專利名稱：有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光顯示面板。
背景技術：
通常，有機電致發(fā)光(EL)顯示器是自發(fā)射顯示器件，通過激勵發(fā)射性 有機材料使其發(fā)光而顯示圖像。該有機EL顯示器包括陽極(空穴注入電極)、 陰極(電子注入電極)和夾在其間的有機發(fā)光層。當空穴和電子注入到發(fā)光層 時，它們復合并且成對湮滅同時產(chǎn)生光。該發(fā)光層還包括電子傳輸層(ETL) 和空穴傳輸層(HTL)以及電子注入層(EIL)和空穴注入層(HIL)，用于增強光 發(fā)射。
以矩陣的形式設置并且以無源矩陣(或者簡單矩陣)尋址或者有源矩陣 尋址的方式驅動多個像素的有機EL顯示器，每個像素都包括陽極、陰極和
發(fā)光層。
無源矩陣型有機EL顯示器包括多條陽極線、與陽極線相交的多條陰極 線、以及多個像素，每個像素都包括發(fā)光層。選擇陽極線之一和陰極線之 一使位于選定信號線交點處的像素發(fā)光。
有源矩陣型有機EL顯示器包括多個像素，每個像素包括開關晶體管、 驅動晶體管和存儲電容器以及陽極、陰極和發(fā)光層。EL顯示器還包括傳輸 柵信號的多條柵極線和傳輸數(shù)據(jù)電壓的多條數(shù)據(jù)線。開關晶體管與柵極線 之一和數(shù)據(jù)線之一連接，并且響應柵信號從數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)電壓。驅動晶 體管從開關晶體管接收數(shù)據(jù)電壓，并且驅動由數(shù)據(jù)電壓與預定電壓(例如電 源電壓)之間的差確定其幅度的電流。來自驅動晶體管的電流進入發(fā)光層以 便引起強度取決于電流的發(fā)光。存儲電容器連接在數(shù)據(jù)電壓與電壓源之間 以便保持它們的電壓差。通過控制數(shù)據(jù)電壓以便調整由驅動晶體管驅動的
電流來實現(xiàn)有源矩陣型EL顯示器的灰度色標(grayscaling)。通過提供紅色、 綠色和藍色發(fā)光層獲得EL顯示器的彩色顯示。
同時，電源電壓的降低減小了由驅動晶體管驅動的電流，使得顯示的 圖像比預期的暗。例如，用于顯示較高灰度的具有較高幅度的數(shù)據(jù)電壓經(jīng) 歷較高的電壓降，使得由驅動晶體管驅動的電流減小得非常厲害。較小的 電流使與其相關的像素發(fā)射更暗的光，從而產(chǎn)生干擾，當期望發(fā)射亮光的 像素數(shù)量增加時，這種情況更加嚴重。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是解決上述問題。
根據(jù)本發(fā)明的技術方案，提供一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括絕 緣襯底；形成在襯底上的多晶硅層；形成在多晶硅層上的第一絕緣層；形 成在第一絕緣層上的柵極線；形成在柵極線上的第二絕緣層；形成在第二 絕緣層上并包括第 一和第二部分的數(shù)據(jù)線；與數(shù)據(jù)線的第 一部分連接的像 素電極；限定像素電極上的區(qū)域的隔離物；形成在像素電極上的該區(qū)域中 的有機發(fā)光部件；形成在發(fā)光部件上的公共電極；以及，設置在像素電極 與襯底之間并且與數(shù)據(jù)線的第二部分連接的平面電源電壓電極。
電源電壓電極可直接設置在襯底上。
有機電致發(fā)光顯示面板還可包括形成在襯底上的阻擋層。阻擋層可具 有露出部分電源電壓電極的開口 ，第一和第二絕緣層具有通過開口暴露電 源電壓電極的露出部分的接觸孔，且數(shù)據(jù)線的第二部分通過開口和接觸孔 連接到電源電壓電41。開口可比4妻觸孔更大。
多晶硅層可包括第一和第二晶體管部分，每個部分都包括溝道區(qū)、源 極區(qū)和漏極區(qū)，柵極線包括分別與第一和第二晶體管部分交疊的第一和第
二柵極電極，數(shù)據(jù)線包括與第一晶體管部分的源極區(qū)連接的第一源極電極、 與第一晶體管部分的漏極區(qū)和第二柵極電極連接的第一漏極電極、與第二
