專利名稱：新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明及一種新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器及其制備方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)固態(tài)激光器是有機(jī)固態(tài)半導(dǎo)體器件研究中的一個(gè)重要的研究方向。光致泵浦有機(jī)薄 膜或者有機(jī)單晶已經(jīng)觀測(cè)到放大的自發(fā)輻射現(xiàn)象(ASE)。但是，截止目前為止，還沒有一個(gè) 科學(xué)研究小組報(bào)道成功實(shí)現(xiàn)了有機(jī)電致激光。根據(jù)光致泵浦有機(jī)激光染料薄膜出現(xiàn)了ASE現(xiàn)象 的報(bào)道，在器件中電流密度應(yīng)達(dá)到lA/cm2，是實(shí)現(xiàn)電致激光器的前提條件。然而，普遍存在 一個(gè)電流效率下降的問題，尤其在施加一個(gè)高電壓的情況，這制約了器件在高亮度情況下的 發(fā)光功率和外部量子效率的提高。 一般認(rèn)為，由于有機(jī)材料的玻璃化溫度較低，電子材料的 遷移率很小，僅為10—5-10_4 cm7Vs左右，導(dǎo)致電荷對(duì)光的強(qiáng)烈吸收。此外，激子一激子之間 或者激子一電荷之間的猝滅，以及電場引起的激子分離都將影響光外耦合效率。以上四個(gè)原 因也是有機(jī)電致泵浦型激光至今未能實(shí)現(xiàn)的重要原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，提供一種新的有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光
器o
本發(fā)明的目的之二在于提供該激光器的制備方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的原理為在高脈沖電壓下，有機(jī)電致發(fā)光二極管具有散熱快 和抑制激子淬滅等優(yōu)點(diǎn)，最高面源亮度可以達(dá)到107 cd/m2以上，換算的功率可以在10W/cm2 的程度。因此，該發(fā)明利用OLED斷面釋放的高強(qiáng)度的藍(lán)色熒光激發(fā)同一器件上的低ASE閾值的 紅色激光染料薄膜，以此避免OLED期間中的有機(jī)發(fā)光層中對(duì)電荷和激子對(duì)光的吸收，以及強(qiáng) 光產(chǎn)生的激子拆分，從而實(shí)現(xiàn)OLED泵浦型激光。
為了彌補(bǔ)OLED面發(fā)射強(qiáng)度仍然不大的缺點(diǎn)，本發(fā)明利用指數(shù)設(shè)計(jì)的熔覆層結(jié)構(gòu)作為發(fā)射 光傳播的光波導(dǎo)，可以將熒光的光強(qiáng)密度提高1000倍以上。然后在同一器件上，泵浦低ASE 閾值有機(jī)薄膜，實(shí)現(xiàn)放大的自發(fā)輻射現(xiàn)象。該方法是在OLED陽極(iTO)上，形成具有分布 型布拉格共振器(Distributed Bragg Resonance, DBR)'參見圖1，或者分布反饋型共振器 (Distributed Feedback, DFB)，參見圖2，然后制備OLED器件和有機(jī)激光色素薄膜，從而 形成EL傳播的波導(dǎo)回路效應(yīng)，參見圖3。
根據(jù)上述原理，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器，以有機(jī)電致發(fā)光二極管為模板，其特征在于該激光器是
極管的陽極上制作出一個(gè)分布型布拉格共振器DBR;該分布 型布拉格共振器選用光刻膠、氟化鋰、氧化硅、氮化硅或氧化鋁通過甩膠、真空鍍膜或者磁
控濺射方法完成，其布拉格波長^"戦的計(jì)算公式為；1細(xì)從="6#2八/附，其中rwf是有效的
