專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。特別地，本發(fā)明涉及一種包括封裝在樹 脂外殼中的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
在諸如逆變裝置、不間斷電源、加工工具或工業(yè)機(jī)器人之類的裝置中， 將包括安裝于其中的功率半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件(通用模塊)獨(dú)立于該 裝置主體使用。這樣的半導(dǎo)體器件具有一種功率半導(dǎo)體元件被密封(封裝)
于樹脂外殼中的結(jié)構(gòu)(例如參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1和2)。
接線端子(引線框) 一般用于這樣的半導(dǎo)體器件的內(nèi)引線(參見(jiàn)專利 文獻(xiàn)3)。
例如，圖11是示出包括密封在樹脂外殼中的功率半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體 器件的主要部分的示意圖。圖11示出通過(guò)使用接線端子內(nèi)接線的半導(dǎo)體器 件的示例。
如圖11所示，該半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在樹脂外殼400中的IGBT (絕 緣柵雙極晶體管)元件100。這里提到的IGBT元件IOO是具有設(shè)置在其上 表面中的發(fā)射極電極和設(shè)置在其下表面中的集電極電極的垂直功率半導(dǎo)體 元件。IGBT元件100的發(fā)射極電極和布線襯底200通過(guò)接線端子600彼此 導(dǎo)電連接。IGBT元件100的集電極電極直接導(dǎo)電連接到布線襯底200。
發(fā)射極電極和布線襯底200 —般通過(guò)焊接、超聲焊接、激光焊接等經(jīng) 接線端子600相互接合。 JP-A-6-045518 JP-A-2002-368192 JP-A-2005-064441
然而在上述半導(dǎo)體器件中，存在的問(wèn)題是不可能容易地改變接線端子600的布局。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到這一點(diǎn)開(kāi)發(fā)了本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供包括封裝在樹脂外 殼中的半導(dǎo)體元件及其中有可能容易地改變至少一接線端子的布局的半導(dǎo) 體器件。
為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括: 固定支撐在樹脂外殼中的多個(gè)外部連接端子；封裝在該樹脂外殼中的至少
一個(gè)半導(dǎo)體元件；以及設(shè)置有至少一個(gè)接線端子——該半導(dǎo)體元件通過(guò)它
電連接到外部連接端子——的至少一個(gè)端子塊。
根據(jù)上述配置，有可能實(shí)現(xiàn)設(shè)置有封裝在樹脂外殼中的半導(dǎo)體元件以 及接線端子的布局可容易地改變的半導(dǎo)體器件。


圖1A和1B是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的主要部分的示意
圖2是用于說(shuō)明半導(dǎo)體器件的效果的半導(dǎo)體器件的主要部分的示意圖 (部分1);
圖3是用于說(shuō)明半導(dǎo)體器件的效果的半導(dǎo)體器件的主要部分的示意圖 (部分2);
圖4是用于說(shuō)明半導(dǎo)體器件的效果的半導(dǎo)體器件的主要部分的示意圖 (部分3);
圖5是用于說(shuō)明半導(dǎo)體器件的效果的半導(dǎo)體器件的主要部分的示意圖 (部分4);
圖6是用于說(shuō)明半導(dǎo)體器件的效果的半導(dǎo)體器件的主要部分的示意圖 (部分5);
圖7是用于說(shuō)明半導(dǎo)體器件的效果的半導(dǎo)體器件的主要部分的示意圖 (部分6);
圖8是根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的變體的主要部分的示意圖；圖9A和9B是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的主要部分的示意