晶體管部分的源極區(qū)和電源電壓電極連接的第二源極電極、以及與第二晶 體管部分的漏極區(qū)和像素電極連接的第二漏極電極。
多晶體層還可包括與第二晶體管部分的源極區(qū)連接的存儲電極區(qū)，而 柵極線還包括與存儲電極區(qū)交疊并且與第二柵極電極連接的存儲電極。
像素電極可由與數(shù)據(jù)線相同的層或者相同的材料構成。有機電致發(fā)光顯示面板還可包括連接在電源電壓電極與第二源極電極 之間的輔助電極。輔助電極包括與4冊極線相同的層。 隔離物優(yōu)選包括黑色光致抗蝕劑。
像素電極可以是不透明的，而公共電極是透明的?；蛘?，像素電極是 透明的，而公共電極是不透明的。
當像素電極是透明的時，電源電壓電極優(yōu)選具有面對發(fā)光部件的透射 部分，用于透過來自發(fā)光部件的光。
電源電壓電極優(yōu)選具有面對至少部分多晶硅層的開口 。
通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的實施例，本發(fā)明將變得更加明顯易懂，
附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機EL顯示面板的布局圖2是沿線II-II，截取的圖1所示的有機EL顯示面板的截面圖3是沿線III-m，截取的圖1所示有機EL顯示面板的截面圖4A是在根據(jù)本發(fā)明實施例的制造方法的第一步驟中，圖1至3所示
的有機EL顯示面板的布局圖4B和4C分別是沿著線IVB-IVB，和IVC-IVC，截取的圖4A所示的有
機EL顯示面板的截面圖5A是在圖4A至4C所示步驟之后的步驟中圖1至3所示有機EL顯
示面板的布局圖5B和5C分別是沿著線VB-VB，和VC-VC，截取的圖5A所示有機EL 顯示面板的截面圖6A是在圖5A至5C所示步驟之后的步驟中圖1至3所示有機EL顯 示面板的布局圖6B和6C分別是沿著線VIB-VIB，和VIC-VIC，截取的圖6A所示有機 EL顯示面板的截面圖7A是在圖6A至6C所示步驟之后的步驟中圖1至3所示有機EL顯 示面板的布局圖7B和7C分別是沿著線VIIB-VIIB，和VIIC-VIIC，截取的圖7A所示 有機EL顯示面板的截面圖；圖8A是在圖7A至7C所示步驟之后的步驟中圖1至3所示有機EL顯 示面板的布局圖8B和8C分別是沿著線VIIIB-VIIIB，和VIIIC-VniC，截取的圖8A所 示有機EL顯示面板的截面圖9A是在圖8A至8C所示步驟之后的步驟中圖1至3所示有機EL顯 示面板的布局圖9B和9C分別是沿著線IXB-IXB，和IXC-IXC，截取的圖9A所示有機 EL顯示面^1的截面圖IOA是在圖9A至9C所示步驟之后的步驟中圖1至3所示有機EL 顯示面板的布局圖IOB和IOC分別是沿著線XB-XB，和XC-XC，截取的圖IOA所示有機 EL顯示面板的截面圖12是沿著線XII-Xir截取的圖11所示顯示面板的典型截面圖13是沿著線xin-xnr截取的圖ii所示顯示面板的典型截面圖； 圖14是沿著線xni-xnr截取的圖ii所示顯示面板的另一個典型截面 圖；以及
圖15是沿著線xm-xnr截取的圖ii所示顯示面板的再一個典型截面圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖更加全面地描述本發(fā)明，其中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實 施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式實施，不應認為限于這里所闡 述的實施例。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層和區(qū)的厚度。相同的附圖標記始 終表示相同的部件。應理解，當將諸如層、膜、區(qū)、襯底或者面板的元件 描述為在另一個元件"上"時，它可以直接在另一個元件上，也可以存在 夾在其間的元件。相反，當元件描述為"直接在另一個元件上"時，就不 存在夾在其間的元件。
下面，將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例的有機電致發(fā)光顯示器及其 制造方法。
