專(zhuān)利名稱(chēng)：側(cè)墻基層形成方法及側(cè)墻形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種側(cè)墻基層形成方法及側(cè)墻形成方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制程中，側(cè)墻(spacer)用來(lái)環(huán)繞柵極，以防止更大劑量的源漏(S/D)注 入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生的源漏穿通。 隨著器件臨界尺寸的減小，短溝效應(yīng)愈發(fā)明顯，為減少短溝效應(yīng)的發(fā)生，在基底上
形成柵極之后，執(zhí)行輕摻雜離子注入之前，還包含形成側(cè)墻基層(offset spacer)的步驟；
以在執(zhí)行輕摻雜離子注入時(shí)，可以所述柵極和所述側(cè)墻基層共同作為離子注入掩膜，B卩，形
成所述側(cè)墻基層的操作將對(duì)注入離子造成影響，進(jìn)而將對(duì)超淺結(jié)造成影響。 此外，隨著器件臨界尺寸的減小，器件中包含的超淺結(jié)的結(jié)深也逐漸減小，使得本
領(lǐng)域技術(shù)人員越來(lái)越難以精確控制結(jié)深的形成工藝。由于形成所述側(cè)墻基層的操作將對(duì)所
述超淺結(jié)造成影響，使得通過(guò)調(diào)整側(cè)墻/側(cè)墻基層形成工藝以?xún)?yōu)化所述超淺結(jié)形成工藝已
為業(yè)界所重視，為此所進(jìn)行的改進(jìn)請(qǐng)參見(jiàn)如2006年6月7日公布的公開(kāi)號(hào)為"CN1783437A"
以及2008年4月2日公布的公開(kāi)號(hào)為"CN101154574A"中公開(kāi)的方法。 由此，當(dāng)前，實(shí)踐中，形成所述側(cè)墻基層/側(cè)墻的步驟包括如圖1所示，在基底10
上形成柵極20 ;如圖2所示，在已形成柵極20的基底10上形成氧化層30，所述氧化層30
覆蓋所述柵極；如圖3所示，在所述氧化層30上形成氮化層40 ;如圖4所示，刻蝕所述氮化
層40，以形成環(huán)繞所述柵極20的側(cè)墻基層/側(cè)墻。 通常，在刻蝕所述氮化層以形成所述側(cè)墻基層/側(cè)墻后，承載所述氮化層的氧化 層仍予以保留，為利于后續(xù)所述超淺結(jié)形成工藝的進(jìn)行。 但是，實(shí)際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn)，形成所述側(cè)墻基層/側(cè)墻后，在所述基底上保留的氧化層的 厚度分布極不均勻，即，位于所述基底中心區(qū)域(以300mm制程為例，為半徑由0至50mm之 間涵蓋的區(qū)域)與邊緣區(qū)域(以300mm制程為例，為半徑由50mm至150mm之間涵蓋的區(qū)域) 的氧化層之間存在較大的厚度差，具體地，如圖5所示，實(shí)踐中，形成側(cè)墻后，位于所述基底 中心區(qū)域與邊緣區(qū)域的氧化層之間存在的厚度差最高可高達(dá)62. 26-47. 5415 = 14. 7185 埃；由于保留的所述氧化層將在后續(xù)形成所述超淺結(jié)的工藝中作為保護(hù)層，利于控制所述 超淺結(jié)的結(jié)深，其厚度不均勻，將導(dǎo)致對(duì)結(jié)深的控制不均勻，并由此對(duì)器件的電學(xué)性能產(chǎn)生 影響。如何減小所述基底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域保留的氧化層的厚度差成為本領(lǐng)域技術(shù)人員 亟待解決的主要問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種側(cè)墻基層形成方法，可減小基底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域保留的第 一介質(zhì)層之間的厚度差；本發(fā)明提供了一種側(cè)墻形成方法，可減小基底中心區(qū)域與邊緣區(qū) 域保留的氧化硅層之間的厚度差。
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本發(fā)明提供的一種側(cè)墻基層形成方法，包括
