專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用Pd電極作為電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體發(fā)光元件中，在活性層的上層形成的p型半導(dǎo)體層，其局 部與用于向p型半導(dǎo)體層供電的p型電極連接。在p型半導(dǎo)體層中，上
述與p型電極連接的部分稱為p型接觸層。并且，從低電流消耗化等特 性改善的觀點(diǎn)出發(fā)，對于p型電極要求提高歐姆特性、以及與p型接觸 層低電阻接觸。
這里，例如在藍(lán)紫色LD使用的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件中，為了滿 足上述要求，作為p型電極有使用Pd (或者是含Pd的材料)的情況。 Pd電極至少在p型接觸層上形成。但是為了使之具有加工余量(process margin)，通常在絕緣膜上也形成Pd電極。因此，Pd電極具備在p型 接觸層上形成的部分(稱為接觸層上Pd電極)和在絕緣膜上形成的部 分(稱為絕緣膜上Pd電極)。當(dāng)形成Pd電極后在Pd電極上形成焊盤 電極。
專利文獻(xiàn)l:日本專利申請公開昭60-43830號公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本專利申請公開2005-93673號公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:日本專利申請公開2003-100758號公4艮 專利文獻(xiàn)4:日本專利申請公開2002-205268號公報(bào) 專利文獻(xiàn)5:日本專利申請公開平10-74710號公報(bào) 專利文獻(xiàn)6:日本專利申請公開平5-152248號公報(bào) 專利文獻(xiàn)7:日本專利申請公開平1-116070號公報(bào) 專利文獻(xiàn)8:日本專利申請公開2006-351617號公報(bào) 專利文獻(xiàn)9:日本專利申請公開2006-245379號公才艮 但是，由于Pd電極與絕緣膜的密合性差，存在絕緣膜上Pd電極剝 落的情況。剝落的絕緣膜上Pd電極的一部分附著在半導(dǎo)體發(fā)光元件的 表面上，可能會引起對成品率等造成不良影響的問題。另外，絕緣膜上 Pd電極沒有完全地剝落，可能變成從接觸層上Pd電極延伸的檐狀。此
4時(shí)，存在上述的檐狀部分導(dǎo)致在后續(xù)的焊盤電極形成工序中，無法在期 望的位置上進(jìn)行焊盤電極形成的問題。其結(jié)果是有在焊盤電極中產(chǎn)生未 形成部分(孔)的問題。進(jìn)而，在絕緣膜上Pd電極剝落時(shí)，有時(shí)由于 接觸層上Pd電極的一部分被剝下而使p型接觸層露出于表面。在該情 況下，在露出于表面的p型接觸層上直接形成焊盤電極。而且，例如焊
盤電極所含的Au等向p型半導(dǎo)體層擴(kuò)散，存在對半導(dǎo)體發(fā)光元件的特
性、可靠性造成不良影響的問題。
為了抑制這種絕緣膜上Pd電極的剝落，可以考慮在絕緣膜與Pd電 極之間形成密合層，使絕緣膜上Pd電極與絕緣膜的密合性提高。但是， 為了在所希望的位置形成上述密合層，存在不可回避工序增加并且制造 成本變高的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種半導(dǎo)
體發(fā)光元件的制造方法，能夠不形成上述密合層，而以簡易的方法回避
剝落的絕緣膜上Pd電極向半導(dǎo)體發(fā)光元件表面的附著而導(dǎo)致的成品率
下降、焊盤電極未形成部分的發(fā)生、p型接觸層與焊盤電極接觸的問題。
本申請發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，具備 在半導(dǎo)體上形成具有開口部的絕緣膜的工序；
在該開口部和該絕緣膜上形成Pd電極的工序；
對該絕緣膜上的該P(yáng)d電極附加物理的力，在殘留該開口部的該P(yáng)d
電極的狀態(tài)下，剝離該絕緣膜上的Pd電極并除去的剝離工序。
