專利名稱：多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于信號(hào)傳輸線的結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在系統(tǒng)芯片(system-on-chip ;S0C)集成化的過(guò)程中，以傳輸線(transmission line;以下簡(jiǎn)稱TL)為主的混合設(shè)計(jì)是否能成功，是取決于能否有效(highly efficient) 實(shí)現(xiàn)最小化(miniaturization)。而許多符合最小化電路需求的設(shè)計(jì)技術(shù)與電路的實(shí)現(xiàn) 亦已公開(kāi)發(fā)表及展示，其等無(wú)論是使用電容性負(fù)載(M.C. Scardelletti， G. E. Ponchak， and T.M. Weller，"Miniaturized Wilkinson power dividers utilizingcapacitive loading, ，， IEEE Microwave Wireless Compon. Lett. ， vol. 12， no. 1， pp. 6-8， Jan. 2002.) 或是使用電感性負(fù)載(K. Hettak， G. A. Morin， and M. G. Stubbs， "Compact匪IC CPW and asymmetric CPSbranch—line coupler and Wilkinson dividers using shunt and seriesstub loading, ，， IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. ， vol. 53， no. 5， pp. 1624-1635， May 2005.)，在混合器、耦合器以及功率分配器設(shè)計(jì)中所能減少的實(shí)體TL 長(zhǎng)度是可達(dá)60%。 另 一 方面，已完整發(fā)表所謂的3-D匪IC技術(shù)(K. Nishikawa， T. Tokumitsu， and I. Toyoda，"Miniaturized Wilkinson power dividerusing three-dimensional MMIC technology, ，， IEEE Microwave GuidedWave Lett. ， vol. 6， no. 10， pp. 372-374， Oct. 1996. ;C.Y. Ng， M. Chongcheawchamnan， I.D.Robertson,"Lumped-distributed hybrids in3D-MMIC technology, ，， IEEE Proc. -Microwave. Antennas and Propag.， vol. 151， no. 4， pp. 370-374， Aug. 2004. ;I. Toyoda， T. Tokumitsu， and M. Ailawa， "Highly integrated three-dimensional MMICsingle_chip receiver and transmitter, ，， IEEE Trans. Microwave TheoryTech. ， vol. 44， no. 12， pp. 2340-2346， Dec. 1996.)亦展示使用石申 化鎵(GaAs)技術(shù)實(shí)現(xiàn)多層TL的基礎(chǔ)性突破。在3-D匪IC設(shè)計(jì)中，上層與下層的傳輸線是 由具有狹縫(slit)的中間金屬層隔開(kāi)遮蔽，而狹縫的大小是可用來(lái)控制兩傳輸線的耦合 與特性阻抗。諸如此類的技術(shù)已被廣泛地應(yīng)用在功率分配器、混合器以及高密度整合收發(fā) 器的3-D最小化設(shè)計(jì)。 近來(lái)，多層設(shè)計(jì)技術(shù)亦被應(yīng)用于微波及毫米波(microwave/millimeter-wave) 互補(bǔ)式金屬氧4t半導(dǎo)體分離式豐皮動(dòng)元^牛(CMOS distributed passive component)的 設(shè) 計(jì) (M. Chirala， and C. Nguyen, "Multilayer Design Techniques for Extremely MiniaturizedCMOS Microwave and Mi 11imeter_Wave Distributed Passive Circuit, ，， IEEE Trans. Microwave Theory Tech. ， vol. 54， no. 12， pp. 4218-4224， Dec. 2006)，此設(shè)計(jì)是結(jié)合多層微帶線(microstrip lines)的技術(shù)，并以互補(bǔ)式金 屬氧化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)底層的整層金屬層為其參考接地層，其信號(hào)傳輸線是以蜿蜒型式 (meandered-form)排列且上下層微帶線之間并無(wú)額外的遮蔽金屬隔開(kāi)，因此上下層微帶線 之間并無(wú)法提供有效的信號(hào)遮蔽功能。
4
