專利名稱：發(fā)光二極管封裝體及其封裝方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝體及其封裝方法，更特別地，涉及一種散熱性能
良好且生產成本降低的發(fā)光二極管封裝體及其封裝方法。
背景技術：
圖19所示為一種現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝體的示意側視圖。圖20所示為顯示相同波 長與相同亮度的發(fā)光二極管芯片在封裝后的規(guī)格分布的示意圖。 參閱圖19所示，所述現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝體包括一個放置于導線架90上的發(fā)光 二極管芯片91，及一個形成于所述導線架90上并可覆蓋所述發(fā)光二極管芯片91的透鏡 92。 所述發(fā)光二極管芯片91的電極(圖中未示出)是經(jīng)由導線93來與所述導線架90 的對應的電極接腳900電連接。 應注意的是，在所述發(fā)光二極管芯片91的電極側表面上形成有熒光粉層94。所 述熒光粉層94的形成包括如下步驟將液態(tài)熒光粉層材料涂布于所述發(fā)光二極管芯片91 的電極側表面上；及以烘烤工藝使所述液態(tài)熒光粉層材料硬化以形成所述熒光粉層94。然 而，目前所述熒光粉層94的形成具有如下缺點 1、厚度不均勻-液態(tài)熒光粉層材料在烘烤硬化之前將向四面八方流動，因此，形 成在每個發(fā)光二極管芯片91上的熒光粉層94在厚度上有所不同。 2、面積不相同-與第1點同理，形成在每個發(fā)光二極管芯片91上的熒光粉層94 在面積上也會因此而有所不同。 3、形狀不相同-與第1點同理，形成在每個發(fā)光二極管芯片91上的熒光粉層94 在形狀上也會因此而有所不同。 4、相對位置偏移-與第1點同理，形成在每個發(fā)光二極管芯片91上的熒光粉層94 與對應的發(fā)光二極管芯片91的相對位置會因此而有所不同。 由于以上缺點，將會導致原本相同波長且相同亮度的發(fā)光二極管芯片在封裝之 后變成多種色溫不同、亮度不同和波長不同的發(fā)光二極管封裝體，即，所謂的不良品(side bins)。參閱圖20所示，因上述問題而產生的規(guī)格分布如圖所示。應注意的是，原本屬于同 一規(guī)格(bin)的發(fā)光二極管芯片在封裝之后會分成128個規(guī)格，然而，一般將被使用的范圍 僅在中間的大約60%，因此，在封裝之后相當于40%的發(fā)光二極管封裝體會變成不良品， 因此導致生產成本增加。 另一方面，由于導線93的截面積太小，因此由所述發(fā)光二極管芯片91產生的熱難 以經(jīng)由導線架90的電極接腳900傳導出來，進而影響發(fā)光二極管封裝體的效能。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管封裝體及其封裝方法。 根據(jù)本發(fā)明的一特征，提供了一種發(fā)光二極管封裝體，其包括一個發(fā)光二極管芯片，其具有一個電極側表面和至少兩個安裝于所述電極側表面上的電極；一個電極側絕緣 層，其形成于所述發(fā)光二極管芯片的電極側表面上且形成有多個對應于所述電極的通孔； 形成于所述電極側絕緣層的每個通孔內的高傳熱散熱層；以及形成于每個高效散熱層上的 高傳熱金屬層。 根據(jù)本發(fā)明的另一特征，提供了一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其包括如下 步驟準備一片發(fā)光二極管晶片，所述發(fā)光二極管晶片具有多個發(fā)光二極管芯片，每個發(fā)光 二極管芯片具有一個主要發(fā)光表面，所述多個發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光表面相當于所述 發(fā)光二極管晶片的主要發(fā)光表面；在所述發(fā)光二極管晶片的主要發(fā)光表面上形成一個發(fā)光 表面絕緣層；在所述發(fā)光表面絕緣層上形成各到達對應的發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光表面 的多個通孔；以及在所述多個通孔內形成熒光粉層；由此，所有發(fā)光二極管芯片的熒光粉 層均具有相同厚度、相同面積、以及相同形狀，而且形成在每個發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光 表面上的熒光粉層與對應的發(fā)光二極管芯片之間的相對位置固定不變。 