通過本發(fā)明，能夠利用簡易的工序來回避Pd電極剝落導(dǎo)致的危害。


圖1是說明形成絕緣膜的工序的圖。 圖2是說明形成Pd電極的工序的圖。
圖3是說明剝離絕緣膜上Pd電極的工序(剝離工序)的圖。
圖4是說明形成密合層的工序的圖。
圖5是說明在密合層上形成阻擋金屬層的工序的圖。
圖6是說明在阻擋金屬層上形成焊盤電極的工序的圖。
圖7是對Pd電極剝落導(dǎo)致的典型的危害進(jìn)行說明的圖。
5圖8是對Pd電極剝落導(dǎo)致的另一典型危害進(jìn)行說明的圖。
圖9是關(guān)于使用液體噴射噴出裝置噴出的液體來剝離絕緣膜上Pd
電極的情況對其典型例進(jìn)行說明的圖。 附圖標(biāo)記說明
10:脊形部；16: p型半導(dǎo)體層；20: p型接觸層；21:液體噴射 噴出裝置；22:第一絕緣膜；26: Pd電極；32:阻擋金屬層；34:焊盤 電極；40: Pd切斷部分
具體實(shí)施方式
實(shí)施方式1
本實(shí)施方式涉及具備Pd電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，特別 涉及能夠通過簡易方法回避伴隨Pd電極形成而發(fā)生的成品率下降等不 良影響的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。下面從圖l起依次對本實(shí)施方式 的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法進(jìn)行說明。再有，為方便起見，有時(shí)也將
未完成制造工序的"成為半導(dǎo)體發(fā)光元件的原料襯底"稱為半導(dǎo)體發(fā)光 元件。
圖1是說明形成本實(shí)施方式的絕緣膜的工序的圖。本實(shí)施方式的半 導(dǎo)體發(fā)光元件利用GaN襯底上而形成，具備活性層18(圖2以后省略)。 在活性層18的上層具有p型半導(dǎo)體層16。 p型半導(dǎo)體層16在規(guī)定的位 置具有被稱為溝道部12的高度較低的部分。溝道部12是被脊形部10 與臺(terrace)部14夾著的溝。并且，作為脊形部10的最上層形成p 型接觸層20。 p型接觸層20與向p型半導(dǎo)體層16進(jìn)行供電的后述的電 極連接。再有，在本實(shí)施方式中，溝道部12的溝底部與脊形部上表面 的高度差為0.5^im。此外，脊形部10的寬度為1.5pm。
在上述結(jié)構(gòu)的晶片表面形成第一絕緣膜22。第一絕緣膜22在溝道 部12上形成。進(jìn)而，第二絕緣膜24在溝道部12的一部分和臺部14上 形成。第一絕緣膜22和第二絕緣膜24作為整體形成為在脊形部10的 上表面設(shè)置使p型接觸層20露出的開口。在本實(shí)施方式中，第一絕緣 膜22和笫二絕緣膜24均由Si02形成。
圖2是說明在形成圖1的結(jié)構(gòu)后形成Pd電極26的工序的圖。在本 實(shí)施方式中，通過法線蒸鍍(成膜只沿著與晶片(半導(dǎo)體發(fā)光元件)的 主面垂直的方向行進(jìn)的蒸鍍)形成Pd電極26而覆蓋脊形部10。具體而言，Pd電極26覆蓋脊形部10的上表面和側(cè)面，并且與溝道12的溝底 部的一部分也整體形成。再有，對于沒有形成Pd電極的部分，在通過 法線蒸鍍形成Pd電極時(shí)是以抗蝕劑等進(jìn)行覆蓋的結(jié)構(gòu)也可。并且，根 據(jù)上述法線蒸鍍的效果，在脊形部10的上表面和溝道部12的溝底部較 厚地形成Pd。另一方面，在脊形部10的側(cè)面較薄地形成Pd。
在本實(shí)施方式中，脊形部IO上表面的Pd電極26的厚度為100nm。 這里，由圖2可知，Pd電極26具備與第一絕緣膜22相接的部分(以下 稱為絕緣膜上Pd電極)和與p型接觸層相接的部分(以下稱為接觸層 上Pd電極)。并且在本實(shí)施方式中，絕緣膜上Pd電極與溝道部12的 溝底部重疊部分的長度為2.75|_im。
當(dāng)形成Pd電極26時(shí)，為了提高接觸層上Pd電極與p型接觸層20 的密合性而進(jìn)行燒結(jié)熱處理。燒結(jié)熱處理典型地以40(TC 55(TC左右的 溫度進(jìn)行，在這里并不特別限定。