有鑒于上述的缺點(diǎn)，本發(fā)明是提供一種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，可改進(jìn)已知 電路面積過(guò)大的缺點(diǎn)、解決已知信號(hào)傳輸線信號(hào)遮蔽的問(wèn)題，并且同時(shí)降低信號(hào)傳輸損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一，是利用網(wǎng)目金屬層(mesh ground plane)槽孔(slot)的大小 控制互補(bǔ)式金屬傳輸線的特性阻抗(characteristicimpedance)，由此增加電路設(shè)計(jì)的彈 性與變化。 本發(fā)明的目的之一，是利用網(wǎng)目金屬層隔開(kāi)互補(bǔ)式金屬傳輸線，由此提供完整的 信號(hào)遮蔽(shield)與接地功能。 本發(fā)明的目的之一，是利用多層互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)并配合網(wǎng)目金屬層的
結(jié)構(gòu)以形成多層互補(bǔ)式金屬傳輸線具有各自獨(dú)立且完整遮蔽效果的特性，由此提供更多電
路設(shè)計(jì)彈性以及減少電路設(shè)計(jì)空間(miniaturization)，并且降低信號(hào)傳輸損耗。
本發(fā)明揭露一種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其包含一基板；以及n條信號(hào)傳輸
線，其等之間是分別與n-1層網(wǎng)目金屬層上下平行且交錯(cuò)排列，其中，此n條信號(hào)傳輸線與
此n-l層網(wǎng)目金屬層之間是具有多層介電層以分別對(duì)應(yīng)疊接，由此形成一堆疊結(jié)構(gòu)于此基
板之上，其中n > 2且n為自然數(shù)。 本發(fā)明另揭露一種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，包含一第一信號(hào)傳輸線；一第 二信號(hào)傳輸線，與此第一信號(hào)傳輸線上下平行排列；一網(wǎng)目金屬層，是位于此第一信號(hào)傳輸 線以及此第二信號(hào)傳輸線間，其中此網(wǎng)目金屬層與此第一信號(hào)傳輸線以及此第二信號(hào)傳輸 線間具有兩介電層以分別對(duì)應(yīng)疊接，由此形成一堆疊結(jié)構(gòu)；以及一基板，是位于此堆疊結(jié)構(gòu) 之下。 本發(fā)明又揭露一種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，包含一基板；一信號(hào)傳輸線，位 于此基板上方；以及一網(wǎng)目金屬層，位于此基板與此信號(hào)傳輸線之間，其中此網(wǎng)目金屬層與 此基板與此信號(hào)傳輸線之間是由兩介電層分別對(duì)應(yīng)疊接。 本發(fā)明再揭露一種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，包含一基板；一信號(hào)傳輸線，位 于此基板之上；以及一網(wǎng)目金屬層，是位于此信號(hào)傳輸線上方，其中此網(wǎng)目金屬層與此信號(hào) 傳輸線之間及此網(wǎng)目金屬層之上是具有兩介電層分別對(duì)應(yīng)疊接。


本發(fā)明將詳細(xì)描述一些實(shí)施例如下。然而，除了所揭露的實(shí)施例外，本發(fā)明亦可以
廣泛地運(yùn)用在其它之實(shí)施例施行。本發(fā)明的范圍并不受該些實(shí)施例的限定，乃以權(quán)利要求
范圍為準(zhǔn)。而為提供更清楚的描述及使熟悉該項(xiàng)技術(shù)者能理解本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容，圖標(biāo)內(nèi)
各部分并沒(méi)有依照其相對(duì)的尺寸而繪圖，某些尺寸與其它相關(guān)尺度的比例會(huì)被突顯而顯得
夸張，且不相關(guān)的細(xì)節(jié)部分亦未完全繪出，以求附圖的簡(jiǎn)潔，其中 圖1是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)透視圖； 圖2是本發(fā)明的一較佳信號(hào)傳輸線實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3A是本發(fā)明的較佳實(shí)施例的應(yīng)用電路布局示意圖； 圖3B是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)透視圖； 圖3C是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)透視 圖4A是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的多個(gè)特性阻抗(complexcharacteristic impedance)與頻率的曲線關(guān)系圖；以及 圖4B是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的慢波系數(shù)以及品質(zhì)系數(shù)與頻率的曲線關(guān)系圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參照?qǐng)D1，其為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例100的立體結(jié)構(gòu)透視圖。