根據(jù)本發(fā)明的又一特征，提供了一種發(fā)光二極管封裝體，其包括一對電極接腳； 以及一個發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片具有第一電極側表面和第二電極側表面， 在所述第一電極側表面上設有第一電極，在所述第二電極側表面上設有第二電極，所述第 一電極和所述第二電極具有不同的導電性類型，所述發(fā)光二極管芯片在其第一和第二電極 側表面的電極與對應的電極接腳的接點電氣接觸的情況下由該對電極接腳支撐，所述發(fā)光 二極管芯片的電極側表面涂布有鉆石薄膜，因此，熱能夠經(jīng)由所述鉆石薄膜有效地從電極 接腳傳導離開所述透鏡內部。 根據(jù)本發(fā)明的再一特征，提供了一種發(fā)光模塊，其包括一個發(fā)光組件，所述發(fā)光 組件包括長形的印刷電路板，在所述印刷電路板上以覆晶方式安裝有多個發(fā)光二極管封裝 體；以及一個導光組件，所述導光組件包括一個安裝在所述印刷電路板上的擴散板，在所述 擴散板的面向所述印刷電路板的表面上形成有多個適于容置安裝在所述印刷電路板上的 對應的發(fā)光二極管封裝體的容置凹陷部。
圖1所示為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的示意剖視圖； 圖2至圖3所示為用于制造在圖1中所示的發(fā)光二極管封裝體的方法的示意剖視
圖； 圖4所示為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的示意剖視圖； 圖5至7所示為用于制造在圖4中所示的發(fā)光二極管封裝體的方法的示意剖視
圖； 圖8和9所示為每個介層孔暴露兩個或者更多個LED芯片的主要發(fā)光表面的狀態(tài) 的示意圖； 圖IO所示為本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的變化的示意剖視 圖； 圖11所示為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的變化的示意剖視圖； 圖12(A)和12(B)所示為本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的示意圖； 圖13 (A)和13 (B)所示為本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的變化的示
6意圖； 圖14至16所示為使用本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體的背光模塊的示意圖； 圖17所示為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的變化的示意剖視圖； 圖18所示為在圖17中所示的發(fā)光二極管封裝體的背光模塊的示意圖； 圖19所示為現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝體的示意圖； 圖20所示為相同波長與相同亮度的發(fā)光二極管芯片在封裝后的規(guī)格分布的示意 圖； 圖21所示為本發(fā)明第四優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的示意圖；以及 圖22所示為本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例的變化的示意剖視圖。
具體實施例方式
在以下本發(fā)明優(yōu)選實施例的詳細說明中，相同或類似的組件由相同的標號標示， 而且它們的詳細描述將被省略。此外，為了清楚揭示本發(fā)明的特征，附圖中的組件并非按實 際比例描繪。 圖1所示為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的示意剖視圖，而圖2至 3所示為以流程圖方式示出制造在圖1中所示的發(fā)光二極管封裝體的方法的示意剖視圖。