圖IOA和IOB是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的主要部分的示 意圖；以及
圖11是根據(jù)其中功率半導(dǎo)體元件密封在樹脂外殼中的背景技術(shù)的半 導(dǎo)體器件的主要部分的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下文將參考附圖具體描述關(guān)于半導(dǎo)體器件的本發(fā)明各實(shí)施例。 <第一實(shí)施例>
圖1A和1B是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的主要部分的 示意圖。圖1A示出該半導(dǎo)體器件的俯視示意圖。圖1B示出該半導(dǎo)體器件 沿圖1A的虛線X-X所取并從箭頭方向觀看的截面圖。此外，圖1A和1B 示出對(duì)應(yīng)于逆變器電路一相的半導(dǎo)體模塊的示例。
圖1A和1B所示的半導(dǎo)體器件1具有作為襯底的毫米量級(jí)厚度的金屬 基板。各個(gè)絕緣襯底20通過(guò)無(wú)引線錫銀(錫一銀)類焊料層(未示出)接 合和安裝到金屬基板10上。作為功率半導(dǎo)體元件的IGBT元件30a和30b 及FWD元件31a和31b分別安裝在絕緣襯底20的上層上。半導(dǎo)體器件1 還具有封裝有上述半導(dǎo)體元件的樹脂外殼40等，以使半導(dǎo)體器件1可擔(dān)當(dāng) 所謂的通用IGBT模塊(功率模塊)。
各個(gè)絕緣襯底20包括絕緣板20a、通過(guò)DCB (直接銅接合)方法在絕 緣板20a下表面上形成的金屬箔20b、以及通過(guò)相同的DCB方法在絕緣板 20a上表面上形成的金屬箔20c。
至少一個(gè)IGBT元件30a或30b通過(guò)焊料層(未示出)安裝在各個(gè)絕 緣襯底20的金屬箔20c上，而IGBT元件30a或30b的背側(cè)(例如集電極 電極側(cè))接合到金屬箔20c上。
發(fā)射極電極設(shè)置在IGBT元件30a或30b的與集電極電極相反的主表 面上，例如在IGBT元件30a或30b的上表面?zhèn)?。控制電極30g也設(shè)置在 IGBT元件30a或30b上表面的一部分上。各個(gè)控制電極30g通過(guò)金屬線21電連接到插入模壓(insert-molded)(密封)到樹脂外殼40中的引腳端子 (控制端子)22的一端。引腳端子22的另一端從半導(dǎo)體器件1向上延伸到 高于樹脂外殼40上表面的位置。
各個(gè)FWD元件31a或31b安裝在金屬箔20c上，而FWD元件31a或 31b的陰極側(cè)通過(guò)焊料層(未示出)接合到金屬箔20c。 FWD元件31a或 31b的陽(yáng)極側(cè)設(shè)置在FWD元件31a或31b的與陰極側(cè)相反的主表面上，即 在FWD元件31a或31b的上表面上。
具有彎曲結(jié)構(gòu)的整體端子23a或23b通過(guò)諸如焊接、超聲焊接、激光 焊接或用螺絲固定之類的一些方法布置在IGBT元件30a或30b的發(fā)射極電 極(IGBT元件30a或30b的上表面?zhèn)?和FWD元件31a或31b的陽(yáng)極側(cè) (FWD元件31a或31b的上表面?zhèn)?之間。因此，通過(guò)端子23a或23b確 保了 IGBT元件30a或30b的發(fā)射極電極和FWD元件31a或31b的陽(yáng)極側(cè) 之間的電連接。
在樹脂外殼40中端子23a或23b進(jìn)一步延伸到形成L形狀圖案的金屬 箔20d。端子23a或23b和金屬箔20d通過(guò)焊接等方法相互電連接。
IGBT元件30a或30b的集電極電極和FWD元件31a或31b的陰極側(cè) 通過(guò)金屬箔20c——在IGBT元件30a或30b和FWD元件31a或31b下設(shè) 置的層——相互導(dǎo)電連接。
例如，各個(gè)絕緣板20a由氧化鋁(A1203)燒結(jié)的陶瓷材料制成，而各 個(gè)金屬箔20b、 20c和20d由包含作為主要成份的銅(Cu)的金屬材料制成。 例如，各個(gè)端子23a和23b由包含作為主要成份的諸如銅(Cu)或鋁(Al) 之類金屬或其合金的材料制成。