本實(shí)施例100是 包含一基板llO(substrate)，是具有一單元尺寸P(或稱為周期)的大??；n條信號(hào)傳輸 線TL"L2、…、TLn，其等之間是分別與n-l層網(wǎng)目金屬層MGpG2、 ...、MGn—J未繪出)(mesh ground plane)上下平行且交錯(cuò)排列(亦即信號(hào)傳輸線Tl^與TL2之間具有網(wǎng)目金屬層; 信號(hào)傳輸線TL2與TL3(未繪出)之間具有網(wǎng)目金屬層MG2 ;…；信號(hào)傳輸線TLn—J未繪出) 與TLn之間具有網(wǎng)目金屬層MGn—》，其中n條信號(hào)傳輸線TLp TL2、、 TLn與n_l層網(wǎng)目金 屬層MG^MG2、 ...、MGn—!之間是具有多層介電層MD(inter-media-dielectric ;MD)以分別 對(duì)應(yīng)疊接，例如信號(hào)傳輸線Tl^與網(wǎng)目金屬層M^之間具有一介電層IMD對(duì)應(yīng)疊接，網(wǎng)目金 屬層與信號(hào)傳輸線TL2之間具有一介電層IMD對(duì)應(yīng)疊接，…，以及網(wǎng)目金屬層MGn—工與 信號(hào)傳輸線TLn之間具有一介電層MD對(duì)應(yīng)疊接，以形成一堆疊結(jié)構(gòu)于基板110之上，其中 n^2且n為自然數(shù)。而n條信號(hào)傳輸線TLpTL2、…、TLn是包含直線形狀，S2、 *"、Sn 是分別表示相對(duì)n條信號(hào)傳輸線TLpTk、 、TLn的線寬。 在本實(shí)施例中，n-1層網(wǎng)目金屬層MGp MG2、、 MGn—工是一金屬層分別具有一中間 簍空區(qū)域(或稱槽孔(slot))，故稱其等為網(wǎng)目金屬層，且此中間簍空區(qū)域的大小是由一網(wǎng) 目尺寸Wh所決定。在本實(shí)施例中，n條信號(hào)傳輸線TLpT1^、…、TLn是各自獨(dú)立且具有完 整遮蔽效果，由此提供更多電路設(shè)計(jì)彈性及最小化電路設(shè)計(jì)，并更降低信號(hào)傳輸?shù)膿p耗。此 外，本實(shí)施例中所謂的上下平行是以空間平面為概念，因此并未限制n條信號(hào)傳輸線TLp TL2、…、TLn必須是同方向排列，其等亦可包含方向相差90度的上下平行排列。而發(fā)明人 在此要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，基板110、網(wǎng)目金屬層MGpM^、…、MG『工以及介電層MD 等是正方形的幾何形狀，但其等幾何形狀的變化并不受于本實(shí)施例的限制，其等亦可包含 其它多邊形的幾何形狀。 請(qǐng)參照?qǐng)D2，其為本發(fā)明的一較佳信號(hào)傳輸線實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。一信號(hào)傳 輸線TL是包含兩子信號(hào)傳輸線210與220以及多個(gè)金屬連接孔via,其中兩子信號(hào)傳輸線 210與220在互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)結(jié)構(gòu)中是表不同層的金屬傳輸線，其等之間是 由多個(gè)金屬連接孔via相連接以形成信號(hào)傳輸線TL，由此可增加互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)中信號(hào)傳輸線的厚度。而標(biāo)號(hào)MG與IMD是分別表網(wǎng)目金屬層與介電層。本實(shí)施例是可 應(yīng)用于圖1所示實(shí)施例的信號(hào)傳輸線12、…、TLn，進(jìn)而改變信號(hào)傳輸線的特性。
請(qǐng)參照?qǐng)D3A，其為本發(fā)明多個(gè)較佳實(shí)施例之應(yīng)用電路300的電路布局示意圖。在 本應(yīng)用電路300中，是以多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)350、360、370、380以及390等進(jìn)行Ka 頻帶(Ka-band)功率分配器(power divider)的電路設(shè)計(jì)。多個(gè)端點(diǎn)A、 B、 C、 D、 E是分別 表應(yīng)用電路300的接點(diǎn)1 (portl，端點(diǎn)A)、接點(diǎn)2 (port 2，端點(diǎn)B)、接點(diǎn)3 (port 3，端點(diǎn)C) 以及端點(diǎn)D與端點(diǎn)E連接電阻(或者是接點(diǎn)l(port 1，端點(diǎn)A)、接點(diǎn)2(port 2，端點(diǎn)D)、接 點(diǎn)3 (port 3，端點(diǎn)E)以及端點(diǎn)B與端點(diǎn)C連接電阻)，以下將就實(shí)施例350的結(jié)構(gòu)先加以 說(shuō)明。本實(shí)施例350(請(qǐng)參照?qǐng)D3B)是圖l所示的實(shí)施例100在n二2時(shí)的結(jié)構(gòu)。 一第一