在基底上形成柵極； 在形成有所述柵極的基底表面形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述柵極；
在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層； 以所述第一介質(zhì)層為終止層，刻蝕所述第二介質(zhì)層，以形成環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻 基層； 其中，至少在刻蝕所述第二介質(zhì)層的過(guò)程的前段，偏置參數(shù)設(shè)為零。 可選地，所述第一介質(zhì)層材料包括氧化硅或氮氧化硅；可選地，所述第二介質(zhì)層材
料包括異于所述第一介質(zhì)層材料的氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；可選地，所述偏置參數(shù)包括
等離子體增強(qiáng)刻蝕模式下的偏置電壓或磁增強(qiáng)刻蝕模式下的磁感應(yīng)強(qiáng)度；可選地，在磁增
強(qiáng)刻蝕模式下，在反應(yīng)壓力為30mT-40mT，反應(yīng)氣體總流量為300sccm-350sccm時(shí)，所述磁
感應(yīng)強(qiáng)度小于或等于5G。 本發(fā)明提供的一種側(cè)墻形成方法，包括
在基底上形成柵極； 在形成有所述柵極的基底表面形成氧化硅層，所述氧化硅層覆蓋所述柵極；
在所述氧化硅層上形成氮化硅層或氮氧化硅層； 以所述氧化硅層為終止層，刻蝕所述氮化硅層或氮氧化硅層，以形成環(huán)繞所述柵 極的側(cè)墻； 其中，至少在刻蝕所述氮化硅層或氮氧化硅層的過(guò)程的前段，偏置參數(shù)設(shè)為零。
可選地，在形成所述柵極和形成所述氧化硅層的步驟之間，還包括形成如前所述 的側(cè)墻基層的步驟；可選地，所述偏置參數(shù)包括等離子體增強(qiáng)刻蝕模式下的偏置電壓或磁 增強(qiáng)刻蝕模式下的磁感應(yīng)強(qiáng)度；可選地，在磁增強(qiáng)刻蝕模式下，在反應(yīng)壓力為30mT-40mT， 反應(yīng)氣體總流量為300sccm-350sccm時(shí)，所述磁感應(yīng)強(qiáng)度小于或等于5G。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn) 上述技術(shù)方案提供的側(cè)墻基層形成方法，考慮到偏置參數(shù)對(duì)刻蝕過(guò)程中涉及的等 離子體作用于待刻蝕膜層(如所述第二介質(zhì)層)的均勻程度將產(chǎn)生影響，通過(guò)在刻蝕所述 第二介質(zhì)層的過(guò)程中，將偏置參數(shù)設(shè)為零，以減少甚至消除所述偏置參數(shù)對(duì)上述均勻程度 的影響，利于減小所述基底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域保留的第一介質(zhì)層之間的厚度差；此外，若 僅在刻蝕所述第二介質(zhì)層過(guò)程的前段，將偏置參數(shù)設(shè)為零，而在過(guò)程的后段，仍采用包含不 為零的偏置參數(shù)在內(nèi)的工藝執(zhí)行刻蝕操作，利于增強(qiáng)在刻蝕過(guò)程前段由于將偏置參數(shù)設(shè)為 零而導(dǎo)致的刻蝕后表面平整度的降低； 上述技術(shù)方案提供的側(cè)墻形成方法，考慮到偏置參數(shù)對(duì)刻蝕過(guò)程中涉及的等離子 體作用于待刻蝕膜層(如所述氮化硅層或氮氧化硅層)的均勻程度將產(chǎn)生影響，通過(guò)在刻 蝕所述氮化硅層或氮氧化硅層的過(guò)程中，將偏置參數(shù)設(shè)為零，以減少甚至消除所述偏置參 數(shù)對(duì)上述均勻程度的影響，利于減小所述基底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域保留的氧化硅層之間的 厚度差；此外，若僅在刻蝕所述氮化硅層或氮氧化硅層過(guò)程的前段，將偏置參數(shù)設(shè)為零，而 在過(guò)程的后段，仍采用包含不為零的偏置參數(shù)在內(nèi)的工藝執(zhí)行刻蝕操作，利于增強(qiáng)在刻蝕 過(guò)程前段由于將偏置參數(shù)設(shè)為零而導(dǎo)致的刻蝕后表面平整度的降低。