如在圖1至3中所示，在一個具有多個發(fā)光二極管芯片1的發(fā)光二極管晶片W的 電極側表面W10上形成有一個電極側絕緣層2。所述電極側絕緣層2形成有暴露所述發(fā)光 二極管晶片W的對應的發(fā)光二極管芯片1的電極ll的通孔20。在每個通孔20內依次形 成有一個形成于所述電極側表面10上的高傳熱散熱層30和一個形成于所述高傳熱散熱層 30上的高傳熱金屬層31。 在本實施例中，所述高傳熱散熱層30由諸如熱解石墨與烈解石墨的具有400W/ (m K)至700W/(m K)的熱傳導系數(shù)的材料形成，或者由諸如鉆石墨的具有900W/(m K) 至1200W/(m，K)的熱傳導系數(shù)的材料形成。另一方面，所述高傳熱金屬層31可以由鎳層 和金層或者鋁層和銅層形成，如在圖ll中所示。或者，所述金屬層31可以由銅層形成?；?者，所述金屬層31可以由任何適合的金屬層或合金層形成，諸如Al、 A1N3、 Cu、 BN3等。
接著，多個各沿著對應的切割線CL延伸的凹槽13形成在發(fā)光二極管晶片W的與 所述電極側表面W10相對的主要發(fā)光表面W12上。 然后，如在圖3中所示，熒光粉層41和保護層42依次形成在所述發(fā)光二極管晶片 W的表面W12上。 接著，如在圖1所示，在經(jīng)歷切割制程之后，得到本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管 封裝體。由于所述發(fā)光二極管芯片1的側表面也大部分地由熒光粉層41覆蓋，所述本實施 例的優(yōu)點在于可更有效地降低由所述發(fā)光二極管封裝體所發(fā)出的光線的顏色因側光的影 響而起變化。 圖4所示為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管封裝體的示意剖視圖，而圖5至 圖7所示為以流程圖方式示出制造在圖4中所示的發(fā)光二極管封裝體的方法的示意剖視 圖。 要注意的是，由于在發(fā)光二極管晶片W的電極側表面W10上的電極側絕緣層2、高 傳熱散熱層30與高傳熱金屬層31的形成與第一實施例相同，它們的詳細說明將會省略。
參閱圖4至圖7所示，在所述發(fā)光二極管晶片W的主要發(fā)光表面W12上形成有一
個發(fā)光表面?zhèn)冉^緣層4。所述發(fā)光表面?zhèn)冉^緣層4形成有多個通到對應的發(fā)光二極管芯片
1的主要發(fā)光表面12(W12)的穿孔40。每個穿孔40內形成有一個熒光粉層41。 然后，一個透明保護層42形成在所述絕緣層4與熒光粉層41的表面上。接著，如
在圖4所示，在經(jīng)歷切割制程之后，得到本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管封裝體。 在以上的說明中，雖然每個通孔40曝露一個芯片的主要發(fā)光表面12。然而，每個
通孔40也可暴露兩個或以上的芯片1 。即，每個通孔40也可根據(jù)需要暴露2x2個、3x3個、
4x4個、5x5個、...等等芯片l，如在圖8和圖9中所示。 通過本發(fā)明的方法制成的發(fā)光二極管封裝體由于每個發(fā)光二極管芯片的熒光粉 層41具有相等的面積A" A2， A3，. . . . ， An(見圖5)和相等的厚度Dn D2， D3，……，Dn見(圖 7)，因此，熒光粉在LED藍光激發(fā)后，取得相同色溫及相同亮度，不會因點熒光粉造成LED封 裝后有40%以上的不良品(side bins)。而且，形成于每個發(fā)光二極管芯片1的發(fā)光表面 12上的熒光粉層41與對應的發(fā)光二極管芯片1的相對位置不會偏移，形狀也不會不同，所 以能夠有效消除現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝體的缺點。 此外，本發(fā)明的熒光粉層41的高度由絕緣層4的高度來控制，因此與實際所需的 高度的誤差范圍能夠適當?shù)乜刂啤?參閱圖10所示，在每個金屬層31上還可選擇地形成錫球32。 如是，由于所述高傳熱散熱層30以及所述高傳熱金屬層31的高熱傳導系數(shù)，由所
述發(fā)光二極管芯片1產生的熱能夠迅速有效地傳導離開。 圖12(A)和圖12(B)所示為本發(fā)明另一實施例的發(fā)光二極管封裝體的示意側視 圖。 參閱圖12(A)和圖12(B)所示，所述發(fā)光二極管封裝體包括一對電極接腳51,52、 由所述一對電極接腳51，52支撐的發(fā)光二極管芯片1、包覆所述發(fā)光二極管芯片1的熒光粉 層6、反射罩7、以及透鏡8。 所述發(fā)光二極管芯片1具有第一電極側表面13和第二電極側表面14。在所述第 一電極側表面13上設有第一電極130。在所述第二電極側表面14上設有第二電極140。所 述第一電極和所述第二電極具有不同的導電性類型。所述發(fā)光二極管芯片1在其第一和第 二電極側表面13和14的電極130和140與對應的電極接腳51， 52的接點電接觸的情況下 由所述一對電極接腳51，52支撐。所述發(fā)光二極管芯片1的電極側表面13，14涂布有鉆石 薄膜15。因此，熱能夠經(jīng)由所述鉆石薄膜有效地從電極接腳51，52傳導離開所述透鏡8內 部。 參閱圖13(A)和圖13(B)所示，其示出圖12(A)的發(fā)光二極管封裝體的變型。這