首先，參考圖1至3詳細描述根據(jù)本發(fā)明實施例的有機EL顯示器。 圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機EL顯示面板的布局圖，圖2是沿著線
n-n，截取的圖i所示有機EL顯示面板的截面圖，而圖3是沿著線iii-m，截
取的圖1所示有機EL顯示面板的截面圖。
在優(yōu)選由透明玻璃或硅晶片制成的絕緣襯底110上形成施加有諸如電 源電壓的預定電壓的電源電壓電極112。電源電壓電極112優(yōu)選由具有低電 阻率的導電材料(例如Al、 Al合金、Ag或Ag合金)制成，并且基本上覆蓋 襯底110的整個表面，以便具有平面形狀而不會形成帶狀。
在電源電壓電極112上形成優(yōu)選由氧化硅或者氮化硅制成的阻擋層
111。
在阻擋層111上形成多晶硅層，該多晶硅層包括多對用于開關薄膜晶 體管(TFT)的第一晶體管部分150a和用于驅動TFT的第二晶體管部分150b。
第一晶體管部分150a包括多個以n型雜質摻雜并且彼此分離的雜質區(qū) 和多個本征區(qū)，所述雜質區(qū)例如為(第一)源極區(qū)153a、中間區(qū)152a和(第一) 漏極區(qū)155a，所述本征區(qū)例如為設置在雜質區(qū)153a、 152a與155a之間的 成對的(第一)溝道區(qū)154a。第一源極區(qū)153a延伸而形成存儲電極區(qū)157。
第二晶體管部分150b包括以p型雜質摻雜的多個雜質區(qū)和一本征區(qū)， 所述雜質區(qū)例如是(第二)源極區(qū)1Wb和(第二)漏極區(qū)l"b，所述本征區(qū)例 如是設置在雜質區(qū)153b與155b之間的(第二)溝道區(qū)154b。
可選的，根據(jù)驅動條件，用p型雜質摻雜第一晶體管部分150a的雜質 區(qū)153a、 152a和155a，同時用n型雜質摻雜第二晶體管部分150b的雜質 區(qū)153b和155b。
優(yōu)選由氧化硅或者氮化硅制成的柵極絕緣層140形成在多晶硅層150a 和150b上。
在柵極絕緣層140上形成多條柵極線121,柵極線121包括優(yōu)選由低電 阻率材料(例如Al或者Al合金)制成的多對第一柵極電極123a和第二柵極 電極123b。每對第一柵極電極123a都從柵極線121分盆并且與第一晶體管 部分150a相交，使得它們與成對的第一溝道區(qū)154a交疊。每個第二柵極電 極123b與柵極線121分離，并且與第二晶體管部分150b相交，使得它與 第二溝道區(qū)154b交疊。第二柵極電極123b延伸而形成與多晶硅層150a和 150b的存儲電極區(qū)157交疊的存儲電極133，從而形成存儲電容器。
在柵極線121和第一及第二柵才及電極123a和123b上形成第一層間絕 緣膜801。
在第一層間絕緣膜801上形成多條數(shù)據(jù)線171,每條數(shù)據(jù)線都包括多個 第一源極電極173a、多個第二源極電極173b和多個第一及第二漏極電極 175a和175b。
每個第一源極電極173a從數(shù)據(jù)線171分岔并且通過穿過第一層間絕緣 膜801和柵極絕緣層140的接觸孔181與第一源極區(qū)153a連接。每個第一 漏極電極175a通過穿過第一層間絕緣膜801和柵極絕緣層140的接觸孔182 與第一漏極區(qū)155a連接。第一漏極電極175a還通過穿過第一層間絕緣膜 801和柵極絕緣層140的接觸孔183與第二柵極電極123b連接。
每個第二源極電極173b都呈島狀，它通過穿過第一層間絕緣膜801和 柵極絕緣層140的接觸孔184與第二源極區(qū)153b連接。每個第二漏極電極 175b通過穿過第一層間絕緣膜801和柵極絕緣層140的接觸孔186與第二 漏極區(qū)155b連接。第二源極電極173b還通過穿過第一層間絕緣膜801、柵 極絕緣層140和阻擋層111的接觸孔187與電源電壓電極112連接。
在數(shù)據(jù)線171、源極電極173a和173b、以及漏極電極175a和175b上 形成第二層間絕緣膜802 。第二層間絕緣膜802優(yōu)選由氮化硅、氧化硅或者 有機絕緣材料制成，并且它具有露出第二漏極電極175b的多個接觸孔185。