圖1-圖4為說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)墻基層/側(cè)墻形成流程的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5為現(xiàn)有技術(shù)中形成側(cè)墻后基底表面氧化層厚度均勻性的檢測(cè)結(jié)果示意圖； 圖6_圖10為說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的側(cè)墻基層形成流程的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖11為應(yīng)用本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例形成側(cè)墻后基底表面氧化層厚度均勻性的檢測(cè)結(jié)
果示意圖。
具體實(shí)施例方式
盡管下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施 例，應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。 因此，下列的描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛教導(dǎo)，而并不作為對(duì)本發(fā)明的 限制。 為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能 和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi) 發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的 限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi) 時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。 在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下列說(shuō)明和權(quán)利要 求書(shū)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非 精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。 實(shí)際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn)，形成側(cè)墻基層/側(cè)墻后，難以保證保留的氧化層的厚度的均勻性， 而此厚度的均勻性將影響其后形成的超淺結(jié)的結(jié)深；其厚度不均勻，將導(dǎo)致對(duì)結(jié)深的控制 不均勻，并由此對(duì)器件的電學(xué)性能產(chǎn)生影響。如何提高保留的氧化層的厚度的均勻性，即減 小基底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域保留的氧化層的厚度差成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的主要 問(wèn)題。 由于業(yè)界通常采用沉積工藝形成所述氧化層，而利用所述沉積工藝形成的膜層在 基底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域存在厚度差的客觀存在已被業(yè)界廣泛接受，因此，業(yè)界通常將保 留的氧化層的厚度均勻性變差的原因歸結(jié)于在經(jīng)歷刻蝕操作之前，預(yù)先通過(guò)沉積工藝形 成的氧化層的厚度的均勻程度不夠高導(dǎo)致的。 