折射率常數(shù)，m和A分別是光柵的衍射級(jí)和周期；根據(jù)光波導(dǎo)分析軟件KAPPA，可以求出上式
中^"^與A的關(guān)系，然后通過與實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到的波長比較，確定振動(dòng)方式和激光特性。
一種制備上述的新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器的方法，其特征在于該方法的步驟為利用電 子束平印術(shù)法在洗凈的無熒光的玻璃基片或硅基材料上形成一個(gè)分布型布拉格共振器DBR圖 案，然后，上面涂上EB resist,即ZEP520A，再使用熱蒸發(fā)鍍上400nm-500nm厚的LiF;再 使用不透明的金屬Cr鍍?cè)诨厦?，用熱水將LiF剝離掉，超聲波處理30分，完成金屬 Cr掩膜板；最后，對(duì)于有機(jī)層和金屬電極的制備，采用掩膜板工藝，通過熱真空鍍膜完成， 有機(jī)層的蒸發(fā)沉積速率為1. 0 A/S左右，金屬電極的蒸發(fā)沉積速率為5-10 A/S左右；如果使 用MgAg合金作為金屬電極，Mg與Ag的質(zhì)量比為10: 1左右； 或者，
首先利用電子線刻蝕平印術(shù)在硅圓片上制作與分布型布拉格共振器DBR構(gòu)造同樣的圖案， 以此作為轉(zhuǎn)印到有機(jī)層的彈性體的鑄具；再根據(jù)電子束平印術(shù)法得到的分布型布拉格共振器 DBR上，滴入添加催化劑的彈性體，使之全部覆蓋在有分布型布拉格共振器DBR;將基板在 180度烘箱內(nèi)加熱10分鐘，將彈性體固化，從而實(shí)現(xiàn)DBR圖案的轉(zhuǎn)寫；將彈性體置于已經(jīng)通 過甩膠形成有機(jī)層的基板上，加熱，加熱溫度大于材料的玻璃化溫度；去除彈性體構(gòu)型，從 而在有機(jī)材料上形成需要的微細(xì)構(gòu)造。然后，在具有微細(xì)構(gòu)造的基板上通過真空腔的熱沉積， 制備功能有機(jī)層和金屬電極。制備工藝采用掩膜板工藝，通過熱真空鍍膜完成，有機(jī)層的蒸 發(fā)沉積速率為1.0 A/S左右，金屬電極的蒸發(fā)沉積速率為5-10 A/S左右；如果使用MgAg合 金作為金屬電極，Mg與Ag的質(zhì)量比為10: l左右；
所述的有機(jī)層為空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層。
一種新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器，以有機(jī)電致發(fā)光二極管為模板，其特征在于該激光器是
采用光刻技術(shù)在有機(jī)電致發(fā)光二極管的陽極上制作出一個(gè)分布反饋型共振器DFB;該分布反 饋型共振器DFB選用光刻膠、氟化鋰、氧化硅、氮化硅或氧化鋁通過甩膠、真空鍍膜或者磁
控濺射方法完成，其布拉格波長^"gg的計(jì)算公式為^,.^= 2八/附，其中rwf是有效的
折射率常數(shù)，m和A分別是光柵的衍射級(jí)和周期；根據(jù)光波導(dǎo)分析軟件KAPPA，可以求出上式中 ^s與A的關(guān)系，然后通過與實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到的波長比較，確定振動(dòng)方式和激光特性。
一種制備上述的新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器的方法，其特征在于該方法的步驟為利用電 子束平印術(shù)法在洗凈的無熒光的玻璃基片或硅基材料上形成一個(gè)分布反饋型共振器DFB，然 后，上面涂上EB resist,即ZEP520A，再使用熱蒸發(fā)鍍上400nm-500腦厚的LiF;再使用不 透明的金屬Cr鍍?cè)诨厦?，用熱水將LiF剝離掉，超聲波處理30分，完成金屬Cr掩 膜板；最后，對(duì)于有機(jī)層的制備，采用掩膜板工藝，通過熱真空鍍膜完成； 或者，