裝在金屬箔20c上的半導(dǎo)體元件不限于上述IGBT元件30a或30b，而 可包括功率MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。
在半導(dǎo)體器件1中，提供例如由PPS (聚苯硫醚)制成的樹脂外殼40 以將其固定到金屬基板10的上邊緣。例如導(dǎo)電連接到IGBT元件30a和30b 的主電極的外部連接端子50、 51、 52、 53、 54和55部分插入模壓到樹脂 外殼40中。
在半導(dǎo)體器件1中，將外部連接端子51和54設(shè)置成使外部連接端子51擔(dān)當(dāng)逆變器電路的正極輸入端子(P端子)而外部連接端子54擔(dān)當(dāng)逆變 器電路的負(fù)極輸入端子(N端子)。這些外部連接端子51和54分別電連 接到設(shè)置在半導(dǎo)體器件1外部的DC電源的正極和負(fù)極。
此外，將外部連接端子53和55設(shè)置成使外部連接端子53和55擔(dān)當(dāng) 逆變器電路的AC輸出端(例如，U相)。
雖然已對(duì)作為示例的逆變器電路進(jìn)行了上述描述，但這種電路配置不 限于逆變器電路而可應(yīng)用于諸如斬波電路之類的其它電功率轉(zhuǎn)換電路。
此外，剩下的外部連接端子50和52是備用端子。
例如，端子支座24a的一端通過(guò)焊接等方法接合到外部連接端子51。 此外，端子支座24a的另一端通過(guò)焊接等方法接合到金屬箔20c。
在半導(dǎo)體器件l中，以這種方式，在樹脂外殼40中固定設(shè)置的外部連 接端子51和金屬箔20c通過(guò)端子支座24a相互電連接。g卩，外部連接端子 51導(dǎo)電連接到IGBT元件30a的集電極電極和FWD元件31a的陰極側(cè)。
端子支座24b的一端通過(guò)焊接等方法接合到外部連接端子54。此外， 端子支座24b的另一端通過(guò)焊接等方法接合到金屬箔20d。
在半導(dǎo)體器件l中，以這種方式，在樹脂外殼40中固定設(shè)置的外部連 接端子54和金屬箔20d通過(guò)端子支座24b相互電連接。艮卩，外部連接端子 54導(dǎo)電連接到IGBT元件30b的發(fā)射極電極和FWD元件31b的陽(yáng)極側(cè)。
此外，U形接線端子(引線框)60的各端通過(guò)焊接等方法分別接合到 外部連接端子53和55。接線端子60的中間部分通過(guò)焊接等方法接合到端 子支座25的上表面。端子支座25的下表面通過(guò)焊接等方法接合到金屬箔 20c和20d。
在半導(dǎo)體器件l中，以這種方式，接線端子60的各端電連接到在樹脂 外殼40中固定設(shè)置的外部連接端子53和55。此外，接線端子60的中間部 分通過(guò)端子支座25電連接到IGBT元件30a的發(fā)射極電極和FWD元件31a 的陽(yáng)極側(cè)。此外，接線端子60的中間部分通過(guò)端子支座25電連接到IGBT 元件30b的集電極電極和FWD元件31b的陰極側(cè)。
此外，在半導(dǎo)體器件1中，上述接線端子60通過(guò)粘合劑成分(未示出) 固定到絕緣板(支撐襯底)70。絕緣板70包含作為主要成份的樹脂或陶瓷材料。槽口 70a設(shè)置在絕緣板70的相對(duì)端部。槽口 70a配合在樹脂外殼40 的內(nèi)部端部處固定設(shè)置的固定引腳70p。
通過(guò)這樣的配合，絕緣板70相對(duì)于樹脂外殼40精確定位。延伸部分 70c設(shè)置在絕緣板70中。延伸部分70c放置在端子支座24a和24b上，從 而確保絕緣板70的水平穩(wěn)定性。
用于容納引腳端子22側(cè)部的槽口 70b也設(shè)置在絕緣板70中。槽口 70b 支撐引腳端子22的側(cè)部。
用密封樹脂(未示出)填充由樹脂外殼40和金屬基板IO包圍的空間 以保護(hù)半導(dǎo)體元件、金屬線21等。例如，將密封樹脂提供為包含作為主要 成份的凝膠或環(huán)氧樹脂的樹脂。
另外，例如，各個(gè)外部連接端子50、 51、 52、 53、 54和55、接線端 子60和端子支座24a、 24b和25由包含作為主要成份的諸如銅(Cu)或鋁 (Al)之類的金屬或其合金的材料制成。
此外，接線端子60可插入模壓到絕緣板70中而不是固定到絕緣板70。
圖1A和1B中所示的接線端子60和絕緣板70的組合被稱為端子塊(引 線單元)。