圖3是說明在形成圖2的結(jié)構(gòu)后剝離上述絕緣膜上Pd電極的工序 (剝離工序)的圖。雖然與作為p型半導(dǎo)體層16的一部分的p型接觸 層20的密合性良好地形成接觸層上Pd電極，但是絕緣膜上Pd電極與 第二絕緣膜22密合性差而易于剝落。并且，通過施加物理的力也能夠 使絕緣膜上Pd電極剝落。
從液體噴2噴出^置'21噴出的液體的物理的力使絕緣膜上Pd電極剝 離。液體噴射噴出裝置21是在晶片的主面平行方向中一邊掃描， 一邊 從晶片外部噴出液體向晶片表面噴射的裝置。液體噴射噴出裝置21的 液體噴出口從晶片主面的法線方向傾斜規(guī)定角度。另外，本實(shí)施方式的
液體噴射噴出裝置21具有噴出N2與純水的混合液的雙流體微粒子噴霧器。
如上所述，利用液體噴射噴出裝置21將絕緣膜上Pd電極剝離，但 是此時(shí)不剝離接觸層上Pd電極。即，從液體噴射噴出裝置21噴出的液 體流量和噴出的液體壓力調(diào)整為，不使接觸層上Pd電極剝離而使絕緣 膜上Pd電極剝離的物理的力作用于Pd電極26。在本實(shí)施方式中，從液 體噴射噴出裝置21噴出的液體流量為200ml/min,噴出的液體壓力為 0.4MPa。
圖4是說明在形成圖3的結(jié)構(gòu)后在脊形部10、溝道部12、臺部14上形成密合層30的工序的圖。在本實(shí)施方式中，作為密合層30形成Ti 或Cr。密合層30為了提高后述的阻擋金屬層與晶片的密合性而形成。
圖5是說明在形成圖4的結(jié)構(gòu)后在密合層30上形成阻擋金屬層32 的工序的圖。在本實(shí)施方式中，作為阻擋金屬層32形成Pt。阻擋金屬 層32抑制向p型半導(dǎo)體層的金屬原子的侵入。再有，作為阻擋金屬層 只要是能夠抑制物質(zhì)越過各層的邊界擴(kuò)散的導(dǎo)體即可，除了 Pt以外例如 也可以形成Mo、 Ta、 Ni等。
圖6是說明在形成圖5的結(jié)構(gòu)后在阻擋金屬層32上形成焊盤電極 34的工序的圖。本實(shí)施方式的焊盤電極34可以為多層結(jié)構(gòu)或單層結(jié)構(gòu)， 但至少形成有包含Au的層。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式如上所述。以下對 成為本發(fā)明的動機(jī)的"i果題進(jìn)行說明。
通常，在GaN等氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的p型電極中，為了改善電 氣特性而要求歐姆特性的提高和低電阻化。而Pd電極則有望作為滿足 上述要求的p型電極，但是，由于Pd電極與絕緣膜本質(zhì)地密合性差而 有時(shí)會發(fā)生Pd電極的剝落。這里，Pd電極僅與p型半導(dǎo)體層相接即可。 但是，從加工余量等的觀點(diǎn)出發(fā)，以使Pd電極僅與p型半導(dǎo)體層接觸 的方式而位置精度良好地并且再現(xiàn)性良好地形成是不現(xiàn)實(shí)的。因此，由 于Pd電極必然地會以與絕緣膜相接的方式形成，所以可能發(fā)生Pd電極 剝落(絕緣膜上Pd電極剝落)的問題。
圖7是對上述的Pd電極剝落導(dǎo)致的典型危害進(jìn)行說明的圖。剝落 的絕緣膜上Pd電極作為缺陷Pd44例如附著于溝道部等上，成為使通過 后續(xù)形成焊盤電極的工序形成的焊盤電極的膜質(zhì)惡化等的危害的原因。 此外，在絕緣膜上Pd電極中，也可能發(fā)生雖然與絕緣膜剝離但是與接 觸層上Pd電極在仍然連接的狀態(tài)下殘存的飛邊毛刺部分42。飛邊毛刺 部分42在作為后續(xù)工序的形成焊盤電極的工序中有時(shí)成為妨礙飛邊毛 刺部分42正下方的焊盤電極形成的"檐"部。因此由于飛邊毛刺部分42 可能導(dǎo)致應(yīng)當(dāng)連續(xù)形成的焊盤電極不連續(xù)地形成，或者在焊盤電極上產(chǎn) 生不必要的未形成部分的危害。