一變型與圖12(A)中所示的發(fā)光二極管封裝體不同之處在于在本變型中，在鉆石薄膜15上
還涂布有一層熒光粉層16，使得在圖12(A)中所示的熒光粉層6可省略。 圖14所示為發(fā)光模塊的示意部分分解圖，而圖15所示為圖14的發(fā)光模塊的示意
組合圖。 參閱圖14所示，所述發(fā)光模塊包括一個發(fā)光組件和一個導光組件。所述發(fā)光組件 包括長形的印刷電路板100。在所述印刷電路板100上，以覆晶方式安裝有多個發(fā)光二極管 封裝體200。在每個發(fā)光二極管封裝體200的主要發(fā)光表面上涂布有熒光粉層201。在所述印刷電路板100中形成有多個在所述印刷電路板100的縱向上以相等間隔分隔的倒T形 貫孔101。 所述導光組件包括擴散板300。在所述擴散板300的面向所述印刷電路板100的 表面上形成有多個適于容置安裝在所述印刷電路板100上的對應的發(fā)光二極管封裝體200 的容置凹陷部301及多個適于延伸至所述印刷電路板100的對應的貫孔101的卡勾302。
如在圖15中所示，當所述擴散板300的卡勾302卡合在所述印刷電路板100的對 應的貫孔101內時，安裝在所述印刷電路板100上的發(fā)光二極管封裝體200容置在所述擴 散板300的對應的凹陷部301內，而由這些發(fā)光二極管封裝體200發(fā)射的光線由所述擴散 板300擴散出去。 需要注意的是，在每個凹陷部301的內表面上可涂布熒光粉層303(見圖16)。由 此，可省略發(fā)光二極管封裝體200上的熒光粉層。或者，熒光粉層303與發(fā)光二極管封裝體 200上的熒光粉層可同時存在，由此可改進發(fā)光二極管封裝體200側光無激發(fā)熒光粉的缺 點。 現(xiàn)在參閱圖17所示，與第二實施例不同，本實施例的發(fā)光二極管封裝體在發(fā)光二 極管芯片1的主要發(fā)光表面12上沒有形成發(fā)光表面?zhèn)冉^緣層，所述熒光粉層41直接形成 在所述發(fā)光二極管芯片1的主要發(fā)光表面12上。 圖18所示為使用在圖17中所示的發(fā)光二極管封裝體的背光模塊的示意立體圖。
如在圖18中所示，所述背光模塊包括印刷電路板100、多個發(fā)光二極管封裝體 200、及多個摻雜有熒光粉的蓋體400。這些如在圖17中所示的發(fā)光二極管封裝體200電氣 地安裝在所述印刷電路板100上。每個蓋體400形成有一個喇叭狀貫孔401，并且安裝在所 述印刷電路板100上，使得每個發(fā)光二極管封裝體200位于對應的蓋體400的貫孔401內 靠近所述貫孔401的具較小孔徑的孔口。由此，任何從所述封裝體200側面發(fā)出的藍色光 線在與蓋體400的熒光粉激發(fā)后會變成白光，因此藍色側光問題能進一步解決。
參閱圖21所示，一個LED芯片1電氣地安裝于基體S上。所述LED芯片1具有一 個形成有第一電極12的第一表面IO，和一個形成有第二電極(圖中未示出)的第二表面 11。所述LED芯片1經(jīng)由一個導體層3安裝在所述基體S的安裝表面20上，使得所述LED 芯片1的第二電極電氣連接到在所述基體S的安裝表面20上的對應的電氣接點(圖中未 示出)。 所述導體層3包括一個形成于所述基體S的安裝表面20上的銅層32、一個在所述 銅層32上的金層31、和一個在所述金層31上的焊接層30。 所述銅層32通過激光焊接法(Laser Welding Method)或者超聲波法 (Ultrasonic Method)來連接到所述基體S的安裝表面20。
所述金層31通過激光焊接法來連接到所述銅層32。
所述焊料層30通過回焊法來連接到所述金層31。 所述LED芯片1的第一電極12電連接到在所述基體S的安裝表面20上的導電接 點21。每個導電接點21包括一個形成在所述基體S的安裝表面20上的銅層212、一個在 所述銅層212上的金層211、和一個在所述金層211上的焊料層210。 參閱圖22所示，與本發(fā)明的第一實施例不同，所述高度導熱金屬層31包括一個形 成于由熱分解石墨形成的高度散熱層30上的銅層310。所述高度散熱層30與所述銅層310可以通過濺鍍法來形成。需要注意的是，所述高度散熱層30與所述高度導熱金屬層31的 部分的去除可以通過CMP(化學機械研磨)制程來達成。 所述金屬層31還包括一個在所述銅層310上的Au層311和一個在所述Au層311 上的焊料層312。