而本發(fā)明的發(fā)明人分析后則認(rèn)為，保留的氧化層的厚度均勻性變差的原因還在 于在實(shí)際的刻蝕過(guò)程中，無(wú)論采用等離子體增強(qiáng)刻蝕模式還是磁增強(qiáng)刻蝕模式，均需設(shè)置 一定的偏置參數(shù)(在等離子體增強(qiáng)刻蝕模式下為偏置電壓；在磁增強(qiáng)刻蝕模式下為磁感應(yīng) 強(qiáng)度)，以促進(jìn)涉及的等離子體在反應(yīng)腔室內(nèi)的定向運(yùn)動(dòng)，增強(qiáng)所述刻蝕操作的定向性；然 而，在實(shí)際的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)中，控制所述偏置參數(shù)的裝置通常設(shè)置于反應(yīng)腔室的頂端中央，其實(shí) 際能夠有效控制等離子體的定向運(yùn)動(dòng)的區(qū)域(其在水平方向上的投影面積通常小于基底 的表面積)僅限于位于所述裝置之下的反應(yīng)腔室空間，而形成有待刻蝕膜層的基底通常置 于所述反應(yīng)腔室的底面的中央，即，可有效控制等離子體的定向運(yùn)動(dòng)的刻蝕操作的執(zhí)行范 圍僅為所述基底上待刻蝕膜層的中心區(qū)域；換言之，等離子體在反應(yīng)腔室空間范圍內(nèi)運(yùn)動(dòng) 趨勢(shì)不均衡，導(dǎo)致所述待刻蝕膜層的中心區(qū)域與邊緣區(qū)域刻蝕效果不均衡，經(jīng)歷刻蝕操作后，所述待刻蝕膜層的中心區(qū)域與邊緣區(qū)域間存在厚度差。 由此，本發(fā)明的發(fā)明人分析后提出，調(diào)節(jié)所述偏置參數(shù)成為減小所述厚度差的指 導(dǎo)方向。 本發(fā)明的發(fā)明人提供了一種側(cè)墻基層形成方法，通過(guò)至少在刻蝕所述第二介質(zhì)層 的過(guò)程的前段，將偏置參數(shù)設(shè)為零，以減少甚至消除所述偏置參數(shù)對(duì)上述厚度差的影響。
需說(shuō)明的是，本文件中，術(shù)語(yǔ)""前段"意指尚未完成刻蝕過(guò)程時(shí)所經(jīng)歷的刻蝕過(guò) 程；術(shù)語(yǔ)""后段"意指在完成""前段"后經(jīng)歷的刻蝕過(guò)程。
應(yīng)用上述方法形成側(cè)墻基層的具體步驟包括
首先，如圖6所示，在基底100上形成柵極120。 在襯底(substrate)上定義器件有源區(qū)并完成淺溝槽隔離后形成所述基底100。 所述襯底包含但不限于包括半導(dǎo)體元素的硅材料，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺 (SiGe)，也可以是絕緣體上硅(SOI)。 所述柵極120的材料可為多晶硅。具體地，在基底100上形成多晶硅柵極的步驟 包括在基底100上形成多晶硅層；在所述多晶硅層上形成圖形化的抗蝕劑層；以所述圖形 化的抗蝕劑層為掩膜，刻蝕所述多晶硅層，形成多晶硅柵極。 可采用低壓化學(xué)氣象沉積(LPCVD)工藝形成所述多晶硅層。實(shí)踐中，通常需對(duì)所
述多晶硅層執(zhí)行摻雜操作，用以調(diào)整所述多晶硅的阻值；所述摻雜操作利用離子注入工藝
進(jìn)行，所述摻雜操作執(zhí)行所述離子注入操作工藝可采用任何傳統(tǒng)的方法，在此不再贅述。 隨后，如圖7所示，在形成有所述柵極120的基底100表面形成第一介質(zhì)層140。 所述第一介質(zhì)層140材料可包括氧化硅或氮氧化硅。 再后，如圖8所示，在所述第一介質(zhì)層140上形成第二介質(zhì)層160。 所述第二介質(zhì)層160材料包括異于所述第一介質(zhì)層140材料的氧化硅、氮化硅或
氮氧化硅。即，所述第一介質(zhì)層140材料為氧化硅時(shí)，所述第二介質(zhì)層160材料可為氮化硅
或氮氧化硅；所述第一介質(zhì)層140材料為氮氧化硅時(shí)，所述第二介質(zhì)層160材料可為氮化硅
或氧化硅。 可采用PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)、SACVD (亞常壓化學(xué)氣相淀積)或 LPCVD(低壓化學(xué)氣相淀積)等傳統(tǒng)工藝形成所述第一介質(zhì)層140和第二介質(zhì)層160。
最后，以所述第一介質(zhì)層為終止層，刻蝕所述第二介質(zhì)層，以形成環(huán)繞所述柵極的 側(cè)墻基層；其中，至少在刻蝕所述第二介質(zhì)層的過(guò)程的前段，偏置參數(shù)設(shè)為零。