圖8是對上述的Pd電極剝落導(dǎo)致的另一典型危害進(jìn)行說明的圖。 圖8表示當(dāng)絕緣膜上Pd電極剝落時(shí)將接觸層上Pd電極的一部分剝下時(shí) 的脊形部。雖然接觸層上Pd電極與p型接觸層20的密合性良好，但是 在與絕緣膜上Pd電極接近的部分中有和絕緣膜上Pd電極一起被剝離的
8情況。在這種情況下，產(chǎn)生作為p型接觸層20露出于表面的部分的接
觸層露出部46。而且，由于在作為后續(xù)工序的形成焊盤電極的工序中形 成的Au等金屬在接觸層露出部46上直接形成，所以Au等金屬從接觸 層露出部46向p型半導(dǎo)體層16侵入。其結(jié)果是，有例如在活性層的能 帶間隙中形成較深的能級而使半導(dǎo)體發(fā)光元件的電、光特性的變動或劣 化的危害。
如上所述，當(dāng)使用Pd形成p型電極時(shí)，有時(shí)發(fā)生在圖7、 8說明的 典型例等導(dǎo)致的成品率降低等問題。
圖7、 8說明的危害是由Pd電極剝落而導(dǎo)致的。因此，為了提高Pd 電極與絕緣膜的密合性而可以考慮在兩者之間形成密合層。由于形成密 合層時(shí)能夠抑制Pd電極的剝落問題，所以能夠回避圖7、 8例示的危害 而收到成品率提高的效果，但是卻由于工序增加(工序復(fù)雜化)而導(dǎo)致 制造成本上升。
根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，能夠沒有生產(chǎn)工序 的復(fù)雜化而通過簡易的工序回避圖7、 8所示的危害。即，根據(jù)本實(shí)施 方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，通過液體噴射噴出裝置21噴出的 液體將絕緣膜上Pd電極剝離，并與該液體一起從半導(dǎo)體發(fā)光元件的表 面除去，從而能夠抑制圖7所示的缺陷Pd附著到半導(dǎo)體發(fā)光元件上。
此外，根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，能夠抑制圖 7所示的飛邊毛刺部分42的發(fā)生。參照圖9對此進(jìn)行說明。圖9是針對 利用液體噴射噴出裝置21噴出的液體來剝離絕緣膜上Pd電極的情況說 明其典型例的圖。由于絕緣膜上Pd電極與絕緣膜的密合性差，因此通 過液體噴射噴出裝置21噴出的液體與絕緣膜剝離，或者不通過上述液 體而與絕緣膜剝離。而且，通過液體噴射噴出裝置21噴出的液體的物 理的力，將絕緣膜上Pd電極與接觸層上Pd電極的接合部分(Pd切斷部 分40)切斷，從而剝離絕緣膜上Pd電極。
在本實(shí)施方式中，為了使在Pd切斷部分40進(jìn)行的Pd電極的切斷 變得容易而進(jìn)行以下三點(diǎn)準(zhǔn)備。第一點(diǎn)，由于通過法線蒸鍍法形成有Pd 電極，因此Pd電極在脊型側(cè)面比其它部分形成得薄。由此使在Pd切斷 部分40進(jìn)行的Pd電極的切斷變得容易。第二點(diǎn)，接觸層上Pd電極形 成為膜厚100nm。這也是有助于使在Pd切斷部分40進(jìn)行的Pd電極的 切斷變得容易的足夠薄的膜厚。
9第三點(diǎn)，絕緣膜上Pd電極與溝道部12的溝底部重疊的部分(以下 稱為溝道溝底重疊部)的長度形成為2.75pm。溝道溝底重疊部是絕緣膜 上Pd電極的一部分，如圖9所示，是受到液體噴射噴出裝置21噴出的 液體的物理的力的部分。因此，溝道溝底重疊部的長度越長，絕緣膜上 Pd電極能夠受到更強(qiáng)的物理的力，所以對于Pd切斷部分40中的Pd電 極的切斷是優(yōu)選的。在本實(shí)施方式中，溝道溝底重疊部的長度為2.75pm, 確保了足夠的長度使切斷變得容易。
可是，在對飛邊毛刺部分42不能積極地施加物理的力的情況下， 飛邊毛刺部分42容易與接觸層上Pd電極不被切斷而殘留。另一方面， 在本實(shí)施方式中，即使發(fā)生上述的飛邊毛刺部分(絕緣膜上Pd電極)， 也能夠通過液體噴射噴出裝置21噴出的液體，施加物理的力而除去。 并且，由于進(jìn)行了上述三點(diǎn)準(zhǔn)備，所以飛邊毛刺部分(絕緣膜上Pd電 極)的剝離和除去容易。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制 造方法，能夠以沒有飛邊毛刺部分的狀態(tài)形成焊盤電極等。