在第二層間絕緣膜802上形成多個像素電極190。每個像素電極190 都通過接觸孔185與第二漏極電極175b連接，并且其優(yōu)選由反射性不透明 材料(例如Al或者Ag合金)制成。然而，像素電極190可以由透明的導電材 料(例如ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅))制成。像素電極190可以與第二漏 極電極175b結合，用于降低制造成本。
在第二層間絕緣膜802和像素電極190上形成用于分開有機EL顯示面 板的像素的隔離物803。隔離物803像土堤一樣圍繞像素電極190，以便限 定用有機發(fā)光材料填充的凹陷區(qū)。隔離物803優(yōu)選由有機絕緣材料、更優(yōu) 選由包括黑色顏料的光敏材料制成，對其曝光并顯影，使得隔離物803起 到擋光部件的作用，從而簡化其制造方法。
多個發(fā)光部件70形成在像素電極190上并且設置在由隔離物803限定 的凹陷區(qū)中。發(fā)光部件70優(yōu)選由發(fā)射基色光(例如紅、綠和藍光)的有機材 料制成。周期性地設置發(fā)射紅、綠和藍光的部件70。
在發(fā)光部件70和隔離物803上形成緩沖層804。如果不需要，也可以 省略該緩沖層804。
在緩沖層804上形成施加有預定電壓的公共電極270。公共電極270 優(yōu)選由透明導電材料(例如ITO和IZO)制成。如果像素電極190是透明的， 則公共電極270優(yōu)選由反射性不透明金屬(例如Al)制成。
可選地設置由低電阻率材料制成的輔助電極(未示出)，用于補償公共電 極270的電導率。輔助電極可以設置在公共電極270與緩沖層804之間或 者設置在公共電極270上，并且優(yōu)選具有矩陣形式并且沿著隔離物803設 置，使得其不與發(fā)光部件70交疊。
在上述有機EL顯示面板中，第一晶體管部分150a、與柵極線121連 接的第一柵極電極123a、與數(shù)據(jù)線171連接的第一源極電極153a、以及第 一漏極電極155a形成開關TFT。此外，第二晶體管部分150b、與第一漏極 電極155a連接的第二柵極電極123b、與電源電壓電極112連接的第二源極 電極153b、以及與像素電極l卯連接的第二漏極電極155b形成驅動TFT。 另外，像素電極190和公共電極270分別作為陽極和陰極，與第一漏極電 極155a連接的存儲電極區(qū)157和通過第二源極電極153b與電源電壓電極 112連接的存儲電極133形成存儲電容器。
響應于來自柵極線121的柵信號，開關TFT將數(shù)據(jù)電壓從數(shù)據(jù)線171 傳輸給驅動TFT。在接收到數(shù)據(jù)電壓時，驅動TFT產(chǎn)生電流，該電流的幅 度取決于數(shù)據(jù)電壓與電源電壓之間的差。此外，數(shù)據(jù)電壓給存儲電容器充 電，并在開關TFT關斷之后保持。由驅動TFT驅動的電流通過像素電極190 進入發(fā)光部件70，并且到達公共電極270。發(fā)光部件170中的電流流動意 味著正電荷載流子(例如空穴)和負電荷載流子(例如電子)分別從陽極190和 陰極270注入到發(fā)光部件70中，并且通過由陽極190與陰極270之間的電 壓差產(chǎn)生的電場漂移。然后發(fā)光部件70中的空穴和電子彼此相遇，復合為 激子，發(fā)出預定波長的光。發(fā)光強度取決于由驅動TFT驅動并且流入發(fā)光 部件70的電流。
發(fā)射的光在經(jīng)過公共電極270或者像素電極190之后離開顯示面板。 透明的公共電極270和不透明的像素電極l卯可以應用于頂部發(fā)射型EL顯 示器，這種顯示器在其頂表面上顯示圖像。相反，透明的像素電極190和 不透明的公共電極270可以應用于底部發(fā)射型EL顯示器，這種顯示器在其
底表面上顯示圖像。對于前者，電源電壓電極112可以具有在發(fā)光部件70 與襯底111之間的各種不同的位置或者設置。對于后者，電源電壓電極112 可以至少部分是透明的，以便傳送從發(fā)光部件70發(fā)射的光。