首先利用電子線刻蝕平印術(shù)在硅圓片上制作與分布反饋型共振器DFB構(gòu)造同樣的圖案，以 此作為轉(zhuǎn)印到有機(jī)層的彈性體的鑄具；再根據(jù)電子束平印術(shù)法得到的諧振器上，滴入添加催 化劑的彈性體，使之全部覆蓋在有分布反饋型共振器DFB;將基板在180度烘箱內(nèi)加熱10分 鐘，將彈性體固化，從而實(shí)現(xiàn)DFB圖案的轉(zhuǎn)寫；將彈性體置于已經(jīng)通過甩膠形成有機(jī)層的基 板上，加熱，加熱溫度大于材料的玻璃化溫度；去除彈性體構(gòu)型，從而在有機(jī)材料上形成需 要的微細(xì)構(gòu)造。然后，在具有微細(xì)構(gòu)造的基板上通過真空腔的熱沉積，制備功能有機(jī)層和金 屬電極。制備工藝采用掩膜板工藝，通過熱真空鍍膜完成，有機(jī)層的蒸發(fā)沉積速率為1.0 A/S 左右，金屬電極的蒸發(fā)沉積速率為5-10 A/S左右；如果使用MgAg合金作為金屬電極，Mg與
Ag的質(zhì)量比為10: 1左右；
所述的有機(jī)層為空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層。
本發(fā)明的激光器是在基板的陽極之上制備一個(gè)以O(shè)LED斷面波導(dǎo)為泵浦光源的固態(tài)激光器 構(gòu)造。在脈沖電壓施加的情況下，增強(qiáng)放大的EL光激發(fā)其傳播方向的有機(jī)薄膜，從而產(chǎn)生光 致發(fā)光，隨著脈沖電壓的加大，當(dāng)EL強(qiáng)度達(dá)到有機(jī)薄膜的ASE閾值時(shí)，出現(xiàn)PL光譜變窄(如圖 3)和功率密度放大效應(yīng)。有兩種類型形成OLED斷面強(qiáng)度放大效應(yīng)的器件結(jié)構(gòu)，DRB型OSLD 和Dra型OSLD,分別見圖1和圖2?；蹇梢允遣ＡЩ?，也可以是硅基材料。OLED器件的結(jié)構(gòu) 為Anode/HTL/EML/ETL/Cathode 。
本發(fā)明結(jié)合光致發(fā)光和電致發(fā)光，利用高強(qiáng)度的OLED的EL光，泵浦同一器件上的低ASE閾 值有機(jī)薄膜，以此避免OLED期間中的有機(jī)發(fā)光層中對(duì)電荷和激子對(duì)光的吸收，以及強(qiáng)光產(chǎn)生 的激子拆分，實(shí)現(xiàn)OLED泵浦型激光。


圖1為本發(fā)明的DRB型0LED泵浦有機(jī)激光色素激光器的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為本發(fā)明的DFB型0LED泵浦有機(jī)激光色素激光器的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3為0LED的結(jié)構(gòu)和波導(dǎo)效應(yīng)示意圖。
圖4為激光(532nm)泵浦DCM薄膜出現(xiàn)的波譜窄化 圖5為EL (512 nm)泵浦DCM薄膜的PL光譜
具體實(shí)施例方式
1. 材料方案本發(fā)明使用銦錫氧化物(ITO)或者金屬作為陽極；使用LiF/AU Ca/AL、 MgAg、 LiF/MgAg、 ITO或者其它材料作為陰極。金屬電極的制備使用真空鍍膜方法完成。
有機(jī)層材料可以是小分子材料、高分子材料，分別使用真空鍍膜或者甩膠法制成。 有機(jī)層包括三層,包括有機(jī)發(fā)光層(EML)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)。其中 發(fā)光材料為摻雜在8-羥基喹啉鋁(A1Q)的5， 6, 11， 12-四苯基并四苯(Rubrene)或者香豆素 (Coumarin 6 )、 或者在 4,4， -bis(9-carbazoly)biphenyl ( DCBP ) 摻雜的 1,4-bis(2-[4-[N,N-di(P-tolyl)amino]phenyl]vinyl)benzene (DSB);空穴傳輸層可使用 N,N-二苯基-N，N-二(2-萘基)-l, 1-聯(lián)苯-4,4-二胺、電子傳輸層可使用A1Q。