在本發(fā)明中，因?yàn)閷^緣膜上Pd電極施加物理的力而積極地將絕 緣膜上Pd電極除去，所以可能發(fā)生圖8所示的接觸層露出部46。因此 在本實(shí)施方式中，在剝離工序后形成焊盤電才及34的工序前，實(shí)施形成 阻擋金屬層32的工序。即，通過阻擋金屬層32能夠抑制構(gòu)成焊盤電極 的導(dǎo)體(Au等金屬)經(jīng)由接觸層露出部46侵入到p型半導(dǎo)體層中。因 此，根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，能夠回避半導(dǎo)體發(fā) 光元件的特性劣化。
此外，在形成Pd電極后通過液體噴射噴出裝置21將絕緣膜上Pd 電極除去，能夠以簡易的工序?qū)崿F(xiàn)而對生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間的影響輕微。因此， 與在Pd電極和絕緣膜之間形成密合層等的情況相比，能夠以簡易的結(jié) 構(gòu)抑制圖7的缺陷Pd44和飛邊毛刺部分42的發(fā)生。
這樣，本發(fā)明的第一特征在于，通過物理的力除去絕緣膜上Pd電 極，回避缺陷Pd和飛邊毛刺部分的發(fā)生。進(jìn)而，本發(fā)明的第二特征在 于，為了抑制從接觸層露出部向p型半導(dǎo)體層的導(dǎo)體的侵入，在形成焊 盤電極之前形成阻擋金屬層。
在本實(shí)施方式中，從液體噴射噴出裝置21噴出N2與純水的混合液， 但是本發(fā)明不限于此。即，本發(fā)明通過對絕緣膜上Pd電極附加物理的 力而使其剝離，從而獲得效果，因此也可以代替N2與純水的混合液而
10使用純水，也可以使用丙酮等有機(jī)溶劑以謀求剝離后的半導(dǎo)體發(fā)光元件 表面的快速干燥。此外，也可以使液體噴射噴出裝置21的噴出口進(jìn)行
超聲波振動，以提高絕緣膜上Pd電極的剝離效率。但是，由于從液體 噴射噴出裝置21噴出的液體與Pd電極和絕緣膜(在本實(shí)施方式中為第 一絕緣膜和第二絕緣膜)直接接觸，因此使它們變質(zhì)或溶解的液體是不 適當(dāng)?shù)摹?br> 此外，本實(shí)施方式中的液體噴射噴出裝置21例示了對絕緣膜上Pd 電極附力。"物理的力"的裝置，但是不限于此。即，為了對絕緣膜上Pd 電極作用"物理的力"而將晶片浸入藥液槽(或者純水槽)中施加超聲波 振動，也能夠獲得本發(fā)明的效果。此外，將N2氣體等惰性氣體向絕緣 膜上Pd電極噴射(送風(fēng))，也能夠獲得本發(fā)明的效果。同樣地，也可 以考慮對絕緣膜上Pd電極噴射粒子的方法，使晶片旋轉(zhuǎn)而對絕緣膜上 Pd電極附加離心力的方法，使用吸引機(jī)吸引絕緣膜上Pd電極的方法， 對絕緣膜上Pd電極貼付粘接膠帶而將其剝離的方法等，能夠在維持本 發(fā)明效杲的同時(shí)采用各種方法。
在本實(shí)施方式中，第一絕緣膜22和第二絕緣膜24為Si02,但是本 發(fā)明不限于此。絕緣膜例如采用SiN、或者SiON、或者TEOS、或者Zr〇2、 或者Ti02、或者Ta205、或者A1203、或者Nb205、或者Hf205、或者 A1N等材料，也能夠獲得本發(fā)明的效果。
在本實(shí)施方式中，通過法線蒸鍍形成Pd電極，但是本發(fā)明不限于 此。即，如上所述，通過法線蒸鍍在脊形部側(cè)面較薄地形成Pd電極， 著有助于使絕緣膜上Pd電極的剝離變得容易，但是在沒有這種易于剝 離要求的情況下，通過濺射法或CVD法等形成Pd電極，也可以獲得本 發(fā)明的效果。再有，通過法線蒸鍍等蒸鍍進(jìn)行成膜，不會對如本實(shí)施方 式那樣使用GaN類材料的半導(dǎo)體發(fā)光元件襯底造成干損失(dry damage),但是在采用濺射法等形成Pd電極時(shí)，產(chǎn)生將等離子體引起的 干損失抑制在容許范圍內(nèi)的需要。
在本實(shí)施方式中，接觸層上Pd電極的膜厚為lOOnm,但是本發(fā)明 不限于此。即，接觸層上Pd電極的膜厚只要形成為比島狀成長的過程 途中的10nm厚，而比作為不使Pd切斷部分40的易切斷性惡化的限度 的400nm薄，沒有特別的限定。