實(shí)踐中，所述第一介質(zhì)層通常為氧化硅層，所述第二介質(zhì)層通常為氮化硅層， 采用磁增強(qiáng)刻蝕模式執(zhí)行刻蝕操作時(shí)，傳統(tǒng)工藝選用的工藝參數(shù)包括刻蝕氣體中可包 括CF4和CHF3 ;刻蝕氣體中還可包括輔助氣體Ar和02，以利于刻蝕反應(yīng)均勻地進(jìn)行；實(shí) 踐中，CF4的流量范圍為10sccm-50sccm，如20sccm、30sccm或40sccm ;CHF3的流量范圍 為50sccm-200sccm，如80sccm、90sccm或150sccm ;Ar的流量范圍為100sccm-500sccm， 如180sccm、200sccm或400sccm ;02的流量范圍為10sccm-50sccm，如20sccm、30sccm或 40sccm ;反應(yīng)電壓為150V ;反應(yīng)壓力范圍為20mTorr-50mTorr，如30mTorr、35mTorr或 40mTorr ;磁感應(yīng)強(qiáng)度為15G。具體地，選取的工藝條件為CF4的流量為30sccm ;CHF3的流 量為90sccm ;Ar的流量為180sccm ;02的流量為20sccm ;反應(yīng)電壓為150V ;反應(yīng)壓力為 35mTorr ;磁感應(yīng)強(qiáng)度為15G。
作為本發(fā)明的第一實(shí)施例，在刻蝕所述第二介質(zhì)層的過(guò)程的前段，將偏置參數(shù)設(shè) 為零。即，刻蝕所述第二介質(zhì)層的步驟包括如圖9所示，偏置參數(shù)為零的刻蝕前段；和，如
圖io所示，偏置參數(shù)不為零的刻蝕后段。 在所述刻蝕前段，選取的工藝條件為CF4的流量為30sccm ;CHF3的流量為90sccm ; Ar的流量為180sccm ;02的流量為20sccm ;反應(yīng)電壓為150V ;反應(yīng)壓力為35mTorr ;磁感應(yīng) 強(qiáng)度為O。 在所述刻蝕后段，選取的工藝條件為CF4的流量為30sccm ;CHF3的流量為90sccm ; Ar的流量為180sccm ;02的流量為20sccm ;反應(yīng)電壓為150V ;反應(yīng)壓力為35mTorr ;磁感應(yīng) 強(qiáng)度可為5G?；?，在反應(yīng)壓力為30mT-40mT，反應(yīng)氣體總流量為300sccm-350sccm時(shí)，所述 磁感應(yīng)強(qiáng)度可小于或等于5G。 作為本發(fā)明的其他實(shí)施例，所述第一介質(zhì)層還可選為氮氧化硅層，相應(yīng)地，所述第
二介質(zhì)層為氧化硅層；此時(shí)，與第一實(shí)施例相比，應(yīng)用本發(fā)明提供的方法時(shí)，區(qū)別僅在于
執(zhí)行刻蝕操作時(shí)，選取的刻蝕氣體不同，以及，具體的工藝參數(shù)不同，在前述實(shí)施例的教導(dǎo)
下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可確定該方法在不同工藝條件下的具體應(yīng)用，不再贅述。
此外，本發(fā)明還提供了一種側(cè)墻形成方法，包括在基底上形成柵極；在形成有所
述柵極的基底表面形成氧化硅層；在所述氧化硅層上形成氮化硅層或氮氧化硅層；以所述
氧化硅層為終止層，刻蝕所述氮化硅層或氮氧化硅層，以形成環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻；其中，
至少在刻蝕所述氮化硅層或氮氧化硅層的過(guò)程的前段，偏置參數(shù)設(shè)為零。 所述偏置參數(shù)包括等離子體增強(qiáng)刻蝕模式下的偏置電壓或磁增強(qiáng)刻蝕模式下的
磁感應(yīng)強(qiáng)度。 在形成所述柵極和形成所述氧化硅層的步驟之間，還包括應(yīng)用前述實(shí)施例以形 成側(cè)墻基層的步驟，不再贅述。 作為本發(fā)明的其他實(shí)施例，執(zhí)行所述刻蝕操作的步驟可包括偏置參數(shù)為零的刻蝕 前段和偏置參數(shù)不為零的刻蝕后段。 具體地，在所述刻蝕前段，選取的工藝條件為CF4的流量為30sccm ;CHF 3的流 量為90sccm ;Ar的流量為180sccm ;02的流量為20sccm ;反應(yīng)電壓為150V ;反應(yīng)壓力為 35mTorr ;磁感應(yīng)強(qiáng)度為0。 在所述刻蝕后段，選取的工藝條件為CF4的流量為30sccm ;CHF3的流量為90sccm ; Ar的流量為180sccm ;02的流量為20sccm ;反應(yīng)電壓為150V ;反應(yīng)壓力為35mTorr ;磁感應(yīng) 強(qiáng)度可為5G。