(jù)焊盤電極109。去除切割線150附近的數(shù)據(jù)焊盤電極109。
參照7E，在包括數(shù)據(jù)線、源極/漏極以及數(shù)據(jù)焊盤電極109的母基板 101上形成保護膜111。去除切割線150附近的保護膜111。在保護膜111 中形成露出漏極的漏極接觸孔、露出柵焊盤電極105的柵接觸孔131以 及露出數(shù)據(jù)焊盤電極109的數(shù)據(jù)接觸孔133。可以在形成漏極接觸孔、柵 接觸孔131以及數(shù)據(jù)接觸孔133的同時去除切割線150附近的保護膜111。 參照圖7F，在保護膜111上形成像素電極、柵接觸電極113、數(shù)據(jù) 接觸電極115。從切割線150附近的區(qū)域中去除柵接觸電極113和數(shù)據(jù)接 觸電極115。
像素電極經(jīng)由漏極接觸孔電連接到漏極。柵接觸電極131經(jīng)由柵接 觸孔131電連接到柵焊盤電極105。數(shù)據(jù)接觸電極115經(jīng)由數(shù)據(jù)接觸孔 133電連接到數(shù)據(jù)焊盤電極109。接著，利用壓床切割母基板101以使得 由此制造多個TFT基板。
圖8是示出沿圖5的W'線和n-ir線截取的另一柔性顯示裝置的 剖視圖。圖8與圖6類似，與圖6的不同之處在于去除切割線150附近 的阻擋膜103以使得在母基板101上沒有形成層。在沒有從如圖6所示 的切割線150附近的區(qū)域中去除阻擋膜103的情況下，不需要用于去除 阻擋膜103的掩膜工序，使得可以降低成本。
相反，在從如圖8所示的切割線150附近去除阻擋膜103的情況下， 需要用于去除阻擋膜103的掩膜工序，由此增加了成本。然而，由于在 靠近切割線150區(qū)域的母基板101上沒有層存在，因此與圖6相比，可 以減少在通過沖壓工序進行切割的過程中的裂紋或翹起。
圖9A-9F是說明制造根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的柔性顯示裝置的 方法的工序圖。圖9A-9F的制造方法與圖7A-7F的類似。然而，如圖9A 所示，在母基板IOI上形成阻擋膜103。接著，利用掩膜工序去除切割線 150附近區(qū)域中的阻擋膜103，以使得露出母基板IOI。由于圖9B-9F的 制造方法與圖7B-7F的制造方法相同，因此這里省略對它們的說明。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的各實施方式的柔性顯示裝置及其制造方法 在將母基板劃分為TFT基板的切割線的附近在母基板上僅形成阻擋膜或
13不形成層。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，即使在利用壓床沖壓母基板時，在TFT 基板中也不會產(chǎn)生各層的裂紋或翹起，從而在柵焊盤電極或數(shù)據(jù)焊盤電
極中不會產(chǎn)生斷路。由此，可以防止由于層發(fā)生分離并附接在TFT基板
上而產(chǎn)生的線路短路。
顯然，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范 圍的情況下進行各種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在覆蓋落入本發(fā)明的 所附權(quán)利要求及其等同范圍內(nèi)的修改例和變型例。
權(quán)利要求
1、一種柔性顯示裝置，該柔性顯示裝置包括母基板，其具有將該母基板劃分為多個薄膜晶體管基板的切割線；設(shè)置在所述母基板上的阻擋膜；設(shè)置在所述阻擋膜上的選通線；與所述選通線交叉而限定像素的數(shù)據(jù)線；連接到所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；連接到所述選通線并設(shè)置在柵焊盤區(qū)域上的柵焊盤電極；連接到所述數(shù)據(jù)線并設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域上的數(shù)據(jù)焊盤電極；連接到所述薄膜晶體管上的像素電極；設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)焊盤電極下方的柵絕緣膜；設(shè)置在所述像素電極上的保護膜；柵接觸電極，其形成在所述柵焊盤區(qū)域中并連接到所述柵焊盤電極，所述保護膜夾在所述柵接觸電極和所述柵焊盤電極之間；以及數(shù)據(jù)接觸電極，其設(shè)置在所述數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中并連接到所述數(shù)據(jù)焊盤電極，所述保護膜夾在所述數(shù)據(jù)接觸電極和所述數(shù)據(jù)焊盤電極之間，其中在所述切割線附近在所述母基板上僅存在所述阻擋膜。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其中在所述切割線附近的 區(qū)域中在所述母基板上沒有所述柵絕緣膜、所述柵焊盤電極、所述數(shù)據(jù) 焊盤電極以及所述保護膜。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其中所述母基板由柔性不 銹鋼制成。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其中所述切割線的附近包 括內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的柔性顯示裝置，其中所述內(nèi)部區(qū)域是所述切割線和柵焊盤部或數(shù)據(jù)焊盤部之間的區(qū)域，并且所述柵焊盤部是由所 述柵焊盤電極和所述柵接觸電極形成的，而所述數(shù)據(jù)焊盤部是由所述數(shù) 據(jù)焊盤電極和所述數(shù)據(jù)接觸電極形成的。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的柔性顯示裝置，其中所述外部區(qū)域位于相 鄰的薄膜晶體管基板的切割線之間。