在本實(shí)施方式中，使溝道溝底重疊部的長度為2.75pm，但是本發(fā)明不限于此。即，如上所述，從Pd切斷部分40的易切斷性的觀點(diǎn)出發(fā)溝
道溝底重疊部的長度越長越優(yōu)選。因此，溝道溝底重疊部的長度從加工
余量的觀點(diǎn)出發(fā)，只要為最低必要限度的0.5pm以上的話，沒有特別的 限定。進(jìn)而，在與本實(shí)施方式的液體噴射噴出裝置21的關(guān)系中，當(dāng)使 溝道溝底重疊部的長度為2.75pm時(shí)，能夠再現(xiàn)性良好地對Pd切斷部分 40進(jìn)行切斷，因此優(yōu)選溝道溝底重疊部的長度為2.75pm以上。
在本實(shí)施方式中為了提高層間的密合性而在形成阻擋金屬之前形 成了密合層30,但本發(fā)明并不限于此，即，在阻擋金屬形成后、焊盤電 極形成前形成密合層30也可，在阻擋金屬的上下形成密合層30也可。 此外，在層間的密合性沒有問題的情況下是不形成密合層30的結(jié)構(gòu)也 可。再有，在本發(fā)明中，Pd電極與絕緣膜(第一絕緣膜或第二絕緣膜) 相接是為了獲得效果的必須要素，因此在本發(fā)明中不在Pd電極與絕緣 膜之間形成密合層。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件具有GaN類材料構(gòu)成的襯底，但是本 發(fā)明不限于此。即，只要是能夠與Pd電極(或包含Pd的電極)低電阻 歐姆接觸的半導(dǎo)體，則不限于GaN而也可以是其它材料。
在本實(shí)施方式中，在形成Pd電極26后進(jìn)行燒結(jié)熱處理，但是不限 于此。只要能夠提高接觸層上Pd電極與p型接觸層的密合性，燒結(jié)熱 處理可以在制造工藝中的任何時(shí)間進(jìn)行。并且，燒結(jié)熱處理的溫度也同 樣是任意的。
這里，圖7說明的"絕緣膜上Pd電極剝落"的危害，由于Pd電極與 絕緣膜的密合性差而在形成Pd電極后的任何時(shí)間都可能發(fā)生。但是， 在燒結(jié)熱處理后，"絕緣膜上Pd電極剝落"的危害特別顯著。因此，由 于絕緣膜上Pd電極(Pd)與絕緣膜(Si02)熱膨脹率的差較大，因而 兩者的密合性可能由于燒結(jié)熱處理而降低。因此，當(dāng)在燒結(jié)熱處理后進(jìn) 行剝離絕緣膜上Pd電極的工序(剝離工序)時(shí)，能夠容易地將絕緣膜 上Pd電極剝離，通過燒結(jié)熱處理也能夠除去Pd電極的部分。另一方面， 即使在剝離工序后進(jìn)行燒結(jié)熱處理只要能夠在剝離工序中充分地除去 絕緣膜上Pd電極，也能夠獲得本發(fā)明的一個(gè)效果，即抑制"缺陷Pd44 和飛邊毛刺部分42 (圖7)"。
本實(shí)施方式的Pd電極不限于Pd單層，也可以是Pd/Ta的層疊結(jié)構(gòu)， 或者Pd/Ta/Pd等的層疊結(jié)構(gòu)。在這里，前面使用的/表示是層疊結(jié)構(gòu)。
12此夕卜，作為本實(shí)施方式的焊盤電極，可以是Ti/Ta/Ti/Au或者Ti/Mo/Ti/Au 等層疊結(jié)構(gòu)，也都具有本發(fā)明的效果。
本發(fā)明特征在于，對絕緣膜上Pd電極施加物理的力而將其從晶片 表面除去(剝離)，以及為了防止作為焊盤電極的構(gòu)成要素的金屬向p 型半導(dǎo)體層侵入而形成阻擋金屬層。因此，在不脫離本發(fā)明范圍的情況 下，可以有各種變形。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，具備在半導(dǎo)體上形成具有開口部的絕緣膜的工序；在上述開口部和上述絕緣膜上形成Pd電極的工序；以及對上述絕緣膜上的上述Pd電極附加物理的力，在殘留上述開口部的上述Pd電極的狀態(tài)下，將上述絕緣膜上的上述Pd電極剝離并除去的剝離工序。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述物理的力可以通過液體噴射器的噴射、超聲波振動的附加、氣體的 噴射、粒子的噴射、離心力的附加、利用吸氣裝置的吸引、膠帶的貼付 和剝落等任意一種或多個(gè)手段來施加。