如上所述，由于電源電壓電極112具有覆蓋有機EL顯示面板整個表面 的平面形狀，因此施加于像素的電源電壓的幅度幾乎是恒定的。此外，由 于電源電壓電極112具有表面電阻，因此電壓降基本上不能夠分辯施加給 像素的電源電壓的幅度。因此，明顯減少了由像素之間的亮度差產(chǎn)生的干 擾。
下面將參考圖4A至10C以及圖l至3描述圖1至3所示的有機EL顯 示面板的制造方法。
圖4A、 5A、 6A、 7A、 8A、 9A和10A是在根據(jù)本發(fā)明實施例的有機 EL顯示面板的制造方法的中間步驟中、圖1至3所示的有機EL顯示面板 的布局圖，圖4B、 5B、 6B、 7B、 8B、 9B和10B分別是沿著線IVB-IVB，、 VB-VB,、 VIB-VIB,、 VIIB-VIIB，、 VIIIB-VIIIB，和XB-XB，截取的圖4A、 5A、 6A、 7A、 8A、 9A和IOA所示有機EL顯示面板的截面圖，圖4C、 5C、 6C、 7C、8C、9C和10C分別是沿著線IVC-IVC，、VB-VB，、VIC-VIC，、VIIC-VIIC，、 VIIIC-VIIIC，、 IXC-IXC，和XC-XC，截取的圖4A、 5A、 6A、 7A、 8A、 9A和 10A所示的有機EL顯示面板的截面圖。
參考圖4A至4C,在絕緣襯底110上沉積導電材料，以便形成電源電 壓電極112?？梢怨饪屉娫措妷弘姌O112以便在其中形成開口或者透射部分。
優(yōu)選由氧化硅制成的阻擋層111形成在絕緣襯底110上，并在阻擋層 lll上沉積非晶硅層。優(yōu)選通過LPCVD(低溫化學汽相沉積)、PECVD(等離 子增強化學汽相沉積)或者濺射進行非晶硅層的沉積。接著，激光退火非晶 硅層，以便結晶為多晶硅層。
然后，光刻該多晶硅層以便形成多對第一和第二晶體管部分150a和 150b。
參考圖5A至5C,在多晶硅層150a和150b上沉積4冊極絕緣層140。 接著，在柵極絕緣層140上沉積柵極金屬層，并且涂覆光致抗蝕劑膜， 曝光和顯影，以便形成第一光致抗蝕劑PR1。利用第一光致抗蝕劑PR1作 為蝕刻掩模蝕刻柵極金屬層，以便形成包括存儲電極133的多個柵極電極 123b和多個柵極金屬部件120。將P型雜質注入多晶硅層的第二晶體管部200810211163.9
說明書第9/ll頁
分150b的暴露部分中，以便形成多個P型雜質區(qū)153b和155b。此時，多 晶硅層的第一晶體管部分150a被第一光致抗蝕劑PR1和柵極金屬部件120 覆蓋，以避免雜質注入。
參考圖6A至6C，除去第一光致抗蝕劑PR1，涂覆另一層光致抗蝕劑 膜，曝光和顯影，以便形成第二光致抗蝕劑PR2。利用第二光致抗蝕劑PR2 作為蝕刻掩模蝕刻柵極金屬層120,以便形成包括柵極電極123a的多條柵 極線121。將N型雜質注入到多晶硅層的第一晶體管部分150a的暴露部分 中，以便形成多個N型雜質區(qū)153a和155a。此時，多晶硅層的第二晶體管 部分150b被第二光致抗蝕劑PR2覆蓋，以避免雜質注入。
參考圖7A至7C，在柵極線121和柵極電極123a和123b上沉積第一 層間絕緣膜801。光刻第一層間絕緣膜801、柵極絕緣層140和阻擋層111, 以便形成分別暴露雜質區(qū)153a、 155a、 153b和155b的多個接觸孔181、 182、 184和186,以及暴露4冊極電極123b和部分電源電壓電極112的4妄觸孔183 和187。
參考圖8A至8C，沉積并光刻數(shù)據(jù)金屬層，以便形成包括第一源極電 極173a的多條數(shù)據(jù)線171、多個第二源極電極173b、多個第一和第二漏極 電極175a和175b。
參考圖9A至9C，在數(shù)據(jù)線171、源極電極173a和173b、以及漏極電 極175a和175b上、以及在第一層間絕緣膜801上沉積第二層間絕緣膜802。 光刻第二層間絕緣膜以便形成暴露第二漏極電極175b的多個接觸孔185。
參考圖IOA至IOC，沉積并構圖透明導電材料或者低電阻率反射材料， 以便形成多個像素電極190。當像素電極190由反射性不透明材料制成時， 像素電極可以與數(shù)據(jù)線171 —起由數(shù)據(jù)金屬層形成。