權利要求
一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包括一個發(fā)光二極管芯片，其具有一個電極側表面和至少兩個安裝于所述電極側表面上的電極；一個電極側絕緣層，其形成于所述發(fā)光二極管芯片的電極側表面上且形成有多個對應于所述多個電極的通孔；形成于所述電極側絕緣層的每個通孔內的高傳熱散熱層；以及形成于每個高效散熱層上的高傳熱金屬層。
2. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于所述高效散熱層由具有400W/ (m K)至700W/(n^K)的熱傳導系數(shù)的熱/烈解石墨形成，或者由具有900W/(m K)至 1200W/(m*K)的熱傳導系數(shù)的鉆石墨形成。
3. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于每個金屬層可以由任意的金屬 層或者合金層形成。
4. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于每個金屬層可以由鎳層與金層 形成。
5. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于每個金屬層可以由鋁層和銅層 形成。
6. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于每個金屬層可以由銅層形成。
7. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于還包括形成于每個金屬層上的 錫球。
8. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片還具有一 個與所述電極側表面相對的主要發(fā)光表面，所述發(fā)光二極管封裝體還包括一個形成于所 述主要發(fā)光表面上的發(fā)光表面絕緣層，所述發(fā)光表面絕緣層形成有一個到達所述主要發(fā)光 表面的通孔；以及一個形成于所述通孔內的熒光粉層。
9. 一種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于包括以下步驟 準備一片發(fā)光二極管晶片，所述發(fā)光二極管晶片具有多個發(fā)光二極管芯片，每個發(fā)光二極管芯片具有一個主要發(fā)光表面，所述多個發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光表面相當于所述發(fā)光二極管晶片的主要發(fā)光表面；在所述發(fā)光二極管晶片的主要發(fā)光表面上形成一個發(fā)光表面絕緣層； 在所述發(fā)光表面絕緣層上形成多個各到達對應的發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光表面的通孔；以及在所述多個通孔內形成熒光粉層；由此，所有發(fā)光二極管芯片的熒光粉層均具有相同厚度、相同面積、以及相同形狀，而 且形成于每個發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光表面上的熒光粉層與對應的發(fā)光二極管芯片之 間的相對位置固定不變。
10. 如權利要求9所述的封裝方法，其特征在于還包括以下步驟 在所述發(fā)光二極管晶片的電極側表面上形成一個電極側絕緣層；形成多個暴露所述發(fā)光二極管晶片的對應的電極的通孔在所述電極側絕緣層中；以及 在每個通孔內依次形成一個在所述電極側表面上的高傳熱散熱層和一個在所述高傳 熱散熱層上的高傳熱金屬層。
11. 一種發(fā)光二極管封裝體，其特征在于包括 一對電極接腳；以及一個發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片具有第一電極側表面和第二電極側表面， 在所述第一電極側表面上設有第一電極，在所述第二電極側表面上設有第二電極，所述第 一電極和所述第二電極具有不同的導電性類型，所述發(fā)光二極管芯片在其第一和第二電極 側表面的電極與對應的電極接腳的接點電氣接觸的情況下由該對電極接腳支撐，所述發(fā)光 二極管芯片的電極側表面涂布有鉆石薄膜，因此，熱能夠經(jīng)由所述鉆石薄膜有效地從電極 接腳傳導離開所述透鏡內部。