6信號(hào)傳輸線Tl^ (M6)，具有線寬S1Q —第二信號(hào)傳輸線TL2，具有線寬S2并與第一信號(hào)傳輸線 Tl^上下平行排列。 一網(wǎng)目金屬層MG(M》，是位于第一信號(hào)傳輸線TLjMe)與第二信號(hào)傳輸 線T1^之間，其中網(wǎng)目金屬層MG(M》與第一信號(hào)傳輸線TLjMe)以及與第二信號(hào)傳輸線TL2 之間是具有兩介電層頂D以分別對(duì)應(yīng)疊接，由此形成一堆疊結(jié)構(gòu)。 一基板310，是具有一單 元尺寸P的大小且位于此堆疊結(jié)構(gòu)之下。 其中，第二信號(hào)傳輸線TL2是包含兩子信號(hào)傳輸線M2及多個(gè)金屬連接孔 via^(如圖2所示的傳輸線結(jié)構(gòu))。在互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)結(jié)構(gòu)中，兩子信號(hào)傳 輸線M2在本實(shí)施例中是分表第1層與第2層的金屬傳輸線，其等是由多個(gè)金屬連接孔 via12相連接以形成第二信號(hào)傳輸線TL2，由此增加互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中信號(hào)傳輸 線的厚度；而網(wǎng)目金屬層MG(M》在本實(shí)施例中是表第4層的金屬層，其中間簍空區(qū)域的大 小是由網(wǎng)目尺寸Wh所決定；而第一信號(hào)傳輸線TLjMe)在本實(shí)施例中是表第6層的金屬傳 輸線，據(jù)此，實(shí)施例350是以1P6M的互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3A，實(shí)施例360、370分別具有與實(shí)施例350相同的結(jié)構(gòu)，其等的不同處 在于實(shí)施例350的第一、第二信號(hào)傳輸線TLpTk是直線形狀，而實(shí)施例360的TLpTk為L(zhǎng) 型形狀，實(shí)施例370的Tl^為直線形狀、T1^為L(zhǎng)型形狀。同理，信號(hào)傳輸線亦可以是Tl^為L(zhǎng) 型形狀、TL2為直線形狀，并請(qǐng)參照應(yīng)用電路300的電路接點(diǎn)B、 C、 D、 E，信號(hào)傳輸線Tl^、 TL2 亦可以是T型形狀。 請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3A，實(shí)施例380、390是分別與實(shí)施例350具有相似的結(jié)構(gòu)，實(shí)施例380 與350的不同處在于實(shí)施例350是具有第一、第二信號(hào)傳輸線TLp TL2且其等為直線形狀， 而實(shí)施例380僅具有第一信號(hào)線Tl^且其為L(zhǎng)型形狀(亦可為直線形狀、T型形狀)，其結(jié) 構(gòu)說(shuō)明如下(以實(shí)施例350圖標(biāo)作說(shuō)明)一基板310，是具有一單元尺寸P的大?。灰恍盘?hào) 傳輸線TL15是位于基板310上方；以及一網(wǎng)目金屬層MG，是位于基板310及信號(hào)傳輸線Tl^ 之間，其中網(wǎng)目金屬層MG與基板310以及與信號(hào)傳輸線之間是由兩介電層IMD分別對(duì) 應(yīng)疊接。同理，本發(fā)明亦可以用下列的實(shí)施例結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)(以實(shí)施例350圖標(biāo)作說(shuō)明)一基 板310，具有一單元尺寸P的大??；一信號(hào)傳輸線Tk，位于基板310之上；以及一網(wǎng)目金屬 層MG，是位于信號(hào)傳輸線TL2上方，其中網(wǎng)目金屬層MG與信號(hào)傳輸線TL2之間以及網(wǎng)目金 屬層MG的上具有兩介電層MD分別對(duì)應(yīng)疊接，亦即，此實(shí)施例是僅具有實(shí)施例350的第二 信號(hào)傳輸線TL2 (可為直線形狀、L型形狀、T型形狀)，其結(jié)構(gòu)是與實(shí)施例350所示的第二信 號(hào)傳輸線TL2結(jié)構(gòu)相同，故不再贅述。而實(shí)施例390(請(qǐng)參照?qǐng)D3C)與350的最大不同處在 于，實(shí)施例390是還包含一連通柱，此連通柱是上下連接第一、第二信號(hào)傳輸線TLpTLp其 中，此連通柱是包含多個(gè)金屬連接孔以及至少一金屬層的結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中，連通柱至少 包含連通柱金屬層CP3、 CP4、 CP5以及多個(gè)金屬連接孔via23、 via34、 vi a45、 via56用以上下連 接第一、第二信號(hào)傳輸線TLpT1^。此外，第一信號(hào)傳輸線T1^為L(zhǎng)型形狀以及第二信號(hào)傳輸 線TL2從中透過(guò)連通柱連接第一信號(hào)傳輸線等特征，均有別于實(shí)施例350的結(jié)構(gòu)。以上所 述的實(shí)施例特征均可應(yīng)用于本發(fā)明的所有實(shí)施例，而非限定于本身的實(shí)施例。
發(fā)明人在此要強(qiáng)調(diào)的是，n條信號(hào)傳輸線(或當(dāng)n二2時(shí)，第一與第二信號(hào)傳輸線) 是可依上述之結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成彼此獨(dú)立的多層(或雙層)的電路，更由于網(wǎng)目金屬層提供完整 接地效果，藉此減少不同層信號(hào)所可能產(chǎn)生的相互干擾以降低信號(hào)傳輸?shù)膿p耗，并且提供 更多電路設(shè)計(jì)彈性以及小化電路設(shè)計(jì)。