其它發(fā)光材料 可使用 4，4'-Bis-(2,2-diphenyl-vinyl)-biphenyl ( DPVBi 、X = 461nm )、 1， 3-bis[2-(4' -terbutylphenyl)-1, 3, 4-固diazo1-5-yl]b匿ene (0XD7、入=380咖)、 Poly(9，9-dioctyllfl薩en-2,7-diyl (PF0、入=436ran)等。
DBR或者DFB光柵材料，可選擇光刻膠、氟化鋰、氧化硅、氮化硅、氧化鋁或者其它材 料，通過甩膠、真空鍍膜或者磁控濺射方法完成。
激光色素薄膜材料要求其吸收波長與電致發(fā)光層的光譜有較大的重疊，以保證PL光發(fā) 射 ，可 選 擇 在 ALQ中 摻 雜2-{2-Methyl-6-[2-(2, 3, 6， 7_tetrahydro_lH， 5H-pyrido[3， 2, l-ij]quinolin-9-yl)-viny1]-pyran-4-ylide ne} malononitrile(DCM2)(入二618nm)、或者在CBP中摻雜DSB(入=510nm)、 Quinacridone ( 入 =537nm ) 、 Poly[2-Methoxy-5-(2,-ethylhexyioxy)-l, 4-phenylene vinylene] (MEH-PPV、 A =580nm)等。
2. DBR和DFB制備方案
1) 光刻技術(shù)和掩膜板工藝(適用于干法制備的OLED)
本發(fā)明使用光刻技術(shù)，制成下部FET構(gòu)型的OLED器件。首先，利用電子束平印術(shù)法在洗 凈的無熒光的玻璃基片上形成一個(gè)DBR或者DFB圖案，然后，上面涂上EB resist (ZEP520A)， 再使用熱蒸發(fā)鍍上400咖-500nm厚的LiF。接下來，使用不透明的金屬Cr鍍?cè)诨厦?，?熱水將LiF剝離掉，超聲波處理30分，完成金屬Cr掩膜板。最后，對(duì)于有機(jī)層的制備， 采用掩膜板工藝，通過熱真空鍍膜完成。
2) 轉(zhuǎn)印工藝(適用于濕法制備的OLED)
首先利用電子線刻蝕平印術(shù)在硅圓片上制作與諧振器構(gòu)造同樣的圖案，以此作為轉(zhuǎn)印到 有機(jī)層的彈性體(Elastomer)的鑄具；2)在根據(jù)電子束平印術(shù)法得到的諧振器上，滴入添加 催化劑的彈性體，使之全部覆蓋在有DBR或者DFB圖案；3)將基板在180度烘箱內(nèi)加熱10分鐘， 將彈性體固化，從向—實(shí)現(xiàn)D13K或者DFB圖案的轉(zhuǎn)寫；4)將彈性體置于已經(jīng)通過甩膠形成有機(jī)層 的基板上，加熱(溫度大于材料的玻璃化溫度)；5)去除彈性體構(gòu)型，從而在有機(jī)材料上形 成需要的微細(xì)構(gòu)造。
3.發(fā)明器件的波導(dǎo)效應(yīng)分析和設(shè)計(jì)規(guī)則
該發(fā)明設(shè)計(jì)具有波導(dǎo)效應(yīng)的DBR和DFB結(jié)構(gòu)，確保OLED發(fā)光斷面放射增大效果，以此泵浦
有機(jī)薄膜。對(duì)于一個(gè)DBR和DFB共振器，它的激射波長(、M和義D^ )能從方程(1) and (2) 得到
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(1)<formula>formula see original document page 8</formula>(2)<formula>formula see original document page 8</formula>(3)
其中^^g是布拉格波長，n。ff是有效的折射率常數(shù)，m和A分別是光柵的衍射級(jí)和周期.
根據(jù)Kappa軟件的波導(dǎo)分析，計(jì)算器件的發(fā)光波長應(yīng)該與& gs波長基本一致.