參考圖1至3,在像素電極190和第二層間絕緣膜802上涂覆包括黑色 顏料的有機膜，曝光并顯影以便形成在像素電極190上限定多個凹陷區(qū)的 隔離物803。此后，通過掩模之后的沉積或者噴墨印刷在凹陷區(qū)中形成多個 有機發(fā)光部件70。有片幾發(fā)光部件70優(yōu)選具有多層結構。
然后，在發(fā)光部件70上沉積有機導電材料，以便形成緩沖層804,并 在緩沖層804上沉積ITO或者IZO以1"更形成7>共電極270。
可以在形成公共電極270之前或者之后形成由低電阻率材料(如Al)制 成的輔助電極(未示出)。 如上所述，根據(jù)本實施例的頂部發(fā)射型有機EL顯示面板包括不透明的 像素電極和透明的公共電極270，并在其頂表面顯示圖像?？梢詫㈦娫措妷?電極112設置在有機發(fā)光部件70下面的其它位置。
下面，參考圖11至15詳細描述底部發(fā)射型有機EL顯示面板，該有機 EL顯示面板包括透明的像素電極和不透明的公共電極，用于在其底表面上 顯示圖像。
圖12和13分別是沿著線xn-xn，和xin-xnr截取的圖ii所示顯示面板的
典型截面圖。
如圖11至13所示，根據(jù)本實施例的有機EL顯示面板的結構類似于圖 1至3所示的面板結構。
詳細而言，電源電壓電極112和阻擋層111依次形成在絕緣襯底110 上。多晶硅層形成在阻擋層111上，并在上面形成柵極絕緣層140，該多晶 硅層包括多對用于開關TFT的第 一晶體管部分150a和用于驅動TFT的第二 晶體管部分150b。第一晶體管部分150a包括多個雜質區(qū)和設置在雜質區(qū) 153a、 152a和155a之間的一對第一溝道區(qū)154a，雜質區(qū)例如是第一源極區(qū) 153a、中間區(qū)152a、以及第一漏極區(qū)155a。第二部分150b包括第二源極區(qū) 153b、第二漏極區(qū)155b和設置在第二源極區(qū)153b與第二漏才及區(qū)155a之間 的第二溝道區(qū)154a。包括第一柵極電極123a的多條柵極線121和包括存儲 電極133的多個第二柵極電極123b形成在柵極絕緣層140上，并在其上形 成第一層間絕緣膜801。包括第一源極電極173a的多條數(shù)據(jù)線171、多個第 二源極電極173b和多個第一和第二漏極電極175a和175b形成在第一層間 絕緣膜801上，并在其上形成第二層間絕緣膜802。多個像素電極190和在 像素電極190上限定多個凹陷區(qū)的隔離物803形成在第二層間絕緣膜802 上，而多個有機發(fā)光部件70形成在像素電極190上的凹陷區(qū)中。緩沖層804 形成在有機發(fā)光部件70和隔離物803上，7>共電極270形成在緩沖層804 上。
像素電極l卯是透明的，而公共電極270是不透明的。電源電壓電極 112具有多個面對像素電極190的透射部分T，用于透射從發(fā)光部件70發(fā) 射的光。此外，電源電壓電極112具有面對第一晶體管部分150a的溝道區(qū) 154a的多個開口 S,用于使電源電壓對開關TFT的影響最小。
根據(jù)本發(fā)明實施例，圖11至13所示的有機EL顯示面板的制造方法、 通過在沉積電源電壓電極112之后利用光刻工藝構圖電源電壓電極112形 成了開口 S和透射部分T。
與常規(guī)的直線形電源電壓電極相比，可以增加根據(jù)本實施例的平面電 源電壓電才及112的透射部分T的面積。
圖14是沿著線xni-xnr截取的圖11所示的顯示面板的另一個典型截 面圖。
參考圖14,用于補償電源電壓電極112與第二源極電極173b之間的連 接的多個輔助部件127形成在柵極絕緣層140上。輔助部件127通過穿透 柵極絕緣層140和阻擋層111的接觸孔147連接到電源電壓電極112，并且 還通過穿透第一層間絕緣膜801的接觸孔187連接到第二源極電極173b。 輔助部件127優(yōu)選由與4冊^L線121相同的層的制成。
圖15是沿著線XIII-XIir截取的圖11所示的顯示面板的另一個典型截 面圖。