如上所述，半導(dǎo)體器件l被表征為，半導(dǎo)體器件1具有固定支撐在樹 脂外殼40中的多個(gè)外部連接端子50、 51、 52、 53、 54和55，封裝在樹脂 外殼40中的至少一個(gè)半導(dǎo)體元件(例如IGBT元件30a或30b等)，以及 設(shè)置有至少一個(gè)接線端子60——該半導(dǎo)體元件通過(guò)其電連接到外部連接端 子50、 51、 52、 53、 54和55——的至少一個(gè)端子塊。
下文將給出對(duì)具有這樣結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件1的有益效果的描述。 例如，圖2到7是示出該半導(dǎo)體器件主要部分的用于說(shuō)明該半導(dǎo)體器 件效果的示意圖。
此外，在涉及下文將描述的所有實(shí)施例的附圖中，由相同的標(biāo)記表示 和圖1A和1B中一樣的元件。如果這些元件曾經(jīng)描述過(guò)，那么將省略這些 元件的詳細(xì)描述。
在半導(dǎo)體器件l中，首先能將接線端子60容易地拉制在樹脂外殼40中。
8圖2示出將包括固定于其上的接線端子60的絕緣板70從半導(dǎo)體器件 1移除之后的半導(dǎo)體器件1的狀態(tài)，即圖2示出半導(dǎo)體器件la。圖3示出 將包括固定于其上的接線端子60的絕緣板70從半導(dǎo)體器件1移除之后的 絕緣板70，目卩，圖3示出端子塊70bl。
例如，在圖3中所示的端子塊70bl定位于中圖2所示的半導(dǎo)體器件 la上之后，使端子塊70bl靠近半導(dǎo)體器件la以使端子塊70M的槽口 70a 配合半導(dǎo)體器件la的固定引腳70p。
以這種方式，端子塊70bl相對(duì)于樹脂外殼40精確定位。而且，絕緣 板70的延伸部分70c接觸到端子支座24a和24b以使絕緣板70水平穩(wěn)定。
此外，將端子塊70bl裝到樹脂外殼40中以使接線端子60的接合部分 60c分別接觸到外部連接端子53的接合部分53c、外部連接端子55的接合 部分55c以及端子支座25的接合部分25c。絕緣板70的槽口 70b容納引腳 端子22的側(cè)部從而支撐引腳端子22的側(cè)部。
然后，接線端子60的接合部分60c通過(guò)焊接等方法分別接合到外部連 接端子53的接合部分53c、外部連接端子55的接合部分55c以及端子支座 25的接合部分25c。
因此，在樹脂外殼40中能容易地拉制接線端子。
在半導(dǎo)體器件1中，可制備具有經(jīng)修改引線圖案的接線端子60的數(shù)種 類型的端子塊70bl，從而即使當(dāng)外部連接端子50、 51、 52、 53、 54和55 被固定和支撐在樹脂外殼40中時(shí)，從外部連接端子50、 51、 52、 53、 54 和55周圍拉制的各接線端子的布局可以自由改變。
例如，在圖4中所示的端子塊70bl中，T形接線端子60固定到絕緣 板70。在這樣的端子塊70bl被裝到圖2中所示的半導(dǎo)體器件la之后，接 線端子60的接合部分60c通過(guò)焊接等方法分別接合到外部連接端子50的 接合部分50c、外部連接端子53的接合部分53c以及端子支座25的接合部 分25c。
接線端子60的這種布局允許外部連接端子50和53擔(dān)當(dāng)AC輸出端子。 圖5示出將包括固定于其上的接線端子60的絕緣板70從半導(dǎo)體器件 1移除之后的另一半導(dǎo)體器件的狀態(tài)。即，圖5示出具有其中圖2中所示的半導(dǎo)體器件la的端子支座25從中間一分為二的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件lb。 端子塊70bl也可設(shè)置在半導(dǎo)體器件lb中。
將針對(duì)例如其中圖6所示的端子塊70bl被附連到半導(dǎo)體器件lb的情 況進(jìn)行描述。在圖6所示的端子塊70bl中，T形接線端子60固定到絕緣 板70以相互線性對(duì)稱。
在這樣的端子塊70bl被裝到圖5中所示的半導(dǎo)體器件lb之后，接線 端子60的接合部分60c通過(guò)焊接等方法分別接合到外部連接端子50的接 合部分50c、外部連接端子52的接合部分52c、外部連接端子53的接合部 分53c、外部連接端子55的接合部分55c以及端子支座25的接合部分25c。 圖7示出接合之后半導(dǎo)體器件2的構(gòu)成。