或，在反應(yīng)壓力為30mT-40mT，反應(yīng)氣體總流量為300sccm-350sccm時(shí)，所述 磁感應(yīng)強(qiáng)度可小于或等于5G。在所述刻蝕后段，磁感應(yīng)強(qiáng)度為0時(shí)，檢測(cè)到的刻蝕后保留的 氧化層的厚度如圖11所示，可見(jiàn)，其厚度差的最高值已降至55. 64-51. 15 = 4. 49埃，厚度 差被大大地減小。 需說(shuō)明的是，所述刻蝕前段和刻蝕后段的分界可根據(jù)工藝及產(chǎn)品要求靈活確定。 偏置參數(shù)為零時(shí)，刻蝕后獲得的膜層的厚度均勻性更好，但是表面平整度將變差；而偏置參 數(shù)不為零時(shí)，刻蝕后獲得的膜層的厚度均勻性雖差些，但其表面平整度較好。因此，本領(lǐng)域 技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明給出的教導(dǎo)以及其對(duì)厚度均勻性和表面平整度的綜合考量選取所 述刻蝕前段和刻蝕后段的分界方式。若忽略對(duì)表面平整度的要求，則在所述刻蝕后段，所述 磁感應(yīng)強(qiáng)度也可為0，即，所述刻蝕過(guò)程不再分界。
此外，在所述刻蝕后段，所述磁感應(yīng)強(qiáng)度還可為15G，即，在所述刻蝕后段，仍采用 傳統(tǒng)工藝，可在對(duì)傳統(tǒng)工藝進(jìn)行盡量少的改動(dòng)的前提下改善刻蝕后膜層厚度的均勻性。但 是，如第一實(shí)施例中所給出的，減小所述磁感應(yīng)強(qiáng)度的取值，如將15G減至5G，利于在改善 表面平整度的前提下，進(jìn)一步減小所述偏置參數(shù)對(duì)厚度均勻性的影響。 上述實(shí)施例僅為本發(fā)明提供的方法在磁增強(qiáng)刻蝕模式下的應(yīng)用；該方法在等離子 體增強(qiáng)刻蝕模式下的應(yīng)用與之類(lèi)似，區(qū)別僅在于偏置參數(shù)有磁感應(yīng)強(qiáng)度改為偏置電壓，在 前述實(shí)施例的教導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可確定該方法在不同刻蝕模式下的具體應(yīng)用，不再 贅述。 通過(guò)考慮到偏置參數(shù)對(duì)刻蝕過(guò)程中涉及的等離子體作用于待刻蝕膜層(如所述 氮化硅層或氮氧化硅層)的均勻程度產(chǎn)生的影響，以在刻蝕所述氮化硅層或氮氧化硅層的 過(guò)程中，將偏置參數(shù)設(shè)為零，以減少甚至消除所述偏置參數(shù)對(duì)上述均勻程度的影響，利于減 小所述基底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域保留的氧化硅層之間的厚度差；此外，若僅在刻蝕所述氮 化硅層或氮氧化硅層過(guò)程的前段，將偏置參數(shù)設(shè)為零，而在過(guò)程的后段，仍采用包含不為零 的偏置參數(shù)在內(nèi)的工藝執(zhí)行刻蝕操作，利于增強(qiáng)在刻蝕過(guò)程前段由于將偏置參數(shù)設(shè)為零而 導(dǎo)致的刻蝕后表面平整度的降低。 需強(qiáng)調(diào)的是，未加說(shuō)明的步驟均可采用傳統(tǒng)的方法獲得，且具體的工藝參數(shù)根據(jù) 產(chǎn)品要求及工藝條件確定。 盡管通過(guò)在此的實(shí)施例描述說(shuō)明了本發(fā)明，和盡管已經(jīng)足夠詳細(xì)地描述了實(shí)施 例，申請(qǐng)人不希望以任何方式將權(quán)利要求書(shū)的范圍限制在這種細(xì)節(jié)上。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人 員來(lái)說(shuō)另外的優(yōu)勢(shì)和改進(jìn)是顯而易見(jiàn)的。因此，在較寬范圍的本發(fā)明不限于表示和描述的 特定細(xì)節(jié)、表達(dá)的設(shè)備和方法和說(shuō)明性例子。因此，可以偏離這些細(xì)節(jié)而不脫離申請(qǐng)人總的 發(fā)明概念的精神和范圍。
8
權(quán)利要求