7
請(qǐng)參照?qǐng)D4A與圖4B，其等是分別為本發(fā)明所述的實(shí)施例(在n = 2時(shí)，實(shí)施例 350)的第一信號(hào)傳輸線與第二信號(hào)傳輸線的多個(gè)特性阻抗Zc (complex characteristic impedance)與頻率的曲線關(guān)系圖以及第一信號(hào)傳輸線與第二信號(hào)傳輸線的慢波系數(shù) SWF(slowiave factor)及品質(zhì)系數(shù)Q(quality-factor)與頻率的曲線關(guān)系圖。發(fā)明人在 此強(qiáng)調(diào)的是，以下為測(cè)試所設(shè)定的數(shù)據(jù)以及測(cè)試所得的資料是僅用以說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的 測(cè)試過(guò)程與結(jié)果，并非用以限定本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施。 以下為測(cè)試說(shuō)明所設(shè)定的數(shù)據(jù)是包含信號(hào)傳輸線TLpTk之寬度SpS2是分別為 3.0iim與2.0iim ;信號(hào)傳輸線Tl^Tl^的厚度(Me金屬層、M「M2金屬層)是分別為2. 0 y m與 1. 95 m ;M2金屬層到M4金屬層及M4金屬層到M6金屬層的介電層MD的厚度均為2. 25 y m ; 介電常數(shù)為4.0 ;單元尺寸P(或稱為周期)為30.0iim;網(wǎng)目尺寸Wh為26.0iim。并且，上 述的測(cè)試說(shuō)明是輔以商業(yè)化三維結(jié)構(gòu)電磁場(chǎng)仿真軟件(Ansoft HFSS)加以仿真，而仿真所 得的資料是分別呈現(xiàn)在圖4A、圖4B。 在圖4A中，第一信號(hào)傳輸線與第二信號(hào)傳輸線TL2的特性阻抗Zc在Ka頻帶 仿真測(cè)試中的實(shí)數(shù)部分是分別為70.8Q (歐姆)與64.2Q (歐姆)，而虛數(shù)部分幾乎相同。 在圖4B中，第一信號(hào)傳輸線Tl^與第二信號(hào)傳輸線TL2的慢波系數(shù)SWF在Ka頻帶仿真測(cè)試 中分別為2. 10與2. 51，而其等的品質(zhì)系數(shù)Q在Ka頻帶仿真測(cè)試中分別為7. 8與3. 6。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍； 凡其它為脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在權(quán)利要求范圍 內(nèi)。
8
權(quán)利要求
一種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其包含一基板；以及n條信號(hào)傳輸線，其n條信號(hào)傳輸線之間分別與n-1層網(wǎng)目金屬層上下平行且交錯(cuò)排列，其中該n條信號(hào)傳輸線與該n-1層網(wǎng)目金屬層之間具有多層介電層以分別對(duì)應(yīng)疊接，由此形成一堆疊結(jié)構(gòu)于該基板之上，其中n≥2且n為自然數(shù)。
2. 如權(quán)利要求1所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該n條信號(hào)傳輸線包含兩子 信號(hào)傳輸線與多個(gè)金屬連接孔，該兩子信號(hào)傳輸線是互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不同層的 金屬層。
3. 如權(quán)利要求1所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該n條信號(hào)傳輸線包含直線 形狀。
4. 如權(quán)利要求1所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該n條信號(hào)傳輸線包含L型 形狀。
5. 如權(quán)利要求1所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該n條信號(hào)傳輸線包含T型 形狀。
6. 如權(quán)利要求1所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其還包含一連通柱，該連通柱是 上下連接該n條信號(hào)傳輸線。
7. —種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其包含 一第一信號(hào)傳輸線；一第二信號(hào)傳輸線，是與該第一信號(hào)傳輸線上下平行排列；一網(wǎng)目金屬層，位于該第一信號(hào)傳輸線以及該第二信號(hào)傳輸線之間，其中該網(wǎng)目金屬 層與該第一信號(hào)傳輸線以及該第二信號(hào)傳輸線之間具有兩介電層以分別對(duì)應(yīng)疊接，由此形 成一堆疊結(jié)構(gòu)；以及一基板，位于該堆疊結(jié)構(gòu)之下。