12. 如權利要求11所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于所述鉆石薄膜具有900W/ (m K)至1200W/(m K)的熱傳導系數(shù)。
13. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于熒光粉層的厚度由絕緣層的 高度控制。
14. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于每個通孔可以暴露兩個或以 上的芯片。
15. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于在發(fā)光二極管芯片的P層或者 N層上可以涂布有任何適當?shù)母邆鳠岵牧稀?br>
16. 如權利要求15所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于所述高傳熱材料可以是鉆石 墨、烈解石墨等的材料。
17. —種發(fā)光模塊，其特征在于包括一個發(fā)光組件，所述發(fā)光組件包括長形的印刷電路板，在所述印刷電路板上以覆晶方 式安裝有多個發(fā)光二極管封裝體；以及一個導光組件，所述導光組件包括一個安裝于所述印刷電路板上的擴散板，在所述擴 散板的面向所述印刷電路板的表面上形成有多個適于容置安裝在所述印刷電路板上的對 應的發(fā)光二極管封裝體的容置凹陷部。
18. 如權利要求17所述的發(fā)光模塊，其特征在于在所述擴散板的每個凹陷部的內表面 與每個發(fā)光二極管封裝體的主要發(fā)光表面中的至少一個上形成有熒光粉層。
19. 如權利要求17所述的發(fā)光模塊，其特征在于在所述印刷電路板中形成有多個在所 述印刷電路板的縱向上以相等間隔分隔的倒T形貫孔，并且其中，所述擴散板還具有多個 適于延伸至所述印刷電路板的對應的貫孔的卡勾，因此當所述擴散板的卡勾卡合在所述印 刷電路板的對應的貫孔內時，安裝在所述印刷電路板上的發(fā)光二極管封裝體容置在所述擴 散板的對應的凹陷部內，而由所述多個發(fā)光二極管封裝體發(fā)射的光線由所述擴散板擴散出 去。
20. —種發(fā)光二極管封裝體的封裝方法，其特征在于包括以下步驟 準備一片發(fā)光二極管晶片，所述發(fā)光二極管晶片具有多個發(fā)光二極管芯片，每個發(fā)光二極管芯片具有一個主要發(fā)光表面，所述多個發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光表面相當于所述 發(fā)光二極管晶片的主要發(fā)光表面；在所述發(fā)光二極管晶片的主要發(fā)光表面上形成一個熒光粉層；以及在所述熒光粉層上形成一個保護層。
21. 如權利要求20所述的封裝方法，其特征在于還包括以下步驟在所述發(fā)光二極管晶片的電極側表面上形成一個電極側絕緣層；形成多個暴露所述發(fā)光二極管晶片的對應的電極的通孔在所述電極側絕緣層中；以及 在每個通孔內依次形成有一個在所述電極側表面上的高傳熱散熱層和一個在所述高 傳熱散熱層上的高傳熱金屬層。
22. 如權利要求20所述的封裝方法，其特征在于在形成所述熒光粉層之前，還包括以 下步驟在所述發(fā)光二極管晶片的主要發(fā)光表面上形成多個各沿著切割線延伸的凹槽。
23. 如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片還具有 一個與所述電極側表面相對的主要發(fā)光表面，所述發(fā)光二極管封裝體還包括一個形成于 所述主要發(fā)光表面上的熒光粉層。
24. 如權利要求23所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于所述熒光粉層延伸至所述發(fā) 光二極管芯片的側表面上。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝體包括一個發(fā)光二極管芯片，其具有一個電極側表面和至少兩個安裝于所述電極側表面上的電極；一個電極側絕緣層，其形成于所述發(fā)光二極管芯片的電極側表面上且形成有多個對應于所述多個電極的通孔；形成于所述電極側絕緣層的每個通孔內的高傳熱散熱層；以及形成于每個高效散熱層上的高傳熱金屬層。
文檔編號H01L33/00GK101752474SQ20081018599
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月18日 優(yōu)先權日2008年12月18日
發(fā)明者沈育濃 申請人:沈育濃