如圖7所示，半導(dǎo)體器件2設(shè)置有相位等不同而且分別由外部連接端 子50和53的組合及外部連接端子52和55的組合形成的兩組AC輸出端 子。
如上所述，在這個(gè)實(shí)施例中，有可能改變AC輸出端子的布局從而容 易地改變逆變器電路的相。
而且，在這個(gè)實(shí)施例中，該半導(dǎo)體器件的配置可通用于圖2和5中所 示的半導(dǎo)體器件la和lb。如用戶所需地，以多種形式制備的端子塊70bl 之一可被裝到半導(dǎo)體器件la或lb，而外部連接端子50、 51、 52、 53、 54 和55可接合到相應(yīng)的接線端子60以使接線端子60的布局可自由選擇。
而且，要連接到外部連接端子50、 51、 52、 53、 54和55的外部引線 的布局可根據(jù)用戶需要自由選擇。
艮口，固定到絕緣板70的各個(gè)接線端子60的構(gòu)成可改變以使外部連接 端子50、 51、 52、 53、 54和55的任一個(gè)可被設(shè)置為正極輸入端子而外部 連接端子50、 51、 52、 53、 54和55的任一個(gè)可被設(shè)置為負(fù)極輸入端子。 外部連接端子50、 51、 52、 53、 54和55的任一個(gè)可被設(shè)置為AC輸出端 子。而且，根據(jù)需要逆變電路的相能容易地改變。
而且，各個(gè)接線端子60的長(zhǎng)度、寬度和厚度可被調(diào)節(jié)成引線電阻、電 抗、散熱等可根據(jù)電路的性能自由調(diào)節(jié)。
此外，因?yàn)槎俗訅K70bl與半導(dǎo)體器件la或lb無(wú)關(guān)地設(shè)置，所以可通過(guò)不同于制造半導(dǎo)體器件la或lb工藝的另一工藝將接線端子60的至少一 部分——例如接線端子60的下層——鍍鎳(Ni)和金(Au)或鎳(Ni)和 錫(Sn)。
此外，半導(dǎo)體器件1或2可被設(shè)置為所謂的無(wú)金屬基結(jié)構(gòu)，其中金屬 基板10被去除以使絕緣襯底20用作半導(dǎo)體器件1的襯底以實(shí)現(xiàn)該半導(dǎo)體 器件大小和重量的進(jìn)一步減少。
另外，絕緣板70不限于上述構(gòu)成。
例如，圖8是示出作為根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的變體的半導(dǎo)體 器件3的主要部分的示意圖。此外，在圖8中未示出設(shè)置在樹脂外殼40中 的半導(dǎo)體元件等。
如圖8所示，在半導(dǎo)體器件3中，外部連接端子50、 51、 52、 53、 54 和55被固定并支撐在樹脂外殼40中以使外部連接端子50、 51和52所成 直線垂直于外部連接端子53、 54和55所成直線。多個(gè)接線端子60a、 60b、 60c和60d通過(guò)粘合劑成份(未示出)詞定到L形絕緣板70。
槽口 70a設(shè)置在絕緣板70中。槽口 70配合在樹脂外殼40中固定設(shè)置 的固定引腳70p。接線端子60a、 60b、 60c和60d的端部通過(guò)焊接等方法分 別接合到外部連接端子50、 51、 52和55。
如上所述，支撐接線端子60a、 60b、 60c和60d—部分的L形絕緣板 70可被設(shè)置為端子塊。
<第二實(shí)施例〉
下文將描述作為半導(dǎo)體器件1的變體的另一半導(dǎo)體器件4。
圖9A和9B是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的主要部分的示意 圖。圖9A示出該半導(dǎo)體器件的俯視示意圖。圖9B是示出沿圖9A中的虛 線X-X所取并從箭頭方向觀看的該半導(dǎo)體器件的截面圖。
如圖9A和9B所示，在半導(dǎo)體器件4中，延伸部分70W設(shè)置在絕緣 板70中以使延伸部分70w包圍接線端子60和端子支座25之間的接合部分 的外周并擔(dān)當(dāng)接合到接線端子60的元件。
例如，如果微小金屬塊在通過(guò)焊接等方法將接線端子60接合到端子支 座25時(shí)產(chǎn)生，則在絕緣板70中形成延伸部分70w有可能在由絕緣板70和延伸部分70w包圍的空間中確定地捕獲微小金屬塊。