一種側(cè)墻基層形成方法，其特征在于，包括在基底上形成柵極；在形成有所述柵極的基底表面形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述柵極；在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層；以所述第一介質(zhì)層為終止層，刻蝕所述第二介質(zhì)層，以形成環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻基層；其特征在于，至少在刻蝕所述第二介質(zhì)層的過(guò)程的前段，偏置參數(shù)設(shè)為零。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)墻基層形成方法，其特征在于所述第一介質(zhì)層材料包括 氧化硅或氮氧化硅。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)墻基層形成方法，其特征在于所述第二介質(zhì)層材料包括 異于所述第一介質(zhì)層材料的氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)墻基層形成方法，其特征在于所述偏置參數(shù)包括等離子 體增強(qiáng)刻蝕模式下的偏置電壓或磁增強(qiáng)刻蝕模式下的磁感應(yīng)強(qiáng)度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的側(cè)墻基層形成方法，其特征在于在磁增強(qiáng)刻蝕模式下，在反 應(yīng)壓力為30mT-40mT，反應(yīng)氣體總流量為300sccm-350sccm時(shí)，所述磁感應(yīng)強(qiáng)度小于或等于 5G。
6. —種側(cè)墻形成方法，其特征在于，包括 在基底上形成柵極；在形成有所述柵極的基底表面形成氧化硅層，所述氧化硅層覆蓋所述柵極； 在所述氧化硅層上形成氮化硅層或氮氧化硅層；以所述氧化硅層為終止層，刻蝕所述氮化硅層或氮氧化硅層，以形成環(huán)繞所述柵極的其特征在于，至少在刻蝕所述氮化硅層或氮氧化硅層的過(guò)程的前段，偏置參數(shù)設(shè)為零。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，在形成所述柵極和形成所述氧 化硅層的步驟之間，還包括形成如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)中所述的側(cè)墻基層的步驟。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于所述偏置參數(shù)包括等離子體增強(qiáng)刻蝕模式下的偏置電壓或磁增強(qiáng)刻蝕模式下的磁感應(yīng)強(qiáng)度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于在磁增強(qiáng)刻蝕模式下，在反應(yīng)壓力為30mT-40mT，反應(yīng)氣體總流量為300sccm-350sccm時(shí)，所述磁感應(yīng)強(qiáng)度小于或等于5G。
全文摘要
一種側(cè)墻基層形成方法，包括在基底上形成柵極；在形成有所述柵極的基底表面形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述柵極；在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層；以所述第一介質(zhì)層為終止層，刻蝕所述第二介質(zhì)層，以形成環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻基層；其中，至少在刻蝕所述第二介質(zhì)層的過(guò)程的前段，偏置參數(shù)設(shè)為零?？蓽p小基底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域保留的第一介質(zhì)層之間的厚度差。本發(fā)明還提供了一種側(cè)墻形成方法，可減小基底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域保留的氧化硅層之間的厚度差。
文檔編號(hào)H01L21/311GK101764057SQ20081020806
公開(kāi)日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者趙林林, 韓寶東 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司