參考圖15，阻擋層111具有暴露電源電壓電極112的多個開口 117， 以及在開口 117中形成穿透第一層間絕緣膜801和柵極絕緣層140和尺寸 比開口 117小的多個接觸孔187。第二源極電極173b通過接觸孔187與電 源電壓電才及112連接。
盡管上面已經(jīng)詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但應清楚地理解，對 于本領域技術而言，將有對此處教導的基本發(fā)明理念的許多變化和/或修改， 其都屬于如所附權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括絕緣襯底；形成在該襯底上的多晶硅層；形成在多晶硅層上的第一絕緣層；形成在第一絕緣層上的柵極線；形成在柵極線上的第二絕緣層；形成在第二絕緣層上并包括第一和第二部分的數(shù)據(jù)線；與數(shù)據(jù)線的第一部分連接的像素電極；限定像素電極上的區(qū)域的隔離物；形成在像素電極上的該區(qū)域中的有機發(fā)光部件；形成在有機發(fā)光部件上的公共電極；設置在像素電極與襯底之間的平面電源電壓電極；以及連接在電源電壓電極與數(shù)據(jù)線的第二部分之間的輔助電極。
2. 根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光顯示面板，其中電源電壓電極直接 設置在該襯底上。
3. 根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光顯示面板，其中多晶硅層包括第一 和第二晶體管部分，每個部分都包括溝道區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)，柵極線包括分別與第一和第二晶體管部分交疊的第一和第二柵極電極，以及數(shù)據(jù)線 包括與第一晶體管部分的源極區(qū)連接的第一源極電極、與第一晶體管部分 的漏極區(qū)和第二柵極電極連接的第一漏極電極、與第二晶體管部分的源極 區(qū)和電源電壓電極連接的第二源極電極、以及與第二晶體管部分的漏極區(qū) 和像素電極連接的第二漏極電極；以及其中多晶硅層還包括與第二晶體管部分的源極區(qū)連接的存儲電極區(qū)， 而柵極線還包括與存儲電極區(qū)交疊并且與第二柵極電極連接的存儲電極。
4. 根據(jù)權利要求3的有機電致發(fā)光顯示面板，其中像素電極由與數(shù)據(jù) 線相同的層或者相同的材料構成。
5. 根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光顯示面板，其中輔助電極包括與柵 4及線相同的層。
6. 根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光顯示面板，其中該隔離物包括黑色光致抗蝕劑。
7. 根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光顯示面板，其中像素電極是透明的， 電源電壓電極具有面對有機發(fā)光部件的開口 ，用于透過來自有機發(fā)光部件 的光。
8. 根據(jù)權利要求7的有機電致發(fā)光顯示面板，其中公共電極是不透明的。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括絕緣襯底；形成在襯底上的多晶硅層；形成在多晶硅層上的第一絕緣層；形成在第一絕緣層上的柵極線；形成在柵極線上的第二絕緣層；形成在第二絕緣層上并包括第一和第二部分的數(shù)據(jù)線；與數(shù)據(jù)線的第一部分連接的像素電極；限定像素電極上的區(qū)域的隔離物；形成在像素電極上的該區(qū)域中的有機發(fā)光部件；形成在發(fā)光部件上的公共電極；以及，設置在像素電極與襯底之間并且與數(shù)據(jù)線的第二部分連接的平面電源電壓電極。
文檔編號H01L27/10GK101359681SQ20081021116
公開日2009年2月4日 申請日期2003年12月11日 優(yōu)先權日2002年12月11日
發(fā)明者崔凡洛, 申暻周, 蔡鐘哲 申請人:三星電子株式會社