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 具備在形成上述Pd電極的工序后并且上述剝離工序之前進(jìn)行熱處理 的工序。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 通過蒸鍍形成上述Pd電極。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 具備在形成上述絕緣膜的工序之前在上述半導(dǎo)體上形成脊形部的工序，在上述脊形部的上表面上形成上述開口部，在形成上述Pd電極的工序中，以10 400nm的膜厚對在上述開口部 上的上述Pd電極進(jìn)行形成。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 在形成上述Pd電極的工序中，以覆蓋上述脊形部的方式形成上述Pd電極，從上述脊形部的側(cè)面起，沿著與上述脊形部鄰接而高度低于上述脊 形部的溝道部的底面，4吏上述Pd電極形成為0.5pm以上。
7. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 在形成上述Pd電極的工序中，以覆蓋上述脊形部的方式形成上述Pd電極，從上述脊形部的側(cè)面起，沿著與上述脊形部鄰接而高度低于上述脊 形部的溝道部的底面，使上述Pd電極形成為2.75pm以上。
8. 如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，上述Pd電極是以Pd作為第 一層的多個(gè)層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。
9. 如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法， 其特征在于，具備在上述剝離工序后在上述Pd電極上形成阻擋金屬層的阻擋金屬形 成工序；以及在上述阻擋金屬形成工序后，在上述阻擋金屬層上形成包含Au的 焊盤電極的工序。
10. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述阻擋金屬層包含Pt、 Mo、 Ta、 Ni的任意一種。
11. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 具備在上述剝離工序后并且上述阻擋金屬形成工序前，在上述Pd電 極上形成Ti層、Cr層中任意一種層的工序。
12. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 具備在上述阻擋金屬形成工序后并且形成上述焊盤電極的工序之前， 在上述Pd電極上形成Ti層、Cr層中任意一種層的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有Pd電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其目的在于提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，能夠以簡易方法回避剝落的絕緣膜上Pd電極向半導(dǎo)體發(fā)光元件表面上的附著所引起的成品率降低、焊盤電極未形成部分的發(fā)生、p型接觸層與焊盤電極接觸的問題。該方法具備在半導(dǎo)體上形成具有開口部的絕緣膜的工序；在該開口部和該絕緣膜上形成Pd電極的工序；對該絕緣膜上的該P(yáng)d電極施加物理的力，在殘留該開口部的該P(yáng)d電極的狀態(tài)下，將該絕緣膜上的該P(yáng)d電極剝離并除去的剝離工序。
文檔編號H01L33/40GK101478020SQ20081019064
公開日2009年7月8日 申請日期2008年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
發(fā)明者佐久間仁, 岡貴郁, 川崎和重, 楠政諭, 阿部真司 申請人:三菱電機(jī)株式會社