以Coumarin-6作為發(fā)光層為例，其發(fā)射光譜的波峰為510 nm,我們使用LiF (折射率常數(shù)
為1. 3)，根據(jù)模擬得到Afl gg為508nm，符合波導(dǎo)效應(yīng)的規(guī)則。
實(shí)施例一參見圖l。 IT0的厚度為150nm，有機(jī)層厚度為250nm,金屬電極層的厚度為200 nrn。中間有源層的寬度為5mm。采用LiF作為D服光柵(折射率為1.30)，厚度為150 nm。光柵 的衍射級(jí)為2.0，周期為360nm。使用Coumarin 6作為發(fā)光層材料，DCM: A1Q(1.(F。質(zhì)量比) 作為激光色素層(寬度2.0 mm，厚度150nm)。使用脈沖電壓施加在器件上，脈沖寬度 (duration) 5微妙，周期為10Hz。從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)紅光激光器。
實(shí)施例二見圖2。 ITO的厚度為150nm,有機(jī)層厚度為250nm,金屬電極層的厚度為200 nrn。 采用光刻膠作為DFB光柵，厚度為150 nm。光柵的衍射級(jí)為2.0,周期為200ntn。使用0XD7作 為發(fā)光層材料，在CBP中摻雜DSB作為激光色素層(寬度2.0腿，厚度150nm)。使用脈沖電壓
施加在器件上，脈沖寬度(duration) 5微妙，周期為10Hz。從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)藍(lán)光激光器。 發(fā)明的激光器的特性
首先，利用激光泵浦DCM2薄膜，當(dāng)激光強(qiáng)度達(dá)到3.9 kw/cm2時(shí)，DCM2發(fā)射的光譜將出現(xiàn)變 窄現(xiàn)象，如圖4所示。因此，該發(fā)明的目的是實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度EL光強(qiáng)，使之強(qiáng)度超過3.9 kw/cm2。
通過本項(xiàng)發(fā)明，斷面發(fā)射的強(qiáng)度完全符合要求，最大面發(fā)射強(qiáng)度可達(dá)到IO kw/cm2,斷面 發(fā)射強(qiáng)度是面發(fā)射密度的1000倍以上，相關(guān)信息見參考文獻(xiàn)12和14。
圖5是利用0LED斷面發(fā)射的EL光，去泵浦不同基板上的DCM2薄膜，出現(xiàn)的PL光譜。
權(quán)利要求
1. 一種新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器，以有機(jī)電致發(fā)光二極管為模板，其特征在于該激光器是采用光刻技術(shù)在有機(jī)電致發(fā)光二極管的陽極上制作出一個(gè)分布型布拉格共振器DBR；該分布型布拉格共振器選用光刻膠、氟化鋰、氧化硅、氮化硅或氧化鋁通過甩膠、真空鍍膜或者磁控濺射方法完成，其布拉格波長λBragg的計(jì)算公式為λBragg＝neff2Λ/m，其中neff是有效的折射率常數(shù)，m和Λ分別是光柵的衍射級(jí)和周期；根據(jù)光波導(dǎo)分析軟件KAPPA，可以求出上式中λBragg與Λ的關(guān)系，然后通過與實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到的波長比較，確定振動(dòng)方式和激光特性。
2. —種制備根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器的方法，其特征在于該方法的 步驟為利用電子束平印術(shù)法在洗凈的無熒光的玻璃基片或硅基材料上形成一個(gè)分布型布 拉格共振器DBR圖案，然后，上面涂上EB resist,即ZEP520A，再使甩熱蒸發(fā)鍍上 400nm-500畫厚的LiF;再使用不透明的金屬Cr鍍?cè)诨厦?，用熱水將LiF剝離掉，超 聲波處理30分，完成金屬Cr掩膜板；最后，對(duì)于有機(jī)層和金屬電極的制備，采用掩膜 板工藝，通過熱真空鍍膜完成，有機(jī)層的蒸發(fā)沉積速率為1.0A/S左右，金屬電極的蒸發(fā) 沉積速率為5-10 A/S左右；如果使用MgAg合金作為金屬電極，Mg與Ag的質(zhì)量比為10: l左右；或者，首先利用電子線刻蝕平印術(shù)在硅圓片上制作與分布型布拉格共振器DBR構(gòu)造同樣的圖案， 以此作為轉(zhuǎn)印到有機(jī)層的彈性體的鑄具；再根據(jù)電子束平印術(shù)法得到的分布型布拉格共振器 DBR上，滴入添加催化劑的彈性體，使之全部覆蓋在有分布型布拉格共振器DBR;將基板在 180度烘箱內(nèi)加熱10分鐘，將彈性體固化，從而實(shí)現(xiàn)DBR圖案的轉(zhuǎn)寫；將彈性體置于已經(jīng)通 過甩膠形成有機(jī)層的基板上，加熱，加熱溫度大于材料的玻璃化溫度；去除彈性體構(gòu)型，從 而在有機(jī)材料上形成需要的微細(xì)構(gòu)造。