8. 如權(quán)利要求7所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該第一信號(hào)傳輸線包含直線 形狀。
9. 如權(quán)利要求7所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該第一信號(hào)傳輸線包含L型 形狀。
10. 如權(quán)利要求7所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該第一信號(hào)傳輸線包含T型 形狀。
11. 如權(quán)利要求7所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該第二信號(hào)傳輸線還包含 兩子信號(hào)傳輸線以及多個(gè)金屬連接孔，該兩子信號(hào)傳輸線是互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中 不同層之金屬層。
12. 如權(quán)利要求7所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該第二信號(hào)傳輸線包含直 線形狀。
13. 如權(quán)利要求7所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該第二信號(hào)傳輸線包含L型 形狀。
14. 如權(quán)利要求7所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該第二信號(hào)傳輸線包含T型 形狀。
15. 如權(quán)利要求7所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其還包含一連通柱，該連通柱是上下連接該第一信號(hào)傳輸線以及該第二信號(hào)傳輸線。
16. —種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其包含 一基板；一信號(hào)傳輸線，位于該基板上方；以及一網(wǎng)目金屬層，位于該基板及該信號(hào)傳輸線之間，其中該網(wǎng)目金屬層與該基板及該信 號(hào)傳輸線之間由兩介電層分別對(duì)應(yīng)疊接。
17. 如權(quán)利要求16所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該信號(hào)傳輸線包含直線形狀。
18. 如權(quán)利要求16所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該信號(hào)傳輸線包含L型形狀。
19. 如權(quán)利要求16所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該信號(hào)傳輸線包含T型形狀。
20. —種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其包含 一基板；一信號(hào)傳輸線，位于該基板之上；以及一網(wǎng)目金屬層，位于該信號(hào)傳輸線上方，其中該網(wǎng)目金屬層與該信號(hào)傳輸線間及該網(wǎng) 目金屬層之上具有兩介電層分別對(duì)應(yīng)疊接。
21. 如權(quán)利要求20所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該信號(hào)傳輸線包含兩子信 號(hào)傳輸線及多個(gè)金屬連接孔，該兩子信號(hào)傳輸線是互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不同層的金 屬層。
22. 如權(quán)利要求20所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該信號(hào)傳輸線包含直線形狀。
23. 如權(quán)利要求20所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該信號(hào)傳輸線包含L型形狀。
24. 如權(quán)利要求20所述的多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其中該信號(hào)傳輸線包含T型形狀。
全文摘要
本發(fā)明是揭露一種多層互補(bǔ)式金屬傳輸線結(jié)構(gòu)，其包含一基板；以及n條信號(hào)傳輸線，其n條信號(hào)傳輸線之間是分別與n-1層網(wǎng)目金屬層上下平行且交錯(cuò)排列，此n條信號(hào)傳輸線與此n-1層網(wǎng)目金屬層間是具有多層介電層以分別對(duì)應(yīng)疊接，由此形成一堆疊結(jié)構(gòu)于此基板之上，其中n≥2且n為自然數(shù)。由此，形成多層各自獨(dú)立且具有完整遮蔽效果的互補(bǔ)式金屬傳輸線，提供更多電路設(shè)計(jì)彈性及減少電路設(shè)計(jì)空間，并且更降低信號(hào)傳輸?shù)膿p耗。
文檔編號(hào)H01L23/66GK101752350SQ200810185968
公開(kāi)日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2008年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月18日
發(fā)明者吳憲順, 莊晴光, 蔣孟儒 申請(qǐng)人:莊晴光