7、 一種柔性顯示裝置，該柔性顯示裝置包括.-母基板，其具有將該母基板劃分為多個薄膜晶體管基板的切割線；設(shè)置在所述母基板上的阻擋膜；設(shè)置在所述阻擋膜上的選通線；與所述選通線交叉而限定像素的數(shù)據(jù)線；連接到所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；連接到所述選通線并形成在柵焊盤區(qū)域上的柵焊盤電極；連接到所述數(shù)據(jù)線并設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域上的數(shù)據(jù)焊盤電極；連接到所述薄膜晶體管上的像素電極；設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)焊盤電極下方的柵絕緣膜；設(shè)置在所述像素電極上的保護膜；柵接觸電極，其設(shè)置在所述柵焊盤區(qū)域中并連接到所述柵焊盤電極， 所述保護膜夾在所述柵接觸電極和所述柵焊盤電極之間；以及數(shù)據(jù)接觸電極，其設(shè)置在所述數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中并連接到所述數(shù)據(jù)焊 盤電極，所述保護膜夾在所述數(shù)據(jù)接觸電極和所述數(shù)據(jù)焊盤電極之間，其中在所述切割線的附近區(qū)域中、沒有在所述母基板上設(shè)置所述柵 絕緣膜、所述柵焊盤電極、所述數(shù)據(jù)焊盤電極、所述保護膜、所述阻擋 膜、所述柵接觸電極以及所述數(shù)據(jù)接觸電極。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的柔性顯示裝置，其中所述母基板由柔性不 銹鋼制成。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的柔性顯示裝置，其中所述切割線的附近包 括內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的柔性顯示裝置，其中所述內(nèi)部區(qū)域是所 述切割線和柵焊盤部或數(shù)據(jù)焊盤部之間的區(qū)域，并且所述柵焊盤部是由 所述柵焊盤電極和所述柵接觸電極形成的，而所述數(shù)據(jù)焊盤部是由所述 數(shù)據(jù)焊盤電極和所述數(shù)據(jù)接觸電極形成的。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的柔性顯示裝置，其中所述外部區(qū)域位于相鄰的薄膜晶體管基板的切割線之間。
12、 一種制造柔性顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟 提供具有切割線的母基板，該母基板被沿著所述切割線切割成多個薄膜晶體管基板；在所述母基板上形成阻擋膜，并從所述切割線附近的區(qū)域中去除所述阻擋膜；在所述阻擋膜上形成選通線、柵極以及柵焊盤電極，并從所述切割 線附近的區(qū)域中去除所述柵焊盤電極；在包括所述選通線、所述柵極以及所述柵焊盤電極的母基板上形成 柵絕緣膜，并從所述切割線附近的區(qū)域中去除所述柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極以及數(shù)據(jù)焊盤電極，并 從所述切割線附近的區(qū)域中去除所述數(shù)據(jù)焊盤電極；在包括所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極以及所述數(shù)據(jù)焊盤電極的 母基板上形成具有至少一個接觸孔的保護膜，并從所述切割線附近的區(qū) 域中去除所述保護膜；以及在所述保護膜上形成像素電極、柵接觸電極以及數(shù)據(jù)接觸電極，并 從所述切割線附近的區(qū)域中去除所述柵接觸電極和所述數(shù)據(jù)接觸電極。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，當(dāng)形成所述至少一個接觸 孔時，從所述切割線的附近去除所述保護膜。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述母基板由柔性不銹鋼制成。
15、 一種制造柔性顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟 提供具有切割線的母基板，該母基板被沿著所述切割線切割成多個薄膜晶體管基板；在所述母基板上形成阻擋膜；在所述阻擋膜上形成選通線、柵極以及柵焊盤電極，并從所述切割 線附近的區(qū)域中去除所述柵焊盤電極；在包括所述選通線、所述柵極以及所述柵焊盤電極的母基板上形成 柵絕緣膜，并從所述切割線附近的區(qū)域中去除所述柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極以及數(shù)據(jù)焊盤電極，并 從所述切割線附近的區(qū)域中去除所述數(shù)據(jù)焊盤電極；在包括所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極以及所述數(shù)據(jù)焊盤電極的 母基板上形成具有至少一個接觸孔的保護膜，并從所述切割線附近的區(qū)域中去除所述保護膜；以及在所述保護膜上形成像素電極、柵接觸電極以及數(shù)據(jù)接觸電極，并 從所述切割線附近的區(qū)域中去除所述柵接觸電極和所述數(shù)據(jù)接觸電極。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述切割線的附近在所述母基板上形成所述阻擋膜。
17、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述母基板由柔性不銹鋼制成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種適于防止焊盤電極斷路和線路短路的柔性顯示裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的各實施方式的柔性顯示裝置及其制造方法在母基板上的將母基板劃分為TFT基板的切割線附近僅形成阻擋膜或沒有層形成。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，即使在利用壓床沖壓母基板時，在TFT基板中也不會產(chǎn)生裂紋或翹起，以使得在柵焊盤電極或數(shù)據(jù)焊盤電極中不會產(chǎn)生斷路。由此，可以防止由于層發(fā)生分離并附接在TFT基板上而產(chǎn)生的線路短路。
文檔編號H01L21/768GK101587900SQ20081018234
公開日2009年11月25日 申請日期2008年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月23日
發(fā)明者姜昇澈, 李裁求 申請人:樂金顯示有限公司