然后，在具有微細(xì)構(gòu)造的基板上通過真空腔的熱沉積， 制備功能有機(jī)層和金屬電極。制備工藝采用掩膜板工藝，通過熱真空鍍膜完成，有機(jī)層的蒸 發(fā)沉積速率為1. 0 A/S左右，金屬電極的蒸發(fā)沉積速率為5-10 A/S左右；如果使用MgAg合金作為金屬電極，Mg與Ag的質(zhì)量比為10: l左右；所述的有機(jī)層為空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層。
3. —種新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器，以有機(jī)電致發(fā)光二極管為模板，其特征在于該激光器是 采用光刻技術(shù)在有機(jī)電致發(fā)光二極管的陽極上制作出一個(gè)分布反饋型共振器DFB;該分布反饋型共振器DFB選用光刻膠、氟化鋰、氧化硅、氮化硅或氧化鋁通過甩膠、真空鍍膜或 者磁控濺射方法完成，其布拉格波長^"^的計(jì)算公式為ASra^="e#2A/m，其中rwf是 有效的折射率常數(shù)，m和A分別是光柵的衍射級(jí)和周期；根據(jù)光波導(dǎo)分析軟件KAPPA，可以求出上式中^'^與A的關(guān)系，然后通過與實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到的波長比較，確定振動(dòng)方式和激 光特性。
4. 一種制備根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器的方法，其特征在于該方法的 步驟為利用電子束平印術(shù)法在洗凈的無熒光的玻璃基片或硅基材料上形成一個(gè)分布反饋 型共振器DFB，然后，上面涂上EB resist,即ZEP520A，再使用熱蒸發(fā)鍍上400nm-500nm 厚的LiF;再使用不透明的金屬Cr鍍?cè)诨厦?，用熱水將LiF剝離掉，超聲波處理 30分，完成金屬Cr掩膜板；最后，對(duì)于有機(jī)層的制備，釆用掩膜板工藝，通過熱真空鍍 膜完成； 或者，首先利用電子線刻蝕平印術(shù)在硅圓片上制作與分布反饋型共振器DFB構(gòu)造同樣的圖案，以 此作為轉(zhuǎn)印到有機(jī)層的彈性體的鑄具；再根據(jù)電子束平印術(shù)法得到的諧振器上，滴入添加催 化劑的彈性體，使之全部覆蓋在有分布反饋型共振器DFB;將基板在180度烘箱內(nèi)加熱10分 鐘，將彈性體固化，從而實(shí)現(xiàn)DFB圖案的轉(zhuǎn)寫；將彈性體置于已經(jīng)通過甩膠形成有機(jī)層的基 板上，加熱，加熱溫度大于材料的玻璃化溫度；去除彈性體構(gòu)型，從而在有機(jī)材料上形成需 要的微細(xì)構(gòu)造。然后，在具有微細(xì)構(gòu)造的基板上通過真空腔的熱沉積，制備功能有機(jī)層和金 屬電極。制備工藝采用掩膜板工藝，通過熱真空鍍膜完成，有機(jī)層的蒸發(fā)沉積速率為1.0A/S 左右，金屬電極的蒸發(fā)沉積速率為5-10 A/S左右；如果使用MgAg合金作為金屬電極，Mg與 Ag的質(zhì)量比為10: l左右；所述的有機(jī)層為空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層。
全文摘要
本發(fā)明及一種新型有機(jī)半導(dǎo)體固態(tài)激光器及其制備方法。該激光器是采用光刻技術(shù)在有機(jī)電致發(fā)光二極管的陽極上制作出一個(gè)分布型布拉格共振器DBR或分布反饋型共振器DFB；該共振器選用LiF、SiO₂、SiNx或Al₂O₃通過真空鍍膜或者磁控濺射方法完成，其布拉格波長λ_Bragg的計(jì)算公式為λ_Bragg＝n_eff 2Λ/m，其中n_eff是有效的折射率常數(shù)，m和Λ分別是光柵的衍射級(jí)和周期。本發(fā)明結(jié)合光致發(fā)光和電致發(fā)光，利用高強(qiáng)度的OLED的EL光，泵浦同一器件上的低ASE閾值有機(jī)薄膜，以此避免OLED期間中的有機(jī)發(fā)光層中對(duì)電荷和激子對(duì)光的吸收，以及強(qiáng)光產(chǎn)生的激子拆分，實(shí)現(xiàn)OLED泵浦型激光。
文檔編號(hào)H01S5/10GK101388523SQ20081020199
公開日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月30日
發(fā)明者孫三春, 張建華, 張志林, 斌 魏 申請(qǐng)人:上海大學(xué)