因此，甚至當(dāng)金屬塊產(chǎn)生時(shí)，延伸部分70w的存在可防止金屬塊粘附 到IGBT元件30a和30b、 FWD元件31a和31b、金屬箔20c和20d等。因 此，可以防止半導(dǎo)體元件的劣化、短路等。
<第三實(shí)施例>
下文將描述作為半導(dǎo)體器件1的變體的另一半導(dǎo)體器件5。
圖IOA和10B是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的主要部分的示 意圖。圖IOA是示出該半導(dǎo)體器件的俯視示意圖。圖10B是示出沿圖10A 中的虛線X-X所取并從箭頭方向觀看的該半導(dǎo)體器件的截面圖。
如圖10A和10B所示，在半導(dǎo)體器件5中，金屬板80被固定并選擇 性地設(shè)置在絕緣板70上。另外，金屬板80具有延伸部分80a。延伸部分 80a通過(guò)端子支座24b電連接到擔(dān)當(dāng)負(fù)極輸入端子的外部連接端子54。
在這樣的結(jié)構(gòu)中，金屬板80可擔(dān)當(dāng)用于防護(hù)從半導(dǎo)體元件等發(fā)射的電 磁波的屏蔽板。例如，半導(dǎo)體器件5可穩(wěn)定地操作附連到半導(dǎo)體器件5外 部的控制電路等。
圖1A和1B中示出包括附連其上的端子塊70bl的半導(dǎo)體器件1。然而， 所附連的端子塊70bl的數(shù)量不限于這個(gè)數(shù)字。即，可附連多個(gè)端子塊70bl 以使接線端子60可三維地設(shè)置。
上述第一到第三實(shí)施例不一定是彼此無(wú)關(guān)的，而可組合至少兩個(gè)實(shí)施例。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件，包括固定支撐在樹脂外殼中的多個(gè)外部連接端子；封裝在所述樹脂外殼中的至少一個(gè)半導(dǎo)體元件；以及設(shè)置有至少一個(gè)接線端子——所述半導(dǎo)體元件通過(guò)其電連接到所述外部連接端子——的至少一個(gè)端子塊。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述端子塊包括所述 至少一個(gè)接線端子，和支撐所述接線端子的支撐襯底。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，延伸部分在所述 端子塊中形成以使所述延伸部分包圍所述接線端子和接合到所述接線端子的 元件之間的接合部分的外周。
4. 如權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，槽口設(shè) 置在所述端子塊中以使所述槽口支撐導(dǎo)電連接到所述半導(dǎo)體元件的控制電極 的引腳端子。
5. 如權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，屏蔽層 選擇性地設(shè)置在所述端子塊上。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明，有可能容易地改變?cè)O(shè)置有封裝在樹脂外殼中的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件中的至少一個(gè)接線端子的布局。提供了一種半導(dǎo)體器件，包括固定支撐在樹脂外殼中的多個(gè)外部連接端子；封裝在該樹脂外殼中的IGBT元件和FWD元件；以及設(shè)置有至少一個(gè)接線端子——各IGBT元件通過(guò)它分別電連接到外部連接端子——的至少一個(gè)端子塊。根據(jù)該半導(dǎo)體器件的配置，在設(shè)置有封裝在樹脂外殼中的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件中接線端子的布局可容易地改變。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101452925SQ20081018431
公開(kāi)日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2008年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月4日
發(fā)明者上柳勝道, 征矢野伸 申請(qǐng)人:富士電機(jī)電子技術(shù)株式會(huì)社